Транзистор 2sc2625: 2SC2625, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 10 А, 80 Вт, Fuji Electric

Транзистор 2SC2625: характеристики, цоколевка, аналоги

Главная » Транзистор

2SC2625 — кремниевый, со структурой NPN, диффузионный планарный транзистор для высокоскоростных высоковольтных переключающих цепей. Конструктивное исполнение – TO-3(P/PN).

Содержание

1. Корпус, цоколевка и размеры
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Электрические параметры
6. Схема проверки временных характеристик
7. Модификации (версии) транзистора
8. Аналоги
9. Отечественное производство
10. Зарубежное производство
11. Графические иллюстрации характеристик

Корпус, цоколевка и размеры

Предназначение

Транзистор разработан для применения в силовых переключающих цепях индуктивного характера, как-то: импульсных регуляторах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах, силовых усилителях общего назначения.

Характерные особенности

• Высокое граничное напряжение коллектор-эмиттер: U_(BR)CEO ≥ 400 В.
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1,2 В при I_C = 4,0 А, I_B = 0,8 А.
• Высокая скорость переключений: t_f ≤ 1,0 мкс при I_C = 5,0 А.
• Удовлетворительная линейность изменения параметра h_FE.
• Незначительные различия в значениях параметров транзистора при поставке от партии к партии.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C, если не указано иное.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	UCBO	450
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	UCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	UEBO	7
Ток коллектора постоянный, А	IC	10
Ток коллектора импульсный, А	ICM	20
Ток базы постоянный, А	IB	3
Предельная рассеиваемая мощность, Вт, при TC = 25°C	PC	80
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150°C
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С	Tstg	-55°C…+150°C
Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт	RƟJС	1,56

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-база, В	U(BR)CBO	IC = 1,0 мА, IE = 0	≥ 450
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U(BR)CEO	IC = 10,0 мА, IB = 0	≥ 400
Напряжение пробоя эмиттер-база, В	U(BR)EBO	IE = 0,1 мА, IC = 0	≥ 7,0
Ток коллектора выключения, мА	ICBO	UCB = 450 В, IE = 0	≤ 1,0
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 7,0 В, IC = 0	≤ 100,0
Характеристики включенного состояния ٭
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 4,0 А, IB = 800 мА	≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 4,0 А, IB = 800 мА	≤ 1,5
Статический коэффициент усиления по току	hFE	UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А	≥ 10
Временные характеристики работы транзистора
Время нарастания импульса, мкс	ton	UCC = 150 В, IC = 5,0 А,IB1 = IB2 = 1,0 А, RL = 30 Ом	≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс	ts (tstg)		≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс	tf		≤ 1,0

٭ — получено в режиме импульсного теста: ширина импульса 300 мкс, скважность не более 2%.

Схема проверки временных характеристик

На рисунке:

• P_W = 20 мкс – длительность импульса напряжения управления по цепи базы.
• R_L = 20 Ом – сопротивление коллекторной цепи.

Модификации (версии) транзистора

Тип	PС	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	RƟJC	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус
2SC2625	80	450	400	7	10	150	> 10	1,56		1,0 / 2,5 / 1,0	TO-3P
2SC2625	80	450	400	7	10	150	> 10	1,17		— / — / —	TO-3PN
2SC2625B	80	450	400	7	10	150	> 10	1,55		1,0 / 2,0 / 1,0	TO-3P(B)

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структрурой NPN, мезапланарные, предназначенные для применения в переключательных и импульсных устройствах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус
2SC2625	80	450	400	7	10	150	≥ 10	1,2	1,0 / 2,5 / 1,0	TO-3P
КТ834А	100	500	400	8	15	150	150	1,5	— / — / 0,6	ТО-3
КТ840А	60	900	400	5	6	150	10 — 100	0,6	0,2 / 3,5 / 0,6	ТО-3
КТ840Б		750	350
КТ840В		860	375
КТ847	125	650	650	8	15	200	8 — 25	1,5	— / 3,0 / 1,5	ТО-3
2Т856А	125	950	—	5	10	—	10 — 60	1,5	— / — / 0,5	—
2Т856Б		750
2Т856В		550
2Т856Г		850
КТ862В	50	600	350	5	10	150	12 — 50	1,5	0,5 / 2,0 / 0,5	—
КТ862Г			400
2Т862В	50	600	350	5	10	150	12 — 50	1,5	0,5 / 2,0 / 0,5	—
2Т862Г			400
КТ872А	100	—	700	6	8	150	6	1	— / 6,7 / 0,8	ТО-218
КТ872В			600
КТ878А	100	—	900	6	25	150	12 — 50	1,5	— / 3,0 / —	ТО-3
КТ878В			600
КТ890А/Б/В	120	350	350	5	20	150	300	1,6	—	ТО-218

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	RƟJC	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус
2SC2625	80	450	400	7	10	150	> 10	1,56	1,2	1,0 / 2,5 / 1,0	TO-3P
2SC2626	80	450	300	7	15	150	> 10	1,55	1,2	0,8 / 2,0 / 0,8	TO-218
2SC3318	80	500	400	7	10	150	> 45	1,55	1	0,5 / 1,5 / 0,15	TO-218
2SC3320	80	500	400	7	15	150	> 30	—	1	0,5 / 1,5 / 0,15	TO-218
2SC3847	85	1200	800	7	10	150	> 100	—	1,5	0,5 / 3,5 / 0,3	TO-218
2SC4138	80	500	400	10	10	150	> 45	—	0,5	1,0 / 3,0 / 0,5	TO-218
2SC4275	80	500	400	10	10	150	> 120	1,56	0,8	1,0 / 2,5 / 0,5	TO-218
2SC4276	80	500	400	10	15	150	> 30	1,56	0,8	1,0 / 2,5 / 0,5	TO-218
2SC4298	80	500	400	10	15	150	> 55	—	1,3	1,0 / 3,0 / 0,5	TO-218
2SC4509	80	500	400	10	10	150	> 10	1,56	0,8	1,0 / 2,5 / 0,5	TO-3PML
2SC4510	80	500	400	10	15	150	> 25	1,56	0,8	1,0 / 2,5 / 0,5	TO-3PML
2SC4557	80	900	550	7	10	150	> 10	—	0,5	1,0 / 5,0 / 0,5	TO-3PML
2SC5024R/O/Y	90	800	500	7	10	150	15 — 35	—	1	0,5 / 3,0 / 0,3	TO-218
2SC5352	80	600	400	7	10	150	> 20	—	1	0,5 / 2,0 / 0,3	TO-3PN
2SC5924	90	900	600	—	14		> 10	—	—	— / — / —	TO-3PF
KSC5024R/O/Y	90	800	500	7	10	150	15 — 35	—	1	1,0 / 2,5 / 0,5	TO-3P
MJE13009K/P	80	700	400	9	12	150	> 40	1,55	1,5	1,0 / 3,0 / 0,7	TO-3P TO-220
MJE13011	80	450	400	7	10	150	> 10	—	1,5	1,0 / 2,0 / 1,0	TO-220/F TO-3P
T25	80	450	400	7	10	—	> 30	—	—	— / — / —	TO-3PN
TT2148	80	500	400	7	12	150	> 20	—	0,8	0,5 / 2,5 / 0,3	TO-3PB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора: зависимость коллекторного тока I_C от величины напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы (управления) I_B.

Характеристика снята при температуре корпуса T_C = 25°C.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика получена для трех значений температуры корпуса транзистора, при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор -эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики получены при соотношении токов I_C/I_B = 5 и при температуре корпуса транзистора T_C = 25°C.

Рис. 4. Зависимости временных характеристик транзистора t_on, t_s, t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Кривые сняты при температуре корпуса транзистора T_C = 25°C и при соотношениях: I_C = 5I_B1, I_B1 = -I_B2 (см. схему измерений временных характеритсик).

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Характеристики ограничения нагрузок по току и напряжению сняты при температуре корпуса T_C = 25°C в режиме одиночного импульса тока (надпись в поле рисунка) разных длительностей P_W: 50 мкс, 100 мкс, 200 мкс, 500 мкс и 1 мс.

Рис. 6. Ограничение величины рассеиваемой мощности P_C транзистора при нарастании температуры корпуса T_C.

2SC2625 транзистор характеристики: аналоги и datasaheet

Главная » Транзисторы

В статье подробно рассмотрены технические характеристики импортного транзистора 2SC2625 на русском языке. Показаны возможные аналоги и возможные варианты замены в случаи выхода из строя. Представлены основные производители и ссылки для скачивания datasheet.

Содержание

1. Распиновка
2. Технические характеристики
3. Абсолютные параметры
4. Меры безопасности
5. Электрические параметры
6. Аналоги
7. Производители

Распиновка

Знакомство с 2SC2625 начнём с распиновки. Если смотреть на маркировку, то три металлических вывода расположенные в нижней части корпуса будут иметь следующее назначение (слева на право): база (Б), коллектор (К), эмиттер (Э). Подробнее, внешний вид и основные физические свойства представлены на рисунке ниже.

Стоит отметить, что вывод «К» имеет физическое соединение с металлическим монтажным основанием корпуса.

Технические характеристики

2SC2625 в соответствии с техническим описанием считается силовым, высокочастотным биполярным транзистором. Производители отмечают его очень высокую надежность, при минимальном отклонении параметров во всех партиях. Несмотря на небольшие габариты, устройство выделяется способностью выдерживать довольно большие напряжения на эмиттерном переходе (до 400 В). Постоянный коллекторный ток на пике может достигать 10 А.

Абсолютные параметры

Абсолютные характеристики 2SC2625:

• напряжение между выводами: К-Б (V_CBO), К-Э (V_CEO) до 400 В; Э-Б (V_EBO) до 7 В;
• напряжение пробоя между выводами К-Э (V_CEO(SUS)) до 400 В;
• предельный ток: коллектора (I_C) до 10 А; базы (I_C) до 3 А;
• мощность рассеиваемая на коллекторе (P_C) до 80 Вт;
• нагрев перехода (T_J) до +150 ^oC; температура хранения (T_STG) от -50 до +150 ^oC.

С приведённым выше списком следует ознакамливаться вместе с тепловыми характеристиками. К сожалению, несмотря на одинаковую маркировку корпуса, у отдельных производителей они немного разнятся. В большинстве справочных данных термическое сопротивление переход-корпус (R_thj-c) не превышает 1.17 С^o/Вт. Вместе с тем, в некоторых datasheet данная величина значительно больше и доходит до 1. 55 С^o/Вт.

Меры безопасности

Необходимо учитывать, что абсолютные параметры справедливы только для температуры окружающей среды (Т_AMP) не превышающей +25 ^oC, о чём производители обычно указывают дополнительно в начале технического описания. В реальной жизни соблюсти такие условия эксплуатации невозможно, а использование транзистора в более жестких режимах зачастую приводит к ухудшению рабочих характеристик с последующим перегревом кристалла и выгоранием кремниевой структуры.

Для нивелирования случаев перегрева и в целях снижения температур работающего транзистор следует предварительно устанавливать его на радиатор. При этом, рекомендуется эксплуатировать устройство на пониженных параметрах, примерно на 20-30% от предельно возможных значений.

Электрические параметры

Наиболее стабильной работы 2SC2625 возможно добиться при соблюдении электрических характеристик и соответствующих режимах измерений. В datasheet они представлены в отельной таблице, непосредственно после абсолютных параметров. Все значения справедливы только при Т_AMP = +25 ^oC, если не указано иных условий.

Аналоги

Аналоги для 2SC2625 ищут очень редко, так как он не считается дефицитным товаром. Вместе с тем, наряду с хорошей доступностью в продаже, подобрать для рассматриваемого транзистора качественную замену в настоящее время достаточно сложно. Поэтому не найдя оригинал, продавцы в магазинах радиотоваров рекомендуют близкие или более мощные по параметрам: BUW12A, KSE13007, 2SC4138, 2SC3320, 2SC3552, в том числе отечественный КТ8117А.

Производители

2SC2625 на российском рынке  широко представлен следующими китайскими компаниями: Inchange Semiconductor, MOSPEC, FUJI POWER. Скачать техническое описание некоторых производителей в pdf-формате можно по ссылкам 1, 2.

2SC2625 Распиновка транзистора, применение, характеристики, аналоги и другая информация Сегодня мы собираемся обсудить распиновку транзистора 2SC2625, области применения, характеристики, аналоги и другую информацию об этом устройстве.

Объявления

Объявления

 

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки:  TO-3P
14
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (I _C ): 10A
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 400 В
• Макс. напряжение коллектор-база (В _CB ): 450 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 80 Вт
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ):  10
• Макс. температура хранения и рабочая температура: от -55 до +150 по Цельсию

 

2SC2625 Описание / описание транзистора:

2SC2625 или C2625 — это NPN-транзистор, доступный в корпусах TO-3P и TO-247. Конфигурация выводов транзистора следующая: первый вывод транзистора — «База», второй вывод — «Коллектор», а третий вывод — «Эмиттер». Коллекторный штырь транзистора также соединен с радиатором или монтажным основанием транзистора.

Это силовой транзистор NPN, в первую очередь предназначенный для использования в инверторах, усилителях мощности, ультразвуковых и переключающих устройствах. По заявлению производителя это устройство обладает высокой надежностью, благодаря чему использование его также позволяет использовать его в коммерческих целях. Транзистор обладает высокими скоростными характеристиками, благодаря чему его также можно использовать в приложениях, где решающее значение имеет высокая скорость переключения.

Транзистор обладает хорошими характеристиками, такими как напряжение между коллектором и эмиттером 400 В, что также делает его идеальным для использования в приложениях с высоким напряжением, максимальный ток коллектора составляет 10 А, минимальный коэффициент усиления по постоянному току транзистора составляет 10, а максимальная рассеиваемая мощность коллектора составляет 80 Вт.

Хорошие характеристики этого транзистора делают его идеальным для использования в различных приложениях общего назначения.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

2SC2625 можно использовать в самых разных приложениях, таких как коммутация и усиление. При использовании в качестве переключателя он может управлять нагрузкой до 10А. Его также можно использовать для изготовления мощных усилителей звука. Помимо этого, его также можно использовать в инверторах переменного и постоянного тока, ультразвуковых генераторах и т. д.

 

Replacement and Equivalent:

2SC3927, 2SC3910, 2SC2789, 2SC2723, 2SC2625, 2SC2541

 

Applications:

High Speed ​​Switching

Inverter applications

Motor Driver Applications

High power audio Усилитель

Нагрузка привода до 10 А

 

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные номинальные значения:

Для безопасной эксплуатации этого транзистора и получения долговременной производительности не используйте этот транзистор до его абсолютных максимальных номинальных значений и оставайтесь на уровне 20%. ниже. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 10 А, поэтому не подключайте нагрузку до 8 А. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В, поэтому не подключайте нагрузку более 320 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте транзистор при температуре выше -55°C и ниже +150°C.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/2/S/C/2SC2625_FujiElectric.pdf

Hoja de datos (Техническое описание в формате PDF) электронных компонентов

Номер пьезы	Описание	Фабрикантес	ПДФ
2CN3	СТЕКЛО ПАССИВИРОВАННЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД	И Т. Д.	ПДФ
3803	ОДНОЧИПОВЫЙ 8-БИТНЫЙ МИКРОКОМПЬЮТЕР CMOS	Ренесас	ПДФ
3804	ОДНОЧИПОВЫЙ 8-БИТНЫЙ МИКРОКОМПЬЮТЕР CMOS	Ренесас	ПДФ
3850	ОДНОЧИПОВЫЙ 8-БИТНЫЙ МИКРОКОМПЬЮТЕР CMOS	Ренесас	PDF
3851	ОДНОЧИПОВЫЙ 8-БИТНЫЙ МИКРОКОМПЬЮТЕР CMOS	Ренесас	ПДФ
54HC04A	Шестигранный инвертор	Моторола Полупроводники	ПДФ
74HC04A	Шестигранный инвертор	Моторола Полупроводники	ПДФ
74HCU04	Hex Инвертор без буфера	ПО Полупроводник	ПДФ
74HCU04	Небуферизованный инвертор Hex	NXP Полупроводники	ПДФ
74HCU04A	Инверторы Hex без буфера	ИК Полупроводник	ПДФ
7512	ОДНОЧИПОВЫЙ 8-БИТНЫЙ МИКРОКОМПЬЮТЕР CMOS	Ренесас	ПДФ
7540	ОДНОЧИПОВЫЙ 8-БИТНЫЙ МИКРОКОМПЬЮТЕР CMOS	Ренесас	ПДФ
AP18T10GP-HF	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
AP2310GK-HF	N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора	Передовая силовая электроника	ПДФ
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de characterísticas u hoja de characterísticas, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. Похожие записи 05.09.2023 0 Coocox: CooCox. Текущее состояние дел. / CoIDE / Pluslab 05.09.2023 0 Приборы для измерения давления жидкости: Манометр — из чего состоит? Виды и типы 05.09.2023 0 Регулируемая индуктивность: Регулируемая катушка индуктивности на кольцевом сердечнике Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт