Транзистор irf840 параметры. IRF840: мощный N-канальный MOSFET-транзистор для силовой электроники — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Какие основные характеристики у IRF840. Где применяется этот MOSFET-транзистор. Каковы его преимущества и недостатки. На что обратить внимание при выборе IRF840.

Содержание

Основные характеристики и параметры IRF840

IRF840 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для применения в силовой электронике. Вот его ключевые характеристики:

Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
Максимальный постоянный ток стока: 8 А
Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.85 Ом (типовое)
Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт
Пороговое напряжение включения: 2-4 В
Входная емкость: 1300 пФ
Время включения: 14 нс
Время выключения: 49 нс

Эти параметры делают IRF840 подходящим выбором для широкого спектра силовых применений, требующих высокой скорости переключения и низких потерь.

Области применения IRF840

Благодаря своим характеристикам, IRF840 находит применение в следующих областях:

Импульсные источники питания (SMPS)

DC-DC преобразователи
Инверторы
Драйверы электродвигателей
Силовые ключи в промышленной автоматике
Зарядные устройства
Системы управления освещением

Его способность работать на высоких частотах делает IRF840 особенно привлекательным для современных высокоэффективных схем преобразования энергии.

Преимущества использования IRF840

IRF840 обладает рядом преимуществ по сравнению с другими MOSFET-транзисторами:

Высокое пробивное напряжение (500 В) позволяет использовать его в высоковольтных применениях
Низкое сопротивление канала (0.85 Ом) обеспечивает малые потери проводимости
Быстрое переключение (время включения 14 нс, выключения 49 нс) снижает динамические потери
Встроенный защитный диод упрощает схемотехнику
Хорошая теплопроводность корпуса TO-220 облегчает отвод тепла

Доступность и невысокая стоимость делают его популярным выбором

Эти преимущества позволяют создавать на основе IRF840 эффективные и надежные силовые схемы.

Особенности выбора и применения IRF840

При выборе и использовании IRF840 следует учитывать несколько важных моментов:

Напряжение пробоя. Хотя номинальное значение составляет 500 В, рекомендуется оставлять запас и не превышать 400 В в рабочем режиме.
Тепловой режим. При больших токах необходимо обеспечить эффективный теплоотвод, используя радиатор и термопасту.
Управляющее напряжение. Для полного открытия канала рекомендуется подавать на затвор не менее 10 В.
Защита затвора. Рекомендуется использовать защитный диод или стабилитрон для предотвращения пробоя затвора.
Паразитные индуктивности. При высокочастотном переключении важно минимизировать длину проводников для уменьшения перенапряжений.

Учет этих факторов позволит максимально эффективно использовать возможности IRF840 в вашем устройстве.

Сравнение IRF840 с аналогами

Как выглядит IRF840 на фоне других популярных MOSFET-транзисторов? Давайте сравним его с несколькими аналогами:

IRF540N: имеет меньшее напряжение пробоя (100 В), но больший ток (33 А) и меньшее сопротивление канала (0.044 Ом). Подходит для низковольтных высокотоковых применений.
IRFP460: близкий аналог с чуть лучшими характеристиками — выдерживает ток до 20 А при том же напряжении 500 В. Однако имеет более крупный корпус TO-247.
STW11NM80: современная альтернатива с улучшенными характеристиками — напряжение 800 В, ток 11 А, сопротивление 0.35 Ом. Однако стоит дороже.

Выбор между IRF840 и аналогами зависит от конкретных требований вашего проекта — по напряжению, току, корпусу и стоимости.

Типовые схемы включения IRF840

IRF840 может использоваться в различных схемах включения. Рассмотрим наиболее распространенные:

Схема с общим истоком

Это наиболее часто используемая конфигурация. Исток заземлен, нагрузка подключена к стоку, а управляющий сигнал подается на затвор. Такая схема обеспечивает усиление как по напряжению, так и по току.

Схема с общим стоком (истоковый повторитель)

В этой схеме нагрузка подключается к истоку, а сток соединен с положительным питанием. Такая конфигурация обеспечивает близкое к единице усиление по напряжению, но большое усиление по току.

Схема с общим затвором

Здесь входной сигнал подается на исток, а выходной снимается со стока. Затвор заземлен по переменному току. Эта схема обеспечивает хорошую изоляцию между входом и выходом.

Выбор конкретной схемы включения зависит от требований к усилению, входному и выходному сопротивлению в вашем устройстве.

IRF840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги

В тексте приведены характеристики силового N-канальный МОП-транзистора IRF840 на русском языке от производителя International Rectifier (IR). Компания Vishay, поглотившая в свое время IR, теперь выпускает его с дополнительным обозначением SiHF740. В даташит указывается, что это современный транзистор третьего поколения, несмотря на экономичность конструкции и корпуса имеет достаточно хорошие технические параметры. Особенно подчеркивается его мощность, высокое быстродействие, маленькое сопротивление открытого канала и низкая стоимость. Это делает его привлекательным для использования не только на производстве, но и в радиолюбительской среде.

Распиновка

Цоколевка IRF840 выполнена в стандартном корпусе ТО-220AB, способном выдерживать мощность рассеивания до 50 Вт. Расположение выводов идентична различным mosfet фирмы IR в таком корпусе. Для определения назначения выводов возьмите транзистор и поверните его так, чтобы можно было прочитать маркировку на его корпусе. Выводы при этом должны быть внизу. Левый электрод называется — затвором (G), средний — стоком (D), а самый правый – истоком (S). Вывод D соединен с радиатором ТО-220AB. Для наглядности приведем распиновку на рисунке.

Характеристики

В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.

Максимальные

Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток V_DS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии R_DS₍_ON₎0,85 Ом, суммарный заряд затвора Q_GMAX 63 Нк и максимальный ток I_D 8. 0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.

Электрические

Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.

У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства. Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V_(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки V_GS(th)от 2 до 4 В, токи утечки затвора I_DSS до 100 нА и канала I_DSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь.

Время переключения

Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (С_RSS, С_ISS, С_OSS), которые определяют время открытия T_D₍_ON)и закрытия T_D₍_OFF)канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев. У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.

Ёмкостные характеристики

Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (С_GD, С_GS, C_DC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (C_RSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: C_GD 120 пФ; C_GS 1180 пФ; C_DS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость C_GD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин C_GD и C_DS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.

Тепловые параметры

Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 ⁰С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5.1 A, при этом I_GSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как I_DM, I_EA, E_AR так же ограничивает температура перехода T_J и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.

Для расчетов T_J при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом Z_thJC(⁰С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше Z_thJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.

Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).

Аналог

Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.

Маркировка

Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .

Управление от микроконтроллера

Как видно из представленных характеристик напряжение отсечки, при котором irf840 закрыт, составляет 4 В. В связи с этим у многих радиолюбителей появляется желание управления этим mosfet от микроконтроллера напрямую, например таким как Arduino. Однако, этого лучше не делать. Из некоторых условий видно, что значения R_DS₍_ON_{) и}Q_GMAX измерялись производителем при напряжении на затворе в 10 В. Это связано с тем, что irf840 не открывается полностью при более низких напряжениях, а значит не является транзистором логического уровня и не рекомендован изготовителем для управления от микроконтроллера. Для стабильной работы в схемах управления от микроконтроллера потребуется отдельный драйвер, способный выдать на затвор более 10 В. Обычно, у транзисторов логического уровня в условиях измерений напряжение затвора приближено к 5 В. Компания Vishay рекомендует для этих целей IRF840LC (SiHF840LC).

Схемы включения

Как элемент схемы, он является активным несимметричным четырёхполюсником, одни из выводов у которого общий для цепей входа и выхода. Схемы включения irf840 соответствуют типовому включению в цепях: с общим; с общим стоком; c общим затвором. Типовые способы подключения для полевых транзисторов смотрите на рисунке.

Стабилизатор анодного напряжения

В последнее время у многих радиолюбителей появляется интерес к разработке и сборке анодных стабилизаторов напряжения на мощных mosfet. Идеи для сборки подобных схем подсмотрены в технической документации от компании National Semiconductor и доработаны радиолюбителями на различных форумах. Приведем пример одной из таких схем (c общим затвором) стабилизатора на 250 вольт, с использованием irf840 и микросхемы lm317.

Схема представляет из себя два каскада. В первом каскаде установлен irf840, он выполняет роль истокового повторителя. Во вором каскаде уставлена нагрузка — микросхема lm317. Максимальная величина напряжения между входом и выходом не должна превышать 37 В. Поэтому стабилитроны Z2 и Z3 защищают эту микросхему от напряжения превышающего 30 В.

Резисторы D1, D2, D3, Z3 защищают полупроводниковые устройства от различных нагрузок. R6 нужно поставить для обеспечения ток холостого хода у lm, он должен быть примерно 6.4 мА. Мощность резистора R4 должна быть не менее 30 Вт. Нагрузку обычно подсоединяют с помощью плавкого предохранителя. Микросхему и транзистор необходимо прикрепить на отдельные радиаторы, которые при работе стабилизатора будут достаточно хорошо греться. Указанный стабилизатор выдерживает предельны ток в нагрузке до 110 мА, ограниченный резистором R2.

Производители

Для наиболее полного знакомства предлагаем ознакомится с datasheet irf840 некоторых производителей. На российском рынке в основном его продает компания Vishay. На зарубежном рынке широко представлен фирмами: Fairchild Semiconductor, Samsung, STMicroelectronics, Motorola и др.

Irf840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги

IRFS840B Datasheet (PDF)

1.1. irfs840b.pdf Size:911K _upd

November 2001
IRF840B/IRFS840B
500V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 8.0A, 500V, RDS(on) = 0.8Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 41 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 35 pF)
This advanced technology has been especially tailored to

3.1. auirfs8403 auirfsl8403.pdf Size:277K _international_rectifier

AUIRFS8403
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFSL8403
HEXFET Power MOSFET
Features
l Advanced Process Technology
D
VDSS 40V
l New Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 2.6mΩ
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
max. 3.3mΩ
l Lead-Free, RoHS Compliant
Automotive Qualified *
S
ID (Silicon Limited) 123A
Description
Specifically desi

3.2. auirfs8408-7p.pdf Size:275K _international_rectifier

AUIRFS8408-7P
AUTOMOTIVE GRADE
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
40V
VDSS
l New Ultra Low On-Resistance
0.70m
RDS(on) typ. Ω
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
max. 1.0m
Ω
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
397A
ID (Silicon Limited)
l Lead-Free, RoHS Compliant
240A
ID (Package Limited)
l Automotive Qualified *
Description

3.3. auirfb8407 auirfs8407 auirfsl8407.pdf Size:340K _international_rectifier

AUIRFB8407
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFS8407
AUIRFSL8407
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l New Ultra Low On-Resistance
VDSS 40V
D
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 1.4m
l Fast Switching Ω
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
(SMD version) max. 1.8m
Ω
l Lead-Free, RoHS Compliant
G
250A
ID (Silicon Limited)
Automotive Qualified *
S

3.4. auirfs8405 auirfsl8405.pdf Size:351K _international_rectifier

AUIRFS8405
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFSL8405
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
D
l New Ultra Low On-Resistance VDSS 40V
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ.1.9mΩ
l Fast Switching
max. 2.3mΩ
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l Lead-Free, RoHS Compliant G
ID (Silicon Limited) 193A
l Automotive Qualified *
ID (Package Limited) 120A
S
De

3.5. auirfs8409-7p.pdf Size:277K _international_rectifier

AUIRFS8409-7P
AUTOMOTIVE GRADE
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
40V
VDSS
l New Ultra Low On-Resistance
0. 55m
RDS(on) typ. Ω
l 175°C Operating Temperature
max. 0.75m
Ω
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
522A
ID (Silicon Limited)
l Lead-Free, RoHS Compliant
240A
ID (Package Limited)
l Automotive Qualified *
Description

3.6. auirfs8408 auirfsl8408.pdf Size:291K _international_rectifier

AUIRFS8408
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFSL8408
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
VDSS 40V
l New Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 1.3m
Ω
l Fast Switching
max. 1.6m
Ω
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
ID (Silicon Limited) 317A
l Lead-Free, RoHS Compliant
l Automotive Qualified *
ID (Package Limited) 195A
Descri

3.7. auirfs8407-7p.pdf Size:220K _international_rectifier

AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFS8407-7P
Features
HEXFET Power MOSFET
 Advanced Process Technology
D
 New Ultra Low On-Resistance
VDSS 40V
 175°C Operating Temperature
RDS(on) typ. 1.0mΩ
 Fast Switching
 Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
max. 1.3mΩ
 Lead-Free, RoHS Compliant
G
ID (Silicon Limited) 306A
 Automotive Qualified *
Description
ID (Package L

3.8. auirfb8409 auirfs8409 auirfsl8409.pdf Size:398K _international_rectifier

AUIRFB8409
AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS8409
AUIRFSL8409
Features
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
D
l New Ultra Low On-Resistance VDSS 40V
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) (SMD) typ. 0.97mΩ
l Fast Switching
max. 1.2mΩ
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 409A
l Automotive Qualified *
ID (Package Li

3.9. irfs840a.pdf Size:511K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.85
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 4. 6 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.638 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Uni

2SK2209-01R MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2SK2209-01R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 70
ns

Выходная емкость (Cd): 260
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48
Ohm

Тип корпуса: TO3PF

2SK2209-01R

Datasheet (PDF)

1. 1. 2sk2209-01r.pdf Size:159K _update

4.1. 2sk2201.pdf Size:422K _toshiba

2SK2201
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2201
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0.28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen

4.2. 2sk2200.pdf Size:412K _toshiba

2SK2200
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2200
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0.28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen

4. 3. 2sk2202.pdf Size:81K _renesas

2SK2202
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G1002-0300
(Previous: ADE-208-139)
Rev.3.00
Sep 07, 2005
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Suitable for switching regulator, DC-DC converter
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A
(Package name

4.4. rej03g1002 2sk2202ds.pdf Size:95K _renesas

To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Re

4.5. 2sk2207.pdf Size:35K _no

2SK2207
External dimensions
1 …… FM20
Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics
(Ta = 25ºC) (Ta = 25ºC)
Ratings
Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions
min typ max
V 900 V V 900 V I = 100µA, V = 0V
DSS (BR) DSS D GS
V ±30 V I ±100 nA V = ±30V
GSS GSS GS
I ±3I 100 µA V = 900V, V = 0V
D A DSS DS GS
I ±12 A V 2. 0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mA
D (pulse) TH DS

Другие MOSFET… IRF830AS
, IRF830FI
, IRF830S
, IRF831
, IRF831FI
, IRF832
, IRF833
, IRF840
, J113
, IRF840A
, IRF840AS
, IRF840FI
, IRF840S
, IRF841
, IRF841FI
, IRF842
, IRF843
.

2SK2209-01R Datasheet (PDF)

1.1. 2sk2209-01r.pdf Size:159K _update

4.1. 2sk2201.pdf Size:422K _toshiba

4.2. 2sk2200.pdf Size:412K _toshiba

2SK2200
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L -?-MOSV)
2SK2200
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Unit: mm
Applications
4 V gate drive
Low drain-source ON resistance : R = 0. 28 ? (typ.)
DS (ON)
High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.)
fs
Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (V = 100 V)
DS
Enhancemen

4.3. 2sk2202.pdf Size:81K _renesas

4.4. rej03g1002 2sk2202ds.pdf Size:95K _renesas

4.5. 2sk2207.pdf Size:35K _no

IRF840A MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF840A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 38
nC

Выходная емкость (Cd): 1018
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0. 85
Ohm

Тип корпуса: TO220

IRF840A

Datasheet (PDF)

1.1. irf840apbf.pdf Size:185K _upd-mosfet

PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.85Ω 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
A

1.2. irf840alpbf irf840aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 500
Definition
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 38
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 9. 0
Ruggedness
Qgd (nC) 18
• Fully Characterized Capa

1.3. irf840a.pdf Size:99K _st

IRF840/FI
IRF841/FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
TYPE VDSS RDS(on) ID
IRF840 500 V 1.4. irf840as.pdf Size:129K _international_rectifier

PD- 91901B
IRF840AS
SMPS MOSFET
IRF840AL
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak TO-262
Avalanche

1.5. irf840a.pdf Size:199K _international_rectifier

PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0. 85? 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
Avalanc

1.6. irf840aspbf irf840alpbf.pdf Size:673K _international_rectifier

PD- 95143
IRF840ASPbF
SMPS MOSFET
IRF840ALPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS RDS(on) max ID
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply 500V 0.85? 8.0A
High Speed Power Switching
Lead-Free
Benefits
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D2Pak T

1.7. irf840a.pdf Size:941K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.85
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max. ) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.638 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units

1.8. irf840a sihf840a.pdf Size:206K _vishay

IRF840A, SiHF840A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Requirement Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.85
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 38
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.0
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 18
and Current
Configuration Single

1.9. irf840a.pdf Size:193K _inchange_semiconductor

isc N-Channel Mosfet Transistor IRF840A
·FEATURES
·Drain Source Voltage-
: V = 500V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.85Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·Switch mode power supply
·Uninterruptable power supply
·High speed power switching
·ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET… IRF830FI
, IRF830S
, IRF831
, IRF831FI
, IRF832
, IRF833
, IRF840
, 2SK2209-01R
, SPA11N60C3
, IRF840AS
, IRF840FI
, IRF840S
, IRF841
, IRF841FI
, IRF842
, IRF843
, IRF9130
.

IRF840AS Datasheet (PDF)

1.1. irf840alpbf irf840aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 500
Definition
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 38
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 9.0
Ruggedness
Qgd (nC) 18
• Fully Characterized Capa

1.2. irf840as.pdf Size:129K _international_rectifier

1. 3. irf840aspbf irf840alpbf.pdf Size:673K _international_rectifier

IRF840APBF Datasheet (PDF)

1.1. irf840apbf.pdf Size:185K _upd-mosfet

3. 1. irf840alpbf irf840aspbf.pdf Size:199K _upd-mosfet

IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840AL
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 500
Definition
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
Qg (Max.) (nC) 38
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qgs (nC) 9.0
Ruggedness
Qgd (nC) 18
• Fully Characterized Capa

3.2. irf840a.pdf Size:99K _st

IRF840/FI
IRF841/FI
N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
TYPE VDSS RDS(on) ID
IRF840 500 V

3.3. irf840as.pdf Size:129K _international_rectifier

3. 4. irf840a.pdf Size:199K _international_rectifier

PD- 94829
SMPS MOSFET
IRF840APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 500V 0.85? 8.0A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
S
D
Avalanc

3.5. irf840aspbf irf840alpbf.pdf Size:673K _international_rectifier

3. 6. irf840a.pdf Size:941K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 500 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.85
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V
Lower RDS(ON) : 0.638 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units

3.7. irf840a sihf840a.pdf Size:206K _vishay

3. 8. irf840a.pdf Size:193K _inchange_semiconductor

Оцените статью:

Транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220

Описание товара Транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220

Тип транзистора: N-канальный;
Максимальный ток «сток»-«исток»: 8A;
Максимальный напряжение «сток»-«исток»: 500V;
Тип корпуса: TO-220.

Отличительные особенности и преимущества транзистора IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220

Транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.

Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода («сток» и «исток»), а управляющий электрод – затвор.

Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор.

Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

Транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.

Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.

Основные параметры транзистора IRF840 полевого

При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.

Максимальный ток для полевого транзистора IRF840 составляет 8A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.

Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током «исток»-«сток».

Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами «сток» и «исток». При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для рассматриваемой модели напряжение составляет 500V.

Также транзистор IRF840 характеризуется напряжением отсечки на участке «затвор»-«исток». Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.

От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.

Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.

При проектировании схем с применением полевого транзистора IRF840 следует учитывать:

чувствительность к перегреву;
высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.

В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.

Предпочтительный вариант — пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.

Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.

Купить транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.

Автор на +google

Качество полевой транзистор irf840 для электронных проектов

О продукте и поставщиках:

Alibaba.com предлагает большой выбор. полевой транзистор irf840 на выбор в соответствии с вашими потребностями. полевой транзистор irf840 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого.

Выбирая правильно. полевой транзистор irf840, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего.

полевой транзистор irf840 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. полевой транзистор irf840 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. полевой транзистор irf840 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. полевой транзистор irf840 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. полевой транзистор irf840 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. полевой транзистор irf840 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. полевой транзистор irf840 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
Биполярные – имеют два p-n перехода;

Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные	Отечественные
2SC3217	2T9155A
2SC3660	2T9155B
2SC3218	2T9155Б
Bak0510-50	2T9156БС
BF423C	2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF423	2Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY80	2Т3130А9
2N2463	2Т3130Б9
2N2459	2Т3130В9
2N735A	2Т3130Г9
2N844	2Т3130Д9
PBC108A, B	2Т3133А2
2N4260	2Т3135А1
2N4261	2Т3135Б1
S923TS	2Т3152А, Г, Д
PBC107B	2Т3158А2
2N2906A	2Т3160А2
DC5108	2Т370А9
CX954	2Т370Б9
BD825	2Т642А2
2N2218	2Т649А2
SF123A	2Т672А2
BD202	2Т818А
1561-1015	2Т874А
1561-1008	2Т874Б
SDT69504	2Т880Д
2N3584	2Т881Д
2SA1009AM	2Т887А, Б
BLY47A	2Т892А, 2Т892Б
2N5050	2Т892В
2SC2093	2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A)	2Т9103А2
NE243499	2Т9108А2
NE080481E-12	2Т9109А
THA-15	2Т9111А
THX-15	2Т9111Б
AM1416200	2Т9114А, Б
SDR075	2Т9117А, 2Т9118А
2DR405B	2Т9117Б
MRF846	2Т9117В
LDR405B	2Т9118Б
MRF846	2Т9118В
NE3001	2Т9119А2
PZB27020V	2Т9122А
Ph2214-60	2Т9122Б
MSC81400M	2Т9127В, Г
MSC81325M	2Т9127Д, Е
TN20	2Т9130А
2SA1584	2Т9143А
2023-6	2Т9146А
2023-12	2Т9146Б
2023-16	2Т9146В
2SC3217	2Т9155А
2SC3218	2Т9155Б, КТ9142А
2SC3660	2Т9155В, КТ9152А
222430	2Т9158А
2023-6	2Т9158Б
MRF544	2Т9159А
AM1416200	2Т986А, Б
MPF873	2Т987А
AM1416200	2Т994А2—2Т994В2
2N5177	2Т998А
2SC3218*	KT9142A
2SC3660*	KT9152A
SD1483	KT9174A
SD1492*	Г101A
ADY25	ГТ 701А, П210Б
SD1492	ГТ101А
AC128	ГТ402И
AC127	ГТ404Б
AD162	ГТ703Г
AU106	ГТ810А, КТ812Б
BC239B	КТ 3102Ж
SS9012	КТ209
2N2784	КТ3101АМ
BC109BP	КТ3102И
BC455D	КТ3107Е1
BC456B	КТ3107И1
BC526C	КТ3107К1-Л1
BF680	КТ3109А1
BF979	КТ3109Б1
BF970	КТ3109В1
2N2615	КТ3132Д2
2N2616	КТ3132Е2
2N2906	КТ313А1
2N2906A	КТ313Б1
2SA1090	КТ313В1
2SA876H	КТ313Г1
PXT2222	КТ3153А9
BFP720	КТ315В1
2N3397	КТ315Р1
2SD1220Q	КТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660	КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814	КТ3176А9
MPS6513	КТ3184Б9
TBC547A	КТ3186А
BCW47B	КТ3187А
BC408	КТ342А
BC107B	КТ342Б, КТ3102Б
2SC404	КТ359А3
SS9015	КТ361, КТ3107
2SA556	КТ361Ж (И)
BSW62A	КТ361К (Л, М)
BSW63A	КТ361Н (П)
MD5000A	КТ363А
2N3839	КТ370А9
2N5651	КТ370Б9
BC147	КТ373А
2N3904	КТ375А, КТ375Б
2SC601	КТ396А2
2N709	КТ397А2
MJE13001	КТ538А
2SC64	КТ6110А (Б)
2N1051	КТ6110В (Г, Д)
BF337	КТ6113А (Б, В)
BF338	КТ6113Г (Д, Е)
2SA738B	КТ6116А (Б)
2N3114	КТ6117А
2N3712	КТ6117Б
BD136	КТ626Е, КТ6109А
BC527-6	КТ629А2
BD386	КТ629А3
2N2368	КТ633А
2N3303	КТ635А
BD370A6	КТ639А1
BD372	КТ639Б1
2N2218A	КТ647А2
MPS706	КТ648А2
2SA715C	КТ664Б9
BF177	КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179B	КТ682Б2
BD166	КТ720А
2N4238	КТ721А
BD168	КТ722А
2N3054	КТ723А
BD170	КТ724А
BD165	КТ728А
BUY90	КТ8107В (Г)
MIE13005	КТ8121А2
MIE13004	КТ8121Б2
2SD401A	КТ8146А
2SC4055	КТ8146Б
TIP41C	КТ8212А—В
BU2506D	КТ8248А1
BUD44D2	КТ8261А
STD18202	КТ828Г
BU205	КТ838Б
2SB834	КТ842В
2SD1279	КТ846Б
BVX14	КТ846В
BD223	КТ856А1
BD944	КТ856Б1
2N5839	КТ862Б
2N5840	КТ862В
2SC1173	КТ862Г
2SC1624	КТ863Б
2SC1625	КТ863В
2SC2794	КТ866А
2N4913	КТ866Б
BU508	КТ872
2SA1682-5	КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015	КТ9116А
MRF422	КТ9116А, В
I02015A	КТ9116Б
2SC3596F	КТ9142А
TCC2023-6L	КТ9150А, 2Т9155В
2SC3812	КТ9151АС
2023-15T	КТ9152А
27AM05	КТ9170А
SDT3207	КТ9171А, Б
LT1739	КТ9171В
2SB596	КТ9176А
MJE2801T	КТ9177А
SD1483	КТ917А
2N6180	КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181	КТ9180В, Г
D44H7	КТ9181А, Б
MRF430	КТ9181В, Г
2N5102	КТ921А, В
2N2219	КТ928Б
BC303	КТ933А
2N5996	КТ945Б
2N5642	КТ945В, Г
2N5643	КТ949А
2SC2331	КТ961, КТ9171
2N4440	КТ972В
2N5995	КТ972Г
LOT-1000D1-12B	КТ979А
2N4976	КТ996А2
2SC976	КТ996Б2
2N4128	КТ997В
MP42	МП42Б
ASZ18	П217В, ГТ711

Биполярные транзисторы до 40 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
SG769	2Т3133А	npn		0. 3	ТО-126
	2Т837В,Е	pnp		8	ТО-220
2SA1020	2Т860В	pnp		2	ТО-39
	2Т877В	pnp		20	ТО-3
	KT315H	n-p-n	20	0.1
	KT503A	n-p-n	25	0.15
	KT503B	n-p-n	25	0.15
	KT686F	p-n-p	25	0.8
	KTJ107B	p-n-p	25	0.1
	авзтт	p-n-p	30	7.5
	ГТ313А	p-n-p	15	0.03
	ГТ313Б	p-n-p	15	0. 03
	ГТ313В	p-n-p	15	0.03
	ГТ328А	p-n-p	15	0.01
	ГТ328Б	p-n-p	15	0.01
	ГТ328В	p-n-p	15	0.01
	ГТ346А	p-n-p	20	0.01
	ГТ346Б	p-n-p	20	0.01
	ГТ346В	p-n-p	20	0.01
	К13115Г-2	n-p-n	7	0.08
	КГ117Г	n-база	30	0.05
	КГ201А(М)	n-p-n	20	0.02
	КТ117А	n-баэа	30	0. 05
	КТ117Б	n-баэа	30	0.05
	КТ117В	n-база	30	0.05
	КТ201Б(М)	n-p-n	20	0.02
	КТ201В(М)	n-p-n	10	0.02
	КТ201Г(М)	n-p-n	10	0.02
	КТ201Д(М)	n-p-n	10	0.02
	КТ203Б(М)	p-n-p	30	0.01
	КТ203В(М)	p-n-p	15	0.01
	КТ208А(1)	p-n-p	20	0.3
	КТ208Б(1)	p-n-p	20	0. 3
	КТ208В(1)	p-n-p	20	0.3
	КТ208Г(1)	p-n-p	30	0.3
	КТ208Д(1)	p-n-p	30	0.3
	КТ208Е(1)	p-n-p	30	0.3
	КТ209А	p-n-p	15	0.3
	КТ209Б	p-n-p	15	0.3
	КТ209Б1	p-n-p	15	0.3
	КТ209В	p-n-p	15	0.3
	КТ209В1	p-n-p	15	0.3
	КТ209В2	p-n-p	15	0.3
	КТ209Г	p-n-p	30	0. 3
	КТ209Д	p-n-p	30	0.3
	КТ209Е	p-n-p	30	0.3
	КТ306Б(М)	n-p-n	10	0.03
	кт306в(М)	n-p-n	10	0.03
	кт306г(М)	n-p-n	10	0.03
	кт306д(М)	n-p-n	10	0.03
	КТ3101А-2	n-p-n	15	0.02
	КТ3102K(M)	n-p-n	20	0.1
	КТ3102В(М)	n-p-n	30	0.1
	КТ3102Г(М)	n-p-n	20	0. 1
	КТ3102Д(М)	n-p-n	30	0.1
	КТ3102Е(М)	n-p-n	20	0.1
	КТ3102Ж(М)	n-p-n	20	0.1
	КТ3102И(М)	n-p-n	20	0.1
	КТ3107Г	p-n-p	25	0.1
BC179AP	КТ3107Д	p-n-p	25	0.1
BC179	КТ3107Е	p-n-p	20	0.1
	КТ3107Ж	p-n-p	20	0.1
	КТ3107К	p-n-p	25	0.1
	КТ3107Л	p-n-p	20	0. 1
	КТ3109А	p-n-p	25	0.05
	КТ3109Б	p-n-p	20	0.05
	КТ3109В	p-n-p	20	0.05
	КТ3115А-2	n-p-n	10	0.08
	КТ3115В-2	n-p-n	10	0.08
	КТ3120А	n-p-n	15	0.02
	КТ3123А-2	p-n-p	15	0.03
	КТ3123Б-2	p-n-p	15	0.03
	КТ3123В-2	p-n-p	10	0.03
	КТ3126А	p-n-p	20	0.02
	КТ3126Б	p-n-p	20	0. 02
	КТ3127А	p-n-p	20	0.02
	кт3128А(1)	p-n-p	40	0.02
	КТ3129В-9	p-n-p	30	0.1
	КТ3129Г-9	p-n-p	30	0.1
	КТ3129Д-9	p-n-p	20	0.1
	КТ312А	n-p-n	20	0.03
BFY39	КТ312Б	n-p-n	35	0.03
	КТ312В	n-p-n	20	0.03
	КТ3130В-9	n-p-n	30	0.1
	КТ3130Г-9	n-p-n	20	0. 1
	КТ3130Д-9	n-p-n	30	0.1
	КТ3130Е-9	n-p-n	20	0.1
	КТ3130Ж-9	n-p-n	30	0.1
2N2712	КТ315А	n-p-n	25	0.1
2N2926	КТ315Б	n-p-n	20	0.1
	КТ315В	n-p-n	40	0.1
	КТ315Г	n-p-n	35	0.1
BFP722	КТ315Г1	n-p-n	35	0.1
2SC634	КТ315Д	n-p-n	40	0.1
	КТ315Е	n-p-n	35	0. 1
2SC641	КТ315Ж	n-p-n	20	0.05
	КТ315Р	n-p-n	35	0.1
	КТ3168А-9	n-p-n	15	0.03
	КТ316А(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ316Б(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ316В(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ316Г(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ316Д(М)	n-p-n	10	0.05
	КТ325А(М)	n-p-n	15	0.03
	КТ325Б(М)	n-p-n	15	0. 03
	КТ325В(М)	n-p-n	15	0.03
	КТ326А(М)	p-n-p	15	0.05
	КТ326Б(М)	p-n-p	15	0.05
	КТ339А(М)	n-p-n	25	0.03
	КТ339Б	n-p-n	15	0.03
	КТ339В	n-p-n	25	0.03
	КТ339Г	n-p-n	25	0.03
	КТ339Д	n-p-n	25	0.03
	КТ342А(М)	n-p-n	30	0.05
	КТ342Б(М)	n-p-n	25	0.05
	КТ342В(М)	n-p-n	10	0. 05
	КТ342ГМ	n-p-n	30	0.05
	КТ342ДМ	n-p-n	25	0.05
	КТ345А	p-n-p	20	0.2
	КТ345Б	p-n-p	20	0.2
	КТ345В	p-n-p	20	0.2
	КТ347А	p-n-p	15	0.05
	КТ347Б	p-n-p	9	0.05
	КТ347В	p-n-p	6	0.05
	КТ349А	p-n-p	15	0.05
BC178	КТ349Б	p-n-p	15	0.05
	КТ349В	p-n-p	15	0. 05
	КТ350А	p-n-p	20	0.6
	КТ351А	p-n-p	15	(-0.4)
	КТ351Б	p-n-p	15	(-0.4)
	КТ352А	p-n-p	15	(-0.2)
	КТ352Б	p-n-p	15	(-0.2)
	КТ355АМ	n-p-n	15	0.03
2SA555	КТ361А	p-n-p	25	0.1
	КТ361Б	p-n-p	20	0.1
	КТ361В	p-n-p	40	0.1
	КТ361Г	p-n-p	35	0.1
	КТ361Г1	p-n-p	35	0. 1
	КТ361Д	p-n-p	40	0.05
	КТ361Е	p-n-p	35	0.05
BC251	КТ361И	p-n-p	15	0.05
	КТ363А(М)	p-n-p	15	0.03
	КТ363Б(М)	p-n-p	12	0.03
	КТ368А(М)	n-p-n	15	0.03
	КТ371А	n-p-n	10	0.02
	КТ372А	n-p-n	15	0.01
	КТ372Б	n-p-n	15	0.01
	КТ382А(М)	n-p-n	10	0.02
	КТ382Б(М)	n-p-n	10	0. 02
	КТ391А-2	n-p-n	10	0.01
	КТ391Б-2	n-p-n	10	0.01
	КТ391В-2	n-p-n	10	0.01
	КТ399А	n-p-n	15	0.02
	КТ399АМ	n-p-n	15	0.03
2N3906	КТ501 Ж,И,К	pnp		0.3	ТО-92
	КТ501А	p-n-p	15	0.3
	КТ501Б	p-n-p	15	0.3
	КТ501В	p-n-p	15	0.3
	КТ501Г	p-n-p	30	0.3
	КТ501Д	p-n-p	30	0. 3
	КТ501Е	p-n-p	30	0.3
	КТ502А	p-n-p	25	0.15
	КТ502Б	p-n-p	25	0.15
	КТ502В	p-n-p	40	0.15
	КТ502Г	p-n-p	40	0.15
2SC1815	КТ503 А,Б	npn		0.15	ТО-92
	КТ503В	n-p-n	40	0.15
	КТ503Г	n-p-n	40	0.15
	КТ603А	n-p-n	30	0.3
	КТ603Б	n-p-n	30	0.3
	Кт603в	n-p-n	15	0. 3
	КТ603Г	n-p-n	15	0.3
	Кт603д	n-p-n	10	0.3
	КТ603Е	n-p-n	10	0.3
	Кт603и	n-p-n	30	0.3
BC547	КТ6111 (А-Г)	npn		0.1	ТО-92
2SA1266	КТ6112 (А-В)	pnp		0.1	ТО-92
	КТ6127Г	p-n-p	30	2
	КТ6127Д	p-n-p	12	2
	КТ6127Е	p-n-p	12	2
2N4403	КТ626А	pnp		0.5	ТО-126
	КТ626Г	p-n-p	20	0. 5
	КТ626Д	p-n-p	20	0.5
BD136	КТ639А,Б,В	pnp		1.5	ТО-126
	КТ639И	p-n-p	30	1.5
	КТ644В	p-n-p	40	0.6
	КТ644Г	p-n-p	40	0.6
2N3904	КТ645Б	n-p-n	40	0.3	ТО-92
2N4401	КТ646Б	n-p-n	40	1	ТО-126
BC337	КТ660А	npn		0.8	ТО-92
	КТ660Б	n-p-n	30	0.8
BC557	КТ668 (А-В)	pnp		0. 1	ТО-92
	КТ680А	n-p-n	25	0.6
	КТ681А	p-n-p	25	0.6
BC635	КТ684А	npn		1	ТО-92
	КТ685 А,В	pnp	40	0.6	ТО-92
	КТ685д	p-n-p	25	0.6
	КТ685Е	p-n-p	25	0.6
	КТ685Ж	p-n-p	25	0.6
BC327	КТ686 А,Б,В	pnp	45	0.8	ТО-92
	КТ686Г	p-n-p	25	0.8
	КТ686Д	p-n-p	25	0.8
	КТ686Ж	p-n-p	25	0. 8
BC636	КТ692А	pnp		1	ТО-39
	КТ695А	n-p-n	25	0.03
	КТ698Г	n-p-n	30	2
	КТ698Д	n-p-n	12	2
	КТ698Е	n-p-n	12	2
	КТ8111Б’	n-p-n	40	0.02
	КТ8111В»	n-p-n	30	0.02
	КТ8130А*	p-n-p	40	4
	КТ8131А*	n-p-n	40	4
	КТ814А	pnp	25	1.5	ТО-126
	КТ814Б	p-n-p	40	1. 5
BD135	КТ815А	npn	30	1.5	ТО-126
BD434	КТ816А	p-n-p	40	3
	КТ816А2	p-n-p	40	3
2SB856	КТ816Б	pnp		3	ТО-126
BD435	КТ817А,Б	npn	40	3	ТО-126
TIP33	КТ818А	pnp	40	10	ТО-220
	КТ818АМ	p-n-p	40	15
TIP34	КТ819А,Б	npn	40	10	ТО-220,
9527	КТ819АМ	n-p-n	40	15
	КТ825Е*	p-n-p	30	0. 02
	КТ829Г	npn		8	ТО-220
	КТ835А	p-n-p	30	3
	КТ835Б	pnp		7.5	ТО-220
	КТ837Ж	p-n-p	30	7.5
	КТ837И	p-n-p	30	7.5
	КТ837К	p-n-p	30	7.5
FMMT717	КТ852Г	pnp		2	ТО-220
	КТ853Г	pnp		8	ТО-220
2SD1062	КТ863А	npn	30	10	ТО-220
	КТ896В*	p-n-p	30	0.02
	КТ943А	npn		2	ТО-126
	КТ972Б	npn		4	ТО-126
2SB857	КТ973Б	pnp		4	ТО-126
	ктзб1Ж	p-n-p	10	0. 05
	ктзевБ(М)	n-p-n	15	0.03
	КТЗОвА(М)	n-p-n	10	0.03
	КТЭ72В	n-p-n	15	10
	СТ837У	p-n-p	30	7.5
	СТ837Ф	p-n-p	30	7.5

Биполярные транзисторы до 60 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т708Б	pnp		2.5	ТО-39
MJE2955	2Т709В	pnp		10	ТО-3
	2Т709В2*	p-n-p	60	10
BDX85	2Т716В,В1	npn	60	10	ТО-3
BDX78	2Т818В	p-n-p	60	15
	2Т819В	p-n-p	60	15
	2Т825В	pnp		20	ТО-3
	2Т825В2	pnp	60	15	ТО-220
	2Т830Б	pnp		2	ТО-39
	2Т831Б	npn		2	ТО-39
	2Т836В	pnp		3	ТО-39
	2Т837Б,Д	pnp		8	ТО-220
MJE3055	2Т875В	npn		10	ТО-3
	2Т877Б	pnp		20	ТО-3
	2Т880В	pnp		2	ТО-39
	2Т881В	npn		2	ТО-39
2SC3402	503В,Г	npn		0. 15	ТО-92
	ICT814B	p-n-p	60	1.5
	KT6S8B	n-p-n	50	2
	ГТ806Г	p-n-p	50	15
	ГТ905Б	p-n-p	60	3
	КТ203А(М)	p-n-p	60	0.1
	КТ208Ж(1)	p-n-p	45	0.3
	КТ208И(1)	p-n-p	45	0.3
	КТ208К(1)	p-n-p	45	0.3
	КТ208Л(1)	p-n-p	60	0.3
	КТ208М(1)	p-n-p	60	0.3
	КТ209Ж	p-n-p	45	0. 3
	КТ209И	p-n-p	45	0.3
	КТ209К	p-n-p	45	0.3
	КТ209Л	p-n-p	60	0.3
	КТ209М	p-n-p	60	0.3
BC182	КТ3102А(М)	n-p-n	50	0.1
	КТ3102Б(М)	n-p-n	50	0.1
BC212	КТ3107А	p-n-p	45	0.1
BCY78	КТ3107Б	p-n-p	45	0.1
BCY78	КТ3107И	p-n-p	45	0.1
	КТ3108А	p-n-p	60	0. 2
	КТ3108Б	p-n-p	45	0.2
	КТ3108В	p-n-p	45	0.2
PN5132	КТ3117А(1)	n-p-n	60	0.4
	КТ3129А-9	p-n-p	50	0.1
	КТ3129Б-9	p-n-p	50	0.1
	КТ3130А-9	n-p-n	50	0.1
	КТ3130Б-9	n-p-n	50	0.1
	КТ313А(М)	p-n-p	60	0.35
2N2907	КТ313Б(М)	p-n-p	60	0.35
	КТ315И	n-p-n	60	0. 05
	КТ361К	p-n-p	60	0.05
	КТ501Ж	p-n-p	45	0.3
	КТ501И	p-n-p	45	0.3
	КТ501К	p-n-p	45	0.3
	КТ501Л	p-n-p	60	0.3
	КТ501М	p-n-p	60	0.3
	КТ502Д	p-n-p	60	0.15
	КТ502Е	p-n-p	60	0.15
BSR41	КТ530А	npn		1	TO-92
	КТ6127В	p-n-p	50	2
BD138	КТ626Б	pnp	60	0. 5	ТО-126
BC637	КТ630Д,Е	npn		1	ТО-39
	КТ639А	p-n-p	45	1.5
	КТ639Б	p-n-p	45	1.5
	КТ639В	p-n-p	45	1.5
	КТ639Г	p-n-p	60	1.5
BD138	КТ639Г,Д	pnp	60	1.5	ТО-126
2N3545	КТ644(А-Г)	pnp	60	0.6	ТО-126
	КТ645А	npn	60	0.3	ТО-92
BD137	КТ646А	npn		0.5	ТО-126
	КТ659А	npn		1. 2	ТО-39
2SA684	КТ661А	pnp		0.6	ТО-39
BC556	КТ662А	pnp		0.4	ТО-39
	КТ668А	p-n-p	45	0.1
	КТ668Б	p-n-p	45	0.1
	КТ668В	p-n-p	45	0.1
	КТ683Д	n-p-n	60	1
2SD1616	КТ683Д,Е	npn	60	1	ТО-126
	КТ685Б	p-n-p	60	0.6
BC638	КТ685Б,Г	pnp	60	0.6	ТО-92
SA1245	КТ686А	p-n-p	45	0. 8
	КТ686Б	p-n-p	45	0.8
	КТ686В	p-n-p	45	0.8
2SC2655	КТ698В	npn		2	ТО-92
	КТ801Б	n-p-n	60	2
	КТ8106Б	n-p-n	45	0.02	ТО-220
	КТ8111А’	n-p-n	50	0.02
	КТ8111В9	npn		20	ТО-218
	КТ8116В	npn		8	ТО-220
	КТ8118Б*	n-p-n	60	8
2SA1469	КТ8130Б	pnp	60	4	ТО-126
	КТ8131Б’	n-p-n	60	4
	КТ815Б	n-p-n	45	1. 5
2SB1366	КТ816В	pnp	60	3	ТО-126
	КТ817Б	n-p-n	45	3
	КТ817Б2	n-p-n	45	3
2N5191	КТ817В	npn	60	3	ТО-126
	КТ818Б	p-n-p	50	10
9535	КТ818БМ	p-n-p	50	15
	КТ819Б	n-p-n	50	10
2N3055	КТ819БМ	n-p-n	50	15
	КТ825Д*	p-n-p	60	20
	КТ827В	npn	60	20	ТО-3
TIP3055	КТ8284А	npn		12	ТО-220
TIP120	КТ829В	npn	60	8	ТО-220
	КТ837Б	p-n-p	60	7. 5
	КТ837В	p-n-p	60	7.5
	КТ837Г	p-n-p	45	7.5
	КТ837Д	p-n-p	45	7.5
	КТ837Л	p-n-p	60	7.5
	КТ837М	p-n-p	60	7.5
	КТ852В	pnp		2	ТО-220
	КТ853В	pnp		8	ТО-220
	КТ896Б	pnp		20	ТО-220
	КТ908А	n-p-n	60	10
	КТ908Б	n-p-n	60	10
BD137	КТ961В	npn	45	1. 5	ТО-126
BD677	КТ972А	npn	60	4	ТО-126
BD678	КТ973А	pnp		4	ТО-126
	КТ973А’	p-n-p	60	4
	КТ997А	n-p-p	45	10
	КТ997Б	n-p-n	45	10
	КТМ7Е	p-n-p	45	7.5
	ОГ837Н	p-n-p	60	7.5
	СГ837П	p-n-p	45	7.5
	СГ837Р	p-n-p	45	7.5
	Т852В*	p-n-p	60	2.5
	Т852Г	p-n-p	45	2. 5
	Т853В*	p-n-p	60	8
	Т853Г	p-n-p	45	8
	Тв37С	p-n-p	45	7.5

Биполярные транзисторы до 70 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т831В	npn		2	ТО-39
	2Т837А,Г	pnp		8	ТО-220
	2Т860Б	pnp		2	ТО-39
	2Т875Б	npn		10	ТО-3
	2Т876Б	pnp		10	ТО-3
	КТ6127Б	p-n-p	70	2
	КТ698Б	npn		2	ТО-92
	КТ69ВБ	n-p-n	70	2
	КТ808ГМ	npn		10	ТО-3
	КТ814В	pnp	65	1.5	ТО-126
	КТ815В	npn		1.5	ТО-126
	КТ818В	pnp	70	10	ТО-220,
	КТ818ВМ	p-n-p	70	15
	КТ919В	n-p-n	70	10
	КТ919ВМ	n-p-n	70	15
	КТ943 Б,Д	npn		2	ТО-126

Биполярные транзисторы до 80 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
TIP33B	2Т709Б	pnp		10	ТО-3
	2Т709Б2*	p-n-p	80	10
	2Т716Б,Б1	npn		10	ТО-3
	2Т716б1*	n-p-n	80	10
BD204	2Т818Б	p-n-p	80	15
	2Т819Б	p-n-p	80	15
	2Т825Б	pnp		20	ТО-3
	2Т825Б2	pnp	80	15	ТО-220
BD140	2Т830В	pnp		2	ТО-39
	2Т836А,Б	pnp		3	ТО-39
	2Т875А,Г	npn		10	ТО-3
	2Т876А,Г	pnp		10	ТО-3
	2Т877А	pnp		20	ТО-3
	2Т880Б	pnp		2	ТО-39
BD139	2Т881Б	npn		2	ТО-39
	ГТ806А	p-n-p	75	15
	ГТ905А	p-n-p	75	3
	ГТ906А(М)	p-n-p	75	6
	КДТ8281А	pnp		60	ТО-218
PN3691	КТ3117Б	n-p-n	75	0.4
2SC1627	КТ503Д	npn		0.15	ТО-92
	КТ602В	n-p-n	80	0.075
	КТ602Г	n-p-n	80	0.075
2SA935	КТ626В	pnp	80	0.5	ТО-126
	КТ684Б	npn		1	ТО-92
	КТ801А	n-p-n	80	2
	КТ808ВМ	npn		10	ТО-3
	КТ8106А	npn	80	20	ТО-220
TIP151	КТ8111Б9	npn		20	ТО-218
2SD2025	КТ8116Б	npn	80	8	ТО-220
	КТ8130В*	p-n-p	80	4
	КТ8131В*	n-p-n	80	4
TIP34B	КТ819Б,В*	npn		10	ТО-220
	КТ827Б	npn	80	20	ТО-3
	КТ8284Б	npn		12	ТО-220
BD679	КТ829Б	npn	80	8	ТО-220
	КТ837А	p-n-p	80	7.5
	КТ852Б	pnp		2	ТО-220
BDX34B	КТ853Б	pnp		8	ТО-220
2N6039	КТ943В,Г	npn		2	ТО-126
	КТ961Б	npn		1.5	ТО-126
	КТД8280А	npn		60	ТО-218
	КТД8283А	pnp		60	ТО-218
	Т852Б*	p-n-p	80	2.5
	Т853Б’	p-n-p	80	8

Биполярные транзисторы до 130 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	1Т813А	p-n-p	100	30
	1Т813Б	p-n-p	125	30
	2Т708А	pnp		2.5	ТО-39
BDX34C	2Т709А	pnp	100	10	ТО-3
BDX33C	2Т716А,А1	npn		10	ТО-3
	2Т716АГ*	n-p-n	100	10
	2Т819А	p-n-p	100	15
	2Т825А	pnp		20	ТО-3
	2Т825А2	pnp		15	ТО-220
	2Т830Г	pnp		2	ТО-39
SD1765	2Т831Г	npn		2	ТО-39
	2Т860А	pnp		2	ТО-39
	2Т880А,Г	pnp		2	ТО-39
	2Т881А,Г	npn		2	ТО-39
	2Т935Б	npn		20	ТО-220
	ГТ806Б	p-n-p	100	15
	ГТ806В	p-n-p	120	15
	КТ503Е	npn		0.15	ТО-92
SK3835	КТ601А,АМ	npn	100	0.03	ТО-126
	КТ602А,АМ	npn		0.075	ТО-126
	КТ602Б(М)	n-p-n	100	0.075
2SA715D	КТ6102А	pnp		1.5	ТО-92
BF336	КТ6103А	npn		1.5	ТО-92
	КТ6127А	p-n-p	90	2
	КТ6127Ж	p-n-p	120	2
BSY52	КТ630А	n-p-n	120	1	ТО-39
	КТ630Б	n-p-n	120	1	ТО-39
2N1613	КТ630Г	n-p-n	100	1	ТО-39
2SC2240	КТ638А,Б	npn		0.1	ТО-92
	КТ639Е	p-n-p	100	1.5
	КТ6836	n-p-n	120	1
	КТ683Б	npn	120	1	ТО-126
	КТ683В	n-p-n	120	1	ТО-126
	КТ683Г	n-p-n	100	1	ТО-126
BC639	КТ684В	npn		1	ТО-92
BD237	КТ698А	npn		2	ТО-92
	КТ698Ж	n-p-n	120	2
2N4237	КТ719А	npn		1.5	ТО-126
	КТ802А	n-p-n	130	5
	КТ805БМ,ВМ	npn		5	ТО-220
	КТ807А	n-p-n	100	0.5
	КТ807А,Б	npn	100	0.5	ТО-126
	КТ808 АМ,БМ	npn		10	ТО-3
TIP150	КТ8111А9	npn		20	ТО-218
	КТ8115А	pnp		8	ТО-220
	КТ8116А	npn	100	8	ТО-220
2N5400	КТ814Г	pnp		1.5	ТО-126
	КТ815Г	npn	85	1.5	ТО-126
TIP42C	КТ816Г	pnp	90	3	ТО-126
	КТ817Г	npn	90	3	ТО-126
	КТ817Г2	n-p-n	90	3
TIP33B	КТ818Г	pnp	90	10	ТО-220
	КТ818ГМ	p-n-p	90	15
TIP34C	КТ819А,Г	npn	100	10	ТО-220
2N3055	КТ819ГМ	n-p-n	100	15
	КТ8246 А,Б	npn		15	ТО-220
	КТ825*	p-n-p	90	20
	КТ827А	npn	100	20	ТО-3
	КТ8284В	npn		12	ТО-220
TIP122	КТ829А	npn	100	8 (5)	ТО-220
	КТ852А	pnp		2	ТО-220
	КТ853А	pnp		8	ТО-220
BD946	КТ896А	pnp		20	ТО-220
	КТ961А	npn		1.5	ТО-126
	ктвзэж	p-n-p	100	1.5
	КТД8257А	npn		20	ТО-220
	КТД8278Б,В	npn		20	ТО-220
	КТД8280Б	npn		60	ТО-218
	КТД8281Б	pnp		60	ТО-218
	КТД8283Б	pnp		60	ТО-218
	ПИЛОН-3А	npn		15	ТО-220
	Т852А-	p-n-p	100	2.5
	Т853А-	p-n-p	100	8

Биполярные транзисторы до 160 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	1Т813В	p-n-p	150	30
	ГТ806Д	p-n-p	140	15
2N5401	КТ6116	pnp		0.6	ТО-92
2N5551	КТ6117	npn		0.6	ТО-92
2SC2383	КТ630В	npn	150	1	ТО-39
	КТ663А	n-p-n	150	1
	КТ683А	npn		1	ТО-126
	КТ698И	n-p-n	160	2
2SA1186	КТ712Б	pnp		10	ТО-220
	КТ805АМ	npn		5	ТО-220
BU289	КТ8101А	n-p-n	160	16	ТО-218
	КТ8101Б	npn		16	ТО-218
2SA1294	КТ8102А	p-n-p	160	16	ТО-218
2SA1216	КТ8102Б	pnp		16	ТО-218
	КТ8123А	npn	150	2	ТО-220
	КТ8246В,Г	npn		15	ТО-220
	КТ850В	npn		2	ТО-220
2SA940	КТ851В	pnp		2	ТО-220
	КТ855Б	p-n-p	150	5
	КТ855Б,В	pnp	150	5	ТО-220
2SC3907	КТ863БС	npn		12	ТО-220
	КТ899А	npn	150	8	ТО-220
	КТ940В	npn	160	0.1	ТО-126
2N5996	КТ945А	n-p-n	150	15	ТО-3
	КТД8257Б	npn		20	ТО-220
	ПИР-2 (КТ740А)	npn		20	ТО-220
2SC2230	Т611В,Г	npn		0.1	ТО-126
	Т850В	n-p-n	150	2
	Т851В	p-n-p	150	2

Биполярные транзисторы до 200 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	КГвИ AM	n-p-n	180	0.1
	КТ504Б	npn	200	1	ТО-39
2SC1473	КТ611А,Б	npn		0.1	ТО-126
	КТ611БМ	n-p-n	180	0.1
	КТ6127К	p-n-p	200	2
	КТ698К	n-p-n	200	2
	КТ712А	pnp		10	ТО-220
	КТ8105А	n-p-n	200	20
	КТ8124А	n-p-n	200	7
	КТ8124Б	n-p-n	200	7
	КТ8140А	n-p-n	200	7
	КТ842Б	pnp		5	ТО-3
	КТ851А	pnp		2	ТО-220
BU406	КТ864А	npn		10	ТО-3
	КТ865А	pnp		10	ТО-3
BVR11	КТ867А	npn		25	ТО-3
	КТ879А	npn	200	50	КТ-5
BVT91	КТ879Б	n-p-n	200	50
	КТ897Б	npn	200	20	ТО-218
2N6077	КТ898Б	npn	200	20	ТО-218
	КТД8257(А-Г)	npn		20	ТО-220
	КТД8278А	npn		20	ТО-220
	Т850А	n-p-n	200	2
	Т851А	p-n-p	200	2

Биполярные транзисторы до 250 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т862А,Б	npn		15	ТО-3
	2Т882В	npn		1	ТО-220
2SA1837	2Т883Б	pnp		1	ТО-220
	КТ3157А	p-n-p	250	0.03
	КТ504В	npn		1	ТО-39
	КТ505Б	pnp	250	1	ТО-39
	КТ604А(М)	n-p-n	250	0.2
	КТ604Б(М)	n-p-n	250	0.2
	КТ605А(М)	n-p-n	250	0.1
0.1	КТ605А,Б	npn	250	0.1	ТО-126
	КТ844А	npn		10	ТО-3
	КТ850А,Б	npn		2	ТО-220
	КТ851Б	pnp		2	ТО-220
	КТ855А	pnp		5	ТО-220
MJE15032	КТ857А	npn	250	7	ТО-220
	КТ940Б	npn	250	0.1	ТО-126
	КТ969А	npn		0.1	ТО-126
	КТ999А	n-p-n	250	0.05
	КТЭвЭА	n-p-n	250	0.1
	Т850Б	n-p-n	250	2
	Т851Б	p-n-p	250	2
	Т855А	p-n-p	250	5

Биполярные транзисторы до 300 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
MJE340	2Т882Б	npn		1	ТО-220
	2Т883А	pnp		1	ТО-220
MJE13002	КТ504А	npn		1	ТО-39
	КТ505А	p-n-p	300	1
2SA1371	КТ6104А	pnp		0.15	ТО-92
BFJ57	КТ6105А	npn		0.15	ТО-92
	КТ8109А,Б	npn		7	ТО-220
	КТ8109Б*	n-p-n	300	7
	КТ8121Б	npn	300	4	ТО-220
	КТ8124В	npn		7	ТО-220
	КТ812В	n-p-n	300	8
	КТ8232А,Б	npn		20	ТО-218
	КТ8258Б	npn		4	ТО-220
	КТ8259Б	npn		8	ТО-220
	КТ8260А	npn		15	ТО-220
	КТ8285А	npn		30	ТО-218
	КТ842А	pnp		5	ТО-3
	КТ854Б	npn		10	ТО-220
	КТ890(А-В)	npn		20	ТО-218
	КТ892А,В	npn		15	ТО-3
	КТ897А	npn		20	ТО-218
	КТ898А	npn		20	ТО-218
2SA1091	КТ9115А	pnp	300	0.1	ТО-126
	КТ940А	n-p-n	300	0.1
	КТД8252(А-Г)	npn		15	ТО-220
	КТД8262(А-В)	npn		7	ТО-220
	КТД8279(А-В)	npn		10	ТО-220
MJE350	Т505А	pnp		1	ТО-39
2SC2482	Т940А	npn		0.1	ТО-126

Биполярные транзисторы до 400 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
2SA1625	2Т509А	pnp		0.02	ТО-39
MJE13009	2Т862В	npn		10	ТО-3
2SC4138	2Т862Г	npn		10	ТО-3
MJE13003	2Т882А	npn		1	ТО-220
	2Т885А	npn		40	ТО-3
	ав40Б	n-p-n	350	8
BUX84	КТ704Б,В	npn		2.5
	КТ809А	n-p-n	400	3
BU208A	КТ8104А	n-p-n	350	20
2SC2625	КТ8117А	npn	400	10	ТО-218
	КТ8121А	npn	400	4	ТО-220
2SC3039	КТ8124А,Б	npn		7	ТО-220
MJE13007	КТ8126А	npn		8	ТО-220
	КТ8136А	n-p-n	400	10
MJE13005	КТ8258А	npn		4	ТО-220
2SC4834	КТ8259А	npn		8	ТО-220
	КТ8260Б	npn		15	ТО-220
	КТ8285Б	npn		30	ТО-218
	КТ834В	npn	400	15	ТО-3
2SD1409	КТ840А,Б	npn		6	ТО-3
2SC3306	КТ841Б	npn		10	ТО-3
BUT11	КТ845А	npn		5	ТО-3
	КТ848А	npn		15	ТО-3
2SC2335	КТ858А	npn	400	7	ТО-220
2N4914	КТ890А*	n-p-n	350	20
2N4915	КТ890Б*	n-p-n	350	20
	КТ890В*	n-p-n	350	20
MI10000	КТ892Б	npn	400	15	ТО-3
	КТД8279А	npn		10	ТО-220
	Т840А	n-p-n	400	6
	Т848А	n-p-n	400	15
	Т854Б	n-p-n	400	10

Биполярные транзисторы до 500 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т812Б	n-p-n	500	10
	2Т856В	npn		10	ТО-3
	2Т885Б	npn		40	ТО-3
	ICT8110B	n-p-n	450	7
	KT8120A	n-p-n	450	8
SF123C	КТ6107А	npn		0.13	ТО-92
BD140	КТ6108А	pnp		0.13	ТО-92
2SC3970	КТ704А	npn		2.5
	КТ8108А	n-p-n	500	5
	КТ8108Б	n-p-n	500	5
	КТ8110А	n-p-n	450	7
	КТ8110Б	n-p-n	450	7
BUL310	КТ8120А	npn		3	ТО-220
	КТ812Б	npn	500	8	ТО-3
	КТ8260В	npn		15	ТО-220
	КТ8285В	npn		30	ТО-218
	КТ834А	n-p-n	500	15
	КТ834А,Б	npn	450	15	ТО-3
	КТ854А	npn		10	ТО-220
	ПИР-1	npn		20	ТО-218

Биполярные транзисторы до 600 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
2SC5249	2Т884Б	npn		2	ТО-220
	КТ506Б	npn	600	2	ТО-39
	КТ8107В	n-p-n	600	5
	КТ8144Б	npn		25	ТО-3
2SC5386	КТ8286А	npn		5	ТО-218
2SC2027	КТ828Б	n-p-n	600	5
2SD2499	КТ828Б,Г	npn		5	ТО-3
2SC5387	КТ841А,В	npn		10	ТО-3
2SC4706	КТ847А	npn		15	ТО-3
ST1803	КТ856А1,Б1	npn		10	ТО-218
	КТ878В	npn	600	30	ТО-3
2SA1413	КТ887Б	pnp		2	ТО-3
	КТ888Б	pnp		0.1	ТО-39
	СТ841А	n-p-n	600	10
	СТ841В	n-p-n	600	10
	Т854А	n-p-n	600	10

Биполярные транзисторы до 700 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т812А	n-p-n	700	10
	2Т856Б	npn		10	ТО-3
	КТ8107(А-Г)	npn	700	8	ТО-220
	КТ8114А	n-p-n	700	8
	КТ8127А(1)	n-p-n	700	5
	КТ8127Б(1)	n-p-n	700	5
	КТ8127В(1)	n-p-n	700	5
	КТ8129А	n-p-n	700	5
BUh200	КТ812А	npn	700	10	ТО-3
	КТ8137А	npn		1.5	ТО-126
	КТ826(А-В)	npn	700	1	ТО-3
	КТ8286Б	npn		5	ТО-218
	КТ887А	pnp		2	ТО-3
	Т847А	n-p-n	650	15

Биполярные транзисторы до 800 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т884А	npn		2	ТО-220
	КТ506А	npn		2	ТО-39
	КТ8118А	npn	800	3	ТО-220
2SC3998	КТ8144А	npn		25	ТО-3
	КТ8286В	npn		5	ТО-218
SML804	КТ828А,В	npn	800	5	ТО-3
2SC3150	КТ859А	npn	800	3	ТО-220
2SC5002	КТ868Б	npn		6	КТ-9
BVP38	КТ878Б	npn	800	30	ТО-3
	СТ841Б	n-p-n	800	10

Биполярные транзисторы до 900 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	КТ888А	pnp		0.1	ТО-39
2SC3979	КТ868А	npn		6	КТ-9
	2Т856А	npn		10	ТО-3
	КТ878А	npn		30	ТО-3

Биполярные транзисторы до 1500 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
BU108	КТ8107А	n-p-n	1500	8
BU508	КТ838А	npn		5	ТО-3
BU2520	КТ839А	npn		10	ТО-3
BU2506	КТ846А	npn		5	ТО-3
BU2508	КТ872А,Б	npn		8	ТО-218
2SC5270	КТ886А1	npn		10	ТО-218
BU1508	КТ886Б1	npn		8	ТО-218
	Т846А	n-p-n	1500	5
	Т846В	n-p-n	1500	5
	Т848Б	n-p-n	1200	5

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Зарубежные	Отечественные	Тип перехода	U max, В	I max, А	Корпус
	2Т713А	npn	2500	3	ТО-3
	КТ710А	npn		5	ТО-3

Однопереходные транзисторы

Зарубежные	Отечественные
2N1573	КТ117ВМ
2N1923	КТ117АМ

Мощные полевые транзисторы

Импортные	Отечественные
IRFZ10	КП739Б
IRFZ15	КП739В
IRF740	КП740
IRFZ24	КП740А
IRFZ20	КП740Б
IRFZ25	КП740В
IRFZ48	КП741А
IRFZ46	КП741Б
STH75N06	КП742А
STH75N05	КП742Б
IRF510	КП743А
IRF511	КП743Б
IRF512	КП743В
IRF520	КП744А
IRF521	КП744Б
IRF522	КП744В
IRL520	КП744Г
IRF530	КП745А
IRF531	КП745Б
IRF532	КП745В
IRL530	КП745Г
IRF540	КП746А
IRF541	КП746Б
IRF542	КП746В
IRL540	КП746Г
IRFP150	КП747А
IRF610	КП748А
IRF611	КП748Б
IRF612	КП748В
IRF620	КП749А
IRF621	КП749Б
IRF622	КП749В
IRF640	КП750А
IRF641	КП750Б
IRF642	КП750В
IRL640	КП750Г
IRF720	КП751А
IRF721	КП751Б
IRF722	КП751В
IRF730	КП752А
IRF731	КП752Б
IRF732	КП752В
IRF830	КП753А
IRF831	КП753Б
IRF832	КП753В
STP40N10	КП771А
IRF820	КП820
IRF830	КП830
IRF840	КП840
IRF150	КП150
IRF240	КП240
IRF250	КП250
IRF340	КП340
IRF350	КП350
BF410C	КП365А
BF960	КП382А
IRF440	КП440
IRF450	КП450
ZVN2120	КП501А
BSS124	КП502
BSS129	КП503
BSS88	КП504
BSS295	КП505
IRF510	КП510
IRF520	КП520
IRF530	КП530
IRF540	КП540
IRF610	КП610
IRF620	КП620
IRF630	КП630
IRF640	КП640
BUZ90	КП707Б1
IRF710	КП710
IRF350	КП717Б
BUZ45	КП718А
IRF453	КП718Е1
IRF720	КП720
BUZ36	КП722А
IRFZ44	КП723А
IRFZ45	КП723Б
IRFZ40	КП723В
IRLZ44	КП723Г
MTP6N60	КП724А
IRF842	КП724Б
TPF450	КП725А
BUZ90A	КП726А
BUZ71	КП727А
IRFZ34	КП727Б
IRLZ34	КП727В
BUZ80A	КП728А
IRF730	КП730
IRGPH50F	КП730А
IRF710	КП731А
IRF711	КП731Б
IRF712	КП731В
IRF630	КП737А
IRF634	КП737Б
IRF635	КП737В
IRFZ14	КП739А

Слабые полевые транзисторы

Импортные	Отечественные
U1899E	КП329A
2N2841	КП301Г
2N3332	КП301Б
2N3365	КП329A
2N3368	КП329A
2N3369	КП333A
2N3331	КП307B
2N3370	КП329A
2N3436	КП329A
2N3438	КП333A
2N3458	КП333A
2N3459	КП329A
2N3460	КП329A
2N3796	КП303B
2N3797	КП303Г
2N3819	КП307Б
2N3823	КП329A
2N3909	КП301B
2N3971	КП902A
2N3972	КП902A
2N4038	КП329A
2N4091	КП902A
2N4092	КП902A
2N4220	КП329Б
2N4220A	КП329Б
2N4221	КП333A
2N4221A	КП329A
2N4222A	КП329A
2N4224	КП329A
2N4302	КП329Б
2N4303	КП329Б
2N4304	КП329Б
2N4351	КП333A
2N4352	КП304A
2N4360	КП301B
2N4393	КП902A
2N4416A	КП329A
2N4860	КП333Б
2N4867	КП333A
2N5078	КП333A
2N5163	КП307Ж
2N5458	КП304A
2N5457	КП307E
2N5459	КП307Б
2N5654	КП329Б
2N6656	КП801Б
2SK11	КП303Д
2SK12	КП303Г
2SK15	КП303Г
2SK68A	КП329A
2SK21H	КП306A
2SK39	КП350A
BFW11	КП333Б
BF244	КП329А
BF245	КП329А
BF256B	КП329А
BF960	КП327А
BF981	КП327Б
BSV79	КП333А
BSV80	КП333А
BUZ20	КП704А
CP652	КП907B
E100	КП333Б
E102	КП333Б
E111	КП329Б
E112	КП333Б
IRF120	КП922Б
MPF103	КП307Б
MPF102	КП303E
M103	КП304A
TIS68	КП307E
UC714	КП329Б
U1897E	КП333A

Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?

Другие материалы по теме

Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.

Ремонт внешних блоков питания ноутбуков и офисной техники, Краснодар, Белецкий А. И.

Во внешних блоках питания ноутбуков, принтеров, сканеров и другой офисной и бытовой техники почти всегда используются MOSFET транзисторы с разными «заумными» маркировками, типа 4N60L.

Все эти полевики можно смело менять на MOSFET транзисторы, изготовленные по технологии

SuperMESH или SuperMESh4.

Области применения транзисторов серий SuperMESH и MDMesh:

· Источники бесперебойного питания;
· Адаптеры;
· Зарядные устройства;
· Корректоры коэффициента мощности;
· Электронные балласты ламп и ламп вспышки;
· Источники питания для ноутбуков, мониторов и телевизоров;
· Телекоммуникационное оборудование;
· Преобразователи солнечной энергии.

Особенности транзисторов серии SuperMESH:

Транзисторы MOSFET серии SuperMESH отличаются от предыдущего поколения транзисторов более низким сопротивлением сток-исток (RDSon) в открытом состоянии. За счет этого пользователь может получить дополнительную экономию от использования меньшего радиатора, уменьшения места на печатной плате, уменьшения массы и габаритов изделия. Серия SuperMESH имеет встроенные встречные стабилитроны между выводами затвор — исток, что защищает переход от электростатических разрядов и выбросов напряжения во время переходных процессов. Встроенные стабилитроны устраняют необходимость установки внешних защитных компонентов. Уменьшено пороговое напряжение затвор-исток c 2В до 1.5В, что позволяет упростить цепь управления.

Приборы серии SuperMESh4TM были разработаны на основе инновационных вертикальных структур в хорошо известной технологии PowerMESHTM. Они приходят на замену семейству SuperMESHTM (серия NK) и имеют более высокую надежность и значительно улучшенные электрические характеристики. Сопротивление открытого канала у транзисторов SuperMESh4TM в среднем ниже на 20…30% ( в пределе — до 45%), чем у транзисторов SuperMESHTM и на 15…35% ниже, чем у конкурентных решений, при прочих сравнимых параметрах. Эти характеристики делают новое семейство транзисторов более эффективным за счет снижения потерь при использовании.

Из практики применения мощных полевых транзисторов.

В схеме блока питания для ноутбуков ради интереса были испытаны два разных полевых транзистора — IRF840, с сопротивлением СИ 0,55 Ом и P4NK60ZFP технологии SuperMES, с с сопротивлением СИ 2 Ом.

На IRF840 температура корпуса была 45 градусов, на P4NK60ZFP — 35, не смотря на существенное (в 4 раза!) увеличенное R(ds) on.

Этот эксперимент очередной раз подчеркивает, что скорость переходных процессов переключения играет гораздо более значимую роль в КПД, чем минимальное сопротивление открытого перехода.

Применяя при ремонте импульсных БП для ноутбуков SuperMES транзисторы P4NK60ZFP, блоки питания, после ремонта, меньше греются.

Если смотреть осциллографом работу транзистора в БП, переходные процессы у P4NK60ZFP короче , особенно процесс закрытия, по сравнению с одним из самых распространенным транзистором IRF840, при равных условиях.

SuperMES транзисторы эффективнее обычных. Сейчас уже есть второе и третье поколение этой технологии, у них еще покруче фронты будут.

Я признал силовые МОП транзисторы фирм IR и STMicroelectronics.

STM также делает на сегодняшний день лучшие микроконтроллеры.

Всю необходимую информацию о MOSFET (МОП) транзисторах можно посмотреть по этим ссылкам.

С ув. Белецкий А. И. 06.07.2014г. Кубань Краснодар.

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром — Интернет-журнал «Электрон» Выпуск №5

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

IRF840 MOSFET Техническое описание, распиновка, характеристики и аналоги

IRF840 N-Channel Power Mosfet

Распиновка IRF840

нажмите на картинку для увеличения

Конфигурация контактов

Номер контакта	Штифт Название	Описание
1	Источник	Ток протекает через Источник (максимум 8 А)
2	Ворота	Управляет смещением полевого МОП-транзистора (пороговое напряжение 10 В)
3	Слив	Ток протекает через сток

Характеристики

· N-канальный силовой полевой МОП-транзистор

· Непрерывный ток утечки (ID): 8A

· Пороговое напряжение затвора (ВГС-ое) 10В (предел = ± 20В)

· Напряжение пробоя сток-исток: 500 В

· Сопротивление истока слива (RDS) равно 0.85 Ом

· Время нарастания и спада 23 нс и 20 нс

· Доступен в упаковке К-220

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных IRF840 по ссылке внизу страницы

Альтернативы IRF840

8N50, FTK480, KF12N50

Другой N-канал МОП-транзисторы

IRF740, BSS138, IRF520, 2N7002, BS170, BSS123, IRF3205, IRF1010E

О IRF840

IRF840 — это N-канальный силовой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 500 В.Mosfet может переключать нагрузки, потребляющие до 8 А, он может включаться, обеспечивая пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. Поскольку МОП-транзистор предназначен для коммутации сильноточных высоковольтных нагрузок, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому его нельзя использовать напрямую с выводом ввода-вывода ЦП. Если вы предпочитаете МОП-транзистор с низким напряжением затвора, попробуйте IRF540N или 2N7002 и т. Д.

Одним из существенных недостатков Mosfet IRF840 является его высокое значение сопротивления в открытом состоянии (RDS), которое составляет около 0.85 Ом. Следовательно, этот МОП-транзистор не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Mosfet требует, чтобы схема драйвера обеспечивала 10 В на выводе затвора этого Mosfet. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора. Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока в постоянный.

Приложения

Коммутационные аппараты большой мощности
Инверторные схемы
Преобразователи постоянного тока в постоянный
Регулировка скорости двигателей
Светодиодные диммеры или мигалки
Высокоскоростные коммутационные приложения

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных IRF840 будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Техническое описание

IRF840 — N-канал 500 В — 0,75 Ом — 8A

BAV99-7 : Двойной переключающий диод поверхностного монтажа. ДВОЙНОЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ДИОД Быстрая скорость переключения Комплект для поверхностного монтажа идеально подходит для автоматической вставки для коммутации общего назначения Корпус с высокой проводимостью: SOT-23, литой пластиковый материал корпуса — классификация горючести UL 94V-0 Чувствительность к влаге: уровень 1 согласно J-STD -020A Клеммы: под пайку в соответствии с MIL-STD-202, метод.

КРА107С : БРЦ. = Встроенный резистор смещения ;; Пакет = СОТ-23.

MMBT2369A : переключающий транзистор NPN. Это устройство предназначено для высокоскоростного переключения в насыщенном состоянии при токах коллектора до 100 мА. Получено из процесса 21. VCEO VCBO VEBO IC TJ, Tstg Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Напряжение коллектора — постоянный * Эти номинальные значения являются предельными значениями, выше которых может быть нарушена работоспособность любого полупроводникового устройства.

NE552R479A : GaAS. 3,0 В, 0,25 Вт, маломощный кремниевый LD-MOSFET диапазон средней мощности (262). L & S-BAND NE552R479A NEC 0,25 Вт СРЕДНИЙ МОЩНЫЙ КРЕМНИЙ LD-MOSFET НИЗКИЙ ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ ДЛЯ МОНТАЖА НА ПОВЕРХНОСТИ ВЫСОКАЯ ВЫХОДНАЯ МОЩНОСТЬ: +26 дБм при VDS 3,0 В ВЫСОКОЕ ЛИНЕЙНОЕ УСИЛЕНИЕ: 11 дБ ТИП @ 2,45 ГГц ОДИНАРНОЕ ПИТАНИЕ: 5,7×5,7×1,1 мм MAX NEC — это N-канальные кремниевые полевые МОП-транзисторы с боковым рассеиванием мощности, специально разработанные для передачи мощности.

PH0104-85 : 30-400 МГц, 85 Вт, силовой транзистор CW.Конфигурация кремниевого силового транзистора NPN с общим эмиттером Класс AB Широкополосная работа Балластные резисторы с рассеянным эмиттером на выходе PEP мощностью 85 Вт Система золотой металлизации проверена на тысячах бортовых радиостанций ARC-182 Напряжение коллектор-эмиттер эмиттер-база I Ток коллектора Рассеиваемая мощность Переход Температура хранения Температура Тепловое сопротивление.

SF151 : Выпрямитель с программным быстрым восстановлением 1.5a.

050027R5AJZC : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, БП, 0.0000075 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 7,50E-6 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион / ° C; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

BSI058 : РЕЗИСТОР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 1 Вт, 0,5; 5%, 100 ppm, 0,1 — 2000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Рабочее напряжение постоянного тока: 50 вольт; Рабочая температура: от -55 до 275 C (от -67 до 527 F).

CGH55015F1 : ДИАПАЗОН C, GaN, N-КАНАЛ, ВЧ МОЩНОСТЬ, HEMFET. s: Полярность: N-канал; Тип упаковки: ПАКЕТ, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS-2; Количество блоков в ИС: 1.

DSPE0844 : КОНДЕНСАТОР, ТАНТАЛ, ТВЕРДЫЙ. собраны параллельно Поляризованные типы — Высокая пульсация тока Рабочая температура Влажность Диапазон емкости Допуск Диапазон напряжения + 85C + 125C Максимум + 85C + 125C см. таблицу = lim 20C = lim 20C Максимальное сопротивление -55C (100 Гц) см. таблицу Максимальный ток утечки см. таблицу см. таблицу = lim + 85C Максимальный ток пульсаций (40 кГц) + 20C, см. таблицу Максимум.

ER1B10K : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 0,25 Вт, 0,1%, 25 ppm, 10000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Диапазон сопротивления: 10000 Ом; Допуск: 0,1000 +/-%; Температурный коэффициент: 25 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,2500 Вт (3,35E-4.

KW102J2 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, NTC, 1000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы; Диапазон сопротивления: 1000 Ом; Номинальная мощность: 0.0300 Вт (4.02E-5 л.с.); Рабочая температура: от -80 до 135 C (от -112 до 275 F).

NEDR106N2.7V10X35F : КОНДЕНСАТОР, ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ, 2,7 В, 10000000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Технология: ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ; Приложения: общего назначения; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1.00E7 мкФ; Допуск емкости: 30 (+/-%); WVDC: 2,7 вольт; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

SHD248201 : 6.7 А, 60 В, 0,15 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 60 вольт; rDS (вкл.): 0,1500 Ом; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ УПЛОТНЕНИЕ, LCC-18; Количество блоков в ИС: 1.

SI-40030 : ТРАНСФОРМАТОР DATACOM ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

SZ-10N27 : КРЕМНИЙ 27 В, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ.

TE085120 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ. s: Диэлектрик: керамический состав; Тип установки: КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ.

223858815504 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, X7R, 0,000039 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0201. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 3.90Е-5 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Тип установки:.

2х4 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 0,125 Вт, 1; 2%, 100 ppm, 1 Ом — 1000000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Рабочее напряжение постоянного тока: 200 вольт; Рабочая температура: от -55 до 70 C (от -67 до 158 F).

33985 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 25 В, 820 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; : Поляризованный; Диапазон емкости: 820 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 25 вольт; Ток утечки: 615 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 105 C (от -67 до 221 F).

Реализация модели полевого МОП-транзистора — Simulink

Описание

Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор) представляет собой полупроводниковое устройство. управляется стробирующим сигналом (g> 0). Устройство MOSFET подключается параллельно с внутренний диод, который включается, когда устройство MOSFET смещено в обратном направлении (Vds <0) и нет затвора сигнал подается (g = 0).Модель моделируется идеальным переключателем, управляемым логическим сигнал (g> 0 или g = 0) с диодом, включенным параллельно.

Устройство MOSFET включается, когда на входе затвора подается положительный сигнал (g> 0) положительное или отрицательное напряжение сток-исток. Если на воротах нет сигнала вход (g = 0), только внутренний диод проводит, когда напряжение превышает его прямое напряжение Vf.

При протекании через устройство положительного или отрицательного тока полевой МОП-транзистор отключается, когда вход ворот становится 0.Если ток I отрицательный и течет во внутреннем диоде (нет сигнал затвора или g = 0), переключатель выключается, когда ток I становится равным 0.

Напряжение в открытом состоянии Vds изменяется:

Индуктивность диода Lon доступна только для модели с непрерывным режимом работы. Для большинства приложений, Lon следует установить равным нулю как для непрерывных, так и для дискретных моделей.

Блок MOSFET также содержит демпфирующую схему серии Rs-CS, которая может быть подключена в параллельно с полевым МОП-транзистором (между узлами d и s).

Допущения и ограничения

Блок MOSFET реализует макромодель реального устройства MOSFET. Не принимает во внимание учитывать либо геометрию устройства, либо сложные физические процессы [1].

В зависимости от значения индуктивности Lon полевой МОП-транзистор моделируется либо как ток источник (Lon> 0) или как схема с переменной топологией (Lon = 0). Блок MOSFET не может быть соединены последовательно с индуктором, источником тока или разомкнутой цепью, если его демпфер цепь используется.

Индуктивность Lon принудительно устанавливается на 0, если вы выбираете дискретизацию своей схемы.

irf840 mosfet — купить irf840 mosfet с бесплатной доставкой на AliExpress

Отличные новости !!! Вы находитесь в нужном месте, в том числе MOSFET-транзистор IRF840. К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально есть тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях.Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.

Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку и надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.

AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене.Каждый день вы найдете новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, поскольку этот топовый МОП-транзистор irf840 в кратчайшие сроки станет одним из самых востребованных бестселлеров. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что приобрели мосфет irf840 на AliExpress. С самыми низкими ценами в Интернете, дешевыми тарифами на доставку и возможностью получения на месте вы можете еще больше сэкономить.

Если вы все еще не уверены в IRF840 mosfet и думаете о выборе аналогичного продукта, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов.Мы поможем вам решить, стоит ли доплачивать за высококлассную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь. И, если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе.Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца. Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг, и предыдущие клиенты часто оставляют комментарии, описывающие свой опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.

А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет. Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, вы сможете приобрести mosfet irf840 по самой выгодной цене.

У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы. На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните самый лучший шоппинг прямо здесь.

транзистор% 20irf840% 20frequency% 20 диапазон данных и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122 Аннотация: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 Транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 Транзистор 2SC5854 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330 Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120

1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для телевизора на ЭЛТ Обратный трансформатор ТВ
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 — транзистор Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП МОП-транзистор 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548, стабилизатор на транзисторе AUDIO Усилитель на транзисторе BC548 на транзисторе 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ПУТЕВОДИТЕЛЬ ПО ТРАНЗИСТОРАМ Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы MOSFET-канальный МОП-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный мощный транзистор Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалентный 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в горизонтальном выводе Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

IRF840 — 库文库

Транзистор PowerMOS

IRF840

Номинальная энергия лавин

ОСОБЕННОСТИ

СИМВОЛ

КРАТКИЕ СВЕДЕНИЯ

• Повторяющиеся лавины Номинальный

• Быстрое переключение

DSS

= 500 В

• Высокая устойчивость к термоциклированию

• Низкое термическое сопротивление

= 8.5 А

DS (ВКЛ)

≤

0,85

Ом

ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ

ШТИФТ

SOT78 (TO220AB)

N-канал,

расширение

режим

ОПИСАНИЕ

полевой эффект

питание

транзистор,

предназначен

для

использовать

автономный

коммутируемый

затвор

режим

000

000 источники питания

000 Т.V.

компьютер

монитор

питание

источники питания,

сток

пост.

до

постоянного тока

преобразователи,

двигатель

управление

контуры

общее

назначение

источник

переключение

приложений.

вкладка

сток

IRF840

поставляются

SOT78

(TO220AB)

обычная

свинцовая

упаковка.

ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

Предельные значения в соответствии с Системой абсолютного максимума (IEC 134)

СИМВОЛ

ПАРАМЕТР

УСЛОВИЯ

МИН.

МАКС.

БЛОК

DSS

Напряжение сток-исток

Тл

Дж

= от 25 ˚C до 150 C

—

500

DGR

Напряжение сток-затвор

= от 25 ˚C до 150 C; R

= 20 кОм

Ом

—

500

Напряжение затвор-исток

—

000 В D

Постоянный ток стока

мб

= 25 ˚C; В

= 10 В

—

8.5

= 100 ˚C; В

= 10 В

—

5,4

Импульсный ток стока

мб

= 25 ˚C

34 —

Полное рассеивание

мб

= 25 ˚C

—

147

, T

stg

Рабочий переход и

— 55

150

˚C

диапазон температур хранения

ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ЭНЕРГИИ ЛАВИНЫ

Предельные значения в соответствии с Системой абсолютного максимума (IEC 134)

СИМВОЛ

ПАРАМЕТР

УСЛОВИЯ

МИН.

МАКС.

УСТАНОВКА

Непериодическая лавина

Незажатая индуктивная нагрузка, I

= 7,4 A;

–

531

мДж

энергия

= 0,22 мс; T

до схода лавины = 25˚C;

≤

50 В; R

= 50

Ом

; В

= 10 В; см.

на рис: 17

Повторяющаяся энергия лавины

= 8.5 А; t

= 2,5

с; T

до

—

мДж

лавина = 25˚C; R

= 50

Ом

; В

= 10 В;

см. Рис: 18

, I

Повторяющиеся и неповторяющиеся

—

8,5

лавинное течение

вкладка

Ширина импульса и частота повторения ограничены T

макс.

март 1999

Ред. 1.000

(PDF) Оценка качества силовых транзисторов для режима коммутации с жестким переключением посредством экспериментального анализа

[4] Б.Дж. Балига, «Показатели качества силовых полупроводниковых устройств для высокочастотных приложений», IEEE Electron Device Lett, том 10, стр. 455-

457, 1989

[5] А. Джонсон, «Физические ограничения на частотные и мощностные параметры транзисторов», RCA Review, vol. 26, 1965, стр.163 — 177.

[6] И. Ким; С. Мацумото, Т. Сакаи и Т. Ячи, «Показатель качества нового силового устройства для высокочастотных приложений», Proc. Power

Semiconductor Devices and ICs, 1995, pp. 309-314.

[7] Джесс Браун, Гай Мокси, «Основы силовых полевых МОП-транзисторов: понимание характеристик полевых МОП-транзисторов, связанных с показателем достоинств»,

Vishay Siliconix, 8 сентября 2003 г.

[8] Йохан Стридом, «eGaN ™ — Silicon Power Shoot-Out: Часть 1, сравнивающая показатель заслуг (FOM)», 1.сентябрь 2010 г.

[9] Михал Фривальдский, «Topologicka optimizácia LLC Meniča», Жилинский университет, 2013 г.

[10] Фривальдски, М., Дргожа, П., Шпаник, П .: Экспериментальный анализ и оптимизация основных параметров режима ZVS и его применение в предлагаемом преобразователе LLC

, предназначенном для применения в распределенных энергосистемах, В: Электроэнергетические и энергетические системы. — ISSN 0142-

0615. — Том. 47. s.448 — 456

[11] Frivaldský, M., Drgoňa, P., Špánik, P.: Оптимизация процесса жесткого переключения для выбранного транзистора, подходящего для работы с высокой мощностью и высокой частотой

, В: Энергетический журнал. — ISSN 1934-8975. — Т. 4, No. 12

[12] Шпаник, П., Фривальдски, М., Дргожа, П., Кандрач, Дж .: Повышение эффективности импульсного источника питания за счет оптимизации режима коммутации транзистора

, В: Электроника и электротехника = Электроника и электротехника. — ISSN 1392-1215.- № 9

(105) (2010), с. 49-52.

[13] Kindl, V .; Кавалир, Т .; Печанек, Р .; Скала, Б .; Собра, Дж., «Ключевые конструктивные аспекты резонансной беспроводной системы передачи малой мощности

», ELEKTRO, 2014, том, №, стр. 303,306, 19-20 мая 2014 г.

[14] Брандштеттер, П., Хлебис , П., Палацкий, П .: Применение сети RBF для адаптации постоянной времени ротора, В кн .: Elektronika IR

elektrotechnika, Выпуск 7, стр.21-26, 2011.

[15] Грман, Л., Граско, М., Кучта, Дж .: Однофазный выпрямитель с ШИМ в тяговых приложениях, В: Журнал электротехники —

elektrotechnicky casopis, Том: 62, Выпуск: 4, стр. 206 — 212, август 2011 г.

[16] Феркова, З., Франка, М., Кучта, Дж .: Электромагнитная конструкция синхронного линейного двигателя с постоянными магнитами без железа, В: Международный симпозиум

по силовой электронике, электроприводам, автоматизации и движение (SPEEDAM), Италия, 11-13 июня 2008 г., стр.721-726.

[17] Ковакова И., Ковач Д .: Индуктивная связь ЭМС силового преобразователя, In: Acta polytechnica hungarica, Vol: 6, Issue: 2, pp.

Основные характеристики и параметры IRF840

Области применения IRF840

Преимущества использования IRF840

Особенности выбора и применения IRF840

Сравнение IRF840 с аналогами

Типовые схемы включения IRF840

Схема с общим истоком

Схема с общим стоком (истоковый повторитель)

Схема с общим затвором

Рекомендации по монтажу и эксплуатации IRF840

IRF840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги

Распиновка

Характеристики

Максимальные

Электрические

Время переключения

Ёмкостные характеристики

Тепловые параметры

Аналог

Маркировка

Управление от микроконтроллера

Схемы включения

Стабилизатор анодного напряжения

Производители

Irf840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги

IRFS840B Datasheet (PDF)

2SK2209-01R MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

2SK2209-01R

2SK2209-01R Datasheet (PDF)

IRF840A MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF840A

IRF840AS Datasheet (PDF)

IRF840APBF Datasheet (PDF)

Транзистор IRF840 полевой N-канальный 500V 8A корпус TO-220

Качество полевой транзистор irf840 для электронных проектов

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы до 40 В

Биполярные транзисторы до 60 В

Биполярные транзисторы до 70 В

Биполярные транзисторы до 80 В

Биполярные транзисторы до 130 В

Биполярные транзисторы до 160 В

Биполярные транзисторы до 200 В

Биполярные транзисторы до 250 В

Биполярные транзисторы до 300 В

Биполярные транзисторы до 400 В

Биполярные транзисторы до 500 В

Биполярные транзисторы до 600 В

Биполярные транзисторы до 700 В

Биполярные транзисторы до 800 В

Биполярные транзисторы до 900 В

Биполярные транзисторы до 1500 В

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Однопереходные транзисторы

Мощные полевые транзисторы

Слабые полевые транзисторы

Была ли статья полезна?

Другие материалы по теме

Ремонт внешних блоков питания ноутбуков и офисной техники, Краснодар, Белецкий А. И.

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром — Интернет-журнал «Электрон» Выпуск №5

Структура полевого MOSFET транзистора.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Проверка встроенного диода

Проверка работы полевого МОП транзистора

IRF840 MOSFET Техническое описание, распиновка, характеристики и аналоги

IRF840 N-Channel Power Mosfet

нажмите на картинку для увеличения

Характеристики

Другой N-канал МОП-транзисторы

IRF840 — N-канал 500 В — 0,75 Ом — 8A

Реализация модели полевого МОП-транзистора — Simulink

Описание

Допущения и ограничения

irf840 mosfet — купить irf840 mosfet с бесплатной доставкой на AliExpress

транзистор% 20irf840% 20frequency% 20 диапазон данных и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П

KIA78 * pI

2SC4793 2sa1837

IRF840 — 库文库