Транзистор 8550 характеристики – S8550 , , datasheet, , ,

S8550 транзистор характеристики и его российские аналоги

 

Биполярный транзистор S8550 как говорят его характеристики является p-n-p структуры. Это означает что коллектор и эмиттер останутся открытыми (смещенными в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещенными в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал.

Распиновка

Цоколевка S8550 корпуса To-92 выглядит следующим образом:

1. Эмиттер — ток вытекает через излучатель, нормально подключенный к земле;
2. База — управляет смещением транзистора, используется для его включения или выключения;
3. Коллектор — ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке.

Основные характеристики

• Низкое напряжение, большой ток;
• Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА;
• Напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) составляет -25 В;
• Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет -40В;
• Напряжение базы эмиттера (VBE0)  -5В;
• Текущее усиление (hFE) от 85 до 300
• Обычно используется в качестве двухтактных транзисторов класса B;
• Корпус To-92.

Комплементарной парой для него является S8050.

Использование в двухтактной конфигурации

Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука  динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

2D модель корпуса

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.

Аналоги

Отечественный аналог транзистора S8550 найти не удалось, но чем заменить из зарубежных достаточно много:

• S8050;
• BC527;
• KSA708;
• MPS750;
• BC557;
• 2N3906;
• A1015;
• 2SA1943;
• BD140.

DataSheet

Полные технические данные про s8550 подробно можно найти в его DataSheet.

 

shematok.ru

S8550 — Биполярный транзистор(P-N-P) — DataSheet

Цоколевка транзистора s8550

Особенности

• Рассеиваемая мощность P_CM : 0.625 Вт ( Температура окружающей среды T_amb=25℃)
• Ток коллектора I_CM : 0.5 А
• Напряжение коллектор-база V_(BR)CBO : 40 В

 

Электрические характеристики (T_amb=25℃, если не указано иное)

Параметр	Обозначение	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
Максимально допустимое напряжение коллектор-база	V(BR)CBO	Ic= 100 мкА, IE=0	40			В
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер	V(BR)CEO	Ic= 100 мкА, IB=0	25			В
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база	V(BR)EBO	IE= 100 мкА, IC=0	5			В
Обратный ток коллектора	ICBO	VCB= 40 В , IE=0			0.1	мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер	ICEO	VCE= 20 В , IB=0			0.2	мкА
Обратный ток эмиттера	IEBO	VEB= 3 В， IC=0			0.1	мкА
Коэффициент усиления по току	HFE（1）	VCE= 1 В, IC= 50 мА	85		300
	HFE（1）	VCE= 1 В, IC= 500 мА	50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE(sat)	IC= 500 мА, IB= 50 мА			0.6	В
Напряжение насыщения база-эмиттер	VBE(sat)	IC= 500 мА, IB= 50 мА			1.2	В
Напряжение база-эмиттер	VBE	IE= 100 мА			1.4	В
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	fT	VCE= 6 В, IC= 20 мА, f = 30 мГц	150			мГц

 

Классификация по H_FE（1）

Класс	B	C	D
Диапазон	85-160	120-200	160-300

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Характеристики транзистора SS8550, аналоги, DataSheet

 

Характеристики кремниевого биполярного транзистора SS8550 указанные в его DataSheet говорят о том, что он является p-n-p структуры и используется в системах общего назначения коммутации и усиления. Выпускается в пластиковом TO-92 корпусе. Отличительной особенностью является использование высокого тока и низкого напряжения.

Параметры

Ниже представлены предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации:

• Напряжение коллектор-база — Uкб max «-40 В»;
• Напpяжение коллектоp-эмиттеp — Uкэ max «-25 В»;
• Напряжение эмиттер-база — Uэб max «-6 В»;
• Постоянный ток коллектора — Iк max «-1.5 A»;
• Рассеиваемая мощность коллектора — Pк max «1»;
• Температура перехода — Тj «150 ˚C»;
• Диапазон рабочих температур — Tamb «-65 дo 150 ˚C»;
• Диапазон температур хранения — Tstg «-65 дo 150 ˚C».

Теперь рассмотрим эл. характеристики при Токр. среды = 25 ˚C:

Цоколевка

Распиновка по контактам выглядит следующим образом:

1. Коллектор;
2. База;
3. Эмиттер.

При пайке соблюдайте технику безопасности, не паяйте контакты вплотную к корпусу транзистора.

Классификация по h_FE

Также стоит учесть что транзисторы данной серии можно разделить на 3 группы по коэффициенту усиления:

• SS8550D — диапазон усиления от 160 до 300;
• SS8550B — от 85 до 160;
• SS8550C  — 120 — 200.

Комплементарной парой для него является SS8050 c  n-p-n проводимостью.

Аналоги и DataSheet

SS8550 не уникальный по своим характеристикам и имеет свои аналоги:

• MPS8550;
• MPS750;
• MPS751;
• MPS751G.

Здесь вы можете скачать его DataDheet.

 

shematok.ru

C8550 транзистор (8550 PNP 000A80 0035V TO-92 KTC8550 KEC)

1. Продукция
2. Транзисторы
3. 2SC… KSC…

Производитель: KEC

Код товара: Т0000009981

Маркировка: C8550

Количество приборов:

Параметры

Наименование	Значение	Единица измерения	Режим изменения
Проводимость	PNP
Функциональное назначение выводов	1=E 2=B 3=С
Напряжение коллектор-эмиттер	-30	Vdc	@25*C@Ic=100mA@Ib=0
Напряжение коллектор-база	-35	Vdc	@25*C
Напряжение эмиттер-база	-5	Vdc	@25*C
Ток коллектора max	-800	mA	@25*C(peak)
Обратный ток коллектора	-50	nA	@Vcb=-15V@Ie=0
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ	100…300		@Iс=-50mA@Vce=-1V
Граничная частота	120	MHz	@Ic=20mA@Vce=6V
Мощность рассеивания	625	mW	@25*C
Температура рабочая	-55…+150	*C

elcom.zp.ua