Транзистор кт 315 технические характеристики: Страница не найдена — СхемаТок

Содержание

КТ315 - это... Что такое КТ315?

КТ315
Структура n-p-n
Uce 15...60 В
Ube 6 В
Ic 50...100 мА
Ib 50 мА
P 100 мВт
Pmax 150 мВт
Рабочие температуры 100 °C
f {{{f}}}
h31e 20...350

КТ315 — тип кремниевого биполярного транзистора, n-p-n проводимости, получившего самое широкое распространение в советской радиоэлектронной аппаратуре.

История

КТ315

В 1966 году А. И. Шокин прочитал в журнале «Electronics» новость, о разработке в США транзистора, технологически приспособленного под массовое производство[1] — с использованием метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. [1] Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ.

[1] Уже в 1967 году была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315.[1]

Первым массовым транзистором с кодовой маркировкой был КТ315 в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. На нём в левом верхнем углу плоской стороны ставилась буква, обозначающая группу, ниже иногда указывалась дата изготовления. Через несколько лет в корпусе КТ-13 стали выпускать транзистор с p-n-p проводимостью — КТ361. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части на плоской стороне корпуса.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.[2]

Применение

Транзисторы КТ315 предназначались для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и звуковой частот.

Технология

Транзисторы этого типа стали первенцами новой технологии — планарно-эпитаксиальной. Эта технология подразумевает, что все структуры транзистора образуются с одной стороны, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нём сначала формируется базовая область, а затем в ней — эмиттерная. Эта технология была освоена советской радиоэлектронной промышленностью, как ступень к изготовлению интегральных микросхем без диэлектрической подложки. До появления КТ315 низкочастотные транзисторы изготавливались по «сплавной» технологии, а высокочастотные — по диффузионной. Соотношение параметров, достигнутое в КТ315, было прорывным для времени его появления. Так, например, он превосходил современный ему германиевый высокочастотный транзистор ГТ308 по мощности в 1,5 раза, по граничной частоте в 1,4 раза, по максимальному току коллектора в 3 раза, и при этом был дешевле. Он мог заменить и низкочастотные МП37, при равной мощности превосходя их по коэффициенту передачи тока базы, максимальному импульсному току и обладая лучшей температурной стабильностью. Кремний как материал позволял этому транзистору десятки минут работать на умеренных токах даже при температуре плавления припоя, правда, с ухудшением характеристик, но без необратимого выхода из строя.

КТ361

КТ361 — биполярный транзистор p-n-p проводимости. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части плоской стороны, иногда - в обрамлении двух дефисов слева и справа.

Примечания

Ссылки

См. также

Технические характеристики биполярного транзистора КТ315А



 

 

Рисунок 2 - Схема биполярного транзистора КТ315А

Транзистор B1-B2/Iк /мА Fт МГц Cк/Uк пф/В Cэ/Uэ пф/В Rб*Cк псек tр нс Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) Iко мкА Uкб В Uкэ/R В/кОм Uэб В Iкм/Iкн мА/мА Pк мВт Пер
КТ315А 20- 90/1 7/10     0. 4/(20/2 ) 20/10 100/ NPN

· Область применения: для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты

· Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ315А

Обозначение: Параметр
B1-B2/Iк /мА статический коэффициент передачи тока
Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
Rб*Cк псек постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
tр нс  
Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
Iко мкА обратный ток коллектора
Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
Uкэ/R В/кОм максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
Iкм/Iкн мА/мА предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
Pк мВт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе

Статические характеристика КТ315 А



 

Кремниевые n-p-n транзисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний.

Корпус пластмассовый, масса не более 0,18 г.

Uкэ m, В:

КТ315А – 25

КТ315Б – 20

КТ315В – 40

КТ315Г – 35

КТ315Е – 35

Iк m, мА – 100, а)

Pк m, мВт – 150,

Тm, ОС – +100.

 


б)

 

Рисунок 3 – Входные а) и выходные б) характеристики транзистора КТ 315А

|

 

 

Вопросы к экзамену


1. Способы включения выпрямительных диодов.
2. Диодные ограничители амплитуды.
3. Барьерная емкость р-n перехода. Варикапы

4. Выпрямительные полупроводниковые диоды: плоскостные и точечные. ВАХ.Принцип действия.
5. однополупериодные схема выпрямления переменного тока (напряжения).
6. двухполупериодная схема выпрямления переменного тока (напряжения).
7. Полупроводниковый стабилитрон. ВАХ.Схема параметрической стабилизации.
8. Импульсные полупроводниковые диоды. Принцип действия.
9. Диоды Шоттки. Принцип действия. Применение.
10. Туннельные диоды. ВАХ. Принцип действия. Применение.
11. Полупроводниковые резисторы: варисторы, терморезисторы, фоторезисторы.
12. Устройство и принцип действия биполярного транзистора.
13. Способы включения биполярного транзистора. Сравнительная оценка схем включения.
14. Усилитель звуковой частоты на БТ. Назначение элементов схемы. Принцип усиления.
15. Схема электронного ключа на БТ. Принцип действия.
16. Определение h-параметров БТ.
17. Полевые транзисторы с р-n переходом управляющей компании. Статические характеристики.
18. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Статические характеристики.
19. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом.Статические характеристики.
20. динисторы. ВАХ, принцип действия. Применение.

21Тиристоры. ВАХ, принцип действия. Применение
22. Фотодиоды. Принцип действия, применение.
23. Фототранзисторы. Фототиристоры.
24. Светодиоды. Принцип действия, применение.
25. Дифференциальный усилитель.
26. Операционный усилитель инвертирующий.
27. Операционный усилитель, не инвертирует.
28. Электронные ключи на биполярных и полевых транзисторах.
29. Триггер на биполярных транзисторах.
30. Мультивибратор автоколебательный.
31. Понятие логического элемента. Характеристики логических элементов.
32. Диодный логический элемент ИЛИ.
33. Диодный логический элемент И.

34. Транзисторный логический элемент НЕ.
35. Логический элемент И-НЕ в интегральном исполнении (диодно-транзисторная логика).
36. Логический элемент И-НЕ в интегральном исполнении (транзисторно-транзисторная логика). Схема с резистором в коллекторе.
37. Микросхемы транзисторной логики с эмиттерной связью

38. Логический элемент НЕ (инвертор) КМОП-структуры.
39. Логический элемент И-НЕ КМОП-структуры.
40. Логический элемент ИЛИ-НЕ КМОП-структуры.

Список рекомендованной литературы

I. Основная

1. Гершунский Б. С. Основы электроники и микроэлектроники.- Киев : Высшая школа, 1989

2. Вайсбурд Ф. И. и др. Электронные приборы и усилители. – М.: Радио и связь, 1987

3. Бойко В. И., Гуржий А. М., Жуйков В. Я. Основы схемотехники электронных систем – Киев : Высшая школа, 2004

 

II. Дополнительная

1. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам.-К. Техника, 1984

2. Колонтаевский Ю.Ф. Радиоэлектроника, - М.: Высшая школа, 1988

3. Жеребцов Н.П. Основы электроники.- М.: Энергоатомиздат, 1985

4. Виноградов Ю.В. Электронные приборы.- М.: Связь, 1977


Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском гугл на сайте:

Транзистор КТ315 – чудо советской электроники

Пожалуй, нет какого-то более или менее сложного электронного устройства, произведенного в СССР на протяжении семидесятых, восьмидесятых и девяностых годов, в схеме которого не использовался бы транзистор КТ315. Не утратил популярности он и поныне.

Причин для такой распространенности этого полупроводникового прибора несколько. Во-первых, его качество. Благодаря ленточно-конвейерному способу, являвшемуся в конце шестидесятых революционным, себестоимость производства удалось снизить до минимума при очень хороших технических показателях. Отсюда и второе достоинство – доступная цена, позволяющая использовать транзисторы КТ315 в массовой бытовой и производственной электронике, а также применять для радиолюбительских устройств.

В обозначении использована буква К, означающая «кремниевый», как и большинство полупроводниковых приборов, изготавливаемых с тех времен. Цифра «3» означает, что транзистор КТ315 относится к группе широкополосных приборов небольшой мощности.

Пластиковый корпус не предполагал высокой мощности, но был дешев.

Выпускался транзистор КТ315 в двух вариантах, плоском (оранжевый или желтый) и цилиндрическом (черный).

Для того чтобы удобнее было определять, как его монтировать, на его «лицевой» стороне в плоской версии выполнен скос, коллектор – в середине, база – слева, коллектор - справа.

Черный транзистор имел плоский срез, если расположить транзистор им к себе, то эмиттер оказывался справа, коллектор - слева, а база - посередине.

Маркировка состояла из буквы, в зависимости от допустимого напряжения питания, от 15 до 60 Вольт. От литеры зависит и мощность, она может достигать 150 мВт, и это при микроскопических по тем временам размерах – ширина - семь, высота – шесть, а толщина - менее трех миллиметров.

Транзистор КТ315 – высокочастотный, этим объясняется широта его применения. Полоса пропускания до 250 мГц гарантирует его устойчивую работу в радиосхемах приемников и передатчиков, а также усилителях волн звукового диапазона.

Проводимость – обратная, n-p-n. Для пары при использовании двухтактной схемы усиления создан КТ361, с прямой проводимостью. Внешне эти «близнецы-братья» практически не отличаются, только наличие двух черных рисок указывает на p-n-p проводимость. Еще вариант маркировки, буква расположена точно посередине корпуса, а не с краю.

При всех своих достоинствах, транзистор КТ315 обладает и недостатком. Его выводы плоские, тонкие, и очень легко отламываются, поэтому монтаж следует производить очень осторожно. Впрочем, даже испортив деталь, многие радиолюбители умудрялись починить ее, подпилив немного корпус, и «присоплив» проволочку, хотя это и трудно, да и смысла особого не было.

Корпус настолько своеобразен, что точно указывает на советское происхождение КТ315. Аналог ему найти можно, например, ВС546В или 2N9014 - из импорта, КТ503, КТ342 или КТ3102 - из наших транзисторов, но рекордная дешевизна лишает смысла такие ухищрения.

Выпущены миллиарды КТ315, и, хотя в наше время существуют микросхемы, в которых встроены десятки и сотни таких полупроводниковых приборов, иногда их все же используют для сборки несложных вспомогательных схем.

Кт815б характеристики транзистора, цоколевка, аналог, datasheet

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать
на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены
для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает
сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц,
на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень
регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки
уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой
каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается
схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока.
Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного
сигнала.
При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы
германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры.
Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв. см.

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измеренияОбозначениеНорма параметра
КГ315АКГ315БКГ315ВКГ315ГКТЗ15ДКГ315ЕКГ315ЖКГ315ИКТ315НКТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (RBE = 10 кОм), В 1)UCERmax2520403540352035
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)UCES max2060
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)UCB max2520403540352035
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)UEB max6666666666
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)IC max100100100100100100100100100100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)PC max200200200200200200200200200200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰Сtj max125125125125125125125125125125

Примечание: 1. Для всего диапазона рабочих температур. 2. При tатв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С PCmax рассчитывается по формуле:

где Rt hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.


Рисунок 3 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ315 при UCE = 0, tатв = (25±10) °С


Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315 при tатв = (25±10) °С


Рисунок 5 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов КТ315 при IC/IB = 10, tатв = (25±10) °С


Рисунок 6 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315 при UCB = 10, tатв = (25±10) °С


Рисунок 7 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при UCB = 10, f = 100 МГц, tатв = (25±10) °С


Рисунок 8 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315


Рисунок 9 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при UCB = 10 В, f = 5 МГц, tатв = (25±10) °С для КТ315

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

  • напряжение между: К-Б — VCBO (Uкб max) до 40 В; К-Е — VCEO (Uкэ max) до 30 В;Э-Б — VEBO (Uэб max) до 6 В;
  • коллекторный ток: постоянный IC (Iк max) = 3 А; переменный, при tP < 5ms — ICM (Iки max) до 6 А;
  • ток базы IB (IБ max) = 3 А до 1 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе РСк max) до 1.25 Вт;
  • тепловое сопротивление перехода Rthj-case —  10 ° C/Вт;
  • диапазон температур хранения и использования Tstg = -55 … 150 оС;
  • температура кристалла TJ до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистораМаркировочная метка на срезе боковой поверхности корпусаМаркировочная метка на торце корпуса
KT315A1Треугольник зеленого цветаТочка красного цвета
KT315Б1Треугольник зеленого цветаТочка желтого цвета
KT315В1Треугольник зеленого цветаТочка зеленого цвета
KT315Г1Треугольник зеленого цветаТочка голубого цвета
KT315Д1Треугольник зеленого цветаТочка синего цвета
KT315Е1Треугольник зеленого цветаТочка белого цвета
KT315Ж1Треугольник зеленого цветаДве точки красного цвета
KT315И1Треугольник зеленого цветаДве точка желтого цвета
KT315Н1Треугольник зеленого цветаДве точки зеленого цвета
KT315Р1Треугольник зеленого цветаДве точки голубого цвета

Транзистор КТ815

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
КТ815А BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3 , DTL1651 *1 , 2SD146 *1 , 2SD236 *1
КТ815БBD167, MJE720, 2SC1419 *3 , BD233 *2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В BD169, MJE721, KD235, BD815 *3 , BD167, 2N1481 *1 , 2N1479 *3 , 2N4922 *2 , 2N4911 *3 , 2SD147 *3
КТ815Г BD818, MJE722, 2N1482 *1 , 2N1480 *1 , BD169 *2 , 2N4923, 2N4912 *3 , DT41653 *3
Структураn-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P * K, τ max,P ** K, и maxКТ815А10*Вт
КТ815Б10*
КТ815В10*
КТ815Г10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f * h31б, f ** h31э, f *** maxКТ815А≥3МГц
КТ815Б≥3
КТ815В≥3
КТ815Г≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб. , U * КЭR проб., U ** КЭО проб.КТ815А0.1к40*В
КТ815Б0.1к50*
КТ815В0.1к70*
КТ815Г0.1к100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ815А5В
КТ815Б5
КТ815В5
КТ815Г5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I * К , и maxКТ815А1.5(3*)А
КТ815Б1.5(3*)
КТ815В1.5(3*)
КТ815Г1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I * КЭR, I ** КЭOКТ815А40 В≤0. 05мА
КТ815Б40 В≤0.05
КТ815В40 В≤0.05
КТ815Г40 В≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э, h * 21ЭКТ815А2 В; 0.15 А≥40*
КТ815Б2 В; 0.15 А≥40*
КТ815В2 В; 0.15 А≥40*
КТ815Г2 В; 0.15 А≥30*
Емкость коллекторного переходаcк, с * 12эКТ815А5 В≤60пФ
КТ815Б5 В≤60
КТ815В5 В≤60
КТ815Г5 В≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттеромrКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р.КТ815А≤1. 2Ом, дБ
КТ815Б≤1.2
КТ815В≤1.2
КТ815Г≤1.2
Коэффициент шума транзистораКш, r * b, P ** выхКТ815АДб, Ом, Вт
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)КТ815Апс
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

ТипСтруктураPК max, PК* т. max, мВтfгр, МГцUКБО max, UКЭR*max, ВUЭБО max, ВIК max, мАIКБО, мкАh31э, h31Э*CК, пФrКЭ нас, Омrб, Омτк, пс
KT315A1n-p-n150≥250256100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Б1n-p-n150≥250206100≤0,550…350 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315В1n-p-n150≥250406100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Г1n-p-n150≥250356100≤0,550…350 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Д1n-p-n150≥250406100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Е1n-p-n150≥250356100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Ж1n-p-n100≥250156100≤0,530…250 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315И1n-p-n100≥250606100≤0,530 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Н1n-p-n150≥250206100≤0,550…350 (10 В; 1 мА)≤7
KT315Р1n-p-n150≥250356100≤0,5150…350 (10 В; 1 мА)≤7
КТ315Аn-p-n150 (250*)≥250256100≤0,530…120* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
КТ315Бn-p-n150 (250*)≥250206100≤0,550…350* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤500
КТ315Вn-p-n150 (250*)≥250406100≤0,530…120* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤500
КТ315Гn-p-n150 (250*)≥250356100≤0,550…350* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤500
КТ315Дn-p-n150 (250*)≥25040* (10к)6100≤0,620…90 (10 В; 1 мА)≤7≤30≤40≤1000
КТ315Еn-p-n150 (250*)≥25035* (10к)6100≤0,650…350* (10 В; 1 мА)≤7≤30≤40≤1000
КТ315Жn-p-n100≥25020* (10к)650≤0,630…250* (10 В; 1 мА)≤7≤25≤800
КТ315Иn-p-n100≥25060* (10к)650≤0,6≥30* (10 В; 1 мА)≤7≤45≤950
КТ315Нn-p-n150≥25035* (10к)6100≤0,650…350* (10 В; 1 мА)≤7≤5,5≤1000
КТ315Рn-p-n150≥25035* (10к)6100≤0,5150…350* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h3lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h3lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых

, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение

. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзисторЗарубежный аналогВозможность купитьПредприятие производительСтрана производитель
КТ315АBFP719нетUnitra CEMIПольша
КТ315БBFP720нетUnitra CEMIПольша
КТ315ВBFP721нетUnitra CEMIПольша
КТ315ГBFP722нетUnitra CEMIПольша
КТ315Д2SC641естьHitachiЯпония
КТ315Е2N3397есть ~ 4$Central SemiconductorСША
КТ315Ж2N2711есть ~ 9$Sprague electric corp. США
BFY37, BFY37iестьITT Intermetall GmbHГермания
КТ315И2SC634есть ~ 16$New Jersey SemiconductorСША
естьSonyЯпония
КТ315Н2SC633есть ~ 1$SonyЯпония
КТ315РBFP722нетUnitra CEMIПольша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв. см.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

ПараметрыОбозначениеЗначение
Напряжение эмиттер — базаUэб max5 В
Постоянный ток коллектораIк max1,5 А
Импульсный ток коллектораIк max3 А
Максимально допустимый постоянный ток базыIб max0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектораPк max10 Вт
Температура переходаTпер150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр. среды = 25°С

ПаpаметpыОбозначениеРежимы измеpенияMinMaхЕд.измеp
Обратный ток коллектораIкбоUкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)50мкА
Обратный ток коллектор-эмиттерIкэоRэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)100мкА
Статический коэффициент передачи токаh31эUкб=2 В, Iэ=0,15 А40,30(Г)275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерUкэ насIк=0,5 А, Iб=50 мА0,6В
Оцените статью:

Чем заменить транзистор кт315

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n.
Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа.
Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.
Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока250 МГц.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90.
У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350.
У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250.
У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в.
Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в.
у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в.
У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в.
У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в.
У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА.
У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА.
У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ.
У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.

Транзисторы КТ3102 — кремниевые, усилительные маломощные высокочастотные, структуры n-p-n.
Пониженный коэффициент шума на частоте 1000 гц позволяет использовать эти транзисторы в каскадах предварительных усилителей звуковой частоты.
Кроме того, они применяются в усилительных и генераторных схемах высокой частоты. Корпус металлостеклянный(у более древних экземпляров) или пластиковый — ТО-92, с гибкими выводами. Масса — около 0,5 г. Маркировка буквенно — цифровая, либо цветовая — на боковой и верхней поверхностях корпуса.

При цветовой маркировке, темно-зеленое пятно на боковой поверхности определяет тип(КТ3102). Цветовое пятно сверху обозначает группу:
Бордовое — группа А(КТ3102А).
Желтое — группа Б(КТ3102Б).
Темно-зеленое — группа В(КТ3102В).
Голубое — группа Г(КТ3102Г).
Синие — группа Д(КТ3102Д).
Цвета "электрик" — группа Е(КТ3102Е).

Цоколевка КТ3102 — на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ3102А — от 100, до 250.
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д — от 200, до 500.
У транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е — от 400, до 1000.

Коэффициент шума при напряжении коллектор-эмиттер 5в, коллекторном токе 0,2мА, на частоте 1КГц:
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102А, КТ3102Г — не более 10дБ.
У транзисторов КТ3102Д, КТ3102Е — не более 10дБ. 1000.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102Е — 50в.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д — 30в.
У транзистора КТ3102Г — 20в.

Максимальный ток коллектора100мА.

Максимальное напряжение эмиттер-база5в.

Обратный ток коллектор-эмиттер : У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более0,1мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более0,05мкА.

Обратный ток коллектора не более: У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более 0,05мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85 — не более 5мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и у КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более 0,015мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85, обратный ток может вырасти до 5мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора.250мВт.

Граничная частота коэффициента передачи тока150 МГц.

Транзистор комплиментарный КТ3102 — КТ3107.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора.3А. Рассеиваемая мощность коллектора1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -"Гулливер".

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — "Электроника", "Вега", "Маяк", "Вильма" и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n.
Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа.
Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.
Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока250 МГц.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90.
У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350.
У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250.
У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в.
Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в.
у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в.
У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в.
У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в.
У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА.
У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА.
У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ.
У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.

Транзисторы КТ3102 — кремниевые, усилительные маломощные высокочастотные, структуры n-p-n.
Пониженный коэффициент шума на частоте 1000 гц позволяет использовать эти транзисторы в каскадах предварительных усилителей звуковой частоты.
Кроме того, они применяются в усилительных и генераторных схемах высокой частоты. Корпус металлостеклянный(у более древних экземпляров) или пластиковый — ТО-92, с гибкими выводами. Масса — около 0,5 г. Маркировка буквенно — цифровая, либо цветовая — на боковой и верхней поверхностях корпуса.

При цветовой маркировке, темно-зеленое пятно на боковой поверхности определяет тип(КТ3102). Цветовое пятно сверху обозначает группу:
Бордовое — группа А(КТ3102А).
Желтое — группа Б(КТ3102Б).
Темно-зеленое — группа В(КТ3102В).
Голубое — группа Г(КТ3102Г).
Синие — группа Д(КТ3102Д).
Цвета "электрик" — группа Е(КТ3102Е).

Цоколевка КТ3102 — на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ3102А — от 100, до 250.
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д — от 200, до 500.
У транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е — от 400, до 1000.

Коэффициент шума при напряжении коллектор-эмиттер 5в, коллекторном токе 0,2мА, на частоте 1КГц:
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102А, КТ3102Г — не более 10дБ.
У транзисторов КТ3102Д, КТ3102Е — не более 10дБ. 1000.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102Е — 50в.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д — 30в.
У транзистора КТ3102Г — 20в.

Максимальный ток коллектора100мА.

Максимальное напряжение эмиттер-база5в.

Обратный ток коллектор-эмиттер : У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более0,1мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более0,05мкА.

Обратный ток коллектора не более: У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более 0,05мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85 — не более 5мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и у КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более 0,015мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85, обратный ток может вырасти до 5мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора.250мВт.

Граничная частота коэффициента передачи тока150 МГц.

Транзистор комплиментарный КТ3102 — КТ3107.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора.3А. Рассеиваемая мощность коллектора1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -"Гулливер".

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — "Электроника", "Вега", "Маяк", "Вильма" и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

Характеристики транзистора КТ315 – сделали его самым популярным и самый известным во времена СССР, изготовлялся в пластиковом корпусе по эпитаксиально-планарной технологии. По своему устройству является кремниевым, биполярным, NPN-транзистором, малой мощности и высокой частоты. Начал выпускаться в далеком 1967 г., а в уже 1968 г. на его основе стали производить первые электронные приборы.

С ростом современных технологий популярность этого транзистора начала резко таять. Однако на многих форумах молодые радиолюбители продолжают спорить со старожилами о качестве данного устройства и возможности его применения. Сравнения ведутся зачастую с современными зарубежными решениями. На наш взгляд такое сравнение некорректно. Несомненно, современные аналоги обгоняют кт315 по своим свойствам и параметрам. Однако стоит признать, что для своего времени он был действительно прорывным и технически совершенным.

Распиновка

В советское и перестроечное время производился в корпусе КТ-13, который никогда не использовался зарубежными производителями. Притом, что КТ315 рабочая лошадка советской радиопромышленности. В наши дни, его продолжают выпускать в корпусе КТ-26 (TO-92) и КТ-46А (SOT-23), а так же в ограниченных количествах в КТ-13. Посмотрите внимательней на фотографии цоколевки КТ315 в разных корпусах и на буквы обозначающие назначение его электродов.

Несмотря на внешние различия транзисторов, их распиновка совпадает. Так, если смотреть на маркировку любого из них, то электроды слева на право будут всегда иметь следующее назначение: эмиттер (Э), коллектор (К) и база (Б), соответственно. Исходя из этого, становится понятной аббревиатура из трех букв «ЭКБ», которая встречается на технических форумах.

Характеристики

Технические свойства этого биполярника на удивление хороши, даже по сегодняшним меркам. К сожалению, в даташит современного производителя КТ315, представлена только основная информация. В них не найти графиков, отражающих поведение устройство в различных условиях эксплуатации, которыми наполнены современные технические описания на другие подобные устройства от зарубежных производителей.

Максимальные характеристики

Максимальные значения допустимых электрических режимов эксплуатации КТ315 до сих пор впечатляют начинающих радиолюбителей. Например, максимальный ток коллектора может достигать уровня в 100 мА, а рабочая частота у некоторых экземпляров превышает заявленные 250 МГц. Его более дорогие современники из серии КТ2xx/3xx, даже имея металлический корпус, не могли похвастаться такими показателями. КТ315 был долгое время своеобразным техническим лидером, пока ему на смену не пришёл усовершенствованный КТ3102. Рассмотрим максимально допустимые электрические режимы эксплуатации КТ315, в корпусе ТО-92, белорусского ОАО «Интеграл». В конце обозначения таких приборов присутствует цифра «1».

Основные электрические параметры

Будьте внимательны, несмотря на свои достаточно хорошие характеристики, КТ315 не может конкурировать с современными устройствами по некоторым параметрам. Так у современной серии КТ315, как и 50 лет назад, относительно небольшой диапазон рабочих температур от — 45 до + 100°C. А коэффициент шума (КШ) достигает 40 Дб, что уже много для современного устройства, предназначенного для усиления в низкочастотных трактах.

Классификация

Кроме основных параметров, в техническом описании можно найти распределение устройств по группам. Таблица классификации дает представление о параметрах всей серии КТ315. Используя её можно подобрать нужное устройство, путем сравнения основных характеристик всей серии.

Комплементарная пара

У КТ315 имеется комплементарная пара – КТ361. Эти устройства довольно часто применялись вместе, особенно в бестрансформаторных двухтактных схемах. Совместное применение данной пары безусловно вошло в историю российской электроники.

Историческая справка

Созданию первого транзистора по планарной технологии способствовали знания и опыт, полученные СССР при разработке интегральных микросхем. Их разработка в 60-е годы велась в НИИ «Пульсар», НИИ-35 и различных опытно-конструкторских бюро на предприятиях советской промышленности. В 1962 году в НИИ «Пульсар» перешли на планарную кремневую технологию, которая в последующем дала жизнь КТ315.

В 1962 году, под руководством инженера Осокина Ю.Н., были созданы первые советские германиевые микросхемы Р12–2 (Рижский завод полупроводниковых приборов). Эти микросхемы были своеобразным ответом СССР на первые подобные устройства появившиеся в США у компании Texas Instruments.

Небольшой временной период от разработки до серийного выпуска этого устройства, позволяет судить о высоком уровне развития электронной промышленности СССР в те времена. Судите сами, на сколько быстро и оперативно это было сделано. В 1966 г. министр энергетической промышленности Шокин А.И. узнал о появлении в США технологии промышленного изготовления транзисторов по планарной технологии. Уже в 1967 г. Фрязинский завод полупроводниковых приборов так же начинает выпускать первый в СССР высокочастотник в пластиковом корпусе, по аналогичной технологии – КТ315.

В 1968 г. начался выпуск первого электронного калькулятора — «Электроника-68», в котором насчитывалось около 400 транзисторов данного вида. А к 1973 он стал основой для разработки более 20 подобных полупроводниковых устройств. Примерно до начала 90-х годов КТ315 оснащалась почти вся отечественная электроника, так как, несмотря на свою дешевизну, он получился весьма надежным и технологичным. В настоящее время, в мире насчитывается более 7 миллиардов этих транзисторов. Они были выпущены не только в нашей стране, но и за рубежом по государственной лицензии от СССР.

Аналоги

Зарубежные аналоги КТ315, с похожими параметрами являются: BC547, 2SC9014, 2N3904, PN2222. Российской заменой можно считать усовершенствованный КТ3102 (ТО-92), но он имеет другую цоколевку. Зарубежных аналогов в корпусе КТ-13 в настоящее время не существует. Для министерства обороны СССР выпускались идентичные устройства в метало-стеклянных корпусах с маркировкой 2Т312, 2Т316.

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Схема мультивибратора

Этот транзистор до сих пор применяется в учебных целях в различных радиолюбительских кружках. В сети интернет представлено множество схем, собранных на его основе. Наиболее популярная у начинающих радиолюбителей схема мультивибратора на кт315.

Проверка мультиметром

С помощью мультиметра можно проверить кт315, да и собственно любой полупроводниковый триод в два этапа. На первом этапе надо посмотреть состояние p-n переходов между базой и другими выводами. Как известно, p-n переходы у транзистора представляют собой два диода. Для их проверки надо установить на мультиметре режим измерения для диодов.

Далее приложите положительный щуп «+» мультиметра к базе, а отрицательны «-» на любой из электродов. Если переходы рабочие, то падение напряжения на них должно быть в пределах 500-700 милливольт. При подключения тестера по другому, когда отрицательный щуп установлен на базе, на экране мультиметра должна отображается единица. Единица указывает на бесконечно большое сопротивление перехода. Если эти условия не выполняются, то транзистор не проходит первый этап проверки и считается не исправным.

Падение напряжения на переходе база-эммитер должно быть больше чем на базе-коллектор. Обычно так определяют его контакты.

На втором этапе проверяется проводимость между выводами коллектора и эммитера. Щупы прикладываются разными способами между этими электродами, при этом на мультиметре должна отображаться единица. Если это не так –полупроводниковый прибор не исправен.

Нестандартное применение

А вот пример нестандартного применения нашего героя. На одном из технических форумов выложена интересная поделка из радиодеталей. Таким изящным образом радиолюбители продлевают жизнь давно вышедшим из строя, но дорогим сердцу радиодеталям.

Производители

В настоящее время производство данного транзистора значительно снизилось. Многие предприятия больше его не выпускают, в связи растущим применением в электронике более современных решений. Небольшими партиями транзистор КТ315 иногда впускается в корпусе КТ-13 компанией СКБ «Элькор» в Республике Кабардино-Балкария г. Нальчик. Белорусский конкурент ОАО «Интеграл» (холдинг завод «Транзистор») производит его в корпусе ТО-92. Скачать полную версию datasheet на этот прибор в формате pdf можно по ссылке.

Транзистор КТ361: характеристики, цоколевка, импортные аналоги

В данной статье вы узнаете все технические характеристики транзистора КТ361, разберём его цоклёвку и приведём аналоги которые можно использовать для замены вышедшего из строя устройства.

Исторически он разрабатывался для использования в схемах УВЧ, однако его стали часто использовать в УНЧ и УПЧ а также в других радиоэлектронных приборах. По своей структуре относится к p-n-p транзисторам.

Распиновка

Расположение ножек, то есть цоколевку кт361 можно определить если расположить его маркировкой к себе: сначала идёт эмиттер, посередине коллектор и крайняя справа база. Выпускается в пластмассовом корпусе КТ-26 имеющем гибкие выводы, который является аналогом зарубежного КТ-26. Но раньше этот транзистор производили в корпусе КТ-13. Вес транзистора не превышает 0,3 г.

 

Транзисторы КТ361 и КТ315 выпускаются в одинаковых корпусах, КТ-13 и отличить их не всегда просто. В редких случаях обозначение на корпусе указано полностью, тогда идентификация не вызывает трудностей. Если нет, нужно смотреть, как нанесена буква. У КТ361 она наносится по центру между двумя небольшими чёрточками. А на КТ315 располагается в левом углу сверху. Также определить тип устройства можно прозвонкой относительно вывода базы.

Историческая справка

КТ361 второе изделие, после КТ315, которое стало выпускаться в Советском союзе по эпитаксиально-планарной технологии. Большой вклад в ее развитие во времена СССР внёс министр электронной промышленности Шокин А.И.

До появления этой технологии низкочастотные приборы делались по «сплавной», а высокочастотные по так называемой «диффузионной». Поэтому новые устройства стали прорывом, для своего времени. КТ361 были мощнее ГТ308 в полтора раза, максимальная частота усиления тока была в 2 раза выше, предельно возможный ток через коллектор в 3 раза выше. При этом стоили они меньше.

Технические характеристики

Главными характеристиками транзистора являются его максимально возможные параметры. Все они определяются при температуре окружающей среды +25ОС (если не оговорена специально другая температура тестирования), и являются действительными для данной температуры, если в документации, предоставляемой производителем не указано иного. Кроме этого для каждого параметра пишутся важные рабочие параметры тестирования.

  • максимально возможное постоянное напряжение между К-Б (сопротивление перехода Б-Э Rбэ = 10 Ом):
    • Т = +35ОС – 25 В;
    • Т = +100ОС – 25 В;
  • предельно возможное постоянно действующее напряжение, действующее между выводами эмиттер и база – 4 В;
  • наибольший возможный ток протекающий через коллектор длительное время — 50 мА;
  • наибольшая предельная мощность, которая рассеивается на коллекторе:
    • T ≤ +35ОС – 150 мВт;
    • Т = +100ОС – 30 мВт.
  • максимально возможная температура p-n перехода (кристалла) – + 120 ОС;
  • Диапазон температур, при которых транзистор может нормально работать – -60 ОС … +100 ОС.

Приведём далее значения электрических параметров транзистора КТ361. Они тестировались при той же температуре окружающего воздуха, что и предельные — +25ОС. Остальные рабочие параметры, при которых производились измерения, находятся в таблице, в колонке «Режимы измерения».

Название параметра Обозн Режимы измерения MIN MAX Ед. изм.
Статический к-т передачи в схеме с общим эмиттером (UКБ=10 B, IК=1 мA) h21э Т = +25ОС

Т = +100ОС

Т = -60ОС

25О

Граничная частота к-та передачи в схеме с ОЭ fгр Uкэ=10 B

Iэ=5мA

25О МГц
Постоянная времени ОС τк Uкб=10 B

Iэ=5 мA

f = 5 МГц

5ОО пс
Обратный ток, протекающий через коллектор при (UКБ = 1О В) Iкбо Т = +25

Т = -60 ОС

Т = +100ОС

1

1

25

мкА

мкА

мкА

Обратный ток, текущий через переход  К-Э Iкэо UКЭ = UКЭ МАКС

Rбэ = 10 кОм

1 мкА
Емкость на коллекторном переходе ск Uкэ = 10 В 9 пФ

Также, в технической документации на транзистор КТ361, приведены меры, которые необходимо соблюдать при работе с ним. Они заключаются в следующем:

  • расстояние от корпуса до места, в котором осуществляется пайка, должно быть больше 2 мм;
  • изгиб ножек может производиться на расстоянии, превышающем 2 мм от пластмассовой оболочки, и радиус закругления должен находиться в пределах от 1,5 до 2 мм.

    Содержание драгметаллов

Драгоценные металлы добавляют в радиодетали при изготовлении для разных целей. В транзисторах зачастую золото используют в качестве подложки под кристаллом и проводником. В рассматриваемом нами полупроводнике содержится небольшое количество этого жёлтого металла. Оно равно 0,0000712 г. на 1 штуку. Ниже приводим фрагмент этикетки на транзистор КТ361 из которой взята данная информация.

Аналоги

Существуют следующие импортные аналоги для КТ361: 2SA555, BC250A, 2SA601, 2SA611. Кроме этого у него есть комплементарная пара — КТ315. Это позволяет использовать его в двухтактных схемах.

Производители

Раньше КТ361 изготавливался на таких предприятиях: производственное объединение «Элькор» г. Нальчик, НИИПП г. Томск и «Элекс» г. Александров.

Сейчас данное изделие выпускает в России ЗАО «Кремний» расположенный в г. Брянск. В Белоруссии его производством занимается ОАО «Интеграл» (Datasheet на КТ 361 можно скачать здесь и ещё здесь). Продукцию каждого из этих производителей можно встретить на отечественном рынке.

Схема простого усилителя на трех транзисторах КТ315 (до 0,5Вт)

Что-то не так?


Пожалуйста, отключите Adblock.

Портал QRZ.RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям. Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Спасибо.

Как добавить наш сайт в исключения AdBlock

Очень простой в изготовлении и не требующий дефицитных деталей усилитель низкой частоты (УНЧ) на трех транзисторах КТ315 с выходной мощностью достигающей 0,5 Ватт. Прекрасно подойдет для использования с наушниками, а также для работы с маломощным динамиком.

Технические характеристики:

  • Входной сигнал - 250 мВ;
  • Выходная мощность - до 0,5 Вт.

Ниже представлена схема одного канала для усилителя на транзисторах КТ315.

Рис. 1. Схема простого усилителя на транзисторах КТ315 с выходной мощностью до 0,5 Ватт.

Схема усилителя очень проста и использует недорогие доступные детали среди которых широко распространенные транзисторы КТ315. В схеме использованы три транзистора КТ315, вы также можете их заменить и на другие сходные по параметрам, к примеру можно попробовать транзисторы КТ3102 и другие со структурой N-P-N.

Рис. 2. Внешний вид и цоколевка транзисторов КТ315.

Для питания усилителя можно использовать батарею КРОНА, напряжением 9В, также можно попробовать использовать батарею составленную из нескольких элементов по 1,5В.

Схема не требует наладки и, как правило, начинает работать сразу же после включения.

Таким образом, используя доступные детали и с минимальными затратами можно собрать простой и неплохо звучащий усилитель НЧ.

 


Источник: Radiostorage.net/

 

Эквивалент транзистора

Kt315 pdf

Эквивалент транзистора Kt315 pdf

Bu515 можно заменить на bu508, потому что оба используются в секции горизонтального отклонения телевизора. Kt315 datasheet, kt315 pdf, kt315 data sheet, kt315 manual, kt315 pdf, kt315, datenblatt, electronics kt315, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. Ищу что-нибудь может заменить эти транзисторы. Наша компания занимается поставкой на экспорт электронных компонентов, произведенных в России и бывшем Советском Союзе.Транзисторный эквивалент c945 может быть недостаточной информацией для определения точного устройства для замены. Ss8050 ss8050c ss8050d 55oc ss8050 эквивалент ss8050d ss8050c npn-транзистор ss8050d 800ma ss8050 транзистор ss8050d 1. 2n3904 - это обычный npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для универсальных маломощных усилительных или коммутационных приложений. Идентификатор, напечатанный на компонентах, может вводить в заблуждение и иногда является сокращенной версией всей информации, необходимой для точной перекрестной ссылки.Просмотр сообщений форума личное сообщение просмотр записей блога просмотр статей полный членский уровень 4. Техническое описание Kt315i, эквивалент, поиск по перекрестным ссылкам. KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто использовался в паре с ним в двухтактных каскадах, транзисторы KT315 и KT361 стали первыми когда. Не выбирайте транзистор с гораздо большим ft, так как это может увеличить риск колебаний.

Символ параметр условия единица значения rthja тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде примечание 1 500 кВт.Pc max ucb max uce max ueb max ic max ft max cctip pf hfe tj эквивалент в евро, эквивалент сша. Примечания к выбору транзисторной замены электроники. Российские электронные компоненты трейдер диод, терморезистор. Kt315g - параметры, поиск аналогов. Это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. Список перекрестных ссылок полупроводников и транзисторов. База данных биполярных транзисторов содержит более 46000 транзисторов.K3569 datasheet vdss600v, nch транзистор toshiba, 2sk3569 datasheet, k3569 pdf, распиновка k3569, эквивалент k3569, данные, схема k3569, схема k3569. C1815 перекрестные ссылки на электронные схемы, схемы телевизоров. Ic перекрестная ссылка перекрестная ссылка ci stk перекрестная ссылка ci tda перекрестная ссылка ci четкая перекрестная ссылка Hitachi аудио IC перекрестная ссылка и схемы приложения SMD перекрестная ссылка и эквивалент Мы делаем все возможное, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем или представить это.

Знание того, как заменить транзистор другого типа, может ускорить работу. Очевидно, усилители и генераторы должны работать несколько ниже этой частоты. Инструкции по определению теплового сопротивления rths для ребер охлаждения можно найти на странице 11. 21 сентября 2009 г. для kt315 используйте практически любой маломощный тип npn. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315. Апидиктор был разработан в начале 1950-х годов и содержал три типа транзисторов, каждый из которых мог быть двух указанных типов, но на начало 2000-х годов ни один из них не был общедоступным.Kt361a datasheet, kt361a pdf, kt361a распиновка, эквивалент, замена pnp транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство. 2n3904 демонстрирует свой бета-пик прямого усиления при более низком токе, чем 2n2222, и может использоваться в усилителях с пониженным i c, e. Irfz43 ka3842d irf510 транзистор-переключатель mc7805ct транзистор mc7812ct ka336z irfz44 pnp высоковольтный pnp-транзистор 700в ks82c670n. Перекрестная ссылка на универсальный транзистор, ссылка на страницу 1.

K3569 datasheet vdss600v, mosfet транзистор toshiba.KT315 - это советский кремниевый биполярный npn-транзистор общего назначения. Ссылки слева могут помочь вам найти собственные заменяемые транзисторы. Транзисторные эквиваленты для замены современных транзисторов в старых проектах. Если используется слюдяная изоляция, необходимо добавить тепловое сопротивление слюдяной шайбы, которое составляет около 0. Выберите заменяющий транзистор с эквивалентными футами. Первоначально он был изготовлен из металлической банки to18, как показано на рисунке, рассматривается 2n2222. очень распространенный транзистор, и есть.Без дополнительных деталей схемы я не могу сказать наверняка, но, вероятно, рассчитан как минимум на 10 ампер и 30 вольт. Если на транзистор будет подано напряжение, превышающее максимально допустимое, он может быть необратимо поврежден. Посмотреть все форматы и редакции, скрыть другие форматы и редакции. Перекрестные ссылки - это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее. Транзисторные эквиваленты на замену современным. 2n2222 - это обычный npn-транзистор с биполярным переходом bjt, используемый для усиления или коммутации малой мощности общего назначения.Таблицы эквивалентов между русской и западной частями.

Замена транзистора Распайка и замена транзистора занимает очень мало времени. Больше времени уходит на то, чтобы выяснить, какой заменить, а иногда и чем заменить. При максимальном напряжении, также называемом напряжением пробоя bv, электроны. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor datasheetcafe. Оригинальный транзистор может нуждаться в особом заказе или быть снят с производства и быть недоступным. KT361 является дополнительным к транзистору KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах.Поскольку распределение тепла в кристалле транзистора неравномерно и зависит от напряжения и. Kt315b - параметры поиска по каталогам. Полупроводниковый транзистор, диод, перекрестная ссылка на микросхему. Для kt315 используйте практически любой тип npn малой мощности.

Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, даташит kt315a, pdf kt315, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, kt315. Если вы найдете какую-либо информацию, которая может заполнить любой из пробелов в таблице ниже. Эквивалентная таблица данныхpdf a1425apl84c microsemi corporation.KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Здесь я собрал всю имеющуюся у меня информацию о заменах западных частей на российские компоненты, которые я использую в своих конструкциях. Npn-транзистор средней мощности имеет сильноточное низкое напряжение насыщения, дополняющее 2sb772, драйвер реле регулирования напряжения, общий переключатель, аудио усилитель мощности, преобразователь постоянного тока, описание, устройство представляет собой npn-транзистор, изготовленный с использованием планарной технологии, что приводит к созданию прочных высокопроизводительных устройств.Форум схем, проектов транзисторной эквивалентной электроники. Так называемые эквивалентные части или замены могут вообще не работать в некоторых случаях, потому что они были хуже в некоторых спецификациях, или схема была разработана с предположением, что часть имеет довольно низкую полосу пропускания.

Необходимо убедиться, что заменяемый транзистор сможет работать на соответствующих частотах, поэтому рекомендуется использовать аналогичный или немного более высокий ft. Замещающий транзистор должен иметь ту же полярность (pnp или npn), что и исходный.Kt315a - параметры поиска по каталогам. Диод 1n9148 1n4307 1n4532 диод 1n3605 2n2222 микросхема 2n2369 транзистор se708 ma1704 ma1703 текст. Если вы установите неправильную полярность, бутерброд не подойдет. 25 августа 2011 г. перекрестные ссылки - это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее. 2n3904 очень часто используется в проектах по хобби-электронике, включая самодельные радиолюбители, генераторы кодовых практик, аналоговые усилители и устройства сопряжения для.Кт315а 2н2712, 2с633, бфп719 транзистор ссср лот. Характеристики tj 25 c, если не указано иное. 24 октября 2015 г. Я ищу что-нибудь, что может заменить эти транзисторы. База данных биполярных транзисторов содержит более 46000 данных транзисторов npn и pnp. 9 декабря 2016 г. это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. C1815 перекрестные ссылки электронные схемы, схемы тв, аудио.Nte - компания, специализирующаяся на деталях с перекрестными ссылками.

Мы можем предложить вам доставку комплектующих с нашего склада, заводов, а также поиск компонентов, которые больше не производятся. 2n3904 - это npn-транзистор, который может включать только треть тока, чем 2n2222, но имеет в остальном аналогичные характеристики. Эпитаксиальный процесс pct кремния pnp транзистора Toshiba. Он разработан для низкого и среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях.30.11.2015 усиление транзистора падает с увеличением частоты. Эквивалентный datasheetpdf microsemi corporation a1425apl84c datasheet, до 10 000 вентильных матриц, эквивалентных вентилей, до 25 000 эквивалентных вентилей pld, micropac industries 66191 datasheet, hammond Manufacturing ltd. Bf199, bf494, 2n4001, 2n4003, mpsa18 и все, что у меня есть. Данные о мировых эквивалентах транзисторов az by eca author 4.

Мы можем предложить вам доставку комплектующих с нашего склада, заводов, а также поиск, который вам сложно найти.Kt805 datasheet, kt805 pdf, распиновка kt805, аналог, замена транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство. KT315 - это советский кремниевый npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. Эквивалентную схему транзистора теперь можно развить с помощью двухполюсных формул для основной цепи транзистора, показанной на рис. Ic перекрестная ссылка перекрестная ссылка ci stk перекрестная ссылка ci tda перекрестная ссылка ci четкая перекрестная ссылка Hitachi аудио IC перекрестная ссылка и схемы приложения SMD перекрестная ссылка и эквивалент Мы прилагаем все усилия, чтобы обеспечить точность материалов на этом сайте, однако мы не гарантируем или заявляем, что информация бесплатна.Irfz43 ka3842d irf510 транзистор-переключатель mc7805ct транзистор mc7812ct ka336z irfz44 pnp высоковольтный pnp-транзистор 700в. Это транзистор на 200 мА, 40 В, 625 мВт с переходной частотой 300 МГц, с минимальным коэффициентом усиления бета или тока 100 при токе коллектора 10 мА. Kt315 npn компоненты транзистора техническое описание pdf техническое описание бесплатно из технического описания поиск для интегрированного. Этот тип был зарегистрирован Motorola Semiconductor в середине 1960-х вместе с дополнительным pnp-типом 2n3906, и это привело к значительному увеличению затрат на производительность, поскольку пластиковый корпус to92 заменил металлические банки.

Pc max ucb max uce max ueb max ic max ft max cctip pf hfe tj эквивалент в евро, эквивалент сша, эквивалент ссср, эквивалент в Японии. 26 июня 2017 г. k3569 datasheet vdss600v, nch транзистор toshiba, 2sk3569 datasheet, k3569 pdf, распиновка k3569, эквивалент k3569, данные, схема k3569, схема k3569. Но 8050 и 8550 кажутся подходящими для создания двухтактных усилителей. Схема испытания, эквивалентная времени задержки и нарастания. 2. 28 апреля 2014 г. скачайте базу данных биполярных транзисторов бесплатно.

Эквивалент транзистора Kt315 pdf

Эквивалент транзистора Kt315 pdf

Справочник перекрестных ссылок транзисторов, в котором перечислено около 5000 моделей транзисторов основных европейских и американских производителей того времени, с азиатскими эквивалентами, если таковые имеются.Его также можно использовать для переключения, как и другие pnp. Как единственный человек, контактирующий с пользователями системы, так и есть. Основное применение 2sa - это усилители звуковой частоты. Коммутационные и линейные приложения для усилителей постоянного тока и УКВ. Введение на итальянском языке, но большая часть книги - это таблицы данных с заголовками на английском языке. Эквивалентные схемы также делятся на эквивалентные схемы для малых и больших сигналов.

Kt315g datasheet, pdf распиновка npn биполярных транзисторов.Kt315g datasheet, kt315g pdf, распиновка kt315g, эквивалент, замена биполярных транзисторов npn и т. Д., Схема, схема, руководство. Техасские инструменты выпустили лист данных для своей версии этой части, датированный март 1973 года. Советский 315 npn транзистор с биполярным соединением 19451991 года. Kt315 электронные компоненты datasheet мета-поиск. Tip140, tip141, tip142, tip145, tip146, tip147 Дарлингтон. Он широко использовался в советской электронной технике. Основы транзисторов: переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, обычно переход от коллектора к базе - смещен в обратном направлении. Обычно транзисторы работают с током, поэтому в первую очередь следует применить kcl.

Таблицы эквивалентов между российской и западной частями. Electro tech - это онлайн-сообщество, насчитывающее более 170 000 участников, которым нравится обсуждать и создавать электронные схемы, проекты и гаджеты. 21 июня 2020 г. tip41c - это недорогой силовой транзистор общего назначения, который можно использовать для усиления и переключения в ваших электронных схемах. To18 металл может размер упаковки минимум максимум a 5. Эпитаксиальный плоский высокочастотный малошумящий усилитель npn-транзистора, усилитель диапазона УКВ, техническое описание ktc3195, схема ktc3195, техническое описание ktc3195.Мы можем предложить вам доставку комплектующих с нашего склада, заводов, а также осуществить поиск комплектующих, которые больше не производятся.

12 апр.2020 г. Техническое описание kt, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. KT361 является дополнительным к транзистору KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Распиновка транзистора MPSA42, аналог, применение и применение. Список перекрестных ссылок полупроводников и транзисторов. Цифровой тестер транзисторов, цифровой тестер параметров постоянного тока транзисторов.Примечания к выбору транзисторной замены электроники. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor datasheetcafe. Решил заменить транзисторы западными аналогами.

Перечень перекрестных ссылок силовых транзисторов для компонентов motorola, philips и sgsthomson. Прочее, краткие данные и перекрестные ссылки, разные таблицы данных, сканирование, pdf. Скромный транзистор q1 эмиттер e коллектор c база b основы транзистора эмиттер-базовый переход смещен в прямом направлении, обычно коллектор-базовый переход смещен в обратном направлении.Pdf kt315 indikatoransteuerung02 6g asz1016 транзистор bu 5027 транзистор kt 816 транзистор sd 5024 j 5027r bu 5027 kt 817 транзистор транзистор ku 607 mda 2020 rft e 355 d. При максимальном напряжении, также называемом дробным напряжением bv, в транзисторах начинается лавина электронов. Kt315 мета-поиск, kt315 таблицы данных и информация для электронных компонентов и полупроводников. Вы всегда можете помнить, что стрелка указывает на n материала. Справочник по малосигнальным транзисторам, 86 страниц, 1984, Motorola. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, kt315.KT3102E - техническое описание транзистора, pdf, эквивалент KT3102E. Если транзистор pnp, то стрелка указывает на базу транзистора, в противном случае - на выход. Показаны трубка 315 или rohre 315 id43007, транзистор, провода и преобразователь частоты. Транзистор KT315 и использует новые схемы усиления звука, промежуточные и высокие частоты.

Инструкция для термомагнитного расцепителя kt. Kec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.Также доступны подробные спецификации asi, спецификации и габаритные чертежи упаковки. Руководство по перекрестным ссылкам на транзисторы, дополнение к предыдущему выбору радио и телевидения, Hi-Fi электроника, 1980 год. Было введено не менее 36 000 новых типов транзисторов. Kt315b - параметры поиска по каталогам. Я ищу аналог транзистора d965. Техническое описание транзистора kt315b, pdf, эквивалент kt315b. Предупреждение, пожалуйста, внимательно прочтите примечание для установщиков. Это предупреждение содержит важную информацию.Dec 09, 2020 kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, kt315 pinout, kt315 manual, kt315 schematic, kt315 эквивалент, kt315 data.

Наша компания занимается поставкой на экспорт электронных компонентов, произведенных в России и бывшем СССР. Кт3157а интегралкт3157а даташит, полупроводниковые дискретные транзисторы. Commons - это свободно лицензируемое хранилище медиафайлов. 5 апреля 2021 г. - описание транзистора в формате pdf, эквивалент. KT361 - это дополнительный pnp для транзистора KT315, поэтому он часто используется с ним в паре в двухтактных схемах.Самый старый кт315а, который нам удалось найти, был изготовлен в марте 1978 года. Символ транзистора имеет стрелку на эмиттере. Nella Coppia, это должно быть все, что нужно, чтобы использовать все схемы и преобразовать их в надлежащую температуру. Kt315 datasheet, kt315 pdf, kt315 data sheet, kt315 manual, kt315 pdf, kt315, datenblatt, electronics kt315, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. Bc548, функционально эквивалентный транзистор, используемый в Европе. KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто использовался в паре с ним в двухтактных каскадах, транзисторы KT315 и KT361 стали первыми когда.Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315.

Он разработан для низкого и среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. Российские электронные компоненты трейдер диод, терморезистор. Биполярный транзистор с изолированным затвором vces600v, vceontyp. KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах.

2n3773 - это силовой транзистор для базового блока питания, разработанный для высоких частот. Elenca около 5000 типов транзисторов основных европейских и американских производителей, с ограничениями, эквивалентными азиатским. Связанные части для редактирования электрически подобных устройств, таких как mmbt3904, доступны во множестве небольших корпусов для сквозного и поверхностного монтажа, включая to92, sot23 и sot. Распиновка транзистора Tip41c, аналог, спецификации, даташит. Когда коллекторы разомкнуты, на выходных транзисторах имеется около 22 вольт.Kt315g - параметры, поиск аналогов. Ktc3114 datasheet, ktc3114 pdf, ktc3114 data sheet, ktc3114 manual, ktc3114 pdf, ktc3114, datenblatt, electronics ktc3114, alldatasheet, free, datasheet, datasheets. Информация описания этой страницы представлена ​​рядом. Форум схем, проектов транзисторной эквивалентной электроники. Kt3102 datasheet, kt3102 pdf, kt3102 data sheet, kt3102 manual, kt3102 pdf, kt3102, datenblatt, electronics kt3102, alldatasheet, free, datasheet, даташиты, данные.Текущая рыночная цена заменяемого продукта взимается за каждую заменяемую единицу.

2n2222 - это обычный npn-транзистор с биполярным переходом bjt, используемый для общих маломощных усилителей или коммутационных устройств. Вы можете увидеть дефекты нарезки кубиков и много лишнего места вокруг транзистора. Mpsa42 - это транзистор npn bjt, предназначенный для высоковольтных приложений, таких как переключение высокого напряжения и усиление высокого напряжения. Первоначально он был изготовлен из металлической банки to18, как показано на рисунке, 2n2222 считается очень распространенным транзистором и используется в качестве транзистора.Знаменитая книга по перекрестным ссылкам на транзисторы - это руководство для мастера филиппа ЭКГ. KT315 - это советский кремниевый npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. KT315 - это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, выполненных в пластиковом корпусе kt. Эквивалентные параметры транзисторных характеристик транзистора включают в себя параметры устройства, тесно связанные с его внутренней работой, и параметры схемы, которые представлены в виде матрицы, рассматривая транзистор как четырехконтактную сеть.

Эта потребность была предусмотрена в моей первой книге эквивалентов и заменителей транзисторов, опубликованной в 1971 году и переизданной по крайней мере 10 раз с той даты, было продано более одного миллиона экземпляров. Это транзистор на 200 мА, 40 В, 625 мВт с переходной частотой 300 МГц, с минимальным коэффициентом усиления бета или тока 100 при токе коллектора 10 мА. Мы перечисляем многочисленные коммерческие номера деталей и их точную замену или предлагаем аналогичные устройства. Инструкции Cutlerhammer по установке и эксплуатации термомагнитного расцепителя kt с серией kframe c.Практическое использование транзистора требует, чтобы он использовался для частот намного меньше, чем f t. 2n2907 - это широко доступный pnp-транзистор с биполярным переходом, используемый для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений. Это может быть идеальный транзистор, если вы хотите заменить в своей схеме транзисторы tip31, tip31c или другие подобные транзисторы для увеличения нагрузки. Для 2n2907 произведение коэффициента усиления на ширину полосы частот при определенных условиях тестирования, или f t, составляет 200 мегагерц, что условно является частотой, на которой текущий коэффициент усиления падает до единицы.

790 351 1381 1389 688 792 455 1021 692471795 641 1766 1677 1703560 37 1381 553 149 432 1019 935 1961 37 550 1551 552 1958 1701 136

315, kt315,,,

315, kt315,,,


315 (, н-п-н)


Т = 25С R - (R - ), С /
Т = 25С
I , макс. Я .макс U R макс (U 0 макс ), U 0 макс , U 0 макс , P макс , (P макс ), Т, С T макс , C T макс , C ч 21 21 ) У ), я ), U , I 0 , (I R ), f (f h31 ), , С , С , т ,
315 100 25 6 150 25 120 100 20...90 (10) 1 0,4 1 250 7 670
315 100 20 6 150 25 120 100 50...350 (10) 1 0,4 1 250 7 670
315 100 40 6 150 25 120 100 20...90 (10) 1 0,4 1 250 7 670
315 100 35 6 150 25 120 100 50...350 (10) 1 0,4 1 250 7 670
315 100 40 6 150 25 120 100 20...90 (10) (1) 1 1 250 7 670
315 100 35 6 150 25 120 100 50...350 (10) (1) 1 1 250 7 670
315 50 15 6 100 25 120 100 30...250 (10) (1) 0,5 1 150 10 670
315 50 60 6 100 25 120 100 30 (10) (1) 1 250 7 670


www.5в.ру

узлов% 208275 лист данных и примечания к применению

В / ACU50550

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 111.6190 - 504.043 jO 0.700 ГГц 39.139 0-261.920 jO 6: 1.000 ГГц 32.016 0 - 208.275 jO


OCR сканирование
PDF ACU50550 359jQ 871JQ В / ACU50550
ACU50550

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: ГГц 39.139 Q -261,920 jQ 1.000 ГГц 32,016 Q - 208,275 j £ 2 5: нормализовано до 50 Q 6:35


OCR сканирование
PDF убывающий043 128jQ 359jQ 481jO ACU50550
2004 - 17052

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 1717.15 1748.66 1779.78 1810.31 1841.30 1872.34 1903.41 1934.62 1965.68 1996.01 2025.63 2055.04 2082.75, 1996.01 2025.63 2055.04 2082.75 2108.92 2133.49 2155.91 2175.50 2192.75 1594,52 1632,87 1667,60 1700,45


Оригинал
PDF 12 дБр. ROS-EDR5988 / 1 кГц2253 17052
преобразователь с повышением частоты

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 0 - 208,275 jft 1: 4: 5: Нормализовано до 50 Q 6:19 CATV - Преобразователь с повышением частоты ACU50550


OCR сканирование
PDF U50550 437 футов ACU50550 128j0 преобразователь с повышением частоты
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст:: 1.000 ГГц 32,016 Q - 208,275 jQ 35 Technology Drive, Warren NJ 07059 â € ¢ (908) -668-5000 â € ФАКС: (908


OCR сканирование
PDF ACU50550 0000E50 000D251
ACU50550

Аннотация: BB811 преобразователь с повышением частоты 6 ГГц 628JN
Текст: 2 0,550 ГГц 52,962 SI -303,873 j 2 0,700 ГГц 39,139 n -261,920 j 2 1,000 ГГц 32,016 n - 208,275 jÂ


OCR сканирование
PDF ACU50550 alignment016 359jn ACU50550 BB811 преобразователь с повышением частоты 6 ГГц 628JN
1999 - ACU50550

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: -261.920 j 1.000 ГГц 32.016 - 208.275 j -5 4: -.5 -1 -2 5: нормализовано до 50 6: A


Оригинал
PDF ACU50550J5C ACU50550
ACU50550

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 32.016 £ 2 - 208.275 j £ 2 5: Номинал до 5 0 £ 1 6: 35 Technology Drive, Warren NJ 07059


OCR сканирование
PDF 397OE ACU50550
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: ShaTsui, Kowloon Hong Kong Тел: 7359218 Факс: 7306071 ADE- 208-275 (Z) Напечатано в JaDar


OCR сканирование
PDF 2Ш22 D-85622 ADE-208-275
9977GH

Абстракция: 34B DBM 5068 025Q ACU50550
Текст: нормализован до 50 Q 6: 1.000 ГГц 32,016  1–208,275 j  35 Technology Drive, Warren NJ 07059 â € (908


OCR сканирование
PDF Qfi1HS77 DGDGS72 ACU50550 прием668-5068 0DDD577 128ji 359jQ 9977GH 34B DBM 5068 025Q ACU50550
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: -261.920 jfi 6: 1.000 ГГц 32.016 fi - 208.275 jfi i_ \ / -1 Нормализовано до 50 Q


OCR сканирование
PDF D0G0572 ACU50550 Dfll4S77 D0DD577 128jfl 359jO 481jn 871jO
1998 - 2Ш22

Аннотация: Hitachi DSA0076 TM 1628 IC
Текст: ADE 208275 (Z) 2Sh22 Silicon N-Channel IGBT 1st.Издание, февраль 1995 г. Применение TO220AB Высокоскоростное переключение мощности Характеристики 2 · Высокоскоростное переключение · Низкое напряжение насыщения 1 1 3 2 Номинальные характеристики 1. Затвор 2. Коллектор 3. Эмиттерный блок 3 Таблица 1 Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25 ° C) Позиция Символ - напряжение коллектор-эмиттер VCES 600 VGES ± 20 IC 15 ic (пиковое) 30 В


Оригинал
PDF 2Ш22 220AB 2Ш22 Hitachi DSA0076 TM 1628 IC
КТ3102

Реферат: KT 3127 TM100 UF 3004 lg led схема kt3117 LED Tr KT 1117 3121 LG LED
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
кт 30

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
MA704WA

Аннотация: MA700 MA4S713 MA2S784 HSU88 HSU276 HSS102 610C 420C ma741
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF HSS102 HSU88 HSU276 30 МГц) MA2S784 MA4S713 MA743 MA704AÂ MA721В MA744 MA704WA MA700 610C 420C ma741
кабель

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
2008 - КТ 6396

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
КТ920Б

Аннотация: KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 UdSSR BT320 920a 920B4
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 175 МГц КТ920Б КТ920А KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 СССР BT320 920a 920B4
пластик

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF

Таблицы эквивалентов между российской и западной частями

Кремниевый n-p-n транзистор средней мощности Высоковольтный транзистор

1.Биполярные транзисторы

Российская часть

Краткое описание

Западный аналог

KT3102A кремниевый транзистор общего назначения n-p-n BCY43, BC107A, BC170, BC207A, 2N4123, MPS3709

КТ3102Э

кремниевые npn-транзисторы с высоким h31e (> 600)

2N5210, например
KT312A-B кремниевый транзистор общего назначения n-p-n Практически то же, что и KT315, за исключением типа корпуса.
KT608A ВЧ кремниевый n-p-n транзистор средней мощности BSX21, 2SC796
KT606A-B для использования на ВЧ и Применение УКВ Не удалось найти, извините
КТ326 Обычное общего назначения p-n-p кремниевое устройство. Думаю, любой подходящий западный транзистор сможет заменить его. Интересно, а почему я не могу найти его в своих базах ...
KT602B довольно старый кремниевый транзистор n-p-n, специально разработанный для работы в оконечных каскадах широкополосных усилителей. BSY71
GT308 Очень старый универсальный p-n-p германиевый транзистор. Не могу найти, извините.
GT311 Старый, но еще хороший германиевый n-p-n прибор для работы с частотами до 800 МГц. Не могу найти, извините.
КТ315 кремниевый транзистор общего назначения n-p-n, старая конструкция BC146,
GT402 германий низкочастотный п-н-п транзистор, старая конструкция Затрудняюсь ответить *
GT404 дополнительная пара для GT402 Затрудняюсь ответить *
MP25A-B Очень старый p-n-p транзистор чернового назначения ACY19, ACY23, 2N190-191
KT503A кремниевый транзистор общего назначения n-p-n (для довольно низких частот) 2SD762, например
P214A Очень старый p-n-p транзистор большой мощности для низких частот AD142, например
KT368A-B Очень хороший высокочастотный транзистор n-p-n с низким уровнем шума фактор BFS17, 2SC252
KT812A транзистор большой мощности для низких частот (n-p-n) КУ601, КУ602
КТ815 Кремниевый транзистор n-p-n средней мощности для использования в низкочастотном диапазоне схемы BD165
КТ814 Дополнительная пара ( p-n-p ) для KT815 BD170
KT818G Высокомощный p-n-p транзистор, широко используемый в источниках питания и выходных каскадах усилителей НЧ. AD142
KT819G То же, что KT 818G, но со структурой n-p-n BDY20, BDY23
KT940A для оконечных каскадов видеоусилителей. в ТВ BF338

Настроенный радиочастотный приемник

Радиочастотный приемник настроенный

Радио, 1993, 9

Это очень простой рефлекторный радиоприемник для диапазона средних волн.Он не требует настройки и в рабочем режиме потребляет очень низкий ток (1..2 мА). Приемник построен по схеме прямого усиления с одной настроенной баковой схемой (рис. 1). Индукционные катушки L1 и L2 намотаны на ферритовый стержень (рамочная антенна) или рамку (рамочная антенна). Переменный конденсатор С1 используется для настройки радиоприемника.

ВЧ-сигнал от резервуара L1C1 подается через катушку L2 на трехкаскадную схему усилителя с прямой связью на транзисторах VT1-VT3.

Усиленный сигнал обнаруживается диодным детектором VD1, ВЧ-часть сигнала подавляется конденсатором C2, а аудиосигнал через катушку L2 (сопротивление ее катушки для аудиосигнала почти равно нулю) подается на базу транзистора VT1. .

Рис. 1. VT1, VT3 (KT315) = BC547, VT2 (KT361) = BC557, VD1 (KD503) = 1N914,
C1 = 5..180 пФ, C2 = 0,1 мкФ, C3 = 33 нФ, аккумулятор = 1,2 Вольт.
R1 = 5,1 К, R2 = 1,1 К, R3 = 300

Это не простая рефлекторная радиосхема, потому что диод VD1 замыкает цепь отрицательной обратной связи, и эта отрицательная обратная связь работает для постоянного и переменного тока. В результате рабочая точка транзисторов стабилизируется. При отсутствии сигнала напряжение на коллекторе транзистора VT3 равно сумме напряжений на диоде VD1 (около 0.5 В) и напряжения включения транзистора VT1 (около 0,5 В). В этом случае диод VD1 будет работать в самом начале своей кривой (кривая имеет максимальный наклон в начале) из-за напряжения смещения транзистора VT1, поэтому мы получаем очень хороший детектор.

Когда присутствует РЧ-сигнал, диод VD1 проводит положительные полупериоды, а транзистор VT1 начинает потреблять ток. После этого транзисторы VT2 и VT3 тоже начинают потреблять ток. В результате среднее напряжение на коллекторе VT3 падает, а ток всего транзистора растет.Осциллограмма сигнала на коллекторе транзистора VT3 представлена ​​на рисунке 2. Видно, что положительные полуволны модулированного ВЧ-сигнала привязаны к уровню +1 вольт, как и в то же время огибающая ( звуковой сигнал) имеет отрицательную полуволну с удвоенной амплитудой.

Рис. 2.

Из-за отрицательной обратной связи получаем очень линейный детектор. Если уровень сигнала слишком высок и отрицательные полуволны огибающей становятся равными нулю, то мы получаем искажение сигнала.Это можно исправить, отстроив бак L1C1, или изменив положение петли, или добавив резистор 20..100 Ом к эмиттеру транзистора VT1. Но в этом случае чувствительность приемника снизится.

Для аудиосигнала все три транзистора являются усилителями тока, и токи его коллектора суммируются в проводе поддержки питания, к которому подключены наушники BF1. Эта схема не требует выключателя питания, потому что схема начинает работать, когда штекер наушников BF1 вставляется в гнездо.Конденсатор C3 предотвращает попадание радиочастотного сигнала на наушники и аккумулятор.

Подробнее. Транзисторы VT1 и VT3 - любой NPN HF, VT2 - любой PNP HF, с I c max = 100 мА, f t = 100 МГц. Значение коэффициента усиления по току с общим эмиттером (h FE ) значения не имеет - если h FE будет большим, то мы получим лучшую чувствительность, но в любом случае рабочая точка транзисторов будет стабилизирована. Диод VD1 - любой обычный ВЧ диод, но обязательно сделанный из кремния.Конденсатор переменной емкости С1 - любой с воздушным или твердым диэлектриком, но максимальной емкостью не менее 180 пФ.

Индукционные катушки L1 и L2 намотаны на ферритовый стержень в один слой. Ферритовый стержень имеет начальную проницаемость 400..1000, сечением 20x3 мм и длиной 50 мм и более. Для диапазона СВ катушка L1 имеет 55..70 витков, катушка L2 - 5..7 витков эмалированного медного провода калибра 27..30 (диаметр 0,25..0,35 мм). Зазор между катушками составляет около 5..7 мм. Вместо ферритового стержня можно использовать рамочную антенну, она намотана на каркас 55х55 мм с 60 витками для L1 и 5 витками для L2.Для приема LW-диапазона необходимо утроить каждый виток катушки (L1 = 165..210, L2 = 15..21 для ферритового стержня и L1 = 180, L2 = 15 для рамочной антенны).

Наушники BF1 имеют сопротивление 50 Ом. С этими наушниками приемник будет работать при напряжении питания 1,2 В и выше. Потребляемый ток составляет около 1,2 мА от аккумулятора на 1,2 В или около 1,8 мА от аккумулятора на 1,5 В. Можно использовать наушники с сопротивлением 180 Ом, но для этого требуется напряжение питания 2,4..3 Вольт (при использовании двух аккумуляторов или двух батареек). В этом случае ток потребления увеличится до 3..5 мА.

Отличный результат был достигнут с наушниками TDS-1 (8..16 Ом), подключенными параллельно, с напряжением питания 3 вольта, потребляет 3 мА. Можно использовать наушники с высоким сопротивлением 4,4 кОм, но для этого требуется питание 4,5..9 вольт. Потребляемый ток около 1..2 мА.

В. Поляков

НАЗАД

Транзисторы КТ315А КТ315А 30 штук Транзистор NPN 0.15Вт 25В 0.1А КТ315 asiathinkers

Транзисторы КТ315А КТ315А 30 штук Транзистор NPN 0.15Вт 25В 0.1А КТ315 asiathinkers
  1. Дом
  2. Бизнес, офис и промышленность
  3. Электрооборудование и материалы
  4. Электронные компоненты и полупроводники
  5. Полупроводники и активные компоненты
  6. Транзисторы
  7. KT315A КТ315А 30 шт. штук Транзистор NPN 0.15W 25V 0.1A KT315, NPN 0.15W 25V 0.1A KT315 KT315A КТ315А 30 штук Транзистор, 15W 25V 0,1A, Полярность: NPN, Материал транзистора: Si, Коэффициент передачи прямого тока (hFE), MIN: 30, Важная информация, Транзистор NPN 0 , Интернет-магазин Saver Цены Товары высокого качества 100% гарантия Easy Payments. Удивительно низкие цены. КТ315А КТ315А 30 штук Транзистор НПН 0,15Вт 25В 0,1А КТ315.





    КТ315А КТ315А 30 шт. Транзистор NPN 0.15Вт 25В 0.1А КТ315

    КТ315А (КТ315А) Транзистор NPN 0,15Вт 25В 0,1А КТ315 (30 шт). Транзистор NPN 0.15W 25V 0.1A. Полярность: NPN. Материал транзистора: Si. Коэффициент передачи прямого тока (hFE), МИН: 30. Важная информация .. Состояние: : Новое: новый, неиспользованный, неоткрытый и неповрежденный товар в оригинальной розничной упаковке (если применима упаковка). Если товар поступает напрямую от производителя, он может быть доставлен не в розничной упаковке, например в простой коробке или коробке без надписи или полиэтиленовом пакете. См. Список продавца для получения полной информации.Просмотреть все определения условий : Модель: : Биполярный транзистор NPN , MPN: : КТ315А (КТ315А) : Страна / регион производства: : Российская Федерация , Бренд: : Soviet : ,




    КТ315А КТ315А 30 шт. Транзистор NPN 0,15Вт 25В 0,1А КТ315


    KT315A КТ315А 30 штук Транзистор NPN 0.15W 25V 0.1A KT315
    15W 25V 0,1A, Полярность: NPN, Материал транзистора: Si, Коэффициент передачи прямого тока (hFE), MIN: 30, Важная информация, Транзистор NPN 0, Интернет-магазин Saver Цены Товары высокого качества 100% гарантия Easy Payments.Удивительно низкие цены. .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *