Транзистор irf840 параметры: Транзистор IRF840: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Содержание

IRF840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги

В тексте приведены характеристики силового N-канальный МОП-транзистора IRF840 на русском языке от производителя International Rectifier (IR). Компания Vishay, поглотившая в свое время IR, теперь  выпускает его с дополнительным обозначением SiHF740. В даташит указывается, что это современный транзистор третьего поколения, несмотря на экономичность конструкции и корпуса имеет достаточно хорошие технические параметры. Особенно подчеркивается его мощность, высокое быстродействие, маленькое сопротивление открытого канала и низкая стоимость. Это делает его привлекательным для использования не только на производстве, но и в радиолюбительской среде.

Распиновка

Цоколевка IRF840 выполнена в стандартном корпусе ТО-220AB, способном выдерживать мощность рассеивания до 50 Вт. Расположение выводов идентична различным mosfet фирмы IR в таком корпусе. Для определения назначения выводов возьмите транзистор и поверните его так, чтобы можно было прочитать маркировку на его корпусе. Выводы при этом должны быть внизу. Левый электрод называется — затвором (G), средний — стоком (D), а самый правый – истоком (S). Вывод D соединен с радиатором ТО-220AB. Для наглядности приведем распиновку на рисунке.

Характеристики

В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.

Максимальные

Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток VDS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд затвора QGMAX 63 Нк и максимальный ток ID 8. 0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.

Электрические

Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.

У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства. Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки VGS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора IDSS до 100 нА и канала IDSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь.

Время переключения

Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (СRSS, СISS, СOSS), которые определяют время открытия TD (ON) и закрытия TD(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев. У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.

Ёмкостные характеристики

Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (СGD, СGS, CDC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (CRSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: CGD 120 пФ; CGS 1180 пФ; CDS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость CGD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин CGD и CDS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.

Тепловые параметры

Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 0С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5.1 A, при этом IGSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как IDM, IEA, EAR так же ограничивает температура перехода TJ и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.

Для расчетов TJ при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом ZthJC (0С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше ZthJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.

Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус  (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).

Аналог

Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.

Маркировка

Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя  — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .

Управление от микроконтроллера

Как видно из представленных характеристик напряжение отсечки, при котором irf840 закрыт, составляет 4 В. В связи с этим у многих радиолюбителей появляется желание управления этим mosfet от микроконтроллера напрямую, например таким как Arduino. Однако, этого лучше не делать. Из некоторых условий видно, что значения RDS(ON)  и QGMAX измерялись производителем при напряжении на затворе в 10 В. Это связано с тем, что irf840 не открывается полностью при более низких напряжениях, а значит не является транзистором логического уровня и не рекомендован изготовителем для управления от микроконтроллера. Для стабильной работы в схемах управления от микроконтроллера потребуется отдельный драйвер, способный выдать на затвор более 10 В. Обычно, у транзисторов логического уровня в условиях измерений напряжение затвора приближено к 5 В. Компания Vishay рекомендует для этих целей IRF840LC (SiHF840LC).

Схемы включения

Как элемент схемы, он является активным несимметричным четырёхполюсником, одни из выводов у которого общий для цепей входа и выхода. Схемы включения irf840 соответствуют типовому включению в цепях: с общим; с общим стоком; c общим затвором. Типовые способы подключения для полевых транзисторов смотрите на рисунке.

Стабилизатор анодного напряжения

В последнее время у многих радиолюбителей появляется интерес к разработке и сборке анодных стабилизаторов напряжения на мощных mosfet. Идеи для сборки подобных схем подсмотрены в технической документации от компании National Semiconductor и доработаны радиолюбителями на различных форумах. Приведем пример одной из таких схем (c общим затвором) стабилизатора на 250 вольт, с использованием irf840 и микросхемы lm317.

Схема представляет из себя два каскада. В первом каскаде установлен irf840, он выполняет роль истокового повторителя. Во вором каскаде уставлена нагрузка — микросхема lm317. Максимальная величина напряжения между входом и выходом не должна превышать 37 В. Поэтому стабилитроны Z2 и Z3 защищают эту микросхему от напряжения превышающего 30 В.

Резисторы D1, D2, D3, Z3 защищают полупроводниковые устройства от различных нагрузок. R6 нужно поставить для обеспечения ток холостого хода у lm, он должен быть примерно 6.4 мА. Мощность резистора R4 должна быть не менее 30 Вт. Нагрузку обычно подсоединяют с помощью плавкого предохранителя. Микросхему и транзистор необходимо прикрепить на отдельные радиаторы, которые при работе стабилизатора будут достаточно хорошо греться. Указанный стабилизатор выдерживает предельны ток в нагрузке до 110 мА, ограниченный резистором R2.

Производители

Для наиболее полного знакомства предлагаем ознакомится с datasheet irf840 некоторых производителей. На российском рынке в основном его продает компания Vishay.  На зарубежном рынке широко представлен фирмами: Fairchild Semiconductor, Samsung, STMicroelectronics, Motorola и др.

Irf840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги

IRFS840B Datasheet (PDF)

1.1. irfs840b.pdf Size:911K _upd

November 2001
IRF840B/IRFS840B
500V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 8.0A, 500V, RDS(on) = 0.8Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 41 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 35 pF)
This advanced technology has been especially tailored to

3.1. auirfs8403 auirfsl8403.pdf Size:277K _international_rectifier

AUIRFS8403
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFSL8403
HEXFET Power MOSFET
Features
l Advanced Process Technology
D
VDSS 40V
l New Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 2.6mΩ
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
max. 3.3mΩ
l Lead-Free, RoHS Compliant
Automotive Qualified *
S
ID (Silicon Limited) 123A
Description
Specifically desi

3.2. auirfs8408-7p.pdf Size:275K _international_rectifier

AUIRFS8408-7P
AUTOMOTIVE GRADE
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
40V
VDSS
l New Ultra Low On-Resistance
0.70m
RDS(on) typ. Ω
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
max. 1.0m
Ω
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
397A
ID (Silicon Limited)
l Lead-Free, RoHS Compliant
240A
ID (Package Limited)
l Automotive Qualified *
Description

 3.3. auirfb8407 auirfs8407 auirfsl8407.pdf Size:340K _international_rectifier

AUIRFB8407
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFS8407
AUIRFSL8407
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l New Ultra Low On-Resistance
VDSS 40V
D
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 1.4m
l Fast Switching Ω
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
(SMD version) max. 1.8m
Ω
l Lead-Free, RoHS Compliant
G
250A
ID (Silicon Limited)
Automotive Qualified *
S

3.4. auirfs8405 auirfsl8405.pdf Size:351K _international_rectifier

AUIRFS8405
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFSL8405
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
D
l New Ultra Low On-Resistance VDSS 40V
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ.1.9mΩ
l Fast Switching
max. 2.3mΩ
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l Lead-Free, RoHS Compliant G
ID (Silicon Limited) 193A
l Automotive Qualified *
ID (Package Limited) 120A
S
De

 3.5. auirfs8409-7p.pdf Size:277K _international_rectifier

AUIRFS8409-7P
AUTOMOTIVE GRADE
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
40V
VDSS
l New Ultra Low On-Resistance
0. 55m
RDS(on) typ. Ω
l 175°C Operating Temperature
max. 0.75m
Ω
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
522A
ID (Silicon Limited)
l Lead-Free, RoHS Compliant
240A
ID (Package Limited)
l Automotive Qualified *
Description

3.6. auirfs8408 auirfsl8408.pdf Size:291K _international_rectifier

AUIRFS8408
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFSL8408
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
VDSS 40V
l New Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 1.3m
Ω
l Fast Switching
max. 1.6m
Ω
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
ID (Silicon Limited) 317A
l Lead-Free, RoHS Compliant
l Automotive Qualified *
ID (Package Limited) 195A
Descri

3.7. auirfs8407-7p.pdf Size:220K _international_rectifier

AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFS8407-7P
Features
HEXFET Power MOSFET
 Advanced Process Technology
D
 New Ultra Low On-Resistance
VDSS 40V
 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 1.0mΩ
 Fast Switching
 Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
max. 1.3mΩ
 Lead-Free, RoHS Compliant
G
ID (Silicon Limited) 306A
 Automotive Qualified *
Description
ID (Package L

3.8. auirfb8409 auirfs8409 auirfsl8409.pdf Size:398K _international_rectifier

AUIRFB8409
AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS8409
AUIRFSL8409
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
D
l New Ultra Low On-Resistance VDSS 40V
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) (SMD) typ. 0.97mΩ
l Fast Switching
max. 1.2mΩ
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 409A
l Automotive Qualified *
ID (Package Li

3.9. irfs840a.pdf Size:511K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.85
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 4. 6 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.638 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Uni

2SK2209-01R MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2SK2209-01R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 70
ns

Выходная емкость (Cd): 260
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48
Ohm

Тип корпуса: TO3PF

2SK2209-01R


Datasheet (PDF)

1. 1. 2sk2209-01r.pdf Size:159K _update



4.1. 2sk2201.pdf Size:422K _toshiba

2SK2201
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2201
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0.28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen

4.2. 2sk2200.pdf Size:412K _toshiba

2SK2200
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2200
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0.28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen

 4. 3. 2sk2202.pdf Size:81K _renesas

2SK2202
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G1002-0300
(Previous: ADE-208-139)
Rev.3.00
Sep 07, 2005
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Suitable for switching regulator, DC-DC converter
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A
(Package name

4.4. rej03g1002 2sk2202ds.pdf Size:95K _renesas

To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Re

 4.5. 2sk2207.pdf Size:35K _no

2SK2207
External dimensions
1 …… FM20
Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics
(Ta = 25ºC) (Ta = 25ºC)
Ratings
Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions
min typ max
V 900 V V 900 V I = 100µA, V = 0V
DSS (BR) DSS D GS
V ±30 V I ±100 nA V = ±30V
GSS GSS GS
I ±3I 100 µA V = 900V, V = 0V
D A DSS DS GS
I ±12 A V 2. 0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mA
D (pulse) TH DS

Другие MOSFET… IRF830AS
, IRF830FI
, IRF830S
, IRF831
, IRF831FI
, IRF832
, IRF833
, IRF840
, J113
, IRF840A
, IRF840AS
, IRF840FI
, IRF840S
, IRF841
, IRF841FI
, IRF842
, IRF843
.

2SK2209-01R Datasheet (PDF)

1.1. 2sk2209-01r.pdf Size:159K _update



4.1. 2sk2201.pdf Size:422K _toshiba

2SK2201
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2201
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0.28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen

4.2. 2sk2200.pdf Size:412K _toshiba

2SK2200
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2200
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0. 28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen

 4.3. 2sk2202.pdf Size:81K _renesas

2SK2202
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G1002-0300
(Previous: ADE-208-139)
Rev.3.00
Sep 07, 2005
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Suitable for switching regulator, DC-DC converter
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A
(Package name

4.4. rej03g1002 2sk2202ds.pdf Size:95K _renesas

To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Re

 4.5. 2sk2207.pdf Size:35K _no

2SK2207
External dimensions
1 …… FM20
Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics
(Ta = 25ºC) (Ta = 25ºC)
Ratings
Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions
min typ max
V 900 V V 900 V I = 100µA, V = 0V
DSS (BR) DSS D GS
V ±30 V I ±100 nA V = ±30V
GSS GSS GS
I ±3I 100 µA V = 900V, V = 0V
D A DSS DS GS
I ±12 A V 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mA
D (pulse) TH DS

IRF840A MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF840A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 38
nC

Выходная емкость (Cd): 1018
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0. 85
Ohm

Тип корпуса: TO220

IRF840A


Datasheet (PDF)

1.1. irf840apbf.pdf Size:185K _upd-mosfet

PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.85Ω 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
A

1.2. irf840alpbf irf840aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 500
Definition
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 38
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 9. 0
Ruggedness
Qgd (nC) 18
• Fully Characterized Capa

 1.3. irf840a.pdf Size:99K _st

IRF840/FI
IRF841/FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
TYPE VDSS RDS(on) ID
IRF840 500 V 1.4. irf840as.pdf Size:129K _international_rectifier

PD- 91901B
IRF840AS
SMPS MOSFET
IRF840AL
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak TO-262
Avalanche

 1.5. irf840a.pdf Size:199K _international_rectifier

PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0. 85? 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
Avalanc

1.6. irf840aspbf irf840alpbf.pdf Size:673K _international_rectifier

PD- 95143
IRF840ASPbF
SMPS MOSFET
IRF840ALPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Lead-Free
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak T

1.7. irf840a.pdf Size:941K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.85
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max. ) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.638 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units

1.8. irf840a sihf840a.pdf Size:206K _vishay

IRF840A, SiHF840A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Requirement Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.85
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 38
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.0
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 18
and Current
Configuration Single

1.9. irf840a.pdf Size:193K _inchange_semiconductor

isc N-Channel Mosfet Transistor IRF840A
·FEATURES
·Drain Source Voltage-
: V = 500V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.85Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·Switch mode power supply
·Uninterruptable power supply
·High speed power switching
·ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET… IRF830FI
, IRF830S
, IRF831
, IRF831FI
, IRF832
, IRF833
, IRF840
, 2SK2209-01R
, SPA11N60C3
, IRF840AS
, IRF840FI
, IRF840S
, IRF841
, IRF841FI
, IRF842
, IRF843
, IRF9130
.

IRF840AS Datasheet (PDF)

1.1. irf840alpbf irf840aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 500
Definition
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 38
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 9.0
Ruggedness
Qgd (nC) 18
• Fully Characterized Capa

1.2. irf840as.pdf Size:129K _international_rectifier

PD- 91901B
IRF840AS
SMPS MOSFET
IRF840AL
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak TO-262
Avalanche

 1. 3. irf840aspbf irf840alpbf.pdf Size:673K _international_rectifier

PD- 95143
IRF840ASPbF
SMPS MOSFET
IRF840ALPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Lead-Free
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak T

IRF840APBF Datasheet (PDF)

1.1. irf840apbf.pdf Size:185K _upd-mosfet

PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.85Ω 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
A

3. 1. irf840alpbf irf840aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 500
Definition
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 38
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 9.0
Ruggedness
Qgd (nC) 18
• Fully Characterized Capa

3.2. irf840a.pdf Size:99K _st

IRF840/FI
IRF841/FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
TYPE VDSS RDS(on) ID
IRF840 500 V

 3.3. irf840as.pdf Size:129K _international_rectifier

PD- 91901B
IRF840AS
SMPS MOSFET
IRF840AL
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak TO-262
Avalanche

3. 4. irf840a.pdf Size:199K _international_rectifier

PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.85? 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
Avalanc

 3.5. irf840aspbf irf840alpbf.pdf Size:673K _international_rectifier

PD- 95143
IRF840ASPbF
SMPS MOSFET
IRF840ALPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Lead-Free
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak T

3. 6. irf840a.pdf Size:941K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.85
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.638 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units

3.7. irf840a sihf840a.pdf Size:206K _vishay

IRF840A, SiHF840A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Requirement Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.85
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 38
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.0
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 18
and Current
Configuration Single

3. 8. irf840a.pdf Size:193K _inchange_semiconductor

isc N-Channel Mosfet Transistor IRF840A
·FEATURES
·Drain Source Voltage-
: V = 500V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.85Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·Switch mode power supply
·Uninterruptable power supply
·High speed power switching
·ABSOLUTE MAXIMUM

Оцените статью:

Транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220

Описание товара Транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220
  • Тип транзистора: N-канальный;
  • Максимальный ток «сток»-«исток»: 8A;
  • Максимальный напряжение «сток»-«исток»: 500V;
  • Тип корпуса: TO-220.
Отличительные особенности и преимущества транзистора IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220

Транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.

Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода («сток» и «исток»), а управляющий электрод – затвор.

Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор.

Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

Транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.

Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.

Основные параметры транзистора IRF840 полевого

При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.

Максимальный ток для полевого транзистора IRF840 составляет 8A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.

Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током «исток»-«сток».

Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами «сток» и «исток». При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для рассматриваемой модели напряжение составляет 500V.

Также транзистор IRF840 характеризуется напряжением отсечки на участке «затвор»-«исток». Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.

От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.

Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.

При проектировании схем с применением полевого транзистора IRF840 следует учитывать:

  • чувствительность к перегреву;
  • высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.

В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.

Предпочтительный вариант — пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.

Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.

Купить транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.

Автор на +google

Качество полевой транзистор irf840 для электронных проектов

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. полевой транзистор irf840 на выбор в соответствии с вашими потребностями. полевой транзистор irf840 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого.  Выбирая правильно. полевой транзистор irf840, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

полевой транзистор irf840 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. полевой транзистор irf840 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. полевой транзистор irf840 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. полевой транзистор irf840 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. полевой транзистор irf840 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. полевой транзистор irf840 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. полевой транзистор irf840 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

  • Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
  • Биполярные – имеют два p-n перехода;
  • Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

  • Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
  • Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные Отечественные
2SC3217 2T9155A
2SC3660 2T9155B
2SC3218 2T9155Б
Bak0510-50 2T9156БС
BF423C 2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF423 2Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY80 2Т3130А9
2N2463 2Т3130Б9
2N2459 2Т3130В9
2N735A 2Т3130Г9
2N844 2Т3130Д9
PBC108A, B 2Т3133А2
2N4260 2Т3135А1
2N4261 2Т3135Б1
S923TS 2Т3152А, Г, Д
PBC107B 2Т3158А2
2N2906A 2Т3160А2
DC5108 2Т370А9
CX954 2Т370Б9
BD825 2Т642А2
2N2218 2Т649А2
SF123A 2Т672А2
BD202 2Т818А
1561-1015 2Т874А
1561-1008 2Т874Б
SDT69504 2Т880Д
2N3584 2Т881Д
2SA1009AM 2Т887А, Б
BLY47A 2Т892А, 2Т892Б
2N5050 2Т892В
2SC2093 2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A) 2Т9103А2
NE243499 2Т9108А2
NE080481E-12 2Т9109А
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
AM1416200 2Т9114А, Б
SDR075 2Т9117А, 2Т9118А
2DR405B 2Т9117Б
MRF846 2Т9117В
LDR405B 2Т9118Б
MRF846 2Т9118В
NE3001 2Т9119А2
PZB27020V 2Т9122А
Ph2214-60 2Т9122Б
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC81325M 2Т9127Д, Е
TN20 2Т9130А
2SA1584 2Т9143А
2023-6 2Т9146А
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2SC3217 2Т9155А
2SC3218 2Т9155Б, КТ9142А
2SC3660 2Т9155В, КТ9152А
222430 2Т9158А
2023-6 2Т9158Б
MRF544 2Т9159А
AM1416200 2Т986А, Б
MPF873 2Т987А
AM1416200 2Т994А2—2Т994В2
2N5177 2Т998А
2SC3218* KT9142A
2SC3660* KT9152A
SD1483 KT9174A
SD1492* Г101A
ADY25 ГТ 701А, П210Б
SD1492 ГТ101А
AC128 ГТ402И
AC127
ГТ404Б
AD162 ГТ703Г
AU106 ГТ810А, КТ812Б
BC239B КТ 3102Ж
SS9012 КТ209
2N2784 КТ3101АМ
BC109BP КТ3102И
BC455D КТ3107Е1
BC456B КТ3107И1
BC526C КТ3107К1-Л1
BF680 КТ3109А1
BF979 КТ3109Б1
BF970 КТ3109В1
2N2615 КТ3132Д2
2N2616 КТ3132Е2
2N2906 КТ313А1
2N2906A КТ313Б1
2SA1090 КТ313В1
2SA876H КТ313Г1
PXT2222 КТ3153А9
BFP720 КТ315В1
2N3397 КТ315Р1
2SD1220Q КТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660 КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814 КТ3176А9
MPS6513 КТ3184Б9
TBC547A КТ3186А
BCW47B КТ3187А
BC408 КТ342А
BC107B КТ342Б, КТ3102Б
2SC404 КТ359А3
SS9015 КТ361, КТ3107
2SA556 КТ361Ж (И)
BSW62A КТ361К (Л, М)
BSW63A КТ361Н (П)
MD5000A КТ363А
2N3839 КТ370А9
2N5651 КТ370Б9
BC147 КТ373А
2N3904 КТ375А, КТ375Б
2SC601 КТ396А2
2N709 КТ397А2
MJE13001 КТ538А
2SC64 КТ6110А (Б)
2N1051 КТ6110В (Г, Д)
BF337 КТ6113А (Б, В)
BF338 КТ6113Г (Д, Е)
2SA738B КТ6116А (Б)
2N3114 КТ6117А
2N3712 КТ6117Б
BD136 КТ626Е, КТ6109А
BC527-6 КТ629А2
BD386 КТ629А3
2N2368 КТ633А
2N3303 КТ635А
BD370A6 КТ639А1
BD372 КТ639Б1
2N2218A КТ647А2
MPS706 КТ648А2
2SA715C КТ664Б9
BF177 КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179B КТ682Б2
BD166 КТ720А
2N4238 КТ721А
BD168 КТ722А
2N3054 КТ723А
BD170 КТ724А
BD165 КТ728А
BUY90 КТ8107В (Г)
MIE13005 КТ8121А2
MIE13004 КТ8121Б2
2SD401A КТ8146А
2SC4055 КТ8146Б
TIP41C КТ8212А—В
BU2506D КТ8248А1
BUD44D2 КТ8261А
STD18202 КТ828Г
BU205 КТ838Б
2SB834 КТ842В
2SD1279 КТ846Б
BVX14 КТ846В
BD223 КТ856А1
BD944 КТ856Б1
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2SC1173 КТ862Г
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC2794 КТ866А
2N4913 КТ866Б
BU508 КТ872
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015 КТ9116А
MRF422 КТ9116А, В
I02015A КТ9116Б
2SC3596F КТ9142А
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
2SC3812 КТ9151АС
2023-15T КТ9152А
27AM05 КТ9170А
SDT3207 КТ9171А, Б
LT1739 КТ9171В
2SB596 КТ9176А
MJE2801T КТ9177А
SD1483 КТ917А
2N6180 КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181 КТ9180В, Г
D44H7 КТ9181А, Б
MRF430 КТ9181В, Г
2N5102 КТ921А, В
2N2219 КТ928Б
BC303 КТ933А
2N5996 КТ945Б
2N5642 КТ945В, Г
2N5643 КТ949А
2SC2331 КТ961, КТ9171
2N4440 КТ972В
2N5995 КТ972Г
LOT-1000D1-12B КТ979А
2N4976 КТ996А2
2SC976 КТ996Б2
2N4128 КТ997В
MP42 МП42Б
ASZ18 П217В, ГТ711

Биполярные транзисторы до 40 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
SG769 2Т3133А npn 0. 3 ТО-126
2Т837В,Е pnp 8 ТО-220
2SA1020 2Т860В pnp 2 ТО-39
2Т877В pnp 20 ТО-3
KT315H n-p-n 20 0.1
KT503A n-p-n 25 0.15
KT503B n-p-n 25 0.15
KT686F p-n-p 25 0.8
KTJ107B p-n-p 25 0.1
авзтт p-n-p 30 7.5
ГТ313А p-n-p 15 0.03
ГТ313Б p-n-p 15 0. 03
ГТ313В p-n-p 15 0.03
ГТ328А p-n-p 15 0.01
ГТ328Б p-n-p 15 0.01
ГТ328В p-n-p 15 0.01
ГТ346А p-n-p 20 0.01
ГТ346Б p-n-p 20 0.01
ГТ346В p-n-p 20 0.01
К13115Г-2 n-p-n 7 0.08
КГ117Г n-база 30 0.05
КГ201А(М) n-p-n 20 0.02
КТ117А n-баэа 30 0. 05
КТ117Б n-баэа 30 0.05
КТ117В n-база 30 0.05
КТ201Б(М) n-p-n 20 0.02
КТ201В(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Г(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Д(М) n-p-n 10 0.02
КТ203Б(М) p-n-p 30 0.01
КТ203В(М) p-n-p 15 0.01
КТ208А(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Б(1) p-n-p 20 0. 3
КТ208В(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Г(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Д(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Е(1) p-n-p 30 0.3
КТ209А p-n-p 15 0.3
КТ209Б p-n-p 15 0.3
КТ209Б1 p-n-p 15 0.3
КТ209В p-n-p 15 0.3
КТ209В1 p-n-p 15 0.3
КТ209В2 p-n-p 15 0.3
КТ209Г p-n-p 30 0. 3
КТ209Д p-n-p 30 0.3
КТ209Е p-n-p 30 0.3
КТ306Б(М) n-p-n 10 0.03
кт306в(М) n-p-n 10 0.03
кт306г(М) n-p-n 10 0.03
кт306д(М) n-p-n 10 0.03
КТ3101А-2 n-p-n 15 0.02
КТ3102K(M) n-p-n 20 0.1
КТ3102В(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Г(М) n-p-n 20 0. 1
КТ3102Д(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Е(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Ж(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102И(М) n-p-n 20 0.1
КТ3107Г p-n-p 25 0.1
BC179AP КТ3107Д p-n-p 25 0.1
BC179 КТ3107Е p-n-p 20 0.1
КТ3107Ж p-n-p 20 0.1
КТ3107К p-n-p 25 0.1
КТ3107Л p-n-p 20 0. 1
КТ3109А p-n-p 25 0.05
КТ3109Б p-n-p 20 0.05
КТ3109В p-n-p 20 0.05
КТ3115А-2 n-p-n 10 0.08
КТ3115В-2 n-p-n 10 0.08
КТ3120А n-p-n 15 0.02
КТ3123А-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123Б-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123В-2 p-n-p 10 0.03
КТ3126А p-n-p 20 0.02
КТ3126Б p-n-p 20 0. 02
КТ3127А p-n-p 20 0.02
кт3128А(1) p-n-p 40 0.02
КТ3129В-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Г-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Д-9 p-n-p 20 0.1
КТ312А n-p-n 20 0.03
BFY39 КТ312Б n-p-n 35 0.03
КТ312В n-p-n 20 0.03
КТ3130В-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Г-9 n-p-n 20 0. 1
КТ3130Д-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Е-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Ж-9 n-p-n 30 0.1
2N2712 КТ315А n-p-n 25 0.1
2N2926 КТ315Б n-p-n 20 0.1
КТ315В n-p-n 40 0.1
КТ315Г n-p-n 35 0.1
BFP722 КТ315Г1 n-p-n 35 0.1
2SC634 КТ315Д n-p-n 40 0.1
КТ315Е n-p-n 35 0. 1
2SC641 КТ315Ж n-p-n 20 0.05
КТ315Р n-p-n 35 0.1
КТ3168А-9 n-p-n 15 0.03
КТ316А(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Б(М) n-p-n 10 0.05
КТ316В(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Г(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Д(М) n-p-n 10 0.05
КТ325А(М) n-p-n 15 0.03
КТ325Б(М) n-p-n 15 0. 03
КТ325В(М) n-p-n 15 0.03
КТ326А(М) p-n-p 15 0.05
КТ326Б(М) p-n-p 15 0.05
КТ339А(М) n-p-n 25 0.03
КТ339Б n-p-n 15 0.03
КТ339В n-p-n 25 0.03
КТ339Г n-p-n 25 0.03
КТ339Д n-p-n 25 0.03
КТ342А(М) n-p-n 30 0.05
КТ342Б(М) n-p-n 25 0.05
КТ342В(М) n-p-n 10 0. 05
КТ342ГМ n-p-n 30 0.05
КТ342ДМ n-p-n 25 0.05
КТ345А p-n-p 20 0.2
КТ345Б p-n-p 20 0.2
КТ345В p-n-p 20 0.2
КТ347А p-n-p 15 0.05
КТ347Б p-n-p 9 0.05
КТ347В p-n-p 6 0.05
КТ349А p-n-p 15 0.05
BC178 КТ349Б p-n-p 15 0.05
КТ349В p-n-p 15 0. 05
КТ350А p-n-p 20 0.6
КТ351А p-n-p 15 (-0.4)
КТ351Б p-n-p 15 (-0.4)
КТ352А p-n-p 15 (-0.2)
КТ352Б p-n-p 15 (-0.2)
КТ355АМ n-p-n 15 0.03
2SA555 КТ361А p-n-p 25 0.1
КТ361Б p-n-p 20 0.1
КТ361В p-n-p 40 0.1
КТ361Г p-n-p 35 0.1
КТ361Г1 p-n-p 35 0. 1
КТ361Д p-n-p 40 0.05
КТ361Е p-n-p 35 0.05
BC251 КТ361И p-n-p 15 0.05
КТ363А(М) p-n-p 15 0.03
КТ363Б(М) p-n-p 12 0.03
КТ368А(М) n-p-n 15 0.03
КТ371А n-p-n 10 0.02
КТ372А n-p-n 15 0.01
КТ372Б n-p-n 15 0.01
КТ382А(М) n-p-n 10 0.02
КТ382Б(М) n-p-n 10 0. 02
КТ391А-2 n-p-n 10 0.01
КТ391Б-2 n-p-n 10 0.01
КТ391В-2 n-p-n 10 0.01
КТ399А n-p-n 15 0.02
КТ399АМ n-p-n 15 0.03
2N3906 КТ501 Ж,И,К pnp 0.3 ТО-92
КТ501А p-n-p 15 0.3
КТ501Б p-n-p 15 0.3
КТ501В p-n-p 15 0.3
КТ501Г p-n-p 30 0.3
КТ501Д p-n-p 30 0. 3
КТ501Е p-n-p 30 0.3
КТ502А p-n-p 25 0.15
КТ502Б p-n-p 25 0.15
КТ502В p-n-p 40 0.15
КТ502Г p-n-p 40 0.15
2SC1815 КТ503 А,Б npn 0.15 ТО-92
КТ503В n-p-n 40 0.15
КТ503Г n-p-n 40 0.15
КТ603А n-p-n 30 0.3
КТ603Б n-p-n 30 0.3
Кт603в n-p-n 15 0. 3
КТ603Г n-p-n 15 0.3
Кт603д n-p-n 10 0.3
КТ603Е n-p-n 10 0.3
Кт603и n-p-n 30 0.3
BC547  КТ6111 (А-Г) npn 0.1 ТО-92
2SA1266  КТ6112 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ6127Г p-n-p 30 2
КТ6127Д p-n-p 12 2
КТ6127Е p-n-p 12 2
2N4403  КТ626А pnp 0.5 ТО-126
КТ626Г p-n-p 20 0. 5
КТ626Д p-n-p 20 0.5
BD136 КТ639А,Б,В pnp 1.5 ТО-126
КТ639И p-n-p 30 1.5
КТ644В p-n-p 40 0.6
КТ644Г p-n-p 40 0.6
2N3904 КТ645Б n-p-n 40 0.3 ТО-92
2N4401  КТ646Б n-p-n 40 1 ТО-126
BC337  КТ660А npn 0.8 ТО-92
КТ660Б n-p-n 30 0.8
BC557  КТ668 (А-В) pnp 0. 1 ТО-92
КТ680А n-p-n 25 0.6
КТ681А p-n-p 25 0.6
BC635 КТ684А npn 1 ТО-92
КТ685 А,В pnp 40 0.6 ТО-92
КТ685д p-n-p 25 0.6
КТ685Е p-n-p 25 0.6
КТ685Ж p-n-p 25 0.6
BC327 КТ686 А,Б,В pnp 45 0.8 ТО-92
КТ686Г p-n-p 25 0.8
КТ686Д p-n-p 25 0.8
КТ686Ж p-n-p 25 0. 8
BC636 КТ692А pnp 1 ТО-39
КТ695А n-p-n 25 0.03
КТ698Г n-p-n 30 2
КТ698Д n-p-n 12 2
КТ698Е n-p-n 12 2
КТ8111Б’ n-p-n 40 0.02
КТ8111В» n-p-n 30 0.02
КТ8130А* p-n-p 40 4
КТ8131А* n-p-n 40 4
КТ814А pnp 25 1.5 ТО-126
КТ814Б p-n-p 40 1. 5
BD135 КТ815А npn 30 1.5 ТО-126
BD434 КТ816А p-n-p 40 3
КТ816А2 p-n-p 40 3
2SB856 КТ816Б pnp 3 ТО-126
BD435 КТ817А,Б npn 40 3 ТО-126
TIP33 КТ818А pnp 40 10 ТО-220
КТ818АМ p-n-p 40 15
TIP34 КТ819А,Б npn 40 10 ТО-220,
9527 КТ819АМ n-p-n 40 15
КТ825Е* p-n-p 30 0. 02
КТ829Г npn 8 ТО-220
КТ835А p-n-p 30 3
КТ835Б pnp 7.5 ТО-220
КТ837Ж p-n-p 30 7.5
КТ837И p-n-p 30 7.5
КТ837К p-n-p 30 7.5
FMMT717 КТ852Г pnp 2 ТО-220
КТ853Г pnp 8 ТО-220
2SD1062 КТ863А npn 30 10 ТО-220
КТ896В* p-n-p 30 0.02
КТ943А npn 2 ТО-126
КТ972Б npn 4 ТО-126
2SB857 КТ973Б  pnp 4 ТО-126
ктзб1Ж p-n-p 10 0. 05
ктзевБ(М) n-p-n 15 0.03
КТЗОвА(М) n-p-n 10 0.03
КТЭ72В n-p-n 15 10
СТ837У p-n-p 30 7.5
СТ837Ф p-n-p 30 7.5

Биполярные транзисторы до 60 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т708Б pnp 2.5 ТО-39
MJE2955 2Т709В pnp 10  ТО-3
2Т709В2* p-n-p 60 10
BDX85 2Т716В,В1 npn 60 10 ТО-3
BDX78 2Т818В p-n-p 60 15
2Т819В p-n-p 60 15
2Т825В pnp 20 ТО-3
2Т825В2 pnp 60 15 ТО-220
2Т830Б pnp 2 ТО-39
2Т831Б npn 2 ТО-39
2Т836В pnp 3 ТО-39
2Т837Б,Д pnp 8 ТО-220
MJE3055 2Т875В npn 10 ТО-3
2Т877Б pnp 20 ТО-3
2Т880В pnp 2 ТО-39
2Т881В npn 2 ТО-39
2SC3402  503В,Г npn 0. 15 ТО-92
ICT814B p-n-p 60 1.5
KT6S8B n-p-n 50 2
ГТ806Г p-n-p 50 15
ГТ905Б p-n-p 60 3
КТ203А(М) p-n-p 60 0.1
КТ208Ж(1) p-n-p 45 0.3
КТ208И(1) p-n-p 45 0.3
КТ208К(1) p-n-p 45 0.3
КТ208Л(1) p-n-p 60 0.3
КТ208М(1) p-n-p 60 0.3
КТ209Ж p-n-p 45 0. 3
КТ209И p-n-p 45 0.3
КТ209К p-n-p 45 0.3
КТ209Л p-n-p 60 0.3
КТ209М p-n-p 60 0.3
BC182 КТ3102А(М) n-p-n 50 0.1
КТ3102Б(М) n-p-n 50 0.1
BC212 КТ3107А p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107Б p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107И p-n-p 45 0.1
КТ3108А p-n-p 60 0. 2
КТ3108Б p-n-p 45 0.2
КТ3108В p-n-p 45 0.2
PN5132 КТ3117А(1) n-p-n 60 0.4
КТ3129А-9 p-n-p 50 0.1
КТ3129Б-9 p-n-p 50 0.1
КТ3130А-9 n-p-n 50 0.1
КТ3130Б-9 n-p-n 50 0.1
КТ313А(М) p-n-p 60 0.35
2N2907 КТ313Б(М) p-n-p 60 0.35
КТ315И n-p-n 60 0. 05
КТ361К p-n-p 60 0.05
КТ501Ж p-n-p 45 0.3
КТ501И p-n-p 45 0.3
КТ501К p-n-p 45 0.3
КТ501Л p-n-p 60 0.3
КТ501М p-n-p 60 0.3
КТ502Д p-n-p 60 0.15
КТ502Е p-n-p 60 0.15
BSR41 КТ530А npn 1 TO-92
КТ6127В p-n-p 50 2
BD138  КТ626Б pnp 60 0. 5 ТО-126
BC637  КТ630Д,Е npn 1 ТО-39
КТ639А p-n-p 45 1.5
КТ639Б p-n-p 45 1.5
КТ639В p-n-p 45 1.5
КТ639Г p-n-p 60 1.5
BD138 КТ639Г,Д pnp 60 1.5 ТО-126
2N3545 КТ644(А-Г) pnp 60 0.6 ТО-126
КТ645А npn 60 0.3 ТО-92
BD137  КТ646А npn 0.5 ТО-126
КТ659А npn 1. 2 ТО-39
2SA684  КТ661А  pnp 0.6 ТО-39
BC556 КТ662А pnp 0.4 ТО-39
КТ668А p-n-p 45 0.1
КТ668Б p-n-p 45 0.1
КТ668В p-n-p 45 0.1
КТ683Д n-p-n 60 1
2SD1616 КТ683Д,Е npn 60 1 ТО-126
КТ685Б p-n-p 60 0.6
BC638 КТ685Б,Г pnp 60 0.6 ТО-92
SA1245 КТ686А p-n-p 45 0. 8
КТ686Б p-n-p 45 0.8
КТ686В p-n-p 45 0.8
2SC2655  КТ698В npn 2 ТО-92
КТ801Б n-p-n 60 2
КТ8106Б n-p-n 45 0.02 ТО-220
КТ8111А’ n-p-n 50 0.02
КТ8111В9 npn 20 ТО-218
КТ8116В npn 8 ТО-220
КТ8118Б* n-p-n 60 8
2SA1469  КТ8130Б pnp 60 4 ТО-126
КТ8131Б’ n-p-n 60 4
КТ815Б n-p-n 45 1. 5
2SB1366  КТ816В pnp 60 3 ТО-126
КТ817Б n-p-n 45 3
КТ817Б2 n-p-n 45 3
2N5191  КТ817В npn 60 3 ТО-126
КТ818Б p-n-p 50 10
9535 КТ818БМ p-n-p 50 15
КТ819Б n-p-n 50 10
2N3055 КТ819БМ n-p-n 50 15
КТ825Д* p-n-p 60 20
КТ827В npn 60 20 ТО-3
TIP3055 КТ8284А npn 12 ТО-220
TIP120 КТ829В npn 60 8 ТО-220
КТ837Б p-n-p 60 7. 5
КТ837В p-n-p 60 7.5
КТ837Г p-n-p 45 7.5
КТ837Д p-n-p 45 7.5
КТ837Л p-n-p 60 7.5
КТ837М p-n-p 60 7.5
КТ852В pnp 2 ТО-220
КТ853В pnp 8 ТО-220
КТ896Б pnp 20 ТО-220
КТ908А n-p-n 60 10
КТ908Б n-p-n 60 10
BD137 КТ961В npn 45 1. 5 ТО-126
BD677 КТ972А npn 60 4 ТО-126
BD678  КТ973А pnp 4 ТО-126
КТ973А’ p-n-p 60 4
КТ997А n-p-p 45 10
КТ997Б n-p-n 45 10
КТМ7Е p-n-p 45 7.5
ОГ837Н p-n-p 60 7.5
СГ837П p-n-p 45 7.5
СГ837Р p-n-p 45 7.5
Т852В* p-n-p 60 2.5
Т852Г p-n-p 45 2. 5
Т853В* p-n-p 60 8
Т853Г p-n-p 45 8
Тв37С p-n-p 45 7.5

Биполярные транзисторы до 70 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т831В npn 2 ТО-39
2Т837А,Г pnp 8 ТО-220
2Т860Б pnp 2 ТО-39
2Т875Б npn 10 ТО-3
2Т876Б pnp 10  ТО-3
КТ6127Б p-n-p 70 2
КТ698Б npn 2 ТО-92
КТ69ВБ n-p-n 70 2
КТ808ГМ npn 10 ТО-3
КТ814В pnp 65 1.5 ТО-126
КТ815В npn 1.5 ТО-126
КТ818В pnp 70 10 ТО-220,
КТ818ВМ p-n-p 70 15
КТ919В n-p-n 70 10
КТ919ВМ n-p-n 70 15
КТ943 Б,Д npn 2 ТО-126

Биполярные транзисторы до 80 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
TIP33B 2Т709Б pnp 10 ТО-3
2Т709Б2* p-n-p 80 10
2Т716Б,Б1 npn 10 ТО-3
2Т716б1* n-p-n 80 10
BD204 2Т818Б p-n-p 80 15
2Т819Б p-n-p 80 15
2Т825Б pnp 20 ТО-3
2Т825Б2 pnp 80 15 ТО-220
BD140  2Т830В pnp 2 ТО-39
2Т836А,Б pnp 3 ТО-39
2Т875А,Г npn 10 ТО-3
2Т876А,Г pnp 10 ТО-3
2Т877А pnp 20 ТО-3
2Т880Б pnp 2 ТО-39
BD139 2Т881Б npn 2 ТО-39
ГТ806А p-n-p 75 15
ГТ905А p-n-p 75 3
ГТ906А(М) p-n-p 75 6
КДТ8281А pnp 60 ТО-218
PN3691 КТ3117Б n-p-n 75 0.4
2SC1627 КТ503Д npn 0.15 ТО-92
КТ602В n-p-n 80 0.075
КТ602Г n-p-n 80 0.075
2SA935 КТ626В pnp 80 0.5 ТО-126
КТ684Б npn 1 ТО-92
КТ801А n-p-n 80 2
КТ808ВМ npn 10 ТО-3
КТ8106А npn 80 20 ТО-220
TIP151 КТ8111Б9 npn 20 ТО-218
2SD2025  КТ8116Б npn 80 8 ТО-220
КТ8130В* p-n-p 80 4
КТ8131В* n-p-n 80 4
TIP34B КТ819Б,В* npn 10 ТО-220
КТ827Б npn 80 20 ТО-3
КТ8284Б npn 12 ТО-220
BD679  КТ829Б npn 80 8 ТО-220
КТ837А p-n-p 80 7.5
КТ852Б pnp 2 ТО-220
BDX34B КТ853Б pnp 8 ТО-220
2N6039 КТ943В,Г npn 2 ТО-126
КТ961Б npn 1.5 ТО-126
КТД8280А npn 60 ТО-218
КТД8283А pnp 60 ТО-218
Т852Б* p-n-p 80 2.5
Т853Б’ p-n-p 80 8

Биполярные транзисторы до 130 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813А p-n-p 100 30
1Т813Б p-n-p 125 30
2Т708А pnp 2.5 ТО-39
BDX34C 2Т709А pnp 100 10  ТО-3
BDX33C 2Т716А,А1 npn 10 ТО-3
2Т716АГ* n-p-n 100 10
2Т819А p-n-p 100 15
2Т825А pnp 20 ТО-3
2Т825А2 pnp 15 ТО-220
2Т830Г pnp 2 ТО-39
SD1765 2Т831Г npn 2 ТО-39
2Т860А pnp 2 ТО-39
2Т880А,Г pnp 2 ТО-39
2Т881А,Г npn 2 ТО-39
2Т935Б npn 20 ТО-220
ГТ806Б p-n-p 100 15
ГТ806В p-n-p 120 15
КТ503Е npn 0.15 ТО-92
SK3835 КТ601А,АМ npn 100 0.03 ТО-126
КТ602А,АМ npn 0.075 ТО-126
КТ602Б(М) n-p-n 100 0.075
2SA715D КТ6102А pnp 1.5 ТО-92
BF336 КТ6103А npn 1.5 ТО-92
КТ6127А p-n-p 90 2
КТ6127Ж p-n-p 120 2
BSY52 КТ630А n-p-n 120 1 ТО-39
КТ630Б n-p-n 120 1 ТО-39
2N1613 КТ630Г n-p-n 100 1 ТО-39
2SC2240 КТ638А,Б npn 0.1 ТО-92
КТ639Е p-n-p 100 1.5
КТ6836 n-p-n 120 1
КТ683Б npn 120 1 ТО-126
КТ683В n-p-n 120 1 ТО-126
КТ683Г n-p-n 100 1 ТО-126
BC639 КТ684В npn 1 ТО-92
BD237 КТ698А npn 2 ТО-92
КТ698Ж n-p-n 120 2
2N4237 КТ719А npn 1.5 ТО-126
КТ802А n-p-n 130 5
КТ805БМ,ВМ npn 5 ТО-220
КТ807А n-p-n 100 0.5
КТ807А,Б npn 100 0.5 ТО-126
КТ808 АМ,БМ npn 10 ТО-3
TIP150 КТ8111А9 npn 20 ТО-218
КТ8115А pnp 8 ТО-220
КТ8116А npn 100 8 ТО-220
2N5400  КТ814Г pnp 1.5 ТО-126
КТ815Г npn 85 1.5 ТО-126
TIP42C  КТ816Г pnp 90 3 ТО-126
КТ817Г npn 90 3 ТО-126
КТ817Г2 n-p-n 90 3
TIP33B  КТ818Г pnp 90 10 ТО-220
КТ818ГМ p-n-p 90 15
TIP34C КТ819А,Г npn 100 10 ТО-220
2N3055 КТ819ГМ n-p-n 100 15
КТ8246 А,Б npn 15 ТО-220
КТ825* p-n-p 90 20
КТ827А npn 100 20 ТО-3
КТ8284В npn 12 ТО-220
TIP122 КТ829А npn 100 8 (5) ТО-220
КТ852А pnp 2 ТО-220
КТ853А pnp 8 ТО-220
BD946 КТ896А pnp 20 ТО-220
КТ961А npn 1.5 ТО-126
ктвзэж p-n-p 100 1.5
КТД8257А npn 20 ТО-220
КТД8278Б,В npn 20 ТО-220
КТД8280Б npn 60 ТО-218
КТД8281Б pnp 60 ТО-218
КТД8283Б pnp 60 ТО-218
ПИЛОН-3А npn 15 ТО-220
Т852А- p-n-p 100 2.5
Т853А- p-n-p 100 8

Биполярные транзисторы до 160 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813В p-n-p 150 30
ГТ806Д p-n-p 140 15
2N5401 КТ6116 pnp 0.6 ТО-92
2N5551 КТ6117 npn 0.6 ТО-92
2SC2383 КТ630В npn 150 1 ТО-39
КТ663А n-p-n 150 1
КТ683А npn 1 ТО-126
КТ698И n-p-n 160 2
2SA1186 КТ712Б pnp 10 ТО-220
КТ805АМ npn 5 ТО-220
BU289 КТ8101А n-p-n 160 16 ТО-218
КТ8101Б npn 16 ТО-218
2SA1294  КТ8102А p-n-p 160 16 ТО-218
2SA1216 КТ8102Б pnp 16 ТО-218
КТ8123А npn 150 2 ТО-220
КТ8246В,Г npn 15 ТО-220
КТ850В npn 2 ТО-220
2SA940  КТ851В pnp 2 ТО-220
КТ855Б p-n-p 150 5
КТ855Б,В pnp 150 5 ТО-220
2SC3907 КТ863БС npn 12 ТО-220
КТ899А npn 150 8 ТО-220
КТ940В npn 160 0.1 ТО-126
2N5996 КТ945А n-p-n 150 15 ТО-3
КТД8257Б npn 20 ТО-220
ПИР-2 (КТ740А) npn 20 ТО-220
2SC2230  Т611В,Г npn 0.1 ТО-126
Т850В n-p-n 150 2
Т851В p-n-p 150 2

Биполярные транзисторы до 200 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КГвИ AM n-p-n 180 0.1
КТ504Б npn 200 1 ТО-39
2SC1473  КТ611А,Б npn 0.1 ТО-126
КТ611БМ n-p-n 180 0.1
КТ6127К p-n-p 200 2
КТ698К n-p-n 200 2
КТ712А pnp 10  ТО-220
КТ8105А n-p-n 200 20
КТ8124А n-p-n 200 7
КТ8124Б n-p-n 200 7
КТ8140А n-p-n 200 7
КТ842Б pnp 5 ТО-3
КТ851А pnp 2 ТО-220
BU406 КТ864А npn 10 ТО-3
КТ865А pnp 10 ТО-3
BVR11 КТ867А npn 25 ТО-3
КТ879А npn 200 50 КТ-5
BVT91 КТ879Б n-p-n 200 50
КТ897Б npn 200 20 ТО-218
2N6077 КТ898Б npn 200 20 ТО-218
КТД8257(А-Г) npn 20 ТО-220
КТД8278А npn 20 ТО-220
Т850А n-p-n 200 2
Т851А p-n-p 200 2

Биполярные транзисторы до 250 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т862А,Б npn 15 ТО-3
2Т882В npn 1 ТО-220
2SA1837 2Т883Б pnp 1 ТО-220
КТ3157А p-n-p 250 0.03
КТ504В npn 1 ТО-39
КТ505Б pnp 250 1 ТО-39
КТ604А(М) n-p-n 250 0.2
КТ604Б(М) n-p-n 250 0.2
КТ605А(М) n-p-n 250 0.1
0.1 КТ605А,Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ844А npn 10 ТО-3
КТ850А,Б npn 2 ТО-220
КТ851Б pnp 2 ТО-220
КТ855А pnp 5 ТО-220
MJE15032 КТ857А npn 250 7 ТО-220
КТ940Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ969А npn 0.1 ТО-126
КТ999А n-p-n 250 0.05
КТЭвЭА n-p-n 250 0.1
Т850Б n-p-n 250 2
Т851Б p-n-p 250 2
Т855А p-n-p 250 5

Биполярные транзисторы до 300 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
MJE340  2Т882Б npn 1 ТО-220
2Т883А pnp 1 ТО-220
MJE13002 КТ504А npn 1 ТО-39
КТ505А p-n-p 300 1
2SA1371 КТ6104А pnp 0.15 ТО-92
BFJ57 КТ6105А npn 0.15 ТО-92
КТ8109А,Б npn 7 ТО-220
КТ8109Б* n-p-n 300 7
КТ8121Б npn 300 4 ТО-220
КТ8124В npn 7 ТО-220
КТ812В n-p-n 300 8
КТ8232А,Б npn 20 ТО-218
КТ8258Б npn 4 ТО-220
КТ8259Б npn 8 ТО-220
КТ8260А npn 15 ТО-220
КТ8285А npn 30 ТО-218
КТ842А pnp 5 ТО-3
КТ854Б npn 10 ТО-220
КТ890(А-В) npn 20 ТО-218
КТ892А,В npn 15 ТО-3
КТ897А npn 20 ТО-218
КТ898А npn 20 ТО-218
2SA1091  КТ9115А pnp 300 0.1 ТО-126
КТ940А n-p-n 300 0.1
КТД8252(А-Г) npn 15 ТО-220
КТД8262(А-В) npn 7 ТО-220
КТД8279(А-В) npn 10 ТО-220
MJE350 Т505А pnp 1 ТО-39
2SC2482  Т940А npn 0.1 ТО-126

Биполярные транзисторы до 400 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SA1625  2Т509А pnp 0.02 ТО-39
MJE13009  2Т862В npn 10 ТО-3
2SC4138 2Т862Г npn 10 ТО-3
MJE13003  2Т882А npn 1 ТО-220
2Т885А npn 40 ТО-3
ав40Б n-p-n 350 8
BUX84 КТ704Б,В npn 2.5
КТ809А n-p-n 400 3
BU208A КТ8104А n-p-n 350 20
2SC2625 КТ8117А npn 400 10 ТО-218
КТ8121А npn 400 4 ТО-220
2SC3039 КТ8124А,Б npn 7 ТО-220
MJE13007 КТ8126А npn 8 ТО-220
КТ8136А n-p-n 400 10
MJE13005 КТ8258А npn 4 ТО-220
2SC4834 КТ8259А npn 8 ТО-220
КТ8260Б npn 15 ТО-220
КТ8285Б npn 30 ТО-218
КТ834В npn 400 15 ТО-3
2SD1409 КТ840А,Б npn 6 ТО-3
2SC3306 КТ841Б npn 10 ТО-3
BUT11 КТ845А npn 5 ТО-3
КТ848А npn 15 ТО-3
2SC2335 КТ858А npn 400 7 ТО-220
2N4914 КТ890А* n-p-n 350 20
2N4915 КТ890Б* n-p-n 350 20
КТ890В* n-p-n 350 20
MI10000 КТ892Б npn 400 15 ТО-3
КТД8279А npn 10 ТО-220
Т840А n-p-n 400 6
Т848А n-p-n 400 15
Т854Б n-p-n 400 10

Биполярные транзисторы до 500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812Б n-p-n 500 10
2Т856В npn 10 ТО-3
2Т885Б npn 40 ТО-3
ICT8110B n-p-n 450 7
KT8120A n-p-n 450 8
SF123C КТ6107А npn 0.13 ТО-92
BD140 КТ6108А pnp 0.13 ТО-92
2SC3970 КТ704А npn 2.5
КТ8108А n-p-n 500 5
КТ8108Б n-p-n 500 5
КТ8110А n-p-n 450 7
КТ8110Б n-p-n 450 7
BUL310 КТ8120А npn 3 ТО-220
КТ812Б npn 500 8 ТО-3
КТ8260В npn 15 ТО-220
КТ8285В npn 30 ТО-218
КТ834А n-p-n 500 15
КТ834А,Б npn 450 15 ТО-3
КТ854А npn 10 ТО-220
ПИР-1 npn 20 ТО-218

Биполярные транзисторы до 600 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SC5249 2Т884Б npn 2 ТО-220
КТ506Б npn 600 2 ТО-39
КТ8107В n-p-n 600 5
КТ8144Б npn 25 ТО-3
2SC5386 КТ8286А npn 5 ТО-218
2SC2027 КТ828Б n-p-n 600 5
2SD2499  КТ828Б,Г npn 5 ТО-3
2SC5387 КТ841А,В npn 10 ТО-3
2SC4706  КТ847А npn 15 ТО-3
ST1803 КТ856А1,Б1 npn 10 ТО-218
КТ878В npn 600 30 ТО-3
2SA1413 КТ887Б pnp 2 ТО-3
КТ888Б pnp 0.1 ТО-39
СТ841А n-p-n 600 10
СТ841В n-p-n 600 10
Т854А n-p-n 600 10

Биполярные транзисторы до 700 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812А n-p-n 700 10
2Т856Б npn 10 ТО-3
КТ8107(А-Г) npn 700 8 ТО-220
КТ8114А n-p-n 700 8
КТ8127А(1) n-p-n 700 5
КТ8127Б(1) n-p-n 700 5
КТ8127В(1) n-p-n 700 5
КТ8129А n-p-n 700 5
BUh200 КТ812А npn 700 10 ТО-3
КТ8137А npn 1.5 ТО-126
КТ826(А-В) npn 700 1 ТО-3
КТ8286Б npn 5 ТО-218
КТ887А pnp 2 ТО-3
Т847А n-p-n 650 15

Биполярные транзисторы до 800 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т884А npn 2 ТО-220
КТ506А npn 2 ТО-39
КТ8118А npn 800 3 ТО-220
2SC3998 КТ8144А npn 25 ТО-3
КТ8286В npn 5 ТО-218
SML804 КТ828А,В npn 800 5 ТО-3
2SC3150 КТ859А npn 800 3 ТО-220
2SC5002  КТ868Б npn 6 КТ-9
BVP38 КТ878Б npn 800 30 ТО-3
СТ841Б n-p-n 800 10

Биполярные транзисторы до 900 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КТ888А pnp 0.1 ТО-39
2SC3979 КТ868А npn 6 КТ-9
2Т856А npn 10 ТО-3
КТ878А npn 30 ТО-3

Биполярные транзисторы до 1500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
BU108 КТ8107А n-p-n 1500 8
BU508 КТ838А npn 5 ТО-3
BU2520 КТ839А npn 10 ТО-3
BU2506 КТ846А npn 5 ТО-3
BU2508  КТ872А,Б npn 8 ТО-218
2SC5270 КТ886А1 npn 10 ТО-218
BU1508 КТ886Б1 npn 8 ТО-218
Т846А n-p-n 1500 5
Т846В n-p-n 1500 5
Т848Б n-p-n 1200 5

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т713А npn 2500 3 ТО-3
КТ710А npn 5 ТО-3

Однопереходные транзисторы

Зарубежные Отечественные
2N1573 КТ117ВМ
2N1923 КТ117АМ

Мощные полевые транзисторы

Импортные Отечественные
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы

Импортные Отечественные
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?


Другие материалы по теме


Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.


Ремонт внешних блоков питания ноутбуков и офисной техники, Краснодар, Белецкий А. И.

Во внешних блоках питания ноутбуков, принтеров, сканеров и другой офисной и бытовой техники почти всегда используются MOSFET транзисторы с разными «заумными» маркировками, типа 4N60L.

    Все эти полевики можно смело менять на MOSFET транзисторы, изготовленные по технологии

SuperMESH или SuperMESh4.

Области применения транзисторов серий SuperMESH и MDMesh:

· Источники бесперебойного питания;
· Адаптеры;
· Зарядные устройства;
· Корректоры коэффициента мощности;
· Электронные балласты ламп и ламп вспышки;
· Источники питания для ноутбуков, мониторов и телевизоров;
· Телекоммуникационное оборудование;
· Преобразователи солнечной энергии.

Особенности транзисторов серии SuperMESH:

Транзисторы MOSFET серии SuperMESH отличаются от предыдущего поколения транзисторов более низким сопротивлением сток-исток (RDSon) в открытом состоянии. За счет этого пользователь может получить дополнительную экономию от использования меньшего радиатора, уменьшения места на печатной плате, уменьшения массы и габаритов изделия. Серия SuperMESH имеет встроенные встречные стабилитроны между выводами затвор — исток, что защищает переход от электростатических разрядов и выбросов напряжения во время переходных процессов. Встроенные стабилитроны устраняют необходимость установки внешних защитных компонентов. Уменьшено пороговое напряжение затвор-исток c 2В до 1.5В, что позволяет упростить цепь управления.

Приборы серии SuperMESh4TM были разработаны на основе инновационных вертикальных структур в хорошо известной технологии PowerMESHTM. Они приходят на замену семейству SuperMESHTM (серия NK) и имеют более высокую надежность и значительно улучшенные электрические характеристики. Сопротивление открытого канала у транзисторов SuperMESh4TM в среднем ниже на 20…30% ( в пределе — до 45%), чем у транзисторов SuperMESHTM и на 15…35% ниже, чем у конкурентных решений, при прочих сравнимых параметрах. Эти характеристики делают новое семейство транзисторов более эффективным за счет снижения потерь при использовании.

Из практики применения мощных полевых транзисторов.

В схеме блока питания для ноутбуков ради интереса были испытаны два разных полевых транзистора — IRF840, с сопротивлением СИ 0,55 Ом и P4NK60ZFP технологии SuperMES, с с сопротивлением СИ 2 Ом.

На IRF840 температура корпуса была 45 градусов, на P4NK60ZFP — 35, не смотря на существенное (в 4 раза!) увеличенное R(ds) on.

Этот эксперимент очередной раз подчеркивает, что скорость переходных процессов переключения играет гораздо более значимую роль в КПД, чем минимальное сопротивление открытого перехода.

Применяя при ремонте импульсных БП для ноутбуков SuperMES транзисторы P4NK60ZFP, блоки питания, после ремонта, меньше греются.

Если смотреть осциллографом работу транзистора в БП, переходные процессы у P4NK60ZFP короче , особенно процесс закрытия, по сравнению с одним из самых распространенным транзистором IRF840, при равных условиях.

SuperMES транзисторы эффективнее обычных. Сейчас уже есть второе и третье поколение этой технологии, у них еще покруче фронты будут.

Я признал силовые МОП транзисторы фирм IR и STMicroelectronics.

STM также делает на сегодняшний день лучшие микроконтроллеры.

Всю необходимую информацию о MOSFET (МОП) транзисторах можно посмотреть по этим ссылкам.


С ув. Белецкий А. И.       06.07.2014г.     Кубань Краснодар.

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром — Интернет-журнал «Электрон» Выпуск №5

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

 

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

 

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

IRF840 MOSFET Техническое описание, распиновка, характеристики и аналоги

IRF840 N-Channel Power Mosfet

IRF840 N-Channel Power Mosfet

IRF840 N-Channel Power Mosfet

Распиновка IRF840

нажмите на картинку для увеличения

IRF840 — это N-канальный силовой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 500 В.Mosfet может переключать нагрузки, потребляющие до 8 А, он может включаться, обеспечивая пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source.

Конфигурация контактов

Номер контакта

Штифт Название

Описание

1

Источник

Ток протекает через Источник (максимум 8 А)

2

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора (пороговое напряжение 10 В)

3

Слив

Ток протекает через сток

Характеристики

· N-канальный силовой полевой МОП-транзистор

· Непрерывный ток утечки (ID): 8A

· Пороговое напряжение затвора (ВГС-ое) 10В (предел = ± 20В)

· Напряжение пробоя сток-исток: 500 В

· Сопротивление истока слива (RDS) равно 0.85 Ом

· Время нарастания и спада 23 нс и 20 нс

· Доступен в упаковке К-220

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных IRF840 по ссылке внизу страницы

Альтернативы IRF840

8N50, FTK480, KF12N50

Другой N-канал МОП-транзисторы

IRF740, BSS138, IRF520, 2N7002, BS170, BSS123, IRF3205, IRF1010E

О IRF840

IRF840 — это N-канальный силовой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 500 В.Mosfet может переключать нагрузки, потребляющие до 8 А, он может включаться, обеспечивая пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. Поскольку МОП-транзистор предназначен для коммутации сильноточных высоковольтных нагрузок, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому его нельзя использовать напрямую с выводом ввода-вывода ЦП. Если вы предпочитаете МОП-транзистор с низким напряжением затвора, попробуйте IRF540N или 2N7002 и т. Д.

Одним из существенных недостатков Mosfet IRF840 является его высокое значение сопротивления в открытом состоянии (RDS), которое составляет около 0.85 Ом. Следовательно, этот МОП-транзистор не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Mosfet требует, чтобы схема драйвера обеспечивала 10 В на выводе затвора этого Mosfet. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора. Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока в постоянный.

Приложения
  • Коммутационные аппараты большой мощности
  • Инверторные схемы
  • Преобразователи постоянного тока в постоянный
  • Регулировка скорости двигателей
  • Светодиодные диммеры или мигалки
  • Высокоскоростные коммутационные приложения

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных IRF840 будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Техническое описание

IRF840 — N-канал 500 В — 0,75 Ом — 8A

BAV99-7 : Двойной переключающий диод поверхностного монтажа. ДВОЙНОЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ДИОД Быстрая скорость переключения Комплект для поверхностного монтажа идеально подходит для автоматической вставки для коммутации общего назначения Корпус с высокой проводимостью: SOT-23, литой пластиковый материал корпуса — классификация горючести UL 94V-0 Чувствительность к влаге: уровень 1 согласно J-STD -020A Клеммы: под пайку в соответствии с MIL-STD-202, метод.

КРА107С : БРЦ. = Встроенный резистор смещения ;; Пакет = СОТ-23.

MMBT2369A : переключающий транзистор NPN. Это устройство предназначено для высокоскоростного переключения в насыщенном состоянии при токах коллектора до 100 мА. Получено из процесса 21. VCEO VCBO VEBO IC TJ, Tstg Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Напряжение коллектора — постоянный * Эти номинальные значения являются предельными значениями, выше которых может быть нарушена работоспособность любого полупроводникового устройства.

NE552R479A : GaAS. 3,0 В, 0,25 Вт, маломощный кремниевый LD-MOSFET диапазон средней мощности (262). L & S-BAND NE552R479A NEC 0,25 Вт СРЕДНИЙ МОЩНЫЙ КРЕМНИЙ LD-MOSFET НИЗКИЙ ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ ДЛЯ МОНТАЖА НА ПОВЕРХНОСТИ ВЫСОКАЯ ВЫХОДНАЯ МОЩНОСТЬ: +26 дБм при VDS 3,0 В ВЫСОКОЕ ЛИНЕЙНОЕ УСИЛЕНИЕ: 11 дБ ТИП @ 2,45 ГГц ОДИНАРНОЕ ПИТАНИЕ: 5,7×5,7×1,1 мм MAX NEC — это N-канальные кремниевые полевые МОП-транзисторы с боковым рассеиванием мощности, специально разработанные для передачи мощности.

PH0104-85 : 30-400 МГц, 85 Вт, силовой транзистор CW.Конфигурация кремниевого силового транзистора NPN с общим эмиттером Класс AB Широкополосная работа Балластные резисторы с рассеянным эмиттером на выходе PEP мощностью 85 Вт Система золотой металлизации проверена на тысячах бортовых радиостанций ARC-182 Напряжение коллектор-эмиттер эмиттер-база I Ток коллектора Рассеиваемая мощность Переход Температура хранения Температура Тепловое сопротивление.

SF151 : Выпрямитель с программным быстрым восстановлением 1.5a.

050027R5AJZC : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, БП, 0.0000075 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 7,50E-6 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион / ° C; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

BSI058 : РЕЗИСТОР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 1 Вт, 0,5; 5%, 100 ppm, 0,1 — 2000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Рабочее напряжение постоянного тока: 50 вольт; Рабочая температура: от -55 до 275 C (от -67 до 527 F).

CGH55015F1 : ДИАПАЗОН C, GaN, N-КАНАЛ, ВЧ МОЩНОСТЬ, HEMFET. s: Полярность: N-канал; Тип упаковки: ПАКЕТ, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS-2; Количество блоков в ИС: 1.

DSPE0844 : КОНДЕНСАТОР, ТАНТАЛ, ТВЕРДЫЙ. собраны параллельно Поляризованные типы — Высокая пульсация тока Рабочая температура Влажность Диапазон емкости Допуск Диапазон напряжения + 85C + 125C Максимум + 85C + 125C см. таблицу = lim 20C = lim 20C Максимальное сопротивление -55C (100 Гц) см. таблицу Максимальный ток утечки см. таблицу см. таблицу = lim + 85C Максимальный ток пульсаций (40 кГц) + 20C, см. таблицу Максимум.

ER1B10K : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 0,25 Вт, 0,1%, 25 ppm, 10000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Диапазон сопротивления: 10000 Ом; Допуск: 0,1000 +/-%; Температурный коэффициент: 25 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,2500 Вт (3,35E-4.

KW102J2 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, NTC, 1000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы; Диапазон сопротивления: 1000 Ом; Номинальная мощность: 0.0300 Вт (4.02E-5 л.с.); Рабочая температура: от -80 до 135 C (от -112 до 275 F).

NEDR106N2.7V10X35F : КОНДЕНСАТОР, ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ, 2,7 В, 10000000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Технология: ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ; Приложения: общего назначения; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1.00E7 мкФ; Допуск емкости: 30 (+/-%); WVDC: 2,7 вольт; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

SHD248201 : 6.7 А, 60 В, 0,15 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 60 вольт; rDS (вкл.): 0,1500 Ом; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ УПЛОТНЕНИЕ, LCC-18; Количество блоков в ИС: 1.

SI-40030 : ТРАНСФОРМАТОР DATACOM ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

SZ-10N27 : КРЕМНИЙ 27 В, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ.

TE085120 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ. s: Диэлектрик: керамический состав; Тип установки: КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ.

223858815504 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, X7R, 0,000039 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0201. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 3.90Е-5 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Тип установки:.

2х4 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 0,125 Вт, 1; 2%, 100 ppm, 1 Ом — 1000000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Рабочее напряжение постоянного тока: 200 вольт; Рабочая температура: от -55 до 70 C (от -67 до 158 F).

33985 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 25 В, 820 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; : Поляризованный; Диапазон емкости: 820 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 25 вольт; Ток утечки: 615 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 105 C (от -67 до 221 F).

Реализация модели полевого МОП-транзистора — Simulink

Описание

Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор) представляет собой полупроводниковое устройство. управляется стробирующим сигналом (g> 0). Устройство MOSFET подключается параллельно с внутренний диод, который включается, когда устройство MOSFET смещено в обратном направлении (Vds <0) и нет затвора сигнал подается (g = 0).Модель моделируется идеальным переключателем, управляемым логическим сигнал (g> 0 или g = 0) с диодом, включенным параллельно.

Устройство MOSFET включается, когда на входе затвора подается положительный сигнал (g> 0) положительное или отрицательное напряжение сток-исток. Если на воротах нет сигнала вход (g = 0), только внутренний диод проводит, когда напряжение превышает его прямое напряжение Vf.

При протекании через устройство положительного или отрицательного тока полевой МОП-транзистор отключается, когда вход ворот становится 0.Если ток I отрицательный и течет во внутреннем диоде (нет сигнал затвора или g = 0), переключатель выключается, когда ток I становится равным 0.

Напряжение в открытом состоянии Vds изменяется:

Индуктивность диода Lon доступна только для модели с непрерывным режимом работы. Для большинства приложений, Lon следует установить равным нулю как для непрерывных, так и для дискретных моделей.

Блок MOSFET также содержит демпфирующую схему серии Rs-CS, которая может быть подключена в параллельно с полевым МОП-транзистором (между узлами d и s).

Допущения и ограничения

Блок MOSFET реализует макромодель реального устройства MOSFET. Не принимает во внимание учитывать либо геометрию устройства, либо сложные физические процессы [1].

В зависимости от значения индуктивности Lon полевой МОП-транзистор моделируется либо как ток источник (Lon> 0) или как схема с переменной топологией (Lon = 0). Блок MOSFET не может быть соединены последовательно с индуктором, источником тока или разомкнутой цепью, если его демпфер цепь используется.

Индуктивность Lon принудительно устанавливается на 0, если вы выбираете дискретизацию своей схемы.

irf840 mosfet — купить irf840 mosfet с бесплатной доставкой на AliExpress

Отличные новости !!! Вы находитесь в нужном месте, в том числе MOSFET-транзистор IRF840. К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально есть тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях.Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.

Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку и надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.

AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене.Каждый день вы найдете новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, поскольку этот топовый МОП-транзистор irf840 в кратчайшие сроки станет одним из самых востребованных бестселлеров. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что приобрели мосфет irf840 на AliExpress. С самыми низкими ценами в Интернете, дешевыми тарифами на доставку и возможностью получения на месте вы можете еще больше сэкономить.

Если вы все еще не уверены в IRF840 mosfet и думаете о выборе аналогичного продукта, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов.Мы поможем вам решить, стоит ли доплачивать за высококлассную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь. И, если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе.Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца. Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг, и предыдущие клиенты часто оставляют комментарии, описывающие свой опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.

А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет. Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, вы сможете приобрести mosfet irf840 по самой выгодной цене.

У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы. На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните самый лучший шоппинг прямо здесь.

транзистор% 20irf840% 20frequency% 20 диапазон данных и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П

Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI

Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837

Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор

Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2

Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122

Аннотация: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421.
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S

Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401

Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651

Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471

Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 Транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 Транзистор 2SC5854 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E

Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330

Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для телевизора на ЭЛТ Обратный трансформатор ТВ
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП МОП-транзистор 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548, стабилизатор на транзисторе AUDIO Усилитель на транзисторе BC548 на транзисторе 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ПУТЕВОДИТЕЛЬ ПО ТРАНЗИСТОРАМ
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012

Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат

Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF
варикап диоды

Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы MOSFET-канальный МОП-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный мощный транзистор
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ

Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалентный 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в горизонтальном выводе
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef

Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 — DDA114TH

Аннотация: DCX114EH DDC114TH
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

IRF840 — 库 文库

Транзистор PowerMOS

IRF840

Номинальная энергия лавин

ОСОБЕННОСТИ

СИМВОЛ

КРАТКИЕ СВЕДЕНИЯ

• Повторяющиеся лавины Номинальный

• Быстрое переключение

В

DSS

= 500 В

• Высокая устойчивость к термоциклированию

• Низкое термическое сопротивление

I

D

= 8.5 А

R

DS (ВКЛ)

0,85

Ом

ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ

ШТИФТ

SOT78 (TO220AB)

N-канал,

расширение

режим

PIN

ОПИСАНИЕ

полевой эффект

питание

транзистор,

предназначен

для

использовать

в

автономный

коммутируемый

1

затвор

режим

000

000 источники питания

000 Т.V.

и

компьютер

монитор

питание

источники питания,

2

сток

пост.

до

постоянного тока

преобразователи,

двигатель

управление

контуры

и

общее

назначение

3

источник

переключение

приложений.

вкладка

сток

IRF840

поставляются

SOT78

(TO220AB)

обычная

свинцовая

упаковка.

ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

Предельные значения в соответствии с Системой абсолютного максимума (IEC 134)

СИМВОЛ

ПАРАМЕТР

УСЛОВИЯ

МИН.

МАКС.

БЛОК

В

DSS

Напряжение сток-исток

Тл

Дж

= от 25 ˚C до 150 C

500

В

В

DGR

Напряжение сток-затвор

T

j

= от 25 ˚C до 150 C; R

GS

= 20 кОм

Ом

500

В

В

GS

Напряжение затвор-исток

±

30

000 В D

Постоянный ток стока

T

мб

= 25 ˚C; В

GS

= 10 В

8.5

A

T

mb

= 100 ˚C; В

GS

= 10 В

5,4

A

I

DM

Импульсный ток стока

T

мб

= 25 ˚C

34 —

P

D

Полное рассеивание

T

мб

= 25 ˚C

147

W

T

j

, T

stg

Рабочий переход и

— 55

150

˚C

диапазон температур хранения

ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ЭНЕРГИИ ЛАВИНЫ

Предельные значения в соответствии с Системой абсолютного максимума (IEC 134)

СИМВОЛ

ПАРАМЕТР

УСЛОВИЯ

МИН.

МАКС.

УСТАНОВКА

E

AS

Непериодическая лавина

Незажатая индуктивная нагрузка, I

AS

= 7,4 A;

531

мДж

энергия

t

p

= 0,22 мс; T

j

до схода лавины = 25˚C;

В

DD

50 В; R

GS

= 50

Ом

; В

GS

= 10 В; см.

на рис: 17

E

AR

Повторяющаяся энергия лавины

1

I

AR

= 8.5 А; t

p

= 2,5

µ

с; T

j

до

13

мДж

лавина = 25˚C; R

GS

= 50

Ом

; В

GS

= 10 В;

см. Рис: 18

I

AS

, I

AR

Повторяющиеся и неповторяющиеся

8,5

А

лавинное течение

д

г

с

1

2

3

вкладка

1

Ширина импульса и частота повторения ограничены T

j

макс.

март 1999

1

Ред. 1.000

(PDF) Оценка качества силовых транзисторов для режима коммутации с жестким переключением посредством экспериментального анализа

[4] Б.Дж. Балига, «Показатели качества силовых полупроводниковых устройств для высокочастотных приложений», IEEE Electron Device Lett, том 10, стр. 455-

457, 1989

[5] А. Джонсон, «Физические ограничения на частотные и мощностные параметры транзисторов», RCA Review, vol. 26, 1965, стр.163 — 177.

[6] И. Ким; С. Мацумото, Т. Сакаи и Т. Ячи, «Показатель качества нового силового устройства для высокочастотных приложений», Proc. Power

Semiconductor Devices and ICs, 1995, pp. 309-314.

[7] Джесс Браун, Гай Мокси, «Основы силовых полевых МОП-транзисторов: понимание характеристик полевых МОП-транзисторов, связанных с показателем достоинств»,

Vishay Siliconix, 8 сентября 2003 г.

[8] Йохан Стридом, «eGaN ™ — Silicon Power Shoot-Out: Часть 1, сравнивающая показатель заслуг (FOM)», 1.сентябрь 2010 г.

[9] Михал Фривальдский, «Topologicka optimizácia LLC Meniča», Жилинский университет, 2013 г.

[10] Фривальдски, М., Дргожа, П., Шпаник, П .: Экспериментальный анализ и оптимизация основных параметров режима ZVS и его применение в предлагаемом преобразователе LLC

, предназначенном для применения в распределенных энергосистемах, В: Электроэнергетические и энергетические системы. — ISSN 0142-

0615. — Том. 47. s.448 — 456

[11] Frivaldský, M., Drgoňa, P., Špánik, P.: Оптимизация процесса жесткого переключения для выбранного транзистора, подходящего для работы с высокой мощностью и высокой частотой

, В: Энергетический журнал. — ISSN 1934-8975. — Т. 4, No. 12

[12] Шпаник, П., Фривальдски, М., Дргожа, П., Кандрач, Дж .: Повышение эффективности импульсного источника питания за счет оптимизации режима коммутации транзистора

, В: Электроника и электротехника = Электроника и электротехника. — ISSN 1392-1215.- № 9

(105) (2010), с. 49-52.

[13] Kindl, V .; Кавалир, Т .; Печанек, Р .; Скала, Б .; Собра, Дж., «Ключевые конструктивные аспекты резонансной беспроводной системы передачи малой мощности

», ELEKTRO, 2014, том, №, стр. 303,306, 19-20 мая 2014 г.

[14] Брандштеттер, П., Хлебис , П., Палацкий, П .: Применение сети RBF для адаптации постоянной времени ротора, В кн .: Elektronika IR

elektrotechnika, Выпуск 7, стр.21-26, 2011.

[15] Грман, Л., Граско, М., Кучта, Дж .: Однофазный выпрямитель с ШИМ в тяговых приложениях, В: Журнал электротехники —

elektrotechnicky casopis, Том: 62, Выпуск: 4, стр. 206 — 212, август 2011 г.

[16] Феркова, З., Франка, М., Кучта, Дж .: Электромагнитная конструкция синхронного линейного двигателя с постоянными магнитами без железа, В: Международный симпозиум

по силовой электронике, электроприводам, автоматизации и движение (SPEEDAM), Италия, 11-13 июня 2008 г., стр.721-726.

[17] Ковакова И., Ковач Д .: Индуктивная связь ЭМС силового преобразователя, In: Acta polytechnica hungarica, Vol: 6, Issue: 2, pp.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *