Каковы основные характеристики транзистора 8550. Где применяется транзистор S8550. Какие существуют аналоги транзистора 8550. Как правильно подключать транзистор S8550 в схемах.

Общие сведения о транзисторе S8550

Транзистор S8550 представляет собой биполярный PNP-транзистор общего назначения. Он широко используется в различных электронных схемах для коммутации и усиления сигналов. Рассмотрим подробнее основные характеристики и особенности этого полупроводникового прибора.

Ключевые параметры транзистора S8550

• Структура: PNP
• Максимальный ток коллектора: 500 мА
• Напряжение коллектор-эмиттер: -25 В
• Напряжение коллектор-база: -40 В
• Коэффициент усиления по току (hFE): 85-300
• Корпус: TO-92

Транзистор S8550 отличается низким рабочим напряжением и способностью пропускать относительно большие токи. Это делает его подходящим для применения в маломощных схемах, работающих от низковольтных источников питания.

Области применения транзистора S8550

Благодаря своим характеристикам, транзистор S8550 находит широкое применение в различных электронных устройствах и схемах:

• Усилители звуковой частоты
• Импульсные источники питания
• Схемы управления двигателями
• Коммутационные схемы
• Цифровые логические схемы

Одно из наиболее распространенных применений S8550 — использование в двухтактных усилителях класса B. В таких схемах он обычно работает в паре с комплементарным NPN-транзистором, например S8050.

Использование в усилителях класса B

Двухтактный усилитель класса B представляет собой эффективную схему усиления звуковых сигналов. Он состоит из двух комплементарных транзисторов, каждый из которых усиливает свою полуволну входного сигнала. S8550 в такой схеме отвечает за усиление отрицательной полуволны.

Цоколевка и подключение транзистора S8550

Правильное подключение выводов транзистора критически важно для его корректной работы. Рассмотрим цоколевку S8550 в корпусе TO-92:

1. Эмиттер (E)
2. База (B)
3. Коллектор (C)

При монтаже транзистора на печатную плату или в макетную схему важно соблюдать это расположение выводов. Неправильное подключение может привести к выходу транзистора из строя или некорректной работе всей схемы.

Особенности подключения PNP-транзистора

В отличие от NPN-транзисторов, у PNP-структур направление тока противоположное. Эмиттер обычно подключается к положительному полюсу источника питания, а коллектор — к нагрузке. База управляется отрицательным напряжением относительно эмиттера.

Аналоги транзистора S8550

При отсутствии S8550 в схеме можно использовать ряд аналогов с похожими характеристиками:

• BC557
• 2N3906
• A1015
• KSA708
• MPS750

При выборе аналога важно сравнивать ключевые параметры, такие как максимальный ток коллектора, напряжение коллектор-эмиттер и коэффициент усиления. Также следует учитывать цоколевку, которая может отличаться у разных моделей.

Сравнение S8550 с популярными аналогами

Рассмотрим, чем отличаются некоторые аналоги от S8550:

• BC557: имеет схожие характеристики, но меньший максимальный ток коллектора (100 мА)
• 2N3906: более высокое напряжение коллектор-эмиттер (-40 В), меньший ток коллектора (200 мА)
• A1015: близкий аналог с почти идентичными параметрами

Особенности работы с транзистором S8550

При использовании S8550 в электронных схемах следует учитывать некоторые важные аспекты:

• Температурная зависимость: параметры транзистора могут изменяться при нагреве, что необходимо учитывать при проектировании
• Статическое электричество: как и многие полупроводниковые приборы, S8550 чувствителен к электростатическим разрядам
• Режим насыщения: при работе в ключевом режиме важно обеспечить достаточный базовый ток для полного открытия транзистора

Соблюдение этих особенностей поможет обеспечить надежную и долговременную работу устройств с использованием S8550.

Расчет базового резистора для S8550

Правильный выбор сопротивления базового резистора критически важен для корректной работы транзистора в схеме. Для расчета можно использовать следующую формулу:

R_б = (V_cc — V_бэ) / (I_к / h_FE)

где:

• R_б — сопротивление базового резистора
• V_cc — напряжение питания
• V_бэ — падение напряжения база-эмиттер (обычно 0.7 В для кремниевых транзисторов)
• I_к — требуемый ток коллектора
• h_FE — коэффициент усиления транзистора

Тестирование и проверка работоспособности S8550

Для проверки исправности транзистора S8550 можно использовать мультиметр в режиме «прозвонки» диодов. Правильная последовательность действий:

1. Установите мультиметр в режим проверки диодов
2. Подключите черный щуп к базе транзистора
3. Поочередно касайтесь красным щупом эмиттера и коллектора
4. При исправном транзисторе оба перехода должны показать падение напряжения около 0.6-0.7 В
5. При смене полярности щупов переходы не должны проводить ток

Если результаты измерений отличаются от ожидаемых, транзистор может быть неисправен и требует замены.

Применение S8550 в современной электронике

Несмотря на появление новых типов транзисторов, S8550 продолжает широко использоваться в различных областях электроники. Рассмотрим некоторые современные применения:

• Умные домашние устройства: в схемах управления и коммутации
• Портативная электроника: в цепях заряда аккумуляторов и управления питанием
• Автомобильная электроника: в различных датчиках и системах управления
• Промышленная автоматика: в схемах управления реле и соленоидами

Популярность S8550 обусловлена его надежностью, доступностью и хорошо изученными характеристиками, что делает его отличным выбором для многих инженерных проектов.

S8550 транзистор характеристики и его российские аналоги

 

Биполярный транзистор S8550 как говорят его характеристики является p-n-p структуры. Это означает что коллектор и эмиттер останутся открытыми (смещенными в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещенными в прямом направлении), когда на базовый вывод подается сигнал.

Распиновка

Цоколевка S8550 корпуса To-92 выглядит следующим образом:

1. Эмиттер — ток вытекает через излучатель, нормально подключенный к земле;
2. База — управляет смещением транзистора, используется для его включения или выключения;
3. Коллектор — ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке.

Основные характеристики

• Низкое напряжение, большой ток;
• Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА;
• Напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) составляет -25 В;
• Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет -40В;
• Напряжение базы эмиттера (VBE0)  -5В;
• Текущее усиление (hFE) от 85 до 300
• Обычно используется в качестве двухтактных транзисторов класса B;
• Корпус To-92.

Комплементарной парой для него является S8050.

Использование в двухтактной конфигурации

Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука  динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

2D модель корпуса

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.

Аналоги

Отечественный аналог транзистора S8550 найти не удалось, но чем заменить из зарубежных достаточно много:

• S8050;
• BC527;
• KSA708;
• MPS750;
• BC557;
• 2N3906;
• A1015;
• 2SA1943;
• BD140.

DataSheet

Полные технические данные про s8550 подробно можно найти в его DataSheet.

 

shematok.ru

S8550 — Биполярный транзистор(P-N-P) — DataSheet

Цоколевка транзистора s8550

Особенности

• Рассеиваемая мощность P_CM : 0.625 Вт ( Температура окружающей среды T_amb=25℃)
• Ток коллектора I_CM : 0.5 А
• Напряжение коллектор-база V_(BR)CBO : 40 В

 

Электрические характеристики (T_amb=25℃, если не указано иное)

Параметр	Обозначение	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
Максимально допустимое напряжение коллектор-база	V(BR)CBO	Ic= 100 мкА, IE=0	40			В
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер	V (BR)CEO	Ic= 100 мкА, IB=0	25			В
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база	V(BR)EBO	IE= 100 мкА, IC=0	5			В
Обратный ток коллектора	ICBO	VCB= 40 В , IE=0			0.1	мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер	ICEO	VCE= 20 В , IB=0			0.2	мкА
Обратный ток эмиттера	IEBO	VEB= 3 В， IC=0			0.1	мкА
Коэффициент усиления по току	HFE（1）	VCE= 1 В, IC= 50 мА	85		300
	HFE（1）	V CE= 1 В, IC= 500 мА	50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE(sat)	IC= 500 мА, IB= 50 мА			0.6	В
Напряжение насыщения база-эмиттер	VBE(sat)	IC= 500 мА, IB= 50 мА			1.2	В
Напряжение база-эмиттер	VBE	IE= 100 мА			1.4	В
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	fT	VCE= 6 В, IC= 20 мА, f = 30 мГц	150			мГц

 

Классификация по H_FE（1）

Класс	B	C	D
Диапазон	85-160	120-200	160-300

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Характеристики транзистора SS8550, аналоги, DataSheet

 

Характеристики кремниевого биполярного транзистора SS8550 указанные в его DataSheet говорят о том, что он является p-n-p структуры и используется в системах общего назначения коммутации и усиления. Выпускается в пластиковом TO-92 корпусе. Отличительной особенностью является использование высокого тока и низкого напряжения.

Параметры

Ниже представлены предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации:

• Напряжение коллектор-база — Uкб max «-40 В»;
• Напpяжение коллектоp-эмиттеp — Uкэ max «-25 В»;
• Напряжение эмиттер-база — Uэб max «-6 В»;
• Постоянный ток коллектора — Iк max «-1.5 A»;
• Рассеиваемая мощность коллектора — Pк max «1»;
• Температура перехода — Тj «150 ˚C»;
• Диапазон рабочих температур — Tamb «-65 дo 150 ˚C»;
• Диапазон температур хранения — Tstg «-65 дo 150 ˚C».

Теперь рассмотрим эл. характеристики при Токр. среды = 25 ˚C:

Цоколевка

Распиновка по контактам выглядит следующим образом:

1. Коллектор;
2. База;
3. Эмиттер.

При пайке соблюдайте технику безопасности, не паяйте контакты вплотную к корпусу транзистора.

Классификация по h_FE

Также стоит учесть что транзисторы данной серии можно разделить на 3 группы по коэффициенту усиления:

• SS8550D — диапазон усиления от 160 до 300;
• SS8550B — от 85 до 160;
• SS8550C  — 120 — 200.

Комплементарной парой для него является SS8050 c  n-p-n проводимостью.

Аналоги и DataSheet

SS8550 не уникальный по своим характеристикам и имеет свои аналоги:

• MPS8550;
• MPS750;
• MPS751;
• MPS751G.

Здесь вы можете скачать его DataDheet.

 

shematok.ru

C8550 транзистор (8550 PNP 000A80 0035V TO-92 KTC8550 KEC)

1. Продукция
2. Транзисторы
3. 2SC… KSC…

Производитель: KEC

Код товара: Т0000009981

Маркировка: C8550

Количество приборов:

Параметры

Наименование	Значение	Единица измерения	Режим изменения
Проводимость	PNP
Функциональное назначение выводов	1=E 2=B 3=С
Напряжение коллектор-эмиттер	-30	Vdc	@25*C@Ic=100mA@Ib=0
Напряжение коллектор-база	-35	Vdc	@25*C
Напряжение эмиттер-база	-5	Vdc	@25*C
Ток коллектора max	-800	mA	@25*C(peak)
Обратный ток коллектора	-50	nA	@Vcb=-15V@Ie=0
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ	100…300		@Iс=-50mA@Vce=-1V
Граничная частота	120	MHz	@Ic=20mA@Vce=6V
Мощность рассеивания	625	mW	@25*C
Температура рабочая	-55…+150	*C

elcom.zp.ua