Транзистор d2499 технические характеристики: D2499 транзистор характеристики, аналог, datasheet, цоколевка

D2499 транзистор характеристики, аналог, datasheet, цоколевка

Технические характеристики транзистора D2499 (2SD2499) говорят о том что он является мощным, высоковольтным, быстродействующим, кремниевым устройством NPN-структуры. Имеет внутри встроенный демпферный диод и резистор. Разработан известной японской компании Toshiba Semiconductor.

Благодаря хорошему быстродействию (0,3 мкс), данное изделие находит широкое применение в различных сферах радиоэлектронной промышленности, особенно популярно в цепях строчной развертки устаревших моделей цветных телевизоров и мониторов. Считается у радиолюбителей универсальным транзистором для ремонта приборов с электронно-лучевыми трубками (ЭЛТ).

Цоколевка

2SD2499 выпускается в полностью изолированном пластиковом корпусе ТО-3P без металлической подложки. Расположение выводов, если смотреть прямо на маркировку, будет такое: слева находится база (Б), посередине коллектор (К), справа эмиттер (Э). Обозначение на нем обычно нанесено в сокращенном виде, без двух первых символов – D2499.

Технические характеристики

На предельно допустимые характеристики 2SD2499 стоит обратить внимание в первую очередь. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах, приводит к сокращению сроков полезного использования или порче изделия. Именно их производитель указывает в даташит в самом начале. Приведём наиболее важные из них.

Предельно допустимые

D2499 имеет следующие предельно допустимые значения параметров (при Т_A =+25 ^ОС) :

Максимальное напряжение:

• К-Б V_CBO (U_{кб max}) до 1500 В;
• К-Э V_CEO (U_{кэ max}) до 600 В;
• Э-Б V_EBO (U_{эб max}) до 5 В;

Ток коллектора:

• I_C (I_{к max}) до 6 А;
• I_CМ (I_{к пик}) до 12 А;
• ток базы I_В (I_{Б max}) до 3 А;
• рассеиваемая мощность (при Т_C= +25^ОС) Р_С (Р_{к max}) до 50 Вт;
• диапазон рабочих температур T_STG от -55 до 150^ОС;
• температура кристалла T_J до + 150^ОС.

Любой строчный транзистор сильно греется при работе, поэтому установка на радиатор — обязательное условие его стабильного функционирования.

Электрические

После предельных значений в даташит на D2499 представлены номинальные параметры устройства «Электрические характеристики», при которых производитель гарантирует его стабильную работу. Для рассматриваемого изделия они указываются в отдельной таблице при температуры окружающей среды (Т_A) до +25^oС.

У отдельных производителей можно увидеть для максимальной температуры кристалла (Т_C).

Аналоги

В случае ремонта для D2499 возможно потребуется аналог: BU4508DZ, BU508DXI, BUH515DX1, BUH515FP. Хорошей альтернативой считается: 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252. В любом случае, перед заменой следует ознакомиться с техническими характеристиками этих транзисторов и только после этого принимать какое либо решение.

Проверка работоспособности

Вопрос о том, как проверить строчный транзистор d2499 мультиметром и определить его исправность встречается очень часто. На практике его тестируют стандартным способом, как обычный биполяник, но при этом есть свои нюансы. Рассмотрим их подробнее, они характерны для большинства подобных устройств.

Так как структура нашего строчника NPN, то для начала необходимо установить мультиметр в режим «прозвонки диодов». Отрицательный щуп (черный) ставим на вывод Б, а положительным (красным) соединяем с контактом К. На тестере, при этом, должно появится небольшое падение напряжения. При смене полярности будет отображаться цифра «1», КЗ быть не должно.

Далее надо проверить переход Б-Э. Ставим красный щуп на контакт Э, черный остаётся на Б. Так как между выводами Б и Э стоит резистор, то мультиметр будет пищать, сигнализируя прохождение тока. Необходимо проверить сопротивление на этом участке, оно должно быть в пределах от 40 до 50 Ом.

Между выводов К-Э установлен демпферный диод и это надо учитывать. В режиме «прозвонки диодов» на тестере отображается падение напряжения. Сопротивление между этими контактами транзистора замеряется на пределе до 200 MОм. У оригинального 2SD2499 оно составляет более 150 MОм. И чем выше это значение, тем лучше.

Пример проверки похожих строчных транзисторов можно посмотреть в видеоролике.

Производители

Транзистор 2SD2499 был разработан и впервые применён в своих телевизорах японской компанией Toshiba Semiconductor. В настоящее время его выпуск подхватили следующие китайские производители электроники: Inchange Semiconductor Company, Wing Shing Computer Components, Savantic, Tiger Electronic, Shenzhen SPTECH Microelectronics. В российских магазинах радиотоваров чаще всего встречаются оригинальные изделия от Toshiba.

Скачать datasheet D2499 можно кликнув по названию компании-производителя. На русском языке по ссылке.

Все о транзисторе D2499 (2SD2499): полные аналоги и характеристики | ShemaTok.ru

Технические характеристики транзистора D2499 (2SD2499) говорят о том что он является мощным, высоковольтным, быстродействующим, кремниевым устройством NPN-структуры. Имеет внутри встроенный демпферный диод и резистор. Разработан известной японской компании Toshiba Semiconductor.

Благодаря хорошему быстродействию (0,3 мкс), данное изделие находит широкое применение в различных сферах радиоэлектронной промышленности, особенно популярно в цепях строчной развертки устаревших моделей цветных телевизоров и мониторов. Считается у радиолюбителей универсальным транзистором для ремонта приборов с электронно-лучевыми трубками (ЭЛТ).

Цоколевка

2SD2499 выпускается в полностью изолированном пластиковом корпусе ТО-3P без металлической подложки. Расположение выводов, если смотреть прямо на маркировку, будет такое: слева находится база (Б), посередине коллектор (К), справа эмиттер (Э). Обозначение на нем обычно нанесено в сокращенном виде, без двух первых символов – D2499.

Распиновка 2SD2499

Распиновка 2SD2499

Технические характеристики

На предельно допустимые характеристики 2SD2499 стоит обратить внимание в первую очередь. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах, приводит к сокращению сроков полезного использования или порче изделия. Именно их производитель указывает в даташит в самом начале. Приведём наиболее важные из них.

Предельно допустимые

D2499 имеет следующие предельно допустимые значения параметров (при ТA =+25 ОС) :

Максимальное напряжение:

• К-Б VCBO (Uкб max) до 1500 В;
• К-Э VCEO (Uкэ max) до 600 В;
• Э-Б VEBO (Uэб max) до 5 В;

Ток коллектора:

• IC (Iк max) до 6 А;
• ICМ (Iк пик) до 12 А;
• ток базы IВ (IБ max) до 3 А;
• рассеиваемая мощность (при ТC= +25ОС) РС (Рк max) до 50 Вт;
• диапазон рабочих температур TSTG от -55 до 150ОС;
• температура кристалла TJ до + 150ОС.

Любой строчный транзистор сильно греется при работе, поэтому установка на радиатор — обязательное условие его стабильного функционирования.

Электрические

После предельных значений в даташит на D2499 представлены номинальные параметры устройства «Электрические характеристики», при которых производитель гарантирует его стабильную работу. Для рассматриваемого изделия они указываются в отдельной таблице при температуры окружающей среды (ТA) до +25oС.

Электрические параметры D2499

Электрические параметры D2499

Аналоги

В случае ремонта для D2499 возможно потребуется аналог: BU4508DZ, BU508DXI, BUH515DX1, BUH515FP. Хорошей альтернативой считается: 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252. В любом случае, перед заменой следует ознакомиться с техническими характеристиками этих транзисторов и только после этого принимать какое либо решение.

Проверка работоспособности

Вопрос о том, как проверить строчный транзистор d2499 мультиметром и определить его исправность встречается очень часто. На практике его тестируют стандартным способом, как обычный биполяник, но при этом есть свои нюансы. Рассмотрим их подробнее, они характерны для большинства подобных устройств.

Так как структура нашего строчника NPN, то для начала необходимо установить мультиметр в режим «прозвонки диодов». Отрицательный щуп (черный) ставим на вывод Б, а положительным (красным) соединяем с контактом К. На тестере, при этом, должно появится небольшое падение напряжения. При смене полярности будет отображаться цифра «1», КЗ быть не должно.

Далее надо проверить переход Б-Э. Ставим красный щуп на контакт Э, черный остаётся на Б. Так как между выводами Б и Э стоит резистор, то мультиметр будет пищать, сигнализируя прохождение тока. Необходимо проверить сопротивление на этом участке, оно должно быть в пределах от 40 до 50 Ом.

Между выводов К-Э установлен демпферный диод и это надо учитывать. В режиме «прозвонки диодов» на тестере отображается падение напряжения. Сопротивление между этими контактами транзистора замеряется на пределе до 200 МОм. У оригинального 2SD2499 оно составляет более 150 МОм. И чем выше это значение, тем лучше.

Производители

Транзистор 2SD2499 был разработан и впервые применён в своих телевизорах японской компанией Toshiba Semiconductor. В настоящее время его выпуск подхватили следующие китайские производители электроники: Inchange Semiconductor Company, Wing Shing Computer Components, Savantic, Tiger Electronic, Shenzhen SPTECH Microelectronics. В российских магазинах радиотоваров чаще всего встречаются оригинальные изделия от Toshiba.

характеристики, аналог и datasheet на 2SD2499

Если посмотреть в технические характеристики транзистор D2499 (2SD2499) которые указаны в datasheet, можно сказать с уверенностью что он является высоковольтным, быстродействующим n-p-n устройством. Также имеет встроенный демпферный диод. Используется в основном в цепях строчной развёртки цветных телевизоров и мониторов.

Распиновка

Цоколевка 2499 выполнена пластиковом корпусе в котором он выпускается. Расположение выводов, если смотреть на транзистор сверху, прямо на маркировку, будет такое:

• слева находится база;
• посередине коллектор;
• справа эмиттер.

Обычно маркировка на него наносится в сокращённом виде, без двух первых символов – D2499.

Технические характеристики

Предельно допустимые характеристики 2SD2499 это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены или для своих радиосхем. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке транзистора.

Приведём их ниже:

• Предельно допустимая разность потенциалов между К-Б V_CBO (U_{кб max}) = 1500 В;
• Максимально возможное напряжение действующее между К-Э V_CEO (U_{кэ max}) = 600 В;
• Наибольшая разность потенциалов между Э-б V_EBO (U_{эб max}) = 5 В;
• Предельно допустимый ток коллектора, действующий длительное время I_C (I_{к max}) = 6 А;
• Максимально возможный кратковременный ток через коллектор I_CP (I_{к пик}) = 12 А;
• Наибольший постоянный ток через базу I_В (I_{Б max}) = 3 А;
• Предельно допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе (при температуре окружающей среды +25^ОС) Р_С (Р_{к max}) = 50 Вт;
• Диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150^ОС;
• Предельная температура кристалла Tj = 150^ОС.

Помимо приведённых выше параметров, при выборе устройства следует также обращать внимание на электрические характеристики. Ниже приведена таблица с их значениями, протестированными при температуре +25^ОС. Остальные условия, важные для проведения тестирования находятся к колонке «Режимы измерения».

Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Обратный ток, текущий через коллектор	VCВ= 1500В, IЕ = 0	ICВO			1	мА
Обратный ток, текущий через эмиттер	VEB = 5В, IC = 0	IEBO	67		200	мА
Пробивное напряжение между эмиттером и базой	IE= 400 мA, I C= 0	VEBO	5			В
Статический к-т передачи тока	VCE=5 В,IC= 1 A VCE=5 В, IC=1 A	hFE1 hFE2	8 5		25 9
Напряжение насыщения перехода К-Э	IC= 4 A, IB = 0,8 A	V CE(sat)			5	В
Напряжение насыщения перехода Б-Э	IC= 4 A, IB = 0,8 A	V ВE(sat)		1,05	1,3	В
Прямое напряжение на демпферном диоде	IF= 6 A	VF		1,6	2,0	В
Ёмкость коллекторного перехода	VCB=10V,f=1.0MHz, IE=0	Cob		95		пФ

Рассмотрим график зависимости к-та передачи тока от тока коллектора. На рисунке представлено три кривые, в зависимости от температуры воздуха (-25 ^ОС, +25 ^ОС, +100 ^ОС). Из приведённых данных видно, что усиление транзистора 2SD2499 сначала растёт, пока значение величины ток коллектора не превысит отметку 1 А, а потом начинает падать.

Аналоги

Подобрать аналоги для транзистора D2499 можно из следующих моделей: BU4508DZ, BU508DXI, BUH515DX1, BUH515FP. Кроме этого в качестве замены также можно использовать: 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252. В любом случае перед заменой следует ознакомиться с техническими характеристиками обеих устройств и только после этого принимать решение о замене.

Производители

Скачать datashee на 2499 можно кликнув на название компании. Он был разработан, и впервые изготовлен компанией Toshiba Semiconductor. Сейчас его производят такие компании: Wing Shing Computer Components, Inchange Semiconductor Company, Savantic, Tiger Electronic, Shenzhen SPTECH Microelectronics. Чаше всего в продаже можно встретить транзистор произведённый Toshiba Semiconductor. Встречаются также изделия Китайского производителя Shenzhen SPTECH Microelectronics. И достаточно редко можно встретить продукцию Гонконгской фирмы Wing Shing Computer Components.

транзистор d2499

 
        

6822 транзистор

Транзистор

насыщение транзистора

(от

включение транзисторов

англ.

простые схемы на транзисторах

transfer

p канальный транзистор

—

маркировка транзисторов

переносить и resistance

транзистор цена

—

s8050 транзистор

сопротивление

транзистор npn

или

изготовление транзисторов

transconductance

315 транзистор

—

транзисторы tip

активная

315 транзистор

межэлектродная

транзистор 9014

проводимость

радио транзистор

и

315 транзистор

varistor

полевой транзистор цоколевка

—

расчет радиатора для транзистора

переменное сопротивление)

транзистор кт819

— электронный

как проверить транзистор мультиметром

прибор из

подключение транзистора

полупроводникового

полевой транзистор характеристики

материала,

эмиттер транзистора

обычно

полевой транзистор

с

усилитель на транзисторах

тремя

полевые транзисторы параметры

выводами,

стабилизатор напряжения на транзисторе

позволяющий

стабилизатор тока на полевом транзисторе

входным

схема включения полевого транзистора

сигналам управлять

полевой транзистор управление

током в

современные транзисторы

электрической

цоколевка импортных транзисторов

цепи. Обычно

ключ полевой транзистор

используется

13001 транзистор

для

c945 транзистор

усиления,

насыщение транзистора

генерирования

как проверить транзистор мультиметром

и

mosfet транзисторы

преобразования электрических

диоды транзисторы

сигналов.

транзистор d2499

         Управление

ножки транзистора

током в выходной

n p n транзистор

цепи

транзистор 2т

осуществляется за счёт

вах транзистора

изменения

транзистор процессор

входного

управление полевым транзистором

напряжения

биполярный транзистор

или

транзистор светодиод

тока. Небольшое

13003 транзистор

изменение

маркировка импортных транзисторов

входных

подбор транзистора

величин

включение полевого транзистора

может

транзисторы микросхемы

приводить

фото транзисторов

к

стабилизатор на полевом транзисторе

существенно

схема включения полевого транзистора

большему

транзисторы турута

изменению

современные транзисторы

выходного напряжения

транзистор d1555

и

унч на полевых транзисторах

тока.

высокочастотные транзисторы

Это

транзистор кт315

усилительное

транзистор цена

свойство транзисторов

datasheet транзистор

используется

ключ полевой транзистор

в

транзисторы tip

аналоговой

как проверить полевой транзистор

технике

технические характеристики транзисторов

(аналоговые

распиновка транзисторов

ТВ, радио,

тесла на транзисторах

связь

схема транзистора

и т.

как проверить транзистор

п.).

транзистор d2499

        

транзистор кт3102

В

умзч на транзисторах

настоящее

параметры полевых транзисторов

время

мдп транзистор

в

ключ на биполярном транзисторе

аналоговой

транзистор кт315

технике

мощные транзисторы

доминируют

3205 транзистор

биполярные транзисторы

изготовление транзисторов

(БТ) (международный

завод транзистор

термин

транзисторы bu

—

транзистор сгорел

BJT,

скачать транзисторы

bipolar

кмоп транзистор

junction

типы транзисторов

transistor).

коллектор транзистора

Другой

транзистор d2499

важнейшей

биполярные транзисторы справочник

отраслью

насыщение транзистора

электроники

импортные транзисторы справочник

является

транзистор d882

цифровая

транзисторы кт характеристики

техника

транзистор светодиод

(логика,

зарубежные транзисторы скачать

память,

d209l транзистор

процессоры,

включение транзисторов

компьютеры,

усилитель на транзисторах

цифровая

интегральный транзистор

связь

как проверить транзистор

и

зарубежные транзисторы и их аналоги

т. п.),

испытатель транзисторов

где,

коллектор транзистора

напротив, биполярные

скачать транзисторы

транзисторы

насыщение транзистора

почти

принцип работы полевого транзистора

полностью

транзистор 3102

вытеснены

типы корпусов транзисторов

полевыми.

транзистор d2499

        

импульсный транзистор

Вся

работа биполярного транзистора

современная

транзисторы большой мощности

цифровая

найти транзистор

техника построена,

полевой транзистор схема

в

ключ на полевом транзисторе

основном,

строчные транзисторы

на

унч на транзисторах

полевых

расчет радиатора для транзистора

МОП

транзисторы справочник

(металл-оксид-полупроводник)-транзисторах

кодовая маркировка транзисторов

(МОПТ),

ножки транзистора

как более экономичных, по

13003 транзистор

сравнению

унч на полевых транзисторах

с БТ, элементах. Иногда

усилитель на полевых транзисторах

их

прибор для проверки транзисторов

называют

транзистор 8050

МДП

купить транзисторы

(металл-диэлектрик-полупроводник)-

мдп транзистор

транзисторы.

цоколевка импортных транзисторов

Международный

усилитель мощности на транзисторах

термин

маркировка полевого транзистора

—

стабилизаторы на полевых транзисторах

MOSFET (metal-oxide-semiconductor

транзистор d882

field

применение транзисторов

effect transistor).

полевой транзистор принцип работы

Транзисторы

простой усилитель на транзисторах

изготавливаются

схема унч на транзисторах

в

расчет радиатора для транзистора

рамках интегральной

схема ключа на транзисторе

технологии на

управление полевым транзистором

одном

транзисторы продам

кремниевом

радиоприемник на транзисторах

кристалле

транзистор 3102

(чипе)

igbt транзисторы

и

транзисторы отечественные

составляют

корпуса транзисторов

элементарный

цоколевка транзисторов

«кирпичик»

d880 транзистор

для построения

mosfet транзисторы

микросхем

аналоги отечественных транзисторов

логики,

полевой транзистор цоколевка

памяти, процессора и

s8050 транзистор

т.

радиоприемник на транзисторах

п.

полевой транзистор справочник

Размеры современных

3205 транзистор

МОПТ составляют

схема ключа на транзисторе

от

драйвер транзистора

90

транзистор с общим эмиттером

до

как проверить полевые транзисторы

32

устройства на полевых транзисторах

нм[источник

корпуса транзисторов

не

mosfet транзисторы

указан

как проверить транзистор

134

принцип транзистора

дня].

принцип действия транзистора

На

маркировка smd транзисторов

одном

13001 транзистор

современном чипе

транзистор npn

(обычно

транзисторы резисторы

размером

транзисторы bu

1—2

диоды транзисторы

см?)

включение полевых транзисторов

размещаются

13009 транзистор

несколько

полевой транзистор параметры

(пока

транзистор сгорел

единицы) миллиардов

маркировка полевых транзисторов

МОПТ.

транзистор 8050

На

прибор для проверки транзисторов

протяжении

зарубежные транзисторы скачать

60

устройство транзистора

лет

коды транзисторов

происходит

аналоги импортных транзисторов

уменьшение размеров

транзистор с общим эмиттером

(миниатюризация) МОПТ

ключи на полевых транзисторах

и

транзисторы отечественные

увеличение

режимы транзистора

их

ключи на полевых транзисторах

количества

транзисторы микросхемы

на одном

схема подключения транзистора

чипе

коэффициент усиления транзистора

(степень интеграции),

полевой транзистор цоколевка

в

вч транзисторы

ближайшие

транзистор s9013

годы ожидается

сгорает строчный транзистор

дальнейшее

стабилизаторы тока на полевых транзисторах

увеличение

как работает транзистор

степени

принцип работы полевого транзистора

интеграции

усилитель мощности на полевых транзисторах

транзисторов

мощный полевой транзистор

на

включение полевых транзисторов

чипе

1 транзистор

(см.

транзистор в ключевом режиме

Закон

полевые транзисторы

Мура).

горит строчный транзистор

Уменьшение

импортные транзисторы справочник

размеров

включение полевых транзисторов

МОПТ

транзистор в ключевом режиме

приводит

регулятор на полевом транзисторе

также

полевой транзистор принцип работы

к

аналоги транзисторов

повышению

транзисторы резисторы

быстродействия

13003 транзистор

процессоров.

транзистор d2499

        

типы транзисторов

Первые

найти транзистор

патенты на

принцип транзистора

принцип работы

зарубежные транзисторы

полевых

усилительный каскад на транзисторе

транзисторов

транзисторы tip

были

расчет радиатора для транзистора

зарегистрированы

коллектор транзистора

в

стабилизатор на полевом транзисторе

Германии

как проверить транзистор

в 1928 году

горит строчный транзистор

(в

транзисторы большой мощности

Канаде,

как работает транзистор

22

силовые транзисторы

октября

работа полевого транзистора

1925

справочник зарубежных транзисторов скачать

года)

структура транзистора

на

mosfet транзисторы

имя

усилительный каскад на транзисторе

австро-венгерского физика Юлия

генератор на полевом транзисторе

Эдгара Лилиенфельда.[источник

полевой транзистор цоколевка

не

даташит транзисторы

указан

структура транзистора

107

работа полевого транзистора

дней]

справочник аналогов транзисторов

В

маркировка smd транзисторов

1934

транзисторы продам

году немецкий

транзистор d2499

физик

транзистор 8050

Оскар

подбор транзисторов по параметрам

Хейл запатентовал полевой транзистор. Полевые

высокочастотные транзисторы

транзисторы

характеристики полевых транзисторов

(в

схемы на полевых транзисторах

частности,

трансформатор тесла на транзисторе

МОП-транзисторы)

усилители на биполярных транзисторах

основаны

полевой транзистор

на

включение биполярного транзистора

простом

цоколевка транзисторов

электростатическом эффекте

принцип работы полевого транзистора

поля,

чип транзисторы

по

транзистор кт315

физике

продажа транзисторы

они

полевой транзистор характеристики

существенно

устройства на полевых транзисторах

проще

умзч на транзисторах

биполярных

схемы на полевых транзисторах

транзисторов,

прибор для проверки транзисторов

и

c945 транзистор

поэтому

составной транзистор

они придуманы

унч на транзисторах

и запатентованы

ключ на биполярном транзисторе

задолго

однопереходный транзистор

до

усилитель на транзисторах

биполярных

схемы на полевых транзисторах

транзисторов.

ключ на полевом транзисторе

Тем

схема унч на транзисторах

не менее,

полевой транзистор

первый

греется строчный транзистор

МОП-транзистор, составляющий основу

полевой транзистор параметры

современной компьютерной

зарубежные транзисторы и их аналоги

индустрии,

тесла на транзисторах

был

планарные транзисторы

изготовлен

транзисторы китайские

позже биполярного транзистора,

d880 транзистор

в

фото транзисторов

1960 году.

схема ключа на транзисторе

Только

управление полевым транзистором

в 90-х

смд транзисторы

годах

схема унч на транзисторах

XX века

13009 транзистор

МОП-технология

как проверить транзистор

стала

транзисторы philips

доминировать

простой усилитель на транзисторах

над

взаимозаменяемость транзисторов

биполярной.

транзистор d2499

транзистор d2499

Транзисторы 2SD2499(D2499) и STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код

J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H —

45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более

100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

На главную страницу

9014 Транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (H_FE)_. Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F_Ш), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F_Ш определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R_s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H

_FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H_FE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

S9014 Datasheet (PDF)

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.5. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B

1.6. ss9014.pdf Size:47K _samsung

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW

STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso

1.8. s9014.pdf Size:253K _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co

1.9. s9014t.pdf Size:130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)

1.10. s9014w.pdf Size:263K _secos

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80

1.11. s9014.pdf Size:821K _htsemi

S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun

1.12. s9014w.pdf Size:458K _htsemi

S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20

1.13. s9014.pdf Size:241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX

S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit

S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co

1.16. s9014.pdf Size:824K _wietron

S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage

1.17. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000

1.18. s9014.pdf Size:280K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0.45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter

1.19. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng

 深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units （符号） （参数名称） （额定值） （单位） VCBO Collector-Base Vo

1.20. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

1.21. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR（ NPN ） FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

Транзисторы 2SD2499(D2499)

Т ранзисторы 2SD2499(D2499) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Разработаны фирмой Toshiba Semiconductor первоначально, для блоков развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем — применялись в целом ряде, самых различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка 2SD2499(D2499).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — 5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — не выше 1,3в.

Граничная частота передачи тока. — 2МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 600 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 6 А.

Максимальный импульсный ток коллектора — 12 А.

Рассеиваемая мощность коллектора — 50 Вт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — 95 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 200 мА.

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Как правильно прозвонить транзистор — flagman-ug.ru

Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

• Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
• Л – лампочка.
• R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

Как проверить транзистор?

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс ( + ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп ( красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный ( + ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Как проверить биполярный транзистор

NPN и PNP транзисторы

Биполярный транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.

На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:

где Э – это эмиттер, Б – база, К – коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.

Проверяем исправный транзистор

Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется “datasheet”. Прямо так и забиваем в поисковике “C4106 datasheet”. Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его вид: NPN или PNP. То есть нам надо узнать, какой вывод что из себя представляет. Для данного транзистора нам надо узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот и схемка распиновки из даташита:

Теперь нам понятно, что первый вывод – это база, второй вывод – это коллектор, ну а третий – эмиттер

Возвращаемся к нашему рисунку

Мы узнали из даташита, что наш транзистор NPN проводимости.

Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять “диоды” транзистора. Для начала ставим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору

Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу “плюс” , а на эмиттер – “минус”.

Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.

Меняем щупы местами. Ставим “минус” на базу, а “плюс” на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.

Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору – здоров.

Проверяем неисправный транзистор

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с вами рассмотрели выше. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.

Проверка транзистора с помощью транзисторметра

Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр

Заключение

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два и более транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь иностранная микросхема.

Проверка исправности биполярного транзистора мультиметром

Ни одна современная схема не обходится без полупроводниковых приборов. Самый распространённый из них — транзистор и именно он часто выходит из строя. Тому причиной — перепады напряжения, которые есть в наших сетях, нагрузки и т. д. Рассмотрим два способа позволяющие проверить исправность транзистора при помощи мультиметра.

Необходимый минимум сведений

Чтобы понять исправен биполярный транзистор или нет, нам необходимо знать хотя бы в самых общих чертах, как он устроен и работает. Это активный электронный компонент, который является полупроводниковым прибором. Есть два основных вида — NPN и PNP. Каждый из них имеет три электрода: база, эмиттер и коллектор.

Виды транзисторов и принцип работы

Коротко сформулировать принцип работы транзисторов можно таким образом, это управляемый электронный ключ. Он пропускает ток по направлению от коллектора к эмиттеру в случае NPN типа и от эмиттера к коллектору у PNP, при наличии напряжения на базе. Причём изменяя потенциал на базе, меняем степень «открытости» перехода, регулируя величину пропускаемого тока. То есть, если на базу подавать больший ток, имеем больший ток коллектор-эмиттер, уменьшим потенциал на базе, снизим ток, протекающий через транзистор.

Ещё важно знать, это то, что в обратном направлении ток течь не может. И неважно, есть потенциал на базе или нет. Он всегда течёт в направлении, на схеме указанном стрелкой. Собственно, это вся информация, которая нам нужна, чтобы знать как работает транзистор.

У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка одинаковая в основном, слева направо — эмиттер, коллектор, база. У транзисторов малой мощности лучше проверять. Это важно, так как при определении работоспособности, эта информация нам понадобится.

Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка

То есть, если вам необходимо определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Хотите убедиться или не знаете, где «лицо», то ищите информацию в справочнике или наберите на компьютере «имя» вашего полупроводникового прибора и добавьте слово «даташит». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вам в выдаче будет перечень характеристик прибора и его цоколёвка.

Как проверить транзистор мультиметром со встроенной функцией

Начнём с того, что есть мультиметры с функцией проверки работоспособности транзистора и определения коэффициента усиления. Их можно опознать по наличию характерного блока на лицевой панели. В ней есть гнездо под установку транзистора, круглая цветная пластиковая вставка с отверстиями под ножки полупроводникового прибора. Цвет вставки может быть любым, но обычно, он выделяется.

Первым делом переводим переключатель диапазонов (большую ручку) в соответствующее положение. Опознать режим можно по надписи — hFE. Перед тем как проверить транзистор мультиметром, определяемся с типом NPN или PNP.

Мультиметр с функцией проверки транзисторов

Далее рассматриваем разъёмы, в которые надо вставлять электроды. Они подписаны латинскими буквами: E — эмиттер, B — база, C — коллектор. В соответствии с надписями, ставим выводы полупроводникового элемента в гнёзда. Через несколько мгновений на экране высвечивается результат измерений, это коэффициент усиления транзистора. Если прибор неисправен, показаний не будет, транзистор неисправен.

Как видите, проверить рабочий транзистор или нет мультиметром со встроенной функцией проверки просто. Вот только в гнёзда нормально вставляются далеко не все электроды. Удобно устанавливать транзисторы с тонкими выводами S9014, S8550, КТ3107, КТ3102. У больших, надо пинцетом или плоскогубцами менять форму выводов, ну а транзистор на плате так не проверишь. В некоторых случаях проще проверить переходы транзистора в режиме прозвонки и определить его исправность.

Проверка на плате

Чтобы проверить транзистор мультиметром не выпаивая или нужен мультиметр с функцией прозвонки диодов. Переключатель переводим в это положение, подключение щупов стандартное: чёрный в общее звено (COM или со значком земли), красный — в среднее (гнездо для измерения сопротивления, тока, напряжения).

Как проверить транзистор мультиметром не выпаивая

Чтобы понять принцип проверки, надо вспомнить структуру биполярных транзисторов. Как уже говорили, они бывают двух типов: PNP и NPN. То есть это три последовательные области с двумя переходами, объединёнными общей областью — базой.

Строение биполярного транзистора и как его можно представить, чтобы понять как его будем проверять

Условно, мы можем представить этот прибор как два диода. В случае с PNP типом они включены навстречу друг другу, у NPN — в зеркальном отражении. Это представление на картинке в правом столбике и ни в коем случае не отображает устройство этого полупроводникового прибора, но поясняет, что мы должны увидеть при прозвонке.

Проверка биполярного транзистора PNP типа

Итак, начнём с проверки биполярника PNP типа. Вот что у нас должно получиться:

• Если подать на базу плюс (красный щуп), на эмиттер или коллектор — минус (чёрный щуп), должно быть бесконечно большое сопротивление. В этом случае диоды закрыты (смотрим на эквивалентной схеме).
• Если подаём на базу минус (чёрный щуп), а на эмиттер или коллектор плюс (красный щуп), видим ток от 600 до 800 мВ. В этом случае получается, что переход открыт.

Проверка биполярного PNP транзистора мультиметром

Итак, PNP транзистор будет открыт только тогда, когда плюс подаётся на эмиттер или коллектор. Если во время испытаний есть хоть какие-то отклонения, элемент неработоспособен.

Тестируем исправность NPN транзистор

Как видим, в NPN приборе ситуация будет другой. Практически она диаметрально противоположна:

• Если подать на базу плюс (красный щуп), а на эмиттер или коллектор минус, переход будет открыт, на экране высветятся показания — от 600 до 800 мВ.
• Если поменять местами щупы: плюс на коллектор или эмиттер, минус на базу — переходы заперты, тока нет.
• При прикосновении щупами к эмиттеру и коллектору тока по-прежнему быть не должно.

Проверка работоспособности биполярного NPN транзистора мультиметром

Как видим, этот прибор работает в противоположном направлении. Для того чтобы понять, рабочий транзистор или нет, необходимо знать его тип. Только так можем проверить транзистор мультиметром не выпаивая его с платы.

И ещё раз обращаем ваше внимание, картинки с диодами никак не отображают устройство этого полупроводникового прибора. Они нужны только для понимания того, что мы должны увидеть при проверке переходов. Так проще запомнить, и понимать показания на экране мультиметра.

Как определить базу, коллектор и эмиттер

Иногда бывают ситуации, когда нет под рукой справочника и возможности найти цоколёвку в интернете, а надпись на корпусе транзистора стала нечитаемой. Тогда, пользуясь схемами с диодами, можно опытным путём найти базу и определить тип прибора.

Строение биполярного транзистора и как его можно представить чтобы понять как его будем проверять

Путём перебора ищем положение щупов, при котором «звонятся» все три электрода. Тот вывод, относительно которого появляются показания на двух других и будет базой. Потому, плюс или минус подан на базу определяем тип, PNP или NPN. Если на базу подаём плюс — это NPN тип, если минус — это PNP.

Чтобы определить, где эмиттер,а где коллектор, надо сравнить показания мультиметра при измерении. На эмиттере ток всегда больше. Так и найдём опытным путём базу, эмиттер и коллектор.

Как проверить транзистор мультиметром без выпайки

Любая электронная схема состоит из полупроводниковых элементов. Наиболее распространённые из них транзисторы. Хотя в последнее время выпускаемые элементы отличаются надёжностью, но всё же нарушения в работе электронных устройств могут привести к повреждению полупроводника.

Перед тем как проверить транзистор мультиметром, необязательно выпаивать его из схемы, но для получения точных результатов лучше это сделать.

Принцип работы и виды транзисторов

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, служащий для преобразования электрических величин. Основное их применение заключается в усилении сигнала и способность работать в режиме ключа. Они выпускаются с тремя и более выводами. Существует три вида приборов:

• биполярные;
• полевые;
• биполярные транзисторы с изолированным затвором.

Бывает ещё составной транзистор. Он подразумевает электрическое объединение в одном корпусе нескольких приборов одного типа. Такие сборки называются парой Дарлингтона и Шиклаи, также имеют три вывода.

Биполярное устройство

Разделяются по своему типу. Выпускаются как электронного, так и дырочного типа проводимости. В своей конструкции используют n-p или p-n переход. Дырочного типа транзисторы состоят из двух крайних областей p проводимости, и средней n проводимости. Электронного типа наоборот. Средняя зона называется базой, а примыкающие к ней области коллектором и эмиттером. Каждая зона имеет свой вывод.

Промежуток между граничащими переходами очень мал, не превышает микрометры. При этом содержание примесей в базе меньше, чем их количество в других зонах прибора. Графически биполярный прибор обозначается для PNP стрелкой внутрь, а NPN стрелкой наружу, что показывает направление тока.

Перед тем как проверить биполярный транзистор мультиметром, нужно понимать, какие физические процессы происходят в приборе. Основа работы устройства лежит в способности p-n перехода пропускать ток в одном направлении. При подаче питания на одном переходе возникает прямое напряжение, а на другом обратное. Область перехода с прямым напряжением имеет малое сопротивление, а с обратным — большое.

Принцип работы заключается в том, что прямой сигнал влияет на токи эмиттера и коллектора. При увеличении величины прямого сигнала возрастает ток в области прямого подключения. Носители заряда перемещаются в зону базы, что приводит к увеличению тока и в обратной области подключения. Возникает объёмный заряд и электрическое поле, способствующее втягиванию в зону обратного подключения заряда другого знака. В базе происходит частичное уничтожение зарядов противоположного знака, процесс рекомбинации. Благодаря чему и возникает ток базы.

Эмиттером называется область прибора, служащая для передачи носителей заряда в базу. Коллектором называют зону, предназначенную для извлечения носителей заряда из базы. А база — это область для передачи эмиттером противоположной величины заряда. Основной характеристикой прибора является вольт-амперная характеристика. На схеме элемент обозначается латинскими буквами VT или Q.

Полевой прибор

Полевые транзисторы были изобретены в 1952 году. Основное их достоинство в высоком входном сопротивлении по сравнению с биполярными приборами. Такие элементы часто называются униполярными или мосфетами. Разделяют их по способу управления, на транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.

Полевой транзистор выпускается с тремя выводами, один из них управляющий, называемый затвор. Другой исток, соответствующий эмиттерному выводу в биполярном приборе, и третий сток, вывод с которого снимается сигнал. В каждом типе устройства есть транзисторы с n-каналом и p-каналом.

Работа прибора с управляющим каналом, например, n-типа, основана на следующем принципе. Источник питания, подключённый к прибору, создаёт на его переходе обратное напряжение. Если уровень входного сигнала изменяется, то изменяется и обратное напряжение. Это приводит к тому, что меняется площадь, через которую протекают основные носители заряда. Такая площадь называется каналом. Полевые транзисторы изготавливаются методом сплавления или диффузией.

Мосфет с изолированным затвором представляет собой металлический канал, отделённый от полупроводникового слоя диэлектриком. Общепринятое название прибора — MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor).

Основанием элемента служит пластинка из кремния с дырочной электропроводностью. В ней создаются области с электронной проводимостью, соответственно образующие исток и сток. Такой мосфет работает в режиме обеднения или обогащения. В первом случае на затвор подаётся напряжение относительно истока отрицательного значения, из канала выдавливаются электроны, и ток истока уменьшается. Во втором режиме, наоборот, ток увеличивается из-за втягивания новых носителей заряда.

Транзистор с индуцированным каналом, открывается при возникновении разности потенциалов между затвором и истоком. Для полевика с p-каналом к затвору прикладывается отрицательное напряжение, а с n-каналом положительное. Особенность мощных транзисторов состоит в том, что вывод истока соединяется с корпусом прибора. При этом соединяется база с эмиттером. Такое соединение образует диод, который в закрытом состоянии не влияет на работу прибора.

Биполярный тип с изолированным затвором

Устройства такого типа называются IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Это сложный прибор, в котором, например, полевой n-канальный транзистор управляется биполярным устройством типа PNP.

К эмиттеру биполярного транзистора подключается коллектор мосфета. Если на затвор подаётся напряжение положительной величины, то между эмиттером и базой транзистора возникает проводящий канал. В результате транзистор IGBT отпирается, падение напряжения на PN переходе уменьшается. Когда значение напряжения увеличивается, то пропорционально увеличивается и ток канала в базе биполярного прибора, а падение напряжения на IGBT транзисторе уменьшается. Если полевой транзистор заперт, то и ток биполярного прибора будет почти нулевым.

Как пользоваться цифровым мультиметром

Для того чтобы провести измерения, тестер подключается набором проводов к измеряемому элементу. На одном конце каждого из проводов находится штекер, предназначенный для установки в гнездо измерителя, а на другом — контактный щуп. Порядок измерения электронным мультиметром в общем виде можно представить в виде следующих действий:

1. Включить устройство, нажав на кнопку ON/OFF.
2. Вставить штекера проводов в соответствующие гнёзда на панели. COM — общее гнездо для подключения щупа. V/Ω — положительное гнездо для подключения щупа.
3. Поворотный выключатель установить в положение диодной прозвонки «o)))».
4. Прижать измерительные щупы к выводам прибора.
5. Снять показания с экрана.

Кроме метода прозвонки, если позволяет тестер, можно провести измерения полупроводникового элемента установив переключатель в положение hFE. В таком случае провода и щупы не понадобятся. Но этот метод подходит только для биполярных приборов.

Проверка биполярного прибора тестером

Проверку прибора можно осуществить двумя способами. Для этого в тестере используется режим прозвонки или специально предназначенный режим проверки биполярных транзисторов.

На начальном этапе выясняется тип проводимости элемента. Для этого можно воспользоваться справочником или вычислить путём прозвонки. База вычисляется методом перебора. Щуп с общего вывода тестера подключается к одному из выводов транзистора, а щуп со второго вывода по очереди прикасается к двум оставшимся ножкам радиоэлемента. При этом смотрится какую величину сопротивления показывает тестер.

Необходимо найти такое положение, чтоб величина значения сопротивления между выводами составляла бесконечность. На цифровом тестере в режиме прозвонки будет гореть единица. Если такое положение не найдено, следует зафиксировать щуп второго вывода, а щупом с общего выхода осуществлять перебор.

Когда требуемая комбинация будет достигнута, то вывод, по отношению которого измеряется сопротивление, будет базой. Для вычисления выводов коллектора и эмиттера понадобится: в случае pnp транзистора на вывод базы — подать отрицательное напряжение, а для npn — положительное. Сопротивление перехода эмиттер — база будет немного больше, чем база-коллектор.

Например, исследуя биполярный низкочастотный транзистор NPN типа MJE13003, который имеет последовательность выводов база, коллектор, эмиттер, понадобится:

1. Переключить мультиметр в режим прозвонки.
2. Стать положительным щупом на базу прибора.
3. Вторым концом прикоснуться к коллектору прибора, сопротивление должно быть около 800 Ом.
4. Второй конец переставить на эмиттер прибора, сопротивление должно составить 820 Ом.
5. Поменять полярность. На базу стать отрицательным щупом, а к коллектору и эмиттеру прикоснуться поочерёдно вторым концом. Сопротивление должно быть бесконечным.

Если во время проверки все пункты выполняются верно, то транзистор исправен. В ином случае, при возникновении короткого замыкания между любыми переходами, или обрыва в обратном включении, делается вывод о неисправности транзистора. Проверка прибора обратной проводимости проводится аналогичным образом, лишь меняется полярность приложенных щупов. Таким способом можно проверить транзистор мультиметром, не выпаивая его, так и сняв с платы.

Второй способ измерения при использовании современного мультиметра, позволит не только проверить исправность полупроводникового прибора, но и определить коэффициент усиления h31. В зависимости от типа и вида, ножки транзистора совмещаются с соответствующими надписями на гнезде, обозначенном также hFE. При включении прибора на экране появится цифра, обозначающая коэффициент усиления транзистора. Если цифра определяется равной нулю, то такой транзистор работать не будет, или же неправильно определена его проводимость.

Определение целостности полевого радиоэлемента

Такой тип электронного прибора не получится проверить без выпайки из схемы. Способ проверки как для n-канального, так и для p-канального, а также IGBT вида, одинакова. Разница лишь в полярности, прикладываемой к выводам. Например, исправность F3NK80Z n-канального прибора выясняется по следующему алгоритму:

1. Мультиметр переключается в режим прозвонки.
2. Щуп общего провода прикасается к стоку прибора, а положительный — к истоку.
3. Щуп переставляется с истока на затвор. Переход в транзисторе откроется.
4. Возвращаем щуп на исток. Значение сопротивления должно быть маленьким, прибор, если у него есть звуковая прозвонка, запищит.
5. Для закрытия прибора щуп общего провода соединяется с затвором, при этом положительный щуп с истока не снимается.
6. Устанавливается положения щупов согласно первому пункту.

Для проверки p-типа проводимости последовательность операций остаётся такой же, за исключением полярности щупов, которая меняется на обратную.

Для мощных полевых приборов может случиться так, что напряжения тестера не хватит для его открытия. Так как прозвонить такой полевой транзистор мультиметром не удастся, понадобиться применить дополнительное питание. В таком случае в разрыв через сопротивление 1–2 кОм подаётся постоянное напряжение равное 12 вольт.

Существуют такие радиоэлементы, например, КТ117а, имеющие две базы. Их относят к однопереходным приборам. В современных устройствах они не получил широкого применения, но порой встречаются. У них нет коллектора.

Такие транзисторы тестером проверяются только на отсутствие короткого замыкания между выводами. Убедиться в его работе можно воспользовавшись схемой генератора.

Тестирование составного полупроводника

Такой элемент по своей конструкции напоминает микросхему. Так как проверить микросхему на работоспособность мультиметром практически невозможно, так нельзя и проверить составной прибор, используя только тестер. Для тестирования понадобится собрать несложную схему.

В ней применяется источник постоянного напряжения 10−14 вольт. Нагрузкой цепи служит лампочка. В качестве резистора используется элемент мощностью 0,25 Вт. Его сопротивление рассчитывается по формуле h31*U/I, где:

• h31— коэффициент усиления;
• U — напряжение источника питания;
• I — ток нагрузки.

Для проверки на базу подаётся положительный сигнал от источника питания. Лампочка светится. При смене полярности лампочка гаснет. Такое поведение говорит о работоспособности прибора.

Таким образом, узнав, как прозвонить транзистор мультиметром, можно легко вычислить неисправный элемент в схеме, даже его не выпаивая.

горизонтально% 20 выход% 20 транзистор% 20d2499 техническое описание и примечания по применению

lq10d011 Аннотация: LTM09C015 LQ9D011 LJ64ZU50 xr2f Matsua S804 XR58 sharp lm64p80 LTM-09C015-1 LM64P80 — SHARP Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF
2012 — RK097 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RK097 RK097111080J RK0971110909 RK0971110D7F RK097221005C RK097221004C
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке. Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
отклонение по горизонтали Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2SD1396 T03PB Цвет800 2SC4125 T03PML 2SC4890 2SC4891 2SC3995 горизонтальный прогиб
D-M9PL Аннотация: D-A54L d-y59a втулка разъем геркон pnp D-Y59B D-C73L D-Z73 D-A53 D-A93L Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	pric21 NBA-075 НБТ-150 NBA-075 * НБТ-150 НБТ-200 NBT-325 BQ2-012 BMG2-012 D-M9PL D-A54L d-y59a втулка соединителя геркон pnp D-Y59B D-C73L D-Z73 D-A53 D-A93L
1996 — VR5VR Аннотация: пин-схема пленочного потенциометра предустановки усилителя по горизонтали ITT Semiconductors r1938 VR11 VR10 MC13081XB MC13081X C10B C10A Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MC13081X / D MC13081X MC13081X MC13081X / D * VR5VR схема контактов пленочный потенциометр предустановка усилителя по горизонтали Полупроводники ITT r1938 VR11 VR10 MC13081XB C10B C10A
2009 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HP4291A UU10L UU10Lã UU16L UU16Lã LF2020 LF2020ã
2000 — тюнер Si 2158 Аннотация: VICS TUNER R0101 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MSM9562 / 63/66/67 PEXL9562-67FLOW-10 Si 2158 тюнер ВИКС ТЮНЕР R0101
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LF3310 12-битный 12-битный, DIN11 DIN10 LF3310QC15 LF3310QC12 MIL-STD-883
1999 — LF3310 Абстракция: Ш25 743Н Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LF3310 12-битный 12-битный, DIN11 DIN10 LF3310QC15 LF3310QC12 MIL-STD-883 LF3310 Ш25 743H
ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ДРАЙВЕРА Реферат: Автоматический стабилизатор напряжения TDA4810 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	TDA4810 ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ДРАЙВЕРА TDA4810 Автоматический стабилизатор напряжения
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	70026601заголовок
TDA9109 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	TDA9109 150 кГц 165 Гц TDA9109
f1f9 Аннотация: ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР транзистор транзистор 2Fn csb503b транзистор горизонтального сечения tv murata tv flyback lm1391 СХЕМА SCR генератора LM1391 примечание по применению горизонтального сечения тв Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	LM1880 f1f9 ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ДРАЙВЕРА транзистор 2Fn csb503b транзистор горизонтального сечения тв мурата тв обратно lm1391 СХЕМА ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРА SCR Примечание по применению LM1391 горизонтальная секция телевизора
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IP69K
AN921 Аннотация: 3 пф Серебряный слюдяной конденсатор слюдяный радиочастотный детектор AN553 MC44615P MC44615 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	MC44615 / D MC44615 AN921 Серебряный слюдяный конденсатор 3 пФ слюдяный детектор AN553 MC44615P
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF
ПТСМ Аннотация: smd r44 smd hh smd 5v Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
1999 — АВЕРЛОГИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ Аннотация: AL300 AL875 CCIR601 AverLogic «ДВОЙНОЙ пиксель» «Преобразование частоты кадров» Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	AL300 AL300 110 МГц 90 МГц 65 МГц 40 МГц АВЕРЛОГИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ AL875 CCIR601 AverLogic «ДВОЙНОЙ пиксель» «Преобразование частоты кадров»
DIP30S Аннотация: LA7860 op 277 колебание sk43 sk4373 itt 946 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	7n707b 00127bà SK4373 LA7860, 7860M 7860M DIP30S LA7860 op 277 колебание sk43 sk4373 итт 946
вертикальный IC TV crt Аннотация: ic la 7833 генератор пилообразных волн la 7837 рентгеновский инвертор LA7853 LA7852 LA7832 IC LA7832 фазовращатель Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	LA7853 LA7853 LA7832 15 кГц вертикальный IC tv crt ic la 7833 генератор пилообразных волн la 7837 рентгеновский инвертор LA7852 IC LA7832 фазовращатель
1999 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MSM9562 / 63/66/67 MSM9562 / 63/66/67
la7837 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	LA7857 LA7857, LA7837, LA7852 150 кГц) 64 кГц, LA7837
2001 — 743H Резюме: ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ НА ДИОД VCF9 3310 LF3310 Sh25 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LF3310 12-битный 12-битный, VCF11 VCF10 DOUT11 DOUT10 LF3310QC15 743H VCF9 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ 3310 LF3310 Ш25
Перекрестная ссылка Аннотация: Перекрестная ссылка BCM 7241 8205S BCM 7213 8309SB Broadcom 7241 XRJH-01D-1-D12-170 REALTEK 5209 XRJV-01V Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	XRJF-01J-0-D12-010 XRJG-01J-1-D12-110 XRJH-01D-1-D12-170 XRJB-G7A-1-D12-180 XRJF-01J-0-E51-010 XRJG-01J-5-E51-110 XRJV-01V-0-D12-080 ADM8511 / 8513/8515/9511 AN983B XRJH-01P-N-DA1-570 Перекрестная ссылка Перекрестная ссылка BCM 7241 8205S BCM 7213 8309SB Broadcom 7241 XRJH-01D-1-D12-170 РЕАЛТЕК 5209 XRJV-01V

✓ Транзистор D2499 эквивалент

Toshiba alldatasheet datasheet поисковый сайт электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.2sc2498 datasheet, pdf 11.

Транзистор Купить транзистор в Интернете по лучшим ценам в Индии

Как узнать номер транзистора Sciencing

Цена транзисторов в Пакистане W11stop Com

Tftyp 01vus vdju для цветного монитора к 3pf 1 1base 2collector 3emitter nn Абсолютные максимальные характеристики планарного кремниевого транзистора tc25v0c, если не указано иное.

Транзистор d2499 эквивалент .Замена транзистора на аналог 2сд2499. Вот изображение, показывающее схему контактов этого транзистора. D2499 nte эквивалентный транзистор npn кремний 1500v ic9a к 3pml корпус цветной телевизор горизонтальный выход винтовой демпферный диод.

Bvcbo 1550v вдю высокая скорость переключения. 2sc2498pdf size359k toshiba 2sc2498 транзистор toshiba кремниевый npn эпитаксиальный планарный тип 2sc2498 vhfuhf band малошумящий усилитель. Эквивалентная схема c b darlington 2sd2493 70 e кремниевый npn-тройной планарный транзистор, дополняющий приложение типа 2sb1624.

D2499 datasheet vcbo1500v npn транзистор toshiba 2sd2499 datasheet d2499 pdf d2499 распиновка d2499 эквивалентная схема выход d2499 схема. D2499 datasheet d2499 pdf d2499 datasheet d2499 manual d2499 pdf d2499 datenblatt electronics d2499 alldatasheet бесплатный лист данных технический паспорт. Npn тройной диффузионный выход горизонтального отклонения типа мезы для цветного телевизора d2499 техническое описание d2499 схема d2499 технические данные.

Маркировка эквивалентной схемы d2499 арт.Регулятор серии Audio и абсолютные максимальные характеристики общего назначения ta25c электрические характеристики ta25c внешние размеры mt 100to3p 2sd2493 символ 2sd2493 символ условия единица единица 02 48 0. Или аббревиатура код лота.

Иногда на упаковке нет префикса 2s, транзистор 2sd2499 может быть помечен как d2499. Отчет об испытаниях надежности и оценочная интенсивность отказов и т. Д. Цветной дисплей высокого напряжения Fjaf6810a горизонтальный выход отклонения vdju высокое напряжение пробоя базы коллектора.

Мм максимальные номинальные значения ta 250c характеристики символ номинальное напряжение коллекторное базовое напряжение vcbo 30 В коллекторное эмиттерное напряжение vceo 20 В эмиттерное базовое напряжение vebo 3 В коллекторный ток ic 50 мА базовый ток. D2499 d2499 схема 2sd2499 эквивалент d2499 транзистор транзистор d2499 транзистор строчной развертки d2499 d2499 силовой транзистор toshiba d2499 строчный выходной транзистор d2499 текст. 2sd2499 техническое описание 2sd2499 pdf 2sd2499 техническое описание 2sd2499 руководство 2sd2499 pdf 2sd2499 datenblatt electronics 2sd2499 alldatasheet бесплатное техническое описание.

Транзистор D2012 Pdf Ylyxww2p0vnm

Узнайте об обнаружении неисправностей электроники на транзисторах

2sc5902 Оригинальный транзистор Panasonic C5902

Как проверить свои транзисторы с помощью мультиметра 5 шагов

Mosfet Transistor Equal

Mosfet Transistor Справочная таблица Ic Pb7249000

Диагностика неисправности телевизионного монитора Ремонт электроники и

D2539 Лист данных Мета поиск

Транзисторы Полупроводники

Цена транзистора Npn Цена транзистора Npn Поставщики и

Транзистор S8050 Эквивалентный Mosfet S8050 J3y Модуль транзистора D1047 D1047 924 D1047 D1047 924 для аудио усилителя мощности Т транзистор Toshiba

Transistor d2499 datasheet, pdf 1n4001

Transistor d2499 datasheet, pdf 1n4001

Диод — это устройство, которое позволяет току течь только в одном направлении.Цены и доступность миллионов электронных компонентов от Digikey Electronics. Транзисторы и монтажные комплекты для транзисторов можно приобрести в магазине запчастей. C 1n40011n4007 выпрямители общего назначения с пассивированным стеклом 3. Таблицы данных на транзисторы, 2n2222, переключающий транзистор npn, 2n2369, транзистор малой мощности npn, 2n2484, транзистор npn gp, 2n2905, усилитель pnp gp, 2n2907 pnp gp.

Обратный ток относительно обратного напряжения 1n40011n4007, изм. Техническое описание D882, d882 pdf, техническое описание d882, техническое описание, техническое описание, pdf.Символ 1n4001 1n4002 1n4003 1n4004 1n4005 1n4006 1n4007. До сих пор в ee100 вы видели аналоговые схемы. 19 января 2014 г. неповторяющиеся перенапряжения current 2001 fairchild semiconductor corporation tj 150.

В этом техническом паспорте представлена ​​информация о сверхминиатюрных выпрямителях с осевыми выводами общего назначения. D2499 datasheetpdf 1 страница toshiba semiconductor html. Его непревзойденная конструкция входа и выхода поддерживает использование частоты от 1. Ведущей страной-поставщиком является Китай, из которого доля транзисторов d2499 составляет 100% соответственно.Список патентной защиты полупроводниковой продукции можно найти по адресу. Вам доступен широкий выбор вариантов транзисторов d2499, есть 209 поставщиков, которые продают транзисторы d2499, в основном расположенные в азии. Технические данные RF2001, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. Срок службы всех трубчатых версий ap1501xxk5gu истек. Вы научитесь определять транзистор, понимать информацию, описанную в таблице данных транзистора, и выучить символы, используемые для определения типа транзистора.Найдите отличные предложения для 2sd оригинальный кремниевый npn транзистор toshiba d в магазине.

Затем вы узнали, что элементы схемы не работают одинаково на всех частотах. D2499 эквивалент d1878 эквивалент bt9600 эквивалент c4927 d1577. Вставьте транзистор в гнездо или подсоедините его к выводам c, b и e. Npn тройной диффузионный выход горизонтального отклонения типа мезы для цветного телевизора, техническое описание d2499, схема d2499, техническое описание d2499. Номер документа 88503 2 jan03 рейтинги и характеристика curvesta 25c, если не указано иное 0 0 рис.Trsys, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и. 22 июня 2016 г. Введение в диоды 22 июня 2016 г. После публикаций о конденсаторах, катушках индуктивности, транзисторах и реле мы кратко рассмотрим диоды, как они работают и для чего они используются. Осевой вывод под пайку согласно milstd202, метод 208 гарантирован. Классификация горючести UL 94v0, чувствительность к влаге. Мои знания в области электроники улучшаются, я много читал, но у меня много пробелов и не хватает некоторых базовых знаний, которые я пытаюсь усвоить.C 1n4001 1n4007 выпрямители общего назначения, пассивированные стеклом, абсолютные максимальные номинальные значения t a 25c, если не указано иное, эти номинальные значения являются предельными значениями, выше которых эксплуатационная способность любого полупроводникового устройства может быть нарушена.

Основы транзисторов, переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, обычно переход коллектор-база смещен в обратном направлении. Обычно транзисторы работают с током, поэтому сначала следует применить kcl. Rf power ldmos-транзистор с высокой прочностью n-канальный боковой МОП-транзистор с улучшенным режимом работы это устройство с высокой прочностью предназначено для использования в промышленных, медицинских, радиовещательных, аэрокосмических и мобильных радиотехнических приложениях с высоким vswr.Pdf патент 6008v s8008d sk020l s6008vs2 s8008l sk025l s6008vs3 s8008r sk025n s6010d triac mw 7 600g транзистор s106d1 транзистор c103m tyn604 scr контактная схема симистор ограничитель пускового тока переменного тока opto diac tyn triac triac bjtasheet 2 fjtasheet 2. Катодный вывод можно определить по серой полосе. Кроме того, катушка индуктивности будет пытаться противостоять изменению тока, превращаясь в нечто вроде источника напряжения, который будет подавать ток так же, как и раньше, в случае обрыва тока, например, при выключении транзистора.Во всяком случае, я понимаю концепцию транзистора, как его можно использовать для переключения, и у меня есть. Вы начали с простых резистивных цепей, затем с цепей динамических систем с конденсаторами и катушками индуктивности, а затем с операционными усилителями. Кремниевый силовой транзистор rf line npn 100w, 30200mhz, 28v rev. Общее описание высоковольтные высокоскоростные переключающиеся npn-транзисторы в пластиковом корпусе со встроенным эффективным диодом, в первую очередь для использования в цветных схемах горизонтального отклонения. То есть ток всегда должен течь от анода к катоду.

Ldmos рч силовой полевой транзистор 90 вт, 869960 мгц. Macom и его аффилированные лица оставляют за собой право вносить изменения в продукты или информацию, содержащуюся здесь, без предварительного уведомления. Таблица данных транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34. Транзистор D2499 pdf иногда префикс 2s не отмечен на упаковке, транзистор 2sd может быть помечен как d. Последние списки производителей в каталоге становятся мгновенными.

Он идентифицирует npn или pnp с помощью простой настройки. 25 мая 2018 г. d2499 datasheet vcbo1500v, npn-транзистор toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499. D2499 datasheet vcbo1500v, npn-транзистор toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499. Onsemi, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

Toshiba, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Выходное отклонение по горизонтали для дисплея с высоким разрешением, цветного ТВ-дисплея, цветного ТВ, таблицы данных d2498, схемы d2498, таблицы данных d2498. Все варианты ap1501xxk5l окончены сроком службы, ближайшая альтернатива — ap1501xxk5g. Техническое описание транзистора, транзистор pdf, техническое описание транзистора, техническое описание, техническое описание, pdf. 4 мая 2016 г. 18n20gh datasheet bvdss 200v, nch mosfet apec, ap18n20gh datasheet, 18n20gh pdf, распиновка 18n20gh, аналог, данные, схема, 18n20gh chematic.

Насколько я понимаю, обратный диод обеспечивает путь для разрядки индуктивного заряда. Качественно изготовлены надежные транзисторы из запчастей экспресс марки. Npn тройной диффузионный выход горизонтального отклонения типа мезы для цветного телевизора, техническое описание d2499, техническое описание d2499, техническое описание d2499. Все варианты от ap1501xxt5l до2205r окончены сроком службы без какой-либо альтернативы. Dt100 может измерять транзисторы в цепи или вне ее. Toshiba Semiconductor d таблица данных, 2sd 1 страница, d таблица данных, d pdf, d таблица данных pdf, d распиновка.Оригинал, pdf 1n4001g 1n4001 by8106 od61ad 1n4002g 1n4002. D2499 datasheet, d2499 pdf, d2499 data sheet, d2499 manual, d2499 pdf, d2499, datenblatt, electronics d2499, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание. Информация для заказа 4 отгрузка упаковки устройства. Vce пределы транзистора, которые необходимо соблюдать для надежной работы, т.е. Где мне поставить обратный диод в транзисторном переключателе. Опубликовано 25 мая 2018 г. 6 сентября 2019 г. автором pinout. Пластиковый выпрямитель общего назначения от 1n4001 до 1n4007 vishay.Паспорта транзисторов Электроника Компоненты транзисторов.

D2499 datasheet vcbo1500v, npn-транзистор toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход. Символ 1n4001 1n4002 1n4003 1n4004 1n4005 1n4006 1n4007 ед. Стандартные восстановительные выпрямители с осевыми выводами, лист данных 1n4001, схема 1n4001, лист данных 1n4001. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 1n4001 в конце этой страницы. Техническое описание D2499, d2499 pdf, техническое описание d2499, техническое описание, техническое описание, pdf.1n4004 — это выпрямительный выпрямительный диод с литым пластиковым корпусом и выводами с паяемыми выводами. D2499 datasheetpdf 2 страницы toshiba semiconductor html. Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер.

1572531 1167 410 1024 240509 1173 1321 742 1468 869 56 651619 189 1351 541 1137 85 1289 1025 778 1536 862 81400 1176 1312 126 52 545 429 1350 102 1300

D2498 pdf

Высокое напряжение низкое напряжение насыщения высокая скорость: vcbo v: vce (сб.) 5 в (макс.в: гарантия d2498? d2498, d2498 datasheet pdf, d2498 datasheet, datasheet4u. отозван стандарт: astm d В настоящее время загрузка в формате pdf недоступна, однако вы можете приобрести копию этого документа в магазине стандартов ihs (щелкните здесь, чтобы просмотреть контактную информацию по телефону и электронной почте ihs). com. форма 2475 от dd, инструкции по ежегодному заявлению о программе погашения образовательной ссуды (lrp). pdf размер: 69k _ panasonic 5.

microsoft word — dcn5056 ptx19 datasheet.Выходное отклонение по горизонтали для дисплея с высоким разрешением, приложений переключения высокой скорости цветного телевидения. Переключатель воздушного компрессора devilbiss z- d24918 является запасной частью OEM, совместимой с моделями devilbiss типа 0 и типа 1. Вам доступен широкий спектр вариантов транзисторов d2498, таких как название бренда, тип. com предлагает 117 транзисторов d2498.

Контрольный список индивидуального плана перехода обслуживающего сотрудника Полномочия: 10 ед. топливо добавлено сорт. 107, совместное этическое регулирование.d2498 файл данных в формате pdf. Коллекция для ванн Futura из латуни от franklin, разработанная с учетом простоты, привносит традиционный и неподвластный времени вид практически в любое пространство. выбор стиля магазина седло сосны 7. проверка статуса. если номер формы не имеет гиперссылки, форма недоступна в электронном виде. в настоящее время загрузка в формате pdf недоступна, однако вы можете приобрести копию этого документа в магазине стандартов ihs. title: лист проверки и обслуживания оборудования автор: apd тема: da form 2404, feb дата создания: 11: 17: 54 am.

обычно форма передается от запрашивающего пользователя менеджеру безопасности, затем от менеджера безопасности к менеджеру учетных записей подразделения (uam), затем от. com datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. подпись сотрудника 10. 35 — помощь военнослужащим в переходный период; DOD инструкция 1332. Выходное отклонение d2498 по горизонтали для дисплея с высоким разрешением, цветной дисплей с разрешением телевизора, цветной телевизор toshiba транзистор кремниевый npn тройной диффузный тип мезы.автор документа: doug. d2492 传播 学 简史 _ 北京市 中国 人民 大学 出կ社 _ _ （法） 阿芒 · 马特拉 等著. D2499 datasheet — vcbo = 1500v, npn-транзистор — toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499. на этом канале вы можете получить образование и знания по общим вопросам и темам. d2499 2sd2499 техническое описание компонентов pdf техническое описание бесплатно из datasheet4u.

d2498 datasheet, d2498 datasheets, d2498 pdf, d2498 circuit: toshiba — вывод горизонтального отклонения для дисплея с высоким разрешением, цветной телевизор с разрешением экрана, цветной телевизор, alldatasheet, datasheet, datasheet, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторы и другие полупроводники.Файлы dxf, включенные в загружаемые файлы, содержат: pdf + 2d -. Заявление о конфиденциальности от DD формы 2945, инструкции (на обратной стороне), d2498 pdf jul Authority: 41 u. скачать полное техническое описание транзистора sl100 в формате pdf. 2sdtoshiba кремниевый npn-транзистор с тройным рассеиванием mesa type 2sd2498 горизонтальный выход отклонения для дисплея с высоким разрешением, цветное ТВ, высокоскоростное переключение приложений, высокое напряжение: vcbo = 1500 v поиск в технических данных, таблицы данных, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников.unisonic technologies co. Техническое описание транзистора

sl100 — бесплатно загрузите и сохраните техническое описание транзистора sl100 npn в файле формата pdf. Вы хотели что-то под ключ, а ваша дорогая — тот верх из фиксатора рубежа веков. d2498: описание выходного отклонения по горизонтали для дисплея с высоким разрешением, цветного дисплея с разрешением телевизора. раздел ii — контрольный список безопасностиdd форма 2946, декабрь страница 2 из 4 стр. функция безопасности (x) да нет 9.

загрузить toshiba america electronic components, inc.com 900, 000+ datasheet в формате pdf. Найдите и загрузите datasheet4u, который предлагает наиболее популярные спецификации полупроводников в формате pdf. К счастью, ваша практичность. Совершенно новая качественная продукция d2498 (toshiba / 06+), проданная на utsource.

d2498 datasheet, d2498 pdf, распиновка d2498, аналог, замена — 2sd2498 — toshiba semiconductor, схема и инструкция. около 39% из них — транзисторы, 57% — интегральные схемы и 0% — запасы электроники. выходное отклонение по горизонтали для дисплея с высоким разрешением, цветной телевизор с разрешением, цветной телевизор, техническое описание d2498, схема d2498, техническое описание d2498: toshiba, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и др. полупроводники.Служба GPS в северной Ирландии осудила отсутствие финансирования для оказания поддержки и дополнительного обучения врачей, которые не справляются с этой задачей. utsource предоставляет самые полные продукты для микросхем во всем мире, низкая цена, высокое качество. pdf размер: 359k _ toshiba 2sc2498 транзистор toshiba кремниевый npn эпитаксиальный планарный тип 2sc2498 vhf ~ uhf band малошумящий усилитель прикладной блок: мм максимальные номинальные значения (ta = = 25 ° c) = = характеристики символ номинальный блок напряжение коллектор — база vcbo 30 v напряжение коллектор-эмиттер vceo 20 В напряжение эмиттер-база vebo 3 В ток коллектора ic 50 мА ток базы.

наличие формы. отозван стандарт: astm d В настоящее время загрузка в формате pdf недоступна, однако вы можете приобрести копию этого документа в магазине стандартов ihs (щелкните здесь, чтобы просмотреть контактную информацию по телефону и электронной почте ihs). передача: форма должна быть отправлена ​​по электронной почте каждому юридическому или физическому лицу, которое должно заполнить и поставить цифровую подпись. руководство по быстрому запуску встроенный одинарный ящик для посуды. Вы также можете выбрать суперконденсаторный транзистор d2498, есть 24 поставщика, которые продают транзистор d2498 на alibaba.com, в основном расположен в азии. Встраиваемая мыльница подчеркивает гладкие черты d2498 pdf, обеспечивая функциональность для ваших пальцев и упорядоченность в вашей ванной комнате. pdf 到 你 的 百度 网 盘 、 百度 云 盘中 。. Дата создания flanagan: z. 2sc2498 datasheet (pdf) 1.

Совет внутренних доходов по пересмотру решений № дела. Вам доступны самые разные варианты транзисторов Д2498, например и другие. D2498 datasheet (pdf) 5 страница — toshiba semiconductor: номер детали. Для получения бумажных копий текущих форм, недоступных в электронном формате, обратитесь к руководителю своей военной службы или компонентам Министерства обороны США.d2499 datasheet, d2499 datasheets, d2499 pdf, d2499 circuit: toshiba — npn triple diffused mesa type (выход горизонтального отклонения для цветного телевизора), alldatasheet, datasheet, datasheet search site для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и др. полупроводники.

конференция местных медицинских комитетов северной Ирландии в Эннискиллене призвала северный ирландский филиал комитета врачей общей практики bma потребовать от провинциального департамента здравоохранения, социальных служб и общественной безопасности предоставить достаточно средств., ltd 2sb772 pnp кремниевый транзистор средней мощности низковольтный транзистор описание utc 2sb772 — низковольтный транзистор средней мощности, предназначенный для звукового усилителя мощности, преобразователя постоянного тока и регулятора напряжения. pdf размер: 170 КБ _ utc. Ответ: мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт. npn с тройным рассеиванием типа mesa (выход горизонтального отклонения для цветного телевизора), техническое описание d2499, схема d2499, техническое описание d2499: toshiba, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.температура, вентиляция, освещение и уровень шума достаточны для содержания домашнего офиса. 23-футовый ламинат из гладких деревянных досок не определен в магазинах Lowe. проверка кадрового офиса (заполняется уполномоченным сотрудником по персоналу. pdf data sheet 2d.

помните, когда вы были на домашней охоте? astm dwithdrawn standard: astm dtest метод распределения изомеров алкилата детергента с прямой цепью с помощью масс-спектрометрии (отозван в 1983 г.) отозвано, замены нет. формат «saar- username.раунды с идентификатором миссии.

основная цель (и): дать возможность должностным лицам по этике давать советы по этике уходящим военным и гражданским служащим. в: техническая поддержка d2498? D2498 datasheet: кремниевый npn-транзистор с тройным рассеиванием типа mesa, d2498 pdf скачать toshiba, d2498 datasheet pdf, распиновка, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестная ссылка, устаревшее, схемы. d24 / 98 налог на прибыль — приобретена ли недвижимость с целью долгосрочного инвестирования. Ответ: Да, технический инженер нашего продукта d2498 pdf поможет вам с информацией о распиновке d2498, примечаниями по применению, заменой, таблицей данных в pdf, руководством, схемой, эквивалентом, перекрестной ссылкой.

Данные обслуживания hellfire. dwg окончания файлов. лидирующая страна-поставщик — Китай, из которого доля поставок транзистора d2498 составляет 100% соответственно. 1142, консультирование перед разлукой; Директива ДОД 1332. Группа: Теренс Тай Чун (председатель), Герман Фриб Мэн Хэй и Герберт Вонг Ван.

Качество 2sd2499 d2499 замена 2sc4764 транзистор горизонтального вывода Для электронных проектов

О продуктах и ​​поставщиках:

 Alibaba.com предлагает большой выбор. 2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистор горизонтального вывода  на выбор, чтобы удовлетворить ваши конкретные потребности.  2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистор горизонтального вывода  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистором строчной развертки , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и очень хорошо работать.Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов. 
  2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 выходной транзистор строчной развертки  изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей.  2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 выходной транзистор строчной развертки  охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования.В качестве усилителей.  2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 транзистор горизонтального вывода  скрывают низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели. 
 
 Изучите прилагаемые спецификации вашего.  2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистором строчной развертки , чтобы определить ножки базы, эмиттер и коллектор для безопасного и надежного соединения. Файл.  2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 транзистор строчной развертки  на алибабе.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря его превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для.  2sd2499 d2499 заменить 2sc4764 транзистор строчной развертки  для любого проекта, включая рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
 
 Откройте для себя удивительно доступный.  2sd2499 d2499 замените 2sc4764 транзистор горизонтального вывода  на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации.Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку. 
 

5 шт. 2SD2499 TO3PF D2499 TO-3PF TO-3P Новый Оригинал: Amazon.com: Industrial & Scientific

---

В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.

• Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
• Протестировано перед отправкой. Ссылка на упаковку ♥ Справочный вес: 0,05 кг (0,11 фунта).
• Обычно расчетное время доставки: 7-24 дня (отслеживается) —— Мы также обеспечиваем ускоренную доставку через DHL или UPS: 2-7 дней (без учета времени обработки).
• Если сумма заказа в нашем магазине превышает 120 долларов США, мы бесплатно воспользуемся услугой ускоренной доставки.
• Продукты редкого типа предоставляют —— ключевое слово для поиска или модель продукта, такую ​​как «RF-кабель» или «разъем» в нашем магазине, вы можете найти некоторые продукты редкого типа.. Или без колебаний отправьте нам электронное письмо с моделью продукта, мы отправим вам ссылку напрямую.
• Мы придаем большое значение сотрудничеству с каждым клиентом. Любой вопрос, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться ко мне. Желаю отличного дня!

]]>

---

Характеристики

Фирменное наименование	Phoncoo
Ean	5303396733565
Номер детали	phIC1432
Код UNSPSC	32000000

---

Даташит Дан Персамаан Транзистор D2499 Ленгкап

Ruang Teknisi »Komponen Elektronika» Транзистор »Техническое описание Транзистор Дана Персамаана D2499 Ленгкап

30.06.2021 1 мин чтения

Kali ini admin akan berbagi informasi datasheet dan persamaan transistor D2499 serta contoh penggunaannya.Транзисторный тип D2499 sering ditemukan pada sirkuit mesin tv pada bagian horizontal. Tr D2499 termasuk ke dalam jenis транзистор NPN Daya tinggi dan cocok digunakan pada sirkuit переключения.

Tegangan kolektor — emitor yang dimiliki oleh komponen ini cukup besar mencapai 600 V. Karena itu sangat tepat digunakan pada rangkaian горизонтальное переключение sebagai. Arus maksimum kolektornya pun cukup tinggi sekitar 6 A.

Meskipun sering dipakai sebagai pada sistem переключения, намун транзистор ini dapat juga digunakan sebagai penguat sinyal.Pengguanaannya sering diaplikasi sebagai audio amp, karena mempunyai rentang frekuensi kerja yanghanya 2 MHz.

Dengan Daya максимальный выход sebesar 50W, транзистор D2499 sudah mampu menggeber динамик dengan ukuran kecil. Jadi kita bisa menggunakan транзисторный усилитель ini sebagai penguat akhir di dalam rangkaian.

Даташит транзистор Д2499

Karakteristik nilai datasheet транзистора D2499 dapat dilihat pada tabel berikut ini:

Jenis	NPN
Kemasan paket	TO 3PF
Серийный номер	2SD2499
Arus kolektor max.	6 A
Tegangan kolektor — излучатель макс.	600 В
Теганганская основа — колектор макс.	1500 В
Теганган, макс.	5 В
Disisipasi kolektor max.	50 Вт
Frekuensi kerja	2 МГц
Tingkat penguatan	8-25
Suhu kerja	150 ° C

Транзистор данных D24 k99

Susunan data pin каки транзистор D2499 diperlihatkan pada gambar di bawah ini.Perhatikan, pada desain komponen transistor ini terdapat resistor dan dioda di dalamnya. Sehingga cara pengukurannya sedikit berbeda dengan transistor biasa. Karena dipengaruhi oleh kedua komponen tersebut.

Дафтар персамский транзистор D2499

Ada beberapa transistor pengganti yang bisa digunakan sebagai persamaan transistor ini. Bberikut ini adalah daftanya:

• 2SC3894
• 2SC3896
• 2SC5250
• 2SD1651
• 2SD5023
• 2SD1556
• 2SD1879
• 2SD2125
• 2SD2253
• 2SD2348
• TT2140
• 2SC6090
• 2SC6093
• TT2138
• TT2140
• TT2222
• J6810
• 2SD2599
• 2SD689
• BU2520D
• 2SD2578
• 2SD249
• 2SD870

Contoh penggunaan

Secara umum transistor ini sering digunakan pada rangkaian horizontal di dalam mesin tv berwarna.Hal ini dikarenakan transistor ini mempunyai tegangan kolektor — emitor yang cukup besar dan rentang frekuensi 2 MHz.