Tip35C: TIP35C, Транзистор NPN 100В 25А [TO-247], ST Microelectronics

Транзистор TIP35C: характеристики, аналоги и datasheet

Технические характеристики биполярного транзистора TIP35C позволяют использовать его в усилителях и коммутационных устройствах. Данный полупроводник изготавливают по планарной технологии. Структура компонента n-p-n.

Цоколевка

Очень важной, но в то же время простой информацией, которую необходимо знать о транзисторе TIP35C является распиновка. Когда параметры подобраны и очередь дошла до монтажа, то в первую очередь смотрят на расположение ножек. Если посмотреть на приведённое изображение, то  они обозначены цифрами 1, 2 и 3 и одинаковы для транзисторов двух типов корпусов ТО-218 и ТО-3Р, которые кстати имеют между собой мало различий.

Технические характеристики

В конце статьи будут ссылки на скачивание Datasheet tip35c на от разных производителей, а пока рассмотрим некоторые параметры более подробно. Важными характеристиками транзистора являются максимальные значения, именно их производители приводят в своей документации первыми. При их превышении изделие выйдет из строя. Не допускается также длительная эксплуатация устройства, когда значения рабочих характеристик близки к предельно допустимым. Испытания производят при температуре окружающей среды равной +25ОС.

  • Предельно допустимый кратковременный импульсный ток через коллектор (ICPI
    CP
     = 50 А
    ;
  • Диапазон температур при которых может храниться изделие ТSTG = -65 … +150 оC.
  • предельно допустимое напряжение К-Б (при IE= 0) не должно быть больше VCBO = 100 В;
  • наибольшее возможное напряжение Э-Б (при IВ= 0) VEBO = 5 В;
  • максимально допустимый постоянный ток коллектора не более IC = 25 А;
  • Наибольший возможный ток, протекающий через базу IB = 5 А;
  • максимальное напряжение К-Э (при IВ= 0) должно быть менее VCEO = -100 В;
  • Предельно возможная мощность (при температуре корпуса TC = 25 оC) Ptot = 125 Вт;
  • Наибольшая возможная температура перехода TJ = 150 оC;

При подборе транзистора кроме максимальных, следует также учитывать и электрические характеристики. Их тестирование происходит также при температуре +25оC. Немаловажные условия для определения параметров значения указываются в столбце «Режимы измерения».

Параметры Режимы (условия) измерения Обозн. min max Ед. изм
Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута IC = 30мA, IB = 0 VCEO(sus) 100 В
Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута VCE = 60В, IB = 0 ICEO 1 мА
Обратный ток коллектор-эмиттер VВE = 0В ICES 0,7 мА
Обратный ток эмиттера VEB = 5В, IC = 0 IEBO 1 мА
Статический коэффициент передачи постоянного тока VCE = 4 В, Ico= 1,5 A

VCE = 4 В, Ico = 15 A

hFE

hFE2

25

10

50
Граничная частота коэффициента передачи тока VCE=10В,IC= 1 A fT 3,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 15A, IB = 1,5 A

IC = 25A, IB = 5 A

V CE(sat) 1,8

4

В
Напряжение насыщения база-эмиттер VCE = 4 V, IC = 15 A

VCE = 4 V, IC = 25 A

V ВE(sat) 2

4

В
Коэфф-нт передачи тока при небольшом сигнале (статический) IC=1 A, VCE=10 В, f=1кГц hfe 25
Граничная частота коэффициента передачи тока IC=1 A, VCE=10 В, f=1кГц fт 3 МГц

Аналоги

Полными аналогом TIP35C можно назвать такие транзисторы:

  • 2SD1049;
  • EP2189;
  • BD249;
  • BD249C;
  • 2SD1046;
  • ECG392.

Они идентичны по электрическим параметрам и функционалу. А ещё вы не перепутаете контакты при пайке, потому что распиновка у этих приборов аналогичная. Комплиментарная пара для данного триода — это TIP36C.

Производители

Среди производителей транзистора TIP35C  в основном зарубежные фирмы. Например такие как:

  • Unisonic Technologies
  • STMicroelectronics
  • Power Innovations
  • KEC
  • ON Semiconductor
  • Inchange Semiconductor
  • Motorola
  • Multicomp PRO

В отечественных магазинах можно его встретить следующих компаниями: ST Microelectronics, Inchange, ON Semiconductor, Multicomp PRO, Unisonic Technologies.

NPN

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора Tip35c:

Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft
 Hfe
 Caps
BU323AP  Si  NPN 125,00 350,00 250,00 7,00 40,00 200,00 4,00 1000,00  TOP3
BU999  Si  NPN 100,00 160,00 140,00 25,00 150,00 40,00  TOP3
BUD98  Si  NPN 250,00 850,00 400,00 32,00 150,00 100,00  TOP3
BUD98I  Si  NPN 110,00 850,00 400,00 32,00 150,00 100,00  TOP3
BUF420  Si  NPN 200,00 850,00 450,00 30,00 150,00 100,00  TOP3
BUF420A  Si  NPN
200,00
1000,00 450,00 30,00 150,00 100,00  TOP3
BUF420AI  Si  NPN 115,00 1000,00 450,00 30,00 150,00 100,00  TOP3
BUF420AM  Si  NPN 115,00 1000,00 450,00 30,00 150,00 100,00  TOP3
BUF420I  Si  NPN 115,00 850,00 450,00 30,00 150,00 100,00  TOP3
BUF420M  Si  NPN 115,00 850,00 450,00 30,00 150,00 100,00  TOP3
BUS24B  Si  NPN 250,00 750,00 400,00 30,00 200,00 25,00  TOP3
BUS24C  Si  NPN 250,00 850,00 450,00 30,00 200,00 25,00  TOP3
TIP35C  Si  NPN 90,00 140,00 100,00 5,00 25,00 150,00 3,00 20,00  TOP3

Биполярный транзистор TIP35C — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP35C

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
  • Корпус транзистора: TOP3

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: BU323AP

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BU999

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
  • Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BUD98

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 32 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  • Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BUD98I

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 32 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  • Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BUF420

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  • Корпус транзистора: TOP3
Схема контактов транзистора

TIP35C, эквиваленты, применение, технические характеристики, объяснение и другие подробности В этом посте описывается распиновка транзистора TIP35C, эквиваленты, использование, технические характеристики, объяснение и другая полезная информация об этом устройстве.

Рекламные объявления

Рекламные объявления

 

Характеристики/технические характеристики:
  • Тип упаковки: ТО-218 и ТО-247
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (IC): 25A
  • Максимальный пиковый ток коллектора (ICM): 40A
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 100 В
  • Макс. напряжение коллектор-база (VCB): 100 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): 5 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 125 Вт
  • Максимальная частота перехода (fT): 3 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (hFE): от 25 до 50
  • Максимальный диапазон температур хранения, эксплуатации и перехода: от -65 до +150 градусов по Цельсию

 

Дополнительный PNP:

PNP Дополнительный TIP35C — TIP36C.

Замена и эквивалент:

TIP35B, 2SD716, 2SD84, BD249, BD249A, BD249B, BD249C, BD545, BD545A, BD545B, BD545C, BD545, BD545A, BD545B, BD545C, BD545.

 

Описание транзистора TIP35C:

Если вы ищете мощный транзистор, который может управлять нагрузкой до 25 А при напряжении 100 В, то TIP35C может быть хорошим выбором. Это NPN-транзистор, доступный в корпусе или корпусе TO-218 и TO-247 и предназначенный для широкого спектра применений общего назначения для коммутации и усиления.

Как упоминалось выше, транзистор способен управлять нагрузкой до 25 А, поэтому при использовании в качестве переключателя он может управлять широким спектром нагрузок, таких как двигатели постоянного тока, реле, лампы и т. д., а напряжение нагрузки может достигать 100 В. Транзистор также можно использовать отдельно или с дополнительным PNP-транзистором TIP36C для создания мощных аудиоусилителей.

При дальнейшем рассмотрении спецификаций максимальный пиковый ток коллектора транзистора составляет 40 А, максимальное напряжение между коллектором и базой также составляет 100 В, максимальная частота перехода составляет 3 МГц, минимальное и максимальное усиление постоянного тока составляет от 25 до 50, а максимальное рассеивание коллектора составляет 125 Вт.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Транзистор фактически предназначен для использования в устройствах переключения и усиления общего назначения, благодаря чему его можно использовать в самых разных приложениях, таких как источники питания, зарядка оборудования, солнечной энергии, автомобилей и т. д. Помимо этого, его также можно использовать для создания мощных аудиоусилителей. Узкий список приложений можно найти ниже.

Применение:

Высокие усилители аудиоэнергии

DC Power Supplies

Моторная вождение

Соральные батареи

ОБСЛУЖИВАНИЯ БОКВИДЕНИЯ 9000. ОБСЛУЖИВАНИЯ БОКВИДЕНИЯ.

 

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные номинальные значения:

Прочтите и следуйте этим инструкциям по безопасной эксплуатации для повышения производительности в долгосрочной перспективе.

  • Не используйте транзистор с его абсолютными максимальными характеристиками, использование компонента с его абсолютными максимальными характеристиками может создать нагрузку на компонент, что приведет к повреждению компонента, ослаблению его прочности или сокращению срока его службы. Для лучшей и долгосрочной работы компонента используйте его как минимум на 20% ниже его максимальных значений.
  • Максимальный ток коллектора составляет 25 А, поэтому не подключайте нагрузку более 20 А.
  • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 100 В, поэтому нагрузка привода ниже 80 В.
  • Используйте подходящий радиатор с транзистором.
  • И всегда храните и используйте его при температуре выше -65°C и ниже +150°C.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в браузере.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/T/I/P/TIP35C_ONSemiconductor. pdf

TIP35C | КОМСЕТ Полупроводники | Биполярные транзисторы

Транзистор биполярный, NPN, 25 А, 100 В, THT, TO-3PN, TIP35C

Заказ №: 25С2886

Производитель: COMSET Semiconductors

Артикул производителя TIP35C

Серия производителя: COMSET_TIP

EAN: 40998706

о зеленых иконах

Активный

Общая стоимость

(2,2372 € * / шт.)

6,71 €

В наличии: 344 шт.

Количество

Цена за единицу*

3 шт.

2,2372 €

15 шт.

1,9873 €

75 шт.

1,7850 €

400 шт.

1,6184 €

800 шт.

1.4875 €

*вкл. НДС плюс стоимость доставки

Показать 3 варианта

Описание

Продукт COMSET Semiconductors в Bürklin Elektronik

Силовые транзисторы, серия TIP.

Технические характеристики (тип, исполнение, напряжение коллектор-эмиттер, ток коллектора, мощность, упаковка, производитель): TIP35C, NPN, 100 В, 25 А, 125 Вт, TO247, COMSET

Технические характеристики

902:33 мин. рабочая температура
Версия НПН
Корпус ТО-3ПН
макс. рабочая температура 150 °С
макс.напряжение между коллектором и базой Vcbo 100 В
макс.напряжение между коллектором и эмиттером Vceo 100 В
-65 °С
Сборка ТГТ
Номинальный ток 25 А
Напряжение насыщения 1,8 В
Транзитная частота fTmin 3 МГц
Рассеиваемая мощность 125 Вт
Ток коллектора 25 А
Максимальное усиление постоянного тока 75 мА
Мин. коэффициент усиления по постоянному току 15 мА
Показать похожие продукты (0)

Логистика

Страна происхождения CN
Номер таможенного тарифа 85412900
Оригинальная упаковка Стержень из 25 штук

Соответствие

Соответствие RoHS Да
Дата директив RoHS 31.03.15
SVHC бесплатно Да

Скачать

Технический паспорт — EN

Технический паспорт

Декларация о соответствии — EN

Декларация о соответствии

Декларация о соответствии — DE

Декларация о соответствии

Варианты

Производитель Выберите COMSET Semiconductors

Series Пожалуйста, выберите COMSET_TIP

Опции

Показать только новые продукты

Показать только товары в наличии (2)

Рассеиваемая мощность

Единица измерения

mWWkWMW

Версия

Напряжение насыщения

Блок

mVVkVMV

Сборка

мин.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *