Какие основные параметры имеет полевой транзистор IRFZ44N. Для чего применяется IRFZ44N в электронных схемах. Какие есть аналоги IRFZ44N и чем они отличаются. Как правильно подключать IRFZ44N в цепи.
Основные характеристики транзистора IRFZ44N
IRFZ44N — это N-канальный полевой MOSFET-транзистор, широко применяемый в силовой электронике. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Максимальный постоянный ток стока: 49 А
- Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм
- Максимальная рассеиваемая мощность: 94 Вт
- Максимальная температура перехода: 175°C
- Корпус: TO-220
Какие выводы можно сделать из этих характеристик? IRFZ44N обладает хорошим сочетанием низкого сопротивления открытого канала и высокой токовой нагрузки. Это делает его подходящим для применения в импульсных источниках питания, управления двигателями и других силовых приложениях.
Области применения IRFZ44N
Благодаря своим характеристикам, транзистор IRFZ44N находит применение в следующих областях:
![](/800/600/https/etqan.sa/wp-content/uploads/2018/06/IRFZ44N-transistor_.png)
- Импульсные источники питания
- Управление электродвигателями
- Автомобильная электроника
- Силовые ключи и коммутаторы
- Инверторы
- Зарядные устройства
Чем обусловлена такая универсальность IRFZ44N? Низкое сопротивление открытого канала обеспечивает малые потери при коммутации больших токов. А достаточно высокое допустимое напряжение позволяет использовать его в широком спектре силовых приложений.
Особенности подключения IRFZ44N
При использовании IRFZ44N важно учитывать некоторые нюансы подключения:
- Для полного открытия канала напряжение на затворе должно быть не менее 10 В
- Необходимо обеспечить надежный теплоотвод, особенно при работе с большими токами
- Рекомендуется использовать снабберные цепи для защиты от перенапряжений
- При работе на высоких частотах следует минимизировать паразитные индуктивности в цепи затвора
Как правильно подключить IRFZ44N в типовой схеме? Сток подключается к нагрузке, исток — к общему проводу, а на затвор подается управляющий сигнал через резистор 100-1000 Ом. Параллельно затвору и истоку рекомендуется установить защитный стабилитрон на 15-20 В.
![](/800/600/https/ardu.net/img/cms/radiopart/IRFZ44N-pinout.jpg)
Сравнение IRFZ44N с аналогами
На рынке представлено множество аналогов IRFZ44N. Рассмотрим некоторые из них:
Модель | Uds max, В | Id max, А | Rds on, мОм |
---|---|---|---|
IRFZ44N | 55 | 49 | 17.5 |
IRF3205 | 55 | 110 | 8 |
STP55NF06 | 60 | 55 | 18 |
IRLZ44N | 55 | 47 |
В чем основные отличия этих транзисторов? IRF3205 имеет значительно меньшее сопротивление канала и больший максимальный ток, но более дорогой. STP55NF06 очень близок по параметрам к IRFZ44N. IRLZ44N имеет меньшее пороговое напряжение затвора, что упрощает управление от логических микросхем.
Преимущества и недостатки IRFZ44N
Как и любой электронный компонент, IRFZ44N имеет свои сильные и слабые стороны:
Преимущества:
- Низкое сопротивление открытого канала
- Высокий допустимый ток стока
- Хорошее соотношение цена/качество
- Широкая доступность
Недостатки:
- Относительно высокое пороговое напряжение затвора
- Меньшая скорость переключения по сравнению с современными аналогами
- Чувствительность к статическому электричеству
Стоит ли выбрать IRFZ44N для нового проекта? Несмотря на то, что это не самая современная модель, она по-прежнему остается отличным выбором для многих применений благодаря оптимальному сочетанию характеристик и стоимости.
![](/800/600/https/izhevsk.ru/forums/icons/forum_pictures/003524/3524089.jpg)
Рекомендации по выбору аналогов IRFZ44N
При выборе аналога IRFZ44N следует учитывать несколько ключевых факторов:
- Максимальное напряжение сток-исток (Uds) должно быть не меньше, чем у IRFZ44N
- Максимальный постоянный ток стока (Id) желательно выбирать с запасом
- Сопротивление открытого канала (Rds on) стоит выбирать как можно меньше
- Обратите внимание на пороговое напряжение затвора, если планируется управление от низковольтной логики
- Учитывайте тепловые характеристики и возможности корпуса по отводу тепла
Какие модели можно рекомендовать в качестве современной замены IRFZ44N? Хорошими вариантами являются IPP80N06S4-03, PSMN1R1-30YLC, IRLB8721PBF. Они обладают лучшими характеристиками при сопоставимой цене.
Особенности применения IRFZ44N в импульсных преобразователях
IRFZ44N часто используется в импульсных преобразователях напряжения. При таком применении важно учитывать следующие аспекты:
- Выбор частоты переключения с учетом динамических параметров транзистора
- Расчет потерь на переключение и статических потерь
- Обеспечение быстрого переключения для минимизации потерь
- Защита от перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки
- Организация эффективного охлаждения
Как оптимизировать работу IRFZ44N в импульсном преобразователе? Рекомендуется использовать драйвер затвора для быстрого переключения, применять снабберные цепи для защиты от выбросов напряжения, обеспечить хороший теплоотвод. При работе на частотах выше 100 кГц стоит рассмотреть более современные аналоги с лучшими динамическими характеристиками.
![](/800/600/https/otvet.imgsmail.ru/download/217380671_db1bdf7b793d0201ca5a53e90d8429e2.jpg)
Заключение
IRFZ44N остается популярным выбором для многих применений в силовой электронике благодаря оптимальному сочетанию характеристик и стоимости. Несмотря на появление более совершенных аналогов, этот транзистор по-прежнему находит широкое применение в импульсных источниках питания, управлении двигателями и других силовых схемах.
При выборе IRFZ44N или его аналогов важно тщательно анализировать требования конкретного приложения и учитывать все аспекты применения силовых MOSFET-транзисторов. Правильный выбор компонента и его грамотное использование позволят создать эффективные и надежные электронные устройства.
irfz44n транзистор характеристики, аналоги, DataSheet на русском
Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.
Назначение контактов
Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.
Графическое обозначение
Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.
Распиновка
Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.
Основные характеристики
Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):
- Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
- Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
- Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
- Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт
В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).
Максимальные значения
Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.
Тепловые параметры
Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.
Электрические параметрыПонятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят номинальные электрические характеристики. У IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.
Маркировка
Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.
В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.
В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.
IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.
Аналоги
Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).
С
хема включенияТеперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO2. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее VGS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток ID.
Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений VGS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.
Варианты
примененияПолевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.
Производители
В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя. Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:
Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB
Описание товара Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220ABIRFZ44N – N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET, КМОП), изготовленный по технологии производства качественных силовых транзисторов — HEXFET. Транзистор имеет хорошие технические характеристики и нагрузочную способность, что способствует его широкому распространению в схемотехнике различных силовых промышленных установок. При правильном охлаждении максимальная мощность рассеивания может достигать 94 Вт.
Уточнение — хотя сам полевой транзистор теоретически может выдержать рассеивание вплоть до 94 Вт, сам корпус TO-220 имеет рекомендуемое тепловыделение до 50 Вт.
ПрименениеИдеально подходит для управления мощной нагрузкой с помощью ШИМ (широтно-импульсной модуляции), поскольку из-за малого сопротивления n-канала позволяет пропустить через себя относительно большие токи без существенного нагрева.
Транзистор IRFZ44N применяется в схемах полумостовых и мостовых блоков питания, мощных управляющих ключей, в инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и других преобразователях. Благодаря своим качественным характеристикам заслужил большую популярность как у промышленных производителей оборудования, так и у радиолюбителей в качестве основы для самоделок. Второму варианту способствует и низкая цена детали, а также ее большая распространенность.
IRFZ44N — Параметры полевого транзистора- Тип: N-канальный
- Максимальное напряжение (сток-исток): 55 В
- Максимальное напряжение (затвор-сток): ±20 В
- Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм
- Максимальный ток (T = 25°C, Напряжение затвора = 10 В): 49 А
- Максимальный ток (T = 100°C, Напряжение затвора = 10 В): 35 А
- Импульсный (пусковой) ток: 160 А
- Общий заряд затвора: 63 нК
- Емкость затвора: 1470 пФ
- STP55NF06 — практически идентичный транзистор от другого производителя.
- IRLZ44N — имеет такие же параметры, только приспособлена для работы с логическими уровнями, в частностями с выходами микросхем (о чем свидетельствует буква L (Logic) в названии). Гарантированно открывается от 5 В напряжения на затворе.
- IRFZ46N — немного умощненная модель, если нужен больший запас по мощности.
В конце страницы вы можете просмотреть техническую документацию (datasheet) к полевому транзистору. Даташит хранит в себе полную информацию от производителя обо всех технических параметрах и зависимостях полупроводникового элемента.
В интернет-магазине Electronoff можно купить транзистор IRFZ44N, большое количество аналогов и других компонентов, так же как и паяльное оборудование с комплектующими к нему.
По Киеву мы доставим покупку прямо в день заказа, если товар есть у нас на складе.. Жителей всех остальных городов мы покрываем благодаря работе со многими почтовыми сервисами.
характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог
Аналоги транзистора IRFZ44N
Маркировка | Pol | Struct | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Caps |
2SK1542 | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 45 | 150 | 20 | 1500 | 0.02 | TO220AB | ||
2SK3270-01 | N | MOSFET | 135 | 60 | 30 | 80 | 150 | 0.0065 | TO220AB | ||||
2SK3435 | N | MOSFET | 84 | 60 | 20 | 80 | 150 | 60 | 1200 | 520 | 0.014 | TO220AB | |
AM90N06-15P | N | MOSFET | 300 | 60 | 20 | 1 | 90 | 175 | 49 | 10 | 290 | 0.0105 | TO220AB |
N | MOSFET | 300 | 60 | 20 | 1 | 90 | 175 | 21 | 17 | 184 | 0.0165 | TO220AB | |
AM90N08-08P | N | MOSFET | 300 | 80 | 20 | 1 | 90 | 175 | 58 | 45 | 449 | 0.011 | TO220AB |
AM90N10-14P | N | MOSFET | 300 | 100 | 20 | 1 | 90 | 175 | 60 | 49 | 392 | 0.016 | TO220AB |
AM90N10-23P | N | MOSFET | 300 | 100 | 20 | 1 | 110 | 175 | 30 | 9 | 0.023 | TO220AB | |
AUIRF1010EZ | N | MOSFET | 140 | 60 | 20 | 84 | 58 | 0.0085 | TO220AB | ||||
AUIRF1018E | N | MOSFET | 110 | 60 | 20 | 4 | 79 | 175 | 46 | 0.0084 | TO220AB | ||
AUIRFB3607 | N | MOSFET | 140 | 75 | 80 | 56 | 0.009 | TO220AB | |||||
AUIRFZ48N | N | MOSFET | 94 | 55 | 20 | 4 | 64 | 175 | 42 | 0.014 | TO220AB | ||
AUIRFZ48Z | N | MOSFET | 91 | 55 | 20 | 4 | 61 | 175 | 43 | 0.011 | TO220AB | ||
AUIRL3705Z | N | MOSFET | 130 | 55 | 16 | 3 | 86 | 175 | 40 | 0.008 | TO220AB | ||
BUK7506-55A | N | MOSFET | 300 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.0063 | TO220AB | |||
BUK7507-55B | N | MOSFET | 203 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 53 | 0.0071 | TO220AB | ||
BUK7509-55A | N | MOSFET | 211 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 62 | 0.009 | TO220AB | ||
BUK7509-75A | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.009 | TO220AB | |||
BUK7511-55A | N | MOSFET | 166 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.011 | TO220AB | |||
BUK7511-55B | N | MOSFET | 157 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 37 | 0.011 | TO220AB | ||
BUK7513-75B | N | MOSFET | 157 | 75 | 75 | 40 | 0.013 | TO220AB | |||||
BUK7514-55A | N | MOSFET | 166 | 55 | 20 | 4 | 73 | 175 | 0.014 | TO220AB | |||
BUK7515-100A | N | MOSFET | 300 | 100 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.015 | TO220AB | |||
BUK7516-55A | N | MOSFET | 138 | 55 | 20 | 4 | 65.7 | 175 | 0.016 | TO220AB | |||
BUK7520-100A | N | MOSFET | 200 | 100 | 20 | 4 | 63 | 175 | 0.02 | TO220AB | |||
BUK7520-55A | N | MOSFET | 118 | 55 | 20 | 4 | 54 | 175 | 0.02 | TO220AB | |||
BUK7523-75A | N | MOSFET | 138 | 75 | 20 | 4 | 53 | 175 | 0.023 | TO220AB | |||
BUK9506-55B | N | MOSFET | 258 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 60 | 0.0054 | TO220AB | ||
BUK9508-55B | N | MOSFET | 203 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 45 | 0.007 | TO220AB | ||
BUK9509-75A | N | MOSFET | 230 | 75 | 10 | 2 | 75 | 175 | 0.0085 | TO220AB | |||
BUK9511-55A | N | MOSFET | 166 | 55 | 10 | 2 | 75 | 175 | 0.01 | TO220AB | |||
BUK9512-55B | N | MOSFET | 157 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 31 | 0.01 | TO220AB | ||
BUK9514-55A | N | MOSFET | 149 | 55 | 10 | 2 | 73 | 175 | 0.013 | TO220AB | |||
BUK9515-100A | N | MOSFET | 230 | 100 | 10 | 2 | 75 | 175 | 0.0144 | TO220AB | |||
BUK9516-55A | N | MOSFET | 138 | 55 | 10 | 2 | 66 | 175 | 0.015 | TO220AB | |||
BUK9516-75B | N | MOSFET | 157 | 75 | 15 | 2 | 67 | 175 | 35 | 0.014 | TO220AB | ||
BUK9518-55A | N | MOSFET | 136 | 55 | 15 | 2 | 61 | 175 | 0.016 | TO220AB | |||
BUK9520-100A | N | MOSFET | 200 | 100 | 10 | 2 | 63 | 175 | 0.019 | TO220AB | |||
BUK9520-100B | N | MOSFET | 203 | 100 | 15 | 2 | 63 | 175 | 53.4 | 0.0185 | TO220AB | ||
BUK9520-55A | N | MOSFET | 118 | 55 | 10 | 2 | 54 | 175 | 0.018 | TO220AB | |||
BUK9523-75A | N | MOSFET | 138 | 75 | 10 | 2 | 53 | 175 | 0.022 | TO220AB | |||
BUK9524-55A | N | MOSFET | 105 | 55 | 10 | 2 | 46 | 175 | 0.0217 | TO220AB | |||
CS3205_A8 | N | MOSFET | 230 | 60 | 20 | 120 | 175 | 82 | 750 | 0.008 | TO220AB | ||
CS3205_B8 | N | MOSFET | 230 | 55 | 20 | 110 | 175 | 51 | 903 | 0.0085 | TO220AB | ||
CS3710_B8 | N | MOSFET | 200 | 100 | 20 | 57 | 175 | 30 | 620 | 0.023 | TO220AB | ||
CS4145 | N | MOSFET | 200 | 60 | 20 | 84 | 175 | 75 | 375 | 0.01 | TO220AB | ||
CS75N75_B8H | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 100 | 175 | 57 | 720 | 0.0115 | TO220AB | ||
CSZ44V-1 | N | MOSFET | 150 | 60 | 20 | 55 | 175 | 27 | 280 | 0.01 | TO220AB | ||
FDP10AN06A0 | N | MOSFET | 135 | 60 | 20 | 4 | 75 | 175 | 128 | 340 | 0.0105 | TO220AB | |
FDP13AN06A0 | N | MOSFET | 115 | 60 | 20 | 4 | 62 | 175 | 96 | 260 | 0.0135 | TO220AB | |
FDP14AN06LA0 | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 3 | 67 | 175 | 169 | 270 | 0.0116 | TO220AB | |
FDP20AN06A0 | N | MOSFET | 90 | 60 | 20 | 4 | 45 | 175 | 98 | 185 | 0.02 | TO220AB | |
FDP5500 | N | MOSFET | 375 | 55 | 20 | 4 | 80 | 175 | 34 | 1310 | 0.007 | TO220AB | |
HUF76432P3 | N | MOSFET | 130 | 60 | 16 | 3 | 56 | 175 | 53 | 0.021 | TO220AB | ||
HUF76437P3 | N | MOSFET | 155 | 60 | 16 | 64 | 175 | 0.017 | TO220AB | ||||
HY110N06T | N | MOSFET | 125 | 55 | 20 | 3 | 110 | 175 | 12.июн | 385 | 0.0055 | TO220AB | |
HY75N075T | N | MOSFET | 83.3 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 19.фев | 650 | 0.009 | TO220AB | |
HY80N075T | N | MOSFET | 125 | 75 | 20 | 4 | 80 | 175 | 18.фев | 420 | 0.008 | TO220AB | |
HY80N07T | N | MOSFET | 96.7 | 65 | 20 | 4 | 80 | 175 | 22.июн | 660 | 0.0072 | TO220AB | |
IRF1010EZ | N | MOSFET | 140 | 60 | 20 | 4 | 84 | 175 | 58 | 0.0085 | TO220AB | ||
IRF1018E | N | MOSFET | 110 | 60 | 20 | 79 | 46 | 0.0084 | TO220AB | ||||
IRF4410A | N | MOSFET | 230 | 100 | 20 | 4 | 97 | 175 | 52 | 430 | 0.009 | TO220AB | |
IRFB3607 | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 80 | 56 | 0.009 | TO220AB | ||||
IRFB3607G | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 80 | 56 | 0.009 | TO220AB | ||||
IRFB3607GPBF | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 4 | 80 | 175 | 56 | 110 | 280 | 0.009 | TO220AB |
IRFB3607PBF | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 4 | 80 | 175 | 56 | 110 | 280 | 0.009 | TO220AB |
IRFB4510PBF | N | MOSFET | 140 | 100 | 20 | 4 | 62 | 175 | 58 | 32 | 220 | 0.0135 | TO220AB |
IRFB7545 | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 03.июл | 95 | 175 | 72 | 370 | 0.0059 | TO220AB | |
IRFB7546 | N | MOSFET | 99 | 60 | 20 | 03.июл | 75 | 175 | 51 | 280 | 0.0073 | TO220AB | |
IRFB7740 | N | MOSFET | 143 | 75 | 20 | 03.июл | 87 | 175 | 60 | 370 | 0.0073 | TO220AB | |
IRFB7746 | N | MOSFET | 99 | 75 | 20 | 03.июл | 59 | 175 | 36 | 255 | 0.0106 | TO220AB | |
IRFB7787 | N | MOSFET | 125 | 75 | 20 | 03.июл | 76 | 175 | 48 | 330 | 0.0084 | TO220AB | |
IRFZ44E | N | MOSFET | 110 | 60 | 10 | 4 | 48 | 150 | 40 | 0.023 | TO220AB | ||
IRFZ44N | N | MOSFET | 83 | 55 | 10 | 4 | 41 | 150 | 62 | 0.024 | TO220AB | ||
IRFZ44V | N | MOSFET | 115 | 60 | 20 | 55 | 44.7 | 0.0165 | TO220AB | ||||
IRFZ44VZ | N | MOSFET | 92 | 60 | 20 | 4 | 57 | 175 | 43 | 0.012 | TO220AB | ||
IRFZ46N | N | MOSFET | 88 | 55 | 10 | 46 | 150 | 48 | 0.02 | TO220AB | |||
IRFZ48N | N | MOSFET | 94 | 55 | 10 | 53 | 150 | 54 | 0.016 | TO220AB | |||
IRFZ48Z | N | MOSFET | 91 | 55 | 20 | 4 | 61 | 175 | 43 | 0.011 | TO220AB | ||
IRL3705Z | N | MOSFET | 130 | 55 | 16 | 3 | 86 | 175 | 40 | 0.008 | TO220AB | ||
IRL3705ZPBF | N | MOSFET | 130 | 55 | 16 | 3 | 75 | 175 | 240 | 420 | 0.008 | TO220AB | |
IRLZ44N | N | MOSFET | 83 | 55 | 41 | 150 | 32 | 0.022 | TO220AB | ||||
IRLZ44NPBF | N | MOSFET | 110 | 55 | 16 | 2 | 47 | 175 | 84 | 400 | 0.022 | TO220AB | |
KF50N06P | N | MOSFET | 96 | 60 | 20 | 50 | 150 | 100 | 405 | 0.0142 | TO220AB | ||
KF60N06P | N | MOSFET | 113 | 60 | 20 | 60 | 150 | 75 | 490 | 0.0115 | TO220AB | ||
KF70N06P | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 70 | 150 | 110 | 543 | 0.01 | TO220AB | ||
KF80N08P | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 80 | 175 | 228 | 840 | 0.0085 | TO220AB | ||
KMB050N60P | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 50 | 175 | 100 | 460 | 0.018 | TO220AB | ||
KMB050N60PA | N | MOSFET | 120 | 60 | 25 | 50 | 175 | 100 | 70 | 0.016 | TO220AB | ||
KMB060N60PA | N | MOSFET | 150 | 60 | 25 | 60 | 175 | 220 | 360 | 0.0115 | TO220AB | ||
KMB080N75PA | N | MOSFET | 300 | 75 | 25 | 80 | 175 | 25 | 730 | 0.01 | TO220AB | ||
KU034N08P | N | MOSFET | 192 | 75 | 20 | 170 | 150 | 250 | 1150 | 0.003 | TO220AB | ||
KU045N10P | N | MOSFET | 192 | 100 | 20 | 150 | 150 | 240 | 1000 | 0.0039 | TO220AB | ||
MTE010N10E3 | N | MOSFET | 150 | 100 | 20 | 70 | 175 | 48 | 12 | 250 | 0.0096 | TO220AB | |
MTN1308E3 | N | MOSFET | 230 | 75 | 30 | 80 | 175 | 42 | 200 | 340 | 0.0105 | TO220AB | |
MTN2510E3 | N | MOSFET | 155 | 100 | 30 | 50 | 175 | 67 | 236 | 0.017 | TO220AB | ||
MTN2510LE3 | N | MOSFET | 155 | 100 | 20 | 50 | 175 | 45 | 200 | 224 | 0.022 | TO220AB | |
MTN3205E3 | N | MOSFET | 200 | 55 | 20 | 128 | 175 | 116 | 580 | 0.0039 | TO220AB | ||
MTN50N06E3 | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 50 | 175 | 58 | 364 | 0.019 | TO220AB | ||
PHP110NQ06LT | N | MOSFET | 200 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 123 | 520 | 0.007 | TO220AB | |
PHP110NQ08LT | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 2 | 75 | 175 | 185 | 905 | 0.0085 | TO220AB | |
PHP110NQ08T | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 107 | 840 | 0.009 | TO220AB | |
PHP112N06T | N | MOSFET | 200 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 94 | 720 | 0.008 | TO220AB | |
PHP119NQ06T | N | MOSFET | 200 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 52 | 554 | 0.0071 | TO220AB | |
PHP160NQ08T | N | MOSFET | 300 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 56 | 845 | 0.0056 | TO220AB | |
PHP52N06T | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 4 | 52 | 175 | 74 | 290 | 0.022 | TO220AB | |
PHP54N06T | N | MOSFET | 118 | 55 | 20 | 4 | 54 | 175 | 74 | 290 | 0.02 | TO220AB | |
PHP73N06T | N | MOSFET | 166 | 60 | 20 | 4 | 73 | 175 | 79 | 421 | 0.014 | TO220AB | |
PHP75NQ08T | N | MOSFET | 157 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 36 | 320 | 0.013 | TO220AB | |
PHP79NQ08LT | N | MOSFET | 157 | 75 | 15 | 2 | 73 | 175 | 30 | 0.016 | TO220AB | ||
PSMN012-80PS | N | MOSFET | 148 | 80 | 20 | 4 | 74 | 175 | 43 | 0.011 | TO220AB | ||
PSMN013-100PS | N | MOSFET | 170 | 100 | 20 | 4 | 68 | 175 | 59 | 0.0139 | TO220AB | ||
PSMN015-60PS | N | MOSFET | 86 | 60 | 20 | 4 | 50 | 175 | 20.сен | 0.0148 | TO220AB | ||
PSMN016-100PS | N | MOSFET | 148 | 100 | 20 | 4 | 96 | 175 | 49 | 0.016 | TO220AB | ||
PSMN017-80PS | N | MOSFET | 103 | 80 | 20 | 4 | 50 | 175 | 26 | 0.017 | TO220AB | ||
PSMN7R6-60PS | N | MOSFET | 149 | 60 | 20 | 4 | 92 | 175 | 38.7 | 0.0078 | TO220AB | ||
PSMN8R7-80PS | N | MOSFET | 170 | 80 | 20 | 4 | 90 | 175 | 52 | 0.0087 | TO220AB | ||
RFP50N06LE | N | MOSFET | 142 | 60 | 50 | 150 | 0.022 | TO220AB | |||||
RJK1008DPN | N | MOSFET | 125 | 100 | 80 | 0.0085 | TO220AB | ||||||
RJK1021DPN | N | MOSFET | 100 | 100 | 70 | 0.016 | TO220AB | ||||||
RJK1536DPN | N | MOSFET | 125 | 150 | 50 | 0.024 | TO220AB | ||||||
SQP120N06-06 | N | MOSFET | 175 | 60 | 20 | 03.май | 119 | 175 | 14 | 708 | 0.006 | TO220AB | |
SQP120N10-09 | N | MOSFET | 375 | 100 | 20 | 03.май | 120 | 175 | 24 | 635 | 0.0095 | TO220AB | |
SQP60N06-15 | N | MOSFET | 107 | 60 | 20 | 03.май | 56 | 175 | 12 | 314 | 0.015 | TO220AB | |
STK5006P | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 50 | 150 | 105 | 445 | 0.022 | TO220AB | ||
STK7006P | N | MOSFET | 147 | 60 | 20 | 70 | 175 | 43 | 200 | 722 | 0.016 | TO220AB |
IRFZ44N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики
Наименование прибора: IRFZ44N
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
- Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
- Тип корпуса: TO220AB
Автор: Редакция сайта
IRFZ44N to-220 | Полевые транзисторы
Код товара : | M-127-2043 |
---|---|
Обновление: | 2020-11-15 |
Тип корпуса : | TO-220 |
Дополнительная информация:
Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRFZ44N to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.
Что еще купить вместе с IRFZ44N to-220 ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.
Код | Наименование | Краткое описание | Розн. цена |
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара | |||
2043 | IRFZ44N to-220 | Транзисторы IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF) — Power MOSFET, N-Channel, 55V, 41A, TO-220 | 19 pyб. |
1732 | Термоусадочная трубка, черная, 3 мм | Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 3.0 мм, цвет черный | 11 pyб. |
58 | FQPF4N60C to-220fp | Транзистор FQPF4N60C (FQPF4N60) — Power MOSFET N-Channel 4A, 600V, TO-220 | 18 pyб. |
224 | PC817C dip-4 | Оптроны PC817 (аналог PS817C, PS817, PC817, EL817, CD817) — 5кВ 35В 0.05A, DIP4 | 6.3 pyб. |
5469 | IRF3205 to-220 | Транзисторы IRF3205 (полный номер IRF3205PBF) — Power MOSFET, N-Channel, 110A, 55V, TO-220 | 32 pyб. |
282 | TL431A to-92 | Микросхемы TL431 (TL431A) — Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-92 | 3.2 pyб. |
1929 | NE555P dip-8 | Микросхемы NE555P — PRECISION TIMER IC, DIP-8 | 4.3 pyб. |
1242 | Конденсатор 2200pF 2kV | Высоковольтные керамические конденсаторы 2200pF 2000V, дисковый, Y5V, диаметр 6mm | 1.5 pyб. |
2645 | Жало паяльника 900M-T-4C | Сменные наконечники (жала) HAKKO 900M-T-4C серии 900M для использования в паяльных станциях типа HAKKO-936, и других видах паяльников, где нагревательный элемент находится внутри жала | 38 pyб. |
568 | FQPF6N60C | Транзистор FQPF6N60 (FQPF6N60C, 6N60) — Power MOSFET Transistor, N-Channel, 600V, 6A, TO-220FP | 25 pyб. |
Аналоги для irfz44n — Аналоги
IRFZ44N 2SK1879Ближайший аналог
IRFZ44N 2SK2385Функциональный аналог
IRFZ44N 2SK2494-01Функциональный аналог
IRFZ44N 2SK905Ближайший аналог
IRFZ44N BUK7524-55Функциональный аналог
IRFZ44N BUK7528-55Функциональный аналог
IRFZ44N BUZ102Ближайший аналог
IRFZ44N BUZ102SБлижайший аналог
IRFZ44N HUF75229P3Ближайший аналог
IRFZ44N HUF75229P3Ближайший аналог
IRFZ44N HUF75321P3Функциональный аналог
IRFZ44N HUF75321P3Функциональный аналог
IRFZ44N HUF75329P3Полный аналог
IRFZ44N HUF75329P3Полный аналог
IRFZ44N IRFZ40Ближайший аналог
IRFZ44N IRFZ44AФункциональный аналог
IRFZ44N MTP50N06VФункциональный аналог
IRFZ44N SFP35N06Функциональный аналог
IRFZ44N STP45NE06Функциональный аналог
IRFZ44N STP45NF06Ближайший аналог
IRFZ44N STP50N06Ближайший аналог
IRFZ44N STP55N06Функциональный аналог
IRFZ44N STP55NE06Функциональный аналог
IRFZ44N STP55NF06Ближайший аналог
IRFZ44N STP55NF06Ближайший аналог
IRFZ44NL 2SK2376Ближайший аналог
IRFZ44NL HUF75321S3Функциональный аналог
IRFZ44NL HUF75321S3Функциональный аналог
IRFZ44NL HUF75329S3Полный аналог
IRFZ44NL HUF75329S3Полный аналог
IRFZ44NL IRFIZ44AФункциональный аналог
IRFZ44NL SFI35N06Функциональный аналог
IRFZ44NS 2SK1720Ближайший аналог
IRFZ44NS 2SK2376Ближайший аналог
IRFZ44NS 2SK3051Ближайший аналог
IRFZ44NS BUK7624-55Функциональный аналог
IRFZ44NS BUK7628-55Функциональный аналог
IRFZ44NS HUF75321S3SФункциональный аналог
IRFZ44NS HUF75321S3SФункциональный аналог
IRFZ44NS HUF75329S3SПолный аналог
IRFZ44NS HUF75329S3SПолный аналог
IRFZ44NS IRFWZ44AФункциональный аналог
IRFZ44NS MTB50N06VФункциональный аналог
IRFZ44NS MTB52N06VФункциональный аналог
IRFZ44NS SFW35N06Функциональный аналог
IRFZ44NS STB55NE06Функциональный аналог
IRFZ44NS STB55NF06T4Ближайший аналог
На что обратить внимание в техническом описании при выборе полевого МОП-транзистора?
12V и 6A — хорошая отправная точка. Это говорит мне о том, что вам нужен Mosfet с максимальным напряжением сток-исток, превышающим 12 В, поэтому 20 В будет минимальным критерием для этого.
Вы хотите переключить 6А, и вы захотите сделать это с минимальным падением напряжения — точно так же, как контакт реле, поэтому вы ищете Rds (включено) ниже (скажем) 0,1 Ом. Это означает, что при 6 А у него будет развиться небольшое напряжение на устройстве 0,6 В (закон Ома).
Однако это приведет к рассеянию мощности 6 x 6 x 0,1 Вт = 3,6 Вт, поэтому, если вы ищете устройство для поверхностного монтажа, вы бы предпочли более низкое рассеивание, возможно, не более 0,5 Вт.
Это означает, что Rds (вкл) будет больше похоже на 0,014 Ом.
Пока что вашему приложению необходим транзистор на 20 В, способный переключать 6 А с сопротивлением включения не более 0,014 Ом.
Vgs «как» напряжение катушки на реле — это то, сколько напряжения вам нужно подать на катушку, чтобы переключить НО для полевого транзистора, это линейная вещь, и, если вы не подадите достаточно напряжения, Mosfet будет не включайте должным образом — его сопротивление при включении будет слишком высоким, оно будет нагреваться под нагрузкой и будет иметь напряжение в два или два, когда вы хотите хорошее низкое сопротивление.
Затем вам нужно проверить детали спецификации, чтобы увидеть, сколько вам нужно подать, чтобы гарантировать низкое сопротивление, которое вы хотите. Чуть подробнее об этом ниже.
IRFZ44N имеет на первой странице паспорта: —
Vdss = 55 В, Rds (вкл) = 17,5 мОм и Id = 49А
Это не устройство поверхностного монтажа, поэтому немного больше выделяемого тепла не будет иметь большого значения (с радиатором), поэтому оно будет делать то, что вы хотите, но я бы исследовал устройство с меньшим Vds (скажем, 20 В) и вы, вероятно, найдете один с сопротивлением менее 10 мОм.
Если вы посмотрите на электрические характеристики на странице 2, то увидите, что для сопротивления 17,5 мОм требуется напряжение привода 10 В на затворе (3-я строка в таблице ниже). Меньше, чем этот уровень привода и сопротивление при включении возрастает, как если бы выделялось тепло.
На данный момент я больше не могу решать за вас, но я думаю, что вы, возможно, ищете устройство, которое будет работать на логических уровнях. В этом случае IRFZ44N не будет делать.
STB36NF06L немного выше , с сопротивлением , но спецификация делает предполагает , что это будет работать с 5V приводом на воротах — см электрических характеристик (ON) , но я бы до сих пор соблазн найти тот , который больше подходит.
Я бы соблазнился этим . Ph3520U — это устройство на 20 В, 100 А, 2,7 мОм, когда напряжение затвора составляет 4,5 В. Если ваши логические уровни 3V3, проверьте рисунок 9, чтобы убедиться, что он будет хорошо работать при 3V3.
Еще одна мысль о вещах: вы хотите ШИМ нагрузки, и если частота высокая, вы обнаружите, что емкость затвора потребляет некоторый ток возбуждения в затвор, чтобы он быстро двигался вверх и вниз. Иногда лучше поменять сопротивление, чтобы найти устройство с меньшей емкостью Vgs. Вы увлекаетесь торговлей лошадьми. Сохраняйте как можно более низкую частоту переключения, и она должна нормально работать от логического контакта 5 В.
ТРАНЗИСТОР полевого эффекта IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Mosfet
Pacakge | Упаковка | Размер (см) | Масса нетто (кг) | Вес брутто (кг) |
К-220 | 1000 шт./кор. | 56*14*4 | 2,68 | 2,8 |
5000 шт/картонная коробка | 57*23,5*16,5 | 13,4 | 14,5 |
Описание продукта:
Инвестируя значительные средства в НИОКР, мы постоянно расширяем наше портфолио с помощью современных решений MOSFET для малого сигнала и мощности. Наш обширный портфель предлагает гибкость, необходимую Вам на современном рынке, так что вы можете легко выбрать наиболее подходящий для ваших систем. Наши ведущие на рынке технологии обеспечивают высокую надежность и производительность, а передовые пакеты усиливают сопротивление и тепловые свойства, уменьшая при этом размер и стоимость.
ВОКНам Mosfet приложений
Электроусилителя руля
Управление двигателем
Встроенный генератор стартера
Система управления коробки передач
Автомобильное освещение
Торможения (АБС-пластик)
Климат-контроля
Модули защиты для литиевых батарей
Управление питанием портативных цифровых продуктов, таких как мобильные телефоны и планшеты
Источник питания для потребительских электронных продуктов, таких как LED TV
Контроллер электрического транспортного средства
Источник питания, инвертор и различные источники питания
Светодиодное освещение
Ключевые особенности и преимущества:
Основные характеристики и преимущества
N-channel и P-channel
Низкий RDSon до 205
ID до 2,28 А
Привод низкого напряжения (VGS(th) = 0,65 в [typ])
Диапазон напряжения от 20 В до 60 в
Защита от ЭСР более 3 кв
1,0 мм x 0,6 мм след
Рассеивание мощности (Ptot) 360 МВт
Низкий FOM(Rdson * Qg)
Высокая лавинная энергия, 100% пройти EAS тестирование
Низкий Qrr, низкий Irm
Высокая ESD способность
Повторяемость и консистенция электрических параметров
Информация о компании
Мы единственная компания, которая фокусирует 100% своих усилий на создании и поставке устройств мирового класса discretes, logic и MOSFET
Wuxi Yaren Technology Co., Ltd является специализированным китайским лидером в производстве дискретов, логики и МОП, включая Schottky, SCR, трехклеммный регулятор напряжения. В начале 2012 года мы стали независимыми. Ориентируясь на эффективность, Yaren производит стабильно надежные полупроводниковые компоненты с большим объемом: около 5-10 млрд в год. И лидирующие в отрасли небольшие упаковки, произведенные на наших собственных производственных мощностях, сочетают мощность и тепловую эффективность с лучшим в своем классе уровнем качества.
Вопросы и ответы
Почему я должен выбать именноYaren?
1. Мы являемсяAlibaba оцененный золотой поставщик.
2.У нас естьЛучший контроль качества, Самое лучшее обслуживаниеИКонкурентоспособная цена.
3.100% контроль качестваПеред отправкой.
4 100% новый и оригинальный.
Какова цена?
1. Все ценыФранко-борт Шанхай цена
2. Цена некоторых частей нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь связаться с нами дляПоследняяИЛучшаяЦена.
Какой метод оплаты?
1.Банковский перевод (банковский проводной), PayPal, Western Union, Escrow.
2. Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
3. Если вы предпочитаете другие условия оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нами.
Какой возврат и замена?
Если есть какие-либо проблемы с качеством, пожалуйста, убедитесь, что все эти товары должны быть возвращены в их первоначальном состоянииЧтобы получить право на возврат или замену. (Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).
Похожие товары
Высококачественный TRANS PNP 140V 20A TO3 MJ15004G
Хорошее качество, Транзисторы NPN 140 в 16 А TO-3 2N3773
Транзистор высокого качества TO-3P 2SK1058
Светодиодный светоизлучающий диод 1206 SMD красный
МОП-транзистор N-CH 1200 в 42A TO-247-3 CMF20120D
Заводская распродажа, бесплатный образец, круглые красные, зеленые, синие, желтые светодиодные светоизлучающие диоды, индивидуальный цвет
4 шпильки общий анод светодиод RGB 3 мм 5 мм 8 мм 10 мм
Рекламная продукция, сделано в Китае, супер яркая овальная лампа, Rgb, белая, 10 мм Светодиодная лампа
IRFZ44N Распиновка, эквивалент, функции, использование и другая информация
В этом посте мы собираемся обсудить широко используемую распиновку IRFZ44N, эквиваленты, функции, использование и другую информацию о том, где и как использовать этот MOSFET-транзистор в ваших приложениях.
Характеристики/технические характеристики:
- Тип упаковки: ТО-220
- Тип транзистора: Канал N
- Максимальное напряжение от стока к источнику: 55 В
- Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
- Максимальный постоянный ток утечки: 49A
- Максимальный импульсный ток стока: 160 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 94 Вт
- Минимальное напряжение, необходимое для проведения: 2–4 В
- Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +170 градусов по Цельсию
Замена и аналог:
ИРФЗ46Н, СТП55Н06, 2СК2376, БУК456-60Х, СТП50Н06, 2СК2312, 2СК2376, БУЗ 102С, ИРФ1010А
IRFZ44N MOSFET Объяснение / Описание:
IRFZ44N — это широко используемый MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в различных приложениях общего назначения.Транзистор обладает способностью к быстрому переключению, что делает его идеальным для использования в приложениях, где критически важным требованием является высокая скорость переключения. Транзистор способен управлять нагрузкой до 49 А, а максимальное напряжение нагрузки может составлять 55 В. Однако пиковый импульсный ток может достигать 160 А. Минимальное пороговое напряжение, необходимое для того, чтобы этот транзистор полностью открылся, составляет от 2 до 4 В. Этот транзистор также можно использовать в качестве аудиоусилителя или в каскадах аудиоусилителя; он способен обеспечить максимальную аудиовыходную мощность 94 Вт.
Где мы можем его использовать и как использовать:
IRFZ44N можно использовать в различных приложениях, например, если вам требуется быстрое переключение между двумя входами, как в ИБП, когда вы хотите немедленно и без задержки переключить входную мощность на резервное питание от батареи. Кроме того, он также может использоваться в различных источниках питания и приложениях для управления батареями. Кроме того, этот транзистор также можно использовать на выходе интегральных схем, микроконтроллеров и электронных платформ, таких как Arduino и Raspberry Pi и т. д.для привода нагрузки до 49А. С другой стороны, его также можно использовать для создания различных усилителей звука высокой мощности.
Приложения:
Зарядные устройства
Системы управления батареями
Зарядные устройства и приложения для солнечных батарей
Приложения с быстрым переключением
Источники бесперебойного питания
Цепи привода двигателя
Солнечные источники бесперебойного питания
Как безопасно долго бегать по кругу:
Чтобы обеспечить долгосрочную работу с IRFZ44N, рекомендуется не использовать этот транзистор на его максимальных номиналах.Использование любых компонентов с максимальным номиналом может вызвать нагрузку на компонент и может повредить или ослабить его внутреннюю схему, что приведет к снижению производительности. Мы всегда рекомендуем использовать любой компонент хотя бы на 20% ниже максимальной мощности или технических характеристик. То же правило будет применяться для IRFZ44N. Максимальный ток стока составляет 49 ампер, поэтому не подключайте нагрузку более 39 ампер. Максимальное напряжение нагрузки составляет 55 В, и в целях безопасности не подключайте нагрузку более 44 В. Напряжение между затвором и источником должно быть ниже ±20 В, и всегда храните или используйте транзистор при температуре выше -55°С и ниже +175°С.
Технический паспорт:
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRFZ44N_InternationalRectifier.pdf
IRFZ44N Техническое описание, разводка выводов, характеристики, эквиваленты и приложения
Всем привет! Я надеюсь, что у вас все будет в порядке и вы весело проведете время. Сегодня я собираюсь предоставить вам подробное введение в IRFZ44N.
IRFZ44N принадлежит к семейству полевых транзисторов на основе оксидов металлов (MOSFET).Это силовой МОП-транзистор. Существует два типа МОП-транзисторов: N-канальные и P-канальные. IRF-Z44N принадлежит к семейству N-канальных. Он использует технологию « Trench » и имеет пластиковую структуру. Он имеет очень низкое сопротивление по состоянию. Он имеет стабилитрон, который обеспечивает защиту от электростатических разрядов до 2 киловольт. Это недорогое устройство, обеспечивающее более высокую эффективность. В наши дни он легко доступен на рынке и в основном известен благодаря своим обширным применениям. IRF-Z44N имеет современные функции, т.е.е. передовая технология обработки, сверхнизкое сопротивление, динамический рейтинг, полная лавинная защита, быстрый процесс переключения и многое другое. Он имеет широкий спектр реальных приложений, включая полный мост, двухтактные приложения, потребительский полный мост и многое другое. Давайте обсудим это подробно:
Знакомство с IRFZ44N
- IRFZ44N принадлежит к семейству N-канальных мощных МОП-транзисторов, покрытых пластиковым корпусом и использует технологию «Trench» .
- Подобно другим транзисторам, IRFZ44N с распиновкой имеет три вывода, названные Gate, Drain и Source. Они обозначаются буквами G, D и S соответственно.
- Его особенности включают в себя очень низкое сопротивление в открытом состоянии, высокоскоростную технологию обработки, полную защиту от лавин и т. д.
- Двухтактные системы и полный мост — это лишь немногие из его реальных применений.
- Вам также следует взглянуть на его кривые характеристик в Proteus ISIS.
- IRF-Z44N показан на рисунке справа.
IRFZ44N Распиновка
- Распиновку любого устройства можно понять по схеме распиновки. Распиновка
- IRFZ44N состоит из трех (3) контактов, имеющих разные функции.
- IRFZ44N Pawout вместе со своими символами показаны следующим образом:
PIN № | PIN-код | ||
---|---|---|---|
1 | Gate | г | |
2 | Drint | D | D |
3 | Источник | S | S | 9024 9005