Какие основные параметры имеет транзистор 2N5401. Для каких целей он используется. Какие есть аналоги 2N5401. Каковы особенности применения этого транзистора в электронных схемах.
Основные характеристики и параметры транзистора 2N5401
Транзистор 2N5401 представляет собой биполярный PNP-транзистор общего назначения со следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 150 В
- Максимальное напряжение коллектор-база: 160 В
- Максимальный ток коллектора: 600 мА
- Рассеиваемая мощность: 625 мВт
- Коэффициент усиления по току: 60-240
- Граничная частота: 100 МГц
Эти характеристики делают 2N5401 подходящим для применения в высоковольтных схемах усиления и коммутации с умеренными токами.
Области применения транзистора 2N5401
Благодаря своим параметрам, транзистор 2N5401 находит применение в следующих областях:
- Усилители звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Драйверы светодиодов
- Коммутационные схемы
- Телефонные аппараты
- Схемы управления электродвигателями
Высокое напряжение пробоя делает его подходящим для работы в схемах с питанием до 100-120 В.
Особенности корпуса и цоколевка 2N5401
Транзистор 2N5401 выпускается в пластиковом корпусе TO-92 с тремя выводами. Цоколевка транзистора следующая:
- 1 вывод — эмиттер (E)
- 2 вывод — база (B)
- 3 вывод — коллектор (C)
Важно соблюдать правильное подключение выводов при монтаже транзистора в схему. Неправильное подключение может привести к выходу транзистора из строя.
Аналоги транзистора 2N5401
При отсутствии 2N5401 его можно заменить следующими аналогами:
- MPSA92 — близкий аналог по параметрам
- 2N5400 — имеет схожие характеристики
- BC556 — более низковольтный аналог
- КТ3107А — отечественный аналог
- 2SA1015 — японский аналог
При замене следует внимательно сравнивать параметры и убедиться в их совместимости для конкретной схемы.
Особенности применения 2N5401 в электронных схемах
При использовании транзистора 2N5401 в электронных устройствах следует учитывать некоторые нюансы:
- Не превышать максимально допустимые напряжения и токи
- Обеспечить достаточный теплоотвод при работе на больших токах
- Учитывать температурную зависимость параметров
- Правильно выбирать режим по постоянному току
- Использовать защитные цепи при работе с индуктивной нагрузкой
Соблюдение этих правил позволит обеспечить надежную и долговременную работу транзистора в схеме.
Параметры транзистора 2N5401 при различных температурах
Характеристики транзистора 2N5401 зависят от температуры окружающей среды. Рассмотрим изменение некоторых ключевых параметров:
| Параметр | -40°C | +25°C | +125°C |
|---|---|---|---|
| Коэффициент усиления по току (hFE) | 40-180 | 60-240 | 80-320 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)), В | 0.25 | 0.2 | 0.15 |
| Ток утечки коллектора (ICBO), нА | 0.5 | 50 | 50000 |
Как видно из таблицы, наибольшее влияние температура оказывает на ток утечки. Это следует учитывать при проектировании схем.
Сравнение 2N5401 с другими высоковольтными PNP-транзисторами
Рассмотрим, как 2N5401 соотносится по ключевым параметрам с другими распространенными высоковольтными PNP-транзисторами:
| Модель | VCEO, В | IC max, мА | hFE | fT, МГц |
|---|---|---|---|---|
| 2N5401 | 150 | 600 | 60-240 | 100 |
| MPSA92 | 300 | 500 | 50-150 | 50 |
| 2N5416 | 300 | 400 | 30-150 | 40 |
| MJE350 | 300 | 500 | 30-240 | 30 |
2N5401 выделяется более высокой граничной частотой, что делает его предпочтительным для высокочастотных применений.
Рекомендации по монтажу транзистора 2N5401
При монтаже транзистора 2N5401 в электронное устройство следует соблюдать следующие правила:
- Использовать антистатические меры предосторожности при работе с транзистором
- Не превышать максимально допустимую температуру пайки (260°C в течение 10 секунд)
- Оставлять достаточное расстояние между корпусом транзистора и печатной платой для теплоотвода
- При необходимости использовать радиатор для дополнительного охлаждения
- Проверять правильность ориентации транзистора перед пайкой
Соблюдение этих рекомендаций поможет избежать повреждения транзистора и обеспечит его надежную работу в схеме.
Применение 2N5401 в схемах стабилизаторов напряжения
Транзистор 2N5401 часто используется в схемах линейных стабилизаторов напряжения. Рассмотрим типовую схему такого стабилизатора:
«`В этой схеме транзистор 2N5401 выполняет роль регулирующего элемента. Стабилитрон задает опорное напряжение, а транзистор поддерживает постоянное выходное напряжение при изменении входного напряжения или тока нагрузки.
Преимущества использования 2N5401 в данной схеме:
- Высокое допустимое напряжение коллектор-эмиттер позволяет работать с большой разницей между входным и выходным напряжением
- Достаточный максимальный ток коллектора обеспечивает работу с нагрузками до нескольких сотен миллиампер
- Хороший коэффициент усиления по току способствует точной стабилизации напряжения
При проектировании такого стабилизатора следует учитывать рассеиваемую мощность на транзисторе и при необходимости использовать радиатор.
2N5401 транзистор характеристики и его российские аналоги
Юмор:
Любовь – это торжество воображения над интеллектом.
Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор 2N5401
транзистором 2N5400;
транзистором BF491;
транзистором ECG288;
транзистором КТ502Е;
транзистором MPSA92;
транзистором MPSA93;
транзистором MPSL51;
транзистором MPSL51;
транзистором 2SB646;
транзистором 2SB646A;
транзистором 2SA637;
транзистором 2SB647;
транзистором 2SB647A;
транзистором 2SA638;
транзистором 2SA639;
транзистором BC526A;
транзистором BC404VI;
Коллективный разум.
дата записи: 2019-05-21 21:09:40
2SA1015 – полный аналог;
дата записи: 2016-01-04 22:22:27
Добавить аналог транзистора 2N5401.
Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N5401? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Характеристики транзистора 2N5401 говорят о том, что он биполярный, кремниевый, p-n-p структуры , произведенный по эпитаксиально-планарной технологии. Применяется в коммутирующих устройствах, усилителях.
Его также используют в аппаратуре, для которой важен низкий уровень шума и повышенное напряжение.
Распиновка
Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.
Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.
Технические характеристики
Наиболее важными техническими параметрами транзистора 2N5401 (при температуре +25 0 С) являются:
- Предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером -160 В;
- Наибольшее допустимое напряжение между коллектором и базой -150 В;
- Предельное напряжение между эмиттером и базой — 6 В;
- Предельная рассеиваемая мощность коллектора 0,625 Вт;
- Наибольший допустимый ток коллектора -0,6 А;
- Коэффициент усиления по току (hfe) 60 … 240;
- Наибольшая частота коэффициента передачи тока 100 МГц;
- Рабочая температура -55…+150 0 С, у кристалла до 150 0 С.
Электрические
У большинства производителей значения параметров, для PNP-структур, указано со знаком минус. Имейте ввиду, что таким образом они указывают обратное напряжение на P-N переходе (на коллектор — минус, на базу плюс). Ниже, в таблице, приведены все электрические величины для 2N5401 при температуре +25 0 С.
Тепловые
Тепловые параметры показывают, на какую температуру транзистор может нагреться при заданной рассеиваемой мощности. Они влияют на надежность работы, ведь при превышении максимальной температуры устройство выйдет из строя. Эти значения важны также, при выборе радиатора.
Аналоги и комплементарная пара
Наиболее подходящий отечественный аналог транзистора 2N5401 — это КТ6116А, КТ502Е или КТ698К. Среди зарубежных данный прибор можно заменить такими: 2N5400, ECG288, MMBT5401, MPSA92, MPSA93, MPSL51, BF491, ECG288, 2SB646, 2SB646A, 2SA637, 2SB647, 2SB647A, 2SA638, BC526A, BC404VI, 2SA1015, 2SA709. Комплементарной парой для него, согласно документации производителей, могут быть n-p-n транзисторы: 2N5551 2N5550.
Производители
Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.
Биполярный транзистор 2N5401 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5401
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.
31 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO92
2N5401 Datasheet (PDF)
2N5401 Amplifier Transistors PNP Silicon Features • These are Pb-Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector – Emitter Voltage VCEO 150 Vdc Collector – Base Voltage VCBO 160 Vdc 1 Emitter – Base Voltage VEBO 5.0 Vdc EMITTER Collector Current – Continuous IC 600 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25°C PD 625 mW Der
2N5401 Amplifier Transistors PNP Silicon Features • These are Pb-Free Devices* http://onsemi.
com COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector – Emitter Voltage VCEO 150 Vdc Collector – Base Voltage VCBO 160 Vdc 1 Emitter – Base Voltage VEBO 5.0 Vdc EMITTER Collector Current – Continuous IC 600 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25°C PD 625 mW Der
2N5401CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 ± 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 ± 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 ± 0.10 (0.075 ± 0.004) A 0.31 rad. Bipolar PNP Device. (0.012) 3.05 ± 0.13 (0.12 ± 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 ± 0.10 max. VCEO = 150V A = (0.04 ± 0.00
2N5401DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 ± 0.15 2.29 ± 0.20 1.65 ± 0.13 (0.055 ± 0.006) (0.09 ± 0.008) (0.065 ± 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 150V CEO 6.22 ± 0.13 A = 1.27 ± 0.13 I = 0.6A C (0.
2N5401HR Hi-Rel PNP bipolar transistor 150 V, 0.5 A Datasheet – production data Features 3 BVCEO 150 V 1 1 IC (max) 0.5 A 2 2 3 HFE at 10 V – 150 mA > 60 TO-18 LCC-3 3 • Hermetic packages 4 • ESCC and JANS qualified 1 • Up to 100 krad(Si) low dose rate 2 UB Description Pin 4 in UB is connected to the metallic lid. The 2N5401HR is a silicon planar PNP transistor
2N5401N Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Description • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.) • Complementary pair with 2N5551N Ordering Information Type NO. Marking Package Code 2N5401N 2N5401 T
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N5400/D Amplifier Transistors 2N5400 PNP Silicon * 2N5401 *Motorola Preferred Device COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 2 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol 2N5400 2N5401 Unit CASE 29�04, STYLE 1 TO�92 (TO�226AA) Collector�Emitter Voltage VCEO 120 150 Vdc Collector�Base Voltage VCBO 130 160 Vdc Emitter�Base Voltage VEB
1.
8. 2n5401.pdf Size:52K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 2N5401 PNP high-voltage transistor Product specification 2004 Oct 28 Supersedes data of 1999 Apr 08 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistor 2N5401 FEATURES PINNING � Low current (max. 300 mA) PIN DESCRIPTION � High voltage (max. 150 V). 1 collector 2 base APPLICATIONS 3 emitter � General pu
1.9. 2n5401 3.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 2N5401 PNP high-voltage transistor 1999 Apr 08 Product specification Supersedes data of 1997 May 22 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistor 2N5401 FEATURES PINNING � Low current (max. 300 mA) PIN DESCRIPTION � High voltage (max. 150 V). 1 collector 2 base APPLICATIONS 3 emitter � General p
1.10. 2n5401 mmbt5401.pdf Size:75K _fairchild_semi
2N5401 MMBT5401 C E C TO-92 B B SOT-23 E Mark: 2L PNP General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch for applications requiring high voltages.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 150 V VCBO Collector-Base Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC Co
1.11. 2n5401.pdf Size:53K _samsung
2N5401 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AMPLIFIER TRANSISTOR TO-92 � Collector-Emitter Voltage: VCEO= 150V � Collector Dissipation: PC (max)=625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -160 V Collector-Emitter Voltage VCEO -150 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -600 mA Collector Dissipation PC 625 mW Junc
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 � Fax: (631) 435-1824
1.13. 2n5401.pdf Size:275K _mcc
2N5401 MCC TM Micro Commercial Components ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25�C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector�Emitter Breakdown Voltage(1) V(BR)CEO Vdc (IC = 1.
0 mAdc, IB = 0) 150 � Collector�Base Breakdown Voltage V(BR)CBO Vdc (IC = 100 mAdc, IE = 0) 160 � Emitter�Base Breakdown Voltage V(BR)EBO 5.0 � Vdc (IE = 10 mAdc, IC =
1.14. 2n5401-d.pdf Size:145K _onsemi
2N5401 Amplifier Transistors PNP Silicon Features � These are Pb-Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 BASE Collector – Emitter Voltage VCEO 150 Vdc Collector – Base Voltage VCBO 160 Vdc 1 Emitter – Base Voltage VEBO 5.0 Vdc EMITTER Collector Current – Continuous IC 600 mAdc Total Device Dissipation @ TA = 25�C PD 625 mW Derate ab
1.15. 2n5401.pdf Size:219K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N5401 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ? FEATURES * Collector-emitter voltage: VCEO = -150V * High current gain, ? ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2N5401L-x-AB3-R 2N5401G-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel 2N5401L-x-T92-B 2N5401G-x-T92-B TO-92 E B C Tape Box
1.
16. 2n5401.pdf Size:250K _auk
2N5401 PNP Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose amplifier E • High voltage application Features B • High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V • Low collector saturation voltage : C VCE(sat)=-0.5V(MAX.) TO-92 • Complementary pair with 2N5551 Ordering Information Type NO. Marking Package Code 2N5401 TO-92
1.17. 2n5401.pdf Size:337K _secos
2N5401 -0.6 A, -160 V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES G H Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony J Low current (max. 600mA) A D Millimeter REF. Min. Max. B High voltage (max. 160V) A 4.40 4.70 B 4.30 4.7
1.18. 2n5401.pdf Size:274K _cdil
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 2N5401 TO-92 CBE C B E High Voltage PNP Transistor For General Purpose And Telephony Applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 150 V Collector -Ba
1.19. 2n5401.pdf Size:32K _kec
SEMICONDUCTOR 2N5401 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. B C FEATURES High Collector Breakdwon Voltage N DIM MILLIMETERS : VCBO=-160V, VCEO=-150V A 4.70 MAX E K Low Leakage Current. B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D : ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V D 0.45 E 1.00 Low Saturation Voltage F 1.27 G 0.85 : VCE(sat)=-0.5V(M
SEMICONDUCTOR 2N5401S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. E L B L DIM MILLIMETERS FEATURES _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 High Collector Breakdwon Voltage C 1.30 MAX 2 : VCBO=-160V, VCEO=-150V 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 Low Leakage Current. 1 G 1.90 H 0.95 : ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V J 0.1
SEMICONDUCTOR 2N5401C TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION. B C FEATURES High Collector Breakdwon Voltage N DIM MILLIMETERS : VCBO=-160V, VCEO=-150V A 4.70 MAX E K Low Leakage Current. B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D : ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V D 0.45 E 1.00 Low Saturation Voltage F 1.27 G 0.85 : VCE(sat)=-0.5V(
1.22. 2n5401.pdf Size:204K _lge
2N5401(PNP) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony Low current(max. 600mA) High voltage(max.160v) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Dimensions in inches and (millimeters) VCBO Collector-Base Voltage -160 V VCEO
1.23. 2n5401.pdf Size:680K _wietron
2N5401 PNP Transistors TO-92 1 1. EMITTER 2 3 2. BASE 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol 2N5401 Unit Collector-Emitter Voltage V CEO -150 Vdc Collector-Base Voltage VCBO -160 Vdc Emitter-Base VOltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current IC 600 mAdc Total Device Dissipation T =25 C PD W 0.
625 A Junction Temperature T 150 j C Storage, Temperature Tstg
1.24. h3n5401.pdf Size:52K _hsmc
Spec. No. : HE6203 HI-SINCERITY Issued Date : 1992.09.22 Revised Date : 2005.01.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 h3N5401 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The h3N5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. TO-92 Features • Complements to NPN Type h3N5551 • High Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO=150V (@IC=1mA)) Ab
1.25. 2n5401.pdf Size:307K _can-sheng
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) 2N5401 TRANSISTOR (PNP) FEATURE FEATURE FEATURE FEATURE TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 � Switching and amplification in high voltage � Switching and amplification in high voltage � Switching and amplification in high voltage � Switching and amplification in high voltage � Applications su
1.26. 2n5401.pdf Size:170K _first_silicon
SEMICONDUCTOR 2N5401 TECHNICAL DATA 2N5401 TRANSISTOR (PNP) B C FEATURE Switching and Amplification in High Voltage Applications such as Telephony DIM MILLIMETERS Low Current(Max.
600mA) A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G High Voltage(Max.160v) C 3.70 MAX D D 0.55 MAX E 1.00 F 1.27 G 0.85 H 0.45 _ MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) H J 14.00 0.50 + L 2
1.27. 2n5401s.pdf Size:225K _first_silicon
SEMICONDUCTOR 2N5401S TECHNICAL DATA High Voltage Transistor FEATURE 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 2 1 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping SOT–23 2N5401S 2L 3000/Tape&Reel MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage V – 150 Vdc CEO 3 COLLECTOR Collector–Base Voltage V CB
1.28. 2n5401.pdf Size:301K _shenzhen-tuofeng-semi
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N5401 TRANSISTOR (PNP) TO-92 FEATURE Switching and amplification in high voltage 1.EMITTER Applications such as telephony 2.BASE Low current(max. 600mA) High voltage(max.160v) 3.COLLECTOR 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value
характеристики, аналоги, datasheet и цоколевка
Согласно своим техническим характеристикам, 2N5401 является биполярным транзистором, изготовленным из кремния по эпитаксиально планарной технологии.
Структура данного устройства p-n-p. Обычно его используют в усилителях и коммутирующих системах. Он идеально подходит для схем с низким уровнем шума.
Цоколевка
Чаще всего выпускается в пластмассовом корпусе ТО-92 с гибкими ножками. Вес такого изделия не превышает 0,3 г. Данный транзистор также изготавливается в SMD упаковке: SOT-89 и SOT-23. Расположение ножек (цоколевка 2n5401) для каждого типа устройства приведены на рисунке.
Технические характеристики 2n5401
Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С. Вот они:
- напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = -160 В;
- напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = -150 В;
- напряжение Э – Б Uэб max (VЕBO) = -5 В;
- ток через коллектор Iк max (IC) = 600 мА;
- максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
- для корпуса ТО-92 Pк max (PD) = 0,625 Вт;
- для корпуса SOT-89 Pк max (PD) = 0,5 Вт
- для корпуса SOT-23 Pк max (PD) = 0,35 Вт.
- максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) Pк max (PD) = 1,5 Вт;
- температура рабочая и хранения Tstg = -50 … +150°С;
- предельная температура кристалла Тj = 150°С.
Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора. При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C) | |||||
| Параметры | Обозн. | Условия измерения | min | max | Ед. изм |
| Напряжение пробоя К –Э | Uкэ(проб. ) | IК=-1,0мA, IБ=0 | -150 | В | |
| Напряжение пробоя К – Б | Uкб(проб.) | IК=-100мкA, IЭ=0 | -160 | В | |
| Напряжение пробоя Э – Б | Uэб(проб.) | IЭ=-10мкA, IК=0 | -5 | В | |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | Uкб=-120В, IЭ=0 | -50 | нА | |
| Uкб=-120В, IЭ=0, ТА=100°С | -50 | мкА | |||
| Обратный ток эмиттера | Iэбо | Uэб= — 3 В, IК=0 | -50 | нА | |
| Статический к-т передачи тока | h21э | IК=-1 мA, Uкэ=-5В | 50 | 240 | |
| IК=-10мA, Uкэ=-5В | 60 | ||||
| IК=-50мA, Uкэ=-5В | 50 | ||||
| Напряжение насыщения К — Э | Uкэ(нас. ) | IК=-10мA, IБ=-1мA | -0,2 | В | |
| IК=-50мA, IБ=-5мA | -0,5 | ||||
| Напряжение насыщения Б — Э | Uбэ(нас.) | IК=-10мA, IБ=-1мA | -1 | В | |
| IК=-50мA, IБ=-5мA | -1 | ||||
| Граничная частота к-та передачи тока | fгр | Uкэ=-10B,IК=-10мA | 100 | 300 | МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода | Cк | Uкб = -10В, IЭ = 0, f= 1мГц | 6 | пФ | |
| К-т шума | Кш | IК=-250мкA, Uкэ=-5В, RS =1.0 кОм, f =10 Гц … 15.7 кГц | 8 | дБ | |
Аналоги
Среди зарубежных компонентов для замены можно использовать: 2N5400, MPSA92, MPSA93, MMBT5401.
Имеются также и российские аналоги 2n5401 — транзисторы похожие по характеристикам на рассматриваемый, это: КТ6116А и КТ698К. Компланарную пару для него, как написано в технической документации, может составить устройство 2N5551.
Производители
Транзистор 2N5401 (datasheet можно скачать нажав на название) является достаточно популярным, и поэтому его производством занимаются многие зарубежные фирмы, перечислим основные из них:
- Diotec Semiconductor;
- Inchange Semiconductor Company Limited;
- ON Semiconductor;
- Samsung semiconductor;
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- Fairchild Semiconductor;
- UNISONIC TECHNOLOGIES;
- Micro Electronics;
- Micro Commercial Components.
В отечественных магазинах чаще всего встречается продукция выпущенная на заводах следующих компаний: Diotec Semiconductor, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Micro Commercial Components, UNISONIC TECHNOLOGIES.
PNP
Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
Транзистор
2N5401: распиновка, характеристики, применение [Видео]
Это устройство имеет термозащиту и ограничение по току, что делает его очень прочным. В большинстве приложений внешние компоненты не требуются. Кроме того, 2N5401 также подходит для регулирования напряжения карты или других приложений, требующих регулирования напряжения среднего тока отрицательного напряжения ,
Здесь наш блог предоставляет вам базовый обзор 2N5401 Транзистор , включая описание контактов, функции, приложения, аналогичные продукты и т. д., чтобы помочь вам быстро понять, что такое 2N5401 .
Мы будем рады узнать, что этот блог может быть полезен для любителей электронных компонентов 😉
Хотите узнать больше о транзисторах серии 2N? — 3 лучших транзистора серии 2N
Каталог
2N5401 Распиновка транзистора |
2N5401 Особенности транзистора |
2N5401 Транзисторные сходства |
2N5401 Transistor. |
2N5401 Транзисторные приложения |
2N5401 Транзисторный пакет |
.0002 FAQ |
2N5401 Transistor Pinout
2N5401 имеет три Contry , которые такие же, как и любой другой транзистор, а также Collection и .
Номер контакта. | Имя контакта | Функция |
| 1 | Излучатель | Ток проходит через этот контакт к устройству |
| 2 | База | База используется для включения и выключения транзистора |
| 3 | Коллектор | Ток выходит из этого вывода |
Особенности транзистора 2N5401
- Доступен в бессвинцовой упаковке
- Высокий коллектор Напряжение пробоя
- С коэффициентом усиления постоянного тока (hFE) до 100
- Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером: 150 В
- Максимально допустимый ток через коллектор : 600 мА
- Максимальное напряжение между коллектором и базой: 160 В
- Максимальное напряжение между базой и эмиттером: 5 В
- Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C
- Максимальная рассеиваемая мощность: 0,62 Вт
2N5401 Сходства транзисторов
MPSA93, BF723, 2N5096, 2N5551 (NPN), MPSA92
2N5401 Обзор транзистора
2N5401 специально разработан для использования в приложениях с высоким напряжением (т.
низкий). Эти типы цепей можно увидеть в телефонной системе. Его также можно использовать, если требуется простое коммутационное устройство для высоковольтных нагрузок . Компонент также дешев и прост в работе.
Как использовать транзистор 2N5401?
2N5401 можно использовать как любой транзистор общего назначения PNP , но для понимания работы устройства рассмотрим простую схему применения, как показано ниже. В приведенной выше схеме мы используем 2N5401 в качестве простого переключающего устройства, а переключающая нагрузка представляет собой небольшой двигатель постоянного тока . Кнопка здесь предназначена для запуска транзистора, а избыточный резистор 10 кОм предназначен для ограничения тока на базу и предотвращения нарушения максимально допустимого напряжения на базе. Схема питается от отрицательного источника постоянного напряжения 5 В, как показано на схеме.
Перед началом работы повторим типовые характеристики транзистора PNP :
- Устройство не работает, когда ток не вытекает из базы транзистора или устройство работает только при токе базы, потоки из устройства достигают порога.
- Ток, протекающий через коллектор, определяется базовым током в определенной точке. Таким образом, чем выше ток затвора, тем ниже сопротивление проводимости и выше ток коллектора.
- Транзистор PNP работает только тогда, когда пороговый ток выходит из базы, поэтому в тот момент, когда ток базы достигает нуля, устройство прекращает работу
Учтите, что кнопка не нажата: если кнопка не нажата, тока базы не будет и транзистор не будет работать на основе характеристик транзистора PNP . Если транзистор не проводит все напряжение, оно появится и двигатель будет выключен.
Рассмотрим нажатую кнопку: при нажатии кнопки база 2N5401 будет подключена к отрицательному источнику питания и будет путь для протекания тока.
Когда из устройства выйдет базовый ток, оно начнет работать, как указано в характеристиках. При наличии этого тока коллектора на двигателе, подключенном последовательно к контакту коллектора, появляется напряжение. При наличии напряжения двигатель начнет вращаться и будет оставаться таким же, пока кнопка не будет отпущена. Как только кнопка будет отпущена, ток базы достигнет нуля, отключив транзистор и двигатель.
Таким образом, мы можем включать и выключать двигатель, используя простую кнопку в качестве триггера и 2N5401 в качестве переключающего устройства. При переключении высокой скорости курок обеспечивается микроконтроллером вместо кнопки.
2N5401 Транзисторные приложения
- Общее назначение коммутации и усиления
- Телефонные приложения
- Высоковольтное приложение
2N5401 Блок транзисторов
Вот и все, что нужно знать о 2N5401 . Если вы считаете этот блог полезным, добавьте наш веб-сайт в закладки Apogeeweb, мы предоставим вам блоги по электронным компонентам, отраслевые новости, инструменты и т.
д., которые вас интересуют. Следите за обновлениями нашего следующего блога…
Техническое описание компонентов
2N5401 Техническое описание
Часто задаваемые вопросы
- Что такое 2N5401?
PNP-транзистор
- Для чего подходит 2N5401?
Плата регулирования напряжения
- Что можно использовать 2N5401, если вы хотите использовать высоковольтные нагрузки?
Простое коммутационное устройство
- Какова коммутационная нагрузка 2N5401?
Двигатель постоянного тока
2n5401 Спецификация: Многоцелевой транзистор для высоковольтных приложений
Транзистор NPN подходит для коммутации низкого напряжения. Однако использование его для приложений высокого напряжения требует дополнительных настроек, таких как драйверы, для поддержания минимального потенциала база-эмиттер (0,7 В) для переключения.
Кроме того, используемые методы сложны и затратны. Вместо этого для простоты схемы используется PNP-транзистор.
В отличие от NPN-транзистора, легче поддерживать низкий потенциал базы, чем эмиттер в PNP-конфигурации для включения устройства. В связи с этим 2N5401 представляет собой переключающий транзистор с высоким напряжением и малым током, который также используется в телефонии. Таким образом, понимание таблицы данных 2N5401 и ее приложений может помочь вам быстро познакомиться с некоторыми конкретными приложениями высокого напряжения.
Как использовать высоковольтные транзисторы 2N5401?
Транзистор 2N5401 PNP полезен для коммутации высокого напряжения и малой мощности и приложений усиления. Наилучшим примером являются телефонные системы с низким потреблением тока (макс. 300 мА) и рабочим напряжением 150 В или ниже. Поскольку ток коллектора составляет 600 мА, он может легко управлять реле, светодиодами и другими транзисторами в цепи. Кроме того, его также можно использовать в усилителях мощности звука.
Комплементарная пара NPN для PNP-транзистора 2N5401 — 2N5551. Дополнительная пара транзисторов «NPN» и «PNP» помогает разрабатывать усилители мощности. Усилители мощности, такие как усилители класса B, помогают пропускать ток через нагрузку (например, двигатели) в обоих направлениях, чтобы облегчить операции в прямом или обратном направлении. Кроме того, транзистор дешев и доступен.
Анализ технических данных 2N5401
Выводы 2N5401
Когда вы смотрите на плоский край транзистора, крайний правый вывод представляет коллектор, средний — базу, а крайний левый вывод — эмиттер, как показано ниже.
| Штифт | Имя | Функция |
| 1 | Излучатель | Текущий входящий контакт |
| 2 | База | Запускает транзистор ВКЛ/ВЫКЛ |
| 3 | Коллектор | Текущий исходящий пин |
Технические характеристики
| Наименование | Описание |
Макс. VCE | 150 В |
| Макс. ИС | 600 мА |
| Максимальное значение ВКБ | 160 В |
| Макс. ВБЭ | 5 В |
| Диапазон рабочих температур | от -55°C до +150°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ПК | 0,62 Вт |
Как работает транзистор 2N5401?
Не забываем, что это PNP-транзистор. Поскольку база легирована N, а эмиттер легирована P, на базе поддерживается отрицательный потенциал относительно эмиттера, чтобы включить транзистор. Кроме того, напряжение питания эмиттера остается положительным как относительно коллектора, так и базы. Наконец, ограничивающий резистор, подключенный к базе, помогает ограничить ток базы до его максимального значения.
Если вы посмотрите на его общее коммутационное приложение, показанное ниже, он получает ток через эмиттер. Таким образом, он подключается к плюсовой клемме аккумулятора.
База подключается к минусовой клемме аккумулятора. В этой конфигурации транзистор активируется (включается).
На рисунке А показано, как PNP-транзистор 2N5401 управляет стандартной нагрузкой 24 В. Диаграмма B дает более яркое представление о явлениях переключения.
Реле на базе может действовать как переключатель для управления нагрузкой. Когда база имеет достаточный отрицательный потенциал, такой как VBE больше 5 вольт, реле срабатывает и замыкает переключатель. Ток течет от эмиттера и от базы к коллектору, как если бы и коллектор, и эмиттер шунтировались вместе. Ток коллектора усиливается и течет через нагрузку. Усиление может быть от минимум 50 раз до максимум 240 раз входного тока.
Однако обязательно нужно отметить, что когда транзистор неактивен, он не поворачивает его в 0 вольт; он плавает. Чтобы довести его до 0 вольт, необходимо использовать NPN-транзистор (сток) попарно. Основное различие между транзисторами PNP и NPN заключается в том, что полярность напряжения и направления тока противоположны.
2N5401 Комплектация
2N5401 поставляется в пластиковом корпусе SOT54 (TO-92). Компактный размер занимает меньше места на доске. Однако отсутствие радиатора в конструкции делает их непригодными для сильноточных приложений. Компоновка и размеры упаковки показаны ниже в таблице данных 2n5401.
2N5401 Альтернативы
Поскольку мы говорим о высоковольтных, слаботочных транзисторах PNP, вот несколько идеальных альтернатив транзисторам 2N5401. Все они имеют практически такие же технические характеристики, как и транзистор 2N5401, за некоторыми исключениями.
- MPSA93
- БФ723
- 2N5096
- МПСА92
Использование 2N5401 для любого слаботочного высоковольтного приложения требует глубокого понимания таблицы данных 2N5401, посадочных мест, примечаний по применению и моделей ECAD/MCAD. Ultra Librarian может помочь вам получить доступ ко всей этой информации в одном месте.
Вы также можете быстро получать статус доступности вашего любимого компонента в режиме реального времени от разных поставщиков, чтобы избежать узких мест в цепочке поставок.
Работа с Ultra Librarian настроит вашу команду на успех, обеспечив оптимизированное и безошибочное проектирование, производство и поиск поставщиков. Зарегистрируйтесь сегодня бесплатно .
транзистор%20эквивалент%20книга%202n5401 техническое описание и примечания по применению
Лучшие результаты (6)
org/Product»>
org/Product»>
э.859
КДС135С
2N2906E
до н.э.860
KAC3301QN
КДС160
2Н3904
BCV71
KDB2151E
хб*9Д5Н20П
хб9д0н90н
6В стабилитрон
хб*2Д0Н60П
транзистор
КХБ7Д0Н65Ф
Транзистор BC557
киа*278R33PI
КХБ9Схема Д0Н90Н
транзистор ктд998
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
ЭЛТ ТВ электронная пушка
Обратный трансформатор для телевизора
org/Product»>
э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
транзистор 649ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
org/Product»>
org/Product»>
