Транзистор пнп. PNP и NPN транзисторы: принцип работы, отличия и применение

Что такое PNP и NPN транзисторы. Как работают биполярные транзисторы разных типов. В чем отличия PNP от NPN транзисторов. Где применяются разные типы биполярных транзисторов. Какие преимущества и недостатки у PNP и NPN.

Что такое биполярные транзисторы PNP и NPN типа

Биполярные транзисторы являются важнейшими активными компонентами современной электроники. Они применяются для усиления и коммутации электрических сигналов. Существует два основных типа биполярных транзисторов:

• PNP-транзисторы
• NPN-транзисторы

Эти типы отличаются внутренней структурой и принципом работы. Давайте разберемся подробнее, что представляют собой транзисторы PNP и NPN типа.

Принцип работы PNP-транзистора

PNP-транзистор состоит из трех слоев полупроводника с чередующимся типом проводимости:

• P — эмиттер
• N — база
• P — коллектор

Работа PNP-транзистора основана на инжекции дырок из эмиттера в базу. При подаче небольшого отрицательного напряжения на базу относительно эмиттера, дырки из эмиттера начинают диффундировать через базу в коллектор. Это приводит к появлению тока коллектора.

Таким образом, небольшое изменение напряжения база-эмиттер вызывает значительное изменение тока коллектора. На этом основано усилительное действие PNP-транзистора.

Принцип работы NPN-транзистора

NPN-транзистор имеет обратную структуру по сравнению с PNP:

• N — эмиттер
• P — база
• N — коллектор

В NPN-транзисторе основными носителями заряда являются электроны. При подаче небольшого положительного напряжения на базу относительно эмиттера, электроны начинают инжектироваться из эмиттера в базу и далее в коллектор.

Это также приводит к усилению тока — небольшое изменение тока базы вызывает значительное изменение тока коллектора.

Основные отличия PNP и NPN транзисторов

Главные различия между PNP и NPN транзисторами заключаются в следующем:

1. Полярность напряжений:
   • PNP — отрицательное напряжение на базе относительно эмиттера
   • NPN — положительное напряжение на базе относительно эмиттера
2. Направление токов:
   • PNP — ток течет от эмиттера к коллектору
   • NPN — ток течет от коллектора к эмиттеру
3. Носители заряда:
   • PNP — основные носители заряда дырки
   • NPN — основные носители заряда электроны

Эти различия необходимо учитывать при проектировании электронных схем на биполярных транзисторах.

Области применения PNP и NPN транзисторов

NPN-транзисторы используются чаще, чем PNP. Это связано с тем, что электроны обладают большей подвижностью, чем дырки. Поэтому NPN-транзисторы имеют лучшие частотные характеристики.

Основные области применения NPN-транзисторов:

• Усилительные каскады
• Генераторы
• Ключевые схемы
• Импульсные схемы

PNP-транзисторы применяются реже, в основном в следующих случаях:

• Complementary-симметричные схемы
• Источники тока
• Схемы защиты от перенапряжения

В некоторых случаях PNP-транзисторы могут быть удобнее с точки зрения построения схемы, например, при необходимости коммутации нагрузки в цепи с общим плюсом питания.

Преимущества и недостатки PNP и NPN транзисторов

NPN-транзисторы имеют следующие достоинства:

• Более высокое быстродействие
• Меньший уровень шумов
• Более широкий выбор транзисторов на рынке

Преимущества PNP-транзисторов:

• Удобство в схемах с общим плюсом питания
• Лучшая устойчивость к перенапряжениям

К недостаткам PNP-транзисторов можно отнести:

• Меньшее быстродействие
• Более высокий уровень шумов
• Меньший выбор моделей

Таким образом, выбор между PNP и NPN транзисторами зависит от конкретной задачи и требований к схеме. В большинстве случаев предпочтительнее использовать NPN-транзисторы, но в некоторых ситуациях PNP-транзисторы могут быть более уместны.

Как правильно включать PNP и NPN транзисторы в схему

При включении биполярных транзисторов в схему важно соблюдать правильную полярность напряжений и направление токов:

Для NPN-транзистора:

• Эмиттер подключается к отрицательному полюсу источника питания (общий провод)
• Коллектор подключается через нагрузку к положительному полюсу
• На базу подается положительное напряжение относительно эмиттера

Для PNP-транзистора:

• Эмиттер подключается к положительному полюсу источника питания
• Коллектор подключается через нагрузку к отрицательному полюсу (общий провод)
• На базу подается отрицательное напряжение относительно эмиттера

При неправильном включении транзистор не будет работать или может выйти из строя. Поэтому при проектировании схем необходимо внимательно следить за правильностью подключения выводов транзистора.

Какой тип транзистора выбрать для конкретной задачи

Выбор между PNP и NPN транзистором зависит от нескольких факторов:

1. Требуемое быстродействие:
   • Для высокочастотных схем лучше подойдут NPN-транзисторы
   • Для низкочастотных применений можно использовать PNP
2. Тип источника питания:
   • Для схем с общим минусом проще использовать NPN
   • Для схем с общим плюсом удобнее PNP
3. Требования к шумам:
   • Для малошумящих схем предпочтительнее NPN
4. Доступность компонентов:
   • NPN-транзисторы более распространены

В большинстве случаев оптимальным выбором будут NPN-транзисторы. Но в некоторых специфических применениях PNP могут иметь преимущества. Поэтому при проектировании схемы нужно тщательно проанализировать все требования и выбрать наиболее подходящий тип транзистора.

Заключение

Биполярные транзисторы PNP и NPN типа являются ключевыми компонентами современной электроники. Несмотря на схожий принцип работы, они имеют ряд важных отличий, которые необходимо учитывать при проектировании электронных устройств. Правильный выбор типа транзистора и корректное его включение в схему позволяет создавать эффективные усилительные, генераторные и коммутационные узлы для самых разных применений.

Применение pnp транзисторов

На рис. 22.6 приведена схема усилителя на pnp-транзисторе. Пусть это будет кремниевый транзистор. Тогда его ток и напряжения на эмиттере, базе и коллекторе можно рассчитать следующим образом:

Из соотношения V_BE= V_b– V_e следует V_e= V_b– V_BE.Поскольку V_BE = 0,6 В (кремниевый транзистор) и V_b = 1,5 В, то

V_e = 1,5 – 0,6 = 0,9 В.

Учитывая, что V_e = I_e·R₄, получаем

Таким образом, статический режим работы транзистора определяется следующими условиями:

V_e = — 0,9 В, V_b = — 1,5 В, V_c = — 6,4 В, I_e = 1,1 мА.

Приведенные значения напряжений на эмиттере, базе и коллекторе типичны для однокаскадных усилителей — УПЧ или предоконечных каскадов. Напряжение на базе равно примерно 0,1 V_СС, а на коллекторе — примерно 0,6 V_СС. Видно, что для транзисторов того и другого типа наи­меньшим по абсолютной величине является напряжение на эмиттере, наибольшим — напряжение на коллекторе, а напряжение на базе при­мерно на 0,6 В (для кремниевого транзистора) «выше» напряжения на эмиттере.

Транзистор прп-типа в схеме усилителя с отрицательным напряжением питания

Можно использовать прп-транзистор в схеме усилителя, питаемого от ис­точника с отрицательным напряжением — V_СС, как показано на рис. 22.7. В этом случае шасси играет роль положительной шины питания, и все напряжения в схеме отрицательны, поскольку они измеряются относи­тельно положительного шасси. Используя типичные величины, указан­ные на схеме, и учитывая, что напряжение на базе V_b равно падению напряжения на резисторе R₁, а напряжение на коллекторе — падению напряжения на резисторе R₃, получаем

Таким образом, статический режим работы транзистора определяется следующими условиями: V_e = — 8,8 В, V_b = — 8,2 В, V_c = — 4 В.

Рис. 22.7.   Усилитель на прп-транзисторе

с отрицательным напря­жением питания —V_CC.

          Рис. 22.8. Влияние базового тока I_b.

Базовый ток

Базовый ток I_b (рис. 22.8) течет от положительной шины источника пита­ния через резистор R₁ и эмиттерный переход транзистора к эмиттеру. Та­ким образом, через резистор смещения R₁ протекают два тока: ток покояI_s (протекающий также через резистор R₂) и базовый ток (не протекаю­щий через R₂).За счет базового тока падение напряжения на резисторе R₁ возрастает на величину I_bR₁. Поскольку V_R1 + V_R2= V_CC, то увеличе­ние V_R1 приводит к уменьшению V_R1, т. е. к уменьшению напряжения на базе. В нормальных условиях ток I_b очень мал, и им можно пренебречь, считая, что V_bполностью определяется резистивным делителем R₁ — R₂.

Однако при большой величине базового тока (например, когда транзи­стор работает в сильноточном режиме) или при очень большом сопроти­влении резистора R₁ изменение напряжения на базе, связанное с током I_b, начинает влиять на статические условия работы транзистора, и это изменение нужно принимать во внимание.

Рассмотрим схему на рис. 22.8. При нормальных условиях базовый ток, например          10 мкА, создает на резисторе R₁ падение напряжения I_bR₁ = 10 · 10^-6 · 15 · 10³= 150 · 10^-3 = 0,15 В. Как видим, это мало по сравнению с напряжением на базе 1,8 В, определяемым цепью сме­щения R₁ — R₂. Если теперь перевести транзистор в состояние высокой проводимости с большим пропускаемым током, то базовый ток также воз­растет. Предположим, что он увеличится до 80 мкА. Тогда падение на­пряжения на резисторе R_1, создаваемое таким базовым током, составит 80 · 10^-6 · 15 · 10³ = 1,2 В. На эту величину, т. е. от 1,8 В до 0,6В, уменьшится напряжение на базе транзистора.

Смещение базовым током

Базовый ток можно использовать для задания нормального смещения транзистора, как показано на рис. 22.9. В этой схеме резистор R₂ исклю­чен и используется только резистор R₁ с очень большим сопротивлением. Ток I_b теперь полностью определяет падение напряжения на этом ре­зисторе (ток покоя отсутствует). Величина этого падения напряжения достаточна для создания нормального смещения.

Для базового тока величиной 10 мкА (рис. 22.9) напряжение на базе рассчитывается следующим образом:

V_R1 = I_bR₁ = 10 · 10^-6 · 390 · 10³ = 3,9 В.

Напряжение на базе — это напряжение между базой и шасси, т. е.

V_b= V_CC – V_R1 = 6 – 3,9 = 2,1 В.

Преимущество схемы на рис. 22.9 — высокое входное сопротивление, обусловленное отсутствием резистора R₂, шунтирующего вход, недоста­ток — полное отсутствие стабильности по постоянному току.

Отсечка и насыщение

Говорят, что транзистор находится в состоянии отсечки, когда он пере­стает проводить, т. е. когда его ток равен нулю. При I_e = 0 падение напряжения на резисторе R₄ отсутствует (рис. 22.10).

Рис. 22.9. Смещение базовым током.                                 Рис. 22.10. Условие отсечки тран­зистора:

                                                                                                 V_e = 0, V_c = V_CC.

Рис. 22.11. Условие насыщения транзистора; V_e ≈ V_c.

Следовательно, на­пряжение на эмиттере также равно нулю. Поскольку I_c = 0, то падение напряжения на резисторе R₃ отсутствует и напря­жение на коллекторе равно напряжению питания V_CC. Таким образом, напряжение между коллектором и эмиттером V_CE= V_c – V_e также равно напряжению питания V_CC.

Говорят также, что транзистор находится в состоянии насыщения, ко­гда пропускаемый им ток настолько велик, что дальнейшее увеличение этого тока невозможно, т. е. когда I_e и I_c достигают своих максималь­ных значений. При увеличении I_e увеличивается также V_e (рис. 22.11). При увеличении I_c возрастает падение напряжения на резисторе R₃, что приводит к уменьшению напряжения на коллекторе относительно V_CC и  приближению его к напряжению на эмиттере. Таким образом, при увеличении тока транзистора напряжения на эмиттере и коллекторе приближаются друг к другу. В состоянии насыщения, когда ток транзистора максимален, напряжения V_e и V_c становятся практически одинаковыми, т> е. vceпрактически равно нулю. На рис. 22.11 указаны типичные значения напряжений в схеме, когда транзистор находится в состоянии насыщения.

Таким образом, транзистор можно использовать в качестве ключа (рис. 22.12):

ключ ЗАМКНУТ   — транзистор в состоянии насыщения,

ключ РАЗОМКНУТ — транзистор в состоянии отсечки.

 

Рис. 22.12. Транзисторный ключ.

Добавить комментарий

Транзисторы PNP в Украине в категории «Электрооборудование»

200x Транзистор биполярный NPN PNP TO92, набор SL

Доставка по Украине

603.99 грн

301.99 грн

Купить

SaLaT

Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP SL

Доставка по Украине

487. 39 грн

243.69 грн

Купить

SaLaT

Чип BC807-40 100ШТ BC807 5C SOT-23, Транзистор биполярный PNP SL

Доставка по Украине

230.87 грн

115.43 грн

Купить

SaLaT

200x Транзистор биполярный NPN PNP TO92, набор HB

Доставка по Украине

594.66 грн

297.33 грн

Купить

Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP HB

Доставка по Украине

478.06 грн

239.03 грн

Купить

Чип BC807-40 100ШТ BC807 5C SOT-23, Транзистор биполярный PNP HB

Доставка по Украине

221.54 грн

110.77 грн

Купить

Транзистор біполярний TIP32C PNP -100V 3A

На складе в г. Львов

Доставка по Украине

12 грн

Купить

Чип BC807-40 SOT23 5C, транзистор биполярный PNP, 100 штук

На складе в г. Ровно

Доставка по Украине

60 — 234 грн

от 2 продавцов

60 грн

Купить

Магазин «Freedelivery»

Чип BC557B TO92, транзистор биполярный PNP, 100 штук

На складе в г. Ровно

Доставка по Украине

170 — 377 грн

от 2 продавцов

170 грн

Купить

Магазин «Freedelivery»

200x Транзистор биполярный NPN PNP TO92, набор

На складе в г. Ровно

Доставка по Украине

по 220 грн

от 10 продавцов

220 грн

Купить

PROMRV

TIP36C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 25 А, 125W, [TO-247]

На складе в г. Полтава

Доставка по Украине

25.60 грн

Купить

Интернет магазин «E-To4Ka»

TIP36C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 25 А, 125W, [TO-247]

На складе в г. Полтава

Доставка по Украине

по 25.6 грн

от 3 продавцов

25.60 грн

Купить

Интернет магазин «E-To4Ka»

TIP36C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 25 А, 125W, [TO-247]

На складе в г. Полтава

Доставка по Украине

25. 60 грн

Купить

IT Electronics

Транзистор биполярный BRT PNP 50В 0,1А 400мВт 10кОм SOT23 MMUN2115

На складе в г. Павлоград

Доставка по Украине

Купить

АСЦ Интерсервис

Транзистор биполярный BRT PNP 50В 0,1А 400мВт 10кОм SOT23 MMUN2215

На складе в г. Павлоград

Доставка по Украине

Купить

АСЦ Интерсервис

Смотрите также

Транзистор биполярный NPN PNP TO92 набор, 200шт.

На складе в г. Ровно

Доставка по Украине

220 грн/набор

Купить

Double-Shop

200x Транзистор биполярный NPN PNP TO92, набор Без бренда

Доставка по Украине

266 грн

Купить

«Ценовал»

TIP36C, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 25 А, 125W, [TO-247]

Доставка из г. Полтава

по 26.1 грн

от 2 продавцов

26.10 грн

Купить

USCompany

200x Транзистор биполярный NPN PNP TO92, набор

Доставка по Украине

по 220 грн

от 3 продавцов

220 грн

Купить

freedelivery

Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP

Доставка по Украине

по 170 грн

от 3 продавцов

170 грн

Купить

freedelivery

Чип BC807-40 100ШТ BC807 5C SOT-23, Транзистор биполярный PNP

Доставка по Украине

по 60 грн

от 3 продавцов

60 грн

Купить

freedelivery

Транзистор биполярный PNP TIP36C TIP36 TO-247

Доставка по Украине

25 грн

Купить

Интернет-магазин Antiless

Транзистор биполярный 2SB817, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60 200 [TO-3PN]

На складе в г. Полтава

Доставка по Украине

29.99 грн

Купить

Интернет магазин «E-To4Ka»

Чип BC557B BC557 TO92, Транзистор биполярный PNP

На складе

Доставка по Украине

170 — 186 грн

от 5 продавцов

243 грн

170 грн

Купить

Sat-ELLITE.Net ➤ ИНТЕРНЕТ-СУПЕРМАРКЕТ

Чип BC807-40 BC807 5C SOT23, Транзистор биполярный PNP

На складе

Доставка по Украине

60 — 95 грн

от 4 продавцов

89 грн

62 грн

Купить

Sat-ELLITE.Net ➤ ИНТЕРНЕТ-СУПЕРМАРКЕТ

200x Транзистор биполярный NPN PNP TO92, набор

На складе

Доставка по Украине

220 — 440 грн

от 6 продавцов

314 грн

220 грн

Купить

Sat-ELLITE.Net ➤ ИНТЕРНЕТ-СУПЕРМАРКЕТ

Чип BC807-40 100ШТ BC807 5C SOT-23, Транзистор биполярный PNP

На складе в г. Ровно

Доставка по Украине

по 60 грн

от 8 продавцов

60 грн

Купить

Чипест

Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP

На складе в г. Ровно

Доставка по Украине

по 170 грн

от 8 продавцов

170 грн

Купить

Чипест

Транзистор биполярный 2SB817, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60 200 [TO-3PN]

На складе в г. Полтава

Доставка по Украине

29.99 грн

Купить

IT Electronics

Транзистор пнп

Транзисторы биполярные — трёхэлектродные полупроводниковые приборы, у которых электроды подключаются к последовательно расположенным слоям полупроводников с чередующейся примесной проводимостью. В отличие от полевых транзисторов, работа биполярных основывается на переносе электрического заряда двух типов, носители которых — дырки и электроны. Электроды, подключаемые к среднему слою, называются базой, а электроды, подключаемые к внешним слоям — коллектором и эмиттером эти слои различаются степенью легирования примесями. Вход с паролем и Регистрация. Мой регион: Россия.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• В чем разница между NPN и PNP транзисторами?
• Транзисторы: схема, принцип работы,​ чем отличаются биполярные и полевые
• Справочная информация — Промэлектроника
• Транзистор
• Транзистор биполярный
• Устройство, принцип работы и различие N-P-N и P-N-P транзисторов
• Биполярный транзистор
• Как работает биполярный транзистор
• pnp транзистор

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: NPN vs.

PNP Transistors as Common-Emitter Switches

В чем разница между NPN и PNP транзисторами?

Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра. Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов.

Так же транзистор может работать в ключевом режиме. Транзистор состоит из двух p-n переходов, причем одна из областей проводимости является общей. Средняя общая область проводимости называется базой, крайние эмиттером и коллектором. Вследствие этого разделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Рисунок 1. Схематическое представление транзистора а n-p-n структуры; б p-n-p структуры.

Для упрощения понимания вопроса p-n переходы можно представить в виде двух диодов, подключенных друг к другу одноименными электродами в зависимости от типа транзистора. Рисунок 2. Представление транзистора n-p-n структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных анодами друг к другу. Рисунок 3. Представление транзистора p-n-p структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных катодами друг к другу. Конечно же для лучшего понимания желательно изучить как работает p-n переход, а лучше как работает транзистор в целом.

Здесь лишь скажу, что чтобы через p-n переход тек ток его необходимо включить в прямом направлении, то есть на n — область для диода это катод подать минус, а на p-область анод.

Итак, приступим к проверке транзистора структуры n-p-n. Таким образом, база транзистора соответствует p- области, коллектор и эмиттер — n-областям. Для начала переведем мультиметр в режим проверки диодов. В этом режиме мультиметр будет показывать падение напряжения на p-n переходе в милливольтах.

Падение напряжения на p-n переходе для кремниевых элементов должно быть 0,6 вольта, а для германиевых — 0,,3 вольта. Сначала включим p-n переходы транзистора в прямом направлении, для этого на базу транзистора подключим красный плюс щуп мультиметра, а на эмиттер черный минус щуп мультиметра. При этом на индикаторе должно высветиться значение падения напряжения на переходе база-эмиттер.

Далее проверяем переход база-коллектор. Для этого красный щуп оставляем на базе, а черный подключаем к коллектору, при этом прибор покажет падение напряжения на переходе. Здесь необходимо отметить, что падение напряжения на переходе Б-К всегда будет меньше падения напряжения на переходе Б-Э. Это можно объяснить меньшим сопротивлением перехода Б-К по сравнению с переходом Б-Э , что является следствием того, что область проводимости коллектора имеет большую площадь по сравнению с эмиттером.

По этому признаку можно самостоятельно определить цоколевку транзистора, при отсутствии справочника. Так, половина дела сделана, если переходы исправны, то вы увидите значения падения напряжения на них. Теперь включаем в обратном направлении переход Б-К , результат должен быть аналогичным.

Осталось последняя проверка — переход эмиттер-коллектор. Если в результате проверки вы обнаружите не соответствие данной методике, то это значит, что транзистор неисправен.

Эта методика подходит для проверки только биполярных транзисторов. Перед проверкой убедитесь, что транзистор не является полевым или составным. Многие изложенным выше способом пытаются проверить именно составные транзисторы, путая их с биполярными ведь по маркировки можно не правильно идентифицировать тип транзистора , что не является правильным решением. Правильно узнать тип транзистора можно только по справочнику. При этом методика проверки остается неизменной, за исключением того, что мультиметр будет показывать сопротивление p-n переходов.

Имя обязательное. Бесплатное интернет издание посвященное электротехнике, электронике, радиотехнике и другим смежным областям. Журнал состоит из нескольких качественных и полезных статей практической направленности. Видеокурс «Черчение схем в программе sPlan 7». Если Вы хотите научиться чертить электрические схемы, создавать рисунки и иллюстрации например при оформлении курсовых, дипломных, при публикации на сайте и т.

Видеокурс «Программирование микроконтроллеров для начинающих». Если Вы хотите из новичка превратиться в профессиноала, стать высококлассным, конкурентноспособным и грамотным специалистом в области самого перспективного направления микроэлектроники, тогда изучите новый видокурс по микроконтроллерам! В результате вы научитесь с нуля не тольно разрабатывать собственные устройства, но и сопрягать с ними различную переферию! Запомнить меня. Как проверить транзистор мультиметром.

Итак, схематически биполярный транзистор можно представить следующим образом. Еще в этом выпуске журнала Как проверить аккумулятор автомобиля. Что такое микроконтроллер. Но на самом деле это будет подделка. В топку такой метод проверки. Напряжение на выходе зарядного увеличилось в следствие выхода из строя стабилизатора в зарядном если таковой имеется. Это может быть микросхема или транзистор. Если нет стабилизаторов, то возможно значение напряжение завышено в результате включения сглаживающих конденсаторов после диодного моста, и в режиме холостого хода, т.

Попробуйте подключить нагрузку и измерить напряжение. Обновить список комментариев. Разнообразный формат статей, красочные иллюстрации, качественные видео материалы. Конфиденциальность данных гарантируется. Основы электроники. Ремонт своими руками. Видеокурс «Черчение схем в программе sPlan 7» Если Вы хотите научиться чертить электрические схемы, создавать рисунки и иллюстрации например при оформлении курсовых, дипломных, при публикации на сайте и т.

Видеокурс «Программирование микроконтроллеров для начинающих» Если Вы хотите из новичка превратиться в профессиноала, стать высококлассным, конкурентноспособным и грамотным специалистом в области самого перспективного направления микроэлектроники, тогда изучите новый видокурс по микроконтроллерам!

Уверяю такого еще нет нигде! Подпишись на мой канал youtube! Логин Пароль Запомнить меня Забыли пароль? Забыли логин? Desktop Version.

Транзисторы: схема, принцип работы,​ чем отличаются биполярные и полевые

Принцип полупроводникового управления электрическим током был известен ещё в начале ХХ века. Несмотря на то, что инженеры, работающие в областях радиоэлектроники, знали как работает транзистор, они продолжали конструировать устройства на основе вакуумных ламп. Причиной такого недоверия к полупроводниковым триодам было несовершенство первых точечных транзисторов. Семейство германиевых транзисторов не отличались стабильностью характеристик и сильно зависели от температурных режимов.

Например в NPN-транзисторе носителем тока являются электроны, а в PNP- транзисторе — дырки (вакансии), которые менее мобильны.

Справочная информация — Промэлектроника

В качестве дискретных транзисторов, а также транзисторов интегральных микросхем наибольшее применение находят планарные и планарно-эпитаксиальные транзисторы. Планарные транзисторы с вертикальной структурой n-p-n рис. В транзисторах с вертикальной структурой носители заряда движутся от эмиттера к коллектору в направлении перпендикулярном поверхности кристалла. Планарный транзистор, показанный на рис. Эти транзисторы отличает простота технологии, высокая плотность компоновки. К недостаткам данной структуры следует отнести: большое сопротивление тела коллекторной области, неоднородное легирование коллектора по глубине. Для уменьшения сопротивления коллекторной области для ее формирования используют ионную имплантацию. Коллекторная область такого транзистора получается на основе эпитаксиально-выращенного на подложке p-типа слоя n. Высокоомная эпитаксиальная область n, прилегающая к коллекторному p-n-переходу, необходима для полуения высокого коллекторного напряжения и снижения коллекторной емкости. Расстояние между эмиттерами выбирают больше диффузионной длины носителей в базовом слое, чтобы носители не проникали от эмиттера к эмиттеру через боковые поверхности.

Транзистор

Биполярный транзистор — электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзистор называется биполярный , поскольку в работе прибора одновременно участвуют два типа носителей заряда — электроны и дырки. Этим он отличается от униполярного полевого транзистора, в работе которого участвует только один тип носителей заряда. Принцип работы обоих типов транзисторов похож на работу водяного крана, который регулирует водяной поток, только через транзистор проходит поток электронов.

Биполярные транзисторы управляются током, а не напряжением.

Транзистор биполярный

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Биполярные транзисторы. For dummies Электроника для начинающих Предисловие Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах. Транзистор, как и диод, основан на явлении p-n перехода.

Устройство, принцип работы и различие N-P-N и P-N-P транзисторов

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в году тремя учёными — Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли. Несмотря на то, что первый транзистор имел не очень презентабельный вид, это не помешало ему произвести революцию в радиоэлектронике. Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет подверженных вибрации частей, обладает компактными размерами. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике. Это было маленькое вступление, а теперь давайте разберёмся более подробно в том, что же представляет собой транзистор. Сперва стоит напомнить о том, что транзисторы делятся на два больших класса.

Отличие n-p-n транзистора от p-n-p транзистора состоит лишь в том что является «переносчиком» электрического заряда (электроны.

Биполярный транзистор

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента например, в схемах ТТЛ. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты [1]. С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора.

Как работает биполярный транзистор

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Clase 47: Como funciona transistor PNP

Приветствую вас дорогие друзья! Сегодня речь пойдет о биполярных транзисторах и информация будет полезна прежде всего новичкам. Транзисторы бывают в основном двух видов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. Поэтому в этой статье мы рассмотрим исключительно биполярные транзисторы а о полевых транзисторах я расскажу в одной из следующих статей. Биполярный транзистор это потомок ламповых триодов, тех что стояли в телевизорах 20 -го века.

Транзистор — повсеместный и важный компонент в современной микроэлектронике. Его назначение простое: он позволяет с помощью слабого сигнала управлять гораздо более сильным.

pnp транзистор

Первым делом давайте вспомним, какой проводимости бывают биполярные транзисторы. Кто читал предыдущие статьи, думаю помнят, что транзисторы бывают NPN проводимости:. Рассмотрим вот такой рисунок:. Здесь мы видим трубу, по которой течет вода снизу вверх под высоким давлением. В данный момент труба закрыта красной заслонкой и поэтому потока воды нет.

Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра. Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов. Так же транзистор может работать в ключевом режиме.

Когда использовать транзисторы NPN и PNP и полевые транзисторы

You are here: Home / New Articles / Когда использовать транзисторы NPN и PNP и полевые транзисторы

16 июля 2021 г. Автор: David Herres Оставить комментарий

Большинство биполярных транзисторов и полевых транзисторов (FET) имеют три вывода. В символе BJT базовый вывод перпендикулярен и приземляется в средней точке короткого отрезка, представляющего полупроводниковую подложку. Эмиттер имеет наконечник, встроенный в вывод, поэтому оставшийся вывод должен быть коллектором. Если указывает стрелка, устройство представляет собой NPN-транзистор. В противном случае это менее используемый PNP. Имейте в виду мнемоники «не указывай» и «указывай, пожалуйста».

Символы FET можно отличить по тому, что соединения стока и истока выходят перпендикулярно от подложки, а не под острыми углами, расходящимися друг от друга. Еще одно отличие состоит в том, что в JFET наконечник стрелки находится на выводе затвора, а не на стоке, что соответствует эмиттеру BJT. Если эта стрелка указывает внутрь, полевой МОП-транзистор является устройством с каналом P. Если это указывает, MOSFET является N-канальным.

Схематические символы и правила рисования схематических диаграмм различаются в зависимости от страны и юрисдикции. В Европе используется IEC 60617, аналогичный британскому стандарту BS 39.39, публикует соответствующие стандарты. В Северной Америке стандарты ANSI Y32.2-1975, IEEE Standard 315-1975 и CSA Z99-1975 практически не отличаются. Что касается логических функций, стандарт IEEE 91/91a распространяет графические символы, которые упоминаются в стандарте ANSI Y32.2/IEEE 315. Стандартом в Австралии является AS 1102.

Иногда возникает вопрос, как определить, когда NPN , PNP или FET — лучший выбор для данной схемы. Несколько общих рекомендаций помогут в принятии решения.

Сначала рассмотрим вопрос о полевых транзисторах и биполярных транзисторах. BJT, будь то NPN или PNP, управляются током, тогда как FET управляются напряжением. На практике это обычно означает, что биполярный транзистор включается, когда его диод база-эмиттер проводит ток. Диод включается и проводит ток, когда он становится смещенным в прямом направлении, и это происходит примерно на том же уровне 0,7 В, что и для обычного дискретного диода. Таким образом, смещения менее вольта между базой биполярного транзистора и эмиттером достаточно, чтобы включить транзистор.

Напротив, полевой транзистор, управляемый напряжением, обычно может требовать порядка 10 В на своем затворе для включения. Однако входной ток его затвора намного меньше, чем ток базы биполярного транзистора. Таким образом, полевые транзисторы обычно являются выбором, когда важно минимизировать входной ток / максимизировать входное сопротивление. Существуют и другие различия между биполярными транзисторами и полевыми транзисторами с точки зрения скорости переключения и коэффициента усиления, но основное внимание, как правило, уделяется входным характеристикам.

Это подводит нас к решению NPN против PNP. Ток, протекающий в базу NPN, включает транзистор, тогда как ток, вытекающий из базы, включает PNP. Таким образом, наиболее распространенное использование устройств NPN — это переключение заземления цепи. Устройства PNP используются для переключения с положительной стороны. Например, рассмотрим простой случай нагрузки и источника напряжения. Устройство NPN будет проходить между землей и нагрузкой, а другой конец нагрузки будет подключен к источнику напряжения. PNP будет проходить между источником напряжения и нагрузкой, а другой конец нагрузки будет подключен к земле.

Более реалистичным примером двух вариантов использования является нагрузка, управляемая логическим устройством, таким как цифровой выход микроконтроллера. Предположим, нагрузка работает от 12 В, но логика MCU при 5 В включена, 0 В выключена. Подход заключается в добавлении внешнего источника питания 12 В и подключении его выхода -V к GND микроконтроллера.

Здесь вы можете подключить одну сторону нагрузки к 12 В и использовать транзистор NPN для переключения другой стороны на землю. Ток через резистор к базе транзистора от ввода/вывода микроконтроллера включает нагрузку. При отсутствии тока (цифровой выход = 0 В) нагрузка остается плавающей и отключается.

И наоборот, вы можете подключить одну сторону нагрузки к земле и использовать PNP-транзистор для переключения другой стороны на 12 В. Ток подается на базу транзистора, когда на входе/выходе MCU 0 В, и нагрузка включается . Однако, чтобы выключить PNP-транзистор, на его базе должно быть 12 В, потому что его эмиттер находится под напряжением 12 В. Поэтому может потребоваться добавить еще один транзистор для преобразования 5 В в 12 В для управления PNP.

 

NPN — распространенная конфигурация. Почти все выходы с открытым коллектором являются выходами NPN. Преимущество использования PNP заключается в том, что нагрузка подключается к источнику только тогда, когда он включен. Напротив, одна сторона нагрузки всегда подключена к источнику, когда NPN включает и выключает его.

В области измерений проблема PNP/NPN чаще всего возникает при использовании промышленных датчиков. Можно найти промышленные датчики с выходами NPN или PNP для управления некоторой нагрузкой. Исторически сложилось так, что азиатские производители стандартизировали датчики NPN (используя входы 24 В пост. тока), в то время как европейские производители обычно используют PNP (приемники входов 24 В пост. тока).

Большинство заводов США стандартизируют датчики PNP, поскольку они более широко используются и их легче найти, чем их аналоги NPN. А технические специалисты часто находят датчики PNP более простыми для понимания, потому что датчик выдает сигнал напряжения высокого уровня, когда выход активен.

Следует отметить, что некоторые производители маркируют входы для соответствующего устройства вывода, а не для фактической функции самого входа.

Внешний нагрузочный резистор можно использовать для преобразования датчика NPN для работы с входным сигналом с обратным током. Но этот подход немного сложен, потому что он инвертирует логику датчика. Когда выход датчика NPN выключен, на входе погружения будет высокий уровень. В качестве альтернативы для преобразования PNP в NPN можно использовать подтягивающий резистор.

Рубрики: FAQ, Рекомендуемые, Новые статьи, Новости испытаний и измерений С тегами: FAQ

транзистор pnp — Перевод на Испанский язык – Linguee

1 Транзистор PNP o u tp ut 1 Транзисторный выход NPN Функциональные характеристики [. ..] в зависимости от направления, реверсивный Напряжение сигнала высокое/низкое leuze.com leuze.com	1 id транзистор PNP 1 da de транзистор 6 NPN 9005 […] Направленный, заменяемый Tensin de seal high/low leuze.es leuze.es
Переключение ou tp u t транзистор pnp o u tp ut leuzeusa.com leuzeusa.com	Сали от от […] CO NMUTAC I N SA LIDA D E Транзистор P N P
Напряжение 30 В постоянного тока wi t ч Транзистор PNP o u tp ut или двухтактный выход leuzeusa. com 3 leuz	Напряжение 30 В […] Contrua Co N Salid A D E Транзистор P NP O SAL ID AN OTRATASE 9002 LEUZE ID A EN CORTASE 9002 LEUZE.0003
A Транзистор PNP m e и s нагрузка будет подключена […] между выходом и 0В (т.е. при включении транзистора нагрузка […] будет потреблять ток от транзисторного выхода). memco.co.uk memco.co.uk	E l us o d e u n транзистор P NP обл iga a q ue la […] carga est conectada entre la salida y el nivel 0V (cuando el транзистор conduce, [. ..] Потребление груза или транзистора). memco.co.uk memco.co.uk
Выход предупреждения […] автоуправление ва р n Транзистор PNP , c или […] Напряжение сигнала высокое/низкое leuzeusa.com leuzeusa.com	Салида де […] объявление. авто Co ntrol wa rn транзистор PN P, princ ip de […] Conteo Tensin de seal high/low leuzeusa.com leuzeusa.com
1 Транзистор PNP ( d ar k переключение) […] Функциональные характеристики Обнаружен объект leuze.com leuze.com	1 транзистор P NP (co nmut ac в en [. ..] oscuridad) Funcin objeto registrado leuze.com leuze.com
(OU T 2 ) Транзистор PNP o u tp tp гайка перекл. […] zz темновое переключение, н.о. leuzeusa.com leuzeusa.com	(ВЫХОД 2 ) сал ida de транзистор PNP co нм. e n кларидад, […] н.з. з соед. en oscuridad, н.а. leuzeusa.com leuzeusa.com
Для установок, в которых нет подходящего регулируемого источника постоянного тока […] или нет соответствующего […] входы для NP N o r Транзистор PNP s w it ch, Модель [. ..] 280 000 Блок питания доступен в качестве опции. memco.co.uk memco.co.uk	En las instalaciones que no dispongan de una alimentacin DC regulada o que […] нет тенган лас салидас апропиадас […] пункт с on mutad или de транзистор NP N o PNP, s e debe […] utilizar una caja de alimentacin del modelo 280 000 (optativa). memco.co.uk memco.co.uk
Мы могли бы иметь нас ed a Транзистор PNP , b ут в конце I […] решил использовать простую схему с парой транзисторов NPN, […] что на самом деле работает как обратная схема. ea4cax. com ea4cax.com	Al окончательный ме […] decid p или u n sencil lo транзистор , q ue en re аль идад […] функция, соответствующая инвертору. ea4cax.com ea4cax.com
Безопасное переключение […] outputs (OSSD s) 2 pnp transistor o u tp uts leuzeusa.com leuzeusa.com	Салидас де […] сегуридад (OSSD) 2 сал idas d e транзистор P N P leuzeusa.com leuzeusa.com 4
NP N O R PNP Transistor ( F AC .	НПН или Р NP (configu rad o en f br ica) In dicadores memco.co.uk 90co.co.uk 90.co.4uk memco
2 x Транзистор PNP , H IG H активный или 2x NPN транзистор, НИЗКИЙ […] Напряжение сигнала высокое/низкое leuzeusa.com leuzeusa.com	2 Трансторы PN P, HI GH -Activ O, O 2 Транспорт NPN, L wAt -activIiv -activiv -activiv -activiv -activiv -activiv -activivores . Tensin de seal high/low leuzeusa.com leuzeusa.com
Транзистор PNP , c или Принцип подключения Напряжение сигнала высокое/низкое leuze. de leuze.de	Salida de adv er tenci a autoContr ol транзистор PN P, p rinc io […] Conteo Tensin de seal high/low leuze.es leuze.es
( Транзистор PNP ) l ig ht переключение z z leuze.com leuze.com	( транзистор PN P) соед. en c la ridad z z leuze.com leuze.com
Транзистор PNP o u tp ut переключение света	z Desarrollo como en Teach estndar. leuzeusa.com leuzeusa.com
Широкий диапазон напряжения [. ..] С 10 до 30 В WI T H PNP Transistor O U TP UT для PLC. LEU.	Amplio margen de tensin de […] 10 A 30 V CO N SALID A D E Transistor P NP PAR APL IC ACIONES PLC 9003 APL .
Доступны варианты для питания 10–35 В пост. тока […] напряжение с NPN — o r PNP-транзистор o u tp ut или датчики NAMUR […] с сертификатом ATEX для использования […] во взрывоопасных зонах 1/2 или 20. rechner.de rechner.de	Hay variantes para tensin de alimentacin de […] 10–35 В пост. тока c on sa крышка a d e транзистор P NP y N PN y ta [. ..] Датчики NAMUR с сертификатом ATEX […] para su uso en la zona G1/2 o Zona 20. rechner.de rechner.de
NAMUR датчики приближения […] датчики с NP N o r PNP транзистор o u тп ут. rechner.de rechner.de	Стандартный набор датчиков NAMUR и датчиков […] proximidad co n sal ida de транзистор NPN o PNP . rechner.de rechner.de
Транзистор PNP или u tp ut переключение на свет […] переключение leuze.com leuze.com	s al ida de транзистор PNP co нм. e n кларидад […] соед. en oscuridad leuze.com leuze.com
С кабелем […] соединение n 2 m PNP transistor o u tp ut RK 93/4-20 leuze.com leuze.com	Контома де […] Кабель 2 M SALI DA D E Транзистор P NP R K 93 /40056 -20 003
Безопасность […] коммутационные выходы (OSSD s) 2 транзистор pnp o u 5 релейных выходов 9055 […] Интерфейс безопасности AS-i Интерфейс PROFIsafe leuze.com leuze.com	2 контакта (контакт NA) interfaz AS-i Safety interfaz PROFIsafe leuze. com leuze.com
Транзистор PNP F u nc характеристики свет/темнота […] переключение (дополнительное) Напряжение сигнала высокое/низкое leuze.com leuze.com	30 мА Salida de conmuta ci n транзистор P NP Funci n конмутацин […] en claridad/oscuridad (antivalente) Tensin de seal high/low leuze.com leuze.com
1 NPN open-colle ct o r transistor 2 PNP o p en -colle ct o r транзистор 3 AC бесконтактный […] (тиристор) выход panasonic-electric-works. nl panasonic-electric-works.nl	Транзистор N PN e n Коллектор ab ierto Транзистор PNP e […] Салида тиристор AC panasonic-electric-works.es panasonic-electric-works.es
1 PNP a n d 1 N P N transistor F u nc tion characteristics […] реверсивный, объект обнаружен/не обнаружен Выходной ток макс. 150 мА leuze.com leuze.com	1 транзистор PNP y 1 транзистор N PN Fu nc сменный: […] объект обнаружения/не обнаружения Corriente de salida mx. 150 мА leuze.com leuze.com
Для установок, где отсутствует источник постоянного напряжения, или [. ..] дверной оператор/контроллер лифта […] cannot acce pt a PNP o r N P N transistor o u tp ut, власть […] Блок питания доступен с релейным выходом (см. далее). memco.co.uk memco.co.uk	Para las instalaciones en las que no se dispone de alimentacin CC o en las que el operador de […] puertas/controlador de ascensor № […] puedan acep ta r sali das de транзистор PNP o NPN, […] Сумматор по алиментацину/конмутацину […] con salida de rel (ваза ms adelante). memco.co.uk memco. co.uk
z PNP a n d N P N transistor o u tp ut for optimum […] адаптация к контроллеру leuze.com leuze.com	z Sal ida de транзистор PN P y NPN pa ra адаптацин […] оптимальный контроль leuze.es leuze.es
1 PNP a n d 1 N P N transistor F u nc tion characteristics […] обнаружен объект leuze.com leuze.com	1 транзистор PNP y 1 транзистор N PN Fu nc в объекте [. ..] регистрационный номер leuze.com leuze.com
Помимо электроники с релейным выходом (DPDT), a […] версия Wi t h Транзистор O U TPU T ( PNP ) ). vegaswing.com vegaswing.com	Junto a la electricnica con salida de rel (DPDT) hay disponible […] tambin una versin co n sal ida de транзистор (PN P) . vegaswing.com vegaswing.com
Кроме того, , если a PNP e n co [. ..] сложная медицинская проблема, он или она обучены консультироваться с врачом. levinechildrenshospital.org levinechildrenshospital.org	A d ems, si una PNP desc ub […] Problema clnico ms complejo, est entrenada para consultar con el mdico. levinechildrenshospital.org levinechildrenshospital.org
Для этого […] проблема, т ч е ПНП l e объявление […] во второй половине 1995 года меры по усилению места преступления операций. ccprcentre.org ccprcentre.org	Для решения этой проблемы, la […] direccin de l a PNP a do pt medidas […] para fortalecer las operaciones en el lugar de los hechos a finales de 1995. ccprcentre.org ccprcentre.org

В чем разница между транзисторами NPN и PNP?

Транзисторы являются наиболее широко используемым компонентом в электронных устройствах. Транзисторы в основном делятся на два подтипа: транзистор с биполярным переходом (BJT) и транзистор с полевым эффектом (FET). BJT можно разделить на два типа в зависимости от их конструкции, известных как транзисторы NPN и PNP.

• По теме: В чем разница между транзистором и тиристором (SCR)?

Прежде чем перейти к различиям между NPN и PNP, мы собираемся объяснить основы транзистора.

Транзистор BJT состоит из чередующихся слоев полупроводникового материала P- и N-типа. Возможны две комбинации. Это происходит, если либо материал N-типа помещается между двумя материалами P-типа для формирования PNP-транзистора, либо если материал P-типа помещается между двумя материалами N-типа для формирования NPN-транзистора 9. 0003

Вот распиновка транзисторов BC-547 NPN и BC-557 PNP соответственно.

Полезно знать: Название транзистора происходит от комбинации двух слов, т. е. передачи и сопротивления = транзистор. Другими словами, транзистор передает сопротивление с одного конца на другой. Короче говоря, транзистор имеет высокое сопротивление на входе и низкое сопротивление на выходе.

Похожие сообщения:

• ПНП-транзистор? Строительство, работа и применение
• Транзистор NPN? Строительство, работа и применение

Содержание

Транзистор NPN

Транзистор NPN  состоит из комбинации двух материалов N-типа и одного материала P-типа. где материал P-типа зажат между этими двумя N-типами. Центральная P-область является самым тонким слоем из всех, который также известен как База. Одна из N-областей, которая является самым толстым слоем из всех, но слабо легирована, называется коллектором, а другая N-область, сравнительно более тонкая, но сильно легированная по сравнению с коллектором, называется эмиттерной.

Три терминала Коллектор, База и Излучатель поднимаются из материалов N, P и N-типа соответственно. Коллектор и эмиттер имеют электроны в качестве основных носителей заряда, в то время как База имеет дырки и основные носители заряда. Напротив, коллектор и эмиттер имеют дырки в качестве неосновных носителей заряда, а база имеет электроны в качестве неосновных носителей заряда.

Основа представляет собой тонкий слой P-типа, имеющий большинство отверстий. Приложение положительного напряжения по отношению к эмиттеру будет толкать электроны в базу (p-область). Поскольку он тонкий и слабо легированный, электроны объединяются с дырками, что приводит к проникновению в область обеднения, что заставляет электроны течь от вывода коллектора к выводу эмиттера.

Таким образом, в транзисторе NPN подача положительного импульса на базу вызывает ток, направленный от коллектора к эмиттеру. При этом ток прямо пропорционален базовому току.

Символ NPN-транзистора также используется для обозначения направления тока. Маленькая стрелка, указывающая наружу от эмиттера, показывает текущее направление, идущее наружу от эмиттера.

Так как большинство носителей заряда в коллекторе и эмиттере это электроны и они ответственны за протекание тока. Следовательно, основным носителем заряда в NPN-транзисторе являются электроны, а неосновным носителем — дырки.

Транзистор NPN включается подачей положительного напряжения на клемму базы и выключается подачей низкого напряжения 0В на клемму базы.

Поскольку основными носителями заряда являются электроны, и они быстрые, время восстановления транзистора NPN быстрое. Это приводит к тому, что NPN имеет очень малое время включения и выключения, что обеспечивает очень высокую скорость переключения.

Похожие сообщения:

• Разница между DIAC и TRIAC
• Тиристорный и кремниевый выпрямитель (SCR) – применение тиристоров

Транзистор PNP

Транзистор PNP состоит из комбинации 2 слоев P-типа и 1 слоя N-типа. Тонкий N-слой зажат между двумя толстыми P-слоями. Средний N-слой называется базой, а два других слоя называются коллектором и эмиттером.

Коллектор и эмиттер имеют дырки в качестве основных носителей заряда, в то время как База имеет электроны в качестве основных носителей заряда. Неосновными носителями заряда в коллекторе и эмиттере являются электроны, а в базе — дырки.

Приложение отрицательного напряжения к базе по отношению к эмиттеру приведет к проталкиванию дырок в область базы. Поскольку в основе есть электроны в качестве основных носителей, дырки будут объединяться с электронами и заставлять их проникать в обедненную область. Следовательно, ток от эмиттера начнет течь к коллектору. Этот ток обусловлен наличием основных дырок носителей заряда.

PNP-транзистор включается при подаче на базу отрицательного напряжения и выключается при подаче положительного напряжения. Поскольку большинство носителей заряда представляют собой дырки, время восстановления PNP-транзистора сравнительно велико. Поэтому транзистор PNP имеет низкую скорость переключения.

Символ PNP-транзистора отличается от NPN. На нем показана стрелка, указывающая внутрь, показывающая направление тока, протекающего внутри эмиттера к клемме коллектора.

 

Похожие сообщения:

• Разница между микропроцессором и микроконтроллером
• Разница между микропроцессорами 8085 и 8086 — сравнение

Основное различие между транзисторами NPN и PNP

В следующей сравнительной таблице показаны некоторые ключевые различия между транзисторами PNP и NPN.

Транзистор NPN	ПНП-транзистор
Состоит из комбинации двух N-слоев и одного P-слоя.	Он состоит из двух P-слоев и одного N-слоя.
Образуется путем вставки P-слоя между N-слоями.	Образуется путем вставки N-слоя между P-слоями.
Эмиттер и коллектор связаны с N-областями.	Эмиттер и коллектор связаны с P-областями.
Базовый терминал связан с P-областью.	Базовый терминал подключен к N-региону.
Основными носителями заряда являются электроны.	Большинство носителей заряда — дырки.
Неосновными носителями заряда являются дырки.	Неосновными носителями заряда являются электроны.
Проводимость начинается, когда электроны входят в базовую область.	Он начинает проводить, как только отверстия входят в базовую область.
Включается при подаче положительного базового напряжения.	Включается при подаче низкого базового напряжения.
Выключается при подаче низкого базового напряжения.	Выключение при подаче положительного базового напряжения
Ток течет от коллектора к эмиттеру.	Ток течет от эмиттера к коллектору.
Базовый ток поступает в базу через эмиттер.	Базовый ток идет от эмиттера к базе.
В символе NPN стрелка эмиттера указывает наружу.	В символе PNP стрелка эмиттера указывает внутрь.
Имеет малое время переключения, поэтому имеет высокую скорость переключения.	Имеет большое время переключения, поэтому имеет низкую скорость переключения.

Похожие сообщения:

• Разница между процессором и графическим процессором – сравнение
• Разница между аналоговой и цифровой схемой — цифровая и аналоговая

Свойства и характеристики транзисторов PNP и NPN

Следующие свойства отличают транзисторы PNP и NPN, имеющие разные характеристики и области применения.

Строительство

Транзистор NPN изготавливается путем помещения P-слоя между двумя N-слоями.

Транзистор PNP состоит из N-слоя, помещенного между двумя P-слоями.

Символ

Символ NPN обозначается стрелкой на излучателе, направленной наружу. В то время как в транзисторе PNP наконечник стрелки указывает внутрь.

Течение тока

В NPN-транзисторе ток течет от коллектора к эмиттеру, а в PNP-транзисторе ток направлен от эмиттера к коллектору. Текущее направление также обозначается их символом.

Переключение

NPN-транзистор включается, когда на базовую клемму подается положительное напряжение высокого напряжения, а PNP-транзистор включается, когда на базовую клемму подается отрицательное или низкое напряжение 0 В.

Скорость переключения

Транзистор NPN включается и выключается мгновенно. Следовательно, транзистор NPN имеет более высокую скорость переключения по сравнению с транзистором PNP.

Мажоритарные операторы сборов

Протекание тока в транзисторе зависит от основных носителей заряда.