Транзистор кт315б характеристики. Транзистор КТ315Б: характеристики, применение и аналоги

Какие основные характеристики транзистора КТ315Б. Где применяется этот транзистор. Какие есть аналоги КТ315Б среди современных и зарубежных транзисторов. Как правильно подключать и использовать КТ315Б в электронных схемах.

Основные характеристики транзистора КТ315Б

Транзистор КТ315Б — это кремниевый биполярный транзистор структуры n-p-n, широко применявшийся в советской радиоэлектронной аппаратуре. Основные характеристики КТ315Б:

  • Структура: n-p-n
  • Максимальное напряжение коллектор-база: 20 В
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 20 В
  • Максимальный ток коллектора: 100 мА
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 0,15 Вт
  • Коэффициент усиления по току: 50-350
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 250 МГц

Транзистор выпускался в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Масса не превышает 0,18 г.

Области применения КТ315Б

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ315Б нашел широкое применение в различных электронных устройствах:


  • Усилители высокой, промежуточной и низкой частоты
  • Генераторы и преобразователи частоты
  • Схемы коммутации и управления
  • Маломощные источники питания
  • Радиоприемники и передатчики
  • Измерительная аппаратура

КТ315Б часто использовался в бытовой радиоаппаратуре, радиолюбительских конструкциях, а также промышленных и специальных электронных устройствах советского производства.

Цоколевка и подключение КТ315Б

Для правильного подключения транзистора КТ315Б в схему необходимо знать его цоколевку:

  • Левый вывод (если смотреть на плоскую сторону корпуса) — эмиттер (Э)
  • Средний вывод — база (Б)
  • Правый вывод — коллектор (К)

При монтаже важно соблюдать полярность подключения. Эмиттер подключается к отрицательному полюсу источника питания, коллектор — к положительному через нагрузку. На базу подается управляющий сигнал.

Современные аналоги КТ315Б

Хотя производство КТ315Б уже прекращено, существует ряд современных транзисторов со схожими характеристиками:

  • 2N2222 — популярный универсальный NPN транзистор
  • BC547 — маломощный NPN транзистор общего назначения
  • 2N3904 — универсальный NPN транзистор для усилителей
  • BC337 — NPN транзистор для низкочастотных применений
  • 2N4401 — универсальный NPN транзистор средней мощности

При замене важно учитывать не только основные параметры, но и особенности конкретной схемы. В некоторых случаях может потребоваться корректировка номиналов сопутствующих элементов.


Преимущества и недостатки КТ315Б

Рассмотрим основные плюсы и минусы использования транзистора КТ315Б:

Преимущества:

  • Широкий диапазон рабочих частот (до 250 МГц)
  • Хорошее усиление (коэффициент усиления 50-350)
  • Низкая стоимость и доступность (в советское время)
  • Компактные размеры
  • Универсальность применения

Недостатки:

  • Относительно низкая предельная мощность (0,15 Вт)
  • Ограниченное максимальное напряжение (20 В)
  • Чувствительность к статическому электричеству
  • Прекращение массового производства

Несмотря на недостатки, КТ315Б долгое время оставался одним из самых популярных транзисторов в советской электронике благодаря удачному сочетанию характеристик.

Особенности использования КТ315Б в схемах

При проектировании схем с применением КТ315Б следует учитывать некоторые особенности:

  • Рекомендуется использовать защитные резисторы в цепи базы для ограничения тока
  • Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод при работе на предельных режимах
  • Желательно применять экранирование в высокочастотных схемах
  • Следует избегать превышения предельно допустимых параметров
  • При работе с КМОП микросхемами нужно принимать меры по защите от статического электричества

Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора КТ315Б в различных электронных устройствах.


Тестирование и проверка работоспособности КТ315Б

Для определения исправности транзистора КТ315Б можно воспользоваться следующими методами:

  1. Проверка омметром:
    • Сопротивление база-эмиттер и база-коллектор должно быть 400-700 Ом
    • Сопротивление коллектор-эмиттер должно быть очень высоким
  2. Проверка тестером транзисторов:
    • Измерение коэффициента усиления по току (h21э)
    • Определение исправности переходов
  3. Проверка в простой тестовой схеме:
    • Подключение транзистора в схему усилителя
    • Измерение коэффициента усиления

Исправный транзистор должен показывать параметры в пределах допусков, указанных в документации.


аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора КТ315б:

↓ Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Cc Hfe
1D500A-030 Si NPN2500,00400,00400,0010,00500,00150,00500,00
1DI200A-120 Si NPN1400,001200,001200,0010,00
200,00
150,0070,00
1DI200E-055 Si NPN1000,00600,00600,006,00200,00150,0070,00
1DI200K-055 Si NPN1000,00600,00600,006,00200,00150,0070,00
1DI200Z-100 Si NPN1400,001000,001000,0010,00200,00150,00100,00
1DI300D-100 Si NPN2000,001000,001000,0010,00300,00150,00100,00
1DI300Z-120 Si NPN2000,001200,001200,0010,00300,00150,00100,00
1DI30MA-050
 Si
 NPN200,00600,00600,0010,0030,00150,00750,00
1DI400A-120 Si NPN3120,001200,001200,0010,00400,00150,00100,00
1DI480A-055 Si NPN2000,00600,00600,006,00480,00150,0070,00
1DI50F-100 Si NPN400,001000,001000,0010,0050,00150,00100,00
1DI50H-055 Si NPN300,00600,00600,006,0050,00150,0070,00
1DI50K-055 Si NPN300,00600,00600,006,0050,00
150,00
70,00
1DI50MA-050 Si NPN310,00600,00600,0010,0050,00150,00750,00
1DI75E-055 Si NPN350,00600,00600,006,0075,00150,0070,00
1DI75E-100 Si NPN500,001000,001000,0010,0075,00150,00100,00
1DI75F-055 Si NPN350,00600,00600,006,0075,00150,0070,00
1DI75F-100 Si NPN500,001000,001000,0010,0075,00150,00100,00
2DD1621T Si NPN1,00
25,002,00300,00200,00
2DD1664P Si NPN1,0032,001,00280,0082,00
2DD1664Q Si NPN1,0032,001,00280,00120,00
2DD1664R Si NPN1,0032,001,00280,00180,00
2DD2656 Si NPN 0. 330,001,00270,00270,00
2DI100A-120 Si NPN800,001200,001200,0010,00100,00150,0070,00
2DI100D-050 Si NPN620,00600,00600,00 7,00100,00150,00100,00
2DI100D-100 Si NPN800,001000,001000,0010,00100,00150,00100,00
2DI100Z-100 Si NPN800,001000,001000,0010,00100,00150,00100,00
2DI100Z-120 Si NPN800,001200,001200,0010,00100,00150,00100,00
2DI150A-120 Si NPN1000,001200,001200,0010,00150,00150,0070,00
2DI150D-050 Si NPN690,00600,00600,007,00150,00150,00100,00
2DI150D-100
 Si NPN1000,001000,001000,0010,00150,00150,00100,00
2DI150Z-100 Si NPN1000,001000,001000,0010,00150,00150,00100,00
2DI150Z-120 Si NPN1000,001200,001200,0010,00150,00150,00100,00
2DI200A-050 Si NPN900,00600,00600,0010,00200,00150,0080,00
2DI200D-100 Si NPN1200,001000,001000,0010,00200,00150,00100,00
2DI240A-055 Si NPN1000,00600,00600,006,00240,00150,0070,00
2DI300A-050 Si NPN1200,00600,00600,0010,00300,00150,0070,00
2DI30A-120 Si NPN300,001200,001200,0010,0030,00125,0070,00
2DI30D-050A Si NPN250,00600,00600,007,0030,00150,00100,00
2DI30D-100 Si NPN300,001000,001000,0010,0030,00150,00100,00
2DI50A-120 Si NPN400,001200,001200,0010,0050,00150,0070,00
2DI50D-050A Si NPN310,00600,00600,007,0050,00150,00100,00
2DI50D-100 Si NPN400,001000,001000,0010,0050,00150,00100,00
2DI50M-050 Si NPN310,00600,00600,0010,0050,00150,00750,00
2DI50M-120 Si NPN310,001200,001200,0010,0050,00150,00500,00
2DI50Z-100 Si NPN400,001000,001000,0010,0050,00150,00100,00
2DI50Z-120 Si NPN400,001200,001200,0010,0050,00150,00100,00
2DI75D-050A Si NPN350,00600,00450,007,0075,00150,00100,00
2DI75D-100 Si NPN500,001000,00800,0010,0075,00125,00100,00
2DI75M-120 Si NPN500,001200,00900,0010,0075,00150,00750,00
2DI75Z-120 Si NPN500,001200,001200,0010,0075,00150,00100,00
2N2108 Si NPN1,0060,00 0. 5150,0075,00
2N2501 Si NPN 0.3640,0020,006,00 0.5200,00350,004,0050,00
2N2904E Si NPN 0.260,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N2904U Si NPN 0.260,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N2904U1 Si NPN 0.260,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N3509 Si NPN 0.440,0020,006,00 0.5200,00500,004,00100,00
2N3509CSM Si NPN 0. 420,00 0.5500,00100,00
2N3509DCSM Si NPN 0.420,00 0.5500,00100,00
2N3862 Si NPN 0.3650,0020,00 0.2200,00600,004,0050,00
2N3903 Si NPN 0.3160,0040,006,00 0.2135,00250,004,0050,00
2N3904-T18 Si NPN 0.3160,0040,006,00 0.2200,00300,004,00100,00
2N3904A Si NPN 1.560,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N3904C Si NPN 0. 62560,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N3904CSM Si NPN 0.3160,0040,006,00 0.2135,00300,004,00100,00
2N3904DCSM Si NPN 0.3160,0040,006,00 0.2135,00300,004,00100,00
2N3904G Si NPN 0.62560,0040,006,00 0.2150,00300,00100,00
2N3904N Si NPN 0.460,0040,006,00 0.2150,00300,003,00100,00
2N3904S Si NPN 0.3560,0040,006,00 0.2150,00300,004,00100,00
2N3904SC Si NPN 0. 3560,0040,006,00 0.2150,00250,00150,00
2N3947 Si NPN 0.3660,0040,006,00 0.2175,00300,004,00100,00
2N4150S Si NPN15,00100,0070,0010,0010,00200,00350,0050,00
2N4401 Si NPN 0.3160,0040,006,00 0.6135,00250,007,00100,00
2N4401G Si NPN 0.62560,0040,006,00 0.6150,00250,00 6.5100,00
2N4401L Si NPN 0.62560,0040,006,00 0.6150,00250,00 6. 5100,00
2N4401SC Si NPN 0.3575,0040,006,00 0.6150,00250,00150,00
2N4576 Si NPN150,00100,0080,0010,00200,0050,00
2N5000 Si NPN20,00100,0080,006,002,00200,00560,0070,00
2N5000SM Si NPN30,00100,0080,006,002,00200,00560,0070,00
2N5079 Si NPN 0.3660,0030,001,00200,00400,007,00100,00
2N5080 Si NPN 0.3660,0030,001,00200,00500,007,00200,00
2N5154 Si NPN12,00100,0080,006,005,00200,00560,0070,00
2N5233 Si NPN 0. 3380,0060,00 0.1140,004,00100,00
2N5234 Si NPN 0.3380,0060,00 0.1140,004,00250,00
2N5235 Si NPN 0.3380,0060,00 0.1140,004,00400,00
2N5271 Si NPN 0.6200,007,005,00200,006,00
2N5272 Si NPN 0.3640,0020,00 0.2200,00500,004,00100,00
2N5550S Si NPN 0.35160,00140,006,00 0.6150,00300,006,0060,00
2N5551C Si NPN 0. 625180,00160,006,00 0.6150,00300,006,0080,00
2N5551HR Si NPN 0.36180,00160,006,00 0.6200,006,0080,00
2N5551S Si NPN 0.35180,00160,006,00 0.6150,00300,006,0080,00
2N6492 Si NPN100,0055,0045,007,0015,00150,00500,00
2N6493 Si NPN100,00100,0070,007,0015,00150,00500,00
2N6494 Si NPN100,00100,0080,007,0015,00150,00500,00
2N916CSM Si NPN 0. 3625,00 0.1250,0050,00
2N916DCSM Si NPN 0.3625,00 0.1250,0050,00
2SC1019 Si NPN40,0060,004,00175,0050,00
2SC1020 Si NPN70,0060,008,00175,0050,00
2SC1031 Si NPN27,00300,00270,006,006,00150,0050,00
2SC1046 Si NPN25,001000,00400,006,003,00125,00200,00
2SC1046N Si NPN25,001000,00400,006,003,00125,00200,00
2SC1233 Si NPN20,0045,0035,002,00175,00380,0050,00
2SC1376 Si NPN 0. 340,0040,00 0.1150,00250,005,0070,00
2SC1432 Si NPN 0.330,0010,00 0.3175,0040000,00
2SC1485 Si NPN 0.35250,00250,006,00 0.125150,0090,00
2SC1545M Si NPN 0.340,0032,006,00 0.3125,00250,003,001000,00
2SC1600 Si NPN4,0040,00 0.25175,001000,00 4.5200,00
2SC1629 Si NPN50,0090,0070,006,006,00120,00500,00
2SC1645S Si NPN 0. 240,0032,006,00 0.3150,00250,003,005000,00
2SC1664 Si NPN40,0070,0060,006,006,00175,00500,00
2SC1664A Si NPN40,00100,0080,006,006,00175,00500,00
2SC1698 Si NPN125,00210,00140,006,0010,00125,003000,00
2SC1703 Si NPN150,00600,00400,006,0015,00125,00100,00
2SC1768 Si NPN50,00200,00150,006,005,00150,00600,00
2SC1829 Si NPN100,00200,00150,006,005,00175,00400,00
2SC1830 Si NPN150,00140,00140,007,0015,00125,00500,00
2SC1831 Si NPN100,0090,0070,006,008,00175,00500,00
2SC1832 Si NPN150,00500,00400,006,0015,00175,00100,00
2SC1876 Si NPN 0. 8100,0070,007,00 0.5150,003000,00
2SC1876H Si NPN 0.8100,0070,007,00 0.4150,003000,00
2SC1879 Si NPN 0.8120,00120,007,002,00150,001000,00
2SC1879H Si NPN8,00120,00120,007,002,00150,001000,00
2SC1880 Si NPN15,00120,00120,007,002,00150,001000,00
2SC1880K Si NPN15,00120,00120,007,002,00150,001000,00
2SC1881 Si NPN30,0060,0060,007,003,00150,001000,00
2SC1881K Si NPN30,0060,0060,007,003,00150,001000,00
2SC1884 Si NPN40,00120,00120,007,008,00150,002000,00
2SC1884H Si NPN50,00120,00120,007,008,00150,002000,00
2SC1888 Si NPN 0. 880,0060,006,003,00150,00500,00
2SC1889 Si NPN 0.880,0060,006,003,00150,00500,00

Биполярный транзистор KT315B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT315B

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

Характеристики основных аналогов

Наименование производителя: 1D500A-030

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2500 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 500 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
  • Корпус транзистора: BBTIV

Наименование производителя: 1DI200A-120

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1400 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: MODULE

Наименование производителя: 1DI200E-055

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1000 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: M207

Наименование производителя: 1DI200K-055

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1000 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: M207

Наименование производителя: 1DI200Z-100

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1400 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  • Корпус транзистора: M106

Наименование производителя: 1DI300D-100

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2000 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  • Корпус транзистора: M105
  • Аналоги (замена) для 1DI300D-100

Наименование производителя: 1DI300Z-120

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2000 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  • Корпус транзистора: M106

Наименование производителя: 1DI30MA-050

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
  • Корпус транзистора: M102

Биполярный транзистор КТ315Б — описание, параметры и цоколевка

RadioLibs. ru

  • Справочник
  • Аудио и видео обзоры
  • Объявления
  • Главная /
  • Биполярные транзисторы /
  • Транзистор КТ315Б

Описание транзистора КТ315Б

Транзистор КТ315Б кремниевый эпитаксиально-планарный структура n-p-n усилительный.
Предназначен для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.
Масса транзистора не более 0,18 г.

Цоколевка и размеры транзистора КТ315Б

Характеристики транзистора КТ315Б

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 20 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом) 0,15 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 50-350
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>250 МГц
Коэффициент шума транзистора -

Справочник

  • Импортные биполярные транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Диоды
  • Стабилитроны маломощные
  • Светодиоды
  • Тиристоры

Реклама

Copyright © 2013-2023 RadioLibs. ru

Oтзывы и предложения для RadioLibs

Регенеративный КВ-приемник с автоматическим управлением регенерацией

Перестраиваемый радиочастотный приемник на короткие волны (диапазон 25 м, 11,7…12,1 МГц). Он был создан как опытный образец для дальнейших экспериментов с автодинным синхронным приемником (см. Поляков В.Т. Автодинный синхронный регенеративный приемник. — Радио, 1994, N 3, с. 10.). Принципиальная схема показана на рис. 1.

Первый ВЧ каскад представляет собой схему рекуперативного умножителя добротности с быстрым автоматическим управлением регенерацией.

Входной резонатор, состоящий из рамочной антенны WA1 и конденсаторов С6 (подстроечный конденсатор), С7 (переменный конденсатор), С8 и С9. Резонаторный контур имеет очень высокую добротность добротности в рабочем диапазоне (11,7…12,1 МГц), поэтому эффективная высота рамочной антенны может достигать нескольких десятков метров. Антенна с такими параметрами может принимать очень слабые сигналы. Чувствительность этого коротковолнового приемника ограничена шумами транзистора VT1, поэтому лучше было бы использовать в первом каскаде малошумящий ВЧ-транзистор.

Рис. 1. Принципиальная схема регенеративного коротковолнового приемника с автоматическим управлением регенерацией.
С6 — 5..20пФ, подстроечный конденсатор; С7 — 1..15пФ, переменный конденсатор; С8 — 82пФ;
Транзисторы VT1-VT3 — 2N2222, в исходной схеме все транзисторы NPN RF КТ315Б, производства СССР,
ч FE min=50, частота перехода ft=250МГц.

Схема управления автоматической регенерацией включает в себя второй каскад усилителя ВЧ (транзистор VT2) и детектор на диодах (С11, VD1, VD2 ,С13). Резисторы R1, R2 и R6 обеспечивают ток смещения для диодов VD1, VD2 и для транзистора VT1. С выхода детектора сигнал постоянного тока корректирует регенерацию регенеративного каскада, переменная составляющая сигнала через конденсатор С12 поступает на однокаскадный усилитель звука на транзисторе VT3. Наушники BF1 являются нагрузкой этого усилителя звука. Сопротивление наушников около 1600…3200 Ом. Выходная мощность аудиоусилителя составляет около 1 мВт.

Резистор R4 обеспечивает смещение обратной связи для транзистора VT2, а резистор R9 — для транзистора VT3. Подберите резистор R4 так, чтобы напряжение на коллекторе транзистора VT2 было равно половине напряжения питания.

Катушка рамочной антенны WA1 бескаркасная диаметром 200 мм, состоит из 2-х витков медного провода 1,5 мм (AWG 15), шаг намотки 10 мм. Чтобы сделать рамочную антенну жесткой, можно скрепить витки между собой кусочками диэлектрического материала. Антенну можно сделать из ферритового стержня, но она будет работать гораздо хуже.

Переменный конденсатор С7 можно использовать и большей емкости, например, 4…200 пФ, но для этого потребуется небольшой керамический конденсатор 15..25 пФ, включенный последовательно с С7. Для настройки можно использовать варикап, но он снизит добротность Q резонансного контура, а для варикапа потребуется дополнительный источник напряжения 15. .25 В.

Настройка регенеративного каскада на фронте колебаний согласованием номинала конденсатора С10 и регулировкой подстроечного потенциометра R8. Этот потенциометр должен быть качественным, иначе его шум будет мешать приемнику. Если у вас нет качественного потенциометра, вы можете заменить его резистором (подходящим по номиналу). С помощью подстроечного конденсатора С6 отрегулируйте полосу частот приемника.

Ток потребления данного регенеративного приемника составляет около 3 мА, поэтому с батареей 3R12 приемник проработает 1000 часов.

В этом регенеративном приемнике есть два недостатка — настройка регенеративного каскада зависит от напряжения питания, а при наличии массивного предмета в непосредственной близости от рамочной антенны ее добротность падает.

Качество приема этого радиоприемника лучше, чем у супергетеродинного радиоприемника, благодаря узкой полосе частот, свойствам направленности рамочной антенны и полному отсутствию помех на частоте изображения. Но эти преимущества бесполезны при наличии мощного радиосигнала в рабочем диапазоне частот.

С. Коваленко

НАЗАД

Китайский | karu sisemus

Все посты с тегами китайский

Опубликовано karusisemus 8 мая 2017 г.

Опубликовано в: Дешевая китайская электроника, DIY, ремонт. Теги: Китайский, DIY, Е7-14, ESR, Karl-Heinz Kübbeler, метр, Тестер транзисторов. Оставить комментарий

Ниже приведены некоторые еретические мысли, связанные с хобби DIY.

Один из ключевых вопросов, который необходимо решить в контексте электроники/радио/ремонта в качестве хобби, это в наличии ассортимент деталей/деталей . В советское время все электронные детали (тогда их называли радиодеталями) были предметом роскоши. В 1970-е годы, когда средняя советская зарплата составляла 60 рублей, официальный транзистор КТ315 стоил 4,50, а латвийский приемник «Селга» содержал 6 таких транзисторов по цене 28 рублей.


В наши дни уже не так очевидно, иметь или не иметь в своем гамаке ассортимент запчастей для электроники. При условии, что магазин запчастей находится как раз в здании напротив, нет необходимости в снабжении запчастями. А если в 30 минутах езды? Таким образом, если человек не очень организован (до степени серийного убийцы или около того) и если ремонт является более частым действием, чем самостоятельный, отсутствие резистора означает задержку на 1 час.

Между тем, не секрет, что большой опыт на самом деле приходит от разборки чужих конструкций. Совершенно случайно сюда попадает и больше всего запчастей. Я отремонтировал, чтобы заработать, но не больше! Теперь я зарабатываю, перетасовывая биты. Привычка разбирать конструкции и повторно использовать части внутри них осталась. Трата времени, связанная с измерительно-организационной деятельностью, теперь называется рекреацией и в резюме записывается как «иметь кучу очень технических увлечений» 😉 И хотите верьте, хотите нет, но эти детали от старых устройств (за заметным исключением — электролиты) имеют тенденцию быть очень надежным, спасибо старению.

В западном обществе возможен и другой подход – покупать эти так называемые «ассортименты» запчастей для электроники в Китае через eBay. Цикл планирования становится длиннее, а процент попаданий (например, наличие популярных деталей, которые вам действительно нужны) относительно низок. Знаете ли вы, какой номинал резистора наиболее популярен при отпайке резисторов от старых западных электронных устройств? Совершенно очевидно Я знаю – это 10 кОм.

Таким образом, главный вопрос: как организовать части. Получается, нам приходится делить нашу деятельность на несколько этапов. Первый — измеряет детали , о которых я расскажу сегодня. Второй этап — рациональное хранение деталей, это отдельная тема.

Это моя текущая рабочая лошадка (на eBay она называется ESR meter ). Я купил его на месте в виде печатной платы и заплатил вдвое больше, потому что мне это было нужно БЫСТРО. Как видите, повторное использование электролитических конденсаторов — дело сомнительное.

Тем не менее, я должен предупредить вас — гнездо с нулевой силой рассчитано только на 5000 транзисторов для измерения (было там). Также было бы разумно открыть болты, просверлить отверстия в печатной плате и установить несколько более длинных болтов (это мощное мероприятие запланировано китайцами примерно на 500 выполненных измерений). Моя рекомендация: купите новую розетку сегодня, а пока пройдите курсы пайки. 123111 — это порядок контактов в верхнем ряду, если вам еще никто не сказал. Ряд 2 — это полный лагерь со 2 штифтами.


Это то, что вы видите на печатной плате. Большой синий электролит — мое собственное дополнение.

Конечно, конечно… некоторые умеют только воровать (упс, собирать все ценное в Мидленде). Я знаю. Так что читайте здесь огромные рукописи оригинальных авторов и дважды подумайте, прежде чем кормить воров. А затем накормить воров и, возможно, отправить пиво или ящик пива герру Карлу-Хайнцу и его друзьям.

У Карла-Хайнца есть несколько ценных советов по поводу ссылок на 2,5 В, которые наши китайские друзья слишком дорого реализовали 🙂

Так или иначе, чуть позже, в рамках несколько более длительного цикла планирования, я заказал еще одно контрафактное устройство на eBay, на этот раз вместе с прозрачной коробкой. Стоимость – чуть меньше 20EUR. Как и в случае с любым товаром китайского или российского производства, часть продукции, сделанной своими руками, осталась за потребителем.

Теперь посмотрим, на что способны эти устройства. Честно говоря, они в основном работают. Проблемы возникают с нестандартными конструкциями, такими как AS431A, которые часто встречаются в старых конструкциях и с конденсаторами ниже 26 пФ.


Что касается артефактов, которые китайцы не смогли измерить, эта вежливая нация использует эвфемизмы вроде «4» (отличная шутка!). Кстати, сообщение об ошибке «5» также существует, но встречается реже.

Хотя эти устройства очень хороши для использования активных компонентов (почему? потому что они определяют тип), я предпочитаю измерять пассивные компоненты более традиционными устройствами: рис, я использую 10-кратное усреднение. Цикл измерения все же короче, чем у дешевого измерителя ESR (9-10 сек из-за отсутствия рекламы). И наоборот, ESR-метры полезны, если ваши входные данные не отсортированы (R, C, L) и вам нужно быстро их отсортировать.

Е7-14 имеет 4-проводное подключение к ИУ, поэтому можно делать удивительные вещи, например, измерять подстроечный конденсатор 2-7 пФ, держа его в руках и регулируя. Вы можете делать чудеса, например, смещать конденсатор или варикап до 120 В во время измерения. Ах да, я упоминал, что у Bestia есть интерфейс GPIB? 😉

«Измеритель иммитационного сопротивления» был куплен как новый и распакован, когда Советы покинули мою страну, и все было на продажу. Я заплатил за него 10-ю часть своей месячной зарплаты, о чем пока не жалею.

 

И… существуют детали, которые ни одно из устройств не может измерить, например 10-вольтовые стабилитроны.

Опубликовано karusisemus 02.01.2017

Опубликовано в: Дешевая китайская электроника, Разборка, МИДИ, Модификация, Ремонт. Tagged: дешевый, китайский, клавишный, MIDI, MIDI-USB, модификация, оптопара, синтезатор. 2 комментария

Интернет переполнен дискуссиями, работают ли эти дешевые китайские конвертеры MIDI-USB или нет. Если вы не знаете, о чем речь, то сам продукт выглядит очень похоже на это:

Тем не менее, предупредительный покупатель . Недавно я заказал несколько штук этих маленьких преобразователей на DX.com, чтобы проверить слухи. Во-первых, светодиоды на моей модели смещены. Вот правильная маркировка светодиодов.

Новичкам трудно понять некоторые реалии MIDI. Вот так: Штекер с маркировкой «Вход» всегда должен быть вставлен в розетку с маркировкой «Выход», и наоборот.

На самом деле, было произведено невообразимое количество этих устройств с некоторыми оптимизациями, связанными с затратами, которые не позволяют устройству работать во многих реальных ситуациях (с реальными музыкальными устройствами). Арвидас проделал большую работу, описав, что не так с этими маленькими китайскими конвертерами. В зависимости от вашего опыта и навыков пайки , дешевых преобразователей USB-MIDI следует избегать любой ценой, а может быть и наоборот – учитывая относительно небольшие усилия, необходимые для «нормализации» этих устройств, технически квалифицированные люди (особенно при использовании Linux) могут предпочесть их десятикратно более дорогим моделям.

Корпус открывался очень легко – не использовался клей и две половинки не сплавлялись друг с другом.

Спасибо за предупреждение, Арвидас! На моих преобразователях оптопара не был установлен .

Конечно, нет — штука в 1..2 доллара слишком дорога в Китае… поэтому ее избегают ставить на печатную плату. Делать это надо дома, паяльником.

Согласно стандарту MIDI, оба выхода (контакты 4-5) должны плавать над землей. То, что сделали наши восточные друзья, они отказались от оптопары и заземлили входной сигнал. В напряженных инсталляциях это может привести к фоновому гулу или привести к электрическому повреждению вашего музыкального оборудования.

Для начала модификации необходимо переставить входной провод:

По традиции сначала на плату монтируются наименее дорогие и наименее термочувствительные детали. Здесь вы видите резистор на 220 Ом, установленный как R5 (извините, ребята, сейчас ночь, мой магазин SMD закрыт).

Это была самая легкая часть. Удалим ненужный резистор R11, это тоже несложно:

Теперь осталось установить диод. Прежде чем мы сможем это сделать, мы должны убедиться, какой щуп на нашем мультиметре является анодом, а какой катодом. Можно взять диод с обозначенным на нем символом (я использую российские диоды Д7/Д226). Таким образом, мой мультиметр будет показывать какие-то цифры при подключении анода к красному щупу (логично, а?).

Еще один способ убедиться в этом — посмотреть схемы Арвидаса и принять к сведению, что катод диода (1N1418) должен быть подключен к контакту 1 микросхемы оптопары U1. 1N1418 маркируется кольцом на катоде. Давайте теперь смонтируем D1:

И последнее, но не менее важное, пришло время припаять оптопару. Абсолютное большинство 4-выводных оптронов имеют одинаковую цоколевку, поэтому риск невелик. Однако есть редкие чипы, плохо передающие скорость MIDI (31,25 кбод). Я сверился с таблицами данных и обнаружил, что оптопара NEC PS2561 из моего ящика для отходов должна в основном удовлетворять требованиям скорости.

Некоторые люди могут возразить, что нехорошо использовать 4-контактные оптопары там, где стандарт MIDI предписывает более сложные 8-контактные устройства 6N138. Я полностью согласен, но наши друзья в далеком Китае нанесли на печатную плату только 4-контактный след, и это реальность, с которой мы должны смириться.

Кажется, можно снова соединить две половинки корпуса устройства. Теперь пришло время испытаний.

Откройте какую-нибудь программу секвенсора (например, Rosegarden под Linux), определите MIDI-порты и попросите программу вывести некоторую MIDI-синхронизацию (воспроизведение пустой дорожки допустимо). Средний (синий) светодиод будет периодически мигать (независимо от того, подключено ли реальное устройство к выходному разъему DIN-5 или нет).

После этого пришло время проверить ввод (помните, ярлыки дизайна были взяты на входе !). Используйте свою музыкальную клавиатуру, сыграйте несколько нот и посмотрите, будет ли мигать левый (зеленоватый) светодиод. Чтобы быть абсолютно уверенным, запустите какое-нибудь программное обеспечение для миди-монитора (например, midisnoop под графическим Linux или команду « amidi -l ; amidi -d -p hw: 2,0,0 -t 10 » из командной строки … и кстати , посмотрите два раза на свои номера hw, они могут отличаться от моих).

Если у вас есть аппаратный синтезатор, проверьте передачу сообщений SysEx. Говорят, что китайские конвертеры MIDI страдают от проблем с буфером. Есть информация, что ядро ​​Linux пытается учесть этот недостаток. Именно по этой причине эти дешевые игрушки могут полностью раскрыть свой потенциал под Linux, но не под Mac/Win.

Вердикт: если вы знаете что делаете, не так ли?, то конвертер за 5$ с напаянными на него дополнительными деталями по 2$ мог бы заменить в 10 раз более дорогие конвертеры, особенно под Linux (в т.ч. синтезаторы Raspberry Pi, хотя это может потребовать дополнительной настройки). Однако также может случиться так, что сегодня не ваш счастливый день… и тогда, пожалуйста, не обвиняйте меня в риске, на который вы лично пошли 😉


[Позднее добавление:] Я обнаружил еще один прекрасный источник DIY, Frank Bu ß MIDI-страницу. Фрэнк пошел гораздо дальше, измерив различные MIDI-устройства с помощью осциллографа и тестового генератора. Посмотрев на эти ужасные «волосатые» осциллограммы, я решил добавить в гаджет шунтирующие конденсаторы.

Модифицировал еще два экземпляра упомянутых выше USB-MIDI гаджетов. В первом сейчас используется оптрон TLP621 и российский диод КД522Б:

(извините за несколько грязную пайку 🙂 )

Второй гаджет был доработан с использованием товарной оптопары 817 и российского диода КД521А.

Пара КД521/522 — настоящая мышеловка, т.к. цоколевка противоположная. Были использованы именно эти диоды, потому что у меня их много. Различные оптопары использовались, чтобы дать несколько более легкий ориентир для других DIYers. Важнейшим параметром для 4-выводных оптронов является максимальная частота, которая, однако, сильно зависит от номинала коллекторного резистора, который, в свою очередь, находится внутри формованного чипа и, следовательно, вне досягаемости.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *