Какие основные характеристики имеет полевой транзистор КП303. Как правильно подключать КП303 в схемах. Какие существуют отечественные и импортные аналоги КП303. Где применяется транзистор КП303 в радиоэлектронике.
Основные характеристики полевого транзистора КП303
Транзистор КП303 относится к семейству полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и каналом n-типа. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Структура: полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- Тип канала: n-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
- Максимальный ток стока: 10 мА
- Крутизна характеристики: 2-4 мА/В
- Входная емкость: не более 4 пФ
- Выходная емкость: не более 2 пФ
- Корпус: металлический TO-18
КП303 отличается низким уровнем собственных шумов, что делает его подходящим для применения во входных каскадах усилителей.
Особенности подключения транзистора КП303 в схемах
При использовании КП303 в электронных схемах важно учитывать следующие моменты:
- Сток подключается к положительному полюсу источника питания через нагрузку
- Исток обычно соединяется с общим проводом схемы
- На затвор подается управляющее напряжение отрицательной полярности относительно истока
- Рекомендуется использовать защитный резистор в цепи затвора номиналом 100-470 кОм
- Для стабилизации режима по постоянному току между истоком и общим проводом включают резистор 100-470 Ом
Корпус транзистора обычно соединяют с общим проводом схемы для экранирования.
Применение транзистора КП303 в радиоэлектронных устройствах
Благодаря своим характеристикам, КП303 нашел широкое применение в различных радиоэлектронных схемах:
- Входные каскады малошумящих усилителей звуковой частоты
- Усилители промежуточной частоты в радиоприемниках
- Генераторы с кварцевой стабилизацией частоты
- Преобразователи напряжения в частоту
- Схемы выборки-хранения аналоговых сигналов
- Аналоговые ключи и коммутаторы сигналов
- Управляемые аттенюаторы
КП303 особенно эффективен в схемах, где требуется высокое входное сопротивление и низкий уровень шумов.
Отечественные аналоги транзистора КП303
В отечественной полупроводниковой промышленности выпускались следующие транзисторы, близкие по характеристикам к КП303:
- КП301 — отличается несколько меньшим максимальным током стока
- КП302 — имеет схожие параметры, но выпускается в пластмассовом корпусе
- КП307 — обладает более высокой крутизной характеристики
- КП312 — отличается повышенным максимальным напряжением сток-исток
При замене КП303 на аналог важно учитывать не только электрические параметры, но и тип корпуса транзистора.
Импортные аналоги транзистора КП303
Среди зарубежных полевых транзисторов можно выделить следующие аналоги КП303:
- BF245 — широко распространенный европейский аналог
- 2N5484 — американский транзистор со схожими характеристиками
- J310 — отличается несколько лучшими шумовыми параметрами
- 2SK170 — японский аналог с повышенной крутизной
При использовании импортных аналогов следует внимательно изучить их документацию, так как могут быть отличия в цоколевке и предельных режимах эксплуатации.
Особенности работы с полевыми транзисторами типа КП303
При разработке и отладке схем с КП303 и подобными полевыми транзисторами важно учитывать следующие моменты:
- Высокая чувствительность к статическому электричеству — необходимо соблюдать меры защиты при монтаже
- Разброс параметров между экземплярами — желательно производить подбор транзисторов для ответственных узлов
- Зависимость характеристик от температуры — учитывать при проектировании термостабильных схем
- Наличие паразитной емкости затвор-сток — может вызывать самовозбуждение на высоких частотах
Правильный учет этих особенностей позволяет максимально эффективно использовать преимущества полевых транзисторов в электронных устройствах.
Измерение параметров и проверка исправности КП303
Для оценки состояния транзистора КП303 и измерения его основных параметров можно использовать следующие методы:
- Проверка сопротивления переходов мультиметром в режиме «прозвонки диодов»
- Измерение начального тока стока при нулевом напряжении на затворе
- Определение крутизны характеристики по изменению тока стока при подаче напряжения на затвор
- Измерение токов утечки затвора и стока
Исправный транзистор должен иметь параметры в пределах, указанных в документации. Отклонение характеристик может свидетельствовать о деградации или повреждении транзистора.
Простой ДВ-СВ приемник на полевых транзисторах (КП303, КП501)
Многочисленные публикации в журнале “Радио” по простым детекторным приемникам и приемникам прямого усиления говорят о том, что интерес радиолюбителей к этой технике не угасает. Даже при том, что сейчас победоносно шествует УКВ ЧМ, простые ДВ-СВ АМ приемники тоже могут найти свое место, особенно для дальнего приема в позднее время. Автор статьи решила не быть в стороне и предлагает свой вариант приемника прямого усиления.
Радиоприемник всего на пяти транзисторах но имеет очень высокую чувствительность и большую громкость звучания, развивая мощность 0,5 Вт на головке сопротивлением 8 Ом. В приемнике есть пороговая система АРУ.
Этот экспериментальный громкоговорящий приемник предназначен в основном для модернизации однопрограммных громкоговорителей или для опытов дома, в школе или радиокружках, так как изготовить его макет можно за короткое время.
Сигнал радиостанций ДВ или СВ диапазона принимается на магнитную антенну WA1 (рис. 1), выделяется селективным контуром, состоящим из катушки L1 и конденсатора переменной емкости С1, и через конденсатор С2 поступает на первый каскад УРЧ, собранный на полевом транзисторе VT1.
Этот каскад имеет очень высокое входное сопротивление и почти не шунтирует колебательный контур, что дает возможность обойтись без катушки связи. Полевой транзистор хорошо усиливает сигнал по мощности, но недостаточно по напряжению, поэтому второй каскад выполнен на биполярном транзисторе с высоким коэффициентом передачи тока. Это позволяет получить размах амплитуды сигнала на входе детектора в доли вольта.
Детектор собран на высокочастотных германиевых диодах VD1, VD2. Конденсаторы С7, С8 фильтруют напряжение НЧ от пульсаций высокочастотного сигнала. На диоде VD3 и цепочке R6C5 выполнена пороговая система АРУ. При большом уровне сигнала диод VD3 открывается и отрицательное напряжение, поступая на затвор VT1 через резистор R2, закрывает этот транзистор, в результате чего усиление каскада уменьшается.
Рис. 1. Принципиальная схема приемника на полевых транзисторах.
Рис. Цоколевка полевых транзисторов КП303 и КП501.
Напряжение низкой частоты с регулятора громкости R8 поступает на УЗЧ, собранный на транзисторах VT3-VT5. Применение во входном каскаде полевого транзистора позволило получить усилитель с высоким входным сопротивлением и большим усилением по мощности и напряжению при очень простой схеме. Чтобы УЗЧ мог работать на низкоомную динамическую головку, нужен эмиттерный повторитель на транзисторах VT4, VT5.
Небольшое положительное напряжение смещения подается на затвор VT3 с подстроечного резистора R12 Резистором R9 устанавливают ток покоя транзисторов VT4, VT5. Германиевые диоды VD4, VD5, закрепленные пружинками на корпусах VT4, VT5, необходимы для температурной стабилизации этого тока.
Улучшить избирательность приемника и еще больше повысить чувствительность можно введением небольшой положительной обратной связи так, как показано на рис.
2. Катушка обратной связи L2 содержит 2 витка тонкого монтажного провода намотанного на стержне магнитной антенны WA1.
Полярность подключения L2 определяется при настройке по увеличению громкости приема. Конденсатор С* устанавливается, если необходимо снизить излишнее увеличение добротности антенны на высокочастотном участке диапазона.
В приемнике применены резисторы МЛТ-0,125, подстроечные — СПЗ-386. Переменный резистор R8 — любой малогабаритный, с сопротивлением 33… 100 кОм, лучше с выключателем питания. Неполярные конденсаторы использованы КМ-5, К73 9, К10-17.
КПЕ С1 — любого типа с максимальной емкостью 240…500 пФ, желательно с безлюфтным верньером и лучше с воздушным диэлектриком, так как он не создает треска при перестройке.
Оксидные конденсаторы — К50-16, К50-35. Диоды VD1, VD2 можно заменить на 1Д507А, Д18, Д20 VD3 — любой из кремниевых КД503, КД510, КД521 VD4, VD5 — любые из серий Д2, Д9, ГД507. Транзистор VT1 желательно подобрать с низким напряжением отсечки для хоро шей работы АРУ VT2 — любой из серий КТ3102 КТ342, КТ315, желательно с коэффициентом передачи тока не менее 150.
VT3 — любой из серии КП501.
УТ4, VT5 — любые из указанных серий. Динамическая головка на мощность 1…4 Вт с сопротивлением 8…10 Ом, например, 1ГД 36 или подобная. Для антенны подойдет стержень из феррита 400НН диаметром 8 или 10 мм и длиной 18…25 см.
Катушка L1 наматывается на картонном каркасе. Для СВ диапазона она содержит 55 витков, для ДВ диапазона 150-200 витков. Катушку желательно намотать литцентратом ЛЭШО 7×0,07 или ЛЭШО 21 х0,07.
Приемник можно монтировать на печатной плате, показанной на рис. 3 Чтобы он не возбуждался, каскады УРЧ и детектор надо закрыть соединенным с общим проводом металлическим экраном из тонкой латуни или жести.
Рис. 2. Схема введения положительной обратной связи.
После этого допустимо уменьшить емкость конденсатора С2 до 30 пФ Изначально она берется большей для замыкания на общий провод через L1 наводок от сети.
Резистором R12 устанавливают напряжение на эмиттерах VT4 VT5, равное половине напряжения питания Резистор R9 регулирует ток покоя этих транзисторов (10.
.. 12 мА). Границы диапазонов приемника устанавливают подбором числа витков катушки L1 и перемещением ее по стержню.
Рис. З. Печатная плата и конструкция приемника на полевых транзисторах.
Подбором резисторов R1 и R3 устанавливают напряжение на стоке VT1 и коллекторе VT2 около 4 В при замкнутой катушке L1. Приемник можно сделать двухдиапазонным (ДВ и СВ), если намотать две катушки L1 и переключать их, например, кнопкой П2К.
Приемник питается от стабилизированного сетевого блока с напряжением 9 В. Вечером на СВ диапазоне он очень громко принимает много иностранных радиостанций, находящихся от места приема за несколько сотен и даже тысяч километров.
Жанна Михеева, д. Иванищево Ярославской обл. Р2001, 7.
В ПУЛЬСОМЕРЕ РАБОТАЕТ… ПОЛЕ | МОДЕЛИСТ-КОНСТРУКТОР
«К технике, предназначенной для работы в поле, мне, механизатору широкого профиля, не привыкать. Не спасую и перед аппаратурой, собранной из широко распространенных радиодеталей. А вот самостоятельно разобраться в появившихся за последнее время каких-то полевых транзисторах не в силах.
Помогите!..»
(Из письма сибиряка В.Белозерова в редакцию)
Биполярные транзисторы — полупроводниковые триоды, имеющие коллектор, базу и эмиттер, — давно и прочно вошли в нашу жизнь. Обладая (по сравнению со своими ламповыми предшественниками) массой несомненных достоинств, они отличаются относительно невысоким входным сопротивлением. Последнее приводит порой к вынужденному усложнению аппаратуры (из-за необходимости согласования высокоомного датчика или выхода предыдущего каскада с последующим низкоомным входом).
Но с развитием электроники появились, получая все большее распространение, и униполярные (полевые) транзисторы. Входное сопротивление у них настолько велико (десятки или даже сотни мегаом), что трудностей в согласовании каскада, собранного на таком полупроводниковом приборе, с высокоомным источником сигнала практически не возникает. А свое второе, быстро укоренившееся наименование эти транзисторы получили благодаря тому, что поток основных носителей заряда через проводящую область управляется здесь поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, которое подается на электроды входной цепи.
Как и у биполярного, у полевого транзистора (ПТ) три электрода. Только называют их иначе: затвор (3) — аналог базы, сток (С) — коллектор, исток (И) — эмиттер. Причем аналогия здесь носит чисто формальный характер. К тому же и само устройство ПТ совершенно другое.
Простейший полевой транзистор с управляющим р-n переходом представляет собой (рис. 1) тонкую пластину из полупроводникового материала (обычно кремния) с одним р-n переходом в центральной части и омическими контактами по краям. Действие этого прибора основано на уже знакомой большинству читателей (см., например, публикации в № 1’83, 5’86, 7’93 журнала) зависимости толщины р-n перехода от приложенного к нему напряжения. Поскольку запирающий слой почти полностью лишен подвижных носителей заряда, его проводимость практически равна нулю. Ограничивая с одной из боковых сторон токопроводящий канал (образуемый полупроводником пластины), запирающий слой тем самым определяет величину сечения этого канала. В зависимости от типа проводимости полупроводника канал может быть n-типа или p-типа (при использовании кристалла с дырочной проводимостью).
При подключении к истоку отрицательного, а к стоку положительного полюсов батареи питания (рис. 1б) в канале возникает электрический ток. Канал в этом случае обладает максимальной проводимостью.
Ну а если подключить еще один источник питания к выводам истока и затвора (минусом к затвору), канал «сужается», образуя увеличение сопротивления в цепи сток — исток. Сразу же уменьшается и ток в этой цепи. Изменением напряжения между затвором и истоком регулируют ток стока. Причем в цепи затвора тока практически нет, управление током стока осуществляется электрическим полем (как здесь не вспомнить работу первой сетки в «старушке»-радиолампе!), создаваемым приложенным к истоку и затвору напряжением.
У транзисторов КП 101 — КП 103 канал имеет проводимость противоположного, p-типа. Значит, и подключать их надо так, чтобы на сток подавался (по отношению к истоку) отрицательный потенциал, а на затвор — положительный.
Что касается других, чисто конструктивных особенностей, то нельзя не отметить: ПТ в металлическом корпусе (рис.2а) встречаются гораздо чаще, чем их пластмассовые собратья. Причем у «металликов» помимо основных выводов может быть и «корпусной», который обычно соединяют с «общим» проводом на собираемой конструкции.
Рис. 2. Конструктивные особенности, цоколевка и габариты наиболее распространенных «полевиков», выпускаемых в корпусах (а — металлическом, б — пластмассовом): 1 — пластина кремния, 2 — корпус, 3 — выводы.Теперь несколько замечаний по поводу параметров полевого транзистора. Одним из важнейших совершенно справедливо считается начальный ток стока I c нач, то есть ток в цепи стока при нулевом напряжении на затворе транзистора и при заданном напряжении питания.
Если начать подавать на затвор напряжение, то по мере его роста ток стока уменьшается и при определенном для данного транзистора напряжении падает до нуля. Напряжение, соответствующее этому моменту, называют напряжением отсечки (Uзи отс).
Линия зависимости тока стока от напряжения на затворе достаточно прямая. Если на ней взять произвольное приращение тока стока и поделить его на соответствующее приращение напряжения между затвором и истоком, получим так называемую крутизну характеристики. Этот параметр практически нетрудно определить и без снятия (по приборам) указанной выше зависимости или поиска ее в справочнике, достаточно измерить начальный ток стока, а затем подключить к затвору (относительно истока), скажем, элемент напряжением 1,5 В. Вычитая получившийся ток стока из начального и деля остаток на напряжение элемента, можно получить значение крутизны характеристики.
И еще один параметр нужно знать при использовании на практике того или иного транзистора — наибольшее допустимое напряжение между стоком и истоком Uси макс .
При необходимости эти и другие сведения (например, о полевых транзисторах с так называемым изолированным затвором и каналом n- или р-типа) можно найти в соответствующей справочной литературе. Публиковал их и наш журнал (см., в частности, № 7-9 за 1979 г.).
Но теория без практики мертва. А потому перейдем к делу, которым при желании может стать сборка оригинальных радиолюбительских конструкций на основе полевых транзисторов.
Вот, например, сенсорный (то есть чувствительный) датчик. Помимо «полевика» здесь потребуется омметр с любым диапазоном измерений. Подключим щупы этого прибора в любой полярности к выводам стока и истока — стрелка омметра покажет небольшое сопротивление этой цепи транзистора.
Стоит теперь коснуться пальцем вывода затвора, как чувствительная стрелка резко отклонится в сторону увеличения сопротивления. А все потому, что к затвору оказывается приложенным электрический потенциал (то есть между затвором и истоком образовалось электрическое поле, оно-то и «закрыло» канал транзистора для прохождения тока между стоком и истоком).
Увеличение сопротивления канала и зафиксировал омметр.
Не отнимая пальца от затвора, попробуем коснуться другим пальцем вывода истока. Стрелка омметра вернется в первоначальное состояние (ведь затвор оказался соединенным через сопротивление участка руки с истоком, а значит, управляющее поле между этими электродами практически исчезло и канал стал токопроводящим).
Именно по такому принципу работают различные сенсорные выключатели, кнопки и переключатели, использующие полевые транзисторы.
Но гораздо сложнее и интереснее другое самодельное устройство, позволяющее (конечно же, не без полевого транзистора) контролировать… пульс. Точнее, просвечивать его в инфракрасных лучах. Но для этого сначала нужно смастерить специальный датчик (рис. 3), способный надежно работать в инфракрасном диапазоне световых волн. Излучателем здесь послужит светодиод VD1 — АЛ107Б, а в качестве приемника ИК-лучей — фототранзистор ФТ1К с так называемой свободной (плавающей) базой или ему подобный светочувствительный прибор VD2 (о том, как заставить его работать, см.
№ 9’93 журнала). Основой для крепления датчика может стать бельевая прищепка или держатель для фотографий.
Напряжение, снимаемое с VD2, будет изменяться в такт пульсу. Но эти изменения будут настолько слабыми, что без усилителя здесь не обойтись. Собирают его на четырех транзисторах. «Полевик» VT1 (КП302Б) служит для увеличения входного сопротивления прибора (чтобы исключить изменение сигнала из-за подсоединения нагрузки). За усилителем следует формирователь импульса, выполненный на микросхеме DD1 (К176ЛА7) и цепи обратной связи (С6).
Прибор не реагирует на импульсы, следующие с частотой более 5 кГц, зато пульс показывает преотлично (светодиод VD3). Ну а питание обеспечат четыре элемента А316, соединенные последовательно, или гальваническая батарея «Крона».
Используемые в приборе детали — малогабаритные. Монтаж их ведется печатным способом с применением припоя и бескислотного флюса. В качестве корпуса (для размещения всего прибора в целом) берется пластмассовая мыльница подходящих размеров.
А.СПИЧАК, г.Курск
транзистор%20кп%20303 техническое описание и примечания по применению
транзистор%20кп%20303 Спецификации Context Search
| Каталог Спецификация | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор | Оригинал | 2N2904E
до н. э.859
КДС135С
2Н2906Е
до н.э.860
KAC3301QN
КДС160
2Н3904
BCV71
KDB2151E
хб*9Д5Н20П
хб9д0н90н
6В стабилитрон
хб*2Д0Н60П
транзистор
КХБ7Д0Н65Ф
Транзистор BC557
киа*278R33PI
Схема КХБ9Д0Н90Н
транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2Н2906Е до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | OCR-сканирование | 2Н3904
2Н3906
2Н4124
2Н4126
2N7000
2Н7002
до н. э.327
до н.э.328
до н.э.337
до н.э.338
транзистор
транзистор ИТТ
BC548 п-н-п транзистор
транзистор п-н-п
BC337 п-н-п транзистор
pnp bc547 транзистор
BC327 NPN-транзистор
MPSA92 168
транзистор 206
2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649 | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
.
..
Налобный усилитель сверхвысокого разрешения | Страница 2
# 29
- # 29
Это военные транзисторы для радиоприемников. Эти транзисторы имеют четвертый контакт, соединенный с металлической оболочкой для экранирования кристалла.ammel68 сказал:
Посмотрел распиновку транзисторов КП. Почему-то кажется, что у них 4 контакта вместо 3.
Нажмите, чтобы развернуть…
Использовать их не придется. Они имеют разброс характеристик, как и все полевые транзисторы. У нас есть старый склад, большие запасы в магазинах, и мы можем выбрать подходящий транзистор. Вы создаете склад транзисторов, из которых только 4 полезные — невыгодно. Лучше использовать их американские аналоги. Я сказал требования: большое напряжение отсечки, чтобы нижний транзисторный входной каскад работал при напряжении коллектора (стока) в несколько вольт. Для измерения этого напряжения:ammel68 сказал:
Также, поскольку я не умею читать по-русски, я не мог сказать, какой вывод был истоком, стоком или вентилем.
Нажмите, чтобы развернуть…
Я использовал BJT. Они более предсказуемы, имеют меньшие вариации входных характеристик. Мой друг больше похож на JFET. Итак, мы создали две схемы.ammel68 сказал:
Использовали ли вы транзисторы KP в версии входа JFET или версии входа BJT?
Нажмите, чтобы развернуть.
..
..
#30
- #30
Для схем, которые я построил в прошлом, требующих согласованных JFET, они были согласованы по Idss, а не по напряжениям отсечки.
Измерение Idss может быть сложной задачей, поскольку даже температура может повлиять на измерения.
Что касается транзисторов NEC A1175/C2785, я вижу, что они бывают разных классов или значений Hfe.
Наиболее распространенными классами, которые я вижу в продаже, являются классы «E» и «F», при условии, что первая буква после номера детали. действительно класс.
Я уже заказал несколько транзисторов класса «F» A1175. Могу ли я без проблем использовать марку «E» C2785 с маркой «F» A1175?
Спасибо…
#31
- #31
Я не ориентируюсь при разработке Hfe.
Напротив, именно потому, что этот параметр имеет большие колебания, и при изменении, например, температуры, необходимо полагаться на Vbe. Vbe примерно одинаково даже для разных типов транзисторов. Поэтому я и сказал, что можно применить хоть BC550/560, хоть 3904/3906, или любые другие транзисторы, аналогичные по предельной частоте усиления тока.
#32
- #32
Но… для того, чтобы эти другие транзисторы (BC550/560, 3904/3906) правильно встали на печатные платы, вы должны начать сгибать/скручивать выводы, чтобы они вошли в соответствующие контактные площадки на платах. .
Мне не нравится это делать. Я предпочитаю использовать правильные детали, для которых предназначены платы, если это возможно.
Вот почему я ранее говорил, что у этих других транзисторов цоколевка , а не , такая же, как у NEC.
Итак, на данный момент я собираюсь предположить, что я могу смешивать E класса C2785 и F класса A1175, поскольку вы заявили, что Vbe примерно одинаково для разных типов транзисторов.
#33
- #33
Рассмотрим изготовление универсальной площадки на плате под разные комбинации пинов.ammel68 сказал:
Но… для того, чтобы эти другие транзисторы (BC550/560, 3904/3906) правильно встали на печатные платы, вы должны начать сгибать/скручивать выводы, чтобы они вошли в соответствующие контактные площадки на платах.
Мне не нравится это делать. Я предпочитаю использовать правильные детали, для которых предназначены платы, если это возможно.Нажмите, чтобы развернуть…
Общее правило состоит в том, что транзисторы с высоким значением Hfe следует устанавливать во входных каскадах (для уменьшения входных токов) и повторителях (для увеличения их входного сопротивления). Выходной каскад VAS может работать на транзисторах с низким Hfe. Товарищ который построил много усилителей советую применить на входе BF862 и MMBF4391: первый во входном дифференциальном каскаде, второй — выше, в следящем каскаде. У них достаточно высокая степень совпадения. Но у них SMD корпуса.ammel68 сказал:
Итак, на данный момент я собираюсь предположить, что я могу смешивать E класса C2785 и F класса A1175, поскольку вы заявили, что Vbe примерно одинаково для разных типов транзисторов.
Нажмите, чтобы развернуть…
Последнее редактирование:
#34
- #34
Скажу понятнее: в этом усилителе можно ставить транзисторы NPN и PNP с разным Hfe.
Глубокая отрицательная обратная связь скорректирует небольшую нелинейность от применения транзисторов с разным Hfe в выходном каскаде и ВАШ. Более того, классы F и E не сильно различаются по Hfe.
#35
- #35
Буквально пару дней назад узнал, что платы господина Александра выложены на ВС547/557 вместо транзисторов NEC. Я могу либо согнуть/изменить выводы NEC, чтобы они подходили к плате, либо просто купить несколько транзисторов BC.
#36
- #36
Привет!
Конечно, лучше купить БК, в собранном виде усилитель будет выглядеть лучше с эстетической точки зрения. При этом схемотехника позволяет использовать разные типы транзисторов практически без изменений схемы.
#37
- #37
У меня много BC550/560. Г-н Александр заявил, что даже они будут хорошо работать на трассе.
#38
- #38
Спасибо…
#39
- #39
Да, это так.ammel68 сказал:
У меня много BC550/560. Г-н Александр заявил, что даже они будут хорошо работать на трассе.
Нажмите, чтобы развернуть…
Хорошо. Это немного больше, но в пределах допустимого.ammel68 сказал:
Подойдет ли 390 пФ для C4?
Нажмите, чтобы развернуть…
#40
- #40
Самая большая ошибка, которую могут совершить начинающие радиолюбители, — после построения усилителя включить полную схему. В монтаже усилителя могут быть косяки, и его запуск мог закончиться печально. Поэтому важно тестировать усилитель поэтапно.
При первом запуске каскадов усилителей выход повторителя не монтируется. Эти каскады очень мощные, могут принимать большой ток, и его отказ может привести к тяжелым последствиям.
Самый главный каскад, задающий режимы работы усилителя — ВАС. Сначала монтируются его элементы, а после сборки он сначала проверяется на отсутствие ошибок.
Схема для начального запуска показана ниже.
Необходимо выполнить два измерения:
1 — напряжение на выходе усилителя относительно земли,
2 — напряжение на транзисторе VT15 термостатического повторителя выходного каскада.
Если измерения не соответствуют показанным значениям, необходимо искать ошибки. Если они соответствуют этим значениям, можно переходить к построению повторителя выходного каскада.
В процессе эксплуатации проверяйте возможные ошибки, которые могут привести к перегоранию относительно дешевых резисторов R16, R17, R19, R20, R24, R25.
Такая предварительная проверка может быть полезна при сборке любого другого усилителя на другой схеме.
После проверки и сборки выходного повторителя движок резистора R22 необходимо установить в верхнее положение на схеме. Это соответствует наименьшему току холостого хода повторителя выходного каскада. Полную проверку усилителя нужно начинать с минимального тока холостого хода. Затем этот ток можно увеличить, вращая ползунок R22. Если минимальный ток слишком велик, необходимо увеличить сопротивление R21.
