Транзистор 8550 характеристики. Транзистор S8550: характеристики, аналоги и применение

alexxlabРазное
Какие основные параметры транзистора S8550. Для чего он используется. Какие есть отечественные и зарубежные аналоги S8550. Как правильно подобрать замену.

Содержание

Основные характеристики транзистора S8550

S8550 — это биполярный PNP-транзистор общего назначения, широко применяемый в различных электронных схемах. Он обладает следующими ключевыми параметрами:

  • Структура: PNP
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 25 В
  • Максимальный ток коллектора: 1,5 А
  • Коэффициент усиления по току: 85-300
  • Граничная частота: 100 МГц
  • Корпус: TO-92 или SOT-23

Транзистор S8550 часто используется в паре с комплементарным NPN-транзистором S8050 для построения двухтактных усилителей класса B. Благодаря высокому коэффициенту усиления и хорошим частотным свойствам, он подходит для применения в аудиотехнике, источниках питания и других аналоговых схемах.

Области применения транзистора S8550

Основные сферы использования транзистора S8550 включают:

  • Выходные каскады аудиоусилителей
  • Драйверы светодиодов
  • Импульсные источники питания
  • Переключающие схемы
  • Схемы управления электродвигателями
  • Различные аналоговые и цифровые устройства

Универсальность и доступность делают S8550 популярным выбором как для промышленных изделий, так и для любительских проектов. При этом важно учитывать предельные параметры транзистора и не превышать максимально допустимые значения тока и напряжения.


Отечественные аналоги транзистора S8550

Среди советских и российских транзисторов есть несколько моделей со схожими характеристиками, которые можно использовать в качестве замены S8550:

  • КТ3107 — универсальный PNP-транзистор
  • КТ315 — низкочастотный PNP-транзистор
  • КТ361 — высокочастотный PNP-транзистор
  • КТ814 — мощный PNP-транзистор

При выборе отечественного аналога следует внимательно сравнивать ключевые параметры, такие как максимальное напряжение, ток и коэффициент усиления. В некоторых случаях может потребоваться незначительная корректировка схемы для оптимальной работы с альтернативным транзистором.

Зарубежные аналоги S8550

На международном рынке существует большое количество транзисторов, близких по характеристикам к S8550. Наиболее распространенные зарубежные аналоги:

  • BC557 — европейский эквивалент S8550
  • 2N3906 — американский аналог общего назначения
  • MMBT3906 — аналог в корпусе SOT-23
  • BC327 — альтернатива для низкочастотных применений
  • 2SA1015 — японский аналог с высоким коэффициентом усиления

При выборе зарубежного аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и физические размеры корпуса, чтобы обеспечить совместимость с печатной платой.


Как правильно подобрать замену для S8550?

При поиске альтернативы транзистору S8550 следует обратить внимание на следующие ключевые параметры:

  1. Тип проводимости (PNP)
  2. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (не менее 25 В)
  3. Максимальный ток коллектора (не менее 1,5 А)
  4. Коэффициент усиления по току (желательно в диапазоне 85-300)
  5. Граничная частота (не менее 100 МГц для высокочастотных применений)
  6. Тип корпуса (TO-92 или SOT-23 для поверхностного монтажа)

Важно помнить, что прямая замена не всегда возможна, и в некоторых случаях может потребоваться адаптация схемы под новый транзистор. При выборе аналога рекомендуется изучить даташиты обоих транзисторов и сравнить их характеристики в требуемых режимах работы.

Особенности использования S8550 в аудиотехнике

Транзистор S8550 часто применяется в схемах аудиоусилителей благодаря своим хорошим характеристикам. При использовании S8550 в аудиотехнике следует учитывать несколько важных моментов:

  • Низкий уровень шума при правильном включении
  • Хорошая линейность в области средних токов
  • Необходимость термостабилизации в мощных каскадах
  • Возможность работы в комплементарных парах с S8050

Для достижения наилучших результатов рекомендуется использовать S8550 в схемах с общим эмиттером и отрицательной обратной связью. Это позволяет минимизировать искажения и улучшить температурную стабильность усилителя.


Сравнение S8550 с современными альтернативами

Хотя S8550 остается популярным выбором для многих применений, современная электроника предлагает ряд альтернативных решений:

  • MOSFET-транзисторы: обладают меньшим энергопотреблением и более высокой скоростью переключения
  • IGBT: эффективны для работы с большими токами и напряжениями
  • Специализированные микросхемы: интегрируют несколько транзисторов и дополнительные функции

Выбор между классическим биполярным транзистором типа S8550 и современными альтернативами зависит от конкретных требований проекта, включая стоимость, сложность схемы и требуемые характеристики.

Рекомендации по монтажу и эксплуатации S8550

Для обеспечения надежной работы транзистора S8550 в электронных устройствах следует соблюдать следующие рекомендации:

  1. Использовать антистатические меры предосторожности при монтаже
  2. Не превышать максимально допустимую температуру корпуса (150°C)
  3. Обеспечить достаточный теплоотвод при работе с большими токами
  4. Проверять правильность распиновки перед пайкой
  5. Использовать соответствующие режимы пайки для предотвращения перегрева

Соблюдение этих правил поможет избежать повреждения транзистора и обеспечит его долговременную и стабильную работу в составе электронного устройства.



S8550 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор S8550 как говорят его характеристики является p-n-p структуры. Это означает что коллектор и эмиттер останутся открытыми (смещенными в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещенными в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал.

Распиновка

Цоколевка S8550 корпуса To-92 выглядит следующим образом:

  1. Эмиттер — ток вытекает через излучатель, нормально подключенный к земле;
  2. База — управляет смещением транзистора, используется для его включения или выключения;
  3. Коллектор — ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке.

Основные характеристики

  • Низкое напряжение, большой ток;
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА;
  • Напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) составляет -25 В;
  • Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет -40В;
  • Напряжение базы эмиттера (VBE0)  -5В;
  • Текущее усиление (hFE) от 85 до 300
  • Обычно используется в качестве двухтактных транзисторов класса B;
  • Корпус To-92.

Комплементарной парой для него является S8050.

Использование в двухтактной конфигурации

Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука  динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

2D модель корпуса

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.

Аналоги

Отечественный аналог транзистора S8550 найти не удалось, но чем заменить из зарубежных достаточно много:

  • S8050;
  • BC527;
  • KSA708;
  • MPS750;
  • BC557;
  • 2N3906;
  • A1015;
  • 2SA1943;
  • BD140.

DataSheet

Полные технические данные про s8550 подробно можно найти в его DataSheet.

C8550 транзистор (8550 PNP 000A80 0035V TO-92 KTC8550 KEC)

  1. Продукция
  2. Транзистори
  3. 2SC… KSC…

Производитель: KEC

Код товара: Т0000009981

Маркировка: C8550

Количество приборов:

Параметры
НаименованиеЗначениеЕдиница измеренияРежим изменения
ПроводимостьPNP
Функциональное назначение выводов1=E 2=B 3=С
Напряжение коллектор-эмиттер-30Vdc@25*C@Ic=100mA@Ib=0
Напряжение коллектор-база-35Vdc@25*C
Напряжение эмиттер-база-5Vdc@25*C
Ток коллектора max-800mA@25*C(peak)
Обратный ток коллектора-50nA@Vcb=-15V@Ie=0
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ100…300@Iс=-50mA@Vce=-1V
Граничная частота120MHz@Ic=20mA@Vce=6V
Мощность рассеивания625mW@25*C
Температура рабочая-55…+150*C

Транзистор SS8550D, PNP, 40V, 1.5A, корпус TO-92

Описание товара Транзистор SS8550D, PNP, 40V, 1.5A, корпус TO-92

Транзистор SS8550D, PNP, 40V, 1.5A, корпус TO-92 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: PNP
  • Рабочее напряжение: 40V
  • Рабочий ток: 1.5A
  • Тип корпуса: TO-92

Особенности транзисторов SS8550D, PNP, 40V, 1.5A, корпус TO-92
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

  • В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
  • Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.
  • Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
  • Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
  • В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.

Характерные особенности
  • Высокий коллекторный ток: IC до 1,5 А.
  • Высокая рассеиваемая мощность: PC до 2 Вт при TC = 25°C.
  • Комплементарная пара: транзистор S8550.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO25
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO6
Ток коллектора, АIC1,5
Рассеиваемая мощность, ВтPC1
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°Tstg-65…+150

Электрические параметры (при T

a = 25°C)
ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 35 В В, IE = 0≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкАIEBOUEB = 6 В, IC = 0≤ 0,1
Напряжение пробоя коллектор-база, ВUCBOIC = 100 мкА, IE = 0≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВUCEOIC = 2 мА, IB = 0≥ 25
Напряжение пробоя база-эмиттер, ВUEBOIE = 100 мкА, IC = 0≥ 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, ВUCE(sat)IC = 0,8 А, IB = 0,08 А≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, ВUBE(sat)IC = 0,8 А, IB = 0,08 А≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) UCE = 1 В, IC = 0,005 мА135
hFE (2)UCE = 1 В, IC = 0,1 мА160
hFE (3)UCE = 1 В, IC = 0,8 мА110
Частота среза, МГцfT UCE = 10 В, IC = 0,05 мА190
Выходная емкость, pFCob UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц9

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.

КлассификацияBCD
hFE (2)85…160120…200160…300

Модификации и маркировка транзистора S8050

МодельPCUCBUCEUBEICTJfT CobhFEКорпус Маркировка
S8050A0,625402560,8150100985TO-92—
GS8050T0,625402560,8150100945TO-92—
GSTSS80501402551,5150100—85TO-92—
MPS80500,625402561,5150190985TO-92—
S8050A/B/C/D/G0,625402560,8/0,5150100/150985…300TO-92—
S8050T0,625402560,5150150—85TO-92—
SPS80500,62515126,51,51502605200TO-92—
SS8050/C/D/G1402551,5150100—85…400TO-92—
SS8050T1402551,5150100—85TO-92—
STS80500,625302560,81501201985TO-92—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L0,2402551,515010015120…400SOT-323Y1
S8050W0,25402560,8150100985SOT-323Y1
SS8050W0,2402551,5150100—120SOT-323Y1
GSTSS8050LT10,225402551,5150100—100SOT-231HA
MMSS8050-L/H0,3402550,5150150—120…350SOT-23Y1
MPS8050S0,35402561,5150190—85SOT-23—
MPS8050SC0,35402551,2150150—85…300SOT-23—
MS8050-H/L0,2402560,8150150—80…300SOT-23Y11
S80500,3402550,5150150—120SOT-23—
S8050M-/B/C/D0,45402560,8150100985…300SOT-23 HY3B/C/D
SS8050LT10,225402551,5150150—120SOT-23KEY
KST8050D0,25505061,2150100—100…320SOT-23Y1C, Y1D
KST8050M0,3402560,8150150—40…400SOT-23Y11
KST8050X0,3402051,51501002040…350SOT-23Y1+
KST90130,3402550,5150150—200…400SOT-23J3
KST9013C0,3402550,5150150—40…200SOT-23J3Y
S8050LT10,3402550,5150150—120SOT-23J3Y
MMS8050-L/H0,3402550,5150150—50…350SOT-23J3Y
DMBT80500,3402550,8150100—120SOT-23J3Y
KST8050S0,3402550,5150150—50…400SOT-23J3Y
KTD1304S0,22520120,3150501020…800SOT-23J3Y
KTD13040,22520120,315060—20…1000SOT-23J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

МодельPC Ta = 25°CUCBUCEUBEICTJfTCobhFEКорпус
S8050A0,625402560,8150100985TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г1402560,11501001,745…630TO-92
КТ6114 А/Б/В0,45504550,11501503,560…1000TO-92
КТ968 В430020050,1150902,835…220TO-39

Зарубежное производство

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCobhFEКорпус
S8050A0,625402560,8150100985TO-92
3DG8050A0,625402560,8150100985TO-92
BC517S0,6254030101150200—33000TO-92
BTN8050A30,625402561,51501006160TO-92
BTN8050BA30,625402561,5150100—160TO-92
CX908B/C/D0,625402561150100—120…260TO-92
KTC32030,625—30—0,8150190—100TO-92
KTC32110,625402561,5150190985TO-92
KTS80500,625—25—0,8175——100TO-92
M8050-C/D0,62540256—150150—120…160TO-92
S80500,34092550,5150150—120SOT-23
8050HQLT10,3402551,5150——150SOT-23
8050QLT10,3402550,8150——150SOT-23
8050SLT10,3402550,5150150—120SOT-23
CHT9013GP0,3452550,5150150—120SOT-23
F8050HPLG0,3402550,5150150—120SOT-23
KTC9013SC0,35403050,5150150—200SOT-23
MMBT8050D0,3402550,5150150—200SOT-23
MMS9013-H/L0,3402550,5150150—200SOT-23
NSS40201L0,544025—4150150—120SOT-23
NSS40201LT1G0,54404062—150—200SOT-23
NSV40201LT1G0,54404062150150—200SOT-23
PBSS4140T0,3404051150150—300SOT-23
S90130,3402550,8150150—120SOT-23
ZXTN2040F0,35—40—1—150—300SOT-23
ZXTN25040DFL0,35—40—1,5—190—300SOT-23
ZXTN649F0,5—25—3———200SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора IC) от входного напряжения (управления) база-эмиттер UBE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер UCE = 1 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 10.

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора fT при возрастании коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В.

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) Cob от приложенного напряжения коллектор-база UCB при непроводящей коллекторной цепи IE = 0.

Частота процесса измерения составляет 1 МГц.

BC857C p-n-p транзистор 45В 100мА в SOT23

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов BC857 в корпусе SОT23.

Технические характеристики транзистора BC857C

  • Структура……………………………………………………………………………………биполярная, p-n-p
  • Напряжение коллектор эмиттер, макс………………………………………………..45В
  • Напряжение коллектор база……………………………………………………………50В
  • Напряжение эмиттер база……………………………………………………………….6 В
  • Ток коллектора, max……………………………………………………………………..100
  • Статический коэффициент передачи тока, в схеме с общим эмиттером……..420….800*
  • Рассеиваемая мощность…………………………………………………………………330 мВт
  • Граничная частота, не хуже……………………………………………………………100 МГц
  • Температура рабочая, макс…………………………………………………………….+150°С
  • Температура рабочая, мин……………………………………………………………..-55°С
  • Корпус………………………………………………………………………………………SOT23

*Со склада поставляются транзисторы с меньшим статистическим коэффициентом передачи тока BC857B. Биполярный n-p-n транзистор BC857B обеспечивает коэффициент передачи тока в диапазоне 200 … 475.

Транзистор BC857С имеет пластмассовый SMD корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Маркировка и цоколевка транзистора BC857C

Технические характеристики и маркировка транзистора BC857C

Транзисторы в SMD корпусах SOT23, SOT323, SOT89, TO252

Комплементарной парой к p-n-p транзистору BC857C является n-p-n транзистор BC847C. В меньших SMD корпусах поставляются транзисторы с таким же кристаллом, но упакованным в корпус SOT323. Эти миниатюрные транзисторы имеют обозначение BC857CW и BC847CW.

В корпусе SOT23 выпускаются биполярные транзисторы средней мощности на ток до 500мА BC807-40 и n-p-n транзистор BC817-40. Для цепей с напряжение до 300В поставляются транзисторы KST42, MMBTA42LT1, MMBTA92LT1.

В корпусе SOT89 рассеивающим большую мощность поставляются низкочастотные биполярные транзисторы: SS8550 (HEB8550 Unisonic) и SS8050 (HEB8050 Unisonic). Транзисторы допускают ток коллектора 1,5А при напряжении коллектор — эмиттер 25В

Ток в несколько Ампер позволяют коммутировать современные MOSFET транзисторы на полевом эффекте: IRLML2502TRPBF, IRLML5203TRPBF, IRLML6401TRPBF упакованы в корпус SOT23. Транзистор, позволяющий коммутировать ток свыше 30 А, IRFR5305TRPBF выполнен в корпусе TO 252. В самом маленьком корпусе SOT323 упакован транзистор BSP138PS с максимальным рабочим напряжением 60 В и максимальным током сток исток 320мA.

Что такое транзистор 8050?

Транзистор 8050 представляет собой эпитаксиальный кремниевый транзистор с отрицательным положительным и отрицательным (NPN) усилителем, который используется в качестве двухтактного усилителя класса B в портативных радиоприемниках. Этот транзистор обычно используется вместе с его PNP-комплиментом, 8550, в двухтактных схемах усилителей. Номинальные характеристики транзистора 8050 и транзистора 8550 идентичны. Разница в их полярности.

Базовый транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, которое создается путем размещения слоя полупроводникового материала между двумя слоями материала с противоположной полярностью. Транзистор NPN имеет слой положительного материала, лежащий между двумя слоями отрицательного материала. Положительно-отрицательно-положительный (PNP) транзистор имеет отрицательный слой между двумя положительными слоями, известный как транзистор PNP.

Каждый из слоев в транзисторе имеет присоединенный провод. Получающиеся терминалы известны как эмиттер, основание и коллектор. Основа — это всегда средний слой.

Транзистор в основном электронный переключатель. Напряжение питания и нагрузка подключаются через клеммы коллектора и эмиттера. При отсутствии напряжения на клемме базы транзистор выключен. Когда на базовую клемму подается напряжение правильной амплитуды и полярности, транзистор включается, позволяя протекать значительно большему току между клеммами эмиттера и коллектора.

Напряжение, необходимое для управления состоянием включения / выключения транзистора, мало. Следовательно, транзистор можно использовать в качестве усилителя. Схема база-эмиттер контролирует ток, протекающий через схему эмиттер-коллектор.

Кремниевый транзистор обычно включается, когда базовое напряжение на 0,65 В выше, чем у эмиттера. Цепь эмиттер-база обычно настроена на обеспечение заданного напряжения, близкого к точке запуска. Это известно как уклон. В то время как транзистор проводит, выход следует схеме входа.

Транзисторы могут быть настроены для усиления всей формы входного сигнала, если напряжение всего сигнала выше точки срабатывания транзистора. Это означает, что транзистор будет проводить, даже если вход не применяется. Это создает очень шумный выход. Чтобы предотвратить чрезмерный шум и более эффективную схему, были созданы двухтактные усилители.

Двухтактный усилитель использует два транзистора противоположной полярности. Когда форма входной волны находится в положительной половине цикла, NPN-транзистор будет проводить, а PNP-транзистор отключится. Если входной сигнал отклоняется, транзистор PNP будет работать, а транзистор NPN отключится. Два выхода объединены для получения полного усиленного сигнала.

Транзистор 8050 и его эквивалент 8550 были разработаны для использования в качестве дополнительной пары транзисторов в применениях двухтактных усилителей малой мощности. Лист спецификации для транзистора 8050 и транзистора 8550 можно найти, выполнив поиск по номеру детали в Интернете. В общем, транзистор 8050 представляет собой 2-ваттный усилитель с максимальным током коллектор-эмиттер 1,5 А и максимальным напряжением коллектор-эмиттер 25 вольт.

ДРУГИЕ ЯЗЫКИ

2Ty транзистор чем заменить

Высказывания:
Не беспокойся о том, что люди тебя не знают, но беспокойся о том, что ты не знаешь людей. /Конфуций/

Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 8550.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 8550 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 8550
транзистором КТ630Г;
транзистором SS8550;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-08-05 10:30:20

дата записи: 2016-09-17 09:31:45

дата записи: 2016-11-11 23:40:45

Добавить аналог транзистора 8550.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 8550? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам , решил создать таблицу аналогов . Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

ИМПОРТНЫЙ – ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ

1561-1008 2Т874А
1561-1015 2Т874Б
2005A 2Т942Б
2023-1,5 2Т9155Б
2023-1,5T КТ9153А
2023-3 2Т9155А
2023-6 2Т9146А, 2Т9158Б
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2307(A) 2Т9103А
46120 2Т962Б
222430 2Т9158А
27AM05 КТ9170А
2L08 2Т937А
2L15A 2Т937Б
2L15B КТ937Б
2N656 КТ6111А, Б
2N657 КТ6111В, Г
2N709 КТ397А
2N735A 2Т3130Г
2N739 КТ117БМ
2N844 КТ117ГМ, 2Т3130Д
2N1051 КТ6110В, Г, Д
2N1573 КТ117ВМ
2N1820 2Т862А
2N1923 КТ117АМ
2N2218 2Т649А, КТ928А
2N2218A КТ647А
2N2219 КТ928Б
2N2219A КТ928В
2N2221 КТ3117А
2N2222A КТ3117Б
2N2224 КТ638А
2N2369 КТ3142А
2N2459 2Т3130В
2N2463 2Т3130Б
2N2615 КТ3132Д
2N2616 КТ3132Е
2N2646 КТ132А
2N2647 КТ132Б
2N2712 КТ315А, Б
2N2784 КТ3101АМ
2N2906 КТ313А
2N2906A КТ313Б, 2Т3160А
2N3054 КТ723А
2N3055 КТ819ГМ
2N3114 КТ6117А
2N3397 КТ315Ж…Р
2N3584 2Т881Д
2N3712 КТ6117Б
2N3725 КТ635Б
2N3737 КТ659А
2N3839 КТ370А
2N3903 КТ645А
2N3904 КТ3117Б, КТ6137А
2N3905 КТ313А
2N3906 КТ313Б, КТ6136А
2N4123 КТ503А
2N4124 КТ503Б
2N4125 КТ502А
2N4126 КТ502Б
2N4128 КТ997В
2N4237 КТ719А
2N4238 КТ721А
2N4260 2Т3135А
2N4261 2Т3135Б
2N4400 КТ660А
2N4401 КТ660А
2N4402 КТ685А
2N4403 КТ685В
2N4411 КТ3127А
2N4440 КТ972В
2N4870 КТ133А
2N4871 КТ133Б
2N4913 КТ866Б
2N4914 КТ890А
2N4915 КТ890Б
2N4934 2Т939А
2N4976 КТ996А
2N5050 2Т892В
2N5086 КТ3107Б
2N5087 КТ3107К
2N5088 КТ3102Е
2N5089 КТ3102Е
2N5102 КТ921А, В
2N5177 2Т998А
2N5210 КТ3102Б
2N5240 КТ898А
2N5400 КТ698И, КТ6116Б
2N5401 КТ698К, КТ6116А
2N5550 КТ6127И, КТ6117Б
2N5551 КТ6127К, КТ6117А
2N5642 2Т945В, Г
2N5643 2Т949А
2N5651 КТ390Б
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2N5995 КТ972Г
2N5996 2Т945А, Б
2N6077 КТ898Б
2N6180 2Т877Г, КТ9180А, Б
2N6181 КТ9180В, Г
2N6428 КТ3117Б
2N6428A КТ3117Б
2N6515 КТ504Б
2N6516 КТ504В
2N6517 КТ504А
2N6518 КТ505Б
2N6519 КТ505А
2N6520 КТ505А
2N6679 КТ640Б
2N6701 КТ647А
2N7002LT1 КП214А9
2N7089 2П712Б
2SA555 КТ361А, Г, Д
2SA556 КТ361Ж, И
2SA715B КТ664А
2SA715C КТ664Б
2SA715D КТ6102А
2SA733 G КТ3107И
2SA733 L КТ3107И
2SA733 O КТ3107А
2SA733 R КТ3107А
2SA733 Y КТ3107Б
2SA738B КТ6116А, Б
2SA876H КТ313Г
2SA1009AM 2Т887А, Б
2SA1015 КТ502Е
2SA1090 КТ313В
2SA1175 КТ3107
2SA1584 2Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г
2SA1660 2Т3129Б, КТ3171А
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
2SA1815 КТ503Е
2SA2785 КТ3102
2SB596 КТ9176А
2SB834 КТ842В
2SB1220Q 2Т3129А
2SC40 КТ3101АМ
2SC64 КТ6110А, Б
2SC380 КТ315Г
2SC388 КТ315Г
2SC404 КТ359А
2SC495 КТ646А
2SC496 КТ646Б
2SC543-5 КП302А1-Г1
2SC601 КТ396А
2SC633 КТ315А, Б
2SC634 КТ315Д, Е
2SC641 КТ315Ж…Р
2SC651 2Т610А
2SC945G КТ3102Б
2SC945L КТ3102Б
2SC945O КТ3102А
2SC945R КТ3102А
2SC945Y КТ3102Б
2SC976 КТ996Б
2SC1173 КТ862Г
2SC1269 2Т642В
2SC1270 2Т642Г
2SC1334 КТ962А
2SC1365 КТ610А, Б
2SC1436 2Т862В
2SC1440 КТ945Б
2SC1443 КТ879Б
2SC1551 2Т682Б
2SC1552 2Т682В
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC1786 2Т862Б
2SC1815BL КТ3102Б
2SC1815GR КТ3102Б
2SC1815L КТ3102Б
2SC1815O КТ3102А
2SC1815Y КТ3102Б
2SC2027 КТ828Б
2SC2033 КТ934В, Д
2SC2093 2Т9102А, Б, 2Т9103Б
2SC2229 КТ940А
2SC2240BL КТ503Е
2SC2240GR КТ503Е
2SC2482 КТ940А
2SC2642 КТ934Б
2SC2688 КТ846
2SC2794 КТ866А
2SC3150K КТ8137А, КТ8144Б
2SC3271 КТ940А
2SC3272 КТ940А
2SC3306 КТ8144А
2SC3455L КТ878В
2SC3596F КТ9142А
2SC3994L КТ878А
2SC4055 КТ8146Б, КТ8150А
2SC4296 КТ858А
2SD401A КТ8146А, КТ8147Б
2SD405B 2Т9117Б
2SD675A КТ945В
2SD691 КТ945Г
2SD734 КТ660Б
2SD814 КТ3176А
2SD1220Q КТ3169А
2SD1279 КТ846Б
2SD1554 КТ838
2SD1761 КТ819
2SD1878 КТ838
2SK49 2П336А1, Б1
2SK444 2П340Б1
2SK508 2П340А1
2SK513 КП803Б
2SK653 3П345А2, Б2, КП364А…И
3SK132 КП403А
3SK162 КП333А
3SR137 КП333Б
A5916 КТ934А
A5918 КТ934Г
AD545 П216Б
A630 КТ946А
AD1202 П213Б
AD1203 П214Б
ADP665 ГТ403Б
ADP666 ГТ403Г
ADP670 П201АЭ
ADP671 П201АЭ
ADP672 П203Э
ADY27 ГТ703Б
AF106 ГТ328Б
AF106A ГТ328В
AF109 ГТ328А
AF139 ГТ346Б
AF178 ГТ309Б
AF200 ГТ328А
AF201 ГТ328А
AF202 ГТ328А
AF239 ГТ346А
AF239S ГТ346А
AF240 ГТ346Б
AF251 ГТ346А
AF252 ГТ346А
AF253 ГТ328А
AF256 ГТ348Б
AF260 П29А
AF261 П30
AF266 МП42Б, МП20А
AF271 ГТ322В
AF272 ГТ322В
AF275 ГТ322Б
AF279 ГТ330Ж
AF280 ГТ330И
AF426 ГТ322Б
AF427 ГТ322Б
AF428 ГТ322Б
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AFY11 ГТ313А
AFY12 ГТ328Б
AFY13 ГТ305В
AFY15 П30
AFY29 ГТ305Б
AFZ11 ГТ309Б
AL100 ГТ806В
AL102 ГТ806В
AL103 ГТ806Б
AM1416-200 2Т975А, Б
AM1416200 2Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б
ASX11 МП42Б
ASX12 МП42Б
ASY26 МП42А, МП20А
ASY31 МП42А
ASY33 МП42А, МП20А
ASY34 МП42А, МП20А
ASY35 МП42Б, МП20А
ASY70 МП42
ASY76 ГТ403Б
ASY76 ГТ403Г
ASY80 ГТ403Б
ASZ15 П217А, ГТ701А
ASZ16 П217А
ASZ17 П217А
ASZ18 П217В, ГТ701А
ASZ1015 П217В
ASZ1016 П217В
ASZ1017 П217В
ASZ1018 П217В
AT00510 2Т657А
AT00535 2Т657Б
AT00570 2Т657В
AT270 МП42Б, МП20А
AT275 МП42Б, МП20А
AT12570-5 КТ648А
AU103 ГТ810А
AU104 ГТ810А
AU107 ГТ810А
AU108 ГТ806Б
AU110 ГТ806Д
AU113 ГТ810А
AUY10 П608А, ГТ905А
AUY18 П214А
AUY19 П217
AUY20 П217
AUY21 П210Б
AUY21A П210Б
AUY22 П210Б
AUY22A П210Б
AUY28 П217
AUY35 ГТ806А
AUY38 ГТ806В
BAL004100 КТ970А
BC11 КТ638
BC12 КТ638
BC13 КТ638
BC14 КТ638
BC15 КТ638
BC16 КТ638
BC100 КТ605А
BC101 КТ301Е
BC107 КТ342А
BC107A КТ342А
BC107AP КТ3102А
BC107B КТ342Б
BC107BP КТ3102Б
BC108 КТ342
BC108A КТ342А
BC108AP КТ3102В
BC108B КТ342Б
BC108BP КТ3102В
BC108C КТ342В
BC108CP КТ3102Г
BC109B КТ342Б
BC109BP КТ3102Д, И
BC109C КТ342В
BC109CP КТ3102Е, К
BC140 КТ630Г
BC141 КТ630Г
BC141-16 КТ630Г
BC147A КТ373А
BC147B КТ373Б
BC148A КТ373А
BC148B КТ373Б
BC148C КТ373В
BC149B КТ373Б
BC149C КТ373В
BC157 КТ361Г
BC158A КТ349В
BC160B КТ933Б
BC161B КТ933А
BC167A КТ373А
BC167B КТ373Б
BC168A КТ373А
BC168B КТ373Б
BC168C КТ373В
BC169B КТ373Б
BC169C КТ373В
BC170A КТ375Б
BC170B КТ375Б
BC171A КТ373А
BC171B КТ373Б
BC172A КТ373А
BC172B КТ373Б
BC172C КТ373В
BC173B КТ373Б
BC173C КТ373В
BC174 КТ3102
BC177AP КТ3107А, Б
BC177VIP КТ3107Б, Б
BC178A КТ349В
BC178AP КТ3107В
BC178BP КТ3107Д
BC178VIP КТ3107В, Г
BC179AP КТ3107Е, Д
BC179BP КТ3107Ж, И
BC182 КТ3102
BC182A КТ3102А
BC182B КТ3102Б
BC182C КТ3102Б
BC183A КТ3102А
BC183B КТ3102Б
BC183C КТ3102Б, КТ3102Г
BC184A КТ3102Д
BC184B КТ3102Е
BC192 КТ351Б
BC212A КТ3107Б
BC212B КТ3107И
BC212C КТ3107К
BC213A КТ3107Б
BC213B КТ3107И
BC213C КТ3107К
BC216 КТ351А
BC216A КТ351А
BC218 КТ340Б
BC218A КТ340Б
BC223A КТ660Б
BC223B КТ660Б
BC226 КТ351Б
BC226A КТ351Б
BC234 КТ342А
BC234A КТ342А
BC235 КТ342Б
BC235A КТ342Б
BC237 КТ373Б
BC237A КТ3102А
BC237B КТ3102Б
BC237C КТ3102Б
BC238 КТ373В, КТ3102В
BC238A КТ3102А, КТ3102В
BC238B КТ3102В
BC238C КТ3102В, Г
BC239A КД3102Д
BC239B КТ3102Д, Ж
BC239C КТ3102Д, Е
BC250A КТ361А
BC250B КТ361Б
BC285 П308
BC300 КТ630Б
BC307A КТ3107Б
BC307B КТ3107И
BC307C КТ3107И
BC308 КТ3107Г
BC308A КТ3107Г, КТ3107Б
BC308B КТ3107Д
BC308C КТ3107К
BC309A КТ3107Е
BC309B КТ3107Ж
BC309C КТ3107Л
BC320A КТ3107Б
BC320B КТ3107Д
BC321A КТ3107Б
BC321B КТ3107И
BC321C КТ3107К
BC322B КТ3107Ж
BC322C КТ3107Л
BC327 КТ685А, КТ313
BC327-16 КТ686А
BC327-25 КТ686Б
BC327-40 КТ686В
BC328 КТ313
BC328-16 КТ686Г
BC328-25 КТ686Д
BC328-40 КТ686Е
BC337 КТ3102Б, КТ660А
BC337-16 КТ660А
BC337-25 КТ660А
BC337-40 КТ660А
BC337C КТ660А, КТ928
BC338 КТ645, КТ646, КТ660Б
BC338-16 КТ660Б
BC338-25 КТ660Б
BC338-40 КТ660Б
BC338C КТ660Б
BC355 КТ352Б
BC355A КТ352А
BC382B КТ3102Б
BC382C КТ3102Г
BC383B КТ3102Д
BC383C КТ3102Е
BC384B КТ3102Д
BC384C КТ3102Е
BC440 КТ630
BC446 КТ3107
BC451 КТ3102В
BC453 КТ3102Д
BC454A КТ3107Б
BC454B КТ3107И
BC454C КТ3107К
BC455A КТ3107Г
BC455B КТ3107Д, Е
BC455C КТ3107К
BC456A КТ3107Е
BC456B КТ3107Ж, И
BC456C КТ3107Л
BC513 КТ345А
BC516 КТ686Ж
BC517 КТ645А
BC526C КТ3107К, Л
BC527 КТ342Б, КТ342В
BC527-6 КТ629А, КТ6112А, Б
BC524-10 КТ6112В
BC528 КТ342В
BC546A КТ503Д
BC546B КТ3102Б, КТ3117Б
BC546C КТ3117Б
BC547 КТ3103А
BC547A КТ3102А
BC547B КТ3102Б
BC547C КТ3102Б, Г
BC548 КТ373А
BC548A КТ3102А, В
BC548B КТ3102В
BC548C КТ3102В, Г
BC549A КТ3102В
BC549B КТ3102В
BC549C КТ3102В, КТ3102ДМ
BC550A КТ3102А
BC550B КТ3102Б
BC550C КТ3102Б
BC556 КТ3107Б
BC556A КТ502Д
BC556B КТ502Д
BC556C КТ502Д
BC557 КТ3107
BC557A КТ3107Б
BC557B КТ3107И
BC557C КТ3107И
BC558A КТ3107Г
BC558B КТ3107Д
BC558C КТ3107К
BC559A КТ3107Е
BC559B КТ3107Ж
BC559C КТ3107Л
BC560A КТ3107Б
BC560B КТ3107И
BC560C КТ3107И
BC635 КТ503Б
BC636 КТ502Б
BC637 КТ503Г
BC638 КТ502Г
BC639 КТ503Е
BC640 КТ502Е
BC847A КТ3189А9
BC847B КТ3189Б9
BC847C КТ3189В9
BC857A КТ3129Б9
BC858A КТ3129В9
BC858B КТ3129Г9
BCW31 КТ3130В9
BCW47B КТ3187А
BCW71 КТ3130А9
BCW72 КТ3130Б8
BD135 КТ815Б
BD136 КТ626А, Е, КТ814Б, КТ6109А
BD137 КТ815В
BD138 КТ814В, КТ6104А
BD139 КТ815Г
BD140 КТ626Ж, КТ814Г, КТ6109А
BD165 КТ728А
BD166 КТ720А
BD168 КТ722А
BD170 КТ724А
BD202 2Т818А
BD204 2Т818Б
BD223 КТ856А
BD233 КТ817Б
BD234 КТ816Б
BD235 КТ817В
BD236 КТ816В
BD237 КТ817Г
BD238 КТ816Г
BD243C КТ819
BD370A6 КТ639А
BD372 КТ639Б
BD372A6 КТ639В
BD372A10 КТ639Г, Д
BD522 КП932А
BD676 КТ852Г
BD677 КТ829В
BD678 КТ852В
BD825 2Т642А
BD875 КТ972А
BD876 КТ973А
BD944 КТ856Б
BD946 КТ896А
BD948 КТ896Б
BDT21(A) КТ8101Б
BDV64 КТ8159В
BDV65 КТ8158В
BDW94 КТ818В
BDX78 2Т818В
BDX85 2Т716В
BDX85B 2Т716Б
BDX85C 2Т716А
BF177 КТ671А, 2Т3130Е
BF179B КТ682Б
BF189 КТ3172А
BF244A КП307Ж
BF245 КП303Е
BF258 КТ638Б
BF336 КТ6103А
BF337 КТ6113А, Б, В
BF339 КТ6113Г, Д, Е
BF371 КТ633Б
BD386 КТ629А
BF391 КТ698К
BF392 КТ504Б
BF393 КТ504В
BF410A 2П337АР, БР
BF422 КТ940А
BF423 КТ9115А
BF423S КТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В
BF457 КТ940Б
BF458 КТ940А
BF459 КТ940А
BF469 КТ969А
BF471 КТ846
BF491 КТ6127К
BF492 КТ505Б
BF493 КТ505А
BF506 КТ3126А
BF569 КТ3192А9
BF599 КТ368А9
BF680 КТ3109А
BF970 КТ9109В
BF979 КТ9109Б
BF998 2П347А2, КП402А
BFJ57 КТ6105А
BFL545 КП954А, Б
BFP23 КТ868А, Б
BFP720 КТ315В
BFP722 КТ315Г
BFR30 КП302А1-Г1
BFR37 КТ939А
BFY80 2Т3130А
BLY47A 2Т892А, Б
BSS88 КП504А
BSS92 КП508А
BSS124 КП502
BSS129 КП503А
BSS295 КП505А
BSS315 КП507А
BSW62A КТ361К, Л, М
BSW63A КТ361Н, П
BU108 КТ8107А, Б
BU205 КТ838Б
BU208A КТ8104А
BU289 КТ8101А
BU505 2SD818, BU705, KSD5064
BU508 КТ872А, В
BU508A КТ872Б
BU508AD КТ872А, Б
BU508AW BU508, BU508A
BU508D КТ846, КТ872В
BU508DW BU508AD, BU508D, BU508DR
BU807 КТ8156А
BU2506D КТ8248А
BU2508A КТ8224А
BU2508D КТ8224Б
BU2520DW KSD5090
BU2720DX 2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D
BU2725DX 2SD2553
BU4506AF 2SD2381
BU4506AX 2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065
BU4506DX 2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071
BU4507AX 2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076
BU4507DX 2SD870, 2SD1878, KSD5072
BU4508AF 2SD2301, 2SD2311
BU4508AX 2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513
BU4508DF 2SD2299, 2SD2300
BU4508DX 2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F
BU4508DZ 2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1
BU4522AX 2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088
BU4522DX 2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080
BU4523AX 2SD2500, 2SD2515, BUH715
BU4523DX 2SD2349, 2SD2514
BU4525AX 2SD1887
BU4525DX 2SD1881
BUX97 КТ8106А
BUX97A КТ8106Б
BUY90 КТ8107В, Г
BUZ71 КП727А
BV104P КТ8126А
BV2310 2П803А
BVK462 КП959А, Б, В
BVP38 КТ878Б
BVR11 КТ867А
BVT91 КТ879А
BVX14 КТ846В
BVZ90 КП809В, Г
BVZ90(A) КП809Д, Е
CD1412 2Т946А
CD6105 КТ930А
CDR075 2Т9118А
CX954 2Т370Б
D44H7 КТ9181А, Б
D62T4040 КТ886А
DC5108 2Т370А
DC5445 2Т642А
DI4044 КТ222АС-ВС
DVZ216 КП810А
F1014 КП953Г, Д
F1053 2П917А, Б, КП934А
FJ201E 2Т642Б
FLM5964-4C 3П927А2
FLV5964-8C 3П927Б2
HXTR4105 КТ640А
I02015A КТ9116Б
IRF510 КП743А
IRF520 КП744А
IRF530 КП745А, Б
IRF540 КП746А, Б
IRF610 КП748А
IRF620 КП749А
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRF710 КП731А
IRF720 КП751А
IRF730 КП752А
IRF830 КП753А
IRF5532 КП719Б
IRFBG30 КП803А
IRFR024 КП945А, Б
IRFZ30 КП727Б
IRFZ34 КП727В
IRFZ35 КП727Г
IRFZ40 КП723В
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRLZ44 КП723Г
IRLZ46 КП741А
IRLZ48 КП741Б
IXTP3N80(A) КП809А,Б
KC508 КТ342А
KF423 2Т3129Д, 2Т3152Б, Е
KSD882G КТ8296Г
KSD882O КТ8296Б
KSD882R КТ8296А
KSD882Y КТ8296В
LDR405B 2Т9118Б
LOT-1000D1-12B КТ979А
LT1739 КТ9171В
MA42181-510 КТ937А
MGF1802 3П606А2…В2
MI10000 КТ892Б, В
MI10004PF1 КТ892А
MIE13005 КТ8121А
MIL13004 КТ8121Б
MJE304 КТ504В
MJE350 КТ505А
MJE13001 КТ538А
MJE13002 КТ8170Б1
MJE13003 КТ8170А1
MJE13004 КТ8164Б
MJE13005 КТ8164А
MJE13007 КТ8126А
MJE2801T КТ9177А
MMBT3904 КТ3197А9
MMBT3906 КТ3196А9
MPF873 2Т987А
MPS706 КТ648А, КТ682А
MPS3866 2Т633А
MPS6512 КТ3184А
MPS6513 КТ3184Б
MPSL07 2Т3164А
MPS A-42 КТ604В
MPS A-43 КТ3127К
MPS A-92 КТ505А
MPS A-93 КТ698К
MRF136 2П942А, Б, В
MRF327 2Т970А
MRF422 КТ9160А, Б, В
MRF430 КТ9181В, Г
MRF515 КТ606А
MRF544 2Т9159А
MRF627 КТ606Б
MRF840 КТ962Б
MRF846 2Т9117В, Г, 2Т9118В
MRF1035MA 2Т962В
MRF1035MC КТ962В
MRF2016M 2Т948А
MSC0204100 КП934В
MSC81325M 2Т9127Д, Е
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC85853 2Т637А
MSM5964-2 3П927В2
MSM5964-5 3П927Г2
MSM5964-10 ЗП927Д2
MTP4N10 2П703Б
MTP5N05 КП932А
MTP8P10 2П712В
MTP12P08 2П712А
NE080481E-12 2Т9109А
NE1010E 2Т962А
NE3001 2Т9119А2
NE24318 2Т640А
NE56755 2Т647А, 2Т648А
NE56787 2Т642А
NE56854 2Т971А
NE56887 2Т634А, КТ634Б
NE57835 2Т682А
NE243188 КТ642А, 2Т643А
NE243287 2Т643Б
NE243499 2Т9108А
NEM2015 КТ948А
NTP7N05 КП922А, КП931 А, Б, В
PBC107B 2Т3158А
PBC108A 2Т3133А
PBC108B 2Т3133А
PDE1001 КТ607Б
PEE1000U 2Т607А
PEE1001T КТ607А
PFP12P08 КП719А
Ph2214-60 2Т9122Б
PKB20010U КТ948Б
PN3691 КТ3117Б
PN5132 КТ3117А
PWB2010U 2Т948Б
PXT2222 КТ3153А
PZB27020V 2Т9122А
S923TS 2Т3152А, Г, Д
S2055AF КТ838
SD1015 КТ9116А
SDR075 2Т9117А
SDT3207 КТ9171А, Б
SDT69504 2Т880Д
SE5035 КТ939Б
SF123A 2Т672А
SF123C КТ6107А
SG769 2Т3133А
SML723 КТ828В
SML804 КТ828А
SML55401 КТ886Б
SS8050B КТ968В, КТ6114А
SS8050C КТ968В, КТ6114Б
SS8050D КТ968В, КТ6114В
SS8550B КТ6127В, КТ6115А
SS8550C КТ6127В, КТ6115Б
SS8550D КТ6127В, КТ6115В
SS9012D КТ681А, КТ6109А
SS9012E КТ681А, КТ6109Б
SS9012F КТ681А, КТ6109В
SS9012G КТ681А, КТ6109Г
SS9012H КТ681А, КТ6109Д
SS9013D КТ680А, КТ6110А
SS9013E КТ680А, КТ6110Б
SS9013F КТ680А, КТ6110В
SS9013G КТ680А, КТ6110Г
SS9013H КТ680А, КТ6110Д
SS9014A КТ3102А, КТ6111А
SS9014B КТ3102Б, КТ6111Б
SS9014C КТ3102Б, КТ6111В
SS9014D КТ3102Б, КТ6111Г
SS9015A КТ3107А, КТ6112А
SS9015B КТ3107И, КТ6112Б
SS9015C КТ3107И, КТ6112В
SS9016D КТ6128А
SS9016E КТ6128Б
SS9016F КТ6128В
SS9016G КТ6128Г
SS9016H КТ6128Д
SS9016I КТ6128Е
SS9018D КТ6113А
SS9018E КТ6113Б
SS9018F КТ6113В
SS9018G КТ6113Г
SS9018H КТ6113Д
SS9018I КТ6113Е
ST1053 КП934Б
STD18202 КТ828Г
STD55476 КТ846А
STH75N05 КП742Б
STH75N05 КП742A
TBC547A КТ3186А
TCC1821G 2Т942А, КТ942В
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
TIP31A КТ8176А
TIP31B КТ8176Б
TIP31C КТ8176В
TIP32A КТ8177А
TIP32B КТ8177Б
TIP32C КТ8177В
TIP41A КТ8212В
TIP41B КТ8212Б
TIP41C КТ8212А
TIP110 КТ8214В
TIP111 КТ8214Б
TIP112 КТ8214А
TIP120 КТ8116В
TIP121 КТ8116Б
TIP122 КТ8116А, КТ8147А
TIP125 КТ8115В
TIP126 КТ8115Б
TIP127 КТ8115А
TIP132 КТ8116А, КТ8147А
TIP150 КТ8111А
TIP151 КТ8111Б
TN20 2Т9130А
UMIL70 КТ930Б

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам , решил создать таблицу аналогов . Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

ИМПОРТНЫЙ – ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ

1561-1008 2Т874А
1561-1015 2Т874Б
2005A 2Т942Б
2023-1,5 2Т9155Б
2023-1,5T КТ9153А
2023-3 2Т9155А
2023-6 2Т9146А, 2Т9158Б
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2307(A) 2Т9103А
46120 2Т962Б
222430 2Т9158А
27AM05 КТ9170А
2L08 2Т937А
2L15A 2Т937Б
2L15B КТ937Б
2N656 КТ6111А, Б
2N657 КТ6111В, Г
2N709 КТ397А
2N735A 2Т3130Г
2N739 КТ117БМ
2N844 КТ117ГМ, 2Т3130Д
2N1051 КТ6110В, Г, Д
2N1573 КТ117ВМ
2N1820 2Т862А
2N1923 КТ117АМ
2N2218 2Т649А, КТ928А
2N2218A КТ647А
2N2219 КТ928Б
2N2219A КТ928В
2N2221 КТ3117А
2N2222A КТ3117Б
2N2224 КТ638А
2N2369 КТ3142А
2N2459 2Т3130В
2N2463 2Т3130Б
2N2615 КТ3132Д
2N2616 КТ3132Е
2N2646 КТ132А
2N2647 КТ132Б
2N2712 КТ315А, Б
2N2784 КТ3101АМ
2N2906 КТ313А
2N2906A КТ313Б, 2Т3160А
2N3054 КТ723А
2N3055 КТ819ГМ
2N3114 КТ6117А
2N3397 КТ315Ж…Р
2N3584 2Т881Д
2N3712 КТ6117Б
2N3725 КТ635Б
2N3737 КТ659А
2N3839 КТ370А
2N3903 КТ645А
2N3904 КТ3117Б, КТ6137А
2N3905 КТ313А
2N3906 КТ313Б, КТ6136А
2N4123 КТ503А
2N4124 КТ503Б
2N4125 КТ502А
2N4126 КТ502Б
2N4128 КТ997В
2N4237 КТ719А
2N4238 КТ721А
2N4260 2Т3135А
2N4261 2Т3135Б
2N4400 КТ660А
2N4401 КТ660А
2N4402 КТ685А
2N4403 КТ685В
2N4411 КТ3127А
2N4440 КТ972В
2N4870 КТ133А
2N4871 КТ133Б
2N4913 КТ866Б
2N4914 КТ890А
2N4915 КТ890Б
2N4934 2Т939А
2N4976 КТ996А
2N5050 2Т892В
2N5086 КТ3107Б
2N5087 КТ3107К
2N5088 КТ3102Е
2N5089 КТ3102Е
2N5102 КТ921А, В
2N5177 2Т998А
2N5210 КТ3102Б
2N5240 КТ898А
2N5400 КТ698И, КТ6116Б
2N5401 КТ698К, КТ6116А
2N5550 КТ6127И, КТ6117Б
2N5551 КТ6127К, КТ6117А
2N5642 2Т945В, Г
2N5643 2Т949А
2N5651 КТ390Б
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2N5995 КТ972Г
2N5996 2Т945А, Б
2N6077 КТ898Б
2N6180 2Т877Г, КТ9180А, Б
2N6181 КТ9180В, Г
2N6428 КТ3117Б
2N6428A КТ3117Б
2N6515 КТ504Б
2N6516 КТ504В
2N6517 КТ504А
2N6518 КТ505Б
2N6519 КТ505А
2N6520 КТ505А
2N6679 КТ640Б
2N6701 КТ647А
2N7002LT1 КП214А9
2N7089 2П712Б
2SA555 КТ361А, Г, Д
2SA556 КТ361Ж, И
2SA715B КТ664А
2SA715C КТ664Б
2SA715D КТ6102А
2SA733 G КТ3107И
2SA733 L КТ3107И
2SA733 O КТ3107А
2SA733 R КТ3107А
2SA733 Y КТ3107Б
2SA738B КТ6116А, Б
2SA876H КТ313Г
2SA1009AM 2Т887А, Б
2SA1015 КТ502Е
2SA1090 КТ313В
2SA1175 КТ3107
2SA1584 2Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г
2SA1660 2Т3129Б, КТ3171А
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
2SA1815 КТ503Е
2SA2785 КТ3102
2SB596 КТ9176А
2SB834 КТ842В
2SB1220Q 2Т3129А
2SC40 КТ3101АМ
2SC64 КТ6110А, Б
2SC380 КТ315Г
2SC388 КТ315Г
2SC404 КТ359А
2SC495 КТ646А
2SC496 КТ646Б
2SC543-5 КП302А1-Г1
2SC601 КТ396А
2SC633 КТ315А, Б
2SC634 КТ315Д, Е
2SC641 КТ315Ж…Р
2SC651 2Т610А
2SC945G КТ3102Б
2SC945L КТ3102Б
2SC945O КТ3102А
2SC945R КТ3102А
2SC945Y КТ3102Б
2SC976 КТ996Б
2SC1173 КТ862Г
2SC1269 2Т642В
2SC1270 2Т642Г
2SC1334 КТ962А
2SC1365 КТ610А, Б
2SC1436 2Т862В
2SC1440 КТ945Б
2SC1443 КТ879Б
2SC1551 2Т682Б
2SC1552 2Т682В
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC1786 2Т862Б
2SC1815BL КТ3102Б
2SC1815GR КТ3102Б
2SC1815L КТ3102Б
2SC1815O КТ3102А
2SC1815Y КТ3102Б
2SC2027 КТ828Б
2SC2033 КТ934В, Д
2SC2093 2Т9102А, Б, 2Т9103Б
2SC2229 КТ940А
2SC2240BL КТ503Е
2SC2240GR КТ503Е
2SC2482 КТ940А
2SC2642 КТ934Б
2SC2688 КТ846
2SC2794 КТ866А
2SC3150K КТ8137А, КТ8144Б
2SC3271 КТ940А
2SC3272 КТ940А
2SC3306 КТ8144А
2SC3455L КТ878В
2SC3596F КТ9142А
2SC3994L КТ878А
2SC4055 КТ8146Б, КТ8150А
2SC4296 КТ858А
2SD401A КТ8146А, КТ8147Б
2SD405B 2Т9117Б
2SD675A КТ945В
2SD691 КТ945Г
2SD734 КТ660Б
2SD814 КТ3176А
2SD1220Q КТ3169А
2SD1279 КТ846Б
2SD1554 КТ838
2SD1761 КТ819
2SD1878 КТ838
2SK49 2П336А1, Б1
2SK444 2П340Б1
2SK508 2П340А1
2SK513 КП803Б
2SK653 3П345А2, Б2, КП364А…И
3SK132 КП403А
3SK162 КП333А
3SR137 КП333Б
A5916 КТ934А
A5918 КТ934Г
AD545 П216Б
A630 КТ946А
AD1202 П213Б
AD1203 П214Б
ADP665 ГТ403Б
ADP666 ГТ403Г
ADP670 П201АЭ
ADP671 П201АЭ
ADP672 П203Э
ADY27 ГТ703Б
AF106 ГТ328Б
AF106A ГТ328В
AF109 ГТ328А
AF139 ГТ346Б
AF178 ГТ309Б
AF200 ГТ328А
AF201 ГТ328А
AF202 ГТ328А
AF239 ГТ346А
AF239S ГТ346А
AF240 ГТ346Б
AF251 ГТ346А
AF252 ГТ346А
AF253 ГТ328А
AF256 ГТ348Б
AF260 П29А
AF261 П30
AF266 МП42Б, МП20А
AF271 ГТ322В
AF272 ГТ322В
AF275 ГТ322Б
AF279 ГТ330Ж
AF280 ГТ330И
AF426 ГТ322Б
AF427 ГТ322Б
AF428 ГТ322Б
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AFY11 ГТ313А
AFY12 ГТ328Б
AFY13 ГТ305В
AFY15 П30
AFY29 ГТ305Б
AFZ11 ГТ309Б
AL100 ГТ806В
AL102 ГТ806В
AL103 ГТ806Б
AM1416-200 2Т975А, Б
AM1416200 2Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б
ASX11 МП42Б
ASX12 МП42Б
ASY26 МП42А, МП20А
ASY31 МП42А
ASY33 МП42А, МП20А
ASY34 МП42А, МП20А
ASY35 МП42Б, МП20А
ASY70 МП42
ASY76 ГТ403Б
ASY76 ГТ403Г
ASY80 ГТ403Б
ASZ15 П217А, ГТ701А
ASZ16 П217А
ASZ17 П217А
ASZ18 П217В, ГТ701А
ASZ1015 П217В
ASZ1016 П217В
ASZ1017 П217В
ASZ1018 П217В
AT00510 2Т657А
AT00535 2Т657Б
AT00570 2Т657В
AT270 МП42Б, МП20А
AT275 МП42Б, МП20А
AT12570-5 КТ648А
AU103 ГТ810А
AU104 ГТ810А
AU107 ГТ810А
AU108 ГТ806Б
AU110 ГТ806Д
AU113 ГТ810А
AUY10 П608А, ГТ905А
AUY18 П214А
AUY19 П217
AUY20 П217
AUY21 П210Б
AUY21A П210Б
AUY22 П210Б
AUY22A П210Б
AUY28 П217
AUY35 ГТ806А
AUY38 ГТ806В
BAL004100 КТ970А
BC11 КТ638
BC12 КТ638
BC13 КТ638
BC14 КТ638
BC15 КТ638
BC16 КТ638
BC100 КТ605А
BC101 КТ301Е
BC107 КТ342А
BC107A КТ342А
BC107AP КТ3102А
BC107B КТ342Б
BC107BP КТ3102Б
BC108 КТ342
BC108A КТ342А
BC108AP КТ3102В
BC108B КТ342Б
BC108BP КТ3102В
BC108C КТ342В
BC108CP КТ3102Г
BC109B КТ342Б
BC109BP КТ3102Д, И
BC109C КТ342В
BC109CP КТ3102Е, К
BC140 КТ630Г
BC141 КТ630Г
BC141-16 КТ630Г
BC147A КТ373А
BC147B КТ373Б
BC148A КТ373А
BC148B КТ373Б
BC148C КТ373В
BC149B КТ373Б
BC149C КТ373В
BC157 КТ361Г
BC158A КТ349В
BC160B КТ933Б
BC161B КТ933А
BC167A КТ373А
BC167B КТ373Б
BC168A КТ373А
BC168B КТ373Б
BC168C КТ373В
BC169B КТ373Б
BC169C КТ373В
BC170A КТ375Б
BC170B КТ375Б
BC171A КТ373А
BC171B КТ373Б
BC172A КТ373А
BC172B КТ373Б
BC172C КТ373В
BC173B КТ373Б
BC173C КТ373В
BC174 КТ3102
BC177AP КТ3107А, Б
BC177VIP КТ3107Б, Б
BC178A КТ349В
BC178AP КТ3107В
BC178BP КТ3107Д
BC178VIP КТ3107В, Г
BC179AP КТ3107Е, Д
BC179BP КТ3107Ж, И
BC182 КТ3102
BC182A КТ3102А
BC182B КТ3102Б
BC182C КТ3102Б
BC183A КТ3102А
BC183B КТ3102Б
BC183C КТ3102Б, КТ3102Г
BC184A КТ3102Д
BC184B КТ3102Е
BC192 КТ351Б
BC212A КТ3107Б
BC212B КТ3107И
BC212C КТ3107К
BC213A КТ3107Б
BC213B КТ3107И
BC213C КТ3107К
BC216 КТ351А
BC216A КТ351А
BC218 КТ340Б
BC218A КТ340Б
BC223A КТ660Б
BC223B КТ660Б
BC226 КТ351Б
BC226A КТ351Б
BC234 КТ342А
BC234A КТ342А
BC235 КТ342Б
BC235A КТ342Б
BC237 КТ373Б
BC237A КТ3102А
BC237B КТ3102Б
BC237C КТ3102Б
BC238 КТ373В, КТ3102В
BC238A КТ3102А, КТ3102В
BC238B КТ3102В
BC238C КТ3102В, Г
BC239A КД3102Д
BC239B КТ3102Д, Ж
BC239C КТ3102Д, Е
BC250A КТ361А
BC250B КТ361Б
BC285 П308
BC300 КТ630Б
BC307A КТ3107Б
BC307B КТ3107И
BC307C КТ3107И
BC308 КТ3107Г
BC308A КТ3107Г, КТ3107Б
BC308B КТ3107Д
BC308C КТ3107К
BC309A КТ3107Е
BC309B КТ3107Ж
BC309C КТ3107Л
BC320A КТ3107Б
BC320B КТ3107Д
BC321A КТ3107Б
BC321B КТ3107И
BC321C КТ3107К
BC322B КТ3107Ж
BC322C КТ3107Л
BC327 КТ685А, КТ313
BC327-16 КТ686А
BC327-25 КТ686Б
BC327-40 КТ686В
BC328 КТ313
BC328-16 КТ686Г
BC328-25 КТ686Д
BC328-40 КТ686Е
BC337 КТ3102Б, КТ660А
BC337-16 КТ660А
BC337-25 КТ660А
BC337-40 КТ660А
BC337C КТ660А, КТ928
BC338 КТ645, КТ646, КТ660Б
BC338-16 КТ660Б
BC338-25 КТ660Б
BC338-40 КТ660Б
BC338C КТ660Б
BC355 КТ352Б
BC355A КТ352А
BC382B КТ3102Б
BC382C КТ3102Г
BC383B КТ3102Д
BC383C КТ3102Е
BC384B КТ3102Д
BC384C КТ3102Е
BC440 КТ630
BC446 КТ3107
BC451 КТ3102В
BC453 КТ3102Д
BC454A КТ3107Б
BC454B КТ3107И
BC454C КТ3107К
BC455A КТ3107Г
BC455B КТ3107Д, Е
BC455C КТ3107К
BC456A КТ3107Е
BC456B КТ3107Ж, И
BC456C КТ3107Л
BC513 КТ345А
BC516 КТ686Ж
BC517 КТ645А
BC526C КТ3107К, Л
BC527 КТ342Б, КТ342В
BC527-6 КТ629А, КТ6112А, Б
BC524-10 КТ6112В
BC528 КТ342В
BC546A КТ503Д
BC546B КТ3102Б, КТ3117Б
BC546C КТ3117Б
BC547 КТ3103А
BC547A КТ3102А
BC547B КТ3102Б
BC547C КТ3102Б, Г
BC548 КТ373А
BC548A КТ3102А, В
BC548B КТ3102В
BC548C КТ3102В, Г
BC549A КТ3102В
BC549B КТ3102В
BC549C КТ3102В, КТ3102ДМ
BC550A КТ3102А
BC550B КТ3102Б
BC550C КТ3102Б
BC556 КТ3107Б
BC556A КТ502Д
BC556B КТ502Д
BC556C КТ502Д
BC557 КТ3107
BC557A КТ3107Б
BC557B КТ3107И
BC557C КТ3107И
BC558A КТ3107Г
BC558B КТ3107Д
BC558C КТ3107К
BC559A КТ3107Е
BC559B КТ3107Ж
BC559C КТ3107Л
BC560A КТ3107Б
BC560B КТ3107И
BC560C КТ3107И
BC635 КТ503Б
BC636 КТ502Б
BC637 КТ503Г
BC638 КТ502Г
BC639 КТ503Е
BC640 КТ502Е
BC847A КТ3189А9
BC847B КТ3189Б9
BC847C КТ3189В9
BC857A КТ3129Б9
BC858A КТ3129В9
BC858B КТ3129Г9
BCW31 КТ3130В9
BCW47B КТ3187А
BCW71 КТ3130А9
BCW72 КТ3130Б8
BD135 КТ815Б
BD136 КТ626А, Е, КТ814Б, КТ6109А
BD137 КТ815В
BD138 КТ814В, КТ6104А
BD139 КТ815Г
BD140 КТ626Ж, КТ814Г, КТ6109А
BD165 КТ728А
BD166 КТ720А
BD168 КТ722А
BD170 КТ724А
BD202 2Т818А
BD204 2Т818Б
BD223 КТ856А
BD233 КТ817Б
BD234 КТ816Б
BD235 КТ817В
BD236 КТ816В
BD237 КТ817Г
BD238 КТ816Г
BD243C КТ819
BD370A6 КТ639А
BD372 КТ639Б
BD372A6 КТ639В
BD372A10 КТ639Г, Д
BD522 КП932А
BD676 КТ852Г
BD677 КТ829В
BD678 КТ852В
BD825 2Т642А
BD875 КТ972А
BD876 КТ973А
BD944 КТ856Б
BD946 КТ896А
BD948 КТ896Б
BDT21(A) КТ8101Б
BDV64 КТ8159В
BDV65 КТ8158В
BDW94 КТ818В
BDX78 2Т818В
BDX85 2Т716В
BDX85B 2Т716Б
BDX85C 2Т716А
BF177 КТ671А, 2Т3130Е
BF179B КТ682Б
BF189 КТ3172А
BF244A КП307Ж
BF245 КП303Е
BF258 КТ638Б
BF336 КТ6103А
BF337 КТ6113А, Б, В
BF339 КТ6113Г, Д, Е
BF371 КТ633Б
BD386 КТ629А
BF391 КТ698К
BF392 КТ504Б
BF393 КТ504В
BF410A 2П337АР, БР
BF422 КТ940А
BF423 КТ9115А
BF423S КТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В
BF457 КТ940Б
BF458 КТ940А
BF459 КТ940А
BF469 КТ969А
BF471 КТ846
BF491 КТ6127К
BF492 КТ505Б
BF493 КТ505А
BF506 КТ3126А
BF569 КТ3192А9
BF599 КТ368А9
BF680 КТ3109А
BF970 КТ9109В
BF979 КТ9109Б
BF998 2П347А2, КП402А
BFJ57 КТ6105А
BFL545 КП954А, Б
BFP23 КТ868А, Б
BFP720 КТ315В
BFP722 КТ315Г
BFR30 КП302А1-Г1
BFR37 КТ939А
BFY80 2Т3130А
BLY47A 2Т892А, Б
BSS88 КП504А
BSS92 КП508А
BSS124 КП502
BSS129 КП503А
BSS295 КП505А
BSS315 КП507А
BSW62A КТ361К, Л, М
BSW63A КТ361Н, П
BU108 КТ8107А, Б
BU205 КТ838Б
BU208A КТ8104А
BU289 КТ8101А
BU505 2SD818, BU705, KSD5064
BU508 КТ872А, В
BU508A КТ872Б
BU508AD КТ872А, Б
BU508AW BU508, BU508A
BU508D КТ846, КТ872В
BU508DW BU508AD, BU508D, BU508DR
BU807 КТ8156А
BU2506D КТ8248А
BU2508A КТ8224А
BU2508D КТ8224Б
BU2520DW KSD5090
BU2720DX 2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D
BU2725DX 2SD2553
BU4506AF 2SD2381
BU4506AX 2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065
BU4506DX 2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071
BU4507AX 2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076
BU4507DX 2SD870, 2SD1878, KSD5072
BU4508AF 2SD2301, 2SD2311
BU4508AX 2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513
BU4508DF 2SD2299, 2SD2300
BU4508DX 2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F
BU4508DZ 2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1
BU4522AX 2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088
BU4522DX 2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080
BU4523AX 2SD2500, 2SD2515, BUH715
BU4523DX 2SD2349, 2SD2514
BU4525AX 2SD1887
BU4525DX 2SD1881
BUX97 КТ8106А
BUX97A КТ8106Б
BUY90 КТ8107В, Г
BUZ71 КП727А
BV104P КТ8126А
BV2310 2П803А
BVK462 КП959А, Б, В
BVP38 КТ878Б
BVR11 КТ867А
BVT91 КТ879А
BVX14 КТ846В
BVZ90 КП809В, Г
BVZ90(A) КП809Д, Е
CD1412 2Т946А
CD6105 КТ930А
CDR075 2Т9118А
CX954 2Т370Б
D44H7 КТ9181А, Б
D62T4040 КТ886А
DC5108 2Т370А
DC5445 2Т642А
DI4044 КТ222АС-ВС
DVZ216 КП810А
F1014 КП953Г, Д
F1053 2П917А, Б, КП934А
FJ201E 2Т642Б
FLM5964-4C 3П927А2
FLV5964-8C 3П927Б2
HXTR4105 КТ640А
I02015A КТ9116Б
IRF510 КП743А
IRF520 КП744А
IRF530 КП745А, Б
IRF540 КП746А, Б
IRF610 КП748А
IRF620 КП749А
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRF710 КП731А
IRF720 КП751А
IRF730 КП752А
IRF830 КП753А
IRF5532 КП719Б
IRFBG30 КП803А
IRFR024 КП945А, Б
IRFZ30 КП727Б
IRFZ34 КП727В
IRFZ35 КП727Г
IRFZ40 КП723В
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRLZ44 КП723Г
IRLZ46 КП741А
IRLZ48 КП741Б
IXTP3N80(A) КП809А,Б
KC508 КТ342А
KF423 2Т3129Д, 2Т3152Б, Е
KSD882G КТ8296Г
KSD882O КТ8296Б
KSD882R КТ8296А
KSD882Y КТ8296В
LDR405B 2Т9118Б
LOT-1000D1-12B КТ979А
LT1739 КТ9171В
MA42181-510 КТ937А
MGF1802 3П606А2…В2
MI10000 КТ892Б, В
MI10004PF1 КТ892А
MIE13005 КТ8121А
MIL13004 КТ8121Б
MJE304 КТ504В
MJE350 КТ505А
MJE13001 КТ538А
MJE13002 КТ8170Б1
MJE13003 КТ8170А1
MJE13004 КТ8164Б
MJE13005 КТ8164А
MJE13007 КТ8126А
MJE2801T КТ9177А
MMBT3904 КТ3197А9
MMBT3906 КТ3196А9
MPF873 2Т987А
MPS706 КТ648А, КТ682А
MPS3866 2Т633А
MPS6512 КТ3184А
MPS6513 КТ3184Б
MPSL07 2Т3164А
MPS A-42 КТ604В
MPS A-43 КТ3127К
MPS A-92 КТ505А
MPS A-93 КТ698К
MRF136 2П942А, Б, В
MRF327 2Т970А
MRF422 КТ9160А, Б, В
MRF430 КТ9181В, Г
MRF515 КТ606А
MRF544 2Т9159А
MRF627 КТ606Б
MRF840 КТ962Б
MRF846 2Т9117В, Г, 2Т9118В
MRF1035MA 2Т962В
MRF1035MC КТ962В
MRF2016M 2Т948А
MSC0204100 КП934В
MSC81325M 2Т9127Д, Е
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC85853 2Т637А
MSM5964-2 3П927В2
MSM5964-5 3П927Г2
MSM5964-10 ЗП927Д2
MTP4N10 2П703Б
MTP5N05 КП932А
MTP8P10 2П712В
MTP12P08 2П712А
NE080481E-12 2Т9109А
NE1010E 2Т962А
NE3001 2Т9119А2
NE24318 2Т640А
NE56755 2Т647А, 2Т648А
NE56787 2Т642А
NE56854 2Т971А
NE56887 2Т634А, КТ634Б
NE57835 2Т682А
NE243188 КТ642А, 2Т643А
NE243287 2Т643Б
NE243499 2Т9108А
NEM2015 КТ948А
NTP7N05 КП922А, КП931 А, Б, В
PBC107B 2Т3158А
PBC108A 2Т3133А
PBC108B 2Т3133А
PDE1001 КТ607Б
PEE1000U 2Т607А
PEE1001T КТ607А
PFP12P08 КП719А
Ph2214-60 2Т9122Б
PKB20010U КТ948Б
PN3691 КТ3117Б
PN5132 КТ3117А
PWB2010U 2Т948Б
PXT2222 КТ3153А
PZB27020V 2Т9122А
S923TS 2Т3152А, Г, Д
S2055AF КТ838
SD1015 КТ9116А
SDR075 2Т9117А
SDT3207 КТ9171А, Б
SDT69504 2Т880Д
SE5035 КТ939Б
SF123A 2Т672А
SF123C КТ6107А
SG769 2Т3133А
SML723 КТ828В
SML804 КТ828А
SML55401 КТ886Б
SS8050B КТ968В, КТ6114А
SS8050C КТ968В, КТ6114Б
SS8050D КТ968В, КТ6114В
SS8550B КТ6127В, КТ6115А
SS8550C КТ6127В, КТ6115Б
SS8550D КТ6127В, КТ6115В
SS9012D КТ681А, КТ6109А
SS9012E КТ681А, КТ6109Б
SS9012F КТ681А, КТ6109В
SS9012G КТ681А, КТ6109Г
SS9012H КТ681А, КТ6109Д
SS9013D КТ680А, КТ6110А
SS9013E КТ680А, КТ6110Б
SS9013F КТ680А, КТ6110В
SS9013G КТ680А, КТ6110Г
SS9013H КТ680А, КТ6110Д
SS9014A КТ3102А, КТ6111А
SS9014B КТ3102Б, КТ6111Б
SS9014C КТ3102Б, КТ6111В
SS9014D КТ3102Б, КТ6111Г
SS9015A КТ3107А, КТ6112А
SS9015B КТ3107И, КТ6112Б
SS9015C КТ3107И, КТ6112В
SS9016D КТ6128А
SS9016E КТ6128Б
SS9016F КТ6128В
SS9016G КТ6128Г
SS9016H КТ6128Д
SS9016I КТ6128Е
SS9018D КТ6113А
SS9018E КТ6113Б
SS9018F КТ6113В
SS9018G КТ6113Г
SS9018H КТ6113Д
SS9018I КТ6113Е
ST1053 КП934Б
STD18202 КТ828Г
STD55476 КТ846А
STH75N05 КП742Б
STH75N05 КП742A
TBC547A КТ3186А
TCC1821G 2Т942А, КТ942В
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
TIP31A КТ8176А
TIP31B КТ8176Б
TIP31C КТ8176В
TIP32A КТ8177А
TIP32B КТ8177Б
TIP32C КТ8177В
TIP41A КТ8212В
TIP41B КТ8212Б
TIP41C КТ8212А
TIP110 КТ8214В
TIP111 КТ8214Б
TIP112 КТ8214А
TIP120 КТ8116В
TIP121 КТ8116Б
TIP122 КТ8116А, КТ8147А
TIP125 КТ8115В
TIP126 КТ8115Б
TIP127 КТ8115А
TIP132 КТ8116А, КТ8147А
TIP150 КТ8111А
TIP151 КТ8111Б
TN20 2Т9130А
UMIL70 КТ930Б

Распиновка транзистора

S8550, техническое описание, характеристики и образец схемы

Конфигурация выводов S8550

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Излучатель

Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

2

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке

Характеристики
  • Низковольтный, сильноточный транзистор PNP
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) -25 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет -40 В
  • Базовое напряжение эмиттера (VBE0) составляет -5 В
  • Коэффициент усиления по току (hFE), от 85 до 300
  • Обычно используются как двухтактные транзисторы класса B
  • Доступен в пакете To-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных транзистора S8550 , приведенной в конце этой статьи.

Дополнительный транзистор NPN для S8550

S8050

Транзистор, эквивалентный S8550

BC527, KSA708, MPS750

Альтернативные транзисторы PNP

BC557, 2N3906, A1015, 2SA1943, BD140

Краткое описание транзистора S8550

S8550 — это PNP-транзистор , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (обратное смещение), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (прямое смещение), когда сигнал подается на базовый вывод.Он имеет максимальное значение усиления 300; это значение определяет усилительную способность транзистора обычно S8550. Поскольку он очень высокий, его обычно используют для усиления.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум 700 мА через коллектор и эмиттер. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки.

S8550 в двухтактной конфигурации

Как упоминалось в характеристиках , транзистор S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, широко известный как усилитель класса B, представляет собой тип многокаскадного усилителя, обычно используемого для усиления звука в громкоговорителях. Он очень прост в сборке и требует работы двух идентичных комплементарных транзисторов.Под дополнительным значением это означает, что нам нужен транзистор NPN и эквивалентный ему транзистор PNP. Как и здесь, NPN-транзистор будет S8050, а его эквивалентный PNP-транзистор будет S8550. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

Приложения
  • Схемы усиления звука
  • Усилители класса B
  • Двухтактные Транзисторы
  • Схемы, где требуется высокий коэффициент усиления
  • Приложения с низким уровнем сигнала

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из S8550 Datasheet будет полезен, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

Распиновка транзистора

S8550, эквивалент, применение, особенности и применение

В этой статье описывается распиновка транзистора S8550, эквиваленты, использование, особенности, приложения, а также подробности использования его в электронной схеме или проекте.

Характеристики / Технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: PNP
  • Максимальный ток коллектора (I C ): -0.7 А или -700 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): -20 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): -30 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): -5 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 1 Вт
  • Максимальная частота перехода (fT): 100 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 40–400
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации Должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

Дополнительный PNP:

NPN Дополнительным к S8550 является S8050

Аналог:

Альтернативные транзисторы для S8550 — это BC528, 2N2906, BC527 и S8050, это всего лишь несколько эквивалентов, если вы их не штрафуете, есть также другие альтернативы S8550.

S8550 Транзистор объяснено / Описание:

Как и S8050, его альтернатива PNP S8550 также является широко используемым транзистором, это надежный недорогой транзистор с очень хорошими техническими характеристиками. Он разработан для усиления звука и других общих требований в электронных схемах, но помимо этого он также широко используется в коммерческих приборах. S8550 обладает некоторыми очень хорошими характеристиками в своем небольшом корпусе TO-92, поэтому его можно использовать во многих электронных приложениях, например, рассеиваемая мощность на выходе составляет 1 Вт, что очень хорошо для использования его для усиления аудиосигнала примерно до 1 Вт, а также во многих других стадиях усиления звука.Максимальный ток коллектора составляет -700 мА, поэтому его также можно использовать для различных применений переключения в электронных схемах. Максимальное усиление транзистора составляет 400, что также является плюсом этого транзистора.

Где и как использовать:

S8550 — транзистор общего назначения, поэтому вы можете использовать его на выходе схем аудиоусилителя для усиления выходного аудиосигнала до 1 Вт, например, его можно использовать в схемах электронного дверного звонка, аудиоусилителях mp3 и на выходе схем зуммера. и т.п.Если вы хотите использовать его в качестве переключателя, вы можете легко управлять большими реле, множеством маленьких светодиодов одновременно и одним или двумя светодиодами высокой мощности мощностью от 10 до 20 Вт, включать другую часть или приложение в электронном проекте / схеме и т. Д. Более того, он также может использоваться в качестве альтернативы или эквивалента многим другим транзисторам общего назначения, а также является идеальным транзистором для использования в ваших электронных проектах, поэтому транзистор обязательно должен быть в вашей лаборатории электроники.

Заявки:

Усилители класса B

Управляющие нагрузки ниже -700 мА

В качестве переключателя в электронных схемах

Усиление сигналов с низким усилением до высокого усиления

Выходной каскад малых аудиопроектов и схем

Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:

Электронные компоненты очень хорошо работают в схеме в течение длительного периода времени, если все меры безопасности приняты во внимание во время проектирования и изготовления схемы, чтобы обеспечить долгую работу этого транзистора в вашем электронном приложении, рекомендуется не использовать его. в цепи выше 20 В и не увеличивайте выходную нагрузку с -700 мА, всегда используйте хороший токоограничивающий резистор на базе транзистора и не используйте его при температуре выше 150 и ниже -65.

Введение в S8550 — Инженерные проекты


Привет, друзья, надеюсь, у вас все отлично. В сегодняшнем руководстве мы подробно рассмотрим Introduction to S8550 . S8550 — это PNP-транзистор, отныне во время обратного смещения коллектор и эмиттер будут открыты, а во время прямого смещения они будут закрыты. Значение усиления 300, это значение определяет возможность увеличения транзистора. Его усиление очень велико, поэтому он используется для просьб об увеличении.Когда он полностью смещен, он может пропускать ток до 700 мА поперек коллектора и эмиттера. Эта фаза называется областью насыщения, и различительное напряжение, допустимое на (VCE) или (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно. В сегодняшнем посте мы рассмотрим его защиту, фрагменты, коннотацию, представления и т. Д. Я также поделюсь некоторыми ссылками, где я связал его с другими микроконтроллерами. Вы также можете получить больше материала об этом в комментариях, я расскажу вам больше об этом.Итак, давайте начнем с базового Introduction to S8550.

Введение в S8550

  • S8550 отныне является PNP-транзистором во время обратного смещения коллектор и эмиттер будут открыты, а во время прямого смещения они будут закрыты.
  • Выпускается в гибком кожухе ТО-92. Когда мы наблюдаем за гладкой стороной с проникающими вниз выводами, три вывода, выходящие слева направо, называются эмиттером, базой и коллектором.
  • Обычно используется PNP транзистор, это надежный менее дорогой транзистор, имеющий хорошие практические характеристики.
  • Предназначен для усиления звука и других общих требований в электронных схемах. Он также используется в коммерческих целях.
  • Это лучший выбор для разнообразных электронных схем, так как он имеет коэффициент рассеяния 1 Вт, поэтому он подходит для усиления акустического сигнала примерно до 1 Вт.
  • Максимальный ток, который может выдержать кабина коллектора, составляет 700 мА, так как он используется для большого количества запросов на переключение в электронных цепях.
  • Значение усиления для этого транзистора составляет 300, что делает его лучше других транзисторов.

Распиновка S8550

  • Вот некоторые важные распиновки S8550.
  • Контакт № Тип Параметры
    Контакт № 1 Эмиттер Эмиттер предназначен для отвода тока.
    Контакт # 2 База База управляет смещением транзистора.он используется для включения и выключения транзистора.
    Контакт # 3 Коллектор Коллектор предназначен для движения внутрь тока. Это связано с нагрузкой.
    Чтобы не видеть схему распиновки.
  • Это основные особенности S8550.
  • Имеется в каскаде ТО-92.
  • Это двухтактный усилитель класса B.
  • Это транзистор PNP.
  • Крайняя оценка тока коллектора -0.7А или -700мА.
  • Имеет предельное напряжение эмиттер-коллектор (В CE ) -20В.
  • Его напряжение эмиттер-база (VBE) -5V.
  • Значение напряжения Vcb составляет -40 В.
  • Рассеиваемая мощность его коллектора составляет один ватт.
  • Величина усиления по току (h FE ) 40 К 400.
  • Это экстремальное хранение, рабочая температура от -65 до +150 C.

Работа S8550

  • Теперь обсудим его работу.
  • Как указано в заголовке выше, транзистор S8550 обычно используется в двухтактной схеме с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это работает.
  • Двухтактный усилитель, обычно относящийся к классу B, относится к категории многокаскадных усилителей, которые используются для усиления звука мегафонов.
  • Его очень легко собрать, и для него нужны два неотличимых транзистора.
  • Восхищение означает, что нам нужен транзистор NPN и соответствующий ему транзистор PNP.Теперь NPN-транзистор — S8050, а соответствующий ему PNP-транзистор — S8550.
  • Принципиальная схема усилителя класса B с S8550 нанесена ударом.

Применение S8550

  • Он используется в схемах усиления звука.
  • Это усилитель класса B.
  • Это двухтактный транзистор.
  • Используется в таких схемах, где требуется высокий ток.
  • Используется в меньшем количестве сигналов.
  • Потребляет ток нагрузки ниже -700 мА.
  • Используется в различных схемах как переключатель.
  • Усиливает сигналы с низким усилением до высокого усиления.
Итак, все было про S8550, если у вас есть вопросы по нему, задавайте их в комментариях. Я проведу вас всесторонне. Будьте осторожны до следующего урока. Спасибо за прочтение.

br + 8550 + npn + техническое описание транзистора и примечания по применению

BR 8550

Аннотация: BR 8550 NPN транзистор st8550d BR 8550 D st 8550d 8550 NPN транзистор PNP транзистор 8550 BR 8550 транзистор st 8550 br 8550 c
Текст: ST 8550 Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителя, / 2002 Характеристики ST 8550 при Tamb = 25 OC Символ Мин.Тип. Максимум. Агрегат ST 8550B, / 2002 ST 8550 Допустимая рассеиваемая мощность в зависимости от температуры окружающей среды Ток коллектора в зависимости от корпуса, мм, Вт 1 мА 3 10 ST 8550 ST 8550 25 oC 5 o -50 C 2 0,8 10 2, ST 8550 2 2 -ICES 2 10 3 10 0,5 5 5 0,2 2 2 0,1 10 2
Оригинал		 PDF 20 МГц BR 8550 br 8550 NPN транзистор st8550d BR 8550 D ул 8550д 8550 NPN транзистор Транзистор PNP 8550 Транзистор BR 8550 ул 8550 br 8550 c
BR 8550

Аннотация: Транзистор br 8550 NPN st 8550d st8550d BR 8550 D ST 8550 транзистор PNP 8550 транзистор 8550 st8550c 8550 транзистор pnp
Текст: ST 8550 Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителей, код: 724) R Дата: 12.07.2002 Характеристики ST 8550 при Tamb = 25 OC Символ Мин.Typ, Stock Exchange, Stock Code: 724) R Дата: 12.07.2002 ST 8550 Допустимая рассеиваемая мощность, выдерживается при температуре окружающей среды на расстоянии 2 мм от корпуса W 1 mA 3 10 ST 8550 ST 8550 o 25 C 5 o -50 C 2 0,8 10 2 o 150 C 5 Ptot -IC 0,6
Оригинал		 PDF 20 МГц BR 8550 br 8550 NPN транзистор ул 8550д st8550d BR 8550 D ST 8550 Транзистор PNP 8550 8550 транзистор st8550c 8550 pnp транзистор
BR 8550

Аннотация: br 8550 NPN транзистор BR 8550 D st8550d s 8550 d PNP транзистор 8550 s 8550 транзисторы PNP 8550 br 8550 c NPN транзистор 8550
Текст: ST 8550 Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителя, код: 724) Дата: 12.07.2002 Характеристики ST 8550 при Tamb = 25 OC Символ Мин.Typ, Kong Stock Exchange, биржевой код: 724) Дата: 12.07.2002 ST 8550 Допустимая рассеиваемая мощность при температуре окружающей среды на расстоянии 2 мм от корпуса W 1 мА 3 10 ST 8550 ST 8550 25 oC 5 o -50 C 2 0,8 10 2 o 150 C 5 Pобщ. -IC 0,6
Оригинал		 PDF 20 МГц BR 8550 br 8550 NPN транзистор BR 8550 D st8550d с 8550 г Транзистор PNP 8550 s 8550 транзисторы PNP 8550 br 8550 c NPN транзистор 8550
st8550d

Аннотация: BR 8550 NPN транзистор BR 8550 BR 8550 D st8550c st 8550d PNP транзистор 8550 8550 NPN транзистор BR 8550 транзистор 8550b
Текст: ST 8550 Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителя, / 2002 Характеристики ST 8550 при Tamb = 25 OC Символ Мин.Тип. Максимум. Агрегат ST 8550B,: 07/12/2002 ST 8550 Допустимая рассеиваемая мощность в зависимости от температуры окружающей среды Ток коллектора, 2 мм от корпуса W 1 мА 3 10 ST 8550 ST 8550 25 oC 5 o -50 C 2 0,8, ST 8550 2 2 — ICES 2 10 0,5 5 3 10 5 0,2 2 2 0,1 10 2
Оригинал		 PDF 20 МГц st8550d br 8550 NPN транзистор BR 8550 BR 8550 D st8550c ул 8550д Транзистор PNP 8550 8550 NPN транзистор Транзистор BR 8550 8550b
BR 8550

Аннотация: br 8550 NPN транзистор 8550 NPN транзистор 8550 SOT-23 MMBT8550C 8550 sot-23 pnp 8550 MMBT8050D st8550 MMBT8050C
Текст: мм на корпусе W 1 мА 3 10 ST 8550 ST 8550 25 oC 5 o -50 C 2 0.8 10 2, 4 10 ST 8550 ST 8550 5 5 2 2 -ICES 2 10 rthA 5 0,5 5 2 0,2, характеристики коллектора эмиттера мА 500 ST 8550 1000 ST 8550 0,9 -В CE = 1 В 0,85 700, характеристики коллектора мА 500 мА 100 ST 8550 3,2 2 В ST 8550 2,8 0,35 2,4 80, отношение напряжения к току коллектора В 0,5 ST 8550 МГц 10 3 типичное ограничение при
Оригинал		 PDF MMBT8550C MMBT8550D MMBT8050C MMBT8050D ОТ-23 20 МГц BR 8550 br 8550 NPN транзистор 8550 NPN транзистор 8550 СОТ-23 8550 сот-23 пнп 8550 st8550
BR 8550

Аннотация: 8550 сот-23 8550 сот-23 pnp br 8550 NPN транзистор MMBT8550D MMBT8050D ST MMBT8550C 8550 NPN транзистор 8550 транзистор 8550 SOT-23 ПАКЕТ
Текст: мм на корпусе W 1 мА 3 10 ST 8550 ST 8550 25 oC 5 o -50 C 2 0.8 10 2, 4 10 ST 8550 ST 8550 5 5 2 -ICES 2 2 10 rthA 5 0,5 5 2 0,2, Характеристики коллектора с общим эмиттером мА 500 ST 8550 1000 0,9 -V CE = 1 В 700500400 0,85 400 o 150 C 300 ч FE ST 8550 200 b Tam oC = 25 300 -IC, m on em itter Характеристики коллектора мА 500 мА 100 ST 8550 3,2 2 В ST 8550
Оригинал		 PDF MMBT8550C MMBT8550D MMBT8050C MMBT8050D ОТ-23 20 МГц BR 8550 8550 сот-23 8550 сот-23 пнп br 8550 NPN транзистор MMBT8550D MMBT8050D ST 8550 NPN транзистор 8550 ТРАНЗИСТОР 8550 СОТ-23 ПАКЕТ
br 8550 NPN транзистор

Аннотация: BR 8550 BR 8550 D 8550 NPN транзистор br 8550 c BR 8550 транзистор br 8550 c NPN транзистор c 8550 транзистор h 8550 pnp транзистор 8550 pnp №
Текст: • »¿Кремниевый экспитаксиальный планарный транзистор HN 8550 PNP для применения в коммутации и усилителях, HQNEV TECHNOLOGY LTD.) HN 8550 Характеристики при Tокр. = 25 ° C Обозначение Мин. Тип. Максимум. Подразделение, HQNEV TECHNOLOGY LTD. ) SO 9 0 0 2 HN 8550 Вт Допустимая рассеиваемая мощность в зависимости от температуры окружающей среды Действительно при условии, что провода находятся при температуре окружающей среды на расстоянии 2 мм от корпуса HN 8550, ° 8550/25 ° C
Сканирование OCR		 PDF 103 мА br 8550 NPN транзистор BR 8550 BR 8550 D 8550 NPN транзистор br 8550 c Транзистор BR 8550 br 8550 c NPN транзистор c 8550 транзистор h 8550 pnp транзистор 8550 пнп
BR 8550

Аннотация: транзистор PNP 8550 BR 8550 ic ic 8550 ST 8550 PNP 8550 h 8550 транзистор pnp c транзистор 8550 8550 транзистор pnp 8550
Текст: характеристики эмиттерного коллектора в зависимости от усиления постоянного тока от тока коллектора мА 500 ST 8550 1000 ST 8550 0.9 0,85 -V CE = 1V 700400500400150 oC 300200 h FE, характеристики mA 500 Характеристики коллектора с общим эмиттером mA 100 ST 8550 3,2 2V ST 8550 2,8 0,35 2,4 400 80 2 0,3 1,8 1,6 -I C 300 1,4 -IC 0,25
Оригинал		 PDF MMBT8550W MMBT8550CW MMBT8550DW BR 8550 Транзистор PNP 8550 BR 8550 ic ic 8550 ST 8550 PNP 8550 h 8550 pnp транзистор c 8550 транзистор 8550 pnp транзистор 8550
BR 8550

Аннотация: Транзистор 8550 8550 транзистор pnp общий коллектор PNP br 8550 c BR 8550 транзистор 8550 8550 pnp BR 8550 ic
Текст: характеристики коллектора в зависимости от усиления постоянного тока от тока коллектора мА 500 ST 8550 1000 ST 8550 0.9 0,85 -V CE = 1V 700400500400150 oC 300200 h FE Tam b, характеристики mA 500 Характеристики коллектора с общим эмиттером mA 100 ST 8550 3,2 2V ST 8550 2,8 0,35 2,4 400 80 2 0,3 1,8 1,6 -IC 300 1,4 -IC 0,25
Оригинал		 PDF MMBT8550W MMBT8550CW MMBT8550DW BR 8550 8550 транзистор 8550 pnp транзистор общий коллектор ПНП br 8550 c Транзистор BR 8550 8550 8550 пнп BR 8550 ic
8550Д транзистор

Аннотация: 8550C br 8550 NPN транзистор BR 8550 D 8550D BR 8550 BR 8550D BR 8050 BR 8050 D st 8550
Текст: СТ 8550 (1.5A) Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителя. Особенно подходит для каскадов драйвера AF и выходных каскадов малой мощности. Транзистор подразделяется на две группы, C и D, в зависимости от коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется использовать NPN-транзистор ST 8050. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с другим выводом, Гонконгская фондовая биржа, биржевой код: 724) ® Дата: 07/12/2002 ST 8550 (1,5 А
Оригинал		 PDF 100 мА 800 мА 800 мА, 8550D транзистор 8550C br 8550 NPN транзистор BR 8550 D 8550D BR 8550 BR 8550D BR 8050 BR 8050 D ул 8550
BR 8550 D

Аннотация: 8550D 8550c 8550D транзистор BR 8550D br 8550 NPN транзистор 8550 pnp 8550 NPN транзистор 8550d BR 8050
Текст: СТ 8550 (1.5A) Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителя. Особенно подходит для каскадов драйвера AF и выходных каскадов малой мощности. Транзистор подразделяется на две группы, C и D, в зависимости от коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется использовать NPN-транзистор ST 8050. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с другим выводом, Гонконгская фондовая биржа, биржевой код: 724) R Дата: 07/12/2002 ST 8550 (1,5 А) Характеристики
Оригинал		 PDF 100 мА 800 мА 800 мА, BR 8550 D 8550D 8550c 8550D транзистор BR 8550D br 8550 NPN транзистор 8550 пнп 8550 NPN транзистор он 8550d BR 8050
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Крепление 5.00150,00 Биполярный 5 0,00 0,00 0,00 0,00 85,50 1000 0 85,50 90,00 110,00 1,00 144,00 7,00
Оригинал		 PDF 1KSMBJ100CA 10×1000Â 10×160Â 10×1000
BR 8550D

Аннотация: Транзистор 8550D 8550C транзистор 8550D 8550D br 8550c Транзистор NPN 8550D PNP br 8550 Транзистор NPN транзистор 8550d BR 8050
Текст: ST 8550 (1,5 A) Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителя.Особенно подходит для каскадов драйвера AF и выходных каскадов малой мощности. Транзистор подразделяется на две группы, C и D, в зависимости от коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется использовать NPN-транзистор ST 8050. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с различными выводами, ST 8550 (1,5 A) Характеристики при Tamb = 25 OC Символ Мин. Тип. Максимум. Агрегат hFE 45
Оригинал		 PDF 100 мА 800 мА 800 мА, BR 8550D 8550D транзистор 8550C транзистор 8550D 8550D br 8550c NPN транзистор транзистор 8550Д ПНП br 8550 NPN транзистор Транзистор NPN 8550d BR 8050
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Крепление 5.00150,00 Униполярный 5 0,00 0,00 0,00 0,00 85,50 400 0 85,50 95,00 105,00 1,00 137,00 3,00
Оригинал		 PDF P4SMA100A 10×1000Â 10×160Â 10×1000
BR 8550D

Аннотация: Транзистор 8550D 8550c st 8550d 8550d BR 8550 he 8550d транзистор 8550D транзистор 8550D PNP транзистор 8550
Текст: ST 8550 (1,5 A) Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителя.Особенно подходит для каскадов драйвера AF и выходных каскадов малой мощности. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с различной конфигурацией выводов. 1. Излучатель 2. Основание 3. Коллектор ТО-92 Пластиковая упаковка Масса прибл. 019g Абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25 OC) Параметр Обозначение Значение, / 2007 ST 8550 (1.5A) SEMTECH ELECTRONICS LTD. (Дочерняя компания Sino-Tech International Holdings
Оригинал		 PDF 8550C 8550D BR 8550D 8550D транзистор 8550c ул 8550д 8550d BR 8550 он 8550d транзистор 8550D транзистор 8550Д ПНП транзистор 8550
BR 8550

Абстракция: br 8550 c
Текст: 175.00 Биполярный 5 0,00 0,00 0,00 0,00 85,50 400 0 85,50 95,00 105,00 1,00 137,00 3,00 Литтельфуз
Оригинал		 PDF P4KE100CA 10×1000Â 10×160Â 10×1000 BR 8550 br 8550 c
8550Д транзистор

Аннотация: BR 8550D BR 8050 BR 8550 D 8550D 8550c st 8550d транзисторы 8050 d npn 8050 s 8550 транзисторы
Текст: ST 8550 (1,5 A) Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителя.Особенно подходит для каскадов драйвера AF и выходных каскадов малой мощности. Транзистор подразделяется на две группы, C и D, в зависимости от коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется использовать NPN-транзистор ST 8050. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с различными выводами, ST 8550 (1,5 A) Характеристики при Tamb = 25 OC Символ Мин. Тип. Максимум. Агрегат hFE 45
Оригинал		 PDF 100 мА 800 мА 800 мА, 8550D транзистор BR 8550D BR 8050 BR 8550 D 8550D 8550c ул 8550д транзистор 8050 d npn 8050 s 8550 транзисторы
8550c

Аннотация: Транзистор BR 8550D 8550D BR 8550 Транзистор NPN 8550D Транзистор 8550D Транзистор 8550D PNP br 8550c Транзистор NPN BR 8550 BR 8550 D
Текст: ST 8550 (2A) Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителя.Особенно подходит для каскадов драйвера AF и выходных каскадов малой мощности. Транзистор подразделяется на две группы, C и D, в зависимости от коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется использовать NPN-транзистор ST 8050. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с другим выводом, Гонконгская фондовая биржа, биржевой код: 724) ® Дата: 01.05.2005 ST 8550 (2A
Оригинал		 PDF 100 мА 8550c BR 8550D 8550D транзистор br 8550 NPN транзистор 8550D транзистор 8550D транзистор 8550Д ПНП br 8550c NPN транзистор BR 8550 BR 8550 D
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 175.00 Униполярный 5 0,00 0,00 0,00 0,00 85,50 400 0 85,50 95,00 105,00 1,00 137,00 3,00 Литтельфуз
Оригинал		 PDF P4KE100A 10×1000Â 10×160Â 10×1000
BR 8550D

Аннотация: 8550C 8550D транзистор br 8550 NPN транзистор 8550D транзистор 8550D PNP 8550 NPN транзистор 8550D br 8550c NPN транзистор BR 8550 D
Текст: ST 8550 (2A) Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор PNP для коммутации и усилителя.Особенно подходит для каскадов драйвера AF и выходных каскадов малой мощности. Транзистор подразделяется на две группы, C и D, в зависимости от коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется использовать NPN-транзистор ST 8050. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с другим выводом, Гонконгская фондовая биржа, биржевой код: 724) R Дата: 01.05.2005 ST 8550 (2A) Характеристики
Оригинал		 PDF 100 мА BR 8550D 8550C 8550D транзистор br 8550 NPN транзистор 8550D транзистор 8550Д ПНП 8550 NPN транзистор транзистор 8550D br 8550c NPN транзистор BR 8550 D
P6KE-100CA

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Сквозное отверстие 5.00 175,00 Биполярный 5 0,00 0,00 0,00 0,00 85,50 600 46 85,50 65,00 105,00 1,00 137,00 4,50
Оригинал		 PDF P6KE100CA 10×1000 10×1000Â 10×160Â P6KE-100CA
BR 8550

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 0,00 3,50 0,00 85,50 600 67 85,50 95,00 105,00 1,00 137,00 4,50 Littelfuse
Оригинал		 PDF P6SMBJ100A / sub0x160Â 10×1000 10×1000Â 10×160Â BR 8550
1997 — транзистор bc 104 npn

Аннотация: TRANSISTOR BC 6 pnp
Текст: BC 846PN NPN / PNP Кремниевый массив AF-транзисторов Предварительные данные · Для входных каскадов AF и применения драйверов · Высокое усиление по току · Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер · Два (гальванических) внутренних изолированных NPN / PNP-транзистора в одном корпусе Ориентация нагрузки на ленту Конфигурация контактов NPN-транзистор 1 = E 2 = B 6 = C PNP-транзистор 4 = E 5 = B 3 = C Тип Маркировка Код заказа Пакет BC 846PN 1Os Q62702- SOT-363 Максимальные характеристики Параметр Обозначение Значения Единица
Оригинал		 PDF 846ПН Q62702- ОТ-363 27 ноября 1996 г. bc 104 npn транзистор ТРАНЗИСТОР BC 6 pnp
1998 — 1пс сот

Реферат: bc 104 npn транзистор BC847PN1Ps Q62702-C2374 «два транзистора» sot-363 pnp npn 4E SOT-363
Текст: BC 847PN NPN / PNP Кремниевый массив транзисторов AF · Для входных каскадов AF и приложений драйвера · Высокое усиление по току · Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер · Два (гальванических) внутренних изолированных NPN / PNP-транзистора в одном корпусе Ориентация нагрузки на ленту Конфигурация контактов Тип Обозначение Код заказа Упаковка Транзистор NPN 1 = E 2 = B 6 = C BC 847PN 1Ps SOT-363 4 = E 5 = B 3 = C Q62702-C2374 PNP-транзистор Максимальные характеристики Параметр Обозначение Значение Единица
Оригинал		 PDF 847ПН ОТ-363 Q62702-C2374 12 мая-1998 г. 1ps сот bc 104 npn транзистор BC847PN1Ps Q62702-C2374 «Два ТРАНЗИСТОРА» сот-363 пнп нпн 4Э СОТ-363
1997 — транзистор bc 104 npn

Реферат: нптранзистор Q62702-C2374 4E SOT-363 TRANSISTOR BC 90 847PN 1Ps КОД МАРКИРОВКИ ТРАНЗИСТОРА BC 650 c
Текст: BC 847PN NPN / PNP Кремниевый массив транзисторов AF · Для входных каскадов AF и приложений драйверов · Высокое усиление по току · Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер · Два (гальванических) внутренних изолированных NPN / PNP-транзистора в одном корпусе Ориентация нагрузки на ленту Конфигурация контактов NPN-транзистор 1 = E 2 = B 6 = C PNP-транзистор 4 = E 5 = B 3 = C Тип Маркировка Код заказа Упаковка BC 847PN 1Ps Q62702-C2374 Максимальные характеристики SOT-363 Параметр Обозначение Значения Единица
Оригинал		 PDF 847ПН Q62702-C2374 ОТ-363 20 января 1997 г. bc 104 npn транзистор нптранзистор Q62702-C2374 4Э СОТ-363 ТРАНЗИСТОР BC 90 847ПН КОД МАРКИРОВКИ 1Ps ТРАНЗИСТОР BC 650 c

Транзистор S8050 NPN: применение, характеристика, вывод

S8050 — это маломощная силиконовая трубка NPN с максимальным напряжением коллектор-база (Vcbo) 40 В и током коллектора (Ic) 0.5А.

S8050 — одна из наиболее часто используемых моделей полупроводниковых транзисторов в схемотехнике.

  • Имя: S8050
  • Тип: NPN
  • Рассеиваемая мощность: 0,625 Вт (SMD: 0,3 Вт)
  • Ток коллектора: 0,5A
  • Базовое напряжение: 40 В

Каталог

S8050 Распиновка

Номер контакта

Имя контакта

Условное обозначение

Описание

1

Излучатель

E

Ток утечки через эмиттер

2

База

B

Управляет смещением транзистора

3

Коллектор

С

Ток протекает через коллектор

S8050 Приложение

  • Цепи усиления звука
  • Усилители класса B
  • Двухтактные транзисторы
  • Схемы, где требуется высокий коэффициент усиления
  • Приложения с низким уровнем сигнала

Характеристики S8050

  • Низковольтный, сильноточный NPN-транзистор
  • Транзистор малой мощности
  • Максимальная мощность: 2 Вт
  • Максимальное усиление постоянного тока (hFE) составляет 400
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 700 мА
  • Напряжение базового эмиттера (VBE) составляет 5 В
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 20 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB) 30 В
  • High Используется в двухтактных усилителях класса B
  • Доступен в пакете To-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных S8050 в конце этой страницы.

S8050 Преимущество

S8050 npn транзистор

S8050 — это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (обратное смещение), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (прямое смещение), когда сигнал подается на базовый вывод. Максимальное значение усиления — 400; это значение определяет усилительную способность транзистора обычно S8050. Поскольку он очень высокий, его обычно используют для усиления.Однако при нормальном рабочем токе коллектора типичное значение усиления будет 110. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 700 мА, следовательно, мы не можем управлять нагрузками, потребляющими более 700 мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен до 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум 700 мА через коллектор и эмиттер. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно.Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки.

S8050 Альтернативы

2N3904, 2N3906, 2N2369, 2N3055, S9014, MPSA42, SS8050, BC547

S8050 Эквиваленты

2N5830, S9013

S8050 Схема

Это видео, представляющее стереоусилитель на транзисторах S8050 и S8550.

Где и как использовать S8050

Транзистор S8050 — это транзистор общего назначения, это идеальный транзистор для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах.Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных схемах для включения нагрузок до 700 мА. 700 мА достаточно для работы с различными нагрузками, например реле, светодиодами, лампочками и т. Д. Его также можно использовать в качестве усилителя в небольших каскадах усиления или как отдельный усилитель небольшого сигнала.

Как безопасно и долго запускать S8050 в цепи

Чтобы безопасно запустить транзистор S8050 в вашей схеме или электронных проектах, не используйте этот транзистор при напряжении выше 20 В и не используйте нагрузку более 700 мА или 0.7А. Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит базовый ток до требуемого уровня. Не подвергайте его воздействию тепла выше 150 по Цельсию и ниже -60 по Цельсию.

SS8550 Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP

1 SS8550 . SS8550 . Выходной усилитель мощностью 2 Вт для портативных радиостанций в двухтактном режиме работы класса B. Бесплатно для SS8050. Ток коллектора: IC = Рассеиваемая мощность коллектора: PC = 2 Вт (TC = 25 C). 1 ТО-92. 1. Эмиттер 2. База 3. Коллектор PNP Эпитаксиальный Кремний Транзистор Абсолютные максимальные характеристики Ta = 25 C, если не указано иное Символ Параметр Номинальные значения Единицы VCBO Коллектор-база Напряжение -40 В.Напряжение коллектор-эмиттер VCEO -25 В. Напряжение эмиттер-база VEBO -6 В. Ток коллектора IC A. Рассеиваемая мощность коллектора ПК 1 Вт. Температура перехода TJ 150 C. Температура хранения TSTG -65 ~ 150 C. Электрические характеристики Ta = 25 C, если не указано иное Символ Параметр Условия проверки Мин.

2 Тип. Максимум. Блоки BVCBO Напряжение пробоя коллектор-база IC = -100 A, IE = 0-40 В. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер BVCEO IC = -2 мА, IB = 0-25 В. Напряжение пробоя эмиттер-база BVEBO IE = -100 A, IC = 0-6 В.Ток отключения коллектора ICBO VCB = -35V, IE = 0-100 нА. Ток отсечки эмиттера IEBO VEB = -6V, IC = 0-100 нА. Коэффициент усиления постоянного тока hFE1 VCE = -1 В, IC = -5 мА 45 170. hFE2 VCE = -1 В, IC = -100 мА 85 160 300. hFE3 VCE = -1 В, IC = -800 мА 40 80. VCE (sat) Коллектор-эмиттер Напряжение насыщения IC = -800 мА, IB = -80 мА В. VBE (насыщ.) Напряжение насыщения база-эмиттер IC = -800 мА, IB = -80 мА В. VBE (включено) Напряжение базы-эмиттер под напряжением VCE = -1 В, IC = — 10 мА В. Выходная емкость Cob VCB = -10 В, IE = 0 15 пФ.

3 F = 1 МГц fT Произведение на коэффициент усиления по току VCE = -10 В, IC = -50 мА 100 200 МГц hFEC Классификация Классификация B C D.hFE2 85 ~ 160 120 ~ 200 160 ~ 300. 2002 Fairchild Semiconductor Corporation Ред. A2, ноябрь 2002 г. SS8550 . Типовые характеристики 1000. VCE = -1V. IB = IC [мА], ТОК КОЛЛЕКТОРА. IB = hFE, УСИЛЕНИЕ ПО ТОКУ ПОСТОЯННОГО ТОКА. IB = 100. IB = IB = IB = 10. IB = IB = 1. -1-10 -100 -1000. VCE [В], НАПРЯЖЕНИЕ КОЛЛЕКТОРА-ЭМИТТЕРА IC [мА], ТОК КОЛЛЕКТОРА. Рисунок 1. Статическая характеристика Рисунок 2. Коэффициент усиления постоянного тока -10000 -100. VBE (сб.), VCE (сб.) [В], НАПРЯЖЕНИЕ НАСЫЩЕНИЯ. IC = 10IB VCE = -1 В. IC [мА], ТОК КОЛЛЕКТОРА. -1000 -10.VBE (сб). -100 -1. VCE (сб). -10 -1 -10 -100 -1000 IC [мА], ТОК КОЛЛЕКТОРА VBE [В], НАПРЯЖЕНИЕ БАЗОВОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ.

4 Рис. 3. Напряжение насыщения база-эмиттер Рис. 4. Напряжение насыщения база-эмиттер при включенном напряжении коллектор-эмиттер fT [МГц], ПРОДУКТ ДЛЯ УСИЛЕНИЯ ПОЛОСЫ ТОКА. 100 1000. f = 1 МГц VCE = -10V. IE = 0. Cob [пФ], ЕМКОСТЬ. 10 100. 1 10. -1 -10-100 -1000 -1-10-100 -1000. VCB [В], ИС НАПРЯЖЕНИЯ БАЗЫ КОЛЛЕКТОРА [мА], ТОК КОЛЛЕКТОРА. Рисунок 5. Выходная емкость коллектора Рисунок 6. Продукт с полосой пропускания с коэффициентом усиления по току 2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev.A2, ноябрь 2002 г. SS8550 . Габариты упаковки ТО-92. + + [] []. (). + (). Размеры в миллиметрах 2002 Fairchild Semiconductor Corporation Ред. A2, ноябрь 2002 г. ТОВАРНЫЕ ЗНАКИ. Ниже перечислены зарегистрированные и незарегистрированные товарные знаки, которые Fairchild Semiconductor принадлежит или имеет право использовать, и не претендует на то, чтобы быть исчерпывающим списком всех таких товарных знаков.

5 Подразумевается ACEx FACT Отключите PACMAN SPM. ActiveArray FACT Quiet серии ISOPLANAR POP Stealth. Бездонный FAST LittleFET Power247 SuperSOT -3.CoolFET FASTr MicroFET PowerTrench SuperSOT -6. CROSSVOLT FRFET MicroPak QFET SuperSOT -8. КУПОЛЬНЫЙ GlobalOptoisolator MICROWIRE QS SyncFET. EcoSPARK GTO MSX QT Оптоэлектроника TinyLogic. E2 CMOS HiSeC MSXPro Тихая серия TruTranslation. EnSigna I2C OCX RapidConfigure UHC. Пересечь границу. Вокруг света. OCXPro RapidConnect UltraFET. Power Franchise ОПТОЛОГИЧЕСКИЙ БЕСШУМНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ VCX. Программируемый активный сброс OPTOPLANAR SMART START. ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR оставляет за собой право вносить изменения без дальнейшего уведомления кого бы то ни было.

ЗДЕСЬ 6 ПРОДУКТОВ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ, ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ИЛИ ДИЗАЙНА. FAIRCHILD НИКАКОГО НЕ ПРИНИМАЕТ. ОТВЕТСТВЕННОСТЬ, ВОЗНИКАЮЩАЯ ИЗ ПРИМЕНЕНИЯ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЛЮБОГО ПРОДУКТА ИЛИ ЦЕПИ, ОПИСАННЫХ ЗДЕСЬ ;. ОН НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ НА СВОИ ПАТЕНТНЫЕ ПРАВА, ИЛИ ИНЫЕ ПРАВА. ПОЛИТИКА ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЖИЗНИ. ПРОДУКТЫ FAIRCHILD НЕ РАЗРЕШЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ ОСНОВНЫХ КОМПОНЕНТОВ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЖИЗНИ. УСТРОЙСТВА ИЛИ СИСТЕМЫ БЕЗ ЯВНОГО ПИСЬМЕННОГО УТВЕРЖДЕНИЯ ДОЛГОСРОЧНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА. КОРПОРАЦИЯ. Как здесь используется: 1.Устройства или системы жизнеобеспечения — это устройства или системы 2. Критическим компонентом является любой компонент жизнеобеспечения, который: (а) предназначен для хирургической имплантации в тело, устройство или систему, неработоспособность которых может быть или (б) поддержкой или поддерживать жизнь, или (c) отказ которой, как ожидается, приведет к отказу системы жизнеобеспечения при правильном использовании в соответствии с инструкциями по использованию устройства или системы или повлияет на их безопасность или эффективность.

7 Указанное на этикетке может привести к серьезным травмам пользователя.ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТАТУСА ПРОДУКТА. Определение терминов Идентификация в таблице данных Определение статуса продукта Предварительная информация Формирующая или в этой таблице данных содержит проектные спецификации для разработки продукта Design. Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. Предварительная первая добыча Эта таблица содержит предварительные данные, дополнительные данные будут опубликованы позже. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции.Идентификация не требуется Полное производство В этом техническом описании содержатся окончательные спецификации.

8 Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции. Устаревшее, не выпускаемое в производстве В этом техническом описании содержатся спецификации продукта, производство которого прекращено Fairchild Semiconductor. Таблица данных печатается только для справочной информации. 2002 Fairchild Semiconductor Corporation Ред. I1.

% PDF-1.4 % 23 0 объект > эндобдж xref 23 92 0000000016 00000 н. 0000002565 00000 н. 0000002646 00000 н. 0000002832 00000 н. 0000003694 00000 н. 0000003977 00000 н. 0000004211 00000 н. 0000004800 00000 н. 0000005084 00000 н. 0000005213 00000 н. 0000005702 00000 н. 0000005737 00000 н. 0000005972 00000 н. 0000006218 00000 н. 0000006457 00000 н. 0000006685 00000 н. 0000006762 00000 н. 0000007048 00000 н. 0000008198 00000 н. 0000009184 00000 п. 0000009535 00000 н. 0000009658 00000 п. 0000009892 00000 н. 0000010983 00000 п. 0000012156 00000 п. 0000012844 00000 п. 0000013792 00000 п. 0000014525 00000 п. 0000015325 00000 п. 0000018018 00000 п. 0000045472 00000 п. 0000048767 00000 п. 0000049007 00000 п. 0000049222 00000 п. 0000066066 00000 п. 0000066302 00000 п. 0000066504 00000 п. 0000066727 00000 п. 0000067028 00000 п. 0000067310 00000 п. 0000067649 00000 н. 0000068060 00000 п. 0000068809 00000 п. 0000069236 00000 п. 0000069631 00000 п. 0000069939 00000 н. 0000070137 00000 п. 0000070874 00000 п. 0000071126 00000 п. 0000071759 00000 п. 0000072207 00000 п. 0000072703 00000 п. 0000073131 00000 п. 0000073791 00000 п. 0000074164 00000 п. 0000074662 00000 п. 0000075494 00000 п. 0000075899 00000 п. 0000076940 00000 п. 0000077379 00000 п.

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *