Транзистор кт972а – 972.

Содержание

Транзистор КТ972 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ972Цоколевка транзистора КТ972

 

Параметры транзистора КТ972
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ972А BD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972Б BD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ972А
8* Вт
КТ972Б 8*
КТ972В 8*
КТ972Г 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ972А ≥200 МГц
КТ972Б ≥200
КТ972В ≥200
КТ972Г ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ972А 60* В
КТ972Б 45*
КТ972В 60*
КТ972Г 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ972А 5 В
КТ972Б 5
КТ972В 5
КТ972Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ972А 4* А
КТ972Б 4*
КТ972В 2
КТ972Г 2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ972А 60 В ≤1* мА
КТ972Б 45 В ≤1*
КТ972В 60 В ≤1*
КТ972Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ972А 3 В; 1 А ≥750*
КТ972Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ972В 3 В; 1 А 750…5000
КТ972Г
3 В; 1 А 750…5000
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ972А ≤3 пФ
КТ972Б ≤3
КТ972В ≤3
КТ972Г ≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ972А Ом, дБ
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P
**
вых
КТ972А Дб, Ом, Вт
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ972А ≤200* пс
КТ972Б ≤200*
КТ972В ≤200*
КТ972Г ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите

Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги:

↑ Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Ueb  Ic  Tj  Ft  Hfe
WW263  Si  NPN 65,00 100,00 5,00 10,00 150,00 1000,00
U2T833  Si  NPN 60,00 12,00 5,00 200,00 1000,00
U2T832  Si  NPN 60,00 12,00 5,00 200,00 1000,00
U2T823  Si  NPN 35,00 12,00 5,00 200,00
1000,00
U2T822  Si  NPN 35,00 12,00 5,00 200,00 1000,00
U2T6O1  Si  NPN 50,00 80,00 20,00 200,00 1000,00
U2T605  Si  NPN 50,00 150,00 20,00 200,00 1000,00
TTD1415B  Si  NPN 25,00 120,00 6,00 7,00 150,00 1000,00
TSB142  Si  NPN 125,00 10,00 150,00 1000,00
TSB141  Si  NPN 135,00 10,00 150,00 1000,00
TIPL777B  Si  NPN 180,00 1150,00 6,00 20,00 150,00 1000,00
TIPL777A  Si  NPN 180,00 1050,00 6,00 20,00 150,00 1000,00
TIPL777
 Si
 NPN 180,00 950,00 6,00 20,00 150,00 1000,00
TIP642  Si  NPN 175,00 100,00 5,00 10,00 200,00 1000,00
TIP641  Si  NPN 175,00 80,00 5,00 10,00 200,00 1000,00
TIP640  Si  NPN 175,00 60,00 5,00 10,00 200,00 1000,00
TIP622  Si  NPN 65,00 100,00 5,00 8,00 200,00 1000,00
TIP621  Si  NPN 65,00 80,00 5,00 8,00 200,00 1000,00
TIP620  Si  NPN 65,00 60,00 5,00 8,00 200,00 1000,00
TIP602  Si  NPN 100,00 100,00 5,00 10,00 200,00 1000,00
TIP601  Si  NPN 100,00 80,00 5,00 10,00 200,00 1000,00
TIP600  Si  NPN 100,00 60,00 5,00 10,00 200,00 1000,00
TIP132  Si  NPN 70,00 100,00 5,00 8,00 150,00 1000,00
TIP131  Si  NPN 70,00 80,00 5,00 8,00 150,00 1000,00
TIP130  Si  NPN 70,00 60,00 5,00 8,00 150,00 1000,00
TIP122L  Si  NPN 40,00 100,00 5,00 5,00 150,00 1000,00
TIP122FP  Si  NPN 29,00 100,00 5,00 5,00 150,00 1000,00
TIP122F  Si  NPN 65,00 100,00 5,00 5,00 150,00 1000,00
TIP122  Si  NPN 65,00 100,00 5,00 5,00 150,00 1000,00
TIP121  Si  NPN 65,00 80,00 5,00 5,00 150,00 1000,00
TIP120  Si  NPN 65,00 60,00 5,00 5,00 150,00 1000,00
TIP112  Si  NPN 50,00 100,00 5,00 4,00 150,00 750,00
TIP111  Si  NPN 50,00 80,00 5,00 4,00 150,00 750,00
TIP110  Si  NPN 50,00 60,00 5,00 4,00 150,00 750,00
TD649  Si  NPN  62.5 100,00 5,00 8,00 200,00 750,00
TD647  Si  NPN  62.5 80,00 5,00 8,00 200,00 750,00
TD645
 Si
 NPN  62.5 60,00 5,00 8,00 200,00 750,00
TD265C  Si  NPN 117,00 120,00 5,00 12,00 200,00 750,00
TD265B  Si  NPN 117,00 100,00 5,00 12,00 200,00 750,00
TD265A  Si  NPN 117,00 80,00 5,00 12,00 200,00 750,00
TD265  Si  NPN 117,00 60,00 5,00 12,00 200,00 750,00
TD163C  Si  NPN 90,00 120,00 5,00 8,00 200,00 750,00
TD163B  Si  NPN 90,00 100,00 5,00 8,00 200,00 750,00
TD163A  Si  NPN 90,00 80,00 5,00 8,00 200,00 750,00
TD163  Si  NPN 90,00 60,00 5,00 8,00 200,00 750,00
T430  Si  NPN 100,00 600,00 5,00 10,00 800,00
T30F  Si  NPN 80,00 500,00 5,00 10,00 1000,00
T30  Si  NPN 100,00 500,00 5,00 10,00 1000,00
STTIP122  Si  NPN 65,00 100,00 5,00 5,00 150,00 1000,00
STD901T  Si  NPN 35,00 500,00 5,00 4,00 150,00 1800,00
STD03N  Si  NPN 160,00 160,00 5,00 15,00 150,00 5000,00
STD01N  Si  NPN 100,00 150,00 5,00 10,00 150,00 5000,00
ST901T  Si  NPN 30,00 500,00 5,00 4,00 175,00 1500,00
SLA6022  Si  NPN*PNP 25,00 100,00 6,00 5,00 150,00 2000,00
SLA6020  Si  NPN*PNP 25,00 100,00 6,00 5,00 150,00 2000,00
SLA6012  Si  NPN*PNP 25,00 60,00 6,00 4,00 150,00 2000,00
SLA4390  Si  NPN*PNP 25,00 100,00 6,00 5,00 150,00 2000,00
SLA4061  Si  NPN 25,00 120,00 6,00 5,00 150,00 2000,00
SLA4060  Si  NPN 25,00 120,00 6,00 5,00 150,00 2000,00
SLA4031  Si  NPN 25,00 120,00 6,00 4,00 150,00 2000,00
SLA4030  Si  NPN 25,00 120,00 6,00 4,00 150,00 2000,00
SGSIF465  Si  NPN 65,00 1300,00 10,00 175,00
SGSIF464  Si  NPN 65,00 1200,00 10,00 175,00
SGSIF463  Si  NPN 65,00 1000,00 12,00 175,00
SGSIF461  Si  NPN 65,00 850,00 15,00 175,00
SGSIF445  Si  NPN 55,00 1300,00 7,00 175,00
SGSIF444  Si  NPN 55,00 1200,00 7,00 175,00
SGSIF443  Si  NPN 55,00 1000,00 8,00 175,00
SGSIF441  Si  NPN 55,00 850,00 10,00 175,00
SGSIF425  Si  NPN 45,00 1300,00 4,00 175,00
SGSIF424  Si  NPN 45,00 1200,00 4,00 175,00
SGSIF423  Si  NPN 45,00 1000,00 5,00 175,00
SGSIF421  Si  NPN 45,00 850,00 5,00 175,00
SGSIF345  Si  NPN 40,00 1300,00 7,00 175,00
SGSIF344  Si  NPN 40,00 1200,00 7,00 175,00
SGSIF343  Si  NPN 40,00 1000,00 8,00 175,00
SGSIF341  Si  NPN 40,00 850,00 10,00 175,00
SGSIF325  Si  NPN 35,00 1300,00 4,00 175,00
SGSIF324  Si  NPN 35,00 1200,00 4,00 175,00
SGSIF323  Si  NPN 35,00 1000,00 5,00 175,00
SGSIF321  Si  NPN 35,00 850,00 5,00 175,00
SGSF665  Si  NPN 250,00 1300,00 20,00 175,00
SGSF664  Si  NPN 250,00 1200,00 20,00 175,00
SGSF663  Si  NPN 250,00 1000,00 24,00 175,00
SGSF661  Si  NPN 250,00 850,00 30,00 175,00
SGSF565  Si  NPN 150,00 1300,00 10,00 175,00
SGSF564  Si  NPN 150,00 1200,00 10,00 175,00
SGSF563  Si  NPN 150,00 1000,00 12,00 175,00
SGSF561  Si  NPN 150,00 850,00 15,00 175,00
SGSF545  Si  NPN 125,00 1300,00 7,00 175,00
SGSF544  Si  NPN 115,00 1200,00 7,00 175,00
SGSF543  Si  NPN 115,00 1000,00 8,00 175,00
SGSF541  Si  NPN 115,00 850,00 10,00 175,00
SGSF465  Si  NPN 125,00 1300,00 10,00 175,00
SGSF464  Si  NPN 125,00 1200,00 10,00 175,00
SGSF463  Si  NPN 125,00 1000,00 12,00 175,00
SGSF461  Si  NPN 125,00 850,00 15,00 175,00
SGSF445  Si  NPN 95,00 1300,00 7,00 175,00
SGSF444  Si  NPN 95,00 1200,00 7,00 175,00
SGSF443  Si  NPN 95,00 1000,00 8,00 175,00
SGSF441  Si  NPN 85,00 850,00 10,00 175,00
SGSF425  Si  NPN 80,00 1300,00 4,00 175,00
SGSF424  Si  NPN 80,00 1200,00 4,00 175,00
SGSF423  Si  NPN 80,00 1000,00 5,00 175,00
SGSF421  Si  NPN 80,00 850,00 5,00 175,00
SGSF344  Si  NPN 85,00 1200,00 7,00 175,00
SGSF343  Si  NPN 85,00 1000,00 8,00 175,00
SGSF341  Si  NPN 85,00 850,00 10,00 175,00
SGSF324  Si  NPN 70,00 1200,00 4,00 175,00
SGSF323  Si  NPN 70,00 850,00 5,00 175,00
SGSF321  Si  NPN 70,00 850,00 5,00 175,00
SGSD93G  Si  NPN 80,00 200,00 12,00 175,00 1000,00
SGSD93F  Si  NPN 80,00 180,00 12,00 175,00 1000,00
SGSD93E  Si  NPN 80,00 160,00 12,00 175,00 1000,00
SGSD00020  Si  NPN 70,00 650,00 8,00 175,00 1000,00
SGS6388  Si  NPN 65,00 100,00 10,00 175,00 1000,00
SGS6387  Si  NPN 65,00 80,00 10,00 175,00 1000,00
SGS6386  Si  NPN 65,00 60,00 8,00 175,00 1000,00
SGS132  Si  NPN 65,00 100,00 8,00 175,00 1000,00
SGS131  Si  NPN 65,00 80,00 8,00 175,00 1000,00
SGS130  Si  NPN 65,00 60,00 8,00 175,00 1000,00
SGS122  Si  NPN 65,00 100,00 5,00 175,00 1000,00
SGS121  Si  NPN 65,00 80,00 5,00 175,00 1000,00
SGS120  Si  NPN 65,00 60,00 5,00 175,00 1000,00
SE9302  Si  NPN 70,00 100,00 5,00 10,00 150,00 1000,00
SE9301  Si  NPN 70,00 80,00 5,00 10,00 150,00 1000,00
SE9300  Si  NPN 70,00 60,00 5,00 10,00 150,00 1000,00

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение
Аналог КТ972А BD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972Б BD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ972А 8*
КТ972Б 8*
КТ972В 8*
КТ972Г 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ972А ≥200
КТ972Б ≥200
КТ972В ≥200
КТ972Г ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ972А 60*
КТ972Б 45*
КТ972В 60*
КТ972Г 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ972А 5,00
КТ972Б 5,00
КТ972В 5,00
КТ972Г 5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ972А 4*
КТ972Б 4*
КТ972В 2,00
КТ972Г 2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ972А 60 В ≤1*
КТ972Б 45 В ≤1*
КТ972В 60 В ≤1*
КТ972Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h31э,  h*21Э КТ972А 3 В; 1 А ≥750*
КТ972Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ972В 3 В; 1 А 750…5000
КТ972Г 3 В; 1 А 750…5000
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ972А ≤3
КТ972Б ≤3
КТ972В ≤3
КТ972Г ≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ972А
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ972А
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ972А ≤200*
КТ972Б ≤200*
КТ972В ≤200*
КТ972Г ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

  • Маркировка: D1415B
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO220SIS

Схема

kt972

Автор: Редакция сайта

chem-zamenit.ru

Транзистор КТ972: КТ972А, КТ972Б

Поиск по сайту


Транзистор КТ972 (КТ972А, КТ972Б) - усилительный, структуры n-p-n, кремниевый, эпитаксиально-планарный. Основная область применения - выходные каскады систем автоматики. Имеет жёсткие выводы и пластмассовый корпус. Масса - не более 1 г.

Цоколёвка КТ972 (КТ972А, КТ972Б)



Электрические параметры транзистора КТ972

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкэ = 10 В, Iэ = 1 мА, не менее
  Т = +25°C 750
  Т = +85°C 900
  Т = −45°C 500
• Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при Uкэ = 10 В, Iк = 1 А, f = 100 МГц, не менее
2
• Напряжение насыщения К-Э при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более   1.5 В
• Напряжение насыщения Б-Э при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более   2.5 В
• Время рассасывания при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более 200 нс
• Ток К-Э (обратный) при Uкэ r = Uкэ r макс, Rбэ = 1 КОм, не более:
  Т = −45...+25°C 1 мА
  Т = +85°C 10 мА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ972

• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 1 КОм:
  КТ972А 60 В
  КТ972Б 45 В
• Напряжение К-Б (постоянное):
  КТ972А 60 В
  КТ972Б 45 В
• Постоянное напряжение Э-Б 5 В
• Ток коллектора (постоянный) 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная)
при Тк = −45...+25°C
8 Вт
• Тепловое сопротивление переход - корпус 15.6°C/Вт
• Температура p-n перехода +150°C
• Рабочая температура (окружающей среды): −45...Тк=+85°C


katod-anod.ru

КТ972 - биполярный кремниевый NPN транзистор - параметры, использование, цоколёвка. - Биполярные отечественные транзисторы - Транзисторы - Справочник Радиокомпонентов - РадиоДом


КТ972 - биполярный кремниевый NPN транзистор - параметры, использование, цоколёвка.


Основные технические параметры транзистора КТ972

Транз
истор
IК, (И) макс
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21Э UКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ972А 2 (4) 60 60 5 8 >750 <1,5 1 >200
КТ972Б 2 (4) 45 45 5 8 >750 <1,5 1 >200
КТ972В 2 (4) 60 60 5 8 >750 <1,5 1 >200
КТ972Г 2 (4) 60 60 5 8 >750 <0,95 1 >200

Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ972

Внешний вид транзистора на примере КТ972А



radiohome.ru

ТРАНЗИСТОР КТ972А и КТ973А

Цоколевка транзистора КТ972А

Обозначение транзистора КТ972А на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ972А

  • Структура n-p-n
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 4000 мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (8) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
  • Обратный ток коллектора 
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>200 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора 
  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 4000 мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (8) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
  • Обратный ток коллектора 
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>200 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора 

 

Зарубежный аналог биполярного транзистора КТ972А

 

Транзистор Зарубежный аналог
КТ972А BD875

Цоколевка транзистора КТ973А

Обозначение транзистора КТ973А на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ973А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора КТ973А

 

  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 4000 мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (8) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
  • Обратный ток коллектора 
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>200 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора 

Зарубежный аналог биполярного транзистора КТ973А

Транзистор Зарубежный аналог
КТ973А BD878

 

Транзистор B1-B2/Iк

МГц
Cк/Uк
пф/В
Cэ/Uэ
пф/В
Rб*Cк
псек

нс
Uкэ/(Iк/Iб)
В/(А/А)
Uкб
В
Uкэ/R
В/Ом
Uэб
В
Iкм/Iкн
А/А
Iбм
А
Pк/Pт
Вт/Вт
Rпк
C/Вт
Пер
КТ973А 750- /1 200     200 1.5(0.5/0.05) 60 60/1к 5 4/   /8 15.6 PNP  

 

Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ973А

Обозначение: Параметр
B1-B2/Iк /А статический коэффициент передачи тока
Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
Rб*Cк псек постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
tр нс  
Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
Uкэ/R В/Ом максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
Iкм/Iкн А/А предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
Iбм А предельно допустимый постоянный ток базы
Pк/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
Rпк C/Вт тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора
Пер  

* Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.

< Предыдущая   Следующая >

bsh1.ru

Параметры транзистора КТ972. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

Параметры транзистора КТ972. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

КТ972 - кремниевый биполярный составной (Дарлингтона) n-p-n транзистор в пластмассовом корпусе TO-126

Назначение: КТ972 предназначен для применения в переключающих устройствах, в выходных каскадах систем автоматики

Типы: КТ972 А, КТ972 Б

Аналог КТ972: BD875, MJE270

Комплементарная пара: составной pnp транзистор КТ973

Цоколевка КТ972 : Э-К-Б,см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ972 : вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)


Основные параметры транзисторов КТ972 :
Параметр Режим измерения Min (минимальное значение параметра) Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ972 Uкэ=3B, Iк=1A 750 900
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ972
Iк=500мА, Iб=50мA   1.5В
Напряжение насыщения база-эмиттер КТ972 Iк=500A, Iб=50мA   2.5В
Предельные параметры транзисторов КТ972 :
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
КТ972 А
КТ972 Б
Rэб≤ 1кОм   60В
45В
Напряжение эмиттер-база (обратное)    
Постоянный ток коллектора КТ972    
Импульсный ток коллектора      
Постоянный ток базы      
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Тк ≤ 25 °С   8Вт

Подробные характеристики КТ972 и графики зависимостей параметров приведены в справочнике мощных транзисторов

www.trzrus.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о