Транзистор мп16б. Влияние электромагнитного излучения на характеристики биполярных транзисторов: экспериментальное исследование

alexxlabРазное
Как электромагнитное излучение влияет на параметры биполярных транзисторов различных типов. Какие изменения происходят в коэффициенте усиления и напряжениях насыщения при воздействии СВЧ-излучения разной мощности. Почему эффекты различаются для германиевых и кремниевых транзисторов.

Содержание

Исследуемые типы биполярных транзисторов и методика эксперимента

В данном исследовании изучалось влияние электромагнитного излучения (ЭМИ) сверхвысокочастотного диапазона на характеристики трех типов биполярных транзисторов:

  • МП16Б — германиевый низкочастотный p-n-p транзистор
  • КТ3107Б — кремниевый высокочастотный p-n-p транзистор
  • ГТ322А — германиевый высокочастотный p-n-p транзистор

Для каждого типа транзисторов измерялись следующие параметры до и после воздействия ЭМИ:

  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (h21э)
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ нас)
  • Напряжение насыщения база-эмиттер (Uбэ нас)

Транзисторы подвергались воздействию СВЧ-излучения с плотностью потока энергии 5,7 кВт/м2 и 11,3 кВт/м2. Измерения параметров проводились на приборе Л2-70.


Изменение коэффициента усиления транзисторов под действием ЭМИ

Анализ экспериментальных данных показал, что воздействие ЭМИ приводит к изменению коэффициента усиления по току h21э у всех исследованных типов транзисторов. Однако характер этих изменений различен:

  • У германиевых транзисторов МП16Б наблюдалось уменьшение h21э в среднем на 34,7%
  • У германиевых транзисторов ГТ322А отмечен рост h21э в среднем на 21,6%
  • У кремниевых транзисторов КТ3107Б также наблюдалось увеличение h21э, но менее значительное — в среднем на 10,9%

Таким образом, германиевые транзисторы оказались более чувствительны к воздействию ЭМИ по сравнению с кремниевыми. При этом низкочастотные транзисторы (МП16Б) продемонстрировали большее изменение h21э, чем высокочастотные (ГТ322А и КТ3107Б).

Влияние ЭМИ на напряжения насыщения транзисторов

Воздействие электромагнитного излучения также привело к изменению напряжений насыщения исследованных транзисторов:

Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ нас

Для всех типов транзисторов наблюдалось уменьшение Uбэ нас после облучения:


  • МП16Б: снижение на 3,88% при 5,7 кВт/м2 и на 14,8% при 11,3 кВт/м2
  • ГТ322А: снижение на 2,84% при 5,7 кВт/м2 и на 1,03% при 11,3 кВт/м2
  • КТ3107Б: снижение на 9,1% при 5,7 кВт/м2 и на 1,87% при 11,3 кВт/м2

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас

Для Uкэ нас наблюдалось увеличение значений после воздействия ЭМИ:

  • МП16Б: рост на 28,6% при 5,7 кВт/м2 и на 10% при 11,3 кВт/м2
  • ГТ322А: рост на 7,32% при 5,7 кВт/м2 и на 2,1% при 11,3 кВт/м2
  • КТ3107Б: рост на 5,6% при 5,7 кВт/м2 и на 2,72% при 11,3 кВт/м2

Как видно, германиевые транзисторы снова продемонстрировали большую чувствительность к ЭМИ по сравнению с кремниевыми.

Причины различной чувствительности германиевых и кремниевых транзисторов к ЭМИ

Меньшее влияние электромагнитного излучения на характеристики кремниевых транзисторов по сравнению с германиевыми может объясняться следующими факторами:

  • У кремниевых транзисторов выходы эмиттерного и коллекторного переходов на поверхность защищены слоем оксида кремния
  • Слой оксида снижает влияние поверхностных эффектов, вызываемых ЭМИ
  • Германиевые транзисторы не имеют такой защиты, что делает их более чувствительными к воздействию излучения

Это согласуется с результатами других исследований влияния ЭМИ на полупроводниковые приборы.


Механизмы воздействия ЭМИ на параметры транзисторов

Падающее электромагнитное излучение создает СВЧ-токи и напряжения на выводах транзистора. В результате источниками тепловыделения становятся p-n-переходы. Это может приводить к следующим эффектам:

  • Локальный разогрев областей p-n-переходов
  • Изменение концентрации и подвижности носителей заряда
  • Генерация дополнительных носителей заряда
  • Изменение ширины запрещенной зоны полупроводника

Совокупность этих процессов влияет на параметры транзистора, такие как коэффициент усиления и напряжения насыщения.

Факторы, влияющие на чувствительность транзисторов к ЭМИ

Наблюдаемые эффекты воздействия ЭМИ на транзисторы могут зависеть от ряда факторов:

  • Геометрия и размеры транзисторной структуры
  • Характеристики полупроводникового материала
  • Технология изготовления транзистора
  • Конструктивные особенности корпуса
  • Частотный диапазон транзистора

Это объясняет различия в чувствительности к ЭМИ у исследованных типов транзисторов. Для получения более полной картины влияния ЭМИ на характеристики транзисторов требуются дальнейшие исследования с учетом перечисленных факторов.


Практическое применение результатов исследования

Полученные результаты исследования влияния ЭМИ на характеристики биполярных транзисторов могут найти следующее практическое применение:

  • Разработка методов отбраковки транзисторов по надежности с помощью воздействия ЭМИ
  • Прогнозирование изменения параметров транзисторов при работе в условиях сильных электромагнитных полей
  • Совершенствование конструкции и технологии изготовления транзисторов для повышения их устойчивости к ЭМИ
  • Создание транзисторов с управляемыми характеристиками на основе эффекта воздействия ЭМИ

Дальнейшие исследования в этом направлении позволят лучше понять физические механизмы влияния ЭМИ на полупроводниковые приборы и расширить возможности их практического применения.

Заключение и перспективы дальнейших исследований

Проведенное экспериментальное исследование показало, что воздействие электромагнитного излучения СВЧ-диапазона приводит к изменению основных параметров биполярных транзисторов. Основные результаты можно сформулировать следующим образом:


  • Германиевые транзисторы более чувствительны к ЭМИ, чем кремниевые
  • Низкочастотные транзисторы демонстрируют большее изменение параметров, чем высокочастотные
  • Коэффициент усиления по току может как уменьшаться, так и увеличиваться под действием ЭМИ
  • Напряжение насыщения база-эмиттер уменьшается, а коллектор-эмиттер увеличивается при облучении

Для дальнейшего изучения влияния ЭМИ на характеристики транзисторов перспективными представляются следующие направления исследований:

  1. Изучение зависимости наблюдаемых эффектов от частоты и мощности ЭМИ
  2. Исследование влияния конструктивно-технологических особенностей транзисторов на их чувствительность к ЭМИ
  3. Анализ обратимости изменений параметров транзисторов после прекращения воздействия ЭМИ
  4. Моделирование физических процессов, происходящих в транзисторной структуре при облучении
  5. Разработка методов повышения устойчивости транзисторов к воздействию ЭМИ

Полученные результаты и дальнейшие исследования в этой области позволят лучше понять механизмы взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниковыми структурами и открывают перспективы для создания новых типов электронных приборов с управляемыми характеристиками.



МП16Б, код МП16Б, цена 10,00 ₽

Описание товара

Транзистор (83г.)

Подробное описание

Предельная частота коэффициента передачи тока при UКБ=5 В, IЭ=1 мА не менее
МП16, МП16А 1 МГц
МП16Б 2МГц
Время переключения при UКЭ=15 В, RК=1,5 кОм не более
МП16 2 мкс
МП16А 1,5 мкс
МП16Б 1 мкс
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим

эмиттером при UКЭ=1 В, IК=10 мА, при Т=19,85°С
МП16 20—35
МП16А 30—50
МП16Б 45—100
при Т=-60,15°C
МП16 10—35
МП16А 15—50
МП16Б 23—100
при Т=69,85°С
МП16 20—80
МП16А 30—100
МП16Б 45—200
Напр. насыщения коллектор-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА не более 0,15 В
Напр. насыщения база-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА не более 0,35 В
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=15 В, UБЭ=0,5 В не более
при Т=19,85°С 25 мкА
при Т=69,85°С 200 мкА
Импульсный обратный ток коллектор-эмиттер при Т=19,85°С
UКЭ=12 В, RК=1,5 кОм не более 400 мкА

Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение коллектор-база 15 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤2 кОм 15 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 15 В
Импульсный ток коллектора 300 мА
Импульсный ток эмиттера 300 мА
Среднее значение тока эмиттера 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:

при Т=213-318 К, p≥6666 Па 200 мВт
при Т=213-318 К, р=665 Па 100 мВт
при Т=343 К 75 мВт
Общее тепловое сопротивление* 200 К/Вт
Температура перехода 84,85°С
Температура окружающей среды от -60,15 до 69,85°С

Условия оплаты и доставки

Варианты оплаты:

  • – Безналичный расчёт
  • – Оплата наличными
  • – Банковская карта

укажите свою почту обязательно

Способы доставки:

  • – Самовывоз
  • – Доставка почтой
  • – Транспортная компания
  • – Доставка курьером

укажите свою почту обязательно

Товарное предложение обновлено Вчера в 06:16

ᐈ Манжета 95х125Х15мм /80х100х10мм, Транзистор МП104, МП16Б, МП20 ᐈ Запорожье 15 ГРН

Манжета предназначена для уплотнения зазора между цилиндром (гильзой) и поршнем (плунжером, штоком) в гидравлических устройствах.

Манжета 95х125Х15 ТУ 38-1051725-86 ГОСТ 6969-54 уплотнительная резиновая тип 2 новые с хранения 22шт-20гр/шт
СССР

Манжета 80х100х10 ф-414 026 80 ГОСТ 6969-54 тип 2,уплотнительная резиновая для гидравлических устройств
новые с хранения-41шт-15 гр/шт.
СССР

Транзистор МП104-б/у в отличном состоянии-4шт-3гр/шт
Транзисторы МП104 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.

Транзистор МП16Б-б/у в отличном состоянии-2шт-3 гр/шт
Транзисторы МП16Б германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: СБ0.336.008 ТУ1

Транзистор МП20-б/у в отличном состоянии-2шт-3гр/шт
Транзисторы МП20 германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: ЩМ3.365.039 ТУ.

Транзистор Мп104, мп16б, мп20 в Запорожье

  • Состояние: Б/у 

Транзистор МП104-б/у в отличном состоянии-4шт-3гр/шт
Транзисторы МП104 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Транзистор МП16Б-б/у в отличном состоянии-2шт-3 гр/шт
Транзисторы МП16Б германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: СБ0.336.008 ТУ1
Транзистор МП20-б/у в отличном состоянии-2шт-3гр/шт
Транзисторы МП20 германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: ЩМ3.365.039 ТУ.


Смотрите похожие объявления

Транзисторы

из г. Запорожье, Хортицкий

15 августа

Транзисторы

0.32 грн.

Торг возможен

из г. Днепр

26 июня

Транзисторы

3.12 грн.

Торг возможен

из г. Днепр

26 июня

Транзисторы

1.98 грн.

Торг возможен

из г. Днепр

26 июня

Транзисторы

0.89 грн.

Торг возможен

из г. Днепр

26 июня

Влияние электромагнитного излучения на характеристики транзисторов Текст научной статьи по специальности «Физика»

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ М.И. Горлов, Д. А. Денисов

В данной статье рассматривается влияние электромагнитного излучения (ЭМИ) на работу полупроводниковых изделий (ППИ). Экспериментально исследовано влияние высокочастотного ЭМИ на биполярные транзисторы МП16Б, КТ3107Б, ГТ322А. Установлено, что для всех исследованных транзисторов изменяются информативные параметры при ЭМИ, причем это изменение зависит от плотности потока энергии излучения. Делается попытка качественного объяснения наблюдаемых явлений

Ключевые слова: электромагнитное излучение, полупроводниковое изделие, биполярный транзистор

Изучение влияния электромагнитного излучения (ЭМИ) на работу полупроводниковых изделий (ППИ) представляет интерес как для понимания физических процессов в этих изделиях, так и для определения возможностей практического использования.

Вопросы надежности ППИ, повышения процента выхода годных изделий, стабильности параметров остаются весьма актуальными. Обычно они решаются на этапах изготовления -усовершенствованием технологических процессов, конструкции и — в итоге — отбраковкой ненадежных изделий [1].

При облучении материалов и приборов, составляющих основу элементной базы радиоэлектронной аппаратуры, в них могут протекать различные процессы, приводящие к временному или постоянному изменению их электрофизических свойств.

Эти процессы приводят к изменению параметров элементной базы и характера функционирования блоков и узлов в радиоэлектронной аппаратуре. Кроме того, современное развитие микроэлектронной базы направлено на повышение быстродействия и экономичности электронных устройств, следствием чего является уменьшение размеров активных элементов и толщин слоев в планарных структурах. В результате существенно возрастает роль состояния поверхности и границ раздела разнородных материалов, таких как металл-полупроводник, диэлектрик-полупроводник и полупроводник-полупроводник (разного состава или уровня легирования).

При прохождении ЭМИ через ППИ значительная часть энергии будет рассеиваться, и поглощаться в неоднородностях и вызывать

Г орлов Митрофан Иванович — ВГТУ, д-р техн.-переходов [2].

В данной статье рассматривается влияние ЭМИ на ряд отечественных биполярных транзисторов. Результаты проведенных экспериментов недостаточны для полного объяснения наблюдаемых явлений, в связи с чем объяснение этих явлений не претендует на полноту и законченность и носит дискуссионный характер. Его следует рассматривать как одно из возможных.

В экспериментах по исследованию влияния ЭМИ на биполярные структуры исследовались транзисторы различного частотного диапазона МП16Б, КТ3107Б, ГТ322А. Характер и степень воздействия оценивались по различным параметрам: статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, напряжение насыщения коллектор-эмиттер, напряжение насыщения база-эмиттер.

Транзистор МП16Б — германиевый сплавной p-n-p типа, переключательный, низкочастотный маломощный Предназначены для применения в схемах переключения и формирования импульсов. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Транзистор КТ3107Б — кремниевый эпитаксиально — планарный, p-n-p типа, усили-

тельный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.

Транзистор ГТ322А — германиевый диффузионно-сплавной, р-п-р типа, усилительный с нормированным коэффициентом шума, высокочастотный, маломощный. Предназначен для работы в усилительных схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Для каждого прибора сначала были измерены коэффициенты усиления по току в схеме с общим эмиттером:

для МП16Б: Ь21Э при 1К =10мА и 1Б =1мА Иэб =1В;

для КТ3107Б: Ь21Э при 1К =10мА и 1Б =0,5мА иЭБ =5В;

для ГТ322А: Ь21Э при 1К =10мА и 1Б =1мА Иэб =5В.

А также измерили напряжение насыщения коллектор-эмиттер, напряжение насыщения база-эмиттер:

для МП16Б: иЭК, иЭБ при 1К =10мА и 1Б =1 мА;

для КТ3107Б: иЭК, Иэб при 1К =10мА и 1Б =0,5 мА;

для ГТ322А: иЭК, Иэб при 1К =10мА и 1Б =1 мА;

Параметры транзисторов измеряли на приборе Л2 — 70.

Было проведено воздействие сверхвысокочастотным ЭМИ с плотностью потока энергии 5,7 кВт/м2 с последующим измерением значения Ь21, Иэк, Иэб.

Дополнительно было проведено воздействие сверхвысокочастотным ЭМИ с плотностью потока энергии 11,3 кВт/м2 с последующим измерением значения Ь2ь Иэк, Иэб.

Данные измерений параметров транзистора типа ГТ322А до и после облучения электромагнитным полем с плотностью потока энергии 5,7 кВт/м2 и 11,3 кВт/м2 приведены в табл. 1, МП 16Б — в табл. 2, КТ 3107Б — в табл. 3.

Таблица 1 Параметры транзистора ГТ322А

№ т р Ибэ, мВ Икэ, мВ Ь21э

до 5,7 11,3 до 5,7 11,3 до 5,7 11,3

1 384 369 — 493 539 — 72 91,2 —

2 385 371 362 508 543 562 96,2 104 123

3 388 372 370 453 498 505 56,5 60,2 63,3

4 433 425 420 449 464 481 80 95,3 101

5 401 398 387 563 603 648 78,8 89,3 90,9

Таблица 2 Параметры транзистора МП16Б

№ тр Ибэ, мВ ию, мВ Й21э

до 5,7 11,3 до 5,7 11,3 до 5,7 11,3

1 251 250 214 57,7 71,9 73 58,5 54,9 39,5

2 264 247 209 65,4 84,9 92,3 65,4 48,8 25,7

3 265 254 211 53,1 78,5 84,7 96,2 40,3 28,3

4 281 263 216 64,1 90,2 119 69 40,1 28,8

5 234 229 214 41,8 41,8 41,9 99,1 91,8 89,3

Таблица 3 Параметры транзистора КТ3107Б

№ Ибэ, мВ Икэ, мВ Ь21э

тр до 5,7 11,3 до 5,7 11,3 до 5,7 11,3

1 746 678 668 70,8 75,2 77,2 180 184 204

2 745 684 674 66,4 70,5 72,5 138 142 153

3 743 706 687 67,5 69,8 71,8 188 190 197

4 748 656 644 67,9 72,6 74,6 137 137 154

5 739 658 647 71 74,9 76,9 165 167 187

Построены зависимости коэффициента усиления транзисторов от внешнего воздействия. Как известно наблюдаемый разброс значений Ь21 связан с различной степенью исходной дефектности структуры изделий.

140

120

юо

80

—тр№1 -тр№2 —тр№3 —тр№4 —тр№5

а)

ТрМ91

тр№2

тр№3

тр№4

тр№5

б)

220 -і 200 180 160 140 120 юо —

— тр№1

— тр№2 -тр№3 ■тр№4 -тр№5

в)

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером от воздействия ЭМИ для транзисторов: а) ГТ322А; б) МП16Б; в) КТ3107Б

Из представленных графиков видно, что при воздействии на транзисторы ЭМИ значение коэффициента усиления по току уменьшилось для транзисторов МП16Б, а для транзисторов типа КТ3107Б и ГТ322А наоборот увеличивалось.

Изменение коэффициента усиления по току у германиевых транзисторов (среднее для МП16Б 34,7%, среднее для ГТ322А 21,6%) оказалось больше, нежели у кремниевых транзисторов (среднее для КТ3107Б 10,9%)

Изменение коэффициента усиления по току у высокочастотных транзисторов (среднее для ГТ322А 21,6%, среднее для КТ3107Б 10,9%) оказалось меньше, нежели у низкочастотных транзисторов (среднее для МП16Б 34,7%)

-после 5,7 кВт/м2 -после 11,3 кВт/м2

№ транзистора

а)

— после 5,7 кВт/м2 -после 11,3 кВт/м2

б)

-до испытании -после 5,7 кВт/м 2 -после 11,3 кВт/м2

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от воздействия ЭМИ для

транзисторов: а) ГТ322А; б) МП16Б; в)

КТ3107Б.

Уменьшение ибэ при 5,7 кВт/м2 и 11,3 кВт/м2 соответственно:

— среднее для МП16Б 3,88% и 14,8%

— среднее для ГТ322А 2,84% и 1,03%

— среднее для КТ3107Б 9,1% и 1,87%

— после 5,7 кВт/м2 -после 11,3 кВт/м2

№ транзистора

а)

-до испытании — после 5,7 кВт/м2 -после 11,3 кВт/м2

№ транзи стора

б)

-до испытании -после 5,7 кВт/м2 -после 11,3 кВт/м2

в)

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от воздействия ЭМИ для транзисторов: а) ГТ322А; б) МП16Б; в) КТ3107Б.

Увеличение икэ при 5,7 кВт/м2 и 11,3 кВт/м2 соответственно:

— среднее для МП16Б 28,6% и 10%

— среднее для ГТ322А 7,32% и 2,1%

— среднее для КТ3107Б 5,6% и 2,72%

У кремниевого транзистора выходы эмит-терного и коллекторного переходов на поверхность защищены слоем окисла, благодаря чему снижается роль рассмотренных процессов по сравнению с германиевыми транзисторами. Это приводит к меньшему влиянию ЭМИ на кремниевых транзисторов. Отмеченное обстоятельство находится в определенном согласии с результатами других авторов [3-5].

Падающее ЭМИ создает СВЧ токи и напряжения на всех выводах транзистора. В результате источниками тепловыделения становятся р-п-переходы.

Реальные транзисторы имеют, довольно сложную геометрию, что затрудняет сопоставление наблюдаемых эффектов с теоретическими выводами. Можно предположить, что наблюдаемые эффекты зависят в какой-то сте-

пени от геометрии, размеров, характеристик материала транзистора, т.е. носят конструктивный и технологический характер. Для получения более полной картины влияния ЭМИ на характеристики транзисторов, учитывающей перечисленные процессы и явления, требуются дальнейшие исследования.

Таким образом, на основе эффекта влияния ЭМИ на ППИ возможна разработка методов разбраковки партий транзисторов с помощью ЭМИ по надежности.

Литература

1. Горлов М.И., Данилин Н.С. Физические основы надежности интегральных схем: учеб. пособие / М.И. Горлов, Н.С. Данилин. — М.: МАКС Пресс, 2008. — 404 с.

2. Журавлев В. И., Алексеев В. Ф. Работоспособность полупроводниковых элементов в средствах связи. — Извести Белорусской инженерной академии, 1997, № 1 (3)/3, с. 54-51

3. Магда И.И., Блудов С.Б. и др. Исследование физических механизмов деградации изделий электромагнитной техники в мощных электромагнитных полях / Материалы 3-ей Крымской конференции «СВЧ-техника и спутниковый прием» (г. Севастополь, 1993), т. 5. с. 523-526.

4. Барановский О.К., Кучинский П.В., Лутковский В.М., Петрунин А.П., Савенок Е.Д.. Физика и техника п/п, 2001, т. 35, № 3.с. 352-356.

5. Требунских С.Ю. Эффекты пробоя воздействия СКИ ЭМИ в биполярных структурах / С.Ю. Требунских, В.Н. Левченко и др. // Радиолокация, навигация, связь: XIII Международ, науч.-техн. конф., — 2007 г. — Воронеж, 2007. — т. 2. с. 1582-1586.

Воронежский государственный технический университет

EFFECT OF ELECTROMAGNETIC RADIATION ON THE TRANSISTOR M.I. Gorlov, D.A. Denisov

This article examines the effects of electromagnetic radiation (EMR) on the operation of semiconductor products. The effect of high-frequency electromagnetic radiation on bipolar transistors МП16Б, КТ3107Б, ГТ322А. Found that for all the studied transistors vary informative parameters in the EMR, and this change depends on the magnitude of the radiation. An attempt is made of quality explaining the observed phenomena

Key words: electromagnetic radiation, solid product, a bipolar transistor

Стоит ли менять советские транзисторы? | ГидроПрепод

День/вечер добрый всем любителям моих мутных и некорректных экспериментов! Прошлая статья про конденсаторы затронула лучшие струны человеческих душ читателей Дзена! Вал позитивной реакции, адекватных мнений и малая щепотка людей без чувства юмора). Шоу должно продолжаться! Сегодня Я решил протестировать группу из различных старых советских транзисторов. В былое время Я натыкался на мутную заметку, о том, что лет за 50, даже старые транзисторы могут потерять работоспособность. К счастью второй раз я её не нашел, но руки чешутся и предательски тянутся к тестеру…. В реальности деградация может происходить, но в высокочастотной технике и при интенсивной эксплуатации.

Итак эксперимент! Были взяты 148 различных транзисторов и проверены на работоспособность. Результат опыта напоминал следующее — первые 10 — отказов нет. Следующие 30 -отказов нет. Через еще 50 полностью работоспособных транзисторов начало постепенно приходить разочарование в правдивости левых статей из интернета написанных непонятно кем….. Итог: 148 проверенных и все из них рабочие. Подведя радостный и абсолютно ожидаемый итог, Я решил перестать маяться хе…й и решил просто провести исследование их рабочих характеристик. В процессе замеров исследовались две характеристики — коэффициент усиления транзистора по току и напряжение диодного перехода в прямом направлении. Абсолютные значения усиления транзистора сравнивались с табличными. Для обеих величин Я определил среднее процентное расхождение от среднего значения выборки. Эта величина показывает стабильность и однородность характеристик транзисторов. Чем меньше эта величина, тем более одинаковые параметры имеют все транзисторы в группе. Возраст скорее всего не больше 50-60 лет. На графиках точками показаны измеренные значения. Красными линиями показаны табличные границы работы транзистора. По горизонтальным осям идет номер измерения, по вертикальной коэффициент усиления транзистора. Итак начнем по одному рассматривать наших подопытных от самой малой группы к самой большой:

  • Транзисторы марки МП40 — германиевые, сплавные, p-n-p структуры, усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Использовались, да и сейчас ипользуются для усиления сигналов низкой частоты. Исследовалась выборка в 5 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 6%, напряжения диодного перехода 5,9%. Все измерения легли в границы указанные заводом изготовителем.
Транзистор МП40 данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП40 данные замера коэффициента усиления.

  • Транзисторы МП112 — кремниевые , сплавные, n-p-n структуры, усилительные , низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Исследовалась выборка в 4 штуки (да не густо, тут не следует кидаться тапками в автора, у него больше не было))). Процентное отклонение коэффициента усиления 32% (тут проблема в одном транзисторе вылезшем за заводские данные), напряжения диодного перехода 3,3%. Один транзистор показал усиление больше чем по заводским данным.
Транзистор МП112 данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП112 данные замера коэффициента усиления.

  • Транзистор МП113 почти ничем от предыдущего не отличающийся. Исследовалась выборка в 6 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 13,7%, напряжения диодного перехода 1,1%. Почти все измерения близки к нижней заводской границе, видимо сказалась выпайка их из схожего типа устройств, и они были специально подобраны по усилению.
Транзистор МП113 данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП113 данные замера коэффициента усиления.

  • Транзистор МП26А — германиевый, сплавной, p-n-p структуры, универсальный низкочастотный. Исследовалась выборка в 6 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 10,8%, напряжения диодного перехода 3,9%. Опять все измерения близки к нижней заводской границе, в этом случае один транзистор немного вышел за заводскую границу усиления.
Транзистор МП26А данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП26А данные замера коэффициента усиления.

  • Транзистор П416А — германиевый, сплавной, p-n-p структуры, универсальный. Предназначен для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. Исследовалась выборка в 7 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 8,1%, напряжения диодного перехода 3,7%. Это единственный случай из всех измерений, когда абсолютно все транзисторы тупо не дотянули даже до нижней границы установленной заводом. Может у Вас есть идеи?
Транзистор П416А данные замера коэффициента усиления.

Транзистор П416А данные замера коэффициента усиления.

  • Транзистор МП42 — германиевый, сплавной, p-n-p структуры, переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения, усиления и преобразования сигнала в аппаратуре общего назначения. Исследовалась выборка в 7 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 9,9%, напряжения диодного перехода 11,5%. Тут по характеристикам всё хорошо, одно исключение — 5-й усиливает немного больше, чем по заводским параметрам.
Транзистор МП42 данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП42 данные замера коэффициента усиления.

  • Транзистор МП41А — германиевый, сплавной, p-n-p структуры, усилительный, низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. Исследовалась выборка в 8 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 10%, напряжения диодного перехода 24,8%. Отклонений от характеристик завода нет, но все они лежат в нижней половине рабочего промежутка.
Транзистор МП41А, данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП41А, данные замера коэффициента усиления.

  • Транзистор МП16Б — германиевый, низкочастотный, маломощный, сплавной, p-n-p структуры, переключательный. Предназначен для применения в схемах переключения и формирования импульсов. Исследовалась выборка в 9 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 18,7%, напряжения диодного перехода 21,8%. Отклонений от характеристик завода нет.
Транзистор МП16Б, данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП16Б, данные замера коэффициента усиления.

Транзистор П308 — кремниевый, планарный, n-p-n структуры, переключательный, низкочастотный, маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. Исследовалась выборка в 10 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 30,7%, напряжения диодного перехода 4,6%. Часть транзисторов ушла за нижнюю заводскую границу.

Транзистор П308, данные замера коэффициента усиления.

Транзистор П308, данные замера коэффициента усиления.

  • Транзистор МП111, в принципе тоже самое, что и все МП1__. Отличается только коэффициентом усиления. Исследовалась выборка в 13 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 8,8%, напряжения диодного перехода 2,6%. Один из самых стабильных результатов среди всех исследованных образцов.
Транзистор МП41А, данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП41А, данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП42Б, характеристики уже описаны. Исследовалась выборка в 17 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 5,4%, напряжения диодного перехода 37%. Все работают, но располагаются ближе к нижней границе допустимого интервала.

Транзистор МП42Б, данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП42Б, данные замера коэффициента усиления.

  • Транзистор МП26Б. Тоже, что и остальные МП26-е. Исследовалась выборка в 23 штуки. Процентное отклонение коэффициента усиления 16,5%, напряжения диодного перехода 31,6%. Все работают, но располагаются в нижней половине допустимого интервала, два находятся прямо на границе.
Транзистор МП26Б, данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП26Б, данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП42А. Исследовалась выборка в 38 штук. Процентное отклонение коэффициента усиления 8,9%, напряжения диодного перехода 3,5%. Хорошая стабильная выборка, только один транзистор вышел из заводского интервала.

Транзистор МП42А, данные замера коэффициента усиления.

Транзистор МП42А, данные замера коэффициента усиления.

Итак результаты замеров ожидаемы. Старые транзисторы это не картошка и гнить не собираются. Даже если им уже 50 лет. Шок-контента никакого не получилось, да оно и к лучшему. Большая часть измеренных транзисторов имеет характеристики усиления близкие к нижней границе. В общем это можно объяснить однородностью их подбора при монтаже. Это кстати немного решает одну из проблем старых советских транзисторов — высокую неоднородность характеристик.

Если у Вас есть остатки старых запасов советских радиодеталей или в гараже пылится старая советская техника можете не стесняться и выставлять её на продажу, она найдет своего покупателя, хотя бы как радиолом.

Какие советские конденсаторы стоит менять при ремонте?

Сколько дефектных конденсаторов в старом музыкальном центре?

Транзисторы Германиевый MP16B Аналог 2N404 СССР 25 шт: Amazon.com: Industrial & Scientific

Цена: 13 долларов.50 +4,99 $ перевозки
  • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
  • Транзисторы Германиевые МП16Б аналог 2Н404 СССР 25 шт.
  • На нашем складе более 25 000 наименований. Полные списки можно найти здесь: www.amazon.com/shops/A19NX3RFNSYB6R.
  • Если вы не можете найти нужный товар, свяжитесь с нами.
]]>
Характеристики данного продукта
Фирменное наименование С.U.R. & R Инструменты
Ean 4609872573610
Вес изделия 0,353 унции
Материал Металл
Код UNSPSC 32110000
Напряжение 1,00 вольт

Дождь из Германии! — злодей.com

Я только что купил 500 германиевых транзисторов.
(Да, собственно говоря, я на сумасшедший. Почему вы спрашиваете?)

ОБНОВЛЕНИЕ: Обзор My Dunlop Fuzz Face Mini в прямом эфире на Premier Guitar . Аудиоклипы включены!

Как и когда стало так чертовски легко получить великолепно звучащие германиевые транзисторы?

Я занимаюсь сборкой педалей эффектов около четырех лет. Я читал статью за статьей, в которой подробно описывался ужас обращения с германием.Конечно, эти транзисторы старой школы звучат великолепно, я читал, и они необходимы для старинных схем искажения. Но они нестабильны. Они дорогие. Их сложно найти. Вам нужно перебрать десятки, чтобы найти несколько хороших. И как только вы это сделаете, вам придется потратить бесчисленные часы на сопоставление и смещение их для получения оптимального звука.

Я верил всему, что читал, пока, наконец, не признался себе, что редко сталкивался с какими-либо из этих проблем.

(Если вы мало что знаете о германиевых транзисторах и почему они такие крутые, то вот мой манифест.)

Раньше я покупал германиевые транзисторы в Small Bear и на других сайтах запчастей и всегда был доволен результатами, хотя мне приходилось платить восемь или десять долларов за транзистор. (Компания Small Bear даже подбирает для вас наборы транзисторов, подходящих для различных старинных схем фаззинга.) Однако для было немного сложно найти германиевые транзисторы NPN (с отрицательной землей). Фактически, Small Bear однажды отклонил мой заказ примерно на дюжину NPN, потому что их было очень мало. (К его чести, Стив Дэниэлс из Small Bear объяснил, что ограничил продажи, чтобы у всех, кто хотел создать пару отличных пуховиков своими руками, была возможность.)

Обходной путь заключается в создании надоедливых педалей с плюсовым заземлением или соединении со схемой, чтобы использовать транзисторы PNP (положительное-заземление) в цепях с отрицательным заземлением. (Проект Fiendmaster на этом сайте является примером последнего обходного пути.)

Потом произошли странные вещи:

Новый Dunlop Germanium Fuzz Face Mini оснащен новейшими германиевыми транзисторами. Звучит здорово и стоит всего 99 долларов.

Во-первых, они снова начали делать германиевые транзисторы, хотя мне так и не удалось выяснить, кто именно «они».BYOC продает комплекты фаззинга с новыми транзисторами от New Jersey Semiconductor, у которых есть крайне малоинформативный веб-сайт. Ребята из Mammoth сказали мне, что их германиевые транзисторы являются новыми, но они не сказали или не могли сказать мне больше. Сообщается, что Dunlop производит новые германиевые транзисторы для своих Fuzz Faces. (Я только что написал обзор Dunlop Germanium Fuzz Face Mini за 99 долларов для Premier Guitar . Он звучит потрясающе, и я дам ссылку на свой обзор, когда он выйдет в свет.В каждом случае эти транзисторы работают отлично, и NPN кажутся такими же многочисленными, как и PNP. [ОБНОВЛЕНИЕ : Нет, меня дезинформировали. Dunlop говорит, что они используют транзисторы строго NOS.]

Между тем, друг поделился парой интернет-источников дешевых германиевых транзисторов, но только после того, как получил обещание не делиться этой информацией. (Извините! Я знаю, насколько это неприятно.) Но, немного посмотрев, вы тоже можете их найти. Как и большинство электронных компонентов, оптом они дешевле. Я покупал PNP AC-128 по два доллара за штуку и использовал их для всех педалей в Fuzz Detective, моем видео сравнения мондо-германиевого пуха.После этого я заказал 100 NPN AC-187 по доллар каждый. Это была такая выгодная сделка, что я, шутя, спросил, сколько будет стоить 500. Ответ: чуть больше 200 долларов. Это не намного больше, чем цена четырех Boss DS-1! Вот так я приобрел 500 транзисторов, изображенных выше.

Но поймите: они не новые, а NOS (новые-старые акции). Так как же, черт возьми, компания может продать мне, казалось бы, неограниченное количество NPN-транзисторов по сорок центов каждый, в то время как Small Bear отклонил мое предложение купить эквивалент по десять долларов каждый?

Меня не волнует, что говорят «эксперты» — этот трехтранзисторный пух звучит потрясающе с супер-горячими AC-187!

Во всех тех статьях, которые я прочитал, подчеркивалось, насколько важно измерять транзисторы, используя только те, уровни усиления которых попадают в определенные диапазоны.Я купил относительно дорогой цифровой мультиметр с функцией hFE (hFE — единица измерения коэффициента усиления транзистора) и тщательно проверил каждый транзистор. Но со временем я обнаружил, что а) подавляющее большинство тестируемых мной транзисторов в порядке, и б) «правила» об оптимальных уровнях hFE для классических нечетких схем часто неверны. Вернее, транзисторы, уровни усиления которых выходят за пределы указанных диапазонов, могут звучать великолепно.

Возьмем, к примеру, мою гору AC-187. AC-187 — это громкий NPN-транзистор, значения hFE которого находятся в диапазоне от 300 до 500, уровень усиления широко считается слишком высоким для Rangemasters, Fuzz Faces, Tone Benders и их производных.Я не знаю достаточно, чтобы оспорить это утверждение по техническим причинам, но я буду возражать по музыкальным соображениям: материал, который я создаю, звучит чертовски круто. Германиевые транзисторы настолько динамичны, что откат входного уровня (либо от громкости гитары, либо через потенциометр предварительного усиления) производит звуки, эквивалентные транзисторам с более низкими значениями hFE. Я считаю, что могу получить отличные винтажные тона с большим усилением при разливе, если это необходимо. Так что я называю b.s. по расхожему мнению здесь.

(я подозреваю, что эти «оптимальные» значения были получены при измерении транзисторов в особенно хорошо звучащих винтажных педалях.Педали, о которых идет речь, вероятно, действительно отлично звучат — но они также будут отлично звучать со многими другими значениями.)

Так откуда же берутся германиевые транзисторы нового производства? И почему вдруг так легко найти хорошие, дешевые старые? Кто-нибудь может дать мне подсказку? Если вы это сделаете, я пришлю вам конверт, полный дешёвых редких и дорогих германиевых транзисторов, чтобы собрать пару паршивых педалей фузза.

Бытовая электроника MP16B = 2N404 партия из 20 шт. Российский военный германиевый транзистор Винтажная электроника

Бытовая электроника MP16B = 2N404 партия из 20 штук российского военного класса <> германиевый транзистор Винтажная электроника
  • для дома
  • Бытовая электроника
  • старинная электроника
  • другая винтажная электроника
  • MP16B = 2N404 партия из 20 штук российского военного класса <> германиевый транзистор

военный <> транзистор германиевый МП16Б = 2Н404 лот 20шт Россия, Емкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 15, Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0,2, Тип материала: Ge, Частота среза текущий коэффициент передачи (футы): 1, большие онлайн-продажи, хорошие товары онлайн СЕЙЧАС, электронные покупки — самый удобный выбор.Германиевый транзистор MP16B = 2N404 — 20 шт.








: 0, частота среза коэффициента передачи тока. Примечания продавца: «новый без коробки / навалом /», пФ: 15, куб. , 2, ПК, максимальная рассеиваемая мощность.

Давайте вместе построим вашу историю роста


От стратегии

к исполнению


Развитие лидеров


и высокопроизводительные команды


Подключение людей


и процессов к производительности

Мы зажигаем инициативу


и укрепляем собственность