Каковы основные характеристики транзистора КТ837Х. Для чего применяется данный транзистор. Какие существуют аналоги КТ837Х. Как правильно выбрать и использовать этот транзистор в электронных схемах.
Основные характеристики транзистора КТ837Х
Транзистор КТ837Х представляет собой биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор большой мощности. Он относится к семейству кремниевых транзисторов КТ837 и имеет следующие ключевые параметры:
- Структура: p-n-p
- Максимальный ток коллектора: 7,5 А
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 180 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт (с теплоотводом)
- Статический коэффициент передачи тока h21Э: >15
- Корпус: TO-220 (КТ-28)
Данный транзистор обладает высокой надежностью и способен работать в широком диапазоне температур от -60°C до +100°C. Его основными преимуществами являются большой допустимый ток коллектора и высокое пробивное напряжение.
Области применения КТ837Х
Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ837Х нашел широкое применение в различных областях электроники:
- Выходные каскады низкочастотных усилителей мощности
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Стабилизаторы напряжения и тока
- Схемы управления электродвигателями
- Коммутационные и переключающие устройства
Транзистор КТ837Х хорошо подходит для применения в силовых каскадах различной аппаратуры, где требуется коммутация больших токов. Его часто используют в промышленной электронике и бытовой технике.
Аналоги и замена КТ837Х
При необходимости замены КТ837Х можно использовать следующие отечественные и зарубежные аналоги:
- 2N6109
- BD225
- BDX53C
- TIP42C
- КТ818Г
- КТ8115А
Однако при выборе аналога важно тщательно сравнить все ключевые параметры, так как полных аналогов у КТ837Х практически нет. Особое внимание следует обратить на максимально допустимые напряжения и токи, а также на коэффициент усиления по току.
Особенности применения КТ837Х в электронных схемах
При использовании транзистора КТ837Х в электронных устройствах следует учитывать несколько важных моментов:
- Необходимость применения радиатора для эффективного теплоотвода при работе с большими токами и мощностями.
- Правильный выбор режима работы транзистора для обеспечения его надежной и долговечной эксплуатации.
- Учет температурной зависимости параметров транзистора при проектировании схем.
- Защита от перенапряжений и токовых перегрузок для предотвращения выхода транзистора из строя.
Грамотное применение КТ837Х позволяет создавать надежные и эффективные электронные устройства различного назначения.
Сравнение КТ837Х с другими транзисторами серии КТ837
Транзистор КТ837Х является одним из представителей семейства КТ837, которое включает в себя несколько модификаций. Рассмотрим, чем КТ837Х отличается от других транзисторов этой серии:
- КТ837Х имеет наибольшее максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (180 В) среди всех транзисторов серии.
- По сравнению с КТ837А-В, у КТ837Х ниже напряжение насыщения коллектор-эмиттер (менее 0,5 В против 2,5 В).
- КТ837Х обладает меньшим разбросом коэффициента усиления по току h21Э по сравнению с другими модификациями.
- Транзистор КТ837Х имеет лучшие частотные характеристики, что позволяет использовать его в более высокочастотных приложениях.
Эти особенности делают КТ837Х оптимальным выбором для применений, требующих высокой надежности и стабильности параметров при работе с большими напряжениями.
Рекомендации по выбору КТ837Х для конкретных применений
При выборе транзистора КТ837Х для использования в электронных схемах следует учитывать несколько ключевых факторов:
- Максимальный ток коллектора в схеме не должен превышать 7,5 А.
- Напряжение коллектор-эмиттер должно быть в пределах допустимых 180 В.
- Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод, особенно при работе на больших мощностях.
- Следует учитывать частотные характеристики транзистора при использовании в импульсных схемах.
- Важно правильно рассчитать цепи смещения для обеспечения оптимального режима работы транзистора.
Правильный выбор и применение КТ837Х позволит создать надежное и эффективное электронное устройство с высокими эксплуатационными характеристиками.
Особенности монтажа и эксплуатации КТ837Х
При монтаже и эксплуатации транзистора КТ837Х необходимо соблюдать ряд важных правил:
- Использовать качественный теплопроводящий компаунд при установке транзистора на радиатор.
- Обеспечить надежное электрическое соединение выводов транзистора с печатной платой или другими элементами схемы.
- Не допускать перегрева транзистора выше максимально допустимой температуры перехода (125°C).
- Защищать транзистор от воздействия влаги и агрессивных сред.
- Периодически проверять надежность крепления транзистора к радиатору и отсутствие окислений на выводах.
Соблюдение этих рекомендаций поможет обеспечить длительную и надежную работу транзистора КТ837Х в составе электронных устройств.
| Параметры | Обозн. | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб = | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-база | Iкбо | мА | Uкб = Uкб max | — | 0,15 |
| Обратный ток эмиттера КТ837А — К КТ837 Л — Ф | Iэбо | мА | Uэб =15 В Uэб =5 В | — | 0,3 0,3 |
| Стат. коэффициент передачи тока | h31э | Uкэ =5 B, Iк =2A | 10 | 40 | |
| КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т | |||||
| КТ837Б, М, Д, Р, И, У | 20 | 80 | |||
| КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | 50 | 150 | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | — | 2,5 |
| КТ837А — В, Л — Н | |||||
| КТ837Г — Е, П — С | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | 0,9 | ||
| КТ837Ж — К, Т — Ф | Iк= 2 А, Iб= 0,3 A | — | 0,5 | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ нас | В | Iк= 2 A, Iб=0,5 A | — | 1,5 |
| Параметры | Обознач. | Ед. измер. | Знач. | ||
| Постоянное напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 80 | ||
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 60 | ||||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 45 | ||||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом | Uкэ max | В | 60 | ||
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 45 | ||||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 30 | ||||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом | Uкэ max | В | 70 | ||
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 55 | ||||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 40 | ||||
| Постоянное напряжение эмиттер-база КТ837А — К КТ837Л — ф | Uэб max | В | 15 5 | ||
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 7.5 | ||
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 1 | ||
| Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода | Pк max | Вт | 30 | ||
| Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом | Pк max | Pк max | 1 |
| Параметры | Обозн. | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб = | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом | — | 10 |
| Iкбо | мА | Uкб = Uкб max | — | 0,15 | |
| Обратный ток эмиттера КТ837А — К КТ837 Л — Ф | Iэбо | мА | Uэб =15 В Uэб =5 В | — | 0,3 0,3 |
| Стат. коэффициент передачи тока | h31э | — | Uкэ =5 B, Iк =2A | 10 | 40 |
| КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т | |||||
| КТ837Б, М, Д, Р, И, У | 20 | 80 | |||
| КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | 50 | 150 | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | — | 2,5 |
| КТ837А — В, Л — Н | |||||
| КТ837Г — Е, П — С | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | 0,9 | ||
| КТ837Ж — К, Т — Ф | Iк= 2 А, Iб= 0,3 A | — | 0,5 | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ нас | В | Iк= 2 A, Iб=0,5 A | — | 1,5 |
| Параметры | Обознач. | Ед. измер. | Знач. | ||
| Постоянное напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 80 | ||
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 60 | ||||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 45 | ||||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом | Uкэ max | В | 60 | ||
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 45 | ||||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 30 | ||||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом | Uкэ max | В | 70 | ||
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 55 | ||||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 40 | ||||
| Постоянное напряжение эмиттер-база КТ837А — К КТ837Л — ф | Uэб max | В | 15 5 | ||
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 7.5 | ||
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 1 | ||
| Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода | Pк max | Вт | 30 | ||
| Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом | Pк max | Pк max | 1 |
КТ837 технические характеристики транзистора, аналоги, цоколевка
Советская серия транзисторов КТ837 по своим техническим характеристикам представляет собой мощные биполярные кремниевые PNP-устройства низкой частоты. Она была разработана в начале 80-х в качестве альтернативы для германиевых полупроводниковых собратьев П213 — П217. Используется преимущественно в силовых коммутационных схемах (переключающих), на выходах низкочастотных усилителей (УНЧ), в стабилизаторах напряжения и др.
Цоколевка
Цоколевка у транзисторов серии КТ837 – ЭКБ (представлена на рисунке). Устройство выпускается в современном пластиковом корпусе ТО-220, его советский аналог — КТ-28. Технические условия исполнения: аАО.336.403 ТУ.
Корпус устройства физически соединены с выводом коллектора.
Основные параметры
Транзисторы серии КТ837 подразделяют на 19 типов (от А до Х). У всей линейки одинаковая заявленной рассеиваемая мощность 30 Вт (при использовании теплоотвода) и ток коллектора 7,5 А (у белорусского до 10 А). По остальным параметрам они отличаются между собой, в основном величиной максимального напряжению между выводами и коэффициентом усиления по току (разброс по h21Э от 10 до 150).
Ниже представлены все возможные типы транзистора КТ837 и их основные технические характеристики. Значения указаны для температуры окружающей среды не более +25 oС.
Как видно из представленной таблицы параметров, данные устройства не могут похвастаться способностью работать при высоких температурах, характерных для большинства современных аналогов. Так, максимальный нагрев корпуса (ТК) у них не должен превышать +100 oС, а перехода (ТП) +125oС. Граничная частота коэффициента передачи тока (F гр.) иногда больше 1 МГц, в новых партиях может достигать 5 МГц.
Коэффициент h
21ЭК сожалению, разброс значений коэффициента усиления по току h21Э (он же HFE в зарубежной литературе) у серии КТ837 очень высокий — это один из главных её минусов. При этом, данный параметр может плавать в разных партиях как в большую, так и в меньшую сторону. Например, у некоторых транзисторов h21Э по даташит составляет 150, а при замерах в реальной жизни — в два, а то и в три раза хуже заявленного и не превышать 50.
Чтобы избежать сюрпризов в работе уже купленного транзистора, необходимо предварительно проверять соответствие значения h21Э с данными из даташит. Это можно сделать обычным мультиметром. Также заранее необходимо определится с его ролью в проекте. Устройства с буквами «В», «E», «Н» в конце маркировки, лучше подходят для усиления — они имеют h21Э от 50 до 150 и большой запас по возможному напряжению между выводами коллектор-эммттер. Для коммутационных схем лучше обратить внимание на устройства с меньшим h21Э и напряжением насыщения.
Наиболее универсальными в линейке являются транзисторы КТ837Ф. Как видно из таблицы параметров, они обладают довольно низким напряжением насыщения (UКЭ.нас. до 0,5 В), небольшим для этого током базы (IКБO до 0,15 мА) и высоким h21Э (от 50 до 150). Они хорошо подходят как для усиливающих, так и для переключений схем.
Меры безопасности
Для стабильной работы любого полупроводникового устройства необходимо правильно рассчитать его обвязку и добиться соблюдения режимов эксплуатации. Производители обычно рекомендуют отнимать от заявленных в даташит значений параметров 20-30%. Чтобы транзистор меньше грелся дополнительно предусматривают установку его на радиатор.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для рассматриваемого устройства является серия с NPN-структурой КТ805. Её долгие годы производили «без пары» и поэтому не указывали данной информации в технических справочниках. Позже для него начали производить комплементарник — КТ837 PNP-структуры. Очень часто эта парочка встречалась в выходных каскадах УНЧ. В советские годы их применяли в активной акустике вроде «Радиотехник S70», блоках УНЧ-50-8 усилителей «Радиотехника У7101 СТЕРЕО», «Радиотехника У101 СТЕРЕО».
Аналоги
Для транзистора КТ837 довольно сложно найти аналог. В большинстве случаев, при поиске ему альтернативы можно найти рекомендации по замене на уже снятые с производства транзисторы. Поэтому многие радиолюбители предпочитают не заморачиваться и меняют на оригинальный. В российских магазинах радиотоваров найти его не сложно. Тем не менее, для некоторых транзисторов этой серии можно рассмотреть следующие варианты замены:
- КТ837А, КТ837Г – BD244A, TIP42C;
- КТ837Б — BD302, KT818Б;
- КТ837В — КТ835Б, 2SB834;
- КТ837Д — 2N6111;
- КТ837C — 2N6108, 2N6109, BD225;
- КТ837Е — BD277;
- КТ837К — TIP127, КТ8115А;
- КТ837Н — 2N6107, BD223;
- КТ837Ф — 2N6106, BD224;
- КТ837Х — NTE197.
Согласно данных этикеток на КТ837 от старых версий выпускавшихся в СССР, данное полупроводниковое устройство не содержит драгоценных металлов. Оно не интересно для компании занимающихся аффинажем. Информация по новым изделиям в даташит у основных производителей не представлена.
Основные производители
До настоящего времени КТ837 выпускаются ограниченными партиями на белорусском предприятии «Интеграл» и российском АО «Группа Кремний ЭЛ». Современные версии делаются преимущественно по эпитаксиально-дифузной технологии, но из технического описания (datasheet) от ОАО «Интеграл» следует, что могут изготавливается также эпитаксиально-планарным способом. Даташит можно скачать по ссылке с наименованием компании-производителя.
Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 — маркировка и цоколевка.
Транзисторы КТ829
Транзисторы КТ829 — кремниевые, мощные,
низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры — n-p-n.
Корпус металло-пластиковый.
Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Внешний вид и расположение выводов на рисунке:
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока — 750.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ829А
— 100в.
У транзисторов КТ829Б
— 80в.
У транзисторов КТ829А
— 60в.
У транзисторов КТ829Г
— 45в.
Максимальный ток коллектора — 8 А.
Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении эмиттер-коллектор близкому к максимальному и
температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию
— не более 1,5 мА.
При температуре окружающей среды +85 по Цельсию — не более 3 мА.
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в — не более 2 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА — не более 2 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА:
— не более 2,5 в.
Рассеиваемая мощность коллектора. — 60 Вт(с радиатором).
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ829
КТ829А — 2SD686
КТ829Б — BD263
КТ829В — TIP122
КТ829Д — BDX53E
Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.
Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.
Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно — это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка «подпирает» транзистор.
На главную страницу
КТ837Х транзистор PNP (7,5А 180В) (h31Э >15) 30W (ТО220)
КТ837Х
Транзисторы КТ837Х кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.403 ТУ.
Характеристики транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф, КТ837Х:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max | IК. И. max | UКЭR max (UКЭ0 max) | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) | h31Э | UКЭ нас. | IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ837А | p-n-p | 7,5 | — | 70 | 80 | 15 | 1 (30) | 10…40 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Б | p-n-p | 7,5 | — | 70 | 80 | 15 | 1 (30) | 20…80 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837В | p-n-p | 7,5 | — | 70 | 80 | 15 | 1 (30) | 50…150 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Г | p-n-p | 7,5 | — | 55 | 60 | 15 | 1 (30) | 10…40 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Д | p-n-p | 7,5 | — | 55 | 60 | 15 | 1 (30) | 20…80 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Е | p-n-p | 7,5 | — | 55 | 60 | 15 | 1 (30) | 50…150 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Ж | p-n-p | 7,5 | — | 40 | 45 | 15 | 1 (30) | 10…40 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837И | p-n-p | 7,5 | — | 40 | 45 | 15 | 1 (30) | 20…80 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837К | p-n-p | 7,5 | — | 40 | 45 | 15 | 1 (30) | 50…150 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Л | p-n-p | 7,5 | — | 70 | 80 | 5 | 1 (30) | 10…40 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837М | p-n-p | 7,5 | — | 70 | 80 | 5 | 1 (30) | 20…80 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Н | p-n-p | 7,5 | — | 70 | 80 | 5 | 1 (30) | 50…150 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837П | p-n-p | 7,5 | — | 55 | 60 | 5 | 1 (30) | 10…40 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Р | p-n-p | 7,5 | — | 55 | 60 | 5 | 1 (30) | 20…80 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837С | p-n-p | 7,5 | — | 55 | 60 | 5 | 1 (30) | 50…150 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Т | p-n-p | 7,5 | — | 40 | 45 | 5 | 1 (30) | 10…40 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837У | p-n-p | 7,5 | — | 40 | 45 | 5 | 1 (30) | 20…80 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Ф | p-n-p | 7,5 | — | 40 | 45 | 5 | 1 (30) | 50…150 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
| КТ837Х | p-n-p | 7,5 | — | 180 | 180 | 5 | 1 (30) | >15 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | — | — | 125 | -60…+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h31Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Характеристики транзисторов кт837, аналоги, цоколевка
КТ837 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности средней частоты.
Зарубежный аналог КТ837
- КТ837А — 2SD685
- КТ837В — 2SB834, 2SB906
- КТ837Н — BD223
- КТ837Р — 2SB434, 2SB434G, 2SB435G
- КТ837С — BD225
- КТ837У — 2SB435
- КТ837Ф — BD224
Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.
Особенности
- Комплиментарная пара – наиболее подходящая пара КТ805
Корпусное исполнение и цоколевка КТ837
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Характеристики транзистора КТ837
Предельные параметры КТ837
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю (UКЭ0 max) при Тп = 25° C:
- КТ837Ж — 30 В
- КТ837И — 30 В
- КТ837К — 30 В
- КТ837Т — 30 В
- КТ837У — 30 В
- КТ837Ф — 30 В
- КТ837Г — 45 В
- КТ837Д — 45 В
- КТ837Е — 45 В
- КТ837П — 45 В
- КТ837Р — 45 В
- КТ837С — 45 В
- КТ837А — 60 В
- КТ837Б — 60 В
- КТ837В — 60 В
- КТ837Л — 60 В
- КТ837М — 60 В
- КТ837Н — 60 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (UКБ0 max) при Тп = 25° C:
- КТ837Ж — 45 В
- КТ837И — 45 В
- КТ837К — 45 В
- КТ837Т — 45 В
- КТ837У — 45 В
- КТ837Ф — 45 В
- КТ837Г — 60 В
- КТ837Д — 60 В
- КТ837Е — 60 В
- КТ837П — 60 В
- КТ837Р — 60 В
- КТ837С — 60 В
- КТ837А — 80 В
- КТ837Б — 80 В
- КТ837В — 80 В
- КТ837Л — 80 В
- КТ837М — 80 В
- КТ837Н — 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:
- КТ837Ж — 15 В
- КТ837И — 15 В
- КТ837К — 15 В
- КТ837Т — 5 В
- КТ837У — 5 В
- КТ837Ф — 5 В
- КТ837Г — 15 В
- КТ837Д — 15 В
- КТ837Е — 15 В
- КТ837П — 5 В
- КТ837Р — 5 В
- КТ837С — 5 В
- КТ837А — 15 В
- КТ837Б — 15 В
- КТ837В — 15 В
- КТ837Л — 5 В
- КТ837М — 5 В
- КТ837Н — 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (PК max) при Тк = 25° C:
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):
Электрические характеристики транзисторов КТ837 при Т
п = 25oССтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (UКЭ) 5 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 2 А:
- КТ837Ж — 10 — 40
- КТ837И — 10 — 40
- КТ837К — 20 — 80
- КТ837Т — 10 — 40
- КТ837У — 20 — 80
- КТ837Ф — 50 — 150
- КТ837Г — 10 — 40
- КТ837Д — 10 — 40
- КТ837Е — 20 — 80
- КТ837П — 10 — 40
- КТ837Р — 20 — 80
- КТ837С — 50 — 150
- КТ837А — 10 — 40
- КТ837Б — 10 — 40
- КТ837В — 20 — 80
- КТ837Л — 10 — 40
- КТ837М — 20 — 80
- КТ837Н — 50 — 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
- КТ837Ж — 2,5 В
- КТ837И — 2,5 В
- КТ837К — 2,5 В
- КТ837Т — 0,5 В
- КТ837У — 0,5 В
- КТ837Ф — 0,5 В
- КТ837Г — 0,5 В
- КТ837Д — 0,5 В
- КТ837Е — 0,5 В
- КТ837П — 0,9 В
- КТ837Р — 0,9 В
- КТ837С — 0,9 В
- КТ837А — 2,5 В
- КТ837Б — 2,5 В
- КТ837В — 2,5 В
- КТ837Л — 2,5 В
- КТ837М — 2,5 В
- КТ837Н — 2,5 В
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)
- КТ837А-Ф — 3,33 ° C/Вт
Опубликовано 11.02.2020
Электронные устройства в автомобилях
Электронные устройства в автомобиляхВ периоды, когда напряжение на инвертирующем входе 4 операционного усилителя DA2 (см. рис. 61), входящего в состав ЭУ, выше напряжения на его неинвертирующем входе 5, напряжение на выходе 10 усилителя небольшое (примерно 1,5 В по отношению к шине — Uct). При этом необходимо с помощью выходного транзистора VT23 отключать обмотку электромагнита ЭПС от источника питания, для чего требуется обеспечить выключение транзисторов VT22, VT21 и VT20, входящих совместно с транзистором VT23 в состав выходного усилителя. С этой целью эмиттер транзистора VT20 подключен к средней точке делителя напряжения, образованного резисторами R72 и R73, а база транзистора — к средней точке делителя напряжения, образованного резисторами R66 и R67. . При номинальных значениях сопротивлений резисторов, указанных на рис. 61, напряжение на эмиттере транзистора VT20 оказывается выше напряжения на его базе, вследствие чего транзистор закрыт. Когда напряжение на неинвертирующем входе 5 усилителя DA2 выше напряжения на его инвертирующем входе 4, на выходе 10 усилителя появляется высокое напряжение (примерно 8,5 В). При подаче данного напряжения на базу транзистора VT20 через делитель (резисторы R6G и R67) транзистор открывается и работает в режиме насыщения. В результате происходит открытие транзисторов VT21, VT22 и VT23, и обмотка электромагнита ЭПС подключается к бортовой сети через резистор R78 (0,4 Ом). . Транзисторы VT22 и VT23 включены по одной из модификаций схемы составного транзистора. При этом падение напряжения на переходе эмиттер — коллектор включенного транзистора VT23 равно около 1 В, т. е. даже при максимально возможной силе тока нагрузки данного транзистора, не превышающей 3 А, рассеиваемая мощность в транзисторе составит не более 3 Вт. У транзисторов типа КТ837Х, использованного в качестве выходного транзистора VT23, коллектор соединен с корпусом транзистора. С другой стороны, коллектор транзистора VT23 имеет электрическую связь с массой автомобиля. Это позволяет просто решить проблему охлаждения транзистора VT23 путем его установки непосредственно на корпус электронного блока. . Выше уже отмечалось, что при постоянном напряжении UВЫХ РТ обеспечивает постоянное среднее значение тока Iэм независимо от сопротивления обмотки электромагнита. Это сохраняется и при коротком замыкании обмотки электромагнита. Однако в данном случае резко возрастает частота изменения тока Iэм (на 2 — 3 порядка), так как в короткозамкнутой цепи отсутствует индуктивность. Кроме того, увеличивается разница между минимальным и максимальным значениями силы тока в процессе его изменения, которая имеется при открытии и закрытии выходного транзистора VT23. В результате указанного существенно увеличивается мощность, рассеиваемая на транзисторе VT23. Именно этот режим является определяющим для выбора размеров охлаждающего радиатора для транзистора VT23. . При применении в качестве выходного транзистора типа КТ837Х, у которого допустимое напряжение база — эмиттер равно 15 В, обеспечивается защита всех элементов усилителя от напряжения обратной полярности. В случае такого подключения, несмотря на соединение базы транзистора VT23 с положительным полюсом бортовой сети, переход база — эмиттер транзистора не будет пробит, а инверсное включение транзистора VT22 также не создаст каких-либо аварийных режимов, поскольку в цепь коллектора транзистора VT22 включен резистор R77 с номинальным сопротивлением 1 кОм. За счет совместного действия ПЧН, элемента управления и выходного усилителя РТ обеспечивается получение характеристик Iэм =f(пк), приведенных на рис. 59. Наклон этих характеристик можно корректировать с помощью подстроечных элементов РТ. При изменении напряжения UВых на выходе ПЧН напряжение на выводе 4 операционного усилителя DA2 будет меняться тем в больших пределах, чем меньше сопротивление подстроечного резистора R44*. В свою очередь, увеличение диапазона изменения напряжения на выводе 4 DA2 приводит к большим изменениям силы тока Iэм при том же диапазоне изменения частот вращения пк. Вследствие этого возрастает крутизна характеристики Iэм =f(nк). Очевидно, что в результате повышения сопротивления подстроечного резистора R44* будет обеспечено уменьшение крутизны этой характеристики. . В случае повышения сопротивления подстроечного резистора R53* для сохранения прежнего уровня напряжения на выводе 5 усилителя DA2 необходимо соответственно уменьшить напряжение, подводимое к резистору R49. Это возможно только при увеличении падения напряжения в измерительном резисторе R78, т. е. при повышении силы тока Iэм. Поэтому повышение сопротивления резистора R53* приводит к смещению зависимости Iэм = =f(nк) в зону более высоких значений пк, а уменьшение сопротивления резистора R53* — в зону меньших nк. Узел блокировки сцепления. В состав узла блокировки (УБ) сцепления входят: . пороговое устройство ПУ, вырабатывающее при определенных значениях пк команды на осуществление блокировки и разблокировки сцепления; элемент плавного включения блокировки (ЭПВ), получающий от порогового устройства команду на блокировку сцепления и реализующий ее вследствие плавного уменьшения силы тока в обмотке электромагнита ЭПС до значения, близкого к нулю. Продол- . жительность указанного процесса уменьшения силы тока составляет 1,5 — 2 с; элемент корректирования включения блокировки (ЭК), изменяющий после переключения передач настройку порогового устройства для включения блокировки сцепления при уменьшенном значении пк. . Пороговое устройство. Пороговое устройство (ПУ) выполнено в виде операционного усилителя DA1 с положительной обратной связью, реализуемой с помощью транзистора VT2 и резисторов R5 и R6 (см. рис.61). Напряжение к неинвертирующему входу 5 DA1 подводится от выхода ПЧН, а инвертирующий вход 4 подключен к стабилизированному напряжению питания через делитель напряжения, образованный резисторами R11, R12 и R14 *. При частоте вращения коленчатого вала, меньшей значения nб, напряжение Uвых на выходе ПЧН и, следовательно, на входе 5 DA1 меньше напряжения на входе 4. Поэтому операционный усилитель DA1 работает в режиме с низким уровнем напряжения на его выходе 10 (около 1,5 В). Этого напряжения недостаточно для открытия транзистора VT16 вследствие падения напряжения в диоде VD4 и подведения к эмиттеру транзистора VT16 напряжения от выхода ПЧН (через делитель напряжения, образованный резисторами R57 и R58), При выключенном, транзисторе VT16 команда на включение блокировки не подается. В этот период также закрыт и транзистор VT2, что обеспечивает отключение резисторов R5 и R8* от шины — Ucr. После того, как частота вращения пк возрастает до значения пб, при котором напряжение на входе 5 DA1 становится больше напряжения на его входе 4, операционный усилитель скачкообразно переходит в режим, характеризующийся появлением напряжения высокого уровня (около 8,5 В) на его выходе 10. Скачкообразное переключение DA1 обеспечивается тем, что еще в процессе нарастания напряжения на его выходе открывается транзистор VT2, вызывающий уменьшение напряжения на инвертирующем входе 4 усилителя вследствие подключения к шине — Uст резисторов R5 и R8*. Появление высокого напряжения на выходе 10 усилителя является командой на блокировку сцепления. . После перехода усилителя DA1 в режим с высоким уровнем выходного напряжения вследствие уменьшения напряжения на инвертирующем входе 4 обратное переключение усилителя (в режим с низким уровнем выходного напряжения) может произойти лишь после того, как напряжение UВЫК на выходе ПЧН снизится до значения, равного уменьшенному напряжению на входе 4 усилителя. Для этого частота вращения коленчатого вала должна снизиться до значения nрб, которое меньше частоты вращения гсб. В результате обеспечивается требуемый характер изменения зависимости Мс = f(nK), при котором снижается работа буксования сцепления. С увеличением сопротивления подстроечного резистора R14* повышается напряжение на инвертирующем входе 4 усилителя DA1. В этом случае для переключения усилителя в режим с высоким уровнем его выходного напряжения к входу 5 необходимо подвести от выхода ПЧН более высокое напряжение. Указанное означает, что увеличение сопротивления резистора R14* смещает частоты вращения nб и nрб в зону более высоких значений пк. Уменьшение сопротивления резистора R14*, наоборот, уменьшает значения nб и nрб.
| главная | 1 | 2 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | последняя |
S.U.R. & R Tools Транзисторы кремниевые КТ837Ж СССР 15 шт: Электроника
| Цена: | 13 долларов.50 +4,99 $ перевозки |
- Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
- Транзисторы кремниевые КТ837Ж СССР 15 шт.
- На нашем складе более 25 000 наименований. Полные списки можно найти здесь: www.amazon.com/shops/A19NX3RFNSYB6R.
- Если вы не можете найти нужный товар, свяжитесь с нами.
|
|
K39N60W-عات الکترون آی سی الا
نوع ترانزیستور: N-канал
حداکثر Vds (ولت): 600
حداکثر Vgs به (ولت): 30
حداکثر Id (آمپر): 38.8
حداکثر توان مصرفی (وات): 270
rdsON به (اهم): 0.055
حداکثر (td (ON به (نانو ثانیه): 80
حداکثر (td (OFF به (نانو انیه): 200
حداکثر مان خیز Tr به (نانو انیه): 50
حداکثر مان فرود Tf به (نانو انیه): 9
.