Транзистор c5353. 2SC5353: высоковольтный NPN транзистор для импульсных источников питания

Что представляет собой транзистор 2SC5353. Каковы его основные характеристики и параметры. Для каких применений он предназначен. В чем заключаются его преимущества.

Общее описание транзистора 2SC5353

2SC5353 — это высоковольтный NPN биполярный транзистор, разработанный компанией Toshiba для применения в импульсных источниках питания и преобразователях.

Основные особенности данного транзистора:

• Высокое напряжение пробоя коллектор-эмиттер — 800 В
• Максимальный ток коллектора — 3 А
• Максимальная рассеиваемая мощность — 25 Вт
• Высокая скорость переключения
• Корпус TO-220F с изолированным теплоотводом

Благодаря сочетанию высокого напряжения и быстродействия, 2SC5353 оптимально подходит для применения в высоковольтных ключевых каскадах импульсных преобразователей и источников питания.

Основные электрические параметры транзистора 2SC5353

Рассмотрим подробнее ключевые характеристики и предельно допустимые значения параметров 2SC5353:

• Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 900 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 800 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 7 В
• Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 3 А
• Максимальный импульсный ток коллектора: 5 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 25 Вт при температуре корпуса 25°C
• Коэффициент усиления по току (hFE): 15 (минимум) при VCE=5В, IC=0,15А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 1,0 В (максимум) при IC=1,2А, IB=0,24А
• Максимальная рабочая температура перехода: 150°C

Как видно из параметров, 2SC5353 обладает высоким пробивным напряжением и способен коммутировать значительные токи, что делает его подходящим для силовых применений.

Области применения транзистора 2SC5353

Благодаря своим характеристикам, 2SC5353 находит применение в следующих областях:

• Импульсные источники питания
• DC-DC преобразователи
• Инверторы
• Драйверы электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Зарядные устройства
• Другие высоковольтные ключевые каскады

В этих устройствах 2SC5353 используется в качестве ключевого элемента, обеспечивающего коммутацию высоких напряжений и токов с высокой скоростью.

Преимущества применения 2SC5353

Рассмотрим основные достоинства использования 2SC5353 в схемотехнике:

• Высокое пробивное напряжение позволяет работать в высоковольтных цепях без дополнительных каскадов
• Большой ток коллектора дает возможность коммутировать значительные мощности
• Высокое быстродействие обеспечивает эффективную работу на повышенных частотах
• Изолированный теплоотвод упрощает монтаж и повышает надежность
• Хорошие температурные характеристики позволяют работать в жестких условиях

Все это делает 2SC5353 оптимальным выбором для построения эффективных и надежных импульсных преобразователей напряжения.

Особенности корпуса TO-220F

2SC5353 выпускается в корпусе TO-220F, который имеет следующие особенности:

• Изолированный металлический теплоотвод
• Три вывода: коллектор, база, эмиттер
• Улучшенный теплоотвод по сравнению с пластиковыми корпусами
• Удобство монтажа на радиатор
• Стандартизированные размеры

Изолированный теплоотвод позволяет монтировать транзистор непосредственно на общий радиатор без дополнительных изолирующих прокладок, что упрощает конструкцию устройства и улучшает теплоотвод.

Сравнение 2SC5353 с аналогами

Рассмотрим, как 2SC5353 соотносится по характеристикам с некоторыми аналогичными транзисторами:

Параметр	2SC5353	2SC5588	2SC5299
VCEO, В	800	1500	600
IC, А	3	5	7
PC, Вт	25	50	80
hFE (мин)	15	8	10

Как видно, 2SC5353 занимает промежуточное положение по характеристикам, обеспечивая оптимальный баланс между напряжением, током и мощностью для широкого круга применений.

Рекомендации по применению 2SC5353

При использовании 2SC5353 в схемах следует учитывать следующие рекомендации:

• Обеспечить эффективный теплоотвод при работе на большой мощности
• Использовать снабберные цепи для защиты от перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки
• Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов
• Учитывать зависимость параметров от температуры
• Обеспечить надежный контакт теплоотвода с радиатором

Соблюдение этих рекомендаций позволит реализовать все преимущества 2SC5353 и обеспечить надежную работу устройства.

Заключение

Транзистор 2SC5353 является эффективным решением для построения высоковольтных ключевых каскадов в импульсных преобразователях и источниках питания. Оптимальное сочетание высокого напряжения, значительного тока и хорошего быстродействия делает его универсальным компонентом для широкого круга применений в силовой электронике. При правильном применении 2SC5353 позволяет создавать надежные и эффективные устройства.

C5353 datasheet на русском — Вместе мастерим

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.

Особенности:

• Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
• Изолированный корпус.

Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	900	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	800	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	7	В
Ic	Ток коллектора постоянный/импульсный	—	—	—	3,0/5,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	25	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 0,15 А	15	—	—	—
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А	—	—	1,0	В
Ib	Ток базы	—	—	—	1,0	А
Tr/Tf	Время нарастания/спада	—	—	0,5	0,7/0,5	мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Если что-либо не работает, стукните это хорошенько, если оно сломалось – ничего, все равно нужно было выбрасывать. Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
25000	900	800	7	3000	+150	200000	15

Производитель: UTC
Сфера применения:
Популярность: 3246
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SC5353

Общий вид транзистора 2SC5353.	Цоколевка транзистора 2SC5353.

Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-02-03 08:45:50.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC5353.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор 2SC5353 – описание производителя. Основные параметры.

Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5353

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO220NIS

2SC5353 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. , LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:

“>

2sc5586 — параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

2SC5698 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5698.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6664A
2SC5698
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5698
CRT Display Horizontal Deflection
Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
On-chip damper diode. 3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.

4.1. 2sc5696.pdf Size:29K _update_bjt

Ordering number : ENN6663B
2SC5696
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5696
Color TV Horizontal Deflection
Output Applications
Features
Package Dimensions
• High speed.
unit : mm
• High breakdown voltage(VCBO=1600V).
2174A
• High reliability(Adoption of HVP process).

• Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
• On-chip damper diode.
3.1
2.8
2.

4.2. 2sc5695.pdf Size:411K _toshiba

2SC5695
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5695
Horizontal Deflection Output for High Resolution Display,
Unit: mm
Color TV
• High voltage: VCBO = 1500 V
• Low saturation voltage: V = 3 V (max)
CE (sat)
• High speed: t (2) = 0.1 µs (typ.)
f
Maximum Ratings (Tc =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO

 4.3. 2sc5692.pdf Size:167K _toshiba

2SC5692
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5692
Industrial Applications
High-Speed Switching Applications
Unit: mm
DC-DC Converter Applications
Strobe Applications
• High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (I = 0. 3 A)
C
• Low collector-emitter saturation voltage: V = 0.14 V (max)
CE (sat)
• High-speed switching: t = 120 ns (typ.)
f
Maximum Ratings (

4.4. 2sc5696.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6663B
2SC5696
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5696
Color TV Horizontal Deflection
Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1600V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
On-chip damper diode.
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0

 4.5. 2sc5690.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6896A
2SC5690
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5690
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
On-chip damper diode.
3

4.6. 2sc5694.pdf Size:37K _sanyo

Ordering number : ENN6587
2SA2037 / 2SC5694
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA2037 / 2SC5694
DC / DC Converter Applications
Applications
Package Dimensions
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers and
unit : mm
printer drivers.
2042B
8.0
[2SA2037 / 2SC5694]
4.0
3.3
1.0 1.0
Features
Adoption of MBIT process.
Large current capacity.
3.0
Low collector-to-

4.7. 2sc5699.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6665A
2SC5699
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5699
CRT Display Horizontal Deflection
Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16. 0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7
1 2 3
1 : Base
2 :

4.8. 2sc5696.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5696
DESCRIPTION
·High speed switching
·Built-in damper diode type
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for display horizontal deflection output
Switching regulator and general purpose
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBO

4.9. 2sc5694.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5694
DESCRIPTION
·High speed switching
·Large Current Capacity
·High allowable power dissipation
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Relay drivers,lanp drivers,motor drivers and
printer drivers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

2SC5587 Datasheet (PDF)

Кт807б

1.1. 2sc5587.pdf Size:332K _toshiba

2SC5587
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5587
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
Unit: mm
RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT

4.1. 2sc5588.pdf Size:331K _toshiba

2SC5588
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5588
Unit: mm
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER
HIGH RESOLUTION DISPLAY
COLOR TV FOR DIGITAL TV & HDTV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTER

4. 2. 2sc5589.pdf Size:298K _toshiba

2SC5589
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5589
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV
Unit: mm
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Co

 4.3. 2sc5585 2sc5663.pdf Size:68K _rohm

2SC5585 / 2SC5663
Transistors
Low frequency transistor (12V, 0.5A)
2SC5585 / 2SC5663
The transistor of 500mA class which went only into 2125 size conventionally was attained in 1608 sizes or 1208 sizes.
External dimensions (Unit : mm)
Applications
For switching
2SC5585
For muting
(1)
(2)
(3)
0.8
Features
1.6
1) High current.
2) Low VCE(sat).
0.1Min.
(1) Emitter
R

4.4. 2sc5584.pdf Size:45K _panasonic

Power Transistors
2SC5584
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
20. 00.5 5.00.3
(3.0)
? 3.30.2
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
(1.5)
High-speed switching
Wide area of safe operation (ASO) (1.5)
2.00.3
2.70.3
3.00.3
1.00.2
Absolute Maximum Ratings TC = 25C

 4.5. 2sc5580.pdf Size:43K _panasonic

Transistors
2SC5580
Silicon NPN epitaxial planer type
Unit: mm
For high-frequency oscillation / switching
0.3+0.1 0.15+0.10
0.05
0.0
3
Features
High transition frequency fT
S-mini type package, allowing downsizing of the equipment and
1 2
automatic insertion through the tape packing and the magazine
(0.65) (0.65)
packing.
1.30.1
2.00.2
10
Absolute Maximum Ratings Ta =

4.6. 2sc5583.pdf Size:46K _panasonic

Power Transistors
2SC5583
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
20.00.5 5.00.3
(3. 0)
? 3.30.2
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
(1.5)
High-speed switching
Wide area of safe operation (ASO) (1.5)
2.00.3
2.70.3
3.00.3
1.00.2
Absolute Maximum Ratings TC = 25C

4.7. 2sc5585.pdf Size:198K _secos

2SC5585
0.5A , 15V
NPN Silicon General Purpose Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen and lead free
SOT-523
FEATURES
High Current.
Low VCE(sat). VCE(sat)?0.25V (@IC=200mA / IB=10mA)
A
Complement of 2SC4738. M
3
3
Top View C B
Application
1
1 2
General Purpose Amplification.
L 2
K
E
MARKING
D
H J

4.8. 2sc5586 2sc5830 2sc5924.pdf Size:1332K _sanken-ele

4.9. 2sc5584.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5584
DESCRIPTION
·Silicon NPN triple diffusion mesa type
·High Switching Speed
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for horizontal deflection output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

4.10. 2sc5585.pdf Size:204K _lge

2SC5585
SOT-523 Transistor(NPN)
1. BASE
SOT-523
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Features

High current.

Low VCE(sat). VCE(sat)?250mV at IC = 200mA / IB = 10mA
MARKING: BX
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector- Base Voltage 15 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V
VEBO Emitter-Base Vol

4.11. 2sc5585.pdf Size:192K _wietron

2SC5585
NPN TRANSISTOR
3
P b Lead(Pb)-Free
1
2
FEATURES:
SOT-523(SC-75)
* High current.
* Low VCE(sat). VCE(sat).250mV at IC = 200mA / IB = 10mA
MAXIMUM RATINGS (TA=25°Cunless otherwise noted)
Parameter Symbol Value Units
Collector-Base Voltage VCBO 15 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 12 V
Emitter-Base Voltage VEBO 6 V
Collector Current –Continuous IC 500 mA
Collector Dissipatio

2SC5578 Datasheet (PDF)

1. 1. 2sc5578.pdf Size:40K _sanyo

Ordering number:ENN6297
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5578
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed.
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1600V).
2048B
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
20.0 3.3
5.0
2.0
3.4
0.6
1.2
1 : Base
1 2 3

4.1. 2sc5570.pdf Size:349K _toshiba

2SC5570
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5570
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
Unit: mm
RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
C

4.2. 2sc5577.pdf Size:40K _sanyo

Ordering number:ENN6281
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5577
Ultrahigh-Definition Color Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed (tf=100ns typ).
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
2048B
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
20.0 3.3
5.0
2.0
3.4
0.6
1.2

 4.3. 2sc5574.pdf Size:52K _rohm

2SC5574
Transistors
Power Transistor (80V, 4A)
2SC5574
Features External dimensions (Units : mm)
1) Low saturation voltage.
(Typ. VCE(sat) = 0.3V at IC / IB =2 / 0.2A)
10.0 4.5
2) Excellent DC current gain characteristics.
3.2 2.8
?
3) Pc = 30W (Tc = 25C)
4) Wide SOA (safe operating area).
1.2
1.3
5) Complements the 2SA2017.
0.8
0.75
2.54 2.54 2.6
(1) (2) (3)
( )
(1) (2) (3

4.4. 2sc5576.pdf Size:49K _rohm

2SC5576
Transisitors
Medium Power Transistor
(Motor or Relay drive) (6010V, 4A)
2SC5576
Features Circuit diagram
1) Built-in zener diode between collector and base.
C
2) Strong protection against reverse power surges due to
«L» loads.
B
3) Built-in resistor between base and emitter.
4) Built-in damper diode.
R1 R2
E
B : Base
R1 4.5k?
C : Collector
R2 300?
E : Emitter
Absol

 4.5. 2sc5575.pdf Size:52K _rohm

2SC5575
Transistors
High-voltage Switching Transisitor
(Power Supply) (120V, 7A)
2SC5575
Features
External dimensions (Units : mm)
1) Low VCE(sat). (Typ. 0.17V at IC / IB = 5 / 0.5A)
2) Fast switching. (tf : Typ. 0.18s at IC = 5A)
3) Wide SOA. (safe operating area)
10.0 4.5
3.2 2.8
?
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
1.2
1.3
Parameter Symbol Limits Unit
0.8
Collector-base

4.6. 2sc5572.pdf Size:71K _panasonic

2SC5353 Datasheet (PDF)

Характеристики транзистора c945

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0. 7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:

“>

By :

2SC5681 Datasheet (PDF)

2sc2625

1.1. 2sc5681.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6607A
2SC5681
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5681
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0. 9
0.7

4.1. 2sc5684.pdf Size:126K _toshiba



4.2. 2sc5689.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6654A
2SC5689
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5689
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
On-chip damper diode. 16.0
3.

 4.3. 2sc5682.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6608A
2SC5682
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5682
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2. 0 2.1
0.9
0.7

4.4. 2sc5683.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6653A
2SC5683
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5683
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.

 4.5. 2sc5680.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6652A
2SC5680
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5680
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0. 9
0.

4.6. 2sc5686.pdf Size:75K _panasonic

Power Transistors
2SC5686
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Horizontal deflection output for TV, CRT monitor
Unit: mm
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5?
5?
Features
High breakdown voltage: VCBO ? 2 000 V
High-speed switching: tf 4.7. 2sc5689.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5689
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Color TV horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO

2SC5353B Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353b.pdf Size:251K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE NPN
1 1
TRANSISTOR
TO-126
TO-126C
DESCRIPTION
1
1
TO-220 TO-220F
Switching Regulator and High Voltage Switching Applications
High-Speed DC-DC Converter Applications.
1
1
FEATURES
TO-220F1 TO-251
* Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX)
* High collectors breakdown voltage:

3.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba



3.2. 2sc5353.pdf Size:271K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE NPN
TRANSISTOR
1
1
TO-126 TO-126C
DESCRIPTION
Switching Regulator and High Voltage Switching Applications
High-Speed DC-DC Converter Applications 1
1
TO-220 TO-220F
FEATURES
* Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX)
* High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V
1
TO-220F1

 3.3. 2sc5353.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5353
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Sustaining Voltage
: V = 800V(Min.)
CEO(SUS)
·Low Collector Saturation Voltage
: V =1V(Max) @ I = 1.2A
CE(sat) C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in lighting applications and low cost
switch-mode power

2SC5856 Datasheet (PDF)

1. 1. 2sc5856.pdf Size:235K _update

2SC5856
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5856
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC S

4.1. 2sc5859.pdf Size:200K _toshiba

2SC5859
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5859
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV
High Voltage : V = 1700 V
CBO
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (Typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 1700 V
Collector-Emi

4.2. 2sc5855.pdf Size:194K _toshiba

2SC5855
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5855
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0. 1 µs (typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

 4.3. 2sc5850.pdf Size:85K _renesas

To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (

4.4. 2sc5855.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5855
DESCRIPTION
·High speed switching
·High voltage
·Low saturation voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Horizontal deflection output for super high resolution
·Display color TV digital TV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

Оцените статью:

InJapan.

ru — Транзисторы — Аукцион Yahoo

	Название	Цена	Блиц-цена	Ставки	Осталось
	2SA1387 (блиц-цена…) Toshiba… высокоскоростной SW [265Pr / 273758] Toshiba High Speed Switching A1387 4 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	—	6 дней
	2SA1006B-P NEC -180V -3A 25W для звукового оборудования TR 2 шт. набор (2…) Продавец: yonatyan_0728 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	—	7 дней
	2SA1006B-P NEC -180V -3A 25W для звукового оборудования TR 2 шт. набор (2…) Продавец: yonatyan_0728 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	—	7 дней
	2SC535-B (блиц-цена…) Hitachi транзистор VHF Mixer IF L-07TII KT9700 KT7700 KT8300TX6700 AX2000[226PrK / 275406] Hitachi C535 10 шт. Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	—	7 дней
	2SA620 (блиц-цена…) Япония беспроводной транзистор L-309 KA8004 [121PrK / 275162M] JRC Transistor A620 2 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	—	7 дней
	2SB33 (блиц-цена…) Fujitsu германий PA транзистор [227PpK / 257688] Fujitsu Germanium PA Transistor 2 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	—	7 дней
	2SK831 (блиц-цена…) NEC N-CH Power MOS FET [311PoK / 272826M] NEC FET K831 2 шт. набор Продавец: wyxnb12593 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	$7,64 ¥980 ¥980 578 р. ¥980	—	7 дней
	2SD2553 (блиц-цена. ..) Toshiba Hi-Res горизонтальный выходной транзистор… [111Bg / 233413] Toshiba TV Horizontal Def. Output Power Tr D2553 3 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7 ¥975 ¥975 575 р. ¥975	$7 ¥975 ¥975 575 р. ¥975	—	6 дней
	2SC2458-LG (блиц-цена…) Toshiba LN низкий сигнал транзистор TS811 TS811D ICB770 [356Prk / 256512M] Toshiba Small Signal Transistor C2458 10 шт. Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	7 дней
	2SC2494-KA (блиц-цена. ..) NEC RF мощный транзистор [454Pr / 256746] NEC RF Power Transistor C2494 1 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	5 дней
	2SC780G-Y (блиц-цена…) Toshiba низкий сигнал транзистор шелк… C780G-Y сделано в Японии [336Py / 258756] Toshiba Small Signal Amp. Tr 10 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	6 дней
	2SC2721-K NEC. .. транзистор 10 шт. набор Продавец: yokolene (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	4 дня
	2SC1384-Q (блиц-цена…) Panasonic транзистор KP-700 FRG-7700 KT-9900 [281PoK / 273068M] Panasonic AF Transistor C1384 4 шт. Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	4 дня
	2SC2724-D (блиц-цена. ..) MITSUBISHI транзистор [64PgK / 179630M] Mitsubishi Transistor «724» 10 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	5 дней
	2SC398 (блиц-цена…) Toshiba… входит транзистор [124Py / 258919] Toshiba Can Packaged Transistor 4 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	6 дней
	2SD467-C (блиц-цена. ..) Hitachi аудио мощный транзистор… [299PoK / 276276M] Hitachi Audio Power Transistor D467 10 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	6 дней
	2SC2883-Y SMD (блиц-цена…) Toshiba очень маленький размер транзистор 30V 1.5A 2-3W аудио усилитель для [41Br / 179644M] Toshiba Transistor C2883 10 шт. Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	7 дней
	2SB775-E (блиц-цена. ..) SANYO аудио усилитель для транзистор 85V / 6A [176Yr / 179535M] Sanyo Audio Output Transistor B775 2 шт. набор Продавец: wyxnb12593 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	3 дня
	DTA143XN (блиц-цена…) low… сопротивление встроенный модель цифровой транзистор [256ByK / 180706M] Rohm Resistor Built-in Digital TR A143X 20 шт. Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	4 дня
	2SC2724-C (блиц-цена. ..) MITSUBISHI транзистор [268Pg / 179631] Mitsubish Transisrtor » 724″ 10 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	5 дней
	2SC1384-S (блиц-цена…) Panasonic аудио транзистор A-580 [383PgK / 257079M] Panasonic AF Transistor C1384 4 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	7 дней
	2SC1730-K (блиц-цена. ..) NEC транзистор [239Pb / 251736] NEC Transistor C1730 10 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	7 дней
	2SK1287 (блиц-цена…) NEC производство для N-Channel MOSFET [2-21-22-17 / 287079M] NEC FET K1287 2 шт. Продавец: wyxnb12593 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	$7,56 ¥970 ¥970 572 р. ¥970	—	7 дней
	1 шт. NPN мощный транзистор SK3958 USA настоящий стабилизированный источник питания самодельный… рекомендую… транзистор Продавец: nyanko3012 (рейтинг)  блиц   магазин   отл. сост.	$7,54 ¥968 ¥968 571 р. ¥968	$7,54 ¥968 ¥968 571 р. ¥968	—	10 часов
	связь производство для силиконовый мощный транзистор Toshiba 2SD102 2 шт. набор Продавец: klx_111 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	20 часов
	2SB548-Q 2 шт. +2SD414-Q 2 шт. (блиц-цена…) NEC… пара TA-333 [124PrK / 263840 / 263750M]NEC Audio Power Complementary Pair итого 4 шт. Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	3 дня
	2SA122 (блиц-цена…) Sony германий транзистор TFM825 TFM850 CVC-2000 [64PyK / 274952] Sony Germanium Transistor 2 шт. Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	4 дня
	2SC4425 (блиц-цена. ..) SANYO транзистор 400V 25A [363Bo / 238151] Sanyo Transistor C4425 2 шт. Продавец: wyxnb12593 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	5 дней
	2SA1227A (блиц-цена…) NEC транзистор [356PbK / 293683M] NEC Transistor A1227A 2 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	7 дней
	производство для германий мощный транзистор Matsushita 2SB130T Продавец: klx_111 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$8,26 ¥1 060 ¥1 060 625 р. ¥1 060	—	5 дней
	2SD78A-K (блиц-цена…) NEC транзистор [9-5-22 / 293069M] NEC Transistor D78A 2 шт. Продавец: wyxnb12593 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	5 дней
	IRFP440 (блиц-цена…) IR N… сила MOSFET [AZT11-29-22 / ] IR N-CH Power MOSFET 2 шт. набор Продавец: kusto30145 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	6 дней
	поверхность есть N+P channel FET FW342-TL-E SANYO (SANYO) (5 шт.) (выставляемый лот номер 057-5) Продавец: green_semicon (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	15 часов
	связь производство для силиконовый транзистор. .. 2SC59 2 штуки набор Продавец: klx_111 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$8,26 ¥1 060 ¥1 060 625 р. ¥1 060	—	18 часов
	2SD235-Y (блиц-цена…) Toshiba аудио мощный транзистор [330Pb / 272739M] Toshiba Audio Low Power Tr D235 A-6010SL4 шт. Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	2 дня
	2SK1277 (блиц-цена. ..) FUJI… N-Channel MOSFET [2-21-22-19 / 287081M] Fuji FEC N-CH MOS FET 2 шт. Продавец: wyxnb12593 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	4 дня
	… wave мощность усиление для германий мощный транзистор Matsushita 2SB127 Продавец: klx_111 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$8,26 ¥1 060 ¥1 060 625 р. ¥1 060	—	5 дней
	связь производство для германий мощный транзистор Hitachi 2SB80H Продавец: klx_111 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$8,26 ¥1 060 ¥1 060 625 р. ¥1 060	—	5 дней
	2SA1516-O / 2SC3907-O Toshiba аудио мощный транзистор… 1 шт. +1 шт. 1 комплект только Продавец: yonatyan_0728 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	5 дней
	поверхность есть N+P channel FET FW344-TL-E SANYO (5 шт.) (SANYO) (выставляемый лот номер 058-5) Продавец: green_semicon (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	6 дней
	2SA854-S лента вырез… (блиц-цена…) low… … выход аудио… [393Cg / 280997] Rohm Transistor A854 10 шт. Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	6 дней
	2SC2991 MITSUBISHI 470Mhz связь… для транзистор 1 шт. Продавец: yonatyan_0728 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	$7,48 ¥960 ¥960 566 р. ¥960	—	7 дней
	2SC1359-C (блиц-цена…) Panasonic транзистор RF-1010 RF-1150 [66Pb / 279999] Panasonic Transistor C1359 10 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	—	4 дня
	2SC2785-FF (блиц-цена. ..) NEC низкий сигнал усиление TR TC-K333EX TC-K555EX TC-K555ESR AU-D55X [112BrK / 179637] NEC Tr C2785 20 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	—	4 дня
	2SK557 (блиц-цена…) Hitachi MOS FET 500V / 13A [266Tp / 180030] Hitachi MOS FET K557 2 шт. набор Продавец: wyxnb12593 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	—	8 часов
	2SC4582 (блиц-цена. ..) … транзистор 600V / 15A [73TpK / 217965] Shindengen Transistor C4582 2 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	—	1 день
	2SC784-R (блиц-цена…) Toshiba транзистор шелк… FTV-700 [351PyK / 279114M] Toshiba Transistor C784 10 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	—	2 дня
	2SC784-O (блиц-цена. ..) Toshiba транзистор шелк… FT-221 [394PoK / 279115M] Toshiba Transistor C784 10 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	—	2 дня
	2SA772 (блиц-цена…) Sony транзистор… TC-2850SD [24PgK / 278462M] Sony Transistor A772 4 шт. Продавец: wyxnb12593 (рейтинг)  блиц   отл. сост.	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	—	3 дня
	2SA429G-Y (блиц-цена. ..) Toshiba связь производство для транзистор шелк… [162PbK / 262378]Toshiba Silk hat Packaged Transistor A429G 10 шт. набор Продавец: masayanmori2 (рейтинг)  new   блиц   отл. сост.	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	$7 ¥950 ¥950 560 р. ¥950	—	6 дней

Транзистор

%20c5353 спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть SCT3030AR РОМ Полупроводник 650 В, 70 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET org/Product»> SCT3060AR РОМ Полупроводник 650 В, 39 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3105KL РОМ Полупроводник 1200 В, 24 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор SCT3022KL РОМ Полупроводник 1200 В, 95 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор org/Product»> SCT3040KR РОМ Полупроводник 1200 В, 55 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3080KL РОМ Полупроводник 1200 В, 31 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор

транзистор%20c5353 Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог Лист данных	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н. э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентных транзисторов NPN Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330 Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ трансформатор обратного хода Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
транзистор Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОР регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
2002 — SE012 Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 санкен SE140N STA474 UX-F5B Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

[РЕШЕНО] — Замена C5353 NPN

Добро пожаловать на EDAboard.com

Добро пожаловать на наш сайт! EDAboard.com — это международный дискуссионный форум по электронике, посвященный программному обеспечению EDA, схемам, схемам, книгам, теории, документам, asic, pld, 8051, DSP, сети, радиочастотам, аналоговому дизайну, печатным платам, руководствам по обслуживанию… и многому другому. более! Для участия необходимо зарегистрироваться. Регистрация бесплатна. Нажмите здесь для регистрации.

Регистрация Авторизоваться

JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере, прежде чем продолжить.

• Автор темы кили
• Дата начала 28 мая 2010 г.

Статус

Закрыто для дальнейших ответов.

ккили

Участник уровня 3

Привет,

Я работаю над копированием конструкции небольшого импульсного источника питания, содержащего NPN-транзистор C5353. У меня возникли проблемы с поиском эквивалентной детали, которую я могу заказать через Farnell. Может ли кто-нибудь помочь мне найти подходящую запасную часть.

Спасибо

Кеннет

 

keith2200rs

Супер модератор

Вероятно, это 2SC5353 от Toshiba. 800В 3А НПН.

Воспользуйтесь инструментами выбора на Farnell, чтобы получить краткий список. Что-то вроде Sanyo 2SC3457M похоже.

Кит.

 

ккили

Участник уровня 3

Спасибо Кит за предложение.

Поскольку мне пока не повезло найти модель специй для любой из этих частей, я думаю, мне просто нужно получить один из этих 2SC3457M и посмотреть, выполняет ли он свою работу, изучив листы данных на обоих они шов должен быть очень близким совпадением, поэтому он должен хорошо справляться со своей задачей.

Еще раз спасибо.

Кеннет

 

keith2200rs

Супер модератор

Kenneth,

Японские детали, как правило, не так хорошо подходят для моделей Spice. Часть Sanyo показалась наиболее подходящей, но если вы найдете похожее устройство из Европы или США, у вас больше шансов (но я бы не стал задерживать дыхание).

Кит.

 

Статус

Закрыто для дальнейших ответов.

• Вт

  Замена оптического реле

  • Автор wfeldmann
  • 10 мая 2022 г.
  • Ответов: 0

  Схемы хобби и проблемы с небольшими проектами

• Н

  K2837 Mosfet, замена для использования в многопроцессорном сварочном аппарате

  • Автор: neal.iweb
  • 30 апреля 2022 г.
  • Ответов: 5

  Схемы хобби и проблемы с небольшими проектами

• М

  проблемы с индуктивным датчиком NPN

  • Автор Munyua44
  • 29 января 2022 г.
  • Ответов: 5

  Схемы хобби и проблемы с небольшими проектами

• п

  IC 3130 ЗАМЕНА

  • Автор pgr2002
  • 12 февраля 2021 г.
  • Ответов: 2

  Схемы хобби и проблемы с небольшими проектами

• Е

  Замена системы дистанционного управления с переключением кода KeeLoq?

  • Автор: edtruji
  • 13 марта 2020 г.
  • Ответов: 0

  Схемы хобби и проблемы с небольшими проектами

Делиться:

Фейсбук Твиттер Реддит Пинтерест Тамблер WhatsApp Эл. адрес Делиться Ссылка на сайт

Верх

Поиск

Возможна отправка в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Внимательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас, вам понравится
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓Доставка по всему миру!
✓Ограниченная распродажа
✓Легкий возврат.

0

Обзор продукта
Название продукта	Поиск
Доступное количество	Возможна отправка немедленно
№ модели.
Код ТН ВЭД	8529
Минимальное количество	Начиная с одной детали
Атрибуты продукта
Категории	Поиск
идентификатор продукта
артикул
gtin14
мпн
Статус детали	Активный

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы вышлем вам полные инструкции по электронной почте.

Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

Товары отправляются с использованием почтовых услуг и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.

Судоходная компания	Расчетное время доставки	Информация об отслеживании
Плоская транспортировочная	30-60 дней	Нет в наличии
Заказная авиапочта	15-25 дней	В наличии
ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ	5-10 дней	В наличии
Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте.
Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.

Подробнее о программе защиты покупок PayPal.
Получите заказанный товар или верните деньги.
Включает стоимость покупки и первоначальную доставку.
Если вы не получили товар в течение 25 дней, просто сообщите нам об этом, будет выдан новый пакет или замена.
Защита покупателя PayPal
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат средств, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от наше описание продукта, вы можете A: вернуть его и получить полный возврат средств или B: получить частичный возврат средств и сохранить товар.

Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны для скачивания по запросу.

Почему выбирают нас?

Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.

100% гарантия качества компонентов: Оригинал.

Достаточный запас по вашему срочному требованию.

Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.

Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.

Круглосуточно.

Каковы ваши основные продукты?

Наша основная продукция
Интегральные схемы (ИС)	Дискретный полупроводник	Потенциометры, регулируемые R
Звук специального назначения	Аксессуары	Реле
Часы/хронометраж	Мостовые выпрямители	Датчики, преобразователи
Сбор данных	Диакс, Сидак	Резисторы
Встроенный	Диоды	Катушки индуктивности, катушки, дроссели
Интерфейс	МОП-транзисторы	Фильтры
Изоляторы — драйверы затворов	БТИЗ	Кристаллы и осцилляторы
Линейный	JFET (эффект поля перехода)	Соединители, межсоединения
Логика	ВЧ полевые транзисторы	Конденсаторы
Память	ВЧ-транзисторы (BJT)	Изоляторы
PMIC	SCR	Светодиод
	Транзисторы (БЮТ)
	Транзисторы
	Триаки

Какова цена?

Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).

Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, чтобы узнать самую последнюю и лучшую цену.

Какой способ оплаты?

PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.

Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.

Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.

Что такое возврат и замена?

Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену. (Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).

Каков минимальный объем заказа вашей продукции?

Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.

Вы можете купить столько, сколько захотите.

Когда вы отправите мне детали?

Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.