Транзистор q1: Access to this page has been denied. — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

Качество q1 транзисторы для электронных проектов Free Sample Now

О продукте и поставщиках:

Alibaba.com предлагает большой выбор. q1 транзисторы на выбор в соответствии с вашими потребностями. q1 транзисторы являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. q1 транзисторы, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего.

q1 транзисторы состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. q1 транзисторы охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. q1 транзисторы скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. q1 транзисторы для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. q1 транзисторы на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. q1 транзисторы для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. q1 транзисторы на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Простая и эффективная схема отключения выхода источника питания с функцией мягкого старта и отсутствием бросков тока при включении.

С целью удовлетворения строгих требований к потреблению энергии в режиме ожидания, многоканальные источники питания отключают выход при подаче сигнала ожидания. Обычно это осуществляют путем коммутации транзисторов биполярных или МОП-транзисторов. При расчете трансформатора учитывается падение напряжение на транзисторе. При низких выходных токах применяют более дешевые BJT-транзисторы вместо МОП-транзисторов.

Рисунок 1 – простая схема плавного пуска для отключения питания в режиме ожидания при устранении всплеска пускового тока, демонстрирующая возможность использования небольшого транзистора Q1 для снижения общей стоимости.

На рисунке 1 схематически изображен простой байпасный переключатель серии BJT с высоким значением емкости Cload для выхода с параметрами тока 12 В, 100 мА. Транзистор Q1 – последовательный регулирующий элемент, а Q2 производит его включение/отключение в зависимости от типа генерируемого сигнала ожидания. Резистор R1 рассчитан таким образом, чтобы генерируемый Q1 ток оказался достаточным для достижения оптимальных параметров работы при минимальном Beta (коэффициенте усиления) и максимальном значении выходного тока. Чтобы смягчить переходный ток при включении рекомендуется подключение дополнительного конденсатора Cnew. При отсутствии последнего Q1 быстро переключается в режим нагрузки с преобладающей емкостной составляющей, что приводит к броску тока. Для смягчения этого всплеска требуется более габаритный Q1, что приводит к увеличению финансовых затрат.

Cnew устраняет этот всплеск, увеличивая емкость Q1. Дополнительная емкость ограничивает соотношение dv/dt коллектора Q1. Чем ниже значение dv/dt, тем ниже значение тока заряда в Cload. При определении емкости Cnew учитывают значение произведения соотношения di/dt в Q1 и Cnewn, результат которого должен равняться силе тока в R1.

Советуем почитать: Регулируемые источники питания на базе микросхем Power Integrations

Статья Power Integrations.

Перевод Макро Групп.

Генератор факельного разряда на MOSFET-транзисторе / Хабр

Вступление

Всем хеллоу, сегодня речь пойдет о младшем брате катушек Теслы, генераторе факельного разряда, или «факельнике». Этот экземпляр был собран мной больше года назад, но мне не хватило терпения настроить его до конца, да и были существенные косяки в конструкции и исполнении. Недавно же я довел устройство до ума, и, раз уж пошла речь о высоковольтных устройствах, таких как ZVS-генератор и генератор Ройера, описанных в недавних статьях, решил написать статейку на Хабр, может кому будет интересно.

Что это такое, зачем нужно и как работает?

Генератор факельного разряда представляет собой вполне стандартный высокочастотный генератор, собранный по схеме типа «емкостная трехточка» на MOSFET-транзисторе со стабилизацией частоты LC-контуром (см. схему ниже).

Схема устройства

Практического применения схема не имеет, разве что для слишком уж специфичных задач, где необходимы температуры в несколько тысяч градусов, и создается как и все катушки Теслы / лестницы Иакова / качеры Бровина чисто в рамках спортивного интереса и для получения эстетического удовольствия при виде ~~взрывающихся транзисторов~~ высокочастотного факела на кончике плавящегося терминала.

Но как же достигается образование факела на кончике разрядника? Все достаточно просто: сам генератор достаточно мощный, вся система настроена в резонанс, и в колебательном контуре L2-C2-C3 образуется высокочастотное напряжение большой амплитуды, а поскольку к «горячему» концу контура подключена катушка L3, которая, по сути, является вторым колебательным контуром, так как ее резонансная частота должна быть равна резонансной частоте контура L2-C2-C3, на втором конце катушки L3 напряженность высокочастотного поля достигает таких значений, что выход энергии с острия терминала наблюдается в виде коронного разряда, который из-за большой частоты работы устройства чем-то напоминает пламя свечи. Потребляемая мощность при питании от источника напряжением 30 вольт около 200 ватт, длина факела при этом 4.5 см.

Сборка и настройка устройства

Сразу скажу, что настройка каждого такого генератора проводится исключительно экспериментально, рассчитать что либо кроме резонатора практически невозможно, поскольку схема высокочастотная, резонансная, и влияние паразитных емкостей и индуктивностей будет отличаться в каждом конкретном варианте сборки. Советую делать все провода как можно короче (этим я немного пренебрег) и набраться терпения, если еще не страшно, продолжаем, я постараюсь объяснить все как можно подробнее 🙂

НЕБОЛЬШОЙ ДИСКЛЕЙМЕР: не подносите ближе одного метра к работающему генератору любое оборудование и электронику, это может повлиять на ее работу, или вывести из строя, не стоит использовать в качестве источника питания импульсные блоки питания, лучше всего аккумулятор или блок питания на основе сетевого трансформатора с выпрямителем. Температура факела превышает несколько тысяч градусов. Будьте осторожны!

Перед сборкой не помешает рассмотреть основные составные части генератора. Одной из них является обычный усилитель A-класса на MOSFET-транзисторе Q1. Цепь R1-R2-RP1-D1 задает необходимое начальное напряжение на затворе, и, как следствие, ток покоя каскада. Проще говоря, эта цепь позволяет как-бы «приоткрыть» транзистор для введения его в нужную область вольт-амперной характеристики и обеспечения работы транзистора «в режиме». Дроссель L1 является нагрузкой каскада, и образует с конденсатором C1 Г-образный LC фильтр, подавляющий высокочастотные помехи, создаваемые генератором в цепях питания. Следующая часть — резонансный контур L2-C2-C3, образуемый индуктивностью и емкостным делителем напряжения C2-C3, к точке соединения конденсаторов которого подключен затвор транзистора Q1, обеспечив таким образом положительную обратную связь мы превратили усилитель в автогенератор, частота работы которого зависит от параметров колебательного контура L2-C2-C3. Последняя часть генератора — катушка L3, которая, как было описано выше, в паре с терминалом образует второй колебательный контур. На этом рассмотрение узлов устройства считаю исчерпывающим, переходим к сборке и настройке генератора.

Для начала соберем основу генератора: усилитель A-класса с Г-образным фильтром и цепью смещения затвора. Транзистор необходимо установить на массивный радиатор, нагрев в процессе работы будет адским. Хорошо подходят радиаторы охлаждения центральных процессоров ПК. В качестве основания я выбрал стеклотекстолит, а также добавил винтовой зажимной разъем и выключатель в конструкцию

Основа генератора

По центру разместился транзистор с обвязкой. Хорошо работают IRFP250N, IRFP260N, их я проверял лично, есть информация что подходит IRFP460N. Стабилитрон любой от 5.6 до 12 вольт (возможно, подойдет супрессор, сам не пробовал), резистор R1 1-1.5K, мощность не менее 0.5 ватта, R2 1-5.1K, мощность любая, подстроечный резистор PR1 10-100K, очень рекомендую взять многооборотистый, проще будет настраивать ток покоя.

Транзистор Q1 с обвязкой R1-R2-RP1-D1

Слева от транзистора разместился керамический фильтрующий конденсатор, набранный из 20 элементов поверхностного монтажа емкостью по 4.7 мкФ каждый. Данная сборка должна иметь емкость 90-100 мкФ, рабочее напряжение в два раза больше питающего и обязательно состоять из любого количества керамических конденсаторов, обычные электролитические или танталовые конденсаторы при таком уровне и частоте пульсаций просто взрываются.

Фильтрующий конденсатор C1

Далее мотаем и добавляем в конструкцию дроссель L1. Магнитопровод обязательно ферритовый, другие не работают, даже не всякие ферритовые хорошо работают, форма любая, габаритная мощность не менее 100 ватт, количество витков около 20, провод любой 0.8 и более мм диаметром, предпочтительно литцендрат или многожильный, количество витков и сердечник подбираются экспериментально. У меня лучше всего работало на двух ферритовых кольцах-фильтрах с проводов мощных блоков питания, соединенных вместе, намотал 22 витка каким-то проводом МГТФ, он хоть и тонковат, но многожильный и хорошо держит нагрев. Именно такой дроссель я и оставил в итоге.

Дроссель L1

Теперь пора отрегулировать ток покоя. Подключаемся микроамперметром в разрыв точки соединения дросселя L1 и стока транзистора Q1, при этом контур L2-C2-C3 и катушка L3 должны быть отключены, выкручиваем подстроечный резистор RP1 в минимум и подаем 15-20 вольт на схему, этого более чем достаточно чтобы получить факел в сантиметр-полтора и настроить систему. При этом все должно быть так как на схеме ниже. Медленно подкручиваем резистор RP1, пока ток покоя не будет в районе 150 мА, в дальнейшем его можно изменять при настройке, но после 250 мА сильно вырастает нагрев, а при токе ниже 100 мА может срываться или не запускаться генерация, оптимально 150-200 мА.

Схема подключения миллиамперметра

Настало время подключить контур L2-C2-C3. Катушка L2 особо не критична, должна иметь диаметр оправки 30-35 мм и 7-12 витков толстого провода, 1 и более миллиметра диаметром. Можно найти готовые катушки как на фото ниже, они достаточно распространены и идеально подходят для этой схемы, в странах постсоветского пространства их несложно найти практически на любом радиорынке ил радиобарахолке, параметры особо не критичны. Характеристики моей катушки: диаметр керамического основания 35 мм, 8 витков посеребренным медным проводом 2.5 мм диаметром. Катушка будет слегка нагреваться.

Контурная катушка L2

Контурный конденсатор C3 должен быть обязательно высококварным, то есть должен работать с большими реактивными мощностями, идеально подходят конденсаторы К-15У, я испытывал два как на фото ниже, 100 пФ и 150 пФ, оба работают нормально, нагрев не более 40 градусов. Другие конденсаторы, я испытывал КВИ-2 и КВИ-3, очень сильно греются, их диэлектрик не предназначен для работы на таких частотах и мощностях.

Контурные конденсаторы C3

Конденсатор C2 в нижней части емкостного делителя напряжения любой керамический 250 и более вольт, но, почему-то хорошо работают именно КСО. Поскольку для настройки нужен большой ассортимент конденсаторов, а у меня есть мешок КСО, именно их я и испоьзовал.

Конденсатор C2

Точного номинала C2 сказать невозможно, этот конденсатор подбирается исключительно экспериментально, поэтому убираем миллиамперметр, и собираем схему полностью, но без катушки L3 и терминала. Ставим с начала конденсатор C2 1нф, подаем питание и отверткой проверяем дугу с точки подключения резонатора. Если дуги нет, увеличиваем емкость C2. Проверить, началась ли генерация, можно неоновой лампочкой, поместив внутрь L2, если светится, значит все хорошо. При дальнейшем увеличении емкости C2 потребляемая мощность и дуга будет расти, до какого-то предела, затем генерация сорвется (то есть, при увеличении емкости, после какого то предела, дуга пропадет, а ток потребления резко упадет), нам надо подобрать емкость на 100-300 пФ ниже чем емкость, при которой происходит срыв. Проще говоря, подбираем емкость C2 до тех пор, пока дуга и мощность не станет максимальной, но генератор будет стабильно запускаться и работать. У меня срывалась генерация при номинале C2 более 3,6 нФ, в итоге я оставил 3,4 нФ. Дуга при 15 вольтах питания получалась как на фото ниже. На этом настройка первого резонансного контура закончена.

Настройка первого резонансного контура

Итак, финал близко! Переходим к расчету резонатора L3 и изготовлению терминала, для этого нам надо знать частоту работы генератора, измерить ее можно осциллографом или частотомером (НЕ ПОДКЛЮЧАЙТЕ измерительное оборудование напрямую к контуру, для измерения достаточно просто положить провод на расстоянии нескольких десятков сантиметров от работающего генератора) или поймать на SDR-радио и посмотреть центральную частоту на спектре. Частота моего экземпляра составила 11.75 МГц. Далее, исходя из диаметров оправки и провода рассчитываем катушку, так чтобы ее резонансная частота была равна частоте генератора, которую мы измерили, мотать надо проводом 0.8 и более мм в диаметре, и на 20-30 процентов больше расчетного количества витков. Если рассчитывать не вариант, мотаем заведомо больше витков. Подсоединяем катушку L3 на свое место, и, отматывая по одному витку, начинаем поиск резонанса, который ознаменуется появлением факела. Когда факел будет максимально длинным, подключаем терминал. Резонанс немного уйдет, и надо будет отмотать еще несколько витков, чтобы факел с нашим терминалом был максимально большим. если вы отмотали лишнее, можно добавить виток снизу (так сделал я) или немного увеличить терминал. Катушка у меня получилась 64 витка по расчету, а фактически больше 70, диаметр оправки 32 мм, мотал проводом диаметром 1 мм. Фото катушки L3 вместе с терминалом ниже.

Катушка-резонатор L3 с разрядником

С разрядником отдельная история, он будет постоянно выгорать, лучше всего чтобы конструкция была модульной, например, как у меня, на винтовых зажимах, для того чтобы иметь возможность заменить рабочее тело терминала. А вот с материалом не все так просто, в идеале — вольфрам, но я использовал медь, благодаря хорошей теплопередаче на небольших мощностях выгорания практически не было, хороший вариант — графит, но он должен быть чистым, иначе стержень трескается, помимо этого графит после каждого остывания будет немного осыпаться. Тело разрядника должно быть достаточно массивным, чтобы успевать рассеивать тепло от электрода без расплавления, но не иметь слишком большую длину, иначе окажет сильное влияние на емкость резонатора и уведет резонанс. На этом разбор отдельных элементов и настройку системы можно считать оконченной!

Собранный и настроенный генератор

Заключение

Итак, статья вышла достаточно длинной, но я постарался объяснить все максимально подробно, если будут вопросы, вы можете задать их в комментариях, как увижу, непременно отвечу. Желаю удачи всем, кто собрался повторить проект, и давайте посмотрим на то, ради чего все мы здесь собрались — на электронный огонь:

Электронное пламя

Буду рад, если статья оказалась полезной или интересной! Всем добра 🙂

Схема переключения RX/TX на полевых транзисторах

Бродя по просторам интернета, я наткнулся на блог немецкого радиолюбителя-конструктора Peter, DK7IH. На сайте вы найдете описание трансиверов Midi6, Gimme Five, и других конструкций за авторством Peter. Изучая эти проекты, меня особенно заинтересовала схема переключения RX/TX на полевых транзисторах. Такая схема ранее мне не встречалась, поэтому было решено изучить ее более внимательно.

Вот схема:

Нечто подобное обычно используются в трансиверах. В моем SSB-трансивере на 40 метров аналогичная схема построена на реле RT314012. Схема управляется кнопкой PTT на тангенте. Когда кнопка не нажата, питание подается на шину RX_12V, а шина TX_12V обесточена. При нажатии кнопки питание исчезает с шины RX_12V и появляется на TX_12V.

Принцип работы легко понять, если подсмотреть в шпаргалку по полевым транзисторам. Здесь используется два P-канальных транзистора. В начальный момент времени затвор Q1 подтянут к плюсу, и транзистор закрыт. В связи с этим затвор Q2 подтянут к минусу. Транзистор открыт, и мы имеем питание на RX_12V. При нажатии PTT затвор Q1 притягивается к земле, и транзистор открывается. Затвор Q2 притягивается к плюсу, и транзистор закрывается. Так питание исчезает с RX_12V и появляется на TX_12V. Конденсатор С1 стоит для защиты от дребезга.

Q1 и Q2 не подписаны на схеме, потому что их выбор не критичен, впрочем, как и номиналы R1-R3. В качестве Q1 и Q2 Peter использовал IRF9540 (Id = 19 А, Rds(on) = 0.2 Ом). Как автор поясняет в комментариях к посту, просто у него большой запас этих транзисторов. Во многих случаях подойдут более дешевые IRF9510 (4 А, 1.2 Ом). У меня в запасах нашлись только IRF4905 (42 А, 0.02 Ом), поэтому схема тестировалась на них:

Все работает в соответствии с ожиданиями. Зеленый светодиод загорается на прием, красный — на передачу. При пропускании через транзисторы тока в 2.5 А они даже не греются. Что не удивительно, ведь при этом рассеивается лишь:

>>> I = 2.5
>>> Rds_on = 0.02
>>> pow(I,2)*Rds_on
0.125

… 125 мВт. Будьте однако внимательны при использовании других транзисторов. Кстати, никто не говорил, что Q1 и Q2 должны быть одинаковыми.

Подключим щупы осциллографа к RX_12V и TX_12V, затем понажимаем PTT. В первом приближении все выглядит неплохо:

Но только до тех пор, пока мы не приблизим момент перехода из RX в TX:

… или из TX в RX:

Цена деления на последних двух скриншотах составляет 2 В по вертикали и 10 мкс по горизонтали. Отчетливо видно, что напряжение присутствует одновременно как на RX_12V, так и на TX_12V. Данная особенность не является фатальным недостатком. Так в уже упомянутом SSB-трансивере шина RX_12V используется лишь для отключения УНЧ во время передачи. Если выключить его чуть позже или включить чуть раньше, ничего страшного не произойдет. Тем не менее, про данную особенность стоит помнить.

Другой минус МОП-транзисторов по сравнению с реле — это отсутствие гальванической развязки. Но здесь это вряд ли имеет значение, поскольку транзисторы управляются кнопкой, а не микроконтроллером. В остальном же схема имеет сплошные плюсы. Полевые транзисторы стоят дешевле аналогичного реле, работают бесшумно, не подвержены механическому износу и практически не потребляют тока.

Дополнение: Схема нашла применение в трансиверах HBR и AYN/A.

Метки: Электроника.

Замена BU808DFI

Несколько способов замены транзистора BU808.

Уже не попадают в ремонт телевизоры Vestel, Sanyo и Vityaz с установленным в строчной развёртке транзистором BU808DFI.
К сожалению, в свободной продаже эти транзисторы уже давно отсутствуют. Нигде не найти и BU808DFX.
Следует отметить, аналог — 2SC5388, так же стал малодоступен. Появились в продаже подделки, и цены на этот транзистор растут.
Так же нелегко найти в продаже оригинальный BU808DFH, который имеет меньшие габариты и мощность, но может нормально работать в этих телевизорах.

Отличить оригинальный транзистор от поддельного можно с помощью омметра, замерив сопротивление между выводами Б и Э. Если в обе стороны менее 50 Ом — перемаркирован из какого-либо дешёвого, но похожего по корпусу. У оригинального мультиметр покажет сопротивление между базой и эмиттером, обычно 200-300 Ом.

Чем же заменить составной транзистор в строчной развёртке? Этот вопрос неоднократно обсуждался на форумах и актуален до настоящего времени.

Автором статьи опробованы и проверены два варианта:

1. Установка функционального аналога из двух транзисторов.
2. Установка 2SD2499 с некоторыми изменениями в схеме.

В большинстве случаев виновником пробоя BU808 является разделительный электролитический конденсатор в драйвере 10uFx63V.
Необходимо заменить его на новый, имеющий минимальные потери по активному сопротивлению (ESR). Качество конденсатора критично.

Иногда пробой происходит по причине образования кольцевой трещины в пайке вывода разъёма ОС строчных катушек.

1. Функциональный аналог BU808 — по сути составной транзистор Дарлингтона.
Внутреннее устройство представлено на рисунке ниже:

При использовании строчного транзистора (Q2 на схеме) с демпферным диодом и резистором, например 2SD2499, в схему остаётся добавить три элемента — транзистор Q1, как усилитель тока, а так же резистор и диод в его базе.
Номинал резистора R1 270-330 ом. Диод D1 можно взять любой с максимальным током от 1 А, желательно более быстрый, например серии HER или UF. Транзистор Q1 лучше использовать в маленьком корпусе, например BU1508AX, к радиатору его крепить нет необходимости.
Вся конструкция из трёх элементов монтируется навесом и крепится к выводам второго транзистора (Q2), согласно соединениям по схеме.
Q2 прикручивается к радиатору на штатное место. Выводы его коллектора и эмиттера впаиваются в штатные контактные площадки.

Такое включение несколько усложняет конструкцию, но не меняет схемное решение. При правильном и аккуратном монтаже, излишний нагрев и другие негативные последствия маловероятны.

2. Установка биполярного транзистора вместо составного возможна в случае применения транзистора с достаточным коэффициентом усиления по току и хорошими динамическими характеристиками.
Для экспериментов использовался оригинальный 2SD2499. Его подделки от неизвестных производителей, которые в настоящее время присутствуют в широкой продаже, в таком включении нормально не работают, перегреваются в течении нескольких минут. Отличить подделку 2SD2499 от оригинала иногда легко по выводам. Оригинальный имеет толстые лужёные выводы, а у поддельных они плоские, выполнены из тонкой листовой стали.

Способ замены проверен автором статьи, но не может быть рекомендован ремонтникам, не имеющим достаточного опыта и теоретических знаний.

В связи с тем, что этот вариант замены несколько ненадёжен, противоречит схемному решению производителя и может быть реализован лишь с отдельными типами и экземплярами строчных транзисторов, подробно его рассматривать и рекомендовать нельзя, во избежании негативных последствий при его использовании неквалифицированными мастерами или владельцами телевизоров.

Применение транзистора с достаточным коэффициентом усиления по току и хорошими динамическими характеристиками — обязательное условие.

Необходимые доработки в случае применения оригинального 2SD2499:

— Качество разделительного конденсатора в драйвере критично. Номинал 10х63 менялся автором на 47х50 Jamicon.
— Дроссель в драйвере — закоротить.
— Штатный резистор БЭ 47 ом, установленный на плате — удалить.
— Установить диод БЭ, катодом к базе, анодом на корпус. Подойдёт любой от 2А, желательно быстрый.

Обязательно произвести температурный контроль.
Проверено автором статьи более чем на 20 экземплярах телевизоров c шасси Vestel 11АК30.

Возможность перегрева не исключена и зависит от свойств конкретного экземпляра транзистора.

Впервые публично это метод был предложен на форуме monitor.net.ru, где до сих пор обсуждения периодически появляются с предложениями и опытом использования разных типов строчных транзисторов вместо составного.

Замечания и предложения принимаются и приветствуются!

Генератор перестраиваемой частоты на полевых транзисторах (7

Что-то не так?

Пожалуйста, отключите Adblock.

Портал QRZ.RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям. Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Спасибо.

Как добавить наш сайт в исключения AdBlock

Полевой транзистор Q1 схемы работает как генератор с частотой, которая определяется конденсатором С2, индуктивностью L2, диодами CR2 и CR3. Диоды, смещенные в обратном направлении, работают как зависимые от напряжения емкости. Уровень смещения, устанавливаемого с помощью потенциометра R2, определяет их емкость и, следовательно, частоту генератора.

Генератор перестраиваемой частоты работает как при передаче, так и при приеме. При передаче напряжение в точке соединения резистора Rl, конденсатора С1 и диода CR1 практически отсутствует. Таким образом, существует только небольшое влияние этих элементов на частоту генератора. При приеме приложенное напряжение 12 В к резистору R1 влияет на то, что диод CR1 открывается и конденсатор С1 частотноопределяющей цепи будет подключаться к нулевому проводу.

Это приводит к изменению частоты генератора примерно на 100 кГц от рабочей частоты, для того чтобы приемник не запирался. Транзистор Q2 является буфером между генератором и передатчиком. Стабилитрон VR1 на напряжение 9,1 В предназначен для питания генератора и буферного каскада.

Методическая разработка

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение высшего

профессионального образования

«оренбургский государственный университет»

Кафедра «Управления и информатики в технических системах»

для проведения

лабораторной работы № 2

по учебной дисциплине

«Общая электротехника и электроника»

Оренбург 2010

1. Лабораторная работа № 2

ТРАНЗИСТОРЫ

Цель работы: изучение устройства, свойств, вольт- амперных характеристик и параметров биполярных и МДП- транзисторов; приобретение навыков в исследовании полупроводниковых приборов.

1.1. Описание схем опытов

1.1.1. Объекты исследования:

* Q1 и Q2 (рис. 1.1) – биполярный транзистор типа n—p—n;

* Q1 и Q2 (рис. 1.2) – МДП- транзистор с индуцированным каналом n—типа.

1.1.2. Источники питания:

* I1 – источник постоянного тока для питания базы биполярного транзистора;

* V1 – источник постоянного напряжения для задания напряжения смещения на затвор МДП- транзистора;

* XFG1 – функциональный генератор; здесь используется как источник управляемого постоянного напряжения для питания коллектора биполярного транзистора или стока МДП- транзистора.

1.1.3. Измерительные приборы:

* U1 – вольтметр постоянного тока; используется для измерения напряжения на базе или затворе транзистора Q1;

* U2 – вольтметр постоянного тока; используется для измерения напряжения на коллекторе или стоке транзистора Q1;

* U3 – амперметр постоянного тока; используется для измерения тока коллектора или стока транзистора Q1;

* U4 – амперметр постоянного тока; используется для измерения тока базы биполярного транзистора Q1;

* XIV1 – характериограф; используется для снятия семейства выходных вольт- амперных характеристик (ВАХ) биполярного транзистора Q2 или стоковых ВАХ МДП- транзистора Q2.

1.2. Экспериментальное исследование

1.2.1. Режим непосредственных измерений.

Включить схему эксперимента (рис. 1.1 либо 1.2). Открыв панель источника I1 (либо V1), установить минимальное значение тока базы (напряжения на затворе ) из указанных в табл. 1.1 (табл. 1.2). Открыть панель прибора XFG1 и установить минимальную амплитуду переменного напряжения (Amplitude = 0.001 pV). Последовательно задавая значения постоянного напряжения на выходе XFG1 (Offset) из ряда, указанного в табл. 1.1 (табл. 1.2), измерить при каждом значении () ток коллектора (ток стока ) и напряжение на базе . Данные занести в соответствующую таблицу (табл. 1.1 либо 1.2). Эту же процедуру повторить при других (указанных в табл. 1.1, 1.2) значениях тока базы (напряжения на затворе ).

Рис. 1.1. Схема опыта для исследования ВАХ биполярного транзистора

Рис. 1.2. Схема опыта для исследования ВАХ МДП- транзистора

Таблица 1.1

, мкА	Измеряемая величина	, В
, мкА	Измеряемая величина	0	0,5	1	2	4	7	10
1	, мА
1	, В
5	, мА
5	, В
9	, мА
9	, В
13	, мА
13	, В
17	, мА
17	, В

Таблица 1.2

, В	Измеряемая величина	, В
, В	Измеряемая величина	0	0,5	1	2	4	7	10
1,85	, мА	0	-0.042m	-0.042m
1,89	, мА	0	-0.256m	-0.265m
1,93	, мА	0	-0.697m	-0.679m
1,97	, мА	0	-1.278m	-1.278m
2,01	, мА	0	-2.059m	-2.059m

Усилитель

— Как определить, какой транзистор усиливает сигнал?

Я постараюсь обсудить схему, не вдаваясь во все детали, срезая несколько углов, чтобы упростить понимание, а не на 100%. Важно понимать, что на самом деле усиление состоит из двух вещей:

усиление по напряжению
текущий коэффициент усиления (часто забывают)

Я думаю, что черная магия действительно заключается в смещении постоянного тока всей схемы, я не буду обсуждать это, так как это требует более глубокого понимания того, как работают транзисторы, и сильно зависит от точных значений транзисторов и резисторов, которые не было дано в исходном сообщении.

Ваш контур можно разделить на три части:

Входной каскад состоит из Q1, Q2, R3..R5
Смещение класса AB D1, D2 и Q3
Выходной каскад, состоящий из Q4 и Q5

Давайте вернемся от выходного каскада к входу, справа налево на принципиальной схеме.

Если вы посмотрите на эмиттер Q4 или Q5 со стороны выхода, вы увидите то, что кажется низким сопротивлением (или, лучше сказать, низким импедансом) с точки зрения нагрузки. Эти транзисторы не будут усиливать напряжение, фактически они немного ослабляют колебания напряжения по сравнению с их базовыми напряжениями.Однако они существенно увеличивают ток, который может быть получен от них (коэффициент усиления по току). Следовательно, это то, что позволяет усилителю управлять нагрузкой с низким сопротивлением, например динамиком.

Для того, чтобы выходной каскад работал в классе AB и тем самым улучшал качество звука, важно, чтобы смещение напряжения, вносимое выходными транзисторами Q4 / Q5, было скомпенсировано. Вот для чего используются два диода. В качестве аргумента предположим, что напряжение на D1, D2 не изменяется в зависимости от входного сигнала и идентично падению напряжения между базой и эмиттером на транзисторах Q4 и Q5.Это гарантирует, что оба транзистора находятся в своей активной области (или, по крайней мере, очень близко к ней), и каждое изменение напряжения на R6 подается на Q5 и Q4. Если хотите, можете представить D1 и D2 как источник постоянного напряжения.

Q3 можно рассматривать как источник тока, управляемый входным сигналом. Поскольку ток коллектора изменяется с входным сигналом, напряжение на R6 будет изменяться с током транзистора Q3 и, следовательно, с входным сигналом. Затем изменяющееся напряжение на R6 «копируется» на эмиттер Q5 и с 1.Смещение 4 В (вносимое двумя диодами) на эмиттер Q4.

Q1 и Q2 сконфигурированы как дифференциальный усилитель. Они усиливают разницу напряжений, наблюдаемую между базой / Q1 и базой / Q2. База / Q1 явно контролируется входным напряжением, а база / Q2 — выходным сигналом. Коэффициент усиления по напряжению всей схемы будет примерно R7 / (R7 + R8).

Q1 / R3 и Q3 / R6 (!) Будут компонентами, которые берут на себя большую часть усиления напряжения разомкнутого контура всей схемы.Коэффициент усиления по напряжению разомкнутого контура будет коэффициентом усиления схемы без обратной связи через R8.

Q1 транзистор

для электронных проектов Бесплатный образец сейчас

О продуктах и поставщиках:

Alibaba.com предлагает большой выбор транзисторов q1 для удовлетворения ваших конкретных потребностей. Транзистор q1 и являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого.Выбрав правильный транзистор q1 , вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.

q1 транзистор изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей.Транзистор q1 охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей транзистор q1 и преобразует низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые спецификации вашего транзистора q1 , чтобы определить ножки базы, эмиттер и коллектор для безопасного и надежного соединения. Транзистор q1 на Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря его превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Существенными параметрами для транзистора q1 для любого проекта являются рабочие токи, рассеиваемая мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный транзистор q1 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Транзистор Дарлингтона и пара Шиклая Дарлингтона

Транзистор Дарлингтона , названный в честь своего изобретателя Сидни Дарлингтона, представляет собой особую конструкцию из двух стандартных биполярных переходных транзисторов (BJT) NPN или PNP, соединенных вместе. Эмиттер одного транзистора соединен с базой другого, чтобы получить более чувствительный транзистор с гораздо большим коэффициентом усиления по току, который полезен в приложениях, где требуется усиление или переключение тока.

Транзистор Дарлингтона пары могут состоять из двух индивидуально соединенных биполярных транзисторов или одного отдельного устройства, коммерчески сделанного в едином корпусе со стандартными: соединительными выводами базы, эмиттера и коллектора, и доступны в широком диапазоне стилей корпуса и напряжения ( и текущие) рейтинги как в версиях NPN, так и в версиях PNP.

Как мы видели в нашем руководстве по транзистору в качестве переключателя , биполярный транзистор с биполярным переходом (BJT) может использоваться не только в качестве усилителя, но и в качестве переключателя ВКЛ-ВЫКЛ, как показано.

Биполярный транзистор как переключатель

Когда клемма базы NPN-транзистора заземлена (0 вольт), нулевой ток течет в базу, поэтому Ib = 0. Поскольку клемма базы заземлена, ток не течет от коллектора к клеммам эмиттера, поэтому непроводящий NPN транзистор выключен (отключен). Если теперь мы смещаем вывод базы относительно эмиттера в прямом направлении, используя источник напряжения более 0,7 В, происходит действие транзистора, вызывая гораздо больший ток, протекающий через транзистор между его выводами коллектора и эмиттера.Теперь говорят, что транзистор включен (токопроводящий). Если мы управляем транзистором между этими двумя режимами отсечки и проводимости, транзистор можно заставить работать как электронный переключатель.

Тем не менее, клемма базы транзистора должна быть переключена между нулем и некоторым положительным значением, намного большим, чем 0,7 В, чтобы транзистор мог полностью проводить. Более высокое напряжение вызывает повышенный базовый ток Ib, протекающий в устройство, в результате чего ток коллектора Ic становится большим, в то время как падение напряжения на зажимах цанги и эмиттера Vce становится меньше.Затем мы можем видеть, что меньший ток, протекающий в выводе базы, может вызвать гораздо больший ток, протекающий между коллектором и эмиттером.

Отношение тока коллектора к току базы (β) известно как коэффициент усиления по току транзистора. Типичное значение β для стандартного биполярного транзистора может находиться в диапазоне от 50 до 200 и варьируется даже между транзисторами с одинаковым номером детали. В некоторых случаях, когда коэффициент усиления по току отдельного транзистора слишком мал для непосредственного управления нагрузкой, одним из способов увеличения коэффициента усиления является использование пары Дарлингтона.

A Конфигурация транзистора Дарлингтона , также известная как «пара Дарлингтона» или «супер-альфа-схема», состоит из двух транзисторов NPN или PNP, соединенных вместе, так что ток эмиттера первого транзистора TR ₁ становится током базы. второго транзистора ТР ₂. Затем транзистор TR1 подключается как эмиттерный повторитель, а TR2 — как общий эмиттерный усилитель, как показано ниже.

Также обратите внимание, что в этой конфигурации пары Дарлингтона ток коллектора ведомого или управляющего транзистора TR1 «синфазен» с током главного переключающего транзистора TR2.

Базовая конфигурация транзистора Дарлингтона

На примере пары Дарлингтона NPN коллекторы двух транзисторов соединены вместе, а эмиттер TR ₁ управляет базой TR ₂. Эта конфигурация обеспечивает умножение на β, потому что для тока базы i _b ток коллектора равен β * i _b, где коэффициент усиления по току больше единицы или единицы, и это определяется как:

Но базовый ток I _B2 равен току эмиттера транзистора TR1 I _E1, поскольку эмиттер TR1 подключен к базе TR2.Следовательно:

Затем подставляем в первое уравнение:

Где β ₁ и β ₂ — коэффициенты усиления отдельных транзисторов.

Это означает, что общий коэффициент усиления по току β определяется коэффициентом усиления первого транзистора, умноженным на коэффициент усиления второго транзистора, когда коэффициенты усиления по току двух транзисторов умножаются. Другими словами, пару биполярных транзисторов, объединенных вместе, чтобы образовать одну пару транзисторов Дарлингтона, можно рассматривать как один транзистор с очень высоким значением β и, следовательно, высоким входным сопротивлением.

Пример транзистора Дарлингтона №1

Два транзистора NPN соединены вместе в виде пары Дарлингтона для переключения галогенной лампы 12 В 75 Вт. Если коэффициент усиления по прямому току первого транзистора равен 25, а коэффициент усиления по прямому току (бета) второго транзистора равен 80. Игнорируя любые падения напряжения на двух транзисторах, рассчитайте максимальный базовый ток, необходимый для полного включения лампы.

Сначала ток, потребляемый лампой, будет равен току коллектора второго транзистора, затем:

Используя приведенное выше уравнение, базовый ток определяется как:

Тогда мы видим, что очень маленький базовый ток всего 3.0 мА, например, поступающий от цифрового логического элемента или выходного порта микроконтроллера, можно использовать для включения и выключения 75-ваттной лампы.

Если два идентичных биполярных транзистора используются для создания одного устройства Дарлингтона, тогда β ₁ равно β ₂, а общий коэффициент усиления по току будет выражен как:

Обычно значение β ² намного больше, чем значение 2β, и в этом случае его можно игнорировать, чтобы немного упростить математику.Тогда окончательное уравнение для двух идентичных транзисторов, сконфигурированных как пара Дарлингтона, можно записать как:

Идентичные транзисторы Дарлингтона

Затем мы видим, что для двух одинаковых транзисторов используется β ² вместо β, действующего как один большой транзистор с огромным коэффициентом усиления. Пары транзисторов Дарлингтона с коэффициентом усиления по току более тысячи и максимальным током коллектора в несколько ампер легко доступны. Например: NPN TIP120 и его PNP эквивалент TIP125.

Преимущество использования подобного устройства состоит в том, что переключающий транзистор намного более чувствителен, поскольку для переключения гораздо большего тока нагрузки требуется лишь крошечный базовый ток, поскольку типичное усиление конфигурации Дарлингтона может быть более 1000, тогда как обычно одинарный транзисторный каскад дает коэффициент усиления примерно от 50 до 200.

Тогда мы видим, что пара Дарлингтона с коэффициентом усиления 1000: 1 может переключать выходной ток в 1 ампер в цепи коллектор-эмиттер с входным базовым током всего 1 мА.Это делает транзисторы Дарлингтона идеальными для взаимодействия с реле, лампами и двигателями с микроконтроллером малой мощности, компьютером или логическими контроллерами, как показано.

Применение транзисторов Дарлингтона

База транзистора Дарлингтона достаточно чувствительна, чтобы реагировать на любой небольшой входной ток от переключателя или непосредственно от логического элемента TTL или 5V CMOS. Максимальный ток коллектора Ic (max) для любой пары Дарлингтона такой же, как и для главного переключающего транзистора TR ₂, поэтому его можно использовать для управления реле, двигателями постоянного тока, соленоидами, лампами и т. Д.

Одним из основных недостатков пары транзисторов Дарлингтона является минимальное падение напряжения между базой и эмиттером при полном насыщении. В отличие от одиночного транзистора, который имеет падение напряжения насыщения от 0,3 до 0,7 В при полном включении, устройство Дарлингтона имеет удвоенное падение напряжения база-эмиттер (1,2 В вместо 0,6 В), поскольку падение напряжения база-эмиттер составляет сумма падений на диоде база-эмиттер двух отдельных транзисторов, которая может составлять от 0,6 до 1,5 В в зависимости от тока через транзистор.

Это высокое падение напряжения база-эмиттер означает, что транзистор Дарлингтона может нагреваться больше, чем обычный биполярный транзистор для данного тока нагрузки, и, следовательно, требует хорошего теплоотвода. Кроме того, транзисторы Дарлингтона имеют более медленное время отклика ВКЛ-ВЫКЛ, поскольку подчиненному транзистору TR ₁ требуется больше времени, чтобы включить главный транзистор TR ₂ либо полностью, либо полностью.

Чтобы преодолеть медленный отклик, повышенное падение напряжения и тепловые недостатки стандартного устройства транзистора Дарлингтона , дополнительные транзисторы NPN и PNP могут быть использованы в том же каскадном соединении для производства другого типа транзистора Дарлингтона, называемого конфигурацией Sziklai .

Пара транзисторов Шиклая

Пара Sziklai Darlington Pair , названная в честь ее венгерского изобретателя Джорджа Шиклая, представляет собой дополнительное или составное устройство Дарлингтона, которое состоит из отдельных дополнительных транзисторов NPN и PNP , соединенных вместе, как показано ниже.

Эта каскадная комбинация транзисторов NPN и PNP имеет то преимущество, что пара Шиклая выполняет ту же базовую функцию, что и пара Дарлингтона, за исключением того, что для нее требуется только 0.6 В для его включения, и, как и в стандартной конфигурации Дарлингтона, коэффициент усиления по току равен β ² для одинаково согласованных транзисторов или равен произведению двух коэффициентов усиления по току для несогласованных отдельных транзисторов.

Конфигурация транзистора Шиклаи Дарлингтона

Мы можем видеть, что падение напряжения база-эмиттер устройства Sziklai равно падению напряжения на диоде одиночного транзистора на пути прохождения сигнала. Однако конфигурация Sziklai не может насыщаться менее чем до одного полного диодного падения, т.е.е. 0,7в вместо обычных 0,2в.

Также, как и пара Дарлингтона, пара Шиклай имеет более медленное время отклика, чем одиночный транзистор. Пара дополнительных транзисторов Шиклая обычно используется в двухтактных выходных каскадах аудиоусилителей и в выходных каскадах аудиоусилителей класса AB, допускающих только одну полярность выходного транзистора. Пары транзисторов Дарлингтона и Шиклая доступны в конфигурациях как NPN, так и PNP.

Микросхема транзистора Дарлингтона

В большинстве приложений электроники достаточно, чтобы управляющая схема переключала выходное напряжение постоянного тока или ток напрямую в положение «ВКЛ» или «ВЫКЛ», поскольку некоторые устройства вывода, такие как светодиоды или дисплеи, требуют всего несколько миллиампер для работы при низких напряжениях постоянного тока и могут поэтому управляться напрямую выходом стандартного логического элемента.

Однако, как мы видели выше, иногда для работы выходного устройства, такого как двигатель постоянного тока, требуется больше энергии, чем может обеспечить обычный логический вентиль или микроконтроллер. Если цифровое логическое устройство не может обеспечить достаточный ток, то потребуются дополнительные схемы для управления устройством.

Одним из таких часто используемых транзисторных чипов Дарлингтона является матрица ULN2003 . Семейство матриц Дарлингтона состоит из ULN2002A, ULN2003A и ULN2004A, которые представляют собой высоковольтные, сильноточные матрицы Дарлингтона, каждая из которых содержит семь пар Дарлингтона с открытым коллектором в одном корпусе ИС.

Каждый канал массива рассчитан на 500 мА и может выдерживать пиковые токи до 600 мА, что делает его идеальным для управления небольшими двигателями или лампами или затворами и цоколями мощных полупроводников. Дополнительные подавляющие диоды включены для управления индуктивной нагрузкой, а входы закреплены напротив выходов для упрощения соединений и компоновки платы.

Массив транзисторов Дарлингтона ULN2003A

ULN2003A — недорогая однополярная транзисторная матрица Дарлингтона с высоким КПД и низким энергопотреблением, что делает его полезным для управления широким спектром нагрузок, включая соленоиды, реле, двигатели постоянного тока и светодиодные дисплеи или лампы накаливания.ULN2003A содержит семь пар транзисторов Дарлингтона, каждая с входным контактом слева и выходным контактом напротив него справа, как показано.

ULN2003A Транзисторная матрица Дарлингтона

Драйвер Дарлингтона ULN2003A имеет чрезвычайно высокий входной импеданс и усиление по току, которые могут управляться напрямую от логического элемента TTL или + 5V CMOS. Для логики CMOS + 15 В используйте ULN2004A, а для более высоких коммутационных напряжений до 100 В лучше использовать массив Дарлингтона SN75468.

Когда вход (контакты с 1 по 7) находится в состоянии «ВЫСОКИЙ», соответствующий выход будет переключать «НИЗКИЙ» втекающий ток. Аналогичным образом, когда на входе установлено значение «НИЗКИЙ», соответствующий выход переключается в состояние высокого импеданса. Это состояние «ВЫКЛ» с высоким импедансом блокирует ток нагрузки и снижает ток утечки через устройство, повышая эффективность.

Контакт 8 (GND) подключается к заземлению нагрузки или к 0 В, а контакт 9 (Vcc) подключается к источнику питания нагрузки. Затем любая нагрузка должна быть подключена между + Vcc и выходным контактом, контактами с 10 по 16.Для индуктивных нагрузок, таких как двигатели, реле, соленоиды и т. Д., Контакт 9 всегда должен быть подключен к Vcc.

ULN2003A может переключать 500 мА (0,5 А) на канал, но если требуется больший ток переключения, то входы и выходы пар Дарлингтона могут быть соединены параллельно для повышения допустимого тока. Например, входные контакты 1 и 2 соединены вместе, а выходные контакты 16 и 15 соединены вместе для переключения нагрузки.

Обзор транзисторов Дарлингтона

Транзистор Дарлингтона — это высокомощный полупроводниковый прибор с индивидуальными номинальными токами и напряжениями, во много раз превышающими обычные транзисторы с малым сигнальным переходом.

Значения усиления постоянного тока для стандартных высокомощных NPN- или PNP-транзисторов относительно низкие, всего 20 или даже меньше, по сравнению с коммутирующими транзисторами с малым сигналом. Это означает, что для переключения данной нагрузки требуются большие базовые токи.

В схеме Дарлингтона используются два транзистора, соединенных друг с другом, один из которых является основным транзистором, несущим ток, а другой — «переключающий» транзистор гораздо меньшего размера, обеспечивающий ток базы для управления основным транзистором.В результате меньший базовый ток может использоваться для переключения гораздо большего тока нагрузки, поскольку коэффициенты усиления постоянного тока двух транзисторов умножаются вместе. Тогда комбинацию из двух транзисторов можно рассматривать как один транзистор с очень высоким значением β и, следовательно, высоким входным сопротивлением.

Помимо стандартных пар транзисторов Дарлингтона PNP и NPN, также доступны дополнительные транзисторы Шиклая Дарлингтона, которые состоят из отдельных согласующихся дополнительных транзисторов NPN и PNP, соединенных вместе в одной паре Дарлингтона для повышения эффективности.

Также доступны массивы Дарлингтона, такие как ULN2003A, которые позволяют безопасно управлять мощными или индуктивными нагрузками, такими как лампы, соленоиды и двигатели, с помощью микропроцессоров и микроконтроллеров в роботизированных и мехатронных приложениях.

q1% 20bc% 20558% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

2011 — LP2951 Аннотация: Q1 / max9834 Q1 / 20N03HLG LP2951-50-Q1 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LP2950-30-Q1, LP2950-33-Q1, LP2950-50-Q1 LP2951-Q1, LP2951-30-Q1, LP2951-33-Q1, LP2951-50-Q1 LP2950-50-Q1, LP2951 Q1 / max9834 Q1 / 20N03HLG LP2951-50-Q1
2011 — LP2951-50-Q1 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LP2950-30-Q1, LP2950-33-Q1, LP2950-50-Q1 LP2951-Q1, LP2951-30-Q1, LP2951-33-Q1, LP2951-50-Q1 LP2950-50-Q1, LP2951-50-Q1
2003 г. — 77625 Аннотация: 77633Q1 TPS77501-Q1 TPS77601-Q1 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TPS77501-Q1, 515-Q1, 516-Q1, 518-Q1, 525-Q1, 533-Q1 TPS77601-Q1, 77615-Q1, 77618-Q1, 77625-Q1, 77625 77633Q1 TPS77501-Q1 TPS77601-Q1
1995 — TPS77501-Q1 Аннотация: TPS77601-Q1 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TPS77501-Q1, 515-Q1, 516-Q1, 518-Q1, 525-Q1, 533-Q1 TPS77601-Q1, 77615-Q1, 77618-Q1, 77625-Q1, TPS77501-Q1 TPS77601-Q1
МОДЕЛЬ 1892 minato Резюме: EP-1132 PSX1000 CP-1128 minato 1890A PKW-2100 1890A PKW-3100 EP-1140 minato Модель 1890A Текст: нет текста в файле	сканирование OCR	PDF	AT27C256R AT27C512R AT27C010 AT27C020 AT27C040 AT27C080 AT27C1024 AT27C4096 МОДЕЛЬ 1892 Минато EP-1132 PSX1000 CP-1128 Минато 1890A PKW-2100 1890A PKW-3100 EP-1140 Минато Модель 1890A
2003 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TPS75201Ä TPS75401Ä SGLS166C MIL-STD-883, 100 мс TPS752xx) TPS754xx) TPS75233)
2003 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TPS75201Ä TPS75401Ä SGLS166C MIL-STD-883, 100 мс TPS752xx) TPS754xx) TPS75233)
TQFP100 Аннотация: C8051F120-GQ C8051F320-GQ C8051F124-GQ C8051F121-GQ C8051F127-GQ C8051F125-GQ c8051f130-gq LQFP32 C8051F314-GQ Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	C8051F061 C8051F061-GQ TQFP64 10×10 C8051F062 C8051F063 C8051F062-GQ C8051F063-GQ TQFP100 TQFP100 C8051F120-GQ C8051F320-GQ C8051F124-GQ C8051F121-GQ C8051F127-GQ C8051F125-GQ c8051f130-gq LQFP32 C8051F314-GQ
2003 — TPS77501-Q1 Резюме: TPS77601-Q1 ZO 103 MA 75 533 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TPS77501-Q1, 515-Q1, 516-Q1, 518-Q1, 525-Q1, 533-Q1 TPS77601-Q1, 77615-Q1, 77618-Q1, 77625-Q1, TPS77501-Q1 TPS77601-Q1 ZO 103 MA 75 533
2011 — LP2951 Реферат: LP2950-50-Q1 LP2951-50-Q1 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LP2950-30-Q1, LP2950-33-Q1, LP2950-50-Q1 LP2951-Q1, LP2951-30-Q1, LP2951-33-Q1, LP2951-50-Q1 LP2950-50-Q1, LP2951 LP2951-50-Q1
2011 — LP2951-50-Q1 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LP2950-30-Q1, LP2950-33-Q1, LP2950-50-Q1 LP2951-Q1, LP2951-30-Q1, LP2951-33-Q1, LP2951-50-Q1 LP2950-50-Q1, LP2951-50-Q1
2011 — LP2951-50-Q1 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LP2950-30-Q1, LP2950-33-Q1, LP2950-50-Q1 LP2951-Q1, LP2951-30-Q1, LP2951-33-Q1, LP2951-50-Q1 LP2950-50-Q1, LP2951-50-Q1
2009 — национальный бессвинцовый индекс для полупроводников Аннотация: SB70A SQA40b LM431ACM3X TS5B-24 IEC 384 14250 В UFBGA 176, таблица данных M14A MUA08A UFBGA 176 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	EIA-481 национальный полупроводник без свинцового индекса SB70A SQA40b LM431ACM3X TS5B-24 IEC 384 14250 вольт UFBGA 176 лист данных M14A MUA08A UFBGA 176
1997 — преобразователь bcd в 7 сегментов Аннотация: контроллер светофора vhdl T-bird D400 O8 BCD-7SEG A71D h0009C код VHDL для контроллера светофора код vhdl 16 бит LFSR Q15T Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	hE200 hE000 h0000 преобразователь bcd в 7 сегментов светофор контроллер vhdl Т-образная птица D400 O8 BCD-7SEG A71D h0009C Код VHDL для контроллера светофора код vhdl 16 бит LFSR Q15T

2011 — LP2951 Аннотация: LP2951-50-Q1 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LP2950-30-Q1, LP2950-33-Q1, LP2950-50-Q1 LP2951-Q1, LP2951-30-Q1, LP2951-33-Q1, LP2951-50-Q1 LP2950-50-Q1, LP2951 LP2951-50-Q1
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	12345674877987AB4CDEF 26789A6B14CDEF9 1AC67 / 1 0CB15U136I / 60CB15 0CB1A171) 5663O1 / 17600190EFC # 1CB169 17610CB » 1CB61
2008 — TPS75218-EP Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TPS75201Ä TPS75401Ä SGLS166C MIL-STD-883, 100 мс TPS752xx) TPS754xx) TPS75233) TPS75218-EP
2003 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TPS77501Ä TPS77601Ä SGLS012 AEC-Q100â MIL-STD-883, 200 мс TPS775xx) TPS776xx) 500-мА
2003 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TPS77501Ä TPS77601Ä SGLS012B MIL-STD-883, 200 мс TPS775xx) TPS776xx) 500-мА TPS77516 TPS77628
cs5845 Аннотация: samsung u2 кабель samsung u1 u2 кабель atheros wireless «TSP Controller» samsung tab 1203004 плейлист MAX8734 U-507 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SW500 ADS7846IRGVR 20 контактов SW980 cs5845 кабель samsung u2 samsung u1 u2 кабель atheros беспроводной «Контроллер ЦП» вкладка samsung 1203004 плейлист MAX8734 U-507
отчет о надежности Аннотация: отчет о качестве и надежности Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2011 — LP2951 Аннотация: LP2951-50-Q1 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LP2950-30-Q1, LP2950-33-Q1, LP2950-50-Q1 LP2951-Q1, LP2951-30-Q1, LP2951-33-Q1, LP2951-50-Q1 LP2950-50-Q1, LP2951 LP2951-50-Q1
2011 — LP2951-50-Q1 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LP2950-30-Q1, LP2950-33-Q1, LP2950-50-Q1 LP2951-Q1, LP2951-30-Q1, LP2951-33-Q1, LP2951-50-Q1 LP2950-50-Q1, LP2951-50-Q1
2011 — LP2951QDRGRQ1 Аннотация: LP2951-Q1 LP295x-33 LP2951-50-Q1 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LP2950-30-Q1, LP2950-33-Q1, LP2950-50-Q1 LP2951-Q1, LP2951-30-Q1, LP2951-33-Q1, LP2951-50-Q1 LP2950-50-Q1, LP2951QDRGRQ1 LP2951-Q1 LP295x-33 LP2951-50-Q1
2001 — СТ72321М9 Аннотация: ST72104G2 ST72254G2 ST72314J4 ST72314N4 ST72334J4 ST72324K6 ST72254G1 ST72216G1 ST72215G2 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 бит 32-битный ST92F120 FLFLASH / 0101 ST72321M9 ST72104G2 ST72254G2 ST72314J4 ST72314N4 ST72334J4 ST72324K6 ST72254G1 ST72216G1 ST72215G2

Amazon.com: ANENG Q1 Цифровой мультиметр с истинным среднеквадратичным значением Esr Meter Testers Автомобильные электрические Dmm транзисторы Peak Tester Meters Resistor

В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.

Убедитесь, что он подходит, введя номер своей модели.
Технические характеристики: Фирменное наименование: ANENG Цвет: Оранжевый Номер ColorModel: Q1 Рабочая температура: 0-40 Рабочая влажность: 75% RHS Состояние хранения: -20 ~ 60 Влажность хранения: 80% Расходные материалы RHDIY: Электрический Рабочий режим: Автоматический / ручной Диапазон измерения индуктивности: no Измерение температуры Диапазон: -20 ~ 1000 C / -4F-1832F Диапазон измерения емкости: 9,99 нФ / 99,99 нФ / 999,9 нФ / 9,99 мкФ / 99,99 мкФ / 999,9 мкФ / 9,999 MF Диапазон измерения напряжения: 999,9 мВ / 9,999 В / 99,99 В / 999,9 В Текущий
Диапазон: 999.9uA / 99.99uA / 999.9mA / 10A Диапазон измерения сопротивления: 99.99 / 999.9 / 9.999k / 99.99k / 999.9K / 9.999M / 99.99M OhmЧастота:
99.99Hz / 999.9Hz / 9.999KHz / 99.99KHz / 999.9KHz / 5MHz Тип: Цифровой дисплей Тест диодов: Да Непрерывность: Да Рабочий цикл: 1% -99% Частота дискретизации: 3 раза за
секунд Питание: 2 батарейки AA 1,5 В (не входят в комплект)

Принципы и практическое использование транзисторов NPN

Основные принципы работы с NPN-транзисторами

Университеты очень хорошо освещают эту тему, но, несмотря на то, что я все еще пытаюсь обсуждать принципы транзисторов NPN, которые, как мне кажется, легче понять для нетехнических людей.NPN-транзистор — это название, данное биполярному переходному транзистору с двумя материалами N-типа или отрицательными носителями, в то время как существует только один материал P-типа или положительный носитель. Для транзисторов NPN используются следующие условные обозначения.

Транзисторы

NPN используют приведенную ниже структуру для определения своего материального состава. Есть два материала N-типа, между которыми расположен материал P-типа. В материале N-типа преобладает отрицательный заряд, а в материале P-типа преобладает положительный заряд.

Транзистор

NPN можно рассматривать как два диода с подключенными анодами, как показано на рисунке ниже. Для диода анод — это в основном положительный вывод, в то время как катод — отрицательный вывод, а транзистор NPN имеет два диода с подключенными анодами, поскольку материал P-типа состоит из двух материалов N-типа.

Транзистор

NPN в настоящее время выпускается во множестве корпусов. Например, популярный NPN-транзистор BC817 малой мощности от NXP имеет несколько корпусов, как показано ниже.

Кредит владельцу фотографии

Некоторые силовые агрегаты NPN:

Кредит владельцу фотографии

Транзисторы

NPN используются в логических реализациях, электронных переключателях, драйверах реле, драйверах двигателей и приложениях для усилителей.

Принципы работы и электрические свойства транзисторов NPN

Биполярный переходной транзистор — это устройство, управляемое током. Что это значит? Это означает, что для нормальной работы, как и ожидалось, необходим ток к базе.Транзистор работает не от уровня напряжения, приложенного к базе, а от силы тока, протекающего через базу. Благодаря этому свойству теперь очевидно, что вам нужен резистор, включенный последовательно с базой, чтобы установить уровень тока, протекающего через базу.

На самом деле, имея дело с принципами транзисторов NPN, нужно помнить только две общие вещи:

Включите прибор
Установить режим работы

Сначала вам нужно включить транзистор, прежде чем ток сможет течь на базу. Чтобы включить транзистор, переход база-эмиттер должен преодолеть. Напряжение, необходимое для преодоления перехода база-эмиттер (коротко VBE), такое же, как и при падении напряжения на диоде; около 0,7 В.

В реальном применении VBE должен основываться на паспорте используемого транзистора. Например, BC817-25 полупроводников NXP, VBEsat изменяется в зависимости от температуры и тока коллектора. См. График ниже.

(В некоторых таблицах данных используется VBEsat для определения напряжения база-эмиттер).

В обычных приложениях напряжение, приложенное к базе, всегда намного выше, чем VBEsat, поэтому изменение VBEsat может не быть проблемой. Однако изменение VBE, если оно не учтено должным образом, поставит под угрозу работу транзистора, так как ток базы изменится, а затем также изменится ток коллектора при работе в активной области.

Как только VBE будет преодолен, произойдет текущее управление устройством. Величина тока коллектора будет сильно зависеть от уровня тока базы, пока работа выполняется в активной области.

Базовый и коллекторный ток NPN-транзистора связаны термином бета (β).

Бета = I

_C / I _B

Когда транзистор NPN включен, вы можете установить его режим работы, будь то усилитель или переключатель. Они зависят от величины базового тока.

Некоторые термины, используемые в транзисторах

1. Бета или HFE — Бета и HFE взаимозаменяемы производителями.Не путайте, поскольку оба они относятся к коэффициенту усиления транзистора по току, особенно к соотношению I _C к I _B.
Бета = HFE = I _C / I _B
2. Коэффициент усиления по току — соотношение двух токов
3. Базовый ток (I _B) — ток, протекающий через базу
4. Коллекторный ток (I _C) — ток, протекающий через коллектор
5. Ток эмиттера (I _E) — ток, протекающий через эмиттер
6.VBE — напряжение база-эмиттер
7. VCE — напряжение коллектор — эмиттер
8. VBC — напряжение база-коллектор
9. ВЭБ — напряжение эмиттер-база
10. VCB — напряжение коллектор-база
11. VB — Базовое напряжение относительно земли
12. VE — напряжение эмиттера относительно земли
13. VC — напряжение коллектора относительно земли

Некоторые принципы и технические характеристики транзисторов NPN:

VBE — Базовое напряжение относительно земли минус напряжение эмиттера относительно земли (VB — VE)
VCE — Напряжение коллектора относительно земли минус напряжение эмиттера относительно земли (VC — VE)
VBC — Базовое напряжение относительно земли минус напряжение коллектора относительно земли (VB –VC)
VEB — Напряжение эмиттера относительно земли минус напряжение базы относительно земли (VE — VB)
VEC — Напряжение эмиттера относительно земли минус напряжение коллектора относительно земли (VE — VC)
VCB — Напряжение коллектора относительно земли минус напряжение базы относительно земли (VC — VB)

Для биполярного переходного транзистора (BJT) наибольшим током является ток эмиттера (I _E), за ним следует ток коллектора (I _C), а затем ток базы (I _B).I _E — это просто сумма I _C и I _B.

I _E = I _C + I _B

В активном режиме I _B находится в микроамперном диапазоне, и можно согласиться, что I _E приблизительно равно I _C.

I _E ~ I _C

BJT известен своим свойством амплификации, которое определяется термином бета (β). Бета математически определяется как

β = I _C / I _B

Итак, когда вы встретили термин или символ бета в таблице данных, это означает отношение тока коллектора к току базы.

Транзистор

NPN может работать в трех регионах:

Активный
Отсечка
Насыщенность

На рисунке ниже, затененная серым, это активная область. Светло-голубой оттенок — это область отсечения, а область насыщенности — оранжевого оттенка. В активной области работа транзистора NPN определяется с точки зрения линии нагрузки постоянного тока. Это линия, которую можно проследить, когда операция NPN перемещается из-за изменения базового тока (от I _B1 до I _B6), VCE и I _C.Точка Q на рисунке просто указывает, где на линии нагрузки постоянного тока падает работа NPN.

В активной области увеличение тока базы будет иметь соответствующее увеличение тока коллектора, как описано в уравнении ниже.

I _C = β X I _B

В области насыщения I _C или ток коллектора максимален. В этой области любое увеличение тока базы больше не повлияет на ток коллектора.Таким образом, уравнение

I _C = β X I _B

на этот раз больше не действует.

В области отсечки, с другой стороны, нет тока коллектора, а также нулевого тока базы. В этой области транзистор NPN просто выключен. В этом регионе VCE равен питанию коллектора.

Требования к подключению транзистора NPN

1. Коллекторное питание (V _CC) — не должно превышать допустимое напряжение VCE (положительное напряжение)

(Допустимое напряжение VCE указано в таблице данных транзистора и в основном описывается как VCEo или напряжение коллектор-эмиттер с открытой базой)

2.Напряжение смещения базы — должно быть больше, чем требуется VBE (положительное напряжение)

3. Базовый резистор — устанавливает базовый ток

4. Резистор эмиттера — установите напряжение и ток эмиттера

5. Коллекторный резистор — установить напряжение и ток коллектора

Ниже приведены некоторые распространенные соединения для транзисторов NPN:

Вариант 1 — простейшее соединение. Он имеет VCC, который является источником питания коллектора, и VBB, который является напряжением, приложенным к базе.Имеет базовое и коллекторное сопротивление; Rb и Rc. Это соединение очень часто встречается при движении с низкой стороны.

Вариант 2 имеет добавленный эмиттерный резистор. Этот резистор устанавливает напряжение на эмиттере. Это обычное дело для активной работы. Вариант 3 аналогичен Варианту 1, за исключением добавления резистора Rb1. Rb1 гарантирует, что база будет автоматически подключаться к земле, если приложенное напряжение VBB не будет иметь низкое состояние. По этой причине предотвращается ложное включение NPN-транзистора из-за шума.

Вариант 4 аналогичен варианту 3 плюс резистор Re в эмиттере.Добавленный резистор устанавливает напряжение на эмиттере. Легко установить работу NPN-транзистора в активной области с добавлением Re.

Вариант 5 фактически совпадает с Вариантом 4. Единственное отличие состоит в том, что VBB берется из VCC. Вариант 6 аналогичен варианту 4 и 5. Не путайте конденсаторы C1 и C2. При анализе постоянного тока эти конденсаторы рассматриваются как разомкнутые и, таким образом, не являются частью схемы, что сводит схему к вариантам 4 и 5.

Вариант 7 совпадает с Вариантом 3, только VBB взят из VCC. Вариант 8 аналогичен варианту 3 и 7. Добавленные конденсаторы C1 и C2 не являются частью схемы при анализе постоянного тока.

Варианты 4, 5 и 6 называются смещением делителя напряжения. Делитель напряжения смещения — наиболее стабильный тип подключаемого NPN-транзистора. Смещение устойчиво к изменениям в бета-версии устройства. В некоторых приложениях это также сводит к минимуму влияние вариаций VBE.

Факторы, влияющие на стабильность Принципы транзистора

NPN не должны ограничиваться только установкой правильного смещения, но также необходимы для определения некоторых факторов, которые будут влиять на стабильность.Стабильность очень важна при массовом производстве и длительной эксплуатации. Общими факторами, влияющими на стабильность NPN-транзистора, являются рабочая температура, вариация VBE и бета-вариация. Рабочая температура может повлиять на параметры транзистора NPN. При проектировании схемы необходимо учитывать влияние рабочих температур. VBE может отличаться от устройства к устройству. Это также будет зависеть от рабочей температуры. Бета-версия будет отличаться от устройства к устройству даже в одной и той же партии. Бета обычно имеет более широкий диапазон.Будьте осторожны, чтобы учесть вариации при проектировании схемы.

Смещение делителя напряжения (VDB) минимизирует отклонения, упомянутые выше. VDB на самом деле является наиболее стабильным типом смещения.

Как смещение делителя напряжения минимизирует колебания схемы транзистора NPN и повышает помехоустойчивость

Варианты 4, 5 и 6 — все VDB. Давайте еще больше упростим, почему именно так VDB называют наиболее стабильным типом схемы смещения или подключения.

Рассмотрим приведенные ниже значения:

VCC = 10 В, Rb = 135 кОм, Rc = 1 кОм, Rb1 = 10 кОм, Re = 24 Ом, β = 353, VBE = 0.62

Для схемы ниже (VDB) вычисленные значения:

Когда бета дрейфует до 200, новые значения:

Как видите, уровень VOUT увеличился всего на 0,4 В, несмотря на значительное снижение бета-тестирования.

Давайте сравним результат с смещением без делителя напряжения. Давайте просто удалим резистор эмиттера, как показано ниже.

Для беты 353 вычисленные значения:

Когда бета-версия стала 200, вычисленные результаты:

Как вы заметили, их около 1.2В увеличение на ВОУТ. Это очень много по сравнению с смещением делителя напряжения, которое составляет всего около 0,4 В.

Следующий вопрос, на который нужно ответить: как смещение делителя напряжения улучшает помехозащищенность?

Рассмотрим смещение делителя напряжения в приведенной ниже схеме. В реальных приложениях VBB может быть автономным источником, поступающим от логической схемы или микроконтроллера и т.п. Существует тенденция, что VBB не имеет определенной низкой логики.Если Rb1 отсутствует, база транзистора будет плавающей к тому моменту, когда вы намереваетесь выключить транзистор. Это не очень хорошая практика проектирования, поскольку шум может вызвать срабатывание базы и ложное включение транзистора.

При наличии RB1 нет никаких шансов, что шум может ложно включить базу, поскольку база связана с землей цепи через RB1.

Как определить, является ли транзистор NPN?

1. Использование Интернета — если вы знаете номер детали, то очень легко определить, есть ли у вас подключение к Интернету.
2. Использование цифрового измерителя — если у вас есть цифровой измеритель, установите его в диодный режим. Подсоедините щуп измерителя к любым двум контактам. Когда вы получаете падение диода (0,5 ~ 0,7 В), вы измеряете либо базу-эмиттер, либо базу-коллектор. Прикрепите один датчик к одному контакту, а другой — к любому из двух других контактов, по одному. Как только вы прочитаете то же падение диода, вы получите контакт базы транзистора на устойчивом пробнике. Если устойчивый зонд положительный, транзистор NPN. Если устойчивый пробник отрицательный, то транзистор — PNP.

NPN транзистор общего назначения

Существуют различные приложения, в которых используются NPN-транзисторы. Рассмотрим самые распространенные; 1. Переключатель 2. Логика и 3. Усилитель

Для коммутационных и логических приложений транзистор настроен на работу с отсечкой и насыщением.

Для усилителя работа транзистора ограничена только активной областью.

Коммутатор и логические операции

Чтобы транзистор мог выполнять эти функции, он должен быть переведен в режим насыщения и отключен.Для насыщения должно быть достаточно тока базы. Для отключения должен быть способ выключить транзистор.

Как насытить NPN-транзистор

Первое, что нужно сделать, это выбрать правильную конфигурацию цепи

Выберите структуру схемы, которая мало зависит от бета-версии устройства. В качестве руководства выберите вариант 1 и 3.

Лично я выберу вариант 3 из-за наличия Rb1, который добавит помехозащищенности

Определите текущую уставку либо для базы, либо для коллектора
Установите соотношение между током коллектора (I _C) и базовым током (I _B) равным 2 (или ниже)
Вычислите сопротивления
Дважды проверьте схему, используя выбранные значения

Пример 1

В приложениях, в которых VBB обеспечивается блоком микроконтроллера (MCU) или любой схемой малой мощности, рекомендуется учитывать уставку базового тока так, чтобы она не превышала номинальные значения микроконтроллера или цепи малой мощности.Например, максимальный ток источника, который может обеспечивать MCU, составляет 4 мА, установите базовый ток (I _B) не более 75% от этого значения; Итак, уставка тока 3мА для базы.

Выберите конфигурацию цепи: с учетом варианта 1 с VBB = 5 В, VCC = 10 В

Установить базовый ток I _B

I _B = 3 мА

Установите соотношение между током коллектора (I _C) и базовым током (I _B) равным 2 (или ниже)

Соотношение 2 уже очень жесткое насыщение.В некоторых таблицах 10 считается жестким насыщением.

I _C / I _B = 2

I _C = 2 X I _B = 2 X 3 мА = 6 мА

Вычислить сопротивления

а. Решить

руб.

Значение Rb легко найти по следующей формуле:

Rb = (VBB-VBE) / I _B

Вы можете принять VBE равным 0,7 В, и это дает 1433,33 Ом для Rb.Ближайшее значение стандартного резистора составляет 1,43 кОм , поэтому используйте это значение.

(Здесь мы использовали VBE 0,7 В, несмотря на тот факт, что VBE может изменяться до 1,2 В в худшем случае, как объяснялось ранее. Однако, поскольку мы установили отношение I _C к I _B равным 2, это обеспечивает жесткое насыщение, и вариации VBE больше не влияют на это.)

г. Решить Rc

Rc может быть решено по следующей формуле:

Rc = VCC / I _C = 10 В / 6 мА = 1.67 кОм

Ближайшее стандартное значение — 1,69k Ом ; используйте это значение.

Дважды проверьте схему, используя выбранные значения

Здесь я провел простое моделирование с выбранными значениями. Я использовал здесь транзистор BC817-25. Моделирование показывает базовый ток I (Rb), равный 3 мА, и 6 мА для тока коллектора I (Rc). Красная линия — это выходное напряжение на коллекторе транзистора. Он показывает 0 В, что означает насыщение транзистора.

Пример 2

Выберите конфигурацию цепи: с учетом варианта 3 с VBB = 5 В, VCC = 10 В

Установить базовый ток I _B

I _B = 3 мА

Установите соотношение между током коллектора (I _C) и базовым током (I _B) равным 2 (или ниже)

I _C / I _B = 2

I _C = 2 X I _B = 2 X 3 мА = 6 мА

Вычислить сопротивления

а.Набор IB1

При использовании варианта 3 вы можете просто запрограммировать ток I _B1 1% от I _B. Это означает, что значение Rb1 относительно высокое по сравнению с Rb, и это практично, потому что Rb1 предназначен для обеспечения высокого сопротивления.

I _B1 = 0,01 X 3 мА = 30 мкА

г. Решить Rb1

Тогда Rb1 можно решить с помощью следующего уравнения:

Rb1 = VBE / I _B1 = 0,7 В / 30 мкА = 23.33 кОм

Ближайшее стандартное значение — 23,4 кОм Ом ; используйте это значение.

г. Решить Iin

Iin — это просто сумма I _B и I _B1. Итак

Iin = I _B + I _B1 = 3 мА + 30 мкА = 3,03 мА

г. Решить Rb

Чтобы решить Rb, используйте приведенную ниже формулу

Rb = (VBB — VBE) / Iin = (5 В — 0,7 В) / 3,03 мА = 1,419 кОм

Ближайшее стандартное значение — 1.43k Ом ; используйте это значение.

e. Вычислить Rc

Rc может быть решено по следующей формуле:

Rc = VCC / I _C = 10 В / 6 мА = 1,67 кОм

Ближайшее стандартное значение — 1,69k Ом ; используйте это значение

Дважды проверьте схему, используя выбранные значения

Здесь я провел простое моделирование с выбранными значениями.Я использовал здесь транзистор BC817-25. Моделирование показывает базовый ток Ib (Q1), равный 3 мА, и 6 мА для тока коллектора Ic (Q1). Синяя линия — это выходное напряжение на коллекторе транзистора. Он показывает 0 В, что означает насыщение транзистора.

Для более подробного обсуждения того, как насыщать NPN-транзистор, прочтите статьи «Определение режима работы транзистора», «Как узнать, насыщен ли транзистор?» и Как довести транзистор до жесткого насыщения.

Выведенные уравнения для общих схем транзисторов NPN

Вот общие схемы транзисторов NPN с производными уравнениями.

Вариант 1

Вариант 2

Вариант 3

Вариант 4

Конфигурации усилителя

Конфигурация общего эмиттера

Все схемы ниже — с общим эмиттером.Общий эмиттер просто означает, что эмиттер не подключен напрямую ни к входу, ни к выходу. В схемах ниже VBB является входом, и он подключен к базе, а выход — на коллекторе. Общий эмиттер — самая популярная конфигурация усилителя.

Конфигурация общего коллектора

Ниже схемы — общие коллекторы. Общий коллектор просто означает, что коллектор не подключен напрямую ни к входу, ни к выходу. VBB — это вход, который применяется к базе, а выход — у эмиттера.Общий коллектор еще называют эмиттерным повторителем.

Общая базовая конфигурация

Ниже представлена стандартная базовая конфигурация. Эта конфигурация обычно не используется. Сам я в реальных приложениях этим не пользовался.

Транзистор NPN как драйвер реле Транзистор

NPN легко настроить как драйвер реле. Как драйвер реле, NPN действует как переключатель низкого уровня. Это означает, что NPN сама по себе будет обеспечивать путь заземления к другой стороне реле.Ниже представлена схема драйвера реле. Реле состоит из Lcoil и Rcoil, которые означают индуктивность и сопротивление катушки соответственно.

Q1 будет тем, который соединит нижнюю сторону реле с землей, чтобы катушка запиталась. Когда на узле VIN имеется высокий сигнал, Q1 насыщается и соединяет реле с землей. С другой стороны, когда нет сигнала на узле VIN, Q1 отключит путь реле. R2 в этом приложении добавит помехоустойчивость, особенно когда источник в узле VIN либо имеет положительное напряжение, либо открыт.D1 используется для защиты транзистора реле обратной ЭДС напряжения отдачи. D1 очень важен, не забывайте об этом!

Правильный выбор компонентов

Драйвер реле должен подключать другую сторону реле к земле (или положительному источнику питания для других реализаций) с идеально нулевым падением напряжения. Это означает, что транзистор должен работать в режиме жесткого насыщения. Жесткое насыщение просто означает, что даже в худшем случае транзистор останется в насыщении.

Пример:

Давайте подадим правильные значения в вышеуказанную схему. V1 = 12 В, VIN = 5 В, Rcoil = 330 Ом.

Решить ток коллектора (I _C)

I _C = V1 / Rcoil = 12 В / 330 Ом = 36,37 мА

Установите базовый ток для обеспечения жесткого насыщения

Значение I _C / I _B от 10 и ниже считается жестким насыщением.Давайте рассмотрим здесь 10 в этом примере. Однако вам все равно нужно проверить минимальную бета-версию транзистора, используемого в приложении. Выбранный I _C / I _B должен быть намного ниже минимального значения бета, указанного в таблице данных.

I _C / I _B = 10

I _B = I _C/10 = 36,37 мА / 10 = 3,64 мА

Вы не можете просто установить отношение IC / IB на очень низкое значение, потому что это даст высокий базовый ток.Вы должны установить базовое значение тока, которое не будет превышать допустимую по току схему, обеспечивающую сигнал на узле VIN.

Вычислить сопротивления

Для VIN = 5 В R2 можно установить на 10k Ω . Назначение R2 — гарантировать, что база будет подключаться к земле, когда VIN находится в разомкнутом состоянии, поэтому 10 кОм уже является хорошим значением.

Поскольку R2 известен, ток, протекающий через него, может быть решен как

Я _R2 = VBE / R2 = 0.7 В / 10 кОм = 70 мкА

Мы использовали здесь 0,7 В для VBE, поскольку типичное значение транзисторов VBE составляет 0,7 В. Для точного расчета вы можете ознакомиться с таблицей данных используемой детали.

Тогда ток на R3 также можно рассчитать с помощью:

I _R3 = I _R2 + I _B = 70 мкА + 3,64 мА = 3,71 мА

Наконец, R3 можно вычислить с помощью следующего уравнения:

R3 = (VIN — VBE) / I _R3 = (5V — 0.7 В) / 3,71 мА = 1,16 кОм Ом .

Выберите ближайшее стандартное значение резистора.

Рассчитать рассеиваемую мощность

После того, как все значения известны, переходим к расчету мощности. Выбор устройств ниже номинальных приведет к отказу цепи.

A. Рассеиваемая мощность Q1

P _Q1 = I _B X VBE + VCE X I _C

В приведенном выше расчете мы не учитываем фактическое устройство VCEsat (или уровень насыщения VCE).На самом деле это не ноль, даже несмотря на то, насколько насыщен транзистор. Всегда сверяйтесь с таблицей данных. Давайте использовать в этом примере 100 мВ. Итак,

P _Q1 = I _B X VBE + VCE X I _C = 3,64 мА X 0,7 В + 0,1 В X 36,37 мА = 6,185 мВт

B. R2 Рассеиваемая мощность

P _R2 = I _R2 X I _R2 X R2 = 70 мкА X 70 мкА X 10 кОм = 49 мкВт

C. Рассеиваемая мощность R3

P _R3 = I _R3 X I _R3 X R3 = 3.71 мА X 3,71 мА X 1,16 кОм = 16 мВт

D. Рассеиваемая мощность реле

PRelay = I _C X I _C X Rcoil = 36,37 мА X 36,37 мА X 330 Ом = 436,5 мВт

Выберите детали с более высокой номинальной мощностью по сравнению с результатом расчета, приведенным выше.

Я провел простое моделирование, чтобы проверить схему, используя выбранные значения. У меня напряжение VCE около нуля вольт, это означает, что транзистор насыщается. Я также получаю ток коллектора 36 мА, что совпадает с расчетным значением.

Поиск и устранение неисправностей в схемах транзисторов NPN

Общие

При поиске и устранении неисправностей важно знать основные факты о транзисторе NPN. Вы должны знать, что VBE может находиться в диапазоне от 0,6 В до 1,2 В (хотя 1,2 В в худшем случае). Когда вы кладете положительный зонд вольтметра на базу, а отрицательный — на эмиттер, вы должны показывать в пределах 0,6–1,2 В после подачи питания на схему. Если вы читаете 0 В, транзистор база-эмиттер закорочен.С другой стороны, если вы читаете уровень, совпадающий с VBB, или подаете напряжение на базу, то база-эмиттер транзистора выключена или транзистор просто не проводит ток.

Если схема транзистора настроена на работу в режиме насыщения, вы должны прочитать 0 В на VBE, поместив положительный датчик вольтметра на коллектор, а отрицательный — на эмиттер, после того как на схему подано питание и на базу имеется положительное напряжение. И наоборот, если нет питания на базе или напряжение базы отрицательное, вы должны прочитать уровень, равный VCC.

Специальные схемы

А.

Режим отказа: выход всегда низкий (0 В)

Возможные дефекты:

Короткое замыкание Q1
Открытый Rc

Режим отказа: выход всегда высокий

Возможные дефекты:

Открытый
Неисправный 1 квартал

Режим отказа: Выходной сигнал прерывистый низкий и высокий

Возможные дефекты:

Плохой припой на Rb или дефектный Rb
Плохой припой на Q1 или неисправный Q1
Плохой припой на Rc или неисправный Rc

Б.

Режим отказа: выход всегда низкий (0 В)

Возможные дефекты:

Короткое замыкание на Re
закорочены как Re, так и Q1

Режим отказа: всегда выводить VCC

Возможные дефекты:

открытый 1 квартал
открыть Re
замкнутый Rc

Режим отказа: Выход не равен нулю, не VCC, не прерывистый, но неверный на основе расчета

Возможные дефекты:

Открытый пульт

Режим отказа: Выходной сигнал прерывистый

Возможные дефекты:

Проверить все детали на плохой припой
: если нет холодного припоя, значит деталь неисправна.Измерьте сопротивление и проведите проверку диодов на Q1.

С.

Режим отказа: выход всегда низкий (0 В)

Возможные дефекты:

Открытый пульт
Короткое замыкание Q1 C-E

Режим отказа: выход всегда высокий или VCC

Возможные дефекты:

неисправен Q1
открытый
закорочен Rb1 (или изменен на меньшее значение)

Режим отказа: Выходной сигнал прерывистый

Возможные дефекты:

Проверить все детали на плохой припой
: если нет холодного припоя, значит деталь неисправна.Измерьте сопротивление и проведите проверку диодов на Q1.

Связанные

Дифференциальные транзисторные усилители. Рабочий лист — Дискретные полупроводниковые приборы и схемы

Пусть сами электроны дадут вам ответы на ваши собственные «практические проблемы»!

Примечания:

По моему опыту, студентам требуется много практики с анализом цепей, чтобы стать профессионалом. С этой целью инструкторы обычно предоставляют своим ученикам множество практических задач, над которыми нужно работать, и дают ученикам ответы, с которыми они могут проверить свою работу.Хотя такой подход позволяет студентам овладеть теорией схем, он не дает им полноценного образования.

Студентам нужна не только математическая практика. Им также нужны настоящие практические схемы построения схем и использование испытательного оборудования. Итак, я предлагаю следующий альтернативный подход: студенты должны построить свои собственные «практические задачи» с реальными компонентами и попытаться математически предсказать различные значения напряжения и тока. Таким образом, математическая теория «оживает», и учащиеся получают практические навыки, которых они не достигли бы, просто решая уравнения.

Еще одна причина для использования этого метода практики — научить студентов научному методу : процессу проверки гипотезы (в данном случае математических предсказаний) путем проведения реального эксперимента. Студенты также разовьют реальные навыки поиска и устранения неисправностей, поскольку они время от времени допускают ошибки при построении схем.

Выделите несколько минут времени со своим классом, чтобы ознакомиться с некоторыми «правилами» построения схем, прежде чем они начнутся. Обсудите эти проблемы со своими учениками в той же сократической манере, в которой вы обычно обсуждаете вопросы рабочего листа, вместо того, чтобы просто говорить им, что они должны и не должны делать.Я никогда не перестаю удивляться тому, насколько плохо студенты понимают инструкции, представленные в типичном формате лекции (монолог преподавателя)!

Примечание для тех инструкторов, которые могут жаловаться на «потраченное впустую» время, необходимое студентам для построения реальных схем вместо того, чтобы просто математически анализировать теоретические схемы:

Какова цель студентов, посещающих ваш курс?

Если ваши ученики будут работать с реальными схемами, им следует по возможности учиться на реальных схемах.Если ваша цель — обучить физиков-теоретиков, то во что бы то ни стало придерживайтесь абстрактного анализа! Но большинство из нас планирует, чтобы наши ученики что-то делали в реальном мире с образованием, которое мы им даем. «Потраченное впустую» время, потраченное на создание реальных схем, принесет огромные дивиденды, когда им придет время применить свои знания для решения практических задач.

Кроме того, когда студенты создают свои собственные практические задачи, они учатся выполнять первичных исследований , тем самым давая им возможность продолжить свое образование в области электротехники / электроники в автономном режиме.

В большинстве наук реалистичные эксперименты намного сложнее и дороже, чем электрические схемы. Профессора ядерной физики, биологии, геологии и химии хотели бы, чтобы их студенты применяли высшую математику в реальных экспериментах, не представляющих опасности для безопасности и стоящих меньше, чем учебник. Они не могут, но вы можете. Воспользуйтесь удобством, присущим вашей науке, и заставьте ваших учеников практиковать математику на множестве реальных схем!

Качество q1 транзисторы для электронных проектов Free Sample Now

Простая и эффективная схема отключения выхода источника питания с функцией мягкого старта и отсутствием бросков тока при включении.

Генератор факельного разряда на MOSFET-транзисторе / Хабр

Вступление

Что это такое, зачем нужно и как работает?

Сборка и настройка устройства

Заключение

Схема переключения RX/TX на полевых транзисторах

Замена BU808DFI

Несколько способов замены транзистора BU808.

Генератор перестраиваемой частоты на полевых транзисторах (7

Что-то не так?

Методическая разработка

1.1. Описание схем опытов

1.1.1. Объекты исследования:

1.2. Экспериментальное исследование

1.2.1. Режим непосредственных измерений.

— Как определить, какой транзистор усиливает сигнал?

для электронных проектов Бесплатный образец сейчас

Транзистор Дарлингтона и пара Шиклая Дарлингтона

Биполярный транзистор как переключатель

Базовая конфигурация транзистора Дарлингтона

Пример транзистора Дарлингтона №1

Идентичные транзисторы Дарлингтона

Применение транзисторов Дарлингтона

Пара транзисторов Шиклая

Конфигурация транзистора Шиклаи Дарлингтона

Массив транзисторов Дарлингтона ULN2003A

ULN2003A Транзисторная матрица Дарлингтона

q1% 20bc% 20558% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

2011 — LP2951

2011 — LP2951-50-Q1

2003 г. — 77625

1995 — TPS77501-Q1

МОДЕЛЬ 1892 minato

2003 — Нет в наличии

2003 — Нет в наличии

TQFP100

2003 — TPS77501-Q1

2011 — LP2951

2011 — LP2951-50-Q1

2011 — LP2951-50-Q1

2009 — национальный бессвинцовый индекс для полупроводников

1997 — преобразователь bcd в 7 сегментов

2011 — LP2951

Нет в наличии

2008 — TPS75218-EP

2003 — Нет в наличии

2003 — Нет в наличии

cs5845

отчет о надежности

2011 — LP2951

2011 — LP2951-50-Q1

2011 — LP2951QDRGRQ1

2001 — СТ72321М9

Amazon.com: ANENG Q1 Цифровой мультиметр с истинным среднеквадратичным значением Esr Meter Testers Автомобильные электрические Dmm транзисторы Peak Tester Meters Resistor

Бета = I

Бета = HFE = I C / I B

NPN транзистор общего назначения

А.

Б.

С.

Дифференциальные транзисторные усилители. Рабочий лист — Дискретные полупроводниковые приборы и схемы

Похожие записи

Coocox: CooCox. Текущее состояние дел. / CoIDE / Pluslab

Приборы для измерения давления жидкости: Манометр — из чего состоит? Виды и типы

Регулируемая индуктивность: Регулируемая катушка индуктивности на кольцевом сердечнике

Добавить комментарий Отменить ответ

Бета = HFE = I _C / I _B