Транзистор 2n5551 параметры: 2n5551 транзистор характеристики, российские аналоги, цоколевка

alexxlabРазное

Содержание

2n5551 транзистор характеристики, российские аналоги, цоколевка

Биполярный транзистор 2SC5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5551

Маркировка: EB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.9
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90

Корпус транзистора: PCP

2SC5551


Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5551af-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

1.2. 2sc5551ae-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

 1.3. 2sc5551.pdf Size:43K _sanyo

Ordering number:ENN6328
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5551
High-Frequency Medium-Output
Amplifier Applications
Features Package Dimensions
High fT : (fT=3.5GHz typ).
unit:mm
Large current : (IC=300mA).
2038A
Large allowable collector dissipation (1.3W max).

4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Base
0.75
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO :

1.4. 2sc5551a.pdf Size:287K _sanyo

Ordering number : ENA1118 2SC5551A
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
High-Frequency Medium-Output
2SC5551A
Amplifier Applications
Features
High fT : (fT=3.5GHz typ).
Large current : (IC=300mA).
Large allowable collector dissipation (1.3W max).
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collec

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор CXT5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: CXT5551

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: SOT-89

CXT5551


Datasheet (PDF)

1.1. cxt5551e.pdf Size:290K _central

CXT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage: 250V
SOT-89 CASE
• Low

1.2. cxt5551hc.pdf Size:283K _central

CXT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551HC type
is an high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-89 CASE
MAXIMUM RAT

 1.3. cxt5551.pdf Size:731K _htsemi

CXT5551
TRANSISTOR (NPN)
SOT-89
FEATURES
Switching and amplification in high voltage
1
Applications such as telephony
1. BASE
Low current(max. 600mA)
2. COLLECTOR
High voltage(max.180v)
3. EMITTER
Marking: 1G6
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEB

1.4. cxt5551.pdf Size:248K _lge

CXT5551
SOT-89 Transistor(NPN)
1. BASE
2. COLLECTOR
1
3. EMITTER
SOT-89
4.6
B
4.4
1.6
1.8
1.4
1.4
Features
2.6
4.25
Switching and amplification in high voltage
2.4
3.75
Applications such as telephony
0.8
MIN
Low current(max. 600mA)
0.53
0.40
0.48
0.44
2x)
0.13 B
0.35
High voltage(max.180v) 0.37

1.5
3.0
Marking: 1G6 Dimensions in inches and (millim

 1.5. cxt5551.pdf Size:1000K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CXT5551 (KXT5551)
Features 1.70 0.1
High current (max. 600mA).
Low voltage (max. 160 V).
● Comlementary to CXT5401
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Collector — Emitter Voltage VCEO 160 V
Emitter — Base Voltage VEBO 6
Collector

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

2SC5552 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5552.pdf Size:46K _panasonic

Power Transistors
2SC5552
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5
5
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
5
5
High-speed switching
(4.0)
5
2.00.2
Wide area of safe operation (ASO)
1.10.1
0.70.1
Absolute Maximum Ratings TC = 25C
5.

1.2. 2sc5552.pdf Size:187K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5552
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Wide area of safe operation
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

 4.1. 2sc5551af-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

4.2. 2sc5551ae-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

 4.3. 2sc5550.pdf Size:208K _toshiba



4.4. 2sc5551.pdf Size:43K _sanyo

Ordering number:ENN6328
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5551
High-Frequency Medium-Output
Amplifier Applications
Features Package Dimensions
High fT : (fT=3.5GHz typ).
unit:mm
Large current : (IC=300mA).
2038A
Large allowable collector dissipation (1.3W max).

4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Base
0.75
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO :

 4.5. 2sc5551a.pdf Size:287K _sanyo

Ordering number : ENA1118 2SC5551A
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
High-Frequency Medium-Output
2SC5551A
Amplifier Applications
Features
High fT : (fT=3.5GHz typ).
Large current : (IC=300mA).
Large allowable collector dissipation (1.3W max).
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collec

4.6. 2sc5553.pdf Size:55K _panasonic

Power Transistors
2SC5553
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5
5
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
5
5
High-speed switching
(4.0)
5
2.00.2
Wide area of safe operation (ASO)
1.10.1
0.70.1
Absolute Maximum Ratings TC = 25C
5.

4.7. 2sc5556.pdf Size:65K _panasonic

Transistors
2SC5556
Silicon NPN epitaxial planar type
For UHF band low-noise amplification
Unit: mm
0.40+0.10
0.05
0.16+0.10
0.06
Features
3
Low noise figure NF
High transition frequency fT
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
1 2
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing (0.95) (0.95)
1.90.1
2.90+0.20
0.05
Absolu

4.8. 2sc5554.pdf Size:49K _hitachi

2SC5554
Silicon NPN Epitaxial
VHF / UHF wide band amplifier
ADE-208-692 (Z)
1st. Edition
Oct. 1998
Features
Super compact package;
(1.4 ? 0.8 ? 0.59mm)
Capable low voltage operation ;
(VCE = 1V)
Outline
MFPAK
3
1
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note: Marking is YH-.
2SC5554
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO

4.9. 2sc5555.pdf Size:46K _hitachi

2SC5555
Silicon NPN Epitaxial
VHF / UHF wide band amplifier
ADE-208-693 (Z)
1st. Edition
Nov. 1998
Features
Super compact package;
(1.4 ? 0.8 ? 0.59mm)
Capable low voltage operation ;
(VCE = 1V)
Outline
MFPAK
3
1
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note: Marking is ZD-.
2SC5555
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO

Биполярный транзистор CZT5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: CZT5551

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: SOT223

CZT5551


Datasheet (PDF)

1.1. czt5551.pdf Size:527K _central

CZT5551
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type
is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITS
Collect

1.2. czt5551hc.pdf Size:527K _central

CZT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type
is a high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE

 1.3. czt5551e.pdf Size:534K _central

CZT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE • High Collector Breakdown Voltage

1.4. czt5551.pdf Size:669K _secos

CZT5551
NPN Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5551 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 5 5 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.30 3

 1.5. czt5551.pdf Size:924K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CZT5551 (KZT5551)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
4
■ Features
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Colle

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор 2N5551CN — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5551CN

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: TO-92N

2N5551CN


Datasheet (PDF)

1.1. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

 3.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd

2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9

3.2. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

KST5551 Datasheet (PDF)

1.1. kst5551.pdf Size:44K _fairchild_semi

KST5551
Amplifier Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V
3
Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW
2
SOT-23
1
Mark: G1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEBO Emitter-Base Voltage

4.1. kst5550.pdf Size:56K _fairchild_semi

KST5550
High Voltage Transistor
3
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 160 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current 600 mA
PC Collector Power Dissipation 350 mW
TSTG Storage Temperatu

 5.1. kst55 kst56.pdf Size:44K _fairchild_semi

KST55/56
Driver Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST55: — 60V
3
KST56: — 80V
Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW
Complement to KST05/06
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector Base Voltage
: KST55 -60 V
: KST56 -80 V

5.2. kst55.pdf Size:21K _samsung

KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
DRIVER TRANSISTOR
SOT-23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Base Voltage VCBO
:KST55 -60 V
:KST56 -80 V
Collector-Emitter Voltage VCEO
:KST55 -60 V
:KST56 -80 V
Emitter-Base Voltage VEBO -4 V
Collector Current IC -500 mA
Collector Dissipation PC 350 mW
Storage Temperature TSTG 150
Thermal R

Биполярный транзистор 2N5551C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5551C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: TO92

2N5551C


Datasheet (PDF)

1.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd

2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9

1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

 1.3. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

1.4. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

CZT5551 Datasheet (PDF)

1.1. czt5551.pdf Size:527K _central

CZT5551
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type
is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITS
Collect

1.2. czt5551hc.pdf Size:527K _central

CZT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type
is a high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE

 1.3. czt5551e.pdf Size:534K _central

CZT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE • High Collector Breakdown Voltage

1.4. czt5551.pdf Size:669K _secos

CZT5551
NPN Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5551 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 5 5 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.30 3

 1.5. czt5551.pdf Size:924K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CZT5551 (KZT5551)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
4
■ Features
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Colle

CXT5551 Datasheet (PDF)

1.1. cxt5551e.pdf Size:290K _central

CXT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage: 250V
SOT-89 CASE
• Low

1.2. cxt5551hc.pdf Size:283K _central

CXT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551HC type
is an high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-89 CASE
MAXIMUM RAT

 1.3. cxt5551.pdf Size:731K _htsemi

CXT5551
TRANSISTOR (NPN)
SOT-89
FEATURES
Switching and amplification in high voltage
1
Applications such as telephony
1. BASE
Low current(max. 600mA)
2. COLLECTOR
High voltage(max.180v)
3. EMITTER
Marking: 1G6
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEB

1.4. cxt5551.pdf Size:248K _lge

CXT5551
SOT-89 Transistor(NPN)
1. BASE
2. COLLECTOR
1
3. EMITTER
SOT-89
4.6
B
4.4
1.6
1.8
1.4
1.4
Features
2.6
4.25
Switching and amplification in high voltage
2.4
3.75
Applications such as telephony
0.8
MIN
Low current(max. 600mA)
0.53
0.40
0.48
0.44
2x)
0.13 B
0.35
High voltage(max.180v) 0.37

1.5
3.0
Marking: 1G6 Dimensions in inches and (millim

 1.5. cxt5551.pdf Size:1000K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CXT5551 (KXT5551)
Features 1.70 0.1
High current (max. 600mA).
Low voltage (max. 160 V).
● Comlementary to CXT5401
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Collector — Emitter Voltage VCEO 160 V
Emitter — Base Voltage VEBO 6
Collector

PZT5551L3 Datasheet (PDF)

1.1. pzt5551l3.pdf Size:222K _cystek

Spec. No. : C208L3
Issued Date : 2004.09.21
CYStech Electronics Corp.
Revised Date : 2008.07.04
Page No. : 1/5
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
PZT5551L3
Description
The PZT5551L3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
• High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA)
CEO C
• Complement to BT

3.1. pzt5551.pdf Size:193K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage:
VCEO=160V
* High current gain
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel
www.unisonic.com.tw 1of 4
Copyright 2012

3.2. pzt5551.pdf Size:333K _wietron

PZT5551
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
COLLECTOR
2, 4
4
1. BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
BASE
4.COLLECTOR 1
1 2
3
3
SOT-223
EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25?C)
Symbol
Rating Value Unit
V
Collector-Emitter Voltage CEO V
160
VCBO
Collector-Base Voltage 180 V
VEBO
Emitter-Base Voltage 6 V
IC
Collector Current (DC) 600 mA
PD
Total Device Disspation 1.5 W
Junc

2N5551C Datasheet (PDF)

1.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd

2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9

1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

 1.3. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

1.4. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),

Биполярный транзистор PZT5551L3 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: PZT5551L3

Маркировка: G1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: SOT-223

PZT5551L3


Datasheet (PDF)

1.1. pzt5551l3.pdf Size:222K _cystek

Spec. No. : C208L3
Issued Date : 2004.09.21
CYStech Electronics Corp.
Revised Date : 2008.07.04
Page No. : 1/5
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
PZT5551L3
Description
The PZT5551L3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
• High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA)
CEO C
• Complement to BT

3.1. pzt5551.pdf Size:193K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage:
VCEO=160V
* High current gain
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel
www.unisonic.com.tw 1of 4
Copyright 2012

3.2. pzt5551.pdf Size:333K _wietron

PZT5551
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
COLLECTOR
2, 4
4
1. BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
BASE
4.COLLECTOR 1
1 2
3
3
SOT-223
EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25?C)
Symbol
Rating Value Unit
V
Collector-Emitter Voltage CEO V
160
VCBO
Collector-Base Voltage 180 V
VEBO
Emitter-Base Voltage 6 V
IC
Collector Current (DC) 600 mA
PD
Total Device Disspation 1.5 W
Junc

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Оцените статью:

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора 2n5551:

Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Cc Hfe Caps
2N5551 Si NPN 0.31180,00160,006,00 0.6135,00100,006,0080,00 TO92
2N5551C Si NPN 0.625180,00160,006,00 0.6150,00300,006,0080,00 TO92
2N5551CN Si NPN 0.4180,00160,006,00 0.6150,00150,003,0080,00 TO92N
2N5551G Si NPN 0.625180,00160,006,00 0.6150,00100,006,0080,00 TO92 SOT89
2N5551K Si NPN 0.625180,00160,006,00 0.6150,00100,006,0080,00 TO92
2N5551N Si NPN 0.4180,00160,006,00 0.6150,00150,003,0080,00 TO92N
2SC6136 Si NPN 0.5600,00285,008,00 0.7150,00100,00 TO92
2SD1701 Si NPN 0.751700,00
 0.8150,0010000,00 TO92
BTN5551K3 Si NPN 0.9180,00160,006,00 0.6150,00100,006,00100,00 TO92L
ECG194 Si NPN 0.35180,00160,00 0.6150,00100,00100,00 TO92
h3N5551 Si NPN 0.625180,00160,006,00 0.6150,00100,006,0080,00 TO92
H5551 Si NPN 0.625180,00160,006,00 0.6150,00100,0080,00 TO92
HEPS0005 Si NPN 0.31180,00160,00 0.6150,00200,00160,00 TO92

Биполярный транзистор 2N5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5551

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наиболее важные параметры.

  • Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.
  • Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
  • Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 150в.
  • Максимальное напряжение коллектор — база — 160в.
  • Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.
  • Коэффициент передачи тока — от 60 до 240.
  • Максимальный постоянный ток коллектора — 0,3А, 0,6А — пульсирующий.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.
  • Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.
  • Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.
  • Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.

Комплементарная пара

Комплементарным аналогом, с прямой проводимостью (p-n-p), является транзистор 2N5401 или российский КТ6116А. В основном, они отличаются от рассматриваемого образца только коэффициентом усиления по току от 60 до 240 hFE.

Маркировка

Транзистор промаркирован по американской системе обозначения полупроводниковых приборов JEDEK: 2-транзистор, N-типоминал, 5551-серийный номер.

Где и как использовать ?

Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.

Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.

Характеристики основных аналогов

Наименование производителя: 2N5551

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наименование производителя: 2N5551C

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наименование производителя: 2N5551CN

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO-92N

Наименование производителя: 2N5551G

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO-92_SOT-89

Автор: Редакция сайта

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления I

пот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт.
tзд.р. нс		 Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий
Нагружаемый
выход		 Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема		 U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема		 0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема		Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема		 Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема		U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема		U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

Транзистор 2N5551, NPN, 180V, 1A, корпус TO-92

Описание товара Транзистор 2N5551, NPN, 180V, 1A, корпус TO-92

Транзистор 2N5551, NPN, 180V, 1A, корпус TO-92 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: NPN
  • Рабочее напряжение: 180V
  • Рабочий ток: 1A
  • Тип корпуса: TO-92

Особенности транзисторов 2N5551, NPN, 180V, 1A, корпус TO-92
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

  • В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
  • Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.    
  • Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
  • Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
  • В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

Транзистор КТ6117 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ6117

 

Параметры транзисторов КТ6117
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ6117АMPS5551M, FMMT5551 *1, 2N5551, СМВТ5551 *1, SО5551 *1, NTE2410 *3, SO5550 *3
КТ6117Б2N5550, FMMT5550 *1, СМВТ5550 *1, PMST5550 *1, KST5550 *1
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ6117А50 °C625мВт
КТ6117Б50 °C625
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ6117А—≥100МГц
КТ6117Б—≥100
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ6117А—180;160*В
КТ6117Б—160;140*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ6117А—5В
КТ6117Б—5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ6117А—600мА
КТ6117Б—600
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ6117А—≤0.05мкА
КТ6117Б—≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ6117А5 В; 10 мА80…250
КТ6117Б5 В; 10 мА60…250
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ6117А—≤6пФ
КТ6117Б—≤6
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ6117А—≤4Ом, дБ
КТ6117Б—≤5
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ6117А—≤8Дб, Ом, Вт
КТ6117Б——
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ6117А——пс
КТ6117Б——

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3  —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2N5551 to-92 | Биполярные транзисторы

Код товара :M-161-624
Обновление:2019-04-10
Тип корпуса :TO-92
V(cbo) :180V
I(c) :0.3A

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2N5551 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с 2N5551 to-92 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
КодНаименованиеКраткое описаниеРозн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
6242N5551 to-92Транзистор 2N5551 — NPN Transistor 180V, 0.3A, TO-921.2 pyб.
6252N5401Транзистор 2N5401 — PNP Transistor Uкэ 150в, Iк-0.3А, hоэ 60-240, P-630 мВт, 300Мгц, TO-926 pyб.
1770LM324N dip-14Микросхема LM324N — Low power quad operational amplifiers, DIP-149 pyб.
5972SB649AТранзистор 2SB649AC (2SB649) — NF/S/Vid-L, 180V, 1,5A, 140MHz, TO-1264 pyб.
282TL431A to-92Микросхемы TL431 (TL431A) — Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-921.7 pyб.
2182SA1015 to-92Транзистор 2SA1015-Y — PNP, U=50В, I=0.15A, Р=0.4Вт, f=80МГц, TO-921.6 pyб.
6792SB892 (B892)Транзистор 2SB892 (маркировка B892) = PNP U=60В, I=2A, Р=1Вт, f=150МГц, низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.4 pyб.
2722SC5707 to-251Транзистор 2SC5707 = NPN 80V, 8A, 30/455ns, 15W, TO-25112 pyб.
6202SA940Транзистор 2SA940 — Power PNP 150V, 1.5A, 25W, 4MHz, TO-220, Complementary to 2SC207318 pyб.
5077DC-DC преобразователь на LM2596S (1.25V~35V)Преобразователь напряжения (понижающий) на микросхеме LM2596S (1.25V~35V) с плавной регулировкой78 pyб.

 

Качество 2n5551 2n5401 для электронных проектов

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. 2n5551 2n5401 на выбор в соответствии с вашими потребностями. 2n5551 2n5401 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. 2n5551 2n5401, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 
2n5551 2n5401 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. 2n5551 2n5401 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. 2n5551 2n5401 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели. 
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. 2n5551 2n5401 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. 2n5551 2n5401 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. 2n5551 2n5401 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
Откройте для себя удивительно доступный. 2n5551 2n5401 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

2N5551 лист данных — 2N5550; 2N5551; Высоковольтные транзисторы NPN ;; Упаковка:

74HC4049: 74HC4049; Hex Inverting High-to-Low Level Shifter ;; Пакет: SOT109-1 (SO16), SOT338-1 (SSOP16), SOT38-4 (DIP16)

BF494B: Усилитель BF494; BF495; Среднечастотные транзисторы NPN

HEF4755VDF: CMOS / BiCMOS-> 4000 Семейство HEF4755V LSI; Приемопередатчик для последовательной передачи данных

MAX6401-22UK: BZA800A-серия; Счетверенный ограничитель переходных напряжений ESD

SAA3010P / S285: Инфракрасный передатчик дистанционного управления Rc-5

TDA1514A: одноканальный TDA1514A; Усилитель Hi-Fi мощностью 50 Вт

ISP1761: Контроллер Hi-Speed ​​Universal Serial Bus On-The-Go ISP1761 — это однокристальный контроллер высокоскоростной универсальной последовательной шины (USB) On-The-Go (OTG), интегрированный с усовершенствованным ведомым хост-контроллером Philips и периферийным контроллером Philips ISP1582.Высокоскоростной хост-контроллер USB и периферия

TZA3026: Трансимпедансный усилитель SDH / SONET STM4 / OC12 TZA3026 — это трансимпедансный усилитель с автоматической регулировкой усиления (AGC), разработанный для использования в волоконно-оптических линиях связи STM4 / OC12. Он усиливает ток, генерируемый фотодетектором (PIN-диод или лавинный фотодиод), и преобразует его в другой ток

.

HEF4015BPN: двойной 4-битный регистр статического сдвига HEF4015B — это 4-битный регистр статического сдвига с двойным запуском по фронту (преобразователь из последовательного в параллельный).Каждый сдвиговый регистр имеет вход последовательных данных (D), вход синхронизации (CP), четыре полностью буферизованных параллельных выхода (от Q0 до Q3) и приоритетный вход асинхронного главного сброса (

BZV85-C68: Стабилитроны Диоды-стабилизаторы напряжения средней мощности в небольших герметичных свинцовых стеклянных корпусах SOD66 (DO-41). Доступны диоды с нормализованным диапазоном допуска E24 примерно 5%. Серия состоит из 33 типов с номинальными рабочими напряжениями от 3,6 В до 75 В.

LXML-PWN1-0120: Светодиоды высокой мощности — белый нейтральный белый, 120 лм, 350 мА Технические характеристики: Производитель: Philips Lumileds; Цвет подсветки: нейтральный белый; Цветовая температура: 4100 К; Световой поток: 120 лм; Угол обзора: 120 градусов; Прямой ток: 350 мА; Прямое напряжение: 3 В; Упаковка: Катушка; Индекс цветопередачи — CRI: 70; Высота: 2.1 мм; Длина: 4,61 мм; Ma

Биполярный транзистор, NPN, THT, 160 В, 0,6 А, 0,625 Вт, TO92 2N5551

Биполярный транзистор, NPN, THT, 160 В, 0,6 А, 0,625 Вт, TO92 2N5551 | GM электронный COM

Для правильной работы и отображения веб-страницы, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере

Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,6 A, Pd = 0,625 Вт, корпус TO92 Параметры: Ic = 0,6 А Uce0 = 160 В, Ucb0 =…

Торговое название DIOTEC Код товара 215-091 Kód výrobce 2N5551 Вес 0.00027 кг Мин. количество 10 шт.

Цена с НДС от 1000 шт. 0,06 € / 0,0456 € Цена нетто Цена с НДС от 500 шт. € 0,06 / 0.0485 € цена нетто Цена с НДС от 100 шт. 0,06 € / 0,0514 € Цена нетто Цена с НДС от 50 Шт. 0,06 € / 0,0525 € Цена нетто Цена с НДС от 25 Шт. 0,07 € / 0,0542 € Цена нетто О доставке Твоя цена € 0,08

Склад В наличии (479 шт.)

Пражский филиал Есть в наличии (24 шт.)

Брненский филиал Есть в наличии (92 кс)

Остравский филиал Есть в наличии (57 кс)

Пльзенский филиал Нет на складе

Филиал в Градец Кралове Есть в наличии (53 кс)

Братиславский филиал Есть в наличии (18 шт.)

Код товара 215-091
Масса 0.00027 кг
Provedení: THT —
h (21E): 50..200 —
Категория: Биполярный транзистор —
U (CB0): 180 В
IC: 0,6 А
f (T): 300 МГц
Полярита транзистору: NPN —
Pd: 0,625 Вт
U (CE0): 160 В
Поуздро: TO92 —

Биполярный NPN-транзистор — Ic = 0,6 A, Pd = 0,625 Вт, корпус TO92

Параметры:
Ic = 0,6 A
Uce0 = 160 В,
Ucb0 = 180 В,
Pd = 0,625 Вт,
h31E = 50..200,
fT = 300 МГц,
case = TO92

Код товара 215-091
Масса 0,00027 кг
Provedení: THT —
h (21E): 50..200 —
Категория: Биполярный транзистор —
U (CB0): 180 В
IC: 0,6 А
f (T): 300 МГц
Полярита транзистору: NPN —
Pd: 0,625 Вт
U (CE0): 160 В
Поуздро: TO92 —

Подобные товары

В наличии

SMD биполярный транзистор NPN — Ic = 0,1 A, Pd = 0,25 Вт…

0,06 € Цена нетто € 0,07

Код 912-039

В наличии

Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,5 A, Pd = 0,625 Вт, T …

0,06 € Цена нетто € 0,07

Код 210-132

В наличии

SMD биполярный транзистор NPN — Ic = 0,1 A, Pd = 0,3 Вт ,…

0,06 € Цена нетто € 0,07

Код 912-009

В наличии

Биполярный NPN-транзистор SMD — Ic = 0,1 A, Pd = 0,3 W, …

0,06 € Цена нетто € 0,07

Код 912-017

В наличии

Биполярный транзистор NPN — Ic = 0.1 А, Pd = 0,625 Вт, Т …

0,06 € Цена нетто € 0,07

Код 210-024

В наличии

Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,1 A, Pd = 0,625 Вт, T …

0,06 € Цена нетто € 0,07

Код 210-026

В наличии

Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,6 A, Pd = 0,63 Вт, ок…

0,06 € Цена нетто € 0,07

Код 215-005

В наличии

Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,1 A, Pd = 0,5 Вт, TO9 …

0,06 € Цена нетто € 0,07

Код 210-062

Nejprodávanější výrobci

Введите имя пользователя и пароль или зарегистрируйтесь для новой учетной записи.

% PDF-1.3 % 1 0 obj > поток конечный поток эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 объект > / Родительский 3 0 R / Содержание [19 0 R] / Тип / Страница / Ресурсы> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / Шрифт >>> / MediaBox [0 0 595.Lou-Fwq.?/ nV | A ‘ / b% # _ ۴l Fn7BP / zoqsUoI_r $ Dlv} HWW + V` + GW & ١Yghʄѱ [p ٪ o Q; Qǟo g4? m? u0x-c! YMh> W [uZF] 2t4_q? / Ԓ # m4̶ $ YLfd; W.FE7 / ޓ Y = m? O? * ZE ފ n7 \ $ gQQ — * [* 3G, $ F @) d! $ Y + v 蚚 ㎢

Вернуться в блог

Написано Эли в четверг, 4 мая 2017 г.

Спросите любого полевого техника или специалиста по стендовым испытаниям, какое у них наиболее часто используемое испытательное оборудование, и они, вероятно, ответят, что это цифровой мультиметр. Эти универсальные устройства могут использоваться для тестирования и диагностики широкого спектра цепей и компонентов.В крайнем случае, цифровой мультиметр может даже заменить дорогое специализированное испытательное оборудование. Один особенно полезный навык — это умение проверять транзистор с помощью цифрового мультиметра. Для решения этой задачи существуют специализированные анализаторы компонентов, но для среднего хобби может быть трудно оправдать расходы.

Распиновка транзистора

К счастью, использование цифрового мультиметра для получения базовых показаний типа «годен / не годен» с подозреваемого неисправного двухполюсного транзистора NPN или PNP — это простая и быстрая задача.Некоторые мультиметры имеют встроенную функцию тестирования транзисторов, если она у вас есть, вы можете пропустить этот пост в блоге — просто вставьте свой транзистор в гнездо на мультиметре и установите измеритель в правильный режим. Вы, вероятно, получите такую ​​информацию, как коэффициент усиления (hFE), который можно будет проверить по таблице данных, а также показания пройден / не пройден. Если в вашем измерителе нет функции тестирования транзисторов, не бойтесь — транзисторы можно легко проверить с помощью настройки тестирования «Диод». (Некоторые счетчики имеют функцию проверки диодов в сочетании с проверкой целостности цепи — это нормально).

Проверка транзистора

Удалите транзистор из схемы для получения точных результатов тестирования.

Шаг 1: (от базы к эмиттеру)

Подсоедините плюсовой провод мультиметра к BASE (B) транзистора. Подсоедините отрицательный вывод измерителя к ЭМИТЕРУ (E) транзистора. Для исправного NPN-транзистора измеритель должен показывать падение напряжения от 0,45 до 0,9 В. Если вы тестируете транзистор PNP, вы должны увидеть «OL» (Over Limit).

Шаг 2: (от базы к коллектору)

Держите положительный провод на ОСНОВАНИИ (B) и поместите отрицательный провод на КОЛЛЕКТОР (С).

Для исправного NPN-транзистора измеритель должен показывать падение напряжения от 0,45 до 0,9 В. Если вы тестируете транзистор PNP, вы должны увидеть «OL» (Over Limit).

Шаг 3: (от эмиттера к базе)

Подсоедините плюсовой провод мультиметра к ЭМИТТЕРУ (E) транзистора. Подсоедините отрицательный вывод измерителя к BASE (B) транзистора.

Для исправного транзистора NPN вы должны увидеть «OL» (Превышение предела). Если вы проверяете транзистор PNP, измеритель должен показывать падение напряжения между 0.45 В и 0,9 В.

Шаг 4: (от коллектора к основанию)

Подсоедините плюсовой провод мультиметра к КОЛЛЕКТОРУ (С) транзистора. Подсоедините отрицательный вывод измерителя к BASE (B) транзистора.

Для исправного транзистора NPN вы должны увидеть «OL» (превышение предела). Если вы проверяете транзистор PNP, измеритель должен показать падение напряжения между 0,45 и 0,9 В.

Шаг 5: (от коллектора к эмиттеру)

Подсоедините положительный провод измерителя к КОЛЛЕКТОРУ (C), а отрицательный провод измерителя к ЭМИТТЕРУ (E) — исправный транзистор NPN или PNP покажет на измерителе «OL» / превышение предела.Поменяйте местами выводы (положительный на эмиттер и отрицательный на коллектор). Еще раз, хороший транзистор NPN или PNP должен показывать «OL».

Если размеры вашего биполярного транзистора противоречат этим шагам, считайте это плохим.

Вы также можете использовать падение напряжения, чтобы определить, какой вывод является эмиттером на немаркированном транзисторе, поскольку переход эмиттер-база обычно имеет немного большее падение напряжения, чем переход коллектор-база.

Помните: этот тест только проверяет, что транзистор не закорочен или не открыт, он не гарантирует, что транзистор работает в пределах своих проектных параметров.Его следует использовать только для того, чтобы решить, нужно ли вам «заменить» или «перейти к следующему компоненту». Этот тест работает только с биполярными транзисторами — вам нужно использовать другой метод для тестирования полевых транзисторов.

В качестве особой благодарности нашим клиентам и читателям блогов мы хотели бы предложить 10% скидку на весь ваш заказ, используя КОД: «BLOG1000»

Чтобы получить месяц признательности нашим клиентам, все, что вам нужно сделать, это использовать код «BLOG1000» при оформлении заказа в вашей карте покупок.

И когда появится окошко, введите соответствующий текущий активный промокод.В данном случае это: BLOG1000

И продолжайте проверять!

Спасибо, что являетесь клиентом Vetco!

Вернуться в блог

&& ph & YT & Q && c && h & AeKY & Yu & ZaSHU77HkF & N

&&& W4_ && J & V & Fm && TC6 & S &&&&& D &&&&& o & Dli & X & iWi8B&L & Q&MlNq.&& FUJk && Z3OOp & Et7oR && pBCOXHC &&& М80 & Х & uFTR && Торд && J & V & Fm && ТС6 && Н_: г & B & Ае & ZTG & hkRic-т & MHo_D & McIXno && QJr9Z & A04Se & шЛ & Р.1 & ф & РГ6 & m_ife & B & O &&&&&& О.Б. & ч & м && Р & _ && gQnUX0MT.GepUpDBr: MMT && NWZ & T & Qa & л & XL & ZEcj.2WK4_jT & S: &&& U & JNI & NA & ah2fTHEdd:. & RUGiT && Y & WB & п & Baj && Р.И. &&& габаритная & B &&& БСП & L & egbeqM &: QrmjQR & NErO_ & U7uGcR && T6Vba & д & М: & д0 & весел: PM9 &&&& IS & с & B & X7 & P & S &&& GBH & ФСК && q9aP && Qc & r4D9 & CRG & B && V && t9U: 0 && л & VNY && о && у &&& N & Lus &&& Zo & FbXt && _ &&&& Xl0rO & GYfdG && б & gRhgkWj & W & Vua3Yh && c7Upeg &&&&&&& U8Qbm: N0hX0 &&&& gQCA & VhMLqij1 & G &&& XG && N & WSCORO & BRQ & Nive.&& М & Nd &&& V && Cl: N && & VDQLq & я && _ && О.Ю. & j4s &&&&&&&&& RaZHa66fJ & G &&& л & P: Y8: Т9 & с8 &&&& о & LDM & uUcMtkDZW1AW &&&& к & L & SWX && и др &&: X1tm & оХ && ДФ & & J & R && DRQmr & k7fT && doihl3 & Я & YW &&&&& mc9 & stAW0Y & O6hQmd & U & jobBR2km6A & & J1C & Q0SAZB & bZOZ3 && Р & Б: 89a & Qb8 & mbriMAq && Bi4 & см & VU1SdE: ItaATUl & rhS8B — & _ 1 & SCOK & & Gmm2f: 1 && dSjOAUaPWRrPUNeQra2E && FfgJftHf & OKG & G: Ос &&& A_b9X & tOlN0: & _ F & U & JkXHIAY & U5KTqIj1C && n2rH9sTGhEs1 &&& GLS & Ds & п &&& ZHF & п &&&& UtPuU && s2 & h3.м && IlXJ & е & PP & DXE & Jcsl && б && U9: Glis6 & CV && oia1CmLTR && J & V & Fm && ТС6 & Zjcn1GXh7 & V & r9DEB1 && D: 8c & tU4QI & е & CZ && V & L && jk3hH && D & я & TW & R & Z && N && mı &&& Y & && R0LG & D & Е &&&& Х & no3ZS8SmV9Ue & Go & НТВ &&& XY &&&& MLJ & YDStjL.cii & ZB.Y2 &&&&&&& Cl- & HFJr & пВ && SFS & Fs && QPn && _ &&& Lr && р &&&& SD && BBV & _ & п & aTVJN &&& iD9B & & & Х5 && & q7ZHZ & Тауца & kO0 & d0-5id_SFLq-5sk & Q4E & J-NYP & р & Qh &&& Нг &: S &&&&&& ФВЧ & I7SM7 && CKD &&& х32 &&& кф & R &: & Z && H & k4LKV && EtuG2 &&&& К & &&&& р &&& m0 & EYR && o84 & U8 &&& р &&& ITPWHQ & Сч & Nl_JlfRuuSiEAj && С. & CO & CZPF _ &&&&& cl4LFetL9m &&& ejq && BM & WSnMbJW & G0ONQct & K & C &&& WrNPfAMehGNi27r.JNH: b.A & Ir: EghVh51 & Dc && RQV && RW &&&&: & _ B_8qO &&&&&& дп && ELqEb & Аллу && I & M3UPY-б & Uno && R2 && K.HU7

Sourcing Карта 2N5551 пластмассовым Encapsulate Силовые транзисторы NPN TO-92 150pcs полупроводники vervetalent бизнеса, промышленности и науки

источников на карте 2N5551 Силовой транзистор в пластиковом корпусе NPN TO-92 150 шт.

Карта источников питания 2N5551 Силовой транзистор в пластиковом корпусе NPN TO-92 150 шт .: DIY & Tools.Бесплатная доставка и возврат всех подходящих заказов. Схема закупок в магазине 2N5551 Силовой транзистор в пластиковом корпусе NPN TO-92 150 шт. Идеально подходит для пополнения вашего личного запаса многих наиболее часто используемых электронных компонентов. 。 Отлично подходит для создания прототипов схем, отлично подходит для ваших проектов своими руками. 。 Если плоская сторона транзистора обращена к вам контактами вниз, выводы слева направо выглядят следующим образом: эмиттер, база, коллектор. Это должно быть верно для всех транзисторов в корпусе ТО-92. 。 Модель: 2N5551; Тип упаковки: ТО-92; VCBO: 180 В; VCEO: 160 В; IC: 0.6А; ПК: 625 мВт. 。 Комплектация: 150 (+/- 2) транзисторов NPN. 。 Это стандартные транзисторы To-92 NPN 2N5551 общего назначения. 。Это хороший универсальный трансформатор для коммутации. Очень хорошо подходит для создания прототипов с использованием плат на микроконтроллере. 。Примечание: ithПри обращении к вам плоской стороной транзистора контактами вниз выводы слева направо выглядят следующим образом: , База, коллектор. Это должно быть верно для всех транзисторов в корпусе TO-92. 。Параметр: 。Тип: NPN。Модель: 2N5551。Тип корпуса: TO-92。VCBO: 180V。VCEO: 160V。IC: 0.6A。PC: 625 мВт Размер черного корпуса: 4,5 мм x 3 мм x 4,5 мм。 Диаметр штыря: 0,4 мм。。 Содержимое упаковки: 。150 (+/- 2) x NPN-транзисторы。。。。







карта источников питания 2N5551 Пластиковый инкапсулированный силовой транзистор NPN TO-92 150 шт.

Коробка для салфеток HOME Европейский лоток для смолы, перекачивающий креативную трубку для бумажных полотенец, ретро-дом, гостиная, высококлассная роскошная мода. Цвет: золото. Подшипники из углеродистой стали 3 мм x 8 мм x 4 мм Пакет из 10 источников 693ZZ Шарикоподшипник с глубоким желобом и двойной защитой 693-2Z 2080093.10 x 1000 мкФ, 10 В, радиальный алюминиевый электролитический конденсатор ± 20% Упаковка из 10 штук. Алмазный диск DIA ABRASIVE-RGP130-ST. Упаковка 100/10 упаковок в ящике Одноразовые белые фартуки в плоской упаковке. Женские туфли-лодочки Rieker 53861 с закрытым носком, сменный пакет Draper ADHCK-A Expert M5 x 0,8 с метрической резьбой, черная средняя часть 50 мм и 75 мм. FEKETEUKI Ultra Thin 9000mAh Зарядное устройство для аккумулятора мобильного телефона большой емкости Панель солнечных батарей Внешний блок питания для смартфонов-розовое золото-1 Размер. Комплект для замены бачка Geberit Twico с номерами деталей 110.700 и 110.750, ZHENGGUIFANG Твердая проволока диаметром 2 шт. Пружина 2 мм Маленькая пружина давления Сжатие катушки 65 мН Пружина 20-100 мм Длина Внешний диаметр 10 мм Размер: W2 OD10 L20 6.5rings.


карта поставщиков 2N5551 силовой транзистор в пластиковом корпусе NPN TO-92 150 шт.

Трещина или шелушение после многократной стирки. Не надевайте украшения во время чистки или работы с агрессивными химикатами. Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата, драгоценный камень является натуральным, а не искусственным и может отличаться по цвету, Номер модели: CAPR111_CEM0536_C1, Характеристика: леггинсы, брюки + шорты для бега + бюстгальтер + футболка + толстовка, что делает его Вам легко найти свою любимую фанатскую экипировку, которая подходит именно вам. sourcing map 2N5551 Силовой транзистор в пластиковом корпусе NPN TO-92 150 шт. , затем нашел для вас забавные плавки. Материалы: верх из кожи / искусственная подошва, Cleverly заявляет обо всех достоинствах Дона. Этот кулон готов к носке — мы включили кабельную цепочку. Материал: 80% хлопок и 20% полиэстер. Средний размер США = большой размер Китая: Длина: 21. Ярлыки для багажа с рисунком мороженого Этикетки для чемоданов Сумка Дорожные аксессуары — Набор из 2 шт. карта источника 2N5551 Силовой транзистор в пластиковом корпусе NPN TO-92 150 шт. , вязаный футляр для очков и ткань с рисунком аргайл (персонализированный) в магазине женской одежды.предлагает множество вариантов спортивной одежды и одежды для тренировок. Пожалуйста, внимательно проверьте размер, прежде чем покупать \ r \ n2, КРАСИВЫЙ И ДОСТУПНЫЙ: Вы будете ожидать, что заплатите больше за эту доступную современную одежду. Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатен Возврат, Как всегда со всеми нашими продуктами, этот товар поставляется в упаковке, что делает его готовым к подарку, как только он будет получен. Предохранительные линзы для Von Zipper Psychwig: Clothing, карта источников питания 2N5551 Силовой транзистор в пластиковом корпусе NPN TO-92 150 шт. .

2N5551 Diotec | Дистрибьютор Rutronik24

  1. Дом
  3. Стандартный биполярный транзистор
  4. Стандартный биполярный транзистор Diotec
Показанное изображение

является представлением только

NPN TRANSISTOR 160V 0,6A TO92
Поставщик: Код поиска Diotec
: 2N5551
Rutronik No.: TDSTD8835
Единичная упаковка: 4000
MOQ: 4000
упаковка: TO92
Упаковка: AMMOPACK
Упаковка
TO92
Поляризация
NPN
I (C)
0.6 А
В (генеральный директор)
160 В
P (общ)
0,625 Вт
В (CBO)
180 В
Автомобильная промышленность
НЕТ
Leadfree Defin.
10
Упаковка
АММОПАК
ECCN
EAR99
Таможенный тариф №
85412100000
Страна
Китай
Код ABC
С
Поставщик Срок выполнения
7 недель

С товарами в вашей корзине вы можете отправить нам заказ или, если у вас возникнут дополнительные вопросы, запрос, не имеющий обязательной силы.

.

Похожие записи

05.09.2023 0

Coocox: CooCox. Текущее состояние дел. / CoIDE / Pluslab

05.09.2023 0

Приборы для измерения давления жидкости: Манометр — из чего состоит? Виды и типы

05.09.2023 0

Регулируемая индуктивность: Регулируемая катушка индуктивности на кольцевом сердечнике

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *