Вранзистор TIP35C: характСристики, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ NPN-транзистора

Π§Ρ‚ΠΎ прСдставляСт собой транзистор TIP35C. ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ Π΅Π³ΠΎ основныС характСристики ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹. Π“Π΄Π΅ примСняСтся TIP35C. КакиС Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ этого транзистора. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ TIP35C Π² схСмах.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ характСристика транзистора TIP35C

TIP35C — это ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ биполярный NPN-транзистор, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для использования Π² схСмах ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ усилСния. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ особСнностями:

  • Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π°: NPN
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр: 100 Π’
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°: 25 А
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: 125 Π’Ρ‚
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ: TO-247 ΠΈΠ»ΠΈ TO-218

TIP35C изготавливаСтся ΠΏΠΎ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎ-ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Благодаря своим характСристикам, этот транзистор Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройствах, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ усилСния ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… сигналов.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзистора TIP35C

Для обСспСчСния Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ устройств с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ TIP35C Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимыС значСния Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ…:


  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (VCBO): 100 Π’
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (VCEO): 100 Π’
  • МаксимальноС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (VEBO): 5 Π’
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC): 25 А
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ICM): 50 А
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ (IB): 5 А
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Ptot): 125 Π’Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ корпуса 25Β°C
  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€: ΠΎΡ‚ -65Β°C Π΄ΠΎ +150Β°C

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ схСм с использованиСм TIP35C рСкомСндуСтся Π·Π°ΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ запас ΠΏΠΎ основным ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 20-30% ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства.

ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ примСнСния транзистора TIP35C

Благодаря своим характСристикам, TIP35C Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройствах ΠΈ систСмах:

  • ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ аудиоусилитСли
  • Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ источники питания
  • ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ напряТСния
  • БистСмы управлСния элСктродвигатСлями
  • ЗарядныС устройства
  • БистСмы Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ управлСния
  • Π›Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ источники питания

Рассмотрим Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· этих ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅. КакиС прСимущСства Π΄Π°Π΅Ρ‚ использованиС TIP35C Π² Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… схСмах?


TIP35C Π² аудиоусилитСлях

Π’ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… аудиоусилитСлях TIP35C часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадах. Высокий допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΡƒΡŽ Π°ΠΊΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ. НизкоС напряТСниС насыщСния обСспСчиваСт Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ ΠšΠŸΠ” усилитСля.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… источниках питания

Π’ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… прСобразоватСлях напряТСния TIP35C ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ силового ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°. Высокая рабочая частота (Π΄ΠΎ 3 ΠœΠ“Ρ†) позволяСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² высокочастотных прСобразоватСлях, Π° большой допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ обСспСчиваСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСктричСскиС характСристики TIP35C

Для ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния транзистора TIP35C Π² схСмах Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ основныС элСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (hFE): 20-70 ΠΏΡ€ΠΈ VCE=4Π’, IC=15А
  • НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр: Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1,8Π’ ΠΏΡ€ΠΈ IC=15А, IB=1,5А
  • НапряТСниС насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр: Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 2Π’ ΠΏΡ€ΠΈ IC=15А
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°: 3 ΠœΠ“Ρ†
  • Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°: 800 ΠΏΠ€

Как эти ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ схСм с TIP35C? Рассмотрим Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ….


ВлияниС коэффициСнта усилСния Π½Π° схСмы

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (hFE) опрСдСляСт, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для получСния Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ схСм Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ hFE ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Для обСспСчСния ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ рСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСмы с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния насыщСния

НизкоС напряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (VCEsat) обСспСчиваСт ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ мощности ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзистора Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎ особСнно Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ схСм управлСния двигатСлями, Π³Π΄Π΅ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ примСнСния TIP35C Π² схСмах

ΠŸΡ€ΠΈ использовании TIP35C Π² элСктронных устройствах слСдуСт ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ряд Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²:

  • ΠΠ΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ эффСктивного Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°
  • Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ
  • Π£Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ зависимости ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²
  • ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² области Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ пробоя

Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ для TIP35C? КакиС схСмы Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ рСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ?


ΠžΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°

Для эффСктивного ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° ΠΎΡ‚ транзистора TIP35C Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ с достаточной ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ рассСивания. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ΅ транзистора Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ слСдуСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΡΡ‰ΡƒΡŽ пасту для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ корпусом ΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΡƒΡŽ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ устройства для ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Π½Π°Π³Ρ€Π΅Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π°.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ TIP35C

Для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ TIP35C ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ рСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ схСмныС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ:

  • ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ рСзистора
  • Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ пСрСнапряТСния с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ супрСссора ΠΈΠ»ΠΈ варистора
  • ВСпловая Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° с использованиСм тСрмистора ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡ€Π΅Π»Π΅
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅

Аналоги ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ транзистора TIP35C

Π’ случаС отсутствия TIP35C Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами с Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ характСристиками. НаиболСС распространСнныС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ:

  • 2SD1046
  • BD249C
  • 2SD1049
  • BU323AP
  • BUF420A

ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ особСнности этих Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²? Π’ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΈΡ… прСимущСства ΠΈ нСдостатки ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с TIP35C?


Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ TIP35C ΠΈ 2SD1046

Вранзистор 2SD1046 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ схоТиС с TIP35C характСристики ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Π½ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ нСсколько большСй рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (150 Π’Ρ‚). Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ Π² схСмах, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ нагрузочная ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Однако 2SD1046 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ BD249C

BD249C Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠΌ TIP35C, Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСньший ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (16 А). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… схСмах, Π½ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ подходящСй Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ Π² устройствах срСднСй мощности. ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠΌ BD249C являСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ низкая Ρ†Π΅Π½Π° ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с TIP35C.

Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ΠΈΡŽ TIP35C

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡƒΠΏΠΊΠ΅ транзисторов TIP35C слСдуСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° нСсколько Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²:

  • ΠŸΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρƒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… поставщиков для избСТания ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Π»ΠΎΠΊ
  • ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° соотвСтствия ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ
  • Π£Ρ‡Π΅Ρ‚ особСнностСй Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ
  • Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ приобрСтСния ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€ для симмСтричных схСм

Как ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ TIP35C ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Π»ΠΊΠΈ? КакиС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ?


ВыявлСниС ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… TIP35C

Для выявлСния ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹:

  • ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΈ внСшнСго Π²ΠΈΠ΄Π° корпуса
  • Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ основных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² (напряТСниС насыщСния, коэффициСнт усилСния)
  • Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСса транзистора с эталонным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠΌ

НадСТныС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ TIP35C

Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… качСствСнныС транзисторы TIP35C, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ:

  • ON Semiconductor
  • STMicroelectronics
  • Fairchild Semiconductor
  • Vishay

Вранзисторы этих ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками ΠΈ высокой Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.


Вранзистор TIP35C: характСристики, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ ΠΈ datasheet

ВСхничСскиС характСристики биполярного транзистора TIP35C ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² усилитСлях ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… устройствах. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° n-p-n.

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ, Π½ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя простой ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎ транзисторС TIP35C являСтся распиновка. Когда ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Π½Ρ‹ ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ дошла Π΄ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°, Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ смотрят Π½Π° располоТСниС Π½ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ. Если ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρ‘Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ‚ΠΎΒ  ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π°ΠΌΠΈ 1, 2 ΠΈ 3 ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ для транзисторов Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² корпусов ВО-218 ΠΈ ВО-3Π , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ кстати ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой ΠΌΠ°Π»ΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΉ.

ВСхничСскиС характСристики

Π’ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ссылки Π½Π° скачиваниС Datasheet tip35c Π½Π° ΠΎΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π° ΠΏΠΎΠΊΠ° рассмотрим Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ. Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками транзистора ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния, ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ приводят Π² своСй Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя. НС допускаСтся Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ эксплуатация устройства, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° значСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… характСристик Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈ ΠΊ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимым. Π˜ΡΠΏΡ‹Ρ‚Π°Π½ΠΈΡ производят ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ +25ОБ.

  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимый ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (I
    CP
    ) ICP = 50 А;
  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠ΅Β Π’STGΒ = -65 … +150Β ΠΎC.
  • ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимоС напряТСниС К-Π‘ (ΠΏΡ€ΠΈ IE= 0) Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС VCBO = 100 Π’;
  • наибольшСС Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π­-Π‘ (ΠΏΡ€ΠΈ IΠ’= 0) VEBO = 5 Π’;
  • максимально допустимый постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ IC = 25 А;
  • Наибольший Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ IB = 5 А;
  • максимальноС напряТСниС К-Π­ (ΠΏΡ€ΠΈ IΠ’= 0) Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅Β VCEOΒ = -100 Π’;
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ возмоТная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ корпуса TC = 25 ΠΎC) Ptot = 125 Π’Ρ‚;
  • Наибольшая возмоТная Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° TJ = 150
    ΠΎ
    C
    ;

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π΅ транзистора ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…, слСдуСт Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ элСктричСскиС характСристики. Π˜Ρ… тСстированиС происходит Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ +25ΠΎC. НСмаловаТныС условия для опрСдСлСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² значСния ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² столбцС Β«Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ измСрСния».

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ (условия) ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΡΠžΠ±ΠΎΠ·Π½.minmaxΠ•Π΄. ΠΈΠ·ΠΌ
ΠŸΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр, Π±Π°Π·Π° Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Π°IC = 30ΠΌA, IB = 0VCEO(sus)100Π’
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр, Π±Π°Π·Π° Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Π°VCE = 60Π’, IB = 0ICEO1мА
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСрVΠ’E = 0Π’ICES0,7мА
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСраVEB = 5Π’, IC = 0IEBO1мА
БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°VCE = 4 Π’, Ico= 1,5 A

VCE = 4 Π’, Ico = 15 A

hFE

hFE2

25

10

50
Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°VCE=10Π’,IC= 1 AfT3,0
НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСрIC = 15A, IB = 1,5 A

IC = 25A, IB = 5 A

V CE(sat)1,8

4

Π’
НапряТСниС насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСрVCE = 4 V, IC = 15 A

VCE = 4 V, IC = 25 A

V Π’E(sat)2

4

Π’
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„-Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ нСбольшом сигналС (статичСский)IC=1 A, VCE=10 Π’, f=1ΠΊΠ“Ρ†hfe25
Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°IC=1 A, VCE=10 Π’, f=1ΠΊΠ“Ρ†fΡ‚3ΠœΠ“Ρ†

Аналоги

ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠΌ TIP35C ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ транзисторы:

  • 2SD1049;
  • EP2189;
  • BD249;
  • BD249C;
  • 2SD1046;
  • ECG392.

Они ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ элСктричСским ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Ρƒ. А Π΅Ρ‰Ρ‘ Π²Ρ‹ Π½Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ распиновка Ρƒ этих ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² аналогичная. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π° для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° β€” это TIP36C.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ транзистора TIP35CΒ  Π² основном Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹. НапримСр Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ:

  • Unisonic Technologies
  • STMicroelectronics
  • Power Innovations
  • KEC
  • ON Semiconductor
  • Inchange Semiconductor
  • Motorola
  • Multicomp PRO

Π’ отСчСствСнных ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π°Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΅Π³ΠΎ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… компаниями: ST Microelectronics, Inchange, ON Semiconductor, Multicomp PRO, Unisonic Technologies.

NPN

Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ отСчСствСнныС, характСристики транзистора, микросхСма, Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³

Аналоги транзистора Tip35c:

TypeΒ MatΒ StructΒ PcΒ UcbΒ UceΒ UebΒ IcΒ TjΒ FtΒ HfeΒ Caps
BU323APΒ SiΒ NPN125,00350,00250,007,0040,00200,004,001000,00Β TOP3
BU999Β SiΒ NPN100,00160,00140,0025,00150,0040,00Β TOP3
BUD98Β SiΒ NPN250,00850,00400,0032,00150,00100,00Β TOP3
BUD98IΒ SiΒ NPN110,00850,00400,0032,00150,00100,00Β TOP3
BUF420Β SiΒ NPN200,00850,00450,0030,00150,00100,00Β TOP3
BUF420AΒ SiΒ NPN200,001000,00450,0030,00150,00100,00Β TOP3
BUF420AIΒ SiΒ NPN115,001000,00450,0030,00150,00100,00Β TOP3
BUF420AMΒ SiΒ NPN115,001000,00450,0030,00150,00100,00Β TOP3
BUF420IΒ SiΒ NPN115,00850,00450,0030,00150,00100,00Β TOP3
BUF420MΒ SiΒ NPN115,00850,00450,0030,00150,00100,00Β TOP3
BUS24BΒ SiΒ NPN250,00750,00400,0030,00200,0025,00Β TOP3
BUS24CΒ SiΒ NPN250,00850,00450,0030,00200,0025,00Β TOP3
TIP35CΒ SiΒ NPN90,00140,00100,005,0025,00150,003,0020,00Β TOP3

Биполярный транзистор TIP35C β€” описаниС производитСля.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹. Π”Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Ρ‹.

НаимСнованиС производитСля: TIP35C

  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 90 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 140 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (Ueb): 5 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 25 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ft): 3 MHz
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 20
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: TOP3

Π₯арактСристики популярных Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²

НаимСнованиС производитСля: BU323AP

  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 125 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 350 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 250 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (Ueb): 7 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 40 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 200 Β°C
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ft): 4 MHz
  • ΠΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Cc): 350 pf
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 1000
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: TOP3

НаимСнованиС производитСля: BU999

  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 100 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 160 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 140 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 25 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 40
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: TOP3

НаимСнованиС производитСля: BUD98

  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 250 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 850 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 400 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 32 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 100
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: TOP3

НаимСнованиС производитСля: BUD98I

  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 110 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 850 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 400 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 32 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 100
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: TOP3

НаимСнованиС производитСля: BUF420

  • Π’ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°: Si
  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: NPN
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Pc): 200 W
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Ucb): 850 V
  • Макcимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Uce): 450 V
  • МакcΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ic): 30 A
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Tj): 150 Β°C
  • БтатичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hfe): 100
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора: TOP3
Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² транзистора

TIP35C, эквивалСнты, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, тСхничСскиС характСристики, объяснСниС ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ подробности Π’ этом постС описываСтся распиновка транзистора TIP35C, эквивалСнты, использованиС, тСхничСскиС характСристики, объяснСниС ΠΈ другая полСзная информация ΠΎΠ± этом устройствС.

Π Π΅ΠΊΠ»Π°ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ объявлСния

Π Π΅ΠΊΠ»Π°ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ объявлСния

Β 

Π₯арактСристики/тСхничСскиС характСристики:
  • Π’ΠΈΠΏ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ: ВО-218 ΠΈ ВО-247
  • Π’ΠΈΠΏ транзистора: NPN
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC): 25A
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ICM): 40A
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (VCE): 100 Π’
  • Макс. напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (VCB): 100 Π’
  • МаксимальноС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (VBE): 5 Π’
  • МаксимальноС рассСиваниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ΡˆΡ‚.): 125 Π’Ρ‚
  • Максимальная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (fT): 3 ΠœΠ“Ρ†
  • МинимальноС ΠΈ максимальноС усилСниС постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (hFE): ΠΎΡ‚ 25 Π΄ΠΎ 50
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ хранСния, эксплуатации ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°: ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150 градусов ΠΏΠΎ ЦСльсию

Β 

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ PNP:

PNP Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ TIP35C β€” TIP36C.

Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΈ эквивалСнт:

TIP35B, 2SD716, 2SD84, BD249, BD249A, BD249B, BD249C, BD545, BD545A, BD545B, BD545C, BD545, BD545A, BD545B, BD545C, BD545.

Β 

ОписаниС транзистора TIP35C:

Если Π²Ρ‹ ΠΈΡ‰Π΅Ρ‚Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π΄ΠΎ 25 А ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии 100 Π’, Ρ‚ΠΎ TIP35C ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ NPN-транзистор, доступный Π² корпусС ΠΈΠ»ΠΈ корпусС TO-218 ΠΈ TO-247 ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ спСктра ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ усилСния.

Как ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, транзистор способСн ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π΄ΠΎ 25 А, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ использовании Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ спСктром Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ€Π΅Π»Π΅, Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ ΠΈ Ρ‚. Π΄., Π° напряТСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 100 Π’. Вранзистор Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ с Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ PNP-транзистором TIP36C для создания ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… аудиоусилитСлСй.

ΠŸΡ€ΠΈ дальнСйшСм рассмотрСнии спСцификаций ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора составляСт 40 А, максимальноС напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ составляСт 100 Π’, максимальная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° составляСт 3 ΠœΠ“Ρ†, минимальноС ΠΈ максимальноС усилСниС постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° составляСт ΠΎΡ‚ 25 Π΄ΠΎ 50, Π° максимальноС рассСиваниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт 125 Π’Ρ‚.

Β 

Π“Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ:

Вранзистор фактичСски ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для использования Π² устройствах ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ усилСния ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, благодаря Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ источники питания, зарядка оборудования, солнСчной энСргии, Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ Ρ‚. Π΄. Помимо этого, Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для создания ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… аудиоусилитСлСй. Π£Π·ΠΊΠΈΠΉ список ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅:

ВысокиС усилитСли аудиоэнСргии

DC Power Supplies

ΠœΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π½Π°Ρ Π²ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π‘ΠΎΡ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ

ΠžΠ‘Π‘Π›Π£Π–Π˜Π’ΠΠΠ˜Π― Π‘ΠžΠšΠ’Π˜Π”Π•ΠΠ˜Π― 9000. ΠžΠ‘Π‘Π›Π£Π–Π˜Π’ΠΠΠ˜Π― Π‘ΠžΠšΠ’Π˜Π”Π•ΠΠ˜Π―.

Β 

Руководство ΠΏΠΎ бСзопасной эксплуатации / ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния:

ΠŸΡ€ΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΈ слСдуйтС этим инструкциям ΠΏΠΎ бСзопасной эксплуатации для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π² долгосрочной пСрспСктивС.

  • НС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ транзистор с Π΅Π³ΠΎ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками, использованиС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° с Π΅Π³ΠΎ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Π½Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°, ослаблСнию Π΅Π³ΠΎ прочности ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ срока Π΅Π³ΠΎ слуТбы. Для Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ΠΉ ΠΈ долгосрочной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ Π½Π° 20% Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ.
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт 25 А, поэтому Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 20 А.
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт 100 Π’, поэтому Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅ 80 Π’.
  • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ подходящий Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ с транзистором.
  • И всСгда Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ -65Β°C ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ +150Β°C.

Β 

ВСхничСскоС описаниС:

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ тСхничСскоС описаниС, просто скопируйтС ΠΈ Π²ΡΡ‚Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ ссылку Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π² Π±Ρ€Π°ΡƒΠ·Π΅Ρ€Π΅.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/T/I/P/TIP35C_ONSemiconductor. pdf

TIP35C | ΠšΠžΠœΠ‘Π•Π’ ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ | БиполярныС транзисторы

Вранзистор биполярный, NPN, 25 А, 100 Π’, THT, TO-3PN, TIP35C

Π—Π°ΠΊΠ°Π· β„–: 25Π‘2886

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ: COMSET Semiconductors

Артикул производитСля TIP35C

БСрия производитСля: COMSET_TIP

EAN: 40998706

ΠΎ Π·Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΊΠΎΠ½Π°Ρ…

Активный

ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ

(2,2372 € * / ΡˆΡ‚.)

6,71 €

Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 344 ΡˆΡ‚.

ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ

Π¦Π΅Π½Π° Π·Π° Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ*

3Β ΡˆΡ‚.

2,2372 €

15Β ΡˆΡ‚.

1,9873 €

75Β ΡˆΡ‚.

1,7850 €

400Β ΡˆΡ‚.

1,6184 €

800Β ΡˆΡ‚.

1.4875 €

*Π²ΠΊΠ». НДБ плюс ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ доставки

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ 3 Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π°

ОписаниС

ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ COMSET Semiconductors Π² BΓΌrklin Elektronik

Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ транзисторы, сСрия TIP.

ВСхничСскиС характСристики (Ρ‚ΠΈΠΏ, исполнСниС, напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ): TIP35C, NPN, 100 Π’, 25 А, 125 Π’Ρ‚, TO247, COMSET

ВСхничСскиС характСристики

902:33 ΠΌΠΈΠ½. рабочая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°
ВСрсия НПН
ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ ВО-3ПН
макс. рабочая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° 150 Β°Π‘
макс.напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Vcbo 100 Π’
макс.напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром Vceo 100 Π’
-65 Β°Π‘
Π‘Π±ΠΎΡ€ΠΊΠ° Π’Π“Π’
ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 25 А
НапряТСниС насыщСния 1,8 Π’
Вранзитная частота fTmin 3 ΠœΠ“Ρ†
РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 125 Π’Ρ‚
Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 25 А
МаксимальноС усилСниС постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 75 мА
Мин. коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ 15 мА
ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹ (0)

Логистика

Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½Π° происхоТдСния CN
НомСр Ρ‚Π°ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΡ„Π° 85412900
ΠžΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° Π‘Ρ‚Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½ΡŒ ΠΈΠ· 25 ΡˆΡ‚ΡƒΠΊ

БоотвСтствиС

БоотвСтствиС RoHS Π”Π°
Π”Π°Ρ‚Π° Π΄ΠΈΡ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ² RoHS 31.03.15
SVHC бСсплатно Π”Π°

Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ

ВСхничСский паспорт — EN

ВСхничСский паспорт

ДСкларация ΠΎ соотвСтствии — EN

ДСкларация ΠΎ соотвСтствии

ДСкларация ΠΎ соотвСтствии — DE

ДСкларация ΠΎ соотвСтствии

Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ COMSET Semiconductors

Series ΠŸΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉΡΡ‚Π°, Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ COMSET_TIP

ΠžΠΏΡ†ΠΈΠΈ

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Ρ‹ Π² Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ (2)

РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

Π•Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π° измСрСния

mWWkWMW

ВСрсия

НапряТСниС насыщСния

Π‘Π»ΠΎΠΊ

mVVkVMV

Π‘Π±ΠΎΡ€ΠΊΠ°

ΠΌΠΈΠ½.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *