Транзистор кт837х

Какие основные параметры имеет транзистор КТ837Х. Где применяется этот транзистор. Какие существуют модификации КТ837. Как правильно подключать и использовать КТ837Х в схемах. На что обратить внимание при выборе этого транзистора.

Содержание

Основные характеристики транзистора КТ837Х

Транзистор КТ837Х представляет собой биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор, предназначенный для широкого спектра применений в электронике. Рассмотрим его ключевые параметры:

Структура: p-n-p
Максимальный постоянный ток коллектора: 7.5 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: от 30 до 60 В (зависит от модификации)
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 30 Вт
Статический коэффициент передачи тока h21э: от 10 до 150 (зависит от модификации)
Граничная частота коэффициента передачи тока: ≥1 МГц

Какие особенности выделяют КТ837Х среди других транзисторов? Во-первых, это высокий максимальный ток коллектора, что позволяет использовать его в мощных схемах. Во-вторых, значительная рассеиваемая мощность делает его подходящим для применения в выходных каскадах усилителей и стабилизаторах напряжения.

Модификации транзистора КТ837 и их отличия

Семейство КТ837 включает в себя несколько модификаций, каждая из которых имеет свои особенности. Основные различия между ними заключаются в следующих параметрах:

Максимальное напряжение коллектор-база (Uкб max)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max)
Статический коэффициент передачи тока (h21э)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Какие модификации транзистора КТ837 существуют? Давайте рассмотрим основные варианты:

Модификация	Uкб max, В	Uкэ max, В	h21э
КТ837А, Б, В	80	60	10-40, 20-80, 50-150
КТ837Г, Д, Е	60	45	10-40, 20-80, 50-150
КТ837Ж, И, К	45	30	10-40, 20-80, 50-150

Как выбрать подходящую модификацию КТ837? Это зависит от конкретных требований вашей схемы. Если вам нужно высокое напряжение, выбирайте модификации А, Б или В. Для схем с меньшим напряжением, но требующих большего коэффициента усиления, подойдут варианты Е, И или К.

Области применения транзистора КТ837Х

Транзистор КТ837Х находит широкое применение в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам. Где чаще всего используется этот транзистор?

Схемы переключения
Выходные каскады низкочастотных усилителей
Преобразователи постоянного напряжения
Стабилизаторы напряжения
Импульсные источники питания
Драйверы электродвигателей

Почему КТ837Х так универсален? Его высокая мощность и большой ток коллектора позволяют использовать его в схемах, требующих обработки значительных токов и напряжений. При этом различные модификации дают возможность подобрать оптимальный вариант для конкретной задачи.

Особенности подключения и использования КТ837Х в схемах

При работе с транзистором КТ837Х необходимо учитывать ряд особенностей для обеспечения его надежной и эффективной работы. На что следует обратить внимание?

Правильная ориентация выводов. КТ837Х имеет стандартную цоколевку для транзисторов в корпусе TO-220: эмиттер, коллектор, база.
Обеспечение теплоотвода. При работе на больших токах необходимо использовать радиатор для отвода тепла.
Соблюдение предельных режимов. Не превышайте максимально допустимые значения тока, напряжения и мощности.
Защита от перенапряжений. В импульсных схемах рекомендуется использовать защитные диоды.
Учет температурной зависимости параметров. При проектировании схемы учитывайте, что характеристики транзистора могут изменяться с температурой.

Как правильно подключить КТ837Х в схему усилителя? Рассмотрим пример простого усилительного каскада:

«`text [Входной сигнал] —> [R1] —> (База) КТ837Х (Коллектор) —> [R2] —> +Vcc | | [R3] | | GND (Эмиттер) —> [R4] —> GND [Выходной сигнал] <--- (Коллектор) ```

В этой схеме R1 и R3 образуют делитель напряжения для задания базового тока, R2 — коллекторная нагрузка, а R4 — эмиттерный резистор для стабилизации режима работы транзистора. Выходной сигнал снимается с коллектора.

Сравнение КТ837Х с аналогами

При выборе транзистора для конкретной схемы часто возникает вопрос: чем КТ837Х отличается от других похожих транзисторов? Давайте сравним его с несколькими распространенными аналогами:

Параметр	КТ837Х	BD234	TIP42C
Максимальный ток коллектора	7.5 А	10 А	6 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер	30-60 В	100 В	100 В
Максимальная рассеиваемая мощность	30 Вт	75 Вт	65 Вт

Какие преимущества имеет КТ837Х перед аналогами? Он обладает хорошим балансом между максимальным током и напряжением, что делает его универсальным выбором для многих применений. При этом его меньшая мощность может быть преимуществом в компактных устройствах, где теплоотвод ограничен.

Особенности выбора и проверки транзистора КТ837Х

При выборе транзистора КТ837Х для вашего проекта важно учитывать несколько ключевых факторов. На что обратить внимание?

Соответствие характеристик требованиям схемы
Наличие необходимой модификации
Качество и надежность производителя
Возможность обеспечения адекватного теплоотвода

Как проверить работоспособность КТ837Х перед установкой в схему? Вот несколько простых шагов:

Проверка целостности p-n переходов с помощью мультиметра в режиме «диод»
Измерение коэффициента усиления по току
Проверка напряжения насыщения коллектор-эмиттер
Измерение токов утечки

Какие типичные неисправности могут возникнуть у КТ837Х? Чаще всего встречаются пробой коллекторного перехода, обрыв базы и увеличение токов утечки. При обнаружении любой из этих проблем транзистор следует заменить.

Практические советы по использованию КТ837Х в схемах

Для эффективного использования транзистора КТ837Х в ваших проектах, следуйте этим практическим советам:

Обеспечьте достаточный теплоотвод. При работе на больших токах используйте радиатор с теплопроводящей пастой.

Защитите от перенапряжений. В импульсных схемах применяйте защитные диоды.
Правильно выбирайте рабочую точку. Это обеспечит оптимальную производительность и долговечность транзистора.
Учитывайте разброс параметров. При необходимости используйте схемы термокомпенсации.
Обеспечьте надежный монтаж. Используйте качественный припой и не перегревайте транзистор при пайке.

Как оптимизировать схему с КТ837Х для максимальной эффективности? Рассмотрим пример улучшения базовой схемы усилителя:

«`text [Входной сигнал] —> [C1] —> [R1] —> (База) КТ837Х (Коллектор) —> [R2] —> +Vcc | | | | [R3] [C2] | | | | GND [Выходной сигнал] (Эмиттер) —>

[R4] —> [C3] —> GND [D1] между Коллектором и +Vcc (катодом к +Vcc) [D2] между Базой и Эмиттером (катодом к Эмиттеру) «`

В этой улучшенной схеме добавлены:

C1 и C2 — разделительные конденсаторы для устранения постоянной составляющей
C3 — байпасный конденсатор для улучшения усиления на высоких частотах
D1 — защитный диод от перенапряжений
D2 — диод для температурной стабилизации

Эти изменения повышают стабильность работы усилителя, улучшают его частотные характеристики и защищают транзистор от возможных перегрузок.

КТ837, 2Т837 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Основные технические параметры транзистора КТ837

Транз истор	I_{К, макс} А	U_{КЭ макс} В	U_{КБ макс} В	U_{ЭБ макс} В	P_{К макс} Вт	h_21Э	U_{КЭ нас} В	I_КБ0 мА	f_гр МГц
КТ837А	7,5	60	80	15	30	10…40	2,5	0,15	≤1
КТ837Б	7,5	60	80	15	30	20…80	2,5	0,15	≤1
КТ837В	7,5	60	80	15	30	50…150	2,5	0,15	≤1
КТ837Г	7,5	45	60	15	30	10…40	0,5	0,15	≤1
КТ837Д	7,5	45	60	15	30	20…80	0,5	0,15	≤1
КТ837Е	7,5	45	60	15	30	50…150	0,5	0,15	≤1
КТ837Ж	7,5	30	45	15	30	10…40	2,5	0,15	≤1
КТ837И	7,5	30	45	15	30	20…80	2,5	0,15	≤1
КТ837К	7,5	30	45	15	30	50…150	2,5	0,15	≤1
КТ837Л	7,5	60	80	5	30	10…40	2,5	0,15	≤1
КТ837М	7,5	60	80	5	30	20…80	2,5	0,15	≤1
КТ837Н	7,5	60	80	5	30	50…150	2,5	0,15	≤1
КТ837П	7,5	45	60	5	30	10…40	0,9	0,15	≤1
КТ837Р	7,5	45	60	5	30	20…80	0,9	0,15	≤1
КТ837С	7,5	45	60	5	30	50…150	0,9	0,15	≤1
КТ837Т	7,5	30	45	5	30	10…40	0,5	0,15	≤1
КТ837У	7,5	30	45	5	30	20…80	0,5	0,15	≤1
КТ837Ф	7,5	30	45	5	30	50…150	0,5	0,15	≤1

Основные технические параметры транзистора 2Т837

Транз истор	I_{К, макс} А	U_{КЭ макс} В	U_{КБ макс} В	U_{ЭБ макс} В	P_{К макс} Вт	h_21Э	U_{КЭ нас} В	I_КБ0 мА	f_гр МГц
2Т837А	8	55	80	15	30	15…120	0,9	0,15	3
2Т837Б	8	45	60	15	30	30…120	0,9	0,15	3
2Т837В	8	35	45	15	30	40…180	0,9	0,15	3
2Т837Г	8	55	80	5	30	15…120	0,9	0,15	3
2Т837Д	8	45	60	5	30	30…150	0,9	0,15	3
2Т837Е	8	35	45	5	30	40…180	0,9	0,15	3

Обозначение на схеме кремниевого PNP транзистора КТ837

Цоколёвка и размеры транзистора КТ837

Внешний вид транзистора на примере КТ837Х

radiohome.ru

Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 — маркировка и цоколевка.

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно — это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка «подпирает» транзистор.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например — «Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео,» «Радиотехника У-101 стерео.» На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор КТ837 — DataSheet

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ837А		*BD534, TIP42C, 2N3192 ^3, 2N3188 ^3, 2N3180 ^3, 2N3176 ^3, 2N3196 ^3, 2N3184 ^3*
		КТ837Б		*BD536, 2N6106, MJF6107 ^3, 2N5981 ^1, NTB708, NTB707, 2N5975 ^3, 2N6133 ^2*
		КТ837В		*BD234, 2N6106, MJF6107 ^3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M, 2SB1097L, KSB1097**
		КТ837Г		*BD225, 2N5162 ^3, 2N3191 ^3, 2N3187 ^3, 2N3179 ^3, 2N3175 ^3, 2N3195 ^3, 2N3183 ^3**
		КТ837Д		*2SB434, 2N6108, RCA1C06, KP055 ^3, 40876, 2N5974 ^3*
		КТ837Е		2N6125, 2N6108, 2N6109, *BD738 ^2**
		КТ837Ж		*2N6124, 2N6132, 2N3191 ^3, 2N3187 ^3, 2N3179 ^3, 2N3175^3*
		КТ837И		*2SB435, 2N6132, TIP42 ^2**
		КТ837К		BD944, 2N6110, RCA1C11, BD544, *40980, 2N6110 ^2, 2N6111 ^2, 2SA1129M ^2**
		КТ837Л		*2N6126, 2N3192 ^3, 2N3188 ^3, 2N3180 ^3, 2N3176 ^3, 2N3196 ^3, 2N3184 ^3*
		КТ837М		*BD223, MJF6107 ^3, 2N5981 ^1, NTB708, NTB707, 2N5975 ^3, 2N6133 ^2*
		КТ837Н		BD223, *2N6106, MJF6107 ^3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M, 2SB1097L, KSB1097**
		КТ837П		*2SB435G, 2N5162 ^3, 2N3191 ^3, 2N3187 ^3, 2N3179 ^3, 2N3175 ^3, 2N3195 ^3, 2N3183 ^3**
		КТ837Р		*2SB434, RCA1C06, KP055 ^3, 40876, 2N5974 ^3*
		КТ837С		BD225, 2N6108, 2N6109, *BD738 ^2**
		КТ837Т		*BD948, 2N3191 ^3, 2N3187 ^3, 2N3179 ^3, 2N3175^3*
		КТ837У		*2SB435, 2N6132, TIP42 ^2**
		КТ837Ф		BD224, RCA1C11, BD544, *40980, 2N6110 ^2, 2N6111 ^2, 2SA1129M ^2**
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ837А	—	30*	Вт
		КТ837Б	—	30*
		КТ837В	—	30*
		КТ837Г	—	30*
		КТ837Д	—	30*
		КТ837Е	—	30*
		КТ837Ж	—	30*
		КТ837И	—	30*
		КТ837К	—	30*
		КТ837Л	—	30*
		КТ837М	—	30*
		КТ837Н	—	30*
		КТ837П	—	30*
		КТ837Р	—	30*
		КТ837С	—	30*
		КТ837Т	—	30*
		КТ837У	—	30*
		КТ837Ф	—	30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ837А	—	≥1	МГц
		КТ837Б	—	≥1
		КТ837В	—	≥1
		КТ837Г	—	≥1
		КТ837Д	—	≥1
		КТ837Е	—	≥1
		КТ837Ж	—	≥1
		КТ837И	—	≥1
		КТ837К	—	≥1
		КТ837Л	—	≥1
		КТ837М	—	≥1
		КТ837Н	—	≥1
		КТ837П	—	≥1
		КТ837Р	—	≥1
		КТ837С	—	≥1
		КТ837Т	—	≥1
		КТ837У	—	≥1
		КТ837Ф	—	≥1
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ837А	—	80	В
		КТ837Б	—	80
		КТ837В	—	80
		КТ837Г	—	60
		КТ837Д	—	60
		КТ837Е	—	60
		КТ837Ж	—	45
		КТ837И	—	45
		КТ837К	—	45
		КТ837Л	—	80
		КТ837М	—	80
		КТ837Н	—	80
		КТ837П	—	60
		КТ837Р	—	60
		КТ837С	—	60
		КТ837Т	—	45
		КТ837У	—	45
		КТ837Ф	—	45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ837А	—	15	В
		КТ837Б	—	15
		КТ837В	—	15
		КТ837Г	—	15
		КТ837Д	—	15
		КТ837Е	—	15
		КТ837Ж	—	15
		КТ837И	—	15
		КТ837К	—	15
		КТ837Л	—	5
		КТ837М	—	5
		КТ837Н	—	5
		КТ837П	—	5
		КТ837Р	—	5
		КТ837С	—	5
		КТ837Т	—	5
		КТ837У	—	5
		КТ837Ф	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ837А	—	7.5	А
		КТ837Б	—	7.5
		КТ837В	—	7.5
		КТ837Г	—	7.5
		КТ837Д	—	7.5
		КТ837Е	—	7.5
		КТ837Ж	—	7.5
		КТ837И	—	7.5
		КТ837К	—	7.5
		КТ837Л	—	7.5
		КТ837М	—	7.5
		КТ837Н	—	7.5
		КТ837П	—	7.5
		КТ837Р	—	7.5
		КТ837С	—	7.5
		КТ837Т	—	7.5
		КТ837У	—	7.5
		КТ837Ф	—	7.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ837А	80 В	≤0.15	мА
		КТ837Б	80 В	≤0.15
		КТ837В	80 В	≤0.15
		КТ837Г	60 В	≤0.15
		КТ837Д	60 В	≤0.15
		КТ837Е	60 В	≤0.15
		КТ837Ж	45 В	≤0.15
		КТ837И	45 В	≤0.15
		КТ837К	45 В	≤0.15
		КТ837Л	80 В	≤0.15
		КТ837М	80 В	≤0.15
		КТ837Н	80 В	≤0.15
		КТ837П	60 В	≤0.15
		КТ837Р	60 В	≤0.15
		КТ837С	60 В	≤0.15
		КТ837Т	45 В	≤0.15
		КТ837У	45 В	≤0.15
		КТ837Ф	45 В	≤0.15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ837А	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837Б	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837В	5 В; 2 А	50…150*
		КТ837Г	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837Д	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837Е	5 В; 2 А	50…150*
		КТ837Ж	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837И	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837К	5 В; 2 А	50…150*
		КТ837Л	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837М	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837Н	5 В; 2 А	50…150*
		КТ837П	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837Р	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837С	5 В; 2 А	50…150*
		КТ837Т	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837У	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837Ф	5 В; 2 А	50…150*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ837А	—	—	пФ
		КТ837Б	—	—
		КТ837В	—	—
		КТ837Г	—	—
		КТ837Д	—	—
		КТ837Е	—	—
		КТ837Ж	—	—
		КТ837И	—	—
		КТ837К	—	—
		КТ837Л	—	—
		КТ837М	—	—
		КТ837Н	—	—
		КТ837П	—	—
		КТ837Р	—	—
		КТ837С	—	—
		КТ837Т	—	—
		КТ837У	—	—
		КТ837Ф	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ837А	—	≤0.8	Ом, дБ
		КТ837Б	—	≤0.8
		КТ837В	—	≤0.8
		КТ837Г	—	≤0.3
		КТ837Д	—	≤0.3
		КТ837Е	—	≤0.3
		КТ837Ж	—	≤0.25
		КТ837И	—	≤0.25
		КТ837К	—	≤0.25
		КТ837Л	—	≤0.8
		КТ837М	—	≤0.8
		КТ837Н	—	≤0.8
		КТ837П	—	≤0.3
		КТ837Р	—	≤0.3
		КТ837С	—	≤0.3
		КТ837Т	—	≤0.25
		КТ837У	—	≤0.25
		КТ837Ф	—	≤0.25
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ837А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ837Б	—	—
		КТ837В	—	—
		КТ837Г	—	—
		КТ837Д	—	—
		КТ837Е	—	—
		КТ837Ж	—	—
		КТ837И	—	—
		КТ837К	—	—
		КТ837Л	—	—
		КТ837М	—	—
		КТ837Н	—	—
		КТ837П	—	—
		КТ837Р	—	—
		КТ837С	—	—
		КТ837Т	—	—
		КТ837У	—	—
		КТ837Ф	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ837А	—	—	пс
		КТ837Б	—	—
		КТ837В	—	—
		КТ837Г	—	—
		КТ837Д	—	—
		КТ837Е	—	—
		КТ837Ж	—	—
		КТ837И	—	—
		КТ837К	—	—
		КТ837Л	—	—
		КТ837М	—	—
		КТ837Н	—	—
		КТ837П	—	—
		КТ837Р	—	—
		КТ837С	—	—
		КТ837Т	—	—
		КТ837У	—	—
		КТ837Ф	—	—

rudatasheet.ru

Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837Х предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Основные электрические параметры КТ837 при Токр. среды = + 25 С
Параметры	Обозн.	Ед. изм.	Режимы измерения	Min	Max
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэr	мА	Uкэ = Uкэ max при Rэб =	—	10
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэr	мА	Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом	—	10
Обратный ток коллектор-база	Iкбо	мА	Uкб = Uкб max	—	0,15
Обратный ток эмиттера КТ837А — К КТ837 Л — Ф	Iэбо	мА	Uэб =15 В Uэб =5 В	—	0,3 0,3
Стат. коэффициент передачи тока	h31э	—	Uкэ =5 B, Iк =2A	10	40
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т				10	40
КТ837Б, М, Д, Р, И, У				20	80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф				50	150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	В	Iк= 3 A, Iб= 0,37 A	—	—	2,5
КТ837А — В, Л — Н		Iк= 3 A, Iб= 0,37 A		—	2,5
КТ837Г — Е, П — С		Iк= 3 A, Iб= 0,37 A		—	0,9
КТ837Ж — К, Т — Ф		Iк= 2 А, Iб= 0,3 A		—	0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер	Uбэ нас	В	Iк= 2 A, Iб=0,5 A	—	1,5
Параметры	Обознач.	Ед. измер.	Знач.
Постоянное напряжение коллектор-база	Uкб max	В	80
КТ837А, Б, В, Л, М, Н			80
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С			60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф			45
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом	Uкэ max	В	60
КТ837А, Б, В, Л, М, Н			60
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С			45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф			30
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом	Uкэ max	В	70
КТ837А, Б, В, Л, М, Н			70
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С			55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф			40
Постоянное напряжение эмиттер-база КТ837А — К КТ837Л — ф	Uэб max	В	15 5
Постоянный ток коллектора	Iк max	А	7.5
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	А	1
Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода	Pк max	Вт	30
Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом	Pк max	Pк max	1

texnogaz.ru