Как работают транзисторы в схемах горизонтального отклонения телевизоров. Какие типы транзисторов используются в современных ТВ. Как правильно подобрать замену для вышедшего из строя транзистора горизонтальной развертки. На что обратить внимание при замене компонентов в телевизоре.
Принцип работы системы горизонтального отклонения в телевизорах
Система горизонтального отклонения является одной из ключевых в работе телевизора. Она отвечает за формирование строк изображения на экране путем отклонения электронного луча в горизонтальной плоскости. Основным компонентом этой системы выступает мощный транзистор, работающий в ключевом режиме.
Как происходит формирование строк изображения с помощью горизонтальной развертки?
- Транзистор периодически открывается и закрывается с частотой строчной развертки (около 15,625 кГц для PAL/SECAM)
- При открытии транзистора ток через отклоняющую катушку нарастает линейно
- При закрытии транзистора энергия магнитного поля катушки создает обратный выброс напряжения
- Этот выброс используется для питания анодного напряжения кинескопа
- Ток в катушке спадает по синусоидальному закону, отклоняя луч вправо
Типы транзисторов, применяемых в схемах горизонтального отклонения
В современных телевизорах для горизонтальной развертки применяются следующие типы транзисторов:
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
- Мощные высоковольтные биполярные транзисторы
- Полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Какие преимущества имеют IGBT-транзисторы в схемах горизонтальной развертки?
- Высокая скорость переключения
- Малые потери во включенном состоянии
- Способность работать при высоких напряжениях (до 1000 В и выше)
- Простота управления затвором
Ключевые параметры транзисторов горизонтального отклонения
При выборе транзистора для замены в схеме горизонтальной развертки необходимо учитывать следующие основные параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (UCE max)
- Максимальный ток коллектора (IC max)
- Мощность рассеяния (Ptot)
- Время включения и выключения
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
- Коэффициент усиления по току
Особенности подбора замены для транзистора горизонтальной развертки
При необходимости замены вышедшего из строя транзистора горизонтальной развертки следует соблюдать ряд правил:
Как правильно подобрать замену для транзистора горизонтальной развертки?
- Определить тип и основные параметры оригинального транзистора
- Подобрать аналог с максимально близкими характеристиками
- Обратить особое внимание на максимальное напряжение и ток
- Учесть тип корпуса и схему расположения выводов
- По возможности использовать прямой аналог от того же производителя
Распространенные проблемы с транзисторами горизонтальной развертки
Транзисторы в схемах горизонтального отклонения подвержены ряду типичных неисправностей:
- Пробой коллекторного перехода
- Обрыв базового вывода
- Снижение коэффициента усиления
- Тепловой пробой при перегреве
Какие признаки указывают на неисправность транзистора горизонтальной развертки?
- Отсутствие растра на экране телевизора
- Сужение изображения по горизонтали
- Линия обрыва по центру экрана
- Характерный свист от строчного трансформатора
Меры предосторожности при замене транзисторов в телевизорах
Замена транзисторов в схемах горизонтальной развертки требует соблюдения мер безопасности:
- Обязательное отключение телевизора от сети
- Разрядка высоковольтных конденсаторов
- Использование антистатического браслета
- Применение качественного паяльного оборудования
- Соблюдение температурного режима пайки
Современные тенденции в развитии систем горизонтального отклонения
Развитие технологий приводит к изменениям в конструкции систем горизонтального отклонения:
- Переход на цифровые методы формирования развертки
- Применение интегральных микросхем-драйверов
- Использование импульсных источников питания
- Внедрение систем защиты от перегрузки
Какие преимущества дает использование цифровых методов формирования развертки?
- Повышение точности и стабильности изображения
- Снижение энергопотребления
- Уменьшение габаритов и веса телевизора
- Расширение функциональных возможностей
Что такое микроволновый датчик на автосигнализации
Обновлено: 20.11.2022
В Интернете можно найти множество самодельных и фирменных конструкций датчиков удара или вибрации для автомобильных охранных сигнализаций, а также сигнализаторов обнаружения разбития дверей / окон и любых других объектов. Но основа у всех чаще всего одинакова – пьезодетектор стука (реже ставят индукционный датчик).
Устройство датчика от сигнализации
Вот основные технические параметры этого устройства:
- Номинальное напряжение: 12 В постоянного тока
- Рабочее напряжение: 5-15 В постоянного тока
- Ток покоя: 6 мА
- Выходной ток: 100 мА (максимальный ток нагрузки).
Цветовой код провода: белый, синий или зеленый – выход сигнала (односекундный понижающий сигнал в активном состоянии), черный – земля, красный – плюс источника питания.
Далее можете увидеть внешний вид и внутреннюю часть устройства, после снятия крышки.
Как показала практика, потенциометр управления чувствительностью не имеет смысла, поскольку устройство может улавливать удары / вибрацию только тогда, когда ручка потенциометра находится на максимальном перемещении, хотя это и не большая проблема.
Автомобильные датчики удара, предназначенные для обнаружения вибраций, вызванных движением транспортного средства, защищают стекла и колеса вашего авто. Активные действия злоумышленников вызывают прохождение ударных волн через металлическую конструкцию автомобиля. Поднятие авто домкратом и откручивание колесных гаек также может вызвать вибрации. Датчик удара автомобиля посылает сигнал на подключенную охранную сигнализацию, когда происходит какое-либо подобное событие.
Настройка датчика для микроконтроллеров
Предлагаемая схема подключения чуть изменена. Теперь датчик удара готов к работе с любым микроконтроллером (например под Ардуино) – независимо от того как он запитан.
Просто подключитесь к микроконтроллеру или к таймеру 555 – всё будет работать и запускать исполнительное устройство. Здесь BC847B (код SMD 1FW) – это транзистор общего назначения для коммутации и усилителей. Этот NPN-транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В и ток коллектора 100 мА.
Вот еще одна простая идея: добавим активный пьезо-зуммер между контактами vcc и out 3-контактного разъема, поэтому в активном состоянии будет визуальное и звуковое предупреждение об ударе / вибрации продолжительностью в одну секунду.
Возможно, вы захотите разместить электромагнитное реле для управления мощной нагрузкой, например, ревуном авто, но тогда понадобится реле слаботочного типа.
Выходной каскад автомобильного датчика ударов может использоваться для взаимодействия с различными электронными схемами. Его внутренний транзистор выключен в состоянии ожидания. Но когда пьезоэлектрический элемент обнаруживает удар или вибрацию, небольшое напряжение обрабатывается операционным усилителем, и транзистор включается, обнуляя конечный выход на 3-проводном разъеме.
Эти маленькие автомобильные датчики удара очень дешевы и их можно найти на eBay, Aliexpress, Banggood и многих других сайтах по электронике.
Самодельный датчик удара или вибрации
И раз уж мы заговорили про схемотехнику датчиков – вот пример такого самодельного устройства:
Достаточно чуть к нему прикоснуться или ударить, как стрелка микроамперметра подпрыгнет вверх. Последовательно с микроамперметром следует поставить подстроечный резистор, чтобы регулировать его чувствительность. В схеме используется одинарный операционный усилитель LM358, можно использовать и его аналоги, например, TL071.
Минимальное напряжение питания зависит от выбора операционного усилителя, если применить LM358, то минимальное напряжение питания будет 3 вольта, если взять TL072 – то схема будет работать минимум от 7 вольт. Не следует повышать напряжение питания более 16 В.
Низкоомный резистор R4 на схеме задаёт чувствительность.
Чем меньше его сопротивление, тем более чуткой становится схема даже к мелким ударам. Не следует понижать его сопротивление ниже 0,33 ома, чувствительности схемы и так хватает. Вместо стрелочника можно поставить светодиод, тогда он будет мигать во время ударов.
Читайте также:
- Как пользоваться индукционной плитой максвелл
- Значки на посудомоечной машине hansa что означает
- Аэрогриль blaze инструкция по применению
- Пароварка philips hd9140 обзор
- Как нашинковать морковь для плова в блендере
Модуль датчика удара или вибрации в сигнализацию авто
Устройство датчика от сигнализации
Для основы сигнализации можно взять готовое устройство, которое называется на Алиэкспрессе «Модуль датчика вибрации автомобиля / мотоцикла».
Вот основные технические параметры этого устройства:
- Номинальное напряжение: 12 В постоянного тока
- Рабочее напряжение: 5-15 В постоянного тока
- Ток покоя: 6 мА
- Выходной ток: 100 мА (максимальный ток нагрузки).
Цветовой код провода: белый, синий или зеленый — выход сигнала (односекундный понижающий сигнал в активном состоянии), черный — земля, красный — плюс источника питания.
Далее можете увидеть внешний вид и внутреннюю часть устройства, после снятия крышки.
Основными компонентами печатной платы выступают пьезоэлектрический элемент и 8-контактный чип. Пьезоэлектрики легко доступны, поэтому во многих проектах они служат дешевыми шумоуловителями. Здесь пьезик используется как датчик удара / вибрации, а дополнительная пружина с небольшой массой на подвесном конце делает его более чувствительным. Чёрный 8-контактный чип представляет собой операционный усилитель (LM358), который обрабатывает выходные сигналы, поступающие от пьезоэлектрического датчика, для получения сигнала управления выхода. Встроенный потенциометр нужен для установки чувствительности обнаружения стука. Вот его схема. Значения большинства компонентов здесь не помечены — это намеренно из-за определенных ограничений.
Первоначально тестировался модуль с входами питания 5 В и 12 В, и он работал как и положено. В случае удара или вибрации его выходной сигнал изменяется с высокого на низкий примерно на одну секунду, что также отображается красным светодиодом. Скорее всего выходное напряжение не находится на «фиксированном» уровне — оно всего на несколько вольт ниже фактического уровня Vcc — это вполне естественно, потому что практически нет встроенного стабилизатора напряжения или чего-либо подобного, чтобы обеспечить стабильное напряжение на микросхеме операционного усилителя. А это приведет к серьезным проблемам при использовании интерфейса с микроконтроллером — будьте осторожны при подключении к МК.
Как показала практика, потенциометр управления чувствительностью не имеет смысла, поскольку устройство может улавливать удары / вибрацию только тогда, когда ручка потенциометра находится на максимальном перемещении, хотя это и не большая проблема.
Автомобильные датчики удара, предназначенные для обнаружения вибраций, вызванных движением транспортного средства, защищают стекла и колеса вашего авто.
Полезное: Умный, аналоговый драйвер для миниатюрной дрели
Лада Калина Кросс мистер Моркоу › Бортжурнал › Датчик удара к штатной сигналке.
И так наконец то дошли руки установить датчик сигналки.
Крикнул клич в нашем Авторадиоклубе и мне отдали ненужный датчик удара старлайн.
Так как в новых калинах сигналку совместили с мозгами и не вывели контакта для дополнительного датчика (как на люксовых калинах 1) пришлось подключать по совету LKforum-а к концевику капота. Для этого я купил кнопку капота, о чем писал ранее.
Купленную кнопку капота я разобрал, чтобы использовать как переходник:
Пружинку удалил и спаял все вот по такой схеме:
Красный провод — плюс через предохранитель.
Голубой — сигнал датчика. Черный — масса.
Датчик приклеил под капотом:
После этого настроил чувствительность. Пришлось подключить к предварительному каналу (датчик двухуровневый). Т.к. на основном слишком грубо получилось. Все проверили, все работает. При сильном пинании по колесу или ударом кулаком по крыше, сигналка начинает орать.
Настройка датчика для микроконтроллеров
Предлагаемая схема подключения чуть изменена. Теперь датчик удара готов к работе с любым микроконтроллером (например под Ардуино) — независимо от того как он запитан.
Просто подключитесь к микроконтроллеру или к таймеру 555 — всё будет работать и запускать исполнительное устройство. Здесь BC847B (код SMD 1FW) — это транзистор общего назначения для коммутации и усилителей. Этот NPN-транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В и ток коллектора 100 мА.
Вот еще одна простая идея: добавим активный пьезо-зуммер между контактами vcc и out 3-контактного разъема, поэтому в активном состоянии будет визуальное и звуковое предупреждение об ударе / вибрации продолжительностью в одну секунду.
Возможно, вы захотите разместить электромагнитное реле для управления мощной нагрузкой, например, ревуном авто, но тогда понадобится реле слаботочного типа.
Выходной каскад автомобильного датчика ударов может использоваться для взаимодействия с различными электронными схемами. Его внутренний транзистор выключен в состоянии ожидания. Но когда пьезоэлектрический элемент обнаруживает удар или вибрацию, небольшое напряжение обрабатывается операционным усилителем, и транзистор включается, обнуляя конечный выход на 3-проводном разъеме.
Эти маленькие автомобильные датчики удара очень дешевы и их можно найти на eBay, Aliexpress, Banggood и многих других сайтах по электронике.
Доработка штатной сигнализации LADA Granta, Kalina и Priora (установка датчика удара и объема)
Штатная охранная сигнализация есть практически на всех автомобилях Лада. По функциональности она уступает охранным комплексам от Starline, Tomahawk и др. Но при желании можно расширить ее возможности, например, подключить к штатной сигнализации датчики удара, объема, наклона или перемещения.
Потребуется: купить датчик (удара или объема) от любой сигнализации. Их много, но способ подключения аналогичен (назначение контактов датчика смотрите в инструкции из комплекта).
В зависимости от комплектации на автомобиль Лада может устанавливаться различные типы блоков управления электропакетом (БУЭ). Например, в комплектации «Норма» Калины/Гранты установлен блок АПС-6, который находится под задним левым сиденьем. Схема подключения 3-х контактного датчика удара следующая
- 1 контакт датчика удара подключаем к 1 контакту БУЭ
- 2 контакт — к массе (или контакт 6 БУЭ)
- 3 контакт — к 12 контакту БУЭ
Для 4-контактного датчика два провода можно совместить в один:
В случае использования нескольких датчиков, например, датчика удара и датчика объема, следует использовать диоды (т.к. на БУЭ используется только один вход).
На «люкс» версиях Приоры применяется другой БУЭ, который располагается под панелью (рядом с ЭБУ).
Подключение выполняем к разъемам на тыльной стороне блока (разъем для подключения взяли от ПК) по схеме:
Установка датчика Датчик удара рекомендуется крепить к металлу кузова, при этом надежно фиксировать.
После постановки на охрану датчик начинает работать не сразу, а только через 30 секунд. После удара по кузову или колесу датчик удара сработает и заработает клаксон.
А вы дорабатывали штатную сигнализацию автомобилей Лада Приора, Калина или Гранта аналогичным образом? Напомним, есть возможность заменить штатный ключ на выкидной.
Самодельный датчик удара или вибрации
И раз уж мы заговорили про схемотехнику датчиков — вот пример такого самодельного устройства:
Достаточно чуть к нему прикоснуться или ударить, как стрелка микроамперметра подпрыгнет вверх. Последовательно с микроамперметром следует поставить подстроечный резистор, чтобы регулировать его чувствительность. В схеме используется одинарный операционный усилитель LM358, можно использовать и его аналоги, например, TL071.
Минимальное напряжение питания зависит от выбора операционного усилителя, если применить LM358, то минимальное напряжение питания будет 3 вольта, если взять TL072 – то схема будет работать минимум от 7 вольт. Не следует повышать напряжение питания более 16 В.
Низкоомный резистор R4 на схеме задаёт чувствительность. Чем меньше его сопротивление, тем более чуткой становится схема даже к мелким ударам. Не следует понижать его сопротивление ниже 0,33 ома, чувствительности схемы и так хватает. Вместо стрелочника можно поставить светодиод, тогда он будет мигать во время ударов.
Возможные неисправности в работе
Одной из популярных неполадок в работе систем подушки безопасности для приора будет тот тот момент, когда загорелась лампочка, говорящая о неисправности и пропадает звуковой сигнал. Это указывает на то, что придется подвергнуть ремонту сам шлейф: он отвечает за соединитель у подушки безопасности на самом руле (его другое название Airbag Clock-spring).
Мы его уже знаем как элемент-соединитель непосредственно с устройством вращения. Действовать здесь нужно так:
- Опознать эту ошибку можно при помощи диагностического сканера (чтобы его подключить, находим его колодку сзади бардачка).
- Ошибка блока системы управления считывается.
- Обязательно нужна перепрошивка всей системы, которую может провести специалист, используя специальный прибор-программатор.
Утилизация подушки безопасности приора
При выявлении неисправности в этой системе даже неиспользованную подушку следует заменить на новую. Выбрасывать её ни в коем случае нельзя, поэтому специалисты приведут её в действие дистанционно согласно определенной процедуре. Однако последняя недопустима в тех автомобилях, в которых наблюдается повреждение проводки или отсутствуют какие-либо из компонентов системы.
Как правило, такую процедуру проведут в уличных условиях. Персонал не должен находиться ближе, чем на шесть метров от предмета. Это правило обезопасит людей от громкого звука, которым будет сопровождаться взрыв.
В этом случае также важно не размещать подушку безопасности вниз оболочкой сила отдачи может вызвать непредвиденный рикошет и приведет к травмам находящихся рядом людей.
Search
Почему подушка безопасности так важна для Lada Priory
Любой водитель беспокоится о собственной безопасности. Именно по этим показателям будет выбран будущий автомобиль. Максимальное количество автомобилей в этом смысле станет дополнительной гарантией того, что вы сможете остаться в живых в непредвиденной ситуации. Именно поэтому наличие подушек безопасности в автомобиле играет здесь важную роль.
Российские производители давно пытаются обеспечить соответствие отечественных автомобилей стандартам. Подушка безопасности Lada Priora стала неотъемлемой частью разработки этой модели.
Это будет работать только в случае лобового столкновения. При более слабых атаках этот механизм не включается.
Что такое предварительная подушка безопасности
Он выглядит как подушка безопасности, как упругая сумка, он начинает наполняться воздухом сразу после удара.
Этот жизненно важный элемент прекрасно дополняет ремень безопасности. защита для водителя, хотя она должна быть увеличена в несколько раз. Сегодня в пригороде только водительское сиденье будет оснащено надувной подушкой, и желание установить их на дополнительные пассажирские места уже включено в опциональную комплектацию. Очень часто это делается в соответствии с пожеланиями клиента в соответствующих сервисных центрах.
Как правило, этот предыдущий защитный элемент будет работать при лобовом ударе или в случае углового удара, который происходит под углом не более 30 ° с более высокой требуемой скоростью.
Этот показатель также важен: все будет зависеть от того, насколько сильно объект обращен. Если она способна деформироваться, система начнет работать со скоростью, превышающей 25 км / ч, только при лобовом взаимодействии.
Приора, внутренняя подушка безопасности
Так называемая подушка безопасности представляет собой законченную систему, которая имеет следующие элементы:
- модуль газогенератора самой подушки безопасности;
- место, где установлено устройство, контролирующее систему подушек безопасности;
- разъем с элементом, отвечающим за вращение;
- руль с переключающим элементом;
- ремень безопасности.
Модуль типа газогенератора будет содержать следующие элементы:
- сам газогенератор;
- Специальная этикетка со штрих-кодом;
- корпус, в котором будет установлена сложенная подушка безопасности;
- крепление; разъем с предохранителем и прикуривателем со стороны газогенератора;
- покрытие.
Как работает приоритетная подушка безопасности?
You may also like
Суть элемента газогенератора, расположенного в подушке, заключается в следующем:
- Сам газогенератор будет производить газ непосредственно внутри модуля: он заполняет подушку безопасности.
- Здесь воспламенение веществ пиротехнического происхождения будет происходить с помощью предохранителя, установленного в корпусе этого газогенератора.
Существует два типа газогенераторов:
Первый будет состоять из корпуса, который будет заполнен твердым пиротехническим веществом и воспламенительными свойствами. Что касается второго, он будет состоять из материала корпуса, содержащего сжатый газ инертного происхождения, а также всех вышеперечисленных компонентов.
транзистор%201fw%2071 спецификация и примечания по применению
Лучшие результаты (6)
| Часть | Модель ECAD | Производитель | Описание | Техническое описание Скачать | Купить часть |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT3030AR | РОМ Полупроводник | 650 В, 70 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET | |||
| SCT3060AR | РОМ Полупроводник | 650 В, 39 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET | |||
| SCT3105KL | РОМ Полупроводник | 1200 В, 24 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор | |||
| SCT3017AL | РОМ Полупроводник | 650 В, 118 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор | |||
| SCT3030KL | РОМ Полупроводник | 1200 В, 72 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор | |||
| SCT3080AL | РОМ Полупроводник | 650 В, 30 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор |
org/Product»>
org/Product»>транзистор%201fw%2071 Листы данных Context Search
| Каталог данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | OCR-сканирование | 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649 | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Следующий
Обзоры и анализ | Природа Электроника
Тип статьи
Всенаправленная оптогенетическая стимуляция
Беспроводная маломощная оптоэлектронная платформа на основе микросветодиодов может обеспечить мультимодальное программируемое управление параметрами оптогенетической стимуляции.
- Харбаджит С. Сохал
Новости и просмотры
Терагерцовые интегрированные электронные и гибридные электронно-фотонные системы
В этой обзорной статье рассматривается разработка интегрированных электронных и гибридных электронно-фотонных систем терагерцового диапазона с учетом, в частности, достижений, обеспечивающих важные функциональные возможности для приложений связи, датчиков и изображений.
- Кошик Сенгупта
- Тадао Нагацума
- Дэниел М. Митлман
Обзорная статья
MRAM и FinFET объединяются
Интеграция магниторезистивной памяти с произвольным доступом и усовершенствованной технологии плавниковых полевых транзисторов открывает путь к энергоэффективным вычислениям.
- Ариджит Райчоудхури
Новости и просмотры
Механические реле для цифровых цепей
Смещение корпуса и самособирающиеся молекулярные покрытия обеспечивают работу сверхмалых механических реле с напряжением 50 мВ для маломощных цифровых вычислений.
- Нурия Барниол
Новости и просмотры
Электронные скины с мировой привлекательностью
Датчики магнитного поля, встроенные в электронные скины, могут обеспечить искусственную магниторецепцию, основанную только на геомагнитных полях.
- Хади Хейдари
Новости и просмотры
Носимое определение pH за пределами предела Нернста
Гибкое устройство с зарядовой связью может быть использовано для создания датчика, способного измерять pH пота человека с высокой чувствительностью.
- Иран Ян
- Вэй Гао
Новости и просмотры
Спиновые крутящие моменты объединяют усилия в запоминающем устройстве
Для создания универсальной магнитной памяти с произвольным доступом можно использовать комбинацию вращательно-орбитального и спин-передающего крутящих моментов.
- Педрам Халили Амири
Новости и просмотры
Микротермоэлектрические устройства сохраняют прохладу
org/Person»> Оуайн Вон
Новости и просмотры
Мемристивные отпечатки пальцев доказывают разрушение ключа
Физическое снятие отпечатков пальцев матрицы мемристорных поперечин можно использовать для подтверждения того, что цифровой ключ, хранящийся в матрице, надежно уничтожен.
- Вэньцзе Сюн
- Якуб Сефер
Новости и просмотры
Направленная самосборка для продвинутых чипов
Управляемая самосборка блок-сополимеров может создавать шаблоны, необходимые для изготовления передовых интегральных схем.
- Дэвид З. Пан
Новости и просмотры
Метрология для следующего поколения полупроводниковых приборов
В этой обзорной статье рассматриваются современные методы метрологии для интегральных схем и подчеркивается, как новые конструкции интегральных схем и отраслевые требования влияют на возможности литографии и, следовательно, на требования метрологии.
- Н. Г. Орджи
- М. Бадароглу
org/Person»> А. Э. ВладарОбзорная статья
Алмазные дефекты обнаруживают, что находится под ними
Азотно-вакансионные дефекты в алмазе можно использовать для визуализации электрических полей в работающем полупроводниковом приборе.
- Фридеман Райнхард
Новости и просмотры
Логическая технология CMOS с десятью нанометрами
Благодаря некоторым нетрадиционным подходам к повышению плотности транзисторов и производительности новейшая логическая технология Intel обеспечивает 100 миллионов транзисторов на квадратный миллиметр — и в процессе подтверждает закон Мура.
- Суман Датта
Новости и просмотры
Двухтерминальная MRAM со спином
Спин-орбитальный крутящий момент может управлять переключением в двухконтактном магнитном запоминающем устройстве.
- Гоцян Юй
Новости и просмотры
Атомарно тонкие ИС в центре внимания
Сканирующий световой зонд может локально легировать двумерный дителлурид молибдена, что позволяет быстро наносить на материал монолитные интегральные схемы (ИС).
- Ши-Сянь Ян
- Йен-Фу Линь
Новости и просмотры
2D-материалы показывают обучение, подобное мозгу
Масштабируемые электронные синапсы, изготовленные с использованием многослойных гексагональных листов нитрида бора, могут имитировать как долговременную, так и кратковременную пластичность при сверхнизком энергопотреблении в режиме ожидания 1 фВт.
- Мухаммад М. Хусейн
org/Person»> Назек Эль-АтабНовости и просмотры
Скирмионы изучают новые приемы
Теоретический анализ динамики магнитных скирмионов и антискирмионов показывает, что большие индуцируемые током спин-орбитальные моменты могут приводить к нелинейному трохоидальному движению, что приводит к резкому падению поступательной скорости.
- Сонхун Ву
Новости и просмотры
Растягивающаяся электроника на другом уровне
Многофункциональная растяжимая электронная система, которую можно использовать для мониторинга показателей жизнедеятельности и создания человеко-машинных интерфейсов, может быть создана путем вертикального наложения высокоинтегрированных слоев мягкой электроники.
- Дэ-Хён Ким
- Дон Чан Ким
Новости и просмотры
Мемристоры делятся, чтобы победить изменчивость устройства
Конструкция ячейки памяти, основанная на двух мемристорах и одном транзисторе минимального размера, может свести на нет паразитные токи, изменения между устройствами и между циклами в массивах мемристивных поперечин.
- Дитмар Фей
Новости и просмотры
