Транзистор 2222a характеристики: биполярный NPN транзистор 40В 0.6А

alexxlabРазное

Содержание

2N2222 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор 2N2222 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N2222

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO18

2N2222 Datasheet (PDF)

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2222AC1 • High Speed Saturated Switching • Hermetic Surface Mounted Package. • >1.2. 2n2222ahr.pdf Size:1138K _upd

2N2222AHR Hi-Rel 40 V, 0. 8 A NPN transistor Datasheet – production data Features Parameter ESCC JANS 1 2 BVCEO min 40 V 50 V 3 IC (max) 0.8 A TO-18 3 3 hFE at 10 V – 150 mA 100 4 1 1 2 2 • Hermetic packages LCC-3 UB • ESCC and JANS qualified Pin 4 in UB is connected to the metallic lid. • Up to 100 krad(Si) low dose ratee Description Figure 1. Internal schematic

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2222AC1 • High Speed Saturated Switching • Hermetic Surface Mounted Package. • >1.4. p2n2222ag.pdf Size:165K _upd

P2N2222A Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb–Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (TA =25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Value Unit 2 BASE Collector–Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector–Base Voltage VCBO 75 Vdc 3 Emitter–Base Voltage VEBO 6.0 Vdc EMITTER Collector Current — Continuous IC 600 mAdc Total Devi

SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas

SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM – 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD – 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP – 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA

SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas

1.9. mtp2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by P2N2222A/D Amplifier Transistors NPN Silicon P2N2222A COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Collector�Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 Collector�Base Voltage VCBO 75 Vdc CASE 29�04, STYLE 17 Emitter�Base Voltage VEBO 6.0 Vdc TO�92 (TO�226AA) Collector Current � Continuous IC 600 mAdc

1.10. p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by P2N2222A/D Amplifier Transistors NPN Silicon P2N2222A COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Collector�Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 Collector�Base Voltage VCBO 75 Vdc CASE 29�04, STYLE 17 Emitter�Base Voltage VEBO 6. 0 Vdc TO�92 (TO�226AA) Collector Current � Continuous IC 600 mAdc

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D125 2N2222; 2N2222A NPN switching transistors 1997 May 29 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A FEATURES PINNING � High current (max. 800 mA) PIN DESCRIPTION � Low voltage (max. 40 V). 1 emitter 2 ba

2N2218-2N2219 2N2221-2N2222 HIGH-SPEED SWITCHES DESCRIPTION The 2N2218, 2N2219, 2N2221 and 2N2222 are sili- con planar epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2218 and 2N2219) and in Jedec TO-18 (for 2N2221 and 2N2222) metal cases. They are designed for high-speed switching applications at collector currents up to 500 mA, and feature use- ful current gain over a wide range of col

2N2219A 2N2222A � HIGH SPEED SWITCHES PRELIMINARY DATA DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A) metal case. They are designed for high speed switching application at collector current up to 500mA, and feature useful current gain over a wide range of collector current, low leakage cur

2N2219A 2N2222A � HIGH SPEED SWITCHES PRELIMINARY DATA DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A) metal case. They are designed for high speed switching application at collector current up to 500mA, and feature useful current gain over a wide range of collector current, low leakage cur

DATA SHEET 2N2221A 2N2222A NPN SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2221A, 2N2222A types are Silicon NPN Planar Epitaxial Transistors designed for small signal general purpose and switching applications. MAXIMUM RATINGS: (TA=25�C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VCBO 75 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VEBO

MCC 2N2222 Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 2N2222A Phone: (818) 701-4933 Fax: (818) 701-4939 Features � High current (max.

800mA) � Low voltage (max.40V) NPN Switching � Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates Transistors RoHS Compliant. See ordering information) Maximum Ratings Symbol Ra

1.17. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

P2N2222A Amplifier Transistors NPN Silicon Features � These are Pb–Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (TA =25�C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Value Unit 2 BASE Collector–Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector–Base Voltage VCBO 75 Vdc 3 Emitter–Base Voltage VEBO 6.0 Vdc EMITTER Collector Current — Continuous IC 600 mAdc Total Device Dis

1.18. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUB September 1996 Surface Mount NPN General Purpose Transistor Type JANTX, JANTXV, 2N2222AUB Feature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted) Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 V �Ceramic surface mount package Collector-Emitter Voltage.

. . . . . . . .

1.19. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek

1.20. p2n2222 a.pdf Size:240K _cdil

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS P2N2222 P2N2222A EBC TO-92 Complementary Silicon Transistors For Switching And Linear Applications DC Amplifier & Driver For Industrial Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL 2222 2222A UNIT Collecto

1.21. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N2222AU TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SC-323/SC-70 package which 3 is designed for low power surface mount applications. Features 1 2 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product SC-70 / SOT– 323 ORDERING INFO

1.22. 2n2222ae.pdf Size:462K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N2222AE TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier 3 applications. They are housed in the SC-89 package which is designed for low power surface mount applications. 1 Features 2 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product SC-89 ORDERING INFORMATION COLLECTOR

1.23. 2n2222as.pdf Size:446K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N2222AS TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon 3 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product 2 1 ORDERING INFORMATION † SOT–23 Device Maring Shipping 2N2222AS 1P 3000 / Tape & Reel COLLECTOR 3 1 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) BASE Rating Symbol Max Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc EMITTER Col

Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors 2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB 2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUB Features • Qualified to MIL-PRF-19500/255 • Levels: Commerical JANS JANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) • TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB Packages Absolute Maximum Ra

ГлавнаяО сайтеТеорияПрактикаКонтакты

Юмор:
Заходи тихо, говори четко, проси мало, уходи быстро. /Н.Фоменко/

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N2222.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N2222 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N2222
транзистором КТ3117А;

транзистором MM513;
транзистором TBC847;
транзистором TBC846;
транзистором 2SC1709;
транзистором 2SC1707;
транзистором 2SC1707H;
транзистором 2SC1707A;
транзистором 2SC1833;
транзистором 2T6552;

транзистором 2SC1071;

Коллективный разум.

Добавлено пользователями:
КТ315 – аналог;
комментарий: Всегда заменяю данным отечественным транзистором. Замена качественная, никогда не подводила. Только с ножками не всегда удобно.;
пользователь: Андрей , дата записи: 2015-03-10 21:22:15

пользователь: AMI , дата записи: 2015-05-20 15:09:22

дата записи: 2017-01-01 08:08:02

2N904 – аналог;
дата записи: 2015-07-13 12:54:10

2SC1213 – возможный аналог;
дата записи: 2019-04-23 11:35:45

Добавить аналог транзистора 2N2222.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N2222? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзисторы 2N2222 и 2N2222A.

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные переключающие. Используются в качестве ключевых элементов и в схемах усиления постоянного тока. Выпускаются в корпусе TO-18. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже – цоколевка 2N2222.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор-эмиттер 10 в – 75

Граничная частота передачи тока :
У транзисторов 2N2222 – 250МГц.
У транзисторов 2N2222A – 300МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер:
У транзисторов 2N2222 – 30 в.
У транзисторов 2N2222A – 40 в.

Максимальное напряжение коллектор – база:
У транзисторов 2N2222 – 60 в.
У транзисторов 2N2222A – 75 в.

Максимальное напряжение эмиттер – база:
У транзисторов 2N2222 – 5 в.
У транзисторов 2N2222A – 6 в.

Максимальный ток коллектора постоянный и пульсирующий – 800 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер :
У транзисторов 2N2222 при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА – 0,4 в.
У транзисторов 2N2222A при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА – 0,3 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер :
У транзисторов 2N2222 при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА – 1,3 в.
У транзисторов 2N2222A при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА – 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора – 500 мВт.

Транзисторы A1015O, A1015Y, A1015GR.

Транзисторы A1015 кремниевые маломощные широкого применения, структуры p-n-p, Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно – цифровая, на корпусе. На рисунке ниже – цоколевка A1015.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов A1015O – от 70 до 140
У транзисторов A1015Y – от 120 до 240
У транзисторов A1015GR – от 200 до 400

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 50 в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-база – 50 в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-база – 5 в.

Максимальный ток коллектора – 150 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер – 0,3 в.

Рассеиваемая мощность коллектора – 0,4 Вт.

Граничная частота передачи тока – 4 МГц.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

характеристики, аналоги, datasheet и распиновка

Все технические характеристики на транзистор 2N2222 всегда указывают в своих datasheet производители устройства. Ниже мы приведём все основные параметры которые обязательны для ознакомления перед его использованием.

Впервые был представлен в 1962 году на конференции проводимой Институтом Инженеров радиоэлектронщиков. С тех пор 2N2222 завоевал огромную популярность и стал для зарубежной радиоэлектроники таким же важным как у нас КТ315. Уже изготовлено (по эпитаксиально-планарной технологии) несколько миллиардов 2N2222, и спрос на них ещё существует.

Цоколевка

Основным корпусом для 2N2222 является ТО-18, в нем же и будем рассматривать распиновку. Некоторые производители упаковывают тот же кристалл в ТО-92 для дырочного или SOT-23 и SOT-223 для навесного монтажа. При этом они имеют те же характеристики, но коллекторный ток у них ниже, из-за худших тепловых характеристик. Транзисторы в корпусе ТО-92 могут маркироваться PN2222 или P2N2222, при этом расположение выводов у них разное.

Технические характеристики

Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых параметров. Они важны, так как если превысить эти значения, то транзистор выйдет из строя. Их измерение производилось при температуре 25°С. Для 2SC945 они равны:

  • структура N-P-N;
  • напряжение К – Б 60 В;
  • напряжение К – Э 30 В;
  • напряжение Э – Б 5 В;
  • ток коллектора 800 мА;
  • пиковый ток коллектора 800 мА;
  • пиковый ток базы 200 мА;
  • мощность без теплоотвода 500 мВт;
  • мощность с теплоотводом 1,2 Вт;
  • температура хранения -55 … +150°С;
  • температура кристалла Тj = +150°С.

Теперь рассмотрим электрические характеристики, от них напрямую зависят возможности транзистора. Их измерения производились также при температуре 25°С. Остальные параметры, от которых зависят результаты измерения, приведены в следующей таблице в отдельной колонке «Условия тестирования».

Электрические характеристики транзистора 2SD882 (при Т = +25°C)
ПараметрыУсловия тестированияОбозминмахЕд. изм
Обратный ток коллектораVCB =50В, IЭ = 0ICBO10нА
VCB =50В, IЭ = 0,

Tamb = 150°C

ICBO10мкА
Обратный ток эмиттераIC = 0; VEB = 3 ВIEBO10нА
Коэффициент усиленияIC = 0,1 мА; VCE = 10 ВhFE35
IC = 1 мА; VCE = 10 В50
IC = 10 мА; VCE = 10 В75
IC = 150 мА; VCE = 10 В100300
Напряжение насыщения К — ЭIC =150 мA; IB = 15 мAVCE(sat)400мВ
IC =500 мA; IB = 50 мA1,6В
Напряжение насыщения Б — ЭIC =150 мA; IB = 15 мAVВE(sat)1,3В
IC =500 мA; IB = 50 мA2,6В
Коллекторная ёмкостьIE=ie=0; VCB=10В; f=1 МГц8пФ
Граничная частота коэффициента усиленияIC = 20 мA; VCE = 20 В;

f = 100 МГц

250МГц
Время включенияICon = 150 мA;

IBon = 15 мA;

IBoff = −15 мA

ton35нс
Время задержкиtd10нс
Время нарастанияtr25нс
Время выключенияtoff250нс
Время рассасыванияts200нс
Время спадаtf60нс

Аналоги

Перечислим зарубежные аналоги 2N2222:

  • BC107B;
  • BC109.

Среди отечественных транзисторов также есть аналог – это КТ3117.

В качестве компланарной пары производители советуют использовать 2N2907.

Производители и Datasheet

Изготовлением транзистора 2N2222 (datasheet можно скачать кликнув на название) занимаются следующие фирмы:

  • NXP Semiconductors;
  • SEMTECH ELECTRONICS;
  • New Jersey Semi-Conductor Products;
  • Siemens Semiconductor Group;
  • Foshan Blue Rocket Electronics.

В отечественные магазины предоставляют свою продукцию следующие зарубежные компании:

  • Continental Device India Limited;
  • Micro Commercial Components;
  • STMicroelectronics;
  • Inchange Semiconductor Company Limited;
  • ON Semiconductor.

NPN

Транзистор 2N2222: характеристики, цоколевка, аналоги

Главная » Транзистор

2N2222 — кремниевый биполярный транзистор малой мощности с n-p-n структурой.  Конструктивное исполнение — металлический (ТО-18) или пластмассовый (ТО-92) корпус с гибкими выводами.

Содержание

  1. Цоколевка, корпус
  2. Основные характеристики
  3. Модификации
  4. Комплементарная пара
  5. Аналоги

Цоколевка, корпус

Основные характеристики

  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V.
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V.
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V.
  • Максимальная мощность рассеивания (Pc): 0.5 W.
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A.
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C.
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz.
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf.
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100.

Модификации

ТипPcUcbUceUebTjCcIchfeftКорпус
2N2222 0. 5 W 60 V 30 V 5 V 175 °C 8 pf 0.8 A 100 250 MHz TO18
2N22221AL 0.5 W 75 V 50 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 20 250 MHz TO18
2N2222A 0.5 W 75 V 40 V 6 V 175 °C 8 pf 0.8 A 100 300 MHz TO18
2N2222AC1A 0.5 W 75 V 50 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 50 250 MHz LCC1
2N2222AC1B 0.5 W 75 V 50 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 50 250 MHz LCC1
2N2222AC3A 0.5 W 75 V 50 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 100 250 MHz LCC3
2N2222AC3B 0. 5 W 75 V 50 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 100 250 MHz LCC3
2N2222AC3C 0.5 W 75 V 50 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 100 250 MHz LCC3
2N2222ACSM 0.5 W 75 V 40 V 6 V 175 °C 8 pf 0.8 A 100 250 MHz LCC3
2N2222ACSM4 0.35 W 75 V 40 V 6 V 175 °C 8 pf 0.8 A 30 300 MHz LCC3
2N2222ADCSM 0.35 W 75 V 40 V 6 V 175 °C 8 pf 0.6 A 50 300 MHz LCC2
2N2222AE 0.15 W 75 V 40 V 6 V 150 °C 8 pf 0.6 A 75 250 MHz SC89
2N2222AHR 1. 8 W 75 V 50 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 75 TO18
2N2222AL 0.5 W 75 V 50 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 30 250 MHz TO18
2N2222AQCSM 2 W 75 V 40 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 100 250 MHz LCC6
2N2222AQF 2 W 75 V 40 V 6 V 175 °C 8 pf 0.8 A 100 250 MHz LCC6
2N2222AS 0.35 W 75 V 40 V 6 V 150 °C 8 pf 0.6 A 75 300 MHz SOT23
2N2222AU 0.15 W 75 V 40 V 6 V 150 °C 8 pf 0.6 A 75 300 MHz SOT323
2N2222AUA 0. 5 W 75 V 50 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 30 250 MHz TO18
2N2222AUB 0.5 W 75 V 40 V 6 V 175 °C 8 pf 0.8 A 100 300 MHz CERSOT23
2N2222AUBC 0.65 W 75 V 50 V 6 V 200 °C 8 pf 0.8 A 35 UBC
2N2222CSM 0.5 W 75 V 40 V 6 V 175 °C 8 pf 0.8 A 100 250 MHz LCC3
2N2222DCSM 0.6 W 75 V 40 V 6 V 175 °C 8 pf 0.8 A 100 250 MHz LCC3
P2N2222 0.625 W 30 V 30 V 5 V 150 °C 8 pf 0.6 A 35 250 MHz TO-92
P2N2222A 0. 625 W 40 V 0.6 A 100 300 MHz TO92
P2N2222AG 0.625 W 75 V 40 V 6 V 150 °C 8 pf 0.6 A 100 300 MHz TO-92

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N2222 является транзистор 2N2907.

Аналоги

Тип Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Cc HfeКорпус
2N2222 0,5 W 60 V 30 V 5 V 0,8 A 175 °C 250 MHz 8 pf 100 TO18
BC107B0,3 W50 V45 V6 V0,1 A175 °C150 MHz5 pf200TO18
BC1090,3 W30 V20 V5 V0,1 A175 °C150 MHz5 pf180TO18
2N2222A 0,5 W 75 V 40 V 6 V 0,8 A 175 °C 300 MHz 8 pf 100 TO18
2N2792 0,5 W 75 V 35 V 0,8 A 175 °C 250 MHz 8 pf 100 TO18
BFX95 0,5 W 60 V 30 V 5 V 0,8 A 175 °C 250 MHz 8 pf 100 TO18
BSW63 0,5 W 75 V 40 V 6 V 0,8 A 175 °C 250 MHz 8 pf 100 TO18
ECG123A 0,5 W 75 V 40 V 0,8 A 175 °C 300 MHz 200 TO18
MM513 0,5 W 60 V 30 V 5 V 0,8 A 175 °C 250 MHz 8 pf 100 TO18

Известный отечественный аналог для 2N2222 — это КТ3117Б в корпусе ТО-92. В случае отсутствия подходящей замены, его можно заменить на КТ315 или КТ3102.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

2N2222 Основы транзистора — схема выводов, характеристики и эквивалент

2N2222 представляет собой NPN-BJT (транзистор с биполярным переходом), что означает, что между двумя слоями, легированными N, находится один слой, легированный P.

Как и любой другой транзистор, 2N2222 имеет 3 клеммы или контакта:

  • Эмиттер
  • Коллектор
  • База

2N2222 является управляемым током транзистором. Таким образом, слабый ток на базовой клемме может использоваться для подачи большого тока между двумя другими клеммами.

2N2222 используется для коммутации или маломощного усиления. Его также можно использовать для широтно-импульсной модуляции, так как его время отклика мало. 

  Примечание  : 2N2222  Транзистор  представляет собой версию 2N2222 в пластиковом корпусе TO-92 с лучшими абсолютными максимальными характеристиками;  V  eb  , V  cb  и V  ce   .  Некоторые компании теперь называют транзистор 2N2222 «2N2222A» и производят только 2N2222A.

Содержание

  1. 2N2222 Распиновка
  2. 2N2222 VS 2N2222A: в чем разница?
  3. 2N2222A Характеристики
  4. Какие транзисторы эквивалентны 2N2222?
    • Можно ли заменить BC547 на 2N2222?
    • Есть ли различия между транзисторами 2N2222 и BC547?
  5. Каково использование 2N2222?
  6. 2n2222 Применение
  7. Спецификация транзистора 2N2222
  8. Где купить 2N2222(TO-18)?
  9. Размеры
  Примечание : Транзистор PN2222 является более дешевой версией 2N2222. Он также поставляется в пластиковой упаковке ТО-92.

2N2222 Распиновка

Схема распиновки 2N2222 показывает, что есть три вывода: эмиттер, база и коллектор соответственно слева направо (плоская сторона с выводами, направленными вниз).

2N2222 Распиновка (корпус TO-92)

Примечание: Укажите выше, это распиновка транзистора PN2222/2N2222A, версии TO-92 2N2222. PN2222 не упоминается на схеме выводов для простоты.

Original 2N2222 Pinout(TO-18 Package)
Pin Type Function
1 Emitter This pin act as an inlet as the current enters the transistor from here. Коллектор обозначается буквой «С».
2 Основание Этот вывод управляет смещением транзистора. Основание обозначается буквой «В».
3 Коллектор
Этот контакт действует как выход, и отсюда ток выходит из транзистора. Излучатель обозначается буквой «Е».
Описание контакта

2N2222 VS 2N2222A: в чем разница?

Оба транзистора похожи, но 2N2222A имеет более высокие максимальные абсолютные номинальные значения, чем 2N2222. Номинальные напряжения коллектор-база, эмиттер-база и коллектор-эмиттер 2N2222 и 2N2222A составляют 60 В, 30 В, 5 В и 75 В, 40 В, 6 В соответственно.

Кроме того, 2N2222 поставляется в металлическом корпусе, тогда как 2N2222A доступен только в пластиковом корпусе TO-92.

2N2222A является лучшим вариантом, учитывая его более высокие характеристики, низкую стоимость и упаковку TO-92.

2N2222A Specifications

The technical specifications of 2N2222 in TO-18 metal packaging and 2N2222A transistor in TO-92 packaging are given below:

Spec 2N2222A 2N2222
Power Dissipation (T C = 25°C) 1.5 1.2W
DC Current Gain (hFE) 30-300 30-300
Operating Temperature Range -55 to 150°C -65 to 200°C
Continuous Collector Current (I C ) 0. 6 A 0.8 mA
Напряжение базы коллекционера (V CB ) 75 60 В
. V CE ) 40 30V
Input Capacitance(C I ) 25pF 30pF
Output Capacitance(C O ) 8pF 8pF
Transistor type NPN NPN
Package TO-92 TO-18
Mounting Type Through- отверстие Сквозное отверстие
Частота перехода (фут) 250 МГц
В этой таблице приведены технические характеристики транзистора 2N2222

Точные характеристики зависят от производителя, типа корпуса и модификации. Поэтому важно обратиться к техническому описанию для точного номера детали и производителя.

Какие транзисторы эквивалентны 2N2222?

Ниже приведен список транзисторов, которые эквивалентны 2N2222 и могут быть использованы в качестве замены.

  • BC148
  • KTN2222
  • 2N3904
  • 2N4403
  • MPS2222
  • S9014
    • 922027 KN0008
  • PN2222
  • BC637
  • BC547, BC548

Можно ли заменить BC547 на 2N2222?

Да, мы можем заменить BC547 на 2N2222. Транзистор BC547 считается лучшим эквивалентом 2N2222 и может хорошо работать в ваших проектах. Хотя использование эквивалентного транзистора требует детального сравнения, BC547 по-прежнему является хорошей альтернативой 2N2222.

Существуют ли различия между транзисторами 2N2222 и BC547?

Между BC547 и 2N2222 имеются незначительные изменения выходной и входной емкости. Входная и выходная емкости 2N222 немного выше, чем у BC547. Это влияет на схему при работе на более высокой частоте.

Other differences between both transistors are given below:

Spec 2N2222 BC547
Collector to Base voltage 60V 50V
Collector to Emitter voltage 30 В 45 В
Напряжение между эмиттером и базой 5 В 6 В
80018 800mA 100mA
DC Gain 75-300HFe 110-800HFe
Thermal resistance 146k/w 83.3°C/w
Частота перехода 250 МГц 300 МГц
Шум Рисунок 4DB 10DB
Эта таблица Покажите Dificence между BC547 и BC547 и BC547 и BC547 и BC547 и BC547 и BC547 и BC547 и BC547 и BC547 и BC547 и BC547. 0066 Каково использование 2N2222?

2N2222 используется в различных электронных проектах благодаря своим превосходным характеристикам, таким как больший ток коллектора 600 мА. Эта функция делает его идеальным для проектов в области электроники, таких как управление мощными светодиодами, реле, мощными транзисторами и ИС.

2N2222 может использоваться для:

  • переключения
  • усиления звуковых сигналов
  • небольшой динамик в электронных проектах0003
    • Цепи с водителями мотива. Транзистор 2N2222

      Ниже приведен паспорт транзистора 2N2222 в корпусе металлической банки ТО-18:

      Скачать техническое описание корпуса 2N2222 TO-18

      Ниже представлен техническое описание транзистора 2N2222A в корпусе TO-92:

      Скачать техническое описание корпуса P2N2222A TO-92

      ” и они идентичны оригинальному транзистору 2N2222 по работе и функциональным возможностям.

      Среди этих транзисторов основным транзистором является P2N222A, который выпускается в корпусе ТО-92 из пластика или эпоксидной смолы. Благодаря ряду преимуществ и невысокой стоимости ТО-92 корпуса P2N222A стал самым используемым и экономичным транзистором в электронике.

      Где купить 2Н2222(ТО-18)?

      Эти транзисторы легко найти в местном магазине электроники. Для онлайн-покупок мы рекомендуем это лучшее предложение на Amazon:

      Купить на Amazon

      Размеры

      Ниже приведено изображение транзистора 2N2222 в размерах корпуса TO-18. Все размеры указаны в мм. Размеры транзистора

      2N2222 (корпус TO-18) Рубрики ИС и КОМПОНЕНТЫ, Распиновка

      транзистор%20zt%202222a техническое описание и примечания по применению

      Лучшие результаты (6)

      org/Product»> org/Product»>
      Деталь Модель ECAD Производитель Описание Загрузить техпаспорт Купить часть
      SCT3030AR РОМ Полупроводник 650 В, 70 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET
      SCT3060AR РОМ Полупроводник 650 В, 39 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET
      SCT3105KL РОМ Полупроводник 1200 В, 24 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор
      SCT3022KL РОМ Полупроводник 1200 В, 95 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор
      SCT3040KR РОМ Полупроводник 1200 В, 55 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET
      SCT3080KL РОМ Полупроводник 1200 В, 31 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор

      транзистор%20zt%202222a Листы данных Context Search

      org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
      Лист данных по каталогу MFG и тип ПДФ Теги документов
      хб*9Д5Н20П

      Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2N2904E до н. э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
      КИА78*ПИ

      Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
      2SC4793 2sa1837

      Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентных транзисторов NPN
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
      транзистор

      Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
      Текст: Нет доступного текста файла
      OCR-сканирование      		 PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
      Ч520Г2

      Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
      транзистор 45 ф 122

      Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
      Текст: Нет доступного текста файла
      OCR-сканирование      		 PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
      СТХ12С

      Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
      Варистор RU

      Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
      К2Н4401

      Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
      фн651

      Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
      2SC5471

      Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
      Мосфет FTR 03-E

      Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
      Текст: Нет доступного текста файла
      OCR-сканирование      		 PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
      фгт313

      Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
      транзистор 91 330

      Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
      Текст: Нет доступного текста файла
      OCR-сканирование      		 PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
      1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

      Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ трансформатор обратного хода
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
      транзистор

      Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
      1999 — транзистор

      Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
      транзистор 835

      Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОР регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
      Текст: Нет доступного текста файла
      OCR-сканирование      		 PDF БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
      2002 — SE012

      Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 санкен SE140N STA474 UX-F5B
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
      2SC5586

      Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
      PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

      Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор
      Текст: Нет доступного текста файла
      OCR-сканирование      		 PDF
      варикап диоды

      Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор
      Текст: Нет доступного текста файла
      OCR-сканирование      		 PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
      Техническое описание силового транзистора
      для телевизора

      Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
      2009 — 2sc3052ef

      Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
      2007 — ДДА114ТХ

      Резюме: DCX114EH DDC114TH
      Текст: Нет доступного текста файла
      Оригинал      		 PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

      Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next

      2N2222 Транзисторная схема выводов, примеры, применение и техническое описание

      Транзистор

      2N2222 NPN обычно используется для коммутации и усилителей очень высокой частоты (VHF). Он изготовлен из кремниевого материала и специально разработан для приложений с низким напряжением, малым и средним током и усилителями малой мощности.

      Содержание

       2N2222 Транзистор NPN Введение

      2N2222 обеспечивает непрерывный постоянный ток коллектора 800 мА. Это означает, что у него высокий коллектор, поэтому он в основном используется в цепях, где требуется ток от низкого до среднего. Он работает на высокой частоте перехода 250 МГц с временем задержки 10 нс, временем нарастания 25 мс, временем хранения 225 мс и временем спада 60 мс. Это удобный и легко доступный онлайн-рынок в пакете TO-92.

      Схема контактов 2N2222

      Конфигурация контактов транзистора 2N2222 NPN: Этот транзистор 2N2222 NPN имеет три контакта: эмиттер, базу и коллектор. Эти контакты используются в схеме для включения или выключения транзистора. Диаграмма конфигурации ее конфигурации показана здесь в соответствии с таблицей данных:

      Конфигурация PIN -контакта Описание

      PIN Номер Наименование PIN -контакта Функция
      1 EMITE полный ток транзистора.
      2 Основание Базовый контакт является управляющим и используется для управления током между эмиттером и базой.
      3 Коллектор Контакт коллектора является выходным контактом и используется для подачи тока транзистора на выходную нагрузку.

      2N2222 Транзистор NPN Электрические характеристики

      • Напряжение между коллектором и эмиттером VCEO = 50 В, когда база открыта
      • Напряжение между эмиттером и базой составляет VEBO = 6 В, когда коллектор открыт
      • Напряжение между коллектором и базой равно VCBO= 75, когда эмиттер открыт Вт
      • Максимальное тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде R0JA= 325C0/Вт
      • Входная емкость = 25 пФ
      • Выходная емкость = 8 пФ
      • Время включения = 25 нс
      • Время спада = 60 нс

        70013

        Alternative Options

        MPSA42 , 2N3906 

        Equivalents

        • 2N2907(PNP)
        • 2N3904(PNP)
        • 2N3906 (PNP)
        • BC637
        • S9014
        • BC148
        • 2N4403
        • MPS2222
        • PN2222
        • KN2222
        • KTN2222

        Куда 2N2222 NPN транзистор

        • Этот 2N2222 NPN транзистор имеет почти те же технические характеристики, что и BC547 NPN транзистор
        • Но единственная разница между ними заключается в постоянном токе коллектора и общей рассеиваемой мощности этого транзистора.
        • Следовательно, его можно использовать в таких приложениях, как коммутация и усиление, где используется транзистор BC547. В приложении переключения он работает в двух областях, таких как область насыщения и зона отсечки
        • В области насыщения полный ток течет от эмиттера к коллектору в диапазоне от 110 до 800 мА, и в этом состоянии он действует как включение переключателя. Поэтому пользователь не может подключить нагрузку, ток которой превышает 800 мА
        • Аналогично, в области отсечки ток не течет от эмиттера к коллектору, тогда он действует как выключатель
        • Токоограничивающий резистор также находится в цепи для ограничения тока базы, поскольку он может повредить транзистор, если ток источника больше 5 мА

        Режимы конфигурации

        Аналогично, в усилителе его можно подключить в трех конфигурациях, таких как общий эмиттер, общий коллектор и общая база. Ток, напряжение и мощность могут быть легко усилены с помощью этих режимов конфигурации.

        2N2222 Примеры схем

        В этом разделе мы обсудим несколько примеров использования этого транзистора NPN. Сначала мы увидим пример простого примера управления светодиодом с помощью переключателя. После этого мы увидим пример управления двигателем постоянного тока с помощью Arduino Uno.

        Пример управления светодиодом

        В этом примере схемы мы прикрепляем кнопку к базовой клемме. 5 вольт с клеммой коллектора через резистор 220 Ом.

        • Подключите светодиод к клемме эмиттера через резистор 220 Ом. По ошибке 10кОм использовали как токоограничивающий резистор со светодиодом.
        • Если вы используете 10 кОм, светодиод не будет светиться при включении выключателя из-за низкого тока, проходящего через светодиод.
        • Резистор 10 кОм ограничивает ток ниже прямого тока, необходимого для включения светодиода.
        • Кроме того, используйте резистор 220 Ом между переключателем и базовой клеммой.
        • Теперь, если подать 5-вольтовую логику на базовый вход, вы увидите свечение светодиода. В противном случае он останется выключенным.

        Пример подключения двигателя постоянного тока в качестве переключателя с помощью Arduino

        В этом примере транзистор 2N2222 NPN используется в режиме конфигурации с общим эмиттером. Эта схема управляет двигателем постоянного тока через транзистор, который используется в качестве переключателя. Мы можем использовать Arduino Uno или любой микроконтроллер для управления этой схемой. Работа этой схемы точно такая же, как вы видели в предыдущем разделе, за исключением того, что используется двигатель постоянного тока.

        Вы можете прочитать это руководство для получения дополнительной информации:

        • ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДВИГАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА С МИКРОКОНТРОЛЛЕРОМ 8051

        Приложения 2N2222 Транзистор NPN

        • Этот транзистор 2N2222 NPN можно использовать в нагрузках, где требуется ток более 800 мА.
        • Цепи привода двигателя, такие как частотно-регулируемые приводы (VFD) и т. д.

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *