Транзистор кт829а параметры цоколевка. Транзистор КТ829А: характеристики, применение и аналоги

Каковы основные параметры и область применения транзистора КТ829А. Какие существуют аналоги и замены для КТ829А. Где можно найти или купить этот транзистор сегодня.

Основные характеристики транзистора КТ829А

Транзистор КТ829А — это мощный биполярный npn-транзистор, разработанный в СССР. Он относится к семейству составных транзисторов Дарлингтона и обладает следующими ключевыми параметрами:

• Структура: n-p-n
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
• Максимальный постоянный ток коллектора: 8 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт (с теплоотводом)
• Коэффициент усиления по току: не менее 750
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц

КТ829А выпускался в пластмассовом корпусе КТ-28 (аналог TO-220) с тремя выводами. Цоколевка транзистора: 1 — база, 2 — коллектор, 3 — эмиттер.

Область применения КТ829А

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ829А нашел широкое применение в следующих областях:

• Выходные каскады усилителей низкой частоты
• Импульсные источники питания
• Драйверы электродвигателей
• Схемы коммутации мощных нагрузок
• Регуляторы напряжения

Часто КТ829А использовался в бытовой радиоаппаратуре советского производства, например, в усилителях мощности звуковых сигналов.

Аналоги и замены для КТ829А

При необходимости заменить КТ829А можно рассмотреть следующие варианты:

Отечественные аналоги:

• КТ829Б — отличается пониженным напряжением коллектор-эмиттер (80 В)
• КТ829В — напряжение коллектор-эмиттер 60 В
• КТ829Г — напряжение коллектор-эмиттер 45 В

Зарубежные аналоги:

• 2SD686
• 2SD691
• 2SD692
• BDW23C
• BDx53C
• BD263A
• BD335
• BD647

При выборе аналога важно тщательно сравнивать все ключевые параметры, так как полной взаимозаменяемости может не быть.

Схема эквивалентной замены КТ829А

В случае отсутствия прямых аналогов, КТ829А можно заменить парой отдельных транзисторов, соединенных по схеме Дарлингтона:

• Входной транзистор: КТ817 или аналогичный
• Выходной транзистор: КТ819 или аналогичный

Такая схема позволяет получить характеристики, близкие к оригинальному КТ829А, но может потребовать незначительной корректировки остальных элементов схемы.

Где найти или купить КТ829А сегодня

Несмотря на то, что КТ829А считается устаревшим, его все еще можно приобрести несколькими способами:

1. Специализированные магазины электронных компонентов, которые имеют складские остатки
2. Онлайн-площадки вроде Avito, где частные лица продают старую электронику
3. Радиорынки в крупных городах
4. Заказ у современных производителей, которые продолжают выпуск этой модели:
   • АО «Группа кремний ЭЛ» (г. Брянск)
   • АО «Элиз» (г. Фрязино)
   • ЗАО «Кремний Маркетинг» (г. Брянск)

При покупке стоит обратить внимание на дату производства и состояние транзистора, чтобы избежать приобретения неисправных компонентов.

Особенности использования КТ829А в современных схемах

При работе с КТ829А в современных электронных устройствах следует учитывать несколько важных моментов:

• Необходимость использования качественного теплоотвода для обеспечения нормального теплового режима
• Возможное снижение надежности из-за возраста компонента, если используются старые экземпляры
• Ограниченную доступность, что может затруднить ремонт и обслуживание устройств в будущем
• Относительно низкую граничную частоту по сравнению с современными аналогами

В связи с этим, в новых разработках часто предпочтительнее использовать более современные транзисторы или полевые транзисторы MOSFET, обладающие лучшими характеристиками.

Измерение параметров и проверка исправности КТ829А

Для оценки состояния и работоспособности транзистора КТ829А можно провести следующие измерения:

1. Проверка целостности переходов с помощью мультиметра в режиме «прозвонки диодов»
2. Измерение коэффициента усиления по току (h21э) с помощью специального тестера транзисторов
3. Измерение тока утечки коллектора при заданном напряжении коллектор-эмиттер
4. Проверка напряжения насыщения коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора

При проведении измерений важно соблюдать меры предосторожности и не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов, указанные в документации.

Рекомендации по монтажу и эксплуатации КТ829А

Для обеспечения надежной работы транзистора КТ829А в электронных устройствах следует придерживаться следующих рекомендаций:

• Использовать качественный теплоотвод с термопастой для эффективного отвода тепла
• Обеспечивать хорошую вентиляцию устройства для предотвращения перегрева
• Применять схемы защиты от перегрузки по току и напряжению
• При монтаже соблюдать правила работы с устройствами, чувствительными к статическому электричеству
• Не допускать превышения максимально допустимых параметров, указанных в документации

Соблюдение этих рекомендаций поможет продлить срок службы транзистора и обеспечить стабильную работу устройства в целом.

Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)

Характеристики транзисторов КТ829, kt829, внешний вид и цоколевка транзистора, схема замены.

Обозначение транзистора КТ829А на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ829А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Распиновка

Производят данный транзистор в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип корпуса данного прибора — КТ-28 по ГОСТ 18472-2 (зарубежный ТО-220). Весит он не более двух грамм. Имеет следующую цоколевку: 1 — база, 2 — коллектор, 3 — эмиттер.

Очень редко встречается в пластиковом корпусе ТО-252 (КТ-89), например КТ829-А2, со схожей распиновкой. Если смотреть на маркировку указанную на корпусе, то слева на право будут — база, коллектор, эмиттер.

Транзисторы – купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например – “Гулливер”.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях “Радиотехника У-7101 стерео,” “Радиотехника У-101 стерео.” На главную страницу

В начало

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

Характеристики транзистора КТ829А

• Структура n-p-n
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(12000) мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (60) Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
• Обратный ток коллектора
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>4 МГц
• Коэффициент шума биполярного транзистора

Технические параметры

Таблица 1. Технические харакетристики транзисторов КТ829 с буквенными индексами А-Г.

Транзистор	Предельные параметры	Параметры при T = 25°C	RТ п-к, °C/Вт
		при T = 25°C
IК, max, А	IК и, max, А	UКЭ0 гр, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	при TК, °C	Tп max, °C	TК max, °C	h31Э	UКЭ, В	IК, А	UКЭ нас, В	IКЭR, мА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tвкл, мкс	tвыкл, мкс
КТ829А	8	12	100	100	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08
КТ829Б	8	12	80	80	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08
КТ829В	8	12	60	60	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08
КТ829Г	8	12	45	45	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08

Аналог транзистора КТ829

Вместо КТ829 можно использовать схему составного транзистора

KT829A Datasheet (PDF)

0.1. kt829a.pdf Size:33K _no

n-p-n, 829Ik max,A 8Uo (U max)[Ur max],B100U max,B 100P max(P max), 60T max,C 150h31(h31)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3U ,B 2I(IR), 1500f(fh31), 4R -(R -),/ 2.08

0.2. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia

 0.3. kt829a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE

Другие транзисторы… KT826V, KT827A, KT827B, KT827V, KT828A, KT828B, KT828G, KT828V, 2SC1740, KT829B, KT829G, KT829V, KT830, KT830A, KT830G, KT830V, KT834A.

 

Аналоги транзистора КТ829А

• 2SD686, 2SD691, 2SD692, BDW23C, BDх53C, BD263A, BD265A, BD267A, BD335, BD647, BD681

Схема эквивалентной замены

Для замены транзистора КТ829 можно использовать пару КТ817 и КТ819, схема эквивалентного включения приведена ниже.

Рис. 5. Эквивалентная схема для замены мощного составного транзистора КТ829.

Скачать даташит на транзистор КТ829: transistor-kt829-datasheet.pdf (75 КБ).

RadioStorage.net.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для КТ829 является КТ853. У него как и у рассматриваемого устройства, ток коллектора 8 А, рассеиваемая мощность с теплоотводом 60 Вт, граничная частота передачи тока 4 МГц.

Производители

В СССР эти приборы изготавливались на Фрязинском заводе имени 50-летия СССР и возможно на Хасавюртском заводе «Эльтав».  В настоящее время продолжают выпускать этот транзистор  АО «Группа кремний ЭЛ», АО «Элиз» г. Фрязино, а также  ЗАО «Кремний Маркетинг» г. Брянск. Кликнув по наименованию предприятия, можно скачать техническое описание (DataShet) на кт829.

( 1 оценка, среднее 5 из 5 )

Кт829а — каким транзистором заменить или от куда выпаять транзистор кт829а — 3 ответа



Кт829

Автор Виталя Баталов задал вопрос в разделе Техника

каким транзистором заменить или от куда выпаять транзистор кт829а и получил лучший ответ

Ответ от Борис Капитанов[гуру]
КТ829А можно заменить, ещё на BDX53C. Найти КТ829А можно в «потрохах» советского полупроводникового телевизора: есть там маленькая плата — модуль коррекции растра — вот там, именно он 🙂

Ответ от Vlad R.[гуру]
Результатов: примерно 3 410 (0,28 сек.)
Результаты поиска
Картинки по запросу кт829а аналогПожаловаться на картинки
Картинки по запросу кт829а аналог
Картинки по запросу кт829а аналог
Картинки по запросу кт829а аналог
Картинки по запросу кт829а аналог
Другие картинки по запросу «кт829а аналог»
Транзистор КТ829, характеристики, аналог, замена | 50 Om
12 марта 2015 г. — Транзисторы КТ829 структуры n-p-n, кремниевые составные усилительные. Предназначены для использования в усилителях низкой …
Аналоги для кт829а — Аналоги — Приднестровский портал …
radio-hobby.org/modules/analog/кт829а
Аналоги для кт829а — Аналоги, Поиск аналогов микросхем и транзисторов.
Параметры, цоколевка и аналоги транзистора КТ829А …
ссылка
Характеристики транзистора КТ829А. Структура n-p-n; Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В; Максимально …
Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 — маркировка и …
elektrikaetoprosto.ru/trans13.html
Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829. .Транзисторы КТ829 — кремниевые, мощные, низкочастотные …Зарубежные аналоги транзисторов КТ829.
Таблица зарубежных аналогов (ООО Радио-комплект)
В базе (таблица Зарубежных аналогов) 5637 позиций. В базе (таблица …BD263A, ТО-126, КТ829А, Транзисторы. BD265, ТО-220, КТ829Б …
аналог КТ829А решено — Список форумов — ESpec — мир электроники …
monitor.espec.ws › Даташиты
14 авг. 2011 г. — Сообщений: 9 — ?Авторов: 4
попробовать не устраивает. точно бы знать. там непонятно в чем конкретно косяк. с магаза взял поставил. Не раб. С 3уст поставил …
Помогите опознать транзистор, по …Сообщений: 1216 дек 2013
Транзистор КТ829 ???Сообщений: 429 май 2012
Транзистор 2SC5707 аналог. Сообщений: 2026 дек 2011
Другие результаты с сайта monitor.espec.ws
KT829A — параметры транзистора, его аналоги …
alltransistors.com/ru/transistor.php?transistor=39378
KT829A — описание производителя. аналоги. Основные характеристики и параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.
Каким транзистором можно заменить транзистор КТ829
otvet.mail.ru › Наука, Техника, Языки › Техника
Добрый вечер, очень нужен аналог транзистору КТ829, желательно аналог советский, у меня очень много разных советских транзисторов ..Транзистор …
аналоги транзистора КТ829А
tranzistor.kolossale.ru/TrOA.php?tr=48398
Аналоги транзистора КТ829А. Справочник основных характеристик транзисторов.

Ответ от Вольный Ветер[гуру]
Вот чего ты мозг выносишь? Транзистор подбирается под конкретное реле, у тебя именно это реле, что на схеме?

Ответ от 3 ответа[гуру]

Привет! Вот подборка тем с похожими вопросами и ответами на Ваш вопрос: каким транзистором заменить или от куда выпаять транзистор кт829а

Каталог транзисторов с параметрами

Здесь можно скачать документацию в pdf на отечественные и импортные компоненты. На большинство элементов приведено подробное описание с графиками.

Каждому компоненту соответствует свой pdf- файл с описанием. Часть справочников создана сканированием, а что-то взято с сайтов производителей.

© 2007 — 2017 trzrus.ru & trzrus.narod.ru Краткое содержание справочников по электронике. В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице. Справочник smd транзисторов. Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах. Справочник транзисторов маломощных биполярных. В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы. Справочник отечественных транзисторов биполярных средней мощности. В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117. Справочник по отечественным мощным транзисторам. В справочники по транзисторам кт. включена подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов (КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор — эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В pdf документации описана типичная область применения транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт. где используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока коллектора ( h31 э может изменяться на порядок), зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса. Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике выделены цветом. Их также можно найти по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500. Справочник по импортным мощным транзисторам. Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар. Справочник по отечественным полевым транзисторам. В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора. Справочник по импортным полевым транзисторам. В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045. Справочник IGBT транзисторов. В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов. Справочник выпрямительных и высоковольтных диодов. В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя. Справочник импортных и отечественных диодов Шоттки. В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей. Справочник по радиолампам отечественным. В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов. Справочник тиристоров отечественных. В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность. Справочник стабилитронов отечественных. В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы. Отечественные постоянные резисторы. Справочник. В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов. Калькулятор цветовой маркировки резисторов. Отечественные переменные резисторы. Справочник. Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх. Справочник конденсаторов электролитических, керамических и металлопленочных. В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики. Отечественные операционные усилители. Справочник. В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets . Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле. Справочник стабилизаторов напряжения интегральных. В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем. КМОП цифровые микросхемы. Справочник. В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы. Справочник по ШИМ-контроллерам для источников питания. Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания Справочник по отечественным реле. В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры. Справочник по разъемам низкочастотным. Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов. Отечественные оптроны. Справочник. В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки. Справочник по светодиодам отечественным В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов. Импортные диодные мосты. Справочник. В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии. В справочнике приведены описания, характеристики и даташиты более 100 000 транзисторов Подбор биполярного транзистора по параметрам. Поиск аналогов Сейчас в справочнике описаны 118158 транзисторов. Наш каталог компонентов содержит технические описания и фильтры по параметрам на почти 1.5 млн компонентов. Просто выберите нужный раздел каталога. Отобразится специальный фильтр подходящих параметров, отмечая соответствующие галочки вы сузите список до подходящих наименований.

Каталог транзисторов с параметрами — MOREREMONTA

Здесь можно скачать документацию в pdf на отечественные и импортные компоненты. На большинство элементов приведено подробное описание с графиками.

Каждому компоненту соответствует свой pdf- файл с описанием. Часть справочников создана сканированием, а что-то взято с сайтов производителей.

© 2007 — 2017 trzrus.ru & trzrus.narod.ru Краткое содержание справочников по электронике. В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице. Справочник smd транзисторов. Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах. Справочник транзисторов маломощных биполярных. В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы. Справочник отечественных транзисторов биполярных средней мощности. В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117. Справочник по отечественным мощным транзисторам. В справочники по транзисторам кт. включена подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов (КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор — эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В pdf документации описана типичная область применения транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт. где используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока коллектора ( h31 э может изменяться на порядок), зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса. Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике выделены цветом. Их также можно найти по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500. Справочник по импортным мощным транзисторам. Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар. Справочник по отечественным полевым транзисторам. В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора. Справочник по импортным полевым транзисторам. В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045. Справочник IGBT транзисторов. В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов. Справочник выпрямительных и высоковольтных диодов. В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя. Справочник импортных и отечественных диодов Шоттки. В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей. Справочник по радиолампам отечественным. В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов. Справочник тиристоров отечественных. В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность. Справочник стабилитронов отечественных. В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы. Отечественные постоянные резисторы. Справочник. В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов. Калькулятор цветовой маркировки резисторов. Отечественные переменные резисторы. Справочник. Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх. Справочник конденсаторов электролитических, керамических и металлопленочных. В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики. Отечественные операционные усилители. Справочник. В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets . Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле. Справочник стабилизаторов напряжения интегральных. В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем. КМОП цифровые микросхемы. Справочник. В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы. Справочник по ШИМ-контроллерам для источников питания. Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания Справочник по отечественным реле. В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры. Справочник по разъемам низкочастотным. Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов. Отечественные оптроны. Справочник. В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки. Справочник по светодиодам отечественным В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов. Импортные диодные мосты. Справочник. В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии. В справочнике приведены описания, характеристики и даташиты более 100 000 транзисторов Подбор биполярного транзистора по параметрам. Поиск аналогов Сейчас в справочнике описаны 118158 транзисторов. Наш каталог компонентов содержит технические описания и фильтры по параметрам на почти 1.5 млн компонентов. Просто выберите нужный раздел каталога. Отобразится специальный фильтр подходящих параметров, отмечая соответствующие галочки вы сузите список до подходящих наименований.

Мощные составные транзисторы справочник — hohjieque.jnario.org

Мощные составные транзисторы справочник

Наименование составных транзисторов выделено цветом. Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов. Справочник по транзисторам биполярным низкочастотным составной транзистор 2Т708 2000: мощный составной транзистор 2Т709, характеристики и параметры. Средней и большой мощности биполярные транзисторы. Справочник. Наименование составных транзисторов выделено цветом. мощный транзистор высоковольтный 600В. Справочник транзисторов маломощных Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и мощный npn транзистор КТ8192 для применения. Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона Мощные транзисторы Дарлингтона (МТД), обладая высокими коэффициентами усиления по току h 21Э и не требующие. Силовая часть — мощный составной транзистор Перед проверкой можно узнать из справочника. эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона. В интегральных схемах и дискретной электронике большое распространение получили два вида составных транзисторов: по схеме Дарлингтона и Шиклаи. Составные Транзисторы Справочник. 11191 Дата:. npn составной транзистор 400v 8a to-220 где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы. Составные транзисторы справочник выделяет сиреневым цветом. (А-В), BDX86, pnp, 10, 100, 2000, мощный составной транзистор 2Т709, характеристики и параметры, аналог. Справочник по зарубежным транзисторам Составные транзисторы , комплементарные Сборки мощных транзисторов. Справочник по полевым транзисторам Справочник описывает отечественные полевые транзисторы. СОДЕРЖАНИЕ Справочные данные полевых транзисторов (мощные). Составные Транзисторы Справочник. Ток коллектора составного транзистора определяется в -планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные. Схем составных транзисторов проще было бы взять и сделать дополнительную схему и поставить транзистор более мощный и заменить его ? например. Транзистор с эффектом перехода (jugfet или jfet) не имеет pn-переходов, но вместо этого имеет узкий кусок полупроводникового материала с высоким удельным Справочники. Мощные транзисторы КТ818 и КТ819 Полный справочник по Цоколевка отечественных биполярных транзисторов Цветовая и кодовая маркировка полевых и биполярных. Составной транзистор КТД8257, Справочник транзисторов. pzt751 СОДЕРЖАНИЕ Область применения, корпус Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Составной транзистор — Википедия. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, нужно брать справочник и смотреть подряд транзисторы. Условное обозначение составного транзистора Составной транзистор у мощных транзисторов ( структуры справочник Вхождение. Составной Транзистор Справочник. 7/14/2016 полупроводниковый cоставные транзисторы pnp составной транзистор pnp, (мощные). Аналог КТ827А Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ n-p-n СОСТАВНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ МОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1: описание, тех. характеристики. Силовые транзисторы. Справочник. для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) Составные транзисторы. Составной транзистор Дарлингтона. для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов). Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор Развитие. Технические характеристики, условия эксплуатации, информация по ремонту и другие сведения на Составные -p- мощные биполярные транзисторы КТ829А Справочник. Составной Схема Шиклаи реализует мощный p-n-p транзистор с большим коэффициентом усиления с помощью маломощного p-n-p транзистора с малым. Справочник по биполярным транзисторам СОДЕРЖАНИЕ Область применения Транзисторы малой мощности. Составные Транзисторы Транзисторы: Справочник. А., Ломакин В. М., Мокряков В. Средняя область 1 кристалла полупроводника с n-проводимостью называется базой. Составные Транзисторы Справочник. Схема составного транзистора Получим дл€ малосигнальных транзисторов и в сотн€х микроампер дл€ мощных транзисторов). Наименование составных транзисторов выделено цветом. Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов. Справочник по транзисторам биполярным низкочастотным составной транзистор 2Т708 2000: мощный составной транзистор 2Т709, характеристики и параметры. Средней и большой мощности биполярные транзисторы. Справочник. Наименование составных транзисторов выделено цветом. мощный транзистор высоковольтный 600В. Справочник транзисторов маломощных Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и мощный npn транзистор КТ8192 для применения. Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона Мощные транзисторы Дарлингтона (МТД), обладая высокими коэффициентами усиления по току h 21Э и не требующие. Силовая часть — мощный составной транзистор Перед проверкой можно узнать из справочника. эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона. В интегральных схемах и дискретной электронике большое распространение получили два вида составных транзисторов: по схеме Дарлингтона и Шиклаи. Составные Транзисторы Справочник. 11191 Дата:. npn составной транзистор 400v 8a to-220 где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы. Составные транзисторы справочник выделяет сиреневым цветом. (А-В), BDX86, pnp, 10, 100, 2000, мощный составной транзистор 2Т709, характеристики и параметры, аналог. Справочник по зарубежным транзисторам Составные транзисторы , комплементарные Сборки мощных транзисторов. Справочник по полевым транзисторам Справочник описывает отечественные полевые транзисторы. СОДЕРЖАНИЕ Справочные данные полевых транзисторов (мощные). Составные Транзисторы Справочник. Ток коллектора составного транзистора определяется в -планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные. Схем составных транзисторов проще было бы взять и сделать дополнительную схему и поставить транзистор более мощный и заменить его ? например. Транзистор с эффектом перехода (jugfet или jfet) не имеет pn-переходов, но вместо этого имеет узкий кусок полупроводникового материала с высоким удельным Справочники. Мощные транзисторы КТ818 и КТ819 Полный справочник по Цоколевка отечественных биполярных транзисторов Цветовая и кодовая маркировка полевых и биполярных. Составной транзистор КТД8257, Справочник транзисторов. pzt751 СОДЕРЖАНИЕ Область применения, корпус Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Составной транзистор — Википедия. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, нужно брать справочник и смотреть подряд транзисторы. Условное обозначение составного транзистора Составной транзистор у мощных транзисторов ( структуры справочник Вхождение. Составной Транзистор Справочник. 7/14/2016 полупроводниковый cоставные транзисторы pnp составной транзистор pnp, (мощные). Аналог КТ827А Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ n-p-n СОСТАВНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ МОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1: описание, тех. характеристики. Силовые транзисторы. Справочник. для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) Составные транзисторы. Составной транзистор Дарлингтона. для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов). Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор Развитие. Технические характеристики, условия эксплуатации, информация по ремонту и другие сведения на Составные -p- мощные биполярные транзисторы КТ829А Справочник. Составной Схема Шиклаи реализует мощный p-n-p транзистор с большим коэффициентом усиления с помощью маломощного p-n-p транзистора с малым. Справочник по биполярным транзисторам СОДЕРЖАНИЕ Область применения Транзисторы малой мощности. Составные Транзисторы Транзисторы: Справочник. А., Ломакин В. М., Мокряков В. Средняя область 1 кристалла полупроводника с n-проводимостью называется базой. Составные Транзисторы Справочник. Схема составного транзистора Получим дл€ малосигнальных транзисторов и в сотн€х микроампер дл€ мощных транзисторов). Транзисторы со встроенными резисторами (Resistor-equipped transistors (RETs)) — биполярные транзисторы. Электроника для чайника. Подробный начальный курс электроники в простых и понятных.

характеристики, цоколевка, параметры и аналоги

В описании технических характеристик на транзисторы КТ827А указано, что они используются в УНЧ, различных стабилизаторах, как тока, так и напряжения, импульсных усилителях мощности, в ключевых схемах и системах автоматики. Этот составной транзистор, сделанный по схеме Дарлингтона, имеет структуру n-p-n. Компонент изготавливается по эпитаксиальной и мезапланарной технологии.

Цоколевка

Самая полезная информация, которую можно увидеть в цоколевке на КТ827А, да и вообще на транзисторы — это расположение ножек, т.к. если этого не знать, можно запутаться и припаять на место эммитера базу, а на место базы коллектор. Поверьте, ничего хорошего из этого не выйдет. Поэтому на рисунке ниже показаны данные параметры, а так же габаритные размеры. Транзисторы серии КТ827 изготавливаются в металлическом корпусе, имеющем стеклянные изоляторы и жёсткие выводы. Маркировка наносится сверху. Масса прибора не более 20 г. 2Т827А-5 производится на пластине для гибридных ИС с контактными площадками.

Технические характеристики

Первое, на что стоит обратить внимание при подборе транзистора для замены или проектировании новой схемы, это предельные эксплуатационные данные. Превышение их недопустимо даже в течение небольших промежутков времени. Также устройство не сможет долго функционировать при значениях параметров равных максимальным. Для КТ827А эти характеристики равны:

• наибольшее допустимое напряжение между К-Э действующее на протяжении длительного времени ( при сопротивлении Б – Э равном R_БЭ = 1000 Ом) – 100 В;
• максимально возможное напряжение (действующее постоянно или длительное время) между К-Э – 100 В;
• предельное импульсное напряжение действующее между К-Э (при t_Ф = 0,2 мкс) – 100 В;
• наибольшее возможное постоянно действующее напряжение между Э — Б – 5 В;
• максимально допустимый ток через коллектора (действующий на протяжении длительного времени) – 20 А;
• наибольший кратковременный ток через коллектора – 40 А;
• максимальный длительный ток через базу – 0,5 А;
• предельно допустимый кратковременный ток через базу – 0,8 А;
• максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе при (Т_К = -60 … +25^ОС) – 125 Вт;
• тепловое сопротивление между переходом и корпусом – 1,4 ^ОС /Вт;
• наибольшая возможная температура перехода – +200^ОС;
• рабочий диапазон температур окружающего воздуха – -60 … +100^ОС.

При конструировании схем кроме максимальных значений следует также обращать внимание на электрические параметры. Из таблицы, которая находится ниже по тексту, можно узнать их основные величины. Условия тестирования приведены в столбце под названием «Режимы измерения». Наибольшие и наименьшие значения, полученные во время измерения, находятся в колонках «min» и «max».

Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Статический к-т передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером	UКЭ = 3 В, IК= 10 A, ТК = 25ОС Т = ТК макс ТК = — 60ОС UКЭ = 3 В, IК= 20 A	h21Э	750 750 100 100	6000     3500
Граничная частота к-та передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером	UКЭ = 3 В, IК= 10 A	fгр		4	МГц
Напряжение насыщения перехода К-Э	IК = 10 A, IБ = 40 мA IК = 20 A, IБ = 200 мA	UКЭнас	1 1,8	2 3	В В
Напряжение насыщения перехода Б-Э	IК = 20 A, IБ = 200 мA	UБЭнас	2,6	4	В
Входное напряжение Б-Э	IК= 10 A, UКЭ = 3 В		1,6	2,8	В
Время включения	IК= 10 A, IБ = 40 мA	tвкл	0,3	1	мкс
Время выключения	IК= 10 A, IБ = 40 мA	tвыкл	3	6	мкс
Время рассасывания	IК= 10 A, IБ = 40 мA	tрас	2	4,5	мкс
Обратный ток К-Э,	UКЭ = UКЭ макс RБЭ = 1000 Ом Т = +25 и — 60ОС Т = ТК макс	IКЭO		3 5	мА мА
Обратный ток через эмиттер	UЭБ = 5 В	IЭБО		2	мА
Емкость коллекторного перехода	UКБ = 10 В	cк	200	400	пФ
Емкость эмиттерного перехода	UЭБ = 5 В	cк	160	350	пФ

Содержание драгоценных металлов

Многие радиоэлектронные компоненты содержат некоторое количество драгметаллов, таких как золото, платина, серебро и т.д. Это делает их объектом охоты для индивидуальных скупщиков и скупающих компаний. Транзистор КТ827А не является исключением, он содержит золото. Согласно этикетке на изделие, представленной ниже, в 1000 штук содержится 19,090г. благородного металла. В пересчёте на 1 шт. получается 0,01909г.

Аналоги

Аналога транзистора КТ827А, полностью идентичного и по своим параметрам, по типу корпуса и расположению выводов не существует. Однако можно попробовать использовать вместо него такие устройства: 2N6059, 2N6284, BDX63, BDX65A, BDX67, BDX87C, MJ3521, MJ4035. Тем не менее данную замену следует делать осторожно, и предварительно сравнить предъявляемые к изделию требования с техническими характеристиками кандидата на замену. Так как КТ827А является составным, можно попытаться спаять эквивалентную схему, как на рисунке ниже.

 

 

Производители

Выпуском транзисторов КТ827А занимаются две страны Белоруссия и Россия. В Белоруссии их производят на акционерном обществе «Интеграл» г. Минск. В России их выпускает АО «Элиз» г. Фрязино. В Российских магазинах можно приобрести продукцию обоих фирм. (Скачать Datasheet можно кликнув на названии производителя, так же технические параметры приведены еще здесь).

Транзисторы кт837(2т837) и кт829 — маркировка и цоколевка

Биполярный транзистор KT829B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT829B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

KT829B

Datasheet (PDF)

5.1. kt829a.pdf Size:33K _no

n-p-n,
829
Ik max,A 8
Uo (U max),B100
U max,B 100
P max(P max), 60
T max,C 150
h31(h31) 750
U(U),B 3
I(I),A 3
U ,B 2
I(IR), 1500
f(fh31), 4
R -(R -),/ 2.08

5.2. kt829a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain
: h = 750(Min) @I = 3A
FE C
·Low Saturation Voltage
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as complementary AF push-pull output
stage applications
ABSOLUTE

 5.3. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia

5.4. kt8297.pdf Size:194K _integral

КТ8297
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для
использования в линейных усилителях, сх

 5.5. kt8296.pdf Size:194K _integral

КТ8296
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для
использования в линейных усилителях, сх

5.6. kt8290.pdf Size:199K _integral

КТ8290А
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в импульсных источн

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Распиновка транзистора

BC547, спецификации, эквиваленты и лист данных

BC547 — это NPN-транзистор , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (обратное смещение), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (прямое смещение), когда сигнал подается на базовый вывод.

Конфигурация выводов транзистора BC547

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Коллектор	Ток протекает через коллектор
2	База	Управляет смещением транзистора
3	Излучатель	Ток утечки через эмиттер

Характеристики транзистора

BC547

• Биполярный NPN-транзистор
• Коэффициент усиления постоянного тока (h _FE ) не более 800
• Непрерывный ток коллектора (I _C ) составляет 100 мА
Базовое напряжение эмиттера
• (В _BE ) составляет 6 В
• Базовый ток (I _B ) не более 5 мА
• Доступен в упаковке To-92

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в техническом описании BC547 , приведенном в конце этой страницы.

Эквивалентные транзисторы

BC547

BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92 , 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200

Краткое описание BC547

Транзистор BC547 имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет усилительную способность транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 100 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 100 мА, с помощью этого транзистора.Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (I _B ) должен быть ограничен до 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум 100 мА через коллектор и эмиттер. Эта стадия называется Область насыщения , и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (V _CE ) или база-эмиттер (V _BE ), может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот каскад называется областью отсечки , а напряжение на базе эмиттера может составлять около 660 мВ.

BC547 в качестве коммутатора

Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки , как описано выше. Как уже говорилось, транзистор будет действовать как разомкнутый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что больше 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом.Номинал этого резистора (R _B ) можно рассчитать по формулам ниже.

R _B = V _BE / I _B

Где значение V _BE должно быть 5 В для BC547 и тока базы (I _B зависит от тока коллектора (I _C ). Значение I _B не должно превышать мА.

BC547 в качестве усилителя

Транзисторы действуют как усилители при работе в активной области .Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:

1. Усилитель с общим эмиттером
2. Усилитель с общим коллектором
3. Усилитель с общей базой

Из вышеперечисленных типов наиболее распространенной и наиболее часто используемой конфигурацией является тип эмиттера. При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления по постоянному току транзистора может быть рассчитан с использованием следующих формул

Коэффициент усиления постоянного тока = ток коллектора (I _C ) / базовый ток (I _B )

Приложения

• Драйверные модули, такие как драйвер реле, драйвер светодиода и т. Д..
• Модули усилителя, такие как усилители звука, усилители сигнала и т. Д.
• Дарлингтон пара

2D модель детали

Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Распиновка транзистора

BC337, техническое описание, аналог и характеристики

BC337 — это транзистор NPN с максимальным коэффициентом усиления 630 , обычно используемый в аудиоприложениях с низким энергопотреблением.Он также может переключать нагрузки до 45 В и 800 мА, следовательно, также используется в качестве транзистора общего назначения.

Конфигурация контактов

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Коллектор	Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке
2	База	Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора
3	Излучатель	Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

Характеристики

• Универсальный транзистор усилителя NPN
• Коэффициент усиления по току (hFE), от 100 до 630
• Непрерывный ток коллектора (IC) 800 мА
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 45 В
• Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет 50 В
Базовое напряжение эмиттера
• (VBE0) составляет 5 В
• Частота перехода 100 МГц
• Доступен в упаковке To-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании BC337 , приведенном в конце этой страницы.

Дополнительные транзисторы PNP

BC327

Запасной / аналогичный для BC337

2N222, 2N3904, 2N4404

Эквивалент SMD

2SC3912, 2SC3913

Краткое описание транзистора BC337

BC337 — это транзистор NPN, обычно используемый в схемах усилителей малой мощности.Транзистор может обеспечить максимальное усиление (hfe) 630. BC337 имеет три названия частей: значение усиления BC337-16 составляет от 100 до 250, для BC337-25 — от 160 до 400, а для BC337-40 — от 250 до 630. За исключением значения усиления другие параметры аналогичны для всех трех номеров деталей.

Транзистор также имеет высокий ток коллектора до 800 мА и приличное напряжение коллектор-эмиттер 45 В, а базовое напряжение запуска составляет всего 5 В. Это делает транзистор пригодным для использования в схемах переключения общего назначения.Благодаря низкому базовому напряжению запуска им можно легко управлять с помощью цифровых схем, таких как схемы микроконтроллера. Итак, если вы ищете транзистор для усиления звука, вы можете рассмотреть BC337. Также обратите внимание на более часто используемый транзистор 2N2222, если вы ищете замену BC337 для переключения нагрузок.

Приложения

• Усилители звука малой мощности
• Усилители малых сигналов
• Драйвер звуковой частоты
• Выходной каскад усилителя
• Коммутатор общего назначения

2D модель детали

Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

TIP3055 NPN-транзистор: эквивалент, техническое описание, выводы [Видео и часто задаваемые вопросы]

Обзор продукта

TIP3055 представляет собой трехслойное NPN-устройство в рабочем диапазоне, ток коллектора IC является функцией базового тока IB, изменение в базовый ток, дающий соответствующее усиленное изменение тока коллектора для данного напряжения VCE коллектора-эмиттера.

Видео: Стабилизатор постоянного напряжения высокого тока (TIP3055 + LM317T)

Каталог

TIP3055 Характеристики

• Низкое напряжение насыщения
• Требования к простому приводу
• Высокая безопасная рабочая зона
• Для дополнительных дизайнов с низким уровнем искажений
• Легко переносить и использовать

TIP3055 Распиновка

Это основная распиновка TIP3055, которая четко определена ниже.

Штифт #	Тип	Параметры
Штифт # 1	Излучатель	Эмиттер для внешнего привода тока.
Штифт 2	База	База управляет смещением транзистора. Это капризно в состоянии транзистора.
Штифт 3	Коллектор	Коллектор для внутреннего тока привода.Это связано с нагрузкой.

Давайте посмотрим на схему распиновки.

Распиновка TIP3055

TIP3055 CAD-модели

Далее следуют символ, посадочное место и трехмерная модель TIP3055.

TIP3055 Обозначение

TIP3055 Площадь основания

TIP3055 3D Модель

TIP3055 Приложения

• Общего назначения
• Усилитель звука

Дополнительный транзистор PNP

TIP2955 — это дополнительный транзистор PNP для TIP3055.

Замена и эквивалент для TIP3055

Вы можете заменить TIP3055 на BD745A, BD745B, BD745C, NTE392, TIP3055G, TIP35A, TIP35AG, TIP35B, TIP35BG, TIPC35C или TIPC35C.

TIP3055 Спецификация

Атрибут продукта	Значение атрибута
Производитель:	STMicroelectronics
Категория продукта:	Биполярные транзисторы — BJT
Тип монтажа:	Сквозное отверстие
Упаковка / ящик:	К-247-3
Полярность транзистора:	НПН
Конфигурация:	Одноместный
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс .:	60 В
Коллектор — базовое напряжение VCBO:	100 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	1 В
Максимальный постоянный ток коллектора:	15 А
Pd — Рассеиваемая мощность:	90 Вт
Продукт усиления полосы пропускания fT:	3 МГц
Минимальная рабочая температура:	— 65 С
Максимальная рабочая температура:	+ 150 К
Серия:	TIP3055
Упаковка:	Труба
Коэффициент усиления постоянного тока hFE Макс .:	70
Высота:	20.15 мм
Длина:	15,75 мм
Технологии:	Si
Ширина:	5,15 мм
Бренд:	STMicroelectronics
Постоянный ток коллектора:	15 А
Коллектор постоянного тока / базовое усиление hfe Мин .:	20
Тип продукта:	БЮТ — Биполярные транзисторы
Подраздел:	Транзисторы
Масса единицы:	0.229281 унция

TIP3055 VS 2N3055

Электрические характеристики двух транзисторов одинаковы, однако металлический корпус 2N3055 имеет немного большую способность рассеивать тепло. Таким образом, узел, в котором транзистор будет работать на пределе, металлический тип также будет таким, как указано. Также отметим, что есть 2N3055 в легком алюминиевом корпусе и тяжелом металлическом корпусе. Лучше использовать толстый конверт, потому что он также рассеивает больше тепла.В таких приложениях, как источники питания, наиболее рекомендуется металл.

TIP3055 Производитель

STMicroelectronics — результат совместной работы в 1987 году знаменитых полупроводниковых компаний SGS Microelettronica из Италии и Thomson-CSF Semiconductor из Франции. На технологической стороне ST лидирует с передовой технологией FD-SOI (полностью обедненный кремний на изоляторе).

TIP3055 Лист данных

Лист данных TIP3055

Использование предупреждений

Примечание. Перед заменой в цепи проверьте их параметры и конфигурацию контактов.

TIP3055 FAQ

① Что такое транзистор TIP3055?

TIP3055 — кремниевый эпитаксиально-игнорируемый NPN-транзистор, собранный в податливые блоки TO-218.