Вранзистор с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π±. Вранзистор с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘: характСристики, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ особСнности

Π§Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Π‘ Π² ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ транзистора. КакиС прСимущСства ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ транзисторы с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ транзисторы с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ Π² схСмах. На Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ транзисторами.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Π‘ Π² ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ транзистора

Π‘ΡƒΠΊΠ²Π° Π‘ Π² ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ транзистора ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡƒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ характСристик Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзистора. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, это ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор относится ΠΊΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ΅ ΠΏΠΎ коэффициСнту усилСния ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сСрии.

НапримСр, Π² популярной сСрии КВ315 ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ разновидности:

  • КВ315А
  • КВ315Π‘
  • КВ315Π’
  • КВ315Π“
  • ΠΈ Ρ‚.Π΄.

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Π‘ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 50-350 ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 2 мА. Для сравнСния, Ρƒ КВ315А этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ составляСт 20-70.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзисторов с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘

Вранзисторы с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками:


  • ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ модСлью
  • МСньший разброс ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²
  • Π£Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ частотныС свойства
  • НСсколько Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая Ρ†Π΅Π½Π°

ΠŸΡ€ΠΈ этом Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ значСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ сущСствСнно ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ для Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… сСрий ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов. ВсСгда Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒΡΡ с ΠΎΡ„ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ производитСля.

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° примСнСния транзисторов с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘

ИспользованиС транзисторов с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ Π² ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌ элСктронных устройств ряд прСимущСств:

  1. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокий коэффициСнт усилСния позволяСт ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ схСмотСхнику ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадов
  2. МСньший разброс ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² обСспСчиваСт Π»ΡƒΡ‡ΡˆΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ характСристик ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ
  3. Π£Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ частотныС свойства Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΡΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния транзисторов
  4. ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСм

Благодаря этим прСимущСствам транзисторы с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ часто Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ для отвСтствСнных ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ² Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, Π³Π΄Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ примСнСния транзисторов с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘

ΠŸΡ€ΠΈ использовании транзисторов с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ Π² ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ слСдуСт ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ особСнности:


  • Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ модСлями
  • ΠΠ΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ коэффициСнта усилСния
  • Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ сниТСниС устойчивости ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадов
  • ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ трСбования ΠΊ качСству ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° ΠΈ ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π΅ этих Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² транзисторы с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ качСствСнныС ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ элСктронныС устройства.

Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ транзистор с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ транзистора с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния рСкомСндуСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΡƒ:

  1. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ (Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ напряТСния, Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ, частоты ΠΈ Ρ‚.Π΄.)
  2. Π’Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΡΡ‰ΡƒΡŽ ΡΠ΅Ρ€ΠΈΡŽ транзисторов
  3. Π‘Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚ΡŒ характСристики Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΈ вСрсии с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘
  4. ΠžΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π»Π΅ΡΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ примСнСния Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠΉ вСрсии
  5. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора
  6. ΠŸΡ€ΠΈ нСобходимости провСсти практичСскиС испытания ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ²

Π’Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ максимально эффСктивно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ прСимущСства транзисторов с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ Π² ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅.


Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ области примСнСния транзисторов с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘

Вранзисторы с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… сфСрах:

  • ВысококачСствСнная Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°
  • Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹
  • Π’Π΅Π»Π΅ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅
  • ΠœΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½ΡΠΊΠ°Ρ элСктроника
  • ΠŸΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Π°Ρ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ°
  • ВоСнная ΠΈ аэрокосмичСская Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°

Π’ этих областях ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзисторов с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ особСнно вострСбованными.

Π—Π°ΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ транзисторов с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘

ΠŸΡ€ΠΈ нСобходимости Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ транзистора с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹:

  • ΠŸΡ€ΡΠΌΠ°Ρ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ модСль Π±Π΅Π· Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ Π‘ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ схСмы
  • Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° Π½Π° Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ производитСля допустима ΠΏΡ€ΠΈ совпадСнии ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²
  • Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ соврСмСнныС Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов

Какой Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ? Π­Ρ‚ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ситуации ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΊ устройству. Π’ отвСтствСнных ΡƒΠ·Π»Π°Ρ… рСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ.

Π‘ΠΎΠ²Π΅Ρ‚Ρ‹ ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с транзисторами с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ максимально эффСктивно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘, слСдуйтС этим рСкомСндациям:


  1. ВсСгда ΡΠ²Π΅Ρ€ΡΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ с Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ производитСля
  2. Π£Ρ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΡ€ΠΈ расчСтС схСм
  3. ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄
  4. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ качСствСнныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ обвязки
  5. ΠŸΡ€ΠΈ нСобходимости примСняйтС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ стабилизации Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ²
  6. ΠŸΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ провСряйтС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзисторов Π² процСссС эксплуатации

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ этим совСтам ΠΏΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ устройства Π½Π° основС транзисторов с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ Π² ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅.


Вранзистор КВ315А (Π‘, Π’, Π“, Π”, Π•, Π–, И)

Вранзистор КВ315А (Π‘, Π’, Π“, Π”, Π•, Π–, И)
Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ содСрТания Π΄Ρ€Π°Π³ΠΎΡ†Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² Π² радиодСталях основанный Π½Π° справочных Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΉ Π»ΠΎΠΌΠ° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ, паспортах устройств, формулярах ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹Ρ… источников. Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ содСрТаниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ отличатся Π½Π° 20-30% Π² ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΡƒΡŽ сторону.

Π Π°Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚ΠΎ, сСрСбро, ΠΏΠ»Π°Ρ‚ΠΈΠ½Ρƒ ΠΈ ΠœΠŸΠ“ (ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Ρ‹ ΠΏΠ»Π°Ρ‚ΠΈΠ½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹,Β ΠŸΠ»Π°Ρ‚ΠΈΠ½ΠΎΠ²Π°Ρ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°,Β ΠŸΠ»Π°Ρ‚ΠΈΠ½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Ρ‹,Β ΠŸΠ»Π°Ρ‚ΠΈΠ½ΠΎΠΈΠ΄Ρ‹,Β Π­ΠŸΠ“)

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π΄Ρ€Π°Π³ΠΎΡ†Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² Π² транзисторС: КВ315А (Π‘, Π’, Π“, Π”, Π•, Π–, И)

Π—ΠΎΠ»ΠΎΡ‚ΠΎ: 0.0006
Π‘Π΅Ρ€Π΅Π±Ρ€ΠΎ: 0
ΠŸΠ»Π°Ρ‚ΠΈΠ½Π°: 0
ΠœΠŸΠ“: 0
По Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ: Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ ΠΏΠΎ Π΄Ρ€Π°Π³ΠΎΡ†Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°ΠΌ ΠŸΠ Π˜ΠšΠΠ— β„–70

Вранзистор, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ β€” радиоэлСктронный ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, способный ΠΎΡ‚ нСбольшого Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для усилСния, гСнСрирования, ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ прСобразования элСктричСских сигналов. Π’ настоящСС врСмя транзистор являСтся основой схСмотСхники ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° элСктронных устройств ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм.

Π’ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов

БущСствуСт Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов: биполярныС ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅.

1. БиполярныС транзисторы. Они ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ, вСроятно, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнным Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ (ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΎ Π½ΠΈΡ…, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, шла Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π°Ρ… этой Π³Π»Π°Π²Ρ‹). Π’ Π±Π°Π·Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ транзистора подаСтся нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ, Π° ΠΎΠ½, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, управляСт количСством Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром.
2. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы. Π˜ΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, Π½ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (вмСсто Π±Π°Π·Ρ‹ Ρƒ биполярного), сток (вмСсто ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°) ΠΈ исток (вмСсто эмиттСра). Аналогично воздСйствиС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ транзистора (Π½ΠΎ Π½Π° этот Ρ€Π°Π· Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π° напряТСния) управляСт Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: ΠΎΠ½ΠΈ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ NPN-биполярного транзистора) ΠΈ Π -ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ PNP).

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° транзисторов Π‘Π‘Π‘Π 

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов Π΄ΠΎ 1964 Π³ΠΎΠ΄Π°
ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ элСмСнт обозначСния β€” Π±ΡƒΠΊΠ²Π° П, ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ данная Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ ΠΈ являСтся, собствСнно, транзистором. БиполярныС транзисторы Π² Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ корпусС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΈΡΡŒ двумя Π±ΡƒΠΊΠ²Π°ΠΌΠΈ β€” МП, Π±ΡƒΠΊΠ²Π° М ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° ΠΌΠΎΠ΄Π΅Ρ€Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ элСмСнт обозначСния β€” ΠΎΠ΄Π½ΠΎ, Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Π·Π½Π°Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ число, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ опрСдСляСт порядковый Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈ подкласс транзистора, ΠΏΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, значСниям допустимой рассСиваСмой мощности ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ(ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ) частоты.
ΠžΡ‚ 1 Π΄ΠΎ 99 β€” Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ низкочастотныС транзисторы.
ΠžΡ‚ 101 Π΄ΠΎ 199 β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ низкочастотныС транзисторы.
ΠžΡ‚ 201 Π΄ΠΎ 299 β€” Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ низкочастотныС транзисторы.
ΠžΡ‚ 301 Π΄ΠΎ 399 β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ низкочастотныС транзисторы.
ΠžΡ‚ 401 Π΄ΠΎ 499 β€” Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ высокочастотныС ΠΈ Π‘Π’Π§ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы.
ΠžΡ‚ 501 Π΄ΠΎ 599 β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ высокочастотныС ΠΈ Π‘Π’Π§ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы.
ΠžΡ‚ 601 Π΄ΠΎ 699 β€” Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ высокочастотныС ΠΈ Π‘Π’Π§ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы.
ΠžΡ‚ 701 Π΄ΠΎ 799 β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ высокочастотныС ΠΈ Π‘Π’Π§ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы.

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов послС 1964 Π³ΠΎΠ΄Π°

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ символ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для обозначСния Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°
Π‘ΡƒΠΊΠ²Π° Π“ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° 1 β€” Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠΉ.
Π‘ΡƒΠΊΠ²Π° К ΠΈΠ»ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° 2 β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ.
Π‘ΡƒΠΊΠ²Π° А ΠΈΠ»ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° 3 β€” арсСнид галлия.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ символ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ транзистора
П β€” ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор
Π’ β€” биполярный транзистор

Π’Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ символ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для обозначСния мощности ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частоты
1 β€” транзисторы ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅(Π΄ΠΎ 0,3 Π²Π°Ρ‚Ρ‚) низкочастотныС(Π΄ΠΎ 3 ΠœΠ“Ρ†).
2 β€” транзисторы ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅(Π΄ΠΎ 0,3 Π²Π°Ρ‚Ρ‚) срСднСй частоты(Π΄ΠΎ 30 ΠœΠ“Ρ†).
3 β€” транзисторы ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅(Π΄ΠΎ 0,3 Π²Π°Ρ‚Ρ‚) высокочастотныС.
4 β€” транзисторы срСднСй мощности(Π΄ΠΎ 1,5 Π²Π°Ρ‚Ρ‚), низкочастотныС(Π΄ΠΎ 3 ΠœΠ“Ρ†).
5 β€” транзисторы срСднСй мощности(Π΄ΠΎ 1,5 Π²Π°Ρ‚Ρ‚),срСднСй частоты(Π΄ΠΎ 30 ΠœΠ“Ρ†).
6 β€” транзисторы срСднСй мощности(Π΄ΠΎ 1,5 Π²Π°Ρ‚Ρ‚),высокочастотныС ΠΈ Π‘Π’Π§.
7 β€” транзисторы ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅(ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 1,5 Π²Π°Ρ‚Ρ‚), низкочастотныС(Π΄ΠΎ 3 ΠœΠ“Ρ†).
8 β€” транзисторы ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅(ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 1,5 Π²Π°Ρ‚Ρ‚), срСднСй частоты(Π΄ΠΎ 30 ΠœΠ“Ρ†).
9 β€” транзисторы ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅(ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 1,5 Π²Π°Ρ‚Ρ‚), высокочастотныС ΠΈ Π‘Π’Π§.

Π§Π΅Ρ‚Π²Π΅Ρ€Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΈ пятый элСмСнты обозначСния β€” ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ порядковый Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ.

ИзмСнСния Π² ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ Π²ΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΠ²ΡˆΠΈΠ΅ Π² силу Π² 1978 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ. ИзмСнСния ΠΊΠΎΡΠ½ΡƒΠ»ΠΈΡΡŒ обозначСния Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… возмоТностСй β€” Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅Π³ΠΎ элСмСнта.

Для биполярных транзисторов:
1 β€” транзистор с рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ 1 Π²Π°Ρ‚Ρ‚Π° ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частотой Π΄ΠΎ 30 ΠœΠ“Ρ†.
2 β€” транзистор с рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ 1 Π²Π°Ρ‚Ρ‚Π° ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частотой Π΄ΠΎ 300 ΠœΠ“Ρ†.
4 β€” транзистор с рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ 1 Π²Π°Ρ‚Ρ‚Π° ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частотой Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 300 ΠœΠ“Ρ†.
7 β€” транзистор с рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1 Π²Π°Ρ‚Ρ‚Π° ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частотой Π΄ΠΎ 30 ΠœΠ“Ρ†.
8 β€” транзистор с рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1 Π²Π°Ρ‚Ρ‚Π° ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частотой Π΄ΠΎ 300 ΠœΠ“Ρ†.
9 β€” транзистор с рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1 Π²Π°Ρ‚Ρ‚Π° ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частотой ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 300 ΠœΠ“Ρ†.

ΠŸΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ссылкой:

ΠŸΠΎΠ½Ρ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ это:

Нравится Π—Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°…

ΠŸΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΅Π΅

КВ368А, КВ368Π‘, КВ368АМ, КВ368Π‘Πœ, 2Π’368А, 2Π’368Π‘

Поиск ΠΏΠΎ сайту


Вранзистор КВ368 — ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, свСрхвысокочастотный, структуры n-p-n, ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ. КВ368А, КВ368АМ, 2Π’368А Π½ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ коэффициСнту ΡˆΡƒΠΌΠ° Π½Π° частотС 60 ΠœΠ“Ρ†. БоотвСтствСнно транзисторы с Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π‘ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½Π΅Π½ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт ΡˆΡƒΠΌΠ°. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π²ΠΎ всСх каскадах усилитСлСй высокой частоты.

КВ368А, КВ368Π‘ ΠΈ КВ368АМ, КВ368Π‘Πœ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² мСталлостСклянном корпусС, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ указываСтся ΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏ. КВ368АМ ΠΈ КВ368Π‘Πœ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ пластмассовый корпус ΠΈ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ условным ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠΌ: АМ — Π΄Π²Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, Π‘Πœ — ΠΎΠ΄Π½Π°. Оба корпуса ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹. ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»ΡΠ½Π½Ρ‹ΠΉ вСсит 1 Π³, пластмассовый — Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0.5 Π³.

КВ368 Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° КВ368 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС.



ЭлСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзистора КВ368

β€’ ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (статичСский). Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром.
UΠΊΠ± = 1 Π’, Iэ = 10 мА:
 КВ368А, КВ368Π‘:
Β Β Π’ = +25Β°C50 Γ· 300
Β Β Π’ = βˆ’60Β°C25Β Γ·Β 300
Β Β Π’ = +125Β°C50 Γ· 600
 КВ368АМ, КВ368Π‘Πœ:
Β Β Π’ = +25Β°C50 Γ· 450
Β Β Π’ = βˆ’60Β°C25 Γ· 450
Β Β Π’ = +100Β°C50 Γ· 600
Β 2Π’368А, 2Π’368Π‘:
Β Β Π’ = +25Β°C50 Γ· 300
Β Β Π’ = βˆ’60Β°C25 Γ· 300
Β Β Π’ = +125Β°C40 Γ· 500
β€’ Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
UΠΊΠ± = 5 Π’, Iэ = 10 мА, Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅:
900 ΠœΠ“Ρ†
β€’ ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΈ Iэ = 10 мА, UΠΊΠ± = 5 Π’, f = 60 ΠœΠ“Ρ†
для КВ368А, КВ368АМ, 2В368А, нС болСС:
3.3 Π΄Π‘
β€’ Π“Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΡ€ΠΈ Iэ = 10 мА, Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅:15 Π’
β€’ Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ) ΠΏΡ€ΠΈ UΠΊΠ± = 15 Π’, Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅:
T = +25°C0.5 мкА
T = +125Β°C 2Π’368А, 2Π’368Π‘5 мкА
β€’ Π’ΠΎΠΊ эмиттСра (ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ) ΠΏΡ€ΠΈ Uэб = 4 Π’, Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅:1 мкА
β€’ ΠΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ UΠΊΠ± = 5 Π’, Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅:1.7 ΠΏΠ€
β€’ ΠΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°
ΠΏΡ€ΠΈ Uэб = 1 Π’ для 2Π’368А, 2Π’368Π‘, Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅3 ΠΏΠ€
ΠΏΡ€ΠΈ Uэб = 4 Π’ для КВ368А, КВ368Π‘, КВ368АМ, КВ368Π‘Πœ, Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅Β Β 
3 ΠΏΠ€
β€’ ΠΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ конструктивная КВ368А, КВ368Π‘, 2Π’368А, 2Π’368Π‘:
ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ корпусом ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ эмиттСра0.45 ΠΏΠ€
ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ корпусом ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°0.6 ΠΏΠ€
ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ корпусом ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹0.4 ΠΏΠ€
ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°0.08 ΠΏΠ€
ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°0.15 ΠΏΠ€
β€’ Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ эмиттСра ΠΏΡ€ΠΈ l=3 ΠΌΠΌ
для КВ368А, КВ368Π‘, 2Π’368А, 2Π’368Π‘:
4.5 Π½Π“Π½

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ эксплуатационныС характСристики транзисторов КВ368

β€’ НапряТСниС К-Π‘ (постоянноС)15 Π’
β€’ НапряТСниС К-Π­ (постоянноС) ΠΏΡ€ΠΈ Rбэ
≀ 3 кОм
15 Π’
β€’ ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π­-Π‘4 Π’
β€’ НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ΅) ΠΏΡ€ΠΈ tΠΈ ≀ 0.5 мс, Q β‰₯ 220 Π’
β€’ НапряТСниС К-Π­ (ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ΅) ΠΏΡ€ΠΈ Rбэ ≀ 3 кОм, tΠΈ ≀ 0.5 мс, Q β‰₯ 2Β Β Β 20 Π’
β€’ Π’ΠΎΠΊ эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (постоянный)30 мА
β€’ Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ tΠΈ ≀ 0.5 мс, Q β‰₯ 260 мА
β€’ РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (постоянная):
 КВ368А, КВ368Π‘:
Β Β T ≀ +65Β°C225 ΠΌΠ’Ρ‚
Β Β T = +125Β°C60 ΠΌΠ’Ρ‚
 КВ368АМ, КВ368Π‘Πœ:
Β Β T ≀ +65Β°C225 ΠΌΠ’Ρ‚
Β Β T = +100Β°C100 ΠΌΠ’Ρ‚
Β 2Π’368А, 2Π’368Π‘:
Β Β T ≀ +65Β°C, P β‰₯ 65 Па225 ΠΌΠ’Ρ‚
Β Β T ≀ +65Β°C, P = 665 Па225 ΠΌΠ’Ρ‚
Β Β T = +125Β°C60 ΠΌΠ’Ρ‚
β€’ Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°+150Β°C
β€’ Рабочая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° (ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды)
 КВ368А, КВ368Π‘, 2Π’368А, 2Π’368Π‘βˆ’60Β°…+125Β°C
 КВ368АМ, КВ368Π‘Πœβˆ’60Β°…+100Β°C

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΡ‚ +65Β°C Π΄ΠΎ +125Β°C (для КВ368АМ, КВ368Π‘Πœ Π΄ΠΎ +100Β°C) допустимоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ рассСиваСмой мощности сниТаСтся Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ.



Активная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ — транзистор — Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ ЭнциклопСдия НСфти ΠΈ Π“Π°Π·Π°, ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ, страница 1

Активная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ — транзистор

CΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 1


Активная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ транзистора дополняСтся элСмСнтами, ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ пассивныС ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΡ„Π΅Ρ€ΠΈΠΉΠ½Ρ‹Π΅ области транзистора. ΠŸΠ΅Ρ€ΠΈΡ„Π΅Ρ€ΠΈΠΉΠ½Π°Ρ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ дополняСт схСму Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ БПР-На рис. 3 пассивная ΠΈ пСрифСрийная области ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ Π― ΠΈ ΠŸΡ€ соотвСтствСнно.  [2]

ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ 1 — активная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ транзистора ΠΏΠΎΠ΄ эмиттСром — модСлируСтся Π΄Π²ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ распрСдСлСнной Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ, состоящСй ΠΈΠ· транзисторов ΠΈ рСзисторов.  [4]

Π”Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, всС Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ области транзистора располоТСны Π² слоС 5 — 10 ΠΌΠΊΠΌ ΠΎΡ‚ повСрхности. Но ΠΏΠΎ сообраТСниям мСханичСской прочности Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с кристаллами Ρ‚ΠΎΠ½ΡŒΡˆΠ΅ 100 ΠΌΠΊΠΌ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ сопротивлСниС Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈ крСмния, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ 5 — 10 ΠΌΠΊΠΌ, являСтся ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния исходного ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° основываСтся Π½Π° достиТСнии Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ допустимой Смкости ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.  [5]

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области транзисторов ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ благоприятныС условия Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ происходит достаточно быстро. Π¨ΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора 2 ΠΎΠΏΡΡ‚ΡŒ-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ прСслСдуСт Ρ†Π΅Π»ΡŒ ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ заряд Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Смкости. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ процСссы пСрСкидывания схСмы происходят ΠΏΡ€ΠΈ большСм Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ напряТСнии U, Ρ‡Π΅ΠΌ это Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Смкости.  [7]

Π’ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ [1] Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π° Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° расчСта гармоничСских ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² транзистора ΠΏΡ€ΠΈ кусочно-Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ аппроксимации статичСских характСристик ΠΈ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎ постоянствС критичСской частоты ΠΏΠΎ малосигнальной ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π΅ / 5 ΠΈ сопротивлСния Π±Π°Π·Ρ‹ Π³5 Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области транзистора.  [8]

Π‘Π°ΠΌΠΎΠ²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ схСмы с пассивной синхронизациСй Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅Π³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ‚Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΈΠ΄Π° ( рис. 9 — 6, Π², Π³) Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ, обусловлСнных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ рСвСрс полярности сигнала управлСния транзисторами начинаСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ послС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ транзистора, Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ.  [9]

На рис. 3 Π° ΠΈ Π± ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ сСчСния исслСдуСмых транзисторов Π“Π’311 ΠΈ Π“Π’313 соотвСтствСнно. На эскизах Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ А ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π° активная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ транзистора.  [11]

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ Π½Π° рис. 3.9, структура транзисторов Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π‘Π˜Π‘ отличаСтся ΠΎΡ‚ схСматичного изобраТСния транзистора Π½Π° рис. 3.8. Π­Ρ‚ΠΎ обусловлСно ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΈΡ… изготовлСния, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² эпитаксии, Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠΏΠ»Π°Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Участок, Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° рис. 3.9, соотвСтствуСт Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области транзистора, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° рис. 3.8. ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ участки структуры ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами транзистора.  [13]

ΠžΠ΄Π½ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ транзистор, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ К. К.Π›ΠΈΡ…Π°Ρ€Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π”.Π’.АвСриным, состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Π’ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСктронов контролируСтся кулоновской Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Π΄ΠΎΠΉ, которая управляСтся ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области транзистора, располоТСнной ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя прослойками Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠ³ΠΎ диэлСктрика. Π’ пСрспСктивС такая структура ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ своС состояниС ( 0 ΠΈΠ»ΠΈ 1) ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктрона.  [14]

Π’ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ быстродСйствиС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° опрСдСляСтся Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ пСрСзаряда мСТэлСктродных СмкостСй, ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ всСго Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Смкости Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток CGS ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Смкости Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-сток CGD — Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ CGS Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ областями ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠΊΠ°ΠΌΠΈ истока ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π‘Π°ΠΎ связана ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ всСго с ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π° ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области транзистора ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π° ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π΅ области пространствСнного заряда сток-исток. ОбС Смкости ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ с ростом стокового напряТСния.  [15]

Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹:      1

ДискрСтныС силовыС MOSFET/IGBT-ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ c Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина

Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ достиТСния Π² Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ производства силовых IGBT/MOSFET (Π΄Π°Π»Π΅Π΅ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ IGBT-транзисторов) сущСствСнно снизили ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Π­Ρ‚ΠΈ достиТСния связаны с измСнСниями Π² структурС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ кристалла. На рис. 1 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ сравнСниС Π΄Π²ΡƒΡ… ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π² силовых IGBT, выпускаСмых Infineon, Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ изготовлСния.

Рис. 1. ΠŸΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ силового IGBT-транзистора 50 А Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ изготовлСния ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° корпуса

ΠŸΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Ρ‹ Π² стандартной схСмС, Π² качСствС испытуСмых использовались ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹ транзисторов, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌ тСхнологиям с ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ. На рис. 1 Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ, насколько сущСствСнно снизились ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (Eoff) Π·Π° 4 поколСния транзисторов. Π­Ρ‚ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ достигнуто Π·Π° счСт сущСствСнного ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ характСристики транзистора, ΠΊΠ°ΠΊ врСмя спада Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ практичСски ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ устранСния Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ «хвоста» Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ для IGBT-транзистора. Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ вторая ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ β€” ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (Eon) β€” Π·Π° рассматриваСмый ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ практичСски Π½Π΅ измСнилась. Π­Ρ‚ΠΎ обусловлСно ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ IGBT-транзистора ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ опрСдСляСтся встроСнным Π°Π½Ρ‚ΠΈΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π΅Π³ΠΎ заряда ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ восстановлСния. Π”Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ заряда ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΡŽ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ быстрой Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ изготовлСния кристалла IGBT-ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, с Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ΠΌ рассматриваСмых Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ IGBT-транзистора Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π»ΠΈΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ рис. 1.

Для сущСствСнного сниТСния ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ Π±Ρ‹Π» Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ 4-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ корпус ВО-247-4, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π² настоящСС врСмя Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½ΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сСмСйство силовых IGBT-транзисторов TRENCHSTOP5 [1, 2]. ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ ВО-247-4 содСрТит Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра (истока для MOSFET-транзистора), ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для подсоСдинСния Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° управлСния силовым транзистором. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΡƒΠΆΠ΅ ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ использован Π² MOSFET-транзисторах, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ CoolMOS C7 [3].

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° КСльвина для эмиттСра ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (ΠΎΠ±Π΅ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅), Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ самый встроСнный ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, вслСдствиС сниТСния ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΏΠ΄ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° кристалла.

Β 

Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ КСльвина

Π’ стандартных силовых транзисторных корпусах для ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° Π² отвСрстиС, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ВО-220 ΠΈΠ»ΠΈ ВО-247, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† Π½Π°Π½ΠΎΠ³Π΅Π½Ρ€ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ этом паразитная ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π² частности, эмиттСра IGBT-ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ управлСния ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΎΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ силового Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Рис. 2. ВлияниС ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ индуктивности эмиттСрного Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° IGBT Π½Π° Ρ†Π΅ΠΏΡŒ управлСния Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅:
Π°) Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Turn-ON;
Π±) Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Turn-OFF

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ Π½Π° рис. 2, Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ силового Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ паразитная ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹, ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ с источником питания. ВлияниС ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ индуктивности эмиттСра Le Π½Π° эффСктивноС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-эмиттСр Vge.eff ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ описано уравнСниями (1) ΠΈ (2) соотвСтствСнно:

Из Π½ΠΈΡ… слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эффСктивноС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС мСньшС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π² ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² уравнСниях. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ врСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Аналогичный эффСкт Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΈ Π² силовом MOSFET-ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ Π·Π° счСт влияния ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ индуктивности истока Lsource (рис. 3).

Рис. 3. ВлияниС ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ индуктивности Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° истока MOSFET Π½Π° Ρ†Π΅ΠΏΡŒ управлСния

Β 

ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ силового транзистора с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина

Новый транзисторный корпус ВО-247-4 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π•2 Π½Π° рис. 4.

Рис. 4. РасполоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² IGBT-ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π² корпусС ВО-247-4

Аналогичный Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ истока (рис. 5) прСдусмотрСн для силовых MOSFET-транзисторов Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ поколСния CoolMOS C7 [3].

Рис. 5. ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ ВО-247-4 для силовых MOSFET-транзисторов сСмСйства CoolMOS C7

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π•2 подсоСдиняСтся нСпосрСдствСнно ΠΊ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρƒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 4. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ эмиттСрный Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ часто Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина ΠΏΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ с извСстным ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ измСрСния Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… сопротивлСний, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π»ΠΎΡ€Π΄ΠΎΠΌ КСльвином. Π‘ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ питания измСряСмого рСзистора Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΈ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ измСрСния напряТСния Π½Π° Π½Π΅ΠΌ. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π» ΠΊ Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмС измСрСния сопротивлСния, ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈΠ· искомой Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ сопротивлСния подводящих ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Ρ‡Ρ‚ΠΎ повысило Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ измСрСния Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½Ρ‹Ρ… рСзисторов.

Π’ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡΡΡŒ ΠΊ рис. 4, Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра КСльвина позволяСт Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈ силовой ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΈ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ (1) ΠΈ (2) ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ эффСктивноС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС. Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ замыкаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π•1.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ корпуса ВО-247-4 ΠΎΡ‚ стандартного β€” это Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎΠ΅ располоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π° рис. 4. Оно обСспСчиваСт ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС (650 Π’) ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ нСобходимости позволяСт ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ·Π°ΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² корпусов Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅. IGBT-транзисторы Π² корпусС с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ. НапримСр, Π² Π°Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΡƒΠ»Π΅ IKZ50N65EH5 Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Β«ZΒ» ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это транзистор Π² корпусС ВО-247-4. Для стандартного корпуса ВО-247-3 Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΡ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Π°Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΡƒΠ»Π° β€” Β«WΒ», Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π°Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΡƒΠ» Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ транзистора выглядит ΠΊΠ°ΠΊ IKW50N65EH5.

Β 

Π₯арактСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Как ΡƒΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ сказано, Π² корпусС с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина IGBT-транзистор ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ быстрСС, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Π² стандартном корпусС ВО-247-3. Π­Ρ‚ΠΎ происходит, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ трСбуСмая энСргия ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ влияния Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сниТСния приводятся Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ IGBT-ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅: сначала для Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (Turn-ON), Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ для Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (Turn-OFF).

Π₯арактСристики Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Для ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ Π±Ρ‹Π» Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ IGBT-транзистор Π² корпусС ВО-247-4 с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ 50 А Ρ‚ΠΈΠΏΠ° IKZ50N65EH5. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ сСрии ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ КСльвина Π•2 Π½Π΅ использовался. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π±Ρ‹Π» ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ нСпосрСдствСнно ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ G ΠΈ силовым эмиттСром Π•1. Π­Ρ‚ΠΎ эмулировало корпус с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ВО-247-3 (рис. 6).

Рис. 6. ΠŸΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ IKZ50N65EH5 ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°

Π’ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ сСрии ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ транзистора подсоСдинСниС Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° происходило Π² соотвСтствии с рис. 4, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра Π•2. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ сравнСния ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ для Π΄Π²ΡƒΡ… Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π½Π° рис. 6. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ (Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ) Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ для 50 А IGBT-транзистора ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ производитСля Π² стандартном корпусС ВО-247-3. Из Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΎΠ² слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для транзистора IKZ50N65EH5 (с эмиттСрным Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина) Π²Ρ‹ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Ρˆ Π² потСрях Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Eon составил 23% Π½Π° номинальном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ 50 А.

Π₯арактСристики Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, IGBT-транзистор Π² Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΌ корпусС Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ стал быстрСС. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° dIc/dt ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΠ»Π°ΡΡŒ. Π’ΠΎΠ³Π΄Π°, Ссли паразитная ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π½Π΅ измСнилась, это ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ выброса ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ эффСкт ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ рассмотрСн Π² [2] ΠΈ сдСлан Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄: Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ пСрСнапряТСния для транзисторов Π² Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΌ корпусС, Π½Π°Π΄ΠΎ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ оптимизируя Ρ€Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΡƒ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ рСзистор Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Goff. На рис. 7 прСдставлСны Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ пСрСнапряТСния ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ для ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ‚ΠΈΠΏΠ½Ρ‹Ρ… IGBT-транзисторов Π² корпусах с трСмя ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΌΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°Ρ… Rgoff. Π’ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ пСрСнапряТСния с запасом Π² 20% Π΄ΠΎ максимально допустимого напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π² транзисторС с Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΌΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π±Γ³Π»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°Ρ… Rgoff, Ρ‡Π΅ΠΌ для стандартного корпуса.

Рис. 7. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ выброса напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Vcemax ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° корпуса ΠΈ сопротивлСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Rgoff

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ выброс, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌ Rgoff, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Ρˆ ΠΎΡ‚ примСнСния Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ корпуса частично ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ. Бравнивая ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ 50 А IGBT-транзистора IKZ50N65EH5, Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ (рис. 8), Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Ρˆ ΠΏΠΎ потСрям Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ для 4-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ корпуса получаСтся ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 50 А.

Рис. 8. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² корпусов

ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ для Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² протСстированных IGBT-транзисторов ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° рис. 9. Π’ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ прСимущСство транзисторов с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ для Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ номинального, Π³Π΄Π΅ Π²Ρ‹ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Ρˆ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 20%. Π­Ρ‚ΠΎ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, ΠΊΠ°ΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, источники бСспСрСбойного питания. Π’ устройствах, Π³Π΄Π΅ силовыС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρ‹ номинального Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, скаТСм, Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… источниках питания, Π²Ρ‹ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Ρˆ ΠΎΡ‚ примСнСния Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ корпуса Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠΆΠ΅, достигая 15% ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

Рис. 9. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ:
Π°) ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° для Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² корпусов;
Π±) Π²Ρ‹ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹ΡˆΠ° Π² ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Ρ… потСрях ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ для IGBT-транзистора с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина

Β 

Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ IGBT-транзисторов с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина

Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Ρƒ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° для IGBT-транзистора с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина

Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ для IGBT-транзистора Π² корпусС ВО-247-4 Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π²ΡƒΠΌ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ трСбованиям:

  • ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ эмиттСру КСльвина, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΎΡ‚ силовой Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ для ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ закорачивания Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π•1 ΠΈ Π•2 силового транзистора.
  • РСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСзисторы Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Rgon ΠΈ Rgoff, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ сопротивлСния для Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ сущСствСнно ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ.

Π­Ρ‚ΠΈΠΌ условиям, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚ микросхСмы Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° сСмСйства EiceDriver Compact [4]. На рис. 10 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° для управлСния IGBT-транзистором с Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ эмиттСра.

Рис. 10. Виповая схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° EiceDriver Compact для управлСния транзистором Π² корпусС ВО-247-4

ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ силовых ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ Π² корпусС ВО-247-4

Π’ случаС ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ соСдинСния силовых транзисторов Π² корпусС с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина появляСтся Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ эмиттСров. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° рис. 11Π°. Π’ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ соСдинСнными Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ эмиттСров Π•1 ΠΈ Π•2. Π’Π²ΠΈΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ импСданса ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π΄Π°ΠΆΠ΅ минимальная Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π² ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… индуктивностях напряТСниях Vle ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π΅.

Рис. 11.
Π°) ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ соСдинСниС IGBT-транзисторов ΠΈ ΡƒΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСры КСльвина;
Π±) видоизмСнСнная схСма с Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ рСзисторами Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ, Π² частности, Ссли Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ IGBT-транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ dIc/dt. Для ограничСния Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСму, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 11Π±. Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° 2 части β€” Rg ΠΈ Re, ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… подсоСдиняСтся ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ, Π° вторая ΠΊ эмиттСру КСльвина. Π’ этом случаС Π² Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ добавляСтся сопротивлСниС, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π½Π΅ΠΌ Π΄ΠΎ бСзопасного значСния. ПолноС сопротивлСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора опрСдСляСтся суммой Rg ΠΈ Re. Из ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Re/Rg Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 1/5–1/10, ΠΏΡ€ΠΈ этом Re Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 0,5 Ом.

Β 

Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹

  • РассмотрСно Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π² отрасли сСмСйство TRENCHSTOP5 Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… IGBT-транзисторов Π² корпусС ВО-247-4 с Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ эмиттСра (Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина).
  • ИспользованиС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° КСльвина Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ IGBT-транзистора позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ сниТСниС ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΎ 20% Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ².
  • ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Ρƒ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° для управлСния Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами, рассмотрСны особСнности управлСния ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ соСдинСниСм силовых IGBT-ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ Π² корпусС ВО-247-4.
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ для примСнСния с IGBT-транзисторами с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ КСльвина.
  • Π’ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ корпусС ВО-247-4 с Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ истока производится сСмСйство CoolMOS C7 MOSFET-транзисторов с супСрпСрСходом (Superjunction) Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС 650 Π’.
Π›ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°
  1. infineon.com
  2. TRENCHSTOP5 IGBT in a Kelvin Emitter Configuration, Application Notes, 2014.
  3. CoolMOSTM C7 650V Switch in a Kelvin Source Configuration, Application Notes, 2013.
  4. Π‘Π΅Ρ€Π±Π΅Π½Π΅Ρ† А. EiceDriver β€” сСмСйство микросхСм Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² IGBT ΠΈ MOSFET // Биловая элСктроника. 2013. β„– 6.

БиполярныС транзисторы. Π₯арактСристики ΠΈ схСмы соСдинСний

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈ тиристоры, Π½ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ популярныС ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства – транзисторы. Они Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² элСктроникС ΠΈ схСмотСхникС, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ соврСмСнный прогрСсс ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ» ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… ΠΈ Π² силовой элСктроникС. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΌΡ‹ рассмотрим биполярныС транзисторы Π² этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅:

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора

Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ тиристоров ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ структуру. Она ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΡƒΡ… Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ² – p-n-p ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠΎ срСдинС располоТСн ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ с элСктронной ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π° ΠΏΠΎ Π±ΠΎΠΊΠ°ΠΌ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π½ΠΈΠΆΠ΅:

Или ТС n-p-n:

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· этих ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ особСнности ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ². Если ΠΊ Π»Π΅Π²ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ (ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΊ Ρ€-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΡƒ, Π° Π½Π΅Π³Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ n-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΡƒ), Ρ‚ΠΎ Π² Π»Π΅Π²ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ появится прямой Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ носитСли Π½Π°Ρ‡Π½ΡƒΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ с Π»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° Π² срСдний, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ½ΠΈ станут ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ основными. Если ΠΆΠ΅ ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ полярности, Ρ‚ΠΎ основныС носитСли Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ создаСтся нСосновными носитСлями. Но Ссли Π² срСднСй Π·ΠΎΠ½Π΅ появится Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ количСство нСосновных носитСлСй Π·Π° счСт Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π»Π΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π² ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ возрастСт. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ Π² Π»Π΅Π²ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ Π·ΠΎΠ²ΡƒΡ‚ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (Π½Π° схСмС Π‘), Ρ‚ΠΎΡ‚, ΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ напряТСниС ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ – эмиттСром (Π½Π° схСмС Π•), Π° Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (К). На рисунках Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ стрСлкой. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзистора ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ участия носитСли ΠΎΠ±Π΅ΠΈΡ… Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠ² – Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ биполярным.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ носитСли эмиттСра, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π² Π±Π°Π·Ρƒ, ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ, Π½ΠΎ нСкоторая ΠΈΡ… Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ (ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 1-2%) отправляСтся Π² Π±Π°Π·Ρƒ. ВсС Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄Ρ‡ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ ΠšΠΈΡ€Ρ…Π³ΠΎΡ„Π° IE =IΠ±+IΠΊ. Ссли Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ справСдливо для Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ справСдливо ΠΈ для Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΉΒ  βˆ†IE =βˆ†IΠ±+βˆ†IΠΊ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ соСдинСния транзисторов

БущСствуСт Ρ‚Ρ€ΠΈ схСмы соСдинСния транзистора: с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ соотвСтствСнно. Рассмотрим Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΡƒΡŽ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ….

ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ Π±Π°Π·Π°

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π³Π»ΡΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ:

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ IΠ•, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ IК. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ усилСния Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ приращСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра ΠΈ ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²ΠΈΠ΄ h21Π±= Β βˆ†IΠΊ/βˆ†IE. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ βˆ†IE =βˆ†IΠ±+βˆ†IΠΊ, Ρ‚ΠΎ h21Π±<1. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ h21Π±= 0,98Γ·0,99, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ IΠ± составляСт 1-2% ΠΎΡ‚ IE.

Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-ампСрная характСристика транзистора ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра прСдставляСт собой ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ характСристику Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° (ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ напряТСниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ полярности). Если ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, возрастСт Ρ‚ΠΎΠΊ (Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ ΠΊΠ°ΠΊ I) ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… значСниях IΠ• Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… характСристик транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚, Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ сСмСйство характСристик транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½ΠΈΠΆΠ΅:

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ I ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ напряТСния (входная характСристика транзистора) прСдставляСт собой Π½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ½ΠΎΠ΅Β  ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ Π²Π΅Ρ‚ΠΊΡƒ характСристику Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° I эмиттСра ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ влияниС ΠΈ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‚Π΅ΠΌ сильнСС характСристика смСщаСтся Π²Π»Π΅Π²ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅:

Но Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ 10 Π’, ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСний характСристики ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ транзисторов Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ UК>10 Π’, Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ характСристику ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚ нСзависимой ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Вакая схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ усилСниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° I. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π½ΠΈΠΆΠ΅:

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния это ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ I ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ, Π½ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ IΠ‘, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ:

Если ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ h21Π±= 0,98Γ·0,99; ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ h21Π•= 50Γ·98, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹. Π­Ρ‚ΠΎ Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ прСимущСство этой схСмы.

Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ОЭ Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠžΠ‘, Π½ΠΎ располоТСны Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΊΠ²Π°Π΄Ρ€Π°Π½Ρ‚Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½ΠΈΠΆΠ΅:

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ Π΄Π²Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° с ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ, элСктричСскиС поля Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Ρ‹ встрСчно ΠΈ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ UК=0, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ I Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚. Π₯арактСристики Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ IΠ‘, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ.

Входная характСристика практичСски такая ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ для схСмы с ΠžΠ‘, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ соотвСтствуСт ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ, Π½ΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π² этой схСмС противополоТная, характСристика ΠΏΡ€ΠΈ ростС UК смСщаСтся Π²ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅:

И здСсь ΠΎΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΈ UК>10 Π’ ΠΎΡ‚ дальнСйшСго возрастания UК Π½Π΅ зависит.

Для расчСта ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° усилитСлСй Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΡƒΡŽ схСму транзистора. Π•Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ исходя ΠΈΠ· эквивалСнтной схСмы Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ транзистор являСт собой Π΄Π²Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, совмСщСнных Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ корпусС, Ρ‚ΠΎ эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ находится ΠΏΠΎΠ΄ прямым напряТСниСм. Π§Ρ‚ΠΎΠ± ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ смСщСниС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, источник Π• Π²Ρ‹Ρ€Π°Π·ΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ h12Π‘UК, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ UK. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ h11Π‘. схСма Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²ΠΈΠ΄:


Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Π­Ρ‚Π° схСма практичСски Π½ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ Π½Π΅ отличаСтся ΠΎΡ‚ эмиттСрной ΠΈ Π΅Π΅ эквивалСнтная схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅. Но Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ (Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅) характСристики практичСски Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅, ΠΈΡ… пСрСсСчСния с Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ осью Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ практичСски Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ. Как извСстно ΠΈΠ· курса элСктротСхники ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора с источником напряТСния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ соСдинСниС рСзистора с источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ найдСтся ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ€Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ‚Π° Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ пСрСсСчСния характСристики с осью Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ выходная характСристика Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ IΠ•, ΡƒΡ‡Ρ‚Π΅ΠΌ это ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ввСдСния источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° h21Π‘IΠ•, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ IΠ•. Наклон Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ Π½Π°ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, которая ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ h22Π‘. ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½Π½Π°Ρ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ схСма Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ эквивалСнтной схСмС транзистора:

Π‘ΡƒΠΊΠ²Π° Π‘ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ данная схСма соотвСтствуСт соСдинСнию с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠžΠ‘.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ² ΠΊ Π»Π΅Π²ΠΎΠΉ части Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ ΠšΠΈΡ€Ρ…Π³ΠΎΡ„Π°, Π° ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ:

Оба эти уравнСния ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ систСму Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΈ обосновываСтся Π±ΡƒΠΊΠ²Π° h. Если Π²Ρ‹ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ всС коэффициСнты ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ (ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹) Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ (ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ), Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉΒ  индСкс Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ строки, Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π½Π° Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ столбца. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π΄Π²ΠΎΠ΅ ΠΈΠ· этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² – коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° h21Π‘ ΠΈ коэффициСнт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ h21Π‘ размСрности Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС h11Π‘, измСряСтся Π² ΠΎΠΌΠ°Ρ…, Π° выходная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ h22Π‘ Π² симСнсах.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ для схСмы с ОЭ сущСствуСт такая Β ΠΆΠ΅ систСма ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ подобная эквивалСнтная схСма:

Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ схСмами состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ вмСсто Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ Π‘ использована Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Π•. УравнСния для этой систСмы Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΈΠ΄:

На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ считаСтся Ρ‡Ρ‚ΠΎ h12Π‘= h12Π­=0, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ UК>10 Π’ смСна ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ характСристику Π½Π΅ влияСт. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСм соСдинСний ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ зависимости:


ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзисторов

ВсС изготовляСмыС транзисторы Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π½Π° Ρ‚Ρ€ΠΈ основных Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ ΠΏΠΎ мощности, которая ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π° Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° напряТСниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ:

  • Вранзисторы ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности, ΠΈΡ… ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 0<PK<0,3 Π’Ρ‚;
  • Вранзисторы срСднСй мощности – ΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ 0,3 Π’Ρ‚< PK< 1,5 Π’Ρ‚;
  • ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы РК большС 1,5 Π’.

ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ограничиваСтся Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ особСнности биполярных транзисторов

На самом Π΄Π΅Π»Π΅ конструктивноС ΠΎΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ биполярных транзисторов довольно Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎ. Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ рассмотрим ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ этих элСмСнтов Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ транзистора, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅:

На массивном мСталличСском основании 4 Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ кристалл ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° 1, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ, ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. На ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ сторонС кристалла ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈ сдСланы Π΄Π²Π΅ Π½Π°ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ 2 ΠΈ 3 Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ с индию, ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Один ΠΈΠ· этих элСмСнтов Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ эмиттСром – сам кристалл Π±Π°Π·ΠΎΠΉ. Для всСх элСмСнтов Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹, Π° вся конструкция Π½Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Π° корпусом Π²ΠΎ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ мСханичСских ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈ попадания влаТности. ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ основа 4 ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ ΠΎΡ‚ устройства. Π’ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… устройствах ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹, для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокой Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π΄Π°Ρ‡ΠΈ.

ΠšΠΎΠ΄Ρ‹ транзисторов — повСрхностный ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆ, PNP, NPN, Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ транзистора, TIP, B, A

BC107 BC107000700070007 500 ΠΌΠ’Ρ‚ 900 04 TO39 срСднСго назначСния ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ00000040004A 9IPA000
Код ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ
ΡΡ‚ΠΈΠ»ΡŒ
IC
макс.
VCE
макс.
Π’
hFE
ΠΌΠΈΠ½.
Ptot
макс.
ΠšΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ
(стандартноС использованиС)
Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹
BC107 TO18 100mA 45 110 300 ΠΌΠ’Ρ‚ Аудио
BC108 TO18 100 мА 20 110 300 ΠΌΠ’Ρ‚ Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ назначСния, ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности BC108C BC183 BC548
BC108C 00 ΠžΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ энСргопотрСблСниС
BC109 TO18 200mA 20 200 300 ΠΌΠ’Ρ‚ Аудио (Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ°), ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ энСргопотрСблСниС BC184 BC54918 TO92C 100 мА 50 100 350 ΠΌΠ’Ρ‚ ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ p urpose, ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ BC107 BC182L
BC182L TO92A 100 мА 50 100 350 ΠΌΠ’Ρ‚ BC107
45 200 500 ΠΌΠ’Ρ‚ АудиосистСма с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ энСргопотрСблСниСм BC107B
BC548B TO92C 100 мА 30 220 500 ΠΌΠ’Ρ‚ 500 малая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 500 ΠΌ
BC549B TO92C 100mA 30 240 625 ΠΌΠ’Ρ‚ Аудио (Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ°), Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ энСргопотрСблСниС BC109
2N3053000 ΠžΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности BFY51
BFY51 1A 30 40 800 ΠΌΠ’Ρ‚ ΠžΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, срСднСй мощности BC639
BC639 TO92A 1A 80 BFY51
TIP29A TO220 1A 60 40 30 Π’Ρ‚ ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, высокая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
0004 40 Π’Ρ‚ ΠžΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, высокая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ TIP31C TIP41A
TIP31C TO220 3A 100 10 40W 40W 9IPA 9IPA TO220 6A 60 15 65W Π“Π΅Π½ ального назначСния, высокой мощности
2N3055 TO3 15A 60 20 117W ΠžΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, высокой мощности

Π² эту Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ составлСно нСсколько источников, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ совсСм ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‚ΡΡ! Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ расхоТдСний Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹, Π½ΠΎ, Ссли Π²Π°ΠΌ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅, ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½ΡΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ с вашим поставщиком.

Вранзисторы PNP

Код ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ
ΡΡ‚ΠΈΠ»ΡŒ
IC
макс.
VCE
макс.
Π’
hFE
ΠΌΠΈΠ½.
Ptot
макс.
ΠšΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ
(Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ использованиС)
Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹
BC177 TO18 100mA 45 125 3004 ΠΌΠ’Ρ‚ 3004 ΠΌΠ’Ρ‚ Аудио BC178 TO18 200 мА 25 120 600 ΠΌΠ’Ρ‚ ΠžΠ±Ρ‰Π΅Π΅ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ энСргопотрСблСниС BC478
BC179 TO18 200 мА (Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ°), Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ энСргопотрСблСниС
BC477 TO18 150 мА 80 125 360 ΠΌΠ’Ρ‚ АудиосистСма с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ энСргопотрСблСниСм BC177
BC177
40 125 360 ΠΌΠ’Ρ‚ Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅, ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ΅ BC178 90 007
TIP32A TO220 3A 60 25 40 Π’Ρ‚ ΠžΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, высокой мощности TIP32C
TIP32C Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ назначСния, высокая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ TIP32A

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² этой Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ собраны ΠΈΠ· Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… источников, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ совсСм согласованы! Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ расхоТдСний Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹, Π½ΠΎ, Ссли Π²Π°ΠΌ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅, ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½ΡΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ с вашим поставщиком.

УсловныС обозначСния схСм ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² для ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ΠΎΠ²-элСктронщиков

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ символы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для обозначСния Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройств ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΏΠΈΠΊΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ элСктричСский ΠΈΠ»ΠΈ элСктронный символ состоит ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π° вмСстС с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ нСсколькими ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ символами. Π‘ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ символы, числа ΠΈ индСксы, основанныС Π½Π° римском ΠΈ грСчСском Π°Π»Ρ„Π°Π²ΠΈΡ‚Π°Ρ…, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ с символом ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° для обозначСния ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌ Π² ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ° ΠΈ очСртания символа ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ прСдставлСния ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ направлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктричСской полярности, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… вмСстС. ЀизичСская ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΈ располоТСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ сильно отличаСтся ΠΎΡ‚ схСмы.

ГрафичСскиС символы, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π½Π° схСмах элСктричСских Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ, ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹, ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· этих символов Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ страны ΠΊ странС.Π’ наши Π΄Π½ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ символы ΡΡ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅, Π° символы для Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², транзисторов ΠΈ силовых элСктронных устройств ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ символы ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ рСкомСндациям ΠœΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ элСктротСхничСской комиссии (IEC) ΠΈ Британского института стандартов (BSI).

УсловныС обозначСния для ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²

БущСствуСт ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ , ΠΈ для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° ΠΈΠ· этих Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ символ схСмы.Π’ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· основных Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²: pn-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ, Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄. Π’ условных обозначСниях для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· этих Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π½ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Ρ‹ для обозначСния ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ.

Π”ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ — это Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ устройства, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ состоят ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², сплавлСнных вмСстС для образования pn-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° , Π³Π΄Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° являСтся ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π° ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° — Π°Π½ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° обозначаСтся Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ полосой.

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ схСматичСский символ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° выглядит ΠΊΠ°ΠΊ остриС стрСлки, которая ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Π°Π½ΠΎΠ΄ (A) ΠΊ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ (K). БхСматичСский символ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ прямом смСщСнии Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ стрСлки. Однако ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ полярности напряТСния Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚.

БхСматичСский символ стабилитрона ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅Π½ условному ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ основного Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° с pn-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ линия, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ (K) символа, ΠΈΠ·ΠΎΠ³Π½ΡƒΡ‚Π° с ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ†ΠΎΠ².БхСматичСский символ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° (Π‘Π˜Π”) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ, Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ мСньшими стрСлками, ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ ΠΎΡ‚ Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ прямом смСщСнии.

УсловныС обозначСния для биполярных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов

БхСматичСскиС символы, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для транзисторов с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, ΠΈΠ»ΠΈ BJT, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ°: транзисторы NPN (ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ-ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ-ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅) ΠΈ транзисторы PNP (ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ-ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅-ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅). Π‘ΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ»Ρ‹ биполярных транзисторов с ΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΊΠΎΠΌ Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ Π½ΠΈΡ… ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ устройство, Π° символы Π±Π΅Π· ΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΊΠ° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ использованиС Π²ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ схСмС.НапримСр, логичСскиС Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ИБ.

БиполярныС транзисторы — это 3-ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ устройства со схСматичСским ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ биполярного транзистора, ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π±ΡƒΠΊΠ²Π°ΠΌΠΈ Β«CΒ», Β«BΒ» ΠΈ Β«EΒ», ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° , Base ΠΈ Emitter соотвСтствСнно. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· биполярный транзистор ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ основания управляСт Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ эти ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах, Π½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ сюда для ясности.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ символов схСм биполярных транзисторов Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ символы для транзисторов Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°, Π³Π΄Π΅ Π΄Π²Π° биполярных транзистора соСдинСны вмСстС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠ΅ дискрСтноС устройство, ΠΈ фототранзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ вмСсто ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ Π±Π°Π·Ρ‹.

УсловныС обозначСния для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой 3-ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ устройства, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ², ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ΅ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свой собствСнный символ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° для описания Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.БхСматичСскиС символы, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для прСдставлСния ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ Π±ΡƒΠΊΠ²Π°ΠΌΠΈ Β«DΒ», Β«GΒ» ΠΈ Β«SΒ», ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌ Drain , Gate ΠΈ Source соотвСтствСнно.

Двумя основными Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ: Junction FET ΠΈΠ»ΠΈ JFET, ΠΈ FET с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ IGFET. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ символ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ стрСлку, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΈΡ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΈΡ… конструкции ΠΈΠ· ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°, оксида ΠΈ крСмния, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ схСматичСский символ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° сток-исток.И JFET, ΠΈ IGFET (MOSFET) доступны ΠΊΠ°ΠΊ N-канального ΠΈΠ»ΠΈ P-канального Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

УсловныС обозначСния для устройств силовой элСктроники

Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ устройства — это ряд элСктронных устройств, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² элСктричСских цСпях для прСобразования, управлСния ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ элСктроэнСргии. ЭлСктричСская ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ эти ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ устройства, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, управляСмая биполярными транзисторами ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ устройства силовой элСктроники, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ тиристоры , ΠΈ . Бимисторы — это управляСмыС напряТСниСм ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ управлСния источниками ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для использования Π² управляСмых выпрямитСлях, источниках питания ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.Устройства силовой элСктроники вмСстС с описанными Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ находят Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ примСнСния Π² энСргСтикС, энСргСтикС, ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ транспортС, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² тСхнологиях возобновляСмых источников энСргии, систСмах зарядки аккумуляторов, Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠΈ энСргии, солнСчных ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…, элСктромобилях, прСобразоватСлях энСргии, HVAC ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ…. .

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΈ прилоТСния силовой элСктроники ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… систСм ΠΈΠ»ΠΈ систСм элСктроники с нСбольшими схСмами с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния эффСктивности, Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΈ возмоТностСй управлСния ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹: выпрямитСли с ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, выпрямитСли с Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, симисторы ΠΈ Π΄ΠΈΠ°ΠΊΠΈ. вмСстС с ΠΈΡ… схСматичСскими обозначСниями.

Вранзисторы NPN ΠΈ PNP: различия ΠΈ ΠΈΡ… характСристики

Вранзисторы PNP ΠΈ NPN ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ BJT ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основным элСктричСским ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктричСских ΠΈ элСктронных схСмах для создания ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Π’ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзисторов PNP ΠΈ NPN Π² основном ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΠΈ элСктроны. Π­Ρ‚ΠΈ транзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ усилитСли, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹. Π’ транзисторС PNP Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ носитСлСй заряда ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, Π° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ носитСлСй заряда NPN — элСктроны.Π—Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π²ΠΈΠ΄ носитСля заряда. ОсновноС Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ транзисторами NPN ΠΈ PNP Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор NPN ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ транзистора. Π’ транзисторС NPN Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСра. Вранзистор PNP Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора. Π’ транзисторС PNP Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ транзистор PNP Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ сигналом Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ уровня, Π° транзистор NPN Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ сигналом высокого уровня.


Π Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ NPN ΠΈ PNP транзистором

ОсновноС Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ транзисторами NPN ΠΈ PNP Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзисторы PNP ΠΈ NPN, конструкция, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор PNP?

Π’Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ Β«PNPΒ» ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Β«ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉΒ», Β«ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉΒ», Β«ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉΒ» ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ извСстСн ΠΊΠ°ΠΊ поиск источников. PNP-транзистор прСдставляСт собой BJT; Π² этом транзисторС Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Β«PΒ» ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ для Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра.Вторая Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Β«NΒ» ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ Π±Π°Π·Ρ‹. Π’ транзисторах Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ носитСлСй заряда ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ. Π’ основном этот транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ транзистор NPN.

ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ для изготовлСния Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² эмиттСра (E), Π±Π°Π·Ρ‹ (B) ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (C) Π² этом транзисторС, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² транзисторС NPN. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ BC этого транзистора постоянно смСщСны Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° для Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° слСдуСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС –Ve.Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ PNP-транзистора Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ -Ve ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСра, Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ -Ve, Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹

.
Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ транзистора PNP ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов схоТи, Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ смСщСниС Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ напряТСния инвСртируСтся для любой ΠΈΠ· достиТимых 3-Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ, Π° ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ PNP-транзистора

НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ VBE (Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ эмиттСра) составляСт –Ve Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ + Ve Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСра. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ для этого транзистора Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ постоянно смСщСн Π½Π° -Ve ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ VBE ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ VCE.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ напряТСния, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊ этому транзистору, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра соСдинСн с Β«VccΒ» Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ рСзистором Β«RLΒ». Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ рСзистор останавливаСт ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ связано с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Β«VBΒ» ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ рСзистору Β«RBΒ», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ смСщСн ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСра. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π» Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· PNP-транзистор, Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° 0,7 Π’ (ΠΈΠ»ΠΈ) a-Si устройства.

ОсновноС Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ PNP ΠΈ NPN транзисторами Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ смСщСнии стыков транзисторов. НаправлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ полярности напряТСния постоянно ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор NPN?

Π’Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ Β«NPNΒ» ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Β«ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉΒ», Β«ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉΒ», Β«ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉΒ», Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ извСстный ΠΊΠ°ΠΊ «опусканиС». NPN-транзистор — это BJT , Π² этом транзисторС Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Β«NΒ» ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ заряТСнноС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. Π“Π΄Π΅ Β«PΒ» ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ заряТСнный слой. Π”Π²Π° транзистора ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ слой, располоТСнный посСрСдинС Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… слоСв. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, транзистор NPN ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктричСских схСмах для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ усилСния сигналов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ проходят Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ….

Вранзистор NPN Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Π°Π·Π°, эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅. Когда Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· этот транзистор ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ транзистора поступаСт элСктричСский сигнал. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° создаСт Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ , Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ этот Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. Π’ транзисторС PNP Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСра.

ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ транзистор NPN, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ просто ΡΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ. Для ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ NPN-транзистора ΠΎΠ½ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ создан ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΡ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Но Π½Π΅ Π² максимальном количСствС, ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°Ρ… с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокой ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π». ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ — ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°Ρ…. Π­Ρ‚ΠΈ транзисторы — простыС транзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· крСмния.

NPN-транзистор ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π° для прСобразования ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π² Π΄Π²ΠΎΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ΄, ΠΈ эта ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€Π° выполняСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ мноТСства ΠΊΡ€ΠΎΡˆΠ΅Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°Ρ….ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ элСктричСский сигнал ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€Π°Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, Π° отсутствиС сигнала — Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ NPN-транзистора ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅. НапряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора составляСт + Ve ΠΈ –Ve Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСра транзистора. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора всСгда ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ эмиттСру, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт + Ve ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСра транзистора. Π’ этом транзисторС ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° связана с VCC Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· RL

. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ транзистора NPN

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ рСзистор ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· самый высокий Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ.Π’ транзисторС NPN ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ элСктронов Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ прСдставляСт собой дСйствиС транзистора. Основная характСристика этого транзисторного дСйствия — соСдинСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ цСпями i / p ΠΈ o / p. ΠŸΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора ΠΏΡ€ΠΎΠΈΡΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ· Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ управлСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π±Π°Π·Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ для эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Вранзистор NPN — это устройство, Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. Когда транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½, большой Ρ‚ΠΎΠΊ IC подаСтся ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра Π² транзисторС.Но это происходит Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΡ€ΠΎΡˆΠ΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ смСщСния Β«IbΒ» ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора. Π­Ρ‚ΠΎ биполярный транзистор; Ρ‚ΠΎΠΊ — это ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² (Ic / Ib), Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ усилСниСм постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° устройства.

Он обозначаСтся словом Β«hfeΒ» ΠΈΠ»ΠΈ Π² наши Π΄Π½ΠΈ beta. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π΅Ρ‚Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 200 для Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… транзисторов. Когда NPN-транзистор ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области, Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Β«IbΒ» Π΄Π°Π΅Ρ‚ i / p, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Β«ICΒ» Π΄Π°Π΅Ρ‚ o / p. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ NPN-транзистора ΠΎΡ‚ C Π΄ΠΎ E называСтся Π°Π»ΡŒΡ„Π° (Ic / Ie), ΠΈ это ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ самого транзистора.ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ie (Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра) являСтся суммой ΠΊΡ€ΠΎΡˆΠ΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π°Π»ΡŒΡ„Π° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅, Π° для Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнального транзистора Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ находится Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 0,950 Π΄ΠΎ 0,999.

Π‘ΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ»Ρ‹ транзисторов

УсловныС обозначСния для транзисторов NPN ΠΈ PNP ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈ. ОсновноС ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ — это ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ стрСлки Π½Π°Π΄ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ эмиттСра. Π’ транзисторС NPN символ стрСлки ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΡƒ, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ Π² транзисторС PNP символ стрСлки ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΡŒ.

Π‘ΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ» транзистора PNP ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ рисунках, Π³Π΄Π΅ стрСлка ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ Π² транзисторС NPN ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСра.

Вранзисторы PNP ΠΈ NPN
Π§Ρ‚ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ NPN ΠΈΠ»ΠΈ PNP?

Оба транзистора, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ NPN ΠΈ PNP, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ BJT. Π­Ρ‚ΠΎ устройства управлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, особСнно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для усилСния ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, транзистор NPN Π² основном ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² схСмС, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π² транзисторС NPN ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° обусловлСна ​​элСктронами, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ Π² PNP ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° обСспСчиваСтся отвСрстиями.Когда элСктроны Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½Ρ‹, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ NPN-транзистора высока.

Π’Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Ρ‹ NPN ΠΈ PNP ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ напряТСниС, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ для Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ транзисторной Π±Π°Π·Ρ‹, эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π²Π° транзистора спроСктированы ΠΈΠ· Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ тСкущая Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π² Π½ΠΈΡ… Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ мСняСтся. Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° эмиттСр подаСтся напряТСниС, элСктроны Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ ΠΈ, Π½Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, достигнут ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π­Ρ‚ΠΎ происходит ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ Π±Π°Π·Ρ‹ этих транзисторов ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠ΅, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ слСгка Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹.

Вранзистор

NPN Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅Π½ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с PNP, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² PNP Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основными носитСлями заряда, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ Π² NPN элСктроны ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основными носитСлями заряда. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π½Π΅ ускоряСтся ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ элСктронов. Π’ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ PNP ΠΈ NPN. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½Ρ‹ Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ быстро, ΠΊΠ°ΠΊ элСктроны, поэтому NPN-транзистор Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅Π½.

Π Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ NPN ΠΈ PNP транзистором

Одно ΠΈΠ· основных Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΉ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ этими двумя транзисторами Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² NPN-транзисторС Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ эмиттСра, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ подаСтся Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора.Π’ транзисторС PNP Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ заряда ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ подаСтся Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹. Различия ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ NPN ΠΈ PNP транзисторами Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌ.

Π Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ транзисторами NPN ΠΈ PNP Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ.

.

NPN транзистор

PNP транзистор

Π’ транзисторС NPN P-слой раздСляСт Π΄Π²Π° слоя N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π’ транзисторС PNP N-слой раздСляСт Π΄Π²Π° слоя P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°
NPN ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ-ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ PNP ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ
Π’ΠΎΠΊ Π² NPN-транзисторС ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру Π’ΠΎΠΊ Π² транзисторС PNP ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ
Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор активируСтся, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° основныС носитСли заряда, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ элСктроны, входят Π² ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор активируСтся, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° основныС носитСли заряда, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Ρ‹Ρ€Ρ‹, входят Π² ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹
Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ этого транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ·-Π·Π° измСнСния располоТСния элСктронов. Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ этого транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ·-Π·Π° измСнСния располоТСния отвСрстий.
Π’ этом транзисторС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ внСшний Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ·-Π·Π° протСкания отвСрстий Π’ этом транзисторС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ внСшний Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° элСктронов
ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ носитСлями заряда Π² NPN-транзисторС ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктроны, Π° нСосновными носитСлями заряда — Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ носитСлСй заряда Π² транзисторС PNP ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ нСосновныС носитСли заряда — элСктроны.
Низкий сигнал зазСмлСния Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» зазСмлСния высокий
ΠœΠ°Π»Ρ‹Π΅ источники Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ ΠœΠ°Π»Ρ‹Π΅ источники Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π° Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ эмиттСра
Π’ этом транзисторС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС Π’ этом транзисторС соСдинСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС
Π’ этом транзисторС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π’ этом транзисторС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ
Π’ этом транзисторС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° являСтся Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π’ этом транзисторС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра являСтся Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния
ВрСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ этого транзистора большС ВрСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ этого транзистора мСньшС
Как Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, этот транзистор пСрСстаСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Как Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹ появится Ρ‚ΠΎΠΊ, этот транзистор Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡΡ.
ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ NPN ΠΈ PNP транзистором
Вранзисторы

PNP ΠΈ NPN ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ устройства, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройствах. Π’ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ биполярном транзисторС Π΅ΡΡ‚ΡŒ комбинация Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² с PN ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Когда соСдиняСтся ΠΏΠ°Ρ€Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², получаСтся Π±ΡƒΡ‚Π΅Ρ€Π±Ρ€ΠΎΠ΄. Π­Ρ‚ΠΎ своСго Ρ€ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ посрСди Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ².

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄Π²Π° Π²ΠΈΠ΄Π° биполярных сэндвичСй, Π° ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ PNP ΠΈ NPN.Π’ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройствах NPN-транзистор ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронов, которая оцСниваСтся ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΎΠ½ пропускаСт ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ΅ количСство Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ быстро. К Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ конструкция этого транзистора проста ΠΈΠ· крСмния.

  • Оба транзистора собраны ΠΈΠ· ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² этих транзисторах Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ.
  • Π’ транзисторС NPN Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСра, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ Π² PNP ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.
  • Вранзистор
  • PNP состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… слоСв ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° со слоСм ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ слоями N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Вранзистор NPN состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… слоСв ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° со слоСм, Π·Π°ΠΆΠ°Ρ‚Ρ‹ΠΌ слоСм P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.
  • Π’ NPN-транзисторС Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° устанавливаСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Для транзистора PNP Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСра устанавливаСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ.
  • Основной ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ NPN-транзистора Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ увСличиваСтся Π΄ΠΎ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ Π±Π°Π·Ρ‹, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, ΠΈ ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ эмиттСра.
  • Когда Π²Ρ‹ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅, транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ становится ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ. Вранзистор большС Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСра ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ.
  • Основной ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора PNP — это ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ присутствуСт Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора PNP, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ транзистор Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ. Когда Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора Π½Π΅Ρ‚ протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ.
Π₯арактСристики транзистора PNP ΠΈ NPN

O / p характСристики транзисторов PNP ΠΈ NPN Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹.ОсновноС ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ характСристичСская кривая PNP-транзистора поворачиваСтся Π½Π° 180 градусов для измСрСния напряТСний ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ полярности, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. На характСристичСской ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ линия динамичСской Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ для измСрСния значСния Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Q. Подобно NPN, транзистор PNP Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² схСмах усилСния ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

Как ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ транзисторы PNP ΠΈ NPN

Π˜Π΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ транзисторов PNP ΠΈ NPN Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ этапы.

Для транзистора NPN

  • Π’ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π΅ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ измСритСля Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅.
  • ΠŸΠΎΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ измСритСля ΠΊ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора
  • ΠŸΠΎΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ эмиттСрной ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ ΡˆΡ‚Ρ‹Ρ€Ρ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ измСритСля Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ напряТСниС
  • Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ помСститС ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρƒ 2, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹ смоТСтС Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.
  • Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, это транзистор NPN
  • .
  • Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°
  • .
  • Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ прСдставляСт собой ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°
  • ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅Π½ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.
  • Если ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° подсоСдинСн ΠΊ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌ Π°Π½ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π°, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ напряТСниС. Если этими соСдинСниями ΠΏΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ мСстами, Π½Π° Π½Π΅ΠΌ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ значСния.

Для транзистора PNP

  • Π’ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π΅ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ измСритСля Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅.
  • ΠŸΠΎΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра транзистора.
  • ΠŸΠΎΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹ смоТСтС Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π΅.
  • Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ помСститС ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ основанию ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹ смоТСтС Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ напряТСниС Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.
  • Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΎΠ½ удостовСрится, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это транзистор PNP, ΠΈ основная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° этого Π² основном Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅.
  • Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°
  • Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°
  • Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°

Если ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΄ этого ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ, Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΄ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ, послС этого ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ напряТСниС.Если ΠΎΠ±Π° соСдинСния помСняны мСстами, Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ.

Π­Ρ‚ΠΎ всС ΠΎΠ± основном Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ транзисторами NPN ΠΈ PNP, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для проСктирования элСктричСских ΠΈ элСктронных схСм ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ сомнСния ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ этой ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ большС ΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠ°Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ транзисторов, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π΄Π°Ρ‚ΡŒ свой совСт, ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π² Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠ΅Π² Π½ΠΈΠΆΠ΅. Π’ΠΎΡ‚ Π²Π°ΠΌ вопрос, , ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронов?

ΠšΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора — 4 стандартныС схСмы кодирования

О ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ транзисторов.Один ΠΈΠ· самых распространСнных элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² — транзистор. Π’Ρ‹ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ практичСски Π½Π° всСх устройствах. Но Π·Π½Π°Π΅Ρ‚Π΅ Π»ΠΈ Π²Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов? ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ транзистор Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ Π² простой схСмС?

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ довольно Π·Π°ΠΏΡƒΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ. Однако, Ссли Π²Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π±ΠΈΡ€Π°Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ Π² схСмах кодирования транзисторов, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π΅ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ схСмы.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, наша ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ Π½Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ вопросы ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°Ρ… транзисторов, Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ объясняя систСму кодирования транзисторов.ΠŸΡ€ΠΈΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΊ Π½Π°ΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΌΡ‹ углубимся Π² основы кодирования транзисторов.

Pro-Electron ΠΈΠ»ΠΈ EECA БистСма Π½ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ кодирования

Рисунок 1: НСсколько транзисторов

БистСма кодирования EECA прСдставляСт собой схСму кодирования, ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡƒΡŽ Π² СвропСйских странах. Он ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для обозначСния ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², биполярных транзисторов ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. Π’ нашСм случаС ΠΌΡ‹ рассмотрим, насколько систСма ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Π° для наимСнования сигнального транзистора.

Богласно этой СвропСйской систСмС Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ, Π² транзисторах Π΄Π²Π΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π°ΠΌ.

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° ΠΊΠΎΠ΄Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ транзистор.

Π’ΠΎΡ‚ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹, прСдставлСнныС ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π² этой систСмС имСнования. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρƒ B ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρƒ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠ² для транзисторов. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнныС Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ· крСмния.

Рисунок 2: Π’Ρ€Π΅Ρ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ транзистор

Π”Π°Π»Π΅Π΅ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ транзистора.Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ΄ транзисторов ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ устройства. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏ устройства, совмСстимый с Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ транзистора.

Π’ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ΄Ρ‹ Π±ΡƒΠΊΠ² суффикса.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ письмо ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ устройства
А Π”ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ радиочастоты (Π Π€)
Π‘ Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°ΠΊ
К Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты, транзисторный, малая частота
D Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты, силовой транзистор,
E Π’ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄
Ρ„ Радиочастотный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности
К Устройство Π½Π° эффСктС Π₯ΠΎΠ»Π»Π°
Π» Вранзистор силовой высокочастотный
N ΠžΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½
ΠΏ Устройства, Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ
ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ‚Π°Π» Устройства, ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅
R Виристор ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности
Ρ‚ Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ тиристор
U Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ тиристоры для Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ
Y Π’ выпрямитСлях
Z Π’ стабилитронах ΠΈΠ»ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ рСгулятора напряТСния

Π’Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ письмо

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ этой систСмы ΠΊΠΎΠ΄Π° транзистора являСтся Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΡ Π±ΡƒΠΊΠ²Π°.Вранзистор с Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… / ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… прилоТСниях. Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, Ρ‚Π΅, Ρƒ ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅Ρ‚ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² коммСрчСских прилоТСниях.

Π’Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ Π½Π° транзисторах, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ W, X, Y ΠΈΠ»ΠΈ Z. НаконСц, сущСствуСт систСма сСрийных Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ², которая Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ 100 Π΄ΠΎ 9999. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΌΡ‹ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ систСма имСнования, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡΠ²ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ этому транзистору имя: AD 140

.

ΠŸΡ€Π΅Ρ„ΠΈΠΊΡ A ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор сдСлан ΠΈΠ· гСрмания.

Вторая Π±ΡƒΠΊΠ²Π° D ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² усилитСлях мощности Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты.

БистСма Π½ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ кодирования JEDEC

Рисунок 3: НСсколько транзисторов

ΠžΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ тСхничСский совСт ΠΏΠΎ элСктронным устройствам (JEDEC) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для наимСнования транзисторов ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π² БША. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, это упрощСнная систСма имСнования, которая ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ΅ число, Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρƒ, сСрийный Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ суффикса.

Вторая Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Π² Π½ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ JEDEC всСгда Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ N.’ Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅; Π²Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ количСство Π½ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ транзистора, Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΠ² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅.

Π‘Π΅Ρ€ΠΈΠΉΠ½Ρ‹Π΅ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° этой систСмы имСнования Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ находятся Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 100 Π΄ΠΎ 9999. Однако ΠΎ транзисторС Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ говорится. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сСрийныС Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор появился Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅.

НаконСц, Π² этой систСмС имСнования Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ суффикс. Он прСдоставит Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡƒ усилСния (hfe) ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚Π΅. Π’ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ усилСния для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… суффиксов Π² систСмС Π½ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ JEDEC.

Буффикс Π“Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° прироста
А НизкоС усилСниС
Π‘ Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅Π΅ усилСниС
К ВысокоС усилСниС
Π‘Π΅Π· суффикса Π›ΡŽΠ±ΠΎΠ΅ усилСниС

Π“Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° усилСния Π² транзисторах Π²Π°ΠΆΠ½Π°, особСнно Π² процСссС Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π°. Π’ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв транзисторы с высоким коэффициСнтом усилСния Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ транзисторы с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ коэффициСнтом усилСния.Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ транзисторов Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ сэкономят Π½Π° расходах, Ссли купят транзисторы с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ коэффициСнтом усилСния.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² этой систСмС имСнования послС Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ усилСния Π½Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π±ΡƒΠΊΠ². Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ транзисторы Π² систСмС JEDEC Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ 2N2221A, 2N3819 ΠΈ 2N904.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π½ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² JIS

Рисунок 4: ΠšΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ транзистор

Японский ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ стандарт имСнования ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Ρ‹, Π΄Π²ΡƒΡ… Π±ΡƒΠΊΠ², сСрийного Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ суффикса.

ΠžΠΏΡΡ‚ΡŒ ΠΆΠ΅, ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π°Π²ΠΈΠ² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌΡƒ числу, Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ количСство Π½ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ устройства. Π”Π°Π»Π΅Π΅ Π΄Π²Π΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния устройства. Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅ поясняСт ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ прСдставлСния Π±ΡƒΠΊΠ² Π² этой систСмС.

Письма ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅
SA Π’Π§ транзистор PNP
SB PNP AF Вранзистор
SC Π’Π§ транзистор NPN
SD NPN AF Вранзистор
SE Π”ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹
SF Виристоры
SG Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π“Π°Π½Π½Π°
SH ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ транзистор (UJT)
SJ ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы / МОП-транзисторы с ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ P
SK N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор / ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ МОП-транзисторы
SM Бимисторы
SQ свСтодиода
SR ВыпрямитСли
SS Π”ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅
Π‘Π’ Π›Π°Π²ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄
SV Варикапс
SZ Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹

Π’-Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈΡ…, Π² этой систСмС имСнования Π΅ΡΡ‚ΡŒ сСрийныС Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΎΡ‚ 10 Π΄ΠΎ 9999.НаконСц, Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ суффиксы. Они ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов, ΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ японскими компаниями.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ пСрвая Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° Π² этой систСмС имСнования — 2 для транзисторов ΠΈ 1 для Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, пСрвая Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Π² этой систСмС имСнования — S. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π΄Π²Π΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ Π² транзисторС Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Β«2SΒ».

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Β«2SΒ» Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ синонимом для всСх транзисторов, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΠ³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π²ΠΎ врСмя записи.Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ транзистор с ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠΌ 2SA1187 ΠΊΠ°ΠΊ A1187.

НомСра ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ

Π£ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ своя ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ систСма имСнования транзисторов. Часто это ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ дСлаСтся ΠΏΠΎ коммСрчСским ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΈΠ½Π³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌ. НапримСр, Ρƒ Motorola Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ транзисторы, ΠΊΠ°ΠΊ MJE, MJ, MPS ΠΈ MRJ.

Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ Ρƒ Texas Instruments Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ΄Ρ‹ транзисторов, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ TIP, TIPL ΠΈ TIS.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ систСмы кодирования ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ общСпринятыми способами наимСнования транзисторов.ΠœΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ объяснили, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… систСмах. Однако Π²Ρ‹ всС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ΅-Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅. Если это ваш случай, Π½Π΅ ΡΡ‚Π΅ΡΠ½ΡΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊ Π½Π°ΠΌ.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор BC108? (с ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ)

Вранзисторы Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Π΄Π²Π΅ основныС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Они ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ элСктронныС сигналы ΠΈ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ. Вранзистор BC108 — это ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния.Π‘ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ΄ Β«BΒ» прСдставляСт ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ, Π° Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ΄ Β«CΒ» прСдставляСт ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΡƒΡŽ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ частоту. Π¦ΠΈΡ„Ρ€Ρ‹ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ модСль транзистора.

Π’ΠΎ врСмя производства чистый ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ для изготовлСния транзисторов, Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ элСмСнтами, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΉΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства крСмния Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π». ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ «P», Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ «N.Β«Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, транзистор NPN ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π²Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… слоя ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ слой. И Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, транзистор PNP ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π²Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… слоя ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ слой. Вранзистор BC108 являСтся транзистором NPN.

Π‘Π°Π·Π° транзистора находится ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром.Π’ Π΄Π²ΡƒΡ… основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ°Ρ… транзисторов Π±Π°Π·Π° сдСлана ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. Вранзистор NPN BC108 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π±Π°Π·Ρƒ, Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр — ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎ для транзистора PNP.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° транзистора ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ прямой Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ с пСрпСндикулярным ΠΊ Π½Π΅ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅.На схСмС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ, ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ с основаниСм ΠΏΠΎΠ΄ ΡƒΠ³Π»ΠΎΠΌ. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ стрСлкой, ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ для транзистора PNP ΠΈ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ для транзистора NPN. На Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… схСмах транзисторов символ ΠΎΠ±Π²Π΅Π΄Π΅Π½ ΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΊΠΎΠΌ.

ΠŸΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора BC108 заставляСт Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· эмиттСра.Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр позволяСт Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСр. Π”Π²Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ, ΠΈ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, усиливаСтся. Π’Π°ΠΊ транзистор, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ BC108, усиливаСт сигнал.

Π’ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ссли Π½Π΅ присутствуСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр.Π’ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях эта характСристика транзистора BC108 ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для управлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. Вранзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ быстро Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ подходят для этого прилоТСния, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ‚Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ сигналы.

Π₯арактСристики транзистора BC108 Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ транзистором ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния с Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами, подходящими для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния Π½Π° частотах Π² Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅.ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° 300 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚Ρ‚ Π² стандартной вСрсии, Π° BC108C ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 600 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚Ρ‚. ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ частоты ΠΎΡ‚ 20 Π΄ΠΎ 20 000 Π³Π΅Ρ€Ρ†.

Π‘ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ 300 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚Ρ‚, транзистор BC108 Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для использования Π² качСствС основного усилитСля Π² домашнСй ΠΈΠ»ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ стСрСосистСмС.Π‘ΠΊΠΎΡ€Π΅Π΅, ΠΎΠ½ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠ»ΠΈ для увСличСния мощности сигнала для ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ схСмой. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ транзисторы Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ подходят для высокоскоростного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠ»ΠΈ усилСния большой мощности.

ΠšΠΎΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ однотранзисторных Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΈ синапсов ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ изготовлСния Π½Π°Π½ΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… КМОП для Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠ³ΠΎ оборудования

Π₯арактСристики Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ синапса

N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ однотранзисторный Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΈ синапс ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ ​​ТС структуру SONOS, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис.1Π‘. Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄ улавливатСля заряда (Si 3 N 4 ) Π² многослойных диэлСктриках Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° допускаСт ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½ΠΈΡ Π² зависимости ΠΎΡ‚ количСства Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… зарядов. Они ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ: (i) Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ / Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π°ΡΡ‚Ρ€Π°ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС срабатывания ( Π’, Π’Π», срабатываниС ) Π² Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π΅ ΠΈ (ii) ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ вСса Π² синапсС. Подобно Π³ΠΎΠΌΠΎΡ‚ΠΈΠΏΡƒ, Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΈ синапс ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ структуру, Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ-Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌΡƒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис.1Π‘. Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ( I, Π² ), собранный ΠΈΠ· прСсинапсов, подаСтся Π½Π° элСктрод стока (ΠΈΠ»ΠΈ истока) + , Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ( Π’, ΠΈΠ· ) создаСтся ΠΈΠ· Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° n . + элСктрод стока (ΠΈΠ»ΠΈ истока). Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ синапса напряТСниС, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ( Π’, Π² ), подаСтся Π½Π° элСктрод Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° синапса, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ( I ΠΈΠ· ) ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ источника n + (ΠΈΠ»ΠΈ сток) элСктрод.Π­Ρ‚ΠΈ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΈ синапсы Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° 8-дюймовой пластинС с использованиСм Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ стандартного процСсса Si CMOS ΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΈ связаны Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ посрСдством ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ для ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½ΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠΉ систСмы, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 1D. Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ изготовлСния описаны Π½Π° рис. S1.Как ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅, Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ / Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° опрСдСляСтся Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚ΠΎΠΌ элСктронов Π² Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π΅ структуры SONOS. Вормозная функция, которая ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ°, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠΉ систСмы ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°.Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ эффСктивноС ΠΎΠ±ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ логичСский Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ° WTA ( 21 23 ). Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 2А, Ссли элСктроны Π½Π΅ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄ΠΎΠΌ, Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ находится Π² состоянии с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ I, Π² . Как слСдствиС, заряды Π½Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ, ΠΈ нСгСрмСтичная функция интСгрирования ΠΈ возгорания (LIF) подавляСтся. Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ находится Π² состоянии высокого сопротивлСния (HRS), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ элСктроны Π² Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π΅ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ источником n + ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌ встроСнным ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ p-n.БоотвСтствСнно, заряды ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΎ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° ΡΡ‚Ρ€Π΅Π»ΡŒΠ±Ρ‹. Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора являСтся своСго Ρ€ΠΎΠ΄Π° псСвдозатвором, Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ фактичСского Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Он ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π½Π΅ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ LIF, Π° для улавливания заряда. Для Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° элСктронов Π² Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π΅ Π½Π° псСвдозатвор подаСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ напряТСния. ПослС этого ΠΎΠ½ поддСрТиваСтся Π² ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ состоянии для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. Из-Π·Π° энСргонСзависимости Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… зарядов Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π±Π΅Π· смСщСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ энСргии Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с нашим ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΌ исслСдованиСм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π»ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ контроля напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ( 33 , 34 ).

Рис. 2. Единичная характСристика однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ синапса.

( A ) ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. Π’ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ / Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° опрСдСляСтся Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚ΠΎΠΌ элСктронов Π² Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π΅. ( B ) Выходная характСристика ( I D V D ) ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. Π―Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ однотранзисторной Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠΈ (STL), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ позволяСт ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ Π’ Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ° , наблюдалось Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ послС Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° элСктронов (возбуТдСния).( C ) Пиковая характСристика ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. Π‘ΠΏΠ°ΠΉΠΊ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ LIF возбуТдался послС Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° элСктронов, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ подавлялся Π΄ΠΎ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° элСктронов. ( D ) ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ однотранзисторного синапса. ВСс синапса ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, контролируя ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ заряда Π² Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π΅. ( E ) ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π°Ρ характСристика ( I D V G ) ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ однотранзисторного синапса послС потСнцирования ΠΈ дСпрСссии.ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ( Π’, T ) Π±Ρ‹Π»ΠΎ смСщСно Π²Π»Π΅Π²ΠΎ послС потСнцирования ΠΈ Π²ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ послС наТатия. ( F ) Π₯арактСристика потСнцирования-дСпрСссии (P-D) ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ однотранзисторного синапса. Π‘Ρ‹Π»ΠΎ обСспСчСно 32 уровня состояния проводимости (5 Π±ΠΈΡ‚).

На рисункС 2B ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ n-канального однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ прСдставлСны Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ напряТСния стока ( I D V D ).Π”Π»ΠΈΠ½Π° Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ( L G ) ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ( W CH ) ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ 880 ΠΈ 280 Π½ΠΌ соотвСтствСнно. Π”ΠΎ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° элСктронов I D Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ нСзависимо ΠΎΡ‚ V D . ПослС Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° элСктронов с напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ( Π’, G ), Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ 12 Π’, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° 100 мкс, I D Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π’ D . Однако большоС количСство I D Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ критичСского V D ; это называСтся напряТСниСм фиксации ( Π’, , , Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ°, ).Π­Ρ‚ΠΎ явлСниС извСстно ΠΊΠ°ΠΊ явлСниС однотранзисторной Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠΈ (STL) ΠΈ слуТит ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ( 35 , 36 ). На рисункС 2C ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π’ ΠΈΠ· ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ постоянном I Π² подавался Π½Π° элСктрод стока однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π΄ΠΎ ΠΈ послС Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° элСктронов. Π’, , G, , 12 Π’, примСняли для Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° элСктронов (Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅), Π° Π’, G , Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ –12 Π’, примСняли для улавливания элСктронов (ΠΈΠ½Π³ΠΈΠ±ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅).ПослС Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° ΠΈ снятия Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒ поддСрТивался Π² ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ состоянии для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. НапряТСниС Π’, , , Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ , Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΎ Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΆΠ΅ элСктродС стока. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚ΠΎΠΌ элСктронов нанСсСнный I Π² нСпосрСдствСнно ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π» Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΊ источнику, ΠΈ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ заряда (ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅) Π½Π΅ Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Π»ΠΎΡΡŒ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π±Ρ‹Π»Π° задСйствована тормозная функция, Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ мСмристорного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. ПослС Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° элСктронов ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ I Π² Π½Π΅ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊ ΠΊ источнику, Π° заряды накапливались Π² ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΌ кондСнсаторС ( C ΠΏΠ°Ρ€ ).Π’ соотвСтствии с этим процСссом ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, V D эквивалСнтно V ΠΈΠ· Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΎ Π΄ΠΎ V T, срабатывая . ΠžΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ итСративная ударная ионизация Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π»Π°ΡΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ V D ΠΈ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅. Когда V out достигаСт V Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ° , которая совпадаСт с V T, срабатываСт , Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ заряды Π² C par Π²Π½Π΅Π·Π°ΠΏΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ STL.Π­Ρ‚ΠΎ процСсс ΡƒΠ²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π΅Π½ΠΈΡ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΈΠΌΠΈΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. На рисункС S2 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° энСргСтичСского Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° Π²ΠΎ врСмя ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ LIF, которая Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ модСлирования устройства с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ проСктирования (TCAD). ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ выстрСла энСргСтичСский Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ источником n + ΠΈ Ρ‚Π΅Π»ΠΎΠΌ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ зарядам ΡƒΠΉΡ‚ΠΈ ΠΊ источнику. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Π°Ρ частота ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ² ( f ) Π±Ρ‹Π»Π° ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния I Π² .Π’ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈ ΠΈΠ½Π³ΠΈΠ±ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, V, T, firing ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π½Π°ΡΡ‚Ρ€Π°ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ управлСния ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ заряда Π² Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ настраиваСмоС свойство V, T, срабатываниС Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠΉ систСмы ( 23 , 24 ). Если ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ синапса являСтся Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ высокой ΠΈΠ·-Π·Π° Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ процСссом измСнчивости ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ с Π²Ρ‹Π½ΠΎΡΠ»ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ‚ΠΎ Ρ†Π΅Π»Π΅Π²ΠΎΠ΅ количСство запусков Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достигнуто.Для подавлСния этой Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ трСбуСтся настраиваСмый V, T, ΠΏΠΎΠ΄ΠΆΠΈΠ³ . Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S3A, Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ° V Π±Ρ‹Π»Π° ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ количСство носитСлСй, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΎΡ‚ источника ΠΊ Ρ‚Π΅Π»Ρƒ, Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Ρ‚Π΅Π»Π° (Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ встроСнного ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π½Π° источникС n + ΠΈ Ρ‚Π΅Π»Π΅ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°) Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… элСктронов. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π’, Π’, срабатываниС шипа Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис.S3 (B ΠΈ C). Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, продСмонстрированный многоступСнчатый однотранзисторный Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ / Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½Π°ΡΡ‚Ρ€Π°ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ V, T, Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ .

Π₯арактСристики ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π° счСт Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΌΠ΅ΠΌΠ±Ρ€Π°Π½Ρƒ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ для биологичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ссли характСристики ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ сигнал Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ значСния Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡ‚ΡŒ напряТСниС Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ входящий сигнал Π½Π΅ Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΆΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΠ΅, Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΡΡ‚Π²ΠΈΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ.ΠœΡ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π»ΠΈ измСрСния ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π›Π˜Π€-характСристику ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ частотой 1 Π“Ρ† с ΠΏΠΈΠΊΠΎΠΌ 500 пА ΠΈ ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 2% подавался Π½Π° элСктрод стока, ΠΈ напряТСниС Π’, , ΠΈΠ· , Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΎ Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΆΠ΅ элСктродС стока. Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S4A, Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ V out Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ подавался Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π­Ρ‚ΠΎ прСдставляСт собой Π½Π΅Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ свойство. На основС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ LIF однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π±Ρ‹Π»ΠΎ смодСлировано с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ модСлирования с симуляциСй с Π°ΠΊΡ†Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ Π½Π° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ схСму (SPICE) с использованиСм ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис.S4B. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ·Π»Ρ‹ для измСрСния напряТСния ΠΈ ΡƒΠ·Π»Ρ‹ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ Π² ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅, управляСмом напряТСниСм. C ΠΏΠ°Ρ€ , V T, срабатываниС ΠΈ сопротивлСниС Π½Π° HRS ( R ΠΎΡ‚ ) Π±Ρ‹Π»ΠΈ установлСны ΠΊΠ°ΠΊ 8 ΠΏΠ€, 3 Π’ ΠΈ 5 Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ соотвСтствСнно. Как слСдствиС, Π±Ρ‹Π»ΠΎ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΅ согласиС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ смодСлированными ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками выбросов (рис. S4A).

f Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° LIF ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

f = 1∫0VT, firing (CparIin-VoutRoff) dVout

, Π³Π΄Π΅ R off — это Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии Π² HRS Π²ΠΎ врСмя ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ.По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ V T, срабатываниС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, f увСличиваСтся, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ срабатываниС происходит ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ напряТСнии. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ V T, ΡΡ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ соотвСтствуСт V Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ΅ Π½Π° рис. 2B, опрСдСляСтся Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ L G , концСнтрация лСгирования Ρ‚Π΅Π»Π° ( N , корпус ) ΠΈ энСргСтичСская запрСщСнная Π·ΠΎΠ½Π° ( 36 , 37 ). По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния L G Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠΈ V ΠΈ V T, срабатываниС увСличиваСтся, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ для этого трСбуСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоС напряТСниС стока для обСспСчСния фиксации ΠΈΠ·-Π·Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ элСктричСского поля ( E Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ).ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ E Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ( V D V S ) / L G . На рисункС S5A ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ V T, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ функция ΠΎΡ‚ L G . Π’ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ измСрСниям ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π»ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ устройства, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ V T, ΡΡ‚Ρ€Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΈ L G ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‡Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ L G с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Synopsys Sentaurus TCAD ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅.Как ΠΈ оТидалось, ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ L, G , V, T, срабатываниС Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΎ Π·Π° счСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ V, , Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ° . Когда L G ΡƒΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‡Π΅Π½ Π΄ΠΎ 250 Π½ΠΌ, V T, срабатываниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΎ Π΄ΠΎ 1,1 Π’. На рисункС S5 (B ΠΈ C) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ f ΠΈ энСргия Π½Π° ΠΏΠΈΠΊ ( E / шип) Π² зависимости ΠΎΡ‚ L G соотвСтствСнно. E / ΠΏΠΈΠΊ Π·Π° 1 с Π±Ρ‹Π» рассчитан ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ умноТСния I Π½Π° ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ выступом Π½Π° рис.2C, Π³Π΄Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ( Π’, ΠΈΠ· ) Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΎΠ½ извлСкаСтся ΠΊΠ°ΠΊ Iin Β· ∫01fVoutdt. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ L G Π±Ρ‹Π» ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½, f Π±Ρ‹Π» ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½, Π° E / шип Π±Ρ‹Π» ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ Π½Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ V T, стрСляя . Когда L G ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π΄ΠΎ 250 Π½ΠΌ, f ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ Π΄ΠΎ 7,6 ΠΊΠ“Ρ†, Π° E / ΠΏΠΈΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ Π΄ΠΎ 1,3 ΠΏΠ”ΠΆ / ΠΏΠΈΠΊ Π½Π° I Π² ΠΈΠ· 10 нА. .Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° L G мСньшС 250 Π½ΠΌ, STL Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·-Π·Π° ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ, Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ сквозным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, нСпосрСдствСнно ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сток + ΠΊ истоку n + . Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π°. Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° L G станСт Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ имплантация ΠΊΠ°Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΎΠ² (ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ€Π΅ΠΎΠ»ΠΎΠ²), ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ подавлСния сквозной ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ, которая ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ STL.

По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния I Π² ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ зарядки увСличиваСтся, Π° f ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΡŽ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ.Помимо V T, ΡΡ‚Ρ€Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈ I Π² , C par ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Π²Π°ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π² ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ f . Из ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ уравнСния f увСличиваСтся ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ C par , ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ для зарядки мСньшСго ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора трСбуСтся мСньшС Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ эффСкт C par , ΠΌΡ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΠ»ΠΈ f ΠΈ ΠΈΠ·Π²Π»Π΅ΠΊΠ»ΠΈ E / ΠΏΠΈΠΊ, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² внСшний кондСнсатор ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ однотранзисторному Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρƒ. L G Π±Ρ‹Π»ΠΎ зафиксировано ΠΊΠ°ΠΊ 880 Π½ΠΌ. На рисункС S6 (A ΠΈ B) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ f Π±Ρ‹Π» ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½, Π° E / шип Π±Ρ‹Π» ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ C par Π±Ρ‹Π» ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ характСристики Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° с мСньшим C par , Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ C par , ΠΌΡ‹ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ устройства с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Synopsys Sentaurus TCAD. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎ ΠΎΡ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ уровня субпикофарад ΠΈΠ·-Π·Π° Смкости ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠΈ устройства.ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠΈ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ 100 ΠΌΠΊΠΌ Π½Π° 100 ΠΌΠΊΠΌ для прямого зондирования, ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ транзистором. Богласно Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ модСлирования, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° C par составлял 0,5 ΠΏΠ€, f ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 11,7 ΠΊΠ“Ρ†, Π° E / ΠΏΠΈΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 0,7 ΠΏΠ”ΠΆ / ΠΏΠΈΠΊ Π½Π° I дюйм. ΠΈΠ· 10 нА. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ C ΠΏΠ°Ρ€ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ вычислСний ΠΈ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° благоприятна для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ.

Π‘Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Π»Π°ΡΡŒ потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ мСмристорного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. Пиковая потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π° ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ умноТСния ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π’, ΠΈΠ· (рис. S7). Π‘Ρ‹Π»ΠΎ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ однотранзисторный Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ потрСбляСт ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1,5 ΠΌΠΊΠ’Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² 7–261 Ρ€Π°Π· мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ Π½Π° основС мСмристора ( 18 , 20 ).Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ энСргопотрСблСниС ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°ΠΌΠΈ Π½Π° основС мСмристора ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ нСбольшой ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° для протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ·-Π·Π° высокой ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ изготовлСния нанокМОП. Π•Π³ΠΎ изготовлСнная ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Π±Ρ‹Π»Π° ΠΈΠ·Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½Π° ΠΈΠ· произвСдСния Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° (50 Π½ΠΌ, Ρ‚.Π΅. высота ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°) ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° (280 Π½ΠΌ). ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Π»Π°ΡΡŒ потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ схСмного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. БрСдняя потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, основанного Π½Π° схСмС, находится Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 0.ΠžΡ‚ 3 Π΄ΠΎ 78,16 ΠΌΠΊΠ’Ρ‚ ( 9 11 ). Π₯ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ извСстно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ срСдняя потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ пиковая потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ пиковая потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° сопоставима со срСднСй потрСбляСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π½Π° основС схСмы, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ потрСбляСтся Π²ΠΎ врСмя ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚. НапримСр, срСдняя ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΈΠΊΠ΅ Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π° ΠΊΠ°ΠΊ 15,4 Π½Π’Ρ‚, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ I Π² составляла 10 нА.Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, однотранзисторный Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ энСргии для Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½Ρ‹Ρ… вычислСний.

Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, стоит ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ однотранзисторный Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ характСристику, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ опСрация выброса Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° ΠΊΠ°ΠΊ для Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° стока, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° истока (рис. S8). Когда Ρ‚ΠΎΠΊ подаСтся Π½Π° элСктрод стока (Π²Π²ΠΎΠ΄ / Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ стока), ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ заряды ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ кондСнсатор Π½Π° сторонС стока. БоотвСтствСнно, ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ V, , out Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ Π² состоянии покоя ΠΈ высокий Π² состоянии ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Ρ„ΠΈΠ³.S8A. Напротив, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ снимаСтся с источника (Π²Π²ΠΎΠ΄ / Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ источника), ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ заряды ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ кондСнсатор Π½Π° сторонС источника. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ V out высокий Π² состоянии покоя ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ Π² состоянии ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Ρ„ΠΈΠ³. S8B. Π­Ρ‚Π° двунаправлСнная характСристика ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ большС стСпСнСй свободы ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠΉ систСмы. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΌΡ‹ использовали ΠΎΠ±Π° ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° для построСния Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠΉ систСмы.

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ устройство синапса ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρƒ ΠΆΠ΅ структуру SONOS, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½, вСс синапса ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, контролируя ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ заряда Π² Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π΅.НапримСр, Ссли элСктроны Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ прилоТСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ( Π’, T ) смСщаСтся Π²ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ, Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΆΠ΅ напряТСнии считывания, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 2D. . Π­Ρ‚ΠΎ своСго Ρ€ΠΎΠ΄Π° дСпрСссия. Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС V T сдвигаСтся Π²Π»Π΅Π²ΠΎ, Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° увСличиваСтся ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΆΠ΅ напряТСнии считывания. Π­Ρ‚ΠΎ своСго Ρ€ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅. На рисункС 2E ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ n-канального однотранзисторного синапса, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ прСдставлСны Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ( I D V G ).Π•Π³ΠΎ L G ΠΈ W CH ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρƒ 1880 ΠΈ 180 Π½ΠΌ соотвСтствСнно. Π’ T Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»ΠΎΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ заряда. ΠšΡ€ΠΈΠ²Π°Ρ потСнцирования-сниТСния (P-D) Π½Π° Ρ„ΠΈΠ³. 2F ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ проводимости (ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСса) Π² соотвСтствии с количСством ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² с ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΌ Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠΌ. Оба V G ΠΈ V D для ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ чтСния Π±Ρ‹Π»ΠΈ установлСны ΠΊΠ°ΠΊ 1 Π’. V G для потСнцирования ΠΈ дСпрСссии Π±Ρ‹Π» установлСн ΠΊΠ°ΠΊ -11 Π’ с Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° 100 мс ΠΈ 11 Π’ с ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° 10 мкс, соотвСтствСнно. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ обСспСчСно 32 уровня (5 Π±ΠΈΡ‚) состояний проводимости. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ V G для потСнцирования ΠΈ дСпрСссии ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ оксида ΠΈ диэлСктричСской проницаСмости Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ оксида.

БовмСстная интСграция Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ синапса

Если Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΈ синапс Π³ΠΎΠΌΠΎΡ‚ΠΈΠΏΠ½Ρ‹, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ плоскости Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΆΠ΅ устройством.ПослС этого ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ соСдинСны мСталличСскими соСдинСниями. Π­Ρ‚Π° коинтСграция дСмонстрируСтся для Π΄Π²ΡƒΡ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ сСти. Один ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… — это прСдслой, состоящий ΠΈΠ· прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ синапса. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ — пост-слой, состоящий ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ синапса ΠΈ постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. На рис. 3 (ΠΎΡ‚ A Π΄ΠΎ C) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΊΠΎΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ прСсинаптичСский Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ синапс Π² качСствС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоя. Π‘ΡΡ‹Π»Π°ΡΡΡŒ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ схСму Π½Π° Ρ„ΠΈΠ³. 3A, постоянный Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ( I, дюйм, Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ) подаСтся Π½Π° элСктрод стока Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, ΠΈ сток ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ синапса для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. ΠΎΡ‚ прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ( Π’, , , ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ).ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эта конфигурация ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΡƒΠΏΠΎΠΌΡΠ½ΡƒΡ‚ΡƒΡŽ схСму Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° стока. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° происходит всплСск Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока ( I D ) ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ°Π½Π°Π» синапса. Π•Π³ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° модулируСтся синаптичСским вСсом. На рис. 3Π’ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ прСсинаптичСский Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ синапс, соСдинСнныС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой посрСдством ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 3C, ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ синапса ( I, out, syn ) Π±Ρ‹Π» ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ Π² соотвСтствии с V out, ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠΌ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π² порядкС вСса: w 1 w 2 w 3 .Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ f ΠΈΠ· I out, syn Π±Ρ‹Π» ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠΌ
I in. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ опСрация логичСского Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π°, Ссли Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ оксида синапса Π½Π° основС SONOS Π½Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½Π° (рис. S9). Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ синаптичСский вСс Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ Π’, out, ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ , Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с напряТСниСм ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΈ / дСпрСссии (P / D). Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ обучСния Π²Π½Π΅ кристалла, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ±ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ трСбуСтся Π½Π° ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ.Однако ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π’, Π’, срабатывания Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ оксида ( Π’ ox ) Π² синапсС, вСс ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ синапса ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм прСсинаптичСский Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Π΅Π· Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΉ модуляции. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠΎ ΠΊ прилоТСниям для обучСния Π½Π° кристаллС.

Рис. 3. ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ однотранзисторный Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΈ синапс.

( A ) ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма соСдинСния прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ синапса Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ сСти.Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ( Π’, , out, ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ) пСрСдаСтся Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ синапса. ( B ) Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ прСсинаптичСский Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ синапс соСдинСны ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой посрСдством ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ( C ) Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ синапса ( I out, syn ) ΠΊΠ°ΠΊ функция синаптичСского вСса. Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ I out, syn становился Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° синаптичСский вСс Π±Ρ‹Π» большС. ( D ) ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ синапса ΠΈ постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π½Π° постсинаптичСском ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ сСти.Π’ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ синапса прикладываСтся ΠΊ источнику постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. ( E ) Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ синапс ΠΈ постсинаптичСский Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½, соСдинСнныС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой посрСдством ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ( F ) Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ( Π’, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, постнСйрон ) ΠΊΠ°ΠΊ функция синаптичСского вСса. Частота ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ² ( f ) V out, постнСйрон становился Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° синаптичСский вСс Π±Ρ‹Π» большС.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΎΠ±ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° кристаллС, ΠΌΡ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ V, T, Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π² Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π΄ΠΎ 5.5 Π’ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ увСличСния N корпуса Π΄ΠΎ 1 Γ— 10 18 см βˆ’3 ΠΈ увСличСния L G Π΄ΠΎ 1,9 ΠΌΠΊΠΌ. Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° T ox синапса ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, вСс синапса ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ Π·Π° счСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S9A, гистСрСзис увСличивался ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ условиях напряТСния, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° T ox синапса ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π»ΠΎΡΡŒ с 3 Π΄ΠΎ 2 Π½ΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сдвиг большСго ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ( Π’, T ) ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ проводимости ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΆΠ΅ напряТСнии P / D.На рисункС S9B ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° T ox синапса составлял 2 Π½ΠΌ, V T синапса постСпСнно сдвигался спайком Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° T ox составляСт 3 Π½ΠΌ, сдвиг V T Π½Π΅ Π±Ρ‹Π» Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S9C. ДСпрСссия, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ постСпСнно сниТаСтся, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΡˆΠ»Π° ΠΈΠ·-Π·Π° всплСска Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² для T ox Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 2 Π½ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S9D. Однако ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ измСнилась Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ для T ox 3 Π½ΠΌ.Π‘ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… характСристик, T ox 3 Π½ΠΌ Π±Ρ‹Π» Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ T ox 2 Π½ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S9E. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, T ox 3 Π½ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ обучСния Π²Π½Π΅ кристалла, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΡ… характСристик удСрТивания Π±Π΅Π· измСнСния вСса, Π° T ox 2 Π½ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ обучСния Π½Π° кристаллС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ вСса ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ напряТСнии P / D. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ оксида Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ ΡƒΠΆΠ΅ использовалось для коммСрчСской логичСской микросхСмы.Π’Ρ‹ΡˆΠ΅ΡƒΠΏΠΎΠΌΡΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹Π΅ особСнности Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ КМОП. ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, Π½Π° рис. S9D, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ V out, ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅Π½, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° происходит срабатываниС. Однако ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достигнуто ΠΏΡ€ΠΈ использовании источника Π²Π²ΠΎΠ΄Π° / Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. Когда 0 Π’ подаСтся Π½Π° сток прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ подаСтся Π½Π° источник, Π’, Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ составляСт 0 Π’ Π² состоянии покоя, ΠΈ ΠΎΠ½ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° происходит Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ синапс.Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, двунаправлСнная характСристика однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π΅ΠΏΡ€Π΅ΡΡΠΈΡŽ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅.

На Ρ„ΠΈΠ³. 3 (ΠΎΡ‚ A Π΄ΠΎ C) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ синаптичСского соСдинСния, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π±Ρ‹Π» зафиксирован I in, Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΊ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ постсинаптичСскому Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρƒ. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ эффСкт I in, Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ с Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ / Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π² однотранзисторном Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π΅, ΠΌΡ‹ построили структуру массива для ΠΊΠΎΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с высокой ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.На рисункС S10 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° матричная структура, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π±Ρ‹Π»ΠΈ соСдинСны ΠΊΠ°ΠΊ прСсинаптичСскиС Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΈΠ½Π³ΠΈΠ±ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями I, in, Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ синапсы с Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (массой). Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S10A, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» связан с Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΌΡ синапсами с Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ массой, ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ I, , дюймов, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ»ΠΈΡΡŒ ΠΊ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρƒ. Бинапсы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… вСса ( w 1 w 2 w 3 w 4 ).НапримСр, возбуТдался Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅Π³ΠΎ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ элСктроны Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ Π² слоС Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΠΈ заряда, Π° Ρ‡Π΅Ρ‚Π²Π΅Ρ€Ρ‚Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»Π΅Π½, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ элСктроны Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ Π² слоС Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΠΈ заряда. Для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° примСнялся свой Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½
I, дюймов. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ, 500 пА, 1 нА ΠΈ 5 нА ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ»ΠΈΡΡŒ для ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ, Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅Π³ΠΎ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² соотвСтствСнно. НаконСц, I out, syn ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ синапса Π±Ρ‹Π» ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ синапсС.На рисункС S10B ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° цвСтовая ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° для прСдставлСния f I out, syn ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ синапса Π² массивС. f ΠΈΠ· I out, syn Π±Ρ‹Π» Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ с ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. ПиксСль Ρ‚Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ синапс с высоким Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ f , Π° пиксСль Π±Π΅Π»ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ синапс с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ f . По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ I in, Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ , ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ прСсинаптичСскому Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρƒ, увСличивался, частота ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ² I out, syn ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π»Π°ΡΡŒ.На рисункС S10C ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° цвСтовая ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π°, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ I, in, Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ синапса Π² массивС. ΠŸΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° I, дюймов Π±Ρ‹Π» Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. ПиксСль Ρ‚Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° синапс с высоким ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π° пиксСль Π±Π΅Π»ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†Π²Π΅Ρ‚Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° синапс с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния синаптичСского вСса с Π’Ρ‚ 1 Π΄ΠΎ Π’Ρ‚ 4 ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ I дюйм Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° увСличивался.Бинапсы Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ столбцС Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ событий Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ нСзависимо ΠΎΡ‚ I, in, Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ V T синапса Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. Бинапсы Π² послСднСй строкС Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Π»ΠΈ событий Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ нСзависимо ΠΎΡ‚ синаптичСского вСса. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ прСсинаптичСский Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»Π΅Π½. Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, Π»ΡŽΠ±ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π½ΠΎ, сколько ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… синапсов ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ прСсинаптичСским Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠΌ.ВСорСтичСски ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ нСсколькими ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ синапсами, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ связаны с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ прСсинаптичСским Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠΌ. Π’ качСствС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΌΡ‹ смодСлировали Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρƒ, ΡΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‰ΡƒΡŽ ΠΈΠ· ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ 100 синапсов, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ симулятора Ρ†Π΅ΠΏΠΈ SPICE. Π’ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΊ синапсам, Π½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π», ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ синапса ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈΠ·-Π·Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ уровня Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… синапсов Π±Ρ‹Π» ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 1 пА.ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΊ синапсам Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ, количСство ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… синапсов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΈΠ· строя с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° V, , Π½Π΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΎ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ V out, ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» ΠΈΠ½Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ, хотя 10 синапсов Π±Ρ‹Π»ΠΈ связаны с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ прСсинаптичСским Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S10D. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, V out, ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π½Π΅ измСнялся Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ вСса ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ синапса.Π­Ρ‚ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ прСимущСство ΠΊΠΎΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ синапсом Π½Π° основС MOSFET, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ SONOS, ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΊΠΎΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ с Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ синапсом Π½Π° основС рСзистора, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ мСмристор. Из-Π·Π° эффСкта Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ количСство синапсов Π½Π΅ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ½ΠΎ влияСт Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° соСдинСны Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π²Ρ‹Π΅ синапсы ( 38 , 39 ). НапримСр, ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° количСство Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π²Ρ‹Ρ… синапсов с ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ( G ) 1 Π½Π‘ΠΌ Π±Ρ‹Π»ΠΎ большС 10.Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΊ синапсам Π·Π° счСт ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ проводимости, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S10E. Π­Ρ‚Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° ΡƒΡΡƒΠ³ΡƒΠ±ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½ΠΎΠ³ΠΎ G , ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S10F, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎ синапсам Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ больший Ρ‚ΠΎΠΊ. Π‘ΡΡ‹Π»Π°ΡΡΡŒ Π½Π° рис. S10F, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° количСство ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… синапсов ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π»ΠΎΡΡŒ, Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π² сторону синапсов увСличивался, Π° Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ f прСсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π»ΠΎΡΡŒ. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° количСство синапсов ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π»ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, всплСсков Π½Π΅ происходило.Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ эту ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½Ρ‹Ρ… синапсов, трСбуСтся конфигурация 1T1R, состоящая ΠΈΠ· Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (1T) ΠΈ мСмристора (1R), ΠΈΠ»ΠΈ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ схСмы. Однако эти ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ приносят Π² ΠΆΠ΅Ρ€Ρ‚Π²Ρƒ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½ΠΎΠ²ΠΊΠΈ, ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ изготовлСния ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ оборудования. На рис. 3 (D — F) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΊΠΎΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, состоящий ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ синапса ΠΈ постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС Π½Π° рис. 3D, постоянноС напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ( Π’, in, syn ) прикладываСтся ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ синапсу, ΠΈ сток синапса соСдиняСтся с источником постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. I out, syn , Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, примСняСтся ΠΊ постсинаптичСскому Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρƒ. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС измСряСтся Ρƒ источника постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, ΠΎΠ½ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ схСму Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° источника. Если Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ I , синхросигнал примСняСтся ΠΎΡ‚ источника ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ синапса ΠΊ стоку постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° (схСма Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° стока), Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС источника ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ синапса измСняСтся Π² зависимости ΠΎΡ‚ отклонСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. напряТСниС постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ( Π’, Π²Ρ‹Ρ…, постнСйрон ).Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС, Ссли сток ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ синапса ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ источнику постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° (схСма Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° источника), Ρ‚ΠΎ такая ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° смягчаСтся. Π­Ρ‚Π° ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ связана с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ насыщСния стока, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ нСчувствитСлСн ΠΊ измСнСнию V D Π² области насыщСния. На рис. 3Π• ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ синапс ΠΈ постсинаптичСский Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½, соСдинСнныС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой посрСдством ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 3F, f ΠΈΠ· V out, постнСйрон увСличиваСтся Π² соотвСтствии с ΠΏΡ€ΠΈΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ I out, syn ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ синапса Π² порядкС вСса: w 1 w 2 w 3 .Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ способ соСдинСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ синапса ΠΈ постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° прСдлагаСтся Π½Π° рис. S11A, Π³Π΄Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ. Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… МОП-транзисторов ΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… МОП-транзисторов. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π΄Π»ΠΈΠ½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ синапса Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, I out, syn Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно насыщСн эффСктами ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² схСмС Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° источника. Π’ этом случаС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ синапсом ΠΈ постсинаптичСским Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡƒΠ·Π΅Π».Π­Ρ‚Π° конфигурация Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° для модуляции I out, syn Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅. УмСньшСниС I out, syn Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠΉ систСмы, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ постсинаптичСский Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ связан с многочислСнными синапсами. Низкий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ I Π² ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 10 мкА, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΡˆΠ»ΠΎ Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° рис. 2B, являСтся ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ для номинальной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°.Когда Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ I, Π² ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 10 мкА, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΊ источнику Π±Π΅Π· интСгрирования заряда. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, постсинаптичСский Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° нСсколько синапсов связаны. Π’Ρ‹ΡˆΠ΅ΡƒΠΏΠΎΠΌΡΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Ρ‹ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ совмСстной ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ синапсом ΠΈ постсинаптичСским Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠΌ. На рисункС S11B ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΊΠΎΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ синапс, Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ ΠΈ постсинаптичСский Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½, соСдинСнныС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой посрСдством ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ.На рисункС S11C ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ PMOSFET, Π° Π½Π° рис. S11D ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ PMOSFET Π² Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π΅. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΠΈΠΊ постсинаптичСского Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π±Ρ‹Π» достигнут, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S11E. Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»Π΅Π½, всплСсков Π½Π΅ наблюдалось. Π’ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Ρƒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ для Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмы, ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠΌ для построСния Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ логичСской схСмы, которая управляСт Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΡΠ΅Ρ‚ΡŒΡŽ для сбора, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π» ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ Π² Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ плоскости с ΠΊΠΎΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ. Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ синапса ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис.S12. Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ ΠΈ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ, Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ совмСстной ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ схСмами.

РаспознаваниС Π±ΡƒΠΊΠ² с Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ схСмы

НСйроморфная систСма ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для распознавания ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹, числа, ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈ Π»ΠΈΡ†Π°. РаспознаваниС Π±ΡƒΠΊΠ² Π±Ρ‹Π»ΠΎ продСмонстрировано с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ модСлирования Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ SPICE, основанного Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… характСристиках Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΈ синапсов. Π’ качСствС простой ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ состоит ΠΈΠ· ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора, соСдинСнных ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ.Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ смодСлированныС элСктричСскиС свойства Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ характСристикам ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S3. Бинапс Π±Ρ‹Π» Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ МОП-транзистора, ΠΈ вСс синапса контролировался Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ V T . ΠœΡ‹ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… сСтСй: классификатор Π½Π° основС однослойного пСрсСптрона (SLP) ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ΄Π΅Ρ€ Π½Π° основС многослойного пСрсСптрона (MLP). Π‘Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° Π±Ρ‹Π»Π° построСна нСйронная ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ для классификатора, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ Β«nΒ», Β«vΒ» ΠΈ Β«zΒ», которая Π±Ρ‹Π»Π° составлСна ​​из Ρ‡Π΅Ρ€Π½ΠΎ-Π±Π΅Π»Ρ‹Ρ… пиксСлСй 3 Γ— 3 (рис.5А). Он состоял ΠΈΠ· дСвяти Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… слоСв, ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΡ‚ Β« i 1 Β» Π΄ΠΎ Β« i 9 Β», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ пиксСлю, ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… слоСв, ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Β« O n Β», Β« OΒ». v, Β»ΠΈΒ« O z Β», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅ (рис. 5B). ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма классификатора прСдставлСна ​​на рис. S13. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ соСдинСны Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π»Π°Ρ‚Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅. По Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² каТдая Π±ΡƒΠΊΠ²Π° ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»Π°ΡΡŒ.ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ всплСск ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΡˆΠ΅Π» Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Π²ΠΎΠ΄Π΅ n, Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» Π½Π° Π²Π²ΠΎΠ΄Π΅ v, Π° Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» Π½Π° Π²Π²ΠΎΠ΄Π΅ z. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ многоступСнчатыС свойства однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈΠ³Ρ€Π°ΡŽΡ‚ Π²Π°ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π² распознавании ΠΏΠ°Ρ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Π°. Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ всплСски подавлялись Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ½Π³ΠΈΠ±ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΄ΠΎ достиТСния V, T, срабатывания , Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ сСти. Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Ρ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ Π±Ρ‹Π» Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ распознан ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ настройки V, T, срабатывая , Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли синаптичСский вСс измСнился Π½Π΅Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ.Π­Ρ‚Π° функция ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ сСти.

Рис. 5. РаспознаваниС Π±ΡƒΠΊΠ² с Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ схСмы ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ отраТСния ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… характСристик однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ синапса.

( A ) Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠ·ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ 3 Γ— 3 пиксСля. ( B ) SLP для классификатора ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ² классификации. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ слой прСдставляСт ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ пиксСль, Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ слой прСдставляСт ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΡƒΡŽ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρƒ. ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ»Π°ΡΡŒ Ρ‚Π΅ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌ проявил спайк.ВсС ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρ‹, Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° с ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, подавлялись Π² Π»Π°Ρ‚Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. ( C ) Π‘Π΅Ρ‚ΡŒ MLP для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‰ΠΈΠΊΠ° ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Π΅Π³ΠΎ кодирования / дСкодирования. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ слой прСдставляСт ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ пиксСль Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала с ΡˆΡƒΠΌΠ°ΠΌΠΈ, Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ слой прСдставляСт ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ пиксСль восстановлСнного Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‰ΠΈΠΊΠΎΠΌ. Активированный Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π½ΠΎΠ²ΠΎ Π΄Π΅ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ пиксСль, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ Π±Ρ‹Π» Π·Π°ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π½ΠΎΠ²ΠΎ Π΄Π΅ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Π΅Π»Ρ‹ΠΉ пиксСль, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΎΡΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π°ΡˆΡƒΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рисунка.

Если вСс синапса Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ высокий ΠΈΠ·-Π·Π° Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ процСссом измСнчивости ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ с Π²Ρ‹Π½ΠΎΡΠ»ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½ с Ρ†Π΅Π»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ числом. НапримСр, V, T, Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½, Ссли Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π² Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ слишком ΠΌΠ°Π», ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ вСс синапса Π½Π΅Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ. Π’ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ случаС, Ссли вСс синапса слишком Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ, Ρ‚ΠΎ V, T, срабатываниС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ количСство срабатываний Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² нСзависимо ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ синапсов.Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ прСимущСства свойства ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° мноТСствСнного срабатывания, ΠΌΡ‹ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ схСм SPICE. Рассмотрим ΡΠΈΡ‚ΡƒΠ°Ρ†ΠΈΡŽ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ шаблоном являСтся n. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. Однако, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ( Π’, T ) синапсов с большим вСсом, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρƒ, Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π½Π΅Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΎ Π΄ΠΎ 0,35 Π’ с 0 Π’, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ синапсов ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρƒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ»ΡΡ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠ³ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½, ΠΈ вмСсто этого Π±Ρ‹Π» Π·Π°ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис.S14A. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, распознаваниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ² Π½Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ. Π’ это врСмя Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ распознавания ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΠ² V, T, Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π΄ΠΎ 2,6 Π’, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S14B. Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° V T синапсов с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ вСсом, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρƒ, Π½Π΅Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ Π΄ΠΎ -0,1 Π’ с 1 Π’, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ синапсов ΠΊΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρƒ увСличился. Как слСдствиС, Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ Π·Π°Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρƒ, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»Π΅Π½, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис.S14C. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, распознаваниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ² Π½Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ. Π’ это врСмя Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ распознавания ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ² V, T, Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π² Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° Π΄ΠΎ 3,4 Π’, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S14D. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ распознаваниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ² Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ настройки V, T, срабатывания однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° вСс синапсов Π±Ρ‹Π» Π½Π΅Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для фактичСской Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π’ Π’ трСбуСтся Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма, Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ настраиваСмый однотранзисторный Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ Π’ ΠΈΠ· Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° для считывания аномальной частоты ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ напряТСния. ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ для Ρ‚ΡŽΠ½ΠΈΠ½Π³Π° V T, ΡΡ‚Ρ€Π΅Π»ΡŒΠ±Π° .

Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ скорости распознавания изобраТСния ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‰ΠΈΠΊ ( 48 ). АвтоэнкодСр ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΈΡ‚ΡŒ эффСкт Π·Π°ΡˆΡƒΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²ΠΎΡΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ кодирования изобраТСния ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ дСкодирования. Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 5C, ΠΌΡ‹ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ΄Π΅Ρ€ с использованиСм сСти MLP с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ слой состояли ΠΈΠ· дСвяти Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ слой прСдставлял ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ пиксСль. ПослС кодирования Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π±ΡƒΠΊΠ² Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ восприятии информация ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ пиксСля Π±Ρ‹Π»Π° Π·Π°Π½ΠΎΠ²ΠΎ Π΄Π΅ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π° Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ восприятии.ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ΄Π΅Ρ€Π° прСдставлСна ​​на рис. S15. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ тормозящая функция однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° позволяла Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ автоэнкодСру. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ, срСдниС Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ связаны Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π»Π°Ρ‚Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π·Π°ΡˆΡƒΠΌΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ сигнал ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΈΡ‚ΡŒ. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ² сигнал ΠΎΡ‚ срСдних Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π½Π΅ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹. Активированный Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» Π΄Π΅ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ пиксСль, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» Π΄Π΅ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Π΅Π»Ρ‹ΠΉ пиксСль, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис.5Π‘. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π·Π°ΡˆΡƒΠΌΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ изобраТСния стали Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΈΠΌΠΈ благодаря рСконструкции изобраТСния с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‰ΠΈΠΊΠ°.

РаспознаваниС Π»ΠΈΡ† с ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ схСмы, ΠΌΡ‹ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ ΠΎΠ±ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π½Π΅ кристалла, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠΎ ΠΊ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° с фиксированными вСсами синапсов. Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, ΠΎΠ±ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° кристаллС Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ с использованиСм Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм. Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ модСлирования MATLAB Π±Ρ‹Π»Π° исслСдована ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ, способная Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ·Π½Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΈΡ†Π° посрСдством обучСния Π½Π° кристаллС.Π‘Ρ‹Π»Π° спроСктирована ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ связанная двухслойная нСйронная ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ, состоящая ΠΈΠ· 32 Γ— 32 Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², 20 Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² срСднСм слоС ΠΈ 3 Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 6А. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ характСристики Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°-синапса Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π½Π° основС ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы Π½Π° рис. 6B. Из Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π»ΠΈΡ† Π™Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ унивСрситСта Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ΠΎ Π΄Π΅Π²ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, состоящих ΠΈΠ· 32 Γ— 32 пиксСлСй (рис. 6C) ( 49 ). ПослС кластСризации ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΈΠ½Ρ‹ Π±Π΅Π· присмотра классификация Π±Ρ‹Π»Π° ΠΎΡ†Π΅Π½Π΅Π½Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ присмотром.Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ прСсинаптичСскиС спайки ( V pre ) со Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ интСнсивности пиксСлСй Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S16A. Бинапсы, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ²ΡˆΠΈΠ΅ прСсинаптичСскиС спайки, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ постсинаптичСским Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°ΠΌ Π² зависимости ΠΎΡ‚ вСса. Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ использовалось Π² качСствС интСрфСйсной схСмы для сниТСния уровня Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ синапсов ΠΊ постсинаптичСским Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°ΠΌ. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‡Π΅Ρ€ΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эти схСмы для Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ сигналов ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Ρ‹ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ плоскости с Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°ΠΌΠΈ ΠΈ синапсами с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ стандартных конструкций КМОП.ΠŸΠΎΡΡ‚ΡΠΈΠ½Π°ΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ» самый высокий Ρ‚ΠΎΠΊ, Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π» запуск постсинаптичСских ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² для обновлСния синаптичСских вСсов синапсов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ связаны с Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ постсинаптичСским Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠΌ. ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° постсинаптичСского спайка ( Π’, , , пост ) создавалась Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ состоял ΠΈΠ· ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярностями. Π§Ρ‚ΠΎ касаСтся ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΉ схСмы, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рис. S16A, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° прСсинаптичСский спайк Π±Ρ‹Π» Π·Π°ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½ Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ постсинаптичСский спайк ( t Π΄ΠΎ t post = Ξ” t V LTD ) Π±Ρ‹Π» ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ ΠΊ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°ΠΌ синапса, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ»ΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ синапса.Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ синапса ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π»Π°ΡΡŒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм долгосрочной ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ( Π’, LTP ), ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°ΠΌ синапса, Ссли прСсинаптичСский спайк Π±Ρ‹Π» Π·Π°ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½ ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ постсинаптичСский спайк ( t ). Π΄ΠΎ Ρ‚ послС = Ξ” Ρ‚ > 0) ( 23 ). Для обновлСния синаптичСского вСса использовалась упрощСнная схСма ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ» обучСния пластичности, зависящСй ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ спайков ( 25 ). РаспознаваниС Π»ΠΈΡ† ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°Π»ΠΎΡΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ 24 тСстовых ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, содСрТащих ΠΏΠΎ 8 ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊΠ° (рис.S16B). ПослС Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ»Π°ΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ синапсов, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ Π²ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ массива синапсов (рис. 6D ΠΈ рис. S16C). Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ распознавания 95,8% Π±Ρ‹Π» достигнут для «послС Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ с Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌΒ» ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 60% наблюдался для «послС Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π±Π΅Π· Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ тормоТСния», ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 6E. Если Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ»ΠΎΡΡŒ Π»Π°Ρ‚Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, высокоуровнСвоС распознаваниС Π½Π΅ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΠ»ΠΎΡΡŒ, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π³Π»ΠΎΠ±Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ обновлСния вСса Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΠ»ΠΈΡΡŒ посрСдством Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ всСх задСйствованных Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ².ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, хотя ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ синапсов Π±Ρ‹Π»Π° Π½Π΅Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π° ΠΈΠ·-Π·Π° Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ процСссом измСнчивости ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ с Π²Ρ‹Π½ΠΎΡΠ»ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π· распознавания Π±Ρ‹Π» ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ V T, Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ . На рисункС S16D ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ распознавания, извлСчСнная ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ логичСского Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Π±Π΅Π· V T, Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ ΠΈ с V T, Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ , ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ синапсов ( G ) Π±Ρ‹Π»Π° аномально ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π° процСссом. -индуцированная ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Ρ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ с Π²Ρ‹Π½ΠΎΡΠ»ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.НапримСр, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ G случайно ΠΈ Π½Π΅Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΎ Π½Π° 2 G ΠΌΠΈΠ½ . Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ распознавания Π±Ρ‹Π»Π° сниТСна ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния частоты ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π·ΠΎΠ² устройства, Ссли Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π΅ примСняСтся модуляция V T, ΡΡ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ . Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС сбой распознавания Π±Ρ‹Π» Π±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° V T, срабатываниС Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ. Π­Ρ‚ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Π΄ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эффСктивная ΠΈ надСТная нСйронная ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ многоступСнчатого однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π°.

Рис. 6. РаспознаваниС Π»ΠΈΡ† с ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ отраТСния ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… характСристик однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ синапса.

( A ) Пиковая нСйронная ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ для распознавания Π»ΠΈΡ†. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ слой состоит ΠΈΠ· 1024 Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ пиксСль, срСдний слой состоит ΠΈΠ· 20 Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ слой состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Π»ΠΈΡ†ΠΎ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊΠ°. ( B ) УпрощСнная ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ соСдинСниС Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° с синапсом.Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² прСобразуСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° сигналов для создания ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, примСняСмого ΠΊ синапсу для обучСния пластичности, зависящСй ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ всплСска. ( C ) Π”Π΅Π²ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Ρ‡Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊ. ( D ) Π’ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° массива синапсов для прСдставлСния проводимости синапсов: Β«Π΄ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈΒ», «послС Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ с Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌΒ» ΠΈ «послС Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π±Π΅Π· Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ тормоТСния». ( E ) Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ скорости распознавания Π² зависимости ΠΎΡ‚ количСства Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… эпох ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ «послС Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ с Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌΒ» ΠΈ «послС Ρ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π±Π΅Π· Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ тормоТСния».Β«Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ распознавания достигаСтся Π·Π° счСт тормозящСй Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½ΠΎΠ². Π€ΠΎΡ‚ΠΎ: J.-K. Π₯Π°Π½, ΠšΠΎΡ€Π΅ΠΉΡΠΊΠΈΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²ΠΎΠΉ институт Π½Π°ΡƒΠΊΠΈ ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ (KAIST).

Для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½ΠΎΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ сСти Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π±Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π° Π² максимально Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ стСпСни. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΎΡ†Π΅Π½Π΅Π½Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΡ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ устройства ΠΊ устройству однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ синапса Π½Π° основС SONOS, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S17. Π‘ΠΈΠ½ΠΈΠ΅ символы ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ состояниС с высоким Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π’, T , Ρ‡Ρ‚ΠΎ большС элСктронов Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ, Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ символы ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ состояниС с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π’, T , Ρ‡Ρ‚ΠΎ мСньшС элСктронов Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ.ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоС Π’ T ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоС ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС срабатывания для Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства ΠΈ мСньший вСс для синаптичСского устройства. Напротив, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π’ T Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС срабатывания для Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокий вСс для синаптичСского устройства. Для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя состояниями использовался ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ 11,5 Π’ с Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° 500 мкс для Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° элСктронов, Π° ΡΡ‚ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ -11,5 Π’ с Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° 50 мс использовался для удалСния элСктронов.ΠšΡƒΠΌΡƒΠ»ΡΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ распрСдСлСниС V T , Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° ΠΊ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Ρƒ, Π±Ρ‹Π»ΠΎ построСно послС 50 Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² Π½Π° рис. S17A. Π•Π³ΠΎ SD для высокого V T ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ V T составляли 0,0103 ΠΈ 0,0185 соотвСтствСнно. Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ кумулятивноС распрСдСлСниС V T , Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ устройства ΠΊ устройству, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ нанСсСно Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ для 40 Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ² Π½Π° рис. S17B. Π•Π³ΠΎ SD для высокого V T ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ V T Π±Ρ‹Π»ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ 0.0369 ΠΈ 0,0428 соотвСтствСнно. Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· этих Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Ρ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства ΠΈ процСсса Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Π·Π°Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΠΎΠ²Π°Π²ΡˆΠ΅ΠΉ сСбя Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ CMOS. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π±Ρ‹Π»Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π° Π²Ρ‹Π½ΠΎΡΠ»ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ однотранзисторного Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ синапса Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ SONOS. Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. S18 ΠΎΡ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ сдвиг V T ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ Π² Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… диэлСктриках. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ сдвиг Π½Π° Π’, , , Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ мСньшС, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС срабатывания Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π° ΠΈ вСс синапса ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Ρ‹.Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сниТСниС скорости обучСния ΠΈ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΊΡƒ логичСского Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ΠΉΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ сСти. Для дальнСйшСго ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ характСристик износостойкости ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³ ΠΏΠΎΠ΄ высоким Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄ с высоким содСрТаниСм крСмния ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ ( 50 52 ).

ВСория транзисторов — транзисторы с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ

Вранзисторы с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ

Π’Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ обсуТдСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ с прямым смСщСниСм сравнимо с элСмСнтом схСмы с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ пропускаСт большой Ρ‚ΠΎΠΊ для Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС.Π’ свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм сопоставим с высокоомный элСмСнт схСмы. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Π° Ома для мощности ( P = I 2 R ) ΠΈ Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ поддСрТиваСтся постоянным, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, развиваСмая ΠΏΡ€ΠΈ высоком сопротивлСнии, большС Ρ‡Π΅ΠΌ это Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Π»ΠΎΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ сопротивлСнии. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ссли Π±Ρ‹ кристалл содСрТал Π΄Π²Π° PN ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ с прямым смСщСниСм, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм), сигнал ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ с прямым смСщСниСм ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ сигнал Π½Π° обратносмСщСнном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Ρˆ Π² мощности. Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кристалл. Π­Ρ‚Π° концСпция являСтся основной Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠ΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ транзистор усиливаСтся. Вспомнив эту ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ, Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ нСпосрСдствСнно ΠΊ транзистор NPN.

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора NPN

Как ΠΈ Π² случаС Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° с PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» N, ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄Π²Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π²Ρ‹Π΅ сСкции транзистора N P N содСрТат Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ количСство свободных элСктронов, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ сСкция P содСрТит ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ количСство отвСрстий.Акция Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ пСрСкрСсткС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ этими сСкциями Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ описанноС для Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°; это, Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ области истощСния ΠΈ появляСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор Π² качСствС усилитСля ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· этих ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ внСшним напряТСниСм смСщСния. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор ΠΌΠΎΠ³ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² этой Смкости, ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ PN ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π°) смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм. Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ PN ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€) смСщСн Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, ΠΈΠ»ΠΈ с высоким сопротивлСниСм, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅.ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ способ Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ транзистор Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² наблюдСнии Π·Π° элСмСнтами NPN ΠΈΠ»ΠΈ PNP, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… состоит транзистор. Π‘ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ Π­Ρ‚ΠΈ элСмСнты ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, ΠΊΠ°ΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния. НапримСр, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° транзистор NPN Π½ΠΈΠΆΠ΅:

1. Π˜Π·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ N PN, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ n ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ сторона Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ основаниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ являСтся Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ (N P N), ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сторонС p .

2. Однако, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС для ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ полярности. ( p ositive), Ρ‡Π΅ΠΌ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π΅Π³ΠΎ Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (NP N ). НапряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅:

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Ρƒ нас Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ смСщСнный NPN-транзистор.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π±Π°Π·Π° транзистора N P N Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ p ositive с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра, Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π΅Π΅ Π±Π°Π·Ρ‹.

NPN Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ с прямым смСщСниСм

Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ вынСсти Π² Ρ‚ΠΎ врСмя, ΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π΅ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²ΠΎ врСмя объяснСния Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, это Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ„Π°ΠΊΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» N с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны смСщСнного Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ сильно Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» Π . Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· соСдинСниС ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎΠΌ элСктронов-носитСлСй ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N, Ρ‡Π΅ΠΌ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ-носитСли ΠΈΠ· P ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π». Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· смСщСнный Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅, это Π² основном элСктронов основных носитСлСй заряда ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N (эмиттСр).

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² NPN-транзисторС.

Когда ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Π½Π° рисункС смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, элСктроны ΠΏΠΎΠΊΠΈΠ΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» N (эмиттСр). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ элСктроны ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основными носитСлями Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π΅ N, ΠΎΠ½ΠΈ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ проходят Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСр ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΠ΅Ρ‡ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈ ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ с отвСрстиями Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π΅ P (основаниС). Для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ элСктрона, Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΡƒ Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π΅ P, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ элСктрон ΠΏΠΎΠΊΠΈΠ½Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» P (образуя Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ отвСрстиС) ΠΈ Π²ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ полюс Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ.

Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм NPN

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ (Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€), ΠΈΠ»ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ Π΅Π³ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, обратносмСщСнный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. (рисунок Π½ΠΈΠΆΠ΅), Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ пСрСсСчСниС соСдинСния Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎΠΌ носитСлСй Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· это соСдинСниС ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ слабый Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ называСтся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ . Как Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅, этот Ρ‚ΠΎΠΊ создавался элСктронно-Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠΈ. ΠœΠΈΠ½ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Π΅ носитСли PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм — это элСктронов, Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π΅ P ΠΈ отвСрстий, Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π΅ N.Π­Ρ‚ΠΈ нСосновныС носитСли фактичСски проводят Ρ‚ΠΎΠΊ для обратносмСщСнный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° элСктроны ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° P входят Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» N, ΠΈ отвСрстия ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N входят Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» P. Однако ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠ΅ элСктроны (ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅) ΠΈΠ³Ρ€Π°ΡŽΡ‚ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора NPN.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ-смСщСнный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² NPN-транзисторС.

На этом этапС Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ вопросом, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ соСдинСниС PN (Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€) Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚. прямоС смСщСниС, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ PN ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ (эмиттСр-Π±Π°Π·Π°).Если ΠΎΠ±Π° пСрСкрСстка Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π±Ρ‹ смСщСны Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄, элСктроны ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΈ Π±Ρ‹ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΈΠ· ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π²ΠΎΠΉ участок транзистора N P N (эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€) Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΡΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΡŽ P (основаниС). По сути, Ρƒ нас Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π±Ρ‹ Π΄Π²Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… общая Π±Π°Π·Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ любоС усилСниС ΠΈ сводит Π½Π° Π½Π΅Ρ‚ Ρ†Π΅Π»ΡŒ транзистор. БСйчас умСстно ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ прСдостСрСТСниС. Если Ρ‚Π΅Π±Π΅ слСдуСт ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΎΡ‡Π½ΠΎ смСщаСт Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‡Ρ€Π΅Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ достаточно Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ соСдинСния, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ транзистор бСсполСзСн.ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния смСщСния ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ. ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… элСктричСских ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ.

NPN Junction ВзаимодСйствиС

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΌΡ‹ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΌΡ‹ размСстим Π΄Π²Π° соСдинСния ΠžΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ NPN-транзистор. Для Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π³ΠΎ понимания Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ эти Π΄Π²Π° соСдинСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ вмСстС, Π²ΠΎ врСмя обсуТдСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΊ рисунку Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора NPN.

Π‘Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ смСщСния Π½Π° этом рисункС ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ V CC для ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС питания, ΠΈ Π’ BB для Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ базовая батарСя питания довольно ΠΌΠ°Π»Π°, Π½Π° Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ количСство ячССк Π² Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅Π΅, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 1 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈΠ»ΠΈ мСньшС. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ базовая ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π°, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 6 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Как Π²Ρ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅, эта Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π² напряТСниях питания Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π» ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ.

Как ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅, Ρ‚ΠΎΠΊ Π²ΠΎ внСшнСй Ρ†Π΅ΠΏΠΈ всСгда обусловлСн двиТСнию свободных элСктронов. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, элСктроны Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‚ ΠΈΠ· ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… аккумуляторов ΠΊ эмиттСру N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.Π­Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронов извСстСн ΠΊΠ°ΠΊ эмиттСрный Ρ‚ΠΎΠΊ ( I E ). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ элСктроны ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основными носитСлями Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π΅ N, ΠΎΠ½ΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСр N ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСр-Π±Π°Π·Π°. Π‘ этим пСрСкрСстком Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ смСщСнныС, элСктроны ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ. Как Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ элСктроны окаТутся Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ основаниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ прСдставляСт собой ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, , Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΎΠ½ΠΈ становятся нСосновными носитСлями . НСкоторыС элСктроны, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Π² основаниС, Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ с доступными Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ.Для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ элСктрона, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ элСктрон ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· основаниС. ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ I B (созданиС Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ отвСрстия для возмоТная комбинация) ΠΈ возвращаСтся Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΡŽ питания Π’ BB . Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚, Ρ‚Π΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ касаСтся ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ транзистор Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивным, базовая ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ сдСлана ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ ΠΈ слСгка Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ элСктрона. с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΉ ΠΈ потСряйся.Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ элСктронов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ двиТутся Π² Π±Π°Π·Ρƒ области ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄ влияниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° большой мощности. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ прямоС смСщСниС для нСосновных носитСлСй (элСктронов) Π² Π±Π°Π·Π΅ ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅, ускоряСт ΠΈΡ… Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· соСдинСниС Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, элСктроны ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° , снова становятся основными носитСлями Ρ‚ΠΎΠΊΠ° . Попадая Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, элСктроны Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ проходят Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» N ΠΈ Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‚ ΠΊ ΠΏΠ»ΡŽΡΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ аккумуляторной Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ Π’ CC ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ( I C ).

Для дальнСйшСго ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ эффСктивности транзистора ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ дСлаСтся физичСски большС основания ΠΏΠΎ Π΄Π²ΡƒΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌ: (1) для увСличСния Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ сбора пСрСносчиков, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² сторону, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ нСпосрСдствСнно Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ (2), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΌΠΎΠ³ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ большС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΉ.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² транзисторС NPN ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ I E составляСт 100 ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².На с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ основаниС ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠ΅ ΠΈ слСгка Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ΅, Ρ‚ΠΎ мСньший ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра) Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Π² Π±Π°Π·Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 2–5 ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ — это Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ( I B ), Π° ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡˆΠΈΠΉΡΡ ΠžΡ‚ 95 Π΄ΠΎ 98 ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² составляСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ( I C ). ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ простой сущСствуСт связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ этими двумя Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ:

ΠŸΡ€ΠΎΡ‰Π΅ говоря, это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ.ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ количСство Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, выходящСго ΠΈΠ· эмиттСра, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ функция смСщСния эмиттСр-Π±Π°Π·Π°, ΠΈ ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ этого Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎ нСбольшоС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ смСщСния эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ большСС влияниС Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСбольшоС смСщСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° управляСт ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большой Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора PNP

Вранзистор PNP Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ практичСски Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ транзистор NPN.Однако, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ эмиттСр, Π±Π°Π·Π° ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π² транзисторС PNP сдСланы ΠΈΠ· ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² транзисторС NPN, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ носитСлСй Π² Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ PNP. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ носитСлСй Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² транзисторС PNP — это Π΄Ρ‹Ρ€Ρ‹. Π’ этом ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ NPN-транзистора, Π³Π΄Π΅ большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° носитСлями ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктроны. Для ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ этого Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°), Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ смСщСния помСняны мСстами для транзистора PNP. Випичная ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π·ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ Настройка для транзистора PNP ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅.Π—Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ примСняСтся ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€Π°, использованная Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ для ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния NPN-транзистора. здСсь ΠΊ транзистору PNP. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° (P) Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ P NP ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ для эмиттСра ( p ositive), Π° вторая Π±ΡƒΠΊΠ²Π° (N) ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ( n egative). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ всСгда ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния ( n egative) Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ для ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π±Π°Π·Π° транзистора P N P Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ n ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊ эмиттСру, Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π±Π°Π·Π°. ΠŸΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² случаС с NPN-транзистором, эта Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π² напряТСниС питания Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ для протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ отвСрстия Π² корпусС транзистора PNP) ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ. Π₯отя Π΄Ρ‹Ρ€Π° ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ являСтся ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² транзисторС PNP, отвСрстиС ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ происходит Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ самого транзистора, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ элСктроны Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‚ Π² внСшняя Ρ†Π΅ΠΏΡŒ.Однако ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΡƒ элСктронов Π²ΠΎ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°Ρ…, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊ транзистору.

Вранзистор PNP с ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм.


Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ с прямым смСщСниСм PNP

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ рассмотрим, Ρ‡Ρ‚ΠΎ происходит, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Π² рисунок Π½ΠΈΠΆΠ΅ смСщСн Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ настройкС смСщСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° аккумулятора ΠΎΡ‚Ρ‚Π°Π»ΠΊΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ эмиттСрныС отвСрстия ΠΊ основанию, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ направляСт Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ элСктроны ΠΊ эмиттСру.Когда эмиттСрная Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ° ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСктрон Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ, ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ. Для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ элСктрона, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ соСдиняСтся с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΎΠΉ, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ элСктрон ΠΏΠΎΠΊΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ аккумулятор ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Π±Π°Π·Ρƒ. ΠŸΡ€ΠΈ этом элСктрон ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ эмиттСр, создавая Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ отвСрстиС, ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ батарСя. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронов Π² Π±Π°Π·Ρƒ ΠΈ ΠΈΠ· эмиттСра. составляСт Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ( I B ), ΠΈ ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ этих элСктронов Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ схСмой эмиттСр-Π±Π°Π·Π°.

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² транзисторС PNP.


Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм PNP

Π’ обратносмСщСнном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ (рисунок Π½ΠΈΠΆΠ΅) ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π±Π»ΠΎΠΊΠ΅ основных носитСлСй Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ пСрСсСчСния пСрСкрСстка. Однако это ΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ прямоС смСщСниС для нСосновных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… отвСрстий Π² основании, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΠ΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ стык ΠΈ Π²ΠΎΠΉΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. нСосновных элСктронов Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ воспринимаСт прямоС смСщСниС — ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π±Π°Π·Ρ‹ — ΠΈ пСрСмСщаСтся Π² Π±Π°Π·Ρƒ. ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΠΈΡ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Ρ‹ элСктронами, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‚ ΠΈΠ· ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° аккумуляторной Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ этом элСктроны ΠΏΠΎΠΊΠΈΠ΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ элСктроны Π² основании Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ свои ΠΊΠΎΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ связи ΠΈ входят Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ полюс аккумуляторной Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ. Π₯отя Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм ΠΎΠ½ всС Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π» ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ количСство нСосновных носитСлСй Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ-смСщСнный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² PNP-транзисторС.


Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ PNP

ВзаимодСйствиС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ прямыми ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ смСщСнными ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π² PNP транзистор ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆ Π½Π° транзистор NPN, Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² PNP транзистор, Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ носитСлСй Ρ‚ΠΎΠΊΠ° — Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ. Π’ транзисторС PNP, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Π½Π° На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° эмиттСрС ΠΎΡ‚Ρ‚Π°Π»ΠΊΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ отвСрстия ΠΊ основанию. Попав Π² Π±Π°Π·Ρƒ, Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ с элСктронами Π±Π°Π·Ρ‹.Но ΠΎΠΏΡΡ‚ΡŒ ΠΆΠ΅, ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ базовая ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ сдСлана ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ с элСктроны. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 90 ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² отвСрстий, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ входят Π² основаниС, становятся ΠΏΡ€ΠΈΡ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΌΡƒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ проходят прямо Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ. Однако для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ элСктрона ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² основной области, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ элСктрон ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΠšΠ‘ ( V BB ) ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Π±Π°Π·Ρƒ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ( I B ).Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя элСктрон ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ элСктрон ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ эмиттСр ΠΊΠ°ΠΊ I E (созданиС Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ отвСрстия) ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π’ BB . ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΌ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ элСктроны ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ ( V CC ) ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΊΠ°ΠΊ I C ΠΈ совмСщаСм с лишними отвСрстиями ΠΎΡ‚ основания. Для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, Π½Π΅ΠΉΡ‚Ρ€Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ элСктроном, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ элСктрон ΠΏΠΎΠΊΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ эмиттСр ΠΈ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ свой ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ V CC .

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора PNP.

Π₯отя Ρ‚ΠΎΠΊ Π²ΠΎ внСшнСй Ρ†Π΅ΠΏΠΈ PNP-транзистора ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ транзистору NPN, Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ носитСлСй всСгда ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ°ΠΆΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ·Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистор. Одна пСтля — это ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π° другая пСтля — это ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠšΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… эти ΠΏΠ΅Ρ‚Π»ΠΈ ( I B + I C ) Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π² ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора ( I E ).Π‘Π°ΠΌΠΎΠ΅ Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎ Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠ°Ρ… транзисторов Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° напряТСниС транзистора PNP ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΆΠ΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ воздСйствиС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ NPN-транзистора. ΠŸΡ€ΠΎΡ‰Π΅ говоря, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ прямоС смСщСниС транзистора ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€. Π­Ρ‚ΠΎ дСйствиС позволяСт Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ количСству носитСлСй Π΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, вызывая ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· внСшняя Ρ†Π΅ΠΏΡŒ. И Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния прямого смСщСния сниТаСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *