Транзистор кт818г. Транзистор КТ818Г: характеристики, применение и особенности использования

Какие основные параметры имеет транзистор КТ818Г. Где применяется данный транзистор. Как правильно использовать КТ818Г в электронных схемах. На что обратить внимание при работе с этим полупроводниковым прибором.

Содержание

Основные характеристики транзистора КТ818Г

Транзистор КТ818Г представляет собой биполярный транзистор PNP-типа средней мощности. Рассмотрим его ключевые параметры:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 90 В
Максимальный ток коллектора: 10 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
Статический коэффициент передачи тока: 15-60
Материал: кремний
Корпус: TO-220

Транзистор КТ818Г относится к мощным низкочастотным биполярным транзисторам и способен работать с большими токами и напряжениями. Это делает его подходящим для применения в различных силовых и управляющих схемах.

Области применения транзистора КТ818Г

Благодаря своим характеристикам, КТ818Г нашел широкое применение в следующих областях электроники:

Источники питания и стабилизаторы напряжения
Усилители мощности звуковой частоты
Регуляторы электродвигателей
Импульсные преобразователи
Драйверы светодиодов
Схемы защиты от перегрузки

Транзистор КТ818Г часто используется в выходных каскадах усилителей мощности, где требуется коммутировать большие токи. Также он подходит для создания различных регуляторов, работающих на средних и низких частотах.

Особенности использования КТ818Г в электронных схемах

При работе с транзистором КТ818Г следует учитывать ряд важных моментов:

Необходимость теплоотвода. При токах более 1-2 А транзистор требует установки на радиатор для эффективного отвода тепла.

Контроль напряжения коллектор-эмиттер. Не следует превышать максимально допустимое значение 90 В.
Ограничение тока коллектора. Рекомендуется использовать схемы токовой защиты для предотвращения выхода транзистора из строя.
Учет температурной зависимости параметров. При нагреве характеристики транзистора могут меняться.
Правильный выбор режима работы. КТ818Г лучше всего подходит для работы в ключевом режиме или в режиме усиления на низких частотах.

Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора КТ818Г и обеспечить его длительную и надежную работу в составе электронных устройств.

Сравнение КТ818Г с аналогами

Как определить, является ли КТ818Г оптимальным выбором для конкретной схемы? Рассмотрим его основные аналоги и их отличия:

КТ818А — имеет меньший максимальный ток (5 А) и напряжение (60 В)

КТ818Б — близкий аналог, но с меньшей рассеиваемой мощностью (40 Вт)
КТ817Г — комплементарная NPN-пара к КТ818Г
BD242 — зарубежный аналог с похожими характеристиками

КТ818Г выделяется среди аналогов сочетанием высокого допустимого напряжения и тока. Это делает его универсальным выбором для многих применений, где требуется мощный PNP-транзистор.

Схемотехнические решения с использованием КТ818Г

Рассмотрим несколько типовых схем, в которых эффективно применяется транзистор КТ818Г:

Стабилизатор напряжения

В данной схеме КТ818Г работает как регулирующий элемент, управляемый операционным усилителем:


[Схема стабилизатора напряжения с КТ818Г]

Усилитель мощности звуковой частоты

КТ818Г часто используется в выходных каскадах усилителей в паре с комплементарным NPN-транзистором:


[Схема выходного каскада УМЗЧ с КТ818Г]

Регулятор оборотов электродвигателя

В этой схеме КТ818Г работает в ключевом режиме, управляя током через обмотку двигателя:


[Схема регулятора оборотов с КТ818Г]

Эти схемы демонстрируют универсальность применения транзистора КТ818Г в различных областях электроники.

Измерение параметров и диагностика КТ818Г

Как убедиться, что транзистор КТ818Г исправен и соответствует заявленным характеристикам? Рассмотрим основные методы проверки:

Измерение статического коэффициента передачи тока с помощью транзистометра.
Проверка утечек переходов база-эмиттер и коллектор-эмиттер.
Измерение напряжения насыщения коллектор-эмиттер.
Тестирование в реальной схеме с контролем рабочих параметров.

Регулярная диагностика позволит своевременно выявить отклонения характеристик транзистора и предотвратить выход устройства из строя.

Транзистор КТ818Г | Радиодетали в приборах

Транзисторы

30.06.2019

Arazbor

Транзистор КТ818Г
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ818Г

Золото: 0.0039
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Понравилось это:

Нравится Загрузка…

Tags: транзистор

Транзисторы КТ818 в Симферополе: 7-товаров: бесплатная доставка [перейти]

Партнерская программаПомощь

Симферополь

Каталог

Каталог Товаров

Одежда и обувь

Стройматериалы

Здоровье и красота

Текстиль и кожа

Детские товары

Продукты и напитки

Электротехника

Промышленность

Дом и сад

Торговля и склад

Вода, газ и тепло

Все категории

ВходИзбранное

Транзистор КТ819ГМ кремниевый мезаэпитаксиально-планарной структуры n-p-n переключательный Тип: