Транзистор кт829 параметры. Транзистор КТ829: характеристики, применение и особенности использования — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Каковы основные параметры транзистора КТ829. Где применяется этот составной транзистор. Какие особенности следует учитывать при его использовании в схемах. На что обратить внимание при выборе аналогов КТ829.

Содержание

Основные характеристики транзистора КТ829

Транзистор КТ829 представляет собой мощный составной n-p-n транзистор, выполненный по схеме Дарлингтона. Его основные параметры:

Структура: n-p-n
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
Максимальный ток коллектора: 8 А
Коэффициент усиления по току: 750-15000
Максимальная рассеиваемая мощность: 40 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц

Как видно, КТ829 обладает высоким коэффициентом усиления и способен работать с большими токами, что определяет области его применения.

Области применения транзистора КТ829

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ829 нашел широкое применение в следующих областях:

Выходные каскады мощных усилителей звуковой частоты

Импульсные источники питания
Преобразователи напряжения
Схемы управления электродвигателями
Ключевые и регулирующие схемы

В усилителях мощности КТ829 часто используется в выходных каскадах, работающих в режиме AB. Его высокий коэффициент усиления позволяет получить большое усиление при небольшом токе базы.

Особенности использования КТ829 в схемах

При применении транзистора КТ829 в электронных устройствах следует учитывать ряд особенностей:

Высокое значение h21э требует тщательного расчета цепи базы для предотвращения насыщения транзистора.
Большое напряжение насыщения (до 4 В) снижает КПД в ключевых режимах.
Необходимо обеспечить хороший теплоотвод из-за значительной рассеиваемой мощности.
Относительно низкая граничная частота ограничивает применение на высоких частотах.

Желательно использовать цепи защиты от перегрузки по току из-за большого усиления.

Учет этих факторов позволит наиболее эффективно использовать возможности КТ829 в разрабатываемых устройствах.

Выбор аналогов транзистора КТ829

При подборе аналогов КТ829 следует обращать внимание на следующие ключевые параметры:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (не менее 100 В)
Максимальный ток коллектора (не менее 8 А)
Коэффициент усиления по току (более 1000)
Максимальная рассеиваемая мощность (около 40 Вт)

Близкими аналогами являются транзисторы TIP141, TIP142, BDX53C. При замене важно учитывать не только электрические параметры, но и тип корпуса для обеспечения нормального теплового режима.

Цоколевка и корпус транзистора КТ829

Транзистор КТ829 выпускается в металлическом корпусе КТ-28 (ТО-3). Цоколевка выводов следующая:

1 — база
2 — эмиттер
3 — коллектор (соединен с корпусом)

Корпус КТ-28 обеспечивает хороший теплоотвод, что важно для мощного транзистора. При монтаже необходимо обеспечить надежный тепловой контакт корпуса с радиатором.

Схемотехнические решения на основе КТ829

Рассмотрим несколько типовых схем с применением транзистора КТ829:

Выходной каскад УМЗЧ

В усилителях мощности звуковой частоты КТ829 часто используется в качестве выходного транзистора. Типовая схема включения:

«`text +Vcc | R1 | |/ —-||—| КТ829 Вход —-| ||\ —-|| | | R2 | Выход на динамик | GND R1 — токоограничивающий резистор (около 100 Ом) R2 — эмиттерный резистор (0.1-0.5 Ом) «`

В данной схеме КТ829 работает в режиме эмиттерного повторителя. Резистор R1 ограничивает базовый ток, а R2 обеспечивает отрицательную обратную связь по току.

Ключевой каскад

КТ829 часто применяется в ключевых схемах для управления мощной нагрузкой. Пример схемы:

«`text +Vcc | Z (нагрузка) | |/ Вход ——| КТ829 |\ | R | GND R — резистор в цепи эмиттера (10-100 Ом) Z — коммутируемая нагрузка «`

В этой схеме КТ829 работает как электронный ключ. При подаче положительного напряжения на базу транзистор открывается, пропуская ток через нагрузку Z. Резистор R обеспечивает надежное закрывание транзистора.

Меры предосторожности при работе с КТ829

При использовании транзистора КТ829 необходимо соблюдать следующие меры предосторожности:

Обеспечить надежный теплоотвод. Корпус транзистора должен быть надежно закреплен на радиаторе достаточной площади.

Использовать защиту от перегрузки по току, например, с помощью токоограничивающего резистора в цепи эмиттера.
Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов, указанные в документации.
При работе с высокими напряжениями соблюдать правила электробезопасности.
Учитывать возможность самовозбуждения из-за высокого коэффициента усиления. При необходимости применять цепи коррекции.

Соблюдение этих мер позволит обеспечить надежную и долговременную работу устройств на основе КТ829.

Тестирование и проверка исправности КТ829

Для проверки работоспособности транзистора КТ829 можно использовать следующие методы:

Проверка омметром — сопротивление переходов база-эмиттер и база-коллектор должно быть около 2 кОм в прямом направлении и стремиться к бесконечности в обратном.

Измерение коэффициента усиления с помощью специального тестера транзисторов.
Проверка работы в реальной схеме с контролем напряжения насыщения и тока утечки.

При тестировании важно не превышать предельно допустимые значения токов и напряжений, указанные в документации на транзистор.

4.4. Двухтактные ум

Двухтактные УМ ввиду возможности использования режимов АВ, В, С и D характеризуются лучшими энергетическими показателями. На рисунке 4.5 приведена схема двухтактного УМ с трансформаторной связью.

При работе данного УМ в режиме класса В, цепь резистора отсутствует. Трансформатор осуществляет согласование входа УМ с источником сигнала, трансформатор согласует выходное сопротивление УМ с сопротивлением нагрузки. Трансформатор выполняет еще и функции фазоинвертора (см. на рисунке 4.5 фазировку его обмоток).

Усиление сигнала в рассматриваемом УМ происходит в два такта работы устройства. Первый такт сопровождается усилением положительной полуволны гармонического сигнала с помощью транзистора , второй — усилением отрицательной полуволны гармонического сигнала с помощью .

Графический и энергетический расчет двухтактного трансформаторного УМ двухтактного достаточно полно представлены в классических учебниках по усилительным устройствам, например, [5,6]. Энергетический расчет показывает, что КПД такого УМ реально достигает порядка 70%, что примерно в 1,5 раза больше чем у однотактных УМ.

При выборе типа для УМ следует учитывать то обстоятельство, что на коллекторе закрытого транзистора действует напряжение, равное примерно , что объясняется суммированием и напряжения на секции первичной обмотки .

Вследствие того, что каждый транзистор пропускает ток только для одной полуволны гармонического сигнала, режим класса В характеризуется лучшим использованием транзистора по току.

Поскольку токи в секциях обмоток трансформаторов протекают в разных направлениях, отсутствует подмагничивание их сердечников. Отметим так же, что в двухтактном УМ исключена (при симметрии плеч УМ) паразитная ОС по источнику питания и в выходном сигнале отсутствуют четные гармонические составляющие.

Как уже отмечалось выше, отсутствие тока покоя в УМ класса В приводит к появлению значительных НИ. Вследствие нелинейности входных ВАХ, выходной сигнал в двухтактном УМ класса В имеет переходные искажения типа «ступеньки» (рисунок 4.6).

Уменьшение НИ возможно путем перехода к режиму класса АВ (см. рисунки 4.2 и 4.6). Т.к. токи покоя в режиме класса АВ малы, то они практически не влияют на энергетические показатели УМ.

Поскольку трансформатор является весьма «неудобным» элементом при выполнении УМ в виде ИМС и вносит существенные искажения в выходной сигнал усилителя, УМ с трансформаторами находят ограниченное применение в современной схемотехнике УУ.

В современной электронике наиболее широко применяются бестрансформаторные двухтактные УМ. Такие УМ имеют хорошие массогабаритные показатели и просто реализуются в виде ИМС.

Возможно построение двухтактных бестрансформаторных УМ по структурной схеме, показанной на рисунке 4.7.

Здесь ФИ — фазоинверсный каскад предварительного усиления (драйвер), УМ — двухтактный каскад усиления мощности.

В качестве драйвера может использоваться каскад с разделенной нагрузкой (рисунок 4.8).

Можно показать, что при , .

Несмотря на такие достоинства, как простота и малые частотные и нелинейные искажения, каскад с разделенной нагрузкой находит ограниченное применение из-за малого и разных , что приводит к несимметричности АЧХ выходов в областях ВЧ и НЧ.

Гораздо чаще применяются ФИ на основе дифференциального каскада (ДК) (рисунок 4.9).

ДК будут рассмотрены далее, пока же отметим, что через будет протекать удвоенный ток покоя транзисторов VT1 и VT2 и, следовательно, номинал резистора в схеме фазоинверсного каскада уменьшается вдвое по сравнению с расчетом каскада с ОЭ.

При рассмотрении, например, левой половины фазоинверсного каскада видно, что в цепи эмиттера транзистора VT1 (включенного с ОЭ) присутствует и параллельно ему входное сопротивление транзистора VT2 (включенного с ОБ), .

Обычно берут (или заменяют эквивалентом высокоомного сопротивления в виде источника стабильного тока, который будет рассмотрен в дальнейшем вместе с ДК), поэтому можно подставить вместо в выражение для глубины ПООСТ (см. подраздел 3.2) :

Следовательно, можно считать, что в фазоинверсном каскаде присутствует ПООСТ с глубиной, равной двум. Принимая во внимание, что относительно эмиттера VT2 транзистор VT1 включен по схеме с ОК, нетрудно показать, что при идентичности параметров транзисторов , т.е. коэффициенты передачи по напряжению плеч фазоинверсного каскада на основе ДК равны половине коэффициента передачи каскада с ОЭ.

Довольно широко применяется ФИ на комплиментарных транзисторах, вариант схемы которого представлен на рисунке 4.10.

Использование комплиментарной пары транзисторов VT1 и VT2, имеющих разную проводимость, но одинаковые параметры (например, КТ315-КТ361, КТ502-КТ503, КТ814-КТ815 и др. ) позволяет инвертировать фазу входного сигнала на 180 на первом выходе.

Кроме рассмотренных выше каскадов, в качестве фазоинверсных также применяются каскады с ОЭ, включенные согласно структурной схемы, показанной на рисунке 4.11. Отметим, что ФИ, построенный по такой схеме, имеет разбаланс АЧХ и ФЧХ выходов.

В качестве выходного каскада УМ, подключаемого к выходам ФИ, может использоваться каскад, одна из разновидностей которого приведена на рисунке 4.12.

В данном каскаде возможно использование режимов классов В, АВ, С. К достоинствам каскада следует отнести возможность использования мощных транзисторов одного типа проводимости. При использовании двухполярного источника питания возможно непосредственное подключение нагрузки, что позволяет обойтись без разделительного конденсатора на выходе, который обычно имеет большую емкость и габариты и, следовательно, труднореализуем в микроисполнении.

В целом, в УМ, выполненных по структурной схеме, представленной на рисунке 4.7, не достижим высокий КПД вследствие необходимости применения в ФИ режима класса А.

Гораздо лучшими параметрами обладают двухтактные бестрансформаторные УМ, выполненные на комплиментарных транзисторах. Такие УМ принято называть бустерами. Различают бустеры напряжения и тока. Поскольку усиление напряжения обычно осуществляется предварительными каскадами многокаскадного усилителя, а нагрузка УМ, как правило, низкоомная, то наибольшее распространение получили выходные каскады в виде бустера тока.

На рисунке 4.13 приведена схема простейшего варианта бустера тока класса В на комплиментарных транзисторах и двухполярным питанием.

При подаче на вход бустера положительной полуволны входного гармонического сигнала открывается транзистор VT1 и через нагрузку потечет ток. При подаче на вход бустера отрицательной полуволны входного гармонического сигнала открывается транзистор VT2 и через нагрузку потечет ток в противоположном направлении. Таким образом, на будет формироваться выходной сигнал.

Включение транзисторов с ОК позволяет получить малое выходное сопротивление, что необходимо для согласования с низкоомной нагрузкой для передачи в нее максимальной выходной мощности. Большое входное сопротивление позволяет хорошо согласовать каскад с предварительным усилителем напряжения. За счет 100% ПООСН .

Благодаря использованию двухполярного источника питания возможна гальваническая связь каскада с нагрузкой, что делает возможным применение токовых бустеров в усилителях постоянного тока. Кроме того, это обстоятельство весьма благоприятно при реализации бустера в виде ИМС.

Существенным недостатком рассматриваемого бустера является большие НИ ( ), что и ограничивает его практическое использование. Свободным от этого недостатка является токовый бустер класса АВ, схема которого приведена на рисунке 4.14.

Начальные токи покоя баз транзисторов здесь задаются с помощью резисторов и , а также диодов и . При интегральном исполнении в качестве диодов используются транзисторы в диодном включении. Напомним, что падение напряжения на прямосмещенном диоде , а в кремниевых ИМС с помощью диодов осуществляется параметрическая термостабилизация (см. подраздел 2.6). Сопротивление вводится для лучшего согласования с предыдущим каскадом усилителя.

При положительной полуволне входного гармонического сигнала диод подзапирается и на базе будет «отслеживаться входной потенциал, что приведет к его отпиранию и формированию на сопротивлении нагрузки положительной полуволны выходного гармонического сигнала. При отрицательной полуволне входного гармонического сигнала работает и , и на нагрузке формируется отрицательная полуволна выходного гармонического сигнала.

Для увеличения выходной мощности могут быть использованы бустеры на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона (рисунок 4.15), у которой коэффициент передачи по току равен произведению коэффициентов передачи тока базы транзисторов и причем возможна однокристальная реализация данной структуры, например, составной транзистор КТ829.

Из полевых транзисторов в УМ более пригодны МОП- транзисторы с индуцированными каналами n- и p- типа, имеющими такой же характер смещения в цепи затвор-исток, как и у биполярных, но имеющих более линейную входную ВАХ, приводящую к меньшему уровню ВАХ. Схема УМ на ПТ указанного типа приведена на рисунке 4.16.

В данном каскаде введена положительная ОС по питанию путем включения резистора последовательно с . В точку a выходное напряжение подается через конденсатор и служит «вольтодобавкой», увеличивающей напряжение питания предоконечного каскада в тот полупериод, в который ток транзистора уменьшается. Это позволяет снять с него достаточную амплитуду напряжения, необходимую для управления оконечным истоковым повторителем, повышает выходную мощность и КПД усилителя. Аналогичная схема «вольтодобавки» применяется и в УМ на БТ.

Широкое применение находят УМ, у которых в качестве предварительных каскадов применены операционные усилители. На рисунках 4.17а,б приведены соответствующие схемы УМ режимов класса В и АВ.

Данные примеры иллюстрируют еще одно направление в разработке УМ — применение общей ООС, служащей, в частности, для снижения уровня НИ.

Более подробное описание схем УМ содержится в [1,9].

Как рассчитать составной транзистор. Составной транзистор дарлингтона работа и устройство

При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше тех моделей, которые предлагают фирмы производители радиоэлектронных компонентов (или лучше чем позволяет реализовать доступная технология изготовления транзисторов). Эта ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных микросхем. Нам обычно требуются больший коэффициент усиления по току h 21 , большее значение входного сопротивления h 11 или меньшее значение выходной проводимости h 22 .

Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует много возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшая при этом его параметры. Наибольшее распространение получила схема Дарлингтона. В простейшем случае это соединение двух транзисторов одинаковой полярности. Пример схемы Дарлингтона на npn транзисторах приведен на рисунке 1.

Рисунок 1 Схема Дарлингтона на npn транзисторах

Приведенная схема эквивалентна одиночному npn транзистору. В данной схеме ток эмиттера транзистора VT1 является током базы транзистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основным преимуществом схемы Дарлингтона является высокое значение коэффициента усиления по току h 21 , которое можно приблизительно определить как произведение h 21 входящих в схему транзисторов:

(1)

Однако следует иметь ввиду, что коэффициент h 21 достаточно сильно зависит от тока коллектора. Поэтому при малых значениях тока коллектора транзистора VT1 его значение может значительно уменьшиться. Пример зависимости h 21 от тока коллектора для разных транзисторов приведен на рисунке 2

Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов от тока коллектора

Как видно из этих графиков, коэффициент h 21э практически не изменяется только у двух транзисторов: отечественный КТ361В и иностранный BC846A. У остальных транзисторов коэффициент усиления по току значительно зависит от тока коллектора.

В случае когда базовый ток транзистора VT2 получается достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения необходимого значения коэффициента усиления по току h 21 . В этом случае увеличения коэффициента h 21 и, соответственно, уменьшения тока базы составного транзистора можно добиться увеличением тока коллектора транзистора VT1. Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают дополнительный резистор, как это показано на рисунке 3.

Рисунок 3 Составной транзистор Дарлингтона с дополнительным резистором в цепи эмиттера первого транзистора

Например, определим элементы для схемы Дарлингтона, собранной на транзисторах BC846A Пусть ток транзистора VT2 будет равен 1 мА. Тогда его ток базы будет равен:

(2)

При таком токе коэффициент усиления по току h 21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может оказаться значительно меньше расчетного. Увеличив ток коллектора транзистора VT1 при помощи резистора можно значительно выиграть в значении общего коэффициента усиления h 21 . Так как напряжение на базе транзистора является константой (для кремниевого транзистора u бэ = 0,7 В), то рассчитаем по закону Ома:

(3)

В этом случае мы вправе ожидать коэффициент усиления по току до 40000. Именно таким образом выполнены многие отечественные и иностранные супербетта транзисторы, такие как КТ972, КТ973 или КТ825, TIP41C, TIP42C. Схема Дарлингтона широко используется в выходных каскадах усилителей низкой частоты (), операционных усилителей и даже цифровых , например, .

Следует отметить, что схема Дарлингтона обладает таким недостатком, как повышенное напряжение U кэ. Если в обычных транзисторах U кэ составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение возрастает до 0,9 В. Это связано с необходимостью открывать транзистор VT1, а для этого на его базу следует подать напряжение 0,7 В (если мы рассматриваем кремниевые транзисторы).

Для того, чтобы устранить указанный недостаток была разработана схема составного транзистора на комплементарных транзисторах. В российском Интернете она получила название схемы Шиклаи. Это название пришло из книги Титце и Шенка, хотя эта схема ранее имела другое название. Например, в советской литературе она называлась парадоксной парой. В книге В.Е.Хелейн и В.Х.Холмс составной транзистор на комплементарных транзисторах называется схемой Уайта, поэтому будем ее называть просто составным транзистором. Схема составного pnp транзистора на комплементарных транзисторах приведена на рисунке 4.

Рисунок 4 Составной pnp транзистор на комплементарных транзисторах

Точно таким же образом образуется npn транзистор. Схема составного npn транзистора на комплементарных транзисторах приведена на рисунке 5.

Рисунок 5 Составной npn транзистор на комплементарных транзисторах

В списке литературы на первом месте приведена книга 1974 года издания, но существуют КНИГИ и остальные издания. Есть основы, которые не устаревают длительное время и огромное количество авторов, которые просто повторяют эти основы. Рассказать понятно надо уметь! За все время профессиональной деятельности я встретил менее десяти КНИГ. Я всегда рекомендую изучать аналоговую схемотехнику с этой книги.

Дата последнего обновления файла 18.06.2018

Литература:

Вместе со статьей «Составной транзистор (схема Дарлингтона)» читают:

http://сайт/Sxemoteh/ShVklTrz/kaskod/

http://сайт/Sxemoteh/ShVklTrz/OE/

Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, они стремительно начали вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают ведущее положение в схемотехнике.

Начинающему, а порой и опытному радиолюбителю-конструктору, не сразу удаётся найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея же под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами гораздо легче строить «здание» того или другого устройства.

Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в ), рассмотрим лишь отдельные свойства и способы их улучшения.

Одна из первых проблем, возникающих перед разработчиком, — увеличение мощности транзистора. Её можно решить параллельным включением транзисторов (). Токовыравнивающие резисторы в цепях эмиттеров способствуют равномерному распределению нагрузки.

Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для уменьшения шума при усилении слабых. Уровень шумов уменьшается пропорционально корню квадратному из количества параллельно включённых транзисторов.

Защита от перегрузки по току наиболее просто решается введением дополнительного транзистора (). Недостаток такого самозащитного транзистора — снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант усовершенствования показан на . Благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, а значит, и рассеиваемую на нём мощность.

Для защиты от обратного напряжения параллельно выводам эмиттер-коллектор обычно включают диод, как, например, в составных транзисторах типа КТ825, КТ827.

При работе транзистора в ключевом режиме, когда требуется быстрое его переключение из открытого состояния в закрытое и обратно, иногда применяют форсирующую RC-цепочку (). В момент открывания транзистора заряд конденсатора увеличивает его базовый ток, что способствует сокращению времени включения. Напряжение на конденсаторе достигает падения напряжения на базовом резисторе, вызванного током базы. В момент закрывания транзистора конденсатор, разряжаясь, способствует рассасыванию неосновных носителей в базе, сокращая время выключения.

Повысить крутизну транзистора (отношение изменения тока коллектора (стока) к вызвавшему его изменению напряжения на базе (затворе) при постоянном Uкэ Uси)) можно с помощью схемы Дарлингтона (). Резистор в цепи базы второго транзистора (может отсутствовать) применяют для задания тока коллектора первого транзистора. Аналогичный составной транзистор с высоким входным сопротивлением (благодаря применению полевого транзистора) представлен на . Составные транзисторы, представленные на рис. и , собраны на транзисторах разной проводимости по схеме Шиклаи.

Введение в схемы Дарлингтона и Шиклаи дополнительных транзисторов, как показано на рис. и , увеличивает входное сопротивление второго каскада по переменному току и соответственно коэффициент передачи . Применение аналогичного решения в транзисторах рис. и даёт соответственно схемы и , линеаризируя крутизну транзистора .

Широкополосный транзистор с высоким быстродействием представлен на . Повышение быстродействия достигнуто в результате уменьшения эффекта Миллера аналогично и .

«Алмазный» транзистор по патенту ФРГ представлен на . Возможные варианты его включения изображены на . Характерная особенность этого транзистора-отсутствие инверсии на коллекторе. Отсюда и увеличение вдвое нагрузочной способности схемы .

Мощный составной транзистор с напряжением насыщения около 1,5 В изображён на рис.24. Мощность транзистора может быть значительно увеличена путём замены транзистора VT3 на составной транзистор ().

Аналогичные рассуждения можно привести и для транзистора p-n-p типа, а также полевого транзистора с каналом p-типа. При использовании транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме возможны два варианта включения нагрузки: в цепь коллектора () или в цепь эмиттера ().

Как видно из приведённых формул, наименьшее падение напряжения, а соответственно и минимальная рассеиваемая мощность — на простом транзисторе с нагрузкой в цепи коллектора. Применение составного транзистора Дарлингтона и Шиклаи с нагрузкой в цепи коллектора равнозначно. Транзистор Дарлингтона может иметь преимущество, если коллекторы транзисторов не объединять. При включении нагрузки в цепь эмиттера преимущество транзистора Шиклаи очевидно.

Литература:

1. Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М.: Энергия, 1977.
2. Патент США 4633100: Публ. 20-133-83.
3. А.с. 810093.
4. Патент США 4730124: Публ.22-133-88. — С.47.

1. Увеличение мощности транзистора.

Резисторы в цепях эмиттеров нужны для равномерного распределения нагрузки; уровень шумов уменьшается пропорционально квадратному корню из количества параллельно включённых транзисторов.

2. Защита от перегрузки по току.

Недостаток-снижение КПД из-за наличия датчика тока R.

Другой вариант — благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, и на нём будет рассеиваться меньшая мощность.

3. Составной транзистор с высоким выходным сопротивлением.

Из-за каскодного включения транзисторов значительно уменьшен эффект Миллера.

Другая схема — за счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор имеет ещё более высокие динамические характеристики (единственное условие — второй транзистор должен иметь более высокое напряжение отсечки). Входной транзистор можно заменить на биполярный.

4. Защита транзистора от глубокого насыщения.

Предотвращение прямого смещения перехода база-коллектор с помощью диода Шоттки.

Более сложный вариант — схема Бейкера. При достижении напряжением на коллекторе транзистора напряжения базы «лишний» базовый ток сбрасывается через коллекторный переход, предотвращая насыщение.

5. Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.

С датчиком тока базы.

С датчиком тока коллектора.

6. Уменьшение времени включения/выключения транзистора путём применения форсирующей RC цепочки.

7. Составной транзистор.

Схема дарлингтона.

Схема Шиклаи.

Если открыть любую книгу по электронной технике, сразу видно как много элементов названы по именам их создателей: диод Шоттки , диод Зенера (он же стабилитрон), диод Ганна, транзистор Дарлингтона.

Инженер-электрик Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington) экспериментировал с коллекторными двигателями постоянного тока и схемами управления для них. В схемах использовались усилители тока.

Инженер Дарлингтон изобрёл и запатентовал транзистор, состоящий из двух биполярных и выполненный на одном кристалле кремния с диффундированными n (негатив) и p (позитив) переходами. Новый полупроводниковый прибор был назван его именем.

В отечественной технической литературе транзистор Дарлингтона называют составным. Итак, давайте познакомимся с ним поближе!

Устройство составного транзистора.

Как уже говорилось, это два или более транзисторов, изготовленных на одном полупроводниковом кристалле и запакованные в один общий корпус. Там же находится нагрузочный резистор в цепи эмиттера первого транзистора.

У транзистора Дарлингтона те же выводы, что и у всем знакомого биполярного: база (Base), эмиттер (Emitter) и коллектор (Collector).

Схема Дарлингтона

Как видим, такой транзистор представляет собой комбинацию нескольких. В зависимости от мощности в его составе может быть и более двух биполярных транзисторов. Стоит отметить, что в высоковольтной электронике также применяется транзистор, состоящий из биполярного и полевого. Это IGBT транзистор . Его также можно причислить к составным, гибридным полупроводниковым приборам.

Основные особенности транзистора Дарлингтона.

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h 21 ). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n . Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие , поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Основные электрические параметры:

Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

Напряжение эмиттер – база 5 V;

Ток коллектора – 15 А;

Ток коллектора максимальный – 30 А;

Мощность рассеивания при 25 0 С – 135 W;

Температура кристалла (перехода) – 175 0 С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n , а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p .

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

Примеры применения составного транзистора.

Рассмотрим схему управления коллекторным двигателем с помощью транзистора Дарлингтона.

При подаче на базу первого транзистора тока порядка 1мА через его коллектор потечёт ток уже в 1000 раз больше, то есть 1000мА. Получается, что несложная схема обладает приличным коэффициентом усиления. Вместо двигателя можно подключить электрическую лампочку или реле, с помощью которого можно коммутировать мощные нагрузки.

Если вместо сборки Дарлингтона использовать сборку Шиклаи то нагрузка подключается в цепь эмиттера второго транзистора и соединяется не с плюсом, а с минусом питания.

Если совместить транзистор Дарлингтона и сборку Шиклаи, то получится двухтактный усилитель тока. Двухтактным он называется потому, что в конкретный момент времени открытым может быть только один из двух транзисторов, верхний или нижний. Данная схема инвертирует входной сигнал, то есть выходное напряжение будет обратно входному.

Это не всегда удобно и поэтому на входе двухтактного усилителя тока добавляют ещё один инвертор. В этом случае выходной сигнал в точности повторяет сигнал на входе.

Применение сборки Дарлингтона в микросхемах.

Широко используются интегральные микросхемы, содержащие несколько составных транзисторов. Одной из самых распространённых является интегральная сборка L293D. Её частенько применяют в своих самоделках любители робототехники. Микросхема L293D — это четыре усилителя тока в общем корпусе. Поскольку в рассмотренном выше двухтактном усилителе всегда открыт только один транзистор, то выход усилителя поочерёдно подключается или к плюсу или к минусу источника питания. Это зависит от величины входного напряжения. По сути дела мы имеем электронный ключ. То есть микросхему L293 можно определить как четыре электронных ключа.

Вот «кусочек» схемы выходного каскада микросхемы L293D, взятого из её даташита (справочного листа).

Как видим, выходной каскад состоит из комбинации схем Дарлингтона и Шиклаи. Верхняя часть схемы — это составной транзистор по схеме Шиклаи, а нижняя часть выполнена по схеме Дарлингтона.

Многие помнят те времена, когда вместо DVD-плееров были видеомагнитофоны. И с помощью микросхемы L293 осуществлялось управление двумя электродвигателями видеомагнитофона, причём в полнофункциональном режиме. У каждого двигателя можно было управлять не только направлением вращения, но подавая сигналы с ШИМ-контроллера можно было в больших пределах управлять скоростью вращения.

Весьма обширное применение получили и специализированные микросхемы на основе схемы Дарлингтона. Примером может служить микросхема ULN2003A (аналог К1109КТ22). Эта интегральная схема является матрицей из семи транзисторов Дарлингтона. Такие универсальные сборки можно легко применять в радиолюбительских схемах, например, радиоуправляемом реле. Об этом я .

Дарлингтона), часто являются составным элементов радиолюбительских конструкций. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десятки раз. Однако добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, воздействующему на каскад, удается не всегда. Усилители по , состоящие из двух биполярных транзисторов (Рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значение электрических параметров, указанных в справочной литературе.

С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Одним из них — самым простым — является наличие в паре транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса по напряжению коллектор-эмиттер. Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к увеличению себестоимости конструкции. Можно, конечно, приобрести специальные составные кремниевые в одном корпусе, например: КТ712, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ973 и др. Этот список включает мощные и средней мощности приборы, разработанные практически для всего спектра радиотехнических устройств. А можно воспользоваться классической — с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа КП501В — или использовать приборы КП501А…В, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (Рис. 1.24). При этом вывод затвора подключают вместо базы VT1, а вывод истока — вместо эмиттера VT2, вывод стока — вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

Рис. 1.24. Замена полевыми транзисторами составного транзистора по

После такой несложной доработки, т.е. замены узлов в электрических схемах, универсального применения, тока на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем ограничительного резистора в цепи затвора VT1 также увеличивается в несколько раз. Это приводит к тому, что имеют более высокое входное и, как следствие, выдерживают перегрузки при импульсном характере управления данным электронным узлом.

Коэффициент усиления по току полученного каскада не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.

VT1, VT2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А…В можно без потери качества работы устройства использовать микросхему 1014КТ1В. В отличие, например, от 1014КТ1А и 1014КТ1Б эта выдерживает более высокие перегрузки по приложенному напряжению импульсного характера — до 200 В постоянного напряжения. Цоколевка включения транзисторов микросхемы 1014КТ1А…1014К1В показана на Рис. 1.25.

Так же как и в предыдущем варианте (Рис. 1.24), включают параллельно.

Цоколевка полевых транзисторов в микросхеме 1014КТ1А…В

Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных по . Такие узлы используются в радиолюбительских конструкциях в качестве токовых ключей аналогично составным транзисторам, включенным по . К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэкономичность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входного они практически не потребляют тока. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она практически такая же, как и стоимость среднемощных транзисторов типа , (и аналогичным им), которые принято использовать в качестве усилителя тока для управления устройствами нагрузки.

В интегральных схемах и дискретной электронике большое распространение получили два вида составных транзисторов: по схеме Дарлингтона и Шиклаи. В микромощных схемах, например, входные каскады операционных усилителей, составные транзисторы обеспечивают большое входное сопротивление и малые входные токи. В устройствах, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных каскадов усилителей мощности) для повышения КПД необходимо обеспечить высокий коэффициент усиления по току мощных транзисторов.

Схема Шиклаи реализует мощный p-n-p транзистор с большим коэффициентом усиления с помощью маломощного p-n-p транзистора с малым В и мощного n-p-n транзистора (рисунок 7.51 ). В интегральных схемах это включение реализует высокобетный p-n-p транзистор на основе горизонтальных p-n-p транзистора и вертикального n-p-n транзистора. Также эта схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах, когда используются выходные транзисторы одной полярности (n-p-n ).

Рисунок 7. 51 — Составной p-n-p транзистор Рисунок 7.52 — Составной n-p-n по схеме Шиклаи транзистор по схеме Дарлингтона

Схема Шиклаи или комплементарный транзистор Дарлингтона ведет себя, как транзистор p-n-p типа (рисунок 7.51 ) с большим коэффициентом усиления по току,

Входное напряжение идентично одиночному транзистору. Напряжение насыщения выше, чем у одиночного транзистора на величину падения напряжения на эмиттерном переходе n-p-n транзистора. Для кремниевых транзисторов это напряжение составляет порядка одного вольта в отличие от долей вольта одиночного транзистора. Между базой и эмиттером n-p-n транзистора (VT2) рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением для подавления неуправляемого тока и повышения термоустойчивости.

Транзистор Дарлингтона реализуется на однополярных транзисторах (рисунок 7.52 ). Коэффициент усиления по току определяется произведением коэффициентов составляющих транзисторов.

Входное напряжение транзистора по схеме Дарлингтона в два раза больше, чем у одиночного транзистора. Напряжение насыщения превышает выходного транзистора. Входное сопротивление операционного усилителя при

Схема Дарлингтона используется в дискретных монолитных импульсных транзисторах. На одном кристалле формируются два транзистора, два шунтирующих резистора и защитный диод (рисунок 7.53 ). Резисторы R 1 и R 2 подавляют коэффициент усиления в режиме малых токов, (рисунок 7.38 ), что обеспечивает малое значение неуправляемого тока и повышение рабочего напряжения закрытого транзистора,

Рисунок 7.53 — Электрическая схема монолитного импульсного транзистора Дарлингтона

Резистор R2 (порядка 100 Ом) формируется в виде технологического шунта, подобно шунтам катодного перехода тиристоров. С этой целью при формировании — эмиттера с помощью фотолитографии в определенных локальных областях оставляют окисную маску в виде круга. Эти локальные маски не позволяют диффундировать донорной примеси, и под ними остаются p- столбики (рисунок 7.54 ). После металлизации по всей площади эмиттера эти столбики представляют собой распределенное сопротивление R2 и защитный диод D (рисунок 7.53 ). Защитный диод предохраняет от пробоя эмиттерные переходы при переполюсовке коллекторного напряжения. Входная мощность потребления транзистора по схеме Дарлингтона на полтора два порядка ниже, чем у одиночного транзистора. Максимальная частота переключений зависит от предельного напряжения и тока коллектора. Транзисторы на токи успешно работают в импульсных преобразователях до частот порядка 100 кГц. Отличительной особенностью монолитного транзистора Дарлингтона является квадратичная передаточная характеристика, так как В- амперная характеристика линейно возрастает с ростом тока коллектора до максимального значения,

Datasheet Search Sites for Semiconductor

Что такое техническое описание?

Спецификация представляет собой своего рода руководство по полупроводниковым, интегрированным схемам. Спецификация — это документ в печатном или электронном виде, в котором содержится подробная информация о продукте, таком как компьютер, компьютерный компонент или программа. Техническое описание включает информацию, которая может помочь в принятии решения о покупке продукта, предоставляя технические характеристики продукта.

Как читать техническое описание

Чтение технического описания может оказаться непростой задачей, особенно если вы не знакомы с терминологией и символами, используемыми в документе. Однако, немного попрактиковавшись, вы сможете быстро научиться ориентироваться в таблицах данных и понимать их. Вот несколько советов по чтению технического описания:

1. Начните с основ. Первый раздел технического описания обычно содержит основную информацию, такую как номер детали, производитель и тип упаковки.

2. Разберитесь с выводами: схема выводов является одной из наиболее важных частей технического описания, так как она показывает, как компонент подключается к другим компонентам в цепи.

3. Проверьте электрические характеристики. В разделе электрических характеристик содержится информация о напряжении, токе, рассеиваемой мощности и других электрических характеристиках компонента.

4. Содержимое файла обычно содержит детали, упаковки, коды заказа и максимальные номинальные напряжения.

Раньше он распространялся в виде книги, называемой книгой данных, но теперь он доступен в виде файла PDF. Обычно предоставляется в виде PDF-файла. Как правило, таблицы данных часто имеют несколько дистрибутивов, поэтому полезно проверить последние таблицы данных.

Тем не менее рекомендую свериться с техническими данными за тот период времени, когда вам известен год производства деталей, которыми вы владеете.

Сайты ссылок

1. Сайт с техническими данными предоставлен магазином полупроводников

https://www.arrow.com/
https://www.digikey.com/
https://www.mouser.com/
http://www.element14.com/
https://www. verical.com/
http://www.chip1stop.com/
https://www.avnet.com/
http://www.newark.com/
http://www.futureelectronics.com/
https://www.ttiinc.com/

2. Datasheet Search Site Collection

http://www.datasheet39.com/
http://www.datasheet4u.com/
http://www.datasheetcatalog.com/
http://www.alldatasheet.com/
http://www.icpdf.com/
http://www.htmldatasheet.com/
http://www.datasheets360.com/
https://octopart.com/

Octopart — поисковая система для электронных и промышленных деталей. Найдите данные детали , проверьте наличие и сравните цены у сотен дистрибьюторов и тысяч производителей.

3. Другие семейства сайтов, связанные со спецификациями

https://en.wikipedia.org/wiki/Datasheet
http://www. smdcode.com/ru/
http://www.s-manuals.com/smd
http://www.qsl.net/yo5ofh/data_sheets/data_sheets_page.htm

4. Как читать технические характеристики

https://www.sparkfun.com/tutorials/223
http://www.analog.com/en/education/education-library/webcasts/how-to-read-datasheet.html

Поиск по блогам

Искать:

Последние сообщения

TDA7340 — ПРОЦЕССОР АУДИОСИГНАЛОВ
C5586 PDF — 600 В, 5 А, транзистор, Sanken
25L1606E — MX25L1606E
IN1M101 — Прецизионная ИС контроля отключения переменного тока
15N03GH — 30 В, 15 А, силовой МОП-транзистор
TL555I PDF – Таймер LinCMOS – Texas Instruments
AN7161NFP — усилитель мощности BTL High Audio
LM7810 — 3-контактные стабилизаторы напряжения с фиксированным выводом серии LM7800

Избранные сообщения

Архивы

Сайт поиска спецификаций

Datasheet39. com
Спецификацииpdf.com

Мета

Записи RSS

Электрическая цепь стробоскопа от реле поворота. Простите стробоскопию рукой. Для флигеля познакомиться

Головна/Корисное ПЗ

Интерес современного водителя автомобиля не связан уважением к машине как к причине переезда. Богато, что немаловажно, тот эффект и умиление, которое можно произвести на всех участников движения. После повсеместного забора на имитаторы мигалок правоохранителей и служебных машин, как будто и не было моды на стробоскоп на воротах, этот возвышенный сигнал стал набирать силу.

Большинство схем наведения признано не для полной имитации сигналов служебных автомобилей, скорее чисто спортивный интерес. А кому она за что штрафы платит, сама шкурку накручивает, выходит из способностей.

Используйте несколько простых способов организации стробоскопа на автомобиле, соблюдайте все с учетом количества сил и затрат, поскольку можно использовать автомобильный стробоскоп на протяжении всей жизни. Чаще всего требуется максимально реалистичная мера стробоскопов.

На практике переписан образец простых схем световых стробоскопов для автомобилей:

для простейшей схемы с выбором двух реле 494.3787;
на основе таймера 555 и схемы к561іє8;
на микроконтроллере PIC12F675;
на элементной базе транзисторов 315 серии.

До встречи! Самый безопасный и популярный способ – добиться кричащего эффекта, установив свет фарами автомобиля. Это красиво и стильно.

Выбираем автомобильный стробоскоп своими руками

Сам по простому наводим новую цепь на авто, там будет пара реле поворотников, реле стартера, и пара пилотных резисторов. Такую схему стробоскопа легко подобрать своими руками, при этом не обязательно приобретать специальные знания или быть новичком.

Показана схема переноса подключения на дневную систему зажигания автомобиля. За вышками можно включить дневные ходовые огни или мигающие огни стробоскопа. Преимуществом такого подхода является наличие в схеме электронных компонентов, чувствительных к замене электронных компонентов. Релюшки, внушать временами реванширование электрического фонаря, избавляться от них, желая иметь возможность довести охрану до выгорания.

Чтобы вдохновить цепь, нужно наступить на стробоскоп.

С другой стороны корпус реле поворота выделен, и можно внимательно рассмотреть постоянный резистор белого цвета с числовым поперечным цветным гнездом.
У сменной опоры 20-25 кОм припаян средний электрод одной из основных.
Сменную опору для замены выносного элемента припаиваем таким образом, чтобы после поворотного складывания можно было обернуть поворотный стержень сменного резистора.
Выбираем схему, аналогичная процедура проводится с другим реле.
Выбираем изображение на схеме, и после подачи напряжения жизни поворотом силовых стержней подбираем и синхронизируем частоту мигания стробоскопов на машине.

Если выбрать другую опору 450 кОм, частота миготин будет значительно меньше, но для более точного подбора частоты миготиння можно выбрать несколько разных опор и выйти на нужную частоту.

Побудов схемы на базе микропроцессора

Наиболее «вникшие» в основы микроэлектроники автолюбители обеспокоены тем, что наиболее работоспособной будет схема стробоскопа на базе контроллера. На микроконтроллере PIC12F675 схема способна обеспечить импульс потока до одного ампера с регулируемой троичностью.

Схема стробоскопа для автомобиля легко подобрать своими руками. Как преимущество, чаще всего устанавливается пакет световых элементов, с возможностью изменения частоты стробоскопа на светодиодах. Сам процессор управляет двумя жесткими транзисторами КТ817 и можно увидеть разные комбинации сигналов. Сама система расширена в промышленных схемах сервисных проблесковых маячков, особенно для простых систем стробоскопов на решетке радиатора автомобиля.

Самое главное для подключаемых подобных схем — высокая чувствительность любых микропроцессоров к перенапряжению или к режиму короткого замыкания. Таким образом, при складывании этой пары обуви по принципу «язычок и паз» обеспечивается хорошее заземление. Кроме того, у робота есть победно-стабилизированный ресурс, для этих целей выигрышна схема на спаренном низковольтном стабилитроне.

При подключении цепи стробоскопа к электропроводке автомобиля необходимо переподключение АКБ, запуск и проверка цепи категорически блокируется при наличии напряжения.

Полицейский стробоскоп своими руками на логическом свете

С целью устранения эффекта, аналогичного мерехтиння световых диодов у стробоскопа на служебных моторах силовиков, можно ускорить вариант на логическом часы серии 561 и таймеры 555. Схема на выход более раскладная, чем передние, но за явную ставку на годы бесплатного часа и вминня пайки можно подобрать небольшую самоуверенность на другой плате.

Как преимущество, викоровые пакеты выполнены со светодиодами от глубокого, тихоходного бренчания не более 3А; галогенные лампы с загальной поддерживающей активностью до 30 Вт.

Особенности подсказки аналогичной схемы стробоскопа на светодиодах цікава особенности формирования ферросигнала Микросхема на 555 витков выполняет роль провода ферросигнала, который должен быть на входе личника. Не вдаваясь в особенности работы стробоскопа, можно лишь увидеть, что схема зажигания и гашения фар скопирована со стробоскопа полицейской машины.

Импульсы прямоугольной формы подаются на личник и суммируются. После первого запрограммированного часа потенциал на контактах, которыми вы управляете, меняется с высокого на низкий.

Працює стробоскопа примерно так: кожа из пакета светодиодов скалывалась, давая сутки запрограммированное количество спалах и гася, давала сигнал на передачу на встречный пакет светодиодов и так в циклическом режим.

Важно! Подобно ключам керуючи в схеме стробоскопа, використан КТ819или биполярный KT818, который позволяет керуватить большие струмы в полевых условиях.

На срок службы 555 микросхем максимальное напряжение жизни не может быть увеличено более 18 Вольт, для большего диапазона работы стабилизатор не увеличивает страховку и сохраняет работоспособность схемы при снижении напряжения до 5 В.

Как собрать стробоскоп своими руками из простых запчастей

Самый бюджетный способ получить стробоскоп на светодиодах своими руками — не покупать кучу запчастей для радиолинии за тысяча шпрот, да попробуй використовувать старый радянский чи китайскими запчастями.

Подобно сигналу використовуемо микро 155 серии, возможен AG1. После подачи жизни микросхема устанавливает положительный потенциал на выходе тока, а в мире зарядки конденсатора потенциал падает и выводит сигнал тока на КТ315. Емкость конденсатора показывает хорошее значение, при 0,1 мкФ она становится примерно 0,01 сек, что достаточно для снятия необходимого оптического эффекта.

На 6 узле 155 мкЗ формируется серия импульсов, связанных с импульсами системы зажигания. В них используются два транзистора КТ 829на электрический ток.

Если схема стробоскопа более 60 Вт, используйте алюминиевые радиаторы для охлаждения транзисторов.

Podbag или дизайнерский световой стробоскоп для автомобилей

Для любителей автономных стробоскопов иногда важнее придать факт самостоятельности самосветящемуся освещению, аналогичному полицейскому. По этой причине сам пакет лампочек более всего светоизлучающий и светоизлучающий, благодаря чему его легко установить на капот автомобиля. Кроме того, для большей маскировки зверя такой колодки надевается легкий пластиковый чехол. старомодный вид сильный лихтар такси.

Преимущество такого конструктивного решения в том, что насадки стробоскопа легко снимаются и надеваются на крючок. Поверх пластикового капота надевают стробоскоп, чтобы облегчить жизнь таксисту и не выдать уважения к полицейским на вокзале, или когда машина в пути.

Другой вариант установки — установка пакета светодиодов стробоскопа в районе решетки радиатора автомобиля или в пустой фаре. Цена дорогого и действенного способа, опробовать действующую оптику при переделке автомобилей, а в случае конфликтов с правоохранителями, может стать заменой постановки автомобиля на автостоянку.

Специалисты карбюраторных автомобилей мало знают о сложностях процесса регулировки зажигания. Прозвенеть быть робким на слух, это не так уж и просто. Використовуючи строб, це можно зажигалку. Однако соорудить стробоскоп для освещения своими руками очень дорого.

Недолики промышленные модели

Промысловые пристройки могут иметь незначительные доли, через какую корыстность применения сумнівнівна.

За початки цена за них целый день. Например, современные цифровые модели обойдутся автомобилисту в 1000 рублей. Более функциональные модели должны быть ближе к 1700. Вставки со стробоскопами стоят ближе к 5500 гривен. Нужно сказать, что автомобильный стробоскоп (своими руками) обойдется автолюбителю в 100-200 рублей.

Часто в фабричных хозяйственных постройках стоит костровая яма с газоразрядной лампой. Лампа может иметь поющий ресурс, и еще через час вам придется ее заменить. И само по себе не менее важно добавить новую фабричную аранжировку.

Почему varto robiti стробоскоп своими руками?

Недолики заводских и технологических пристроев подштовируют автомобилиста до самостоятельной подготовки, которые я добавлю. Кроме того, оборудовать дорогие лампы светодиодами дешевле. Нравится джерело диод или донор пидид отличная лазерная указка или зажигалка.

Другие детали тоже будут стоить копейки. Вам не нужны специальные инструменты из ваших собственных. Бюджет процесса подготовки стробоскопа на складе не более 100 руб.

Как сделать стробоскоп своими руками?

Схемы и варианты подготовки неизвестны. Однако по большей части все проекты по созданию этого гаджета похожи. Давайте зададимся вопросом, что вам нужно забрать.

Нам понадобится простой транзистор КТ315. Його легко можно узнать в старых Радянских приймачах. Назначение может быть мелочь воскресить, но не то же самое. Тиристор КУ112А легко устанавливается в жилой блок старого телевизора. Там можно найти резисторы небольших размеров. Опробуйте световой стробоскоп своими руками, тогда, очевидно, вам понадобится световой лихтер. Для кого лучше прийти к тому, кто нашел его в Китае. Конечно, надо запастись конденсатором до 16 В, будь то низкочастотный диод, маленькое реле на 12 А, провода, крокодилы, экранированный дротик 0,5 м, а также небольшой кусочек дротика-середнячка .

Выбор аксессуаров

Схема небольшая, и выкладывать можно прямо в том же китайском свете. Так что через отверстие в спине зажигалки я пропущу дротики за живое. На концы проводов лучше припаять крокодилы. У стены стены надо открыть дверь, так как китайцы ее еще не убили. Через это отверстие будет проложен экранирующий провод. С тыльной стороны необходимо заизолировать плетение и припаять все кусочки медной дротики к основной дротике. Це будет датчиком.

Добавлю схему и принцип работы роботи

После подачи потока через стержни жизни конденсатор быстро зарядится через резистор. При достижении первого порога заряда через резистор подается напряжение на контакт транзистора, что показано. Вот реле. Если реле замыкается, то не нужно создавать пику из тиристора, светодиода и конденсатора. Давайте с помощью дильника по импульсу увидим управляемый тиристор. Затем тиристор поджигался, а конденсатор разряжался на свет. В результате стробоскоп, сделанный своими руками, ярко спит.

Через резистор и тиристор вывод базы транзистора управляется от горячего стержня. Через цепь транзистор закроется, а реле включится. Увеличивается час света света, не сразу открываются осколки соприкосновения. Але, контакт разорвется, и тиристор будет раздражаться. Схема повернется в базовое положение, доки не нуждаются в новом импульсе.

Изменяя емкость конденсатора, можно изменить световой час. Если выбрать конденсатор большей емкости, то световой стробоскоп, сделанный своими руками, будет ярче и светлее.

Насадка на микросхему

Основная часть корявой схемы — микросхема типа DD1. Так называется одиночный вибратор 155АГ1. В этой схеме ВИН пускает меньше отрицательных импульсов. Сигнал включения подается на транзистор КТ315, и он формирует отрицательные импульсы. Резисторы 150 кОм, 1 кОм, 10 кОм, а также стабилитрон КС139 работают как промежуточные между амплитудой входного сигнала от зажигания автомобиля.

Конденсатор 0,1 мФ на раз с опорой 20 кОм для установки необходимо тройственность импульсов, так как они будут формироваться микросхемой. Для такой емкости конденсатора время срабатывания импульсов будет примерно до 2 мс.

Затем с 6-го дня микросхемы импульсы, которые до этого момента будут синхронизированы от зажигания машины, будут положены на базу транзистора КТ 829. Вот ключ. В результате получается целая импульсная струя через светодиод.

Как работает этот стробоскоп для автомобиля? Своими руками нам нужно провести пару дротиков к клемме автомобильного аккумулятора. Необходимо помнить о равном заряде батареи.

Если правильно выбрать эту простую схему, то можно сразу разобраться, как практиковать вложения. Хотя скорости ясности недостаточно, она регулируется подбором подходящей опоры.

Как и здание для пристройки, можно використововать старую или китайскую зажигалку.

Еще схема стробоскопа

Датский стробоскоп на светодиодах, сделанный своими руками по такому принципу, также может питаться от автомобильного аккумулятора. Диоды позволяют создавать захист в виде неправильной полярности. Подобно крокодилу, большой крокодил топчется здесь. К высоковольтному контакту необходимо присоединить первую свечу зажигания на двигателе. Импульс Дали проходил через резистор и конденсатор и поступал на вход триггера. До этого момента вся запись уже будет отмечена ваншотом.

Перед импульсом одиночный вибратор переключается в исходный режим. Триггер прямого выхода может быть низким. Перевернутый вход, перевернутый — высокий. Конденсатор, идущий на инверсный вывод, заряжается через резистор.

Высокочастотный импульс запускает одиночный вибратор, который переключает триггер и служит для зарядки конденсатора через резистор. Через 15 мс конденсатор снова зарядится, и триггер перейдет в исходный режим.

В результате одиночный вибратор реагирует на одну и ту же синхронную последовательность прямолинейных импульсов в тривиальности примерно 15 мс. Тривиальность можно отрегулировать дополнительной заменой резистора и конденсатора.

Импульсы другой микросхемы становятся до 15 мс. На весь период включены транзисторы, как электронный переключатель. Давайте потеть через свет, проходящий через бренчание. За этим принципом мы используем стробоскоп для автомобиля (своими руками делаем вина, но это не беда — света добавить обидно однако).

Струм, що пройти на свет, богаче, ниже паспорт. Эль, осколки сонные недовги, то свет не увидит пути. Ясности будет достаточно, чтобы выжить в дневное время суток.

Такой же стробоскоп можно забрать своими руками в корпус от того же богато страдающего кишечного лихтарита.

Как тренироваться с насадкой?

Выбрав для себя одну из схем наведения навесного оборудования, вы сможете просто и легко, а главное, точно отрегулировать зажигание на карбюраторных двигателях, проверить правильность работы роботизированных свечей и катушки, контролировать роботизированные регуляторы кута и випереджэння.

Для того, чтобы максимально правильно установить огонь, звук из-за того, что можно стрелять на пару градусов раньше, чем поршень дойдет до верхней точки. Цей кут называется «кут випередження». Если обороты коленчатого вала увеличиваются, то может увеличиваться. Итак, вся катушка настроена на недружественную скорость, а затем необходимо проверить правильность настройки на всех режимах работы агрегата.

Устанавливаем

Заводим и прогреваем двигатель. Теперь наш стробоскоп питается от светодиодов и датчик подключен. Теперь необходимо выправить крепление к метке на корпусе ГРМ и узнать метку на маховике. Если момент разрушить, то метки будут унесены далеко одна за другой. Методом оборачивания корпуса ГРМ дойдите до больших меток. Если вы показали положение, зафиксируйте трамблер.

Тогда пришло время забрать упаковку. Оценки растут, в целом ситуация нормальная. Ось так осуществляется установкой зажигания на стробоскоп.

Далее мы объяснили, как сделать стробоскоп на светодиодах своими руками.

Процесс регулирования момента грунтования початка будет значительно упрощен при наличии специальных хозяйственных построек. В основе их работы лежит стробоскопический эффект. Смысл этого физического явления заключается в оскорбительном: как если предмет, который разрушается, появляется в кратковременном легком сне, то это визуальная иллюзия, что вина теряется в том же положении, в каком была застигнута в спать.

Стробоскопы на светодиодах своими руками сделать несложно. Схемы простых пристроек, повторите как можно построить некачественный радиоаматор.

Световой стробоскоп на таймере NE555

Головным компонентом этой схемы стробоскопа является встроенный таймер NE 555.

В качестве светового виппроминувача готова коллекция из шести источников света от китайской зажигалки.

Схема стробоскопа на таймере NE555

Потенциометром Р1 устанавливается час пауз между импульсами, которые подаются на VT1. Включившись в момент подачи сигнала, половой транзистор «зажигает» стробоскоп.

Слид враховуватый, що в момент спалаху бренчать, що пропускать через випроминувач, двигать два ампера. Эта комплектация требует використовувать промежуточный резистор с мощностью розжига менее 2Вт. Нет никаких поводов беспокоиться о выходе из строя света. Более короткого часа работы в таких режимах проводникам не хватает.

Взамен показанного на схеме транзистора можно заменить на любой из ближайших аналогов: IRFZ44, IRF3205, КП812Б1 и другие.

Wimogi до диода VD1 — высокий свикодий. 1Н4148 успешно заменяется вариантом КД522. Так что хорошо идти, если вы Диоди Шоттке.

Емкость конденсаторов можно увеличить на порядок. Це не появляется на практике схемы.

Ось выглядит как набор фурнитуры, из тройки перетянутых фонарей.

Стробоскоп на ворота

Небольшое количество деталей позволяет использовать стробоскоп из светодиодов подвесным способом или с помощью специальных монтажных панелей. Даже несмотря на то, что в процессе пайки помилования не допустят, схему следует снова усовершенствовать, без дополнительного налогообложения.

Еще один вариант подбора автомобильного стробоскопа на светодиодах своими руками вдохновлен на базе ШИМ-драйвера TL494. Стоимость микросхемы лежит в границах 10 — 20 рублей за штуку, так что дефицитной ее не назовешь. Конечно, можно взять необходимый компонент из старого блока питания АТХ персонального компьютера.

Схема светодиодного стробоскопа на ШИМ-контроллере TL494

Как и в прямом направлении, MOSFET-транзистор управляет более совершенным способом. Здесь вы можете быть каким-то типом, который вы можете доказать двум людям:

Номинальный бренч — тип 2А;
внутренняя конструкция — N-типа.

Применить подходящие полевые рабочие: AP15N03GH или IRLZ44NS.

Субстроювальным резистором VR1 задается спаривание робота (тривиальность отколов), а VR2 — его частота. Потенциометр лучше устанавливать линейным паром, так процесс настройки линии намного проще.

Джерелом света, данного по стробоскопической схеме, один напряжённый светодиод. Для подключения светильника 12 вольт в одну линию резистор R6 необходимо убрать, установив сменную перемычку.

Прочие элементы схемы светоизлучающего стробоскопа могут быть любого из присвоенных номиналов.

Друкована оплата добавлю

Возможна минимизация размеров конструкции с помощью SMD компонентов. Деяки радиолюбители-початковцы обладают уникальностью их изготовления, важучи, а установка других деталей слишком трудоемка. Я ни за что! Троки практики помогут вам легко справиться с этими задачами. За результат я стану чудотворным городом за проявление терпения.

Проблеск реализации платного светодиодного стробоскопа показывает мало.

Зразок платье ручной работы для стробоскопа

Здесь двусторонний способ разведения. Сверху установлены крупные радиоэлементы: микросхема, клеммники и электрические конденсаторы, внизу резисторы и конденсаторы типоразмера 1206, светодиод типоразмера 0805, MOSFET-транзистор возле корпуса ДПАК. Регулирующие резисторы заменены на субстроювальные. Вся структура была изменена.

Совнішні вгляд плати готов дополнить с обоих ракурсов представлений ниже. Для переноса на фольгированный текстолит дорожки використовувались методом ЛУТ. Травление производилось вибрацией на уровне воды хлорной бухты.

После баджана своими руками повторить схему стробоскопа на светодиодах, можно ускорить проект для траулера Спринт Лайот, поменяв йогу на потребление на нужды мощности. .

Глядя на статью, схемы стробоскопа напоминают простотой и низким качеством электронных компонентов. Универсальность материалов в десятки раз дешевле, как купание готового стробоскопа на светодиодах. Кроме того, богато принято быть богатым самодостаточным аксессуаром, а вынос из процесса работы незаменимым и бесценным.

Axis знает решение, как сделать самый простой стробоскоп своими руками, можно сказать надо… но не все же, может быть вы знаете такую же схему, а в остальном я еще виришив викласти такую схему, что более важно, более простой вариант вы, вероятно, не знаете. О, что нам нужно:

два реле поворота 494.3787
два сменных резистора на 20КИМ.
одно пятиконтактное простое автомобильное реле.
Теперь берем реле поворота и выбираем его и резистор нам известный (вин номиналы на фото) впаиваем его и заменяем на новый впаянный резистор 20 Ком.

С другими реле готовим те же. Резисторы гораздо чаще выводят потом в удобное для вас место, так вы можете регулировать скорость включения лампочек или лампочек (противотуманки или ДХО) и скорость переключения между собой (правим и живем зажигалкой). Более короткая версия действительно подключает схему qiu к DHO.

Ось прощения — вариант схемы.

R1, R2-замените резисторы

А еще лучше постройте вот такую ось (нижнюю), чуть более складную, но на ней вы сможете мерцать при дневном свете, а при необходимости переключиться на стробоскоп, просто вимикач включаешь и все.

R1, R2-замена резисторов
RP1, RP2 — реле поворотов 494.3787
PC5 — простое 5-контактное реле (стартерного типа)

Ну это не большое видео.

Много власников на машинах гонят на большой скорости едут по улице со специальными табличками. цим сигнализирует уважать людей. Але це удовлетворение позволено только беднякам, а за пользование мигалками и прочим особенным имуществом всех в стране мы прощаем смертным платить большой штраф. Все равно формальностей больше нет, и мать стробоскопии и грамотного використання не ограждена. В связи с идеей возлагали вину на мысль построить простые ворота. Единственной особенностью стробоскопов этого типа является абсолютная простота в подготовке и наличие монтажных элементов.

Малый видеоскладчик:

Для приложения необходимо:

2 реле поворота — 494.3787
2 сменных резистора номиналом 20 кОм (скорость будет выше) или 4 яркость будет в три раза больше).
1 автомобильное пятиконтактное реле 983.3777-01 (98.3777, 903.3747-01, постоянное 984.377, 90.3747)

Складной.

Для коба необходимо перепаять реле поворотов и впаять резистор (обозначения на фото) и заменить на новый припой и поменять резистор. (Осколки зминного резистора могут быть с тремя низами, необходимо припаять центральный низ к одному из задних)

Для другого реле также необходимо выполнить процедуру.

Пожалуйста! Все сменные резисторы должны быть живыми — осколками и элементами, а также регулировать скорость вращения светодиодов или лампочек, которые швидкість качаются между собой (стробоскопы).