Какие основные характеристики имеет транзистор 2SC2625. Где применяется данный транзистор. Какие существуют аналоги 2SC2625. Как правильно использовать транзистор 2SC2625 в схемах.
Основные характеристики транзистора 2SC2625
Транзистор 2SC2625 относится к биполярным NPN-транзисторам и обладает следующими ключевыми характеристиками:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
- Максимальный ток коллектора: 10 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 80 Вт
- Корпус: TO-3P
- Статический коэффициент усиления по току (hFE): более 10
Данный транзистор отличается высокой надежностью и стабильностью параметров между разными партиями, что делает его привлекательным для применения в коммерческих устройствах.
Области применения 2SC2625
Благодаря своим характеристикам, транзистор 2SC2625 находит применение в следующих областях:
- Высокочастотные инверторы
- Импульсные источники питания
- Усилители мощности звуковой частоты
- Ультразвуковые генераторы
- Высоковольтные ключи
Высокое пробивное напряжение и значительный допустимый ток делают 2SC2625 универсальным решением для силовой электроники.
Особенности конструкции и подключения
Транзистор 2SC2625 выпускается в корпусе TO-3P, который имеет следующую цоколевку:
- База (B)
- Коллектор (C)
- Эмиттер (E)
Важно отметить, что коллектор также соединен с металлическим основанием корпуса. Это позволяет улучшить теплоотвод, но требует изоляции при монтаже на радиатор.
Рекомендации по применению 2SC2625
При использовании транзистора 2SC2625 в схемах следует учитывать несколько важных моментов:
- Не превышать максимально допустимые параметры, указанные в документации
- Обеспечить хороший теплоотвод, используя радиатор достаточной площади
- Защитить транзистор от перенапряжений и импульсных помех
- При работе на высоких частотах минимизировать паразитные емкости и индуктивности в цепях транзистора
Соблюдение этих рекомендаций позволит раскрыть потенциал 2SC2625 и обеспечить его надежную работу.
Аналоги транзистора 2SC2625
Хотя 2SC2625 обладает уникальным сочетанием характеристик, в некоторых случаях его можно заменить аналогичными транзисторами. Потенциальными аналогами являются:
- 2SC3320
- 2SC3552
- 2SC4138
- BUW12A
- KSE13007
При выборе замены важно тщательно сравнивать параметры и убедиться, что аналог подходит для конкретной схемы.
Производители и доступность 2SC2625
Транзистор 2SC2625 выпускается несколькими производителями, среди которых:
- Fuji Electric
- Inchange Semiconductor
- MOSPEC
Благодаря широкой распространенности, 2SC2625 обычно легко доступен у дистрибьюторов электронных компонентов. Это упрощает его применение в серийных изделиях.
Особенности работы 2SC2625 на высоких частотах
Одним из преимуществ 2SC2625 является возможность эффективной работы на высоких частотах. Для этого транзистор обладает следующими характеристиками:
- Малое время спада (tf): не более 1 мкс
- Малое время нарастания (tr): не более 1 мкс
- Низкая выходная емкость: около 60 пФ
Эти параметры позволяют использовать 2SC2625 в импульсных преобразователях с частотой до нескольких сотен килогерц. Однако для реализации максимальной производительности требуется тщательная разработка печатной платы с учетом высокочастотных эффектов.
Как обеспечить эффективную работу 2SC2625 на высоких частотах?
Для оптимальной работы транзистора на высоких частотах рекомендуется:
- Минимизировать длину проводников, особенно в цепях базы и эмиттера
- Использовать многослойные печатные платы с выделенными слоями земли и питания
- Применять снабберные цепи для подавления паразитных колебаний
- Обеспечить эффективное охлаждение для снижения теплового сопротивления
Соблюдение этих правил позволит максимально раскрыть потенциал 2SC2625 в высокочастотных приложениях.
Особенности применения 2SC2625 в аудиотехнике
Благодаря высокой линейности характеристик, транзистор 2SC2625 нашел применение в усилителях мощности звуковой частоты. При использовании в аудиотехнике важно учитывать следующие аспекты:
- Высокий коэффициент усиления позволяет создавать компактные усилители с малым количеством каскадов
- Значительная допустимая мощность рассеивания обеспечивает работу на низкоомную нагрузку
- Хорошие частотные характеристики минимизируют искажения на высоких частотах
При проектировании аудиоусилителей на 2SC2625 следует обратить внимание на выбор рабочей точки и режима работы для достижения оптимального баланса между качеством звука и эффективностью.
Какие меры помогут улучшить качество звука в усилителях на 2SC2625?
Для повышения качества звучания усилителей на базе 2SC2625 рекомендуется:
- Использовать глубокую отрицательную обратную связь для снижения нелинейных искажений
- Применять симметричные схемы для подавления четных гармоник
- Обеспечить стабильное питание с низким уровнем пульсаций
- Тщательно подбирать пассивные компоненты, особенно в цепях обратной связи
Эти меры позволят создать высококачественный усилитель, способный конкурировать с более дорогими решениями на специализированных аудиокомпонентах.
Транзистор 2SC2625: характеристики, цоколевка, аналоги
Главная » Транзистор
2SC2625 — кремниевый, со структурой NPN, диффузионный планарный транзистор для высокоскоростных высоковольтных переключающих цепей. Конструктивное исполнение – TO-3(P/PN).
Содержание
- Корпус, цоколевка и размеры
- Предназначение
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические параметры
- Схема проверки временных характеристик
- Модификации (версии) транзистора
- Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство
- Графические иллюстрации характеристик
Корпус, цоколевка и размеры
Предназначение
Транзистор разработан для применения в силовых переключающих цепях индуктивного характера, как-то: импульсных регуляторах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах, силовых усилителях общего назначения.
Характерные особенности
- Высокое граничное напряжение коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 400 В.
- Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 1,2 В при IC = 4,0 А, IB = 0,8 А.
- Высокая скорость переключений: tf ≤ 1,0 мкс при IC = 5,0 А.
- Удовлетворительная линейность изменения параметра hFE.
- Незначительные различия в значениях параметров транзистора при поставке от партии к партии.
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 450 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 400 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 7 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 10 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICM | 20 |
| Ток базы постоянный, А | IB | 3 |
| Предельная рассеиваемая мощность, Вт, при TC = 25°C | PC | 80 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150°C |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С | Tstg | -55°C…+150°C |
| Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJС | 1,56 |
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Характеристики выключенного состояния | |||
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | U(BR)CBO | IC = 1,0 мА, IE = 0 | ≥ 450 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | IC = 10,0 мА, IB = 0 | ≥ 400 |
| Напряжение пробоя эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IE = 0,1 мА, IC = 0 | ≥ 7,0 |
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 450 В, IE = 0 | ≤ 1,0 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 7,0 В, IC = 0 | ≤ 100,0 |
| Характеристики включенного состояния ٭ | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 800 мА | ≤ 1,2 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 800 мА | ≤ 1,5 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE | UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А | ≥ 10 |
| Временные характеристики работы транзистора | |||
| Время нарастания импульса, мкс | ton | UCC = 150 В, IC = 5,0 А,IB1 = IB2 = 1,0 А, RL = 30 Ом | ≤ 1,0 |
| Время сохранения импульса, мкс | ts (tstg) | ≤ 2,5 | |
| Время спадания импульса, мкс | tf | ≤ 1,0 | |
٭ — получено в режиме импульсного теста: ширина импульса 300 мкс, скважность не более 2%.
Схема проверки временных характеристик
На рисунке:
- PW = 20 мкс – длительность импульса напряжения управления по цепи базы.
- RL = 20 Ом – сопротивление коллекторной цепи.
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PС | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | RƟJC | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 1,0 / 2,5 / 1,0 | TO-3P | |
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,17 | — / — / — | TO-3PN | |
| 2SC2625B | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,55 | 1,0 / 2,0 / 1,0 | TO-3P(B) |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структрурой NPN, мезапланарные, предназначенные для применения в переключательных и импульсных устройствах аппаратуры широкого применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | ≥ 10 | 1,2 | 1,0 / 2,5 / 1,0 | TO-3P |
| КТ834А | 100 | 500 | 400 | 8 | 15 | 150 | 150 | 1,5 | — / — / 0,6 | ТО-3 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 10 — 100 | 0,6 | 0,2 / 3,5 / 0,6 | ТО-3 |
| КТ840Б | 750 | 350 | ||||||||
| КТ840В | 860 | 375 | ||||||||
| КТ847 | 125 | 650 | 650 | 8 | 15 | 200 | 8 — 25 | 1,5 | — / 3,0 / 1,5 | ТО-3 |
| 2Т856А | 125 | 950 | — | 5 | 10 | — | 10 — 60 | 1,5 | — / — / 0,5 | — |
| 2Т856Б | 750 | |||||||||
| 2Т856В | 550 | |||||||||
| 2Т856Г | 850 | |||||||||
| КТ862В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 | 150 | 12 — 50 | 1,5 | 0,5 / 2,0 / 0,5 | — |
| КТ862Г | 400 | |||||||||
| 2Т862В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 | 150 | 12 — 50 | 1,5 | 0,5 / 2,0 / 0,5 | — |
| 2Т862Г | 400 | |||||||||
| КТ872А | 100 | — | 700 | 6 | 8 | 150 | 6 | 1 | — / 6,7 / 0,8 | ТО-218 |
| КТ872В | 600 | |||||||||
| КТ878А | 100 | — | 900 | 6 | 25 | 150 | 12 — 50 | 1,5 | — / 3,0 / — | ТО-3 |
| КТ878В | 600 | |||||||||
| КТ890А/Б/В | 120 | 350 | 350 | 5 | 20 | 150 | 300 | 1,6 | — | ТО-218 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | RƟJC | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 1,2 | 1,0 / 2,5 / 1,0 | TO-3P |
| 2SC2626 | 80 | 450 | 300 | 7 | 15 | 150 | > 10 | 1,55 | 1,2 | 0,8 / 2,0 / 0,8 | TO-218 |
| 2SC3318 | 80 | 500 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 45 | 1,55 | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 |
| 2SC3320 | 80 | 500 | 400 | 7 | 15 | 150 | > 30 | — | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 |
| 2SC3847 | 85 | 1200 | 800 | 7 | 10 | 150 | > 100 | — | 1,5 | 0,5 / 3,5 / 0,3 | TO-218 |
| 2SC4138 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 45 | — | 0,5 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4275 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 120 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4276 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 30 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4298 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 55 | — | 1,3 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4509 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC4510 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 25 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC4557 | 80 | 900 | 550 | 7 | 10 | 150 | > 10 | — | 0,5 | 1,0 / 5,0 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC5024R/O/Y | 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | 15 — 35 | — | 1 | 0,5 / 3,0 / 0,3 | TO-218 |
| 2SC5352 | 80 | 600 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 20 | — | 1 | 0,5 / 2,0 / 0,3 | TO-3PN |
| 2SC5924 | 90 | 900 | 600 | — | 14 | > 10 | — | — | — / — / — | TO-3PF | |
| KSC5024R/O/Y | 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | 15 — 35 | — | 1 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3P |
| MJE13009K/P | 80 | 700 | 400 | 9 | 12 | 150 | > 40 | 1,55 | 1,5 | 1,0 / 3,0 / 0,7 | TO-3P TO-220 |
| MJE13011 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | — | 1,5 | 1,0 / 2,0 / 1,0 | TO-220/F TO-3P |
| T25 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | — | > 30 | — | — | — / — / — | TO-3PN |
| TT2148 | 80 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | > 20 | — | 0,8 | 0,5 / 2,5 / 0,3 | TO-3PB |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора: зависимость коллекторного тока IC от величины напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы (управления) IB.
Характеристика снята при температуре корпуса TC = 25°C.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика получена для трех значений температуры корпуса транзистора, при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор -эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики получены при соотношении токов IC/IB = 5 и при температуре корпуса транзистора TC = 25°C.
Рис. 4. Зависимости временных характеристик транзистора ton, ts, tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Кривые сняты при температуре корпуса транзистора TC = 25°C и при соотношениях: IC = 5IB1, IB1 = -IB2 (см. схему измерений временных характеритсик).
Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.
Характеристики ограничения нагрузок по току и напряжению сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме одиночного импульса тока (надпись в поле рисунка) разных длительностей PW: 50 мкс, 100 мкс, 200 мкс, 500 мкс и 1 мс.
Рис. 6. Ограничение величины рассеиваемой мощности PC транзистора при нарастании температуры корпуса TC.
2SC2625 транзистор характеристики: аналоги и datasaheet
Главная » Транзисторы
В статье подробно рассмотрены технические характеристики импортного транзистора 2SC2625 на русском языке. Показаны возможные аналоги и возможные варианты замены в случаи выхода из строя. Представлены основные производители и ссылки для скачивания datasheet.
Содержание
- Распиновка
- Технические характеристики
- Абсолютные параметры
- Меры безопасности
- Электрические параметры
- Аналоги
- Производители
Распиновка
Знакомство с 2SC2625 начнём с распиновки. Если смотреть на маркировку, то три металлических вывода расположенные в нижней части корпуса будут иметь следующее назначение (слева на право): база (Б), коллектор (К), эмиттер (Э). Подробнее, внешний вид и основные физические свойства представлены на рисунке ниже.
Стоит отметить, что вывод «К» имеет физическое соединение с металлическим монтажным основанием корпуса.
Технические характеристики
2SC2625 в соответствии с техническим описанием считается силовым, высокочастотным биполярным транзистором. Производители отмечают его очень высокую надежность, при минимальном отклонении параметров во всех партиях. Несмотря на небольшие габариты, устройство выделяется способностью выдерживать довольно большие напряжения на эмиттерном переходе (до 400 В).
Постоянный коллекторный ток на пике может достигать 10 А.
Абсолютные параметры
Абсолютные характеристики 2SC2625:
- напряжение между выводами: К-Б (VCBO), К-Э (VCEO) до 400 В; Э-Б (VEBO) до 7 В;
- напряжение пробоя между выводами К-Э (VCEO(SUS)) до 400 В;
- предельный ток: коллектора (IC) до 10 А; базы (IC) до 3 А;
- мощность рассеиваемая на коллекторе (PC) до 80 Вт;
- нагрев перехода (TJ) до +150 oC; температура хранения (TSTG) от -50 до +150 oC.
С приведённым выше списком следует ознакамливаться вместе с тепловыми характеристиками. К сожалению, несмотря на одинаковую маркировку корпуса, у отдельных производителей они немного разнятся. В большинстве справочных данных термическое сопротивление переход-корпус (Rthj-c) не превышает 1.17 Сo/Вт. Вместе с тем, в некоторых datasheet данная величина значительно больше и доходит до 1.
55 Сo/Вт.
Меры безопасности
Необходимо учитывать, что абсолютные параметры справедливы только для температуры окружающей среды (ТAMP) не превышающей +25 oC, о чём производители обычно указывают дополнительно в начале технического описания. В реальной жизни соблюсти такие условия эксплуатации невозможно, а использование транзистора в более жестких режимах зачастую приводит к ухудшению рабочих характеристик с последующим перегревом кристалла и выгоранием кремниевой структуры.
Для нивелирования случаев перегрева и в целях снижения температур работающего транзистор следует предварительно устанавливать его на радиатор. При этом, рекомендуется эксплуатировать устройство на пониженных параметрах, примерно на 20-30% от предельно возможных значений.
Электрические параметры
Наиболее стабильной работы 2SC2625 возможно добиться при соблюдении электрических характеристик и соответствующих режимах измерений. В datasheet они представлены в отельной таблице, непосредственно после абсолютных параметров.
Все значения справедливы только при ТAMP = +25 oC, если не указано иных условий.
Аналоги
Аналоги для 2SC2625 ищут очень редко, так как он не считается дефицитным товаром. Вместе с тем, наряду с хорошей доступностью в продаже, подобрать для рассматриваемого транзистора качественную замену в настоящее время достаточно сложно. Поэтому не найдя оригинал, продавцы в магазинах радиотоваров рекомендуют близкие или более мощные по параметрам: BUW12A, KSE13007, 2SC4138, 2SC3320, 2SC3552, в том числе отечественный КТ8117А.
Производители
2SC2625 на российском рынке широко представлен следующими китайскими компаниями: Inchange Semiconductor, MOSPEC, FUJI POWER. Скачать техническое описание некоторых производителей в pdf-формате можно по ссылкам 1, 2.
2SC2625 Распиновка транзистора, применение, характеристики, аналоги и другая информация Сегодня мы собираемся обсудить распиновку транзистора 2SC2625, области применения, характеристики, аналоги и другую информацию об этом устройстве.
Объявления
Объявления
Характеристики/технические характеристики:
- Тип упаковки: TO-3P 14
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (I C ): 10A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 400 В
- Макс. напряжение коллектор-база (В CB ): 450 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 В
- Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 80 Вт
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 10
- Макс. температура хранения и рабочая температура: от -55 до +150 по Цельсию
2SC2625 Описание / описание транзистора:
2SC2625 или C2625 — это NPN-транзистор, доступный в корпусах TO-3P и TO-247.
Конфигурация выводов транзистора следующая: первый вывод транзистора — «База», второй вывод — «Коллектор», а третий вывод — «Эмиттер». Коллекторный штырь транзистора также соединен с радиатором или монтажным основанием транзистора.
Это силовой транзистор NPN, в первую очередь предназначенный для использования в инверторах, усилителях мощности, ультразвуковых и переключающих устройствах. По заявлению производителя это устройство обладает высокой надежностью, благодаря чему использование его также позволяет использовать его в коммерческих целях. Транзистор обладает высокими скоростными характеристиками, благодаря чему его также можно использовать в приложениях, где решающее значение имеет высокая скорость переключения.
Транзистор обладает хорошими характеристиками, такими как напряжение между коллектором и эмиттером 400 В, что также делает его идеальным для использования в приложениях с высоким напряжением, максимальный ток коллектора составляет 10 А, минимальный коэффициент усиления по постоянному току транзистора составляет 10, а максимальная рассеиваемая мощность коллектора составляет 80 Вт.
Хорошие характеристики этого транзистора делают его идеальным для использования в различных приложениях общего назначения.
Где мы можем его использовать и как использовать:
2SC2625 можно использовать в самых разных приложениях, таких как коммутация и усиление. При использовании в качестве переключателя он может управлять нагрузкой до 10А. Его также можно использовать для изготовления мощных усилителей звука. Помимо этого, его также можно использовать в инверторах переменного и постоянного тока, ультразвуковых генераторах и т. д.
Replacement and Equivalent:
2SC3927, 2SC3910, 2SC2789, 2SC2723, 2SC2625, 2SC2541
Applications:
High Speed Switching
Inverter applications
Motor Driver Applications
High power audio Усилитель
Нагрузка привода до 10 А
Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные номинальные значения:
Для безопасной эксплуатации этого транзистора и получения долговременной производительности не используйте этот транзистор до его абсолютных максимальных номинальных значений и оставайтесь на уровне 20%.
ниже. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 10 А, поэтому не подключайте нагрузку до 8 А. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В, поэтому не подключайте нагрузку более 320 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте транзистор при температуре выше -55°C и ниже +150°C.
Техническое описание:
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/2/S/C/2SC2625_FujiElectric.pdf
Д.
