Транзистор кт972а – 972.

alexxlabРазное

Содержание

Транзистор КТ972 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ972Цоколевка транзистора КТ972

 

Параметры транзистора КТ972
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ972АBD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972БBD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ972А—8*Вт
КТ972Б—8*
КТ972В—8*
КТ972Г—8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ972А—≥200МГц
КТ972Б—≥200
КТ972В—≥200
КТ972Г—≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ972А1к60*В
КТ972Б1к45*
КТ972В1к60*
КТ972Г1к60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ972А—5В
КТ972Б—5
КТ972В—5
КТ972Г—5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ972А—4*А
КТ972Б—4*
КТ972В—2
КТ972Г—2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ972А60 В≤1*
мА
КТ972Б45 В≤1*
КТ972В60 В≤1*
КТ972Г60 В≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ972А3 В; 1 А≥750*
КТ972Б3 В; 1 А≥750*
КТ972В3 В; 1 А750…5000
КТ972Г3 В; 1 А750…5000
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ972А
—≤3пФ
КТ972Б—≤3
КТ972В—≤3
КТ972Г—≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ972А——Ом, дБ
КТ972Б——
КТ972В——
КТ972Г——
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**вых КТ972А——Дб, Ом, Вт
КТ972Б——
КТ972В——
КТ972Г——
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ972А—≤200*пс
КТ972Б—≤200*
КТ972В—≤200*
КТ972Г—≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги:

↑ Type Mat Struct Pc Ucb Ueb Ic Tj Ft Hfe
WW263 Si NPN65,00100,005,0010,00150,001000,00
U2T833 Si NPN60,0012,005,00200,00 1000,00
U2T832 Si NPN60,0012,005,00200,001000,00
U2T823 Si NPN35,0012,005,00200,001000,00
U2T822 Si NPN35,0012,005,00200,001000,00
U2T6O1 Si NPN50,0080,0020,00200,001000,00
U2T605 Si NPN50,00150,0020,00200,001000,00
TTD1415B Si NPN25,00120,006,007,00150,001000,00
TSB142 Si NPN125,0010,00150,001000,00
TSB141 Si NPN135,0010,00150,001000,00
TIPL777B Si NPN180,001150,006,0020,00150,001000,00
TIPL777A Si NPN180,001050,006,0020,00150,001000,00
TIPL777 Si NPN180,00950,006,0020,00150,001000,00
TIP642 Si NPN175,00100,005,0010,00200,001000,00
TIP641 Si NPN175,0080,005,0010,00200,001000,00
TIP640 Si NPN175,00
60,00		5,0010,00200,001000,00
TIP622 Si NPN65,00100,005,008,00200,001000,00
TIP621 Si NPN65,0080,005,008,00200,001000,00
TIP620 Si NPN65,0060,005,008,00200,001000,00
TIP602 Si NPN100,00100,005,0010,00200,001000,00
TIP601 Si NPN100,0080,005,0010,00200,001000,00
TIP600 Si NPN100,0060,005,0010,00200,001000,00
TIP132 Si NPN70,00100,005,008,00150,001000,00
TIP131 Si NPN70,0080,005,008,00150,001000,00
TIP130 Si NPN70,0060,005,008,00150,001000,00
TIP122L Si NPN40,00100,005,005,00150,001000,00
TIP122FP Si NPN29,00100,005,005,00150,001000,00
TIP122F Si NPN65,00100,005,005,00150,001000,00
TIP122 Si NPN65,00100,005,005,00150,001000,00
TIP121 Si NPN65,0080,005,005,00150,001000,00
TIP120 Si NPN65,0060,005,005,00150,001000,00
TIP112 Si NPN50,00100,005,004,00150,00750,00
TIP111 Si NPN50,0080,005,004,00150,00750,00
TIP110 Si NPN50,0060,005,004,00150,00750,00
TD649 Si NPN 62.5100,005,008,00200,00750,00
TD647 Si NPN 62.580,005,008,00200,00750,00
TD645 Si NPN 62.560,005,008,00200,00750,00
TD265C Si NPN117,00120,005,0012,00200,00750,00
TD265B Si NPN117,00100,005,0012,00200,00750,00
TD265A Si NPN117,0080,005,0012,00200,00750,00
TD265 Si NPN117,0060,005,0012,00200,00750,00
TD163C Si NPN90,00120,005,008,00200,00750,00
TD163B Si NPN90,00100,005,008,00200,00750,00
TD163A Si NPN90,0080,005,008,00200,00750,00
TD163 Si NPN90,0060,005,008,00200,00750,00
T430 Si NPN100,00600,005,0010,00800,00
T30F Si NPN80,00500,005,0010,001000,00
T30 Si NPN100,00500,005,0010,001000,00
STTIP122 Si NPN65,00100,005,005,00150,001000,00
STD901T Si NPN35,00500,005,004,00150,001800,00
STD03N Si NPN160,00160,005,0015,00150,005000,00
STD01N Si NPN100,00150,005,0010,00150,005000,00
ST901T Si NPN30,00500,005,004,00175,001500,00
SLA6022 Si NPN*PNP25,00100,006,005,00150,002000,00
SLA6020 Si NPN*PNP25,00100,006,005,00150,002000,00
SLA6012 Si NPN*PNP25,0060,006,004,00150,002000,00
SLA4390 Si NPN*PNP25,00100,006,005,00150,002000,00
SLA4061 Si NPN25,00120,006,005,00150,002000,00
SLA4060 Si NPN25,00120,006,005,00150,002000,00
SLA4031 Si NPN25,00120,006,004,00150,002000,00
SLA4030 Si NPN25,00120,006,004,00150,002000,00
SGSIF465 Si NPN65,001300,0010,00175,00
SGSIF464 Si NPN65,001200,0010,00175,00
SGSIF463 Si NPN65,001000,0012,00175,00
SGSIF461 Si NPN65,00850,0015,00175,00
SGSIF445 Si NPN55,001300,007,00175,00
SGSIF444 Si NPN55,001200,007,00175,00
SGSIF443 Si NPN55,001000,008,00175,00
SGSIF441 Si NPN55,00850,0010,00175,00
SGSIF425 Si NPN45,001300,004,00175,00
SGSIF424 Si NPN45,001200,004,00175,00
SGSIF423 Si NPN45,001000,005,00175,00
SGSIF421 Si NPN45,00850,005,00175,00
SGSIF345 Si NPN40,001300,007,00175,00
SGSIF344 Si NPN40,001200,007,00175,00
SGSIF343 Si NPN40,001000,008,00175,00
SGSIF341 Si NPN40,00850,0010,00175,00
SGSIF325 Si NPN35,001300,004,00175,00
SGSIF324 Si NPN35,001200,004,00175,00
SGSIF323 Si NPN35,001000,005,00175,00
SGSIF321 Si NPN35,00850,005,00175,00
SGSF665 Si NPN250,001300,0020,00175,00
SGSF664 Si NPN250,001200,0020,00175,00
SGSF663 Si NPN250,001000,0024,00175,00
SGSF661 Si NPN250,00850,0030,00175,00
SGSF565 Si NPN150,001300,0010,00175,00
SGSF564 Si NPN150,001200,0010,00175,00
SGSF563 Si NPN150,001000,0012,00175,00
SGSF561 Si NPN150,00850,0015,00175,00
SGSF545 Si NPN125,001300,007,00175,00
SGSF544 Si NPN115,001200,007,00175,00
SGSF543 Si NPN115,001000,008,00175,00
SGSF541 Si NPN115,00850,0010,00175,00
SGSF465 Si NPN125,001300,0010,00175,00
SGSF464 Si NPN125,001200,0010,00175,00
SGSF463 Si NPN125,001000,0012,00175,00
SGSF461 Si NPN125,00850,0015,00175,00
SGSF445 Si NPN95,001300,007,00175,00
SGSF444 Si NPN95,001200,007,00175,00
SGSF443 Si NPN95,001000,008,00175,00
SGSF441 Si NPN85,00850,0010,00175,00
SGSF425 Si NPN80,001300,004,00175,00
SGSF424 Si NPN80,001200,004,00175,00
SGSF423 Si NPN80,001000,005,00175,00
SGSF421 Si NPN80,00850,005,00175,00
SGSF344 Si NPN85,001200,007,00175,00
SGSF343 Si NPN85,001000,008,00175,00
SGSF341 Si NPN85,00850,0010,00175,00
SGSF324 Si NPN70,001200,004,00175,00
SGSF323 Si NPN70,00850,005,00175,00
SGSF321 Si NPN70,00850,005,00175,00
SGSD93G Si NPN80,00200,0012,00175,001000,00
SGSD93F Si NPN80,00180,0012,00175,001000,00
SGSD93E Si NPN80,00160,0012,00175,001000,00
SGSD00020 Si NPN70,00650,008,00175,001000,00
SGS6388 Si NPN65,00100,0010,00175,001000,00
SGS6387 Si NPN65,0080,0010,00175,001000,00
SGS6386 Si NPN65,0060,008,00175,001000,00
SGS132 Si NPN65,00100,008,00175,001000,00
SGS131 Si NPN65,0080,008,00175,001000,00
SGS130 Si NPN65,0060,008,00175,001000,00
SGS122 Si NPN65,00100,005,00175,001000,00
SGS121 Si NPN65,0080,005,00175,001000,00
SGS120 Si NPN65,0060,005,00175,001000,00
SE9302 Si NPN70,00100,005,0010,00150,001000,00
SE9301 Si NPN70,0080,005,0010,00150,001000,00
SE9300 Si NPN70,0060,005,0010,00150,001000,00

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначение
АналогКТ972АBD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972БBD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ972А—8*
КТ972Б—8*
КТ972В—8*
КТ972Г—8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ972А—≥200
КТ972Б—≥200
КТ972В—≥200
КТ972Г—≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ972А1к60*
КТ972Б1к45*
КТ972В1к60*
КТ972Г1к60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ972А—5,00
КТ972Б—5,00
КТ972В—5,00
КТ972Г—5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ972А—4*
КТ972Б—4*
КТ972В—2,00
КТ972Г—2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ972А60 В≤1*
КТ972Б45 В≤1*
КТ972В60 В≤1*
КТ972Г60 В≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh31э,  h*21ЭКТ972А3 В; 1 А≥750*
КТ972Б3 В; 1 А≥750*
КТ972В3 В; 1 А750…5000
КТ972Г3 В; 1 А750…5000
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ972А—≤3
КТ972Б—≤3
КТ972В—≤3
КТ972Г—≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ972А——
КТ972Б——
КТ972В——
КТ972Г——
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ972А——
КТ972Б——
КТ972В——
КТ972Г——
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ972А—≤200*
КТ972Б—≤200*
КТ972В—≤200*
КТ972Г—≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

  • Маркировка: D1415B
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO220SIS

Схема

kt972

Автор: Редакция сайта

chem-zamenit.ru

Транзистор КТ972: КТ972А, КТ972Б

Поиск по сайту

Транзистор КТ972 (КТ972А, КТ972Б) — усилительный, структуры n-p-n, кремниевый, эпитаксиально-планарный. Основная область применения — выходные каскады систем автоматики. Имеет жёсткие выводы и пластмассовый корпус. Масса — не более 1 г.

Цоколёвка КТ972 (КТ972А, КТ972Б)



Электрические параметры транзистора КТ972

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкэ = 10 В, Iэ = 1 мА, не менее
  Т = +25°C750
  Т = +85°C900
  Т = −45°C500
• Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при Uкэ = 10 В, Iк = 1 А, f = 100 МГц, не менее		2
• Напряжение насыщения К-Э при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более  1.5 В
• Напряжение насыщения Б-Э при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более  2.5 В
• Время рассасывания при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более200 нс
• Ток К-Э (обратный) при Uкэ r = Uкэ r макс, Rбэ = 1 КОм, не более:
  Т = −45…+25°C1 мА
  Т = +85°C10 мА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ972

• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 1 КОм:
  КТ972А60 В
  КТ972Б45 В
• Напряжение К-Б (постоянное):
  КТ972А60 В
  КТ972Б45 В
• Постоянное напряжение Э-Б5 В
• Ток коллектора (постоянный) 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная)
при Тк = −45…+25°C		 8 Вт
• Тепловое сопротивление переход — корпус 15.6°C/Вт
• Температура p-n перехода +150°C
• Рабочая температура (окружающей среды): −45…Тк=+85°C


katod-anod.ru

КТ972 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


КТ972 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.


Основные технические параметры транзистора КТ972

Транз
истор		IК, (И) макс
А		UКЭ макс
В		UКБ макс
В		UЭБ макс
В		PК макс
 Вт		h21ЭUКЭ нас
В		IКБ0
мА		fгр
МГц
КТ972А2 (4)606058>750<1,51>200
КТ972Б2 (4)454558>750<1,51>200
КТ972В2 (4)606058>750<1,51>200
КТ972Г2 (4)606058>750<0,951>200

Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ972

Внешний вид транзистора на примере КТ972А



radiohome.ru

ТРАНЗИСТОР КТ972А и КТ973А

Цоколевка транзистора КТ972А

Обозначение транзистора КТ972А на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ972А

  • Структура n-p-n
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 4000 мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (8) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
  • Обратный ток коллектора 
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>200 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора 
  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 4000 мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (8) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
  • Обратный ток коллектора 
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>200 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора 

 

Зарубежный аналог биполярного транзистора КТ972А

 

Транзистор Зарубежный аналог
КТ972А BD875

Цоколевка транзистора КТ973А

Обозначение транзистора КТ973А на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ973А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора КТ973А

 

  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 60 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 4000 мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (8) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
  • Обратный ток коллектора 
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>200 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора 

Зарубежный аналог биполярного транзистора КТ973А

Транзистор Зарубежный аналог
КТ973А BD878

 

Транзистор B1-B2/Iк
/А		 Fт
МГц		 Cк/Uк
пф/В		 Cэ/Uэ
пф/В		 Rб*Cк
псек		 tр
нс		 Uкэ/(Iк/Iб)
В/(А/А)		 Uкб
В		 Uкэ/R
В/Ом		 Uэб
В		 Iкм/Iкн
А/А		 Iбм
А		 Pк/Pт
Вт/Вт		 Rпк
C/Вт		 Пер
КТ973А 750- /1 200     200 1.5(0.5/0.05) 60 60/1к 5 4/   /8 15.6 PNP  

 

Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ973А

Обозначение: Параметр
B1-B2/Iк /А статический коэффициент передачи тока
Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
Rб*Cк псек постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
tр нс  
Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
Uкэ/R В/Ом максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
Iкм/Iкн А/А предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
Iбм А предельно допустимый постоянный ток базы
Pк/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
Rпк C/Вт тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора
Пер  

* Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
Параметр, помеченный буквой «т» означают, что приводится типовое значение.

< Предыдущая   Следующая >

bsh1.ru

Параметры транзистора КТ972. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

Параметры транзистора КТ972. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

КТ972 — кремниевый биполярный составной (Дарлингтона) n-p-n транзистор в пластмассовом корпусе TO-126

Назначение: КТ972 предназначен для применения в переключающих устройствах, в выходных каскадах систем автоматики

Типы: КТ972 А, КТ972 Б

Аналог КТ972: BD875, MJE270

Комплементарная пара: составной pnp транзистор КТ973

Цоколевка КТ972 : Э-К-Б,см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ972 : вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)


Основные параметры транзисторов КТ972 :
ПараметрРежим измеренияMin (минимальное значение параметра)Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ972Uкэ=3B, Iк=1A 750900
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ972
Iк=500мА, Iб=50мA  1.5В
Напряжение насыщения база-эмиттер КТ972Iк=500A, Iб=50мA 2.5В
Предельные параметры транзисторов КТ972 :
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
КТ972 А
КТ972 Б
Rэб≤ 1кОм 60В
45В
Напряжение эмиттер-база (обратное)  5В
Постоянный ток коллектора КТ972  4А
Импульсный ток коллектора   
Постоянный ток базы   
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораТк ≤ 25 °С 8Вт

Подробные характеристики КТ972 и графики зависимостей параметров приведены в справочнике мощных транзисторов

www.trzrus.ru

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *