Каковы основные характеристики транзистора КТ818. Где применяется этот транзистор. Какие существуют аналоги КТ818. Как правильно подключать и использовать КТ818 в схемах.
Основные характеристики транзистора КТ818
Транзистор КТ818 — это кремниевый биполярный PNP-транзистор средней мощности. Он относится к классу эпитаксиально-планарных транзисторов и выпускается в пластмассовом корпусе TO-220 (КТ-28).
Основные электрические параметры КТ818:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40-90 В (в зависимости от модификации)
- Максимальный ток коллектора: 10 А
- Рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Коэффициент усиления по току: 15-40
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
Транзистор КТ818 выпускается в нескольких модификациях (КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г), которые отличаются максимальным напряжением коллектор-эмиттер и коэффициентом усиления.
Области применения транзистора КТ818
Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ818 нашел широкое применение в различных электронных устройствах:
- Выходные каскады усилителей низкой частоты
- Импульсные источники питания
- Силовые ключи в схемах управления электродвигателями
- Регуляторы напряжения и тока
- Драйверы светодиодов высокой мощности
- Схемы защиты от перегрузок
КТ818 часто используется в паре с комплементарным NPN транзистором КТ819 для построения двухтактных усилительных каскадов.
Аналоги транзистора КТ818
КТ818 имеет ряд отечественных и зарубежных аналогов с похожими характеристиками:
- Отечественные аналоги: КТ817, КТ816, КТ815
- Зарубежные аналоги: 2SB647, 2SB688, BD244, TIP32
При замене КТ818 на аналоги необходимо внимательно сравнивать их параметры, так как полной взаимозаменяемости может не быть.
Особенности подключения транзистора КТ818
При использовании транзистора КТ818 в электронных схемах следует учитывать некоторые особенности:
- Корпус транзистора электрически соединен с коллектором, что нужно учитывать при монтаже
- Для эффективного теплоотвода требуется установка транзистора на радиатор
- Между базой и эмиттером рекомендуется устанавливать резистор 100-200 Ом для повышения устойчивости
- При работе на высоких частотах нужно минимизировать паразитные емкости и индуктивности в цепях транзистора
Типовые схемы включения КТ818
Рассмотрим несколько типовых схем включения транзистора КТ818:
Схема простого усилителя мощности на КТ818
Данная схема представляет собой однотактный усилитель мощности звуковой частоты:
«` «`В этой схеме транзистор КТ818 работает в режиме класса А. Входной сигнал подается на базу через разделительный конденсатор. Нагрузкой служит динамическая головка. Для установки рабочей точки используются резисторы в цепи базы.
Схема ключа на КТ818
КТ818 часто используется в качестве силового ключа для коммутации нагрузок:
«` «`В этой схеме транзистор КТ818 работает в ключевом режиме. При подаче управляющего сигнала на базу транзистор открывается и пропускает ток через нагрузку. Для защиты от перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки параллельно ей устанавливается диод.
Рекомендации по выбору режима работы КТ818
При проектировании схем с использованием КТ818 важно правильно выбрать режим работы транзистора:
- Для линейного усиления используется режим класса А или АВ
- В импульсных схемах транзистор работает в ключевом режиме
- Необходимо обеспечить теплоотвод, особенно при больших токах
- Следует учитывать температурную зависимость параметров транзистора
- При работе на высоких частотах нужно минимизировать паразитные параметры
Измерение параметров и проверка исправности КТ818
Для оценки состояния и измерения параметров КТ818 можно использовать следующие методы:
- Проверка исправности переходов с помощью мультиметра
- Измерение коэффициента усиления по току с помощью специальных приборов
- Определение пробивных напряжений на специальных стендах
- Измерение тока утечки коллекторного перехода
- Оценка теплового сопротивления переход-корпус
Регулярная проверка параметров позволяет своевременно выявлять деградацию транзисторов и предотвращать отказы аппаратуры.
Особенности монтажа КТ818 на печатную плату
При монтаже транзистора КТ818 на печатную плату следует соблюдать ряд правил:
- Обеспечить надежный теплоотвод от корпуса транзистора
- Использовать площадки достаточного размера для пайки выводов
- Минимизировать длину проводников, особенно в цепи базы
- При необходимости применять дополнительное крепление корпуса
- Соблюдать температурный режим при пайке во избежание перегрева кристалла
Правильный монтаж обеспечивает надежную работу транзистора в течение длительного времени.
Транзистор КТ818Г
В корзину
- Описание и характеристики
- Отзывы(0)
- Инструкция
Транзистор КТ818Г p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.188 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
- комплиментарная пара КТ819
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
| Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | — | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока КТ818А, В КТ818Б КТ818Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
| Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0.3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
| КТ818А | |||||
| КТ818Б | 40 | ||||
| КТ818В | 60 | ||||
| КТ818Г | 80 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0. 5A | — | 2 |
| Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
| КТ818А | |||
| КТ818Б | 50 | ||
| КТ818В | 70 | ||
| КТ818Г | 90 | ||
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
| Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
| Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
Отзывы
Усилитель для электрогитары на транзисторах КТ818, КТ819 (35Вт)
категория Схемы усилителей материалы в категории * Подкатегория Схемы усилителей на транзисторах
Литература: В.М. Пестриков. Энциклопедия радиолюбителя
Для работы с различными источниками, звукоснимателями электрогитар и других ЭМИ может быть использован усилитель звуковой частоты, схема которого рассматривается в этой статье.
Питается УЗЧ от двухполярного блока питания, подключаемого к сети переменного тока напряжением 220 В. Блок питания обеспечивает на выходе напряжение ±25 В. Особенностью схемы усилителя является использование в предварительном и оконечном каскадах, двухтактных схем, что позволило добиться оптимального согласования каскадов и тем самым снизить нелинейные искажения. Благодаря симметричности всех каскадов усилителя, без принятия специальных мер в динамиках не слышны щелчки при включении и отключении питания.
Основные технические характеристики усилителя
| Номинальный диапазон частот, Гц | 20…20000 |
| Номинальная выходная мощность на нагрузке с сопротивлением 4 Ом при коэффициенте гармоник не более 0,04% в номинальном диапазоне частот, Вт | 20 |
| Максимальная выходная мощность, Вт | 35 |
| Номинальное входное напряжение, В | 0,77 |
| Относительный уровень фона и шумов, дБ | 90 |
| Входное сопротивление, кОм | 20 |
| Скорость нарастания выходного напряжения, В/мкс, не менее | 10 |
Предварительный каскад усилителя выполнен на комплементарных парах транзисторов VT1, VT2 и ѴТЗ, ѴТ4. Для стабилизации напряжения питания каскадов используются параметрические стабилизаторы, состоящие из стабилитронов VD1, VD2 и VD3, VD4 и из резисторов R19, R21.
Для уменьшения пульсации питающего напряжения в схему включены конденсаторы СП, С12. Оконечный каскад усилителя выполнен также на комплементарных парах транзисторов ѴТ5 и ѴТ6, ѴТ7 и ѴТ8, ѴТ9 и VT10. Для снижения нелинейных искажений в оконечный каскад введена глубокая местная отрицательная обратная связь (ООС). Напряжение ООС поступает с коллекторов выходных транзисторов ѴТ9, VT10 через низкоомные делители напряжения, резисторы R26, R23 и R27, R24, включенные в эмиттеры транзисторов ѴТ5, ѴТ6 соответственно. Для температурной стабилизации тока покоя выходных транзисторов ѴТ9, VT10 используются диоды VD5, VD6. Диод VD6 укреплен на отводящем радиаторе одного из выходных транзисторов.
Весь усилитель мощности охвачен общей ООС глубиной около 50 дБ. Напряжение ООС подается с выхода усилителя через резистор R11 в эмиттерные цепи выходных транзисторов VT1, ѴТ2. Цепочки С5, R9 и С8, R10, а также конденсатор С9 корректируют амплитудно-частотную характеристику каскадов усилителя и тем самым обеспечивают устойчивость его работы при наличии ООС.
Резисторы R20, R32, конденсатор С13 и катушка индуктивности L1 являются элементами коррекции АЧХ усилителя в области высших звуковых частот при реактивном характере нагрузки усилителя.
В усилителе можно применять транзисторы без подбора их параметров. Вместо транзисторов КТ3102А можно использовать КТ3102Б, КТ342Г, КТ315В, а вместо КТ3107А — КТ3107Б, КТ361В, КТ3361Д. Транзистор КТ814А можно заменить транзисторами серий КТ502, КТ814, а КТ815А — КТ503, КТ815 с любым буквенным индексом. Транзисторы КТ814Б можно заменить на КТ814В, КТ814Г, а КТ815Б- КТ815В, КТ815Г. Выходные транзисторы КТ818А и КТ819А возможно заменить аналогичными р-п-р и п-р-п мощными транзисторами с любыми буквенными индексами. Постоянные резисторы — R29, R30 типа МЛТ, a R33, R34 типа МОН-0,5. Подстроечный резистор R5 типа СП-16. Резисторы R33 и R34 припаяны непосредственно к базам транзисторов ѴТ9 и VT10 соответственно. Катушка L1 намотана на корпус резистора R32 проводом ПЭВ-2 00,8 мм в один слой по всей его длине.
Все электролитические конденсаторы типа К50-6. Конденсатор С9 типа КТ-1, С18 — МБМ на номинальное напряжение не менее 400 В, остальные конденсаторы — КМ.
Для сетевого трансформатора Т1 можно использовать магнитопро-вод из пластин Ш24, толщиной набора 36 мм. Первичная обмотка содержит 900 витков провода ПЭВ-2 00,35, а вторичная — намотана проводом ПЭВ-2 00,9 мм и имеет 156 витков с отводом от середины. Между первичной и вторичной обмотками имеется электростатический экран в виде слоя провода ПЭВ-2 00,35.
Все детали усилителя кроме транзисторов VT9, VT10, резисторов R33, R34, конденсаторов Cl, С2, С16, С17 и диода VD6 смонтированы на печатной плате из фольгированного гетинакса толщиной 1 мм. Рисунок печатной платы и размещение на ней деталей дан на рис. 23.21. Транзисторы VT9 и VT10 установлены на ребристых радиаторах из алюминия площадью 300 см2. Радиаторы представляют собой прямоугольные алюминиевые пластины с размерами 40x20x2 мм. Для их крепления на печатной плате предусмотрены отверстия 02 мм.
Диод VD6 приклеен к радиатору транзистора VT9 вблизи его корпуса.
Перед настройкой усилителя движок подстроечного резистора R5 устанавливают в среднее положение. Не подсоединяя нагрузку включают питание усилителя и подстроечным резистором R5 устанавливают нулевой потенциал на выходе усилителя. Измеряют ток покоя транзисторов ѴТЗ и ѴТ4, он должен быть 4,5…5,5 мА. В противном случае его устанавливают резистором R7, a R5 — нулевой потенциал на выходе усилителя, если он изменился. Подключив параллельно стабилитронам VD2 и VD3 резисторы сопротивлением по 1,5 кОм мощностью 0,25 Вт и подбором резистора R16, устанавливают ток покоя выходных транзисторов VT9 и VT10 в пределах 150…200 мА. После установки требуемых токов резисторы убирают. При появлении самовозбуждения усилителя на ультразвуковых частотах следует увеличить емкость конденсатора С9. В некоторых случаях самовозбуждение устраняется подключением параллельно резисторам R22 и R25 конденсаторов емкостью 500…5000 пФ. В заключении подбором резистора R24 симметрируют оконечный каскад, добиваясь минимума четных гармоник на высших звуковых частотах при максимальной громкости.
Полярность конденсатора СЗ уточняют после подключения предусилителя.
С данным усилителем мощности следует использовать предусилители, обеспечивающие выходное напряжение не менее 1 В на нагрузке 20 кОм. Если для предусилителя требуется однополярный источник питания, то в этом случае напряжение на него следует подавать с конденсатора С16 или С17 через развязывающий фильтр. При этом конденсаторы С1 и С2 следует убрать, а стабилитроны VD1…VD4 заменить на Д814А, сопротивления резисторов R19 и R21 увеличить до 620 Ом. Пары стабилитронов VD1, VD4 и VD2, VD3 необходимо подобрать с одинаковыми напряжениями стабилизации. Разница их напряжений стабилизации при токе 10…20 мА должна быть меньше 5%.
Печатная плата усилителя и размещение деталей
2SB1204 техническое описание — PNP эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, сильноточный
Где купить
| Функции, приложения |
| Приложения Драйверы реле, высокоскоростные инверторы, преобразователи и другие общие сильноточные переключатели. ХарактеристикиНизкое напряжение насыщения между коллектором и эмиттером. Высокий ток и высокая fT. Отличная линейность hFE. Быстрое время переключения. Небольшой и тонкий корпус позволяет легко уменьшить размер комплектов с 2SB1204/2SD1804. Любая без исключения продукция SANYO, описанная или содержащаяся в данном документе, не имеет спецификаций, позволяющих работать с приложениями, требующими чрезвычайно высокого уровня надежности, такими как системы жизнеобеспечения, системы управления самолетами или другие приложения, отказ которых, как можно разумно ожидать, приведет к серьезным физический и/или материальный ущерб. ОФИС В ТОКИО Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN Технические характеристики Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Коллектор напряжения Токовый коллектор Ток (импульсный) Коллектор Рассеивание Температура перехода Температура хранения Обозначение VCBO VCEO VEBO IC ICP Условия ПК Номинальные значения Единица измерения Параметр Ток отсечки коллектора Ток отсечки эмиттера Коэффициент усиления постоянного тока Полоса пропускания Выходная емкость продукта Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение насыщения база-эмиттер Напряжение пробоя коллектор-база Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Напряжение пробоя Время включения Время хранения Время спада Символ ICBO IEBO hFE2 fT Cob VCE(sat) VBE(sat) IC=()4A, IB=()0. |
Проконсультируйтесь с ближайшим к вам представителем SANYO, прежде чем использовать какие-либо продукты SANYO, описанные или содержащиеся здесь, в таких приложениях. SANYO не несет ответственности за отказы оборудования в результате использования продуктов со значениями, которые даже на мгновение превышают номинальные значения (такие как максимальные номинальные значения, диапазоны рабочих условий или другие параметры), указанные в технических характеристиках любых без исключения продуктов SANYO, описанных или содержащихся в настоящем документе. .
2A V(BR)CBO IC=()10A, IE=0 В (BR)CEO IC=()1 мА, RBE= V(BR)EBO ton tstg IE=()10A, IC=0 См. указанную тестовую схему См. указанную тестовую схему См. указанную тестовую схему МГц мВ нс Условия Номинальные значения мин. тип. макс. () 1 400* Блок А
| Номер детали того же производителя Sanyo Semiconductor Corporation |
| 2SB1205 Сильноточный переключатель, упаковка: TP |
| 2SB1205 PNP Эпитаксиально-планарный кремниевый транзистор, применение стробоскопического сильноточного переключения |
| 2SB1214 Драйвер общего назначения, упаковка: TP |
| 2SB1214 PNP Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, приложение драйвера |
| 2SB1215 Сильноточный переключатель, упаковка: TP |
| 2SB1215 PNP Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, применение для сильноточной коммутации |
| 2SB1216 Сильноточный переключатель, упаковка: TP |
| 2SB1216 PNP Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, применение для сильноточной коммутации |
| 2SB1223 Драйвер общего назначения, упаковка: TO220ML |
| 2SB1223 PNP Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, приложение драйвера |
| 2SB1224 Драйвер общего назначения, упаковка: TO220ML |
| 2SB1224 PNP Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, драйвер |
| 2SB1225 Драйвер общего назначения, упаковка: TO220ML |
| 2SB1225 PNP Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, драйвер |
| 2SB1226 Драйвер общего назначения, упаковка: TO220ML |
| 2SB1226 PNP Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, приложение драйвера |
| 2SB1227 Драйвер общего назначения, упаковка: TO220ML |
| 2SB1227 PNP Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, драйвер |
| 2SB1228 Драйвер общего назначения, упаковка: TO220ML |
| 2SB1228 PNP Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, драйвер |
| 2SB1229 Сильноточный выключатель, упаковка: NP |
2SC2362K : Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN, высоковольтный, малошумящий усилитель 2SC4108 : Высокоскоростной импульсный регулятор, упаковка: TO3PB 2SD1399 : ДББ08Г : FP303: преобразователи постоянного тока в постоянный, упаковка: PCP5 LA70020M : Усилитель записи/воспроизведения для видеомагнитофона VHS LB1872: Драйвер двигателя многоугольного зеркала для PPCS и принтеров, упаковка: Dip LC653604A: частотно-регулируемый привод с прямым управлением (32 выхода), 8-канальный 8-битный входной преобразователь, 4/8-битный последовательный ввод-вывод, опция сброса сторожевого таймера, комплектация: Dip STK4301S : ENN6466 : ЭЛТ-дисплей сверхвысокой четкости с горизонтальным отклонением, выходные приложения KR-SCH(1. TDF1950T70: 1950 МГц, КЕРАМИЧЕСКИЙ BPF Технические характеристики: Тип фильтра: полосовой; Конструкция фильтра: керамический фильтр; Fc: 1950 МГц; Вносимые потери: 2,6 дБ; КСВ: 1,7 1 ; Тип упаковки: поверхностное крепление; Рабочая температура: от -4 до 185 F (от 253 до 358 K) |
2)F8 : Аккумулятор Аккумулятор; BATT PACK 9.6V 1200MAH NICAD Технические характеристики: Размер ячейки батареи: SC; Количество ячеек: 8; Напряжение — Номинальное: 9,6 В; Емкость: 1,2 Ач при 240 мА; Структура: из стороны в сторону, 1 ряд x 8 ячеек; Возможность перезарядки: Да; Тип разъема: вкладка под пайку; Химический состав батареи: никель-кадмий; Вес: 0,831 фунта (376,94 г); Безсвинцовый статус: Lead Fre| Та же категория |
1N4935GP : Стеклянный пассивированный выпрямитель с быстрым восстановлением, 1 А, 50–600 В. 1 А пассивированный стеклом выпрямитель с быстрым восстановлением — 600 вольт Стекло пассивированное соединение Низкий ток утечки Конструкция с металлургическим соединением Низкая стоимость Быстрое переключение Рабочая температура: до +175C Температура хранения: до +175C Максимальное тепловое сопротивление; 30C/W Соединение с выводом Максимальное периодическое пиковое обратное напряжение 400 В 600 В Максимальное блокирующее напряжение постоянного тока. STP3N100 : Высокое напряжение. Старый ПРОДУКТ: Не подходит для дизайна. НАДЕЖНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ AVALANCHE 100% ПРОТЕСТИРОВАНА НА ЛАВИНЫ ПОВТОРЯЮЩИЕСЯ ДАННЫЕ О ЛАВИНЕ ПРИ 100oC НИЗКАЯ ВХОДНАЯ ЕМКОСТЬ НИЗКАЯ ЗАРЯДКА ЗАТВОРА ПРИМЕНЕНИЕ, ОРИЕНТИРОВАННОЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ ДО-220 s ВЫСОКОТОКОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КОММУТАЦИЯ s РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ (SMPS) ИСТОЧНИКИ ПОСТОЯННОГО ТОКА ДЛЯ СВАРОЧНОГО ОБОРУДОВАНИЯ И БЕСПЕРЕБОЙНОГО ПИТАНИЯ. TSD2931 : Силовые высокочастотные транзисторы ВЧ/УКВ/УВЧ N-канальные МОП-транзисторы. ЗОЛОТАЯ МЕТАЛЛИЗАЦИЯ ОТЛИЧНАЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНОСТЬ КОНФИГУРАЦИЯ ОБЩЕГО ИСТОЧНИКА POUT = 150 Вт МИН. С УСИЛЕНИЕМ 14 дБ на частоте 175 МГц. Это N-канальный полевой МОП-транзистор с позолоченным металлизированным покрытием. SD2931 предназначен для использования в приложениях с большим сигналом 50 В пост. тока до 230 МГц 1. Сток 2. Источник АБСОЛЮТНО МАКСИМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Tcase = 25 oC) Символ V DGR ID P DISS Tj T STG Параметр. SM05 : Устройства защиты от электростатического разряда Устройства защиты от электростатического разряда. Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth Chatsworth, CA 91311 Телефон: (818) 701-4933 Факс: (818) 701-4939 Для чувствительной защиты от электростатического разряда Превосходная зажимная способность Низкая утечка Класс электростатического разряда 3 (>16 кВ) на человека Режим для приложение для экономии места Быстрый отклик, время отклика менее 1 нс. Материал корпуса: литой пластик. UL Воспламеняемость. 03029BX681WJU : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 6,3 В, BX, 0,00068 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0402. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Диапазон емкости: 6,80E-4 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 5 (+/- %); WVDC: 6,3 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа. 05002-6R8AJMP : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, БП, 0,0000068 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0603. B41010-A3108-T : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 10 В, 1000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: алюминиевые электролитические ; : поляризованный; Диапазон емкости: 1000 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 50 (+/- %); WVDC: 10 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие. KT-5691F : ИНД, НЕ УКАЗАНО, 1UH, 20% + TOL, 20% -TOL, 3935 КОРПУС. s: Применение: общего назначения. MH7301 : 0,1 А, 160 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220, 3 PIN. MP3-X1/0.01/300/20LL35MM : КОНДЕНСАТОР ИЗ МЕТАЛЛИЗИРОВАННОЙ БУМАГИ, 0,01 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,0100 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVAC: 300 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 110 C (от -40 до 230 F). P0395T : 2 ЭЛЕМЕНТА, 2,2 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 2 ; Стиль руководства: ОДНА ПОВЕРХНОСТЬ; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 2,2 мкГн; Номинальный постоянный ток: 14400 мА; Рабочая температура: от -40 до 130 C (от -40 до 266 F). RIT1392A-102M : 1 ЭЛЕМЕНТ, 1 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Устройства в пакете: 1 ; Тип руководства: Радиальный, WIRE; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 1 мкГн; Номинальный постоянный ток: 23000 мА; Рабочая температура: от -40 до 125 C (от -40 до 257 F). YA872C12R : 120 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-220AB. s: Аранжировка: Общий катод; Тип диода: Универсальный, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 125000 мА; Комплектация: ТО-220, ТО-220АБ, 3 PIN; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2. 160ME0.47FC : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 160 В, 0,47 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : поляризованный; Диапазон емкости: 0,4700 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 160 вольт; Ток утечки: 17,25 мкА; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая Температура:. |
s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 6,80E-6 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 5 (+/- %); WVDC: 50 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Способ крепления: поверхностный.
0-C D-L M-R S-Z
Datasheet begin, distributors inventory
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 2-1 | 0007 | 2-2 | 2-3 |
© digchip.
