Транзистор TIP35C: характеристики, применение и аналоги мощного NPN-транзистора

Что представляет собой транзистор TIP35C. Каковы его основные характеристики и параметры. Где применяется TIP35C. Какие есть аналоги и замены этого транзистора. Как правильно использовать TIP35C в схемах.

Общая характеристика транзистора TIP35C

TIP35C — это мощный биполярный NPN-транзистор, предназначенный для использования в схемах коммутации и усиления. Данный компонент обладает следующими ключевыми особенностями:

• Структура: NPN
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
• Максимальный постоянный ток коллектора: 25 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Корпус: TO-247 или TO-218

TIP35C изготавливается по планарно-эпитаксиальной технологии, что обеспечивает высокую надежность и стабильность параметров. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор находит широкое применение в различных электронных устройствах, требующих коммутации больших токов или усиления мощных сигналов.

Предельные параметры транзистора TIP35C

Для обеспечения надежной и долговременной работы устройств с применением TIP35C важно соблюдать предельно допустимые значения его параметров. Основные из них:

• Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 100 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 100 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
• Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 25 А
• Максимальный импульсный ток коллектора (ICM): 50 А
• Максимальный ток базы (IB): 5 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 125 Вт при температуре корпуса 25°C
• Диапазон рабочих температур: от -65°C до +150°C

При проектировании схем с использованием TIP35C рекомендуется закладывать запас по основным параметрам не менее 20-30% от предельных значений. Это позволит повысить надежность и долговечность устройства.

Области применения транзистора TIP35C

Благодаря своим характеристикам, TIP35C находит применение в различных электронных устройствах и системах:

• Мощные аудиоусилители
• Импульсные источники питания
• Преобразователи напряжения
• Системы управления электродвигателями
• Зарядные устройства
• Системы автоматики и управления
• Лабораторные источники питания

Рассмотрим некоторые из этих применений подробнее. Какие преимущества дает использование TIP35C в данных схемах?

TIP35C в аудиоусилителях

В мощных аудиоусилителях TIP35C часто используется в выходных каскадах. Высокий допустимый ток и значительная рассеиваемая мощность позволяют получить большую выходную мощность при работе на низкоомную акустическую нагрузку. Низкое напряжение насыщения обеспечивает хороший КПД усилителя.

Применение в импульсных источниках питания

В импульсных преобразователях напряжения TIP35C может выполнять роль силового ключа. Высокая рабочая частота (до 3 МГц) позволяет использовать его в высокочастотных преобразователях, а большой допустимый ток обеспечивает высокую выходную мощность.

Основные электрические характеристики TIP35C

Для правильного применения транзистора TIP35C в схемах необходимо учитывать его основные электрические параметры:

• Коэффициент усиления по току (hFE): 20-70 при VCE=4В, IC=15А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: не более 1,8В при IC=15А, IB=1,5А
• Напряжение насыщения база-эмиттер: не более 2В при IC=15А
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Емкость коллекторного перехода: 800 пФ

Как эти параметры влияют на работу схем с TIP35C? Рассмотрим на примерах.

Влияние коэффициента усиления на схемы

Коэффициент усиления по току (hFE) определяет, какой ток базы необходим для получения нужного тока коллектора. При проектировании схем важно учитывать, что hFE может значительно меняться в зависимости от тока коллектора и температуры. Для обеспечения стабильной работы рекомендуется использовать схемы с отрицательной обратной связью по току.

Значение напряжения насыщения

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCEsat) обеспечивает малые потери мощности при работе транзистора в ключевом режиме. Это особенно важно для импульсных преобразователей и схем управления двигателями, где транзистор работает в режиме насыщения.

Особенности применения TIP35C в схемах

При использовании TIP35C в электронных устройствах следует учитывать ряд важных моментов:

• Необходимость эффективного теплоотвода
• Защита от перегрузок по току и напряжению
• Учет температурной зависимости параметров
• Обеспечение безопасной работы в области вторичного пробоя

Как правильно организовать теплоотвод для TIP35C? Какие схемы защиты рекомендуется использовать?

Организация теплоотвода

Для эффективного отвода тепла от транзистора TIP35C необходимо использовать радиатор с достаточной площадью рассеивания. При монтаже транзистора на радиатор следует применять теплопроводящую пасту для уменьшения теплового сопротивления между корпусом и радиатором. Важно также обеспечить хорошую вентиляцию устройства для отвода нагретого воздуха.

Схемы защиты TIP35C

Для защиты TIP35C от перегрузок рекомендуется использовать следующие схемные решения:

• Ограничение тока базы с помощью резистора
• Защита от перенапряжения с помощью супрессора или варистора
• Тепловая защита с использованием термистора или термореле
• Схема защиты от короткого замыкания в нагрузке

Аналоги и замены транзистора TIP35C

В случае отсутствия TIP35C его можно заменить аналогичными транзисторами с близкими характеристиками. Наиболее распространенные аналоги:

• 2SD1046
• BD249C
• 2SD1049
• BU323AP
• BUF420A

Каковы особенности этих аналогов? В чем их преимущества и недостатки по сравнению с TIP35C?

Сравнение TIP35C и 2SD1046

Транзистор 2SD1046 имеет схожие с TIP35C характеристики по напряжению и току, но обладает несколько большей рассеиваемой мощностью (150 Вт). Это делает его хорошей заменой в схемах, где требуется повышенная нагрузочная способность. Однако 2SD1046 имеет более высокую стоимость.

Особенности BD249C

BD249C также является близким аналогом TIP35C, но имеет меньший максимальный ток коллектора (16 А). Это ограничивает его применение в мощных схемах, но делает подходящей заменой в устройствах средней мощности. Преимуществом BD249C является более низкая цена по сравнению с TIP35C.

Рекомендации по выбору и приобретению TIP35C

При покупке транзисторов TIP35C следует обратить внимание на несколько важных моментов:

• Приобретение у надежных поставщиков для избежания подделок
• Проверка соответствия параметров в технической документации
• Учет особенностей различных производителей
• Возможность приобретения подобранных пар для симметричных схем

Как отличить оригинальный TIP35C от подделки? Какие производители считаются наиболее надежными?

Выявление поддельных TIP35C

Для выявления поддельных транзисторов можно использовать следующие методы:

• Проверка маркировки и внешнего вида корпуса
• Измерение основных параметров (напряжение насыщения, коэффициент усиления)
• Сравнение веса транзистора с эталонным образцом

Надежные производители TIP35C

Среди производителей, выпускающих качественные транзисторы TIP35C, можно выделить:

• ON Semiconductor
• STMicroelectronics
• Fairchild Semiconductor
• Vishay

Транзисторы этих производителей отличаются стабильными характеристиками и высокой надежностью.

Транзистор TIP35C: характеристики, аналоги и datasheet

Технические характеристики биполярного транзистора TIP35C позволяют использовать его в усилителях и коммутационных устройствах. Данный полупроводник изготавливают по планарной технологии. Структура компонента n-p-n.

Цоколевка

Очень важной, но в то же время простой информацией, которую необходимо знать о транзисторе TIP35C является распиновка. Когда параметры подобраны и очередь дошла до монтажа, то в первую очередь смотрят на расположение ножек. Если посмотреть на приведённое изображение, то  они обозначены цифрами 1, 2 и 3 и одинаковы для транзисторов двух типов корпусов ТО-218 и ТО-3Р, которые кстати имеют между собой мало различий.

Технические характеристики

В конце статьи будут ссылки на скачивание Datasheet tip35c на от разных производителей, а пока рассмотрим некоторые параметры более подробно. Важными характеристиками транзистора являются максимальные значения, именно их производители приводят в своей документации первыми. При их превышении изделие выйдет из строя. Не допускается также длительная эксплуатация устройства, когда значения рабочих характеристик близки к предельно допустимым. Испытания производят при температуре окружающей среды равной +25^ОС.

• Предельно допустимый кратковременный импульсный ток через коллектор (I _CP) I_CP = 50 А;
• Диапазон температур при которых может храниться изделие Т_STG = -65 … +150 ^оC.
• предельно допустимое напряжение К-Б (при I_E= 0) не должно быть больше V_CBO = 100 В;
• наибольшее возможное напряжение Э-Б (при I_В= 0) V_EBO = 5 В;
• максимально допустимый постоянный ток коллектора не более I_C = 25 А;
• Наибольший возможный ток, протекающий через базу I_B = 5 А;
• максимальное напряжение К-Э (при I_В= 0) должно быть менее V_CEO = -100 В;
• Предельно возможная мощность (при температуре корпуса T_C = 25 ^оC) P_tot = 125 Вт;
• Наибольшая возможная температура перехода T_J = 150
  оC;

При подборе транзистора кроме максимальных, следует также учитывать и электрические характеристики. Их тестирование происходит также при температуре +25^оC. Немаловажные условия для определения параметров значения указываются в столбце «Режимы измерения».

Параметры	Режимы (условия) измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута	IC = 30мA, IB = 0	VCEO(sus)	100		В
Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута	VCE = 60В, IB = 0	ICEO		1	мА
Обратный ток коллектор-эмиттер	VВE = 0В	ICES		0,7	мА
Обратный ток эмиттера	VEB = 5В, IC = 0	IEBO		1	мА
Статический коэффициент передачи постоянного тока	VCE = 4 В, Ico= 1,5 A VCE = 4 В, Ico = 15 A	hFE hFE2	25 10	50
Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=10В,IC= 1 A	fT	3,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC = 15A, IB = 1,5 A IC = 25A, IB = 5 A	V CE(sat)		1,8 4	В
Напряжение насыщения база-эмиттер	VCE = 4 V, IC = 15 A VCE = 4 V, IC = 25 A	V ВE(sat)		2 4	В
Коэфф-нт передачи тока при небольшом сигнале (статический)	IC=1 A, VCE=10 В, f=1кГц	hfe	25
Граничная частота коэффициента передачи тока	IC=1 A, VCE=10 В, f=1кГц	fт	3		МГц

Аналоги

Полными аналогом TIP35C можно назвать такие транзисторы:

• 2SD1049;
• EP2189;
• BD249;
• BD249C;
• 2SD1046;
• ECG392.

Они идентичны по электрическим параметрам и функционалу. А ещё вы не перепутаете контакты при пайке, потому что распиновка у этих приборов аналогичная. Комплиментарная пара для данного триода — это TIP36C.

Производители

Среди производителей транзистора TIP35C  в основном зарубежные фирмы. Например такие как:

• Unisonic Technologies
• STMicroelectronics
• Power Innovations
• KEC
• ON Semiconductor
• Inchange Semiconductor
• Motorola
• Multicomp PRO

В отечественных магазинах можно его встретить следующих компаниями: ST Microelectronics, Inchange, ON Semiconductor, Multicomp PRO, Unisonic Technologies.

NPN

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора Tip35c:

Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Hfe	Caps
BU323AP	Si	NPN	125,00	350,00	250,00	7,00	40,00	200,00	4,00	1000,00	TOP3
BU999	Si	NPN	100,00	160,00	140,00		25,00	150,00		40,00	TOP3
BUD98	Si	NPN	250,00	850,00	400,00		32,00	150,00		100,00	TOP3
BUD98I	Si	NPN	110,00	850,00	400,00		32,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420	Si	NPN	200,00	850,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420A	Si	NPN	200,00	1000,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420AI	Si	NPN	115,00	1000,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420AM	Si	NPN	115,00	1000,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420I	Si	NPN	115,00	850,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420M	Si	NPN	115,00	850,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUS24B	Si	NPN	250,00	750,00	400,00		30,00	200,00		25,00	TOP3
BUS24C	Si	NPN	250,00	850,00	450,00		30,00	200,00		25,00	TOP3
TIP35C	Si	NPN	90,00	140,00	100,00	5,00	25,00	150,00	3,00	20,00	TOP3

Биполярный транзистор TIP35C — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP35C

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
• Корпус транзистора: TOP3

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: BU323AP

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BU999

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
• Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BUD98

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 32 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
• Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BUD98I

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 32 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
• Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BUF420

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
• Корпус транзистора: TOP3

Схема контактов транзистора

TIP35C, эквиваленты, применение, технические характеристики, объяснение и другие подробности В этом посте описывается распиновка транзистора TIP35C, эквиваленты, использование, технические характеристики, объяснение и другая полезная информация об этом устройстве.

Рекламные объявления

Рекламные объявления

 

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки: ТО-218 и ТО-247
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (IC): 25A
• Максимальный пиковый ток коллектора (ICM): 40A
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 100 В
• Макс. напряжение коллектор-база (VCB): 100 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): 5 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 125 Вт
• Максимальная частота перехода (fT): 3 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (hFE): от 25 до 50
• Максимальный диапазон температур хранения, эксплуатации и перехода: от -65 до +150 градусов по Цельсию

 

Дополнительный PNP:

PNP Дополнительный TIP35C — TIP36C.

Замена и эквивалент:

TIP35B, 2SD716, 2SD84, BD249, BD249A, BD249B, BD249C, BD545, BD545A, BD545B, BD545C, BD545, BD545A, BD545B, BD545C, BD545.

 

Описание транзистора TIP35C:

Если вы ищете мощный транзистор, который может управлять нагрузкой до 25 А при напряжении 100 В, то TIP35C может быть хорошим выбором. Это NPN-транзистор, доступный в корпусе или корпусе TO-218 и TO-247 и предназначенный для широкого спектра применений общего назначения для коммутации и усиления.

Как упоминалось выше, транзистор способен управлять нагрузкой до 25 А, поэтому при использовании в качестве переключателя он может управлять широким спектром нагрузок, таких как двигатели постоянного тока, реле, лампы и т. д., а напряжение нагрузки может достигать 100 В. Транзистор также можно использовать отдельно или с дополнительным PNP-транзистором TIP36C для создания мощных аудиоусилителей.

При дальнейшем рассмотрении спецификаций максимальный пиковый ток коллектора транзистора составляет 40 А, максимальное напряжение между коллектором и базой также составляет 100 В, максимальная частота перехода составляет 3 МГц, минимальное и максимальное усиление постоянного тока составляет от 25 до 50, а максимальное рассеивание коллектора составляет 125 Вт.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Транзистор фактически предназначен для использования в устройствах переключения и усиления общего назначения, благодаря чему его можно использовать в самых разных приложениях, таких как источники питания, зарядка оборудования, солнечной энергии, автомобилей и т. д. Помимо этого, его также можно использовать для создания мощных аудиоусилителей. Узкий список приложений можно найти ниже.

Применение:

Высокие усилители аудиоэнергии

DC Power Supplies

Моторная вождение

Соральные батареи

ОБСЛУЖИВАНИЯ БОКВИДЕНИЯ 9000. ОБСЛУЖИВАНИЯ БОКВИДЕНИЯ.

 

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные номинальные значения:

Прочтите и следуйте этим инструкциям по безопасной эксплуатации для повышения производительности в долгосрочной перспективе.

• Не используйте транзистор с его абсолютными максимальными характеристиками, использование компонента с его абсолютными максимальными характеристиками может создать нагрузку на компонент, что приведет к повреждению компонента, ослаблению его прочности или сокращению срока его службы. Для лучшей и долгосрочной работы компонента используйте его как минимум на 20% ниже его максимальных значений.
• Максимальный ток коллектора составляет 25 А, поэтому не подключайте нагрузку более 20 А.
• Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 100 В, поэтому нагрузка привода ниже 80 В.
• Используйте подходящий радиатор с транзистором.
• И всегда храните и используйте его при температуре выше -65°C и ниже +150°C.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в браузере.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/T/I/P/TIP35C_ONSemiconductor. pdf

TIP35C | КОМСЕТ Полупроводники | Биполярные транзисторы

Транзистор биполярный, NPN, 25 А, 100 В, THT, TO-3PN, TIP35C

Заказ №: 25С2886

Производитель: COMSET Semiconductors

Артикул производителя TIP35C

Серия производителя: COMSET_TIP

EAN: 40998706

о зеленых иконах

Активный

Общая стоимость

(2,2372 € * / шт.)

6,71 €

В наличии: 344 шт.

Количество

Цена за единицу*

3 шт.

2,2372 €

15 шт.

1,9873 €

75 шт.

1,7850 €

400 шт.

1,6184 €

800 шт.

1.4875 €

*вкл. НДС плюс стоимость доставки

Показать 3 варианта

Описание

Продукт COMSET Semiconductors в Bürklin Elektronik

Силовые транзисторы, серия TIP.

Технические характеристики (тип, исполнение, напряжение коллектор-эмиттер, ток коллектора, мощность, упаковка, производитель): TIP35C, NPN, 100 В, 25 А, 125 Вт, TO247, COMSET

Технические характеристики

902:33 мин. рабочая температура

	Версия	НПН
	Корпус	ТО-3ПН
	макс. рабочая температура	150 °С
	макс.напряжение между коллектором и базой Vcbo	100 В
	макс.напряжение между коллектором и эмиттером Vceo	100 В
	-65 °С
	Сборка	ТГТ
	Номинальный ток	25 А
	Напряжение насыщения	1,8 В
	Транзитная частота fTmin	3 МГц
	Рассеиваемая мощность	125 Вт
	Ток коллектора	25 А
	Максимальное усиление постоянного тока	75 мА
	Мин. коэффициент усиления по постоянному току	15 мА

Показать похожие продукты (0)

Логистика

Страна происхождения	CN
Номер таможенного тарифа	85412900
Оригинальная упаковка	Стержень из 25 штук

Соответствие

Соответствие RoHS	Да
Дата директив RoHS	31.03.15
SVHC бесплатно	Да

Скачать

Технический паспорт — EN

Технический паспорт

Декларация о соответствии — EN

Декларация о соответствии

Декларация о соответствии — DE

Декларация о соответствии

Варианты

Производитель Выберите COMSET Semiconductors

Series Пожалуйста, выберите COMSET_TIP

Опции

Показать только новые продукты

Показать только товары в наличии (2)

Рассеиваемая мощность

Единица измерения

mWWkWMW

Версия

Напряжение насыщения

Блок

mVVkVMV

Сборка

мин.