Транзистор кт908а параметры. Транзистор КТ908А: параметры, характеристики и применение мощного переключательного транзистора

Каковы основные параметры и характеристики транзистора КТ908А. Где применяется этот мощный кремниевый n-p-n транзистор. Какие особенности конструкции и эксплуатации нужно учитывать при работе с КТ908А.

Общие сведения о транзисторе КТ908А

Транзистор КТ908А представляет собой мощный кремниевый n-p-n транзистор переключательного типа. Он относится к семейству транзисторов КТ908, которое также включает модели КТ908Б и 2Т908А. Данный транзистор имеет мезапланарную структуру и предназначен для работы в импульсных схемах.

Основные характеристики КТ908А:

• Структура: n-p-n
• Материал: кремний
• Тип: мощный переключательный
• Максимальная рассеиваемая мощность: 50 Вт
• Максимальный ток коллектора: 10 А
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В

Конструктивные особенности транзистора КТ908А

Транзистор КТ908А выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами, имеющими стеклянные изоляторы. Масса транзистора без учета дополнительных элементов составляет не более 22 г. В комплекте может поставляться накидной фланец массой до 12 г, предназначенный для улучшения теплоотвода.

Цоколевка транзистора КТ908А:

• 1 — эмиттер
• 2 — база
• 3 — коллектор (соединен с корпусом)

Основные электрические параметры КТ908А

Рассмотрим ключевые электрические характеристики транзистора КТ908А:

• Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером: 8-60 при Uкэ = 2 В, Iк = 10 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: не более 1.5 В при Iк = 10 А, Iб = 2 А
• Напряжение насыщения база-эмиттер: не более 2.3 В при Iк = 10 А, Iб = 2 А
• Емкость коллекторного перехода: не более 700 пФ при Uкб = 40 В, f = 300 кГц
• Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 30 МГц

Предельные эксплуатационные характеристики КТ908А

При использовании транзистора КТ908А важно учитывать следующие предельные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В (при Rбэ = 10 Ом)
• Максимальное напряжение коллектор-база: 140 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
• Максимальный постоянный ток коллектора: 10 А
• Максимальный постоянный ток базы: 5 А
• Максимальная температура p-n перехода: +150°C
• Диапазон рабочих температур: от -60°C до +125°C

Применение транзистора КТ908А в электронных схемах

Транзистор КТ908А находит широкое применение в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам. Основные области применения включают:

1. Импульсные модуляторы
2. Преобразователи напряжения
3. Стабилизаторы напряжения
4. Ключевые схемы с высокой нагрузочной способностью
5. Мощные усилители импульсных сигналов

В импульсных модуляторах КТ908А используется для формирования мощных импульсов с высокой скоростью нарастания фронта. В преобразователях и стабилизаторах напряжения этот транзистор обеспечивает эффективное переключение при высоких токах нагрузки.

Особенности работы с транзистором КТ908А

При использовании транзистора КТ908А в электронных схемах следует учитывать ряд важных моментов:

• Необходимость эффективного теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности
• Учет температурной зависимости параметров при проектировании схем
• Обеспечение правильного режима работы для предотвращения выхода за предельные значения
• Использование защитных цепей для предотвращения пробоя при работе с индуктивными нагрузками

Как обеспечить эффективный теплоотвод для КТ908А? Рекомендуется использовать массивный радиатор с площадью не менее 50-100 см², обеспечивая надежный тепловой контакт между корпусом транзистора и поверхностью радиатора. При необходимости можно применять принудительное воздушное охлаждение.

Сравнение КТ908А с аналогами

Транзистор КТ908А имеет ряд отечественных и зарубежных аналогов. Рассмотрим некоторые из них:

• КТ908Б — отличается меньшим максимальным напряжением коллектор-эмиттер (60 В)
• 2Т908А — имеет схожие характеристики, но с некоторыми отличиями в предельных параметрах
• BDY92 — зарубежный аналог с близкими параметрами
• 2N1900 — американский транзистор со схожими характеристиками

Чем КТ908А отличается от КТ908Б? Основное различие заключается в максимально допустимом напряжении коллектор-эмиттер: для КТ908А оно составляет 100 В, а для КТ908Б — 60 В. Кроме того, КТ908Б имеет несколько иные значения коэффициента передачи тока и входного сопротивления.

Преимущества использования КТ908А

Транзистор КТ908А обладает рядом преимуществ, делающих его привлекательным выбором для разработчиков электронных устройств:

• Высокая нагрузочная способность по току (до 10 А)
• Хорошие частотные характеристики для мощного транзистора
• Относительно низкое напряжение насыщения
• Широкий диапазон рабочих температур
• Доступность и отработанная технология производства

Рекомендации по выбору режима работы КТ908А

Для обеспечения надежной и эффективной работы транзистора КТ908А следует придерживаться следующих рекомендаций:

1. Выбирать рабочую точку в пределах области безопасной работы транзистора
2. Обеспечивать достаточный запас по напряжению и току для предотвращения выхода в режим пробоя
3. Учитывать температурную зависимость параметров при расчете схем
4. Использовать цепи защиты от перенапряжений и перегрузок по току
5. Обеспечивать эффективный теплоотвод для поддержания температуры перехода в допустимых пределах

Какой режим работы оптимален для КТ908А в импульсных схемах? Рекомендуется использовать транзистор в ключевом режиме, обеспечивая быстрое переключение между состояниями насыщения и отсечки. Это позволяет минимизировать потери мощности и улучшить эффективность схемы.

Особенности применения КТ908А в высокочастотных схемах

При использовании КТ908А в высокочастотных приложениях следует учитывать следующие аспекты:

• Ограничение рабочей частоты в пределах 1-2 МГц для обеспечения эффективной работы
• Минимизация паразитных индуктивностей в цепях эмиттера и базы
• Использование снабберных цепей для уменьшения коммутационных потерь
• Оптимизация топологии печатной платы для улучшения тепловых характеристик и снижения электромагнитных помех

Транзистор КТ908А, благодаря своим характеристикам, остается востребованным компонентом в различных областях электроники, особенно в силовых и импульсных применениях. Правильное использование этого транзистора позволяет создавать эффективные и надежные электронные устройства.

Транзистор КТ908: КТ908А, КТ908Б, 2Т908А

Поиск по сайту Новости Галогенным лампам снова нашли замену

ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ908 Транзистор КТ908 — переключательный, кремниевый, структуры n-p-n, мезапланарный. Применение — импульсные модуляторы, преобразователи и стабилизаторы напряжения. Имеет жёсткие выводы со стеклянными изоляторами и металлический корпус. Масса не более 22 г. В комплекте бывает накидной фланец, массой не боее 12 г. Цоколевка КТ908 показана на рисунке. Электрические параметры транзистора КТ908 • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 2 А:   при Т к = +25°C:     Uкэ = 2 В, Iк = 10 А для КТ908А, 2Т908А 8 ÷ 60     Uкэ = 4 В, Iк = 4 А для КТ908Б, не менее 20   при Тк = −60°C:     Uкэ = 2 В, Iк = 10 А для КТ908А, 2Т908А 6 ÷ 60     Uкэ = 4 В, Iк = 4 А для КТ908Б, не менее 10 • Отношение статического коэффициента передачи тока при Тк = +125°C к статическому коэффициенту передачи тока при Тк = +25°C, Uкэ = 2 В, Iк = 5 А, не более:     КТ908А 5     КТ908Б 5     2Т908А 3 • Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при f = 10 МГц, Uкэ = 10 В, Iэ = 1 А, не менее:   КТ908А, КТ908Б 3   2Т908А 5 • Напряжение насыщения К-Э, не более:   при Iк = 10 А, Iб = 2 А для КТ908А, 2Т908А 1. 5 В   при Iк = 5 А, Iб = 1 А для 2Т908А 0.8 В   при Iк = 4 А, Iб = 0.4 А для КТ908Б 1 В • Напряжение насыщения Б-Э, не более   при Iк = 10 А, Iб = 2 А для КТ908А, КТ908Б, 2Т908А 2.3 В   при Iк = 5 А, Iб = 1 А для 2Т908А 1.6 В • Время включения при Iк = 5 А, Iб = 1 А 0.1 ÷ 0.3 мкс • Время спада при Iк = 5 А, Iб = 1 А 0.1 ÷ 0.3 мкс • Время рассасывания при Iк = 5 А, Iб = 1 А 0. 6 ÷ 2.6 мкс • Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 40 В, f = 300 КГц, не более   700 пФ • Обратный ток К-Э при Uкэ = 70 В, не более:   при Тк = −60…+25°C:     Uкэ = 100 В, Rбэ = 10 Ом для КТ908А, 2Т908А 25 мА     Uкэ = 60 В, Rбэ = 250 Ом для КТ908Б, не менее 50 мА   при Тк = +125°C:     Uкэ = 80 В, Rбэ = 10 Ом для 2Т908А 50 мА     Uкэ = 80 В, Rбэ = 10 Ом для КТ908А 75 мА     Uкэ = 60 В, Rбэ = 250 Ом для КТ908Б 150 мА • Обратный ток эмиттера при Uэб = 5 В, не более: 300 мА Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ908 • Напряжение К-Э (постоянное) при Тп −60. ..+100°C:   Rбэ = 10 Ом для КТ908А, 2Т908А 100 В   Rбэ = 250 Ом для КТ908Б 60 В • Напряжение К-Б (постоянное) при Тп −60…+100°C: 140 В • Напряжение Э-Б (постоянное) 5 В • Ток коллектора (постоянный) 10 А • Ток базы (постоянный) 5 А • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная) при Тк −60…+50°C     50 Вт • Температура p-n перехода +150°C • Температура корпуса +125°C • Рабочая температура (окружающей среды) −60. ..Тк = +125°C

Транзистор КТ908 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ908

 

Описание

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные высокочастотные мощные. Предназначены для работы в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г, накидного фланца не более 12 г.

 

Параметры транзистора КТ908

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ908А		BDY92, 2N1900 *2, PG1389 *1, PG1384 *1, SDT7B07 *1, PG1369 *1, PG1340 *1, PG1335 *1, SDT3228 *1, 1718-1005 *1, SDT85608 *1, SDT7A09 *1, SDT7B06 *1, SDT3227 *1, PG1382 *1, PG1362 *1
		КТ908Б		BDY92, SDT7A08 *1, SDT85607 *1, SDT85307 *1, SDT7608 *1, SDT7B05 *1, SDT3226 *1, PG1380 *1, PG1360 *1, PG1387 *1, PG1367 *1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ908А	50 °C	50*	Вт
		КТ908Б	50 °C	50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ908А	—	≥30	МГц
		КТ908Б	—	≥30
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ908А	0.01к	100*	В
		КТ908Б	0.25к	60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ908А	—	5	В
		КТ908Б	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ908А	—	10	А
		КТ908Б	—	10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ908А	100 В	≤25*	мА
		КТ908Б	60 В	≤50*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ908А	2 В; 10 А	8…60*
		КТ908Б	4 В; 0. 4 А	≥20*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ908А	10 В	≤700	пФ
		КТ908Б	10 В	≤700
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ908А	—	≤0.15	Ом, дБ
		КТ908Б	—	≤0.25
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ908А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ908Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ908А	—	≤2600*	пс
		КТ908Б	—	≤2600*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.