Транзистор мп42 характеристики. МП42 транзистор: характеристики, применение и аналоги — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Каковы основные параметры германиевого транзистора МП42. Где применялся этот транзистор в советской электронике. Какие современные аналоги можно использовать для замены МП42.

Содержание

Основные характеристики транзистора МП42

МП42 — это германиевый биполярный транзистор структуры p-n-p, разработанный в СССР в 1960-х годах. Основные параметры транзистора:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 15 В
Максимальный ток коллектора: 150 мА
Максимальная рассеиваемая мощность: 200 мВт
Коэффициент усиления по току: 30-100
Граничная частота коэффициента передачи тока: 1-2 МГц
Обратный ток коллектора: не более 3 мкА

МП42 выпускался в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса транзистора составляла около 2 граммов.

Области применения транзистора МП42

Транзистор МП42 широко применялся в советской бытовой и промышленной электронике 1960-80-х годов. Основные области его использования:

Усилители низкой частоты в радиоприемниках и телевизорах

Маломощные каскады в измерительной аппаратуре
Коммутационные схемы в системах автоматики
Генераторы и мультивибраторы в различных устройствах
Входные каскады звуковых усилителей

МП42 отличался простотой применения и надежностью работы, что обусловило его популярность у радиолюбителей того времени.

Преимущества и недостатки транзистора МП42

Рассмотрим основные плюсы и минусы использования транзистора МП42:

Преимущества:

Низкое напряжение насыщения база-эмиттер (около 0,1-0,2 В)
Малый обратный ток коллектора
Хорошая линейность характеристик
Высокая устойчивость к перегрузкам
Простота включения в схемы

Недостатки:

Невысокая рабочая частота (до 1-2 МГц)
Значительный разброс параметров
Чувствительность к нагреву

Низкое допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Ограниченный срок хранения

Несмотря на недостатки, МП42 успешно применялся в массовой электронике благодаря простоте использования и низкой стоимости.

Аналоги и замена транзистора МП42

В современной электронике транзистор МП42 практически не используется. Для его замены можно применить следующие аналоги:

Отечественные: ГТ308, МП39, МП40, МП41
Зарубежные: ASY26, ASY27, AC128, AC153
Кремниевые транзисторы: КТ3102, BC557, 2N3906

При замене МП42 на современные кремниевые транзисторы необходимо учитывать разницу в напряжении база-эмиттер и возможно потребуется корректировка схемы.

Особенности применения транзистора МП42 в схемах

При использовании МП42 в электронных устройствах следует учитывать некоторые особенности:

Рекомендуется применять термостабилизацию рабочей точки
Необходимо обеспечить хороший теплоотвод от корпуса транзистора

Следует избегать превышения максимально допустимых параметров
Для повышения надежности рекомендуется некоторый запас по току и напряжению
При работе на высоких частотах нужно учитывать паразитные емкости транзистора

Правильное применение МП42 позволяет создавать простые и надежные электронные устройства.

Маркировка и обозначение транзистора МП42

Транзистор МП42 имеет следующую систему маркировки:

МП — серия маломощных плоскостных транзисторов
42 — порядковый номер разработки

На корпусе транзистора обычно указывался полный код МП42. В технической документации транзистор мог обозначаться как VT с соответствующим номером на схеме.

Цоколевка МП42:

Левый вывод — эмиттер
Средний вывод — база
Правый вывод — коллектор

Корпус транзистора электрически соединен с коллектором.

Измерение параметров и проверка исправности МП42

Для проверки работоспособности транзистора МП42 можно использовать следующие методы:

Измерение статического коэффициента передачи тока
Проверка обратных токов переходов
Измерение напряжения насыщения коллектор-эмиттер
Определение граничной частоты коэффициента передачи тока

Простейшая проверка может быть выполнена с помощью омметра путем измерения сопротивления переходов транзистора в прямом и обратном направлении.

Современные альтернативы транзистору МП42

В настоящее время вместо германиевых транзисторов типа МП42 обычно применяются:

Маломощные кремниевые биполярные транзисторы
Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET)
Интегральные схемы, содержащие транзисторные каскады

Эти современные компоненты обладают лучшими характеристиками и большей надежностью по сравнению с МП42, однако в некоторых специфических применениях германиевые транзисторы все еще могут использоваться.

Транзистор МП42 — DataSheet

Цоколевка транзисторов МП41, МП42

**Параметры транзистора**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		МП42		ASY70
Аналог		МП42А		ASY26
Структура		—	—	p-n-p	мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	МП42	—	200
		МП42А	—	200
		МП42Б		200
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	МП42	—	≥2*	МГц
		МП42А	—	≥1. 5*
		МП42Б		≥1*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	МП42	3к	15*	В
		МП42А	3к	15*
		МП42Б	3к	15*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	МП42	—	—	В
		МП42А	—	—
		МП42Б	—	—
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	МП42	—	150*	мА
		МП42А	—	150*
		МП42Б	—	150*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	МП42	—	—	мкА
		МП42А	—	—
		МП42Б	—	—
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	МП42	1 В; 10 мА	20…35*
		МП42А	1 В; 10 мА	30…50*
		МП42Б	1 В; 10 мА	58…100*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	МП42	—	—	пФ
		МП42А	—	—
		МП42Б	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас}	МП42	—	≤20	Ом
		МП42А	—	≤20
		МП42Б		≤20
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^*_b, P_вых	МП42	—	—	Дб, Ом, Вт
		МП42А	—	—
		МП42Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	МП42	—	≤2000***	пс
		МП42А	—	≤1500***
		МП42Б		≤1000***

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзисторы германиевые плоскостные: МП42, МП42А, МП42Б

Соответствуют ГОСТ 5.343-70Чертёж транзистора МП42, МП42А, МП42Б
Масса не более 2,5 гр.
Характеристика транзистора МП42. Тип p-n-p.
Электрические параметры МП42 при tamb=+20+-5 градусов.
Электрические параметры МП42

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации.

Отрицательное напряжение коллектор-эмиттер, коллектор-база *, в ___________ не более 15
Ток коллектора в режиме переключения или в импульсном режиме **, ма ________не более 150
Среднее значение тока эмиттера за 1 сек, ма ________________________________не более 30
Мощность, рассеиваемая транзистором, мвт _________________________________не более
при температуре окружающей среды +45 градусов по Цельсию 200
при температуре окружающей среды +70 градусов по Цельсию 75

При повышении температуры от +45 до +70 градусов допустимая мощность снижается по линейному закону.
Диапазон температур окружающей среды от -60 до +70 градусов.
* При отсутствии запирающего смещения сопротивление в цепи база-эмиттер не должно превышать 3 кОм.
** Значение коэффициента передачи тока не нормируется.

Условия хранения приборов.

1.Складские условия:
— температура окружающего воздуха от +5 до +35 градусов
— относительная влажность до 85%
— отсутствие в воздухе кислотных и других агрессивных примесей.
2. Полевые условия:
— температура окружающего воздуха может меняться в пределах от -40 до +40 градусов по Цельсию
— относительная влажность до 98% при температуре +30 градусов.

Гарантии.

Предприятие-изготовитель гарантирует срок службы транзисторов 12 000 часов.
Срок хранения 6 лет.
Гарантийный срок исчисления с момента отгрузки приборов.

Указания и рекомендации по эксплуатации.

1.Рекомендуется эксплуатировать транзисторы в диапазоне температур от -30 до +40 градусов при мощности рассеивания не более 0,7 Pmax.
При отрицательном напряжении коллектор-эмиттер не более 0,7 Uc max.
При токе коллектора не более 0,9 Ic max, где Pmax Uc max, Ic max – максимально допустимые значения мощности, напряжения и тока для данной температуры.
2.Разрешается производить пайку выводов транзисторов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с применением флюса следующего состава: канифоль – 40%, этиловый спирт – 60%. Пайку следует производить паяльником мощностью не более 30 вт, в течение 5 сек (не более). Пайку погружением следует производить, в течение 5 сек (не более) путем окунания в расплавленный припой с температурой не выше +285+-10 градусов.
При пайке паяльником должен быть обеспечен надежный теплоотвод между местом пайки и корпусом транзистора.
3.При монтаже транзисторы должны быть жестко закреплены за корпус. Выводы рекомендуется закреплять на расстоянии не более 15 мм от корпуса. Минимальное расстояние от места изгиба выводов до корпуса при монтаже -3 мм.
4.При включении транзистора в электрическую цепь, находящуюся под напряжением, базовый вывод необходимо присоединять в схему первым и отключать последним. Работа транзистора в режиме «оборванной базы» (то есть при отсутствии в цепи база-эмиттер) категорически запрещается.
5.Не допускается использование транзисторов при совмещении двух или более предельно допустимых режимов.
6.При заливке транзисторов МП42 компаундами, пенопластами, пенорезиной и т.д. температура окружающей среды не должна превышать +70 градусов.
При полимеризации не допускается механические нагрузки на выводы.

Транзистор МП42-МП42Б | Радиодетали в приборах

Транзистор МП42-МП42Б
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: МП42-МП42Б

Золото: 0
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0.0017
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Понравилось это:

Нравится Загрузка…

Похожее

Транзисторы П210,МП39,МП40.

Для того чтобы АКБ служила долго, она должна правильно заряжаться. В этой статье мы рассмотрим несколько схем регуляторов зарядного тока. Ведь этот узел – неотъемлемая часть любого «правильного» СЗУ.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 – германиевые, усилительные маломощныенизкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса – около 2 г.Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 – 2N1413
МП40 – 2N104
МП41 возможный аналог – 2N44A
МП42 возможный аналог – 2SB288

Источник: http://elektrikaetoprosto.ru/trans3.html

Цоколевка

Распиновка транзистора П210Б обозначена на представленном ниже изображении. Там же можно ознакомиться с габаритными размерами и внешним видом компонента. Корпус, в котором располагается устройство загерметизирован и сделан из металла.

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Обозначение транзистора П210 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора П210 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Источник: http://radiolibrary.ru/reference/transistor/p210.html

P210 Datasheet (PDF)

0.1. stp210nf02.pdf Size:609K _st

STP210NF02STB210NF02 STB210NF02-1N-CHANNEL 20V – 0.0026 – 120A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB210NF02/-1 20 V

0.2. stp210n75f6.pdf Size:687K _st

STP210N75F6N-channel 75 V, 3 m, 120 A TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTP210N75F6 75 V

0.3. fp210.pdf Size:97K _sanyo

Ordering number:EN4537FP210NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorDriver ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors (PNP) containedunit:mmin one package, facilitating high-density mounting.2097A The FP210 is formed with 2 chips being equivalent[FP209]to the 2SB1123, placed in one package.Electrical Connection1:Base (PNP TR)2, 7:Co

0.4. zvp2106a.pdf Size:53K _diodes

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V

0.5. zvp2106astob zvp2106astz zvp2106as zvp2106astoa.pdf Size:41K _diodes

0.6. dmp2100u.pdf Size:193K _diodes

DMP2100UP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) MAX Package TA = +25C Low Input Capacitance 38m @ VGS = -10V -4.3A Fast Switching Speed -20V 43m @ VGS = -4.5V SOT23 -4.0A Low Input/Output Leakage 75m @ VGS = -2.5V -2.8A ESD Protected Up To 3kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compl

0.7. zvp2106gta zvp2106gtc.pdf Size:61K _diodes

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT6G ZVP2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS=S-10V T I D T I V -9V T T V D-8V G-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4VD i V I VD V-3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).

0.8. dmp210dudj.pdf Size:440K _diodes

DMP210DUDJDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Dual P-Channel MOSFET Case: SOT-963 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound.UL Flammability Classification Rating 94V-0 o 5.0 @ -4.5V o 7.0 @ -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 o 10 @ -1.8V Terminal Connections: See Diagra

0.9. dmp2104v.pdf Size:178K _diodes

DMP2104VP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data P-Channel MOSFET Case: SOT-563 Very Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound.UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Terminal

0.10. dmp2104lp.pdf Size:317K _diodes

DMP2104LPP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data P-Channel MOSFET Case: DFN1411-3 Very Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Te

0.11. dmp210dufb4.pdf Size:400K _diodes

DMP210DUFB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID P-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance 5 @ VGS = -4.5V -200mA Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH) -170mA 7 @ VGS = -2.5V Low Input Capacitance -20V 10 @ VGS = -1.8V -140mA Fast Switching Speed -50mA 15 @ VGS = -1.5V

0.12. zvp2106g.pdf Size:77K _diodes

0.13. zvp2106b.pdf Size:15K _diodes

ZVP2106BMECHANICAL DATAP CHANNEL ENHANCEMENTDimensions in mm (inches)MODE DMOS FETBVDSS – 60V8.89 (0.35)9.40 (0.37)7.75 (0.305)ID(cont) 0.76A8.51 (0.335)RDS(on) 0.54.19 (0.165)4.95 (0.195)0.89max.(0.035)12.70(0.500)7.75 (0.305)min.8.51 (0.335)dia.FEATURES5.08 (0.200)typ. FAST SWITCHING SPEEDS2.542(0.100)1 3 NO SECONDARY

0.14. dmp2100ucb9.pdf Size:422K _diodes

DMP2100UCB9 DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ. @ VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: VDSS RDS(on) Qg Qgd ID RDS(on) = 80m to Minimize On-State Losses -20V 80m 3.3nC 0.6nC -4A Qg = 3.3nC for Ultra-Fast Switching Vgs(th) = -0.7V typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Footpr

0.15. vp2106.pdf Size:626K _supertex

Supertex inc. VP2106P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power

0.16. tp2104.pdf Size:721K _supertex

Supertex inc. TP2104P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description High input impedance and high gain This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well- Low power drive requirementproven, silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a dev

0.17. p210a p210sh.pdf Size:713K _russia

0.18. sp2107.pdf Size:111K _samhop

GreenProductSP2107aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.0.8 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A0.93 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26 3D2 S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6A

0.19. sp2103.pdf Size:111K _samhop

GreenProductSP2103aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.220 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.2A350 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless

0.20. sp2108.pdf Size:106K _samhop

GreenProductSP2108aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.811 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A932 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26D2 3S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5×6

0.21. sp2106.pdf Size:110K _samhop

GreenProductSP2106aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.2.0 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1A2.4 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26 3D2 S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6ABSO

0.22. sp2102.pdf Size:119K _samhop

GreenProductSP2102aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.100V 2.0A 216 @ VGS=10VSuface Mount Package.D1 D1 D2 D2DFN 3x3PIN1S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)

0.23. p2103hvg.pdf Size:324K _unikc

P2103HVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 21m @VGS = 10V 8ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C6AIDM40Pulsed Drain Current1IA

0.24. p2103nvg.pdf Size:796K _unikc

P2103NVGN- & P- Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) IDN-21m @VGS = 10V30 8AChannelP-34m @VGS = 10V -6A-30ChannelSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)N- P-PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL UNITSChannel ChanneVDSDrain-Source Voltage 30 -30 VVGSGate-Source Voltage 20 20 VTA = 25 C8 -6

Источник: http://alltransistors.com/ru/transistor.php?transistor=44660

Блок питания для гаража

Схема блока питания со стабилизатором на транзисторе П210 изображена на рисунке 1. В свое время это очень популярная схема. Ее в разных модификациях можно было встретить, как в промышленной аппаратуре, так и в радиолюбительской.

Вся схема собирается навесным способом прямо на радиаторе, используя опорные стойки и жесткие вывода транзисторов. Площадь радиатора при токе нагрузки шесть ампер должна быть порядка 500см². Так как коллектора транзисторов VT1 и VT2 соединены, то их корпуса изолировать друг от друга не надо, но сам радиатор от корпуса (если он металлический) лучше изолировать. Диоды D1 и D2 – любые на 10А. Площадь радиаторов под диоды ≈ 80см². Приблизительно рассчитать площадь теплоотвода для разных полупроводниковых приборов , так сказать прикинуть, можно по диаграмме, приведенной в статье «Расчет радиаторов». Я обычно применяю П-образные радиаторы, согнутые из полоски трехмиллиметрового алюминия (см. фото 1).
Размер полоски 120×35мм. Трансформатор Тр1 – перемотанный трансформатор от телевизора. Например, ТС-180 или ему подобный. Диаметр провода вторичной обмотки – 1,25 ÷ 1,5мм. Количество витков вторичной обмотки будет зависеть от примененного вами трансформатора. Как рассчитать трансформатор можно узнать в статье «Упрощенный расчет трансформатора», рубрика – «Самостоятельные расчеты». Каждая из обмоток III и IV должна быть рассчитана на напряжение 16В. Заменив подстроечный резистор R4 на переменный и дополнив схему амперметром, этим блоком питания можно будет заряжать автомобильные аккумуляторы.

Обсудить эту статью на – форуме “Радиоэлектроника, вопросы и ответы”.

Источник: http://kondratev-v.ru/stabilizatory/stabilizator-napryazheniya-na-p210.html

SemarglUA › Блог › Зарядное для акб — для себя — схемы (часть 2)

Решил выложить общие схемы которые мне понравились и по которым любой может изготовить простейшее зарядное с регулировкой тока из «савдеповских» или новых радиодеталей.

Начнем со схемы по которой в данный момент собрано моя зарядка, рисовал сам сори за корявость. Единственный минус что отсутствует схема регулировки, поэтому далее будут фото схемы где можно подобрать схему регулировки под мой аппарат, а так как я не определился с выбором, то каждый может дать совет какая лучше будет, как по простоте, так и по надежности.

Схема №1 проста но найти мощный резистор реостат чтоб выдержал АКБ сейчас проблематично, все советское становится дефицитом, а китай надежностью не блещет.

Схема №2 старая советская схема самая простая, изготавливали радиолюбители используя детали телевизоров и радиол

Схема №3 более сложная советская версия, так как сами транзисторы применяемые в ней не маленького размера, и приходится их монтировать с наружной стороны на отдельный радиатор.

Схема №4 неплохая схема но найти советский транзистор становится теперь проблемой, поэтому под неё нужны аналоги

Схема №5 такая интересная и более сложна, но нужно место на задней панели чтоб размести три транзистора не малого размера либо использовать их аналоги

Схема №6 похожа на схему №4 с деталями возможна та же проблема если нет на рынке искать аналоги

Схема №7 одна из распространенных на драйве, я взял фото по идее из первоисточника, изготовление платы под нее не является большой проблемой

На всех схемах я выделил регулировочную часть, которая возможно подойдет мне по параметрам.
Некоторые фотографии взяты из интернета на авторство не претендую.
Всем мира и добра, помогите с выбором и если есть какие советы или мысли по данной теме, пишите.

Источник

Источник: http://netigor.ru/zaryadnoe-ustroystvo-na-p210a-svoimi-rukami/

Транзистор П210.

Т ранзисторы П210 – германиевые, мощные низкочастотные, структуры – p-n-p.
Корпус металлостеклянный. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Масса – около 37 г. Маркировка буквенно – цифровая.

Источник: http://crast.ru/instrumenty/zarjadnoe-ustrojstvo-na-p210-shema

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров считаются приоритетными. Поэтому всего производители приводят их вначале технической документации. Максимальные параметры П210Б:

Ещё одной важной группой значений являются электрические параметры. В списке приведены все эти данные для рассматриваемого изделия, записанные в документации производителя:

крутизна характеристики >5 А/В;
тепловое сопротивление среда — кристалл 40 ОС/В;
начальный ток коллектора <8 мА;
тепловая постоянная кристалл — корпус 100 мкс.
обратный ток коллектора:
- при tокт = +20 ОС — <15 мА;
- при tокт = +60 ОС — <90 мА;
коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером – 10 … 100
напряжение (U) насыщения коллектор – эмиттер 0,6 … 2,5 В;
U отсечки переходной характеристики в схеме с ОЭ -0,3 В;
U лавинного пробоя при Iк = 2,5 А и tокр = -55 … +60ОС >40 В;
напряжение насыщения эмиттер — база 0,5 … 2 Ввходное сопротивление в схеме с общей базой 0,4 Ом;
максимальная частота к-та передачи тока >100 кГц;
тепловое сопротивление кристалл — корпус 1 ОС/В;

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете опубликовать сообщение сейчас, а зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, войдите в него для написания от своего имени.
Примечание: вашему сообщению потребуется утверждение модератора, прежде чем оно станет доступным.

Источник: http://forum.cxem.net/index.php?/topic/55774-%D0%B0%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B3-%D0%BF210-%D0%BF4/

Аналоги

Перечислим зарубежные транзисторы, которые могут выступать в качестве аналогов для П210Б:

AD142;
2N457;
6NU74;
7NU74;
2N458;
AUY22;
AD325;
AD545;
AUY22A;
AUY21;
AUY21A.

Среди отечественных изделий выпускается ГТ701А, параметры которого так же схожи.

Перед тем как производить замену на тот или иной аналог, в обязательном порядке проверяйте и сравнивайте все технические данные по Datasheet.

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Производители

Изначально транзисторы модельного ряда П210 выпускали три компании: НИИ-35 (в настоящее время НПП «Пульсар»), Ереванский электротехнический завод, Ташкентский завод электронной техники (в то время был ещё Ташкентским государственным заводом п/я 125). Позднее эстафету передали предприятию «Гамма» в г. Запорожье. В 1990х годах производство перестало быть перспективным.

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Регулировка напряжения и тока

Универсального способа регулировать ток и напряжение не существует. Все зависит от конструкции и схемы регулируемого блока питания. В некоторых вариантах это происходит изменением параметров обратной связи, в других изменением опорного напряжения (для напряжения) или установкой опорного уровня компаратора (для тока). Но все оперативные регулировки производятся органами управления, вынесенными на переднюю панель БП – так удобнее.

Источник: http://Zapitka.ru/masterskaya/laboratornyy-bp-svoimi-rukami

Для чего используются входные статические характеристики

Поскольку входная характеристика транзистора нелинейна, его входное сопротитвление не является точно определенным, а зависит от приложенного напряжения и протекающего тока. Это значит, что зависимость входного тока от входного напряжения выражается сложной формулой, неудобной на практике. Именно поэтому, когда надо найти входной ток, протекающий при данном входном напряжении, используют входную характеристику транзистора. Например, на рис. 20.2а

Рис. 20.2

можем определить, что если в транзисторе МП42Б (он имеет = 50) напряжение эмиттер-база равно 0,1 В (точка А), его базовый ток 20 мкА, а коллекторный ток приU_БЭ= 0,2 В (точка Б) определяем базовый ток I_Б = 120 мкА, коллекторный ток будет равен

Ту же характеристику можно использовать и в обратном порядке: для того, чтобы коллекторный ток данного транзистора был равен Iк= 13 мА, базовый ток должен быть

а по характеристике определяем, что напряжение эмиттер-база должно быть U_ЭБ = 0.25 В (точка В).

По входной характеристике можно найти входное сопротивление транзистора для постоянного и переменного тока. Обратите внимание, что в любой точке вольт-амперной характеристики одному нелинейному элементу соответствует два сопротивления: по постоянному току и по переменному току (дифференциальное динамическое), которые в обшем случае друг с другом не совпадают. Сопротивление по постоянному току относится к постоянной составляющей сигнала, а по переменному току – к переменной составляющей сигнала. Входное сопротивление но переменному току особенно важно, потому что с его помощью производится coгласонание отдельных транзисторных ступеней..

Для нахождения сопротивления по постоянному току в данной точке используется закон Ома.

Например, входное сопротивление по постоянному току транзистора МП42Б в точке А (рис. 20.2а) равно

Таким же образом находим, что в точке Б оно равно 1600 Ом, а в точке В – 1 кОм.

Для нахождения сопротивления по переменному току в данной точке используется так называемый закон Ома в дифференциальной форме

где и обозначают малые приращения напряжения и тока около данной точки. Например, найдем сопротивление по переменному току того же самого транзистора в той же точкеБ (рис. 20.2б). Для этого задаем следующие малые приращения (заштрихован- ный треугольник):

Тогда сопротивление по переменному току в точке Б будет

В заключение можно сказать, что входное сопротивление по переменному току зависит от выбранной рабочей точки, т.е. при большем токе базы (или коллектора) оно меньше. Практика показывает, что в схеме с ОЭ сопротивление в схеме с ОЭ обычно oт 500 Ом до 5 кОм.

Выходные статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ

В этом случае выходные характеристики выражают зависимость коллекторного тока I_Кот выходного напряжения U_КЭ (при определенном базовом токе I_Б). Для снятия этих характеристик можно использовать схему, показанную на рис. 20.4. На этом же рисунке показано семейство выходных характеристик транзистора МП42Б, где каждая из них соответствует определенному току базы. Выходные характеристики транзистора тоже нелинейны. Особенность их состоит в том. что при малых напряжениях (не более 0,4- 0.8 В) коллекторный ток растет быстро, после чего он практически не зависит от коллекторного напряжения (характеристики почти горизонтальные), а зависит только от тока базы.

Рис. 20.4

Для чего используются выходные статические характеристики?

Выходные характеристики дают количественную связь между тремя основными величинами транзистора: током базы, током коллектора и коллекторным напряжением. Выходное сопротивление транзистора тоже нелинейно, т.е. зависимость выходного тока от выходного напряжения выражается довольно сложной формулой. Поэтому для нахождения этой величины и здесь используются выходные характеристики транзистора.

Например, по рис. 20.5 можно определить, что при коллекторном напряжении 4,5 В и базовом токе 40 мкА (точка Б) коллекторный ток будет 4,5 мА. Точно также можно определить, что при напряжении 4,5 В для того, чтобы протекал коллекторный ток 8 мА (точка В), необходим ток базы в 80 мкА.

По выходным характеристикам можно найти выходное сопротивление транзистора для постоянного и переменного токов. Выходное сопротивление транзистора по переменному току особенно важно, поскольку на его основе происходит согласование отдельных транзисторных ступеней. Например, сопротивление по постоянному току в точке Б (рис. 20.5а) будет иметь значение:

Сопротивление по переменному току в той же точке можно найти по закону Ома, задавая соответствующие приращения (рис. 20.5б), где

и, таким образом, получаем

Выходное сопротивление транзистора как по постоянному, так и по переменному току сильно зависит от выбранной рабочей точки. Практика показывает, что выходное сопротивление по переменному току в схеме с ОЭ обычно имеет значения от 20 до 50 кОм.

sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами) — DJVU, страница 15

20 ма не бо 1ес П 9 !рп /„вЂ” 2 мт 11296 при /ь = ! к!4 !» (О ири ОГр(1!ый тол ы! ! !сл! !рл прп ( ль = 1′ В ае ботес прп /-: 9( К ири Оор,ыць!и !ел лл!и ! !ер ! Ори / 9 К ( уь вЂ” 1 В Ис по тес . Еылос!ь ла ! !с(,! р (о!о ! срслоы прп ( ль = 6 В ие Р !«’ 1,1 1,0 1,З 1,г Об~— вЂ” вЂ” вЂ” 1 вЂ” — вЂ” вЂ” вЂ” вЂ” ! «б У 0,5’ь . ! 0,7 о го ба бо во 1оог.. гг ‘г1ггззгбгг7згвзз157.!г 3 ‘гь!»‘ ‘ ! о!носи! гыьио к !.! ы!чш л«! ло л!! !и! шеи г,! ие рс ы!и гол ! в скет!с с обг,гиы ! ! г! !срок о! !.’игор, !,р ! Згви гыы» спь сиге ы!гг ре.ы и! и ! ! ск*ые .

г.Г!, ! к ° и! ! ро и! гог,г;пы !ср,! вЂ” вЂ” вЂ” вЂ” вЂ” ! г»гб Оет7 Г.’С Г,б 07 Об 1„= гы,е У =ско 3 !» б 05 10Ртб,к и !об!рта каи Зави. киьгь о! юспге гьио о постоя.! и о иипря,лсипя ко г’гелгор-!!и!! гор ог сопротив гения «!ы гп пни!,ср о.п,! З,гви. гк ! г!ь о носи!с!иного гшь!о,иго о и!прая,синя ло геллер-,о!отер ог сопрогив !синя ь ил!и! !ни! гср., !.! МП39, МП39Ь’, МП4О, МП4ОА, МП41, МП41А Г! и! ил горы ггртыпися! ы ! гшные ряб тыл тигс пи!!с ин,лочасго ! ыь иеиорыирояишыы !ЫПШ МПЗО М!З4ОЛ.

ЫПЗ!. МПЗ! З’ п !юр и!ров шиыы !МИ’ЗЬг лот!!гигишге поы шбма гы,!скотее ! три П!. ! ! ! и, чснь! ! гя ксп ип ия .и! гы «ггггг и ! ло ! ч,его! ы Выи !…г,оья в к.с!.! ! шьгел ыино» лор! !се с ! полип ! нывоИгкг, Огш» иш! ‘с ..п,! гриво и! .я и ! о ! го,! иояср гн — и лорптс.! ‘г1,.с! грен . гор » ао с О,б О,В й 0,7 1,1 Г О,У Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при 6Гкк = 5 В, 2э = 1 мА нс менее: МП39, МР!39Б МП40, МП40А. МП41, МП4!А Коэффициент шума при 1/кв вЂ” вЂ” 1,5 В, 2э = 0,5 мА, Т= 1 кГа МП39Б ие более . Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при бгкв = 5 В, ээ =! мА, Т= 1 кГц: прн Т= э93 К: МП39 не менее МП39Б МП40, МП40А.

МП41 МП41А при Т= 233 К: МП39 не менее МП39Б МП40, МП40А . МП4! МП41А при Т= 333 К: МП39 не менее МП39Б МП40, МП40А . МП41 МП41А Обратный эок коллектора при !Iкв = 5 В не более: при Т= 293 К при Т= 333 К Обратный ток эмпттера прн Т= 293 К, 6Гэн = 5 В не более . Сопротивление базы при с!на = 5 В, Тэ = 1 мА, = 500 кГц не более . Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе при !!кв = 5 В, !э = 1 мА, Т= ! кГц не более .

!02 0,5 МГц 1 МГц 12 дБ 12 20- 60 20-40 30-60 50- 100 5 !0-60 10-40 15-60 25- !00 12 20 вЂ” 80 20- 120 30- 180 50- 300 15 мкА 250 мкА 30 мкА 220 Ом 3,3 мкСм 00 пФ Предельные эксплуатационные данные Пгптоянное напряжение коччектор-база при Т = 213 вЂ” 313 К МПЗ9, МПЗ9Б, МП40, МП41, МП41А МП40А при Т = 313 вЂ” 343 К МП39, МПЗ9Б, МП40, МП41, МП41А МП40А 15 В ЗО В !О В 20 В Посзоанное напРЯжение коллектоР-эмитгеР пРи Яэа и ‘- 10 ьОм при Т = 2! 3 вЂ” 3! 3 К МП39, МП39Б, МП40, МП41, МП41А . МП40А 15 В 30 В при Т = 313 вЂ” 343 К МП39, МПЗ9Б, МП40, МП41.

МП41А . МП40А 1О В 20 В Постоянное напряжение эмиттер-база . Импучьснае напряжение коллектор-база при Т= 2!3 вЂ” 313 К МП39, МП39Б, МП40, МП41, МП41А МП40А прн Т = 313 вЂ” 343 К МП39, МП39Б, МП40, МП41, МП41А МП40А 20 В 30 В 15 В 20 В Импульсное напряжение коллектор-эмитгер при йэк ж с 1О кОм при Т = 213 вЂ” 313 К МП39, МП39Б, МП40, МП41, МП41А .

МП40А при Т = 313 вЂ” 343 К МП39, МПЗ9Б, МП40, МП41, МП4!А МП40А Постоянный ток коллектора . Импульсный ток кочлектора Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 213 вЂ” 328 К . при Т= 343 К Общее тепловое сопротивление . Температура перехода Температура окружагощей срелы . 20 В 30 В 15 В 20 В ЗО мА 150 мА 150 мВт 75 мВт 200 К/Вт 358 К От 2!3 до 343 К !03 Емкость коллекторного перехода прн Гткк = 5 В, Т= = 1 МГп не более МП42, МП42А, МП42Б Электрические параметры Предельная частота коэффипиента передачи тока при 1/кв = 5 В, зэ = 1 мА не менее Время переключения при Пкэ = 15 В, 1э = 10 мА не более МП42 . МП42А МП42Б Статический козффипиент перелачи тока в схеме с общим эмиттером при 1ткэ = 1 В, !к = 10 мА при Т= 293 К МП42 .

М П42А МП42Б при Т= 233 К МП42 . МП42А МП42Б при Т= 333 К МП42 . МП42А МП42Б Напряжение насьпцения коллектор-эмиттер при тк = = 1О мА, 1к = 1 мА не более . Напряжение насыщения база-эмиттер при Тз = 10 мА, з’к = 1 мА не более 1 МГп 2,5 мкс 1,5 мкс 10 мкс 20 вЂ” 35 30- 50 45 вЂ” 100 10-35 15-50 25-100 чО-105 30-150 45-300 0,2 В 0,4 В Транзисторы германиевые спчавные р-нта переключательиыс низкочастотные мачомощиые Предназначены для применения в схемах перекчючения Выпускаются в метаддостекчяннам корпусе с гибкими выво дами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не бочее 2 г при Укэ = 25 мкА 250 мкА 15 В 15 В 200 мА 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б, 1Т102, 1Т102А Транзисторы германиевые сплавные р-л-р усилительные низкой частоты с ненормированным (1Т101, 1Т10)А, 1110!В) и нормированным ()Т102, 1Т!02А) коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение тина приволится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора ве более 2 г. Коллеапор Бага Эиигллгер 2 МГц 105 Ток коллектора закрытого транзистора = 15 В, (гэь = 1 В не более: прп Т= 293 К при Т= 333 К Предельные эксплуатационные ленные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн йэа к с 3 кОм. Импульсный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мошностгн при 1 = 213 вЂ : 318 К при 1= 343 К Обшее тепловое сопротивление Температура перехола Температура окружающей среды Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при (гкв = 5 В 1э = 1 мА не менее: 1Т101, 1Т101А . 200 мВт 75 мВт 200 К!Вт 358 К от 213 до 343 К 5 МГц 1 Мгп 7 лБ 4″ дБ 12 дБ 5″ дБ 1т1о1Б ГГ!г, !тюгА коэффициент шума при 6гкв = 5 В, гз = 0,5 мА, г’= =1 кГц: 1Т102 не более типовое значение .

1Т102А не бодее типовое значение Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при !гкв = 5 В, гз = 1 мА, 7 = ! кГц: прн Т= 293 К: 1Т101 !Т10!А !Т101Б 1Т102 не менее . типовое значение . 1Т102А не меясе . типовое значение . при Т= 213 К 30-60 20- 40 60-120 20 60* 20 70* От 1 до 113 значения при Г=298 К при Т = 343 К не более: для 90;„’ транзисторов . для 10 ‘г„’транзггсторов Обратный ток коллектора не более: прн Т= 293 К: 1Т101, !Т101А, !Т101Б при 6гкв вЂ” вЂ” 15 В !Т102, !Т!02А при Окв = 5 В при Т = 343 К: 1тЮ1, 1т1О1А, 1т1О1Б прн 6Г = 1О В .

1Т102, 1Т102 прн бгкк = 5 В . Обратный ток эмиттера при Т = 293 К не более. !Т!01, 1Т101А, 1Т!0!Б при 6гзв = 15 В . 1Т102, 1Т102А при 6гзв = 5 В Сопротивленяе базы при О!гг, = 5 В, гз = 1 мА, Г= = 0,5 МГц 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б не более . типовое значение Выходная пояная проводимость а режиме малого сигнала при холостом ходе прн 6Гкк = 5 В, 1з = 1 мА, Г= 1 кГц не более типовое значение Бмкость коллекторного перехода прн 6Гкв = 5 В 1Т101, 1Т10!А, 1Т101Б не более .

типовое значение 2 значения при Т= 298 К 3 значения при Т=.298 К 15 мкА 10 мкА 300 мкА 300 мкА 15 мкА 10 мкА 250 Ом 80» Ом 2 мкСм 1,5 Я мкСм 50 пФ 3О пф Предельные эксплуатаниониые данные Постоянное напряжение коллектор-база: !Т101, 1Т101А, 1Т101Б: при Т = 213 вЂ”: 328 К при Т = 328 + 343 К 1Т102, 1Т102А при Т = 213 + 343 К Постоянное напряжение коллектор-змнттер при Яэв с <2 кОм; 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б: при Т = 213 и 328 К, при Т= 328 + 343 К . 1Т102, 1Т102А при ‘Т = 2!3 + 343 К Постоянное напряжение змнттер-база: !Т101, 1Т101А, 1Т101Б: при Т = 213 + 328 К при Т = 328 о 343 К .

1Т102, 1Т102А при Т = 213 вЂ : 343 К Постоянный ток коллектора: 1Т101, 1Т10!А, 1Т101Б !Т102, !Т102А . Постоянный ток эмиттера: 1Т101, 1Т10!А, !Т101Б 1Т102, 1Т102А Постоянная рассеиваемая мошностгм 1Т!01, 1Т101А, 1Т101Б 1Т102, 1Т102А Температура перехода Температура окружающей среды 15 В 10 В 5 В 15 В 10 В 5 В 15 В 10 В 5 В 10 мА б мА 10 мА б мА 50 мВт 30 мВт 358 К От 213 до 343 К 1,4 1,5 1,0 0,0 0,5 0,4 0 1 г г 4 51эмД 0,0 0,0 0 2,5 5 уг5 10 ‘Ч,50к5,0 ависимость относительного корфнпиента передачи тока в реиме малого сигнала от напряжения коллектор-база.

Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмнттера уг ув фв ~,в 1,4 .-. т,г мур в -а в 4 а,в в,в ‘ гув гзв г55 гув гвв в!в т,в г в г!гггггвв гуг гвг гувт,в Зависимость относительного коэффициента шума от температуры. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от темпе- ратуры МП104, МП105, МП106, МП114, МП115, МП116 Транзисторы кремниевые спяавные р-лза усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума, Предназначены для усиления сигналов низкой частоты Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не более 2 г фиг леллеклг Еаза Влиттер Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при Пкв = 5 В, Рэ = 1 мА пе мевее: МП104, МП!05, МП114, МП115 МП106, МП116 Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнада пРи С!ив=5 В, /э=1 мА при Т = 293 К.

МП104, МП!14 не менее . 0,1 МГц 0,5 МГц МП105, МП115. МП!06, МП1!6 при Т= 213 К не менее: МП!04, МП 105 МП 106 при Т= 393 К не менее: МП104, МП105 МП106 Пробивное напряжение коллекторно/о псрехола на пульсирующем напряжении при Т= 50 Гп не менее: МП114 МП115 МП116 обратный ток коллектора не более: при Т=293 К: МП114 при !/кь = 30 В МП115 при !/кь = 15 В . МП!!6 ри 1/ =!О В при Т = 373 К: МП114 при 1/кь = 30 В МП 115 при 1/кь = 15 В МП116 при бкь = 10 В при Т = 393 К: МП104 при !/кь = 30 В . МП 105 при Г/кь = 15 В . МП106 при !/кь = !О В . 3братный ток коллектор-змиттер при Т = 293 К, /тэь = = 50 Ом ие более: МП!04 при !/из=70 В МП!05 при !/кэ = 40 В МП!Об ри бкэ = гО В .

В приставке можно применить транзисторы серий МП39 МП42 с возможно большим коэффициентом передачи тока. Указанные на схеме транзисторы П416Б и П28

ДВУХКАНАЛЬНЫЙ АКУСТИЧЕСКИЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ

ДВУХКАНАЛЬНЫЙ АКУСТИЧЕСКИЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ Многие годы на страницах популярных изданий публикова лись описания различных вариантов акустических выключателей, управляющих, как и вышеописанный автомат, лишь

Подробнее ТЕМА 6 ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ.
ТЕМА 6 ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ. Электронный усилитель — устройство, преобразующее маломощный электрический сигнал на входе в сигнал большей мощности на выходе с минимальными искажениями формы. По функциональному
Подробнее Защита блока питания от перегрузки.
Защита блока питания от перегрузки. (с изменениями) Рассмотрим изначальную схему, показанную на Рис. 1. И возьмем для примера в качестве VT1 транзистор ГТ404Д. Согласно справочным данным статический коэффициент
Подробнее Кремневый стабилитрон
Кремневый стабилитрон Полупроводниковые стабилитроны составляют особую группу полупроводниковых диодов, отличительной особенностью которых является то, что они работают в области обратного пробоя p-n перехода
Подробнее Реле времени серии ВЛ-70, ВЛ-71
Реле времени серии ВЛ-70, ВЛ-71 (495) 995-58-75, (812) 448-08-75 www.elektromark.ru, [email protected] Реле времени ВЛ-70, ВЛ-71 предназначены для коммутации электрических цепей с определенными,
Подробнее 1.1 Усилители мощности (выходные каскады)
Лекция 7 Тема: Специальные усилители 1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Каскады усиления мощности обычно являются выходными (оконечными) каскадами, к которым подключается внешняя нагрузка, и предназначены
Подробнее RC-ГЕНЕРАТОР ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Л а б о р а т о р н ы й п р а к т и к у м п о о б щ е й ф и з и к е (электричество и магнетизм) Лабораторная
Подробнее ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 12
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 Изучение процесса детектирования Детектирование — процесс восстановления модулирующего сигнала, являющийся процессом, обратным модуляции. Уравнение модулированных по амплитуде колебаний
Подробнее 1.1 Усилители мощности (выходные каскады)
Лекция 9 Тема 9 Выходные каскады 1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Каскады усиления мощности обычно являются выходными (оконечными) каскадами, к которым подключается внешняя нагрузка, и предназначены
Подробнее УЗЧ на регуляторе громкости
УЗЧ на регуляторе громкости Этот усилитель имеет минимум навесных элементов, небольшие габариты, поэтому есть возможность размещения его прямо на переменном резисторе регуляторе громкости. Конденсатор
Подробнее Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ
Лекция 8 Тема 8 Специальные усилители Усилители постоянного тока Усилителями постоянного тока (УПТ) или усилителями медленно изменяющихся сигналов называются усилители, которые способны усиливать электрические
Подробнее Биполярные транзисторы
МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ РЭЛ 2 НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики Биполярные
Подробнее Лекция 2 ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ
109 Лекция ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ План 1. Анализ цепей с диодами.. Источники вторичного электропитания. 3. Выпрямители. 4. Сглаживающие фильтры. 5. Стабилизаторы напряжения. 6. Выводы. 1. Анализ
Подробнее Вход Усилитель. Обратная связь
Лекция 5 Тема 5 Обратная связь в усилителях Обратной связью () называют передачу части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную. На рисунке 4 показана структурная схема усилителя
Подробнее Основные технические характеристики
Назначение: двойной балансный смеситель с отдельным гетеродином Применение: радиостанции КВ и УКВ диапазона. Основные технические характеристики Напряжение питания…6,3 В±10% Потребляемая мощность, не
Подробнее Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ 5.1. ПРИНЦИП УСИЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ Назначение и классификация усилителей. Усилители переменного напряжения являются наиболее распространенным типом электронных
Подробнее Разделительный фильтр
Разделительный фильтр Евгений Карпов, Александр Найденко Рассмотрена схема и конструкция разделительного фильтра для реализации системы двухполосного воспроизведения. Фильтр реализован как отдельное, автономное
Подробнее Одновибраторы на дискретных элементах.
11.3. ОДНОВИБРАТОРЫ Одновибраторы используются для получения прямоугольных импульсов напряжения большой длительности (от десятков микросекунд до сотен миллисекунд), в качестве устройств задержки, делителей
Подробнее 1211ЕУ1/1А ДВУХТАKТНЫЙ KОНТРОЛЛЕР ЭПРА
ЕУ/А ОСОБЕННОСТИ w Двухтактный выход с паузой между импульсами w Вход переключения частоты w Kомпактный корпус w Минимальное количество навесных элементов w Малая потребляемая мощность w Возможность применения
Подробнее 1211ЕУ1/1А ДВУХТАKТНЫЙ KОНТРОЛЛЕР ЭПРА
_DS_ru.qxd.0.0 :9 Page ЕУ/А ОСОБЕННОСТИ Двухтактный выход с паузой между импульсами Вход переключения частоты Kомпактный корпус Минимальное количество навесных элементов Малая потребляемая мощность Возможность
Подробнее Биполярный транзистор
Биполярный транзистор Порядок работы. Определение hпараметров транзистора. (a) Подготовка к работе. Провести начальные установки: Выход I закорочен; Потенциометры постоянного смещения,, 8, 9 в крайнем
Подробнее Амплитудные детекторы
1 Искажения при детектировании амплитудно-модулированных колебаний Кафедра РЭИС. Доцент Никитин Никита Петрович. 2009 2 Нелинейные искажения при детектировании амплитудномодулированных колебаний Пусть
Подробнее МУЛЬТИВИБРАТОР И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ
МУЛЬТИВИБРАТОР И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ Этот урок будет посвящен, довольно важной и востребованной теме, о мультивибраторах и их применении. Если бы я попытался только перечислить, где и как используются автоколебательные
Подробнее Глава 5. Дифференциальные усилители
Глава 5. Дифференциальные усилители 5. Дифференциальные усилители Дифференциальный усилитель это симметричный усилитель с двумя входами и двумя выходами, использующийся для усиления разности напряжений
Подробнее 6.3. ДВУХТАКТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ
6.3. ДВУХТАКТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ Двухтактные УМ могут быть трансформаторными и бестрансформаторными. Двухтактный трансформаторный УМ представляет собой два однотактных каскада с общими цепями нулевого
Подробнее А. Груздев (RV3DPD) Переключатель RX/ТХ
А. Груздев (RV3DPD) Переключатель RX/ТХ Электромагнитные реле широко применяют для коммутации цепей трансивера. Но как грамотно организовать порядок их переключения в аппарате? Как исключить пригорание
Подробнее Генераторы прямоугольных импульсов
Генераторы прямоугольных импульсов Болотских Алексей Александрович 10 «А» класс МОУ «СОШ 6 с углубленным изучением отдельных предметов» Научный руководитель: Лавров Алексей Васильевич Изучить теорию и
Подробнее Комплекс телемеханики ТМ88-1
Компания радиоэлектронных и охранных систем ЗАО «КРОС-НИАТ» Комплекс телемеханики ТМ88-1 АЯ52 Устройство центрального пункта радиоуправления ЦПРУ-Р88-1 Техническое описание У0733.001.11.000-Р ТО 1-е издание
Подробнее Германиевые транзисторы
для фазз-1
Выходные аудиотранзисторы

например: AC128 ( Fuzz Face , 1966-69)
Эти транзисторы сначала были разработаны для управления громкоговорителями радиоприемников и бытовой аудиотехники. Они отличаются от других семейств своей рассеиваемой мощностью и максимальным током коллектора.
В 1967 году было известно, что некоторые модели привносят в Fuzzbox так называемую «кремовую» звуковую текстуру. Таким образом, они приобрели репутацию, благодаря которой это семейство компонентов вошло в культуру гитарных эффектов.
Средние характеристики семейства AC128
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: от 12 до 20 В.
Рассеиваемая мощность: от 0,5 до 1,2 Вт (больше, чем у большинства других небольших транзисторов).
Максимальный ток коллектора: от 0,5 до 1,5 А (больше, чем у других малых транзисторов).
Прирост: от 80 до 250 (редко больше 150).
Максимальная частота: от 0,5 до 1,5 МГц (никогда не выше).
Любой германиевый транзистор с такими характеристиками и ток утечки Iceo ниже 500 мкА должен хорошо работать в Fuzz.Если бы он был хорошо предвзятым, звук был бы тем, что означает «винтаж»: не резким и не отзывчивым к способу настройки и игры на гитаре.
Слева направо: AC128 Philips / Mullard; AC128 от Tungsram; GC301 (ГДР); GT402b (СССР); SFT363 (Италия)
Панорама
Подчеркнутые элементы использовались в исторических педалях.
Элементы с номером, за которым стоит звездочка *, являются моделями npn.
Европейское семейство ACxxx
AC128… Оригинальная модель, TO1 Philips / Mullard, часто называемая «футляром с красной точкой».
Первоначально использовавшийся в качестве замены для обслуживания, он стал эталонным транзистором примерно в 1967 году. Хорошо предвзятый, он дает кремовый звук, который сделал Fuzz Face мифом.
Эквиваленты:
AC141 *, 142, 180, 181 *, 188, 187 *… (почти идентичны, у других производителей)
AC127 *, AC176 *… (версии AC128 NPN, иногда обозначаемые как «Синяя точка»)
Менее известные родственники:
AC124, 131, 138, 139,
AC152, 153,
AC184, 185 *, AC193, 194 *
Другие европейские модели
SFT363… Почти эквивалент AC128, распространенный на европейском рынке.
Используется в итальянских версиях Tone Bender Mk1.5 в 1967-75 гг.
Иногда встречается в качестве замены в некоторых старинных пушистых гранях.
SFT131,
SFT 367/377 *, 370, 387… Европейские кузены надо попробовать.
ACY17, 18, 19, 20, 21, 33… Промышленные модели, в целом более надежные…
NKT211, 223, 271… Британцы, чтобы открыть их заново, если таковые имеются…
Модели для Восточной Европы (Венгрия, бывшая ГДР или бывший СССР)
Неизвестные или тупо пренебреженные до 1990-х, они далеко не скучные.
По запросу:
GC301…
Немного забыли или недооценили, так что, увы, нечасто.
Это восточногерманский AC128, с достоверным влажным звуком, хотя и немного мрачным.
Хорошо работает в Fuzz Faces в позиции второго транзистора (после AC125 или 128 как T1).
AC128 от Tungsram…
Официальный клон, сделанный в Венгрии. Не смешно по сравнению с оригинальным Philips / Mullard.
На самом деле он не дает мокрого звука Mullard AC128, но его средний тон дает удовольствие.
Все еще довольно легко найти.
ГT402x, ГT404x *…
русских вещей, близких к AC153, дающих винтажный пух, хрустящий именно так. Коды
имеют множество суффиксов, которые не сильно влияют на их звучание в фузбоксе.
Найти несложно. Огромный футляр в форме бомбы, создающий винтажный визуальный эффект!
GC511, 521 * от Tesla…
Чешские вещи, которые дают довольно грубое звучание, слишком кисловатое, на мой вкус.
Америка и Япония
Некоторые классические модели, часто упоминаемые, но обязательно должно быть много других…
(Я не проводил обширных исследований по этой теме, потому что они уже хорошо заняты Европой).

Прошу прощения у посетителей, которые будут разочарованы отсутствием материала !
Напомню, что помимо некоторых мифических или магических компонентов, имеет значение технологическое семейство транзисторов, а не конкретная модель…
2Н508, 2Н527… Часто цитируемые старинные американские модели.
2SB324, 383, 405… Японский эквивалент или близкий к AC128.
Подробнее…
Германиевые корпусные транзисторы ТО1 (артикул)
LikeYourFace, классический фуз от Guitar Poppa
Hi-GeFuzz, фузз с высоким коэффициентом усиления от Guitar Poppa
Свяжитесь с Guitar Poppa для получения дополнительной информации
Transistor Device и применяется простым языком.Принципы работы транзистора. Различие в принципе транзисторов с разной структурой
Вне зависимости от принципа работы полупроводниковый транзистор содержит монокристалл из основного полупроводникового материала, чаще всего это кремний, германий, арсенид галлия. Добавлен основной материал, легирующие добавки для образования P-n перехода (переходов), металлические выводы.
Кристалл помещен в металлический, пластиковый или керамический корпус для защиты от внешних воздействий.Однако есть и несоответствующие транзисторы.
Принцип работы биполярного транзистора.
Биполярный транзистор может быть P-N-P или N-P-N, в зависимости от чередования полупроводниковых слоев в кристалле. В любом случае выводы называются — база, коллектор и эмиттер. Соответствующий основанию полупроводниковый слой заключен между слоями эмиттера и коллектора. У него принципиально очень маленькая ширина. Носители заряда движутся от эмиттера через базу — к коллектору.Условием протекания тока между коллектором и эмиттером является наличие свободных сред в области базы. Эти носители проникают туда, когда возникает база эмиттера тока. Причиной этого может быть разница напряжений между этими электродами.
Тех. — Для нормальной работы биполярного транзистора всегда необходимо наличие определенного минимального уровня, чтобы усилитель сигнала сдвигал переход эмиттер-база в прямом направлении. Прямое смещение перехода база-эмиттер Выходного транзистора задает так называемую — рабочую точку режима.Для согласования сигнала напряжения и тока используется режим — A. В этом режиме напряжение между коллектором и нагрузкой примерно равно половине напряжения питания, т. Е. Выходное сопротивление транзистора и нагрузки примерно равно равный. Если подать сейчас в базу данных переход — эмиттерный сигнал переменного тока, сопротивление эмиттера — коллектор изменится, графически повторяя форму входного сигнала. Соответственно, то же самое произойдет и с протеканием тока через эмиттер к коллектору.И амплитуда тока будет больше амплитуды входного сигнала — произойдет усиление сигнала.
Если дальше увеличивать напряжение смещения База — Эмиттер, это приведет к увеличению тока в этой цепочке, и как следствие — еще большему увеличению тока в эмиттере — коллекторе. По окончании на концах ток перестает расти — транзистор переходит в полностью открытое состояние (насыщение). Если потом убрать напряжение смещения — транзистор закроется, ток эмиттера — коллектора уменьшится, почти исчезнет.Так что транзистор может работать как электронный ключ . Этот режим наиболее эффективен с точки зрения управления питанием, когда ток протекает через полностью открытый транзистор, величина падения напряжения минимальна. Соответственно потери тока и нагрев транзисторных переходов.
Есть три типа подключения биполярных транзисторов. С общим эмиттером (ОЭ) — осуществляется усиление как тока, так и напряжения — наиболее часто используемая схема.
Усилительные каскады построены аналогично, они легче согласовываются между собой, так как значения их входного и выходного сопротивления относительно близки, если сравнивать с двумя другими типами включения (хотя иногда они различаются в десять раз) ).
При общем коллекторе (ОК) ток проводится только по току — он используется для согласования источников сигнала с высоким внутренним сопротивлением (импедансом) и низковольтным сопротивлением нагрузки. Например, на выходных каскадах усилителей и контроллеров.
При общей базе (ОБ) усиление осуществляется напряжением. Он имеет низкое входное и высокое выходное сопротивление, а также более широкий частотный диапазон. Это позволяет использовать это включение для согласования источников сигнала с низким внутренним сопротивлением (импедансом), за которым следует каскад ходов.Например, во входных цепях радиоприемников.
Принцип работы полевого транзистора.
Полевой транзистор, как биполярный, имеет три электрода. Их называют — сток, источник и затвор. Если на затворе нет напряжения, а на штоке заменено положительное напряжение, то максимальный ток течет через исток и сток по каналу.
То есть транзистор полностью открыт. Для его изменения на заслонку подается отрицательное напряжение относительно источника.Под действием электрического поля (отсюда и название транзистора) канал сужается, его сопротивление растет, а ток через него уменьшается. При определенном значении напряжения канал сужается до такой степени, что ток практически пропадает — транзистор закрыт.
На рисунке показано устройство полевого транзистора с изолированной заслонкой (TIR).
Если положительное напряжение не подается на заслонку этого устройства, канал между источником и руной отсутствует и ток равен нулю.Транзистор полностью закрыт. Канал возникает при некотором минимальном напряжении на затворе (пороговое напряжение). Затем сопротивление канала уменьшается, пока транзистор полностью не откроется.
Полевые транзисторы, как с переходом P-N (канал), так и MOP (TIR), имеют следующие схемы включения: с полным истоком (OI) — аналог биполярного транзистора; с общим стоком (ОС) — аналог ОК биполярный транзистор; С общим затвором (ОЗ) — аналог биполярного транзистора.
По теплоотдаче, разности мощностей:
транзисторов малой мощности — до 100 МВт;
Транзисторы средней мощности — от 0,1 до 1 Вт;
Мощные транзисторы больше 1 Вт.
Важные параметры биполярных транзисторов.
1. Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления) — от 1 до 1000 при постоянном токе. С увеличением частоты постепенно уменьшается.
2. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (при открытой базе) в специальных высоковольтных транзисторах достигает десятков тысяч вольт.
3. Скорость, с которой текущий коэффициент передачи превышает 1. до 100 000 Гц. Транзисторы низкочастотные, более 100000 Гц. — На высокой частоте.
4. Насыщение насыщения коллектора эмиттера — это величина падения напряжения между этими электродами в полностью открытом транзисторе.
Важные параметры полевых транзисторов.
Улучшенные свойства полевого транзистора определяются соотношением приращения потока потока напряжения, чтобы заставить его увеличивать затвор — источник, т.е.е.
ΔI D / ΔU GS
Это соотношение сделано для вызова крутого прибора, и фактически это передаточная проводимость, измеряемая в миллиамперах на вольт (Ма / Б).
Другие основные параметры полевых транзисторов показаны ниже:
1. I Dmax — максимальный ток протока.
2.U DSMAX — максимальное напряжение источника запаса.
3.U GSMAX — максимальное напряжение деформации.
4.R Dmax — максимальная мощность, которую может выделить прибор.
5.T ON — типичное увеличение тока протекания во времени при идеально прямоугольной форме входного сигнала.
6.t ВЫКЛ — Типичный Time Dock Док-станция Talk с идеальной прямоугольной формой входного сигнала.
7.R DS (ON) MAX — максимальное значение сопротивления источника — это запас в (открытом состоянии).
Использование любых материалов данной страницы разрешено при наличии ссылки на сайт
Как работает транзистор?
Широкий хороший рис.93. Слева на этом рисунке вы видите упрощенную штангу усилителя на транзисторе структуры P-N-P и иллюстрации, поясняющие суть этого усилителя. Здесь, как и на предыдущих рисунках, дырки областей p-типа условно изображены кружками, а электроны области N-типа — черные шары такого же размера. Запомните названия переходов P-N: между коллектором и базой — коллектор, между эмиттером и базой — эмиттер.
Рис.93. Упрощенная схема усилителя на транзисторной структуре П-Н-П и графики, иллюстрирующие ее работу.
Между коллектором и эмиттером включена батарея B K (коллектор), создающая отрицательное напряжение порядка нескольких вольт на коллекторе относительно эмиттера. В эту же цепь, называемую коллектором, включена нагрузка R n, которой может быть телефон или другое устройство — в зависимости от назначения усилителя.
Если база ни к чему не подключена, то в коллекторной цепи появится очень слабый ток (десятые доли миллиоспера), так как при такой полярности батареи b к сопротивлению коллектора Pn перехода будет очень большой; Для коллекторного перехода это будет обратный ток.Ток цепи коллектора I резко возрастает, если он используется между базой и эмиттером для включения элемента смещения B C, подавая малый ток на базу с небольшим, по крайней мере, одной десятой отрицательного напряжения на эмиттер. Вот что происходит. При таком включении элемента BC (это означает, что зажимы для подключения источника усиленного сигнала, отмеченного на схеме «~» — синусоида, соединяются путем стука) в этой новой цепи, называемой основной цепью, будет некоторый постоянный ток величиной ib; Как и в диоде, дырки в эмиттере и электроны в базе данных будут перемещаться и нейтрализоваться, определяя ток через переход эмиттера.
Но судьба большинства дырок, попавших от эмиттера к базе, иначе как исчезает при встрече с электронами. Дело в том, что при изготовлении транзисторов структуры П-Н-П насыщение дырок в эмиттере (и коллекторе) всегда больше, чем насыщение электронами в базе. Благодаря этому исчезает лишь небольшая часть дырок (менее 10%), встретившись с электронами. Основная масса отверстий течет в основании, попадает под более высокое отрицательное напряжение на коллекторе, входит в коллектор и в общем потоке своими отверстиями движется к его отрицательному контакту.Здесь они нейтрализуются счетными электронами, введенными в коллекторную батарею отрицательного полюса B. В результате сопротивление всей коллекторной цепи уменьшается и в ней протекает ток, во много раз превышающий обратный ток коллекторного перехода. Чем больше отрицательное напряжение на базе, чем больше дырок вводится от эмиттера к базе данных, тем значительнее ток коллекторной цепи. И, наоборот, чем меньше отрицательное напряжение на базе, тем меньше токосъемная цепь транзистора.
А если базовая цепь идет последовательно с источником постоянного напряжения, питающим эту цепь, ввести переменный электрический сигнал? Транзистор усилит его.
В общих чертах процесс получения прибыли выглядит следующим образом. При отсутствии сигнального напряжения в цепях базы и коллектора возникают токи определенной величины (участок О и на графиках на рис. 93), определяемых батареями и свойствами транзистора. Как только появляется сигнальная цепь, соответственно, токи в схемах транзисторов также начинают меняться: в отрицательные полупериоды, когда общее отрицательное напряжение на основе увеличивается, токи в цепях увеличиваются, а в течение положительных полупериодов, когда Напряжение сигнала и на элементе B с противоположным и поэтому отрицательное напряжение на базе снижается, токи в обеих цепях также уменьшаются.Происходит усиление напряжения и тока.
Если во входной цепи, то есть в цепи базы, подается электрический сигнал звуковой частоты, а выходной нагрузкой — коллектором — цепочкой будет телефон, она преобразует усиленный сигнал в звуковой. Если нагрузкой является резистор, то создаваемое на нем напряжение составляющей усиленного сигнала можно подавать на входную цепь второго транзистора для дополнительного усиления. Один транзистор может усилить сигнал от 30 до 50 раз.
Транзисторы структуры N-P-N тоже рабочие, только в них основными носителями тока являются не дырки, а электроны. В связи с этим полярность включения элементов и батарей, питающих цепь базы и коллекторов транзисторов N-P-N, должна быть не такой, как в транзисторах P-N-P, а обратной.
Запоминает очень важное обстоятельство: на базу транзистора (относительно эмиттера) вместе с напряжением усиленного сигнала должно подаваться постоянное напряжение, называемое напряжением смещения, которое открывает транзистор.
В усилителе по схеме рис. 93 роль источника напряжения смещения выполняет элемент b c. Для транзистора Германии структура P-N-P должна быть отрицательной и составлять 0,1-0,2 В, а для структуры транзистора N-P-N — положительной. Для кремниевых транзисторов напряжение смещения составляет 0,5-0,7 В. Без начального напряжения смещения PN-переход эмиттера «отсекает», как диод, положительный (транзистор PNP) или отрицательный (транзистор NPN) сигнал, который будет сопровождаться искажением.Напряжение смещения к базе данных не подается только в тех случаях, когда эмиттерный переходный транзистор используется для обнаружения высокочастотного модулированного сигнала.
Нужен ли для смещения или батареи специальный элемент или батарея для питания исходной базы данных смещения? Конечно, нет. Для этого обычно используется напряжение коллекторной батареи, соединяющее базу с этим источником питания через резистор. Сопротивление такого резистора подбирается экспериментальным путем, так как зависит от свойств этого транзистора.
В начале этой части разговора я сказал, что биполярный транзистор можно представить как два на встречном плоском диоде, объединенных в одну полупроводниковую пластину и имеющих один общий катод, роль которого выполняет база транзистора. . Несложно убедиться, что вам нужен какой-нибудь образцовый, но не испорченный германский низкочастотный транзистор структуры P-N-P, например, MP39 или аналогичные транзисторы MP40 — MP42. Между коллектором и базой транзистора включите подключенный аккумулятор 3336л и лампочку от карманной лампы, рассчитанную на напряжение 2.5 В и ток 0,075 или 0,15 А. если аккумулятор будет соединен (через лампочку) с коллектором, а минус — с цоколем (рис. 94, а), лампочка будет гореть. При другой полярности питания на АКБ (рис. 94, б) лампочка не должна гореть.
Рис. 94. Эксперименты с транзистором.
Как объяснить эти явления? Сначала на коллекторе P-n, переход, который вы подали напрямую, то есть пропускное напряжение. В этом случае коллекторный переход разомкнут, сопротивление у него небольшое и через него проходит постоянный ток коллектора I k.Величина этого тока в данном случае определяется в основном сопротивлением резьбы колбы и внутренним сопротивлением батареи. При втором включении АКБ ее напряжение подавалось на коллекторный переход в обратном направлении. В этом случае переход замкнут, сопротивление у него велико и через него протекает лишь небольшой обратный ток коллектора. В исправном маломощном низкочастотном транзисторе обратный ток коллектора I CBO не превышает 30 мкА.Такой ток, естественно, не мог залечить нить лампочки, поэтому она не сгорела.
Обеспечьте аналогичный опыт с эмиттерным переходом. Результат будет тот же: при обратном напряжении переход будет замкнут — лампочка не горит, а при постоянном напряжении будет разомкнута — свет горит.
Следующий опыт, иллюстрирующий один из режимов работы транзистора, согласно схеме, представленной на рис. 95, а. Между эмиттером и коллектором того же транзистора включите подключенный аккумулятор 3336 л и лампочку накаливания.Положительный полюс аккумулятора необходимо подключить к эмиттеру, а отрицательный — к коллектору (через нить накаливания лампочки). Лампочка? Нет, не горит. Соедините основание перемычки с эмиттером, как показано на схеме штрих-кода. Лампочка, включенная в коллекторную цепь транзистора, тоже не горит. Снимите перемычку и вместо нее подключите к этим электродам последовательно подключенный резистор 200 — 300 Ом и один гальванический элемент e b, например, типа 332, но так, чтобы минусовой элемент был основан, а плюс — эмиттером.Теперь свет должен гореть. Измените полярность подключения элемента к этим электродам транзистора. В этом случае лампочка не загорится. Повторите этот опыт несколько раз, и вы убедитесь, что лампочка в цепи коллектора будет гореть только тогда, когда отрицательное напряжение действует на основе транзистора относительно эмиттера.
Рис. 95. Эксперты, иллюстрирующие работу транзистора в режиме переключения (А) и в режиме усиления (б).
Разберемся в этих экспериментах. В первом из них при соединении базы перемычки с эмиттером переход эмиттера блокировался, транзистор был просто диодом, на который был запитан транзистор обратного замыкания. Через транзистор проходит лишь незначительный обратный ток коллекторного перехода, который не может прокатить нить накала лампочки. В это время транзистор находился в закрытом состоянии. Затем, сняв перемычку, вы восстановили эмиттерный переход.Первое включение элемента между базой и эмиттером вы подали на эмиттер перехода постоянного напряжения. Открылся эмиттерный переход, по нему прошел постоянный ток, открывший второй транзисторный переход — коллектор. Транзистор оказался открытым и по цепи эмиттера — база — коллектор прошел ток транзистора, который во много раз больше тока цепи эмиттера — базы. Он приклеивает нити лампочек. При изменении полярности включения элемента на обратную, то его напряжение замыкает эмиттерный переход, и одновременно коллекторный переход замыкается.При этом ток транзистора практически прекратился (только обратный ток коллектора) и лампочка не горела.
В этих экспериментах транзистор находился в одном из двух состояний: открытом или закрытом. Переключение транзистора из одного состояния в другое происходило под действием напряжения на UB. Этот режим работы транзистора проиллюстрирован графиками на рис. 95, но называется режимом переключения или, что то же самое, ключевым режимом. Такой режим работы транзисторов используется в основном в электронной автоматике.
Какую роль в этих экспериментах играет резистор R B? В принципе такого резистора может и не быть. Я рекомендовал включать его исключительно для того, чтобы ограничить ток в базовой цепи. В противном случае через эмиттерный переход пойдет слишком большой постоянный ток, в результате чего может произойти тепловой пробой и транзистор выйдет из строя.
Если бы при проведении этих экспериментов измерительные приборы были включены в основную и коллекторную цепи, то при замкнутом транзисторе токов в его цепях почти не было бы.С тем же транзистором база I будет иметь ток не более 2–3 мА, а ток коллектора I K составляет 60–75 мА. Это означает, что транзистор может быть усилителем тока.
В приемниках и усилителях звуковой частоты транзисторы работают в режиме усиления. Этот режим отличается от режима переключения тем, что, используя небольшие токи в базовой цепи, мы можем управлять значительно большими токами в коллекторной цепи транзистора.
Проиллюстрировать работу транзистора в режиме усиления можно на таком опыте (рис.95, б). В коллекторную цепь транзистора Т включен электромагнитный телефон ТФ 2 между базой и минусом источника питания B — резистор R B сопротивлением 200 — 250 кОм. Второй телефонный ТФ 1 включен между базой и эмиттером через конденсатор со связью по цепи 0,1 — 0,5 мкФ. У вас будет простейший усилитель, который сможет выполнять, например, роль одностороннего телефона. Если ваш приятель будет тихо разговаривать перед телефоном, включенным на вход усилителя, вы услышите его разговор в телефонах на выходе усилителя.
Какую роль играет резистор R b в этом усилителе? Через него на базу транзистора подается небольшое начальное напряжение смещения, которое открывает транзистор и тем самым обеспечивает его работу в режиме усиления. На входе усилителя вместо телефона TF 1 можно включить звукосниматель и потерять скобу записи. Тогда звуки мелодии или голоса певца, записанные на грампластине, будут хорошо слышны в телефонах TF2.
В этом опыте переменное напряжение звуковой частоты подавалось на вход усилителя, источником которого служил телефон, преобразующий в качестве микрофона звуковые колебания в электрические или звукосниматель, преобразующий механические колебания своей иглы в электрические. колебания.Это напряжение создается в цепи эмиттера — база представляет собой слабый переменный ток, контролирующий гораздо более высокий ток в цепи коллектора: при отрицательных полупределах на основе тока коллектора увеличивается, а при положительном — уменьшается (см. График на рис. 95, б). Произошло усиление сигнала, и сигнал, усиленный транзистором, был преобразован телефоном, включенным в коллекторную цепь, в звуковые колебания. Транзистор работал в режиме усиления.
Аналогичные эксперименты можно провести с транзистором структуры N-P-N, например, типа MP35.В этом случае необходимо только изменить полярность питания транзистора: эмиттер нужно подключить к минусу, а с коллектором (через телефон) — к плюсу батарейки.
Кратко об электрических параметрах биполярных транзисторов. Качество и улучшенные свойства биполярных транзисторов оцениваются по нескольким параметрам, которые измеряются с помощью специальных приборов. Вас с практической точки зрения в первую очередь должны интересовать три основных параметра: обратный токоприемник I CBO Коэффициент передачи статического тока H 21E (читается так: Ash two one e) и граничная частота коэффициента передачи тока гр.
Коллектор обратного тока I CBBO — это неуправляемый ток через коллекторный переход P-N, генерируемый несущими токами неосновных транзисторов. Параметр I CBO характеризует качество транзистора: чем оно меньше, тем качество транзистора выше. В маломощных низкочастотных транзисторах, например типа МП39 — МП42, I CBO не должен превышать 30 мкА, а у маломощных высокочастотных транзисторов — не более 5 мкА. Транзисторы с большими значениями I СВО в работе нестабильны.
Статический коэффициент передачи H 21E характеризует усиливающие свойства транзистора. Его называют потому, что этот параметр измеряется при неизменных напряжениях на его электродах и неизменных токах в его цепях. Большая (заглавная) буква «Е» указывает на то, что при замере транзистор включается по схеме с общим эмиттером (о схемах включения я расскажу в следующем разговоре). Коэффициент H 21E характеризуется отношением постоянного тока коллектора к постоянному току базы при постоянном обратном напряжении коллектора — эмиттерного и эмиттерного тока.Чем больше численное значение коэффициента H 21E, тем больший коэффициент усиления сигнала может обеспечить этот транзистор.
Граничная частота текущего коэффициента передачи gr, выраженная в килогертах или мегагерцах, позволяет судить о возможности использования транзистора для усиления колебаний определенных частот. Граничная частота транзисторов MP39, например, 500 кГц, а транзисторов P401 — P403 — более 30 МГц. Практически транзисторы используются для повышения частот значительно меньше границы, так как с увеличением частоты коэффициент передачи тока транзистора H 21E уменьшается.
В практической работе необходимо учитывать такие параметры, как максимально допустимое напряжение коллектора — эмиттер, максимально допустимый ток коллектора, а также максимально допустимую рассеиваемую мощность коллектора — мощность, которая превращается внутри транзистора в нагревать.
Основную информацию о маломощных транзисторах массового применения Вы найдете в приложении. четыре.
Исходное название радиодеталей — триод, по количеству контактов.Этот радиоэлемент способен регулировать ток в электрической цепи под воздействием внешнего сигнала. Уникальные свойства используются в усилителях, генераторах и других подобных схемных решениях.
Обозначение транзисторов на схеме
В электронике долгое время царили ламповые триодики. Внутри герметичной колбы три основных компонента триода помещались в специальную газовую или вакуумную среду:
Когда сигнал управления малой мощностью подавался в сеть, между катодом и анодом можно было пропустить несравненно большие значения.Величина рабочего тока тройки в разы выше, чем у управляющей. Это свойство позволяет радиоэлементу выполнять роль усилителя.
ТРАТОВ на основе радиоламп работают достаточно эффективно, особенно на больших мощностях. Однако габариты не позволяют применять их в современных компактных устройствах.
Представьте себе мобильный телефон или карманный плеер, сделанный на таких элементах.
Вторая проблема — наладить питание. Для нормального функционирования катод должен быть сильно прогрет до эмиссии электронов.Нагревательная спираль требует много электроэнергии. Поэтому ученые всего мира всегда стремились создать более компактное устройство с такими же свойствами.
Первые образцы появились в 1928 году, а в середине прошлого века был представлен рабочий полупроводниковый триод, выполненный по биполярной технологии. За ним было получено название «Транзистор».
Что такое транзистор?
Транзистор — это полупроводниковый электроприбор, в нем или без него, или без него, имеющий три контакта для работы и управления.Основное свойство такое же, как и в трио — изменение параметров тока между рабочими электродами с помощью управляющего сигнала.
Из-за отсутствия необходимости в нагреве транзисторы тратят скудное количество энергии для обеспечения собственной работоспособности. А компактные размеры рабочего полупроводникового кристалла позволяют использовать радиокомпоненты в малогабаритных структурах.
Благодаря независимости от рабочего тела, полупроводниковые кристаллы могут использоваться как в отдельном корпусе, так и в микросхемах.Транзисторы в комплекте с другими радиоэлементами выращиваются непосредственно на монокристалле.
Выдающиеся механические свойства полупроводника нашли применение в мобильных и портативных устройствах. Транзисторы нечувствительны к вибрации, резким ударам. Обладают хорошей термостойкостью (радиаторы охлаждения используются при сильной нагрузке).
Даны необходимые пояснения, переходим к делу.
Транзисторы. Определение и история
Транзистор — Электронное полупроводниковое устройство, в котором ток в цепи двух электродов регулируется третьим электродом. (Транзисторс.ру)

Полевые транзисторы были изобретены (1928 г.), а биполярные появились в 1947 г. в лаборатории Bell Labs. И это была без преувеличения революция в электронике.
Транзисторы очень быстро заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим повысилась надежность таких устройств и значительно уменьшились их габариты. И по сей день, поскольку «гребаный» не был микросхемой, он все еще содержит множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и так далее.). Только очень маленький.
Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить в виде сопротивления в зависимости от подаваемого на него сигнала.
В чем разница между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ кроется в их именах. У биполярного транзистора в переносе заряда участвуют и электронов, и дырок («бис» — дважды).А в поле (он же униполярный) — или электрона, или дырок.
Также эти типы транзисторов различаются по применению. Биполярные используются в основном в аналоговой технике и в цифровой области.
И напоследок: основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.
Транзистор биполярный. Принцип действия. Основные характеристики

Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение.В зависимости от типа проводимости этих областей транзисторы N-P-N и P-N-P изолированы. Обычно площадь коллектора шире эмиттера. Основа сделана из полупроводника с гальваническим покрытием (из-за чего он имеет большое сопротивление) и делает его очень тонким. Так как площадь контакта базы эмиттера намного меньше площади контакта базы-коллектора, изменить эмиттер и коллектор с помощью смены полярности подключения невозможно. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.
Прежде чем рассматривать физику транзистора, обрисовывает в общих чертах общую задачу.

Он выглядит следующим образом: между эмиттером и коллектором протекает сильный ток ( current current ), а между эмиттером и базой — слабый управляющий ток ( talk base ). Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Почему?
Рассмотрим переходы P-N. Их два: база эмиттера (EB) и база коллектора (BC).В активном режиме транзистора первый из них подключен к прямому, а второй — к обратному смещению. Что происходит при переходах P-N? Для большей определенности рассмотрим транзистор N-P-N. Для П-Н-П все аналогично, только слово «электроны» нужно заменить на «дырки».
Поскольку переход ЭП открыт, электроны легко «перемещаются» в базу данных. Там они частично рекомбинируют с дырками, но около их часть из-за малой толщины базы и ее слабого легирования пора добраться до коллектора базы.Которая, как мы помним, включает в себя обратное. А поскольку в базе данных электроны являются неосновными носителями заряда, электрическое поле перехода помогает им его преодолеть. Таким образом, ток цанги получается лишь немногим меньше тока эмиттера. А теперь следи за своими руками. Если вы увеличите ток базы данных, переход eB откроется больше, и между эмиттером и коллектором может быть больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше, чем ток базы, то это изменение будет весьма и очень заметным.Таким образом, будет усиление слабого сигнала, поступающего на базу . Еще раз: сильное изменение тока коллектора является пропорциональным отражением слабого изменения тока базы данных.
Помню свою одногруппу, принцип работы биполярного транзистора объяснил на примере водопроводного крана. Вода в нем — это ток коллектора, а ток управления базы — это то, как мы поворачиваем ручку. Достаточно небольшое усилие (контрольное воздействие), чтобы поток воды из крана увеличился.
Помимо рассмотренных процессов, на переходном транзисторе P-N может происходить ряд явлений. Например, при сильном повышении напряжения на переходе базовый коллектор может начать лавинообразное воспроизведение заряда за счет ударной ионизации. И вместе с туннельным эффектом даст сначала электрический, а затем (с увеличением тока) и тепловой образец. Однако тепловой пробой в транзисторе может происходить без электрического (т. Е., без увеличения напряжения коллектора до пробивки). Для этого через коллектор будет достаточно одного перегрузки по току.
Еще одно явление связано с тем, что при изменении напряжений на переходах коллектора и эмиттера изменяется их толщина. А если база тонкая, то может возникнуть эффект замыкания (так называемый «прокол» базы) подключение коллекторного перехода к эмиттеру. При этом пропадает область базы, и транзистор перестает нормально работать.
Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора в определенное количество раз больше тока базы. Это число называется коэффициентом усиления по току А и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается х31 . Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении отношение коллектора эмиттер-коллектор к току базы даст статический коэффициент усиления по току .Он может составлять десятки или сотни единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что ток в резервуаре включается естественным образом, уменьшается.
Второй важный параметр — входное сопротивление транзистора . Согласно закону Ома, это отношение напряжений между базой и эмиттером к базовому току базы. Чем он больше, тем меньше ток базы и выше коэффициент усиления.
Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению . Он равен отношению амплитуды или допустимых выходных значений (эмиттерный коллектор) и переменной входного (база-эмиттер) напряжения. Поскольку первое значение обычно очень велико (единицы и десятки вольт), а второе очень мало (десятые доли вольта), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. Стоит отметить, что каждый базовый управляющий сигнал имеет собственное усиление по напряжению.
Также транзисторы имеют частотную характеристику , которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте класса. Дело в том, что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления уменьшается. Это связано с тем, что время основных физических процессов (время движения среды от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала.Те. Транзистор просто не успевает отреагировать на изменение входного сигнала и в какой-то момент просто останавливает его, чтобы усилить его. Частота, на которой это происходит, и называется границей .
Также параметры биполярного транзистора:
коллектор обратного тока эмиттер
время включения
обратный разговор коллекционера
максимально допустимый ток
Условные обозначения транзисторов N-P-N и P-N-P различаются только направлением стрелки, указывающей на эмиттер.Он показывает, как протекает ток в этом транзисторе.
Режимы работы биполярного транзистора
Рассмотренный выше вариант является нормальным активным режимом работы транзистора. Однако существует еще несколько комбинаций открытости / закрытости P-N переходов, каждая из которых представляет собой отдельную работу транзистора.
Обратный активный режим . Переход BC здесь открыт, а eb наоборот закрыт. Улучшенные свойства в этом режиме, конечно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко.
Режим насыщения . Оба перехода открыты. Соответственно, основные зарядные устройства коллектора заряда и эмиттера «натыкаются» на базу, где они активно рекомбинируются с ее основными носителями. Из-за избыточности носителей заряда снижается сопротивление базового и P-N переходов. Следовательно, цепь, содержащая транзистор в режиме насыщения, может считаться короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент должен представлять собой точку уравнивания потенциалов.
Режим отсечки .Оба транзисторных перехода закрываются, т.е. прекращается ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором. Потоки неосновных носителей заряда создают лишь небольшие неконтролируемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считается, что транзистор, работающий в режиме отсечки, — это разрыв цепи.
Барьерный режим В этом режиме база напрямую или через низкое сопротивление закрывается коллектором.Также в коллектор или эмиттерную цепь входит резистор, задающий ток через транзистор. Таким образом, подключается эквивалент схемы диода с сопротивлением. Этот режим очень удобен, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзистора.
Схемы включения биполярных транзисторов
Так как контактов транзистора три, то в общем случае питание на него нужно подавать от двух источников, которые вместе имеют четыре выхода.Следовательно, на один из контактов транзистора должно подаваться напряжение одного знака от обоих источников. Причем, в зависимости от того, какой тип контакта, есть три схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОВ). У каждого из них есть как достоинства, так и недостатки. Выбор между ними осуществляется в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какие к вам могут прийти.
Схема включения с общим эмиттером

Эта схема дает наибольший прирост напряжения и тока (а отсюда и мощности — до десятков тысяч единиц), поэтому является наиболее распространенной.Здесь переход базы эмиттера включается напрямую, а переход базы коллектор обратно. А так как на базу и на коллектор подается напряжение одного знака, то схему можно запитать от одного источника. В этой схеме фаза переменных выходного напряжения изменяется относительно фазы входного переменного напряжения на 180 градусов.
Но ко всем плюшкам схема с OE имеет существенный недостаток. Он заключается в том, что рост частоты и температуры приводит к значительному ухудшению армирующих свойств транзистора.Таким образом, если транзистор должен работать на высоких частотах, лучше использовать другую схему включения. Например, с общей базой данных.
Схема включения с общей базой

Данная схема существенно не усиливает сигнал, но хороша на высоких частотах, так как позволяет более полно использовать АЧХ транзистора. Если один и тот же транзистор включить сначала по схеме с общим эмиттером, а затем с общей базой, то во втором случае произойдет существенное увеличение его частоты усиления кости.Поскольку при таком подключении входное сопротивление невелико, а выходное не очень большое, то собранные по Каскаду транзисторы используются в антенных усилителях, где волновое сопротивление кабелей обычно не превышает 100 Ом.
В схеме с общей базой данных фаза сигнала не возникает, а уровень шума на высоких частотах снижается. Но, как уже было сказано, текущий коэффициент усиления всегда немного меньше единицы. Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме с общим эмиттером.К недостаткам схемы с общей базой данных также можно отнести использование двух источников питания.
Схема включения с общим коллектором

Особенностью данной схемы является то, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т.е. отрицательная обратная связь очень сильная.
Напомню, что отрицательной называется такая обратная связь, при которой выходной сигнал подается обратно на вход, что снижает уровень входного. Таким образом, происходит автоматическая подстройка при случайном изменении входных параметров
Коэффициент усиления по току практически такой же, как в схеме с общим эмиттером.Но коэффициент усиления небольшой (главный недостаток этой схемы). Подходит к одному, но всегда меньше. Таким образом, прирост мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц.
В схеме с общим коллектором сдвиг фаз между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает с входным, т.е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттер — потому что с эмиттера снимается выходное напряжение относительно общего провода.
Такое включение используется для согласования транзисторных каскадов или когда входной источник имеет высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический датчик или конденсаторный микрофон).
Два слова о каскадах
Бывает, что нужно увеличивать выходную мощность (т.е. увеличивать ток коллектора). В этом случае используется параллельное включение необходимого количества транзисторов.

Естественно, они должны быть примерно одинаковыми по характеристикам. Но нужно помнить, что максимальный суммарный ток коллектора не должен превышать 1.6-1,7 от предельного тока коллектора любого из транзисторов каскада.
Однако (спасибо Wrewolf за замечание) в случае биполярных транзисторов этого делать не рекомендуется. Потому что два транзистора даже один называется хоть немного, но отличаются друг от друга. Соответственно при параллельном включении через них будут протекать токи разной величины. Для выравнивания этих токов в эмиттерных цепях транзисторов ставят уравновешивающие резисторы. Величина их сопротивления рассчитывается таким образом, чтобы падение напряжения на них в диапазоне рабочего тока было не менее 0.7 В. Понятно, что это приводит к значительному ухудшению КПД схемы.
Может также понадобиться в транзисторе с хорошей чувствительностью и в то же время с хорошим коэффициентом усиления. В таких случаях используется каскад из чувствительного, но маломощного транзистора (на рисунке это VT1), который управляет мощностью более мощного собрата (на рисунке — VT2).
Другие применения биполярных транзисторов
В транзисторах могут применяться не только схемы усиления сигналов.Например, из-за того, что они могут работать в режимах насыщения и отсечки, они используются как электронные ключи. Также возможно использование транзисторов в схемах генератора сигналов. Если они работают в ключевом режиме, будет генерироваться прямоугольный сигнал, а если в режиме усиления — сигнал произвольной формы в зависимости от контрольной экспозиции.
Маркировка
Так как статья уже разбилась до неприлично большого объема, то в этом месте я просто дам две хорошие ссылки, по которым подробно расписаны основные системы маркировки полупроводниковых приборов (включая транзисторы): http: // kazus .ru / guide / transistors / mark_all .html и file.xls (35 КБ).
Полезные комментарии:
http://habrahabr.ru/blogs/easyelectronics/133136/#comment_4419173.
Теги: Добавить теги
Вот такой хитрый фиговин, пропускающий ток только в одну сторону. Его можно сравнить с соской. Используется, например, в выпрямителях, когда переменный ток постоянный. Или когда необходимо отделить обратное напряжение от прямого.Посмотрите схему программатора (там был пример с разделителем). Вы видите диоды стоят, как думаете, почему? И все просто. В микроконтроллере логические уровни — 0 и 5 вольт, а порт Som — минус 12 вольт, а ноль плюс 12 вольт. Вот диод и отсекает этот минус 12, образуя 0 вольт. А так как диод в прямом направлении проводимость не идеальная (обычно она зависит от приложенного постоянного напряжения, чем больше, тем лучше диод проводит ток), то примерно 0.На его сопротивлении упадет 5-0,7 вольт, остаток, являясь разъединяющими резисторами, составит примерно 5,5 вольт, что не выходит за пределы регулятора.
Выводы диода называются анодом и катодом. Ток течет от анода к катоду. Вспомните, откуда вывод очень простой: на условное обозначение наглого и палка со стороны на атода как бы раскрашивая букву К смотрят — К | -. К = катод! А детали катода обозначаются полосой или точкой.
Есть еще один интересный тип диода — стабилизатор . Его я использую в одной из прошлых статей. Его особенность в том, что в прямом направлении он работает как обычный диод, а в обратном горит при любом напряжении, например, на 3,3 вольта. Как ограничительный клапан парового котла, который открывается при превышении давления и прохождении пара. Стабилизаторы используют, когда хотят получить напряжение заданного значения, независимо от входных напряжений. Это может быть, например, опорное значение, относительно которого производится сравнение входного сигнала.Они могут обрезать входящий сигнал до желаемого значения или использовать его в качестве защиты. В своих схемах я часто ставил стабилизацию по питанию контроллера на 5,5 вольт, чтобы в случае чего при резком скачке напряжения эта стабилизация констатировалась через себя превышение. Есть еще такой зверь, как подавитель. Такая же стабилизация, только гораздо более мощная и часто двунаправленная. Используется для защиты власти.
Транзистор.
Ужасная штука, в детстве все не могла понять, как он работает, но оказалось просто.
В целом транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где мы контролируем самый клеевой поток. Слегка повернул ручку и тонны дерьма понюхали по трубам, вернее открыл и теперь все вокруг захлебнулось в нечистоте. Те. Выход пропорционален входу, умноженному на некоторое значение. Эта величина является коэффициентом усиления .
Эти устройства делятся на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе имеется эмиттер , коллектор и база (см. Условную конструкцию).Излучатель он со стрелкой, база указана как прямая зона между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором существует высокий ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелкой на эмиттере . Но между базой и эмиттером есть небольшой управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-N-P и n-P-N Принципиальная разница только в направлении тока через них.
Полевой транзистор отличается от биполярного, поскольку его сопротивление канала между истоком и стоком больше не определяется током, а напряжением на затворе. В последнее время огромную популярность получили полевые транзисторы (все микропроцессоры построены на них), т.к. токи в них протекают микроскопическими, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Короче транзистор позволит вам слабый сигнал, например, от ножки микроконтроллера.Если усиления одного транзистора не хватает, их можно соединять каскадами — по одному, всем мощным и мощным. А иногда достаточно и одного могучего поля MOSFET. транзистор. Посмотрите, например, как на схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход из процессора идет на клапан питания MOSFET. ключ

Так рабочий диод
Заявка на патент США для гибридной схемы защиты от электростатического разряда и электрического перенапряжения Заявка на патент (заявка № 20080106837 от 8 мая 2008 г.)
ЗАЯВЛЕНИЕ О ПРИОРИТЕРЕ2006-108050, подана 3 ноября 2006 г. в Корейское ведомство интеллектуальной собственности (KIPO), полное содержание которой включено в настоящий документ посредством ссылки.
ИСТОРИЯ ВОПРОСА
1. Поле
Примеры вариантов осуществления относятся к гибридной схеме защиты для более эффективной защиты внутреннего сердечника устройства как от электростатического разряда (ESD), так и от события электрического перенапряжения (EOS).
2. Описание предшествующего уровня техники
Электростатический разряд (ESD) — это явление, при котором конечное количество электростатического заряда быстро передается между телами или поверхностями при различных электростатических потенциалах.Продолжительность событий ESD может варьироваться от пикосекунд до микросекунд. Электрическое перенапряжение (EOS) — это поражение электрическим током, вызванное воздействием на изделие тока или напряжения утечки (обычно от источника питания или испытательного оборудования). Продолжительность событий EOS может варьироваться от наносекунд до миллисекунд. Как описано выше, ESD и EOS могут иметь различную длительность электрических переходных импульсов.
Если событие ESD или событие EOS происходит в устройстве, изготовленном с помощью процесса CMOS, тонкий изолирующий слой, такой как слой оксида затвора, может быть поврежден.Таким образом, может потребоваться схема для защиты от электростатического разряда и / или EOS. Благодаря достижениям полупроводниковой технологии степень интеграции полупроводниковых устройств увеличилась, а потребляемая мощность полупроводниковых устройств снизилась, и, таким образом, полупроводниковые устройства могут быть более легко подвержены воздействию электростатического разряда. Когда толщина оксидного слоя затвора МОП-транзистора составляет от примерно 3 нм до примерно 4 нм, изолирующий слой может быть поврежден и / или разрушен напряжением в диапазоне от примерно 3 В до примерно 4 В.Следовательно, в этом случае может потребоваться схема защиты, защищающая внутреннее ядро устройства от события ESD и / или события EOS.
РИС. 1 представляет собой принципиальную схему, иллюстрирующую обычный NMOS-транзистор с заземленным затвором (GGNMOS). ИНЖИР. 2 представляет собой принципиальную схему, иллюстрирующую обычный NMOS-транзистор с затворной связью (GCNMOS).
Транзистор GGNMOS, имеющий затвор, исток и корпус, которые все заземлены, использует явление возврата. Таким образом, транзистор GGNMOS может эффективно защищать от события EOS, которое имеет относительно большую длительность длительности электрического переходного импульса.Однако транзистор GGNMOS может быть неэффективным в защите внутреннего ядра от события ESD до тех пор, пока не будет достигнуто напряжение запуска, при котором ток ESD разряжается через транзистор.
Можно использовать транзистор GCNMOS, имеющий конфигурацию, в которой был удален слой, блокирующий силицид (SBL). Конфигурация может быть эффективной для защиты внутреннего сердечника от события электростатического разряда, имеющего относительно меньшую длительность электрических переходных импульсов. Однако конфигурация может быть неэффективной для защиты от события EOS, имеющего относительно большую длительность электрических переходных импульсов.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Примеры вариантов осуществления обеспечивают схему гибридной защиты, имеющую регулируемое время включения, чтобы более эффективно защищать внутреннее ядро устройства от события ESD и / или события EOS.
Согласно примерным вариантам осуществления, гибридная схема защиты может включать в себя схему обнаружения напряжения, фиксирующее устройство и схему своевременной регулировки.
Схема обнаружения напряжения может быть подключена между напряжением источника питания и напряжением заземления и может быть сконфигурирована для вывода сигнала обнаружения, который активируется при возникновении положительного события ESD или положительного события EOS.Зажимное устройство может быть подключено между напряжением источника питания и заземлением, сконфигурировано для разряда первых зарядов, генерируемых отрицательным событием ESD или отрицательным событием EOS, когда происходит отрицательное событие ESD или отрицательное событие EOS, и сконфигурировано для разряда вторых зарядов. генерируется положительным событием ESD или положительным событием EOS в ответ на сигнал ограничения, активируемый при возникновении положительного события ESD или положительного события EOS. Схема регулировки времени может быть подключена между напряжением источника питания и напряжением заземления, сконфигурирована для приема сигнала обнаружения, сконфигурирована для вывода фиксирующего сигнала и сконфигурирована для поддержания фиксирующего сигнала в активном состоянии до тех пор, пока второй заряд, генерируемый посредством положительное событие ESD или положительное событие EOS сбрасываются.
Схема обнаружения напряжения может включать в себя конденсатор, подключенный между напряжением источника питания и первым узлом, и резистор, подключенный между первым узлом и напряжением заземления. Конденсатор может быть реализован как МОП-конденсатор, затвор которого соединен с резистором, а исток, сток и корпус соединены с напряжением источника питания. Резистор может быть реализован в виде множества последовательно соединенных транзисторов NMOS, каждый из которых имеет затвор, связанный с напряжением источника питания, и корпус, связанный с напряжением земли.Период времени нахождения сигнала обнаружения в активном состоянии может определяться емкостью конденсатора и сопротивлением резистора.
Схема регулировки времени включения может включать в себя первую схему обратной связи и вторую схему обратной связи, каждая из которых имеет архитектуру обратной связи для регулировки времени включения сигнала ограничения.
Первая схема обратной связи может включать в себя первый инвертор, сконфигурированный для инвертирования сигнала обнаружения, второй инвертор, сконфигурированный для инвертирования первого выходного сигнала первого инвертора, и первый транзистор обратной связи, сконфигурированный для смещения второго выходного сигнала второго инвертора, чтобы первый инвертор.Первый инвертор может включать в себя первый транзистор PMOS, имеющий исток, соединенный со стоком первого транзистора обратной связи, затвор, соединенный с первым узлом, корпус, соединенный с напряжением источника питания, и сток, соединенный со вторым узлом. Первый инвертор может дополнительно включать в себя первый транзистор NMOS, имеющий исток, связанный с напряжением земли, затвор, связанный с первым узлом, корпус, связанный с напряжением земли, и сток, связанный со вторым узлом. Второй инвертор может включать в себя второй транзистор PMOS, имеющий исток, подключенный к напряжению источника питания, затвор, подключенный ко второму узлу, корпус, подключенный к напряжению источника питания, и сток, подключенный к третьему узлу.Второй инвертор может дополнительно включать в себя второй транзистор NMOS, имеющий исток, связанный с напряжением земли, затвор, связанный со вторым узлом, корпус, связанный с напряжением земли, и сток, связанный с третьим узлом. Первый транзистор обратной связи может быть транзистором PMOS, исток которого подключен к напряжению источника питания, затвор подключен к третьему узлу, корпус подключен к напряжению источника питания, а сток подключен к истоку первого транзистора PMOS.
Вторая схема обратной связи может включать в себя третий инвертор, сконфигурированный для инвертирования второго выходного сигнала, четвертый инвертор, сконфигурированный для инвертирования третьего выходного сигнала третьего инвертора и для вывода инвертированного сигнала в качестве сигнала ограничения, и второй транзистор обратной связи, сконфигурированный чтобы подать сигнал ограничения на третий инвертор.Третий инвертор может включать в себя третий транзистор PMOS, имеющий исток, соединенный со стоком второго транзистора обратной связи, затвор, соединенный с третьим узлом, корпус, соединенный с напряжением источника питания, и сток, соединенный с четвертым узлом. Третий инвертор может дополнительно включать в себя третий транзистор NMOS, имеющий исток, связанный с напряжением земли, затвор, связанный с третьим узлом, корпус, связанный с напряжением земли, и сток, связанный с четвертым узлом. Четвертый инвертор может включать в себя четвертый транзистор PMOS, имеющий исток, подключенный к напряжению источника питания, затвор, подключенный к четвертому узлу, корпус, подключенный к напряжению источника питания, и сток, подключенный к пятому узлу.Четвертый инвертор может дополнительно включать в себя четвертый транзистор NMOS, имеющий исток, связанный с напряжением земли, затвор, связанный с четвертым узлом, корпус, связанный с напряжением земли, и сток, связанный с пятым узлом. Второй транзистор обратной связи может быть транзистором PMOS, исток которого подключен к напряжению источника питания, затвор подключен к пятому узлу, корпус подключен к напряжению источника питания, а сток подключен к истоку третьего транзистора PMOS.
Фиксирующее устройство может включать в себя фиксирующий NMOS-транзистор, имеющий исток, связанный с напряжением земли, затвор, на который подается сигнал ограничения, корпус, связанный с напряжением земли, и сток, связанный с напряжением источника питания.Устройство фиксации может быть сконфигурировано для работы в качестве прямого диода для разряда первых зарядов до напряжения земли, когда происходит отрицательное событие ESD или событие отрицательного EOS.
Согласно примерным вариантам осуществления, гибридная схема защиты может включать в себя конденсатор, резистор, первый транзистор PMOS, первый транзистор NMOS, второй транзистор PMOS, второй транзистор NMOS, третий транзистор PMOS, третий транзистор NMOS, четвертый транзистор PMOS, четвертый транзистор NMOS, пятый транзистор PMOS, шестой транзистор PMOS и фиксирующий транзистор NMOS.
Конденсатор может быть подключен между источником напряжения питания и первым узлом. Резистор может быть подключен к первому узлу и к заземлению.
Первый транзистор PMOS может иметь затвор, подключенный к первому узлу, корпус, подключенный к напряжению источника питания, и сток, подключенный ко второму узлу. Первый транзистор NMOS может иметь исток, связанный с напряжением земли, затвор, связанный с первым узлом, корпус, связанный с напряжением земли, и сток, связанный со вторым узлом.
Второй транзистор PMOS может иметь исток, связанный с напряжением источника питания, затвор, связанный со вторым узлом, корпус, связанный с напряжением источника питания, и сток, связанный с третьим узлом. Второй транзистор NMOS может иметь исток, связанный с напряжением земли, затвор, связанный со вторым узлом, корпус, связанный с напряжением земли, и сток, связанный с третьим узлом.
Третий транзистор PMOS может иметь затвор, связанный с третьим узлом, корпус, связанный с напряжением источника питания, и сток, связанный с четвертым узлом.Третий транзистор NMOS может иметь исток, связанный с напряжением земли, затвор, связанный с третьим узлом, корпус, связанный с напряжением земли, и сток, связанный с четвертым узлом.
Четвертый транзистор PMOS может иметь исток, подключенный к напряжению источника питания, затвор, подключенный к четвертому узлу, корпус, подключенный к напряжению источника питания, и сток, подключенный к пятому узлу. Четвертый транзистор NMOS может иметь исток, связанный с напряжением земли, затвор, связанный с четвертым узлом, корпус, связанный с напряжением земли, и сток, связанный с пятым узлом.
Пятый транзистор PMOS может иметь исток, подключенный к напряжению источника питания, затвор, подключенный к третьему узлу, корпус, подключенный к напряжению источника питания, и сток, подключенный к истоку первого транзистора PMOS. Шестой транзистор PMOS может иметь исток, подключенный к напряжению источника питания, затвор, подключенный к пятому узлу, корпус, подключенный к напряжению источника питания, и сток, подключенный к истоку третьего транзистора PMOS.
Зажимной NMOS-транзистор может иметь исток, связанный с напряжением земли, затвор, связанный с пятым узлом, и сток, связанный с напряжением источника питания.
Конденсатор может быть МОП-конденсатором, затвор которого соединен с резистором, а исток, сток и корпус связаны с напряжением источника питания. Резистор может включать в себя множество последовательно соединенных транзисторов NMOS, каждый из которых имеет затвор, связанный с напряжением источника питания, и корпус, связанный с напряжением земли. Период времени, когда первый узел находится в логическом «высоком» состоянии, может определяться конденсатором и резистором, когда происходит положительное событие ESD или положительное событие EOS.
Пятый транзистор PMOS и шестой транзистор PMOS могут быть сконфигурированы для поддержания пятого узла в логическом «высоком» состоянии до тех пор, пока заряды, генерируемые положительным событием ESD или положительным событием EOS, не разрядятся через канал, сформированный в фиксирующем транзисторе NMOS. . Фиксирующее устройство может быть сконфигурировано для работы в качестве прямого диода для разряда зарядов, генерируемых отрицательным событием ESD или отрицательным событием EOS, на напряжение земли.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Примерные варианты осуществления будут более понятны из следующего подробного описания, взятого вместе с сопроводительными чертежами.Фиг. 1-10C представляют собой неограничивающие примерные варианты осуществления, как описано в данном документе.
РИС. 1 представляет собой принципиальную схему, иллюстрирующую обычный NMOS-транзистор с заземленным затвором (GGNMOS).
РИС. 2 представляет собой принципиальную схему, иллюстрирующую обычный NMOS-транзистор с затворной связью (GCNMOS).
РИС. 3 — блок-схема, иллюстрирующая гибридную схему защиты согласно примерным вариантам осуществления.
РИС. 4 — принципиальная схема, иллюстрирующая схему гибридной защиты по фиг.3 согласно примерному варианту осуществления.
РИС. 5 — принципиальная схема, иллюстрирующая схему обнаружения напряжения, показанную на фиг. 4 согласно примерному варианту осуществления.
РИС. 6A — принципиальная схема, иллюстрирующая первую цепь обратной связи, показанную на фиг. 4 согласно примерному варианту осуществления. ИНЖИР. 6B — принципиальная схема, иллюстрирующая вторую цепь обратной связи, показанную на фиг. 4 согласно примерному варианту осуществления.
РИС. 7A — схема моделирования, иллюстрирующая характеристики EOS в нескольких узлах первой схемы обратной связи согласно примерному варианту осуществления.ИНЖИР. 7B — схема моделирования, иллюстрирующая характеристики EOS в нескольких узлах второй схемы обратной связи согласно примерному варианту осуществления.
РИС. 8A и фиг. 8B — схемы моделирования, иллюстрирующие характеристики модели человеческого тела (HBM) первой цепи обратной связи и второй схемы обратной связи согласно примерному варианту осуществления.
РИС. 9A и фиг. 9B — схемы моделирования, иллюстрирующие характеристики модели машины (MM) первой схемы обратной связи и второй схемы обратной связи согласно примерному варианту осуществления.
РИС. 10А и фиг. 10B — схемы моделирования, иллюстрирующие характеристики постоянного тока первой схемы обратной связи и второй схемы обратной связи согласно примерному варианту осуществления.
РИС. 10C представляет собой схему моделирования, иллюстрирующую ток через фиксирующий транзистор NMOS, составляющий фиксирующее устройство, в котором ток подается на площадку VDD согласно примерному варианту осуществления.
ОПИСАНИЕ ПРИМЕРНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Подробные примерные варианты осуществления раскрыты здесь.Однако конкретные структурные и функциональные детали, раскрытые в данном документе, являются просто репрезентативными для целей описания примерных вариантов осуществления. Однако примерные варианты осуществления могут быть воплощены во многих альтернативных формах, и их не следует рассматривать как ограниченные только вариантами осуществления, изложенными в данном документе.
Соответственно, хотя примерные варианты осуществления допускают различные модификации и альтернативные формы, их варианты осуществления показаны в качестве примера на чертежах и будут подробно описаны в данном документе.Однако следует понимать, что нет намерения ограничивать примерные варианты осуществления конкретными раскрытыми формами, напротив, примерные варианты осуществления должны охватывать все модификации, эквиваленты и альтернативы, попадающие в объем примерных вариантов осуществления. Одинаковые номера относятся к одинаковым элементам во всем описании фигур.
Следует понимать, что, хотя термины «первый», «второй» и т.д. могут использоваться в данном документе для описания различных элементов, эти элементы не должны ограничиваться этими терминами.Эти термины используются только для того, чтобы отличить один элемент от другого. Например, первый элемент может быть назван вторым элементом, и, аналогично, второй элемент может быть назван первым элементом, не выходя за рамки примерных вариантов осуществления. Используемый здесь термин «и / или» включает в себя любые и все комбинации одного или нескольких связанных перечисленных элементов.
Следует понимать, что когда элемент упоминается как «связанный» или «связанный» с другим элементом, он может быть напрямую подключен или соединен с другим элементом, или могут присутствовать промежуточные элементы.Напротив, когда элемент упоминается как «непосредственно связанный» или «непосредственно связанный» с другим элементом, промежуточных элементов нет. Другие слова, используемые для описания взаимосвязи между элементами, следует интерпретировать аналогичным образом (например, «между» или «непосредственно между», «смежный» или «непосредственно смежный» и т. Д.).
Терминология, используемая в данном документе, предназначена только для описания конкретных вариантов осуществления и не предназначена для ограничения примерных вариантов осуществления.Используемые здесь формы единственного числа предназначены для включения и форм множественного числа, если контекст явно не указывает иное. Также будет понятно, что термины «содержит», «содержащий», «включает» и / или «включающий», когда они используются в данном документе, определяют наличие заявленных функций, целых чисел, шагов, операций, элементов и / или компонентов. , но не исключают наличие или добавление одной или нескольких других функций, целых чисел, шагов, операций, элементов, компонентов и / или их групп.
Следует также отметить, что в некоторых альтернативных реализациях отмеченные функции / действия могут происходить не в порядке, указанном на фигурах. Например, две фигуры, показанные последовательно, могут фактически выполняться по существу одновременно или иногда могут выполняться в обратном порядке, в зависимости от задействованных функций / действий.
Если не указано иное, все используемые здесь термины (включая технические и научные термины) имеют то же значение, которое обычно понимается специалистом в данной области техники, к которой относятся примерные варианты осуществления.Далее следует понимать, что термины, такие как те, которые определены в обычно используемых словарях, должны интерпретироваться как имеющие значение, которое согласуется с их значением в контексте соответствующего искусства, и не будут интерпретироваться в идеализированном или чрезмерно формальном смысле, если только прямо так определено в данном документе.
РИС. 3 — блок-схема, иллюстрирующая гибридную схему защиты согласно примерным вариантам осуществления.
Как показано на фиг. 3, гибридная схема защиты может включать в себя схему обнаружения напряжения , 300, , схему своевременного регулирования , 400, и фиксирующее устройство , 500, .
Схема обнаружения напряжения 300 , схема регулировки времени 400 и фиксирующее устройство 500 могут быть подключены между напряжением источника питания VDD и напряжением заземления VSS для более эффективной защиты внутреннего сердечника от Событие ESD и событие EOS.
РИС. 4 — принципиальная схема, иллюстрирующая схему гибридной защиты по фиг. 3 согласно примерному варианту осуществления.
Ссылаясь на фиг. 4, схема , 300, обнаружения напряжения может включать в себя конденсатор , 310, и резистор , 320, , которые соединены последовательно.
Схема , 400, своевременной регулировки может включать в себя первую схему , 410, обратной связи и вторую схему , 450, обратной связи. Первая схема , 410, обратной связи может включать в себя первый инвертор , 420, , второй инвертор , 430, и первый транзистор обратной связи , 440, . Вторая схема , 450, обратной связи может включать в себя третий инвертор , 460, , четвертый инвертор , 470, и второй транзистор обратной связи , 480, .
РИС. 5 — принципиальная схема, иллюстрирующая схему обнаружения напряжения, показанную на фиг. 4 согласно примерному варианту осуществления.
Ссылаясь на фиг. 5, конденсатор , 310, может быть реализован с помощью транзистора PMOS, в котором затвор соединен с резистором , 320, , а исток, сток и корпус связаны с напряжением источника питания VDD. Конденсатор , 310, может быть реализован как другие типы конденсаторов. Резистор , 320, может включать в себя пять NMOS-транзисторов с MN 31 по MN 35 , которые соединены последовательно.Корпуса транзисторов NMOS с MN 31 по MN 35 могут быть подключены к заземлению VSS, а затворы транзисторов NMOS с MN 31 по MN 35 могут быть подключены к напряжению источника питания VDD. Резистор , 310, может быть реализован как другие типы устройств.
РИС. 6A — принципиальная схема, иллюстрирующая первую цепь обратной связи, показанную на фиг. 4 согласно примерному варианту осуществления. ИНЖИР. 6B — принципиальная схема, иллюстрирующая вторую цепь обратной связи, показанную на фиг.4 согласно примерному варианту осуществления.
Ссылаясь на фиг. 6A, первая схема обратной связи , 410, может включать в себя первый инвертор 420 , имеющий первый PMOS-транзистор MP 41 и первый NMOS-транзистор MN 41 , второй инвертор 430 , имеющий второй PMOS-транзистор MP 42 и второй транзистор NMOS MN 42 и первый транзистор обратной связи 440 .
Затвор первого PMOS-транзистора MP 41 может быть соединен с первым узлом N 1 , сток первого PMOS-транзистора MP 41 может быть соединен со вторым узлом N 2 , и Корпус первого PMOS-транзистора MP , 41, может быть подключен к источнику питания напряжения VDD.Затвор первого транзистора NMOS MN 41 может быть подключен к первому узлу N 1 , сток первого транзистора NMOS MN 41 может быть подключен ко второму узлу N 2 , а исток и Корпус первого NMOS-транзистора MN 41 может быть соединен с заземлением VSS. Затвор второго PMOS-транзистора MP 42 может быть подключен ко второму узлу N 2 , сток второго PMOS-транзистора MP 42 может быть подключен к третьему узлу N 3 , а исток и Корпус второго PMOS-транзистора MP , 42, может быть подключен к источнику питания напряжения VDD.Затвор второго транзистора NMOS MN 42 может быть соединен со вторым узлом N 2 , сток второго транзистора NMOS MN 42 может быть соединен с третьим узлом N 3 , а исток и Корпус второго NMOS-транзистора MN 42 может быть соединен с заземляющим напряжением VSS. Первый транзистор , 440, обратной связи может быть реализован как транзистор PMOS, в котором затвор может быть подключен к третьему узлу N 3 , сток может быть подключен к истоку первого транзистора PMOS MP 41 , а источник и корпус могут быть соединены с источником питания напряжением VDD.
Ссылаясь на ФИГ. 6B, вторая схема обратной связи 450 может включать в себя третий инвертор 460 , имеющий третий PMOS-транзистор MP 43 и третий NMOS-транзистор MN 43 , четвертый инвертор 470 , имеющий четвертый PMOS-транзистор MP 44 и четвертый NMOS-транзистор MN 44 , а второй транзистор обратной связи 480 .
Затвор третьего PMOS-транзистора MP 43 может быть подключен к третьему узлу N 3 , сток третьего PMOS-транзистора MP 43 может быть подключен к четвертому узлу N 4 , а Корпус третьего PMOS-транзистора MP 43 может быть подключен к источнику питания напряжения VDD.Затвор третьего транзистора NMOS MN 43 может быть подключен к третьему узлу N 3 , сток третьего транзистора NMOS MN 43 может быть подключен к четвертому узлу N 4 , а исток и Корпус третьего NMOS-транзистора MN 43 может быть соединен с заземлением VSS. Затвор четвертого PMOS-транзистора MP 44 может быть подключен к четвертому узлу N 4 , сток четвертого PMOS-транзистора MP 44 может быть подключен к пятому узлу N 5 , а исток и тело четвертого PMOS-транзистора MP 44 может быть подключено к источнику питания напряжения VDD.Затвор четвертого NMOS-транзистора MN 44 может быть подключен к четвертому узлу N 4 , сток четвертого NMOS-транзистора MN 44 может быть подключен к пятому узлу N 5 , а исток и Корпус четвертого NMOS-транзистора MN 44 может быть соединен с заземлением VSS. Второй транзистор , 480, обратной связи может быть реализован как транзистор PMOS, в котором затвор может быть подключен к пятому узлу N 5 , сток может быть подключен к истоку третьего транзистора PMOS MP 43 , а источник и корпус могут быть подключены к источнику питания напряжением VDD.
Возвращаясь к фиг. 4, фиксирующее устройство , 500, может быть реализовано как фиксирующий NMOS-транзистор , 510, , в котором затвор может быть подключен к пятому узлу N 5 , сток может быть подключен к напряжению источника питания VDD, а исток и корпус может быть связан с заземлением VSS.
В дальнейшем операции гибридной схемы защиты согласно примерным вариантам осуществления будут описаны со ссылкой на фиг. С 3 по 6B.
На ФИГ.3, когда отрицательное напряжение ESD или отрицательное напряжение EOS прикладывается к контактной площадке напряжения источника питания VDD, заряды, генерируемые событием отрицательного ESD или событием отрицательного EOS, могут быть разряжены на напряжение VSS с помощью фиксирующего транзистора NMOS 510 работает как диод. Однако при возникновении положительного события ESD или положительного события EOS могут потребоваться сложные операции. В дальнейшем операции гибридной схемы защиты при возникновении положительного события ESD или положительного события EOS согласно примерным вариантам осуществления будут описаны ниже.
На ФИГ. 4, когда происходит событие положительного электростатического разряда, положительные заряды, введенные в контактную площадку источника питания VDD, могут заряжать конденсатор , 310, , и, таким образом, уровень первого узла N 1 может стать логическим «высоким». Напряжение первого узла N 1 может быть сигналом обнаружения или выходным сигналом схемы обнаружения напряжения , 300, . Уровень второго узла N 2 может стать логическим «низким» через инверторы с первого по четвертый 420 , 430 , 460 и 470 .Кроме того, уровень третьего узла N 3 может стать логическим «высоким», уровень четвертого узла N 4 может стать логическим «низким», а уровень пятого узла N 5 может стать логическим «кайфом». Если уровень пятого узла N 5 становится логическим «высоким», то положительные заряды, генерируемые положительным событием ESD, могут разряжаться через канал, сформированный в фиксирующем транзисторе NMOS , 510, , и, таким образом, внутреннее ядро может быть защищен от положительного электростатического разряда.
Длительность импульсов положительного события EOS может отличаться от длительности импульсов положительного события ESD. Длительность импульсов положительного события EOS может быть больше, чем длительность длительности импульса положительного события ESD. Длительность импульса положительного события ESD может составлять около 1 мкс. Однако длительность импульсов положительного события EOS может составлять около 50 мкс. Следовательно, время включения фиксирующего устройства , 500, должно быть увеличено до достаточного количества разрядных зарядов, которые могут быть сгенерированы положительным событием EOS.
Для увеличения времени включения схема , 400, регулировки времени может включать в себя первую схему , 410, обратной связи и вторую схему , 450, обратной связи.
Когда заряды, генерируемые положительным событием EOS, вводятся в контактную площадку источника питания VDD, первый узел N 1 может поддерживать логический «высокий» уровень в течение времени нарастания RC. После времени нарастания RC, даже если состояние первого узла N 1 изменится с логического «высокого» на логическое «низкий», состояние второго узла N 2 может не сразу измениться на логическое « высокий »первым транзистором обратной связи 440 .Задержка включения может генерироваться на время зарядки паразитного конденсатора второго инвертора , 430, (который заряжается за счет подпороговой утечки первого транзистора обратной связи , 440, ) или до тех пор, пока время, необходимое второму узлу N 2 (из которого напряжение может быть выходным сигналом первого инвертора 420 ) для перехода на логический «высокий» уровень. Точно так же другая временная задержка может быть сгенерирована во второй схеме , 450, обратной связи.Следовательно, фиксирующий NMOS-транзистор , 510, , включенный в фиксирующее устройство , 500, , может быть включен в течение заранее определенного или заданного времени.
Время нарастания RC конденсатора 310 и резистора 320 , включенных в схему обнаружения напряжения 300 , может быть больше, чем время нарастания напряжения EOS, которое составляет около 1,2 мкс для обнаружения импульса EOS. мероприятие.
Первая схема , 410, обратной связи и вторая схема , 420, обратной связи, которые могут быть подключены последовательно, могут увеличивать время включения.Время включения может быть увеличено примерно до 10 мкс с помощью первой схемы , 410, обратной связи. Затем время включения может быть снова продлено второй схемой , 450, обратной связи. Следовательно, фиксирующий NMOS-транзистор , 510, , включенный в фиксирующее устройство , 500, , может быть включен, пока заряды, которые генерируются событием EOS, достаточно разряжены.
РИС. 7A — схема моделирования, иллюстрирующая характеристики EOS в нескольких узлах первой схемы обратной связи согласно примерному варианту осуществления.ИНЖИР. 7B — схема моделирования, иллюстрирующая характеристики EOS в нескольких узлах второй схемы обратной связи согласно примерному варианту осуществления.
Ссылаясь на фиг. 7A, состояние первого узла N 1 на фиг. 4 может измениться с логического «высокого» на «низкий». Однако состояние второго узла N 2 на фиг. 4 может измениться не сразу с логического «низкого» на «высокий», а после задержки включения первого транзистора , 440, обратной связи.
Ссылаясь на фиг. 7B, время перехода напряжения пятого узла N 5 на фиг. 4 может быть больше, чем время перехода напряжения четвертого узла N 4 на фиг. 4 из-за второго транзистора 480 обратной связи по фиг. 4. Состояние первого узла N 1 может измениться с логического «высокого» на логический «низкий» в течение примерно 10 мкс. Однако состояние пятого узла N 5 может измениться с логического «высокого» на логический «низкий» схемой своевременной регулировки , 400, в течение примерно 50 мкс.Следовательно, гибридная схема защиты согласно примерным вариантам осуществления может эффективно защищать внутреннее ядро посредством достаточной разрядки зарядов, генерируемых событием EOS.
РИС. 8A и фиг. 8B — схемы моделирования, иллюстрирующие характеристики модели человеческого тела (HBM) первой цепи обратной связи и второй схемы обратной связи согласно примерному варианту осуществления.
Ссылаясь на фиг. 8A и фиг. 8B, время перехода напряжения пятого узла N 5 может быть больше, чем время перехода напряжения первого узла N 1 .Следовательно, заряды могут быть разряжены через зажимное устройство , 500, в течение продолжительности ESD HBM-событий.
РИС. 9A и фиг. 9B — схемы моделирования, иллюстрирующие характеристики модели машины (MM) первой схемы обратной связи и второй схемы обратной связи согласно примерному варианту осуществления.
Ссылаясь на фиг. 9A и фиг. 9B, пятый узел N 5 может перейти с логического «высокого» на логический «низкий», в то время как первый узел N 1 может перейти с логического «высокого» на логический «низкий».Следовательно, заряды могут разряжаться через фиксирующее устройство , 500, в течение продолжительности событий ESD MM.
РИС. 10А и фиг. 10B — схемы моделирования, иллюстрирующие характеристики постоянного тока первой схемы обратной связи и второй схемы обратной связи согласно примерному варианту осуществления.
РИС. 10C представляет собой схему моделирования, иллюстрирующую ток через фиксирующий транзистор NMOS, составляющий фиксирующее устройство, когда ток подается на площадку VDD согласно примерному варианту осуществления.
Как упомянуто выше, гибридная схема защиты согласно примерным вариантам осуществления может эффективно защищать внутреннее ядро устройства посредством достаточной разрядки зарядов, генерируемых событием ESD и / или событием EOS. Кроме того, гибридная схема защиты согласно примерным вариантам осуществления может регулировать время включения, чтобы более эффективно защищать внутреннее ядро от события ESD и / или события EOS.
Вышеизложенное является иллюстрацией примерных вариантов осуществления и не должно рассматриваться как их ограничение.Хотя были описаны примерные варианты осуществления, специалисты в данной области техники легко поймут, что в примерных вариантах осуществления возможны многие модификации без существенного отклонения от новых идей и преимуществ примерных вариантов осуществления. Соответственно, предполагается, что все такие модификации включены в объем формулы изобретения. Следовательно, следует понимать, что вышеизложенное является иллюстрацией примерных вариантов осуществления и не должно толковаться как ограниченное конкретными раскрытыми вариантами осуществления, и что модификации раскрытых вариантов осуществления, а также другие варианты осуществления предназначены для включения в объем прилагаемой формулы изобретения.Примеры вариантов осуществления определены в следующей формуле изобретения с включенными в нее эквивалентами.
Схема симметричного мультивибратора. Светодиодный указатель поворота
Принципиальная схема Мощный транзисторный мультивибратор с управлением, построенный на транзисторах CT972, CT973. Многие радиолюбители начинали свой творческий путь со сборки простых радиоприемников прямого усиления, несоответствующей мощности звуковой частоты и сборки простых мультивибраторов, состоящих из пары транзисторов, двух или четырех резисторов и двух конденсаторов.
Традиционный симметричный мультивибратор имеет ряд недостатков, среди которых относительно высокое выходное сопротивление, затянутые фронты импульсов, ограниченное напряжение питания, низкий КПД при работе на низковольтной нагрузке.
Принципиальная схема
На рис. 1. Представлена схема управляемого симметричного двухфазного мультивибратора, работающего на звуковых частотах, нагрузка к которому подключена по схеме дорожного покрытия, благодаря чему размах амплитуды сигнала на нагрузке почти вдвое превышает напряжение питания мультивибратора. , что позволяет получить значительно больший объем, по сравнению со временем, если бы нагрузка была включена в одно из плеч мультивибратора.
Кроме того, «настоящее» напряжение переменного тока, значительно улучшающее условия работы подключенного в качестве нагрузки динамической головки — отсутствует эффект послабления или выпячивания диффузора (в зависимости от полярности включения оратор). Нет щелчков при включении и выключении мультивибратора.
Рис. 1. Принципиальная Ящима мощного мультивибратора на транзисторах CT972, CT973.
Симметричный двухфазный мультивибратор состоит из двух двухтактных плеч, напряжение на которых попеременно меняется с низкого уровня на высокий.Предположим, что при включении питания первым был составной транзистор VT2.
Тогда напряжение на выводах коллекторов транзисторов VT1, VT2 будет близким к нулю (VT1 открыт, VT2 закрыт) до точки подключения их коллекторов через токосъемный резистор R12, подключенный к составному транзистору Ppp. VT5, который откроется. Нагрузка будет приложена к нагрузке около 8 В при напряжении питания мультивибратора 9 В. с перезарядкой конденсаторов С2, С4, переключатели мультивибратора — VT1, VT6 откроются, VT2, VT5 закроются.
На нагрузку будет подаваться то же напряжение, но с обратной полярностью. Частота переключения мультивибратора зависит от емкости конденсаторов С2, С2, С4 и, в меньшей степени, от установленного сопротивления подстроечного резистора R7. При напряжении питания 9 частота может быть восстановлена с 1,4 до 1,5 кГц.
При уменьшении сопротивления R7 ниже условного значения генерация звуковых частот нарушается. Следует отметить, что после запуска мультивибратор может работать без резисторов R5, R11.Форма напряжения на выходе мультивибратора близка к прямоугольной.
Резисторы R6, R8 и диоды VD1, VD2 защищают эмиттерные переходы транзисторов VT2, VT6 от пробоя, что особенно актуально при напряжении питания мультивибратора более 10В. Резисторы R1, R13 необходимы для устойчивой генерации, при их отсутствии мультивибратор может «охрипеть». Диод VD3 защищает мощные транзисторы. Из-за резкого скачка напряжения питания при его отсутствии и при достаточной мощности источника питания при напряжении шнуров встроенные защитные загрязнения транзисторов могут быть повреждены.
Для расширения функциональных возможностей В этом мультивибраторе введена возможность включения / выключения при подаче напряжения положительной полярности на управляющий вход. Если управляющий вход больше не подключен или напряжение на нем не более 0,5 В, транзисторы VTZ, VT4 закрыты, мультивибратор работает.
При подаче заявки на контроль напряжения высокого уровня, например, с выхода ТТЛШ. Чип CMOS, электрический или неэлектрический датчик, такой как датчик влажности, транзисторы VTZ, VT4 открыт, мультивибратор тормозит.В таком состоянии мультивибратор потребляет ток менее 200 мкА без учета тока через R2, R3, R9.
Детали и установка
Мультивибратор может быть установлен на печатной плате размером 70 * 50 мм, эскиз которой представлен на рис. 2 Постоянные резисторы можно использовать любые малогабаритные. Резистор быстродействующий РП1-63М, СП4-1 или аналогичный импортный. Конденсаторы оксидные К50-29, К50-35 или аналоги Конденсаторы С2, С4 — К73-9, К73-17, К73-24 или любые пленочные.
Рис. 2. Печатная плата для схемы мощного мультивибратора на транзисторах.
Диоды КД522А можно заменить на КД503. КД521. D223 с любым буквенным индексом или импортированные 1N914, 1N4148. Вместо диодов CD226A и KD243A любой из серий KD226, CD257, KD258, 1 N5401 … 1 N5407.
Композитные транзисторы CT972A можно заменить любыми из этой серии или из серии КТ8131, а вместо КТ973 — любым из серии КТ973, CT8130. При необходимости на небольших радиаторах устанавливаются мощные транзисторы.При отсутствии таких транзисторов их можно заменить аналогами двух транзисторов, включенных по схеме Дарлингтона, рис. 3. Вместо маломощных транзисторов Ppp CT315 подойдут любые из серий КТ312, CT315, CT342, CT3102, KT645, SS9014 и тому подобное.
Рис. 3. Принципиальная схема эквивалентной замены транзисторов CT972, CT973.
Нагрузкой этого мультивибратора может быть динамическая головка, телефонные насадки, пьезокерамический излучатель звука, импульсный преобразователь увеличения / уменьшения.
При использовании динамической головки с сопротивлением обмотки 8 Ом следует учитывать, что при напряжении питания 9 В на нагрузку будет поступать напряжение мощностью 8 Вт переменного напряжения. Следовательно, два … Четырехколонная динамическая головка может выйти из строя через 1 … 2 минуты работы.
Заработная плата
Нагрузочная способность и напряжение питания существенно влияют на рабочую частоту мультивибратора. Например, при изменении напряжения питания от 5 до 15 частота меняется от 2850 до 1200 Гц при работе от мультивибратора на нагрузку в виде телефонной трубки с сопротивлением обмотки 56 Ом.В области низких напряжений питания изменение рабочей частоты более значимо
Подбором резисторов резисторов R5, R11, R6, R8 можно задать форму импульсов почти строго прямоугольной формы, когда мультивибратор работает с определенной нагрузкой, подключенной при заданном напряжении питания.
Этот мультивибратор может использоваться в различных сигнальных устройствах, устройствах звукового оповещения, когда при небольшом существующем напряжении питания требуется значительная мощность на излучателе звука.Кроме того, его удобно использовать в преобразователях низкого напряжения в высокое, в том числе работающих на низкой частоте 50 Гц.
Бутов А.Л. РК-2010-04.
Этот урок будет посвящен довольно важной и востребованной теме — мультивибраторам и их применению. Если бы я попытался только перечислить, где и как используются автоколебательные симметричные и асимметричные мультивибраторы, для этого потребовалось бы приличное количество на страницах книги. Нет, пожалуй, такой отрасли радиотехники, электроники, автоматики, импульсной или вычислительной техники, где такие генераторы еще не применялись.В этом уроке будет дана теоретическая информация об этих устройствах, а в конце я приведу несколько примеров. их практическое применение применительно к своему творчеству.
Мультивибратор Autocalid
Мультивибраторами называют электронные устройства, которые генерируют электрические колебания, близкие по форме к прямоугольным. Спектр колебаний, генерируемых мультивибратором, содержит множество гармоник — тоже электрические колебания, но множественные колебания основной частоты, что отражено в его названии: «Мульти-много», «вибро-колебания».
Рассмотрим схему, представленную на (рис. 1, а). Вы знаете? Да, это схема двухкаскадного транзисторного усилителя 3х с выходом в наушники. Что произойдет, если выход такого усилителя подключить к его входу, как на схеме пунктирной линией? Между ними возникает положительная обратная связь и усилитель самоподвижности станет генератором колебаний звуковой частоты, и мы будем слышать звук низких тонов. С таким явлением в ресиверах и усилителях идет решающая борьба, но для автоматически работающих инструментов оно оказывается полезным.
Теперь посмотрим на (рис. 1, б). На нем вы видите схему того же усилителя, покрытого положительной обратной связью Как на (рис. 1, а), несколько изменен только его рисунок. Обычно это розыгрыши автоколебательных схем, то есть самовозбуждающихся мультивибраторов. Опыт — это, пожалуй, лучший метод познания сути того или иного электронного устройства. В этом вы убедились не раз. Так что теперь, чтобы лучше разобраться в работе этого универсального устройства — пулемета, предлагаю провести с ним опыт.Схему автоколебательного мультивибратора со всеми этими резисторами и конденсаторами вы видите на (рис. 2, а). Установите его на охватываемую пластину. Транзисторы должны быть низкочастотными (МП39 — МП42), так как высокочастотные транзисторы имеют очень малое напряжение пробивки эмиттерного перехода. Конденсаторы электролитические С1 и С2 — типа К50 — 6, К50 — 3 или их импортные аналоги на номинальное напряжение 10 — 12 В. Сопротивление резисторов может отличаться от указанного на схеме на 50%. Важно только, чтобы номиналы резисторов нагрузки RL, R4 и базовых резисторов R2, R3 были возможны.Для питания используйте кроновую батарею или БП. В коллекторной цепи любого из транзисторов включите миллиамперметр (РА) на ток 10-15 мА, а в секцию Эмиттер — коллектор того же транзистора подключите к контакту высоковольтный вольтметр постоянного тока (ПУ). 10 В. Проверяя установку и особенно внимательно полярность питания на электролитических конденсаторах, подключите источник питания к мультивибратору. Что показывают измерительные приборы? На миллиамперметре резко увеличивается до 8 — 10 мА, а затем также резко снижается почти до нуля ток коллекторной цепи транзистора.Вольтметр наоборот то убывает почти до нуля, то напряжение на коллекторе увеличивается до напряжения питания. Что говорят эти измерения? Дело в том, что транзистор этого плеча мультивибратора работает в режиме переключения. Наибольший ток коллектора и одновременно наименьшее напряжение на коллекторе соответствуют открытому состоянию, а наименьший ток и наибольшее напряжение коллектора — закрытому состоянию транзистора. Точно так же работает транзистор второго плеча мультивибратора, но, как говорится, с фазовым сдвигом 180 ° : Когда один из транзисторов открыт, второй закрыт.В этом нетрудно убедиться, что транзистор второго плеча мультивибратора в коллекторной цепи транзистора второго плеча мультивибратора; Стрелки измерительных приборов будут поочередно отклоняться от нулевой шкалы. Теперь, используя часы со второй стрелкой, посчитайте, сколько раз в минуту транзисторы переходят из открытого состояния в закрытое. Примерно 15 — 20. Таково количество электрических колебаний, генерируемых мультивибратором в минуту. Следовательно, период одного колебания составляет 3-4 с.Продолжая следить за стрелкой миллиамперметра, попробуйте изобразить эти колебания графически. По горизонтальной оси ординаты отложите на некоторой шкале отрезок времени нахождения транзистора в открытом и закрытом состояниях, и ток коллектора, соответствующий этим состояниям, будет вертикальным. У вас будет примерно такой же график, как тот, что изображен на рис. 2, б.
Это означает, что можно считать, что мультивибратор генерирует электрические колебания прямоугольной формы. В сигнале мультивибратора, вне зависимости от того, какой он снимается, из какого снимается, могут быть разделены импульсы тока и паузы. Временной интервал от момента появления одного импульса тока (или напряжения) до появления следующего импульса той же полярности принято называть период следующих импульсов Т, а время между импульсами длительностью Пауза TN — мультивибраторы, генерирующие импульсы, длительность TN которых равна паузам между ними, называются симметричными. Следовательно, собранный вами опытный мультивибратор — симметричный . Заменить конденсаторы С1 и С2 на другие конденсаторы емкостью 10-15 мкФ. Мультивибратор остался симметричным, но частота генерируемых им колебаний увеличилась в 3-4 раза — до 60-80 в 1 мин или, что то же самое, примерно с частотой 1 Гц. Стрелка измерительных приборов едва успевает проследить за изменениями токов и напряжений в цепях транзисторов.А если конденсаторы С1 и С2 заменить бумажными емкостью 0,01 — 0,05 мкФ? Как теперь будут вести себя стрелки измерителей? Утилизация с нулевых отметок, стоят на месте. Может сократившееся поколение? Нет! Просто частота колебаний мультивибратора увеличилась до нескольких сотен герц. Это колебания звукового диапазона частот, которые фиксируются, что устройства постоянного тока больше не могут. Обнаружить их можно с помощью частотомера или наушников, подключенных через конденсатор емкостью 0.01 — 0,05 мкФ на любой из выходов мультивибратора или включение их непосредственно в коллекторную цепь любого из транзисторов вместо нагрузочного резистора. В телефонах слышен звук низкого тона. Каков принцип работы мультивибратора? Вернемся к схеме на рис. 2, а. В момент включения питания транзисторы обоих плеч мультивибратора открываются, так как резисторы R2 и R3 сводятся к своим базам через соответствующие резисторы R2 и R3.При этом запускаются конденсаторы связи: С1 — через эмиттерный переход транзистора V2 и резистора R1; С2 — через эмиттерный переход транзистора V1 и резистора R4. Эти цепочки зарядных конденсаторов, являющиеся делителями напряжения источника питания, создаются на базе данных транзисторов (относительно эмиттеров), все увеличивают отрицательные напряжения, ища все более открытые транзисторы. Открытие транзистора вызывает уменьшение отрицательного напряжения на его коллекторе, что вызывает уменьшение отрицательного напряжения на основе другого транзистора, закрывая его.Этот процесс протекает сразу в обоих транзисторах, но только один из них закрыт, на основании чего повышается положительное напряжение, например, из-за разницы коэффициентов передачи резистора h31E и конденсаторов. Второй транзистор остается открытым. Но эти состояния транзисторов нестабильны, потому что электрические процессы в их цепях продолжаются. Предположим, что через некоторое время после подачи питания на питание транзистор V2 закрылся, а транзистор V1 оказался открытым.С этого момента конденсатор С1 начинает разряжаться через открытый транзистор V1, сопротивление эмиттерной части — коллектора которой в это время не хватает, и резистор R2. По мере разряда конденсатора C1 положительное напряжение на основе закрытого транзистора V2 уменьшается. Как только конденсатор полностью разрядится и напряжение на основе транзистора V2 будет близко к нулю, в цепи коллектора этого транзистора теперь появляется ток, который через конденсатор C2 поступает на базу транзистора V1 и понижает отрицательное напряжение на нем.В результате ток, протекающий через транзистор V1, начинает уменьшаться, а через транзистор V2, наоборот, увеличиваться. Это приводит к тому, что транзистор V1 закрывается, а транзистор V2 открывается. Конденсатор C2 теперь разряжается, но через открытый транзистор V2 и резистор R3, что в конечном итоге приводит к открытию первого и закрытию вторых транзисторов и т. Д. Транзисторы все время взаимодействуют, в результате чего мультивибратор генерирует электрические колебания.Частота вибрации мультивибратора зависит как от емкости конденсаторов связи, которую вы уже проверили, так и от сопротивления базовых резисторов, в котором вы можете убедиться сейчас. Попробуйте, например, заменить основные резисторы R2 и R3 резисторы большой мощности. Частота колебаний мультивибратора уменьшится. И наоборот, если их сопротивление будет меньше, частота колебаний увеличится. Еще один опыт: отсоедините верхние (по схеме) выводы резисторов R2 и R3 от минусового провода источника питания, соедините их между собой, а между ними и минусовым проводом включите сопротивление сопротивление переменное сопротивление к сопротивлению. сопротивлению.Поворачивая ось переменного резистора, можно изменять частоту колебаний медивибратора в довольно широких пределах. Примерную частоту колебаний симметричного мультивибратора можно рассчитать по такой упрощенной формуле: F = 700 / (Rc), где F — частота в герцах, R сопротивление основных резисторов в киломах, C — емкость связи. конденсаторы в микропрейдах. Используя эту упрощенную формулу, рассчитайте колебания частот, генерируемых вашим мультивибратором.Вернемся к исходным данным резисторов и конденсаторов экспериментального мультивибратора (по схеме на рис. 2, а). Конденсатор C2 Замените конденсатор емкостью 2 — 3 мкФ, в коллекторной цепи транзистора V2 включите миллиамперметр, затем его стрелка отобразит графически колебания тока, генерируемые мультивибратором. Теперь ток в коллекторной цепи транзистора V2 будет появляться более короткими, чем раньше, импульсами (рис. 2, Б). Длительность импульса TH будет примерно такой же, как и паузы между импульсами TH, что уменьшило емкость конденсатора C2 по сравнению с его прежней емкостью.И теперь такой же (или такой) миллиамперметр включен в коллекторную цепь транзистора V1. Что показывает измерительный прибор? Тоже импульсы тока, но их длительность существенно больше, чем паузы между ними (рис. 2, г). Что случилось? Уменьшив емкость конденсатора С2, вы нарушили симметрию плеча мультивибратора — оно стало несимметричным . Таким образом, генерируемые ими колебания стали асимметричными : В коллекторной цепи транзистора V1 возникают относительно длинные импульсы тока, в коллекторной цепи транзистора V2 — короткие.С выхода 1 такого мультивибратора можно снимать короткие, а с выхода 2 — длинные импульсы напряжения. Временно поменяйте местами конденсаторы C1 и C2. Теперь короткие импульсы напряжения будут на выходе 1, а длинные — на выходе 2. Рассмотрим (по часу со второй стрелкой), сколько электрических импульсов в минуту генерирует такой вариант мультивибратора. Около 80. Увеличьте емкость конденсатора С1, подключив параллельно ему второй электролитический конденсатор емкостью 20 — 30 мкФ.Частота следования импульсов уменьшится. А если наоборот емкость этого конденсатора уменьшить? Частота пульса должна увеличиваться. Однако существует другой способ регулирования частоты импульсов — изменением сопротивления резистора R2: при уменьшении сопротивления этого резистора (но не менее 3-5 кОм, иначе транзистор V2 будет открыт). и автоколебательный процесс будет все время открываться) частота импульса должна увеличиваться, а с увеличением его сопротивления наоборот уменьшаться.Попробуйте экспериментальный способ — так ли это? Подберите резистор этого номинала так, чтобы количество импульсов в 1 мин было ровно 60. Стрелка миллиметра будет колебаться с частотой 1 Гц. Мультивибратор в этом случае будет похож на электронный часовой механизм, отсчитывающий секунды.
Постоянный мультивибратор
Такой мультивибратор генерирует импульсы тока (или напряжения) при подаче на его вход пусковых сигналов от другого источника, например, от автоколебательного мультивибратора. Чтобы автоколебательный мультивибратор, эксперименты с которым вы уже проводили в этом уроке (по схеме на рис. 2, а), превратился в мультивибратор ожидания, необходимо сделать следующее: Конденсатор С2 снять , а вместо него между ТРАНЗИСТОРОМ ТРАНЗИСТОРА V2 и базой транзистора V1 включить резистор (на рис. 3 — R3) сопротивлением 10 — 15 кОм; Между базой транзистора V1 и заземленным проводником включают подключенный элемент 332 (G1 или другой источник постоянного напряжения) и сопротивление резистора 4.7 — 5,1 кОм (R5), но так, чтобы с базой был подключен (через R5) положительный полюс элемента; К основной цепи транзистора V1 включите конденсатор (на рис. 3 — С2) емкостью 1 — 5 тыс. ПФ, второй выход которого будет выполнять роль контактора входного управляющего сигнала. Исходное состояние Транзистор V1 такого мультивибратора — закрытый, транзистор V2 — открытый. Проверить, есть ли? Напряжение на коллекторе закрытого транзистора должно быть близко к напряжению источника питания, а на коллекторе работающего транзистора — не превышать 0.2 — 0,3 В. Затем в коллекторной цепи транзистора V1 включить миллиамперметр на ток 10 — 15 мА и, наблюдая за его стрелкой, буквально на мгновение включить контакт URH между контактом и заземленным проводом, один — два элемента 332 соединенных последовательно (по схеме ГБ1) или аккумулятор 3336л. Только не путайте: отрицательный полюс этого внешнего электрического сигнала нужно подключить к контакту УВК. В этом случае стрелка миллиамперметра должна немедленно отклониться до значения наибольшего тока цепи коллектора транзистора, замороженного на время, а затем вернуться в исходное положение для ожидания следующего сигнала.Повторите этот опыт несколько раз. Миллиамперметр при каждом сигнале покажет мгновенное увеличение до 8 — 10 мА, а через некоторое время — мгновенно уменьшится почти до нуля коллекторный ток транзистора V1. Это одиночные импульсы тока, генерируемые мультивибратором. И если батарея GB1 подольше держать URK подключенным к кульминации. Произойдет так же, как и в предыдущих экспериментах — на выходе мультивибратора будет только один импульс. Пытаться!
И еще один эксперимент: постучите по выходу базы транзистора V1 любым металлическим предметом, взятым в руку.Возможно, в этом случае сработает мультивибратор времени ожидания — от электростатического заряда вашего тела. Повторите те же эксперименты, но включив миллиамперметр на коллекторную цепь транзистора V2. При подаче управляющего сигнала ток коллектора этого транзистора должен резко упасть почти до нуля, а затем так же резко возрасти до значения тока открытого транзистора. Это тоже импульс тока, но отрицательной полярности. Каков принцип действия ждущего мультивибратора? В таком мультивибраторе соединение коллектора транзистора V2 с базой транзистора V1 не емкостное, как в автоколебательном, а резистивное — через резистор R3. На базе транзистора V2 через резистор R2 отрицательное напряжение смещения открывает свое отрицательное напряжение. Транзистор V1 надежно закрывается положительным напряжением элемента G1 на его базе. Такое состояние транзисторов очень стабильное. В таком состоянии они могут успеть. Но на базе транзистора V1 появился импульс напряжения отрицательной полярности. С этого момента транзисторы переходят в режим нестабильного состояния. Под действием входного сигнала транзистор V1 открывается, и переменное напряжение на его коллекторе через конденсатор С1 закрывает транзистор V2.В этом состоянии транзисторы имеют длину, равную конденсатору C1 (через резистор R2 и открытый транзистор V1, сопротивления которого в данный момент недостаточно). Как только конденсатор разрядится, транзистор V2 сразу откроется, а транзистор V1 закроется. С этого момента мультивибратор снова оказывается в исходном стабильном режиме ожидания. Таким образом, стоячий мультивибратор имеет одно стабильное и одно нестабильное состояние. . В нестабильном состоянии генерирует один прямоугольный импульс Ток (напряжение), продолжительность которого зависит от емкости конденсатора С1.Чем больше емкость этого конденсатора, тем больше длительность импульса. Например, при емкости конденсатора 50 мкФ мультивибратор генерирует импульс тока длительностью около 1,5 с, а при емкости конденсатора 150 мкФ — в три раза больше, чем в три раза. Через дополнительные конденсаторы — положительные импульсы напряжения могут быть сняты с выхода 1, а отрицательные — с выхода 2. Может ли только отрицательный импульс напряжения, поданный в базу данных транзистора V1, вывести мультивибратор из режима ожидания? Нет, не только.Это можно сделать и подачей импульса напряжения положительной полярности, но на базу данных транзистора V2. Итак, осталось экспериментально проверить, как на емкость конденсатора С1 влияет длительность импульса и возможность управления ожидающим мультивибратором импульсами положительного напряжения. Как можно практически использовать ожидающий мультивибратор? Иначе. Например, для преобразования синусоидального напряжения в импульсы напряжения (или тока) прямоугольной формы той же частоты или включения на некоторое время другого устройства путем подачи на вход стоящего мультивибратора кратковременного электрического сигнала.Как еще? Считать!
Мультивибратор в генераторах и электронных переключателях
Электронный звонок. Мультивибратор можно применить для вызова квартиры, заменив им обычные электрические. Возможна сборка по схеме, изображенной на (рис. 4). Транзисторы V1 и V2 работают в симметричном мультивибраторе, генерирующем колебания с частотой около 1000 Гц, а транзистор V3 находится в усилителе мощности этих колебаний. Усиленные колебания преобразуются динамической головкой B1 в звуковые колебания.Если вы используете для разговора абонентский громкоговоритель, включая первичную обмотку его трансформаторного трансформатора В коллекторной цепи транзистора V3, его корпус поместит всю электронику вызова, установленную на плате. Также будет силовой аккумулятор.
Электронный звонок можно установить в коридоре и подключить его двумя проводами с помощью кнопки S1. При нажатии на кнопку — в динамической голове появится звук. Поскольку питание на устройстве подается только во время звонков, двух последовательно подключенных аккумуляторов по 3336л или «короны» хватит на несколько месяцев разговора.Желаемую тональность звука устанавливаем заменой конденсаторов С1 и С2 на конденсаторы других емкостей. Мультивибратор, собранный по такой же схеме, можно использовать для изучения и тренировки на слух телеграфного алфавита — азбуки Морзе. В этом случае вам нужно только заменить кнопку на телеграфный ключ.
Электронный переключатель. Это устройство, схема которого показана на (Рис. 5), может использоваться для переключения двух рождественских гирлянд, питающихся от сети переменного тока.Сам электронный переключатель может питаться от двух батарей 3336 л, соединенных последовательно, или от выпрямителя, который будет обеспечивать постоянное выходное давление 9 — 12 В.
Схема переключателя очень похожа на схему электронного вызова. Но емкости конденсаторов С1 и С2 переключателя во много раз больше, чем емкости аналогичных вызывных конденсаторов. Мультивибратор переключателя, в котором работают транзисторы V1 и V2, генерирует колебания с частотой около 0,4 Гц, а нагрузкой его усилителя мощности (транзистора V3) является обмотка электромагнитного реле К1.Реле имеет одну пару контактных пластин, работающих на переключение. Подойдет, например, Реле РЭС — 10 (паспорт РС4.524.302) или другое электромагнитное реле, надежно срабатывающее от напряжения 6-8 В при токе 20-50 мА. При включении питания транзисторы V1 и V2 мультивибратора поочередно открываются и закрываются, генерируя прямоугольные сигналы. Когда транзистор V2 открыт, отрицательное напряжение питания через резистор R4 и этот транзистор подается в базу данных транзисторов V3, вводя его в состояние насыщения.В этом случае сопротивление секции Эмиттера — коллектора транзистора V3 уменьшается до нескольких Ом и почти все напряжение источника питания поступает на обмотку реле переключателя — реле срабатывает и его контакты соединяют одну из гирлянд. в сеть. При закрытии транзистора V2 цепь питания транзистора V3 разрывается, и он также замкнут, ток через обмотку реле не течет. В это время реле отпускает якорь и его контакты, переключаясь, подключают к Интернету вторую новогоднюю гирлянду.Если вы хотите изменить время переключения гирлянд, то замените конденсаторы С1 и С2 на конденсаторы других емкостей. Данные резисторы R2 и R3 оставляем прежними, иначе режим работы транзисторов постоянного тока нарушится. Усилитель мощности, аналогичный усилителю на транзисторе V3, может быть включен в эмиттерную цепь мультивибраторного транзистора V1. При этом электромагнитные реле (в том числе самодельные) могут иметь не переключающиеся контактные группы, но нормально разомкнутые или нормально замкнутые.Контакты реле одного из ключей мультивибратора будут периодически замыкаться и размывать цепь питания одной гирлянды, а контакты реле другого ключа мультивибратора — цепь питания второй гирлянды. Электронный выключатель можно установить на карту из гетйнака или другого изоляционного материала и вместе с аккумулятором поместить в ящик из фанеры. Во время работы коммутатор потребляет ток не более 30 мА, поэтому энергии двух аккумуляторов 3336л или «Крона» вполне хватит на все новогодние праздники.Аналогичный переключатель можно использовать и для других целей. Например, для подсветки масок, аттракционов. Представьте себе фанерную фанеру и раскрашенную фигурку героя сказки «Кот в сапогах». За прозрачным глазком видны лампочки от карманного фонаря, переключаемые электронным выключателем, а на самой фигурке — кнопка. Стоит нажать на кнопку, как кот сразу начнет вам подмигивать. Но разве нельзя использовать выключатель для электрификации некоторых моделей, например, модели маяка? В этом случае в коллекторную цепь транзистора усилителя мощности вместо электромагнитного реле включают малогабаритную лампочку накаливания, рассчитанную на небольшой ток газа, который будет имитироваться маячными вспышками.Если такой переключатель дополнить тумблером, с помощью которого на выходном транзисторе можно попеременно включать две такие лампочки, то это может быть указатель поворотов вашего велосипеда.
Метроном — это своего рода часы, которые позволяют звуковым сигналам отсчитывать равные периоды времени с точностью до секунды. Такие инструменты используются, например, для формирования чувства такта при разучивании музыкального письма, во время первых тренировок по передаче сигналов с телеграфным алфавитом.Схему одного из этих устройств вы видите на (рис. 6).
Это тоже мультивибратор, но несимметричный. В таком мультивибраторе используются транзисторы разной структуры: VL — N — P — N (MP35 — MP38), V2 — P — N — P (MP39 — MP42). Это позволило сократить общее количество деталей мультивибратора. Принцип его работы остался прежним — генерация возникает за счет положительной обратной связи между выходом и входом двухкаскадного усилителя 3h; Связь осуществляется электролитическим конденсатором С1.Нагрузка мультивибратора представляет собой малогабаритную динамическую головку В1 со звуковой катушкой с сопротивлением 4-10 Ом, например 0,1гд — 6, 1ГД — 8 (или телефонные колпачки), создающую звуки при кратковременных импульсах тока, похоже на клики. Частоту следования импульсов можно регулировать с помощью переменного резистора R1 примерно от 20 до 300 импульсов в минуту. Резистор R2 ограничивает базовый ток первого транзистора при нахождении двигателя резистора R1 в крайнем нижнем (по схеме) положении, соответствующем наибольшей частоте генерируемых колебаний.Метроном может питаться от одной батареи 3336л или трех последовательно соединенных элементов 332. Потребляемый ими ток от аккумулятора не превышает 10 мА. Переменный резистор R1 должен иметь шкалу, разделенную механическим метрономом. С его помощью простым поворотом ручки резистора можно установить нужную частоту звуковых сигналов метронома.
Практическая работа
В качестве практической работы советую собрать схемы мультивибраторов, представленные на чертежах урока, которые помогут понять принцип работы мультивибратора.Далее предлагаю собрать очень интересный и полезный в быту «имитатор Симола», основанный на мультивибраторах, который можно использовать как дверной звонок. Схема очень простая, надежная, работает сразу при отсутствии ошибок при установке и использовании хороших радиоэлементов. Меня использовали как дверной звонок 18 лет. И по сей день. Нетрудно догадаться, что я его собрал — когда, как и вы, был начинающим радиолюбителем.
Мультивибраторы стоячие После прихода короткого триггерного импульса формируют один выходной импульс.Они относятся к моностабильным устройствам класса и имеют одно долгосрочное стабильное и одно квазиустойчивое состояние равновесия. Схема простейшего стоячего мультивибратора на биполярных транзисторах, имеющих одну резистивную и одну емкостную связи коллектор-основная, показана на рис. 8. Благодаря соединительной базе Вт. 2 с источником напряжения питания + E. — R B2 В цепи базы отводится разрядный ток, достаточный для насыщения этого транзистора.При этом выходное напряжение, снятое с коллектора Вт., 2 близко к нулю. Транзистор Вт. 1 Расположен по отрицательному напряжению, полученному в результате разделения напряжения источника смещения — E. См. Делитель R. B1. R. с. Таким образом, после включения источников питания определяется состояние схемы. В этом состоянии конденсатор ИЗ 1 заряжен до напряжения источника + Е. (плюс слева, минус на правой лампе).
Фиг.8. Ожидание мультивибратора на транзисторах
В этом состоянии время ожидания мультивибратора может быть сколь угодно долго до прихода запускающего импульса. Положительный запускающий импульс (рис. 9) Обнаруживает транзистор Вт. 1, что приводит к увеличению тока коллектора и уменьшению потенциала коллектора этого транзистора. Отрицательное приращение потенциала через конденсатор ИЗ 1 передается в базу данных Вт. 2, выводит этот транзистор из насыщения и вызывает его переход в активный режим.Коллекторный ток транзистора уменьшается, напряжение на коллекторе получает положительное приращение, которое с коллектора Вт. 2 через резистор R. C передается в базу данных Вт. 1, вызывая его дальнейшую разблокировку. Для сокращения времени разблокировки Вт. 1 параллель R. c включите ускоряющий конденсатор ОТ UK. Процесс переключения транзисторов лавинообразный и завершается мультивибратором со вторым квазиустойчивым состоянием равновесия.В этом состоянии происходит разряд конденсатора ОТ 1 через резистор R. B2 и богатый транзистор Вт. 1 на питании + эл. Положительно заряженный Обладинг ОТ 1 через богатый транзистор Вт. 1 подключен к общему проводу, а отрицательно заряженный — к базе Вт. 2. Благодаря этому транзистор Вт. 2 удерживается в заблокированное состояние. После разряда ИЗ 1 Базовый потенциал Вт. 2 становится неотрицательным.Это приводит к лавинообразному переключению транзисторов ( Вт. 2 разблокируется, а Вт. 1 заблокировано). Формирование выходного импульса заканчивается. Таким образом, длительность выходного импульса определяется процессом разряда конденсатора ИЗ 1
.
Амплитуда выходного импульса
.
По окончании формирования выходного импульса начинается этап восстановления, во время которого происходит заряд конденсатора ОТ 1 от истока + E. Через резистор R. K1 и эмиттерный переход насыщенного транзистора Вт. 2. Время восстановления
.
Минимальный период повторения, с которым могут следовать запускающие импульсы, равен
.

Рис. 9. Временные диаграммы напряжений на диаграмме ожидания мультивибратора
Операционные усилители
Операционные усилители (OU) Называются высококачественными усилителями постоянного тока (PED), предназначенными для выполнения различных операций на аналоговые сигналы при работе в схеме отрицательной обратной связи.
Усилители постоянного тока
позволяют усиливать медленно меняющиеся сигналы, так как имеют нулевую нижнюю граничную частоту Усиливающая полоса (F H = 0). Соответственно, в таких усилителях (конденсаторах, трансформаторах) нет струйных компонентов, не пропускающих постоянную составляющую сигнала.
На рис. 10, но дано условное обозначение OU. Показанный усилитель имеет один выходной выход (изображен справа) и два входа (показан слева). Знак Δ или> характеризует усиление.Вход, напряжение на котором сдвинуто по фазе на 180 0 относительно выходного напряжения, называется инверт и обозначается знаком инверсии ○, а вход, напряжение на котором совпадает по фазе в выходные дни, — без переворота. . OU усиливает дифференциальное (разностное) напряжение между входами. Операционный усилитель также содержит выводы для подачи питающего напряжения и может содержать полюса частотной коррекции (FC), балансировочные выводы (NC). Для облегчения понимания назначения выводов и повышения информативности в корпусе допускается вводить одно или два дополнительных поля по обе стороны от основного поля, на которых указываются метки, характеризующие функцию вывода (рис.10, б). В настоящее время операционные усилители выпускаются в виде интегральных микросхем. Это позволяет рассматривать их как отдельные компоненты с определенными параметрами.
Параметры и характеристики OU можно разделить на входные, выходные и характеристики передачи.
Входные параметры.

Рис. 10. Условное обозначение операционного усилителя: А — без дополнительного поля; б — с дополнительным полем; NC — балансировочные выводы; Fc — выводы частотной коррекции; U — выводы напряжения питания; 0В — общий вывод
Характеристики трансмиссии.
Коэффициент усиления по напряжению TO U. (10 3 — 10 6)
,
где U. vx1 , U. wK2. — Напряжения на подъездах ОУ.
Коэффициент простой передачи TO U. SF
.
Коэффициент ослабления проходящего сигнала TO OS SF
.
Частота единичного усиления F 1 — это частота, на которой коэффициент усиления по напряжению равен единице (единицы — десятки МГц).
Скорость увеличения выходного напряжения V u — это максимально возможная скорость изменения выходного сигнала.
Выходные параметры.
Максимальное выходное напряжение США Макс. Как правило, это напряжение составляет 2-3 напряжения источника питания.
Выходное сопротивление R out (десятки сотен).
Главные цепи на операционном усилителе.
Операционные усилители обычно используются с глубокой отрицательной обратной связью, так как они имеют значительный коэффициент усиления по напряжению.При этом результирующие параметры усилителя зависят от элементов цепи обратной связи.
В зависимости от того, как входной сигнал связан с входным сигналом, различают две основные схемы включения (рис. 11). При подаче входного напряжения на несогласованный ввод (рис. 11, а) коэффициент усиления определяется выражением
. (1)
Такое включение ОУ используется, когда требуется высокое входное сопротивление. Если на схеме рис. 11 убрать сопротивление R 1 и сдвинуть сопротивление R 2, то получится повторитель напряжения ( К мк. = 1), который используется для согласования высокого сопротивления источника сигнала и низкого сопротивления приемника.
Рис. 11. Схемы усилителей на ОУ: А — безвинтовой усилитель; б — инвертирующий усилитель
При подаче входного напряжения на инвертирующий вход (рис. 11, б) коэффициент усиления равен
. (2)
Как видно из выражения (2), при таком включении входное напряжение инвертируется.
В рассмотренных схемах к одному из входов подключено сопротивление R э.Он не влияет на коэффициент усиления и вводится, когда необходимо уменьшить изменения выходного напряжения, вызванные временными или температурными колебаниями входных токов. Сопротивление R e выбрано таким, чтобы эквивалентное сопротивление, подключенное к входам OU, было таким же. Для схем. 10
.
Изменив схему рис. 11, б, можно получить суммирующее устройство (рис. 12, а), в котором
. (3)
При одновременной подаче напряжения на оба входа ОС получается вычитающим устройством (рис.12, б) для которых
. (4)
Это выражение действительно при выполнении условия
.
Рис. 12. Схемы включения ОУ: А — сумматор напряжения; б — вычитающее устройство
Мультивибратор.
Первая схема — простейший мультивибратор. Несмотря на не простоту, сфера его использования очень широка. Ни одно электронное устройство без него не обходится.
На первом рисунке показана его принципиальная схема.
светодиодов используются в качестве нагрузки.Когда мультивибратор работает — светодиоды переключаются.
Для сборки потребуется минимум деталей:
1. Резисторы 500 Ом — 2 штуки
2. Резисторы 10 ком — 2 штуки
3. Электролитический конденсатор 47 мкФ 16 Вольт — 2 штуки
4 .ТРАНЗИСТОР КТ972А — 2 штуки
5. Светодиод — 2 штуки
Транзисторы СТ972А — составные транзисторы то есть в их корпусе два транзистора, и он имеет высокую чувствительность и выдерживает значительный ток без радиатора.
Когда купишь все детали, стрелкой паяльником берись за сборку. Для экспериментов не обязательно делать печатную плату, можно все собрать с насадками. Проведите пальцем, как показано на картинках.
А как применять собранный девайс пусть подскажет свою фантазию! Например, вместо светодиодов можно поставить реле, и это реле коммутирует более мощную нагрузку. Если поменять номиналы резисторов или конденсаторов — изменится частота коммутации.Изменением частоты можно добиться очень интересных эффектов, от писка в динамике до многосекундной паузы ..
Photorele.
А это схема простого фотоейлера. Это устройство может успешно применяться где угодно: для автоматической подсветки лотка DVD, для включения света или для сигнализации о проникновении в темный шкаф. Возможны два варианта схемы. В одном варианте схема активируется светом, а в другом — его отсутствием.
Это работает так: Когда свет светодиода падает на фотодиод, транзистор открывается и светодиод-2 начинает светиться. Триггерный резистор регулируется чувствительностью устройства. В качестве фотодиума можно применить фотодиод от старой шариковой мышки. LED — любой инфракрасный светодиод. Использование инфракрасного фотодиода и светодиода позволит избежать помех от видимого света. В качестве LED-2 подойдет любой светодиод или цепочка из нескольких светодиодов. Можно применить лампу накаливания.А если вместо светодиода поставить электромагнитное реле, то можно управлять мощными лампами накаливания или какими-то механизмами.
На рисунках представлены обе схемы, база (расположение ножек) транзистора и светодиода, а также схема сборки.
При отсутствии фотодиода можно взять старый транзистор MP39 или MP42 и разрезать корпус перед коллектором, например:
Вместо фотодиода на схеме необходимо будет включить pN Transition транзистор.Что именно будет работать лучше — предстоит определить экспериментально.
Усилитель мощности на микросхеме TDA1558Q.
Этот усилитель имеет выходную мощность 2 х 22 Вт и его довольно легко повторить начинающим радиолюбителям. Такую схему вы примените и для самодельных колонок, или для самодельного музыкального центра, который можно сделать из старого MP3-плеера.
Для его сборки потребуется пять деталей:
1. Микросхема — TDA1558Q
2. Конденсатор 0.22 мкФ
3. Конденсатор 0,33 мкФ — 2 штуки
4. Конденсатор электролитический 6800 мкФ на 16 вольт
Микросхема имеет довольно большую выходную мощность и радиатор потребуется для ее охлаждения. Можно применить радиатор от процессора.
Вся сборка может быть установлена без применения печатной платы. Сначала с микросхемы нужно снять выводы 4, 9 и 15. Они не используются. Подсчет выводов идет слева направо, если вы держите его вместе со своими выводами и помечаете.Затем аккуратно расправляйте выводы. Далее снимаем выводы 5, 13 и 14 вверх, все эти выводы подключаем к плюсу питания. Следующий шаг Загните выводы 3, 7 и 11 вниз — это минус питания, или «земля». После этих манипуляций прикрутите микросхему к радиатору с помощью теплопроводной пасты. На чертежах видна установка с разных сторон, но я все же объясню. Выводы 1 и 2 спаяны между собой — это вход правого канала, надо испарить 0.Конденсатор 33 мкФ. Аналогично нужно пройти с выводами 16 и 17. Общий провод на ввод — минус питание или «земля».
Мультивибраторы — это еще одна разновидность генераторов. Генератор представляет собой электронную схему, способную поддерживать сигнал переменного тока на выходе. Он может генерировать прямоугольные, линейные или импульсные сигналы. Для колебаний генератор должен удовлетворять двум условиям Баркгаузена:
Т Коэффициент увеличения контура должен быть немного больше единиц.
Фазовый сдвиг цикла должен составлять 0 или 360 градусов.
Для выполнения обоих условий генератор должен иметь форму усилителя, а часть его выхода должна регенерироваться на входе. Если коэффициент усиления усилителя меньше единицы, схема не будет колебаться, а если больше единицы, схема будет перегружена и будет давать искаженную форму волны. Простой генератор может генерировать синусоидальную волну, но не может генерировать прямоугольную волну. Прямоугольную волну можно сформировать с помощью мультивибратора.
Мультивибратор — это форма генератора с двумя ступенями, благодаря которым мы можем выйти из любого из состояний. По сути, это две схемы усилителя, состоящие из регенеративной обратной связи. В этом случае ни один из транзисторов не выполняется одновременно. При этом проводит только один транзистор, а другой находится в выключенном состоянии. Некоторые схемы имеют определенные состояния; Состояние С. быстрым переходом Его называют коммутационными процессами, при которых происходит быстрое изменение силы тока и напряжения.Этот переключатель называется триггером. Следовательно, мы можем запустить цепочку внутри или снаружи.
Схемы имеют два состояния.
Один из них — это стабильное состояние, в котором цепочка остается навсегда без запуска.
Другое состояние нестабильно: в этом состоянии схема остается в течение ограниченного периода времени без какого-либо внешнего запуска и переключается в другое состояние. Следовательно, использование мультиплексоров осуществляется в двух состояниях цепочки, таких как таймеры и триггеры.
Неустойчивый мультивибратор на транзисторе
Это свободно работающий генератор, который постоянно переключается между двумя нестабильными состояниями.При отсутствии внешнего сигнала транзисторы поочередно переключаются из состояния останова в состояние насыщения с частотой, определяемой постоянным временем RC цепей связи. Если эти постоянные времени равны (R и C равны), будет генерироваться прямоугольная волна с частотой 1 / 1,4 Rc. Поэтому нестабильный мультивибратор называют генератором импульсов или генератором прямоугольных импульсов. Чем больше значение базовой нагрузки R2 и R3 по отношению к нагрузке коллектора R1 и R4, тем больше коэффициент усиления по току и резче будет фронт сигнала.
Основной принцип работы нестабильного мультивибратора — небольшое изменение электрических свойств или характеристик транзистора. Эта разница приводит к тому, что один транзистор включается быстрее другого при первой подаче питания, что вызывает колебания.
Описание схемы
нестабильный мультивибратор состоит из двух кросс-линейных соединений RC-усилителей.
Схема имеет два нестабильных состояния
Когда V1 = low и v2 = high, то Q1 вкл и Q2 выключен
Когда V1 = High и V2 = Low, Q1 Off.и Q2 вкл.
В этом случае R1 = R4, R2 = R3, R1 должно быть больше R2
C1 = C2.
При первом включении цепи ни один из транзисторов не включается.
Базовое напряжение обоих транзисторов начинает расти. Любой из транзисторов включается первым из-за разницы в легировании и электрических характеристиках транзистора.
Рис.1: Принципиальная схема транзисторного нестабильного мультивибратора
Мы не можем сказать, какой транзистор используется первым, поэтому мы предполагаем, что Q1 выполняется первым, а Q2 выключен (C2 полностью заряжен).
Q1, а Q2 отключен, следовательно, VC1 = 0 В, как весь ток на Землю из-за короткого замыкания Q1, и VC2 = VCC, так как все напряжение на VC2 падает из-за разрыва цепи TR2 (равно напряжению питания).
из-за высокого напряжения VC2 КОНДЕР C2 начинает заряжаться через Q1 через R4, а C1 начинает заряжаться через R2 через Q1. Время, необходимое для зарядки C1 (T1 = R2C1), больше, чем время, необходимое для зарядки C2 (T2 = R4C2).
Поскольку правая пластина C1 подключена к базе Q2 и заряжается, это означает, что эта пластина имеет высокий потенциал, и когда он превышает напряжение 0.65 В, он включает Q2.
Поскольку C2 полностью заряжен, его левая пластина имеет напряжение -VCC или -5V и подключена к базе Q1. Следовательно, отключает Q2
TR Теперь TR1 выключен, а Q2 тратит, следовательно, VC1 = 5 В и VC2 = 0 В. Левая пластина C1 ранее находилась под напряжением -0,65 В, которое начинает подниматься до 5 В и подключается к коллектору Q1. C1 сначала разряжается от 0 до 0,65 В, а затем начинает заряжаться через R1 через Q2. Во время зарядки правая пластина C1 имеет низкий потенциал, который отключает Q2.
Правая пластина С2 подключается к коллектору Q2 и предварительному включению + 5В. Таким образом, C2 сначала разряжается с 5 В до 0 В, а затем начинает заряжаться через сопротивление R3. Левая пластина C2 во время зарядки находится под высоким потенциалом, который включает Q1 при достижении напряжения 0,65 В.
Рис.2: Принципиальная схема транзисторного нестабильного мультивибратора
Сейчас Q1 тратит, а Q2 выключен. Вышеупомянутая последовательность повторяется, и мы получаем сигнал на обоих коллекторах транзистора, который не совпадает по фазе друг с другом.Чтобы получить идеальную прямоугольную волну любым коллектором транзистора, примем за сопротивление резервуара транзистора сопротивление базы, то есть (R1 = R4), (R2 = R3), а также такое же конденсатора, что и делает нашу схему симметричной. Следовательно, рабочий цикл для выходного сигнала низкого и высокого значения такой же, как при генерации прямоугольной волны.
Константа Постоянная времени формы сигнала зависит от сопротивления базы и резервуара транзистора. Мы можем вычислить его временной период по формуле: постоянная времени = 0.693rc
Принцип работы мультивибратора на видео с пояснением
В этом видеоуроке канала ТВ паяльник покажет, как между собой соединяются элементы электрической схемы, и познакомится с процессами, происходящими в ней. Первая схема, на основе которой будет рассмотрен принцип работы, — это схема мультивибратора на транзисторах. Схема может находиться в одном из двух состояний и периодически переходить из одного в другое.
Анализ 2-х состояний мультивибратора.
Все, что мы сейчас видим, — это два попеременно мигающих светодиода. Почему это происходит? Рассмотрим первое состояние .
Первый транзистор VT1 закрыт, а второй транзистор полностью открыт и не препятствует протеканию тока коллектора. Транзистор в этот момент находится в режиме насыщения, что снижает падение напряжения на нем. И поэтому правый светодиод полон энергии. Конденсатор С1 в первый раз разряжен, и ток на базе транзистора VT2 беспрепятственно открывался полностью.Но через мгновение конденсатор начинает быстро заряжать основной ток второго транзистора через резистор R1. После того, как он полностью зарядится (а что известно, полностью заряженный конденсатор не пропускает ток), то транзистор VT2 закрывается и светодиод гаснет.
Напряжение на конденсаторе C1 равно произведению тока базы на резистор R2. Мы возвращаемся в прошлое. Пока транзистор VT2 был открыт и правый светодиод горел, конденсатор C2, заряженный ранее в предыдущем состоянии, начинает медленно разряжаться через открытый транзистор VT2 и резистор R3.Пока он не разрядился, напряжение базы VT1 будет отрицательным, что полностью запирает транзистор. Первый светодиод не горит. Получается, что к моменту затухания второго светодиода конденсатор С2 успевает разрядиться и оказывается готовым пропустить ток в базу первого транзистора VT1. К тому времени, когда перестанет гореть второй светодиод, загорится первый светодиод.
НО во втором состоянии Бывает все так же, но наоборот транзистор VT1 открыт, VT2 закрыт.Переход в другое состояние происходит при разряде конденсатора С2, напряжение на нем снижается. Полностью опустившись, он начинает заряжаться в обратном направлении. Когда напряжение на переходной базе транзистора VT1 достигнет напряжения, достаточного для его открытия, около 0,7 В, этот транзистор начнет открываться и первый светодиод включится.
Обратимся к схеме еще раз.
Через резисторы R1 и R4 идет заряд конденсаторов, а через R3 и R2 — разряд.Резисторы R1 и R4 ограничивают ток первого и второго светодиода. От их сопротивления зависит не только яркость свечения светодиодов. Они также определяют время зарядки конденсаторов. Сопротивление R1 и R4 выбрано намного меньше, чем R2 и R3, чтобы заряд конденсаторов происходил быстрее, чем их разряд. Мультивибратор используется для создания прямоугольных импульсов, которые снимаются с коллектора транзистора. В этом случае нагрузка подключается параллельно одному из коллекторных резисторов R1 или R4.
На графике показаны прямоугольные импульсы, генерируемые этой схемой. Одна из областей называется фронтом импульса. Фронт имеет наклон, и чем больше будет время зарядки конденсаторов, тем больше будет.

Если в мультивибраторе используются одинаковые транзисторы, конденсаторы одного контейнера, а резисторы имеют симметричное сопротивление, то такой мультивибратор называется симметричным. У него одинаковая длительность импульса и паузы. А если есть отличия в параметрах, мультивибратор будет несимметричным.Когда мы подключаем мультивибратор к источнику питания, в первый момент времени оба конденсатора разряжены, что означает, что ток обоих конденсаторов получит ток и появится неопознанный режим работы, при котором должен быть только один из транзисторов. быть открытыми. Поскольку эти элементы схемы имеют некоторые погрешности номинала и параметров, первым откроется один из транзисторов и запустится мультивибратор.
Если вы хотите смоделировать эту схему в программе Multisim, то необходимо выставить номиналы резисторов R2 и R3 так, чтобы их сопротивления отличались хотя бы на десятую часть Ом.То же самое проделайте с емкостной емкостью, иначе мультивибратор может не запуститься. При практической реализации данной схемы рекомендую осуществлять блок питания от 3 до 10 вольт, а параметры самих элементов сейчас вы узнаете. При условии использования транзистора CT315. Резисторы R1 и R4 не влияют на частоту импульсов. В нашем случае они ограничивают ток светодиода. Сопротивления резисторов R1 и R4 можно принять от 300 Ом до 1. Сопротивления резисторов R2 и R3 от 15 кОм до 200 кОм.Емкость от 10 до 100 мкФ. Представим таблицу со значениями сопротивлений и емкостей, в которой дана примерная ожидаемая частота импульсов. То есть для получения импульса длительностью 7 секунд, то есть длительностью свечения одного светодиода, равной 7 секундам, нужно использовать резисторы R2 и R3 сопротивлением 100 кОм и конденсатор емкостью 100 мкФ.
Выход.
Текущими элементами этой цепи являются резисторы R2, R3 и конденсаторы C1 и C2.Чем меньше их номинал, тем чаще будут переключаться транзисторы, и тем чаще будут светиться светодиоды.
Мультивибратор может быть реализован не только на транзисторах, но и на базе микросхемы. Оставляйте свои комментарии, не забудьте подписаться на «ТВ паяльник» на YouTube, чтобы не пропустить новые интересные видео.
Еще интересное про радиопередатчик.
Схема чувствительного металлоискателя на мощных транзисторах.Металлоискатель простой транзисторный
Этот металлоискатель способен обнаруживать: большие металлические предметы (железное ведро, крышка люка, водопровод) на глубине до одного метра, а также мелкие предметы (монеты или винты) на глубине 15- 20 см.
Устройство построено на основе самых распространенных запчастей, которые есть в наличии у любого радиолюбителя. Металлоискатель выполнен по хорошо известному и широко используемому принципу биения частот двух высокочастотных генераторов… Частота одного из них (опорная) постоянна, а частота второго (поискового) изменяется под воздействием внешних металлических предметов, изменяющих индуктивность его катушки при входе в зону его действия.
Принципиальная схема
Принципиальная схема металлоискателя представлена на рис. 1. Опорный генератор выполнен на транзисторе VT1. Его частота колебаний определяется параметрами контура L1C3 и составляет около 1 МГц.
Поисковый генератор выполнен на транзисторе VT2, он же генерирует сигнал примерно такой же частоты.Разница в том, что в схеме опорного генератора используется небольшая катушка с ферритовым сердечником.
Рис 1. Принципиальная схема простого самодельного металлоискателя.
Следовательно, внешние металлические предметы практически не оказывают существенного влияния на его индуктивность.
Катушка шлейфа поискового генератора намотана на большую рамку в виде рамки. У него нет ядра. В результате его индуктивность сильно изменяется при приближении к металлическому объекту, который в этом случае начинает работать как движущийся сердечник.
Сигналы от обоих генераторов поступают на диодный смеситель на диоде VD1. В результате получается произведение вычитания частот генераторов на конденсаторе С12.
Чем ближе значения этих частот, тем ниже звуковой тон на этом конденсаторе и чем больше различаются частоты генераторов, тем выше звуковой тон в динамике B1, который принимает сигнал (произведение диодный смеситель).
Сигнал проходит через усилитель низкой частоты на транзисторах ѴТЗ-Т6.
С переменным конденсатором C7 поисковый генератор можно настроить так, чтобы при отсутствии металлических предметов поблизости звук в динамике был самым низким.
Затем, когда катушка L2 приближается к металлу, частота генератора на ѴT2 начинает изменяться. Разница частот между генераторами увеличивается, а значит тон в динамике будет нарастать. При точном расположении металла звук превратится в пронзительный писк.
Детали и конструкция
Катушка
L1 должна быть намотана на ферритовом сердечнике диаметром 8 мм, например, от магнитной антенны радиоприемника.Длина штанги уменьшена до 30 мм.
Сначала на штангу надеть каркас — гильзу, склеенную из ватмана, которая движется по ней с некоторым трением.
Катушка L1 должна содержать 110 витков провода ПЭВ диаметром 0,2-0,3 мм. Ответвление необходимо сделать от 16-го витка, считая от коллектора VT1.
Поисковая катушка
L2. Его нужно наматывать на каркас, который представляет собой каркас размером 120 х 220 мм, сделанный из оргстекла, пластика или дерева.
Обмотку проводить проводом ПЭВ диаметром 0.4 х 0,6 мм. Катушка должна содержать 45 витков, отводимых от 10-го, считая от коллектора VT2.
Катушка должна быть подключена к основному блоку трехжильным экранированным проводом. Змеевик должен быть расположен примерно в 1 метре от основного блока (закреплен на алюминиевой трубе или деревянной рейке).
Сам прибор (основной блок, содержащий генератор на VT1 и ультразвуковой преобразователь частоты с динамиком и аккумулятором) может быть установлен в корпусе от радиоприемника. От этого же ресивера рекомендуется использовать:
динамик;
Конденсатор переменной емкости
;
катушечный стержень L1.
Дизайн может быть разным, все зависит от возможностей и желаний.
Конденсатор C7 может быть минимальной емкостью не более 10 пФ, а максимальной — не менее 150 пФ.
Транзисторы
КТ315 можно заменить на КТ3102 или КТ312, КТ316. Транзисторы MP35 можно заменить на MP35-MP38, а транзисторы MP39 — на MP39-MP42.
Диоды D9 — с любой буквой, либо D2, D18, GD507. Динамик — любое сопротивление от 4 Ом до 100 Ом, например, динамик от радиоприемника или наушников.Аккумулятор 9 В, можно использовать крону или подходящий аккумулятор.
Внимание: Питание от сети 220 В нежелательно, так как это вызывает фон переменного тока и чувствительность устройства в целом снижается.
Настройка

Настройка заключается в настройке катушки L1 таким образом, чтобы при нахождении ротора конденсатора С7 в среднем положении и при отсутствии в динамике внешних металлических предметов был слышен звук самого низкого тона.
В дальнейшем при работе регулировку перед запуском поиска будет производить конденсатор С7.
При отсутствии колебаний от генератора на VT1 необходимо выбрать номинал C4 и / или настроить каскадный режим работы, выбрав номинал R2. Если генератор на VT2 не возбуждается, нужно отрегулировать С8 и отрегулировать режим работы транзистора, подобрав значение R6.
Устройство очень чувствительно и требует определенных навыков для работы с ним.Так что вам нужно практиковаться.
При работе важно учитывать, что при приближении к черным металлам (чугун, сталь, чугун) частота генератора на VT2 уменьшается, а при приближении к цветным металлам — увеличивается.
С наступлением весны все больше людей с металлоискателями можно встретить на берегах рек. Большинство из них занимается «добычей золота» исключительно из любопытства и азарта. Но определенный процент действительно зарабатывает много денег на поиске редких вещей.Секрет успеха таких исследований не только в опыте, информации и интуиции, но и в качестве оборудования, которым они оснащены. Профессиональный инструмент стоит дорого, и если у вас есть азы знаний по радиомеханике, вы наверняка не раз задумывались, как сделать металлоискатель своими руками. Редакция сайта придет к вам на помощь и расскажет сегодня, как самостоятельно собрать устройство по схемам.
Читайте в статье:

Металлоискатель и его прибор

Такая модель стоит более 32000 рублей, и, конечно, непрофессионалам такой прибор будет недоступен.Поэтому предлагаем изучить устройство металлоискателя, чтобы самому собрать вариацию такого устройства. Итак, простейший металлоискатель состоит из следующих элементов.

Принцип работы таких металлоискателей основан на передаче и приеме электромагнитных волн. Основными элементами устройства этого типа являются две катушки: одна передающая, а другая принимающая.

Металлоискатель работает следующим образом: красные линии магнитного поля первичного поля (A) проходят через металлический объект (B) и создают в нем вторичное поле (зеленые линии).Это вторичное поле улавливается приемником, и детектор отправляет звуковой сигнал оператору. По принципу действия излучателей электронные устройства этого типа можно разделить на:
Простые, работающие по принципу «прием-передача».
Индукция.
Импульс.
Генератор.
Самые дешевые аппараты — первого типа.

Индукционный металлоискатель имеет одну катушку, которая одновременно отправляет и принимает сигнал.Но устройства с импульсной индукцией отличаются тем, что они генерируют ток передатчика, который на некоторое время включается, а затем резко выключается. Поле катушки генерирует импульсные вихревые токи в объекте, которые обнаруживаются путем анализа затухания импульса, наведенного в катушке приемника. Этот цикл повторяется непрерывно, возможно, сотни тысяч раз в секунду.
Принцип работы металлоискателя в зависимости от назначения и технического устройства
Принцип работы металлоискателя различается в зависимости от типа устройства.Рассмотрим основные:
Устройства динамического типа … Самый простой тип устройства, непрерывно сканирующего поле. Основная особенность работы с таким устройством — необходимо все время находиться в движении, иначе пропадет сигнал. Такие устройства удобны в использовании, однако они слабо чувствительны.
Устройства импульсного типа. Они обладают большой чувствительностью. Часто к такому устройству бывает несколько дополнительных катушек для настройки под разные виды грунтов и металлов.Требуются определенные навыки для настройки. Среди устройств этого класса можно выделить электронные устройства, работающие на низкой частоте — не выше 3 кГц.

Электронные устройства , с одной стороны, не дают реакции (или дают слабую) на нежелательные сигналы: мокрый песок, мелкие кусочки металла, дробь, например, а, с другой стороны, обеспечивают хорошая чувствительность при поиске скрытых водопроводов и линий центрального отопления, а также монет и других металлических предметов.
Детекторы глубины заточены для поиска объектов, находящихся на внушительной глубине. Они могут обнаруживать металлические предметы на глубине до 6 метров, в то время как другие модели «пробивают» только до 3. Например, детектор глубины Jeohunter 3D способен искать и обнаруживать пустоты и металлы, одновременно показывая объекты, обнаруженные в земле, через 3 метра. — габаритная форма.

Детекторы глубины работают на двух катушках, одна параллельна поверхности земли, другая перпендикулярна.
Извещатели стационарные — это каркас, устанавливаемый на особо важных охраняемых объектах. Они просчитывают любые металлические предметы в сумках и карманах людей, проходящих по цепи.

Какие металлоискатели подходят для изготовления своими руками в домашних условиях
Самыми простыми устройствами, которые вы можете собрать самостоятельно, являются устройства, работающие по принципу прием-передача. Есть схемы, с которыми справится даже начинающий радиолюбитель, для этого нужно просто подобрать определенный набор деталей.

В Интернете есть множество видеоинструкций с подробным объяснением, как сделать простой металлоискатель своими руками. Вот самые популярные:
Металлоискатель «Пират».
Металлоискатель — бабочка.
Излучатель без микросхем (ИС).
Серия металлоискателей «Терминатор».
Однако, несмотря на то, что некоторые артисты пытаются предложить системы для сборки металлоискателя из телефона, подобные конструкции не пройдут «боевого» испытания.Проще купить детскую игрушку металлоискатель, толку будет больше.

А теперь подробнее о том, как сделать простой металлоискатель своими руками на примере конструкции Пират.
Самодельный металлоискатель «Пират»: схема и подробное описание сборки
Самодельные изделия на базе металлоискателя серии «Пират» являются одними из самых популярных среди радиолюбителей. Благодаря хорошим рабочим качествам прибора, он может «обнаруживать» объект на глубине от 200 мм (для мелких предметов) и 1500 мм (для крупных предметов).
Детали для сборки металлоискателя
Металлоискатель «Пират» — прибор импульсного типа. Для изготовления устройства необходимо приобрести:
Материалы для изготовления корпуса, стержень (можно использовать пластиковую трубу), держатель и т. Д.
Проволока и изолента.
Наушники (подходят от плеера).
Транзисторы — 3 штуки: ВС557, IRF740, ВС547.
Микросхемы: К157УД2 и НЭ
Конденсатор керамический — 1 нФ.
2 пленочных конденсатора — 100 нФ.
Электролитические конденсаторы: 10 мкФ (16 В) — 2 шт., 2200 мкФ (16 В) — 1 шт., 1 мкФ (16 В) — 2 шт., 220 мкФ (16 В) — 1 шт.
Резисторы — 7 штук по 1; 1,6; 47; 62; 100; 120; 470 кОм и 6 штук на 10, 100, 150, 220, 470, 390 Ом, 2 штуки на 2 Ом.
2 диода 1N148.
Схемы металлоискателя своими руками
Классическая схема металлоискателя серии Pirate построена на микросхеме NE555.Работа устройства зависит от компаратора, один выход которого подключен к генератору импульсов IC, второй — к катушке, а выход — к динамику. При обнаружении металлических предметов сигнал с катушки поступает на компаратор, а затем на динамик, который уведомляет оператора о наличии искомых предметов.

Плату можно поместить в простую распределительную коробку, которую можно приобрести в магазине электротоваров. Если такого инструмента вам мало, вы можете попробовать изготовить прибор более совершенной конструкции, чтобы помочь вам схемой изготовления металлоискателя с привязкой к золоту.

Как собрать металлоискатель без использования микросхем
В этом приборе для генерации сигналов используются транзисторы КТ-361 и КТ-315 советского образца (можно использовать аналогичные радиодетали).
Как собрать своими руками печатную плату металлоискателя
Генератор импульсов собран на микросхеме NE555. Частота регулируется путем выбора C1 и 2 и R2 и 3. Импульсы, полученные в результате сканирования, передаются на транзистор Т1, а он передает сигнал на транзистор Т2.Усиление звуковой частоты происходит на транзисторе BC547 на коллектор, и подключаются наушники.

Для размещения радиодеталей используется печатная плата, которую легко изготовить своими руками. Для этого используем кусок листового гетинакса, покрытый медной электроизоляционной фольгой. Переносим на него соединительные детали, размечаем точки крепления, просверливаем отверстия. Дорожки покрываем защитным лаком, а после высыхания опускаем будущую плату в хлорное железо для травления.Это необходимо для удаления незащищенных участков медной фольги.
Как сделать катушку для металлоискателя своими руками
Для основы понадобится кольцо диаметром около 200 мм (в качестве основы можно использовать обычные деревянные обручи), на котором проволока 0,5 мм намотано. Для увеличения глубины обнаружения металла рамка катушки должна быть в пределах 260-270 мм, а количество витков должно быть 21-22 об. Если под рукой нет ничего подходящего, можно намотать катушку на деревянную основу.
Катушка из медной проволоки на деревянном основании
Рисунок Действия Описание

Подготовьте доску с направляющими для намотки. Расстояние между ними равно диаметру основания, на котором вы будете устанавливать катушку.
Оберните провод по периметру крепежа на 20-30 витков. Закрепите обмотку изолентой в нескольких местах.

Снимите обмотку с основания и придайте ей округлую форму, при необходимости закрепите обмотку дополнительно еще в нескольких местах.
Подключите цепь к устройству и проверьте его работу.
Катушка витая пара за 5 минут
Нам понадобится: 1 витая пара 5 кат 24 AVG (2,5 мм), нож, паяльник, припой и мультитестер.
Краткая инструкция по настройке металлоискателя «Пират» своими руками
После того, как основные элементы металлоискателя готовы, приступаем к сборке. К стержню металлоискателя прикрепляем все узлы: корпус с катушкой, приемопередающий блок и ручку.Если вы все сделали правильно, то дополнительных манипуляций с устройством не потребуется, так как оно изначально имеет максимальную чувствительность. Более точная настройка производится с помощью переменного резистора R13. Нормальная работа извещателя должна быть обеспечена при среднем положении регулятора. Если у вас есть осциллограф, то с его помощью на затворе транзистора Т2 нужно измерить частоту, которая должна быть 120-150 Гц, а длительность импульса — 130-150 мкс.
Можно ли сделать подводный металлоискатель своими руками?
Принцип сборки подводного металлоискателя ничем не отличается от обычного, с той лишь разницей, что придется потрудиться над созданием непробиваемой оболочки с помощью герметика, а также над размещением специальных световых индикаторов, которые могут сообщить о находке. из-под воды.Пример того, как это будет работать на видео:
Металлоискатель «Терминатор 3» своими руками: подробная схема и видео инструкция по сборке
Металлоискатель «Терминатор 3» занял почетное место в рядах отечественных. Металлоискатели изготавливаются уже много лет. Двухтональный прибор работает по принципу индукционного баланса.

Его основные характеристики: низкое энергопотребление, распознавание металлов, режим цветных металлов, режим только золота и очень хорошие характеристики глубины поиска по сравнению с полупрофессиональными фирменными металлоискателями.Предлагаем вам максимально подробное описание сборки такого устройства от мастера Виктора Гончарова.
Как сделать своими руками металлоискатель с распознаванием металлов
Дискриминация по металлам — это способность прибора различать обнаруженный материал и классифицировать его. Дискриминация основана на разной электропроводности металлов. Простейшие методы определения типов металлов были реализованы в старых приборах и приборах начального уровня и имели два режима — «все металлы» и «цветные металлы».Функция дискриминации позволяет оператору реагировать на определенную величину фазового сдвига по сравнению с заданным (эталонным) уровнем. При этом прибор не может различить цветные металлы.

Как сделать самодельный профессиональный металлоискатель из подручных средств в этом видео:
Особенности глубинных металлоискателей
Металлоискатели этого типа способны обнаруживать объекты на большой глубине. Хороший самодельный металлоискатель смотрит на глубину до 6 метров.Однако в этом случае размер находки должен быть солидным. Эти детекторы лучше всего подходят для обнаружения старых снарядов или достаточно крупного мусора.

Есть два типа детекторов глубокого металла: на раме и на стреле. Первый тип устройства способен покрывать большую площадь земли для сканирования, однако в этом случае снижается эффективность и целенаправленность поиска. Второй вариант извещателя — точечный, он работает направленным внутрь на небольшом диаметре.Вы должны работать с ним медленно и осторожно. Если ваша цель — построить такой металлоискатель, в следующем видео вы можете увидеть, как это сделать.
Если у вас есть опыт сборки и эксплуатации такого устройства, расскажите об этом другим!
Простая схема металлоискателя

Схема второго варианта металлоискателя
Прислали схему очень простого металлоискателя «Метелик». Состоит из двух генераторов по кт315. Можно использовать другой высокочастотный транзистор.Рабочая частота не более 0,5 МГц (видимо 150-200 кГц). В состоянии покоя генераторы вырабатывают одинаковую частоту. Разница чего дает модуляцию. Добиться этого довольно сложно — синхронная работа генераторов, поэтому отклонение (скорее всего) будет присутствовать постоянно — низкочастотный писк. Но как только рамку антенны поднести к металлическому объекту, частота одного из генераторов изменится (частота уменьшится). Эта разница между двумя осцилляторами будет передана в динамик.Чем ближе к металлу, тем сильнее меняется тон звука. По звуку можно определить металлический предмет в зоне действия металлоискателя. Схема питается от аккумулятора, хватает на 20-30 часов работы. Используются обычные наушники с низким сопротивлением.

Рамка антенны диаметром 15 см, намотка 30 + 10 витков. Количество витков может быть больше, но рамки должны быть такими же. Схема собирается и устанавливается методом «поверхностного монтажа». Его наклеивают на кусок легкого и прочного пластика или картона, но необходимо обработать водостойким лаком.

Сборка деталей
Детали расположены как можно ближе друг от друга. Желательно, чтобы детали генераторов были одинаковыми.

Фотография слесаря.
Конструкция крепится к пластиковой трубе, можно использовать деревянную палку. Возможно, потребуется настроить генераторы. Без осциллографа эта настройка затруднена. Главное, чтобы разница между генераторами в спокойном состоянии была как можно меньше.
Без сомнения могу сказать, что это самый простой металлоискатель, который я когда-либо видел. В его основе всего одна микросхема TDA0161. Вам не нужно ничего программировать — просто соберите и все. Также его огромное отличие в том, что он не издает никаких звуков при работе, в отличие от металлоискателя на микросхеме NE555, который изначально неприятно пищит и о найденном металле нужно угадывать по его тональности.
В этой цепи зуммер начинает пищать только при обнаружении металла.Микросхема TDA0161 — специализированный промышленный вариант для индуктивных датчиков. И на нем в основном строятся металлоискатели для производства, которые подают сигнал при приближении металла к индукционному датчику.
Приобрести такую микросхему можно по цене —
Она не дорогая и вполне доступна каждому.
Вот схема простого металлоискателя
Характеристики металлоискателя
Напряжение питания микросхемы: от 3,5 до 15В
Частота генератора: 8-10 кГц
Потребление тока: 8-12 мА в режиме тревоги .В состоянии поиска примерно 1 мА.
Рабочая температура: от -55 до +100 градусов Цельсия
Металлоискатель не только очень экономичный, но и очень неприхотливый.
Аккумулятор от старого сотового телефона хорошо работает.
Катушка: 140-150 витков. Диаметр катушки 5-6 см. Может быть преобразован в катушку большего диаметра.

Чувствительность напрямую зависит от размера поисковой катушки.
В схеме использую как световую, так и звуковую сигнализацию.Вы можете выбрать один, если хотите. Зуммер с внутренним генератором.
Благодаря такой простой схеме вы можете сделать карманный металлоискатель или большой металлоискатель, что вам больше нужно.
После сборки металлоискатель работает сразу и не требует никаких настроек, кроме установки порога срабатывания переменным резистором. Это стандартная процедура для металлоискателя.
Так что, друзья, соберите нужную вещь и, как говорится, поместится в хозяйстве.Например, для поиска электропроводки в стене, даже гвоздей в бревне …
Простой металлоискатель на транзисторах.
Всем привет кто хочет собрать металлоискатель.
При проведении ремонтно-строительных работ, особенно в старых домах, необходим прибор, с помощью которого можно обнаруживать различные металлические предметы под слоем обоев или в толще стен или потолка. Для поиска вмонтированных в стены водопроводных труб, хаотично уложенных под толстым слоем обоев или в толще штукатурки проводов, а также «сокровищ» и тайников, спрятанных под обоями или досками, подойдет простое устройство, работающее по принципу сравнения двух частот методом биений.
На мой взгляд, это самая простая и проверенная схема в Интернете. Не содержит спорных элементов. В основном эта книга предназначена для начинающих радиолюбителей. Что ж, если все мозги еще не высохли, то можно продолжать.
Принцип работы металлоискателя сводится к тому, что при приближении металлического предмета к катушке индуктивности генератора — основного блока устройства — частота генератора изменяется. Чем ближе объект и чем он крупнее, тем сильнее его влияние на частоту генератора (в нашем случае транзистора).
Принципиальная схема
https://pandia.ru/text/78/360/images/image002_39.jpg «ширина =» 276 «высота =» 155 «>
Маркировка резистора на 100кОм — коричневый , черный , желтый .
Конденсатор
Накапливает заряд энергии
Транзистор
Переключает напряжение.
Его распиновка:

Вот так выглядит схема, собранная на картоне:

Как намотать катушку: Берем 3 литровую банку и 100 метров медной проволоки диаметром 0.3-0,5 мм. Намотаем 20 витков, припаиваем начало обмотки к конденсаторам и делаем выемку, к которой потом припаиваем провод от эмиттера транзистора. Заканчиваем оставшиеся 10 витков и припаиваем к низу схемы как бы к другой катушке.
Как вы уже поняли, здесь 2 катушки, все должно быть симметрично, потому что металлоискатель не будет работать корректно.
Катушки обязательно пропитать строительным лаком и обмотать нитками.

Каждая катушка издает разный звук: когда она ударяется о свой Эл. Магнитное поле металлического одного усиливает скрип, а в другом, наоборот, звук пропадает.
Транзисторы желательно залить воском.
Работает на частоте около 1 МГц.
Глубина: монета-10см, труба-15см, люк-20см. Также ищу цветные металлы.
Фото собранного устройства.

Схема собрана мной и может не работать.
Удачи !!!
Схема цифро-аналогового преобразования и метод коррекции для схемы цифро-аналогового преобразования
Настоящая заявка основана на предыдущей заявке на патент Японии № 2014-023539, поданной 10 февраля 2014 г., и испрашивает преимущество приоритета, все содержание которой включено в настоящий документ посредством ссылки.
Это раскрытие относится к схеме цифро-аналогового преобразования и способу коррекции для схемы цифро-аналогового преобразования.
В уровне техники известна схема цифро-аналогового (Ц / А) преобразования с токовым выходом. Схема цифро-аналогового преобразования включает в себя множество источников тока, которые подают токи, взвешенные в зависимости от двоичных кодов, и схемы переключения, подключенные к источникам тока. Схема цифро-аналогового преобразования включает и выключает каждую из схем переключения в соответствии с цифровыми входными сигналами для вывода тока, соответствующего цифровым входным сигналам.Один пример такой схемы цифро-аналогового преобразования раскрыт в Tao Chen and Georges GE Gielen, «14-битный ЦАП с управлением током 200 МГц с калибровкой после регулировки последовательности переключения», IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 42, НЕТ. 11, НОЯБРЬ 2007.
В схеме цифроаналогового преобразования величины тока источников тока могут по-разному отклоняться от их проектных значений в зависимости от таких факторов, как этапы изготовления и температуры. Изменения вызывают ошибку в выходном токе, которая влияет на характеристики схемы цифро-аналогового преобразования.
Одним из аспектов этого раскрытия является схема цифро-аналогового преобразования. Схема цифро-аналогового преобразования включает в себя множество первых источников тока, которые взвешиваются в зависимости от младших битов цифровых входных сигналов и снабжены первым напряжением смещения и множеством вторых источников тока, которые взвешиваются в зависимости от более высокого порядка. биты цифровых входных сигналов и подается второе напряжение смещения. Схема источника опорного тока сконфигурирована для генерации первого напряжения смещения и второго напряжения смещения на основе первого опорного тока.Выходная схема сконфигурирована для объединения токов от первых источников тока и токов от вторых источников тока в соответствии с цифровыми входными сигналами для генерации выходного тока, при этом токи от первых источников тока и токи от вторых источников тока устанавливаются. по первому опорному току. Схема коррекции сконфигурирована для изменения первого опорного тока, подаваемого в схему источника опорного тока, на второй опорный ток, который меньше первого опорного тока, и регулировки первого напряжения смещения и второго напряжения смещения на основе токов от первого тока. источники и вторые источники тока изменились в соответствии со вторым опорным током.
Дополнительные цели и преимущества изобретения будут частично изложены в нижеследующем описании, а частично будут очевидны из описания или могут быть изучены при практическом использовании изобретения. Цели и преимущества изобретения будут реализованы и достигнуты с помощью элементов и комбинаций, конкретно указанных в прилагаемой формуле изобретения.
Следует понимать, что как предшествующее общее описание, так и последующее подробное описание являются иллюстративными и пояснительными и не ограничивают заявленное изобретение.
Вариант осуществления вместе с его целями и преимуществами можно лучше всего понять, обратившись к нижеследующему описанию предпочтительных в настоящее время вариантов осуществления вместе с прилагаемыми чертежами, на которых:
Фиг. 1A — принципиальная схема, иллюстрирующая схему цифро-аналогового (D / A) преобразования согласно первому варианту осуществления;
РИС. 1B — принципиальная электрическая схема, частично иллюстрирующая схему резистора и схему выбора;
РИС. 2 — принципиальная схема схемы цифроаналогового преобразования по фиг.1А в процессе коррекции;
РИС. 3 — принципиальная схема, иллюстрирующая схему цифро-аналогового преобразования согласно сравнительному примеру;
РИС. 4 — принципиальная схема, иллюстрирующая схему цифро-аналогового преобразования согласно второму варианту осуществления; и
ФИГ. 5 — принципиальная схема схемы цифроаналогового преобразования, показанной на фиг. 4 в процессе коррекции.
Теперь будут описаны различные варианты осуществления со ссылкой на чертежи. Варианты осуществления проиллюстрированы в качестве примера и не ограничиваются сопровождающими фигурами, на которых одинаковые ссылки указывают на аналогичные элементы.Элементы на чертежах проиллюстрированы для простоты и ясности и не обязательно выполнены в масштабе.
Как показано на фиг. 1A, схема 10, цифро-аналогового (D / A) преобразования согласно первому варианту осуществления генерирует выходные токи Io и Iox в соответствии с цифровым входным сигналом Din. Выходные токи Io и Iox изменяются, чтобы дополнять друг друга. Таким образом, выходной ток Iox имеет фазу, противоположную фазе выходного тока Io. В первом варианте осуществления цифровой входной сигнал Din предоставляется как, например, 4-битные цифровые входные сигналы с D 3 по D 0 .Цифровой входной сигнал D 0 соответствует младшему значащему биту (LSB), а цифровой входной сигнал D 3 соответствует старшему значащему биту (MSB).
Схема цифроаналогового преобразования 10 включает в себя схему управления опорным током 11 для управления опорным током Iref. Опорный ток Iref соответствует минимальным величинам изменения выходных токов Io и Iox, изменяющихся в зависимости от цифрового входного сигнала Din. Опорный ток Iref может также называться в дальнейшем единичным током.Схема управления опорным током 11, управляет величиной тока опорного тока Iref на основе сигнала управления коррекцией CN 1 .
Схема источника опорного тока 12 генерирует напряжения смещения VB 1 , VB 41 , VB 42 и VB 43 на основе опорного тока Iref.
Схема источника опорного тока 12, включает в себя опорный транзистор MPR и схемы резисторов R 10 , R 11 и R 12 .Эталонным транзистором MPR является, например, МОП-транзистор с каналом P-типа. Вывод истока эталонного транзистора MPR соединен с проводом AVD (то есть проводом, на который подается напряжение AVD источника питания). Вывод стока опорного транзистора MPR подключен к каждой из схем резисторов R 10 , R 11 и R 12 .
Схема резистора R 10 скомпонована как лестничная схема резисторов, включающая в себя множество (например, восемь на фиг. 1A) резисторов R 1 — R 8 , соединенных последовательно друг с другом.Резисторы R 1 — R 8 имеют, например, равные значения сопротивления соответственно. Один конец (противоположная сторона резистора R 2 ) резистора R 1 служит первым выводом схемы резистора R 10 и соединен с выводом стока опорного транзистора MPR. Один конец (противоположная сторона резистора R 7 ) резистора R 8 служит вторым выводом цепи резистора R 10 и соединен с первым выводом переключателя SW 10 .Второй вывод переключателя SW 10 соединен со схемой управления опорным током 11 . Переключатель SW 10 находится во включенном состоянии.
Схема резистора R 10 генерирует, в зависимости от токов, протекающих через резисторы R 1 до R 8 , разделенные напряжения в узлах N 1 до N 7 между двумя соседними резисторами резисторов R 1 на R 8 соответственно. Вывод затвора (вывод управления) опорного транзистора MPR подключен к узлу N 4 между резисторами R 4 и R 5 цепи резистора R 10 .Разделенное напряжение в узле N 4 является промежуточным напряжением из множества разделенных напряжений, генерируемых, например, лестничной схемой резисторов (R 10 ).
Узел N 11 между опорным транзистором MPR и схемой резистора R 10 , то есть первый вывод схемы резистора R 10 соединен с первым выводом каждой из схем резисторов R 11 и R 12 . Второй вывод схемы резистора R 11 подключен к узлу N 12 между переключателем SW 10 и схемой управления опорным током 11 через переключатель SW 11 .Второй вывод схемы резистора R 12 подключен к узлу N 12 через переключатель SW 12 . Схема управления опорным током 11 включает и выключает переключатели SW 11 и SW 12 . Когда переключатель SW 11 включен, цепь резистора R 11 подключается параллельно цепи резистора R 10 . Точно так же, когда переключатель SW 12 включен, цепь резистора R 12 подключается параллельно цепи резистора R 10 .
Каждая из цепей резисторов R 11 и R 12 имеет значение сопротивления, равное значению сопротивления цепи резистора R 10 , то есть объединенному значению сопротивления резисторов R 1 — R 8 . Хотя это не проиллюстрировано подробно, например, каждая из схем резисторов R 11 и R 12 имеет ту же структуру, что и схема резисторов R 10 , и может включать в себя множество (т.е. восемь в первом варианте осуществления ) резисторы, соединенные последовательно друг с другом.Таким образом, когда переключатели SW 11 и SW 12 включены, ток, соответствующий 1/4 тока, протекающего через опорный транзистор MPR, протекает через цепь резистора R 10 .
Схема источника опорного тока 12 дополнительно связана со схемами выбора 13 a от до 13 d , которые подключены к узлам N 1 до N 7 цепи резистора R 10 .Схема выбора 13 a включает переключатели SW 1 a на SW 7 a . Первые выводы переключателей SW 1, , a, , SW , 7, , a, подключены к узлам N , 1, , N , 7, , соответственно. Вторые выводы переключателей SW , 1, , , , SW , 7, , , соединены друг с другом. Узел связи, который соединяет вторые клеммы переключателей SW 1 a с SW 7 a , служит в качестве выходного контакта схемы выбора 13 a и подключен к источникам тока 21 и 22 .Переключатели SW 1 a — SW 7 a включаются и выключаются таким образом, что один из переключателей SW 1 a — SW 7 a включается, а другие переключатели выключаются управляющим сигналом CT 2 , выводимым из схемы управления коррекцией 64 . Таким образом, схема выбора 13, , и выбирает один из узлов с N 1 по N 7 для вывода напряжения смещения VB 1 , соответствующего разделенному напряжению, генерируемому в выбранном узле.
Хотя это не показано на фиг. 1A подробно, так же, как схема выбора 13 a , каждая из схем выбора 13 b до 13 d включает в себя семь переключателей, связанных с узлами N 1 до N 7 . Переключатели схем выбора 13 b до 13 d также управляются управляющим сигналом CT 2 , выводимым из схемы управления коррекцией 64 .Таким образом, так же, как схема выбора 13 a , каждая из схем выбора 13 b до 13 d выбирает один из узлов N 1 до N 7 до вывести напряжение смещения, соответствующее разделенному напряжению, сгенерированному в выбранном узле. В первом варианте осуществления схемы выбора 13 b до 13 d выходят напряжения смещения от VB 41, до VB 43 , соответственно.
РИС. 1B показаны переключатели SW 1 a , SW 1 b , SW 1 c и SW 1 d схем выбора 13 a от до 13 d соединен с узлом N 1 . Каждая из схем выбора 13 b от до 13 d имеет ту же структуру, что и схема выбора 13 a . Таким образом, так же, как на фиг.1B, каждый из узлов с N 2 по N 7 также связан со схемами выбора 13 a до 13 d.
Как показано на фиг. 1A, второй вывод переключателя SW 1 a , т. Е. Выходной вывод схемы выбора 13 a соединен с транзисторами MP 1 , MP 2 и CM 1 . Второй вывод переключателя SW 1 b , т.е.е., выходной контакт схемы выбора 13 b соединен с транзистором MP 41 . Второй вывод переключателя SW 1 c , то есть выходной вывод схемы выбора 13 c соединен с транзистором MP 42 . Второй вывод переключателя SW 1 d , то есть выходной вывод схемы выбора 13 d соединен с транзистором MP 43 .
Таким образом, напряжение смещения VB 1 приложено к источникам тока 21 и 22 , а напряжения смещения VB 41 — VB 43 приложены к источникам тока 41 до 43 , соответственно.
Источник тока 21 включает транзистор МП 1 . Эталонный транзистор MP 1 является, например, МОП-транзистором с каналом P P. Вывод истока эталонного транзистора MP 1 соединен с проводом AVD.Напряжение смещения VB 1 подается на вывод затвора транзистора MP 1 . Вывод стока транзистора MP 1 соединен с выводом Po через переключатель S 1 и соединен с выводом Pox вывода через переключатель S 1 x.
Источник тока 22 включает транзистор MP 2 . Эталонный транзистор MP 2 представляет собой, например, МОП-транзистор с каналом P-типа. Вывод истока транзистора MP 2 соединен с проводом AVD.Напряжение смещения VB 1 подается на вывод затвора транзистора MP 2 . Вывод стока транзистора MP 2 соединен с выводом Po через переключатель S 2 и соединен с выводом Pox вывода через переключатель S 2 x.
Источники тока 21 и 22 генерируют токи I 1 и I 2 , взвешенные в зависимости от младших битов, то есть цифровых входных сигналов D 1 и D 0 в первом варианте осуществления .Токи I 1 и I 2 взвешиваются в двоичном (степень двойки) радио. Например, транзистор MP 1 источника тока 21 имеет размер, который регулируется, чтобы вызвать протекание тока, равного току, протекающему через опорный транзистор MPR. Транзистор MP 2 источника тока 22 имеет размер, который регулируется, чтобы вызвать протекание тока, величина которого вдвое превышает ток, протекающий через опорный транзистор MPR.
Источник тока 41 включает транзистор МП 41 . Транзистор MP 41 является, например, МОП-транзистором с каналом P P. Вывод истока транзистора MP 41 соединен с проводом AVD. Напряжение смещения VB 41 подается на вывод затвора транзистора MP 41 . Вывод стока транзистора MP 41 соединен с выводом Po через переключатель S 41 и соединен с выводом Pox вывода через переключатель S 41 x.
Источник тока 42 включает транзистор MP 42 . Транзистор MP 42 является, например, МОП-транзистором с каналом P-типа. Вывод истока транзистора MP 42 соединен с проводом AVD. Напряжение смещения VB 42 подается на вывод затвора транзистора MP 42 . Вывод стока транзистора MP 42 соединен с выводом Po через переключатель S 42 и соединен с выводом Pox вывода через переключатель S 42 x.
Источник тока 43 включает транзистор MP 43 . Транзистор MP 43 представляет собой, например, МОП-транзистор с каналом P-типа. Вывод истока транзистора MP 43 соединен с проводом AVD. Напряжение смещения VB 43 подается на вывод затвора транзистора MP 43 . Вывод стока транзистора MP 43 соединен с выводом Po через переключатель S 43 и соединен с выводом Pox вывода через переключатель S 41 x.
Источники тока 41 , 42 и 43 генерируют токи I 41 , I 42 и I 43 , взвешенные в зависимости от битов более высокого порядка, т. Е. Цифровых входных сигналов D 3 и D 2 в первом варианте. Например, каждый из транзисторов MP 41 — MP 43 источников тока от 41 до 43 имеет размер, отрегулированный так, чтобы вызвать ток, величина которого в четыре раза больше тока, протекающего через эталонный транзистор. МПР течь.Таким образом, величины тока, протекающего через транзисторы MP 41 — MP 43 , равны друг другу.
Декодер 51 генерирует управляющий сигнал CT 1 на основе цифровых входных сигналов D 3 — D 0 . Хотя это не показано на фиг. 1A, управляющий сигнал CT 1 включает в себя множество сигналов управления переключателем, которые независимо включают и выключают переключатели S 1 , S 1 x , S 2 , S 2 x , S 41 , S 41 x , S 42 , S 42 x , S 43 и S 43 x.
Например, РИС. 1A иллюстрирует состояние, в котором выходные токи Io и Iox генерируются в соответствии с цифровыми входными сигналами D 3 — D 0 , выраженными как «1001» в двоичных числах. Декодер 51, декодирует цифровые входные сигналы с D 3 по D 0 для генерации управляющего сигнала CT 1 , включающего в себя множество сигналов управления переключением. На фиг. 1A переключатели S 1 , S 2 x , S 41 , S 42 и S 43 x выключены, а переключатели S 1 x , S 2 , S 41 x , S 42 x и S 43 включены.В этом случае выходной ток Io, полученный путем объединения токов I 2 и I 43 источников тока 22 и 43 друг к другу через переключатели S 2 и S 43 , выводится на выходной терминал Po. Кроме того, выходной ток Iox получается путем объединения токов I 1 , I 41 и I 42 источников тока 21 , 41 и 42 через переключатели S 1 x , S 41 x и S 42 x выводится на выходной терминал Pox.Переключатели S 1 , S 1 x , S 2 , S 2 x , S 41 , S 41 x , S 42 , S 42 x , S 43 и S 43 x и декодер 51 образуют выходную схему.
Схема цифро-аналогового преобразования 10 включает в себя схему коррекции 60 , которая корректирует величины тока источников тока 21 , 22 и 41 до 43 .Схема коррекции 60 включает в себя первый и второй источники корректирующего тока 61 и 62 , переключатели коррекции CS 4 , CS 1 , SC 1 , SC 2 и SC 41 до SC 43 , первый и второй резисторы коррекции CR 4 и CR 1 , компаратор 63 и схема управления коррекцией 64 .
Первый источник корректирующего тока 61 включает в себя транзистор CM 4 .Транзистор CM 4 представляет собой, например, МОП-транзистор с каналом P-типа. Вывод истока транзистора CM 4 соединен с проводом AVD. Вывод затвора транзистора CM 4 соединен с выводом затвора опорного транзистора MPR. Вывод стока транзистора CM 4 соединен с первым выводом переключателя коррекции CS 4 . Второй вывод корректирующего переключателя CS 4 соединен с первым выводом первого корректирующего резистора CR 4 .Второй вывод корректирующего резистора CR 4 соединен с проводом AVS.
Второй источник тока коррекции 62 включает в себя транзистор CM 1 . Транзистор CM 1 представляет собой, например, МОП-транзистор с каналом P-типа. Вывод истока транзистора CM 1 соединен с проводом AVD. Напряжение смещения VB 1 подается на вывод затвора транзистора CM 1 . Вывод стока транзистора CM 1 соединен с первым выводом переключателя коррекции CS 1 .Второй вывод корректирующего переключателя CS 1 соединен с первым выводом второго корректирующего резистора CR 1 . Второй вывод корректирующего резистора CR 1 соединен с проводом AVS. Первый и второй корректирующие резисторы CR 1 и CR 4 имеют равные значения сопротивления соответственно.
Первый источник корректирующего тока 61 взвешивается, чтобы генерировать ток, равный каждому из токов I 41 — I 43 источников тока 41 до 43 , соответствующих старшим битам, i .е., цифровые входные сигналы D 3 и D 2 . Например, транзистор CM 4 первого источника тока коррекции 61 имеет размер, который регулируется, чтобы вызвать протекание тока, величина которого в четыре раза больше тока, протекающего через опорный транзистор MPR. Таким образом, величина тока, протекающего через транзистор CM 4 , равна величине тока, протекающего через каждый из транзисторов MP 41 — MP 43 .
Второй источник корректирующего тока 62 взвешивается для генерирования тока, равного току I 1 источника тока 21 , который взвешивается в зависимости от младшего значащего бита, то есть цифрового входного сигнала D 0 . Например, транзистор CM 1 второго источника 62 корректирующего тока имеет размер, отрегулированный так, чтобы вызывать протекание тока, величина которого равна току, протекающему через опорный транзистор MPR.Таким образом, величина тока, протекающего через транзистор CM 1 , равна величине тока I 1 , протекающего через транзистор MP 1 .
Компаратор 63 имеет неинвертирующую входную клемму, подключенную к узлу N 21 между корректирующим переключателем CS 4 и корректирующим резистором CR 4 , и инвертирующую входную клемму, подключенную к узлу N 22 между переключателем коррекции CS 1 и резистором коррекции CR 1 .Узел N 22 соединен с выводами стока транзисторов MP 1 , MP 2 и MP 41 — MP 43 источников тока 21 , 22 и 41 С по 43 через переключатели коррекции SC 1 , SC 2 и SC 41 до SC 43 , соответственно.
Компаратор 63 сравнивает потенциал узла N 21 с потенциалом узла N 22 для вывода сигнала определения K 1 , уровень которого зависит от результата сравнения.Сигнал определения K 1 подается в схему управления коррекцией 64 .
Схема управления коррекцией 64 выполняет процесс коррекции для схемы 10 цифроаналогового преобразования на основе внешнего управляющего сигнала CNT. Внешний управляющий сигнал CNT представляет собой, например, сигнал сброса при включении питания или сигнал инициализации. В качестве альтернативы, внешний управляющий сигнал CNT может подаваться от схемы, такой как CPU. Внешний управляющий сигнал CNT используется в качестве сигнала режима для управления работой схемы 10 цифроаналогового преобразования.Например, внешний управляющий сигнал CNT на уровне L устанавливает схему цифро-аналогового преобразования 10 в нормальный режим, а внешний управляющий сигнал CNT на уровне H устанавливает схему цифро-аналогового преобразования 10 на коррекцию. режим. В нормальном режиме схема цифро-аналогового преобразования 10 выводит выходные токи Io и Iox в зависимости от цифровых входных сигналов с D 3 по D 0 . В режиме коррекции схема цифро-аналогового преобразования 10 корректирует величины тока источников тока 21 , 22 и 41 — 43 , используемых при генерации выходных токов Io и Iox.
Источники тока 21 и 22 генерируют токи I 1 и I 2 в соответствии с размерами транзисторов MP 1 и MP 2 и напряжением смещения VB 1 . Таким образом, схема управления коррекцией 64 корректирует величины токов I 1 и I 2 путем регулирования напряжения смещения VB 1 . Точно так же источники тока с 41 по 43 генерируют токи от I 41 до I 43 в соответствии с размерами транзисторов MP 41 до MP 43 и напряжениями смещения VB 41 до В.Б. 43 .Таким образом, схема управления коррекцией 64 корректирует величины тока источников тока с 41 до 43 , регулируя напряжения смещения от VB 41 до VB 43 .
Метод регулировки величин тока источников тока 21 , 22 и 41 до 43 (то есть напряжения смещения VB 1 и VB 41 до VB 43 ) будет описано ниже.
Сначала ниже будет описан способ регулировки напряжения смещения VB 1 , подаваемого на источники тока 21 и 22 . Схема управления коррекцией 64 генерирует управляющий сигнал CT 2 для управления переключателями схем выбора 13 a до 13 d . Схема управления коррекцией 64 генерирует управляющий сигнал CT 3 для управления переключателями коррекции CS 4 , CS 1 , SC 1 , SC 2 и SC 41 до SC 43 .Хотя это не проиллюстрировано подробно, каждый из сигналов управления CT 2 и CT 3 включает в себя множество сигналов управления переключением. Схема управления коррекцией 64, генерирует сигнал управления коррекцией CN 1 и сигнал управления коррекцией CN 2 . Схема управления опорным током 11, управляет опорным током коррекции Irc, имеющим величину тока меньшую, чем величина опорного тока Iref, на основе сигнала управления коррекцией CN 1 .В первом варианте осуществления величина тока опорного тока Irc коррекции равна величины тока опорного тока Iref. Например, схема 11, управления опорным током включает в себя схему токового зеркала и изменяет зеркальное отношение схемы токового зеркала в зависимости от сигнала управления коррекцией CN 1 для генерации опорного тока коррекции Irc. Декодер 51, выключает переключатель, связанный с источником тока, который должен быть скорректирован, на основе сигнала управления коррекцией CN 2 .
РИС. 2 иллюстрирует состояние, в котором регулируется напряжение смещения VB 1 , подаваемое на источники тока 21, и 22, . В этом случае переключатели SW 11 и SW 12 схемы источника опорного тока 12 выключены. Переключатели коррекции CS 4 и CS 1 , связанные с источниками корректирующего тока 61 и 62 , включены. Переключатели S 1 , S 1 x , S 2 и S 2 x , подключенные к источникам тока 21 и 22 , выключены.Переключатели коррекции SC 1, и SC 2 , связанные с источниками корректирующего тока 21, и 22, , включены.
Вывод затвора транзистора CM 4, первого источника 61 корректирующего тока соединен с выводом затвора опорного транзистора MPR схемы 12 источника опорного тока. Размер транзистора CM 4 в четыре раза больше размера эталонного транзистора MPR.Корректирующий опорный ток Irc, генерируемый схемой управления опорным током 11, , протекает через опорный транзистор MPR. Таким образом, ток Ic 4 , который в четыре раза больше опорного тока коррекции Irc, протекающего через опорный транзистор MPR, протекает через транзистор CM 4 . Ток Ic 4 протекает через резистор коррекции CR 4 через переключатель коррекции CS 4 . Таким образом, напряжение, зависящее от значения сопротивления корректирующего резистора CR 4 и текущего значения тока Ic 4 , выводится на узел N 21 .
Напряжение смещения VB 1 подается на вывод затвора транзистора CM 1 второго источника тока коррекции 62 . Как описано выше, напряжение смещения VB 1 также подается на выводы затвора транзисторов MP 1 и MP 2 источников тока 21 и 22 , взвешенных в зависимости от младших разрядов, т. Е. , цифровые входные сигналы D 1 и D 0 . Размер транзистора CM 1 равен размеру транзистора MP 1 .Размер транзистора MP 1 равен размеру эталонного транзистора MPR, а размер транзистора MP 2 в два раза больше размера эталонного транзистора MPR. Таким образом, сумма величин тока, протекающего через транзисторы CM 1 , MP 1 и MP 2 , в четыре раза превышает величину тока, протекающего через опорный транзистор MPR. Токи Ic 1 , I 1 и I 2 протекают через резистор коррекции CR 1 через переключатели коррекции CS 1 , SC 1 и SC 2 соответственно.Таким образом, в узел N 22 выводится напряжение, зависящее от значения сопротивления корректирующего резистора CR 1 и суммы величин токов Ic 1 , I 1 и I 2 . .
Значение сопротивления корректирующего резистора CR 1 равно значению сопротивления корректирующего резистора CR 4 . В этом случае, когда напряжение в узле N 21 равно напряжению в узле N 22 , величина тока Ic 4 , протекающего через транзистор CM 4 , равна сумме величины токов Ic 1 , I 1 и I 2 , протекающих через транзисторы CM 1 , MP 1 и MP 2 соответственно.Транзисторы CM 1 , MP 1 и MP 2 генерируют токи в зависимости от напряжения смещения VB 1 . Схема управления коррекцией 64 на основе сигнала определения K 1 от компаратора 63 регулирует напряжение смещения VB 1 так, чтобы напряжение в узле N 21 было равно напряжению в узле № 22 . В первом варианте осуществления схема управления коррекцией , 64, регулирует напряжение смещения VB 1 путем выборочного включения одного из переключателей в схеме выбора , 13, , a.
Например, схема управления коррекцией 64 использует метод поиска, такой как последовательный поиск или двоичный поиск, для поиска положения переключателя, где напряжение в узле N 21 становится равным напряжению в узле N 22 . На основе результата поиска схема управления коррекцией 64 включает любой из переключателей SW 1 a — SW 7 a схемы выбора 13 a и выключает остальные .Таким образом, напряжение смещения VB 1 настраивается на любой из потенциалов узлов N 1 — N 7 . Когда настроенное напряжение смещения VB 1 подается на транзисторы MP 1 и MP 2 , транзистор MP 1 генерирует ток I 1 , равный опорному току коррекции Irc, а транзистор MP 2 генерирует ток I 2 , который в два раза превышает опорный ток коррекции Irc.
Далее будет описан способ регулировки напряжений смещения от VB 41 до VB 43 , подаваемых на источники тока с 41 до 43 . Схема управления коррекцией , 64, сначала регулирует напряжение смещения VB 41 (то есть величину тока источника 41 тока). Схема 64 управления коррекцией выключает переключатель CS 1 коррекции, связанный со вторым источником 62 тока коррекции.Кроме того, схема 64 управления коррекцией выключает переключатели коррекции SC 1 и SC 2 , связанные с источниками тока битов младшего разряда 21, и 22 . Схема управления коррекцией 64 включает переключатель коррекции SC 41 , соответствующий источнику тока 41 , и выключает переключатели S 41 и S 41 x , соответствующие источникам тока 42 и 43 .Схема управления коррекцией 64 на основе сигнала определения K 1 от компаратора 63 регулирует напряжение смещения VB 41 так, чтобы напряжение в узле N 21 становилось равным напряжению на узел N 22 . В первом варианте осуществления схема 64 управления коррекцией регулирует напряжение смещения VB 41 путем выборочного включения одного из переключателей в схеме выбора 13 b.
Аналогично, схема управления коррекцией 64 регулирует напряжение смещения VB 42 (количество тока источника тока 42 ) и напряжение смещения VB 43 (количество тока источника тока 43 ). Когда настроенные напряжения смещения от VB 41 до VB 43 подаются на транзисторы MP 41 до MP 43 источников тока 41 до 43 , транзисторы MP 41 до MP 43 генерируют токи с I 41 по I 43 , которые в четыре раза превышают опорный ток коррекции Irc.
Когда схема управления коррекцией 64 завершает регулировку напряжений смещения VB 1 и VB 41 до VB 43 , схема управления коррекцией 64 выключает переключатели коррекции CS 4 , CS 1 , SC 1 , SC 2 и SC 41 до SC 43 . Схема 64 управления коррекцией выводит сигналы управления коррекцией CN 1 и CN 2 на втором уровне (например, уровне L).Схема управления опорным током 11 включает переключатели SW 11 и SW 12 схемы источника опорного тока 12 в ответ на сигнал управления коррекцией CN 1 , чтобы вызвать протекание опорного тока Iref. Декодер 51, , в ответ на сигнал управления коррекцией CN 2 , выдает управляющий сигнал CT 1 в зависимости от цифровых входных сигналов с D 3 по D 0 .
Таким образом, опорный ток Iref протекает через опорный транзистор MPR.Генерируется напряжение смещения VB 1 , имеющее потенциал в любом из узлов N 1, — N 7, , через переключатель, включенный в схеме выбора 13, , и . Источники тока 21 и 22 генерируют токи I 1 и I 2 в зависимости от напряжения смещения VB 1 . Точно так же напряжение смещения VB 41 генерируется посредством переключателя, включенного в схеме выбора 13 b , напряжение смещения VB 42 генерируется посредством переключателя, включенного в схеме выбора 13 c , а напряжение смещения VB 43 генерируется посредством переключателя, включенного в схеме выбора 13 d .Источники тока с 41 по 43 генерируют токи I 41 и I 43 в зависимости от напряжений смещения от VB 41 до VB 43 соответственно.
Ниже будет описана работа схемы 10 цифроаналогового преобразования. Теперь сначала будет описана величина тока источника тока. Разница между величиной тока источника тока в конструкции и величиной тока используемого источника тока, то есть колебание величины тока называется несоответствием тока.Когда расчетное значение величины тока источника тока задается с помощью Ids, а разница между величинами тока задается с помощью ΔIds, несоответствие тока выражается следующим уравнением.
Δ⁢⁢IdsIds = 12⁢μ · Cox⁢WL⁢ (Veff + Δ⁢⁢Vth) 2-12⁢μ · Cox⁢WL⁢ (Veff) 212⁢μ · Cox⁢WL⁢ (Veff) 2 = 2 · Veff · Δ⁢⁢Vth + Δ⁢⁢Vth3Veff2≈2⁢Δ⁢⁢VthVeff = 2⁢⁢AVeff⁢LW = AL⁢2 · μ · CoxIds (1) ∵Veff = Vgs-Vth = 2⁢⁢Idsμ · Cox · WL⁢∵μ∝T3 / 2 (2)
Приведенное выше уравнение является приближенным уравнением. В приведенном выше уравнении Veff обозначает активное напряжение затвора, p обозначает подвижность (подвижность несущей), Cox обозначает емкость затвора, W обозначает ширину затвора, L обозначает длину затвора, Vth обозначает пороговое напряжение, Ids обозначает сток. исходный ток, а A обозначает параметр, зависящий от процесса.
Как показано в уравнении (2), подвижность p, которая влияет на рассогласование тока, изменяется в зависимости от температуры T и значительно увеличивается при высокой температуре больше, чем при низкой температуре. Температура T — это температура вокруг источника тока, образованного, например, в полупроводниковом устройстве (полупроводниковом кристалле).
Таким образом, при коррекции переднего плана, которая выполняет коррекцию в режиме коррекции, независимом от нормального режима, когда температура в операции цифро-аналогового преобразования (после коррекции) ниже температуры во время коррекции, текущее рассогласование увеличивается.Когда текущее рассогласование в операции преобразования увеличивается в зависимости от температуры во время коррекции и значения коррекции, выходные характеристики ухудшаются. Например, значение характеристики, такое как дифференциальная нелинейность (DNL), увеличивается в пределах гарантийного диапазона работы (спецификация).
Температура T — это параметр, который не изменяется конфигурацией цепи. С другой стороны, текущие Ids — это параметр, который может быть изменен конфигурацией схемы.Рабочее состояние схемы при малом токе Ids эквивалентно наихудшему состоянию схемы. В схеме цифроаналогового преобразования 10 , показанной на фиг. 1A, опорный ток Iref регулируется так, что схема 10 цифроаналогового преобразования устанавливается в наихудшее состояние. Таким образом, схема 11 управления опорным током генерирует опорный ток Irc коррекции, чтобы установить схему 10 цифро-аналогового преобразования в наихудшее состояние.
Величина тока корректирующего опорного тока Irc устанавливается в зависимости от гарантированного диапазона температур, который гарантирует нормальную работу схемы цифро-аналогового преобразования 10 .В этом случае, например, когда коррекция выполняется при условии наивысшей температуры TH в гарантированном диапазоне температур, текущая ошибка в схеме цифро-аналогового преобразования 10 является максимальной, когда схема цифро-аналогового преобразования 10 работает при самой низкой температуре TL в гарантированном диапазоне температур.
Когда изменяется только температура на основе соотношения между уравнением (1) и уравнением (2), если текущая ошибка при самой высокой температуре TH установлена на «1», текущая ошибка при самой низкой температуре TL равна выражается следующим уравнением.(−3/2))
Когда текущая ошибка корректируется текущими Ids, текущие Ids устанавливаются так, что текущая ошибка ΔIH при наивысшей температуре TH равна или превышает текущую ошибку ΔIL при самой низкой температуре. TL, то есть удовлетворять следующему уравнению.
Δ IH / ΔIL ≧ 1 (3)
Ids тока при наивысшей температуре TH определяется как IdsH, а текущие Ids при самой низкой температуре TL — как IdsL. В этом случае на основе уравнения (1) и уравнения (3) отношение текущего IdsH к текущему IdsL выражается следующим уравнением.(3/2) = 0,448
Таким образом, опорный ток Irc коррекции предпочтительно устанавливается равным 0,448 или меньше опорного тока Iref. Соответственно, в первом варианте осуществления опорный ток Irc коррекции устанавливается равным опорного тока Iref.
В первом варианте осуществления ток, равный опорного тока Iref, протекает через каждый из резисторов R 1 — R 8 цепи резистора R 10 . Этот ток равен опорному току коррекции Irc.Разность потенциалов между обоими выводами каждого из резисторов R 1 — R 8 равна разности потенциалов между обоими концами каждого из резисторов R 1 — R 8 , создаваемой опорным сигналом коррекции. ток Irc. Таким образом, разность напряжений между напряжением на затворе опорного транзистора MPR и потенциалом в узле N 4 , соединенном с выводом затвора опорного транзистора MPR, равна разности напряжений в процессе коррекции.Кроме того, разность потенциалов между напряжением в узле N 4 и напряжением в любом из узлов N 1 — N 7 , связанных с переключателем (переключателем ON), выбранным каждой из схем выбора 13 a от до 13 d равно разности потенциалов в процессе коррекции.
После коррекции напряжение в узле (любом из узлов N 1 — N 7 ), выбранном схемой выбора 13 a , соответствует напряжению смещения VB 1 .Аналогично, напряжения в узлах, выбранных схемами выбора 13 b до 13 d , соответствуют напряжениям смещения от VB 41, до VB 43 , соответственно. Напряжения смещения VB 1 и VB 41 до VB 43 поступают на транзисторы MP 1 , MP 2 и MP 41 до MP 43 источников тока 21 , 22 и 41 до 43 .Таким образом, разности напряжений между напряжением затвора опорного транзистора MPR и напряжениями затвора транзисторов MP 1 , MP 2 и MP 41 и MP 43 источников тока 21 , 22 и 41 — 43 регулируются в процессе коррекции, и отрегулированная разность напряжений сохраняется даже после коррекции.
Каждое из напряжений смещения VB 1 и VB 41 — VB 43 равно одному из разделенных напряжений, генерируемых в узлах N 1 — N 7 резисторами R 1 — R 8 цепи резистора R 10 .В этом случае величина тока, протекающего через транзисторы MP 1 , MP 2 и MP 41 — MP 43 , может не быть в точности равна величине тока, взвешенной с помощью корректирующего опорного тока Irc, протекающего через эталонный транзистор МПР во время коррекции. Другими словами, небольшая ошибка тока, которая не влияет на характеристики схемы 10 цифроаналогового преобразования, может остаться после исправления. Однако величина тока каждого из транзисторов MP 1 , MP 2 и MP 41 — MP 43 при цифро-аналоговом преобразовании (после коррекции) в три раза больше, чем во время коррекции.Таким образом, небольшая ошибка тока, оставшаяся при цифро-аналоговом преобразовании, в 1 / √3 раза больше, чем при коррекции в целом. Таким образом, когда опорный ток Iref больше, чем опорный ток Irc коррекции, небольшая ошибка тока, остающаяся при цифро-аналоговом преобразовании, уменьшается в зависимости от величины тока опорного тока Iref.
Это также применяется к изменению ошибки тока, вызванной температурой схемы цифроаналогового преобразования 10 .Как описано выше, при понижении температуры текущая погрешность источника тока увеличивается. Например, коррекция выполняется при самой высокой температуре TH (125 ° C). После этого, даже если периферийная температура схемы 10 цифро-аналогового преобразования становится самой низкой температурой TL (-40 ° C) во время цифро-аналогового преобразования, опорный ток Iref в три раза больше опорного тока коррекции Irc. . Следовательно, текущая ошибка, оставшаяся при цифро-аналоговом преобразовании, в (1 / √3) раз больше, чем при коррекции в целом.А именно, в этом случае текущая погрешность, вызванная изменением температуры, становится в 1,5 * (1 / √3) ≈0,87 раза.
Таким образом, опорный ток Irc коррекции меньше опорного тока Iref при цифро-аналоговом преобразовании и устанавливается равным опорного тока Iref в первом варианте осуществления. Таким образом, текущая ошибка при цифро-аналоговом преобразовании меньше, чем текущая ошибка исправления. Кроме того, уменьшается текущая погрешность, вызванная температурой. Таким образом, схема 10, цифро-аналогового преобразования может поддерживать текущую ошибку в пределах рабочего диапазона, выполняя коррекцию переднего плана один раз.
В схеме цифроаналогового преобразования 10 согласно первому варианту осуществления, когда высоковольтное напряжение AVD изменяется, напряжение затвора опорного транзистора MPR и напряжения затвора транзисторов MP 1 , MP 2 и MP 41 на MP 43 изменить. Таким образом, даже несмотря на то, что высоковольтное напряжение AVD изменяется, разности напряжений между напряжением затвора опорного транзистора MPR и напряжениями затвора транзисторов MP 1 , MP 2 и MP 41 до MP 43 поддерживаются в состоянии коррекции.То есть соотношения токов I 1 , I 2 и I 41 до I 43 в источниках тока 21 , 22 и 41 до 43 не изменение. Таким образом, предотвращается ухудшение характеристик изменения высоковольтного напряжения AVD без повторного выполнения процесса коррекции.
Смещение компаратора 63 и колебания значений сопротивлений резисторов коррекции CR 4 и CR 1 не влияют на характеристики (например,g., DNL) схемы цифроаналогового преобразования 10 . Например, значения сопротивлений резисторов коррекции CR 4 и CR 1 могут отличаться друг от друга. Напряжение смещения VB 1 регулируется на основе токов источников тока 62 , 21 и 22 (транзисторы CM 1 , MP 1 и MP 2 ), связанных с корректором резистор CR 1 . Точно так же напряжения смещения VB 41 — VB 43 регулируются путем последовательного подключения источников тока 41 до 43 (транзисторы MP 41 — MP 43 ) к корректирующему резистору CR 1 .Таким образом, передаются напряжения смещения VB 1 источников тока 21 и 22 (транзисторы MP 1 и MP 2 ) и напряжения смещения VB 41 до VB 43 тока Источники с 41 до 43 (транзисторы MP 41 до MP 43 ) не зависят от значения сопротивления корректирующего резистора CR 1 .
РИС. 3 иллюстрирует схему 100 цифро-аналогового преобразования согласно сравнительному примеру.Те же ссылочные позиции, что и в приведенном выше варианте осуществления, обозначают те же элементы в схеме 100 цифроаналогового преобразования.
В схеме цифроаналогового преобразования 100 , выводы затворов транзисторов MP 1 , MP 2 и MP 41 и MP 43 источников тока 21 , 22 , и 41, – 43, подключены к контакту затвора и контакту стока опорного транзистора MPR, который генерирует опорный ток Iref.Корреляционные отношения токов, протекающих через транзисторы MP 1 , MP 2 , MP 41 , MP 42 и MP 43 , равны 1: 2: 4: 4: 4. Корреляционные отношения отклоняются от проектных значений из-за различий в положениях элементов, например, при производстве. Отклонение тока больше в источнике тока, по которому протекает большой ток.
Например, когда величина тока источника 41 меньше, чем сумма (3I) величин тока источников тока 21 и 22 , соответствующих битам более низкого порядка, при использовании у источника тока 41 выходной ток Io уменьшается по сравнению с увеличением количества цифровых входных сигналов.В результате возникает так называемая немонотонность. С другой стороны, когда величина тока источника 41 тока больше чем в пять раз (5I) единичный ток, значение дифференциальной нелинейности (DNL), которая является одной из характеристик схемы цифро-аналогового преобразования 10 превышает ± 1 LSB.
Кроме того, величины тока источников тока 21 , 22 и 41 до 43 изменяются в зависимости от температуры и напряжения источника питания.Одним из методов коррекции изменения силы тока является коррекция фона. Полупроводниковое устройство, которое выполняет коррекцию фона, включает в себя две схемы преобразования, выполняет процесс преобразования в одной схеме преобразования и выполняет процесс коррекции в другой схеме преобразования. В двух схемах преобразования поочередно выполняются процесс преобразования и процесс коррекции, чтобы можно было скорректировать величины тока источников тока 21 , 22 и 41 до 43 относительно переменной такие факторы, как температура и напряжение.Однако при коррекции фона, поскольку две схемы преобразования переключаются поочередно, шум в полосе частот, зависящей от цикла переключения, может накладываться на выходной ток. Это влияет на точность цифро-аналогового преобразования.
Первый вариант имеет описанные ниже преимущества.
(1-1) Схема цифроаналогового преобразования 10 включает в себя источники тока 21 , 22 и 41 до 43 , взвешенные в зависимости от цифрового входного сигнала Din.Источники тока 21 и 22 генерируют токи I 1 и I 2 , взвешенные двоичным (степень двойки) радиомодулем (1: 2) в зависимости от младших битов, т. Е. Цифровых входных сигналов. D 1 и D 0 . Источники тока 41 , 42 и 43 генерируют токи I 41 , I 42 и I 43 , взвешенные в зависимости от битов более высокого порядка, то есть цифровых входных сигналов D 3 и D 2 .
Схема источника опорного тока 12 генерирует напряжение смещения VB 1 для источников тока 21 и 22 и напряжения смещения VB 41 до VB 43 для источников тока 41 до 43 на основе эталонного тока Iref. Декодер 51 генерирует управляющий сигнал CT 1 на основе цифровых входных сигналов с D 3 по D 0 . Переключатели S 1 , S 1 x до S 43 и S 43 x включаются и выключаются в ответ на управляющий сигнал CT 1 .В зависимости от состояний переключателей S 1 , S 1 x до S 43 и S 43 x , токи I 1 , I 2 и I 41 — I 43 источников тока 21 , 22 и 41 до 43 объединены друг с другом. В результате генерируются выходные токи Io и Iox.
Схема управления опорным током 11 подает опорный ток коррекции Irc, меньший, чем опорный ток Iref, в схему источника опорного тока 12 на основе сигнала управления коррекцией CN 1 от схемы управления коррекцией 64 .Схема управления коррекцией 64 регулирует напряжения смещения от VB 1 и VB 41 до VB 43 на основе токов, протекающих через источники тока 21 , 22 и 41 до 43 в зависимости от опорный ток коррекции Irc.
В каждом из источников тока 21 , 22 и 41 до 43 текущая ошибка, генерируемая производством, зависит от изменения температуры, а текущая ошибка увеличивается при низкой температуре.Опорный ток коррекции Irc устанавливается на основе наихудшего условия, так что опорный ток коррекции Irc корректируется при наивысшей температуре TH (например, 125 ° C) в пределах гарантированного диапазона температур и подвергается процессу цифро-аналогового преобразования. при самой низкой температуре TL (-40 ° C). Таким образом, величины тока источников тока 21 , 22 и 41 до 43 (напряжения смещения VB 1 и VB 41 до VB 43 ) регулируются опорным током коррекции. Irc соответствует худшему состоянию.Таким образом, даже если температура изменяется в пределах гарантированного диапазона температур, погрешность тока каждого из источников тока 21 , 22 и 41 до 43 поддерживается в пределах гарантийного диапазона работы. Таким образом, поскольку текущая ошибка подавляется в пределах диапазона гарантии работы посредством однократного выполнения процесса коррекции, процесс коррекции не нужно выполнять повторно в зависимости от такого фактора, как изменение температуры. В результате схема 10 цифро-аналогового преобразования может использоваться непрерывно.Поскольку при коррекции фона, при которой процесс коррекции выполняется многократно, не возникает шума, могут генерироваться стабильные выходные токи Io и Iox.
(1-2) Величины тока источников тока 41 до 43 (напряжения смещения от VB 41 до VB 43 ), соответствующие цифровым входным сигналам D 3 и D 2 обслуживающих по мере исправления старших битов. Это уменьшает взаимные ошибки тока, вызванные положениями, в которых сформированы источники тока с 41 по 43 .Таким образом, можно предотвратить ухудшение дифференциальной нелинейности (DNL), вызванной изменением процесса или изменением температуры.
(1-3) Схема коррекции 60 включает в себя первый источник тока коррекции 61 , который генерирует ток, равный току каждого из источников тока 41 до 43 , соответствующий битам более высокого порядка и второй источник тока коррекции 62 , который генерирует ток, равный току источника 21 тока, соответствующий младшим битам, т.е.е., минимальный ток. Во время коррекции схема управления коррекцией 64 объединяет ток Ic 1 второго источника корректирующего тока 62 и токи I 1 и I 2 источников тока 21 и 22 соответствующие битам младшего разряда, чтобы заставить комбинированный ток протекать через резистор коррекции CR 1 . Под управлением схемы 64 управления коррекцией ток Ic 4 первого источника 61 тока коррекции протекает через резистор CR 4 коррекции.Компаратор 63 сравнивает напряжение в узле N 21 , подключенное к корректирующему резистору CR 4 , с напряжением в узле N 22 , подключенным к корректирующему резистору CR 1 , для вывода сигнала определения K 1 в зависимости от результата сравнения. На основании сигнала определения K 1 схема управления коррекцией 64 регулирует напряжение смещения VB 1 , подаваемое на источники тока 62 , 21 и 22 .Схема управления коррекцией 64 регулирует напряжения смещения от VB 41 до VB 43 , подаваемые на источники тока с 41 по 43 , так что ток Ic 4 первого источника тока коррекции 61 равен равны каждому из токов источников тока с 41 по 43 , соответствующих битам более высокого порядка.
Сумма величин токов I 1 и I 2 источников тока 21 и 22 , соответствующих младшим битам, меньше, чем каждая из величин токов I 41 до I 43 источников тока с 41 по 43 , соответствующих битам более высокого порядка.Отношение токов, протекающих через источники тока 21 , 22 и 41 до 43 в зависимости от опорного тока Iref при цифро-аналоговом преобразовании, равно отношению тока, регулируемому опорным током коррекции Irc во время исправление. Например, когда источники тока 21 и 22 переключаются на источник тока 41 посредством цифрового входного сигнала Din, выходной ток Io увеличивается (таким образом, выходной ток Iox уменьшается).Соответственно, можно предотвратить ухудшение дифференциальной нелинейности (DNL), вызванной изменением процесса.
(1-4) Величина опорного тока Irc коррекции, протекающего через цепь резистора R 10 во время коррекции, устанавливается равной опорного тока Iref. Цепи резисторов R 11 и R 12 , имеющие значения сопротивления, равные сопротивлению цепи резистора R 10 после коррекции, подключаются параллельно цепи резистора R 10 для подачи тока, равного току во время Поправка к цепи резистора R 10 .Таким образом, разница между напряжением смещения VB 1 , VB 41 , VB 42 , VB 43 , установленным во время коррекции, и напряжением затвора MPR опорного транзистора сохраняется даже после коррекции. Следовательно, напряжение смещения компаратора 63 и колебания значений сопротивления корректирующих резисторов CR 4 и CR 1 не влияют на соотношения тока источников тока 21 , 22 и 41 — 43 , полученные после исправления.Таким образом, коррекция может выполняться с высокой точностью без влияния изменений напряжения смещения компаратора 63 и значений сопротивления корректирующих резисторов CR 4 и CR 1 в схеме коррекции 60 .
Ниже будет описан второй вариант осуществления. Те же ссылочные позиции, что и в первом варианте осуществления, обозначают те же элементы во втором варианте осуществления, и все или некоторые их описания будут опущены.
Как показано на фиг. 4, схема , 110, цифро-аналогового преобразования включает в себя схему , 114, определения температуры. Схема , 114, определения температуры определяет температуру схемы , 110, цифро-аналогового преобразования для вывода сигнала обнаружения K 2 в зависимости от обнаруженной температуры. Схема управления опорным током 111 на основе сигнала обнаружения K 2 схемы определения температуры 114 регулирует опорный ток коррекции Irc до значения 1 / x (x = 1, 2, 3) ссылка текущая Иреф.
Схема управления опорным током 111 управляет переключателями SW 11 и SW 12 в зависимости от настроенного опорного тока коррекции Irc. Схема управления опорным током 111 управляет переключателями SW 11 и SW 12 таким образом, что ток, протекающий через цепь резистора R 10 , равен опорному току коррекции Irc, когда опорный ток Iref выводится.
Например, когда установлено X = 1, схема управления опорным током 111 отключает переключатели SW 11 и SW 12 .Таким образом, величина тока, протекающего через цепь резистора R 10 , становится равной опорному току Iref. Например, когда установлено X = 2, схема управления опорным током 111 включает переключатель SW 11 и выключает переключатель SW 12 . Таким образом, величина тока, протекающего через цепь резистора R 10 , устанавливается равной 1/2 опорного тока Iref. Когда установлено X = 3, схема управления опорным током Ill включает переключатели SW 11 и SW 12 .Таким образом, величина тока, протекающего через цепь резистора R 10 , устанавливается равной опорного тока Iref.
Например, гарантированный температурный диапазон схемы цифроаналогового преобразования 110 установлен от 125 ° C (TH) до -40 ° C (TL), а температура коррекции установлена на TC. Погрешность тока в источнике тока увеличивается с понижением температуры. В этом случае, принимая во внимание цифро-аналоговое преобразование, выполняемое при самой низкой температуре TL в гарантированном диапазоне температур, предпочтительно, чтобы величина тока корректирующего опорного тока Irc была установлена на основе температуры TC в коррекции и самой низкой температуры TL гарантированного температурного диапазона.(3/2) = 1. В этом случае величина корректирующего опорного тока Irc установлена равной величине опорного тока Iref. То есть после исправления переключатели SW 11 и SW 12 выключены. В результате сохраняется соотношение текущих источников 21 , 22 и 41 до 43 в коррекции. Уменьшение силы тока, протекающего через транзисторы MP 1 , MP 2 и MP 41 до MP 43 источников тока 21 , 22 и 41 до 43 причин увеличение шума.Таким образом, опорный ток коррекции Irc предпочтительно устанавливается в зависимости от температуры схемы , 110, цифро-аналогового преобразования. Это подавляет увеличение носа и обеспечивает стабильный результат коррекции.
РИС. 5 иллюстрирует состояние, в котором напряжение смещения VB 1 , подаваемое на источники тока 21 и 22 , регулируется, как на фиг. 2 первого варианта. В этом случае фиг. 4 иллюстрирует состояние после процесса коррекции для установки опорного тока Irc коррекции равным 1/2 опорного тока Iref.То есть на фиг. 4, на основе корректирующего опорного тока Irc (Iref / 2) переключатель SW 11 включается, а переключатель SW 12 выключается.
Второй вариант осуществления имеет следующие преимущества в дополнение к преимуществам первого варианта осуществления.
(2-1) Схема определения температуры 114 выводит сигнал обнаружения K 2 в зависимости от температуры схемы 110 цифро-аналогового преобразования. Схема управления опорным током 111 управляет величиной тока корректирующего опорного тока Irc в зависимости от сигнала обнаружения K 2 .Когда количество тока, протекающего через MPR эталонного транзистора и источники тока 21 , 22 , 41 до 44 , 61 и 62 , является небольшим, количество шума больше, чем генерируемый когда величина тока велика. Таким образом, величина тока опорного тока Irc коррекции увеличивается в зависимости от температуры, при которой выполняется процесс коррекции, чтобы сделать возможным уменьшить количество шума при коррекции и выполнить стабильный процесс коррекции.Это стабильно регулирует напряжения смещения от VB 1 и VB 41 до VB 43 и улучшает характеристики (например, DNL) в схеме цифроаналогового преобразования 110 .
Специалистам в данной области техники должно быть очевидно, что вышеупомянутый вариант осуществления может быть воплощен во многих других конкретных формах без отклонения от объема изобретения. В частности, следует понимать, что вышеупомянутый вариант осуществления может быть воплощен в следующих формах.
В каждом из вариантов осуществления величина тока корректирующего опорного тока Irc может произвольно изменяться.(3/2) = 0,448. Таким образом, например, опорный ток Irc коррекции может быть установлен равным 1 / 2,5 (= 0,4) опорного тока Iref.
Во втором варианте осуществления опорный ток Irc коррекции может быть установлен равным 1/2 или опорного тока Iref.
В каждом из вариантов осуществления схема цифро-аналогового преобразования может генерировать любой из выходного тока Io и выходного тока Iox.
В каждом из вариантов осуществления порядок регулировки напряжений смещения от VB 1 и от VB 41 до VB 43 может быть произвольно изменен.Порядок регулировки напряжений смещения от VB 41 до VB 43 может быть произвольно изменен. Например, напряжения смещения VB 43 , VB 42 и VB 41 регулируются в этом порядке, и, после этого, напряжение смещения VB 1 может регулироваться.
В каждом из вариантов осуществления величины тока источников тока с 41 по 43 , соответствующие битам более высокого порядка, то есть цифровые входные сигналы D 3 и D 2 регулируются напряжениями смещения VB 41 к VB 43 .Источники тока с , 41, , , 43, выполнены с одинаковыми размерами. Таким образом, различия (колебания) величин тока в источниках тока с 41 до 43 невелики. С этой точки зрения любое из напряжений смещения VB 41 — VB 43 (например, напряжение смещения VB 41 ) может быть отрегулировано указанным выше способом для включения переключателя, подключенного к тому же узлу, что и узел (любой из узлов с N 1 по N 7 ), который выводит напряжение смещения VB 41 , чтобы генерировать напряжения смещения VB 42 и VB 43 .Другими словами, напряжения смещения VB 41 , VB 42 и VB 43 могут быть равны друг другу.
Выводы затвора транзисторов MP 41 — MP 43 источников тока 41 до 43 могут быть соединены друг с другом, а выводы затворов могут быть соединены с узлами N 1 до N 7 цепи источника опорного тока 12 через одну схему выбора. Другими словами, напряжение смещения, зависящее от напряжения в узле (любом из узлов N 1 — N 7 ), выбранном одной схемой выбора, может подаваться на каждый из источников тока с 41 по 43 .В этом случае напряжение смещения регулируется таким образом, чтобы один ток от источников тока с , 41, до , 43, был равен току Ic 4 первого источника тока коррекции 61 .
В каждом из вариантов осуществления информация о регулировке напряжений смещения от VB 1 и от VB 41 до VB 43 (например, информация управления переключателем для управления схемами выбора 13 a до 13 d ) хранятся в схеме хранения.В качестве схемы хранения, например, может использоваться электрически программируемая энергонезависимая память. В соответствии с этой структурой информация настройки считывается из схемы хранения, например, при включении питания, и переключатели схем выбора 13 a — 13 d управляются в зависимости от настройки Информация.
В каждом из вариантов осуществления схемы управления опорным током 11 или 111 могут управлять опорным током Iref в зависимости от внешнего управляющего сигнала CNT.
В каждом из вариантов осуществления схема управления коррекцией 64 управляет переключателями S 1 , S 1 x до S 43 и S 43 x через декодер 51 . Вместо этого в процессе коррекции схема 64 управления коррекцией может напрямую управлять переключателями S 1 , S 1 x до S 43 и S 43 x.
В первом варианте осуществления опорный ток Irc коррекции устанавливается равным опорного тока Iref.Цепи резисторов R 11 и R 12 включены параллельно цепи резистора R 10 , чтобы вызвать ток, равный опорному току коррекции Irc (опорному току Iref), протекать через цепь резистора. R 10 в цифро-аналоговом преобразовании. Вместо этого, например, схема резистора, имеющая значение сопротивления, равное 1/2 суммарного значения сопротивления схемы резистора R 10 , может быть подключена параллельно схеме резистора R 10 .
Все примеры и условные формулировки, приведенные здесь, предназначены для педагогических целей, чтобы помочь читателю понять принципы изобретения и концепции, внесенные изобретателем в развитие техники, и должны толковаться как не ограничиваясь указанными конкретно примеры и условия, а также организация таких примеров в описании не относится к иллюстрации превосходства и неполноценности изобретения. Хотя варианты осуществления настоящего изобретения были описаны подробно, следует понимать, что в него могут быть внесены различные изменения, замены и изменения, не выходящие за рамки сущности и объема изобретения.
Как собрать радиостанцию
Несмотря на доступность мобильных телефонов, сегодня все еще есть люди, которые любят общаться по радио. Такая портативная связь может быть полезна в областях, где сигнал оператора мобильной связи нестабилен. А сохранить конфиденциальность и анонимность переговоров проще на радиоволне. Собрать радиостанцию своими руками сможет любой, кто хоть немного разбирается в электронике.
Вам понадобится
— Печатная плата;
— гетинакс фольгированный;
— транзисторы;
— конденсаторы;
— резисторы;
— микрофон;
— динамик;
— аккумулятор;
— провода;
— антенна;
— переключатель;
— корпус пластиковый;
— паяльник или паяльная станция.
Инструкция по эксплуатации
1
Подготовьте необходимые инструменты и материалы для изготовления радиостанции. Вам потребуются четыре транзистора MP42, три транзистора P416B, несколько резисторов и конденсаторов. Также подготовьте микрофон, динамик, антенну, штатный выключатель, аккумулятор постоянного тока, соединительные провода. Установите радиостанцию на текстолитовую плату.
2
Выбирая элементы для изготовления радиостанции, учитывайте количество экземпляров, которое вам предстоит сделать.Для минимально эффективной двусторонней связи потребуется два комплекта оборудования, но при желании можно увеличить количество участников радиосвязи.
3
Ознакомьтесь с приведенной здесь схемой радиоприемника. Антенна А1 обычная и служит как для отправки, так и для приема радиосигнала. Элемент SA1 представляет собой выключатель питания радиостанции, а коммутационное устройство SA2 подключает систему к источнику постоянного тока. Во время посылки сигнала ток идет на передатчик, а при приеме — на приемную часть технической системы.
4
Изготовить катушки для трансивера. В качестве основы используйте органическое стекло или полистирол. Также можно сделать каркас из плотного картона. Диаметр катушки должен быть 0,8 см, а высота — 2 см. Для намотки используйте медный провод сечением 0,5 мм, положив его виток на виток. При этом катушки L2 и L3 на одном кадре.
5
Разметить текстолитовую пластину в соответствии со схемой установки радиостанции, представленной на рисунке.Сделайте печатную проводку, используя гетинакс, покрытый фольгой. Из обрезков проволоки сделайте каркас устройства и вбейте их в отверстия в плате.
6
Вставьте смонтированную плату в пластиковый корпус. На лицевую панель устройства прикрепите ручку конденсатора С15. Подключите к радиоприемнику наушники с высоким сопротивлением и микрофон. Для внешней антенны используйте латунную трубку диаметром 0,5 см.
7
После того, как два набора радиостанций будут готовы, настройте устройства, плавно меняя параметры элементов системы с изменяемыми характеристиками.Получите лучшее качество связи. Если при приеме сигнала тембр голоса искажается, точнее подбирайте номиналы резисторов R1 и R3.

Основные характеристики транзистора МП42

Области применения транзистора МП42

Преимущества и недостатки транзистора МП42

Преимущества:

Недостатки:

Аналоги и замена транзистора МП42

Особенности применения транзистора МП42 в схемах

Маркировка и обозначение транзистора МП42

Измерение параметров и проверка исправности МП42

Современные альтернативы транзистору МП42

Транзистор МП42 — DataSheet

Транзисторы германиевые плоскостные: МП42, МП42А, МП42Б

Транзистор МП42-МП42Б | Радиодетали в приборах

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: МП42-МП42Б

Типы транзисторов

Маркировка транзисторов СССР

Поделиться ссылкой:

Понравилось это:

Транзисторы П210,МП39,МП40.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Цоколевка

Рекомендованные сообщения

Обозначение транзистора П210 на схемах

P210 Datasheet (PDF)

Блок питания для гаража

Обсудить эту статью на – форуме “Радиоэлектроника, вопросы и ответы”.

SemarglUA › Блог › Зарядное для акб — для себя — схемы (часть 2)

Транзистор П210.

Технические характеристики

Присоединяйтесь к обсуждению

Аналоги

Производители

Регулировка напряжения и тока

Для чего используются входные статические характеристики

sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами) — DJVU, страница 15

В приставке можно применить транзисторы серий МП39 МП42 с возможно большим коэффициентом передачи тока. Указанные на схеме транзисторы П416Б и П28

ДВУХКАНАЛЬНЫЙ АКУСТИЧЕСКИЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ

ТЕМА 6 ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ.

Защита блока питания от перегрузки.

Кремневый стабилитрон

Реле времени серии ВЛ-70, ВЛ-71

1.1 Усилители мощности (выходные каскады)

RC-ГЕНЕРАТОР ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 12

1.1 Усилители мощности (выходные каскады)

УЗЧ на регуляторе громкости

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ

Биполярные транзисторы

Лекция 2 ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

Вход Усилитель. Обратная связь

Основные технические характеристики

Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Разделительный фильтр

Одновибраторы на дискретных элементах.

1211ЕУ1/1А ДВУХТАKТНЫЙ KОНТРОЛЛЕР ЭПРА

1211ЕУ1/1А ДВУХТАKТНЫЙ KОНТРОЛЛЕР ЭПРА

Биполярный транзистор

Амплитудные детекторы

МУЛЬТИВИБРАТОР И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ

Глава 5. Дифференциальные усилители

6.3. ДВУХТАКТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ

А. Груздев (RV3DPD) Переключатель RX/ТХ

Генераторы прямоугольных импульсов

Комплекс телемеханики ТМ88-1

для фазз-1

Выходные аудиотранзисторы

Средние характеристики семейства AC128

Панорама

Европейское семейство ACxxx

Другие европейские модели

Модели для Восточной Европы (Венгрия, бывшая ГДР или бывший СССР)

Америка и Япония

Подробнее…

Transistor Device и применяется простым языком.Принципы работы транзистора. Различие в принципе транзисторов с разной структурой

Принцип работы биполярного транзистора.

Принцип работы полевого транзистора.

Важные параметры биполярных транзисторов.

Важные параметры полевых транзисторов.

Что такое транзистор?

Транзисторы. Определение и история