Каковы основные параметры транзистора FQPF8N60C. Где применяется данный компонент. Какие есть аналоги и альтернативы FQPF8N60C. Как правильно использовать этот N-канальный МОП-транзистор в электронных схемах.
Основные характеристики транзистора FQPF8N60C
FQPF8N60C — это N-канальный силовой МОП-транзистор производства компании ON Semiconductor (ранее Fairchild). Он обладает следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Максимальный ток стока: 7,5 А (при 25°C)
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,95 Ом
- Корпус: TO-220F
- Емкость затвора: 1500 пФ
- Пороговое напряжение затвора: 2-4 В
Данный транзистор относится к серии QFET и отличается низким сопротивлением канала и быстрым переключением, что делает его подходящим для силовых импульсных источников питания.
Области применения FQPF8N60C
Благодаря своим характеристикам, транзистор FQPF8N60C находит применение в следующих областях:
- Импульсные источники питания
- AC/DC и DC/DC преобразователи
- Корректоры коэффициента мощности (PFC)
- Инверторы для индукционных плит
- Драйверы светодиодов высокой мощности
- Силовые каскады аудиоусилителей класса D
Высокое пробивное напряжение в 600 В позволяет использовать FQPF8N60C в устройствах, работающих от сетевого напряжения 220-240 В.
Преимущества и недостатки FQPF8N60C
Рассмотрим основные плюсы и минусы данного транзистора:
Преимущества:
- Низкое сопротивление канала в открытом состоянии
- Высокая скорость переключения
- Хорошая теплопроводность корпуса TO-220F
- Встроенный защитный диод
- Совместимость с логическими уровнями управления
Недостатки:
- Чувствительность к статическому электричеству
- Необходимость теплоотвода при больших токах
- Относительно высокая стоимость
Особенности применения FQPF8N60C в схемах
При использовании FQPF8N60C в электронных устройствах следует учитывать некоторые особенности:
- Требуется защита от статического электричества при монтаже
- Рекомендуется установка на радиатор при токах свыше 3-4 А
- Желательно использование драйвера затвора для быстрого переключения
- Необходимо обеспечить надежное заземление экрана затвора
- Следует ограничивать ток затвора резистором 10-100 Ом
Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально реализовать потенциал транзистора в схеме.
Аналоги и альтернативы FQPF8N60C
На рынке представлено несколько транзисторов со схожими характеристиками, которые могут заменить FQPF8N60C:
- STF10N60M2 (STMicroelectronics)
- IPP60R190P7 (Infineon)
- STP8NK60Z (STMicroelectronics)
- FCH67N60N (ON Semiconductor)
- IRFP460 (Vishay)
При выборе замены следует внимательно сравнивать все ключевые параметры, включая пороговое напряжение затвора и емкости.
Типовая схема включения FQPF8N60C
Рассмотрим простую схему включения FQPF8N60C в качестве ключа:
«` «`В данной схеме:
- Сток (D) подключен к нагрузке и положительному полюсу источника питания
- Исток (S) соединен с общим проводом (землей)
- На затвор (G) подается управляющий сигнал через ограничительный резистор (не показан на схеме)
При подаче положительного напряжения на затвор транзистор открывается, пропуская ток через нагрузку. Такая схема может использоваться для управления мощными нагрузками с помощью низковольтных сигналов.
Рекомендации по выбору теплоотвода для FQPF8N60C
Правильный выбор теплоотвода критически важен для надежной работы FQPF8N60C при высоких токах. Рассмотрим основные моменты:
- При токах до 3 А транзистор может работать без радиатора в большинстве применений
- Для токов 3-5 А рекомендуется использовать небольшой алюминиевый радиатор площадью 10-20 см²
- При токах свыше 5 А необходим более крупный радиатор или принудительное охлаждение
- Тепловое сопротивление переход-корпус для FQPF8N60C составляет 1,67 °C/Вт
- Для эффективного теплоотвода следует использовать термопасту между транзистором и радиатором
Расчет необходимого теплоотвода можно произвести по формуле:
Rth = (Tj max — Ta) / P — Rth j-c
где:
- Rth — требуемое тепловое сопротивление радиатора
- Tj max — максимальная температура перехода (150°C для FQPF8N60C)
- Ta — температура окружающей среды
- P — рассеиваемая мощность
- Rth j-c — тепловое сопротивление переход-корпус (1,67 °C/Вт)
Измерение параметров FQPF8N60C
Для оценки состояния и характеристик FQPF8N60C можно провести ряд измерений:
- Измерение сопротивления канала в открытом состоянии:
- Подать на затвор напряжение 10 В
- Измерить сопротивление между стоком и истоком
- Типовое значение должно быть около 0,95 Ом
- Проверка порогового напряжения:
- Подключить миллиамперметр между стоком и истоком
- Плавно повышать напряжение на затворе
- Зафиксировать напряжение, при котором ток достигнет 250 мкА
- Это значение должно быть в пределах 2-4 В
- Измерение тока утечки затвора:
- Подать между затвором и истоком напряжение 20 В
- Измерить ток утечки, который не должен превышать 100 нА
Эти измерения позволят убедиться в исправности транзистора и соответствии его параметров заявленным в документации.
404 Извините, запрашиваемый документ не был найден на сервере ― Radiocomplect
Скидки до 10% НОВЫЕ ПОСТУПЛЕНИЯ!
Электронные модули
Энкодеры
AC-DC, DC-AC преобразователи
Bluetooth, WiFi и Радио модули
DC-DC повышающие
DC-DC понижающие
Автомобильные
Антенны
Аудио модули
Батарейные отсеки
Блоки питания
Варисторы
Вентиляторы
Вольтметры, амперметры
Датчики
Двигатели, драйверы, регуляторы
Динамики, микрофоны
Диоды. Диодные мосты. Стабилитроны
Дисплеи
Зуммеры.  Реле времени
Релейные модули
Ручки и ножки для радиоаппаратуры
Светодиоды, индикаторы
СВЧ оборудование
Симисторы, тиристоры, динисторы
Стойки для печатных плат
Термисторы
Термометры, гигрометры
Термопистолеты и термоклей
Терморегуляторы
Термостаты и термопредохранители
Термоусадка
Транзисторы
Трансформаторы
Ферриты
Часы реального времени
Шлейфы
Шнуры сетевые на 220 В
Щетки для электродвигателей | Главная > Ошибка 404 Извините, запрашиваемый документ не был найден на сервере: /product/3959-fqpf-8n60c-to220f/. Пожалуйста, не уходите с сайта,воспользуйтесь поиском продукции |
Аналоги для FQPF8N60C / Fairchild
| Исходное наименование | i | Упаковка | Корпус | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQPF8N60C (FAIR)
FQPF8N60C (ONS-FAIR) | TO-220-3-FP TO-220 FULL PACK | 600V N-Channel Advance QFET C-Series | |||||||||||||||||
| Аналогичная по основным параметрам, но без гарантии совместимости по корпусу или выводам замена | |||||||||||||||||||
| STP13NM60N (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0. 36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STP10NK60ZFP (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STP10NK80ZFP (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | |||||||||||||||||
| STD10NM60N (ST)
| A+ | в ленте 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0. 55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | ||||||||||||||||
| STP14NK60ZFP (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STF15N80K5 (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0. 375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STP9NK60Z (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STF18NM60N (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0. 285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| WMO14N70C2 (WAYON)
| A+ |
| в ленте 10 шт | ||||||||||||||||
| STP8NM60FP (ST)
| A+ | 1 шт | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STW13N80K5 (ST)
| A+ |
| 30 шт | TO-247-3 | |||||||||||||||
| STI16N65M5 (ST)
| A+ |
| TO-262-3 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0. 279ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | |||||||||||||||
| STW15N80K5 (ST)
| A+ | в линейках 30 шт | TO-247-3 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | |||||||||||||||
| STI13NM60N (ST)
| A+ |
| TO-262-3 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0. 36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | |||||||||||||||
| STW13NK60Z (ST)
| A+ | 30 шт | TO-247-3 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | |||||||||||||||
| STI10N62K3 (ST)
| A+ |
| TO-262-3 | Power Field-Effect Transistor, 8. 4A I(D), 620V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | |||||||||||||||
| STD8NM60ND (ST)
| A+ | 1 шт | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | ||||||||||||||||
| STW10NK60Z (ST)
| A+ | в линейках 30 шт | TO-247-3 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0. 75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | |||||||||||||||
| STW12NK80Z (ST)
| A+ | в линейках 30 шт | TO-247-3 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | |||||||||||||||
| STD8N65M5 (ST)
| A+ | в ленте 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0. 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | ||||||||||||||||
| STW11NM80 (ST)
| A+ | в линейках 30 шт | TO-247-3 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | |||||||||||||||
| STW10NK80Z (ST)
| A+ | в линейках 30 шт | TO-247-3 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 0. 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | |||||||||||||||
| STB18NM60ND (ST)
| A+ |
| 1000 шт | ||||||||||||||||
| STB18N65M5 (ST)
| A+ | 1000 шт | |||||||||||||||||
| STB18N60M2 (ST)
| A+ |
| 1000 шт | ||||||||||||||||
| Близкий по наименованию товар | |||||||||||||||||||
| FQPF8N60C (ISC)
FQPF8N60C (ONS-FAIR) | SN |
| — | ||||||||||||||||
DataSheet PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
com, основного источника таблиц данных.Преимущества использования сайта
Вы можете бесплатно скачать все спецификации на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость. |
Новые листы технических данных
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
1. 5SMC10 | Подавитель переходных напряжений для поверхностного монтажа 1500 Вт | ЛГЭ | |
| 1.5SMC10 | Подавитель переходного напряжения для поверхностного монтажа 1500 Вт | ЛГЭ | |
| 1.5SMC100 | Подавитель переходных напряжений поверхностного монтажа 1500 Вт | ЛГЭ | |
| 1.5SMC100 | Подавитель переходного напряжения для поверхностного монтажа 1500 Вт | ЛГЭ | |
1. 5SMC100A | Подавитель переходных напряжений для поверхностного монтажа 1500 Вт | ЛГЭ | |
| 1.5SMC100A | Подавитель переходного напряжения для поверхностного монтажа 1500 Вт | ЛГЭ | |
| 1.5SMC10A | Подавитель переходных напряжений для поверхностного монтажа 1500 Вт | ЛГЭ | |
| 1.5SMC10A | Подавитель переходного напряжения для поверхностного монтажа 1500 Вт | ЛГЭ | |
1. 5SMC11 | Подавитель переходных напряжений для поверхностного монтажа 1500 Вт | ЛГЭ | |
| 1.5SMC11 | Подавитель переходного напряжения для поверхностного монтажа 1500 Вт | ЛГЭ |
Карты сайта
Технические характеристики и указания по применению
2003 — fqpf8n60c
Реферат: МОП-транзистор серии FQPF FQP8N60C fqpf8n60c
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2004 — 8N60C
Реферат: 8N60CT FQPF8N60CT FAN7602 FQPF8N60CYDTU FQPF8N60C AN-6014 Серия FQPF
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2004 — Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2004 — эквивалент FQPF8N60C
Резюме: FQPF8N60C FQP8N60C
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2004 — Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2004 — Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2006 — ФАН7602
Реферат: AN6014 диод zd201 FQPF8N60C AN-6014 fan7601 EER2828 BOBBIN an4137 RCD снаббер дизайн AN4147
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2006 — АН-6014
Резюме: конструкция демпфера RCD an6014 an4137 AN-4147 fan7602 FQPF8N60C 2C2037 FAN7601 PM3000A
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
КЭП50Н06
Резюме: эквивалент CEP83A3 cep83a3 CEF02N6A cep6355 эквивалент FQPF8N60C эквивалент CEF04N6 CEP63A3 CEP20N06 cep76139
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2007 — эквивалент FQPF8N60C
Резюме: FQPF9N50C эквивалентная схема ЖК-инвертора FAN7530, эквивалентная FAN7601 200 Вт постоянного тока в переменный инвертор Принципиальная схема FAN7529эквивалент FAN7601 эквивалент FDD6685 эквивалент FQPF10N60C эквивалент
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
фкпф5н60к
Резюме: FAN7711 FQPF18N50 МОП-транзистор Fairchild FQT1N80 FQP9N50C FQPF*5n50c fjp13009 FJP5027 FQD7P20
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2006 — Принципиальная схема преобразователя 220 В переменного тока в 19 В постоянного тока
Реферат: FAN7601 EER2828 BOBBIN EER2828 FAN7602N диод zd201 BD101 KBP06 FAN7602 TNR 471 R109 739
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2007 — EER2828
Аннотация: AN6014 EER28 EER2828 BOBBIN FAN7602 принципиальная схема fan7602 FAN7602BMX FAN7602BN FAN7602B IC201 64 контакта
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2009 — FAN7602c
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2009 — ТНР 471
Реферат: Конденсатор tnr 471 FAN7602C диод zd201 NTC 5D 150мкФ, 400В Зеленый электролитический конденсатор AN-6014 EER2828 BOBBIN принципиальная схема монитора сетевого напряжения переменного тока предохранитель ntc r110
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2006 — ФАН7602
Аннотация: принципиальная схема fan7602 преобразователь 220 В переменного тока в постоянный ток 19 В принципиальная схема FAN7601 AN6014 FAN7602M FAN7602MX FAN7602N AN-6014 JESD51-2
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2006 — 3-фазный МОП-транзистор инвертор
Аннотация: 2KW bldc 3-фазный IGBT-инвертор 30KW бесщеточный двигатель постоянного тока 3-фазный двигатель 75kW мягкая схема PWM 220v AC стабилизатор PFC 3kw FSBS15CH60 FSBB30CH60 3-фазный инвертор принципиальная схема igbt 30kw
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
3-фазный инвертор IGBT
Бесщеточный двигатель постоянного тока мощностью 30 кВт.
Программная схема трехфазного двигателя мощностью 75 кВт
Стабилизатор переменного тока ШИМ 220В
КПП 3кВт
ФСБС15Ч60
ФСББ30Ч60
Схема трехфазного инвертора igbt 30kw2005 — IRF1830G
Реферат: Транзистор IRF1830 IRF1830G APM2054N эквивалент apm2054n AP85L02h AP70N03S 2SK3683 ap70l02h 2SK2696
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2013 — S78DM12Q
Реферат: Sf20d400 s78dM12 BA5810 sn7905 SF5A400 транзистор AE код PNP smd sf20a300 SF10A300 SF10D300
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
FQPF*7N65C ПРИМЕНЕНИЕ
Аннотация: модель специй bc548 модель специй bf494 модель специй bf199 LM3171 модель специй BC517 модель специй bc547 модель специй BF494 модель специй MOC3043-M модель специй SPICE BC237
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
UF4004.
UF4005.
UF4006.
UF4007.
USB10H.
USB1T1102
USB1T11A.
вКА75420М
W005G
ПРИМЕНЕНИЕ FQPF*7N65C
модель специй bc548
модель специй bf494
специи модель bf199
LM3171
Модель специй BC517
модель специй bc547
BF494 специи
Модель специй MOC3043-M
SPICE модель BC237ФКПф10Н60К
Резюме: FQPF*10n20c FQPF10N20C FQP17P06 fqpf6n80 Эквивалент FQP630 FQU17P06 FQPF*5n50c IRF650 FQA90N08
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2003 — ФЛМП СуперСОТ-6
Реферат: Комплементарные МОП-транзисторы buz11 FQD7P20 FDG6316 IRF650 FQP65N06 IRFS630 FDG329N FDP2532 fqpf6n80
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
КФ6Н60
Аннотация: 2SK3850 эквивалент KF9N25 KF7N50 MDF10N65b транзистор PANASONIC ZENER Kf10n60 KIA278R12PI эквивалент kid65003ap эквивалент kia578r05
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
термистор KSD201
Резюме: конфигурация контактов NPN транзистора BC548 конфигурация контактов транзистора BC547 smd упаковка FQPF*7N65C ПРИМЕНЕНИЕ BC547 sot упаковка sot-23 конфигурация контактов pnp smd транзистора BC557 DIODE 1N4148 LL-34 конфигурация контактов NPN транзистора BC547 BC557 sot-23 BC547 smd
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2004 — Термистор KSD201
Реферат: Каталог силовых МОП-транзисторов IRF Дополнительные МОП-транзисторы buz11 BZX85C6V8 SPICE MODEL Diode 1N4001 50V 1.
Похожие записи
