Транзистор п 210 а: Характеристики германиевых транзисторов П210

Характеристики германиевых транзисторов П210

П210 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Корпусное исполнение и цоколевка П210

Характеристики транзистора П210

Предельные параметры П210

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

• П210В, П210А, П210Б, П210 — 12 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т_п = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю (U_{КЭ0 max}) при Т_п = 25° C:

• П210В — 40 В
• П210Б — 50 В
• П210 — 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (U

КБ0 max) при Т_п = 25° C:

• П210В — 45 В
• П210А, П210Б — 65 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_п = 25° C:

• П210Ш, П210В, П210А, П210Б — 25 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (P_{К max}) при Т_к = 25° C:

• П210В, П210Б — 45 Вт
• П210А, П210 — 60 Вт

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (P_max) при Т_к = 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

• П210Ш, П210А, П210 — 85 ° C

Максимально допустимая температура корпуса (T_{к max}):

• П210Ш, П210А — 70 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

• П210В, П210Б — 70 ° C

Электрические характеристики транзисторов П210 при Т_п = 25^oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э)

• П210Ш — 15 — 60 при U_КЭ 1 В, при I_К 7 А
• П210В, П210Б — 10 при U_КЭ 2 В, при I_К 5 А
• П210А — 15 при U_КЭ 2 В, при I_К 5 А
• П210 — 15

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

Обратный ток коллектоpа (I_КБ0)

• П210Ш — 8 мА
• П210В — 15 мА
• П210А — 8 мА
• П210Б — 15 мА
• П210 — 12 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• П210Ш — 0,1 МГц
• П210А — 0,1 МГц

Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора (f_h31)

• П210В, П210Б, П210 — 0,1 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

• П210Ш, П210В, П210А, П210Б — 1 ° C/Вт
• П210 — 5 ° C/Вт

Опубликовано 13.02.2020

Транзисторы П210,МП39,МП40.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 — 2N1413
МП40 — 2N104
МП41 возможный аналог — 2N44A
МП42 возможный аналог — 2SB288

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12, у МП39Б находится в пределах от 20 до 60.
У транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40.
У транзисторов МП41 — от 30 до 60, МП41А — от 50 до 100.
у транзисторов МП42 — от 20 до 35, МП42А — от 30 до 50, МП42Б — от 45 до 100.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП39, МП40 — 15в.
У транзисторов МП40А — 30в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15в.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До 1,5 МГц у транзисторов МП42А.
До 2 МГц у транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора. — 20мА постоянный, 150мА — пульсирующий.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15 мкА.

Обратный ток эмиттера

при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30 мкА.

Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц — не более 60 пФ.

Коэффициент собственного шума — у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12дб.

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150мВт.
У МП42 — 200мВт.

Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно,

на одном транзисторе, без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы МП39, МП40,МП41,МП42 можно найти в приемниках «Альпинист 405», «Вэф 12″,»Вэф — транзистор 17», «Геолог»,»Гиала»,»Кварц-401″,»Мрия 301″,»Россия 301″,»Сокол 4″, «Спорт 301», «Юпитет 601», «Юпитер М», в магнитофонах — «Весна 3», «Романтик 3».
П210Б можно добыть из радиотрансляционных усилителей ВТУ -100. П210А и П210Ш — из списанных блоков питания военной радиостанции. Кроме того, иногда П210 можно встретить в промышленных лабораторных стабилизаторах напряжения.

На главную страницу

Транзистор П210 — DataSheet

Цоколевка транзистора П210

 

Параметры транзистора

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		П210		2N3614
		П210А		2N3614
		П210Б		AD142, AD545
		П210В		AD143
		П210Ш		2N3614
Структура		—	—	p-n-p	Вт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	П210	—	60*
		П210А	—	60*
		П210Б	—	45*
		П210В	—	45*
		П210Ш	—	60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f** h31э, f***max	П210	—	≥0.1**	МГц
		П210А	—	≥0.1**
		П210Б	—	≥0.1**
		П210В	—	≥0.1**
		П210Ш	—	≥0.1**
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	П210	—	60**	В
		П210А	—	65**
		П210Б	—	65
		П210В	—	45
		П210Ш	—	64*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	П210	—	25	В
		П210А	—	25
		П210Б	—	25
		П210В	—	25
		П210Ш	—	25
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	П210	—	12	А
		П210А	—	12
		П210Б	—	12
		П210В	—	12
		П210Ш	—	12
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	П210	—	≤12	мА
		П210А	45 В	≤8
		П210Б	—	≤15
		П210В	—	≤15
		П210Ш	65 В	≤8
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	П210	2 В; 5 А	≥15*
		П210А	2 В; 5 А	≥15*
		П210Б	2 В; 5 А	≥10*
		П210В	2 В; 5 А	≥10*
		П210Ш	2 В; 5 А	≥15*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	П210	—	—	пФ
		П210А	—	—
		П210Б	—	—
		П210В	—	—
		П210Ш	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас	П210	—	—	Ом
		П210А	—	—
		П210Б	—	—
		П210В	—	—
		П210Ш	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, Pвых	П210	—	—	Дб, Ом, Вт
		П210А	—	—
		П210Б	—	—
		П210В	—	—
		П210Ш	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	П210	—	—	пс
		П210А	—	—
		П210Б	—	—
		П210В	—	—
		П210Ш	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор П210 | | Радиодетали в приборах

Транзистор П210
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: П210

Золото: 0
Серебро: 0.0308
Платина: 0
МПГ: 0.155
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Похожее

П210В транзистор германиевый PNP (12А 45В) (h31Э >10) 45W

 

П210В
Транзисторы П210В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. 
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. 
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем.
Технические условия: аА0.336.483 ТУ.

Корпус:

 

Основные технические характеристики транзистора П210В:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт;
• fh31э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА;
• h31Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10

Технические характеристики транзисторов П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h31Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	f гp.	КШ	СК	СЭ
		А	А	В	В	В	Вт		В	мкА	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
П210	p-n-p	12	—	(60)	65	25	(60)	>15	—	12	—	0,1	—	—	—	85	-60…+70
П210А	p-n-p	12	—	(65)	65	25	(60)	>15	—	8	—	0,1	—	—	—	85	-60…+70
П210Б	p-n-p	12	—	—	65	25	(45)	>10	—	15	—	0,1	—	—	—	85	-60…+70
П210В	p-n-p	12	—	—	45	25	(45)	>10	—	15	—	0,1	—	—	—	85	-60…+70
П210Ш	p-n-p	12	—	(64)	—	25	(60)	>15	—	8	—	0,1	—	—	—	85	-60…+70

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h31Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.