Транзистор кт908а параметры: Транзистор КТ908А — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение — Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор КТ908: КТ908А, КТ908Б, 2Т908А

Поиск по сайту Новости Галогенным лампам снова нашли замену

ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ908 Транзистор КТ908 — переключательный, кремниевый, структуры n-p-n, мезапланарный. Применение — импульсные модуляторы, преобразователи и стабилизаторы напряжения. Имеет жёсткие выводы со стеклянными изоляторами и металлический корпус. Масса не более 22 г. В комплекте бывает накидной фланец, массой не боее 12 г. Цоколевка КТ908 показана на рисунке. Электрические параметры транзистора КТ908 • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 2 А:   при Тк = +25°C:     Uкэ = 2 В, Iк = 10 А для КТ908А, 2Т908А 8 ÷ 60     U кэ = 4 В, Iк = 4 А для КТ908Б, не менее 20   при Тк = −60°C:     Uкэ = 2 В, Iк = 10 А для КТ908А, 2Т908А 6 ÷ 60     Uкэ = 4 В, Iк = 4 А для КТ908Б, не менее 10 • Отношение статического коэффициента передачи тока при Тк = +125°C к статическому коэффициенту передачи тока при Тк = +25°C, Uкэ = 2 В, Iк = 5 А, не более:     КТ908А 5     КТ908Б 5     2Т908А 3 • Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при f = 10 МГц, Uкэ = 10 В, Iэ = 1 А, не менее:   КТ908А, КТ908Б 3   2Т908А 5 • Напряжение насыщения К-Э, не более:   при Iк = 10 А, Iб = 2 А для КТ908А, 2Т908А 1. 5 В   при Iк = 5 А, Iб = 1 А для 2Т908А 0.8 В   при Iк = 4 А, Iб = 0.4 А для КТ908Б 1 В • Напряжение насыщения Б-Э, не более   при Iк = 10 А, Iб = 2 А для КТ908А, КТ908Б, 2Т908А 2.3 В   при Iк = 5 А, I б = 1 А для 2Т908А 1.6 В • Время включения при Iк = 5 А, Iб = 1 А 0.1 ÷ 0.3 мкс • Время спада при Iк = 5 А, Iб = 1 А 0.1 ÷ 0.3 мкс • Время рассасывания при Iк = 5 А, Iб = 1 А 0. 6 ÷ 2.6 мкс • Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 40 В, f = 300 КГц, не более   700 пФ • Обратный ток К-Э при Uкэ = 70 В, не более:   при Тк = −60…+25°C:     Uкэ = 100 В, Rбэ = 10 Ом для КТ908А, 2Т908А 25 мА     Uкэ = 60 В, Rбэ = 250 Ом для КТ908Б, не менее 50 мА   при Тк = +125°C:     Uкэ = 80 В, Rбэ = 10 Ом для 2Т908А 50 мА     Uкэ = 80 В, Rбэ = 10 Ом для КТ908А 75 мА     Uкэ = 60 В, Rбэ = 250 Ом для КТ908Б 150 мА • Обратный ток эмиттера при Uэб = 5 В, не более: 300 мА Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ908 • Напряжение К-Э (постоянное) при Т п −60. ..+100°C:   Rбэ = 10 Ом для КТ908А, 2Т908А 100 В   Rбэ = 250 Ом для КТ908Б 60 В • Напряжение К-Б (постоянное) при Тп −60…+100°C: 140 В • Напряжение Э-Б (постоянное) 5 В • Ток коллектора (постоянный) 10 А • Ток базы (постоянный) 5 А • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная) при Т к −60…+50°C     50 Вт • Температура p-n перехода +150°C • Температура корпуса +125°C • Рабочая температура (окружающей среды) −60. ..Тк = +125°C

Транзистор КТ908 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ908

 

Описание

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные высокочастотные мощные. Предназначены для работы в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г, накидного фланца не более 12 г.

 

Параметры транзистора КТ908

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ908А		BDY92, 2N1900 *2, PG1389 *1, PG1384 *1, SDT7B07 *1, PG1369 *1, PG1340 *1, PG1335 *1, SDT3228 *1, 1718-1005 *1, SDT85608 *1, SDT7A09 *1 , SDT7B06 *1, SDT3227 *1, PG1382 *1, PG1362 *1
		КТ908Б		BDY92, SDT7A08 *1, SDT85607 *1, SDT85307 *1, SDT7608 *1, SDT7B05 *1, SDT3226 *1, PG1380 *1, PG1360 *1, PG1387 *1, PG1367 *1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ908А	50 °C	50*	Вт
		КТ908Б	50 °C	50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ908А	—	≥30	МГц
		КТ908Б	—	≥30
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ908А	0.01к	100*	В
		КТ908Б	0.25к	60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ908А	—	5	В
		КТ908Б	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ908А	—	10	А
		КТ908Б	—	10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ908А	100 В	≤25*	мА
		КТ908Б	60 В	≤50*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ908А	2 В; 10 А	8…60*
		КТ908Б	4 В; 0. 4 А	≥20*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ908А	10 В	≤700	пФ
		КТ908Б	10 В	≤700
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ908А	—	≤0.15	Ом, дБ
		КТ908Б	—	≤0.25
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ908А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ908Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ908А	—	≤2600*	пс
		КТ908Б	—	≤2600*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.