Транзистор кт602 характеристики: 602 , 2602 , kt602 , ,

Содержание

Транзистор КТ602, КТ602А, КТ602Б

Поиск по сайту


Транзистор КТ602 - планарный, кремниевый, структуры n-p-n. Основное назначение - усиление и генерирование сигналов. Транзисторы 2Т602А и 2Т602Б имеют металлостеклянный корпус и гибкие выводы. Весят не более 5 г. Транзисторы КТ602АМ, КТ602БМ, 2Т602АМ, 2Т602БМ имеют жёсткие выводы и пластмассовый корпус и весят не более 2 г.

Цоколевка транзистора 2Т602

Цоколевка 2Т602 показана на рисунке.

Цоколевка транзистора КТ602АМ

Цоколевка КТ602АМ, КТ602БМ, 2Т602АМ, 2Т602БМ показана на рисунке.

Электрические параметры транзистора КТ602

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкб = 10 В, Iэ = 10 мА:
КТ602АМ, 2Т602АМ, 2Т602А 20 ÷ 80
2Т602БМ, 2Т602Б 50 ÷ 200
КТ602БМ, не менее 50
КТ602АМ, 2Т602АМ при Т = −60°C, КТ602АМ при Т = −45°C 5 ÷ 80
2Т602Б, 2Т602БМ при Т = −60°C 12 ÷ 200
КТ602АМ, 2Т602АМ при Т = +125°C, КТ602АМ при Т = +85°C 50 ÷ 500
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ
при Uкэ = 10 В, Iк = 25 мА, не менее
150 МГц
• Граничное напряжение при Iэ = 50 мА, не менее 70 В
• Напряжение насыщения КЭ при Iк = 50 мА, Iб = 5 мА, не более 3 В
• Напряжение насыщения БЭ при Iк = 50 мА, Iб = 5 мА, не более 3 В
• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
при Iк = 10 мА, Uкб = 10 В, f = 2 МГц, не более
300 пс
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 50 В, не более 4 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uкб = 0, не более 25 пФ
• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 120 В, не более:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ 10 мкА
КТ602АМ, КТ602БМ 70 мкА
• Ток КЭ (обратный) при Uкэ = 100 В, Rбэ = 10 Ом, не более:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ 10 мкА
КТ602АМ, КТ602БМ 100 мкА
• Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 5 В, не более 50 мкА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ602

• Напряжение К-Б (постоянное):
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:
  Тп = +100°C 120 В
  Тп = +150°C 60 В
КТ602АМ, КТ602БМ:
  Тп ≤ +70°C 120 В
  Тп = +120°C 60 В
• Напряжение коллектор-база (импульсное) 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:
  Тп = +100°C 160 В
  Тп = +150°C 80 В
КТ602АМ, КТ602БМ при Тп = +70°C 160 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 кОм:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:
  Тп = +100°C 100 В
  Тп = +150°C 50 В
КТ602АМ, КТ602БМ:
  Тп ≤ +70°C 100 В
  Тп = +120°C 50 В
• Постоянное напряжение Э-Б 5 В
• Ток коллектора (постоянный) 75 мА
• Ток коллектора (постоянный) при tи ≤ 1 мкс 500 мА
• Ток эмиттера (постоянный) 80 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
без теплоотвода:
  Тп ≤ +25°C 850 мВт
  Тп = +125°C для 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ 160 мВт
  Тп = +85°C для КТ602АМ, КТ602БМ 200 мВт
с теплоотводом:
  Тп ≤ +25°C 2. 8 Вт
  Тп = +125°C для 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ 560 мВт
  Тп = +85°C для КТ602АМ, КТ602БМ 650 мВт
• Тепловое сопротивление:
• Переход − окружающая среда 150°C/Вт
• Переход − корпус 45°C/Вт
• Температура p-n перехода:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ 150°C
КТ602АМ, КТ602БМ 120°C
• Рабочая температура (окружающей среды) −60...+125°C


Транзистор КТ602 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ602

 

Параметры транзистора КТ602
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ602АМ BFS99 *3, BF411 *3, 2N2517 *3, BSS64 *3
КТ602Б BSY79 *3, BSX21 *3
 КТ602БМ 2SD668, FSX51WF
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ602А 0.85(2.8*) Вт
КТ602Б 0.85(2.8*)
КТ602В 0. 85(2.8*)
КТ602Г 0.85(2.8*)
КТ602АМ 0.85(2.8*)
 КТ602БМ 0.85(2.8*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*
h31б, f**h31э, f***max
КТ602А ≥150 МГц
КТ602Б ≥150
КТ602В ≥150
КТ602Г ≥150
КТ602АМ ≥150
 КТ602БМ ≥150
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ602А 120 В
КТ602Б
120
КТ602В 80
КТ602Г 80
КТ602АМ 120
  КТ602БМ 120
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ602А 5 В
КТ602Б 5
КТ602В 5
КТ602Г 5
КТ602АМ 5
 КТ602БМ 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ602А 75(500*)
мА
КТ602Б 75(500*)
КТ602В 75(300*)
КТ602Г 75(300*)
КТ602АМ 75(500*)
 КТ602БМ 75(300*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ602А 120 В ≤70 мкА
КТ602Б 120 В ≤70
КТ602В 80 В ≤70
КТ602Г 80 В ≤70
КТ602АМ 120 В ≤70
КТ602БМ
120 В ≤70
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ602А 10 В; 10 мА 20…80
КТ602Б 10 В; 10 мА ≥50
КТ602В 10 В; 10 мА 15…80
КТ602Г 10 В; 10 мА ≥50
КТ602АМ 10 В; 10 мА 20…80
 КТ602БМ 10 В; 10 мА ≥50
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ602А 50 В ≤4
пФ
КТ602Б 50 В ≤4
КТ602В 50 В ≤4
КТ602Г 50 В ≤4
КТ602АМ 50 В ≤4
 КТ602БМ 50 В ≤4
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р. КТ602А ≤60 Ом, дБ
КТ602Б ≤60
КТ602В ≤60
КТ602Г ≤60
КТ602АМ ≤60
 КТ602БМ ≤60
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ602А Дб, Ом, Вт
КТ602Б
КТ602В
КТ602Г
КТ602АМ
 КТ602БМ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ602А ≤300 пс
КТ602Б ≤300
КТ602В ≤300
КТ602Г ≤300
КТ602АМ ≤300
 КТ602БМ ≤300

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзисторы П701 и КТ602 - маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы КТ602

Транзисторы КТ602 - средней мощности, высокочастотные, кремниевые сплавные p-n-p. Корпус металлический герметичный или - пластиковый( у транзисторов 2Т602АМ и 2Т602БМ). Маркировка буквенно - цифровая, на корпусе. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ602.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ602А - от 20 до 80.
У транзисторов КТ602Б - от 50 до 200.
У транзисторов КТ602В - от 15 до 80.
У транзисторов КТ602Г - от 50.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
у транзисторов КТ602А, КТ602Б - 100в.
у транзисторов КТ602В, КТ602Г - 80в.

Максимальный ток коллектора - 75мА.

Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер менее 10 Ом, напряжении коллектор-база 120 в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию :
У транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ - не более 10 мкА.
У транзисторов КТ602А и КТ602Б - не более 100 мкА

Обратный ток коллектора.
у транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ при напряжении коллектор-база 120 в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию - не более 10 мкА, у КТ602А и КТ602Б - не более 70 мкА
При температуре окружающей среды +125 по Цельсию и напряжении коллектор-база 100в, у транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ - не более 50 мкА

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50 мА, базы 5 мА - не более 3в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50 мА, базы 5 мА - не более 3в.

Рассеиваемая мощность коллектора - около 2,8 Вт на радиаторе и 0,8 Вт - без.

Граничная частота передачи тока - 150 МГц.

На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

Транзистор КТ602А -

Драгоценные металлы в транзисторе КТ602А согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ602А.
Золото: 0.018 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий:  0 грамм.
Примечание: .

Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ602А сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки КТ602А:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ602А включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем
, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на  КТ602А:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ602А:

Высокочастотные транзисторы средней мощности - Вместе мастерим

Основные параметры:

Uмакс. — Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Iмакс. — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. — Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h31э — Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо — Обратный ток коллектора
Kус. — Коэффициент усиления по мощности
Kш. — Коэффициент шума транзистора

Малой мощности

В корпусе SOT-23

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., мА Pмакс., Вт fгран., ГГц Кш., дБ h31э
BFR92A N-P-N 15 25 0,3 5 2,1 40-90
BFR93A N-P-N 12 35 0,3 6 1,9 40-90
BFR193 N-P-N 12 80 0,58 8 1,3 50-200
BFS17A N-P-N 15 25 0,3 2,8 2,5 25-90
BFT92 P-N-P 15 25 0,3 5 2,5 20-50
BFT93 P-N-P 12 35 0,3 5 2,4 20-50

В корпусе TO-50

Наименование Структура Uмакс. , В Iмакс., мА Pмакс., Вт fгран., ГГц Кш., дБ h31э
BF970 P-N-P 35 30 0,3 1 4,2 25-90
BF979 P-N-P 20 50 0,3 1,75 3,4 20-90
BFR90A N-P-N 15 30 0,3 6 1,8 50-150
BFR91A N-P-N 12 50 0,3 6 1,6 40-150
BFR96TS N-P-N 15 100 0,7 5 4 25-150

В корпусе TO-92

Наименование Структура Uмакс. , В Iмакс., мА Pмакс., Вт fгран., МГц h31э
BF199 N-P-N 25 25 0,5 550 >38
BF240 N-P-N 40 25 0,3 >150 60-220
BF324 P-N-P 30 25 0,3 450 >25
BF450 P-N-P 40 25 0,3 375 >50
BF494 N-P-N 20 30 0,3 >260 >30
BF959 N-P-N 20 100 0,625 >600 >35

В различных типах корпусов

КТ601 — характеристики, параметры, pdf
КТ602 -описание, характеристики
КТ603 -характеристики, цоколевка
транзистор КТ605 -описание, характеристики
КТ611 — характеристики, pdf
КТ626 -характеристики, аналоги
КТ630 -описание, характеристики
КТ638 -описание, характеристики, графики
КТ639 -аналог, описание, входные и выходные характеристики
КТ644 -описание, характеристики
КТ645 -характеристики, параметры
КТ646 -описание, характеристики, аналог
КТ659 -описание, входные и выходные характеристики
КТ660 -описание, входные и выходные характеристики
КТ661 -описание, выходные характеристики
КТ662 -характеристики входные и выходные, параметры
КТ668 -описание, входные и выходные характеристики
КТ680 -характеристики, описание
КТ681 -характеристики, описание, pdf
КТ940А, КТ940Б, КТ940В -характеристики, область безопасной работы, описание
Транзистор КТ961А, КТ961Б, КТ961В -описание, характеристики
КТ972А, КТ972Б pdf — характеристики входные и выходные, описание, аналог
КТ973А, КТ973Б pdf — характеристики входные и выходные, описание, аналог параметры
КТ6102 -характеристики, описание

Основные параметры:

Uмакс. — Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Iмакс. — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. — Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h31э — Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо — Обратный ток коллектора
Kус. — Коэффициент усиления по мощности
Kш. — Коэффициент шума транзистора

Малой мощности

В корпусе SOT-23

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., ГГц Кш., дБ h31э
BFR92A N-P-N 15 25 0,3 5 2,1 40-90
BFR93A N-P-N 12 35 0,3 6 1,9 40-90
BFR193 N-P-N 12 80 0,58 8 1,3 50-200
BFS17A N-P-N 15 25 0,3 2,8 2,5 25-90
BFT92 P-N-P 15 25 0,3 5 2,5 20-50
BFT93 P-N-P 12 35 0,3 5 2,4 20-50

В корпусе TO-50

Наименование Структура Uмакс. , В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., ГГц Кш., дБ h31э
BF970 P-N-P 35 30 0,3 1 4,2 25-90
BF979 P-N-P 20 50 0,3 1,75 3,4 20-90
BFR90A N-P-N 15 30 0,3 6 1,8 50-150
BFR91A N-P-N 12 50 0,3 6 1,6 40-150
BFR96TS N-P-N 15 100 0,7 5 4 25-150

В корпусе TO-50

Наименование Структура Uмакс. , В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h31э
BF199 N-P-N 25 25 0,5 550 >38
BF240 N-P-N 40 25 0,3 >150 60-220
BF324 P-N-P 30 25 0,3 450 >25
BF450 P-N-P 40 25 0,3 375 >50
BF494 N-P-N 20 30 0,3 >260 >30
BF959 N-P-N 20 100 0,625 >600 >35

В различных типах корпусов

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги - замена транзисторов на отечественные

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

  • Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
  • Биполярные – имеют два p-n перехода;
  • Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

  • Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
  • Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их - напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные Отечественные
2SC3217 2T9155A
2SC3660 2T9155B
2SC3218 2T9155Б
Bak0510-50 2T9156БС
BF423C 2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF423 2Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY80 2Т3130А9
2N2463 2Т3130Б9
2N2459 2Т3130В9
2N735A 2Т3130Г9
2N844 2Т3130Д9
PBC108A, B 2Т3133А2
2N4260 2Т3135А1
2N4261 2Т3135Б1
S923TS 2Т3152А, Г, Д
PBC107B 2Т3158А2
2N2906A 2Т3160А2
DC5108 2Т370А9
CX954 2Т370Б9
BD825 2Т642А2
2N2218 2Т649А2
SF123A 2Т672А2
BD202 2Т818А
1561-1015 2Т874А
1561-1008 2Т874Б
SDT69504 2Т880Д
2N3584 2Т881Д
2SA1009AM 2Т887А, Б
BLY47A 2Т892А, 2Т892Б
2N5050 2Т892В
2SC2093 2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A) 2Т9103А2
NE243499 2Т9108А2
NE080481E-12 2Т9109А
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
AM1416200 2Т9114А, Б
SDR075 2Т9117А, 2Т9118А
2DR405B 2Т9117Б
MRF846 2Т9117В
LDR405B 2Т9118Б
MRF846 2Т9118В
NE3001 2Т9119А2
PZB27020V 2Т9122А
Ph2214-60 2Т9122Б
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC81325M 2Т9127Д, Е
TN20 2Т9130А
2SA1584 2Т9143А
2023-6 2Т9146А
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2SC3217 2Т9155А
2SC3218 2Т9155Б, КТ9142А
2SC3660 2Т9155В, КТ9152А
222430 2Т9158А
2023-6 2Т9158Б
MRF544 2Т9159А
AM1416200 2Т986А, Б
MPF873 2Т987А
AM1416200 2Т994А2—2Т994В2
2N5177 2Т998А
2SC3218* KT9142A
2SC3660* KT9152A
SD1483 KT9174A
SD1492* Г101A
ADY25 ГТ 701А, П210Б
SD1492 ГТ101А
AC128 ГТ402И
AC127 ГТ404Б
AD162 ГТ703Г
AU106 ГТ810А, КТ812Б
BC239B КТ 3102Ж
SS9012 КТ209
2N2784 КТ3101АМ
BC109BP КТ3102И
BC455D КТ3107Е1
BC456B КТ3107И1
BC526C КТ3107К1-Л1
BF680 КТ3109А1
BF979 КТ3109Б1
BF970 КТ3109В1
2N2615 КТ3132Д2
2N2616 КТ3132Е2
2N2906 КТ313А1
2N2906A КТ313Б1
2SA1090 КТ313В1
2SA876H КТ313Г1
PXT2222 КТ3153А9
BFP720 КТ315В1
2N3397 КТ315Р1
2SD1220Q КТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660 КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814 КТ3176А9
MPS6513 КТ3184Б9
TBC547A КТ3186А
BCW47B КТ3187А
BC408 КТ342А
BC107B КТ342Б, КТ3102Б
2SC404 КТ359А3
SS9015 КТ361, КТ3107
2SA556 КТ361Ж (И)
BSW62A КТ361К (Л, М)
BSW63A КТ361Н (П)
MD5000A КТ363А
2N3839 КТ370А9
2N5651 КТ370Б9
BC147 КТ373А
2N3904 КТ375А, КТ375Б
2SC601 КТ396А2
2N709 КТ397А2
MJE13001 КТ538А
2SC64 КТ6110А (Б)
2N1051 КТ6110В (Г, Д)
BF337 КТ6113А (Б, В)
BF338 КТ6113Г (Д, Е)
2SA738B КТ6116А (Б)
2N3114 КТ6117А
2N3712 КТ6117Б
BD136 КТ626Е, КТ6109А
BC527-6 КТ629А2
BD386 КТ629А3
2N2368 КТ633А
2N3303 КТ635А
BD370A6 КТ639А1
BD372 КТ639Б1
2N2218A КТ647А2
MPS706 КТ648А2
2SA715C КТ664Б9
BF177 КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179B КТ682Б2
BD166 КТ720А
2N4238 КТ721А
BD168 КТ722А
2N3054 КТ723А
BD170 КТ724А
BD165 КТ728А
BUY90 КТ8107В (Г)
MIE13005 КТ8121А2
MIE13004 КТ8121Б2
2SD401A КТ8146А
2SC4055 КТ8146Б
TIP41C КТ8212А—В
BU2506D КТ8248А1
BUD44D2 КТ8261А
STD18202 КТ828Г
BU205 КТ838Б
2SB834 КТ842В
2SD1279 КТ846Б
BVX14 КТ846В
BD223 КТ856А1
BD944 КТ856Б1
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2SC1173 КТ862Г
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC2794 КТ866А
2N4913 КТ866Б
BU508 КТ872
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015 КТ9116А
MRF422 КТ9116А, В
I02015A КТ9116Б
2SC3596F КТ9142А
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
2SC3812 КТ9151АС
2023-15T КТ9152А
27AM05 КТ9170А
SDT3207 КТ9171А, Б
LT1739 КТ9171В
2SB596 КТ9176А
MJE2801T КТ9177А
SD1483 КТ917А
2N6180 КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181 КТ9180В, Г
D44H7 КТ9181А, Б
MRF430 КТ9181В, Г
2N5102 КТ921А, В
2N2219 КТ928Б
BC303 КТ933А
2N5996 КТ945Б
2N5642 КТ945В, Г
2N5643 КТ949А
2SC2331 КТ961, КТ9171
2N4440 КТ972В
2N5995 КТ972Г
LOT-1000D1-12B КТ979А
2N4976 КТ996А2
2SC976 КТ996Б2
2N4128 КТ997В
MP42 МП42Б
ASZ18 П217В, ГТ711

Биполярные транзисторы до 40 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
SG769 2Т3133А npn 0.3 ТО-126
2Т837В,Е pnp 8 ТО-220
2SA1020 2Т860В pnp 2 ТО-39
2Т877В pnp 20 ТО-3
KT315H n-p-n 20 0.1
KT503A n-p-n 25 0.15
KT503B n-p-n 25 0.15
KT686F p-n-p 25 0.8
KTJ107B p-n-p 25 0.1
авзтт p-n-p 30 7.5
ГТ313А p-n-p 15 0.03
ГТ313Б p-n-p 15 0.03
ГТ313В p-n-p 15 0.03
ГТ328А p-n-p 15 0.01
ГТ328Б p-n-p 15 0.01
ГТ328В p-n-p 15 0.01
ГТ346А p-n-p 20 0.01
ГТ346Б p-n-p 20 0.01
ГТ346В p-n-p 20 0.01
К13115Г-2 n-p-n 7 0.08
КГ117Г n-база 30 0.05
КГ201А(М) n-p-n 20 0.02
КТ117А n-баэа 30 0.05
КТ117Б n-баэа 30 0.05
КТ117В n-база 30 0.05
КТ201Б(М) n-p-n 20 0.02
КТ201В(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Г(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Д(М) n-p-n 10 0.02
КТ203Б(М) p-n-p 30 0.01
КТ203В(М) p-n-p 15 0.01
КТ208А(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Б(1) p-n-p 20 0.3
КТ208В(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Г(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Д(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Е(1) p-n-p 30 0.3
КТ209А p-n-p 15 0.3
КТ209Б p-n-p 15 0.3
КТ209Б1 p-n-p 15 0.3
КТ209В p-n-p 15 0.3
КТ209В1 p-n-p 15 0.3
КТ209В2 p-n-p 15 0.3
КТ209Г p-n-p 30 0.3
КТ209Д p-n-p 30 0.3
КТ209Е p-n-p 30 0.3
КТ306Б(М) n-p-n 10 0.03
кт306в(М) n-p-n 10 0.03
кт306г(М) n-p-n 10 0.03
кт306д(М) n-p-n 10 0.03
КТ3101А-2 n-p-n 15 0.02
КТ3102K(M) n-p-n 20 0.1
КТ3102В(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Г(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Д(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Е(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Ж(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102И(М) n-p-n 20 0.1
КТ3107Г p-n-p 25 0.1
BC179AP КТ3107Д p-n-p 25 0.1
BC179 КТ3107Е p-n-p 20 0.1
КТ3107Ж p-n-p 20 0.1
КТ3107К p-n-p 25 0.1
КТ3107Л p-n-p 20 0.1
КТ3109А p-n-p 25 0.05
КТ3109Б p-n-p 20 0.05
КТ3109В p-n-p 20 0.05
КТ3115А-2 n-p-n 10 0.08
КТ3115В-2 n-p-n 10 0.08
КТ3120А n-p-n 15 0.02
КТ3123А-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123Б-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123В-2 p-n-p 10 0.03
КТ3126А p-n-p 20 0.02
КТ3126Б p-n-p 20 0.02
КТ3127А p-n-p 20 0.02
кт3128А(1) p-n-p 40 0.02
КТ3129В-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Г-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Д-9 p-n-p 20 0.1
КТ312А n-p-n 20 0.03
BFY39 КТ312Б n-p-n 35 0.03
КТ312В n-p-n 20 0.03
КТ3130В-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Г-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Д-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Е-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Ж-9 n-p-n 30 0.1
2N2712 КТ315А n-p-n 25 0.1
2N2926 КТ315Б n-p-n 20 0.1
КТ315В n-p-n 40 0.1
КТ315Г n-p-n 35 0.1
BFP722 КТ315Г1 n-p-n 35 0.1
2SC634 КТ315Д n-p-n 40 0.1
КТ315Е n-p-n 35 0.1
2SC641 КТ315Ж n-p-n 20 0.05
КТ315Р n-p-n 35 0.1
КТ3168А-9 n-p-n 15 0.03
КТ316А(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Б(М) n-p-n 10 0.05
КТ316В(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Г(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Д(М) n-p-n 10 0.05
КТ325А(М) n-p-n 15 0.03
КТ325Б(М) n-p-n 15 0.03
КТ325В(М) n-p-n 15 0.03
КТ326А(М) p-n-p 15 0.05
КТ326Б(М) p-n-p 15 0.05
КТ339А(М) n-p-n 25 0.03
КТ339Б n-p-n 15 0.03
КТ339В n-p-n 25 0.03
КТ339Г n-p-n 25 0.03
КТ339Д n-p-n 25 0.03
КТ342А(М) n-p-n 30 0.05
КТ342Б(М) n-p-n 25 0.05
КТ342В(М) n-p-n 10 0.05
КТ342ГМ n-p-n 30 0.05
КТ342ДМ n-p-n 25 0.05
КТ345А p-n-p 20 0.2
КТ345Б p-n-p 20 0.2
КТ345В p-n-p 20 0.2
КТ347А p-n-p 15 0.05
КТ347Б p-n-p 9 0.05
КТ347В p-n-p 6 0.05
КТ349А p-n-p 15 0.05
BC178 КТ349Б p-n-p 15 0.05
КТ349В p-n-p 15 0.05
КТ350А p-n-p 20 0.6
КТ351А p-n-p 15 (-0.4)
КТ351Б p-n-p 15 (-0.4)
КТ352А p-n-p 15 (-0.2)
КТ352Б p-n-p 15 (-0.2)
КТ355АМ n-p-n 15 0.03
2SA555 КТ361А p-n-p 25 0.1
КТ361Б p-n-p 20 0.1
КТ361В p-n-p 40 0.1
КТ361Г p-n-p 35 0.1
КТ361Г1 p-n-p 35 0.1
КТ361Д p-n-p 40 0.05
КТ361Е p-n-p 35 0.05
BC251 КТ361И p-n-p 15 0.05
КТ363А(М) p-n-p 15 0.03
КТ363Б(М) p-n-p 12 0.03
КТ368А(М) n-p-n 15 0.03
КТ371А n-p-n 10 0.02
КТ372А n-p-n 15 0.01
КТ372Б n-p-n 15 0.01
КТ382А(М) n-p-n 10 0.02
КТ382Б(М) n-p-n 10 0.02
КТ391А-2 n-p-n 10 0.01
КТ391Б-2 n-p-n 10 0.01
КТ391В-2 n-p-n 10 0.01
КТ399А n-p-n 15 0.02
КТ399АМ n-p-n 15 0.03
2N3906 КТ501 Ж,И,К pnp 0.3 ТО-92
КТ501А p-n-p 15 0.3
КТ501Б p-n-p 15 0.3
КТ501В p-n-p 15 0.3
КТ501Г p-n-p 30 0.3
КТ501Д p-n-p 30 0.3
КТ501Е p-n-p 30 0.3
КТ502А p-n-p 25 0.15
КТ502Б p-n-p 25 0.15
КТ502В p-n-p 40 0.15
КТ502Г p-n-p 40 0.15
2SC1815 КТ503 А,Б npn 0.15 ТО-92
КТ503В n-p-n 40 0.15
КТ503Г n-p-n 40 0.15
КТ603А n-p-n 30 0.3
КТ603Б n-p-n 30 0.3
Кт603в n-p-n 15 0.3
КТ603Г n-p-n 15 0.3
Кт603д n-p-n 10 0.3
КТ603Е n-p-n 10 0.3
Кт603и n-p-n 30 0.3
BC547  КТ6111 (А-Г) npn 0.1 ТО-92
2SA1266  КТ6112 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ6127Г p-n-p 30 2
КТ6127Д p-n-p 12 2
КТ6127Е p-n-p 12 2
2N4403  КТ626А pnp 0.5 ТО-126
КТ626Г p-n-p 20 0.5
КТ626Д p-n-p 20 0.5
BD136 КТ639А,Б,В pnp 1.5 ТО-126
КТ639И p-n-p 30 1.5
КТ644В p-n-p 40 0.6
КТ644Г p-n-p 40 0.6
2N3904 КТ645Б n-p-n 40 0.3 ТО-92
2N4401  КТ646Б n-p-n 40 1 ТО-126
BC337  КТ660А npn 0.8 ТО-92
КТ660Б n-p-n 30 0.8
BC557  КТ668 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ680А n-p-n 25 0.6
КТ681А p-n-p 25 0.6
BC635 КТ684А npn 1 ТО-92
КТ685 А,В pnp 40 0.6 ТО-92
КТ685д p-n-p 25 0.6
КТ685Е p-n-p 25 0.6
КТ685Ж p-n-p 25 0.6
BC327 КТ686 А,Б,В pnp 45 0.8 ТО-92
КТ686Г p-n-p 25 0.8
КТ686Д p-n-p 25 0.8
КТ686Ж p-n-p 25 0.8
BC636 КТ692А pnp 1 ТО-39
КТ695А n-p-n 25 0.03
КТ698Г n-p-n 30 2
КТ698Д n-p-n 12 2
КТ698Е n-p-n 12 2
КТ8111Б' n-p-n 40 0.02
КТ8111В" n-p-n 30 0.02
КТ8130А* p-n-p 40 4
КТ8131А* n-p-n 40 4
КТ814А pnp 25 1.5 ТО-126
КТ814Б p-n-p 40 1.5
BD135 КТ815А npn 30 1.5 ТО-126
BD434 КТ816А p-n-p 40 3
КТ816А2 p-n-p 40 3
2SB856 КТ816Б pnp 3 ТО-126
BD435 КТ817А,Б npn 40 3 ТО-126
TIP33 КТ818А pnp 40 10 ТО-220
КТ818АМ p-n-p 40 15
TIP34 КТ819А,Б npn 40 10 ТО-220,
9527 КТ819АМ n-p-n 40 15
КТ825Е* p-n-p 30 0.02
КТ829Г npn 8 ТО-220
КТ835А p-n-p 30 3
КТ835Б pnp 7.5 ТО-220
КТ837Ж p-n-p 30 7.5
КТ837И p-n-p 30 7.5
КТ837К p-n-p 30 7.5
FMMT717 КТ852Г pnp 2 ТО-220
КТ853Г pnp 8 ТО-220
2SD1062 КТ863А npn 30 10 ТО-220
КТ896В* p-n-p 30 0.02
КТ943А npn 2 ТО-126
КТ972Б npn 4 ТО-126
2SB857 КТ973Б  pnp 4 ТО-126
ктзб1Ж p-n-p 10 0.05
ктзевБ(М) n-p-n 15 0.03
КТЗОвА(М) n-p-n 10 0.03
КТЭ72В n-p-n 15 10
СТ837У p-n-p 30 7.5
СТ837Ф p-n-p 30 7.5

Биполярные транзисторы до 60 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т708Б pnp 2.5 ТО-39
MJE2955 2Т709В pnp 10  ТО-3
2Т709В2* p-n-p 60 10
BDX85 2Т716В,В1 npn 60 10 ТО-3
BDX78 2Т818В p-n-p 60 15
2Т819В p-n-p 60 15
2Т825В pnp 20 ТО-3
2Т825В2 pnp 60 15 ТО-220
2Т830Б pnp 2 ТО-39
2Т831Б npn 2 ТО-39
2Т836В pnp 3 ТО-39
2Т837Б,Д pnp 8 ТО-220
MJE3055 2Т875В npn 10 ТО-3
2Т877Б pnp 20 ТО-3
2Т880В pnp 2 ТО-39
2Т881В npn 2 ТО-39
2SC3402  503В,Г npn 0.15 ТО-92
ICT814B p-n-p 60 1.5
KT6S8B n-p-n 50 2
ГТ806Г p-n-p 50 15
ГТ905Б p-n-p 60 3
КТ203А(М) p-n-p 60 0.1
КТ208Ж(1) p-n-p 45 0.3
КТ208И(1) p-n-p 45 0.3
КТ208К(1) p-n-p 45 0.3
КТ208Л(1) p-n-p 60 0.3
КТ208М(1) p-n-p 60 0.3
КТ209Ж p-n-p 45 0.3
КТ209И p-n-p 45 0.3
КТ209К p-n-p 45 0.3
КТ209Л p-n-p 60 0.3
КТ209М p-n-p 60 0.3
BC182 КТ3102А(М) n-p-n 50 0.1
КТ3102Б(М) n-p-n 50 0.1
BC212 КТ3107А p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107Б p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107И p-n-p 45 0.1
КТ3108А p-n-p 60 0.2
КТ3108Б p-n-p 45 0.2
КТ3108В p-n-p 45 0.2
PN5132 КТ3117А(1) n-p-n 60 0.4
КТ3129А-9 p-n-p 50 0.1
КТ3129Б-9 p-n-p 50 0.1
КТ3130А-9 n-p-n 50 0.1
КТ3130Б-9 n-p-n 50 0.1
КТ313А(М) p-n-p 60 0.35
2N2907 КТ313Б(М) p-n-p 60 0.35
КТ315И n-p-n 60 0.05
КТ361К p-n-p 60 0.05
КТ501Ж p-n-p 45 0.3
КТ501И p-n-p 45 0.3
КТ501К p-n-p 45 0.3
КТ501Л p-n-p 60 0.3
КТ501М p-n-p 60 0.3
КТ502Д p-n-p 60 0.15
КТ502Е p-n-p 60 0.15
BSR41 КТ530А npn 1 TO-92
КТ6127В p-n-p 50 2
BD138  КТ626Б pnp 60 0.5 ТО-126
BC637  КТ630Д,Е npn 1 ТО-39
КТ639А p-n-p 45 1.5
КТ639Б p-n-p 45 1.5
КТ639В p-n-p 45 1.5
КТ639Г p-n-p 60 1.5
BD138 КТ639Г,Д pnp 60 1.5 ТО-126
2N3545 КТ644(А-Г) pnp 60 0.6 ТО-126
КТ645А npn 60 0.3 ТО-92
BD137  КТ646А npn 0.5 ТО-126
КТ659А npn 1.2 ТО-39
2SA684  КТ661А  pnp 0.6 ТО-39
BC556 КТ662А pnp 0.4 ТО-39
КТ668А p-n-p 45 0.1
КТ668Б p-n-p 45 0.1
КТ668В p-n-p 45 0.1
КТ683Д n-p-n 60 1
2SD1616 КТ683Д,Е npn 60 1 ТО-126
КТ685Б p-n-p 60 0.6
BC638 КТ685Б,Г pnp 60 0.6 ТО-92
SA1245 КТ686А p-n-p 45 0.8
КТ686Б p-n-p 45 0.8
КТ686В p-n-p 45 0.8
2SC2655  КТ698В npn 2 ТО-92
КТ801Б n-p-n 60 2
КТ8106Б n-p-n 45 0.02 ТО-220
КТ8111А' n-p-n 50 0.02
КТ8111В9 npn 20 ТО-218
КТ8116В npn 8 ТО-220
КТ8118Б* n-p-n 60 8
2SA1469  КТ8130Б pnp 60 4 ТО-126
КТ8131Б' n-p-n 60 4
КТ815Б n-p-n 45 1.5
2SB1366  КТ816В pnp 60 3 ТО-126
КТ817Б n-p-n 45 3
КТ817Б2 n-p-n 45 3
2N5191  КТ817В npn 60 3 ТО-126
КТ818Б p-n-p 50 10
9535 КТ818БМ p-n-p 50 15
КТ819Б n-p-n 50 10
2N3055 КТ819БМ n-p-n 50 15
КТ825Д* p-n-p 60 20
КТ827В npn 60 20 ТО-3
TIP3055 КТ8284А npn 12 ТО-220
TIP120 КТ829В npn 60 8 ТО-220
КТ837Б p-n-p 60 7.5
КТ837В p-n-p 60 7.5
КТ837Г p-n-p 45 7.5
КТ837Д p-n-p 45 7.5
КТ837Л p-n-p 60 7.5
КТ837М p-n-p 60 7.5
КТ852В pnp 2 ТО-220
КТ853В pnp 8 ТО-220
КТ896Б pnp 20 ТО-220
КТ908А n-p-n 60 10
КТ908Б n-p-n 60 10
BD137 КТ961В npn 45 1.5 ТО-126
BD677 КТ972А npn 60 4 ТО-126
BD678  КТ973А pnp 4 ТО-126
КТ973А' p-n-p 60 4
КТ997А n-p-p 45 10
КТ997Б n-p-n 45 10
КТМ7Е p-n-p 45 7.5
ОГ837Н p-n-p 60 7.5
СГ837П p-n-p 45 7.5
СГ837Р p-n-p 45 7.5
Т852В* p-n-p 60 2.5
Т852Г p-n-p 45 2.5
Т853В* p-n-p 60 8
Т853Г p-n-p 45 8
Тв37С p-n-p 45 7.5

Биполярные транзисторы до 70 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т831В npn 2 ТО-39
2Т837А,Г pnp 8 ТО-220
2Т860Б pnp 2 ТО-39
2Т875Б npn 10 ТО-3
2Т876Б pnp 10  ТО-3
КТ6127Б p-n-p 70 2
КТ698Б npn 2 ТО-92
КТ69ВБ n-p-n 70 2
КТ808ГМ npn 10 ТО-3
КТ814В pnp 65 1.5 ТО-126
КТ815В npn 1.5 ТО-126
КТ818В pnp 70 10 ТО-220,
КТ818ВМ p-n-p 70 15
КТ919В n-p-n 70 10
КТ919ВМ n-p-n 70 15
КТ943 Б,Д npn 2 ТО-126

Биполярные транзисторы до 80 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
TIP33B 2Т709Б pnp 10 ТО-3
2Т709Б2* p-n-p 80 10
2Т716Б,Б1 npn 10 ТО-3
2Т716б1* n-p-n 80 10
BD204 2Т818Б p-n-p 80 15
2Т819Б p-n-p 80 15
2Т825Б pnp 20 ТО-3
2Т825Б2 pnp 80 15 ТО-220
BD140  2Т830В pnp 2 ТО-39
2Т836А,Б pnp 3 ТО-39
2Т875А,Г npn 10 ТО-3
2Т876А,Г pnp 10 ТО-3
2Т877А pnp 20 ТО-3
2Т880Б pnp 2 ТО-39
BD139 2Т881Б npn 2 ТО-39
ГТ806А p-n-p 75 15
ГТ905А p-n-p 75 3
ГТ906А(М) p-n-p 75 6
КДТ8281А pnp 60 ТО-218
PN3691 КТ3117Б n-p-n 75 0.4
2SC1627 КТ503Д npn 0.15 ТО-92
КТ602В n-p-n 80 0.075
КТ602Г n-p-n 80 0.075
2SA935 КТ626В pnp 80 0.5 ТО-126
КТ684Б npn 1 ТО-92
КТ801А n-p-n 80 2
КТ808ВМ npn 10 ТО-3
КТ8106А npn 80 20 ТО-220
TIP151 КТ8111Б9 npn 20 ТО-218
2SD2025  КТ8116Б npn 80 8 ТО-220
КТ8130В* p-n-p 80 4
КТ8131В* n-p-n 80 4
TIP34B КТ819Б,В* npn 10 ТО-220
КТ827Б npn 80 20 ТО-3
КТ8284Б npn 12 ТО-220
BD679  КТ829Б npn 80 8 ТО-220
КТ837А p-n-p 80 7.5
КТ852Б pnp 2 ТО-220
BDX34B КТ853Б pnp 8 ТО-220
2N6039 КТ943В,Г npn 2 ТО-126
КТ961Б npn 1.5 ТО-126
КТД8280А npn 60 ТО-218
КТД8283А pnp 60 ТО-218
Т852Б* p-n-p 80 2.5
Т853Б' p-n-p 80 8

Биполярные транзисторы до 130 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813А p-n-p 100 30
1Т813Б p-n-p 125 30
2Т708А pnp 2.5 ТО-39
BDX34C 2Т709А pnp 100 10  ТО-3
BDX33C 2Т716А,А1 npn 10 ТО-3
2Т716АГ* n-p-n 100 10
2Т819А p-n-p 100 15
2Т825А pnp 20 ТО-3
2Т825А2 pnp 15 ТО-220
2Т830Г pnp 2 ТО-39
SD1765 2Т831Г npn 2 ТО-39
2Т860А pnp 2 ТО-39
2Т880А,Г pnp 2 ТО-39
2Т881А,Г npn 2 ТО-39
2Т935Б npn 20 ТО-220
ГТ806Б p-n-p 100 15
ГТ806В p-n-p 120 15
КТ503Е npn 0.15 ТО-92
SK3835 КТ601А,АМ npn 100 0.03 ТО-126
КТ602А,АМ npn 0.075 ТО-126
КТ602Б(М) n-p-n 100 0.075
2SA715D КТ6102А pnp 1.5 ТО-92
BF336 КТ6103А npn 1.5 ТО-92
КТ6127А p-n-p 90 2
КТ6127Ж p-n-p 120 2
BSY52 КТ630А n-p-n 120 1 ТО-39
КТ630Б n-p-n 120 1 ТО-39
2N1613 КТ630Г n-p-n 100 1 ТО-39
2SC2240 КТ638А,Б npn 0.1 ТО-92
КТ639Е p-n-p 100 1.5
КТ6836 n-p-n 120 1
КТ683Б npn 120 1 ТО-126
КТ683В n-p-n 120 1 ТО-126
КТ683Г n-p-n 100 1 ТО-126
BC639 КТ684В npn 1 ТО-92
BD237 КТ698А npn 2 ТО-92
КТ698Ж n-p-n 120 2
2N4237 КТ719А npn 1.5 ТО-126
КТ802А n-p-n 130 5
КТ805БМ,ВМ npn 5 ТО-220
КТ807А n-p-n 100 0.5
КТ807А,Б npn 100 0.5 ТО-126
КТ808 АМ,БМ npn 10 ТО-3
TIP150 КТ8111А9 npn 20 ТО-218
КТ8115А pnp 8 ТО-220
КТ8116А npn 100 8 ТО-220
2N5400  КТ814Г pnp 1.5 ТО-126
КТ815Г npn 85 1.5 ТО-126
TIP42C  КТ816Г pnp 90 3 ТО-126
КТ817Г npn 90 3 ТО-126
КТ817Г2 n-p-n 90 3
TIP33B  КТ818Г pnp 90 10 ТО-220
КТ818ГМ p-n-p 90 15
TIP34C КТ819А,Г npn 100 10 ТО-220
2N3055 КТ819ГМ n-p-n 100 15
КТ8246 А,Б npn 15 ТО-220
КТ825* p-n-p 90 20
КТ827А npn 100 20 ТО-3
КТ8284В npn 12 ТО-220
TIP122 КТ829А npn 100 8 (5) ТО-220
КТ852А pnp 2 ТО-220
КТ853А pnp 8 ТО-220
BD946 КТ896А pnp 20 ТО-220
КТ961А npn 1.5 ТО-126
ктвзэж p-n-p 100 1.5
КТД8257А npn 20 ТО-220
КТД8278Б,В npn 20 ТО-220
КТД8280Б npn 60 ТО-218
КТД8281Б pnp 60 ТО-218
КТД8283Б pnp 60 ТО-218
ПИЛОН-3А npn 15 ТО-220
Т852А- p-n-p 100 2.5
Т853А- p-n-p 100 8

Биполярные транзисторы до 160 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813В p-n-p 150 30
ГТ806Д p-n-p 140 15
2N5401 КТ6116 pnp 0.6 ТО-92
2N5551 КТ6117 npn 0.6 ТО-92
2SC2383 КТ630В npn 150 1 ТО-39
КТ663А n-p-n 150 1
КТ683А npn 1 ТО-126
КТ698И n-p-n 160 2
2SA1186 КТ712Б pnp 10 ТО-220
КТ805АМ npn 5 ТО-220
BU289 КТ8101А n-p-n 160 16 ТО-218
КТ8101Б npn 16 ТО-218
2SA1294  КТ8102А p-n-p 160 16 ТО-218
2SA1216 КТ8102Б pnp 16 ТО-218
КТ8123А npn 150 2 ТО-220
КТ8246В,Г npn 15 ТО-220
КТ850В npn 2 ТО-220
2SA940  КТ851В pnp 2 ТО-220
КТ855Б p-n-p 150 5
КТ855Б,В pnp 150 5 ТО-220
2SC3907 КТ863БС npn 12 ТО-220
КТ899А npn 150 8 ТО-220
КТ940В npn 160 0.1 ТО-126
2N5996 КТ945А n-p-n 150 15 ТО-3
КТД8257Б npn 20 ТО-220
ПИР-2 (КТ740А) npn 20 ТО-220
2SC2230  Т611В,Г npn 0.1 ТО-126
Т850В n-p-n 150 2
Т851В p-n-p 150 2

Биполярные транзисторы до 200 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КГвИ AM n-p-n 180 0.1
КТ504Б npn 200 1 ТО-39
2SC1473  КТ611А,Б npn 0.1 ТО-126
КТ611БМ n-p-n 180 0.1
КТ6127К p-n-p 200 2
КТ698К n-p-n 200 2
КТ712А pnp 10  ТО-220
КТ8105А n-p-n 200 20
КТ8124А n-p-n 200 7
КТ8124Б n-p-n 200 7
КТ8140А n-p-n 200 7
КТ842Б pnp 5 ТО-3
КТ851А pnp 2 ТО-220
BU406 КТ864А npn 10 ТО-3
КТ865А pnp 10 ТО-3
BVR11 КТ867А npn 25 ТО-3
КТ879А npn 200 50 КТ-5
BVT91 КТ879Б n-p-n 200 50
КТ897Б npn 200 20 ТО-218
2N6077 КТ898Б npn 200 20 ТО-218
КТД8257(А-Г) npn 20 ТО-220
КТД8278А npn 20 ТО-220
Т850А n-p-n 200 2
Т851А p-n-p 200 2

Биполярные транзисторы до 250 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т862А,Б npn 15 ТО-3
2Т882В npn 1 ТО-220
2SA1837 2Т883Б pnp 1 ТО-220
КТ3157А p-n-p 250 0.03
КТ504В npn 1 ТО-39
КТ505Б pnp 250 1 ТО-39
КТ604А(М) n-p-n 250 0.2
КТ604Б(М) n-p-n 250 0.2
КТ605А(М) n-p-n 250 0.1
0.1 КТ605А,Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ844А npn 10 ТО-3
КТ850А,Б npn 2 ТО-220
КТ851Б pnp 2 ТО-220
КТ855А pnp 5 ТО-220
MJE15032 КТ857А npn 250 7 ТО-220
КТ940Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ969А npn 0.1 ТО-126
КТ999А n-p-n 250 0.05
КТЭвЭА n-p-n 250 0.1
Т850Б n-p-n 250 2
Т851Б p-n-p 250 2
Т855А p-n-p 250 5

Биполярные транзисторы до 300 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
MJE340  2Т882Б npn 1 ТО-220
2Т883А pnp 1 ТО-220
MJE13002 КТ504А npn 1 ТО-39
КТ505А p-n-p 300 1
2SA1371 КТ6104А pnp 0.15 ТО-92
BFJ57 КТ6105А npn 0.15 ТО-92
КТ8109А,Б npn 7 ТО-220
КТ8109Б* n-p-n 300 7
КТ8121Б npn 300 4 ТО-220
КТ8124В npn 7 ТО-220
КТ812В n-p-n 300 8
КТ8232А,Б npn 20 ТО-218
КТ8258Б npn 4 ТО-220
КТ8259Б npn 8 ТО-220
КТ8260А npn 15 ТО-220
КТ8285А npn 30 ТО-218
КТ842А pnp 5 ТО-3
КТ854Б npn 10 ТО-220
КТ890(А-В) npn 20 ТО-218
КТ892А,В npn 15 ТО-3
КТ897А npn 20 ТО-218
КТ898А npn 20 ТО-218
2SA1091  КТ9115А pnp 300 0.1 ТО-126
КТ940А n-p-n 300 0.1
КТД8252(А-Г) npn 15 ТО-220
КТД8262(А-В) npn 7 ТО-220
КТД8279(А-В) npn 10 ТО-220
MJE350 Т505А pnp 1 ТО-39
2SC2482  Т940А npn 0.1 ТО-126

Биполярные транзисторы до 400 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SA1625  2Т509А pnp 0.02 ТО-39
MJE13009  2Т862В npn 10 ТО-3
2SC4138 2Т862Г npn 10 ТО-3
MJE13003  2Т882А npn 1 ТО-220
2Т885А npn 40 ТО-3
ав40Б n-p-n 350 8
BUX84 КТ704Б,В npn 2.5
КТ809А n-p-n 400 3
BU208A КТ8104А n-p-n 350 20
2SC2625 КТ8117А npn 400 10 ТО-218
КТ8121А npn 400 4 ТО-220
2SC3039 КТ8124А,Б npn 7 ТО-220
MJE13007 КТ8126А npn 8 ТО-220
КТ8136А n-p-n 400 10
MJE13005 КТ8258А npn 4 ТО-220
2SC4834 КТ8259А npn 8 ТО-220
КТ8260Б npn 15 ТО-220
КТ8285Б npn 30 ТО-218
КТ834В npn 400 15 ТО-3
2SD1409 КТ840А,Б npn 6 ТО-3
2SC3306 КТ841Б npn 10 ТО-3
BUT11 КТ845А npn 5 ТО-3
КТ848А npn 15 ТО-3
2SC2335 КТ858А npn 400 7 ТО-220
2N4914 КТ890А* n-p-n 350 20
2N4915 КТ890Б* n-p-n 350 20
КТ890В* n-p-n 350 20
MI10000 КТ892Б npn 400 15 ТО-3
КТД8279А npn 10 ТО-220
Т840А n-p-n 400 6
Т848А n-p-n 400 15
Т854Б n-p-n 400 10

Биполярные транзисторы до 500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812Б n-p-n 500 10
2Т856В npn 10 ТО-3
2Т885Б npn 40 ТО-3
ICT8110B n-p-n 450 7
KT8120A n-p-n 450 8
SF123C КТ6107А npn 0.13 ТО-92
BD140 КТ6108А pnp 0.13 ТО-92
2SC3970 КТ704А npn 2.5
КТ8108А n-p-n 500 5
КТ8108Б n-p-n 500 5
КТ8110А n-p-n 450 7
КТ8110Б n-p-n 450 7
BUL310 КТ8120А npn 3 ТО-220
КТ812Б npn 500 8 ТО-3
КТ8260В npn 15 ТО-220
КТ8285В npn 30 ТО-218
КТ834А n-p-n 500 15
КТ834А,Б npn 450 15 ТО-3
КТ854А npn 10 ТО-220
ПИР-1 npn 20 ТО-218

Биполярные транзисторы до 600 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SC5249 2Т884Б npn 2 ТО-220
КТ506Б npn 600 2 ТО-39
КТ8107В n-p-n 600 5
КТ8144Б npn 25 ТО-3
2SC5386 КТ8286А npn 5 ТО-218
2SC2027 КТ828Б n-p-n 600 5
2SD2499  КТ828Б,Г npn 5 ТО-3
2SC5387 КТ841А,В npn 10 ТО-3
2SC4706  КТ847А npn 15 ТО-3
ST1803 КТ856А1,Б1 npn 10 ТО-218
КТ878В npn 600 30 ТО-3
2SA1413 КТ887Б pnp 2 ТО-3
КТ888Б pnp 0.1 ТО-39
СТ841А n-p-n 600 10
СТ841В n-p-n 600 10
Т854А n-p-n 600 10

Биполярные транзисторы до 700 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812А n-p-n 700 10
2Т856Б npn 10 ТО-3
КТ8107(А-Г) npn 700 8 ТО-220
КТ8114А n-p-n 700 8
КТ8127А(1) n-p-n 700 5
КТ8127Б(1) n-p-n 700 5
КТ8127В(1) n-p-n 700 5
КТ8129А n-p-n 700 5
BUh200 КТ812А npn 700 10 ТО-3
КТ8137А npn 1.5 ТО-126
КТ826(А-В) npn 700 1 ТО-3
КТ8286Б npn 5 ТО-218
КТ887А pnp 2 ТО-3
Т847А n-p-n 650 15

Биполярные транзисторы до 800 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т884А npn 2 ТО-220
КТ506А npn 2 ТО-39
КТ8118А npn 800 3 ТО-220
2SC3998 КТ8144А npn 25 ТО-3
КТ8286В npn 5 ТО-218
SML804 КТ828А,В npn 800 5 ТО-3
2SC3150 КТ859А npn 800 3 ТО-220
2SC5002  КТ868Б npn 6 КТ-9
BVP38 КТ878Б npn 800 30 ТО-3
СТ841Б n-p-n 800 10

Биполярные транзисторы до 900 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КТ888А pnp 0.1 ТО-39
2SC3979 КТ868А npn 6 КТ-9
2Т856А npn 10 ТО-3
КТ878А npn 30 ТО-3

Биполярные транзисторы до 1500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
BU108 КТ8107А n-p-n 1500 8
BU508 КТ838А npn 5 ТО-3
BU2520 КТ839А npn 10 ТО-3
BU2506 КТ846А npn 5 ТО-3
BU2508  КТ872А,Б npn 8 ТО-218
2SC5270 КТ886А1 npn 10 ТО-218
BU1508 КТ886Б1 npn 8 ТО-218
Т846А n-p-n 1500 5
Т846В n-p-n 1500 5
Т848Б n-p-n 1200 5

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т713А npn 2500 3 ТО-3
КТ710А npn 5 ТО-3

Однопереходные транзисторы

Зарубежные Отечественные
2N1573 КТ117ВМ
2N1923 КТ117АМ

Мощные полевые транзисторы

Импортные Отечественные
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы

Импортные Отечественные
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?


Другие материалы по теме


Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.


Транзисторы

Новые транзисторы

Справочные данные по транзисторам: ГТ108, ГТ309, 1Т308, 1Т303, 2Т301, П504, П505, П607-П609, П702

"Радио"

1964

7

Нет автора

Новые полупроводниковые приборы

Справочные сведения по диодам 2Д503, 2С920, 2С930, 2С950, 2С980 и транзисторам ГТ109, ГТ310, 1Т403, П42

"Радио"

1965

4

Нет автора

Новые полупроводниковые приборы

Справочные данные по транзисторам ГТ320 и ГТ701А

"Радио"

1967

4

Нет автора

Транзисторы для телевизоров

(Продолжение №7, 9 1967г. стр.57). Справочные данные по транзисторам ГТ313, ГТ311, КТ601А, МП37, МП38, МП39, МП40, МП41, ГТ308, П213, П214, П216, П217, КТ801А, КТ802А

"Радио"

1967

2

Фролов В.

Параметры и цоклевки плоскостных транзисторов, разработанных до 1964 года

Справочная таблица по транзисторам П5 - П42, П101 - П110, П505

"Радио"

1968

2

Леонтьев В.

Параметры и цоклевки плоскостных транзисторов, разработанных до 1964 года

Приведены справочные таблицы по транзисторам П4, П201 - П203, П207 - П217, П302 - П306, П401 - П423, П501 - П503, П601 - П609

"Радио"

1968

3

Леонтьев В.

Транзисторы ГТ402А, ГТ402Б

Параметры, цоклевка

"Радио"

1968

8

Черный Б.

Транзисторы широкого применения

Параметры транзисторов ГТ108, ГТ322, КТ301, КТ315

"Радио"

1968

10

Зайцева О.

Новые полупроводниковые приборы

Параметры транзисторов ГТ321 и ГТ311

"Радио"

1969

5

Сардаковская Л.

Новые транзисторы

(Продолжение в №7 1969г. стр.56). Параметры транзисторов КТ602, КТ605, КТ312, КТ903

"Радио"

1969

6

Гордеева В.

Транзисторы малой мощности широкого применения

Таблица и цоклевка на транзисторы ГТ309, ГТ310, ГТ108, ГТ109, П27 - МП42, ГТ320 - ГТ322, П401 - П422, ГТ313, ГТ311, МП111 - МП116, КТ301, КТ315, КТ312, П307 - П309

"Радио"

1969

10

Белов А.

Транзисторы массового применения

Параметры транзисторов П701, ГТ701А, ГТ309

"Радио"

1969

1

Павлова О.

Полевые транзисторы КП102

Приведены параметры, практические схемы (Гальванометр, реле времени, триггер, истоковый повторитель)

"Радио"

1970

6

Вальков А.

Транзисторы средней и большой мощности

Приведены параметры транзисторов ГТ402, ГТ403, П601, П602, П605, П606, ГТ8-4, П210, П302 - П306, КТ601 - КТ605, П607 - П609, КТ801 - КТ803, КТ903, П702

"Радио"

1970

3

Белов А.

Аналоги зарубежных транзисторов

Приведена таблиза аналогов с 2N34 по 2SD191

"Радио"

1971

6

Нефедов А.

Новые транзисторы

Приведены параметры транзисторов КТ306, КТ307, КТ316

"Радио"

1971

5

Домнин Б.

Новые транзисторы

Параметры транзисторов КТ904А,Б; КТ905А,Б

"Радио"

1971

12

Гришина Л.

Полевые транзисторы КП103

"Радио"

1971

4

Вальков А.

Новые имнульсные транзисторы

Приведены параметры на КТ343, КТ349, КТ350, КТ351, КТ352.

"Радио"

1972

2

Тишина В.

Новые транзисторы

(Продолжение в №8 1972г стр.55). Параметры на транзисторы КТ907, КТ908, КТ319, ГТ323, КТ324

"Радио"

1972

7

Гришина Л.

Транзисторы Венгрии и их отечественные аналоги

Приведена таблица аналогов с параметрами транзисторов

"Радио"

1972

11

Нет автора

Новые германиевые транзисторы

Приведены справочные сведения на транзисторы ГТ115, ГТ305, ГТ404

"Радио"

1973

10

Нет автора

Новые кремниевые транзисторы широкого применения

Справочные сведения по КТ104, КТ118, КТ201

"Радио"

1973

2

Нет автора

Новые транзисторы

КТ331, КТ332, КТ339

"Радио"

1973

6

Нет автора

Однопереходные транзисторы КТ117А - КТ117Г

"Радио"

1973

12

Нет автора

Полевые транзисторы с изолированными затворами

Приведены справочные сведения на транзисторы КП301, КП305, КП350

"Радио"

1973

11

Нет автора

Транзисторы ЧССР и их советские аналоги

Справочные данные и приближенные аналоги

"Радио"

1973

8

Нет автора

Кремниевые транзисторы КТ342А - КТ342Г и КТ345А - КТ345В

"Радио"

1974

6

Гришина Л.

Мощные мезапланарные транзисторы КТ802А, КТ803А, КТ807А, КТ807Б, КТ808А, КТ809А

"Радио"

1974

4

Алхимов В.

Полевые транзисторы КП302А - КП302В

"Радио"

1974

3

Абдеева Н.

Полевые транзисторы КП303А - КП303И

"Радио"

1974

5

Гришина Л.

Высокочастотные германиевые транзисторы ГТ329, ГТ330 и ГТ341

"Радио"

1975

3

Гришина Л.

Кремниевые транзисторы КТ608, КТ610

"Радио"

1975

6

Гришина Л.

Транзисторные германиевые матрицы серии ГТС609

"Радио"

1975

8

Найда Б.

Транзисторы КТ325А - КТ325В

"Радио"

1975

10

Коняев В.

Транзисторы КТ340А-КТ340В, КТ340Д

"Радио"

1975

1

Гришина Л.

Транзисторы КТ611А - КТ611Г

"Радио"

1975

9

Гришина Л.

Транзисторы серий КТ909 и КТ911

"Радио"

1975

12

Гришина Л.

Транзисторы

(Продолжение в №8 1976г стр.55). Сводная таблица параметров на транзисторы выпускавшиеся до 1976г.

"Радио"

1976

7

Коняев В.

Зарубежные транзисторы и их советские аналоги

(Продолжение в №7, 9 1977г., №2 - 5, 6 1978г.). Приведены приближенные аналоги

"Радио"

1977

4

Нет автора

Полевой транзистор КП304А

"Радио"

1977

1

Абдеева Н.

Транзисторы КТ814 - КТ817

"Радио"

1977

3

Вородин Б.

Транзисторы серий КТ502, КТ503

"Радио"

1977

9

Якубовский С.

Транзисторы серий КТ919, КТ819

"Радио"

1977

7

Вородин Б.

Высоковольтные транзисторы КТ940

"Радио"

1978

8

Киреев Ю.

Полевые транзисторы серий КП901, КП902

"Радио"

1979

12

Бамов А.

Транзисторные полевые сборки серии КПС104

"Радио"

1979

6

Богдан А.

Транзисторы КТ639 и КТ644

"Радио"

1979

2

Ахламенок Г.

Транзисторы КТ913

"Радио"

1979

4

Богдан А.

Полевые транзисторы серии КП307

Параметры, цоклевка

"Радио"

1980

10

Гришина Л.

Транхисторы серии КТ3102

Приведены графики, параметры, цоклевка (корпус металлический)

"Радио"

1981

1

Нет автора

Высокочастотные транзисторы КТ961А, Б, В

Параметры, цоклевка

"Радио"

1982

9

Нет автора

Матрицы из полевых транзисторов

Приведены справочные сведения на КПС202, КПС104

"Радио"

1982

5

Нет автора

СВЧ транзистор КТ3123

Параметры, графики, цоклевка

"Радио"

1982

6

Виноградов Р.

Транзистор КТ969А

Параметры, цоклевка

"Радио"

1982

8

Гордеев А.

Транзисторы КТ3117А, КТ3117Б

Справочные данные, цоклевка

"Радио"

1983

10

Овсянников Н.

Транзисторы КТ3126А, КТ3126Б

Параметры, цоклевка

"Радио"

1983

6

Овсянников Н.

Транзисторы КТ3127А, КТ3128А

Справочные сведения, цоклевка

"Радио"

1983

11

Овсянников Н.

Транзисторы КТ635Б

Параметры, цоклевка

"Радио"

1984

7

Николаев О.

Транзисторы КТ645

Параметры, цоклевка

"Радио"

1984

6

Овсянников Н.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б

Параметры, цоклевка

"Радио"

1984

7

Овсянников Н.

Транзисторы КТ808АМ-КТ808ГМ

Параметры, цоклевка

"Радио"

1985

10

Пушкарев М.

Транзисторы КТ972А, КТ972Б

Параметры, цоклевка, маркировка

"Радио"

1985

10

Овсянников Н.

Транзисторы серии КТ973

Параметры, цоклевка, маркировка

"Радио"

1986

6

Овсянников Н.

Транзисторы серий КТ639, КТ835

Параметры, графики, цоклевка

"Радио"

1987

8

Юшин А.

Новые транзисторы широкого применения серии КТ837

(Продолжение в №6 1988г стр.59). Параметры, графики, цоклевка

"Радио"

1988

5

Аксенов А.

Транзисторы КТ3127А и КТ3128А

Параметры, графики, цоклевка

"Радио"

1989

6

Зиньковский А.

Мощные переключающие полевые транзисторы серий КП912 и КП922

(Продолжение в №1 1991г стр.73). Параметры, цоклевка

"Радио"

1990

12

Зиньковский А.

КТ8101, КТ8102

Цоклевка, параметры

"Радиолюбитель"

1991

9

Нет автора

Микросхемы серии К174. Усилитель мощности К174УН14

Структурная схема, параметры, схема включения

"Радио"

1991

1

Новаченко И.

Мощные транзисторы серий КТ8101 и КТ8102

Параметры, цоклевка. графики.

"Радио"

1991

12

Артюков А.

СВЧ транзисторы

Приведены очень краткие сведения на биполярные транзисторы КТ982, КТ984, КТ985, КТ986, КТ987, КТ988, КТ991, КТ994, КТ995, КТ9105, КТ9109, КТ9114 на полевые (+цоклевка) 3П320, 3П321, 3П324, 3П325, 3П326, 3П330, 3П331, 3П339, 3П328, 3П602, 3П603, 3П604, 3П9

"Радиолюбитель"

1991

3

Нет автора

Транзисторы серии КТ850

Цоклевка, параметры, графики

"Радио"

1992

11

Ломакин Л.

Фототранзисторы

(Продолжение в №7,8 1992г). Устройство, параметры, цоклевка, применение. ФТ1 - ФТ8

"Радио"

1992

6

Нет автора

Быстродействующие ключевые транзисторы со статической индукцией

Таблица параметров на КП946, КП948, КП810, КП953 - КП961

"Радио"

1993

7

Нет автора

Транзистор КТ838А

(Продолжение в №4 1994г стр.45). Цоклевка, параметры, графики

"Радио"

1994

3

Ломакин Л.

Транзисторы

Параметры, цоколевка на КП717, КП718, КП722...КП728, КТ6109...КТ6117, КТ8156А(Б), КП365А, КТ3130А9...Ж9, КТ3153А9, КТ805АМ

"Радиолюбитель"

1995

7

Нет автора

Транзисторы серии КТ829

Цоклевка, парамеры, графики

"Радио"

1995

11

Ломакин Л.

Мощные N-канальные полевые транзисторы

Приведена цоколевка, таблица параметров на транзисторы КП723...КП727 и их аналогов IRF, IRL

"Радиолюбитель"

1996

8

Алешкевич Г.

Новые транзисторы СВЧ

Приведены справочные сведения на КТ9128, КТ9147, КТ9132, КТ9153, КТ9156, КТ9187, 2Т9175

"Радио"

1996

5

Асессоров В.

Транзисторы серии КП705, КП706

Параметры, цоклевка, графики

"Радио"

1996

7

Ломакин Л.

N-канальные МОП-транзисторы КП505А...Г

Цоколевка, параметры

"Радиолюбитель"

1997

10

Киселев В.

Маркировка маломощных транзисторов

Приведена таблица маркировок отечественных транзисторов

"Радиолюбитель"

1997

9

Саранча О.

Мощные МОП-транзисторы КП373А...В

Цоколевка, параметры

"Радиолюбитель"

1997

12

Киселев В.

Полевые транзисторы КП341, АП602

Параметры, цоклевка, графики

"Радио"

1997

3

Ломакин Л.

Транзисторы серии КТ8156

Параметры, цоклевка, графики

"Радио"

1997

4

Киселев В.

Высоковольтные переключательные транзисторы КТ8170А,Б1

Цоколевка, параметры

"Радиолюбитель"

1998

5

Киселев В.

Высоковольтные полевые транзисторы сери КП802

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

1998

4

Ломакин Л.

Высоковольтные транзисторы КТ812А,Б

Параметры, цоколевка

"Радиолюбитель"

1998

4

Беляева С.

Высоковольтные транзисторы КТ8164А,Б

Параметры, цоколевка

"Радиолюбитель"

1998

2

Киселев В.

Мощные вертикальные N-канальные МОП транзисторы КП753А...В

Параметры, цоколевка

"Радиолюбитель"

1998

4

Чеботков С.

Однопереходные транзисторы серии КТ133

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

1998

4

Киселев В.

Транзисторы 2Т935А и КТ935А

(Продолжение в №9 1998г стр.58). Цоколевка, параметры, графики

"Радио"

1998

8

Ломакин Л.

Транзисторы серии КТ6113

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

1998

4

Киселев В.

Мощные низковольтные СВЧ транзисторы для подвижных средств связи

(Продолжение в №11 1999г). Цоколевка, параметры транзисторов серий 2Т9175, 2Т9188, КТ9190, КТ9193, КТ8197.

"Радио"

1999

10

Кожевников В.

Комплементарные транзисторы серий КТ6116 и КТ6117

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2000

2

Киселев В.

Транзисторы серии КТ8156

Цоколевка, параметры, внутренняя схема.

"Радио"

2000

7

Киселев В.

Транзисторы серии КТ8156

Цоколевка, параметры

"Радио"

2000

8

Киселев В.

Высоковольтный транзистор КТ8255А

Параметры, цоколевка.

"Радиолюбитель"

2001

3

Беляева С.

Мощные полевые переключательные транзисторы фирмы International Rectifier

Приведена таблица параметров на транзисторы серий IRF и IRL

"Радио"

2001

5

Нет автора

Новые мощные полевые транзисторы

Приведена таблица параметров КП723...КП796

"Радиомир"

2001

8

Чеботков С.

Отечественные аналоги зарубежных транзисторов

(Продолжение в РМ №10,11 2001г., №1,2 2002г.). Приведена таблица аналогов.

"Радиомир"

2001

9

Нет автора

Транзисторы серий КТ520 и КТ521

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2001

9

Киселев В.

N-канальный МОП-транзистор КП214А9

Параметры, цоколевка

"Радиомир"

2002

4

Казмерчук В.

Комплементарные транзисторы КТ529А и КТ530А

Цоколевка, параметры

"Радио"

2002

1

Штырев А.

Комплиментарные мощные транзисторы серий КТ8115, КТ8116

Габариты, цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2002

9

Киселев В.

Полевые транзисторы "BUZ"

Приведена таблица с параметрами.

"Радиоконструктор"

2002

1

Нет автора

Полевые транзисторы серии КП723

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2002

3

Киселев В.

Полевые транзисторы серии КП727

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2002

1

Киселев В.

Полевые транзисторы серии КП737

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2002

5

Киселев В.

Биполярный кремниевый N-P-N транзистор КТ8261А

Цоколевка, параметры

"Радиомир"

2003

3

Беляева С.

Мощный полевой транзистор КП784А

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2003

5

Киселев В.

Транзистор КТ538А

Цоколевка, параметры.

"Радиомир"

2003

7

Беляева С.

Транзисторные сборки серии КТ222

Цоколевка, параметры.

"Радио"

2003

7

Коновалов С.

Транзисторы КТ8212А,Б,В

Цоколевка, параметры

"Радиомир"

2003

6

Радюк М.

Транзисторы КТ8214А,Б,В

Цоколевка, параметры

"Радиомир"

2003

12

Радюк М.

Транзисторы КТ8248А,А1

Цоколевка, параметры

"Радиомир"

2003

11

Беляева С.

Маломощный полевой транзистор КП214А9

Габаритные размеры, цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2004

1

Киселев В.

Мощные полевые транзисторы серии КП742

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2004

4

Киселев А.

Полевые транзисторы серии КП504

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2004

7

Киселев В.

Составной транзистор КТ8225А

Принципиальная схема, цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2004

12

Киселев В.

Стандартная цветовая маркировка отечественных транзисторов малой мощности

Приведены цоколевка и маркировка некоторых транзисторов.

"Радиоконструктор"

2004

4

Нет автора

Мощные N-канальные полевые транзисторы

Приведена таблица параметров на транзисторы BUZ

"Радиоконструктор"

2005

5

Нет автора

Мощные высоковольтные транзисторы серии КТ8224

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2005

2

Киселев В.

Полевые маломощные транзисторы серии КП523

Цоколевка, параметры, графики.

"Радио"

2005

4

Киселев В.

Аналоги зарубежных транзисторов

Приведена таблици на 180 транзисторов широкого примененичя

"Радиоконструктор"

2006

11

Нет автора

Высоковольтные транзисторы КТ8247А

Цоколевка, параметры

"Радио"

2006

8

Киселев В.

Мощные биполярные транзисторы

Приведены цоколевки и таблица параметров на транзисторы серий КТ718, КТ818, КТ819, КТ827, КТ829, КТ845, КТ850, КТ851, КТ853, КТ863, КТ892, 2Т935, КТ8121, КТ8143, КТ8144, КТ8155, КТ6157, КТ8191, КТ8223, КТ8227, КТ8232, КТ8254, 2Т8292, 2Т8294.

"Радио"

2006

2

Нефедов А.

Мощные полевые транзисторы

Приведена таблица параметров, цоколевка

"Радио"

2006

3

Нефедов А.

Мощный высоковольтный транзистор КТ8290А

Габаритные размеры, параметры, цоколевка

"Радио"

2006

9

Киселев В.

Основные параметры мощных транзисторов

Приведена таблица параметров транзисторов КТ801...КТ842

"Радиоконструктор"

2006

7

Нет автора

Основные параметры мощных транзисторов

Приведена таблица параметров транзисторов КТ844...КТ898, КТ8101...КТ8107

"Радиоконструктор"

2006

8

Нет автора

Сборка мощных транзисторов сери 2Т8295

Габаритные размеры, параметры, цоколевка

"Радио"

2006

9

Шерстюк В.

Основные параметры мощных транзисторов

Приведена таблица параметров транзисторов серий КТ8108...КТ8140, КТ9101...КТ9181

"Радиоконструктор"

2007

1

Нет автора

Мощный биполярный транзистор с изолированным затвором КЕ703А

(Прототип - IRGB14C40L). Структурная схема, цоколевка, параметры.

"Радио"

2007

2

Киселев В.

полевых транзисторов из карбида кремния (МОП-транзисторы). Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Устройство и обозначение транзистора биполярного

Во всех сменных блоках приемников и их возможных вариантах использовались только германиевые транзисторы в основных структурах p-n-p. Только в двухтактном выходном каскаде бестрансформаторного усилителя звуковой частоты (блок 5) на одном из его транзисторов была структура n-p-n. Германиевые транзисторы давно завоевали популярность у радиолюбителей и широко используются ими в разрабатываемой аппаратуре.Кроме того, в последнее время на них значительно снизились цены; их почти всегда можно найти в радиомагазинах, на торговых базах «Посылторг» и «Центросоюз», откуда их можно заказать по почте.

Но сегодня германиевые транзисторы, как бесперспективные, все больше уступают свое место в радиоаппаратуре, в том числе любительских, кремниевых транзисторах. Объясняется это тем, что устройства и устройства на основе кремниевых транзисторов работают в разных условиях более стабильно. К этому можно добавить, что производство кремниевых транзисторов постоянно расширяется, а германий сокращается.

В связи с этим у вас может возникнуть вопрос: можно ли в сменных блоках описываемого приемника заменить германиевые транзисторы на кремниевые? Можно, но, конечно, с учетом некоторых их особенностей.

Наиболее характерной особенностью кремниевых транзисторов является более высокое напряжение смещения, при котором они включаются. Германиевые транзисторы, как известно, открываются при напряжении на эмиттере pn перехода 0,1 ... 0,2 В, а кремниевые при напряжении 0.6 ... 0,7 В. Это означает, что на базе кремниевого транзистора, работающего в режиме усиления, должно быть не менее 0,6 В относительно эмиттера. низкое напряжение смещения, кремниевый транзистор будет искажать усиленный сигнал. Такой начальный режим работы кремниевого транзистора устанавливается, как и германиевый, путем соответствующего выбора номинала резистора в базовой схеме.

Рисунок: 47. Схема усилителя звуковой частоты (блок 6) на кремниевых транзисторах

Большинство кремниевых транзисторов имеют структуру n-p-n. Это означает, что при замене германиевых блоков p-n-p транзисторов на кремниевые n-p-n транзисторов необходимо изменить не только полярность блока питания, но и полярность электролитических конденсаторов.

Это, собственно, главное иметь в виду при замене германиевых транзисторов на кремниевые. Что касается построения структурных схем, напряжений блоков питания, то они принципиально не претерпевают изменений.

Например, на рис. 47 приведена схема блока 6 - того же бестрансформаторного усилителя звука, но на кремниевых транзисторах.Чем она отличается от блок-схемы на германиевых транзисторах (см. Рис. 38)? В основном полярность питания и электролитических конденсаторов. Транзисторы 6 V1, 6 V2 и 6 V3 - n-p-n, 6 V4 - p-n-p, Режим работы транзистора 6 В1 устанавливается подбором резистора 6 R1. Напряжение в точке перехода эмиттеров транзисторов 6 V3 и 6 В4 (точка симметрии двухтактного выходного каскада), равное половине напряжения источника питания, устанавливается подбором резистора 6 R4, а коллекторный ток транзистора 6 V3, равно 3... 4 мА, подбор резистора 6 R7.

Обратите внимание на включение резистора 6 R6 и динамическая головка 1B1. В описанном 1! В блоке германиевых транзисторов такой резистор подключали непосредственно к минусу, а головку к плюсовым проводникам блока питания. А здесь головка подключена к плюсовому проводу источника питания, поэтому полярность электролитического конденсатора изменилась 6C5, и резистора 6 R6 подключен к точке подключения головки с этим конденсатором.При таком способе включения этого резистора через него из выходной цепи в базовую цепь транзисторов выходного каскада подается так называемое повышение напряжения - небольшое напряжение звуковой частоты, которое выравнивает рабочие условия транзисторов.

Во всех блоках вместо высокочастотных и низкочастотных маломощных pnp транзисторов лучше всего использовать npn транзисторов серии КТ315 со статическим коэффициентом передачи тока 80 ... 100, вместо npn транзистор в блоке 6 (МП37) - транзистор pnp из серии КТ361.В выходном каскаде усилителя звуковой частоты повышенной мощности (рис. 40) p-n-p транзисторов P602 можно заменить n-p-n транзисторов К.Т601, КТ602, КТ603 на любые? буквенный индекс.

Перед тем, как приступить к установке того или иного блока, откорректируйте его принципиальную схему с учетом приведенных здесь рекомендаций. Это предотвратит ошибки и даже возможное повреждение транзисторов.

Одним из самых значительных изобретений 20 века по праву считается изобретение транзистора , пришедшего на смену электронным лампам.

Долгое время лампы были единственным активным компонентом всех радиоэлектронных устройств, хотя у них было много недостатков. Прежде всего, это высокая потребляемая мощность, большие габариты, небольшой срок службы и низкая механическая прочность. Эти недостатки все острее ощущались по мере совершенствования и усложнения электронного оборудования.

Произошла революционная революция в радиотехнике, когда на смену устаревшим лампам пришли полупроводниковые усилительные устройства - транзисторы, лишенные всех перечисленных выше недостатков.

Первый работоспособный транзистор появился на свет в 1947 году благодаря усилиям сотрудников американской компании Bell Telephone Laboratories. Их имена сейчас известны во всем мире. Это ученые - физики У. Шокли, Д. Бардин и У. Брайт. Уже в 1956 году за это изобретение все трое были удостоены Нобелевской премии по физике.

Но, как и многие великие изобретения, транзистор был замечен не сразу. Только одна американская газета упомянула, что Bell Telephone Laboratories продемонстрировала созданное ею устройство под названием транзистор.Там также было сказано, что его можно использовать в некоторых областях электротехники вместо электронных ламп.

Показанный транзистор имел форму небольшого металлического цилиндра длиной 13 мм и был продемонстрирован в приемнике без электронных ламп. Кроме того, в компании заверили, что устройство можно использовать не только для усиления, но и для генерации или преобразования электрического сигнала.

Рисунок: 1. Первый транзистор

Рисунок: 2. Джон Бардин, Уильям Шокли и Уолтер Браттейн.Они разделили Нобелевскую премию 1956 года за сотрудничество в разработке первого в мире работоспособного транзистора в 1948 году.

Но возможности транзистора, как и многие другие великие открытия, не сразу были поняты и оценены. Чтобы вызвать интерес к новому устройству, Bell активно рекламировала его на семинарах и в статьях и предоставила каждому лицензию на его производство.

Производители электронных ламп не видели в транзисторе серьезного конкурента, потому что нельзя было сразу, одним махом, обесценить тридцатилетнюю историю производства ламп нескольких сотен дизайнов и многомиллионные денежные вложения. в их разработке и производстве.Поэтому транзистор вошел в электронику не так быстро, поскольку эра электронных ламп еще продолжалась.

Рисунок: 3. Транзистор и электронная лампа

Первые шаги к полупроводникам

С древних времен в электротехнике использовались в основном два типа материалов - проводники и диэлектрики (изоляторы). Металлы, солевые растворы и некоторые газы обладают способностью проводить ток. Эта способность обусловлена ​​наличием в проводниках свободных носителей заряда - электронов.В проводниках электроны легко отделяются от атома, но для передачи электрической энергии наиболее подходят те металлы, которые имеют низкое сопротивление (медь, алюминий, серебро, золото).

Изоляторы включают вещества с высоким сопротивлением, электроны которых очень прочно связаны с атомом. Это фарфор, стекло, резина, керамика, пластик. поэтому свободных зарядов в этих веществах нет, а значит, нет электрического тока.

Здесь уместно вспомнить формулировку из учебников физики о том, что электричество - это направленное движение электрически заряженных частиц под действием электрического поля.В изоляторах просто некуда двигаться под действием электрического поля.

Однако в процессе изучения электрических явлений в различных материалах некоторым исследователям удавалось «нащупать» полупроводниковые эффекты. Например, первый кристаллический детектор (диод) был создан в 1874 году немецким физиком Карлом Фердинандом Брауном на основе контакта свинца и пирита. (Пирит - это железный колчедан, при попадании в часовню зажигается искра, поэтому название он получил от греческого «пир» - огонь).Позже этот детектор успешно заменил когерер в первых приемниках, что значительно повысило их чувствительность.

В 1907 году Беддекер, исследуя проводимость йодида меди, обнаружил, что ее проводимость увеличивается в 24 раза в присутствии примесей йода, хотя сам йод не является проводником. Но все это были случайные открытия, которые не могли быть научно обоснованы. Систематическое изучение полупроводников началось только в 20-30-е годы прошлого века.

На заре производства транзисторов германий (Ge) был основным полупроводником. По энергопотреблению очень экономичен, напряжение разблокировки его pn - перехода всего 0,1 ... 0,3В, но многие параметры нестабильны, поэтому на смену ему пришел кремний (Si).

Температура, при которой работают германиевые транзисторы, составляет не более 60 градусов, в то время как кремниевые транзисторы могут продолжать работать при 150. Кремний, как полупроводник, превосходит германий по другим свойствам, прежде всего по частоте.

Кроме того, запасы кремния (обычного песка на пляже) в природе безграничны, а технология его очистки и переработки проще и дешевле, чем редкий элемент германий в природе. Первый кремниевый транзистор появился вскоре после первого германиевого транзистора - в 1954 году. Это событие даже повлекло за собой новое название «Кремниевый век», не путать с каменным веком!

Рисунок: 4. Эволюция транзисторов

Микропроцессоры и полупроводники.Закат «кремниевого века»

Вы когда-нибудь задумывались, почему в последнее время почти все компьютеры стали многоядерными? Термины двухъядерный или четырехъядерный процессор у всех на слуху. Дело в том, что увеличение производительности микропроцессоров за счет увеличения тактовой частоты и увеличение количества транзисторов в одном корпусе для кремниевых структур практически близко к пределу.

Увеличение количества полупроводников в одном корпусе достигается за счет уменьшения их физических размеров... В 2011 году фирма iNTEL уже разработала техпроцесс 32 нм, в котором длина канала транзистора составляет всего 20 нм. Однако такое снижение не приносит заметного увеличения тактовой частоты, как это было до 90 нм технологий. Совершенно очевидно, что пора переходить к чему-то принципиально новому.

Транзистор (транзистор) - полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор ) подается сильный ток, а на другой ( база ) слабый ( управляющий ток ).При определенной силе управляющего тока, как если бы «клапан открывается», ток от коллектора начинает течь на третий выход (эмиттер ).


То есть транзистор - это разновидность клапана , который при определенной силе тока резко снижает сопротивление и пропускает ток дальше (от коллектора к эмиттеру). Это происходит потому, что при определенных условиях дырки, в которых есть электрон, теряют его, принимая новый и так далее по кругу.Если на базу не подается электрический ток, то транзистор будет в сбалансированном состоянии и не будет пропускать ток к эмиттеру.

В современных электронных микросхемах количество транзисторов млрд. ... Они используются в основном для расчетов и состоят из сложных соединений.

Полупроводниковые материалы, в основном используемые в транзисторах: кремний , арсенид галлия и германий ... Также есть транзисторы на углеродных нанотрубках , прозрачный для дисплеев LCD и полимерный (наиболее перспективный ).

Разновидности транзисторов:

Биполярный - транзисторы, в которых как электроны, так и «дырки» могут быть носителями заряда. Ток может течь как к эмиттеру и к коллектору ... Для управления потоком применяются определенные управляющие токи.

- широко распространенные устройства, в которых электрический поток регулируется с помощью электрического поля. То есть, когда формируется большее поле, оно захватывает больше электронов и не может переносить заряды дальше.То есть это своего рода вентиль, который может изменять величину передаваемого заряда (если полевой транзистор управляется p - n - переход). Отличительная особенность этих транзисторов - высокое входное напряжение и высокий коэффициент усиления по напряжению.

Комбинированные - транзисторы с комбинированными резисторами или другие транзисторы в одном корпусе. Они служат для различных целей, но в основном для увеличения текущего усиления.

Подтипы:

Биотранзисторы - на основе биологических полимеров, которые могут быть использованы в медицине, биотехнологии без вреда для живых организмов.Исследования проводились на основе металлопротеинов, хлорофилла А (полученного из шпината) и вируса табачной мозаики.

Одноэлектронные транзисторы - впервые были созданы российскими учеными в 1996 г. ... Могли работать при комнатной температуре в отличие от своих предшественников. Принцип работы аналогичен полевому транзистору, но более тонкий. Передатчик сигнала - это один или несколько электронов. Этот транзистор еще называют нано- и квантовым транзистором.С помощью этой технологии в будущем рассчитывают создать транзисторы размером менее 10 нм на основе графена .

Для чего используются транзисторы?

Транзисторы используются в усилительных цепях , лампах , электродвигателях и других устройствах, где необходимо быстрое изменение силы тока или положения , включая выключено ... Транзистор может ограничивать силу тока плавно , или по методу импульс - пауза ... Второй чаще используется для -control. Используя мощный источник питания, он проводит его через себя, регулируя слабым током.

Если силы тока недостаточно для включения транзисторной схемы, то несколько транзисторов с большей чувствительностью, соединенных каскадно.

Силовые транзисторы, соединенные в один или несколько корпусов, используются в полностью цифровых усилителях на его основе. Им часто требуется дополнительное охлаждение ... В большинстве схем они работают в режиме ключа (в режиме переключения).

Транзисторы также используются в системах питания , как цифровых, так и аналоговых (материнские платы , видеокарты , блоки питания и др.).

Центральный процессор , также состоит из миллионов и миллиардов транзисторов, соединенных в определенном порядке для специализированных вычислений .

Каждая группа транзисторов определенным образом кодирует сигнал и передает его на обработку. Все типы и ПЗУ памяти также состоят из транзисторов.

Все достижения в области микроэлектроники были бы практически невозможны без изобретения и использования транзисторов. Трудно представить хотя бы одно электронное устройство без хотя бы одного транзистора.

В качестве демонстрации работоспособности концепции автор и его команда создали германиевые подложки на изоляторе для создания инверторов, содержащих сначала планарные транзисторы, а затем транзисторы FinFET.

Почти 70 лет назад два физика из телефонной лаборатории Белла - Джон Бардин и Уолтер Браттейн - прижали два тонких золотых контакта к германиевой пластине и сделали третий контакт снизу пластины.Ток, проходящий через эту структуру, можно использовать для преобразования слабого сигнала в сильный. В результате появился первый транзистор - усилитель и переключатель, который, возможно, стал величайшим изобретением 20 века. Благодаря закону Мура, транзистор вывел компьютеры далеко за пределы того, что казалось возможным в 1950-х годах.

Несмотря на звездную роль германия в ранней истории транзисторов, вскоре он был заменен кремнием. Но теперь, что удивительно, этот материал готов к возвращению. Лидеры в производстве микросхем рассматривают возможность замены компонентов, лежащих в основе транзистора - проводящего канала.Идея состоит в том, чтобы заменить кремний материалом, который лучше проводит ток. Создание транзисторов с такими каналами может помочь инженерам продолжать улучшать производительность контуров и энергоэффективность, что в ближайшие годы будет означать улучшение компьютеров, смартфонов и множества других устройств.

Долгое время интерес к альтернативным каналам вращался вокруг соединений A III B V, таких как арсенид галлия, состоящего из атомов слева и справа от кремния в периодической таблице. И я участвовал в этом исследовании.Восемь лет назад я обрисовал прогресс, достигнутый в создании транзисторов на таких соединениях.


Два транзистора в инверторе на основе FinFET содержат ребристые каналы, выступающие из плоскости подложки (вверху - розовые каналы, внизу - скошенный вид другого комплекта). Расстояние между «ребрами» вверху составляет десятки нанометров.

Но в результате мы обнаружили, что подход A III B V имеет фундаментальные физические ограничения. Также, вероятно, было бы слишком дорого и сложно интегрировать с существующей кремниевой технологией.Итак, несколько лет назад моя команда из Университета Пердью начала экспериментировать с другим устройством: транзистором с каналом из германия. С тех пор мы продемонстрировали первые контуры КМОП (дополнительный металлооксидный полупроводник). Примерно та же логика, что и в современных компьютерах, только из германия, выращенного на обычных кремниевых подложках. Мы также создали из этого материала ряд различных архитектур транзисторов. К ним относятся устройства на основе нанопроволоки, которые могут стать следующим шагом в производстве, когда лучшие современные транзисторы, FinFET, больше не могут быть уменьшены в размерах.

Что еще интереснее, оказалось, что вернуть германий в строй не так сложно, как кажется. Транзисторы, использующие комбинацию кремния и германия в канале, уже можно найти в новых микросхемах, и они впервые появились в 2015 году на демонстрации технологии микросхем будущего IBM. Эти разработки могут стать первым шагом в отрасли, стремящейся вводить в каналы все большие количества германия. Через несколько лет мы можем обнаружить, что материал, из которого мы получили транзисторы, помог им перейти в следующую эру выдающихся характеристик.

Германий был впервые выделен и обнаружен немецким химиком Клеменсом Винклером в конце 19 века. Материал был назван в честь родины ученого и всегда считался плохо проводящим. Это изменилось во время Второй мировой войны, когда были обнаружены полупроводниковые свойства германия, то есть способность переключаться между проводящим и блокирующим током. В послевоенные годы полупроводниковые приборы в Германии быстро развивались. В Соединенных Штатах производство в ответ на рыночный спрос увеличилось с нескольких сотен фунтов в 1946 году до 45 тонн к 1960 году.Но кремний победил; он стал популярным материалом для логических микросхем и микросхем памяти.

И есть веские причины для засилья кремния. Во-первых, его больше и дешевле. Кремний имеет более широкую запрещенную зону - энергетический барьер, который необходимо преодолеть, чтобы создать проводимость. Чем больше эта зона, тем труднее протекать току через устройство в ненужный момент и тратить энергию. В качестве бонуса кремний также имел лучшую теплопроводность, что облегчало рассеивание тепла, так что схемы не перегревались.

Учитывая все преимущества, естественно интересоваться - зачем вообще думать о возвращении германия в канал. Ответ - мобильность. Электроны в германии при комнатной температуре движутся почти в три раза легче, чем в кремнии. А дырки - отсутствие электрона в материале, рассматриваемое как положительный заряд - движутся почти в четыре раза охотнее.


Девятиступенчатый кольцевой осциллятор CMOS, представленный в 2015 г.

Тот факт, что в германии электроны и дырки настолько подвижны, делает его удобным кандидатом для схем CMOS.КМОП объединяет два разных типа транзисторов: полевой транзистор с p-каналом (pFET), канал которого содержит избыток свободных дырок, и полевой транзистор с каналом n-типа (nFET), в котором имеется избыток электронов. Чем быстрее они движутся, тем быстрее работают контуры. А снижение напряжения, необходимого для их перемещения, также означает снижение потребления энергии.

Конечно, германий - не единственный материал с такой подвижностью частиц. Упомянутые ранее композиции A III B V, такие материалы, как арсенид индия и арсенид галлия, также обладают высокой подвижностью электронов.Электроны в арсениде индия почти в 30 раз подвижнее, чем в кремнии. Но проблема в том, что это свойство не распространяется на дырки - они ненамного подвижнее кремниевых. И это ограничение делает невозможным создание высокоскоростных pFET, а отсутствие высокоскоростных pFET сводит на нет получение быстрых схем CMOS, поскольку они не могут работать с очень большой разницей в скоростях nFET и pFET.

Одно из решений - извлечь лучшее из каждого материала. Исследователи из многих лабораторий, таких как Европейская организация исследований полупроводников Imec и цюрихская лаборатория IBM, показали способы создания схем, в которых каналы nFET сделаны из соединений A III B V, а каналы pFET сделаны из германия.Хотя эта технология позволяет создавать очень быстрые контуры, она значительно усложняет производство.

Поэтому мы предпочитаем простой подход с германием. Каналы из германия должны повысить производительность, и проблемы с производством не будут такими серьезными.

How is germany

Для того, чтобы германий - или любой альтернативный материал - поступил в производство, необходимо найти способ добавить его в кремниевые подложки, которые в настоящее время используются для изготовления микросхем. К счастью, есть много способов нанести слой германия на кремниевую подложку, из которого затем можно сделать каналы.Использование тонкого слоя устраняет две ключевые проблемы германия - высокую стоимость по сравнению с кремнием и относительно низкую теплопроводность.

Но для замены кремния в транзисторе недостаточно просто втиснуть тонкий качественный слой германия. Канал должен безупречно работать с другими компонентами транзистора.

Повсеместно распространенные современные КМОП-чипы используют МОП-транзисторы (металл-оксид-полупроводник - МОП-транзистор; полевой транзистор металл-оксид-полупроводник - MOSFET).Он состоит из четырех основных частей. Источник и сток - исток и конечная точка текущего движения; канал, соединяющий их; вентиль, который служит вентилем, контролирующим наличие тока в канале.

На самом деле в качественном транзисторе есть и другие составляющие. Одним из важнейших является изолятор затвора, предотвращающий короткое замыкание затвора и канала. Атомы в полупроводниках, таких как кремний, германий и соединения A III B V, расположены в трех измерениях. Невозможно сделать идеально ровную поверхность, поэтому у атомов в верхней части канала будет несколько выступающих связей.Вам нужен изолятор, который связывает как можно больше этих связей. Этот процесс называется пассивацией или травлением поверхности. В случае некачественного изготовления может быть получен канал с «электрическими выбоинами», полный мест, где носители заряда могут временно задерживаться, что снижает их подвижность и, как следствие, скорость устройства.


Слева: nFET из A III B V и pFET из германия, части обоих материалов, выращенные на изолированной кремниевой подложке.
Справа: Оба транзистора изготовлены из германия, прикрепленного к подложке.

К счастью, природа предоставила кремнию естественный изолятор, который хорошо сочетается с его кристаллической структурой: диоксид кремния (SiO 2). И хотя в современных транзисторах встречаются более экзотические изоляторы, они все же имеют тонкий слой этого оксида, который служит для пассивирования кремниевого канала. Поскольку кремний и SiO 2 похожи по структуре, хорошо сделанный слой SiO 2 связывает 99 999 из 100 000 свободных связей - а их примерно столько на квадратный сантиметр кремния.

Арсенид галлия и другие соединения A III B V не содержат природных оксидов, в отличие от германия, поэтому теоретически он должен иметь идеальный материал для пассивации каналов. Проблема в том, что диоксид германия (GeO 2) слабее SiO 2 и может абсорбироваться и растворяться водой, используемой для очистки подложек во время изготовления чипов. Хуже того, процесс роста GeO2 трудно контролировать. Идеальному устройству требуется слой GeO2 толщиной 1-2 нм, но в действительности сделать слой тоньше 20 нм труднее.

Исследователи изучили различные альтернативы. Профессор Стэнфорда Кришна Сарасват и его коллеги, которые пробудили интерес к использованию германия в качестве альтернативного материала еще в 2000-х годах, впервые изучили диоксид циркония, материал с высокой диэлектрической проницаемостью, который сегодня используется в высокоскоростных транзисторах. Основываясь на своей работе, команда Imec в Бельгии изучала, что можно сделать с ультратонким слоем кремния для улучшения границы раздела между германием и аналогичными материалами.

Но пассивация германием была серьезно улучшена в 2011 году, когда группа профессора Шиничи Такаги из Токийского университета продемонстрировала способ управления ростом германиевого изолятора.Сначала исследователи вырастили слой другого изолятора, оксида алюминия, нанометрового размера на германиевом канале. После этого их поместили в кислородную камеру. Часть кислорода прошла через слой оксида алюминия к нижележащему германию и смешалась с ним, образуя тонкий оксидный слой (соединение германия с кислородом, но технически не GeO 2). Оксид алюминия не только помогает контролировать рост, но и служит защитным покрытием для менее стабильного слоя.


Каналы Nanowire

Несколько лет назад, вдохновленные этим открытием и учитывая сложности создания pFET с каналами A III B V, моя группа в Purdue начала исследовать способы изготовления транзисторов с использованием германиевых каналов.Мы начали с подложек из германия на изоляторе, разработанной французским производителем Soitec. Это стандартные кремниевые пластины с изолирующим слоем под слоем германия толщиной 100 нм.

С помощью этих подложек вы можете создавать транзисторы, в которых все стандартные части - исток, канал и сток - изготовлены из германия. Производитель транзисторов не обязан следовать этой конструкции, но она упростила нам изучение основных свойств германиевых устройств.

Одним из первых препятствий была борьба с сопротивлением между истоком и стоком транзистора и металлическими электродами, соединяющими их с внешним миром... Сопротивление возникает из-за естественного электронного барьера Шоттки, который возникает в точке контакта между металлом и полупроводником. Кремниевые транзисторы неустанно оптимизировались, чтобы минимизировать этот барьер, чтобы носители заряда могли легко его преодолеть. Но устройство из германия требует хитрых инженерных решений. Благодаря нюансам электронной структуры дырки легко переходят из металла в германий, а электроны - нет. Это означает, что nFET-транзисторы, которые полагаются на движение электронов, будут иметь очень высокое сопротивление, потери тепла и тока.

Стандартный способ сделать барьер тоньше - добавить больше легирующей примеси в исток и сток. Физика процесса сложна, но ее можно представить следующим образом: чем больше примесных атомов, тем больше свободных зарядов. Изобилие свободных носителей заряда усиливает электрическое взаимодействие между металлическими электродами и полупроводниковым источником и стоком. Это помогает усилить туннельный эффект.

К сожалению, с германием эта технология работает хуже, чем с кремнием.Материал не выдерживает высоких концентраций легирующих добавок. Но мы можем использовать места, где плотность примесей максимальная.

Для этого мы воспользуемся тем фактом, что в современных полупроводниках примеси добавляются сверхсильными электрическими полями, выталкивая ионы в материал. Некоторые из этих атомов немедленно останавливаются, а другие уходят глубже. В результате получится нормальное распределение: концентрация примесных атомов на определенной глубине будет максимальной, а затем при движении вглубь или в обратном направлении будет уменьшаться.Если мы закопаем электроды истока и стока в полупроводник, мы сможем разместить в них самую высокую концентрацию примесных атомов. Это резко снижает проблему контактного сопротивления.


Контакты погружены на глубину максимальной концентрации примесных атомов

Независимо от того, используют ли производители микросхем этот подход для снижения барьера Шоттки в Германии, является полезной демонстрацией его возможностей. В начале нашего исследования лучшее, что показали германиевые nFET, были токи 100 мкА на микрон ширины.В 2014 году на симпозиуме VLSI Technology and Circuits на Гавайях мы сообщили о германиевых полевых транзисторах, способных пропускать в 10 раз больший ток, что примерно сопоставимо с кремнием. Шесть месяцев спустя мы продемонстрировали первые схемы, содержащие германиевые полевые транзисторы и полевые транзисторы, что является необходимым условием для современных логических ИС.

С тех пор мы использовали германий для создания более совершенных транзисторов, таких как FinFET, современного уровня техники. Мы даже сделали транзисторы на нанопроволоке из германия, которые в ближайшие годы могут заменить FinFET.

Эти разработки потребуются для использования германия в массовом производстве, поскольку они могут лучше контролировать канал транзистора. Из-за небольшой ширины запрещенной зоны германия такому транзистору требуется только четверть энергии, необходимой для переключения в проводящее состояние кремниевого транзистора. Это открывает возможности для работы с низким энергопотреблением, но также повышает вероятность утечки тока в то время, когда этого не должно быть. Устройство с лучшим управлением каналом позволит производителям использовать меньшую ширину запрещенной зоны без ущерба для производительности.

У нас хорошее начало, но у нас еще есть над чем поработать. Например, необходимы дополнительные эксперименты с подложками, чтобы показать транзисторы с высококачественными германиевыми каналами. Также необходимо внести улучшения в дизайн, чтобы ускорить работу.

Конечно, германий - не единственный вариант транзисторов будущего. Исследователи продолжают изучать соединения A III B V, которые можно использовать вместе с германием или отдельно с ним. Количество возможных доработок транзисторов огромно. В этот список входят транзисторы на углеродных нанотрубках, вертикально ориентированные переключатели, трехмерные схемы, каналы из смеси германия и олова, транзисторы, основанные на принципе квантового туннелирования.

В ближайшие годы мы можем адаптировать некоторые из этих технологий. Но добавление германия - даже в смеси с кремнием - это решение, которое позволит производителям продолжить совершенствование транзисторов в ближайшем будущем. Германий, изначальный материал эпохи полупроводников, может стать панацеей на следующее десятилетие.

Теги:

Добавить теги

В настоящее время устройства на основе карбида кремния, такие как мощные диоды Шоттки и MOSFET-транзисторы, все чаще используются в качестве основных ключевых устройств для технологии преобразования высокой мощности.Технология карбида кремния принесла значительные успехи в производстве полевых МОП-транзисторов, что сделало их конкурентом кремниевых IGBT, особенно в области высокого напряжения.

Рассмотрим полевой МОП-транзистор 4H-SiC на 1200 В. В этом транзисторе используется высококачественная подложка, улучшено качество эпитаксиального слоя и оптимизирована конструкция для производственного процесса. Кроме того, азотирование увеличивает подвижность носителей. Транзистор из карбида кремния превосходит кремниевые транзисторы из-за его широкой запрещенной зоны.Напряженность электрического поля, при котором происходит пробой, увеличилась в 10 раз, улучшилась теплопроводность и, как следствие, повысились рабочие температуры. При использовании в полупроводниках с максимально допустимым рабочим напряжением 600 В и выше карбид кремния также превосходит кремний. На сегодняшний день карбид-кремниевые диоды Шоттки на 600 и 1200 В - лучшее решение в повышающих преобразователях. Из-за меньших потерь переключения по сравнению с кремниевыми диодами PiN.
Если говорить о переключателях питания, кремниевые MOSFET уступают IGBT-транзисторам на 600 и 1200 В в первую очередь из-за значительного сопротивления канала во включенном состоянии (RDSON), которое увеличивается пропорционально квадрату максимально допустимого напряжения стока. источник (VDSMAX).Сопротивление RDSON можно представить как сумму сопротивлений RJFET и RDRIFT (рисунок 1).

Рис. 1. Эквивалентная схема DMOSFET.

В этом случае преобладает сопротивление RDRIFT, отражающее дрейф свободных носителей, и его величина определяется следующим соотношением:

RDRIFT = d / qμND, где d - толщина дрейфового слоя; q - заряд электрона; ND - легирующий фактор.

В новом поколении карбидокремниевых МОП-транзисторов толщина дрейфового слоя d уменьшена примерно в 10 раз; коэффициент N D увеличился на столько же.В результате сопротивление R DSON снижается почти в 100 раз по сравнению с его кремниевым аналогом.

ПРИМЕНЕНИЕ ТРАНЗИСТОРОВ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Применение устройств этого типа Рассмотрим для примера транзистор на 1200 В, 20 А с RDSON = 100 мОм и привод затвора 15 В. Помимо снижения сопротивления RDSON при нормальных условиях, в транзисторах из карбида кремния значительно снижается влияние температуры. В диапазоне 25 ... 150 ° C изменение сопротивления составляет всего 20%, что очень мало по сравнению с аналогичным значением в 200% или даже 300% для кремниевых МОП-транзисторов.В принципе, карбидные - хотя максимально допустимая температура последовательных транзисторов (в основном помещенных в пластиковые корпуса TO-247) ограничена 150 ° C, транзисторы из карбида кремния могут работать при температурах выше 200 ° C.
По сравнению с кремниевыми IGBT-транзисторами из карбида кремния МОП-транзисторы имеют значительно меньшие потери на коммутацию. МОП-транзисторы являются униполярными устройствами, поэтому они не имеют «хвостов» при переключении из-за поглощения неосновных носителей. В таблице 1 приведены значения коммутационных потерь для обоих типов транзисторов.

Параметр

IGBT, 1200-B Infineon BSM 15 GD 120
DN2 ID (макс.) = 15 А при 80 ° C

DMOSFET 1200-B CREE engineering
ID образца (макс.) = 15 А при 150 ° C

Напряжение VDS, В

Индуктивный

Индуктивная (500 мкГн)

Управляющее напряжение ВГЭ, В

Сопротивление затвора РГ, Ом

Потери энергии при включении (ток переключения 10 А), ЕON, мДж

Энергопотери при выключении (ток переключения 10 А), EOFF, мДж

Максимальный КПД, ή

Евро-эффективность * ήEUR0

Таблица 1.Коммутационные потери кремниевых IGBT и полевых МОП-транзисторов из карбида кремния.

Далее рассмотрим пример использования полевых МОП-транзисторов из карбида кремния в трехфазных инверторах мощностью 7 кВт и 16,6 кГц. солнечные панели ... Инвертор имеет топологию B6, разработанную ISE, и использует конденсатор в цепи постоянного тока, соединяющейся с нейтральным проводом. На рисунке 2 показаны результаты сравнительных испытаний. Как видно из приведенных выше результатов, при использовании транзисторов из карбида кремния потери снижаются почти в 2 раза.Это означает, что температура радиатора также снижается: 93 ° C при использовании транзисторов IGBT и 50 ° C при использовании полевых МОП-транзисторов из карбида кремния.

Рис. 2. Сравнение полевых МОП-транзисторов на 1200 В и потерь на IGBT

Преимущества использования полевых МОП-транзисторов из карбида кремния в фотоэлектрических преобразователях:
- недорогие индуктивные компоненты. Размеры индуктивных компонентов зависят от частоты преобразования. Их стоимость снижается примерно на 50% при увеличении частоты преобразования в 2–3 раза.При увеличении частоты преобразования увеличивается и частота третьей гармоники, причем значительно легче уменьшить мощность третьей гармоники с частотой 150 кГц, чем с частотой 50 кГц;
- пониженные требования к тепловыделению. Использование полевых МОП-транзисторов из карбида кремния может снизить их температуру на 50%, что приведет к уменьшению размеров и, соответственно, стоимости всего продукта примерно на 5% в нашем примере;
- увеличение прибыли за счет снижения потерь энергии.

На рисунке 3 показана типичная схема трехфазного выпрямителя с изолированным преобразователем постоянного тока в постоянный с переключением при нулевом токе. В качестве переключателей S1, S2 в тестах использовались IGBT-транзисторы на 1200 В, 25 А, IGBT-транзисторы на 1200 В, 40 А и полевые МОП-транзисторы из карбида кремния на 1200 В, 25 А. Результаты работы системы при максимальной нагрузке 3 кВт показаны на рисунке 4. Как видно, при работе с полевым МОП-транзистором КПД системы увеличивается на 2,2%. Корпус MOSFET имеет более низкую температуру: на 25 ° C ниже, чем у IGBT на 40 A, и на 36 ° C ниже, чем у IGBT на 25 A.


Рисунок: 3. Трехфазный инвертор мощностью 3 кВт с более высоким коэффициентом мощности и прямой преобразователь Рисунок: 4. График изменения КПД в зависимости от выходной мощности при частоте преобразования 67 кГц.

Преимущества полевого МОП-транзистора на 1200 В были показаны выше. Однако даже при более высоких напряжениях - 6,5 кВ и выше карбидокремниевые транзисторы также имеют преимущества перед своими кремниевыми аналогами. Недавно был разработан МОП-транзистор из карбида кремния 10 кВ, 10 А. При управляющем напряжении затвора 20 В и токе в канале 10 А падение напряжения на открытом канале составляет всего 4.1 В, что эквивалентно сопротивлению 127 мОм / см2. Ток утечки сток-исток составляет 124 нА при 10 кВ.
В ходе сравнительного эксперимента было обнаружено, что при работе с индуктивной нагрузкой коммутационные потери в карбидокремниевом транзисторе в 200 раз меньше, чем в IGBT на 6,5 кВ! Задержка включения составляет всего 94 нс, а задержка выключения - 50 нс; IGBT - 1,4 мкс и 540 нс соответственно!
При использовании полевого МОП-транзистора из карбида кремния 10 кВ и диода Шоттки в повышающем преобразователе (входное напряжение 500 В, выходное напряжение 5 кВ) КПД преобразователя мощностью 600 Вт составил 91%.По результатам расчетов было обнаружено, что одна и та же схема с обычным кремниевым МОП-транзистором может работать только с частотой всего несколько сотен Гц. На рисунке 5 показаны графики токов и напряжений при выключенном МОП-транзисторе. На рисунке показана скорость переходных процессов в устройстве.

Рисунок: 5. Процесс переключения полевого МОП-транзистора из карбида кремния 10 кВ на частоте 20 кГц и мощности преобразователя 600 Вт.

С повышенным интересом к альтернативным источникам энергии технология карбида кремния имеет широкие перспективы.Благодаря снижению потерь мощности использование карбидокремниевых транзисторов будет привлекательным в фотоэлектрических преобразователях, а также в преобразователях генераторов энергии на ископаемом топливе в будущем.

Мощные регулируемые стабилизаторы с защитой. Схема стабилизатора напряжения. Размеры и тип установки

Стабилизаторы транзисторные с защитой от перегрузки (теория)

Источники питания

А. МОСКВИН, Екатеринбург
Радио, 2003, № 2-3

Про стабилизаторы напряжения вроде все написано.Тем не менее, разработка надежного и не слишком сложного (не более трех-четырех транзисторов) стабилизатора, особенно с повышенным током нагрузки, является довольно серьезной задачей, поскольку на одном из первых мест стоит требование надежной защиты управляющих транзисторов. от перегрузки. В этом случае желательно, чтобы после устранения причины перегрузки нормальная работа стабилизатора восстанавливалась автоматически. Стремление выполнить эти требования часто приводит к значительному усложнению схемы стабилизатора и заметному снижению его КПД.Автор предлагаемой статьи пытается найти оптимальное, по его мнению, решение.

Прежде чем искать оптимальное решение, проанализируем нагрузочные характеристики Uвых = f (Iвых) стабилизаторов напряжения, выполненных по наиболее распространенным схемам. У стабилизатора, описанного в, при перегрузке выходное напряжение Uout быстро падает до нуля. Однако ток не уменьшается и может быть достаточным для выхода из строя нагрузки, а мощность, рассеиваемая регулирующим транзистором, иногда превышает допустимую.В аналогичный стабилизатор добавлена ​​спусковая защита. При перегрузке снижается не только выходное напряжение, но и ток. Однако эта защита недостаточно эффективна, поскольку срабатывает только после того, как выходное напряжение падает ниже 1 В, и при определенных условиях не устраняет тепловую перегрузку управляющего транзистора. Чтобы вернуть такой стабилизатор в рабочий режим, необходимо практически полностью отключить нагрузку, а это не всегда приемлемо, особенно для стабилизатора, который является неотъемлемой частью более сложного устройства.

Стабилизатор защиты, схема которого показана на рис. 1, срабатывает уже при небольшом снижении выходного напряжения, вызванном перегрузкой. Значения элементов схемы приведены для выходного напряжения 12 В в двух вариантах: без скобок, если VD1 - D814B, и в скобках - если это KC139E. Краткое описание работы такого стабилизатора имеется в.

.

Его хорошие параметры объясняются тем, что все необходимые сигналы формируются из стабилизированного выходного напряжения, а оба транзистора (управляющий VT1 и управляющий VT2) работают в режиме усиления напряжения.Экспериментально зарегистрированные нагрузочные характеристики этого стабилизатора приведены на рис. . 2 (кривые 3 и 4).

При отклонении выходного напряжения от номинала его приращение через стабилитрон VD1 практически полностью передается на эмиттер транзистора VT2. Если не учитывать дифференциальное сопротивление стабилитрона, ΔUe ≈ ΔUout. Это отрицательный сигнал ОС. Но у аппарата есть и положительный момент. Он создает часть приращения выходного напряжения, подаваемого на базу транзистора через делитель напряжения R2R3:

.

Суммарная обратная связь в режиме стабилизации отрицательная, сигналом ошибки является значение,

, который по абсолютной величине больше, чем меньше R3 по сравнению с R2.Уменьшение этого соотношения благоприятно сказывается на коэффициенте стабилизации и выходном сопротивлении стабилизатора. Учитывая, что

Стабилитрон

VD1 следует выбирать для максимально возможной, но меньшей стабилизации выходного напряжения.

Если вы замените резистор R3 двумя включенными в прямом направлении и последовательно включенными диодами (как предлагается, например, c), параметры стабилизатора улучшатся, поскольку место R3 в выражениях для ΔUb и ΔUbe займет малое дифференциальное сопротивление открытых диодов.Однако такая замена приводит к некоторым проблемам при переходе стабилизатора в защитный режим. О них мы поговорим ниже, а пока резистор R3 оставим на прежнем месте.

В режиме стабилизации падение напряжения на резисторе R1 практически не меняется. Ток, протекающий через этот резистор, является суммой тока стабилитрона VD1 и эмиттерного тока транзистора VT2, который почти равен току базы транзистора VT1. При уменьшении сопротивления нагрузки последняя составляющая тока, протекающего через R1, увеличивается, а первая (ток стабилитрона) уменьшается до нуля, после чего приращение выходного напряжения больше не передается на эмиттер транзистора VT2 через стабилитрон.В результате цепь отрицательной ОС разрывается, а продолжающая работать положительная ОС приводит к лавинообразному закрытию обоих транзисторов и отключению тока нагрузки. Ток нагрузки, выше которого срабатывает защита, можно оценить по формуле

где h31e - коэффициент передачи тока транзистором VT1. К сожалению, h31e имеет большой разброс от экземпляра транзистора к экземпляру, в зависимости от тока и температуры.Поэтому резистор R1 часто приходится выбирать при установке. В стабилизаторе, рассчитанном на большой ток нагрузки, сопротивление резистора R1 небольшое. В результате ток через стабилитрон VD1 при уменьшении тока нагрузки возрастает настолько, что необходимо использовать стабилитрон большой мощности.

Наличие в нагрузочных характеристиках (см. Кривые 3 и 4 на рис. 2) относительно протяженных участков перехода между рабочим и защитным режимами (отметим, что эти участки являются наиболее сложными с точки зрения теплового режима транзистора. VT1) в основном связано с тем, что развитие процесса переключения локальной отрицательной ОС предотвращается через резистор R1.Меньше напряжения

стабилизации стабилитрона VD1, тем больше, при прочих равных, номинал резистора R1 и тем больше «задерживается» переход из рабочего режима стабилизатора в защитный.

Это, как и ранее, вывод о целесообразности использования стабилитрона VD1 с возможно более высоким напряжением стабилизации подтверждается экспериментально. Выходное напряжение стабилизатора по схеме, представленной на рис.1, с стабилитроном D814B (Uст = 9 В), в сравнении с аналогичным стабилитроном КС139Е (UCT = 3.9 В), он гораздо меньше зависит от нагрузки и более «остывает» в защитном режиме при перегрузке.

Уменьшить и даже полностью исключить переходный участок нагрузочной характеристики стабилизатора можно, добавив к нему дополнительный транзистор VT3, как показано на рис. 3. В рабочем режиме этот транзистор насыщен и практически не влияет стабилизатор, лишь незначительно влияющий на температурную стабильность выходного напряжения. Когда в результате перегрузки ток стабилитрона VD1 стремится к нулю, транзистор VT3 переходит в активное состояние, а затем закрывается, создавая условия для быстрого срабатывания защиты.В этом случае плавный переходный участок нагрузочной характеристики отсутствует (см. Кривую 1 на рис. 2).

Диоды VD2 и VD3 в рабочем режиме стабилизируют напряжение на основе транзистора VT2, что позволяет улучшить основные параметры стабилизатора. Однако без дополнительного транзистора VT3 это негативно сказывается на защите, так как ослабляет положительную составляющую ОС. Переход в защитный режим в этом случае происходит с большой задержкой и происходит только после того, как напряжение на нагрузке снизится до значения, близкого к поддерживаемому диодами VD2 и VD3 на базе транзистора VT2 (см. Кривую 2 на рис.2).

Рассмотренные стабилизаторы имеют существенный для многих приложений недостаток: они остаются в защитном состоянии после устранения причины перегрузки и часто при подаче напряжения питания на нагрузку не выходят в работу. Есть разные способы их запуска, например, с помощью дополнительного резистора, установленного параллельно секции коллектор-эмиттер транзистора VT1, или (как предлагается в разделе) «запитать» базу транзистора VT2.Проблема решается компромиссом между надежностью пуска под нагрузкой и величиной тока короткого замыкания, что не всегда приемлемо. Варианты пусковых узлов рассмотрены в разделе и более эффективны, но усложняют стабилизатор в целом.

Предлагается редкий, но интересный способ вывода стабилизатора из защитного режима. Он заключается в том, что специально предусмотренный генератор импульсов периодически принудительно открывает управляющий транзистор, переводя стабилизатор на некоторое время в рабочий режим.Если причина перегрузки устранена, по окончании следующего импульса защита не сработает снова и стабилизатор продолжит нормальную работу. Средняя мощность, рассеиваемая регулирующим транзистором при перегрузке, существенно не увеличивается.

На рис. На рисунке 4 представлена ​​схема одного из возможных вариантов стабилизатора, работающего по этому принципу. Он отличается от описанного отсутствием отдельного блока - генератора импульсов. При перегрузке стабилизатор переходит в колебательный режим за счет положительной ОС, замыкающейся через конденсатор С1.Резистор R3 ограничивает зарядный ток конденсатора, а R4 служит нагрузкой генератора, когда внешняя нагрузка замкнута.

При отсутствии перегрузки после подачи напряжения питания стабилизатор запускается благодаря резистору R2. Поскольку конденсатор C1 замкнут последовательно включенным диодом VD2 и резисторами R3-R5, условия самовозбуждения не выполняются, и устройство работает аналогично рассмотренному ранее (см. Рис. 1). При переходе стабилизатора в защитный режим конденсатор С1 действует как наддув, ускоряя развитие процесса.

Эквивалентная схема стабилизатора в защитном режиме приведена на рис. 5.

Когда сопротивление нагрузки Rn равно нулю, положительный вывод конденсатора C1 подключается через резистор R4 к общему проводу (минус источник входного напряжения). Напряжение, до которого заряжается конденсатор даже в режиме стабилизации, подается на базу транзистора VT2 с отрицательной полярностью и удерживает транзистор закрытым. Конденсатор разряжается током i1.ток через резисторы R3-R5 и открытый диод VD2. Когда напряжение на базе VT1 превышает -0,7 В, диод VD2 закрывается, но перезарядка конденсатора продолжается током i2, протекающим через резистор R2. При достижении небольшого положительного напряжения на базе транзистора VT2 последний, а вместе с ним и VT1 ​​начнет открываться. Из-за положительной ОС через конденсатор С1 оба транзистора полностью откроются и останутся в этом состоянии некоторое время, пока конденсатор не зарядится током i3 почти до напряжения Uin.после чего транзисторы закроются и цикл повторится. При обозначении на схеме рис. 5 номиналов элементов длительность генерируемых импульсов составляет несколько миллисекунд, период следования - 100 ... 200 мс. Амплитуда импульсов выходного тока в защитном режиме примерно равна току срабатывания защиты. Среднее значение тока короткого замыкания, измеренное циферблатным миллиамперметром, составляет примерно 30 мА.

С увеличением сопротивления нагрузки RH наступает момент, когда при открытых транзисторах VT1 и VT2 отрицательная ОС «перевешивает» положительную и генератор снова превращается в регулятор напряжения.Величина RH, при которой происходит смена режимов, в основном зависит от сопротивления резистора R3. Если его значения слишком малы (менее 5 Ом), в нагрузочной характеристике появляется гистерезис, а при нулевом сопротивлении R3 стабилизация напряжения восстанавливается только при сопротивлении нагрузки более 200 Ом. Чрезмерное увеличение сопротивления резистора R3 приводит к тому, что в нагрузочной характеристике появляется переходный участок.

Амплитуда импульсов отрицательной полярности на транзисторе VT2 достигает 10 В, что может привести к электрическому пробою части база-эмиттер этого транзистора.Однако пробой обратимый, а его ток ограничивается резисторами R1 и R3. Он не ломает генератор. При выборе транзистора VT2 также необходимо учитывать, что напряжение, приложенное к его коллекторно-базовому участку, достигает суммы входных и выходных напряжений стабилизатора.

В существующем оборудовании выход регулятора напряжения обычно шунтируется конденсатором (C2, показан на рис. 4 пунктирной линией). Его емкость не должна превышать 200 мкФ.Ограничение связано с тем, что при перегрузке, не сопровождающейся полным замыканием выхода, этот конденсатор входит в цепь положительного генератора ОС. На практике это выражается в том, что генератор «запускается» только при значительной перегрузке, а в нагрузочной характеристике появляется гистерезис.

Сопротивление резистора R4 должно быть таким, чтобы падение напряжения на нем во время импульса было достаточным для открытия транзистора VT2 (≈1 В) и обеспечивало выполнение условий самогенерации при нулевом сопротивлении нагрузки.К сожалению, в режиме стабилизации этот резистор только снижает КПД устройства.

Для четкой работы защиты необходимо, чтобы при любом допустимом токе нагрузки минимальное (с учетом пульсаций) входное напряжение стабилизатора оставалось достаточным для его нормального функционирования. При проверке всех рассмотренных выше стабилизаторов с номинальным выходным напряжением 12 В источником питания служил мостовой диодный выпрямитель на 14 В с конденсатором 10000 мкФ на выходе.Пульсации напряжения на выходе выпрямителя, измеренные милливольтметром ВЗ 38., не превышали 0,6 В.

При необходимости импульсный характер защиты можно использовать для индикации состояния стабилизатора, в том числе звукового. В последнем случае при перегрузке будут слышны щелчки с частотой следования импульсов.

На рис. На рис.6 представлена ​​схема более сложного стабилизатора с импульсной защитой, в значительной степени лишенного недостатков, рассмотренных в первой части статьи (см.рис.4). Его выходное напряжение - 12 В, выходное сопротивление - 0,08 Ом, коэффициент стабилизации - 250, максимальный рабочий ток - 3 А, порог защиты - 3,2 А, средний ток нагрузки в защитном режиме - 60 мА. Наличие усилителя на транзисторе VT2 позволяет при необходимости значительно увеличить рабочий ток, заменив транзистор VT1 на более мощный композитный.

Номинальное сопротивление оконечного резистора R4 может составлять от десятков Ом до 51 кОм.Выход стабилизатора можно зашунтировать конденсатором до 1000 мкФ, что, однако, приводит к гистерезису в нагрузочной характеристике: при пороге защиты 3,2 А измеренное значение тока возврата в режим стабилизации составляет 1,9 А.

Для четкого переключения режимов необходимо, чтобы при уменьшении сопротивления нагрузки ток через стабилитрон VD3 прекращался до того, как транзистор VT2 стал насыщенным. Поэтому номинал резистора R1 выбирается таким, чтобы до срабатывания защиты напряжение между коллектором и эмиттером этого транзистора было не менее 2... 3 В. В защитном режиме транзистор VT2 входит в насыщение, в результате амплитуда импульсов тока нагрузки может быть в 1,2 ... 1,5 раза выше тока срабатывания защиты. Следует учитывать, что при значительном уменьшении сопротивления R1 мощность, рассеиваемая транзистором VT2, значительно возрастает.

Наличие конденсатора С1 теоретически может привести к увеличению пульсаций выходного напряжения стабилизатора. Однако на практике этого не наблюдалось.

Стабилизированное выходное напряжение равно сумме падений напряжения на диодах VD1 и VD2, участке база-эмиттер транзистора VT4 и напряжению стабилизации стабилитрона VD3 за вычетом падения напряжения на участке база-эмиттер транзистор VT3 - примерно на 1,4 В больше напряжения стабилизации стабилитрона. Срабатывание защиты по току рассчитывается по формуле

.

Благодаря дополнительному усилителю на транзисторе VT2 ток, протекающий через резистор R3, относительно невелик даже при значительных номинальных токах нагрузки.Это, с одной стороны, повышает эффективность стабилизатора, но с другой стороны, делает необходимым использование стабилитрона в качестве VD3, способного работать при малых токах. Минимальный ток стабилизации, показанный на схеме (см. Рис. 6) стабилитрона КС211Ж, составляет 0,5 мА.

Такой стабилизатор, помимо своего прямого назначения, может служить ограничителем разряда аккумулятора. Для этого устанавливают выходное напряжение таким образом, чтобы при напряжении аккумулятора меньше допустимой защиты, защита предотвращалась, предотвращая дальнейшую разрядку.Номинал резистора R6 в этом случае желательно увеличить до 10 кОм. В результате ток, потребляемый устройством в рабочем режиме, снизится с 12 до 2,5 мА. Следует учитывать, что на грани срабатывания защиты этот ток возрастает примерно до 60 мА, но при запуске генератора импульсов среднее значение тока разряда АКБ падает до 4 ... 6 мА.

По рассмотренному принципу импульсной защиты можно построить не только стабилизаторы напряжения, но и самовосстанавливающиеся электронные «предохранители», устанавливаемые между источником питания и нагрузкой.В отличие от плавких вставок такие предохранители можно использовать многократно, не беспокоясь о восстановлении после устранения причины срабатывания.

Электронный предохранитель должен выдерживать как кратковременное, так и длительное короткое замыкание при полной или частичной нагрузке. Последнее часто происходит с длинными соединительными проводами, сопротивление которых составляет заметную часть полезной нагрузки. Этот случай наиболее тяжелый для элемента переключения предохранителей.

На рис. 7 - схема простого восстанавливаемого электронного предохранителя с импульсной защитой.Принцип его работы близок к описанному выше стабилизатору напряжения (см. Рис. 4), но до срабатывания защиты транзисторы VT1 и VT2 находятся в состоянии насыщения и выходное напряжение практически равно входному.

Если ток нагрузки превышает допустимое значение, транзистор VT1 выходит из насыщения и выходное напряжение начинает уменьшаться. Его инкремент через конденсатор С1 поступает на базу транзистора VT2, замыкая последний, а вместе с ним и VT1.Выходное напряжение падает еще больше, и в результате лавинообразного процесса транзисторы VT1 и VT2 полностью закрываются. Через некоторое время, в зависимости от постоянной времени цепи R1C1, они снова откроются, однако, если перегрузка сохранится, они снова закроются. Этот цикл повторяется до устранения перегрузки.

Частота генерируемых импульсов составляет примерно 20 Гц при нагрузке, немного превышающей допустимую, и 200 Гц при ее полном замыкании. Ширина импульса в последнем случае больше 100.Когда сопротивление нагрузки увеличивается до допустимого значения, транзистор VT1 переходит в режим насыщения и генерация импульсов прекращается.

Рабочий ток «предохранителя» можно приблизительно определить по формуле

Коэффициент 0,25, подобранный экспериментально, учитывает, что в момент перехода транзистора VT1 из режима насыщения в активный его коэффициент передачи по току намного ниже номинального. Измеренный ток срабатывания защиты при входном напряжении 12 В равен 0.35 А, амплитуда импульсов тока нагрузки при замыкании составляет 1,3 А. Гистерезис (разница между токами срабатывания защиты и восстановления рабочего режима) не обнаружен. При необходимости к выходу «предохранителя» можно подключить блокировочные конденсаторы общей емкостью не более 200 мкФ, что повысит ток срабатывания примерно до 0,5 А.

Если необходимо ограничить амплитуду импульсов тока нагрузки в эмиттерную цепь транзистора VT2, необходимо включить резистор в несколько десятков Ом и немного увеличить номинал резистора R3.

Если нагрузка замкнута не полностью, возможен электрический пробой эмиттерной части транзистора VT2. Это не оказывает существенного влияния на работу генератора и не представляет опасности для транзистора, так как заряд, накопленный в конденсаторе С1 до пробоя, относительно невелик.

Недостатками «предохранителя», собранного по рассмотренной схеме (рис. 7), являются низкий КПД из-за последовательно включенного в цепь нагрузки резистора R3 и независимого от нагрузки тока базы транзистора VT1.Последнее характерно и для других подобных устройств. Обе причины, снижающие КПД, устраняются в более мощном «предохранителе» с максимальным током нагрузки 5 А, схема которого показана на рис. 8 . Его КПД превышает 90% в более чем десятикратном диапазоне тока нагрузки. Ток, потребляемый при отсутствии нагрузки, менее 0,5 мА.

Для уменьшения падения напряжения на предохранителе в качестве VT4 используется германиевый транзистор. Когда ток нагрузки меньше допустимого, этот транзистор находится на грани насыщения.Это состояние поддерживается отрицательным контуром OS, который, когда транзистор VT2 открыт и насыщен, формируется транзисторами VT1 ​​и VT3. Падение напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 не превышает 0,5 В при токе нагрузки 1 А и 0,6 В при 5 А.

Когда ток нагрузки меньше тока срабатывания защиты, транзистор VT3 находится в активном режиме и напряжение между его коллектором и эмиттером достаточно для открытия транзистора VT6, что обеспечивает состояние насыщения транзистора VT2 и, в конечном итоге, токопроводящее состояние ключа VT4.С увеличением тока нагрузки ток базы VT3 под действием отрицательной ОС увеличивается, а напряжение на его коллекторе снижается до закрытия транзистора VT6. В этот момент срабатывает защита. Ток срабатывания можно оценить по формуле

где Req - полное сопротивление резисторов R4, R6 и R8, включенных параллельно.

Коэффициент 0,5, как и в предыдущем случае, экспериментальный. Когда нагрузка замкнута, амплитуда импульсов выходного тока примерно в два раза больше тока срабатывания защиты.

Благодаря положительной ОС, которая замыкается через конденсатор С2, полностью закрывается транзистор VT6, а вместе с ним VT2-VT4, открывается VT5. Транзисторы остаются в этих состояниях до зарядки конденсатора C2 током, протекающим через участок база-эмиттер транзистора VT5 и резисторы R7, R9, R11, R12. Поскольку R12 - самый большой из перечисленных резисторов, он определяет период следования генерируемых импульсов - примерно 2,5 с.

После завершения зарядки конденсатора С2 транзистор VT5 закрывается, VT6 и VT2-VT4 открываются.Конденсатор С2 разряжается примерно за 0,06 с через транзистор VT6, диод VD1 и резистор R11. При замкнутой нагрузке коллекторный ток транзистора VT4 в это время достигает 8 ... 10 А. Далее цикл повторится. Однако во время первого импульса после устранения перегрузки транзистор VT3 не войдет в насыщение и «предохранитель» вернется в рабочий режим.

Интересно, что во время импульса транзистор VT6 не открывается полностью. Этому препятствует отрицательный контур ОС, образованный транзисторами VT2, VT3, VT6.При указанном на схеме (рис. 8) номинале резистора R9 (51 кОм) напряжение на коллекторе транзистора VT6 не опускается ниже 0,3Uin.

Самая неблагоприятная нагрузка для «запала» - мощная лампа накаливания, у которой сопротивление холодной нити в несколько раз меньше, чем нагретой. Проверка, проведенная с автомобильной лампой 12 В 32 + 6 Вт, показала, что для прогрева достаточно 0,06 с и «предохранитель» после включения надежно переходит в рабочий режим.Но для большего количества инерционных ламп длительность и период следования импульсов, возможно, придется увеличить за счет установки конденсатора С2 большей емкости (но не оксидного).

Рабочий цикл генерируемых импульсов в результате такого изменения останется прежним. Равно 40, выбрано не случайно. В этом случае как при максимальном токе нагрузки (5 А), так и при замкнутом выходе «предохранителя» примерно одинаковая и безопасная мощность рассеивается на транзисторе VT4.

Транзистор GT806A можно заменить другим из той же серии или на мощный германиевый, например P210, с любым буквенным индексом.Если германиевые транзисторы отсутствуют или необходимо работать при повышенных температурах, можно использовать кремний с h31e> 40, например, КТ818 или КТ8101 с любым буквенным индексом, увеличив номинал резистора R5 до 10 кОм. После такой замены измеренное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора VT4 не превышало 0,8 В при токе нагрузки 5 А.

При изготовлении «предохранителя» транзистор VT4 необходимо установить на радиатор, например, алюминиевую пластину размером 80х50х5 мм.Радиатор площадью 1,5 ... 2 см 2 нужен еще и для транзистора VT3.

Включите прибор в первый раз без нагрузки, и прежде всего проверьте напряжение между коллектором и эмиттером транзистора VT4, которое должно быть примерно 0,5 В. Затем подключить переменный проволочный резистор сопротивлением 10 .. .20 Ом и мощность 100 Вт на выходе через амперметр. Плавно уменьшая его сопротивление, перевести устройство в защитный режим. С помощью осциллографа убедитесь, что переключение режимов происходит без длительных переходных процессов, а параметры генерируемых импульсов соответствуют указанным выше.Точное значение тока срабатывания можно установить подбором резисторов R4, R6, R8 (желательно, чтобы их значения оставались одинаковыми). При непрерывной цепи нагрузки температура корпуса транзистора VT4 не должна превышать допустимого для него значения.

ЛИТЕРАТУРА

  1. Клюев Ю., Абашав С. Стабилизатор напряжения. - Радио, 1975, № 2, с. 23.
  2. Попович В. Усовершенствование стабилизатора напряжения. - Радио, 1977, № 9, с. 56.
  3. Поляков В.Теория: понемногу - обо всем. Сетевые фильтры. - Радио, 2000, № 12, с. 45,46.
  4. Каныгин С. Стабилизатор напряжения с защитой от перегрузки. - Радио, 1980. № 8. с. 45,46.
  5. За границей. Стабилизатор напряжения с защитой от перегрузки. - Радио, 1984, № 9, с. 56.
  6. Козлов В. Стабилизатор напряжения с защитой от короткого замыкания и перегрузки по току. - Радио, 1998, № 5, с. 52-54.
  7. Андраав В. Дополнительная защита стабилизатора от перегрева.- Радио, 2000, №4, с. 44.
  8. Бобров О. Электронный предохранитель. - Радио, 2001, № 3, с. 54.

Схемы устройств защиты стабилизированного выпрямителя от перегрузки при коротком замыкании или по другой причине.

Перегрузка стабилизированного выпрямителя при коротком замыкании в нагрузке или по другой причине обычно приводит к выходу из строя регулирующего транзистора. Уберечь стабилизатор от перегрузки можно с помощью защитного устройства.

Простое предохранительное устройство

Защитное устройство, входящее в состав стабилизатора блока питания, схема которого показана на рис.1, имеет высокую скорость и хорошее «реле», то есть мало влияет на характеристики блока в рабочем режиме и надежное закрытие регулирующего транзистора V2 в режиме перегрузки. Защитное устройство состоит из тринистора V3, диодов V6, V7 и резисторов R2 и R3.

Рис. 1. Схема простого защитного устройства ЛЭП + 24В.

В рабочем режиме тринистор V3 закрыт и напряжение на базе транзистора V1 равно напряжению стабилизации цепочки стабилитронов V4, V5.

При перегрузке ток через резистор R2 и падение напряжения на нем достигают значений, достаточных для размыкания тринистора V3 по цепи управляющего электрода. Открытый тринистор замыкает цепочку стабилитронов V4, V5, что приводит к закрытию транзисторов V1 и V2.

Для восстановления рабочего режима после устранения причины перегрузки нажмите и отпустите кнопку S1. В этом случае тиристор закроется, и транзисторы V1 и V2 снова откроются.Резистор R3 и диоды V6, V7 защищают управляющий переход тринистора V3 от перегрузки по току и напряжению соответственно.

Стабилизатор обеспечивает коэффициент стабилизации около 30, срабатывает защита при токе более 2 А.

Транзистор V2 можно заменить на КТ802А, КТ805Б, а V1 - на П307, П309, КТ601, КТ602 с любым буквенным индексом. Тринистор V3 может быть любым из серии КУ201, кроме КУ201А и КУ201Б.

Стабилизатор с защитой для блока питания

Стабилизатор блока питания, схема которого приведена на рис.2 можно защитить от перегрузок и коротких замыканий, добавив всего два элемента - тиристор V3 и резистор R5.

Рис. 2. Принципиальная схема стабилизатора блока питания с защитой (0-27В).

Защитное устройство срабатывает, когда ток нагрузки превышает пороговое значение, определяемое сопротивлением резистора R5. В этот момент падение напряжения на резисторе R5 достигает напряжения открытия тиристора V3 (около 1 В), он открывается, и напряжение на базе транзистора V2 уменьшается практически до нуля.Следовательно, транзистор V2, а затем V4 закрывается, размыкая цепь нагрузки.

Чтобы вернуть стабилизатор в исходный режим, кратковременно нажмите кнопку S1. Резистор R3 служит для ограничения тока базы транзистора V4.

Резистор R5 намотан медным проводом. Выходное сопротивление стабилизатора можно уменьшить, если включить R5, как показано на схеме пунктирной линией. Если при включении стабилизатора наблюдаются ложные срабатывания, конденсатор С2 следует исключить из устройства.

Максимальный ток нагрузки 2 А. Вместо транзистора Р701А можно использовать КТ801А, КТ801Б. Транзистор V2 можно заменить на КТ803А, КТ805А, КТ805Б, П702, П702А.

Сетевой фильтр

Защитное устройство, показанное на рис. 3, собранный на транзисторах V1 и V2 (в него также входят резисторы R1 - R4, стабилитрон V3, переключатель S1 и лампа накаливания h2).

Требуемое значение тока отключения устанавливается переключателем S1. В рабочем режиме из-за протекания базового тока через резистор R1 (R2 или R3) транзистор V1 открыт и падение напряжения на нем невелико.

Рис. 3. Принципиальная схема стабилизатора с установкой порогового тока для защиты.

Следовательно, ток в цепи базы транзистора V2 очень мал, стабилитрон V3 включен в прямом направлении, а транзистор V2 закрыт.

С увеличением тока нагрузки стабилизатора падение напряжения на транзисторе V1 увеличивается. В какой-то момент открывается стабилитрон V3, после чего открывается транзистор V2, что приводит к закрытию транзистора V1.Сейчас на этом транзисторе падает почти все входное напряжение, а ток через нагрузку резко падает до нескольких десятков миллиампер.

Лампа h2 загорается, указывая на срабатывание предохранителя. Он возвращается в исходный режим, ненадолго отключается от сети. Коэффициент стабилизации около 20.

Транзисторы V1 и V7 установлены на радиаторах с эффективной площадью отвода тепла около 250 см2 каждый. Стабилитроны V4 и V5 установлены на медной пластине радиатора размером 150 X 40 X 4 мм.Установление электронного предохранителя сводится к подбору резисторов R1 - R3 по требуемому рабочему току.

Фонарь х2 типа КМ60-75.

Устройство электромеханической защиты от перегрузки

Электронно-механическое устройство защиты, схема которого приведена на рис. 4, работает в два этапа - сначала отключает питание электронного устройства, затем полностью блокирует нагрузку контактами К1.1 электромеханического реле К1. Он состоит из транзистора V3, нагруженного двухобмоточным электромагнитным реле K1, стабилитрона V2, диодов V1, V4 и резисторов R1 и R2.

Рис. 4. Устройство электронно-механической защиты, принципиальная схема.

Каскад на транзисторе V3 сравнивает напряжение на резисторе R2, которое пропорционально току нагрузки стабилизатора, с напряжением на стабилитроне V2, включенном в прямом направлении.

При перегрузке стабилизатора напряжение на резисторе R2 становится больше напряжения на стабилитроне, и транзистор V3 открывается. Из-за действия положительной обратной связи между коллекторной и базой цепями этого транзистора в системе транзистор V3 - реле К1 развивается процесс блокировки.

Длительность импульса около 30 мс (в случае использования реле RMU, паспорт RS4.533.360SP). Во время импульса напряжение на коллекторе транзистора V3 резко падает.

Это напряжение передается через диод V4 на базу регулирующего транзистора V5 (напряжение на базе транзистора становится положительным относительно эмиттера), транзистор закрывается, и ток через цепь нагрузки резко уменьшается.

Одновременно с открытием транзистора V3 через коллекторную обмотку реле К1 начинает нарастать ток, и через 10 мс он срабатывает, самоблокируется и размыкает цепь нагрузки с контактами К1.1. Для восстановления рабочего режима ненадолго отключите сетевое напряжение. Защита срабатывает при токе 0,4 А, коэффициент стабилизации 50.

Защита от перегрузки по току с помощью динисторной оптопары

В защитном устройстве, схема которого приведена на рис. 5, используют динисторную оптопару V6, увеличивающую быстродействие защиты. Когда ток нагрузки меньше порогового, электронный ключ на транзисторах V1 - V3 открыт, индикаторная лампа h2 горит, а оптопара выключена (светодиод не горит, фототиристор закрыт).

Рис. 5. Схема защиты от токовой перегрузки с помощью динисторной оптопары.

Как только ток нагрузки достигает порогового значения, падение напряжения на резисторах R5, R6 возрастает настолько, что включается оптопара, через фототиристор которой на базу транзистора V1 поступает положительное напряжение, и электронный переключатель закрывается. Устройство возвращается в рабочее состояние кратковременным нажатием кнопки S1.

Напряжение на нагрузке увеличивается медленно со скоростью зарядки конденсатора C1.Это исключает пусковые токи, которые вызывают "ложную защиту" или выход из строя частей нагрузки при включении питания.

Порог устанавливается резистором R5. Для транзисторов V2, V3 потребуется радиатор площадью 100 ... 200 см2. Максимальный ток нагрузки 5 А, минимальный ток отключения 0,4 А.

Стабилизатор напряжения предназначен для питания радиолюбительских структур при их возведении. Он выдает постоянное стабилизированное напряжение от 0 до 25.5 В, которое можно изменять с шагом 0,1 В. Ток срабатывания защиты от перегрузки может плавно изменяться от 0,2 до 2А.

Схема устройства представлена ​​на рис. 1, счетчики DD2 DD3 образуют цифровой код выходного напряжения. ЦАП на прецизионных резисторах преобразует код счетчика в ступенчато нарастающее напряжение.

У стабилизатора также есть индикатор (рис. 3) на ПЗУ К573РФ2.

Установка стабилизатора заключается в подборе R26 так, чтобы максимальное выходное напряжение было 25.5В.

Файлы чертежей печатной платы

- ftp://ftp.radio.ru/pub/2007/08/st0_255.zip

Литература J. Radio 8 2007

Войти с помощью:

Случайные артикулы
  • 24.09.2014

    Сенсорный выключатель, показанный на рисунке, имеет двухконтактный сенсорный элемент, при соприкосновении обоих контактов на нагрузку подается питающее напряжение (9В) от источника питания, а следующий время прикосновения к сенсорным контактам, отключение питания от нагрузки, нагрузка может быть лампой или реле.Датчик очень экономичен и потребляет низкий ток в режиме ожидания. На данный момент…

  • 08.10.2016

    MAX9710 / MAX9711 - стерео / моно УМЗЧ мощностью 3 Вт с режимом пониженного потребления. Технические характеристики: Выходная мощность 3 Вт при нагрузке 3 Ом (при THD до 1%) Выходная мощность 2,6 Вт при нагрузке 4 Ом (при THD до 1%) Выходная мощность 1,4 Вт при нагрузке 8 Ом ( с THD до 1%) Коэффициент шумоподавления ...

Некоторому радиооборудованию требуется источник питания с повышенными требованиями к уровню минимальных пульсаций на выходе и стабильности напряжения.Для их обеспечения блок питания должен работать на дискретных элементах.

Показано на рис. 3.23 схема универсальна и на ее основе можно сделать качественный источник питания на любое напряжение и ток в нагрузке. Блок питания собран на распространенном сдвоенном операционном усилителе (КР140УД20А) и одном силовом транзисторе VT1. В этом случае в схеме есть токовая защита, которую можно регулировать в широком диапазоне. Стабилизатор напряжения выполнен на операционном усилителе DA1.1, а DA1.2 используется для обеспечения токовой защиты. Микросхемы DA2, DA3 стабилизируют питание схемы управления, собранной на DA1, что позволяет улучшить параметры источника питания.

Схема стабилизации напряжения работает следующим образом. Сигнал обратной связи по напряжению снимается с выхода источника (X2). Этот сигнал сравнивается с опорным напряжением, поступающим с стабилитрона VD1. На вход операционного усилителя поступает сигнал рассогласования (разность этих напряжений), который усиливается и проходит через резисторы R10... R11 к контролю транзистора VT1.

Таким образом, выходное напряжение поддерживается на заданном уровне с точностью, определяемой коэффициентом усиления операционного усилителя DA1.1. Желаемое выходное напряжение устанавливается резистором R5. Чтобы источник питания мог устанавливать выходное напряжение более 15 В, общий провод цепи управления подключается к клемме «+» (XI). Причем для полного открытия силового транзистора (VT1) на выходе ОУ требуется небольшое напряжение (в расчете на VT1 ibe = +1.2 В). Такое построение схемы позволяет блокам питания работать на любом напряжении, ограниченном только допустимым напряжением коллектор-эмиттер (UK3) для конкретного типа силового транзистора (для КТ827A максимальное UK3 = 80 В).

В данной схеме силовой транзистор составной и поэтому может иметь коэффициент усиления в диапазоне 750 ... 1700, что позволяет управлять им небольшим током - непосредственно с выхода ОУ DA1.1, что снижает количество необходимых элементов и упрощает схему.

Схема токовой защиты собрана на ОУ DA1.2. Когда в нагрузке протекает ток, на резистор R12 выделяется напряжение, которое подается через резистор R6 в точки подключения R4, R8, где оно сравнивается с опорным уровнем. Хотя эта разница отрицательная (которая зависит от тока в нагрузке и величины сопротивления резистора R12), эта часть схемы не влияет на работу стабилизатора напряжения. Как только напряжение в указанной точке станет положительным, на выходе ОУ DAL2 появится отрицательное напряжение, которое через диод VD12 будет снижать напряжение на базе силового транзистора VT1, ограничивая выходной ток.

Уровень ограничения выходного тока регулируется резистором R6. Параллельно включенные диоды на входах операционных усилителей (VD3 ... VD6) защищают микросхему от повреждения при включении без обратной связи через транзистор VT1 или при повреждении силового транзистора. В рабочем режиме напряжение на входах ОУ близко к нулю и диоды не влияют на работу устройства. Конденсатор С3, установленный в цепи отрицательной обратной связи, ограничивает полосу усиливаемых частот, что увеличивает устойчивость цепи, предотвращая самовозбуждение.

При использовании элементов, указанных на схемах, данные источники питания позволяют на выходе получить стабилизированное напряжение до 50 В при токе 1 ... 5 А.

Силовой транзистор установлен на радиаторе, площадь которого зависит от тока в нагрузке и напряжения УК3. Для нормальной работы стабилизатора это напряжение должно быть не менее

В.

При сборке схемы использовались следующие детали: резисторы подсистемы R5 и R6 типа СПЗ-19а; постоянные резисторы R12 типа C5-16MV на мощность не менее 5 Вт (мощность зависит от тока в нагрузке), остальные серии MJ1T и C2-23 соответствующих силовых конденсаторов CI, C2, SZ типа K10- 17, оксидные полярные конденсаторы С4... С9 типа К50-35 (К50-32). Микросхему сдвоенного операционного усилителя DA1 можно заменить импортным аналогом ЦА747 или двумя микросхемами 140УД7; стабилизаторы напряжения: DA2 на 78L15, DA3 на 79L15. Параметры сетевого трансформатора Т1 зависят от необходимой мощности, подаваемой на нагрузку. После выпрямления на конденсаторе С6 во вторичной обмотке трансформатора должно быть обеспечено напряжение на 3 ... 5 В больше, чем требуется на выходе стабилизатора.

В заключение можно отметить, что если предполагается использование блока питания в широком диапазоне температур (~ 60 ... + 100 ° C), то для получения хороших технических характеристик необходимо применять дополнительные меры. К ним относятся повышение стабильности опорного напряжения. Это можно сделать, выбрав стабилитроны VD1, VD2 с минимальным ТКН, а также стабилизировав ток через них. Обычно стабилизация тока через стабилитрон выполняется с помощью полевого транзистора или с помощью дополнительной микросхемы, работающей в режиме стабилизации тока через стабилитрон.Кроме того, стабилитроны обеспечивают лучшую термическую стабильность напряжения в определенной точке своих характеристик. В паспорте на прецизионные стабилитроны это значение тока обычно указывается и оно должно задаваться подстроечными резисторами при настройке узла источника опорного напряжения, для которого в схему стабилитрона временно включен миллиамперметр.

Мы предлагаем большой выбор полностью автоматических устройств малой и большой мощности от ведущего производителя ETK Energy, предназначенных для быстрого устранения некачественного электропитания путем балансировки скачков и просадок в однофазных и трехфазных сетях переменного и напряжения. .В большинстве случаев наши модели Energy и Voltron относятся к группе сетевых устройств премиум-класса, но есть и обычные серии, способные решать проблемы в некритических условиях непрерывной работы. И сегодня у нас есть хороший ассортимент релейных, гибридных, электромеханических и электронных (тиристорных) устройств, достойных нашего внимания. Купить стабилизатор напряжения с токовой защитой можно в Москве, Санкт-Петербурге и регионах. Помимо этой основной задачи по сглаживанию перепадов, эти стабилизирующие устройства для электрических сетей 220В и 380В помогут подавить помехи, качественно поддержат исправный режим работы офисной или бытовой техники при кратковременных перегрузках и обеспечат полную безопасность современных потребителей с короткое замыкание.Для этого в конструкции как однофазного, так и трехфазного электрооборудования Energy и Voltron используются самые лучшие и надежные рабочие элементы. Диапазон успешной работы для многих марок составляет 100 ... 280 Вольт. Также существуют универсальные высокоточные (точность ± 3, ± 5 процентов) устройства с системой плавной регулировки (Energy Classic и Ultra 5000, 7500, 9000, 12000, 15000, 20000), способные без особых затруднений стабилизировать питание от 65 В .


Качественные стабилизаторы напряжения с токовой защитой в нашем интернет-магазине представлены наиболее востребованными мощностями (2, 3, 5, 8, 10, 15, 20, 30 кВт), которые идеально подходят для круглосуточного использования. в офисе, на даче, дома и на промышленных объектах.Гибридные и тиристорные высокоточные модели имеют чисто синусоидальную форму волны, благодаря чему успешно работают с простым и высокочувствительным электрооборудованием различного назначения. Среди отечественной сертифицированной продукции для стабилизации переменной сети также представлены для покупки технологически усовершенствованные морозостойкие устройства, позволяющие надежно работать при низких температурах. Купить стабилизатор напряжения с токовой защитой в Москве, Санкт-Петербурге вы можете через наш официальный сайт по самой низкой цене от надежного производителя.Благодаря особой конструкции корпуса, некоторые однофазные российские марки могут устанавливаться как стандартный напольный вариант или использовать более компактный и удобный способ крепления на стене (стене). В тех высокоэффективных диапазонах, где обеспечивается плавное выравнивание заниженного или критически завышенного питания, мерцание лампочек полностью отсутствует, что иногда доставляет небольшие неудобства в жилых домах, квартирах или дачных участках. По опубликованному уровню шума при работе оборудования есть абсолютно бесшумные и недорогие малошумящие сетевые электроприборы.Гарантия на рекомендованные к покупке устройства российского производства, широко востребованные в России, составляет 1-3 года. Абсолютно все серии энергосберегающие и оснащены функцией автоматической самодиагностики.

kt60 техническое описание и примечания к применению

1812 размер основания

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: число Время срабатывания срабатывания n (Вт) KT60-0140SMD 0,14 0,34 60 10 1,5, -40–20–20–0–20–25–40–50–60–70– № 85 ™ KT60-0140SMD, E Значения макс.Максимум. Максимум. Мин. Мин. Размер KT60-0140SMD 4,73 (0,186, цифры [мм (дюймы)] Размер A (ном.) Размер B (ном.) Размер C (ном.) Код количества KT60-0140SMD


Оригинал
PDF SMD1812 SMD1812 4532мм / 1л Размер следа 1812 г.
КП300

Резюме: kp1500 KP800 KP600 KP500 KP1000 KP3000 kt60 KP2500 GB4940-85JB5838-91JB5839-91
Текст: KT50 30 SS 3.5 KT55 35 SS 100 3.5 KT60 35 2.6100 3,5 KT65, 26 26 KT55 KT60 KT65 70 80 85 42 47 57 63 26 26 26 26


Оригинал
PDF 0A-3000A 00V-4500V GB4940-85JB5838-91JB5839-91 KP100 KP150 KP200 KP300 KP2500 KP3000 KP300 1500 фунтов стерлингов KP800 KP600 KP500 KP1000 KP3000 kt60 KP2500 GB4940-85JB5838-91JB5839-91
КТ60КМ06

Аннотация: kt60lm06 KT60LM kt60 шаговый двигатель KT60 J142G u .22 PS-5000 10NNS
Текст: 3 -P h a s e Гибридный шаговый двигатель «¡i» Серия KT60 TRISYN HIGH TO R Q U E, S ILE N T, KT60KM06 -551-552 BI-POLAR -751 -752 0.6 2,09 3,8 0,55 1,0 5,0 3,52 2,09 3,8 0,55 1,0,: 142 г см (0,78 унции дюйм ') ХАРАКТЕРИСТИКИ ВИБРАЦИИ (МИКРОШАГОВЫЙ ПРИВОД) KT60KM06 -551 СКОРОСТЬ LSE,) ВЫДВИЖЕНИЕ ВЫДВИЖЕНИЕ T Curr-1,8 (A) (при 10pps) KT60KM06 -552 "\ PU LSE RATE (PPS) PU LSE 500, 2Ò0 SPE ED об / мин 750 UXX) SPE ED об / мин Curr. = 3,0 (A) (a 10pps) KT60KM06 -751 PU LSE RATE (ПП


Сканирование OCR
PDF КТ60КМ06 KT60LM06 КТ60КМ06 КТ60ЛМ kt60 шаговый двигатель KT60 J142G u.22 ПС-5000 10NNS
2T6551

Реферат: информационное приложение информационное приложение микроэлектроник микроэлектроник Heft KD 605 KT825 транзистор KT 960 A Mikroelektronik информационное приложение KT827 микроэлектроник DDR
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF
2T908A

Реферат: 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115.05 КТ117 1Т813
Текст:), KT602 (A, E). 222 2T603 (A, E, B, T, M), KT603 (A, E, B, T, A, E). 226 КТ605 (А, AM, E, E M). 230 2T608 (A, E), KT608 (A, E) .233,) .215 KT3117A n504, n504A, 11505, KT601, IpaHJiicropw moiiihuc BucoKoiacTOTHbie 569 n-p-n KT604 (A, E, AM, B M


Сканирование OCR
PDF Т-0574Д. 30Eiaa Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 1HT251 KT604 2T907A КТ920А 2т903 PO6 115.05 КТ117 1T813
NT101

Реферат: БФ503 КТ-934 КТ606 ПОЛУЧАЙНЫЕ ИНДЕКСЫ Mps56 транзисторы 2SA749 72284 2sk81 2SB618
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF
y51 h 120c

Абстракция: ac128 bd192 bd124 MM1711 BD214 al103 KT368 AFY18 BFQ59
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF 500 мА 500 мА 240 МВт 240 МВт y51 h 120c ac128 bd192 bd124 MM1711 BD214 al103 КТ368 AFY18 BFQ59
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 0.016 30-40 900 KT60cT70 40140, UNIT IT (AV) Средний ток в открытом состоянии 180 ° полусинусоида


Оригинал
PDF 70 кг 103A2S KT60cT70
Y65K

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 650 KT60cT65 34140300 3,0 300, UNIT IT (AV) Средний ток в открытом состоянии полусинусоида 180 °


Оригинал
PDF Y65KPJ 103A2S KT60cT65 300 мА Y65K
1720a

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: KT60cT65 34140450 35400 4.0800500 UNIT IT (AV) Средний ток в открытом состоянии, полусинусоида 180 °


Оригинал
PDF Y65KKE 103A2S KT60cT65 1720a
Y70KKE

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: KT60cT70 40140700 40450 4,5 1000600 UNIT IT (AV) Средний ток в открытом состоянии, полусинусоида 180 °


Оригинал
PDF Y70KKE 103A2S KT60cT70 Y70KKE
КТ805АМ

Аннотация: KT805 KT610A KT837B BD140 npn KT872A KT837K KT315B KT315 KT818
Текст: KT502Ä KT502E KT503A KT503Á KT503B KT503Ã KT503Ä KT503E ÊÒ520À ÊÒ520Á ÊÒ521À ÊÒ521Á KT607A-4 KT607Á-4 2T607A-4 KT610A10 KT106TÁ-4 KT610A10 KT106TÁ9 KT6106TÁ9 KT6106TB 2 KT610A10 KT6106TB 2


Оригинал
PDF КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ KT805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 KT818
2Т3130А9

Абстракция: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e
Текст: KT342V KT349B KT361G KT361I KT363A KT373A KT375A, B KT375B KT397A2 KT504A KT602A KT608B


Оригинал
PDF КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2N1923 2N739 BSV56C, HEP310 2N844 2Т3130А9 HEP310 кп303г kt117 HEP-310 kt117b kt117a КТ117Г kt816g kt3102e
Y65KPE

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 850 KT60cT65 34140300 3.0300, UNIT IT (AV) Средний ток в открытом состоянии, полусинусоида 180 °


Оригинал
PDF Y65KPE 103A2S KT60cT65 t4205 300 мА Y65KPE
2T931A

Аннотация: KT853 2T926A KT838A 2T803A 2T809A 2T904A 2T808A 2T603 2T921A
Текст: 3Hciopbi n-p-n. 257 КТ601А, К Т 6 0 1 А М. . 2 5 7 2T602 (A, B), 2 Í6 0 2 (AM. B M), KT602 (AM, BM). . . . . . 258 2T603 (A, B, B, T, H), KT603 (A, B, B, T, R, E).260 КТ604 (А, В), КТ604 (АМ, ВМ). 2S2. 263 KT605 (A, B), KT605 (AM, BM) 2T608 (A, B), KT608 (A, B). 265


Сканирование OCR
PDF МОКП51КОБ, KTC631 TI2023 II2033 TT213 TI216 fI217 II302 XI306 n306A 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2T904A 2Т808А 2Т603 2Т921А
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 650 KT60cT65 34140300 3.0250, UNIT IT (AV) Средний ток в открытом состоянии, полусинусоида 180 °


Оригинал
PDF Y65KPM 103A2S KT60cT65 t1566 300 мА
2001-Япония сервопривод -KT56JM4

Реферат: "япония сервопривод" KH56JM2-801 KH56QM2-801 KT60KM06 kt60lm06 009 Kh52JM2 KH56JM2 Kh52JM2-801 -AS
Текст: 2,21 кв. X1,65 "" "2,21 кв. X2,13" "" 2,21 кв. X2,99 "" "МОДЕЛЬ KT60KM06-551 -552-751-752 KT60LM06-551 -552-751-752 KT35FM1 -552 KT86LM1-551 KT86SM1-551 KT42EM4-551 KT42HM4-551 -552 KT42JM4


Оригинал
PDF CN55B3 CN155B4 CN52B3 CN52B5 MA77B3 Японский сервопривод -KT56JM4 "сервопривод японии" KH56JM2-801 KH56QM2-801 КТ60КМ06 kt60lm06 009 Х52ДЖМ2 KH56JM2 Х52ДЖМ2-801 -AS
КТ835А

Аннотация: КТ827А КТ827А-КТ827Б кт601 КТ604 КТ835Б КТ827Б КТ645 СССР КТ827
Текст: СИЛОВЫЕ СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ КТ607А-4, КТ607Е-4 Si - npn - EP Tpah4KCTopn KT607A-4, KT607B-4, KT604AM, KT604BM KT6IIAM, KT6IITrowave KT645A KT644A-460 KT645A KT644A-KT645I-KT646A-460 KT645A KT644A-460 6.33 KT607A-4.KT607E-4 9jKKTpnHecKJae napaMSTpu Электрические параметры


Сканирование OCR
PDF T336A -KT336r. КТ384АМ-2. КТ385АМ-2. КТ60ИАМ. КТ602АМ, КТ602ЕМ КТ604АМ, КТ604БМ КТ607А-4, КТ835А КТ827А KT827A-KT827B kt601 KT604 КТ835Б КТ827Б KT645 СССР KT827
2008-PS103J2

Абстракция: 4140 KS104R2 KS103J2 PS104J2 kt303 Pt302J2 PS222J2 kt602 KT103J2
Текст: 5000 J 3890 KT602J2 6000 J 3890 Просмотр R-T диаграммы KT103G2 10000 G 3575


Оригинал
PDF KT102J2 * KT222J2 KT302J2 KT502J2 KT602J2 КТ103Г2 KT103J2 KT203J2 KT303J2 KT503J2 PS103J2 4140 КС104Р2 KS103J2 PS104J2 kt303 Pt302J2 PS222J2 kt602 KT103J2
3A001

Аннотация: ECCN HTS LTC2262CUJ-12 self
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 3A991 5A991 3A001 5A002 EAR99.добавление-нет-1-к-740-группам-странам ECCN HTS LTC2262CUJ-12 себя
2010 - КТ604

Аннотация: BF3920 2SC627 KT604A MPSA430 КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN BF292 BFR88 BSS33 bf355
Текст: BF355 TRS225 BF298 KT604AM 2N4927 TRS250 BF483 BF483 BF483 BFR88 TP4927 4 MM420 MM420 ST420 BF658 BFT58 BFP23 KT604BM BF415 BF422L CX70 Adv3B CX703B BF2 Inc.


Оригинал
PDF 2SC1921 2SC1573 2S0662 2S01869 2S02031 MST20S 2SC2885M 2Nl053 KT604 BF3920 2SC627 КТ604А MPSA430 КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN BF292 BFR88 BSS33 bf355
2N2222A 338

Реферат: TFK 949 al103 2N1167 транзистор индекса халблайтера ad161 ac128 BSY19 tfk 1007 ac132
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF 2CY17 2CY18 2CY19 2CY20 2CY21 500 мА 500 мА 2Н2222А 338 TFK 949 al103 2N1167 транзистор с индексом халблайтера ad161 ac128 BSY19 tfk 1007 ac132
БТИЗ M16 100-44

Аннотация: Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Transistor B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 SEMICON INDEXES transistor 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF W211d W296o W211c БТИЗ М16 100-44 Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Транзистор B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 ПОЛУЧЕННЫЕ ИНДЕКСЫ транзистор 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108
НТК 6000

Аннотация: Pt302J2 PS103J2 kt602 PT502J2 KT503 PS302J2 PS222J2 KT503R2 KT502
Текст: ° C) Сопротивление Ом при 25 ° C Кривая R-T Бета (K) 0-50 ° C KT102J2 * KT222J2 KT302J2 KT502J2 KT602J2


Оригинал
PDF KT102J2 * KT222J2 KT302J2 KT502J2 KT602J2 КТ103Г2 KT103J2 KT203J2 KT303J2 KT503J2 NTC 6000 Pt302J2 PS103J2 kt602 PT502J2 KT503 PS302J2 PS222J2 КТ503Р2 КТ502
КС104Р2

Аннотация: KT103J2 KS502J2 KS103J2 KT503 KS104 kt303 KT102J2 KT103G2 транзистор серии kt
Текст: KT222J2 KT302J2 KT502J2 KT602J2 KT103G2 KT103J2 KT203J2 KT303J2 KT503J2 KT503R2 KT104R2 Bare


Оригинал
PDF 9286ax.KS102J2 KS222J2 KS302J2 KS502J2 KS602J2 КС103Г2 KS103J2 KS203J2 KS303J2 КС104Р2 KT103J2 KS502J2 KS103J2 KT503 KS104 kt303 KT102J2 КТ103Г2 транзистор серии kt

Схемы транзисторных передатчиков AMV. Низковольтный радиовещательный AM-передатчик средней мощности. Принципиальная схема радиопередатчика

Передатчик состоит из следующих блоков: задающий генератор; буферный каскад; выходной каскад; модулятор.

Уточняющий генератор.

Уточняющий генератор собран по схеме емкостной трехмерной на лампе 6П44С. Контурная катушка намотана на каркас диаметром 20 мм, проволока диаметром 0,8 мм, 40 витков. Для стабилизации частоты в управляющей сетке необходимо использовать конденсаторы УШР G + -5%.


Буферный каскад

Буферный каскад предназначен для подключения задающего генератора от последующих каскадов, что способствует стабильности частоты генерации.На этом же этапе происходит амплитудная модуляция несущей частоты. Модулятором должна быть лампа, обеспечивающая на выходе трансформатор модуляции 200 вольт и выше.

Выходной каскад

Дроссель DD1 намотан проводом 0,23-0,35 мм на керамический каркас диаметром 10-15 мм, четыре секции по 80 витков в основной части. Дроссель DR2 намотан тремя проводами по 0,5 мм на толстый ферритовый стержень. Дроссель в циркуляционном контуре также намотан на ферритовых стержнях с проволокой 1.0-1,5 мм. Дроссели болтаются до тех пор, пока шток полностью не заполнит место для его крепления. Контур катушки затупляется на каркасе диаметром 50мм, проволока 2,0 мм, количество витков 35-38


Модулятор для передатчика AM

Модулятор представляет собой 4-каскадный усилитель низкой частоты. Микрофонный усилитель выполнен на одной половине из 6Н2П. В микрофоне используется электретный (планшетный). C1 ограничивает его высокими частотами, чтобы избежать возбуждения. Сопротивления R1 и R2 определяют напряжение на микрофоне (влияет на чувствительность), оно должно быть в пределах 1.5 ... 3,0 В (в зависимости от типа микрофона). Конденсатор С3 не позволяет высокому постоянному напряжению поступать в последующие каскады. Двухцепной усилитель напряжения включается. Сигнал поступает с сопротивления R4 «Объем». Сопротивление R9 - это линейный регулятор громкости логгера (магнитофон, проигрыватель компакт-дисков, компьютер и т. Д.), Он же регулятор тембра для микрофонного входа. Усилитель звуковой мощности собран на 6П3С. Усилитель нагружен на трансформатор, который может быть ранен сам по себе, данные показаны на схеме.Хорошо работает силовой трансформатор от старых телевизоров «Рекорд», «Весна» (ТС-180). При подключении к передатчику может потребоваться изменить полярность подключения задней обмотки.


Антенна

Передатчик был установлен на антенну американского типа. Антенна длиной 48м из провода 1,6мм. Передатчик был подключен проводом 1,0 мм. Понижение связано на расстоянии 1/3 длины.

Радиовещание в диапазонах СПб.Dv в основном снят с производства в Российской Федерации с 2014 года.
Причиной тому является экономическая недооценка обслуживания устаревших передатчиков этого диапазона, а также отсутствие комплектующих для их ремонта.
Это можно понять, это происходит не только у нас, но и во многих других странах (пока не во всех). Но как быть, например, начинающим радиоконструкторам? На страницах многочисленных сайтов все еще ожидают разнообразные транзисторные транзисторные приемники с прямым усилением.
Отказываться от их реализации вообще? Но сами электронные схемы не винят и однозначно имеют право на существование.

А что уж говорить о массе старых, но совсем более хороших приемников диапазонов SV-DB, оставшихся в руках населения?
Выход из создавшейся ситуации (и во всем мире!) Найден легко и быстро.
Если большие вещательные радиостанции молчали, что могло помешать им установить миниатюрные личные передатчики? Сбор буквально из нескольких частей.Предельно простое устройство можно оживить прямым усилением СВ-ДВ в радиусе нескольких десятков и сверхэнергетическим - сотнями метров. Вряд ли его можно по-прежнему считать своего рода пиратством или радиогуликией. Ведь, как вы понимаете, Хребет Санкт-Дв оказался на данный момент практически невостребованным структурами нашего государства.

Итак, предлагаемая схема представляет собой генератор синусоидальных колебаний с индуктивной обратной связью, реализованный на одном транзисторе + модулятор на трансформаторе.

Транзистор любой маломощной высокочастотной структуры П-Н-П. Например, Германия P401, P402 и др. - до P416.
Кремний - КТ361, СТ3107 с любой буквой. Транзисторы N-P-N (CT315, CT3102) также можно использовать, но вы должны изменить полярность источника питания. L1 для диапазона SV имеет 100 витков, DV - 250 витков провода PAL 0,1 - 0,25. Катушка L2 15-25 витков того же провода. Жила - отрезок от магнитной антенны малогабаритного транзисторного приемника.

Размер резистора R1 подбирается так, чтобы величина тока эмиттера составляла 15-20 мА.Трансформатор для модуляции Можно взять любую малогабаритную понижающую сеть (от 220 до 15-30В), хорошо подойдет трансформатор от старого радиоголоса. Сигнал звуковой частоты с выхода усилителя (например, усилителя динамика компьютера) подается на его низковольтную обмотку (8-12 Ом), ток питания протекает по высоковольтной (50-150 Ом). Ом).



Для уменьшения габаритов схемы можно намотать трансформатор самостоятельно (что я и сделал).Самый простой способ - взять миниатюрный фазовый конверсивный транс с выходного каскада старого транзисторного приемника, перенеся 2 вторичные обмотки, оставив только первичную (у «альпинистов» - около 120 Ом). Затем с помощью сменного провода намотать 150 - 200 витков. Конденсаторы С1, С3 можно использовать любых типов, а С3 (4700пф) устанавливать нельзя - без него все отлично работает.


Для питания схемы лучше всего использовать отдельный блок питания с выходным напряжением 8-10В, элемент «Корона» на самом деле не лучший вариант - его не хватает надолго.
Адаптер для регулировки любой переменной, от малогабаритного транзисторного приемника, воздушного или керамического - неважно. Если он двухсекционный (от супергетеродина) - используется одна секция. В качестве антенны можно использовать провод длиной не менее 10 метров. Для заземления - радиаторы отопления и металлические водопроводные трубы, при их отсутствии - закапывать в землю полуметровую металлическую шпильку или уголок.

По правде говоря, если необходимо обеспечить радиовещание в радиусе 10-15 метров, длинная антенна и заземление может не понадобиться - будет уровень сигнала, излучаемого магнитной антенной.Но если вам нужно увеличить расстояние до 100 и более метров - без них не обойтись. Максимальное расстояние приема при этом будет сильно зависеть от чувствительности вашего приемника

.

Транзисторный передатчик на 160 метров предназначен для радиолюбительского телеграфа и телефона (с амплитудной модуляцией - АМ) в диапазоне 160 метров. Выходная мощность - 5 Вт. Транзисторный передатчик на 160 метров потребляет от источника 12 напряжений по току около 1,5 и в телеграфном режиме и около 1 и в телефонном (пауза).Передатчик выполняется на широко доступных элементах.

Конструкция транзисторного передатчика 160 метров и его принципиальная схема на рис. В тексте.

На транзисторе V1 выполняется задающий генератор. Конденсатор переменной емкости С2 Частоту генератора можно изменять от 925 до 975 кГц. Чтобы исключить заботу о частоте генератора при изменении напряжения питания, в этот каскад введен параметрический стабилизатор (V2R2).

Высокочастотное напряжение генератора поступает через конденсатор С8 на эмиттерный повторитель на транзисторе V3.К выходу повторителя, выполненному на трансформаторе Т1 и диодах V4, V5, подключается частотный двойной конструктор. Напряжение второй гармоники снимается на резисторе R8 и через конденсатор С10 и резистор R9 поступает в усилитель напряжения, собранный на транзисторе V6. Подобный удвоитель подавляет сигнал основной частоты минимум на 30 дБ.

Нагрузкой этого каскада является колебательный контур, образованный индуктивностью индуктивности L2, конденсатором C13 и баком эмиттерного транзистора транзистора V7 следующего каскада.В схеме шунтируется резистор R13, что снижает вероятность самовозбуждения каскада. Транзистор V6 открывается только тогда, когда цепь эмиттера замкнута на общий участок провода S1.2 переключателя S1 (при настройке на соответствующую частоту), телеграфный ключ подключен к разъему X5 или перемычка между гнездами 4 и 5. разъема X4 во время работы телефона.

На транзисторе V7 собран усилитель мощности. Его нагрузка - это контур, составленный из индуктивности индуктивности L4, установочной емкости и выходной емкости транзистора.Контур нарисован резистором R16. Питание на каскад осуществляется через фильтр L3C14. Чтобы согласовать выходное сопротивление каскада (около 40 Ом на рабочей частоте) с очень низким входным сопротивлением оконечного усилителя (блока ОМ), был применен Т-образный фильтр L5C15L6.

Оконечный каскад усилителя мощности выполнен на транзисторе V8 и согласован с нагрузкой через трансформатор T2. Для подавления гармоник на выходе передатчика установлен фильтр нижних частот C18L8C19L9C20.Терминальный каскад проходит через фильтр L7C16. Ток коллектора транзистора V8 контролируется индикатором RA1.

Модулятор собран на транзисторах В9-В11. Каскад на транзисторе V9 микрофонный усилитель, на транзисторах V10, V11 выполнен усилитель мощности. В телефоне, когда переключатель S3 установлен в положение «AM», транзистор V11 включается последовательно с V8. Глубина модуляции может достигать 80%.

Большая часть деталей транзисторного передатчика 160 метров расположена на двух платах из одностороннего фольгированного стеклопластика: на одной (рис.) Модулятор монтируется, на другом (рис. 3) остальные каскады.

Особенность платы в том, что фольга разделена на квадраты на квадраты со стороной 10 мм, а соединения между ними выполнены медным луженым проводом (кроме перемычки между коллектором деризистора и конденсатором С6) . Квадраты (они предварительные) раскуплены по деталям. Вид со стороны установки и подключения части одной из плат показан на вкладке.

Теперь о деталях передатчика.Транзисторы CT315A (V1, V2, V9) можно заменить на КТ315, CT312, КТ306; Кт603а (в6) - на кт601, кт602, кт604, кт605, кт608; P605A (V7) - на P601-P609; Gt402a (v10) - на gt402, gt403; P214G (V11) - на P213- P217 с любым буквенным индексом. В оконечном каскаде вместо транзистора CT802A (V8) подходят CT803A, CT805, KT808A, CT809A, CT902A, KT903, CT908A. Причем транзистор V8 устанавливается на имеющийся литой радиатор из алюминиевого сплава, а для транзисторов V7 и V11 П-образные радиаторы из алюминия соответственно 1 и 2 мм - на V7 площадью поверхности 35 см2. , для V11 - 58 см2.

Стабилитрон D808 заменяет диоды D814A, D9B - любые диоды серий d2, d9, kD503, kD509. Резисторы могут быть МЛТ-0,125, МЛТ-0,25, МЛТ-0,5. Шунт R18 выполнен из провода ПАЛ 0,2, намотав его на резистор МЛТ-0,5 любого сопротивления. Количество оборотов подбирается таким образом, чтобы стрелка индикатора M476 / 3 (такие индикаторы используются в магнитофонах для контроля уровня записи) отклонялась на последнее деление шкалы при токе 2 А.

КОНДЕНСАТОРЫ C1, SZ-C5 , C8, C13, C15, C18-CS20-CSR или KSG, C17 - это только KM или CLA, электролитические конденсаторы C21- C24 - K50-ZB, K50-6, K53-1, остальные постоянные конденсаторы могут быть BM-2 , МБМ, но предпочтение следует отдать керамическим конденсаторам CDS, CLA, км.Конденсатор переменный контейнер С2 - от ресивера Ocean, но подойдет любой другой конденсатор с воздушным диэлектриком и соответствующей ёмкостью.

Катушка L1 выполнена на каркасе диаметром 12 и длиной 36 мм и содержит 140 витков провода PAL 0,12, намотанного на виток катушки. Его индуктивность 102 мкг. Для катушек L2-L7 - гладкие рамки диаметром 7 и длиной 30 мм с обрезкой феррита 100ВЧ диаметром 2,8 и длиной 12 мм. Обмотка - поворот на поворот.Катушка L2 (ее индуктивность 12 мкг) содержит 44 витка провода ПЭВ-1 0,19, L3 и L4 (индуктивность каждого 16 мкг) - 50 витков ПЭВ-1 0,17, L5 (10 мкг) - 40 витков провода. ПЭВ-1 0,19, L6 (2 мкг) - 20 витков ПЭВ-1 0,19, L7 (5 мкг) -30 PALL 0,35 витка.

Катушки L8 и L9 выполнены на отрезке стержня диаметром 8 и длиной 25 мм из феррита 400 НН или 600 НН (стержень магнитной антенны транзисторных радиоприемников). Каждая катушка содержит 16 витков провода ПЭВ-10.47 и имеет индуктивность 9 мкг. Обмотка - поворот на поворот.

Трансформатор Т1 выполнен на четырехсекционной раме диаметром 7 и длиной 20 мм с подстроечным резистором из феррита 600НХ диаметром 2,8 и длиной 12 мм. Обмотка выводит два скрученных проводами марки PALSHO 0,12, всего 60 витков уложены равномерно на трех участках. Трансформатор Т2 выполнен на том же отрезке ферритового стержня, что и катушки L8, L9. Обмотка привела к двум проводам ПЭВ-1 0,47, снятым вместе, и проложено 15 витков.Концы обмоток трансформатора Т2 и катушек L8, L9 закрепляют на стержне резьбой и клеем БФ-2. Разъемы X1 и X5 - розетки с двумя ямками, x2 и xs - высокочастотные разъемы от телевизоров, а x4 - унифицированный разъем SG-5. Переключатели S1 -S3 - Тамблеры ТГ11-2.

Конструкция транзисторного передатчика 160 метров и размещение плат внутри корпуса показаны на вкладке. Внешние размеры стенок, шасси, кожуха, кронштейна для установки конденсатора переменной емкости и подкосов соответствуют размеру таких же деталей радиоприемника.На задней стенке установлены разъемы, на передней - переключатели, микроамперметр и снята ручка настройки.

Установка транзисторного передатчика 160 метров начинается с проверки режимов, указанных на схеме (кроме напряжения на коллекторе ТРАНЗИСТОРА V11). При этом переключатель S1 должен находиться в положении «Работа», S2 - «Трансмиссия», S3 - «AM», а гнезда разъема X5 закрыты. Если измеренные напряжения отличаются от указанных выше, определите причину несоответствия и устраните ее.

Проверять перекрытие по частоте задающего генератора лучше всего с помощью любительского приемника, работающего в диапазоне 160 м. Управляя второй гармоникой, необходимо установить его от 1850 до 1950 кГц подбором конденсаторов C1 и SZ.

Следующим шагом будет установка усилителей мощности. Переключатель S1 установлен в положение «Работа», S2 - «Передача», S3 - «TLG», а гнезда разъема X5 оставлены закрытыми. К разъему xs подключается аналог антенны.Два резистора МЛТ-2 сопротивлением 100 ... 150 Ом соединены параллельно. В разрыве справа согласно выходной схеме катушка L3 включает миллиамперметр, а рейкой катушки L2 задается ток коллектора транзистора V7 равным 200 мА. В случае выхода из строя выбирается конденсатор C13.

Настроен терминальный каскад. Вращение порогов катушек L5 и L6 установлено на токоприемнике V8 максимальное - 700 ... 800 мА. При этом в динамике приемника контрольного вещания не должно быть шума и свиста, свидетельствующих о самовозбуждении транзисторного передатчика на 160 метров.Если они все же появляются, необходимо уменьшить сопротивление резистора R13 и снова чередовать катушки L2, L5 и L6. Возможно, для этой же цели придется ловить катушки L3 и L7 резисторами сопротивлением 100 ... 200 Ом.

При нормально работающем транзисторном передатчике 160 метров в любительском приемнике будут доведены до чистого и громкого сигнала, а эквивалентные резисторы антенны слегка нагреются.

Далее проверьте и установите модулятор. Переключатель S3 устанавливают в положение «AM» и измеряют напряжение на коллекторе транзистора V11.При необходимости его устанавливают равным резистору R22, указанному на схеме. Подключив антенно-антенный осциллограф к эквиваленту и подав сигнал с LC-генератора на вход модулятора, выберите модулированные высокочастотные колебания, которые наблюдаются на экране осциллографа, модулированные высокочастотные колебания, наблюдаемые на экране осциллографа, будут ограничивается сигналом от генератора симметрично сверху и снизу.

Подключив микрофон к модулятору и наблюдая изображение на экране осциллографа, подбором резистора R19 выставляем такой сигнал на основе транзистора V9, чтобы при самом громком разговоре перед микрофон не заправлялся .Прослушивая сигнал через контрольную магнитолу, убеждаемся в отсутствии искажений. На этом транзисторный передатчик 160 метров.

В заключение следует отметить, что передатчик хорошо работает только с низкоуровневой антенной (например, полуволновым диполем), питаемой по коаксиальному кабелю. Если антенна расположена высоко, следует установить согласующее устройство.

По материалам журнала Радио

Приведена принципиальная схема любительского радиопередатчика, работающего в диапазоне средних волн с амплитудной модуляцией.

Как известно, средние волны радиодиапазона уже покинули многие радиостанции, окончательно перейдя название. И на то есть вполне объективные причины. Итак, вчера я включил ресивер на SV (MW), и кроме атмосферных шумов он ничего не слышал.

Правда, вечером что-то почти не слушали издалека и на очень непонятном языке. И вот наше уважаемое Федеральное агентство связи решило оживить ситуацию и выделить полосу частот 1449–1602 кГц для индивидуального вещания, то есть «верх» диапазона Вещания.Что само по себе вполне разумно, хотя уже поздно.

24 апреля с.г. Федеральное агентство связи направило информационные письма по данной теме всем заинтересованным, по их мнению, лицам. Те, кто желает изучить вопрос как можно более полно, могут связаться с сайтом CQF.Su. Вся документация там или ссылки на нее.

Если коротко, то суть дела в том, что индивидуальное вещание в РФ теперь официально разрешено. Вы можете самостоятельно разрабатывать, изготавливать оборудование для индивидуального вещания и бесплатно публиковать эти разработки в радиотехнической литературе.

Что нужно знать радиолюбителю, пожелавшему испытать себя в индивидуальном вещании:

  1. Диапазон, на которой должен работать передатчик, лежит в пределах 1449–1602 кГц. При этом частотная сетка в нем с шагом 9 кГц. То есть можно вычислить 1449 кГц, 1458 кГц, 1467 кГц и т. Д. Выход за пределы сетки не разрешен и будет наказан.
  2. Мощность передатчика в учебных и демонстрационных целях не должна превышать 1 Вт.
  3. Мощность передатчика для школьных радиокадров не более 25 Вт.
  4. Мощность передатчика для центров детского и подросткового технического творчества - до 50 Вт.
  5. Мощность передатчика для ВУЗов и техникумов, а также индивидуальных радиовещателей - до 100 Вт.
  6. Мощность передатчика для технических вузов - до 250 Вт.
  7. Мощность передатчика для технических вузов и клубов индивидуальных радиовещателей составляет 500 Вт.
  8. Тип излучения - с амплитудной модуляцией, с полосой модулирующего сигнала 50-8000 Гц - 16K0A3EEGN, соответственно второй том Регламента радиосвязи.
  9. Ну, теперь, как и положено, "Ложка глухих", надо зарегистрироваться как носитель, получить лицензию, разрешение на использование частоты, поставить наладку оборудования. И все это на тех же условиях, что и для профессиональных радиовещателей. Итак, вы знаете ...

Как бы то ни было, но «творчество залито».«Ну вроде как, такая новая тема по применению сгоревшего паяльника и пробитого розифолдом мозга! И вот, лично я« СМОТРЕТЬ »:

За долгие годы было создано много схем и опубликовано множество схем передатчиков для работы в диапазоне 160 метров. Переместить частоту такого передатчика в диапазон 1449–1602 кГц здесь совсем не составит труда.

Соответственно примите меры по стабилизации несущей частоты (в простейшем случае кварцевым резонатором).Осталось запустить амплитудную модуляцию, например, запитав выходной каскад усилителя мощности. Ну почти, дело готово, можно по шкафам собирать бумажки ...

Схема передатчика

На рисунке показана простая схема передатчика, в принципе удовлетворяющая требованиям «для образовательных и демонстрационных целей».

Фактически это немного доработанный передатчик Я. С. Лапповка (Л.1), частота которой сдвинута в нужный диапазон заменой кварцевого резонатора, а контур перестройки плюс, амплитудная модуляция в выходном каскаде заряжена.

Итак, передатчик готов для образовательных и демонстрационных целей или Pioneerland.

Рис. 1. Принципиальная схема передатчика на диапазон вещания 1449–1602 кГц.

Кварцевый резонатор Q1 задает частоту несущей, она должна быть на той частоте, на которой планируется вещание, то есть в диапазоне 1449-1602 кГц с учетом сетки с шагом 9 кГц (для например, на 1467 кГц).

Пожалуй, кварцевый резонатор в этой схеме - самая сложная из имеющихся деталей.Однако эта проблема решена. Вы можете приобрести резонатор на ближайшую частоту, которая на несколько кГц отличается от желаемой. И последовательно отрегулируйте дополнительную емкость или индуктивность.

Не говоря уже об известных механических способах доведения частоты кварцевого резонатора.

Амплитудная модуляция осуществляется по схеме на транзисторах VTZ и VT4. Транзистор VTZ регулирует мощность выходного каскада передатчика. Сигнал NC поступает в базу VT4.

Режим модуляции схемы модуляции задается резистором хода R6, регулирующим напряжение смещения на базе VT4.

Детали передатчика

Катушка L1 - это законченный дроссель до тока до 2а с индуктивностью 10 мкГн. Катушка L2 намотана проводом ПЭВ-2 0,43 на каркас диаметром 16 мм и содержит 70 витков, обмотка - «охладитель на виток». Катушка связи L3 намотана поверх витков L2 таким же проводом, количество ее витков подбирается под конкретную антенну.

Заработная плата

При установлении режим работы каскада на VT1 устанавливается на установку кварцевого резонатора. Подбором R1 добиваются напряжения 5-6В на его эмиттере. Затем закройте перемычку коллектор-эмиттер VT3, а резистором выбора R3 установите ток покоя Vt2 на уровне 60-80 мА.

После этого подключаем резонатор и настраиваем передатчик под конкретную антенну. Снимите перемычку с VT3 и настройте схему модулятора резистором R6.

И в заключение хочу высказать личное мнение об этой инициативе. Конечно, отдать под любительское вещание кусок пустого диапазона - сама идея хороша, хотя лет уже двадцать. К тому же бюрократия, как обычно, может все испортить.

На мой взгляд, здесь должны применяться те же правила, что и для любительской радиосвязи на КВ диапазонах. То есть зарегистрируйте позывной, категорию (максимальная мощность), и разрешите ему транслировать на любом токе на данный момент частоты из диапазона 1449–1602 кГц.Ну, может быть, сделайте какие-то документы, ограничивающие тематику вещания (чтобы не было противоправной деятельности).

Было бы очень интересно разрешить там и частное цифровое вещание. В противном случае дело можно перекусить корнем.

Снеголев И. РК-08-16.

Литература:

  1. Лаповок Я. С. Ваш первый передатчик. П-2002-08.
  2. cqf.su.

Передатчик AM для 3 МГц

Передатчик состоит из четырех каскадов.Автор использовал практически все детали БУ, выпавшие в разное время, из разной техники и долгое плетение в коробках. Выходная мощность передатчика не измерялась, по примерным расчетам около 5 Вт +/-, но скорее всего плюс. Уточняющий генератор собран по классической трехмерной схеме и, несмотря на простоту, стабильно держит частоту. Буферный каскад на VT2 загружен в широкополосный трансформатор, не охота было поставить контур, а потом выровнять характеристику по всему диапазону, мапарабась крупнее и детальнее, а здесь в одном упал, а точнее один трансформатор.Буферный каскад - это нагрузка модулятора, собранного на микросхеме Uncle LM386. Автор модулятора взял автора у японских радиолюбителей, попробовал и остался доволен, ну и самая ответственная часть - это оконечный каскад. Он собран на транзисторе снятом с какой-то корейской магнитолы. Стоящий в первой версии CT805BM надежд не оправдал, и был разобран с позором от передатчика. В результате операции конструкция не пострадала, но была испытана патриотическим духом автора.Однако, вставив на проверку конструкцию 2Т921А, душевное равновесие восстановилось. Более того, появилась гордость за нашу оборонку. Но было решено оставить «корейца» как наиболее оптимальный вариант, и его проще закрепить на радиаторе. Режим работы каскада задается резистором R12. Диод d4 используется для стабилизации резервуара. Прикрепить его к радиатору нужно прямо возле выходного транзистора. На корейском транзисторе автор подсунул диод прямо под транзистор, так как место было.Желательно место крепления промыть теплопроводной пастой.

Конструктивные особенности: Комплект конденсатора переменной емкости с воздушным диэлектриком от лампоприемника. Можно поставить практически любые кп, главное перекрыть диапазон 2,8 - 3,2 МГц.

Катушка l1 задающего генератора имеет 80 витков провода ПАЛ - 0,32 с отводом от 20 витков. Катушки L2; L3 такие же и имеют 20 витков провода ПЭЛ - 0,6.
Все катушки намотаны на рамки диаметром 12 мм.
В качестве каркаса автор применил каркас из полистирола из катушки с нитками.
ТР1 намотана на ферритовом кольце диаметром 10 мм и высотой 5 мм. Двадцать витков сложенного и слегка скрученного провода ПЭЛШО - 0,25. Намотка ведется равномерно по всему кольцу.
ТП2 намотан на одно кольцо и содержит 18 витков сложенного трехколесного провода ПАЛ - 0,32.

L4 - 30 витков PALSHO - 0,25 на том же рейкере, что и Tr 1; 2. Для L4 можно применить кольцо и меньшие размеры.

ВНИМАНИЕ:
Перед тем, как продолжить настройку, необходимо подключить к выходу передатчика нагрузку от 50 до 75 Ом. У автора в качестве нагрузки стояли два подключенных параллельно резистора 100 Ом по 2 Вт каждый.

Настройка:
Настройка начинается с проверки мощности после установки переменного резистора R12 в положение максимального сопротивления. В том числе амперметр (мультиметр), установленный между схемой и источником питания, обычно составляет 10 А.Если показания не сильно изменились, можно переходить к самой настройке. Отключите выход TP1, который идет на C24, чтобы питание от модулятора не попало в каскад. Подключите миллиамперметр между +24 питанием и правым преобразователем TP2. Подключаем питание, а резистором R12 выставляем выходной каскад около 30 мА. Затем восстанавливаем все связи, контролируем сигнал частотой или приемником наличия генерации. Затем установите середину диапазона и конденсаторы С19 - С21.Настройте выходной фильтр на максимальные показания индикатора. Подключаем антенну, еще раз поправляем С21 и настройка завершена.

Где найти конденсаторы. Конденсаторы керамические КМ. Особенности, сфера применения. Где я могу арендовать радиодетали?

В магазинах электротехники конденсаторы чаще всего можно увидеть в виде цилиндра, внутри которого много лент из пластин и диэлектриков.

Конденсатор - что это?

Конденсатор - это часть электрической цепи, состоящая из 2 электродов, которые могут накапливать, концентрировать или передавать ток другим устройствам.Конструктивно электроды представляют собой обкладки конденсатора, у которых заряды противоположные. Чтобы устройство работало, между пластинами помещается диэлектрик - элемент, не позволяющий двум пластинам касаться друг друга.

Определение конденсатора происходит от латинского слова «конденсо», что означает уплотнение, концентрацию.

Элементы для пайки емкостей используются для транспортировки, измерения, перенаправления и передачи электроэнергии и сигналов.

Где используются конденсаторы

Каждый начинающий любитель часто задается вопросом: зачем вам конденсатор? Новички не понимают, зачем он нужен, и ошибочно полагают, что он может полностью заменить аккумулятор или блок питания.

Все радиоустройства поставляются с конденсаторами, транзисторами и резисторами. Эти элементы составляют костяшки карт или весь модуль в схемах со статическими значениями, что делает их основой любого электроприбора, начиная от небольшого утюга и заканчивая промышленными приборами.

Чаще всего используются конденсаторы:

  1. Фильтрующий элемент для ВЧ и НЧ помех;
  2. Уровень резких скачков переменного тока, а также статики и напряжения на конденсаторе;
  3. Эквалайзер пульсаций напряжения.

Назначение конденсатора и его функции определяются целями использования:

  1. Общего назначения. Это конденсатор, в конструкции которого есть только низковольтные элементы, расположенные на небольших платах, например такие устройства, как пульт от телевизора, радио, чайник и т. Д .;
  2. Высокое напряжение. Конденсатор в цепи постоянного тока поддерживает промышленные и технические системы, находящиеся под высоким напряжением;
  3. Импульс. Емкостный формирует резкий скачок напряжения и подает его на приемную панель устройства;
  4. Пусковые установки.Используются для пайки в тех устройствах, которые предназначены для запуска, включения / выключения устройств, например, пульта дистанционного управления или блока управления;
  5. Подавление помех Конденсатор в цепи переменного тока используется в спутниковом, телевизионном и военном оборудовании.

Типы конденсаторов

Устройство конденсатора определяется типом диэлектрика. Бывают следующих типов:

  1. Жидкость. Диэлектрик в жидкой форме не распространен, в основном этот тип используется в промышленности или для радиоустройств;
  2. Вакуум.В конденсаторе нет диэлектрика, а вместо него установлены пластины в герметичном корпусе;
  3. Газообразный. Он основан на взаимодействии химических реакций и используется для производства холодильного оборудования, производственных линий и заводов;
  4. Конденсатор электролитический. Принцип основан на взаимодействии металлического анода и электрода (катода). Оксидный слой анода является полупроводниковой деталью, в результате чего данный тип схемного элемента считается наиболее производительным;
  5. Органический.Диэлектрик может быть бумажным, пленочным и т. Д. Он не способен накапливаться, а лишь немного нивелирует скачки напряжения;
  6. Комбинированный. Это включает металлическую бумагу, бумажную пленку и т. Д. Эффективность повышается, если металлический компонент является частью диэлектрика;
  7. Неорганическое. Выделяют самые распространенные: стеклянные и керамические. Их использование определяется долговечностью и прочностью;
  8. Комбинированная неорганическая. Стеклопленка, а также стеклоэмаль, отличающиеся прекрасными выравнивающими свойствами.

Типы конденсаторов

Элементы радиоплаты различаются по типу изменения емкости:

  1. Навсегда. Ячейки поддерживают постоянное напряжение емкости до конца своего срока годности. Этот вид наиболее распространен и универсален, так как подходит для изготовления любого типа устройств;
  2. Переменные Имеют возможность изменять объем бака при использовании реостата, варикапа или при изменении температурного режима.Механический метод с использованием реостата предполагает припаивание к плате дополнительного элемента, тогда как при использовании вариконда изменяется только величина входящего напряжения;
  3. Триммеры Это наиболее гибкий тип конденсаторов, с помощью которых можно быстро и эффективно увеличить пропускную способность системы с минимальными реконструкциями.

Принцип работы конденсатора

Рассмотрим, как работает конденсатор при подключении к источнику питания:

  1. Накопление заряда.При подключении к сети ток направляется на электролиты;
  2. Заряженные частицы распределяются по пластине в соответствии с ее зарядом: отрицательные - на электронах, положительные - на ионах;
  3. Диэлектрик служит барьером между двумя пластинами и не позволяет частицам смешиваться.

Емкость конденсатора определяется путем вычисления отношения заряда одного проводника к его потенциальной мощности.

Важно! Диэлектрик также может снимать возникающее напряжение на конденсаторе во время работы устройства.

Характеристики конденсатора

Характеристики условно разделены на баллы:

  1. Сумма отклонения. В обязательном порядке каждый конденсатор перед поступлением в магазин проходит серию испытаний на производственной линии. После тестирования каждой модели производитель указывает диапазон отклонений от исходного значения;
  2. Величина напряжения. Чаще всего используются элементы с напряжением 12 или 220 вольт, но существуют также элементы на 5, 50, 110, 380, 660, 1000 или более вольт.Во избежание перегорания конденсатора, пробоя диэлектрика лучше всего приобретать элемент с запасом напряжения;
  3. Допустимая температура. Этот параметр очень важен для небольших устройств, работающих от сети 220 Вольт. Как правило, чем больше напряжение, тем выше уровень допустимой температуры для работы. Температурные параметры измеряются с помощью электронного термометра;
  4. Наличие постоянного или переменного тока. Пожалуй, один из важнейших параметров, так как от него полностью зависит производительность проектируемого оборудования;
  5. Количество фаз.В зависимости от сложности устройства могут использоваться однофазные или трехфазные конденсаторы. Для прямого подключения элемента достаточно однофазной, а если плата «городская», рекомендуется использовать трехфазную, так как она более плавно распределяет нагрузку.

От чего зависит емкость

Емкость конденсатора зависит от типа диэлектрика и указывается на корпусе и измеряется в микрофарадах или мкФ. Изменяется в пределах от 0 до 9999 пФ в пикофарадах, а в микрофарадах - от 10 000 пФ до 9 999 мкФ.Эти характеристики прописаны в ГОСТ 2.702.

Примечание! Чем больше емкость электролита, тем больше время зарядки и тем больше заряда способно передать устройство.

Чем больше нагрузка или мощность, тем короче время разряда. В этом случае важную роль играет сопротивление, так как от него зависит величина выходящего электрического тока.

Основная часть конденсатора - диэлектрик. Имеет следующий ряд характеристик, влияющих на мощность оборудования:

  1. Сопротивление изоляции.Это включает как внутреннюю, так и внешнюю изоляцию из полимеров;
  2. Максимальное напряжение. Диэлектрик определяет, какое напряжение конденсатор способен накапливать или передавать;
  3. Сумма потерь энергии. Зависит от конфигурации диэлектрика и его характеристик. Как правило, энергия рассеивается постепенно или резкими импульсами;
  4. Уровень мощности. Чтобы конденсатор сохранял небольшое количество энергии в течение короткого времени, необходимо, чтобы он поддерживал постоянный объем емкости.Чаще всего выходит из строя именно из-за невозможности передать заданное количество напряжения;

Полезно знать! Аббревиатура «AC», расположенная на корпусе элемента, означает переменное напряжение. Накопленное на конденсаторе напряжение нельзя использовать или передавать - его нужно погасить.

Свойства конденсатора

Конденсатор действует как:

  1. Индуктивная катушка. Рассмотрим пример с обычной лампочкой: она загорится, только если вы подключите ее напрямую к источнику переменного тока.Из этого следует правило, что чем больше емкость, тем мощнее световой поток колбы;
  2. Зарядный аккумулятор. Свойства позволяют ему быстро заряжаться и разряжаться, тем самым создавая сильный импульс с низким сопротивлением. Используется для производства различных типов ускорителей, лазерных систем, электрических вспышек и т.д .;
  3. Аккумулятор заряжен. Мощный элемент способен длительное время сохранять полученную порцию тока, при этом может служить адаптером для других устройств.По сравнению с батареей, конденсатор через некоторое время теряет часть своего заряда, а также не может выдерживать большое количество электричества, например, в промышленных масштабах;
  4. Зарядка электродвигателя. Подключение осуществляется через третью клемму (рабочее напряжение конденсатора 380 или 220 вольт). Благодаря новой технологии появилась возможность использовать трехфазный двигатель (с поворотом фаз на 90 градусов), используя стандартную сеть;
  5. Компенсаторные устройства. Он используется в промышленности для стабилизации реактивной энергии: часть входящей мощности растворяется и регулируется до определенного объема на выходе конденсатора.

Видео

Если вы смотрели мультсериал «Футурама», то, возможно, вспомните, как робот Бендера был жадным до жадности, и он продал свое тело из титана, когда его цены взлетели до небес. Итак, именно этот эпизод я вспоминаю, когда беру радиокомпоненты в аренду.

Для тех, кто не в теме.

Практически в любом электронном компоненте, будь то транзистор или микросхема, присутствуют драгоценные металлы: золото, серебро, платина, палладий, иридий и т. Д.Эти металлы можно извлечь из использованных и старых радиодеталей, а затем использовать повторно.

К счастью, в руки мне попали несколько печатных плат с "золотыми" микросхемами и еще одно радио. До этого меня не интересовала доставка радиодеталей, и никаких позолоченных микрухов в глазах не видел. Мне не нужно большое количество устаревших и похожих радиодеталей, и я решил сдать их. Ну и тем самым немного подработать. Так я стал радиовандалом и перешел на сторону зла.

Вот плата.

Присмотритесь ...

На фото интегральный стабилизатор, микросхема КР142ЕН1Б в корпусе из "розовой" керамики с позолотой! Именно из таких микросхем можно добывать золото, поэтому они принимаются на переработку.

В каких радиодетях есть золото?

Микрочипы, содержащие золото, встречаются нечасто, но их все же можно найти в старом радиооборудовании. Я покажу только некоторые из них.

Это «розовые куртки» - декодеры 514ID2 (аналог К514ID2) с позолоченными выводами. На маркировке указано, что они были произведены в 1992 году.

Эти декодеры 514ID1 будут уже постарше, а именно 1988 года "рождения". Немного золота на них побольше. Взгляните на живот.

Так выглядят золотые микросхемы серии 564 (K564). На этом фото: Устройство арифметической логики - микросхема 564IP3 (аналог К564IP3) и сумматор 564IM1 (1KIM1).

Микросхема 564LS2 (K564LS2).Пленка по находкам - лак. Их покупают по цене примерно 15-20 рублей за штуку.

Отряд строгой логики - микросхема 564LE5 (1KLE5). У них золотые ноги и живот. На рынке их принимают по 10-12 рублей за штуку. Кстати, микросхемы в таких корпусах достаточно компактны, их можно использовать в импровизированных конструкциях. Выйдет дорого и сердито.

Так выглядят микросхемы 564LE5, 564LP2, 564TM2, 1KLA8 (564LA8), 564LA7 (1KLA7), 1KLA9 в корпусе из золотой коробки.

Для тех, кто не знает, микросхемы серии К564 (564), К176, К561, К1561 являются аналогами. Производится в различных постройках. Например, микросхему К176ЛА7 я видел только в пластиковом корпусе. А его аналог 1KLA7 (он же 564LA7, K564LA7) был замечен как в пластиковом, так и в металлическом корпусе с золотой фурнитурой.

Вообще, насколько я понимаю, микросхемы военной приемки серии К564 маркируются без первой буквы К.

Логические микросхемы 109ЛИ1. Это элемент «И» с 6 входами для работы с низкоомной нагрузкой.

В советское время драгоценные металлы не жалели для производства электронных компонентов, особенно для электроники специального назначения. Тогда, как и сейчас, составлялась документация на каждый вид электронного продукта. В нем указывалось, какие металлы и в каком количестве используются для производства одного элемента.

Если у кого-то сохранился старый отечественный магнитофон (например, «Романс»), то в инструкции к нему можно найти страницу с таблицей. В нем указывается содержание и количество драгоценных металлов в начинке данного агрегата.

Как следствие, это облегчило «оценку» принятого на переработку продукта. Поэтому покупатели отдают предпочтение деталям советского периода, к импорту относятся с легким недоверием.

Где взять радиодетали?

Радиодетали можно сдать в утиль на любом радиорынке. Наверняка уже видели вывески типа «Покупка дорогих радиодеталей». Принесите свой товар покупателю (есть на каждом радиорынке), он объявляет цену по 1 единице за каждый вид радиодеталей.Если цена вас устраивает, то отдайте свой товар покупателю, он считает или взвешивает. Взамен вы получаете кеш (т.е. наличные). Это схема. Также можно отправлять посылки с деталями по почте в специальные компании, но я не пробовал.

Как вы думаете, что больше всего нравится покупателям радиодеталей? Транзисторы? Нет. Микрочипы? Неа. Какие ?! Обожают обычные керамические конденсаторы серий КМ4, КМ5, КМ6.

Дело в том, что в этих конденсаторах платина и палладий содержатся в достаточном количестве.Один килограмм конденсаторов КМ стоит в районе нескольких десятков тысяч рублей!

Так выглядят конденсаторы КМ5.

Также ценятся «шапочка шафрановая», оранжевые конденсаторы КМ6. Я сдал те, что на фото, и покупатель без вопросов взял их. Но стоит понимать, что при непонятной маркировке даже такие конденсаторы могут не брать. Я, например, видел конденсаторы аналогичного цвета в китайских усилителях.

Конденсаторы берут на вес и без выводов (откусывают).Даже если у вас будет 20 грамм, то и взвесят, и купят. Говорят, чем больше принесете, тем выше будет цена за 1 грамм. Честно говоря, я в это не верю. Все зависит от покупателя и ценового «сговора» на радиорынке. Все покупатели на рынке знают друг друга и между ними существует определенная договоренность. Как мне объяснили, все они возвращают купленные детали одному человеку, который регулярно приходит и покупает все хорошее уже оптом.

Схема такого бизнеса довольно проста.Вы покупаете в розницу по низкой цене, а затем продаете оптом представителю компании с нефтеперерабатывающего завода. Вы зарабатываете на разнице. Что-то вроде этого.

В любом случае, сдавая радиодетали, нужно понимать, что их стоимость зависит не только от цены драгоценных металлов на Лондонской фондовой бирже и курса доллара в конкретный день, но и от покупателей. И они тоже хотят жить. Это их дело. Поэтому, прежде чем сдать товар в первый ларек покупателя, советую пройтись по радиорынку и узнать цены на то, что у вас есть.Например, я выделил целую «сеть» покупателей, которые берут запчасти очень дешево.

Если школьный курс химии для вас не прошел даром, то в голову придет вполне логичная мысль: «Почему бы самому не удалить драгоценные металлы из радиодеталей и не продать их?» Насколько я знаю, для этого можно получить АТА. Дело в том, что нарушение правил передачи драгоценных металлов государству карается 192 статьями УК РФ (глава 22).

Перечень электронных товаров, которые принимаются к переработке (скупке), достаточно большой. Это реле, транзисторы и переключатели, тумблеры, конденсаторы, переменные резисторы, реостаты, индикаторы, радиолампы и даже печатные платы! Все, что содержит драгоценные металлы в достаточном количестве. Но в большинстве случаев это, как правило, радиодетали, произведенные во времена Советского Союза.

Ближе к концу этого повествования отмечу.

Не приветствую радиовандализм.После распада союза началась лихорадка «разрушения» советского наследия. Это оборудование также включает электронное оборудование. Многие тогда зарабатывали бабушками на розничной и оптовой закупке деталей, содержащих драгоценные металлы. С тех пор прошло много лет, но бизнес по скупке радиодеталей все еще жив.

Я за грамотную утилизацию. Электроника - кладезь драгоценных металлов и редких химических элементов. Приятно, что даже на старом барахле, которое обычно выбрасывают на свалку, можно немного заработать.На полученные деньги можно купить больше необходимых запчастей.

Абсолютно везде ослепляют анонсы «скупка радиодеталей», «покупка радиодеталей по дорогам», «покупка советских транзисторов, микросхем, конденсаторов и бла-бла-бла-бла…». Но зачем, кому нужны эти устаревшие микросхемы, громоздкие транзисторы, лампы, конденсаторы?

Думаю, большинство уже в курсе - драгоценные металлы - это золото, серебро, платина, палладий. Да-да, поэтому килограммами их покупают далекие от радиотехники и электроники.Начнем с самых дорогих предметов. Представляю вам конденсаторы.

Внимание, статья написана еще в 2013 году. Сейчас цены в разы дороже!

КМ-Н30.

Цена за 1 кг таких конденсаторов достигает 70 000 рублей! Подумайте об этой сумме 0_0. Если в год собирать 2 килограмма таких кондерлеров, то целый год можно не работать :-). И я вам по секрету скажу, что некоторые люди так поступают. У некоторых бабушек и дедушек лежит старый советский приемник, допотопный телевизор или радио, поставленные в пыль.Покупатели идут домой и покупают за копейки, а иногда и даром эту технику и, конечно же, кусают и пьют дорогие радиоэлементы. Но почему эти конденсаторы самые дорогие? В них содержится самый дорогой драгоценный металл - платина и золото.

Цены на драгметаллы на конец 2012 года: золото - 1620 рублей за грамм, серебро - 30 рублей за грамм, платина - 1500 рублей за грамм, палладий - 700 рублей за грамм. Цены слегка округлены для удобства пользования. В таких конденсаторах больше всего платины, по данным интернета, до 20 грамм на 1000 штук.Теперь их достаточно сложно найти.

Также из этой серии конденсаторов КМ-5Д. Их цена может достигать до 40 000 рублей за килограмм.


Большой интерес представляют также красные конденсаторы КМ-Н30. Их цена достигает 35 000 рублей за килограмм.


И такой , что было написано H902M2 . Их цена от до 30 000 рублей за килограмм.


Как видите, ценовой диапазон конденсаторов во многом зависит от того, сколько миллиграммов драгоценных металлов содержится в каждом из них.Также они принимают множество типов других конденсаторов, но я думаю, что с ними не стоит возиться, так как их цена копейки.

Подводя итог, покупка радиодеталей, состоящих из зеленого и красного конденсаторов, - прибыльный бизнес.

Драгоценные металлы в микросхемах

Вот раздолье так раздолье. Покупается 99% любых фишек. Они могут быть в круглом, керамическом, плоском, металлическом корпусе. Но, думаю, здесь целесообразнее остановиться на наиболее прибыльных микросхемах.Есть только одно правило, если пахнет золотом, то этот чип принимают без проблем. Это могут быть позолоченные контакты или корпус. Итак, представляю вашему вниманию самые высокооплачиваемые микросхемы:

133ЛА1 - до 12 рублей за штуку


133LA8 - до 26 рублей за штуку


542НД1 - до 28 рублей за штуку


К5ЖЛ014 - до 55 рублей за штуку

K5TK011 - до 55 рублей за штуку


Имейте в виду - это лишь некоторые из их названий.Микросхемы могут быть совершенно разными по названию, но если они будут похожи на микросхемы, которые я поставил на фото, то они тоже будут приняты по той же цене. Как видите, их находки и тела позолочены. Короче, если вы что-то такое увидите, то сразу берегите себя ;-). Это также включает процессоры от компьютеров.

На фото ниже микросхемы, которые берут по хорошей цене вне зависимости от того, что на них написано. Золотой цвет дает о себе знать.


Остальные микросхемы не достойны внимания по качеству продажи драгоценных металлов, так как стоят копейки, поэтому перейдем к следующей группе радиодеталей.

Драгоценные металлы в транзисторах

Рассмотрим также самые дорогие из них.

КТ909А-Б - до 30 рублей за штуку


КТ904 907 914 «заточены» под желтый болт - до 40 рублей за штуку


КТ970А - до 30 рублей за штуку.


КТ602-604 и аналогичные с желтыми ножками. Цена за единицу - до 30 руб.


Как вы заметили, все представленные транзисторы позолочены.

Радиодетали прочие

Переменные резисторы пользуются большим спросом. Цена их варьируется от 5 до 10 рублей за штуку.


Некоторые типы реле. Например РЭС-7. Его цена до 500 рублей за штуку.


Допускаются только определенные типы реле определенных годов и серий. Кто хочет еще катушки сдать, то советую прошерстить интернет, и точно знать какие реле какого года принимают.

Ну конечно по сути разъемы с позолоченными контактами. Если вы видите на таких разъемах желтую засветку, можете смело их брать. Цены здесь также могут варьироваться от 50 копеек до 3 рублей за контакт. Умножьте цену на количество контактов - это цена разъема.




А еще советские ламели около 1000 руб / кг. Кто не понял, что такое ламели, вспомните патрон Денди 🙂


Сводка

Покупка радиодеталей - прибыльный бизнес.Если есть устаревшие детали и они валяются без дела, то конечно было бы лучше от них избавиться и заодно получить приличную сумму денег. Но не стоит быть фанатиком в этом деле. Мы с вами электронщики - люди хорошие, добрые :-). Не поддавайтесь жадности. Может быть, эти радиоэлементы принесут вам больше пользы, чем их плавление в драгоценные металлы. Не используйте дедушкиное рабочее радио или бабушкин последний телевизор в погоне за деньгами. Исследуйте мир электроники, а не избавляйтесь от него.Не все то золото, что блестит.

Компания «Астрея-Радиодетейлз» закупает по выгодным ценам конденсаторы следующей серии:

  • Конденсаторы керамические монолитные марки КМ3, КМ4, КМ5 Н90 зеленый, КМ5 Н30, КМ6 Н90, КМ6 Н30 красный, К10-17, К10-26, К10-48.
  • Конденсаторы без упаковки СССР, новые и б / у, цены и фото в каталоге. Импорты не смешиваются, сразу видно.
  • Конденсаторы импортные определенной маркировки, см. Каталог с фото и ценами.
  • Импортные конденсаторы без упаковки в настоящее время не закупаются.
  • Конденсаторы в пластиковом корпусе: К10-17, К10-23, К10-28, К10-43, К10-46, К10-47.
  • Танталовые конденсаторы советского производства серий К52-9, ЕТ, ЭТН, К53-1, К53-7, К53-16, К53-18, К53-28.
  • Конденсаторы К10-7 "красные флажки", К15У-1, К31-11, К50-6, К50-12, К53-4, К53-14, К53-21, К71-7, К73-3, К73-17, К78 -2 и им подобные не подходят, на данный момент мы такие не покупаем. Содержание драгоценных металлов в этих конденсаторах низкое или отсутствует.
  • Конденсаторы серебряно-танталовые: К52-1, К52-2, К52-5, К52-7, ЭТО-1, ЭТО-2.
  • Емкостные сборки Б-18-11, Б-20, фильтры проходные Б-23, линии задержки МЛЗ, микромодули, КРУЭ.

Перечисленную серию конденсаторов, содержащих драгоценные металлы, покупаем в любом состоянии, новые и б / у. Также закупаем импортные конденсаторы на металлолом. В нашем ассортименте представлены различные серии и типы получаемых конденсаторов, в том числе импортные.

Достаточно сравнить свои данные с фото-образцами конденсаторов на сайте и узнать точную цену для каждого типа.Отдельно стоит выделить покупные конденсаторы КМ3, КМ4, КМ5, КМ6 (в народе именуемые «каэмки» или «КМки»), содержащие такие редкоземельные драгоценные металлы, как платина и палладий. Серебро в конденсаторах КМ содержится в небольших количествах, поэтому на итоговую цену оно не влияет. В разных сериях содержание платины и палладия разное, поэтому при покупке для каждого типа конденсаторов КМ своя цена за грамм и которая меняется каждый день. Цены и фото с маркировкой конденсаторов КМ3, КМ4, КМ5, КМ6 есть в каталоге.Несомненно, конденсаторы КМ возглавляют рейтинг самых дорогих и ценных радиодеталей СССР.

Эти конденсаторы КМ по внешнему виду бывают разных цветов. Самые распространенные цвета: зеленый, красный, коричневый. Также довольно распространены конденсаторы КМ желтого, салатового и синего цветов. Конденсаторы КМ синего цвета - одни из самых первых выпусков, выпущенных в СССР в 1962-1963 годах прошлого века.

Номиналы и характеристики на корпусе еще не напечатаны в цифрах, но поставлены две цветные точки.Также по цвету точек можно определить, к какой группе, H90 или h40 принадлежит тот или иной конденсатор. Зеленые конденсаторы КМ группы х40 обычно имеют квадратную форму, толщиной до 1 мм. Группа H90 намного тоньше и в основном прямоугольной формы. Также группы h40 и H90 были окрашены в различные оттенки зеленого.

Есть еще две группы зеленых конденсаторов КМ:

  1. Группа, в маркировке которой присутствует латинская буква «D». Они на 20% дешевле группы х40 за счет меньшего содержания.
  2. Группа, в маркировке которой используется латинская буква "V". Они на 20% дороже обычного H90. Подороже принимаются только конденсаторы большой емкости с маркировкой «5V».

Конденсаторы КМ6 в основном красного цвета. По форме они напоминают подушечки. Самая распространенная группа конденсаторов красного цвета - КМ6 Н90. Но, довольно часто встречаются и группы КМ6 х40, Н50, Д, Е. Все разновидности конденсаторов КМ представлены в нашем фотокаталоге с обновленными ценами, изучив которые, вы точно будете знать, какие конденсаторы берутся в утиль и по какой цене. .Продать конденсаторы КМ не проблема, дело в том, по какой цене вы сдадите ту или иную группу или смесь, состоящую из Н90 и х40, или конденсаторы с необрезанными выводами. Например, при покупке радиодеталей в Омске или Челябинске цена конденсаторов КМ составляет всего 30% -40% от нашей цены. Поэтому многие люди, живущие в этих городах и близлежащих регионах, присылают в нашу компанию посылки с различными подходящими радиодетелями.

Если вы испытываете нехватку времени или сомневаетесь в правильности сортировки, то доверьте это дело профессионалам.Наши специалисты обработают, рассортируют их по группам и по ним рассчитают стоимость конденсаторов, стоимость от этого не изменится в худшую сторону.

Они бывают полярными и неполярными. Их отличия в том, что одни используются в цепях постоянного напряжения, а другие - в цепях переменного тока. Возможно использование конденсаторов постоянной емкости в цепях переменного напряжения при их последовательном включении с одинаковыми полюсами, но они не показывают лучших параметров.

Конденсаторы неполярные

Неполярные, как и резисторы, бывают постоянными, переменными и настраиваемыми.

Подстроечные конденсаторы используются для настройки резонансных контуров в приемопередатчике.

Рис. 1. Конденсаторы КПК

Тип КПК. Это посеребренные пластины и керамический изолятор. Они имеют емкость в несколько десятков пикофарад. Можно встретить в любых приемниках, радиоприемниках и модуляторах телевидения. Подстроечные конденсаторы также обозначаются буквами CT. Далее следует цифра, обозначающая тип диэлектрика:

1 - вакуумный; 2 - воздух; 3 - газовый; 4 - твердый диэлектрик; 5 - жидкий диэлектрик.Например, обозначение KP2 означает конденсатор переменной емкости с воздушным диэлектриком, а обозначение KT4 - настроечный конденсатор с твердым диэлектриком.

Рис.2 Современные конденсаторы микросхемы настройки

Для настройки радиоприемников на нужную частоту применяются конденсаторы переменной емкости (КПИ)


Рис.3 Конденсаторы КПИ

Их можно найти только в приемопередающем оборудовании

1- КПИ с воздушным диэлектриком, можно встретить в любом радиоприемнике 60-80-х годов.
2 - конденсатор переменного тока для блоков УКВ с нониусом
3 - конденсатор переменного тока, применяемый в приемной аппаратуре 90-х годов и по сей день, можно найти в любом музыкальном центре, магнитофоне, кассетном плеере с приемником. В основном китайского производства.

Типов постоянных конденсаторов великое множество, описать все их разнообразие в рамках данной статьи невозможно, я опишу только те, которые наиболее часто встречаются в бытовой технике.


Фиг.4 Конденсатор CSR

Конденсаторы КСО - конденсаторные слюдяные. Диэлектрик - слюда, пластины - напыление алюминия. Заливка корпуса из коричневого компаунда. Найденная в аппарате 30-70-х годов емкость не превышает нескольких десятков нанофарад, на корпусе указывается в пикофарадах нанофарад и микрофарад. Благодаря использованию слюды в качестве диэлектрика, эти конденсаторы могут работать на высоких частотах, так как они имеют низкие потери и большое сопротивление утечки порядка 10-10 Ом.


Рис.5 Конденсаторы CPC

Конденсаторы CPC - Керамический трубчатый конденсатор. В качестве диэлектрика используется керамическая трубка, серебряные пластинки. Широко применялся в колебательных цепях ламповой аппаратуры с 40-х до начала 80-х годов. Цвет конденсатора означает ТКЕ (температурный коэффициент изменения емкости). Рядом с баком, как правило, прописывается группа ТКЕ, имеющая буквенно-цифровое обозначение (Таблица 1.) Как видно из таблицы, наиболее термостойкими являются синий и серый.В целом этот тип очень хорош для ВЧ техники.

Таблица 1. Маркировка ТКЕ керамических конденсаторов

При настройке приемников часто возникает необходимость подбора конденсаторов гетеродина и входных цепей. Если в приемнике используются конденсаторы CPC, то выбор конденсаторов в этих схемах можно упростить. Для этого несколько витков провода ПЭЛ 0,3 плотно наматываются на корпус конденсатора возле выхода и один из концов этой катушки припаян к выходу конденсаторов.Раздвигая и сдвигая катушки спирали, можно регулировать емкость конденсатора в небольших пределах. Может случиться так, что, подключив конец катушки к одному из выводов конденсатора, не удастся добиться изменения емкости. В этом случае спираль следует припаять к другому выводу.


Рис. 6 Керамические конденсаторы. Советский вверху, импортный внизу.

Конденсаторы керамические, их обычно называют «красными флажками», также иногда встречается название «глиняные».Эти конденсаторы широко используются в высокочастотных цепях. Обычно эти конденсаторы не котируются и редко используются любителями, поскольку конденсаторы одного типа могут быть изготовлены из разной керамики и иметь разные характеристики. В керамических конденсаторах, выигрывая в размерах, они теряют термическую стабильность и линейность. На корпусе указана вместимость и ТКЕ (таблица 2)

стол 2

Вы только посмотрите на допустимое изменение емкости для конденсаторов с ТКЕ H90 емкость может измениться почти вдвое! Для многих целей это неприемлемо, но все же отказываться от этого типа не стоит, при небольшом перепаде температур и не жестких требованиях их можно использовать.Применяя параллельное соединение конденсаторов с разным знаком ТКЕ, можно получить достаточно высокую стабильность результирующей емкости. Встретить их можно в любой технике, особенно китайцы любят свои поделки.

Имеют обозначение емкости на корпусе в пикофарадах или нанофарадах, импортные имеют цифровую кодировку. Первые две цифры указывают значение емкости в пикофарадах (пФ), последняя - количество нулей. Если емкость конденсатора меньше 10 пФ, последняя цифра может быть «9».Для емкостей менее 1,0 пФ первая цифра - «0». Буква R используется как десятичная точка. Например, код 010 - 1,0 пФ, код 0R5 - 0,5 пФ. Несколько примеров собраны в таблице:

Буквенно-цифровая маркировка:
22p-22 пикофарад
2n2- 2,2 нанофарад
n10 - 100 пикофарад

Я хотел бы выделить керамические конденсаторы типа КМ, они используются в промышленном оборудовании и военном оборудовании, они обладают высокой стабильностью, их очень сложно найти, потому что они содержат редкоземельные металлы, и если вы нашли плату, которая использует конденсаторы этого типа, то в 70% случаев они вам вырезали).

В последнее десятилетие очень часто используются радиодетали для поверхностного монтажа, вот основные размеры корпуса керамических чип-конденсаторов

Конденсаторы типа

МБМ - металлобумажный конденсатор (рис. 6.), как правило, использовались в ламповой аппаратуре звукоусиления. Сейчас это очень ценится некоторыми аудиофилами. Также к этому типу относятся конденсаторы военного назначения К42У-2, но их иногда можно встретить в бытовой технике.


Фиг.7 МБМ и конденсатор К42У-2

Отдельно стоит отметить такие типы конденсаторов, как МБГО и МБЧ (рис. 8), часто используемые любителями в качестве пусковых конденсаторов для пусковых электродвигателей. Например, у меня запас по двигателю 7 кВт (рис. 9). Разработаны для высокого напряжения от 160 до 1000 В, что дает им множество различных применений в доме и на производстве. Следует помнить, что для использования в домашней сети нужно брать конденсаторы с рабочим напряжением не менее 350В.Такие конденсаторы можно встретить в старых бытовых стиральных машинах, различных устройствах с электродвигателями и в промышленных установках. Часто используется в качестве фильтров для акустических систем, имея для этого хорошие параметры.


Рис. 8. МБГО, МБХЧ


Фиг.9

Помимо обозначения, указывающего на конструктивные особенности (КСО - конденсатор прессованный слюдяной, КТК - керамический трубчатый и др.), Существует система обозначений конденсаторов постоянной емкости, состоящая из ряда элементов: буква К в на первом месте, а на втором - двузначное число, первая цифра которого характеризует тип диэлектрика, а вторая - особенности диэлектрика или работу, затем через дефис порядковый номер разработки.

Например, обозначение К73-17 означает пленочный полиэтилен-терефталатный конденсатор с порядковым номером проявления 17.


Рис. 10. Конденсаторы различных типов



Рис. 11. Конденсатор типа К73-15

Основные типы конденсаторов, в скобках - импортные аналоги.

K10 - Керамика, низковольтная (Upa6 K50 - Электролитическая, фольга, алюминий
K15 - Керамика, высоковольтная (Upa6> 1600B)
K51 - Электролитическая, фольга, тантал, ниобий и др.)
K20 - Кварцевый
K52 - Электролитический, объемно-пористый
K21 - Стекло
K53 - Оксидный полупроводник
K22 - Стеклокерамика
K54 - Металлический оксид
K23 - Стеклоэмаль
K60- С воздушным диэлектриком
K31 - Слюда малой мощности (Слюда)
К61 - Вакуум
К32 - Слюда высокой мощности
К71 - Пленка полистирольная (КС или ФКС)
К40 - Низковольтная бумага (Ираб К72 - Фторопластовая пленка (TFT)
К73 - Пленка полиэтилентерефталатная (КТ, ТФМ, TFF или FKT)
K41 - Высоковольтная бумага (irab> 2 kB) с подкладкой из фольги
K75 - Пленка комбинированная
K76 - Чернильная пленка (MKL)
K42 - Бумага с металлическими покрытиями (MP)
K77 - Пленка, поликарбонат (KC, MKC или FKC)
K78 - Пленка полипропиленовая (KP, MKP или FKP)

Конденсаторы с пленочным диэлектриком в простонародье называют слюдяными, разные используемые диэлектрики дают хорошие показатели ТКЕ.Либо алюминиевая фольга, либо тонкие слои алюминия или цинка, нанесенные на диэлектрическую пленку, используются в качестве пластин в пленочных конденсаторах. Они имеют достаточно стабильные параметры и используются для любых целей (не для всех типов). Они повсюду встречаются в бытовой технике. Корпус таких конденсаторов может быть металлическим или пластиковым, иметь цилиндрическую или прямоугольную форму (рис. 10). Импортные слюдяные конденсаторы (рис. 12)


Рис. 12. Конденсаторы слюдяные импортные

На конденсаторах указывается номинальное отклонение от емкости, может отображаться в процентах или иметь буквенный код.В основном в бытовой технике широко используются конденсаторы с допуском H, M, J, K. Буква, обозначающая допуск, указывается после значения номинальной емкости конденсатора, например 22 нК, 220 нМ, 470 нДж.

Таблица для расшифровки условного буквенного кода допустимого отклонения емкости конденсаторов. Допуск в%

Важно значение допустимого рабочего напряжения конденсатора, оно указывается после номинальной емкости и допуска.Он указывается в вольтах буквами B (старая маркировка) и V (новая маркировка). Например, вот так: 250В, 400В, 1600В, 200В. В некоторых случаях буква V опускается.

Иногда используется кодировка латинскими буквами. Для расшифровки следует использовать таблицу буквенного кодирования рабочего напряжения конденсаторов.

Номинальное напряжение

Буквенное обозначение

Поклонники Николы Теслы часто нуждаются в высоковольтных конденсаторах, вот некоторые из них, которые можно найти, в основном, в телевизорах в горизонтальном исполнении.


Рис. 13. Конденсаторы высокого напряжения

Полярные конденсаторы

Полярные конденсаторы включают все электролитические, а именно:

Алюминиевые электролитические конденсаторы обладают большой емкостью, невысокой стоимостью и доступностью. Такие конденсаторы широко используются в радиоаппаратуре, но имеют существенный недостаток. Со временем электролит внутри конденсатора высыхает, и они теряют емкость. Вместе с емкостью увеличивается эквивалентное последовательное сопротивление и такие конденсаторы уже не справляются со своими задачами.Обычно это становится причиной выхода из строя многих бытовых приборов. Использование бывших в употреблении конденсаторов нежелательно, но если есть желание их использовать, нужно тщательно измерить емкость и esr, чтобы потом не искать причину неработоспособности устройства. Типы алюминиевых конденсаторов перечислять не вижу смысла, так как особых отличий в них нет, кроме геометрических параметров. Конденсаторы бывают радиальными (с выводами с одного конца цилиндра) и осевыми (с выводами с противоположных концов), есть конденсаторы с одним выводом, во втором используется корпус с резьбовым наконечником (он же крепеж), например конденсаторы можно найти в старой ламповой радиотелевизионной технике.Также стоит отметить, что на материнских платах компьютеров, в импульсных блоках питания часто встречаются конденсаторы с низким эквивалентным сопротивлением, так называемым LOW ESR, поэтому они имеют улучшенные параметры и заменяются только на аналогичные, иначе будет взрыв при первом включении.


Рис. 14. Электролитические конденсаторы. Снизу - для поверхностного монтажа.

Танталовые конденсаторы лучше алюминиевых за счет использования более дорогой технологии.В них используется сухой электролит, поэтому они не склонны «пересыхать» алюминиевые конденсаторы. Кроме того, танталовые конденсаторы имеют меньшее активное сопротивление на высоких частотах (100 кГц), что важно при использовании в импульсных источниках питания. Недостатком танталовых конденсаторов является относительно большое уменьшение емкости при увеличении частоты и повышенная чувствительность к обратной полярности и перегрузкам. К сожалению, для этого типа конденсаторов характерны низкие значения емкости (как правило, не более 100 мкФ).Высокая чувствительность к напряжению вынуждает разработчиков увеличивать запас по напряжению в два и более раза.


Рис. 14. Танталовые конденсаторы. Первые три - отечественные, предпоследний импортный, последний импортный для поверхностного монтажа.

Основные размеры танталовых чип-конденсаторов:

Одна из разновидностей конденсаторов (на самом деле они полупроводниковые и мало общего с обычными конденсаторами, но все же имеет смысл упомянуть о них) включают варикапы.Это особый вид диодного конденсатора, который меняет свою емкость в зависимости от приложенного напряжения. Они используются как элементы с электрически управляемой емкостью в схемах настройки частоты колебательного контура, частотного деления и умножения, частотной модуляции, управляемых фазовращателей и т. Д.


Рис.15 Варикапы q106b, q102

Также очень интересны «суперконденсаторы» или ионисторы. Имея небольшие размеры, они обладают огромной емкостью и часто используются для питания микросхем памяти, а иногда их заменяют электрохимические батареи.Ионисторы также могут работать в буфере с батареями, чтобы защитить их от внезапных скачков тока нагрузки: при малом токе нагрузки батарея заряжает суперконденсатор, и если ток резко возрастает, ионистор отдаст накопленную энергию, тем самым уменьшив нагрузка на аккумулятор. В этом случае он размещается либо непосредственно рядом с аккумулятором, либо внутри его корпуса. Их можно встретить в ноутбуках в качестве батарейки для CMOS.

К недостаткам можно отнести:
Удельная энергия меньше, чем у батарей (5-12 Вт · ч / кг при 200 Вт · ч / кг для литий-ионных аккумуляторов).
Напряжение зависит от степени заряда.
Возможность перегорания внутренних контактов при коротком замыкании.
Большое внутреннее сопротивление по сравнению с традиционными конденсаторами (10 ... 100 Ом на ионисторе 1 Ф × 5,5 В).
Значительно больший саморазряд по сравнению с батареями: около 1 мкА для ионистора 2 × × 2,5 В.


Рис. 16. Ионисторы

Простой БП с защитой от короткого замыкания. Устройства защиты нескольких источников питания

Многие самодельные блоки имеют такой недостаток, как отсутствие защиты от реверсирования мощности.Даже опытный человек может нечаянно перепутать полярность власти. И есть большая вероятность, что после этого зарядное устройство придет в негодность.

В этой статье будут рассмотрены 3 варианта защиты от полярности , которые работают безупречно и не требуют настройки.

Вариант 1

Данная защита является наиболее простой и отличается от аналогичных тем, что в ней не используются транзисторы и микросхемы. Реле, диодная изоляция - это все его составляющие.

Схема работает следующим образом. Минус в схеме общий, поэтому будем рассматривать плюсовую цепочку.

Если аккумулятор не подключен к входу, реле находится в разомкнутом состоянии. При подключении АКБ плюс через диод VD2 поступает в катушку реле, в результате чего контакт реле замыкается, и ток основного заряда течет в АКБ.



В то же время загорается зеленый светодиод, указывая на правильность подключения.


А если убрать аккум сейчас, то на выходе схемы будет напряжение, так как ток от зарядного устройства по-прежнему будет течь через диод VD2 на обмотку реле.


Если полярность подключения поменять местами, диод VD2 будет заблокирован, и на катушку реле не будет подаваться питание. Реле работать не будет.


В этом случае загорится красный светодиод, который заведомо неправильно подключен.Это укажет на нарушение полярности подключения аккумулятора.


Диод VD1 защищает цепь от самоиндукции, которая возникает при отключении реле.


В случае введения такой защиты в автомобильное зарядное устройство стоит взять реле на 12 В. Допустимый ток реле зависит только от мощности зарядного устройства. В среднем стоит использовать реле на 15-20 А.




Эта схема до сих пор по многим параметрам не имеет аналогов.Он одновременно защищает от реверсирования мощности и короткого замыкания.

Принцип работы этой схемы следующий. При нормальной работе плюс от источника питания через светодиод и резистор R9 открывает полевой транзистор, а минус через открытый спай полевика идет на вывод схемы на аккумулятор.


При смене полярности или коротком замыкании резко возрастает ток в цепи, в результате чего на «поле» и на шунте образуется падение напряжения.Такого падения напряжения достаточно для срабатывания маломощного транзистора VT2. Открываясь, последний закрывает полевой транзистор, закрывая затвор с массой. При этом загорается светодиод, поскольку питание на него обеспечивает открытый переход транзистора VT2.


Благодаря высокой скорости отклика эта схема гарантированно защитит зарядное устройство в случае возникновения проблем с выходом.

Схема очень надежна в эксплуатации и способна оставаться в состоянии защиты бесконечно долгое время.



Это очень простая схема, которая даже не является схемой, поскольку в ней используются только 2 компонента. Это мощный диод и предохранитель. Этот вариант вполне жизнеспособен и даже применяется в промышленных масштабах.

Питание от зарядного устройства через предохранитель поступает на аккумулятор. Предохранитель выбирается исходя из максимального зарядного тока. Например, если ток 10 А, то нужен предохранитель на 12-15 А.

Диод включен параллельно и закрыт при нормальной работе.Но если поменять полярность, диод откроется и произойдет короткое замыкание.

И предохранитель - это слабое звено в этой цепи, которое при этом перегорит. После этого нужно его поменять.

Диод следует выбирать по паспорту исходя из того, что его максимальный кратковременный ток был в несколько раз больше тока сгорания предохранителя.


Такая схема не обеспечивает стопроцентной защиты, так как были случаи, когда зарядное устройство сгорало быстрее предохранителя.

Итого

По эффективности первая схема лучше остальных. Но с точки зрения универсальности и скорости отклика лучший вариант - Схема 2. Ну а третий вариант часто используется в промышленных масштабах. Такой тип защиты можно увидеть, например, на любой автомагнитоле.


Все схемы, кроме последней, имеют функцию самовосстановления, то есть работа восстановится, как только будет устранено короткое замыкание или будет изменена полярность подключения аккумулятора.


Прикрепленных файлов:

Схема подключения транзистора к источнику питания представлена ​​на рис. 1, а вольт-амперные характеристики транзистора для различных сопротивлений резистора R1 - на рис. 2. Так работает защита. Если сопротивление резистора равно нулю (т. Е. Исток подключен к затвору), а нагрузка потребляет ток около 0,25 А, то падение напряжения на полевом транзисторе не превышает 1.5 В, и почти все выпрямленное напряжение будет на нагрузке. При возникновении короткого замыкания в цепи нагрузки ток через выпрямитель резко возрастает и при отсутствии транзистора может достигать нескольких ампер. Транзистор ограничивает ток короткого замыкания на уровне 0,45 ... 0,5 А вне зависимости от падения напряжения на нем. В этом случае выходное напряжение станет равным нулю, и все напряжение будет падать на полевом транзисторе. Таким образом, в случае короткого замыкания мощность, потребляемая от источника питания, в этом примере не увеличится более чем вдвое, что в большинстве случаев вполне приемлемо и не повлияет на «здоровье» частей источника питания.

Фиг.2

Уменьшить ток короткого замыкания можно за счет увеличения сопротивления резистора R1. Подбирать резистор необходимо таким образом, чтобы ток короткого замыкания был примерно в два раза больше максимального тока нагрузки.
Такой способ защиты особенно удобен для источников питания со сглаживающим RC-фильтром - тогда вместо резистора фильтра включается полевой транзистор (такой пример показан на рис. 3).
Поскольку при коротком замыкании на полевом транзисторе падает практически все выпрямленное напряжение, его можно использовать для световой или звуковой сигнализации.Вот, например, схема включения световой сигнализации - рис. 7. Когда с нагрузкой все в порядке, загорается зеленый светодиод HL2. В этом случае падения напряжения на транзисторе недостаточно для зажигания светодиода HL1. Но при появлении короткого замыкания в нагрузке светодиод HL2 гаснет, но затем мигает красное свечение HL1.

Рис.3

Резистор R2 выбирается в зависимости от желаемого предела тока короткого замыкания согласно сделанным выше рекомендациям.
Схема подключения звукового сигнализатора показана на рис. 4. Он может быть подключен либо между стоком и истоком транзистора, либо между стоком и затвором, как светодиод HL1.
Когда на сигнализаторе появляется достаточное напряжение, включается ВЧ-генератор на однопереходном транзисторе VT2, и в наушниках BF1 слышен звук.
Однопереходной транзистор может быть КТ117А-КТ117Г, телефон может быть низкоомным (можно заменить на небольшую динамическую головку).


Рис.4

Осталось добавить, что для слаботочных нагрузок в блок питания можно ввести ограничитель тока КЗ на полевом транзисторе КП302В. При выборе транзистора для других блоков следует учитывать его допустимую мощность и напряжение сток-исток.
Конечно, такую ​​автоматику можно внедрить и в стабилизированный источник питания, не имеющий защиты от короткого замыкания в нагрузке.

Неотъемлемой частью многих радиоустройств является стабилизированный блок питания , собранный, как правило, на транзисторах.В процессе такие устройства могут случиться. перегрузка источника питания . Особенно часто это происходит с лабораторными блоками, предназначенными для тестирования и создания самых разнообразных конструкций.

Подобные нарушения нормальной работы устройства часто приводят к повреждению его элементов, чаще всего - транзистора регулирующего стабилизатора. При пробое этого транзистора на нагрузку будет приложено полное выходное напряжение выпрямителя, часто небезопасное для него.

Предохранители мало спасают от поломки блока питания и нагрузки, так как регулирующий транзистор стабилизатора часто выходит из строя до того, как сработает предохранитель.Надежную защиту в этих случаях можно обеспечить с помощью специального электронного защитного устройства.

Сборник примечаний ниже описывает сложность устройства, предложенного радиолюбителями. Выпрямителям и стабилизаторам в заметках уделено минимум внимания.

Устройства защиты Они делятся на две группы: встроенные в стабилизатор и действующий на него регулирующий транзистор (например, устройство В. Захарченко) и автономные, содержащие отдельный ключевой элемент (В.Устройство Мельникова). Устройства второй группы часто называют электронными предохранителями. Защитное устройство Н. Цесарука занимает промежуточное положение между этими группами.

Некоторые типы нагрузки имеют тенденцию к перегрузке блока питания в момент включения сети, вызывая ложное срабатывание защитного устройства. Также известны случаи, когда в момент включения усилителя НЧ из-за резкого скачка тока через громкоговоритель усилителя выходили из строя динамические головки громкоговорителей (их звуковые катушки были разрушены).Защитное устройство Л. Выскубова и В. Макарова устраняет эти недостатки.

Кажущаяся сложность защитного устройства Н. Цесарука рассчитывается высокими эксплуатационными характеристиками, в частности, быстродействием и надежностью защиты.

Часто радиолюбители оснащают блоки питания только лампами накаливания или электронно-оптическими индикаторами, сигнализирующими о перегрузке. Такие устройства целесообразны в большинстве случаев, иногда индикатора вообще достаточно, чтобы вовремя зафиксировать перегрузку блока питания и отключить его от сети.Поэтому редакция сочла возможным включить в подборку описания этих показателей.

Защитное устройство стабилизатора блока питания, схема которого приведена на рис. 1, имеет высокую быстродействие и хорошую «ретрансляцию», то есть мало влияет на характеристики блока в рабочем режиме и надежное закрытие регулирующего транзистора Т2 в режиме перегрузки. Защитное устройство состоит из тринистора D1, диодов D2 и D3 и резисторов R2 и R3.следующим образом: В рабочем режиме тринистор D1 закрыт и напряжение на базе транзистора T1 равно напряжению стабилизации цепочки стабилитронов D4, D5. При перегрузке ток через резистор R2 и падение напряжения на нем достигают значения, достаточного для размыкания цепи Bani SCR D1 для управляющего электрода. Открытый тринистор замыкает цепь стабилитронов D4, D5. в результате закрываются транзисторы Т1 и Т2.

Для восстановления рабочего режима после устранения причины перегрузки необходимо нажать и отпустить кнопку Кн1.В этом случае тринистор закрывается, а транзисторы Т1 и Т2 снова открываются. Резистор R3 и диоды D2, D3 защищают управляющий переход тринистора D3 от перегрузок по току и напряжению соответственно.

Стабилизатор имеет следующие основные параметры: входное напряжение 28-38 В, выходное стабилизированное напряжение - 24 В; коэффициент стабилизации - около 30; ток срабатывания защиты - 2 А. Скорость - несколько микросекунд.

Транзистор T2 можно заменить на KT802A, KT805B, а T1 на P307-P309.КТ601, КТ602 с любым буквенным индексом. Тринистор D1 может быть любым из серии КУ201, кроме КУ201А и КУ201Б.

В. Захарченко, Киев

* * *

Блок питания стабилизатора Схема которого представлена ​​на рис. 2, можно защитить от перегрузок и коротких замыканий нагрузки путем введения всего двух частей - тринистора D2 и резистора R5. Защитное устройство срабатывает, когда ток нагрузки превышает определенное пороговое значение, определяемое сопротивлением резистора R5.В этот момент падение напряжения на этом резисторе достигает напряжения открытия тринистора D2 (около 1 В), он открывается и напряжение на базе транзистора T1 уменьшается почти до нуля. Следовательно, транзистор Т1, а после него и Т2 закрываются, размыкая цепь нагрузки.


Для возврата стабилизатора в исходный режим кратковременно нажмите кнопку Kn1. Резистор R3 служит для ограничения тока базы транзистора T2. Резистор R5 намотан медным проводом.

Номинальное входное напряжение стабилизатора 40 В, выходное может регулироваться от 27 В до почти нуля. Максимальный ток нагрузки 2 А.

Вместо транзистора Р701А можно использовать КТ801А, КТ801Б. Транзистор Т2 можно заменить на КТ803А, КТ805А, КТ805Б, П702, П702А.

А. Бизер г. Херсон

Примечание редакции. Выходное сопротивление стабилизатора можно уменьшить на величину сопротивления резистора R5, если изменить место его включения (как показано на рис.2 пунктирными линиями). Чтобы избежать случаев ложного срабатывания защиты от зарядного тока конденсатора С2 при подключении источника питания к сети, этот конденсатор лучше снять с устройства.

* * *

Особенностью предохранителя электронного стабилизатора, схема которого приведена на рис. 3, является возможность регулирования рабочего тока. Предохранитель собран на транзисторах Т1 и Т2 (в него также входят резисторы R1-R4, стабилитрон D1, переключатель B1 и лампа накаливания L1).Установите желаемое значение тока отключения переключателем B1. Устройство работает следующим образом. В рабочем режиме из-за протекания базового тока через резистор R1 (R2 или R3) транзистор T1 открыт и падение напряжения на нем невелико. Следовательно, ток в цепи базы транзистора T2 очень мал, стабилитрон D1 включен в прямом направлении, а транзистор T2 закрыт.


С увеличением тока нагрузки стабилизатора падение напряжения на транзисторе Т1 увеличивается.В какой-то момент открывается стабилитрон D1, после чего открывается транзистор Т2, что приводит к закрытию транзистора Т1. Сейчас на этом транзисторе падает почти все входное напряжение и ток через нагрузку резко падает до нескольких десятков миллиампер. Лампа L1 загорается, указывая на предохранитель. Возврат в исходный режим осуществляется путем кратковременного отключения от сети.

Входное напряжение устройства, собранного по схеме на рис. 3, равно 50 ± 5 В, стабилизированный выход можно регулировать в диапазоне примерно от 1 до 27 В.Коэффициент стабилизации составляет около 20. Для повышения температурной стабильности выходного напряжения еще один стабилитрон D2 включен последовательно с стабилитроном в прямом направлении.


Каскад на транзисторе T1 сравнивает напряжение на резисторе R2, пропорциональное токовой нагрузке стабилизатора, с напряжением на стабилитроне D2. входит в прямое направление. При перегрузке стабилизатора напряжение на резисторе R2 становится больше напряжения на стабилитроне и транзистор Т1 открывается.Из-за действия положительной обратной связи между цепями коллектора и базы этого транзистора в системе транзистор Т1 - реле Р1 развивается процесс блокировки.

Длительность импульса около 30 мс (в случае использования реле RMU, паспорт RS4.533.360SP). Во время импульса напряжение на коллекторе транзистора Т1 резко падает. Это падение напряжения через диод Т3 передается на базу регулирующего транзистора Т2 стабилизатора (напряжение на базе транзистора становится положительным относительно эмиттера), транзистор закрывается и ток через цепь нагрузки резко уменьшается.

Одновременно с открытием транзистора Т1 через коллекторную обмотку реле Р1 начинает расти ток, и примерно через 10 мс он срабатывает, самоблокируется и размыкает цепь нагрузки с контактами Р1 / 1. В конце В процессе блокировки транзистор Т1 закрывается, реле Р1 остается включенным, а стабилизатор обесточивается. Для восстановления исходного режима отключите блок питания от сети на короткое время. Скорость электронной защиты зависит от частотных свойств транзисторов T1 и T2 и скорости нарастания тока через коллекторную обмотку реле P1 (то есть от собственной емкости и индуктивности рассеяния обмоток реле) и не превышает несколько десятков микросекунд.Защитное устройство срабатывает при токе нагрузки 0,4 А.

Блок-стабилизатор имеет коэффициент стабилизации около 50. Номинальное входное напряжение 20 В, выходное 15 В. Порог защиты можно сделать регулируемым, для чего , параллельно резистору R2 подключают переменный резистор сопротивлением 10-20 Ом, к среднему выводу которого подключают провод от вывода к базовой обмотке реле Р1.

Как только ток нагрузки достигает порогового значения, падение напряжения на резисторах R5 и R6 увеличивается настолько, что яркости светодиода оптопары становится достаточно для открытия фототиристора.Его сопротивление становится очень маленьким, и на базу транзистора Т1 подается положительное напряжение, замыкающее электронный ключ. В этом случае напряжение на нагрузке резко падает, лампа L1 гаснет. Ток, протекающий через фототиристор и резисторы R4 и R1, достаточен для удержания оптопары во включенном состоянии

Чтобы вернуть устройство в исходное состояние, необходимо кратковременно нажать кнопку Kn1. В этом случае тиристор оптопары оказывается закороченным и замкнутым, электронный ключ остается замкнутым, а конденсатор С1 разряжается.В первый момент после отпускания кнопки электронный ключ остается закрытым и плавно открывается, так как конденсатор С1 заряжается через резистор R1. Напряжение на нагрузке постепенно увеличивается до номинального (описанный процесс происходит и при включении источника питания). Это полностью исключает риск начального броска тока через нагрузку, который часто является причиной выхода из строя элементов нагрузки и источника питания. Отсутствие пускового тока, кроме того, позволяет избежать ложных срабатываний защитного устройства.

Диоды D1 и D2 ускоряют процесс перехода электронных ключевых транзисторов от насыщения к закрытию при возникновении перегрузки. Порог срабатывания ключа задается переменным резистором R5. Лампа L1 подбирается исходя из необходимого номинального напряжения на нагрузке. Транзисторы Т2 и Т3 следует устанавливать на радиатор площадью не менее 100-120 см2.

Максимальное входное напряжение, при котором возможно использование описываемого устройства, составляет 50 В; максимальный ток нагрузки - 5 А; минимальный рабочий ток равен 0.4 А. Накопление напряжения на защитном устройстве при открытом электронном ключе не превышает 1,5 В. Устройство может быть использовано для защиты выпрямителей, стабилизаторов напряжения, транзисторов мощных каскадов усилителей низкой частоты.

В. Макаров, Л. Выскубов, Ленинград

Добрый день. В этой статье хочу предложить вашему вниманию блок питания дополнительного усилителя мощности для портативной радиостанции Веда-FM. Выходное напряжение блока питания 24В, номинальный ток нагрузки 3.5А, порог срабатывания защиты от короткого замыкания - 5,5А, ток короткого замыкания - 0,06А.

Общий вид комплекта показан на фото 1.

Схема блока питания представлена ​​на рисунке 1.

Силовой трансформатор агрегата представляет собой перемотанный сетевой трансформатор от старого ТВ ТС-90-1, в качестве первичной обмотки используются все витки сетевой обмотки трансформатора. Новая вторичная обмотка содержит 2 × 65 витков провода ПЭТВ-2 диаметром 1.25 мм. При отсутствии провода такого диаметра на каждую из катушек можно намотать по 130 витков проволокой диаметром 0,9 мм. В этом случае катушки затем соединяются по фазе параллельно, сохраняя схему мостового выпрямителя. Если эти катушки соединить последовательно, то два диода можно исключить (рис. 2).

Схема стабилизатора собирается навесным способом (1 на фото 2). Конденсаторы С3 и С4 расположены в корпусе усилителя мощности. Цифрой два обозначен дополнительный регулируемый стабилизатор напряжения питания Веда-ЧМ, собранный на микросхеме КРЕН12А.Изменяя напряжение питания самой радиостанции, можно до некоторой степени изменять выходную мощность излучения усилителя. Схема этого стабилизатора находится в рубрике «Блоки питания» - «Регулятор напряжения на КР142ЕН12А». Индикатор перегрузки работает следующим образом. Напряжение на фильтрующих конденсаторах выпрямителя С1 и С2 составляет примерно 37 вольт, учитывая, что выходное напряжение составляет 24 В, напряжение между точками 1 и 2 будет в районе 13 вольт, что недостаточно для пробоя цепи. Стабилитроны VD5, VD6, так как их полное напряжение стабилизации составляет 15В.При «коротком замыкании» напряжение между этими точками возрастет, через стабилитроны будет протекать ток и загорится светодиод HL1, а светодиод HL2 погаснет. Обратите внимание на то, что на земле есть коллекторы мощных транзисторов, что, ну, просто очень удобно, размещая транзисторы прямо на корпусе изделия. Блок питания и усилитель мощности висят на стене чердака под антенной, что значительно снижает потери мощности в кабеле. До свидания. К.В.Ю.

Схема представляет собой простой транзисторный источник питания, снабженный защитой от короткого замыкания (короткого замыкания).Его схема представлена ​​на рисунке.

Основные параметры:

  • Выходное напряжение - 0..12В;
  • Максимальный выходной ток составляет 400 мА.

Схема работает следующим образом. Входное напряжение сети 220В преобразуется трансформатором в 16-17В, затем выпрямляется диодами VD1-VD4. Фильтрация пульсаций напряжения выполняется конденсатором C1. Далее выпрямленное напряжение поступает на стабилитрон VD6, который стабилизирует напряжение на его выводах до 12 В.Остающееся напряжение гасится на резисторе R2. Далее напряжение регулируется переменным резистором R3 до нужного уровня в пределах 0-12В. Затем следует усилитель тока на транзисторах VT2 и VT3, который усиливает ток до уровня 400 мА. Нагрузкой усилителя тока служит резистор R5. Конденсатор C2 дополнительно фильтрует пульсации выходного напряжения.

Защита работает так. При отсутствии КЗ на выходе напряжение на выводах VT1 близко к нулю и транзистор закрыт.Схема R1-VD5 обеспечивает смещение у своего основания на уровне 0,4-0,7 В (падение напряжения на открытом p-n переходе диода). Этого смещения достаточно, чтобы открыть транзистор при определенном уровне напряжения коллектор-эмиттер. Как только на выходе происходит короткое замыкание, напряжение коллектор-эмиттер становится отличным от нуля и равным напряжению на выходе блока. Транзистор VT1 открывается, и сопротивление его коллекторного перехода становится близким к нулю, а значит, и на стабилитроне.Таким образом, на усилитель тока подается нулевое входное напряжение, через транзисторы VT2, VT3 будет протекать очень небольшой ток, и они не выйдут из строя. Защита отключается сразу после устранения короткого замыкания.

Детали

Трансформатор может быть любым с площадью сечения сердечника 4 см 2 и более. Первичная обмотка содержит 2200 витков провода ПЭВ-0,18, вторичная - 150-170 витков провода ПЭВ-0,45. Также подойдет готовый трансформатор кадровой развертки из старых ламповых телевизоров серии ТВК110Л2 или им подобных.Диоды VD1-VD4 могут быть D302-D305, D229ZH-D229L или любыми на ток не менее 1 А и обратное напряжение не менее 55 В. Транзисторы VT1, VT2 могут быть любыми низкочастотными маломощными, например, MP39-MP42. Можно использовать кремниевые более современные транзисторы, например, КТ361, КТ203, КТ209, КТ503, КТ3107 и другие. В качестве VT3 - германий П213-П215 или более современные кремниевые мощные низкочастотные КТ814, КТ816, КТ818 и другие. При замене VT1 может оказаться, что не срабатывает защита от короткого замыкания. Затем необходимо последовательно с VD5 включить еще один диод (при необходимости - два).Если VT1 ​​кремниевый, то лучше использовать кремниевые диоды, например, КД209 (А-Б).

В заключение стоит отметить, что вместо указанных на схеме p-n-p транзисторов можно использовать аналогичные по параметрам n-p-n транзисторы (не вместо любого из VT1-VT3, а вместо всех). Потом нужно будет поменять полярность включения диодов, стабилитронов, конденсаторов, диодного моста. На выходе соответственно полярность напряжения будет другой.

Список радиоэлементов
Обозначение Тип Номинал номер Примечание Оценка Мой блокнот
VT1, VT2 Транзистор биполярный

MP42B

2 MP39-MP42, CT361, CT203, CT209, CT503, CT3107 Fivel Search К ноутбуку
VT3 Транзистор биполярный

P213B

1 P213-P215, KT814, KT816, KT818 Fivel Search К ноутбуку
VD1-VD4 Диод

D242B

4 D302-D305, D229ZH-D229L Fivel Search К ноутбуку
Vd5 Диод

KD226B

1 Fivel Search К ноутбуку
Vd6 Стабилитрон

D814D

1

ШИМ преобразователь со стабилизацией тока.Импульсный регулятор напряжения

Сам принцип широтно-импульсного моделирования (ШИМ) известен давно, но относительно недавно стал применяться в различных схемах. Это ключевой момент для работы многих устройств, используемых в различных областях: источники бесперебойного питания различной мощности, преобразователи частоты, системы контроля напряжения, тока или скорости, лабораторные преобразователи частоты и т. Д. Он отлично зарекомендовал себя в автомобилестроении. в промышленности и на производстве как элемент управления работой как служебных, так и мощных электродвигателей.Регулятор PWM хорошо зарекомендовал себя в различных схемах.

Давайте рассмотрим несколько практических примеров, показывающих, как можно управлять скоростью электродвигателя с помощью электронных схем, включающих ШИМ-контроллер. Предположим, вам нужно изменить скорость электродвигателя в системе отопления салона вашего автомобиля. Довольно полезное улучшение, не правда ли? Особенно в межсезонье, когда нужно плавно регулировать температуру в салоне. Двигатель постоянного тока, установленный в этой системе, позволяет изменять скорость, но необходимо влиять на его ЭДС.С помощью современных электронных компонентов эту задачу легко решить. Для этого в двигатель включен мощный полевой транзистор. Управляет им, как вы уже догадались, ШИМ - с его помощью вы можете изменять скорость электродвигателя в широком диапазоне.

Как ШИМ-регулятор работает в схемах В этом случае используется немного другая схема управления, но принцип работы остается прежним. В качестве примера рассмотрим работу преобразователя частоты. Такие устройства широко используются в производстве для регулирования скорости вращения двигателей.Для начала трехфазное напряжение выпрямляется с помощью моста Ларионова и частично сглаживается. И только после этого подается на мощную биполярную сборку или модуль на полевых транзисторах. Он же управляет собранным на базе микроконтроллера. Он также генерирует управляющие импульсы, их ширина и частота, необходимые для создания определенной скорости электродвигателя.

К сожалению, помимо хорошей производительности в схемах, где используется ШИМ-контроллер, обычно присутствует много шума в силовой цепи.Это связано с наличием индуктивности в обмотках электродвигателей и самой линии. Они борются с этим с помощью самых разнообразных схемотехнических решений: они устанавливают мощные сетевые фильтры в цепях переменного тока или устанавливают обратный диод параллельно двигателю в цепях питания постоянного тока.

Такие схемы отличаются достаточно высокой надежностью в эксплуатации и являются инновационными в области управления электроприводами различной мощности. Они довольно компактны и хорошо управляемы.Последние модификации таких устройств широко используются в производстве.

Представляем вашему вниманию схему на базе таймера NE 555 (отечественный аналог КР1006ВИ1).

Рис.1 Схема регулятора напряжения ШИМ

Принципиальная схема стабилизатора приведена на рис. 1. Генератор на DA1 ( NE 555 ), аналогичный описанному в пункте, работает по принципу фазового импульса, поскольку ширина импульса остается неизменной и равна сотням микросекунд, и только расстояние между двумя импульсами (фаза ) изменения.Благодаря малому току потребления микросхемы (5 ... 10 мА) я почти в 5 раз увеличил сопротивление R4, что облегчило ее тепловой режим. Ключевой каскад на VT2, VT1 собран по схеме «общий эмиттер - общий коллектор», что позволило минимизировать падение напряжения на VT1. В усилителе мощности используется всего 2 транзистора, т.к. высокий выходной ток микросхемы (по данным равный 200 мА) позволяет напрямую управлять мощными транзисторами без эмиттерного повторителя.Резистор R5 необходим для устранения сквозного тока через переходы эмиттер-база VT1 и коллектор-

.

Фиг.2

эмиттера VT2, которые включены на открытых транзисторах в виде двух диодов. Из-за относительно невысокой быстродействия этой схемы пришлось снизить частоту генератора (увеличить емкость С1). Входное напряжение должно быть максимально возможным, но не превышать 40 ... 50 В. Сопротивление резистора R8 можно рассчитать по формуле

.

Так, если на входе напряжение 40 В, а на выходе оно должно изменяться в пределах 0... 25 В, тогда сопротивление R8 примерно равно 6 кОм. Самым существенным недостатком импульсных стабилизаторов по сравнению с линейными является то, что из-за импульсного режима работы на выходе наблюдается высокий коэффициент пульсаций («свист»), который очень сложно разрушить. Желательно включить еще один подобный фильтр последовательно с фильтром L1-C3.

Самым существенным преимуществом этой схемы является ее высокий КПД, а при токе нагрузки до 200 мА радиатор на VT1 не нужен.Чертеж печатной платы стабилизатора представлен на рис. 2. Плата крепится к радиатору при помощи припаянного к нему транзистора VT1, но может быть прикреплена к шасси и отдельно от транзистора. Длина соединительных проводов в этом случае не должна превышать 10 ... 15 см. Резистор R7

Импортированный, переменный, вместо него можно использовать триммер или переменный, который находится за пределами платы. Длина проводов в этом случае не критична. Дроссель L1 намотан на кольцо наружным диаметром 10 мм... 15 мм проводом d = 0,6 ... 0,8 мм до заливки дроссель дополнительного фильтра наматывается таким же проводом на катушку от трансформатора, количество витков должно быть максимальным. Транзистор VT2 - любой средней мощности (КТ602, КТ817Б ... Г).
Конденсатор С1 - лучше пленочный (с малой утечкой). Дроссель L1 желательно залить парафином, потому что он довольно громко свистит.

А.КОЛДУНОВ

Использование различных технологий в повседневной жизни - непременный атрибут современного общества.Но не все устройства рассчитаны на подключение к стандартному источнику питания 220 В. Многие из них потребляют мощность от 1 до 25 В. Для ее подачи используется специальное оборудование.

Однако его основная задача не столько в понижении выходных параметров, сколько в поддержании их стабильного уровня в сети. Решить ее можно с помощью устройства стабилизации. Но, как правило, такие устройства довольно громоздки и не очень удобны в использовании. Оптимальный вариант - импульсный стабилизатор напряжения. От линейных он отличается не только размерами, но и принципом действия.

Что такое импульсный регулятор

Устройство, состоящее из двух основных блоков:

  • Интегрирующий;
  • Регулировки.

На первом происходит накопление энергии с последующим ее выделением. Блок управления подает ток и при необходимости прерывает этот процесс. Причем, в отличие от линейных моделей, в импульсных этот элемент может находиться в закрытом или открытом состоянии. Другими словами, он работает как ключ.

Устройство импульсное

Сфера применения таких устройств довольно широка.Однако чаще всего они используются в навигационном оборудовании, и для подключения следует приобрести стабилизатор импульсов:

  • ЖК телевизоры
  • Источники питания, используемые в цифровых системах;
  • Низковольтное промышленное оборудование.

Импульсные повышающие стабилизаторы напряжения также могут использоваться в сетях переменного тока для преобразования его в постоянный ток. Устройства этого класса также используются в качестве источников питания для мощных светодиодов, подзарядки аккумуляторов.

Как работает оборудование

Принцип работы устройства следующий.Когда регулирующий элемент закрыт, энергия накапливается в интегрирующем элементе. В этом случае происходит повышение напряжения. При открытии ключа электричество постепенно подается потребителям, что приводит к снижению напряжения.

Смотрим видео, принцип работы устройства:

Такой простой способ работы устройства позволяет экономно расходовать электроэнергию, а также позволяет создать миниатюрный агрегат.

В качестве регулирующего элемента могут использоваться следующие детали:

Интегрирующих единиц прибора:

  • Дроссельная заслонка;
  • Аккумулятор;
  • Конденсатор.

Конструктивные особенности стабилизатора связаны с принципом его работы. Есть два типа устройств:

  1. С триггером Шмитта.

Рассмотрим разницу между этими двумя типами импульсных регуляторов напряжения.

ШИМ модели

Модель PWM

Устройства этого типа имеют некоторые конструктивные отличия. Они состоят из двух основных элементов, а также:

  1. Генератор;
  2. Модулятор;
  3. Усилитель.

Их работа напрямую зависит от величины входного напряжения, а также от скважности импульсов.

Когда ключ открывается, энергия передается на нагрузку и включается усилитель. Он сравнивает значения напряжений и, определив разницу между ними, передает усиление на модулятор.

Окончательные импульсы должны иметь отклонение рабочего цикла, пропорциональное выходным параметрам. Ведь от них зависит положение ключа.При определенных значениях скважности открывается или закрывается. Поскольку в работе устройства основную роль играют импульсы, они и дали ему название.

Устройства с триггером Шмитта

Данный тип импульсных регуляторов напряжения имеет минимальный набор элементов. Основная роль в нем отводится триггеру, в состав которого входит компаратор. Задача этого элемента - сравнить значение выходного напряжения с максимально допустимым.

Смотрим видео принципа работы устройства с триггером Шмитта:

Устройство работает следующим образом.При превышении максимального напряжения курок переходит в нулевое положение при открытии ключа. При этом разряжается дроссель. Но как только напряжение достигает минимального значения, оно переключается с 0 на 1. Это приводит к замыканию ключа и протеканию тока в интегратор.

Хотя такие устройства отличаются довольно простой схемой, их можно использовать только в определенных областях. Объясняется это тем, что импульсные регуляторы напряжения могут быть повышающими или понижающими.

Классификация приборов

Разделение устройств на типы осуществляется по разным критериям. Итак, по соотношению напряжений на входе и выходе различают следующие типы устройств:

  • инвертирующий;
  • Произвольное изменение напряжения.

В качестве ключа могут использоваться следующие данные:

Кроме того, есть отличия в самой работе импульсных стабилизаторов постоянного напряжения.Исходя из этого, они классифицируются по моделям, которые работают на:

  1. На основе широтно-импульсной модуляции;
  2. Двухпозиционный.

Достоинства и недостатки стабилизаторов

Стабилизатор модульный

Как и любое другое устройство, модульный стабилизатор не идеален. У него есть свои плюсы и минусы, о которых следует знать. К достоинствам устройства можно отнести:

  • Легко достижимая стабилизация;
  • Высокая эффективность;
  • Уравнивание напряжения в широком диапазоне;
  • Стабильные выходные параметры;
  • Компактные размеры;
  • Мягкое включение.

К недостаткам устройства можно отнести, прежде всего, сложную конструкцию. Наличие в нем большого количества специфических элементов не позволяет добиться высокой надежности. Кроме того, недостатком импульсного регулятора постоянного напряжения является:

  • Создание большого количества частотных помех;
  • Сложность ремонтных работ;
  • Потребность в устройствах компенсации коэффициента мощности.

Допустимый диапазон частот

Работа данного устройства возможна при достаточно высокой частоте преобразования, что является его основным отличием от устройств с сетевым трансформатором.Увеличение этого параметра позволило добиться минимальных габаритов.

Для большинства моделей диапазон частот составляет от 20 до 80 кГц. Однако при выборе как ключевых, так и ШИМ-устройств необходимо учитывать высшие гармоники токов. В этом случае верхнее значение параметра имеет определенные ограничения, соответствующие требованиям, предъявляемым к радиочастотному оборудованию.

Применение устройств в сетях переменного тока

Устройства этого класса способны преобразовывать постоянный ток на входе в такой же на выходе.Если вы собираетесь использовать их в сети переменного тока, вам потребуется установить выпрямитель и сглаживающий фильтр.

Однако следует знать, что с увеличением напряжения на входе устройства выходной ток уменьшается и наоборот.

Возможно использование мостового выпрямителя. Но в этом случае он будет источником нечетных гармоник, и для достижения необходимого коэффициента мощности потребуется конденсатор.

Обзор производителей

При выборе стабилизатора обращают внимание не только на его технические характеристики, но и на особенности конструкции.Также важна марка производителя. Вряд ли устройство, произведенное компанией, не известной широкому кругу покупателей, будет иметь высокое качество.

Продукты Smartmodule

Поэтому большинство потребителей предпочитают выбирать модели, принадлежащие таким популярным брендам, как:

Продукция этих компаний отличается высоким качеством, надежностью и рассчитана на длительный срок службы.

Заключение

Использование бытовой техники и других электроприборов стало необходимым условием комфортной жизни.Но чтобы ваши устройства не вышли из строя при нестабильной работе электросетей, стоит заранее подумать о приобретении стабилизатора. Какую модель выбрать, зависит от параметров используемого оборудования. Если вы собираетесь подключать современные ЖК-телевизоры, мониторы и подобные устройства, то идеальный вариант - импульсный стабилизатор.

С микросхемой NE555 (аналог КР1006) знаком каждый радиолюбитель. Его универсальность позволяет создавать самые разнообразные самодельные изделия: от простого генератора однократных импульсов с двумя элементами на ремешке до многокомпонентного модулятора.В данной статье будет рассмотрена схема включения таймера в режиме генератора прямоугольных импульсов с широтно-импульсным регулированием.

Схема и принцип работы

С разработкой мощных светодиодов NE555 снова вышел на арену в качестве диммера, напомнив о его неоспоримых преимуществах. Устройства на его основе не требуют глубоких знаний электроники, быстро собираются и надежно работают.

Известно, что есть два способа управления яркостью светодиода: аналоговый и импульсный.Первый способ заключается в изменении амплитуды постоянного тока через светодиод. У этого метода есть один существенный недостаток - низкая эффективность. Второй способ заключается в изменении ширины импульса (скважности) тока с частотой от 200 Гц до нескольких килогерц. На этих частотах мерцание светодиодов невидимо для человеческого глаза. Схема ШИМ-регулятора с мощным выходным транзистором представлена ​​на рисунке. Он способен работать от 4,5 до 18 В, что говорит о возможности управлять яркостью как одного мощного светодиода, так и целой светодиодной ленты.Диапазон регулировки яркости составляет от 5 до 95%. Устройство представляет собой модифицированную версию генератора прямоугольных импульсов. Частота этих импульсов зависит от емкости С1 и сопротивлений R1, R2 и определяется по формуле: f = 1 / (ln2 * (R1 + 2 * R2) * C1), Гц

Принцип работы электронного диммера следующий. В момент подачи напряжения питания конденсатор начинает заряжаться по цепи: + Usup - R2 - VD1 –R1 –C1 - -U питание. Как только напряжение на нем достигнет уровня 2 / 3U, внутренний транзистор таймера откроется и начнется процесс разряда.Разряд начинается с верхней пластины С1 и далее по цепи: R1 - VD2 –7 вывод IC - -U пит. Достигнув отметки 1 / 3U, силовой транзистор таймера закроется и C1 снова начнет набирать емкость. В дальнейшем процесс повторяется циклически, формируя на выводе 3 прямоугольные импульсы.

Изменение сопротивления подстроечного резистора приводит к уменьшению (увеличению) длительности импульса на выходе таймера (вывод 3), в результате чего среднее значение выходного сигнала уменьшается (увеличивается).Сформированная последовательность импульсов через токоограничивающий резистор R3 поступает на затвор VT1, который включен по схеме с общим истоком. Нагрузка в виде светодиодной ленты или последовательно включенных мощных светодиодов включается в разрыв цепи стока VT1.

В данном случае установлен мощный MOSFET-транзистор с максимальным током стока 13А. Это позволяет контролировать свечение светодиодной ленты длиной в несколько метров. Однако для транзистора может потребоваться радиатор.

Блокирующий конденсатор C2 устраняет влияние шума, который может возникать в силовой цепи в моменты переключения таймера. Величина его емкости может быть любой в пределах 0,01-0,1 мкФ.

Диммерная плата и детали для сборки

Односторонняя печатная плата имеет размер 22х24 мм. Как видно из рисунка, на нем нет ничего лишнего, что могло бы вызвать вопросы.

После сборки схема ШИМ-диммера не требует регулировки, а печатную плату легко изготовить своими руками.Помимо подстроечного резистора на плате используются SMD-элементы.

  • DA1 - микросхема NE555;
  • VT1 - транзистор полевой ИРФ7413;
  • ВД1, ВД2 - 1Н4007;
  • R1 - 50 кОм, подстроечный;
  • R2, R3 - 1 кОм;
  • C1 - 0,1 мкФ;
  • C2 - 0,01 мкФ.

Транзистор VT1 следует выбирать в зависимости от мощности нагрузки. Например, для изменения яркости светодиода мощностью в один ватт будет достаточно биполярного транзистора с максимально допустимым током коллектора 500 мА.

Регулировка яркости светодиодной ленты должна осуществляться от источника напряжения +12 В и совпадать с напряжением его питания. В идеале регулятор должен питаться от регулируемого источника питания, специально предназначенного для ленты.

Нагрузка в виде отдельных мощных светодиодов питается по-разному. В этом случае стабилизатор тока (также называемый драйвером для светодиода) служит источником питания для диммера. Его номинальный выходной ток должен соответствовать току последовательно соединенных светодиодов.

Читать то же

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *