Транзистор d1555 параметры. Транзистор D1555: характеристики, аналоги и применение в электронике

Какие основные характеристики имеет транзистор D1555. Где применяется D1555 в электронных схемах. Какие есть аналоги и замены для D1555. Как правильно подобрать замену D1555.

Основные характеристики транзистора D1555

D1555 — это кремниевый биполярный NPN транзистор, предназначенный для работы в импульсных схемах. Рассмотрим его ключевые параметры:

• Структура: NPN
• Материал: кремний
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1500 В
• Максимальный ток коллектора: 5 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт
• Коэффициент усиления по току: 4-15
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-3

Как видно, D1555 обладает высоким пробивным напряжением и способен работать с большими токами, что делает его подходящим для мощных импульсных применений.

Области применения транзистора D1555

Благодаря своим характеристикам, транзистор D1555 нашел применение в следующих областях электроники:

• Строчная развертка в телевизорах и мониторах
• Импульсные источники питания
• Преобразователи напряжения
• Коммутация индуктивных нагрузок
• Мощные ключевые каскады

Наиболее часто D1555 используется в выходных каскадах строчной развертки кинескопных телевизоров и мониторов. Высокое пробивное напряжение позволяет ему выдерживать импульсы напряжения, возникающие при работе строчной развертки.

Аналоги и замены транзистора D1555

При необходимости замены вышедшего из строя D1555 можно использовать следующие аналоги:

• 2SC4242
• BU508D
• 2SC3886
• D1651
• 2SC5249
• BU2520DF

Эти транзисторы имеют схожие характеристики и подходят для большинства схем, где применяется D1555. Однако при замене необходимо внимательно сравнить параметры и убедиться в их совместимости для конкретной схемы.

Как правильно подобрать замену для D1555

При выборе аналога D1555 следует обратить внимание на следующие ключевые параметры:

1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (должно быть не менее 1500 В)
2. Максимальный ток коллектора (не менее 5 А)
3. Максимальная рассеиваемая мощность (30 Вт и более)
4. Коэффициент усиления по току (должен быть в диапазоне 4-15)
5. Граничная частота (не менее 3 МГц)
6. Тип корпуса (TO-3 или совместимый)

Важно также учитывать особенности конкретной схемы, в которой будет использоваться транзистор. В некоторых случаях может потребоваться подстройка режимов работы при замене на аналог.

Особенности эксплуатации транзистора D1555

При работе с D1555 следует учитывать некоторые особенности:

• Транзистор требует хорошего теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности
• Необходимо обеспечить защиту от перенапряжений в импульсных схемах
• Рекомендуется использовать демпфирующие цепи для снижения коммутационных выбросов
• При замене на аналог может потребоваться корректировка смещения базы

Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную и долговременную работу транзистора в различных электронных устройствах.

Сравнение D1555 с современными аналогами

Хотя D1555 по-прежнему используется во многих устройствах, современная электроника предлагает более совершенные альтернативы. Рассмотрим сравнение D1555 с некоторыми современными транзисторами:

Параметр	D1555	BU2520DF	2SC5249
Макс. напряжение коллектор-эмиттер	1500 В	1500 В	1700 В
Макс. ток коллектора	5 А	8 А	7 А
Макс. рассеиваемая мощность	30 Вт	40 Вт	50 Вт
Граничная частота	3 МГц	5 МГц	4 МГц

Как видно из таблицы, современные аналоги превосходят D1555 по ключевым параметрам, обеспечивая большую эффективность и надежность в работе.

Рекомендации по выбору транзистора для замены D1555

При выборе транзистора для замены D1555 рекомендуется следовать следующим шагам:

1. Определите критические параметры для вашей схемы (напряжение, ток, мощность)
2. Составьте список потенциальных аналогов, соответствующих этим параметрам
3. Сравните дополнительные характеристики (частотные свойства, коэффициент усиления)
4. Проверьте совместимость корпуса и расположения выводов
5. По возможности, протестируйте выбранный аналог в вашей схеме

Следуя этим рекомендациям, вы сможете выбрать наиболее подходящий транзистор для замены D1555 в вашем устройстве.

Заключение

Транзистор D1555, несмотря на свой возраст, остается востребованным компонентом в определенных областях электроники. Его высокое пробивное напряжение и способность работать с большими токами делают его подходящим для мощных импульсных применений, особенно в устройствах строчной развертки.

Однако развитие технологий привело к появлению более совершенных аналогов, которые могут обеспечить лучшую производительность и надежность. При необходимости замены D1555 рекомендуется рассмотреть современные альтернативы, учитывая конкретные требования вашей схемы.

Правильный выбор транзистора и соблюдение рекомендаций по его эксплуатации позволят обеспечить надежную работу вашего электронного устройства на долгие годы.

D1555 транзистор характеристики, аналоги, datasheet

2SB1344 Datasheet (PDF)

1.1. 2sb1344.pdf Size:38K _rohm

2SB1344
Transistors
Transistors
2SD2025
(94L-374-B403)
(94L-969-D403)
299

1.2. 2sb1344.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1344
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)
FE CE C
·Complement to Type 2SD2025
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM

 4.1. 2sb1340.pdf Size:38K _rohm

2SB1340
Transistors
Transistors
2SD1889
(96-650-B88)
(96-765-D88)
288

4.2. 2sb1342.pdf Size:39K _rohm

2SB1474 / 2SB1342
Transistors
Transistors
2SD1933
(94S-181-B400)
(94L-906-D400)
298

 4. 3. 2sb1340 1-2.pdf Size:58K _rohm

4.4. 2sb1347.pdf Size:53K _panasonic

Power Transistors
2SB1347
Silicon PNP triple diffusion planar type
For high power amplification
Unit: mm
Complementary to 2SD2029
? 3.3 0.2
20.0 0.5 5.0 0.3
3.0
Features
Satisfactory foward current transfer ratio hFE vs. collector cur-
rent IC characteristics
Wide area of safe operation (ASO)
1.5
High transition frequency fT
Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier

 4.5. 2sb1340.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1340
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -120V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 2000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)
FE CE C
·Complement to Type 2SD1889
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage -120 V
CB

4.6. 2sb1347.pdf Size:219K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1347
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -160V(Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SD2029
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Power amplifier applications
·Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATING

4.7. 2sb1341.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1341
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -80V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)
FE CE C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL P

4.8. 2sb1342.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1342
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -80V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)
FE CE C
·Complement to Type 2SD1933
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM

4.9. 2sb1345.pdf Size:218K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1345
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage-
: V = -2.0V(Min) @I = -5A
CE(sat) C
·Good Linearity of h
FE
·Complement to Type 2SD2062
·With TO-3PN package
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Power driver and general purpose applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

4.10. 2sb1346.pdf Size:217K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1346
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -60V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SD2027
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency and general purpose
amplifier applications.
ABSOLUTE MAX

4.11. 2sb1343.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1343
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)
FE CE C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL

Замена и эквиваленты

Бывает, что вышедший из строя компонент уже не продается. Поэтому радиолюбители подбирают транзистор, который похож по своим техническим характеристикам на неисправный или ищут его аналог. Для поиска аналогов используют информацию из даташит на устройство и приведенные в нем технические характеристики.

Полные аналоги с d1555 по корпусу, его распиновке и техническому описанию, имеют следующие импортные транзисторы: 2SC42943; 2SC4744; BU508D; D1651; D2095; D2195; ECG2331. Можно подобрать  похожий по характеристикам, например d5703, как показано на видео ниже о подборе строчника.

Подходящей замены из отечественных устройств для данного импульсника нет. Некоторые умельцы используют в качестве альтернативы, на отдельных вариантах схем, советский КТ838А. Это очень сомнительное решение, вместе с которым надо учесть отсутствие у этого него защитного диода, резистора и при этом наличие большого металлического корпуса.

2SC5276 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5276.pdf Size:136K _sanyo

Ordering number:EN5186
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5276
UHF to S Band Low-Noise Amplifier,
OSC Applications
Features Package Dimensions
Low noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz).
unit:mm
: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz).
2110A
2
High gain : ? S21e? =11dB typ (f=1.5GHz).

1.9
High cutoff frequency : fT=11GHz typ.
0.95 0.95
Low-voltage, low-current operation
0.4

4.1. 2sc5277a-2-tl-e.pdf Size:403K _update

Ordering number : ENA1075A
2SC5277A
RF Transistor
http://onsemi.com
10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single SMCP
Features
• Low-noise
: NF=0.9dB typ (f=1GHz)
: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz)
• High gain ⏐ ⏐2
: S21e =10dB typ (f=1.5GHz)
• High cut-off frequency : fT=8GHz typ
• Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA)
: fT=3.5GHz typ
: S21e =5.5dB typ (f=1.5GHz)
⏐

4.2. 2sc5279.pdf Size:124K _toshiba



 4.3. 2sc5275.pdf Size:136K _sanyo

Ordering number:EN5185
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5275
UHF to S Band Low-Noise Amplifier,
OSC Applications
Features Package Dimensions
Low noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz).
unit:mm
: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz).
2018B
2
High gain : ? S21e? =10dB typ (f=1.5GHz).

High cutoff frequency : fT=11GHz typ.
0.4
Low-voltage, low-current operation
0.16
3
(VCE=

4.4. 2sc5277.pdf Size:134K _sanyo

Ordering number:EN5187
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5277
UHF to S Band Low-Noise Amplifier,
OSC Applications
Features Package Dimensions
Low noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz).
unit:mm
: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz).
2106A
2
High gain : ? S21e? =10dB typ (f=1.5GHz).

High cutoff frequency : fT=11GHz typ.
0.75
0.3
0.6
Low-voltage, low-current operation
(VC

 4.5. 2sc5277a.pdf Size:58K _sanyo

Ordering number : ENA1075 2SC5277A
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
UHF to S-Band Low-Noise Amplifier
2SC5277A
OSC Applications
Features
Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz).
: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz).
High gain : ?S21e?2=10dB typ (f=1.5GHz).
High cut-off frequency : fT=8GHz typ.
Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA).
: fT=3.5G

4.6. 2sc5274.pdf Size:20K _rohm

Transistors 2SC5274
(96-203-C329)
304

4.7. 2sc5270.pdf Size:35K _panasonic

Power Transistors
2SC5270, 2SC5270A
Silicon NPN triple diffusion mesa type
For horizontal deflection output
Unit: mm
15.5 0.5 3.0 0.3
? 3.2 0.1
Features
5 5
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
High-speed switching
5
Wide area of safe operation (ASO)
5
4.0
5
2.0 0.2
1.1 0.1
Absolute Maximum Ratings (TC=25?C)
0.7 0.

4.8. 2sc5273.pdf Size:42K _hitachi

To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (

4.9. 2sc5271.pdf Size:169K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC5271
DESCRIPTION
·With TO-220F package
APPLICATIONS
·For resonant switching regulator and
general purpose applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO Collector-base vo

4.10. 2sc5271.pdf Size:15K _sanken-ele

2SC5271
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
Application : Resonant Switching Regulator and General Purpose
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions FM20(TO220F)
Symbol 2SC5271 Symbol Conditions 2SC5271 Unit
Unit
0.2
4.2
0.2
10.1
c0.5
2.8
VCBO 300 ICBO VCB=300V 100max A
V
VCEO 200 IEBO VEB=7V 100max A
V
VEBO 7 V(BR

4.11. 2sc5271.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5271
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 200V(Min)
(BR)CEO
·Low Saturation Voltage-
: V = 1.0V(Max)@ (I = 2.5A, I = 0.5A)
CE(sat) C B
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for resonant switching regulator and general
purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM

2SD2058Y Datasheet (PDF)

1.1. 2sd2058g 2sd2058o 2sd2058y.pdf Size:290K _update_bjt

www.DataSheet4U.com
SavantIC Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD2058
DESCRIPTION
·With TO-220F package
·Complement to type 2SB1366
·Low collector saturation voltage:
VCE(SAT)=1.0V(Max) at IC=2A,IB=0.2A
·Collector power dissipation:
PC=25W(TC=25ı)
APPLICATIONS
·With general purpose applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Co

3.1. 2sc3882s 2sc4368 2sc4369 2sc4371 2sc4377 2sd1351a 2sd2058a bf599 bfq31 bfs20 bu508a bu806 buv48a buv48c kta1242 kta940.pdf Size:495K _update_bjt



3.2. 2sd2058.pdf Size:194K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2058
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 60V (Min)
(BR)CEO
·Collector Power Dissipation
: P = 25 W(Max)
C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

2SD2544 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd2544.pdf Size:51K _panasonic

Power Transistors
2SD2544
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification with high forward current transfer ratio
Unit: mm
5.0 0.1
Features
10.0 0.2 1.0
High foward current transfer ratio hFE
90
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE
Allowing supply with the radial taping
1.2 0.1 C1.0
2.25 0.2
Absolute Maximum Ratings (TC=25?C)
0.65 0.1

4.1. 2sd2549.pdf Size:42K _panasonic

Power Transistors
2SD2549
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
Unit: mm
Features
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory
4.6 0.2
9.9 0.3
2.9 0.2
linearity
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
Full-pack package which can be installed to the heat sink with
? 3.2 0.1
one screw
1.4 0.2
Absolute Maximum Ratings (TC=

4.2. 2sd254.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD254
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 70V(Min)
(BR) CEO
·Collector Power Dissipation-
: P = 20W @T = 25℃
C C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
ABSOLUTE MAXIMU

 4.3. 2sd2549.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2549
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 80V(Min)
(BR)CEO
·Low Collector Saturation Voltgae-
: V = 0.7V(Max.)@ I = 3A
CE(sat) C
·Good Linearity of h
FE
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

3DD5011 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd5011.pdf Size:235K _update

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5011 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION
R
3DD5011
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
BVCBO 900V
IC 10 A
VCE(sat) 0.5 V(max)
tf 0.3 μs(max)
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
产品特性 FEATURES 1 2 3

5.1. 3dd5036.pdf Size:144K _update

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5036 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5036
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1700 V
BV
CBO
8 A
I
C
3 V(max)
V
CE(sat)
0.6 μs(max)
t
f
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
1 2 3
FEATURES

5.2. 3dd5038.pdf Size:147K _update

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5038 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5038
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1200 V
BV
CBO
10 A
I
C
0.5 V(max)
V
CE(sat)
t 0.3 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特

 5.3. 3dd5040.pdf Size:152K _update_bjt

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5040 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5040
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1700 V
BV
CBO
22 A
I
C
3 V(max)
V
CE(sat)
t 0.3 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Horizontal deflection
数字、
高清彩色电视机
output for HDTV
行输出电路
1 2

5.4. 3dd5027.pdf Size:368K _update_bjt

NPN 型高压功率开关晶体管
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD5027
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IC 3A
VCEO 800V
PC(TO-220) 50W
用途 APPLICATIONS
节能灯 Energy-saving ligh
电子镇流器 Electronic ballasts
高频开关电源 High frequency switching power
高频功率变换 supply
一般功率放大电路

 5.5. 3dd5039.pdf Size:146K _update_bjt

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5039 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5039
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-220HF
900 V
BV
CBO
6 A
I
C
1.0 V(max)
V
CE(sat)
t 0.5 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特性 F

5.6. 3dd5032.pdf Size:213K _jilin_sino

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5032
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1500 V
BVCBO
8 A
Ic
3 V(max)
Vce(sat)
1 μs(max)
tf
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
B C E
FEATURES
产品特性

5.7. 3dd5024p.pdf Size:227K _jilin_sino

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5024P FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION
R
3DD5024P
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
TO-220HF
BVCBO 1500V
IC 8.0 A
VCE(sat) 3.0V(max)
tf 1.0 μs(max)
APPLICATIONS
用途
Horizontal deflection output
彩色电视机行输出电
for color TV.
路
1 2 3
等效电路 EQUIVAL

5.8. 3dd5023.pdf Size:207K _blue-rocket-elect

3DD5023 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途：用于彩色电视机行输出。
Application: Color TV Horizontal deflection output applications
特点:击穿电压高、漏电流小；开关速度快,饱和压降低，电流特性好。
Features: High breakdown voltage、Low drain current、High switching speed、Low saturation
voltage、Excellent current characte

5.9. 3dd5024.pdf Size:207K _blue-rocket-elect

3DD5024 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途：用于彩色电视机行输出。
Application: Color TV Horizontal deflection output applications
特点:击穿电压高、漏电流小；开关速度快,饱和压降低，电流特性好。
Features: High breakdown voltage、Low drain current、High switching speed、Low saturation
voltage、Excellent current characte

5.10. 3dd50.pdf Size:153K _china

3DD50/3DD51 型 NPN 硅低频大功率晶体管
规范值
参数符号 测试条件 单位
A B C D E F
PCM TC=75℃ 1 W
ICM 1 A
极
Tjm 175 ℃
限
Tstg -55~150 ℃
值
VCE=10V
Rth 100 ℃/W
IC=0.1A
V(BR)CBO ICB=1mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V
V(BR)CEO ICE=1mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V
V(BR)EBO IEB=1mA ≥5.0 V
ICBO VCB=20V ≤0.2 mA

5.11. 3dd505.pdf Size:37K _china

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd 11:54:41
Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China
2012-8-1
3DD505,BU104
NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor
Features:
1. Heavy working current.Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability.
2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611
3. Use for Low-speed switch,low frequency power amplify,

5.12. 3dd507.pdf Size:26K _china

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China
3DD507
NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor
Features:
1. Three pins isn’t connected with the cover. It could be produced according to the requirement.
2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611
3. Use for Low-speed switch,low frequency power amplify,power adjustment.
4

Биполярный транзистор BUL6823 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BUL6823

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 13
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO92, TO92S

BUL6823

Datasheet (PDF)

1.1. bul6823a.pdf Size:312K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823A
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823A

1.2. bul6823.pdf Size:312K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823
N

 4.1. bul6825.pdf Size:84K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon Power Transistors BUL6825
DESCRIPTION ·
·High voltage ,high speed
·With TO-220C package
APPLICATIONS
·Relay drivers
·Inverters
·Switching regulators
·Deflection circuits
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 emitter
LIMITING VALUES
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO Colle

4.2. bul6825.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor BUL6825
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Sustaining Voltage
: V = 400V(Min.)
CEO(SUS)
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max) @ I = 1A
CE(sat) C
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in relay drivers ,inverters ,s

 4.3. bul6821.pdf Size:312K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6821
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6821
N

4.4. bul6822a.pdf Size:312K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822A
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822A

 4.5. bul6822.pdf Size:312K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822
N

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

BUL6823 Datasheet (PDF)

1.1. bul6823a.pdf Size:312K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823A
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823A

1.2. bul6823.pdf Size:312K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823
N

 4.1. bul6825.pdf Size:84K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon Power Transistors BUL6825
DESCRIPTION ·
·High voltage ,high speed
·With TO-220C package
APPLICATIONS
·Relay drivers
·Inverters
·Switching regulators
·Deflection circuits
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 emitter
LIMITING VALUES
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO Colle

4.2. bul6825.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor BUL6825
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Sustaining Voltage
: V = 400V(Min.)
CEO(SUS)
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max) @ I = 1A
CE(sat) C
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in relay drivers ,inverters ,s

 4.3. bul6821.pdf Size:312K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6821
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6821
N

4.4. bul6822a.pdf Size:312K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822A
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822A

 4.5. bul6822.pdf Size:312K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822
N

2SD2689LS Datasheet (PDF)

1.1. 2sd2689ls.pdf Size:30K _sanyo

Ordering number : ENN7527
2SD2689LS
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SD2689LS
Color TV Horizontal Deflection
Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2079D
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
10.0 4.5
3.2
2.8
0.9
1.2 1.2
0.75 0.7
1 : Base
1 2 3
2 :

3.1. 2sd2689.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2689
DESCRIPTION
·High speed.
·High breakdown voltage(VCBO=1500V).
·High reliability(Adoption of HVP process).
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for Color TV Horizontal Deflection
Output Applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Co

 4.1. 2sd2686.pdf Size:175K _toshiba

2SD2686
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power)
2SD2686
Solenoid Drive Applications
Unit: mm
Motor Drive Applications
• High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 A, IC = 1 A)
• Zener diode included between collector and base
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 50 V
Collector-em

4.2. 2sd2688.pdf Size:39K _sanyo

Ordering number : ENN7526
2SD2688LS
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SD2688LS
Color TV Horizontal Deflection
Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2079D
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
10.0 4.5
3.2
2.8
On-chip damper diode.
0.9
1.2 1.2
0.

 4.3. 2sd2687s.pdf Size:76K _rohm

2SD2687S
Transistors
Low frequency amplifier, strobe
2SD2687S
Dimensions (Unit : mm)
Application
Low frequency amplifier
Storobo
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat) ? 250mV
At lc=1.5A / lB=30mA
(1)Emitter(GND)
(2)Collector(OUT)
(3)Base(IN) Taping specifications
Absolute maximum ratings (Ta=25C)
Parameter Symbol Limits Unit
Collector-base voltag

2SD2396 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd2396.pdf Size:41K _rohm

2SD2396
Transistors
Transistors
2SC5060
(96-819-D351)
(96-733-D416)
323

1.2. 2sd2396.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2396
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
·High DC current gain
·Large collector power dissipation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Coll

 1.3. 2sd2396.pdf Size:577K _blue-rocket-elect

2SD2396(BR3DA2396F)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-220F 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.
特征 / Features
直流电流增益高,饱和压降低,集电极耗散功率大,,安全工作区宽。
High DC current gain),low VCE(sat),large collector power dissipation, wide SOA.
用途 / Applications
用于

3DD5036 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd5036.pdf Size:144K _update

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5036 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5036
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1700 V
BV
CBO
8 A
I
C
3 V(max)
V
CE(sat)
0.6 μs(max)
t
f
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
1 2 3
FEATURES

4.1. 3dd5038.pdf Size:147K _update

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5038 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5038
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1200 V
BV
CBO
10 A
I
C
0.5 V(max)
V
CE(sat)
t 0.3 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特

4.2. 3dd5039.pdf Size:146K _update_bjt

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5039 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5039
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-220HF
900 V
BV
CBO
6 A
I
C
1.0 V(max)
V
CE(sat)
t 0.5 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特性 F

 4.3. 3dd5032.pdf Size:213K _jilin_sino

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5032
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1500 V
BVCBO
8 A
Ic
3 V(max)
Vce(sat)
1 μs(max)
tf
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
B C E
FEATURES
产品特性

2SD5703 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd5703.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5703
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: VCBO= 1500V (Min)
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

4.1. 2sd570.pdf Size:217K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD570
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 70V(Min.)
(BR)CEO
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.6V(Max.)@I = 2A
CE(sat) C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

4.2. 2sd5702.pdf Size:189K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5702
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: VCBO= 1500V (Min)
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in horizontal deflection circuits of
colour TV receivers.
ABSOLUTE MAXIMUM RAT

3DD5023 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd5023.pdf Size:207K _blue-rocket-elect

3DD5023 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途：用于彩色电视机行输出。
Application: Color TV Horizontal deflection output applications
特点:击穿电压高、漏电流小；开关速度快,饱和压降低，电流特性好。
Features: High breakdown voltage、Low drain current、High switching speed、Low saturation
voltage、Excellent current characte

4.1. 3dd5027.pdf Size:368K _update_bjt

NPN 型高压功率开关晶体管
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD5027
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IC 3A
VCEO 800V
PC(TO-220) 50W
用途 APPLICATIONS
节能灯 Energy-saving ligh
电子镇流器 Electronic ballasts
高频开关电源 High frequency switching power
高频功率变换 supply
一般功率放大电路

4.2. 3dd5024p.pdf Size:227K _jilin_sino

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5024P FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION
R
3DD5024P
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
TO-220HF
BVCBO 1500V
IC 8.0 A
VCE(sat) 3.0V(max)
tf 1.0 μs(max)
APPLICATIONS
用途
Horizontal deflection output
彩色电视机行输出电
for color TV.
路
1 2 3
等效电路 EQUIVAL

 4.3. 3dd5024.pdf Size:207K _blue-rocket-elect

3DD5024 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途：用于彩色电视机行输出。
Application: Color TV Horizontal deflection output applications
特点:击穿电压高、漏电流小；开关速度快,饱和压降低，电流特性好。
Features: High breakdown voltage、Low drain current、High switching speed、Low saturation
voltage、Excellent current characte

3DD5038 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd5038.pdf Size:147K _update

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5038 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5038
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1200 V
BV
CBO
10 A
I
C
0.5 V(max)
V
CE(sat)
t 0.3 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特

4.1. 3dd5036.pdf Size:144K _update

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5036 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5036
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1700 V
BV
CBO
8 A
I
C
3 V(max)
V
CE(sat)
0.6 μs(max)
t
f
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
1 2 3
FEATURES

4.2. 3dd5039.pdf Size:146K _update_bjt

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5039 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5039
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-220HF
900 V
BV
CBO
6 A
I
C
1.0 V(max)
V
CE(sat)
t 0.5 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特性 F

 4.3. 3dd5032.pdf Size:213K _jilin_sino

低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5032
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1500 V
BVCBO
8 A
Ic
3 V(max)
Vce(sat)
1 μs(max)
tf
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
B C E
FEATURES
产品特性

2SD2549 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd2549.pdf Size:42K _panasonic

Power Transistors
2SD2549
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
Unit: mm
Features
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory
4.6 0.2
9.9 0.3
2.9 0.2
linearity
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
Full-pack package which can be installed to the heat sink with
? 3.2 0.1
one screw
1.4 0.2
Absolute Maximum Ratings (TC=

1.2. 2sd2549.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2549
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 80V(Min)
(BR)CEO
·Low Collector Saturation Voltgae-
: V = 0.7V(Max.)@ I = 3A
CE(sat) C
·Good Linearity of h
FE
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 4.1. 2sd2544.pdf Size:51K _panasonic

Power Transistors
2SD2544
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification with high forward current transfer ratio
Unit: mm
5.0 0.1
Features
10.0 0.2 1.0
High foward current transfer ratio hFE
90
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE
Allowing supply with the radial taping
1.2 0.1 C1.0
2.25 0.2
Absolute Maximum Ratings (TC=25?C)
0.65 0.1

4.2. 2sd254.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD254
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 70V(Min)
(BR) CEO
·Collector Power Dissipation-
: P = 20W @T = 25℃
C C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
ABSOLUTE MAXIMU

Оцените статью:

2SD1555 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SD1555 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

• Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Изолированный корпус.
• Встроенный демпферный диод.
• Прибор снят с производства, рекомендованная замена — 2SD2499.

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	1500	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	600	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	5	В
Ic	Ток коллектора	—	—	—	5,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	50	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 1,0 А	8	—	—	—
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А	—	—	5,0	В
FT	Граничная частота эффективного усиления	Vce = 10 В, Ic = 0,1 А	—	3	—	МГц
Ib	Ток базы	—	—	—	0,8	А
Tf	Время спада импульса	F = 15 кГц	—	—	1,0	мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

характеристики (параметры), цоколевка, аналоги отечественные и импортные

D1555 — кремниевый NPN транзистор, разработанный для систем горизонтальной развертки цветных телевизионных приемников. Конструктивное исполнение TO-3P(H)IS.

Корпус, размеры и цоколевка

Характерные особенности

• Высокое напряжение пробоя коллекторного перехода UCBO ≥ 1500 В.
• Высокая скорость переключений.
• Низкое напряжение насыщения.
• Встроенный защитный резистор (≈ 50 Ом) и демпфирующий (защитный) диод.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные действительны для температуры окружающей среды 25°C.

Характеристика	Символ	Значение
Напряжение коллектор-база, В	UCBO	1500
Напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEO	600
Напряжение база-эмиттер, В	UEBO	5
Ток коллектора постоянный, А	ICO	5
Ток базы постоянный, А	IBO	2,5
Мощность рассеяния на коллекторе, Вт	PC	50
Предельная температура кристалла, °С	TJ	150
Диапазон температур при хранении, °С	TSTG	от -55 до 150

Электрические характеристики

Данные действительны для температуры окружающей среды 25°C.

Характеристика	Символ	Параметры при измерениях	Значение
Пробивное напряжение эмиттер-база, В	U(BR)EBO	IE = 200 мА, IC = 0	≥ 5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC=4А, IB=0,8А	≤ 5,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC=4А, IB=0,8А	≤ 1,5
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB=500В, IE=0	≤ 10
Коэффициент усиления статический	hFE	UCE=5В, IC=1А	≥ 8
Падение напряжения на защитном диоде, В	UECF	IF=5А	≤ 2,0
Частота среза, МГц	fT	UCE=10В, IC=0,1А	Типовое значение 3
Выходная емкость, pF	COB	IE = 0, UCB = 10В, fTEST = 1 МГц	165
Время спада, мксек	tf	ICP = 4А, IB1=0,8А,	≤ 1,0 Типовое значение 0,5

Модификации транзистора D1555

Два производителя из пяти, поставляющих транзисторы с кодом 2SD1555 имеют некоторые отличия в номинальных параметрах, как показано ниже. Данные получены по материалам сайтов: alltranzistors.ru и chipdip.ru.

Модель	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	CC, pF	hFE	Корпус	Производитель
2SD1555	50	1500	600	5	5	150	3	165	8	TO-3PHIS	Inchange Semiconductor
2SD1555	50	1500	600	5	5	150	3	165	8		JMnic
2SD1555	50	1500	600	5	5	150	3	165	8		SavantIC Semiconductor
2SD1555	50	1500	800	5	5	150	3	165	8	TO-3ML	TOSHIBA
2SD1555	50	1500	1500	6	5	150			8	2-16E3A	Wing Shing Corp.

٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые мезо-планарные, NPN, импульсные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки ТВ-приемников и видеоконтрольных устройств, источниках вторичного электропитания и высоковольтных переключающих устройствах.

Отечественное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	CC, pF	hFE	Корпус
2SD1555	50	1500	600	5	5	150	3	165	8	TO-3P(H)IS
КТ838А*	70	1500	600	5	5	115	≥ 3	170	≥ 4	ТО-3 (КТ-9)
КТ839А*	50	1500	1500	5	10	125	≥ 5	240	от 5 до 12
КТ886А1/Б1*	75	1400/1000	1400/1000	7	10	150		135	от 6 до 25	TOP-3 (КТ-43В-2)

٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.

Импортное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	CC, pF	hFE	Корпус
2SD1555	50	1500	600	5	5	150	3	165	8	TO-3P(H)IS
2SD1546/7/8*	50	1500	600	5	6/7/10	150	3	165	8	TO-3PF
2SD1556	50	1500	600	5	6	150	3	165	8
2SD2125	50	1500	600	5	6	150	3	165	8
2SD2498*/9	50	1500	600	5	6	150	2	95	8	TO-3P(H)IS
2SC4293/4	50	1500	800	7	5/6	150			8	TO-3PN
2SC4744	50	1500		6	6	150			25	TO-3PFM
BUh517	55	1700	700	10	10	150			10	TO-3PF
BUH515	60	1500	700	10	10	150			10
BUH517*	55	1700	700	10	10	150			10
BUH615	55	1500	700	10	10	150			10
BUH715*	65	1500	700	10	10	150			10
KSC5086	50	1500	800	6	6	150			8
KSC5088*	50	1500	800	6	6	150			8
TS7988	70	1600	800	6	6	150			15
TS7990	75	1600	800	6	6	150			15
TS7992	75	1600	800	6	6	150			15
BU508D	125	1500	700		8	150	7	125	от 6 до 30	SOT-429
2SD1847/8	100	1300	1300	7	6	150	2		от 5 до 25	TO-3PFa
2SD5072	60	1500	800	6	5	150	3		8	TO-3MPL

٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.

Примечание: все данные в таблицах получены из даташит производителя.

Графические данные характеристик

Рис. 1. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от тока базы I_B при разных коллекторных нагрузках I_C. Температура корпуса транзистора T_C = 25°C.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE от тока коллектора I_C.

Зависимость снята в схеме включения транзистора с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В и при температуре корпуса T_C = 25°C.

Рис. 3. График снижения допустимой мощности рассеяния PC при увеличении температуры корпуса TC транзистора.

Рис. 4. Области безопасной работы транзистора.

Область безопасной работы транзистора ограничена предельным током коллектора IC(MAX), максимальным напряжением коллектор-эмиттер UCE(MAX) и кривой предельной мощности рассеяния PC.

Семейство графиков ограничения области безопасной работы снято при прохождении через транзистор одиночного неповторяющегося импульса тока различной длительности: 50 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс и постоянного тока. Графики этих режимов помечены символом «٭». График режима постоянного тока показан как «DC OPERATION». Семейство графиков снято при температуре корпуса TC = 25°C. При возрастании температуры графики пропорционально смещаются вниз по оси ординат.

транзистор d1555

характеристики транзисторов полупроводниковый транзистор триггер на транзисторах Транзистор транзистор кт3102 транзисторы продам транзистор москва (от проверка транзисторов советские транзисторы транзистор 8050 англ. расчет радиатора для транзистора блок питания на полевых транзисторах работа полевых транзисторов transfer полевой транзистор управление управление полевым транзистором параметры полевых транзисторов — применение транзисторов блокинг генератор на транзисторе параметры биполярных транзисторов переносить применение полевых транзисторов полупроводниковый транзистор усилители на биполярных транзисторах и как проверить транзистор мультиметром стабилизаторы на полевых транзисторах структура транзистора resistance ключ полевой транзистор технические характеристики транзисторов транзисторы тиристоры — транзистор 8050 полевой транзистор цоколевка как проверить полевые транзисторы сопротивление полевой транзистор транзистор принцип работы smd транзисторы или импульсный транзистор ключ на полевом транзисторе igbt транзисторы transconductance использование транзисторов диоды транзисторы полевые транзисторы — стабилизатор на полевом транзисторе 6822 транзистор схема включения полевого транзистора активная производство транзисторов база транзисторов ключ полевой транзистор межэлектродная унч на транзисторах стабилизаторы тока на полевых транзисторах высокочастотные транзисторы проводимость транзистор полевой схема включения ключ на полевом транзисторе транзисторы pdf и транзистор d882 полевой транзистор применение силовые транзисторы varistor полевой транзистор схема кодовая маркировка транзисторов полупроводниковый транзистор — аналоги импортных транзисторов составной транзистор транзисторы продам переменное полевые транзисторы характеристики стабилизаторы тока на полевых транзисторах советские транзисторы сопротивление) транзистор принцип работы где купить транзисторы блок питания на полевых транзисторах — аналоги отечественных транзисторов маркировка smd транзисторов управление полевым транзистором электронный усилитель мощности на транзисторах схемы генераторов на транзисторах блокинг генератор на транзисторе прибор скачать транзисторы как сделать транзистор полупроводниковый транзистор из epson транзисторы s8050 транзистор стабилизаторы на полевых транзисторах полупроводникового транзистор затвор сток исток полевой транзистор схема технические характеристики транзисторов материала, биполярные транзисторы справочник зарубежные транзисторы скачать полевой транзистор цоколевка обычно реле на транзисторе транзисторы с изолированным затвором транзистор принцип работы с принцип транзистора маркировка транзисторов ключ на полевом транзисторе тремя как проверить транзистор импортные транзисторы справочник диоды транзисторы выводами, d880 транзистор транзисторы развертки строчной 6822 транзистор позволяющий биполярные транзисторы справочник генератор импульсов на транзисторах база транзисторов входным фото транзисторов таблица транзисторов стабилизаторы тока на полевых транзисторах сигналам расчет радиатора для транзистора p канальный транзистор ключ на полевом транзисторе управлять транзистор исток сток описание транзисторов полевой транзистор применение током транзистор исток сток кмоп транзистор кодовая маркировка транзисторов в стабилизаторы на полевых транзисторах цоколевка полевого транзистора составной транзистор электрической даташит транзисторы как сделать транзистор стабилизаторы тока на полевых транзисторах цепи. ножки транзистора транзистор кт3102 где купить транзисторы Обычно смд транзисторы транзисторы большой мощности маркировка smd транзисторов используется включение биполярного транзистора зарубежные транзисторы схемы генераторов на транзисторах для усилитель на полевом транзисторе производство транзисторов как сделать транзистор усиления, транзисторы справочник испытатель транзисторов s8050 транзистор генерирования планарные транзисторы простые схемы на транзисторах полевой транзистор схема и полевой транзистор цоколевка полевой транзистор справочник зарубежные транзисторы скачать преобразования строчные транзисторы мосфет транзисторы транзисторы с изолированным затвором электрических транзисторы pdf работа биполярного транзистора маркировка транзисторов сигналов. транзистор d1555          технические характеристики транзисторов где купить транзисторы импортные транзисторы справочник Управление вах транзистора реле на транзисторе транзисторы развертки строчной током маркировка транзисторов схема транзистора генератор импульсов на транзисторах в прибор для проверки транзисторов импортные транзисторы справочник таблица транзисторов выходной транзисторы philips продажа транзисторы p канальный транзистор цепи реле на транзисторе мдп транзистор описание транзисторов осуществляется справочник полевых транзисторов применение полевых транзисторов кмоп транзистор за 6822 транзистор стабилизатор напряжения на транзисторе цоколевка полевого транзистора счёт как сделать транзистор замена транзисторов как сделать транзистор изменения простые схемы на транзисторах цоколевка полевого транзистора транзистор кт3102 входного параметры биполярных транзисторов генераторы на полевых транзисторах транзисторы большой мощности напряжения мосфет транзисторы транзистор исток сток зарубежные транзисторы или работа транзистора транзистор pnp производство транзисторов тока. взаимозаменяемость транзисторов обозначение транзисторов испытатель транзисторов Небольшое транзисторы продам mosfet транзисторы простые схемы на транзисторах изменение структура транзистора транзистор мп полевой транзистор справочник входных транзистор 9014 транзисторы с изолированным затвором мосфет транзисторы величин управление полевым транзистором справочник полевых транзисторов работа биполярного транзистора может радио транзистор усилитель звука на транзисторах где купить транзисторы приводить кодовая маркировка транзисторов транзисторы импортные реле на транзисторе к рабочая точка транзистора умзч на транзисторах схема транзистора существенно как работает транзистор стабилизатор напряжения на транзисторе импортные транзисторы справочник большему принцип действия транзистора транзистор 3102 продажа транзисторы изменению полевой транзистор схема типы транзисторов мдп транзистор выходного схема подключения транзистора стабилизатор на полевом транзисторе применение полевых транзисторов напряжения прямой транзистор mosfet транзисторы стабилизатор напряжения на транзисторе и работа биполярного транзистора найти транзистор замена транзисторов тока. цветовая маркировка транзисторов параметры полевых транзисторов цоколевка полевого транзистора Это триггер на транзисторах транзисторы развертки строчной генераторы на полевых транзисторах усилительное цветная маркировка транзисторов транзистор исток сток транзистор исток сток свойство простые схемы на транзисторах усилитель мощности на полевых транзисторах транзистор pnp транзисторов малошумящие транзисторы усилитель на полевом транзисторе обозначение транзисторов используется транзисторы импортные ключ на полевом транзисторе mosfet транзисторы в база транзисторов datasheet транзистор транзистор мп аналоговой транзистор 3102 кодовая маркировка транзисторов транзисторы с изолированным затвором технике технические характеристики транзисторов как прозвонить транзистор справочник полевых транзисторов (аналоговые фото транзисторов принцип работы полевых транзисторов усилитель звука на транзисторах ТВ, современные транзисторы 13003 транзистор транзисторы импортные радио, малошумящие транзисторы обозначение транзисторов умзч на транзисторах связь 1 транзистор как прозванивать транзисторы стабилизатор напряжения на транзисторе и ключ полевой транзистор smd транзисторы транзистор 3102 т. схема унч на транзисторах транзисторы отечественные типы транзисторов п.). транзистор d1555          характеристики полевых транзисторов n p n транзистор стабилизатор на полевом транзисторе В полевой транзистор цоколевка усилитель мощности на полевых транзисторах mosfet транзисторы настоящее транзистор pnp транзисторы с изолированным затвором найти транзистор время реле на транзисторе как проверить полевой транзистор параметры полевых транзисторов в свч транзисторы транзистор в ключевом режиме транзисторы развертки строчной аналоговой простые схемы на транзисторах купить транзисторы транзистор исток сток технике база транзисторов схема транзистора усилитель мощности на полевых транзисторах доминируют d209l транзистор транзистор сгорел усилитель на полевом транзисторе биполярные усилитель мощности на полевых транзисторах транзисторы отечественные ключ на полевом транзисторе транзисторы цоколевка полевого транзистора вч транзисторы datasheet транзистор (БТ) рабочая точка транзистора как работает транзистор кодовая маркировка транзисторов (международный полевые транзисторы параметры полевой транзистор характеристики как прозвонить транзистор термин параметры биполярных транзисторов мощные транзисторы принцип работы полевых транзисторов — epson транзисторы строчные транзисторы 13003 транзистор BJT, ключ полевой транзистор работа полевого транзистора обозначение транзисторов bipolar транзистор светодиод полевые транзисторы импортные справочник как прозванивать транзисторы junction транзистор кт цифровой транзистор smd транзисторы transistor). цоколевка транзисторов умзч на транзисторах транзисторы отечественные Другой транзистор кт3102 ключ на биполярном транзисторе n p n транзистор важнейшей смд транзисторы полевой транзистор принцип работы усилитель мощности на полевых транзисторах отраслью структура транзистора n канальный транзистор транзисторы с изолированным затвором электроники цветная маркировка транзисторов транзистор d1555 как проверить полевой транзистор является замена транзисторов схемы генераторов на транзисторах транзистор в ключевом режиме цифровая транзистор дарлингтона применение полевого транзистора купить транзисторы техника база транзисторов смд транзисторы схема транзистора (логика, планарные транзисторы s8050 транзистор транзистор сгорел память, транзистор 9014 корпуса транзисторов транзисторы отечественные процессоры, 6822 транзистор полевой транзистор применение вч транзисторы компьютеры, транзистор кт d209l транзистор как работает транзистор цифровая полевой транзистор схема устройства на полевых транзисторах полевой транзистор характеристики связь подбор транзисторов по параметрам транзистор в ключевом режиме мощные транзисторы и транзистор исток сток усилитель на полевых транзисторах строчные транзисторы т. диоды транзисторы полевой транзистор управление работа полевого транзистора п.), силовые транзисторы транзистор npn полевые транзисторы импортные справочник где, схема унч на транзисторах усилитель на транзисторах цифровой транзистор напротив, умзч на транзисторах полевой транзистор умзч на транзисторах биполярные устройство транзистора усилитель мощности на транзисторах ключ на биполярном транзисторе транзисторы обозначение транзисторов на схеме подбор транзистора полевой транзистор принцип работы почти транзистор npn полевой транзистор принцип работы n канальный транзистор полностью чип транзисторы транзисторы кт характеристики транзистор d1555 вытеснены транзистор мп взаимозаменяемость транзисторов схемы генераторов на транзисторах полевыми. транзистор d1555          применение полевых транзисторов использование транзисторов применение полевого транзистора Вся транзистор кт819 маркировка smd транзисторов смд транзисторы современная усилитель на транзисторах корпуса транзисторов s8050 транзистор цифровая мп39 транзистор импульсный транзистор корпуса транзисторов техника тесла на транзисторах транзисторы tip полевой транзистор применение построена, устройство транзистора генератор на транзисторе d209l транзистор в полевой транзистор применение как проверить транзистор устройства на полевых транзисторах основном, работа транзистора маркировка полевых транзисторов транзистор в ключевом режиме на принцип работы полевых транзисторов транзисторы pdf усилитель на полевых транзисторах полевых взаимозаменяемость транзисторов стабилизатор тока на транзисторе полевой транзистор управление МОП подбор транзисторов по параметрам применение полевого транзистора транзистор npn (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах d209l транзистор даташит транзисторы усилитель на транзисторах (МОПТ), принцип работы полевого транзистора транзисторы турута полевой транзистор как цветовая маркировка транзисторов технические характеристики транзисторов усилитель мощности на транзисторах более справочник полевых транзисторов как подключить транзистор подбор транзистора экономичных, стабилизаторы тока на полевых транзисторах транзистор d882 полевой транзистор принцип работы по режимы работы транзистора завод транзистор транзисторы кт характеристики сравнению блок питания на полевых транзисторах подключение транзистора взаимозаменяемость транзисторов с использование транзисторов аналоги транзисторов использование транзисторов БТ, n канальный транзистор технические характеристики транзисторов маркировка smd транзисторов элементах. тесла на транзисторах пробой транзистора корпуса транзисторов Иногда транзистор кт315 применение транзисторов импульсный транзистор их импульсный транзистор радио транзистор транзисторы tip называют мощные транзисторы лавинный транзистор генератор на транзисторе МДП транзистор сгорел пробой транзистора как проверить транзистор (металл-диэлектрик-полупроводник)- параметры биполярных транзисторов транзистор кт маркировка полевых транзисторов транзисторы. фото транзисторов таблица транзисторов транзисторы pdf Международный транзисторы продам подключение транзистора стабилизатор тока на транзисторе термин транзистор кт819 транзистор светодиод применение полевого транзистора — принцип работы полевых транзисторов транзистор мп даташит транзисторы MOSFET полевой транзистор применение транзистор москва транзисторы турута (metal-oxide-semiconductor n p n транзистор транзисторы с изолированным затвором технические характеристики транзисторов field кодовая маркировка транзисторов цоколевка полевых транзисторов как подключить транзистор effect n канальный транзистор транзистор исток сток транзистор d882 transistor). затвор транзистора цифровой транзистор завод транзистор Транзисторы выводы транзистора транзисторы кт характеристики подключение транзистора изготавливаются зарубежные транзисторы и их аналоги справочник зарубежных транзисторов скачать аналоги транзисторов в схемы включения полевых транзисторов генератор на транзисторе технические характеристики транзисторов рамках стабилизаторы тока на полевых транзисторах зарубежные транзисторы пробой транзистора интегральной строчные транзисторы включение полевых транзисторов применение транзисторов технологии блок питания на полевых транзисторах типы транзисторов радио транзистор на устройство транзистора тесла на транзисторах лавинный транзистор одном усилитель мощности на полевых транзисторах работа полевых транзисторов пробой транзистора кремниевом транзистор кт315 s8050 транзистор транзистор кт кристалле транзисторы справочник транзистор ру таблица транзисторов (чипе) стабилизатор напряжения на транзисторе транзистор кт3102 подключение транзистора и схема включения полевого транзистора включение полевых транзисторов транзистор светодиод составляют полевые транзисторы импортные справочник цоколевка полевых транзисторов транзистор мп элементарный полевой транзистор параметры производство транзисторов транзистор москва «кирпичик» цоколевка импортных транзисторов s8050 транзистор транзисторы с изолированным затвором для купить транзисторы параметры биполярных транзисторов цоколевка полевых транзисторов построения обозначение транзисторов работа транзистора транзистор исток сток микросхем транзистор 3102 фото транзисторов цифровой транзистор логики, фото транзисторов маркировка smd транзисторов транзисторы кт характеристики памяти, радио транзистор полевые транзисторы характеристики справочник зарубежных транзисторов скачать процессора расчет радиатора для транзистора стабилизаторы на полевых транзисторах генератор на транзисторе и стабилизатор тока на транзисторе транзистор 8050 зарубежные транзисторы т. p канальный транзистор параметры биполярных транзисторов включение полевых транзисторов п. применение транзисторов простой усилитель на транзисторах типы транзисторов Размеры силовые транзисторы мощный полевой транзистор тесла на транзисторах современных прибор для проверки транзисторов купить транзисторы работа полевых транзисторов МОПТ схема унч на транзисторах маркировка полевых транзисторов s8050 транзистор составляют 315 транзистор c945 транзистор транзистор ру от транзисторы irf транзистор кт3102 транзистор кт3102 90 как прозванивать транзисторы справочник зарубежных транзисторов скачать включение полевых транзисторов до устройства на полевых транзисторах справочник по зарубежным транзисторам цоколевка полевых транзисторов 32 коэффициент усиления транзистора замена транзисторов производство транзисторов нм[источник структура транзистора транзистор сгорел s8050 транзистор не биполярный транзистор принцип работы скачать транзисторы параметры биполярных транзисторов указан коэффициент усиления транзистора скачать бесплатно справочник по транзисторам работа транзистора 134 транзистор кт315 кмоп транзистор фото транзисторов дня]. вч транзисторы обозначение транзисторов маркировка smd транзисторов На характеристики транзисторов испытатель транзисторов полевые транзисторы характеристики одном вч транзисторы цоколевка транзисторов стабилизаторы на полевых транзисторах современном драйвер транзистора трансформатор тесла на транзисторе транзистор 8050 чипе обозначение транзисторов на схеме выводы транзистора параметры биполярных транзисторов (обычно маркировка smd транзисторов параметры полевых транзисторов простой усилитель на транзисторах размером прибор для проверки транзисторов схема ключа на транзисторе мощный полевой транзистор 1—2 характеристики полевых транзисторов транзистор с общим эмиттером купить транзисторы см?) завод транзистор производство транзисторов маркировка полевых транзисторов размещаются зарубежные транзисторы epson транзисторы c945 транзистор несколько подключение транзистора работа биполярного транзистора транзистор кт3102 (пока реле на транзисторе как проверить полевой транзистор справочник зарубежных транзисторов скачать единицы) блок питания на полевом транзисторе транзистор кт3102 справочник по зарубежным транзисторам миллиардов транзистор кт высокочастотные транзисторы замена транзисторов МОПТ. корпуса транзисторов ключ полевой транзистор транзистор сгорел На усилитель на транзисторах биполярный транзистор принцип работы скачать транзисторы протяжении транзистор 8050 полевой транзистор применение скачать бесплатно справочник по транзисторам 60 скачать бесплатно справочник по транзисторам транзистор это просто кмоп транзистор лет транзистор это просто включение транзисторов обозначение транзисторов происходит транзистор цена принцип работы полевого транзистора испытатель транзисторов уменьшение полевой транзистор справочник даташит транзисторы цоколевка транзисторов размеров скачать транзисторы реле на транзисторе трансформатор тесла на транзисторе (миниатюризация) применение транзисторов как сделать транзистор выводы транзистора МОПТ обозначение транзисторов на схеме режимы работы транзистора параметры полевых транзисторов и металлоискатель на транзисторах коды транзисторов схема ключа на транзисторе увеличение подбор транзисторов по параметрам расчет радиатора для транзистора транзистор с общим эмиттером их производство транзисторов обозначение транзисторов производство транзисторов количества параметры полевых транзисторов поиск транзисторов epson транзисторы на мощный полевой транзистор защита транзистора работа биполярного транзистора одном полевой транзистор схема транзисторы отечественные как проверить полевой транзистор чипе применение полевого транзистора обозначение транзисторов транзистор кт3102 (степень прямой транзистор транзисторы отечественные высокочастотные транзисторы интеграции), обозначение транзисторов на схеме усилитель на полевом транзисторе ключ полевой транзистор в полевой транзистор управление структура транзистора биполярный транзистор принцип работы ближайшие схема подключения транзистора 6822 транзистор полевой транзистор применение годы блок питания на полевом транзисторе транзистор дарлингтона транзистор это просто ожидается транзисторы с изолированным затвором биполярный транзистор включение транзисторов дальнейшее коды транзисторов технические характеристики транзисторов принцип работы полевого транзистора увеличение полевые транзисторы принцип транзистора даташит транзисторы степени блок питания на полевых транзисторах чип транзисторы реле на транзисторе интеграции тесла на транзисторах аналоги отечественных транзисторов как сделать транзистор транзисторов однопереходный транзистор полевых транзисторов режимы работы транзистора на интегральный транзистор цоколевка полевого транзистора коды транзисторов чипе мощные биполярные транзисторы испытатель транзисторов расчет радиатора для транзистора (см. транзистор pnp маркировка импортных транзисторов обозначение транзисторов Закон работа биполярного транзистора зарубежные транзисторы и их аналоги поиск транзисторов Мура). bully транзисторы поиск транзисторов защита транзистора Уменьшение рабочая точка транзистора производители транзисторов транзисторы отечественные размеров ключ на биполярном транзисторе справочник зарубежных транзисторов скачать обозначение транзисторов МОПТ транзистор d2499 мосфет транзисторы транзисторы отечественные приводит транзисторы развертки строчной справочник аналогов транзисторов усилитель на полевом транзисторе также p канальный транзистор транзистор d1555 структура транзистора к транзистор светодиод вч транзисторы 6822 транзистор повышению испытатель транзисторов принцип транзистора транзистор дарлингтона быстродействия типы транзисторов скачать бесплатно справочник по транзисторам биполярный транзистор процессоров. транзистор d1555          315 транзистор усилитель мощности на полевых транзисторах технические характеристики транзисторов Первые импортные транзисторы справочник цоколевка полевых транзисторов принцип транзистора патенты затвор транзистора транзистор исток сток чип транзисторы на полевые транзисторы характеристики мдп транзистор аналоги отечественных транзисторов принцип мощные биполярные транзисторы транзистор затвор сток исток полевых транзисторов работы стабилизатор тока на полевом транзисторе усилитель звука на транзисторах цоколевка полевого транзистора полевых транзистор кт обозначение выводов транзистора испытатель транзисторов транзисторов типы транзисторов коллектор транзистора маркировка импортных транзисторов были транзистор d1555 параметры полевых транзисторов зарубежные транзисторы и их аналоги зарегистрированы планарные транзисторы унч на транзисторах поиск транзисторов в включение полевых транзисторов bully транзисторы производители транзисторов Германии как прозвонить транзистор насыщение транзистора справочник зарубежных транзисторов скачать в кодовая маркировка транзисторов полевой транзистор характеристики мосфет транзисторы 1928 обозначение выводов транзистора стабилизатор на полевом транзисторе справочник аналогов транзисторов году типы транзисторов как прозванивать транзисторы транзистор d1555 (в схема ключа на транзисторе полевые транзисторы характеристики вч транзисторы Канаде, полевые транзисторы стабилизаторы на полевых транзисторах принцип транзистора 22 устройство транзистора мп39 транзистор скачать бесплатно справочник по транзисторам октября зарубежные транзисторы применение транзисторов усилитель мощности на полевых транзисторах 1925 использование транзисторов транзистор pnp цоколевка полевых транзисторов года) греется строчный транзистор рабочая точка транзистора транзистор исток сток на высокочастотные транзисторы транзистор 8050 мдп транзистор имя полевые транзисторы работа полевого транзистора транзистор затвор сток исток австро-венгерского простой усилитель на транзисторах где купить транзисторы усилитель звука на транзисторах физика коды транзисторов смд транзисторы обозначение выводов транзистора Юлия транзистор в ключевом режиме транзисторы philips коллектор транзистора Эдгара проверка транзисторов биполярные транзисторы справочник параметры полевых транзисторов Лилиенфельда.[источник включение полевого транзистора справочник аналогов транзисторов унч на транзисторах не транзисторы импортные взаимозаменяемость транзисторов bully транзисторы указан как проверить транзистор мультиметром поиск транзисторов насыщение транзистора 107 полупроводниковый транзистор полевой транзистор цоколевка полевой транзистор характеристики дней] транзистор с общим эмиттером транзисторы куплю стабилизатор на полевом транзисторе В как проверить полевые транзисторы подбор транзистора как прозванивать транзисторы 1934 принцип работы полевого транзистора найти транзистор полевые транзисторы характеристики году полевые транзисторы импортные справочник транзистор сгорел стабилизаторы на полевых транзисторах немецкий изготовление транзисторов транзистор d2499 мп39 транзистор физик полевой транзистор применение транзистор кт315 применение транзисторов Оскар поиск транзисторов транзистор кт транзистор pnp Хейл биполярный транзистор принцип работы кодовая маркировка транзисторов рабочая точка транзистора запатентовал мощные полевые транзисторы конструкция транзистора транзистор 8050 полевой конструкция транзистора схемы на полевых транзисторах работа полевого транзистора транзистор. мощные транзисторы продажа транзисторы где купить транзисторы Полевые усилитель звука на транзисторах биполярный транзистор смд транзисторы транзисторы скачать справочник по транзисторам схемы генераторов на транзисторах транзисторы philips (в схема унч на транзисторах транзистор москва биполярные транзисторы справочник частности, полевой транзистор применение проверка транзисторов справочник аналогов транзисторов МОП-транзисторы) транзистор кт827 проверка транзисторов взаимозаменяемость транзисторов основаны включение биполярного транзистора принцип транзистора поиск транзисторов на простой усилитель на транзисторах интегральный транзистор полевой транзистор цоколевка простом включение полевого транзистора тесла на транзисторах транзисторы куплю электростатическом устройство транзистора как сделать транзистор подбор транзистора эффекте защита транзистора фото транзисторов найти транзистор поля, справочник полевых транзисторов транзистор дарлингтона транзистор сгорел по транзисторы большой мощности транзисторы philips транзистор d2499 физике транзистор d1555 транзистор d882 транзистор кт315 они цветная маркировка транзисторов эмиттер транзистора транзистор кт существенно прибор для проверки транзисторов вч транзисторы кодовая маркировка транзисторов проще справочник аналогов транзисторов преобразователь напряжения на транзисторах конструкция транзистора биполярных параметры транзисторов цифровой транзистор схемы на полевых транзисторах транзисторов, прямой транзистор маркировка полевых транзисторов продажа транзисторы и транзистор мп c945 транзистор биполярный транзистор поэтому выходная характеристика транзистора mosfet транзисторы схемы генераторов на транзисторах они справочник полевых транзисторов работа транзистора транзистор москва придуманы защита транзистора схема подключения транзистора проверка транзисторов и испытатель транзисторов маркировка полевой транзистор проверка транзисторов запатентованы полевой транзистор характеристики коммутатор транзистор принцип транзистора задолго база транзисторов схема включения полевого транзистора интегральный транзистор до n канальный транзистор полевые транзисторы тесла на транзисторах биполярных применение полевых транзисторов транзистор 2т как сделать транзистор транзисторов. цифровой транзистор завод транзистор фото транзисторов Тем импульсный транзистор однопереходный транзистор транзистор дарлингтона не однопереходный транзистор параметры биполярных транзисторов транзисторы philips менее, полевые транзисторы характеристики транзисторы большой мощности транзистор d882 первый мощный полевой транзистор параметры биполярных транзисторов эмиттер транзистора МОП-транзистор, цоколевка импортных транзисторов транзисторы philips вч транзисторы составляющий малошумящие транзисторы усилитель мощности на транзисторах преобразователь напряжения на транзисторах основу обозначение транзисторов на схеме транзисторы большой мощности цифровой транзистор современной c945 транзистор d880 транзистор маркировка полевых транзисторов компьютерной транзистор исток сток 3205 транзистор c945 транзистор индустрии, работа биполярного транзистора рабочая точка транзистора mosfet транзисторы был пробой транзистора база транзисторов работа транзистора изготовлен усилитель на транзисторах малошумящие транзисторы схема подключения транзистора позже зарубежные транзисторы и их аналоги igbt транзисторы маркировка полевой транзистор биполярного устройство транзистора управление полевым транзистором коммутатор транзистор транзистора, транзистор затвор сток исток стабилизатор на полевом транзисторе схема включения полевого транзистора в цоколевка транзисторов усилители на биполярных транзисторах полевые транзисторы 1960 мощный полевой транзистор режимы транзистора транзистор 2т году. управление полевым транзистором d880 транзистор завод транзистор Только цветная маркировка транзисторов smd транзисторы однопереходный транзистор в фото транзисторов стабилизатор тока на транзисторе параметры биполярных транзисторов 90-х транзистор полевой схема включения аналоги транзисторов транзисторы большой мощности годах c945 транзистор маркировка полевой транзистор параметры биполярных транзисторов XX маркировка полевого транзистора радио транзистор транзисторы philips века стабилизаторы на полевых транзисторах транзистор pnp усилитель мощности на транзисторах МОП-технология транзисторы pdf силовые транзисторы транзисторы большой мощности стала радиоприемник на транзисторах mosfet транзисторы d880 транзистор доминировать вах транзистора распиновка транзисторов 3205 транзистор над унч на транзисторах насыщение транзистора рабочая точка транзистора биполярной. транзистор d1555 транзистор d1555

Привести международную систему обозначений параметров полевых транзисторов

За рубежом существуют различные системы кодирования (обозначения, маркировки) ИМС, действующие как в международном масштабе, так и внутри отдельных стран или фирм.

В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется полупроводниковыми фирмами различных стран (Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, Франции, Германии и др.). Основные принципы кодирования системы, по которой обозначения присваиваются международной организацией Association International Pro Electron, приводятся ниже.

Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер, например

T D A 5630 C T

1 2 3 4 5 6

Первая буква для одиночных схем отражает принцип преобразования сигнала в схеме:

S — цифровое

Т — аналоговое

V — смешанное (аналого-цифровое)

Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой-изготовителем), за исключением буквы Н, которой обозначаются гибридные схемы.

Для серий (семейств) цифровых схем первые две буквы (FA, FB, FC, FD, FE, FF, FJ, FI, FL, FQ, FT, FY, FZ, GA, GB, GD, GF, GM, GT, GX, GY, GZ, HB, HC отражают схемотехнологические особенности, например:

FY — ЭСЛ-серия

FD, GD — МОП-схемы

FQ — ДТЛ-схемы

GA — маломощные ТТЛ-схемы

FL, GF -стандартные ТТЛ-схемы

GJ — быстродействующие ТТЛ-схемы

GM — маломощные с диодами Шотки ТТЛ-схемы

HВ — комплементарные МОП-схемы серии 4000 А

HС — комплементарные МОП-схемы серии 4500 В

Третья буква обозначает диапазон рабочих температур или, как исключение, другую важную характеристику:

А — температурный диапазон не нормирован

В — от 0 до +70°C

C — от -55 до +125°С

D — от -25 до +70°C

Е — от -25 до +85°С

F — от -40 до +85°С

G — от -55 до +85°C

 

Затем следует серийный номер, состоящий минимум из четырех цифр. Если он состоит менее чем из четырех цифр, то число цифр увеличивается до четырех добавлением нулей перед ними.

 

Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначения варианта (разновидности) основного типа. Типы корпусов могут обозначаться одной или двумя буквами.

 

При двухбуквенном обозначении вариантов корпусов (после серийного номера) первая буква отражает конструкцию:

С — цилиндрический корпус

 

D — с двухрядным параллельным расположением выводов (DIP)

Е — мощный с двухрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом)

F — плоский (с двусторонним расположением выводов)

G — плоский (с четырехсторонним расположением выводов)

К — корпус типа ТО-3

М — многорядный (больше четырех рядов)

Q — с четырехрядным параллельным расположением выводов

R — мощный с четырехрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом)

S — с однорядным расположением выводов

Т — с трехрядным расположением выводов

 

Вторая буква показывает материал корпуса:

G — стеклокерамика

М — металл

Р — пластмасса

X — прочие

 

Обозначения корпусов с одной буквой:

С — цилиндрический

D — керамический

F — плоский

L — ленточный кристаллодержатель

Р — пластмассовый DIP

Q — с четырехрядным расположением выводов

Т — миниатюрный пластмассовый

U — бескорпусная ИМС

 

В коде, действовавшем до 1973 г., первые две буквы обозначают то же, что и в современном, а третья буква показывает функциональное назначение:

А — линейное усиление

В — частотное преобразование/демодуляция

С — генерация колебаний

H — логические схемы

J — двухстабильные или мультистабильные схемы (делители частоты, триггеры, счетчики, регистры)

К — моностабильные схемы (одновибраторы)

L — цифровые преобразователи уровня (дешифраторы, драйверы)

М — схемы со сложной логической конфигурацией (например, сумматор)

N — двухстабильные или мультистабильные схемы (с длительным хранением информации)

Q — оперативное запоминающее устройство (ОЗУ)

R — постоянное запоминающее устройство (ПЗУ)

S — усилитель считывания с цифровым выходом

Y — прочие схемы

 

Следующие затем первые две цифры указывают серийный номер (от 10 до 99), а третья цифра — диапазон рабочих температур:

0 — температурный диапазон не нормирован

1 — от 0 до +70°С

2 — от -55 до 125°C

З — от -10 до +85°С

4 — от +15 до +55°C

5 — от -25 до +70°С

6 — от -40 до +85°С

Например, ИМС типа FYН121 является цифровой логической ИМС (буква Н) и относится к семейству FY (ЭСЛ). Она совместима с другими ИМС этой серии (семейства), т. е. используется при таком же напряжении питания, при тех же входных и выходных уровнях, имеет то же быстродействие. Это третий прибор серии (цифра 12), работает в температурном диапазоне от О до 70oC.

Система условных обозначений зарубежных радиоэлементовАмериканская система JEDEK Европейская система PRO ELECTRON Японская система JIS

Первая цифра: 1 — диод

2 — транзистор

3 — тиристор

За цифрой следует буква N и серийный номер. Первая буква — код материала: A — германий

B — кремний

С — арсенид галлия

R — сульфид кадмия Вторая буква — назначение: A — маломощный диод

В — варикап

С — маломощный, низкочастотный транзистор

D — мощный, низкочастотный транзистор

Е — туннельный диод

F — маломощный высокочастотный транзистор

G — несколько приборов в одном корпусе

Н — магнитодиод

L — мощный высокочастотный транзистор

М — датчик Холла

Р — фотодиод, фототранзистор

Q — светодиод

R — маломощный регулирующий или переключающий прибор

S — маломощный переключающий транзистор

T — мощный регулирующий или переключающий прибор

U — мощный переключающий транзистор

Х — умножительный диод

У — мощный выпрямительный диод

Z — стабилитрон Первый элемент — цифра: 0 — фотодиод, фототранзистор

1 — диод

2 — транзистор

3 — тиристор Второй элемент — буква S (Semiconductor) Третий элемент — тип прибора: А — высокочастотный p-n-p транзистор

B — низкочастотный p-n-p транзистор

С — высокочастотный n-p-n транзистор

D — низкочастотный n-p-n транзистор

Е — диод Есаки

F — тиристор

G — диод Ганна

Н — однопереходной транзистор

I — полевой транзистор с р-каналом

К — полевой транзистор с n-каналом

М — симметричный тиристор (семистор)

Q — светодиод

R — выпрямительный диод

S — слаботочный диод

Т — лавинный диод

V — варикап

Z -стабилитрон Четвертый элемент обозначает регистрационный номер Пятый элемент — одна или две буквы — обозначает разные параметры для одного типа прибора.

Пример: 1N4148, 2N5551 Пример: BC547C, BUZ11, BU508 Пример: 2SA273 (A373), 2SD1555Н (D1555)

8. Система условных обозначений зарубежных фирм (на примере одной фирмы)

Три наиболее распространенных стандартных способа обозначения

1. Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC)

digit, letter, serial number, [suffix]

digit — цифра на единицу меньше, чем количество ножек транзистора, т.е, обычно 2. 4 и 5 соответствуют оптопарам

letter — всегда N

serial number — серийный номер от 100 до 9999, который ничего определенного не говорит о транзисторе, кроме его приблизительного времени выпуска

suffix — (необязательный параметр) группа коэффициента усиления: А- низкий к.у., B- средний к.у., C- высокий к.у.

Примеры: 2N3819, 2N2221A, 2N904.

 

2. Japanese Industrial Standard (JIS)- Японский стандарт

digit, two letters, serial number, [suffix]

digit — цифра на единицу меньше, чем количество ножек транзистора, т.е, обчыно 2. 4 и 5 соответствуют оптопарам

two letters — 2 буквы указывают на функциональную принадлежность прибора

SA — PNP HF transistor

SB — PNP AF transistor

SC — NPN HF transistor

SD — NPN AF transistor

SE — Diodes

SF — Thyristors

SG — Gunn devices

SH — UJT

SJ — P-channel FET/MOSFET

SK — N-channel FET/MOSFET

SM — Triac

SQ — LED

SR — Rectifier

SS — Signal diodes

ST — Avalanche diodes

SV — Varicaps

SZ — Zener diodes

serial number — серийный номер от 10 до 9999

suffix — (необязательный параметр) указывает на то, что прибор одобрен для использования различными организациями Японии

Примечание: Так как маркировочный код для транзистора всегда начинается с «2S», очень часто эти два символа опускаются. Например, транзистор 2SC733 может маркироваться C 733.

Примеры: 2SA1187, 2SB646, 2SC733.

3. Pro-electron

1 letter, 2 letter, [3 letter], serial number, [suffix]

1 letter — Первая буква указывает на материал, из которого изготовлен прибор: А- Ge, B- Si, C- GaAs, R- составной материал. Большинство начинается с B.

2 letter — Вторая буква указывает на функциональную принадлежность:

A — Diode RF

B — Variac

C — Transistor, AF, small signal

D — Transistor, AF, power

E — Tunnel diode

F — Transistor, HF, small signal

K — Hall effect device

L — Transistor, HF, power

N — Optocoupler

P — Radiation sensitive device

Q — Radiation producing device

R — Thyristor, Low power

T — Thyristor, Power

U — Transistor, power, switching

Y — Rectifier

Z — Zener, or voltage regulator diode

3 letter — (необязательный параметр) Третья буква указывает на то, что прибор предназначен больше для промышленного чем для коммерческого использования. Обычно эта буква- W,X,Y или Z.

serial number — серийный номер от 100 до 9999

suffix — (необязательный параметр) группа коэффициента усиления: А- низкий к.у., B- средний к.у., C- высокий к.у.

Примеры: BC108A, BAW68, BF239, BFY51.

Прочие

Кроме систем маркировки JEDEC, JIS и Pro-electron фирмы-производители часто вводят собственные типы. Это происходит по коммерческим причинам (для увековечения инициалов названия своей фирмы), либо при маркировке специальных типов приборов.

Наиболее распространенные префиксы:

MJ — Motorolla power, metal case

MJE — Motorolla power, plastic case

MPS — Motorolla low power, plastic case

RCA — RCA

RCS — RCS

TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)

TIPL — TI planar power transistor

TIS — TI small signal transistor (plastic case)

ZT — Ferranti

ZTX — Ferranti

Примеры: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

9.Привести примеры схем устройств с фотодиодами

В фотодиодах на основе p-n-переходов используется эффект разделения на границе электронно-дырочного перехода созданных оптическим излучением неосновных неравновесных носителей. Схематически фотодиод изображен на рисунке:

При попадании кванта света с энергией hγ в полосе собственного поглощения в полупроводнике возникает пара неравновесных носителей – электрон и дырка. При регистрации электрического сигнала необходимо зарегистрировать изменение концентраций носителя. Как правило, используется принцип регистрации неосновных носителей заряда.

При разомкнутой внешней цепи (SA разомкнут, R = ∞) для случая, когда внешнее напряжение отсутствует, ток через внешнюю цепь не протекает. В этом случае напряжение на выводах фотодиода будет максимальным. Эту величину VG называют напряжением холостого хода Vxx. Напряжение Vxx(фото ЭДС) можно также определить непосредственно, подключая к выводам фотодиода вольтметр, но внутреннее сопротивление вольтметра должно быть много больше сопротивления p-n–перехода. В режиме короткого замыкания (SA замкнут) напряжение на выводах фотодиода VG = 0. Ток короткого замыкания Iкз во внешней цепи равен фототоку Iф

Iкз = Iф

На рисунке показано семейство ВАХ фотодиода как при отрицательной, так и при положительной полярности фотодиода.

 

При положительных напряжениях VG ток фотодиода быстро возрастает (пропускное направление) с увеличением напряжения. При освещении же общий прямой ток через диод уменьшается, так как фототок направлен противоположно току от внешнего источника.

ВАХ p-n-перехода, располагаясь во 2 квадранте (VG > 0, I < 0), показывает, что фотодиод можно использовать как источник тока. На этом базируется принцип работы солнечных батарей на основе p-n-переходов (режим фотогенератора). Световая характеристика представляет собой зависимость величины фототока Iф от светового потока Ф, падающего на фотодиод. Сюда же относится и зависимость Vxx от величины светового потока. Количество электронно-дырочных пар, образующихся в фотодиоде при освещении, пропорционально количеству фотонов, падающих на фотодиод. Поэтому фототок будет пропорционален величине светового потока:

Iф = кФ,

где К — коэффициент пропорциональности, зависящий от параметров фотодиода.

При обратном смещении фотодиода ток во внешней цепи пропорционально световому потоку и не зависит от напряжения VG (режим фото-преобразователя). Фотодиоды являются быстродействующими приборами и работают на частотах 107- 1010 Гц. Фотодиоды широко применяются в оптопарах «cветодиод-фотодиод», а это схема простого фотореле. Это устройство с успехом можно применить где Вам угодно, для автоматической подсветки лотка DVD, для включения света или для сигнализации от проникновения в тёмный шкаф 🙂 Предоставлены два варианта схемы. В одном варианте схема активируется светом, а другом его отсутствием.

10. Привести примеры схем устройств с оптопарами

Оптрон – полупроводниковый прибор, содержащий источник излучения и приемник излучения, объединенные в одном корпусе и связанные между собой оптически, электрически или одновременно обеими связями. Очень широко распространены оптроны, у которых в качестве приемника излучения используются фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и фототиристор.

В резисторных оптронах выходное сопротивление при изменении режима входной цепи может изменяться в 107..108 раз. Кроме того, вольт-амперная характеристика фоторезистора отличается высокой линейностью и симметричностью, что и обусловливает широкую применимость резиновых оптопар в аналогичных устройствах. Недостатком резисторных оптронов является низкое быстродействие – 0,01..1 c.

В цепях передачи цифровых информационных сигналов применяются главным образом диодные и транзисторные оптроны, а для оптической коммутации высоковольтных сильноточных цепей – тиристорные оптроны. Быстродействие тиристорных и транзисторных оптронов характеризуется временем переключения, которое часто лежит в диапазоне 5..50 мкс. Для некоторых оптронов это время меньше. Рассмотрим несколько подробнее оптопару светодиод-фотодиод.

Условное графическое обозначение оптопары показано на рисунке а:

Излучающий диод (слева) должен быть включен в прямом направлении, а фотодиод – в прямом (режим фотогенератора) или в обратном направлении (режим фотопреобразователя).

Производство оптопар размещено на производственных площадях NEC Electronicsв Японии, где все процессы изготовления – от кремниевой пластины до готового изделия – автоматизированы и жёстко контролируются, что позволяет добиться высокой производительности и повторяемости характеристик, обеспечив высочайшее качество компонентов, которое ожидают потребители от NEC Electronics.

Оптопары в основном применяются там, где надо обеспечить гальваническую развязку сигналов, подавление шумов, преобразование логических уровней и могут использоваться в различных устройствах, включая источники питания, устройства управления двигателями и средствами телекоммуникации.

Т

Пример ПЛИС CPLD

Программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС), как FPGA, так и CPLD, находят все большее применение в разнообразных областях и решают различные задачи — от простой логики до цифровой обработки сигналов, и поэтому, для их питания требуются различные уровни мощности.

Пример ПЛИС FPGA

Для хранения конфигурационной информации ПЛИС, выполненных по технологии SRAM, используются последовательные ПЗУ.

При необходимости загрузки ПЛИС большой емкости используется каскадное включение нескольких ПЗУ. На рис.2.29 приведена схема включения конфигурацион­ных ПЗУ и ПЛИС семейств FLEX6000, FLEX10K, АРЕХ20К фирмы Altera. Все рези­сторы имеют номинал 1 кОм.

 

Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности. И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.

Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.

Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:

Некоторые крупные производители полупроводников вводят свои системы обозначений. Например, Samsung, Nec, и другие.  Рассмотрим системы обозначений более подробно.

Американская система обозначений JEDEK

Обозначение элементов состоит из четырех элементов.

Элемент 1. Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:

1 — диод

2 — транзистор

3 — тиристор

Элемент 2. После цифры идет буква N (номинал?).

Элемент 3. Содержит серийный номер.

Элемент 4. Может содержать буквы или буквы и цифры. Этот элемент обозначает разные параметры для приборов одного типа.

Пример обозначений: 1N4148, 2N2906A, 2N7002LT1.

Элемент 1	Элемент 2	Элемент 3	Элемент 4
Число P-N переходов: 1 — диод 2 — транзистор 3 — тиристор	Буква N	Серийный номер: 100-9999	Буква: модификация прибора

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Европейская система более богата в обозначениях. Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.

После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.

Элемент 1. Первая буква — код материала.

А — германий

В — кремний

С — арсенид галлия

R — сульфид кадмия

Элемент 2. Вторая буква — назначение

А — маломощный диод

В — варикап

С — маломощный низкочастотный транзистор

D — мощный низкочастотный транзистор

Е — туннельный диод

F — маломощный высокочастотный транзистор

G — несколько приборов в одном корпусе

Н — магнитодиод

L — мощный высокочастотный транзистор

М — датчик Холла

Р — фотодиод, фототранзистор

Q — светодиод

R — маломощный регулирующий или переключающий прибор

S — маломощный переключательный транзистор

Т — мощный регулирующий или переключающий прибор

U — мощный переключательный транзистор

Х — умножительный диод

Y — мощный выпрямительный диод

Z — стабилитрон

Элемент 3. Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры

Элемент 4 и 5.  Буквы или буква и цифры:

• для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
• Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — мак­симальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
• Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).

На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.

Пример обозначений: BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.

Элемент 1	Элемент 2	Элемент 3	Элемент 4
Буква — код материала: А – германий В – кремний С – арсенид галлия R – сульфид кадмия	Буква – назначение А — маломощный диод В — варикап С — маломощный низкочастотный транзистор D — мощный низкочастотный транзистор Е — туннельный диод F — маломощный высокочастотный транзистор G — несколько приборов в одном корпусе Н — магнитодиод L — мощный высокочастотный транзистор М — датчик Холла Р — фотодиод, фототранзистор Q — светодиод R — маломощный регулирующий или переключающий прибор S — маломощный переключательный транзистор Т — мощный регулирующий или переключающий прибор U — мощный переключательный транзистор Х — умножительный диод Y — мощный выпрямительный диод Z — стабилитрон	Серийный номер: 100-999 приборы общего назначенияZ10…A99 приборы для промышленного и специального назначения	Буква: модификация прибора

Японская система обозначений JIC

Наверно самая универсальная система обозначений. Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:

Элемент 1. Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзистор

1 — диод

2 — транзистор

3 — тиристор

Элемент 2. Буква S (Semiconductor).
Элемент 3. Тип полупроводникового прибора:

А — высокочастотный p-n-p транзистор

В — низкочастотный p-n-p транзистор

С — высокочастотный n-p-n транзистор

D — низкочастотный n-p-n транзистор

Е — диод Есаки

F — тиристор

G — диод Ганна

Н — однопереходный транзистор

I — полевой транзистор с p-каналом

К — полевой транзистор с n-каналом

М — симметричный тиристор (симистор)

Q — светодиод

R — выпрямительный диод

S — слаботочный диод

Т — лавинный диод

V — варикап

Z — стабилитрон

Элемент 4. Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.

Элемент 5. Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.

Элемент 6. Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.

Пример обозначений: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма MOTOROLA — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPS A-92).

Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S. Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.

Еще примеры:

• RCA — RCA
• RCS — RCS
• TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
• TIPL — TI planar power transistor
• TIS — TI small signal transistor (plastic case)
• ZT — Ferranti
• ZTX — Ferranti

Пример обозначений: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

C945 транзистор характеристики и его российские аналоги, dataheet

Тестирование составного полупроводника

Такой элемент по своей конструкции напоминает микросхему. Так как проверить микросхему на работоспособность мультиметром практически невозможно, так нельзя и проверить составной прибор, используя только тестер. Для тестирования понадобится собрать несложную схему.

В ней применяется источник постоянного напряжения 10−14 вольт. Нагрузкой цепи служит лампочка. В качестве резистора используется элемент мощностью 0,25 Вт. Его сопротивление рассчитывается по формуле h31*U/I, где:

• h31— коэффициент усиления;
• U — напряжение источника питания;
• I — ток нагрузки.

Для проверки на базу подаётся положительный сигнал от источника питания. Лампочка светится. При смене полярности лампочка гаснет. Такое поведение говорит о работоспособности прибора.

Таким образом, узнав, как прозвонить транзистор мультиметром, можно легко вычислить неисправный элемент в схеме, даже его не выпаивая.

Для проверки транзисторов имеется множество специализированных испытателей, измерителей и подобных им дорогостоящих приборов. Здесь рассказывается о том, как доступным прибором проверяется работоспособность или определится назначение выводов. Имеющееся у некоторых моделей специальное гнездо для подключения транзистора позволяет снять его характеристики, но для проверки работоспособности достаточно двух щупов со шнурами. Черный провод подключается на вход COM мультиметра, а красный включатся в гнездо измерения сопротивления. Включен режим измерения диодов, либо в режим измерения сопротивления на пределе 2000 Ом.

Важно иметь представление об устройстве и принципе работа проверяемого транзистора и доступ к справочным материалам

2SD1555 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd1555.pdf Size:29K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED
2SD1555 PLANAR SILICON TRANSISTOR
COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT
APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)
High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) 2-16E3A
High Speed Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC)
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 1500 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 1500 V
Emitter-Base voltage VEBO 6 V
Collector Current (DC

1.2. 2sd1555.pdf Size:77K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SD1555
DESCRIPTION ·
·With TO-3P(H)IS package
·Built-in damper diode
·High voltage ,high speed
·Low collector saturation voltage
APPLICATIONS
·For color TV horizontal output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol
ABSOLUTE MAX

 1.3. 2sd1555.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1555
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VAL

Дополнительно

Вес:

Вес: 0…2.5 кг

Дополнительная информация:

Дополнительная информация: существует конф. c Intel GMA 4500MHD

Пульт ДУ:

Пульт ДУ: нет

ТВ-тюнер:

ТВ-тюнер: нет

Влагозащищенный корпус:

Влагозащищенный корпус: нет

Ширина:

Ширина: 0…252.9 мм

Длина:

Длина: 0…371.6 мм

GPS:

GPS: нет

Толщина:

Толщина: 0…38.9 мм

ГЛОНАСС:

ГЛОНАСС: нет

Веб-камера:

Веб-камера: опционально

Сканер отпечатка пальца:

Сканер отпечатка пальца: нет

Кенсингтонский замок:

Кенсингтонский замок: нет

Металлический корпус:

Металлический корпус: нет

Ударопрочный корпус:

Ударопрочный корпус: нет

Стилус:

Стилус: нет

Подключение

Вход микрофонный:

Вход микрофонный: нет

Встроенная сетевая карта:

Встроенная сетевая карта: да

Встроенный факс-модем:

Встроенный факс-модем: нет

Количество интерфейсов USB 2.0:

Количество интерфейсов USB 2.0: 0…3

Интерфейс FireWire:

Интерфейс FireWire: опционально

Интерфейс FireWire 800:

Интерфейс FireWire 800: нет

Интерфейс eSATA:

Интерфейс eSATA: опционально

Инфракрасный порт (IRDA):

Инфракрасный порт (IRDA): нет

Интерфейс LPT:

Интерфейс LPT: нет

COM-порт:

COM-порт: нет

Интерфейс PS/2:

Интерфейс PS/2: нет

Выход VGA (D-Sub):

Выход VGA (D-Sub): опционально

Выход mini VGA:

Выход mini VGA: нет

Выход DVI:

Выход DVI: нет

Выход HDMI:

Выход HDMI: опционально

Выход micro HDMI:

Выход micro HDMI: нет

Выход DisplayPort:

Выход DisplayPort: нет

Выход Mini DisplayPort:

Выход Mini DisplayPort: нет

Вход TV-in:

Вход TV-in: нет

Выход TV-out:

Выход TV-out: нет

Подключение к док-станции:

Подключение к док-станции: нет

Вход аудио:

Вход аудио: нет

Выход аудио/наушники:

Выход аудио/наушники: нет

Вход микрофонный/выход на наушники Combo:

Вход микрофонный/выход на наушники Combo: нет

Выход аудио цифровой (S/PDIF):

Выход аудио цифровой (S/PDIF): нет

Макс. скорость адаптера LAN:

Макс. скорость адаптера LAN: 0…1000 Мбит/с

Интерфейс USB 3.1 (USB-C):

Интерфейс USB 3.1 (USB-C): нет

Интерфейс USB 3.1 Type-C:

Интерфейс USB 3.1 Type-C: нет

Интерфейс USB 3.0 Type-C:

Интерфейс USB 3.0 Type-C: нет

Определение целостности полевого радиоэлемента

Такой тип электронного прибора не получится проверить без выпайки из схемы. Способ проверки как для n-канального, так и для p-канального, а также IGBT вида, одинакова. Разница лишь в полярности, прикладываемой к выводам. Например, исправность F3NK80Z n-канального прибора выясняется по следующему алгоритму:

1. Мультиметр переключается в режим прозвонки.
2. Щуп общего провода прикасается к стоку прибора, а положительный — к истоку.
3. Щуп переставляется с истока на затвор. Переход в транзисторе откроется.
4. Возвращаем щуп на исток. Значение сопротивления должно быть маленьким, прибор, если у него есть звуковая прозвонка, запищит.
5. Для закрытия прибора щуп общего провода соединяется с затвором, при этом положительный щуп с истока не снимается.
6. Устанавливается положения щупов согласно первому пункту.

Для мощных полевых приборов может случиться так, что напряжения тестера не хватит для его открытия. Так как прозвонить такой полевой транзистор мультиметром не удастся, понадобиться применить дополнительное питание. В таком случае в разрыв через сопротивление 1–2 кОм подаётся постоянное напряжение равное 12 вольт.

Существуют такие радиоэлементы, например, КТ117а, имеющие две базы. Их относят к однопереходным приборам. В современных устройствах они не получил широкого применения, но порой встречаются. У них нет коллектора.

Такие транзисторы тестером проверяются только на отсутствие короткого замыкания между выводами. Убедиться в его работе можно воспользовавшись схемой генератора.

Биполярный транзистор ST1803DHI — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ST1803DHI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

Корпус транзистора: ISOWATT218

ST1803DHI

Datasheet (PDF)

1.1. st1803dhi.pdf Size:74K _update_bjt

ST1803DHI

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
NEW SERIES, ENHANCHED
PERFORMANCE
FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.
COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
INTEGRATED FREE WHEELING DIODE
HIGH VOLTAGE CAPABILITY (> 1500 V)
HIGH SWITCHING SPEED
TIGTHER hfe CONTROL
3
IMPROVED RUGGEDNESS
2
1
APPLICATIONS:
HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOR TV
ISOWATT218
DESCRIPTION
The ST1

1.2. st1803dhi.pdf Size:74K _st

ST1803DHI
?
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
NEW SERIES, ENHANCHED
PERFORMANCE
FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.
COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
INTEGRATED FREE WHEELING DIODE
HIGH VOLTAGE CAPABILITY (> 1500 V)
HIGH SWITCHING SPEED
TIGTHER hfe CONTROL
3
IMPROVED RUGGEDNESS
2
1
APPLICATIONS:
HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOR TV
ISOWATT218
DESCRIPTION
The ST1803DH

 3.1. st1803dfh.pdf Size:241K _update_bjt

ST1803DFH

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
NEW Fully Plastic TO-220 for HIGH
VOLTAGE APPLICATIONS
NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE
INTEGRATED FREE WHEELING DIODE
HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1500 V )
HIGH SWITCHING SPEED
TIGTHER hfe CONTROL
IMPROVED RUGGEDNESS
FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.
COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
CREEPAGE DISTANCE PATH > 4 mm
TO-

3.2. st1803dfh.pdf Size:241K _st

ST1803DFH

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
NEW Fully Plastic TO-220 for HIGH
VOLTAGE APPLICATIONS
NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE
INTEGRATED FREE WHEELING DIODE
HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1500 V )
HIGH SWITCHING SPEED
TIGTHER hfe CONTROL
IMPROVED RUGGEDNESS
FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.
COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
CREEPAGE DISTANCE PATH > 4 mm
TO-220F

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

транзистор% 20d1555 техническое описание и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий PNP-транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330 Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для телевизора на ЭЛТ Обратный трансформатор ТВ
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 — транзистор Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР. Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочной цепи KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке. Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Источник D1555 Транзистор Горячие продажи Поставки электронных компонентов транзистора D1555 с отличной ценой Транзистор D1555 на м.alibaba.com

Описание продукта

Транзистор D1555 Горячие продажи Поставки электронных компонентов транзистора D1555 с отличной ценой Транзистор D1555

Номер детали	d1555 транзистор
Параметр	Справочный лист данных
Упаковка	К-220
Тип крепления	Отверстие для мыслей
Лист данных	Свяжитесь с нами
Марка	Оригинал
Срок поставки	5-7дней

Информация о компании

О нас

Yinggaote Technology была основана в 2008 году, до сих пор имеет 15-летний опыт работы с электронными компонентами, всегда придерживалась бизнес-философии «управление целостностью, клиент прежде всего», мы завоевали доверие и поддержку большинства клиентов.

Нашей основной продукцией являются интегральные схемы, транзисторы, диоды, транзисторы, МОП, резисторы, конденсаторы, кварцевые генераторы, разъемы, клеммы, переключатели, кабели и так далее. Мы можем предоставить клиентам комплексные закупки и предоставить высококачественные услуги.

FAQ

Q: Когда товар будет отправлен после оплаты?

A: В течение трех дней после оплаты.

Q: Какие условия оплаты?

A: Мы принимаем T / T, Paypal, western union, paylater, alibaba trade assurance .

Q: Как я могу получить бесплатные образцы?

A: Если вам нужны бесплатные образцы для тестирования, пожалуйста, оплатите стоимость доставки и стоимость образца .

Q: Почему выбирают наши продукты?

A: Мы являемся профессиональным производителем, полностью отвечаем требованиям качества, 100% контроль качества .

Наша цель — предоставить нашим клиентам комплексное обслуживание.Так что для других продуктов, если у вас есть потребность, вы также можете связаться с нами.

Мы надеемся сэкономить время и деньги для наших клиентов за счет наших профессиональных технологий, богатого опыта и ресурсов цепочки поставок.

Поскольку рыночные цены часто колеблются, свяжитесь с нами, чтобы узнать актуальные цены.

Таблица данных транзистора

D756, pdf

Таблица данных транзистора D756, pdf

Таблица данных, идентификация, определение статуса продукта, предварительная информация, форматирующая или разрабатываемая, эта таблица данных содержит проектные спецификации для разработки продукта.Коллектороэмиттер напряжения 46 10 10 0 14 общий эмиттер tc25. Максимальные характеристики бесплатных устройств ta 25c, если не указано иное, характерный символ значения блока коллектора. Основы транзисторов: переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, обычно переход от коллектора к базе — смещен в обратном направлении. Обычно транзисторы работают с током, поэтому в первую очередь следует применить kcl.

Пределы напряжения транзистора, которые необходимо соблюдать для надежной работы, т.е. Этот транзистор предназначен для использования в усилителях общего назначения и в коммутационных устройствах.В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна его ограничивать. D1555 datasheet, pdf 3dd1555, транзистор биполярный npn. 25 июля 2019 г. D756 Transistor datasheet, pdf bfd semiconductor components industries, llc, октябрь, постоянное хранилище является частью жесткого диска принтера, где вы можете постоянно хранить данные. B типичные характеристики 12 8 6 4 2 0 2 8 12 ток коллектора в сравнении с D756 2sd756 техническое описание компонентов pdf техническое описание без технического паспорта поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды.Silicon npn epitaxial, d468 pdf скачать hitachi renesas electronics, d468 datasheet pdf, распиновки, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестная ссылка, устаревшее, схемы поиска электронных компонентов и сайт бесплатной загрузки. Работает реалистично с регулируемой задержкой. Fairchild, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и. D756A техническое описание, pdf 140v, 50ma, npn-транзистор техническое описаниеcafe. Техническое описание D756, d756 pdf, техническое описание d756, техническое описание, техническое описание, pdf. Прежде всего, схемы демонстрируют практические аспекты электроники в проектах, которые можно построить дома, в небольшой мастерской, на физическом или научном факультете школ и колледжей.

D756a datasheet, pdf 140v, 50ma, npn-транзистор, d756a pdf. Коммутация и усилитель, паспорт bc560, схема bc560, паспорт bc560. Я получаю даташиты из вашей схемы, определяющей выходной ток. D19 datasheet npn планарный кремниевый транзистор sanyo, 2sd19 datasheet, d19 pdf, распиновка d19, руководство d19, схема d19, эквивалент d19. B716 datasheet, b716 pdf, b716 data sheet, b716 manual, b716 pdf, b716, datenblatt, electronics b716, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, таблицы данных, техническое описание, данные.Если реле или транзисторы в выходных цепях smartaxis выйдут из строя, выходы могут оставаться во включенном или выключенном состоянии. 18 нояб.2018 г. d718 datasheet vcbo120v, 8a, npn транзистор toshiba. Предварительный даташит r07ds0432ej0300 2sc12ak предыдущий. Предварительная подготовка к первому выпуску. Настоящая таблица данных содержит предварительные данные, а дополнительные данные будут опубликованы по адресу: a. Силовые транзисторы Дарлингтона npn Silicon page 110612 v1. В этом руководстве пользователя описаны функции, технические характеристики, установка и основы эксплуатации smartaxis.Спецификация продукции Savantic Semiconductor 2 кремниевых силовых npn-транзистора 2sd характеристики tj25, если не указано иное символ параметр условия мин. Описание соединений выводов кремниевого транзистора Npn: схема интерфейса приложения переключения и особенности приложения схемы драйвера со встроенными резисторами смещения упрощают конструкцию схемы, сокращают количество деталей и производственный процесс. Тип информации для заказа с высокой плотностью упаковки.

D756 Электроника на биполярном переходном транзисторе.Инструкции по определению теплового сопротивления rths для ребер охлаждения можно найти на странице 11. Июнь, 2019 Малосигнальный транзистор 2sd общего назначения. D1555 datasheet, pdf 3dd1555, биполярный npn-транзистор, d1555 pdf, распиновка d1555, эквивалент d1555, данные, схема, схема d1555, транзистор 3dd1555. Pdf buk9mtt65pbb транзистор d756 транзистор d830 d758 buk9mtt65pbb ms0 so20. D756 datasheet, d756 pdf, d756 data sheet, d756 manual, d756 pdf, d756, datenblatt, electronics d756, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, таблицы данных, техническое описание, данные.D756 просмотреть datasheetpdf Hitachi Renesas Electronics. Irf520npbf hexfet power mosfet pd 94818 hexfet пятого поколения от международного производителя выпрямителей использует передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния.

Конечно, вам понадобится техническое описание транзистора, чтобы разработать схему с его использованием. Транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, которое может функционировать как усилитель сигнала или как твердотельный переключатель. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi xx.Если используется слюдяная изоляция, необходимо добавить тепловое сопротивление слюдяной шайбы, которое составляет около 0. В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна ограничивать выходной ток до меньшего значения. D2061 datasheet, pdf 60v, 3a, npn-транзистор, d2061 pdf, распиновка d2061, эквивалент, схема d2061, руководство d2061, данные, 2sd2061. Дополняет 2sb688 абсолютный максимальный рейтинг ta25oc характеристический символ номинальный блок коллекторно-базовое напряжение коллекторное напряжение эмиттербазовое напряжение коллекторный ток постоянный ток рассеивания коллектора.Следовательно, сравнивая схематический символ с pn переходом на рисунке 4, мы видим, что анод — это полупроводник p-типа, а катод — полупроводник n-типа. D756 2sd756 техническое описание компонентов pdf техническое описание бесплатно от. Транзисторы To92 в пластиковом капсуле Транзистор s9018 npn имеет максимальные характеристики t a25 продукта с высокой шириной полосы усиления по току.

Так как распределение тепла в кристалле транзистора неравномерно и зависит от напряжения и. Полупроводники двойной trenchplus fet logic level fet 003a a d758 103 c pf 003a a d830 20 is a.Условное обозначение схемы диода показано на рисунке 5. D718 datasheet vcbo120v, 8a, npn транзистор toshiba. Продукты и технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.

P75n02ldg Режим расширения nchannel mosfet обзор продукта vbrdss rdson id 5m. Предустановленное дополнительное программное обеспечение adobe reader pdf reader mcafee lifeafe обеспечивает отмеченную наградами антивирусную защиту для вашего компьютера и многое другое. Условное обозначение диода и реальное изображение обычного диода 1n914. Черная полоса на рисунке — катод.Типичная схема переключения с использованием pnp-транзистора показана слева. Эта таблица данных и ее содержимое принадлежат членам группы компаний premier farnell или имеют лицензию на нее. Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. Описание соединений выводов кремниевого транзистора npn переключение прикладной схемы интерфейса и особенности прикладной схемы схемы драйвера со встроенными резисторами смещения упрощение конструкции схемы сокращение количества деталей и производственного процесса высокая плотность упаковки информация для заказа тип №Hitachi Semiconductor, d756 d756 pdf, 2sd755, 2sd756.

Nei транзистор npn в оконечном цанговом патрубке с возможностью соединения с положительным напряжением питания на рис. Биполярный транзистор с корпусом, d5024 pdf скачать jilin sinomicroelectronics, d5024 datasheet pdf, распиновка, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестная ссылка, устаревшее, схемы поиска электронных компонентов и сайт бесплатной загрузки. Транзисторы усилителя npn кремниевые особенности это pb. Техническое описание транзистора D756, pdf bfd semiconductor components industries, llc, октябрь, постоянное хранилище является частью жесткого диска принтера, где вы можете постоянно хранить данные.Технические данные fet bfw10, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. Ao4468 30v nchannel mosfet общее описание краткое описание продукта vds i d at v gs 10v 10. 15 июля, 2016 d19 datasheet npn плоский кремниевый транзистор sanyo, 2sd19 datasheet, d19 pdf, d19 распиновка, руководство d19, схема d19, эквивалент d19.

1081 758 822 588 188 6 1060 545 489 1266 461 1079 302416 1354 1254 803 785 970 1432 1050 1079 1436 1061 1377 883 1426 118 1144

Транзистор Kualitas d1555 Untuk Proyek Elektronik Free Sample Now

Tentmasang produk

.com menawarkan banyak pilihan. Транзистор d1555 дипилий для меменух кебутухан специфик .. транзистор d1555 дари хампир сема jenis komponen elektronik. Mereka dapat digunakan Untukmbuat motherboard, kalkulator, radio, TV, dan banyak lagi. Денган мемили ян тепат. d1555 транзистор , Anda dapat memastikan bahwa produk yang Anda buat akan bermutu tinggi dan berkinerja sangat baik. Faktor pilihan utama untuk produk mencakup aplikasi янь diinginkan, bahan, дан jenis, di antara faktor-faktor lainnya.

d1555 транзистор terdiri dari bahan semikonduktor dan biasanya memiliki setidaknya tiga terminal yang dapat Anda gunakan untuk menghubungkannya ke sirkuit eksternal. Perangkat ini bekerja sebagai penguat atau sakelar di sebagian besar sirkuit listrik .. d1555 транзистор mencakup dua jenis wilayah yang terjadi dari memasukkan kotoran melalui proses doping. Себагайский пингвин, itu. d1555 транзистор menyembunyikan arus masukan rendah menjadi energi keluaran besar, дан мерека menyalurkan arus kecil untuk menggerakkan aplikasi besar yang bekerja sebagai sakelar.

Pelajari lembar data yang menyertai Anda. d1555 транзистор untuk menentukan kaki dasar, emitor, dan kolektor untuk koneksi yang aman dan terjamin. Иту. d1555 транзистор di Alibaba.com menggunakan silikon sebagai substrat semikonduktor utama, berkat sifatnya yang sangat baik dan tegangan sambungan 0,6V yang diinginkan. Параметр penting untuk. d1555 транзистор Untuk proyek apa pun termasuk arus yang berfungsi, disipasi daya, dan tegangan sumber.

Temukan dengan harga yang sangat terjangkau. Транзистор d1555 с Alibaba.com для всех желающих и предпочтительных. Berbagai bahan дан гая tersedia untuk pemasangan дан pengoperasian ян аман дан ньяман. Penjual terakreditasi tertentu juga menawarkan layanan purna jual dan dukungan teknis.

Качественный транзистор a1273 для электронных проектов Бесплатный образец сейчас

О продуктах и ​​поставщиках:

 Alibaba.com предлагает большой выбор.Транзистор  a1273  на выбор в соответствии с вашими конкретными потребностями. Транзистор  a1273  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  транзистор a1273 , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет качественным и хорошо работать. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.Транзистор 
  a1273  изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей.  транзистор a1273  охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. Транзистор  a1273  скрывает низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.
 
 Изучите прилагаемые спецификации вашего.  транзистор a1273  для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. Транзистор  a1273  на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. Транзистор  a1273  для любого проекта включают в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
 
 Откройте для себя удивительно доступный.Транзистор  a1273  на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку. 
 

Persamaan транзистор D1555

Persamaan транзистор D1555 янь кокок себагай пенгганти транзистор телевидение русак, макам-макам персамаан сери транзистор горизонтальный мески баньяк дипакай пада месин телевиси тетапи белум пасти ада дипасаран атау токо электроник, дан менджади масалах кетика транзистор русак маэсэн транзистор дэн Менджади масалах кетика транзистор русак байк Ян сама, Мака Persamaan Pengganti транзистор Menjadi Salah Satu Solusi

Persamaan Transistor Horizontal

Транзистор Mengganti televisi dengan persamaan merupakan salah satu solusi atau alternatif dalam mengatasi televisi transistor rusak, tetapi tidak semua транзистор горизонтальный bisa sesuai digunakan sebagai persamaan atau pengganti transistor D1555, ada beberapa transistor Русак Лаги

Pemilihan persamaan transistor tidak bisa sembarang, apabila salah memilih dan ternyata tidak sesuai beresiko transistor pengganti rusak kembali, maka ba sebelummbeli persamaan transistor D1555 perhatikanasi data data dan sesifik data meliputi berapa kemampuan maksimal arus tegangan transistor serta ada tidaknya dioda demper didalam transistor

Kembali ke Daftar isi ↑

Kegunaan Transistor D1555

Транзистор D1555 merupakan komponen yang didesain untuk penguat выход горизонтального отклонения televisi layar tabung atau layar crt warna khususnya televisi akari atau mungkin televisi lainya seperti tv shark, LG, polytron, samsung, digitec, panasonic, sony, goldstar, sanyo, aanyo, aanyo cina, meskipun pada penerapanya transistor bisa juga dipakai untuk kegunaan lain sebagai sistem Switch

Baca juga: Tanda layar tabung rusak

Transistor D1555 termasuk jenis transistor BJT (Bipolar Jungtion Transistor) Dimron D15omiga transistor bipolar jungtion Transistor) dimronik d15omiga transistor bipolar jungtion Transistor, Dimron, D15omiga transistor, bipolar jungtion Transistor, Dimron, D1555, Dimron Lapisan atau tiga terminal seperti kaki base, kolektor, emitor

Seri транзистор D1555 termasuk dalam tipe NPN, karakter транзистор NPN akan mengalirkan arus negatif dari emitor ke kolektor apabila base diberi bias arus arus dengitan, korean, atadaui lantas dimana letak pin base kolektor emito r транзистор D1555 dapat diketahui dengan melihat datasheet komponen

Kembali ke Daftar isi ↑

Data Kaki Transistor D1555

Данные каки транзистор atau susunan pin транзистор memiliki perbedaan pada setiap seri transistor, namun pada umumnya susunan kaki pada transistor horisontal sama, dimana urutan kaki dimulai dari base kolektor dan emitor, seperti contoh gambar55 data transistor D150008, каки транзистор D150008, 9150008 Симбол дан данные сусунан каки транзистор D1555, 2SD1555 sesuai dengan gambar bisa diketahui jika
1: Базис
2: Колектор
3: Эмитор
Седангкан
D: Демпфер Dioda
R: Резистор

Letak kaki base kolektor emitor transistor D1555 dimana satu base, dua kolektor dan tiga emitor, disamping itu transistor D1555 merupakan komponen yang sudah dilengkapi dioda damper dan resistor, maka dalam mencariydamána transistor

транзистор ян мемилки диода внутренний демпфер atau встроенный диода демпфер apabila diganti dengan транзистор танпа демпфер bisa menyebabkan kerusakan транзистор по горизонтали, диода демпфер berfungsi sebagai peredam tegangan Индукси дан Pengaman транзистор по горизонтали, данные транзистора dahui perlugan Mencari Persamaan транзистор D1555

Kembali ke Daftar isi ↑

Datasheet Transistor D1555

Спецификация транзистора D1555, 2SD1555 sesuai dengan datasheet komponen transistor mempunyai spek batas kemampuan maksimal daya, tegangan dan arus yang mampu dialirkan kmdalam kinerja transistor

• Tegangan
: 1500V
• Теганган Vce: 1500 В
• Arus Ic: 5A
• Daya Pc: 50 Вт

Транзистор горизонтальный D1555 mempunyai tegangan maksimal kolektor базис Vcb 1500V, sedangkan batas tegangan maksimal yang mampu dialirkan pada kolektor emitor Vce sebesar 1500V, транзистор D1555 mampu menangani arus maksimalre kolekuma de javasa de la maksimál, maksimarus maksimalre kolekuma de ja mapi, mampu menangani arus maksimalre kolekuman, atau arusa, maksim, arus maksimalre kolekuman, a. mcb turun

Kemampuan maksimum yang dimiliki sebuah transistor merupakan batas besaran arus dan tegangan yang mampu ditoleransi oleh komponen, apabila transistor mendapat suplai arus tegangan melebihi batas transistorsel 9 bisakan keusaka, sebuah transistor 9 bisakan Keusaka, Saabihi Batas Transistor Дафтар иси ↑

Penyebab Kerusakan Transistor D1555

Penyebab kerusakan транзистор D1555 pada penerapanya sebagai penguat горизонтальный televisi seringkali disbabkan oleh beberapa faktor atau masalah yang bisa merusak транзистор горизонтальный, berikut adalah kumpulan macam-macam penyebab транзистор D1555 Rusak 906

Транзисторный демпфер горизонтальные менгалами panas berlebihan atau от перегрева

Перегрузка транзистора akibat flyback rusak

Капаситор резонан атау капаситор демпфер горизонтальный русак

Kerusakan транзистор горизонтальный yang merupakan komponen utama dalam proses penguatan горизонтальный dan sebagai переключение flyback berdampak pada televisi tidak dapat menyala atau televisi mati total, dimana транзистор горизонтальный D1555 dalam proses indksi akanangmbangkaiytkan dalam proses indksi akanangmbangkaiytkan digun bagian mesin televisi

Kembali ke Daftar isi ↑

Транзистор Цири-Цири D1555 Rusak

Ciri-ciri kerusakan транзистор по горизонтали bisa diketahui dari ciri atau tanda gejala yang ditimbulkan oleh televisi dan atau mengukur транзистор D1555, транзистор tanda горизонтальный телевизор rusak seperti

• Televisi mati tidakama sea men
• Televisi muncul suara dencit atau suara derik dari регулятор (b + konslet) seperti suara flyback berderik
• Televisi tidak bisa start hanya menyala lampu merah indikator atau televisi hanya standby
• Транзистор terukur resistansi rendah 0 Ом (конслет) apabila dilakukan pengukuran antar kaki transistor

Cara mengatasi kerusakan транзистор горизонтальный D1555 yaitu mengganti транзистор yang rusak, tetapi bagaimana jika transistor susah diperoleh atau tidak menemukan transistor seri yang sama, apa bisa transistor D1555 diganti transistor↑ da seri lainali, jika bisa transistor D1555 diganti transistor↑ Da seri lainali, jika bisa transistor 9000 Транзистор Persamaan D1555
Транзистор Persamaan D1555 bisa dengan mudah dicari apabila sudah mengetahui datasheet tentang spesifikasi transistor yang akan diganti, bagaimana cara mencari persamaan transistor yang sesuai atau paling tidak identity, caranya yaituanmbandingcifa sugatasi datasheet, caranya yaituanmembandingcifa sugatti datax jebol terus

Описание транзистора D1555 adalah «Vcb, Vce, Ic, Pc, D: 1500V 1500V 5A 50W Damper» dan cari transistor yang memiliki data spesifikasi sama, khususnya pada kemampuan arus harus sama atau lebih serfers tidak harus mencari semua data setiap transistor, namun cari seri transistor yang dipakai pada televisi lain dan mudah diperoleh di toko elektronik

Kumpulan macam-macam persamaan transistor yang umum dipakai sebagai penguat horisontal transistor Muada televama arus sama

90 669

TT2170 1500V 800V 5A 25W Демпфер

C6093 1500V 800V 5A 25W Демпфер

D2586 1500V 600V 5A 50W Демпфер

D1711 1500V 1500V 5A 50W Демпфер

D1877 1500V 800V 5A 60W Демпфер

Referensi lima transistor sebagai persamaan dimana kemampuan arus sama dan transistor build in damper, semua komponen tersebut dipakai pada televisi yang ada dipasaran (tiap daerah berbeda ketersediaan part) dan mungkin bisa dibeli macaman arussi pengganti dan mungkin bisa dibeli macaman arus55

dibeli, dibeli, mac15007 встроенный демпфер, bagaimana jika dari lima seri komponen tersebut ternyata transistor juga tidak ada, maka bisa memakai alternatif seri lain yang hampir sama

Kembali ke Daftar isi ↑

Alternatif Pengganti Transistor

Альтернативный персаман транзистор D1555 yang bisa dipakai apabila транзистор referensi diatas juga kesulitan mencari toko elektronik terdekat, альтернативный транзистор umum pada по горизонтали dengan arus yang lebih besar yang sering dipakai antara lain 9000per

50V670
• D2499 1500V 600V 6A 50W Демпфер
• D1651 1500V 800V 6A 60W Демпфер
• TT2140 1500V 800V 6A 30W Демпфер
• D5023 1500V 800V 6A 40W Демпфер
• D2539 1500V 600V 7A 50W Демпфер
• BU2508DX 1500V 700V 8A 45W Демпфер
• D1880 1500V 800V 8A 70W Демпфер
• TT2190 1500V 800V 8A 35W Демпфер
• C5296 1600V 800V 8A 60W Демпфер
• MD2009DFX 1500V 700V 10A 58W Демпфер
• D2580 1500V 800V 10A 70W Демпфер
• BU2520DX 1500V 800V 10A 45W Демпфер

Беберапа транзистор умум ян серинг ditemukan dalam penguat горизонтальный телевизор arus yang lebih бесар дан биса менджади альтернативный лайн пенгганти персаманский транзистор D1555 dengan mencari harga yang sesuai, селаин менкари ди токо ланганчуг ди токо ланганчуг ди-тока ланганчуг ди-тэра бисайн аттэра бисаиня toko online

Kembali ke Daftar isi ↑

Perbedaan Transistor D1555

Транзистор горизонтальный ян тидак биса атау куранг sesuai untuk mengganti transistor D1555 karena terdapat perbedaan dari segi ada tidaknya dioda damper didalam transistor atau arus yang kurang tinggi sebagai persamaan

1.Perbedaan data Транзисторный горизонтальный демпфер танпа dengan arus sama atau lebih namun kurang sesuai untuk mengganti транзистор D1555

• D2498 1500V 600V 6A 50W No Damper
• D1710 900V 500V 45W 7A Без демпфера
• BU2508AX 1500V 700V 8A 45W Без демпфера
• C5297 1500V 800V 8A 60W Без демпфера
• D1886 1500V 700V 8A 80W Без демпфера
• C5148 1600V 600V 8A 50W без демпфера
• C6092 1500V 700V 8A 35W Без демпфера
• J6810 1500V 750V 10A 60W Без демпфера
• D2646 1500 700V 10A 80W Без демпфера
• D5703 1500 800V 10A 70W Без демпфера
• C5936 1500V 750V 10A 60W Без демпфера
• TT2202 1500 В 800 В 10 А 80 Вт Без демпфера
• TT2206 1600V 800V 10A 65W Без демпфера
• TT2222 1500V 800V 10A 80W Без демпфера
• BU2520AX 1500V 800V 10A 45W Без демпфера
• C6090 1500V 700V 10A 35W Без демпфера
• D2581 1500V 800V 10A 70W Без демпфера
• D1881 1500V 800V 10A 70W Без демпфера
• D1887 1500V 800V 10A 70W Без демпфера

Транзисторный демпфер танпа tidak bisa dipasang pada транзисторный демпфер (kecuali dengan modif atau board sudah dilengkapi dioda damper) seperti pembahasan diatas, транзистор bisa rusak karena dioda berfungsi sebagai peredam dan bis pengaman transistora mensalida terpaks, api24 tpak, api24 langsung dipasang dan bisa apabila dilakukan sedikit modif terlebih dahulu

Baca juga: Persamaan transistor C6092

Modif transistor yang dimaksud adalah menambah dioda damper (contoh RU4AM) pada jalur kaki anoda dioda damper (contoh RU4AM) pada jalur kaki emitan de dngan kole, jmitor dngan kole dengan demikian транзистор kemungkinan bisa dipasang pada транзисторный демпфер D1555

2.Perbedaan транзистор данных горизонтальный arus kurang tinggi baik dengan dioda damper maupun tanpa dioda damper дан kurang sesuai untuk mengganti транзистор D1555

• D1425 1500V 600V 2,5A 80W Damper
• D1553 1500V 600V 2, 5A 40W Демпфер
• D1876 1500V 800V 3A 50W Демпфер
• D2089 1500V 600V 3,5A 40W Демпфер
• D1554 1500V 1500V 3,5A 50W Демпфер
• TT2138 1500V 800V 3,5A 25W 5V Демпфер
• D1426 1500V 600V 3,5A 80W Демпфер
• D1878 1500V 800V 4A 50W Демпфер

Транзисторный персаман dengan spesifikasi arus rendah apabila dipasang Untuk menggantikan transistor dengan spek yang lebih tinggi memiliki resiko kerusakan yang lebih besar, contoh транзистор D1553 янь hanya memiliki arus maksimal 2,5A, apbanleba dipanaki transistor bisa rusak

Baca juga: Pasang kipas tv mengatasi overheat

Berdasar pada data spesifikasi kemampuan arus D1553 tidak bisa untuk mengganti D1555, bagaimana jika data salah, ada beberapa kemampuan tempanid 9669, dipa beberapa kemampuan 9053, Dipa beberapa kemampuan, транзистор 9053, транзистор, Dipa beberapa, 9669, ti ukuran inch kecil atau bukan televisi slim atau плоский

Транзистор Ханья Бертахан Сементара, Дан Акан Русак Дипакай Далам Джангка Панджанг

Кеберунтунган Сая

Транзистор Kesimpulanya ganti dengan persamaan yang sesuai spesifikasi, karena data batas kemampuan transistor tidak akan salah dan tidak akan mampu jika dipakai diatas batas spek transistor, selain itu pastikmban transistor pengganti 9 mura bugikan transistor Тентанг персаман транзистор D1555, компонент данных и особенности транзистора горизонтального телевидения ян биса дипакай для персаман серта пенгганти компонент янь русак, мохон корекси джика ада кешалахан данные, © fanselektronic.com

Kembali ke Daftar isi ↑

☑ Код диода Smd Jc

Максимальные номинальные значения t ambient25oc, если не указано иное обозначение символа baw56 код маркировки блока jc vrm обратное напряжение 75 v vrrm пиковое обратное напряжение 100 v ifav прямое среднее полуволновое выпрямление тока с резистивной нагрузкой и f50hz. При ремонте неизвестной электронной платы становится очень трудно определить, какой именно тип данного компонента.

Лучший синий светодиодный диод Smd рядом со мной и бесплатная доставка

2019 Светодиодные диоды 5050 SDM Led Chip Bead Smd5050 Diode Led Lighting Reel от Hico 289 45 Dhgate Com

24 Led Bulb 1 Smd Led Miniature Wedge Base

Следующее для этого используются буквы.

Smd диод код jc . Емкость диода при 1 МГц 0 В распиновка, диаг. При ремонте неизвестной электронной платы становится очень трудно определить, какой именно тип данного компонента. Jct sot23 bal74w jc sc 70sot323.

Smd-устройства по самой своей природе слишком малы, чтобы нести обычные номера типов полупроводников. 1999 июн 11 3 philips semiconductors малосигнальные транзисторы и диоды маркировка коды 1ps302 c3 sc 70sot323 bal74 jcp.Эта база данных позволяет быстро найти артикул компонента smd, когда у вас есть только код маркировки.

Показаны коды, начинающиеся с jc. Идентификация кода стабилитрона. Обратный ток при vr макс.

Падение напряжения в прямом направлении при макс. Код маркировки smd транзистора jc smd RF маркировка транзистора smd маркировка транзистора 3c rf усилитель sot23 5 маркировка 14 cd jc smd код sot23 транзистор smd маркировка na sot 23 код маркировки sus sot 23 6-контактный транзистор smd код p маркировка smd транзистор p.Коды smd кодовой книги smd.

SMD переключающий диод с тремя клеммами SMD переключающий диод имеет высокую скорость переключения. Smd код пакет имя устройства данные производителя. Таблица данных каталога mfg type pdf document tags.

Jc wqfn 20 3×3 rt8239bzqw. Буква используется для обозначения специализированного применения диода. В дюймах vrrm v vf v if ma ir ua vr v trr ns ct pf 7 катушка smd 3 контактный переключающий диод.

Определение номера типа производителя устройства smd.Эта база данных позволяет быстро найти артикул компонента smd, когда у вас есть только код маркировки. Smd маркировка диодов 47 smd диод jc smd маркировка код 102 smd диод 132 диод smd код маркировки каталог smd маркировка диодов код диодный мост 15g 5vd60 smd маркировка диодов код 10 текст.

A 1 b 2 c 5 d 10. Эта буква обозначает допустимое отклонение напряжения стабилитрона. Код маркировки пиковое обратное напряжение макс.

Стабилитроны имеют дополнительную букву, которая появляется после цифр.Ifsm vf ir jc 50hz io2 tc 140 50hz синусоидальная нагрузка с сопротивлением. Вместо этого они используют маркировочный код, обычно состоящий из комбинации из 2 или 3 букв или цифр.

SMD переключающие диоды три клеммы диоды smd арт. Маркировка кода smd рф фт сот23. Вместо этого выросла несколько произвольная система кодирования, в которой пакет устройства содержит простой двух- или трехсимвольный идентификационный код.

Aeroflex Metelics СВЧ-диоды пассивные

Высокоэффективные диоды быстрого восстановления Te Epc Lpc

Bzt52b2v4wt Bzt52b75wt 200 мВт Два терминала SMD стабилитроны

Baw56 Datasheet 9000 Www7 Datasheet 9000 Datasheet 9000 Www S Ss210 Smd Барьерный выпрямительный диод 2a 100v Do 214aa Smb От Hblljmjn 1 76 Dhgate Com

Identificar Codigos Smd Resuelto Identificar Diodos

Китай Smd G9 Led Light Led Jcd9 S48 China G9 Led G9 Led Light Led Jcd9 S48 China G9 Led G9 Led 9000 Manual

Baw56 Datasheet Www S Руководства Com Taitron

Smd Components Apps в Google Play 9 0009 .