Транзистор с5802 характеристики цоколевка: C5802 даташит SavantIC техническое описание радиодетали, Search ——> 2SC5802 описание на русском аналог микросхема

alexxlabРазное

Транзистор 13007: характеристики, цоколевка, отечественные аналоги

13007 — кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S, TO263, TO3P). 

Основная информация представленна для модели FJP13007. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Содержание

  1. Корпус, цоколевка
  2. Предназначение
  3. Характерные особенности
  4. Предельные эксплуатационные характеристики
  5. Электрические параметры
  6. Классификация по величине hFE
  7. Модификации транзистора 13007
  8. Аналоги
  9. Отечественное производство
  10. Зарубежное производство
  11. Графические иллюстрации характеристик

Корпус, цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для использования в высокочастотных электронных схемах преобразователей, инверторов, импульсных модуляторов, систем электропривода и схем электронного балласта.

Характерные особенности

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 400 В.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 2,0 В при IC = 5 А.
  • Высокая скорость переключений: tf ≤ 0,7 мкс.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикиОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO9
Ток коллектора постоянный, АIC8
Ток коллектора импульсный, АICP16
Ток базы постоянный, АIB4
Предельная рассеиваемая мощность, ВтTa = 25°CPC2
Tc = 25°CPC80
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°Tstg-65…+150

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВU(BR)CEOIC = 10 мА, IB = 0≥ 400
Ток эмиттера выключения, мАIEBOUEB = 9 В, IC = 0≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, ВUCE(sat) (1)IC = 2,0А, IB = 0,4 А≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, ВUCE(sat) (2)IC = 5,0А, IB = 1,0 А≤ 2,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, ВUCE(sat) (3)IC = 8,0А, IB = 2,0 А≤ 3,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, ВUBE(sat) (1)IC = 2,0А, IB = 0,4 А≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, ВUBE(sat) (2)IC = 5,0А, IB = 1,0 А≤ 1,6
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE (1) UCE = 5,0 В, IC = 2,0 А8…60
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 5,0 А5…30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГцfTIC = 1,0 мА, UCE = 10 В≥ 4
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФCobUCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц110
Временные характеристики при резистивной нагрузке
Время нарастания импульса тока, мксtonUCC = 125 В, IC = 5 А,
IB1 = -IB2 = 1,0 А, RL = 25 Ом		1,6
Время сохранения импульса, мксts (tstg)3
Время спадания импульса, мксtf0,7

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Классификация по величине h

FE
Группа по величине hFEh2h3
Величина hFE15…2826…39

 

Модификации транзистора 13007

Данные по временным параметрам (ton, ts, tf) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

ТипPCUCBUCEUEBIC/ICMTJfTCobhFEUCE(sat)ton / ts / tfКорпусПримечания
130072/8570040099/-150≥ 5—8…35≤ 0,80,5/5,5/0,5TO220
13007DL2/80400200912/-150≥ 4—8…30≤ 1,01,0/6,0/0,5TO220
13007S2/7550035098/-150≥ 4—8…35≤ 0,60,9/6,0/0,5TO220
13007T2/8070040098/-150≥ 5—8…35≤ 0,80,5/5,0/0,5TO220
3DD130072/-70040098/-150≥ 4805…40≤ 1,0-/3,0/0,7TO263
3DD13007B82/8070040098/16150≥ 5—20…30≤ 1,00,5/5,0/0,5TO220AB
3DD13007B8D2/8070040097/14150≥ 5—15…30≤ 1,00,5/5,0/0,5TO220AB
3DD13007H8D2/9070040099/18150≥ 5—15…30≤ 1,01,0/6,0/0,5TO220AB
3DD13007K-/8070040098/16150≥ 4—8…50≤ 1,2-/4,0/0,7TO220
3DD13007X12/8070040098/16150≥ 5—20…35≤ 1,01,0/6,0/0,3TO220AB
3DD13007Y82/8052034097/14150≥ 4—20…35≤ 0,80,6/5,0/0,4TO220AB
3DD13007Z71,5/5035020098/16150≥ 4—15…30≤ 1,01,0/4,0/1,0TO126F
3DD13007Z82/7535020098/16150≥ 4—15…30≤ 1,01,0/4,0/1,0TO220AB
BR3DD13007
HV7R		2/4590050097/1415018808…40≤ 2,0-/8,0/0,6TO220
BR3DD13007
V8F		2/8070040098/16150≥ 8—8…40≤ 2,0-/9,0/0,6TO220F
BR3DD13007
V9P		2/8070040098/-150≥ 8—10…40≤ 0,9-/9,0/0,6TO3P
BR3DD13007
X7R		2/9070040098/16150≥ 51105…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220
BR3DD13007
X8F		2/9070040098/-150≥ 5—10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220F
BR3DD13007
X9P		2/9070040098/-150≥ 5—10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO3P
CDL130072/8070040098/-150≥ 4—8…40≤ 1,5-/3,6/0,8TO220 Группы по hFE: A/B/C/E
CDL13007D2/7570040094/-150≥ 5—10…50≤ 0,6-/3,6/0,8TO220Группы по hFE: A/B/C/E
CJE130072/8070040098/-150≥ 4—8…40≤ 1,5-/3,6/0,8TO220 Гр. по hFE: A/B
FJP130072/8070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220 Группы по hFE: h2/h3
FJPF13007-/4070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F Группы по hFE: h2/h3
HMJE13007-/8070040098/-150——5…48≤ 3,0—TO220
HMJE13007A-/8070040098/-150——13…25≤ 3,0—TO220
KSE13007-/8070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220
KSE13007F-/4070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F
KSh23007-/8070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220
KSh23007A-/8070040098/16150≥ 4805…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220
KSh23007AF-/4070040098/16150≥ 4805…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F
KSh23007F-/4070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F
KSh23007W-/8070040098/16150≥ 41105…40≤ 3,01,6/3,0/0,7TO263
(D2PAK)		 Группы по hFE: h2/h3/…/H5
MJE13007-/8070040098/16150≥ 4805…40≤ 3,01,5/3,0/0,7TO220AB
MJE13007A-/8070040098/16150≥ 41106…40≤ 3,00,7/3,0/0,7TO220
MJE13007D-/8070040098/16150≥ 4805…40≤ 3,01,5/3,0/0,7TO220
MJE13007DV72/8070040097/16150≥ 81105…40≤ 2,0-/9,0/0,6TO220
MJE13007F-/4070040098/16150≥ 411010…39≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220IS Группы по hFE: R/O
MJE13007HV72/4590050097/1415018808…40≤ 2,0-/8,0/0,6TO220
MJE13007M-/8570040098/16150≥ 4—5…40≤ 1,0-/7,0/0,3TO220/S
MJE13007M-/4570040098/16150≥ 4—5…40≤ 1,0-/7,0/0,3TO220FP
MJE13007V72/8070040098/16150≥ 81105…40≤ 2,0-/9,0/0,6TO220
MJE13007V82/8070040098/16150≥ 8—8…40≤ 2,0-/9,0/0,6TO220F
MJE13007V92/8070040098/-150≥ 8—10…40≤ 0,9-/9,0/0,6TO3P
MJE13007X72/90
70040098/16150≥ 51105…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220
MJE13007X82/9070040098/-150≥ 5—10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220F
MJE13007X92/9070040098/-150≥ 5—10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO3P
MJF13007-/4070040098/16150——5…40≤ 3,0—TO220F
PHE13007-/8070040098/16150——5…40≤ 3,0-/3,0/0,7TO220AB٭
SBF13007-O-/4070040098/16150≥ 4—5…40≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F
SBP13007D-/8070040098/16150≥ 46,510…40≤ 3,0-/3,6/1,6TO220
SBP13007-K2,05/8070040098/16150——5…40≤ 2,0-/3,0/0,4TO220٭
SBP13007-O2,05/8070040098/16150——5…40≤ 3,0-/3,0/0,4TO220٭
SBP13007-S2,1/8070040098/16150——5…40≤ 2,5-/3,0/0,4TO220٭
SBP13007-X-/100600400912/24150——6…40≤ 3,0-/3,0/0,4TO220٭
ST13007FP-/3670040098/16150——5…40≤ 3,0-/2,5/0,11TO220FP Гр. по hFE: A/B
٭٭
ST13007DFP-/3670040098/16150——8…40≤ 2,0-/2,3/0,15TO220FP٭٭
ST13007D-/8070040098/16150——8…40≤ 2,0-/2,3/0,15TO220٭٭
STB13007DT4-/8070040098/1615014805…45≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220AB
STD13007F-/4070040098/1615014805…45≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F-3L Гр. по hFE: A/B
STD13007FC-/4070040098/1615014805…45≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F-3SL Гр. по hFE: A/B
STD13007P-/8770040098/1615014805…45≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220AB
SXW13007-/80700400—8/-——10…40—-/4,0/-TO220
TS13007B-/8070040098/16150≥ 41805…40≤ 3,01,0/3,0/0,7TO220
WBP13007-K2,05/8070040098/16150——5…40≤ 2,0-/3,0/0,4TO220٭
UMT13007-/8070040088/-150≥ 42006——TO220

٭ — кроме того, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (ton, ts, tf) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (ts, tf) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, пускорегулирующих устройствах, схемах строчной развертки ТВ-приемников и во вторичных источниках электропитания.

Отечественное производство

ТипPCUCBUCE UEBIC/ICMTJfTCobhFEUCE(sat)ton / ts / tfКорпусПримечания
130072/8570040099/-150≥ 5—8…35≤ 0,80,5/5,5/0,5TO220
КТ8126А1-/8070040098/16150≥ 41205…40≤ 3,01,6/3,0/0,7КТ-28(TO220)
2Т856А-/125950950510/12———10…60≤ 1,5-/-/0,5КТ-9(TO3)
Б750750
Г850850
КТ872А-/10070070068/151507—6≤ 1,0-/6,7/0,8КТ-43(TO218)
КТ878А2/100900900625/30150≥ 1050012…50≤ 1,5-/3,0/-КТ-9(TO3)
КТ8107А-/100150070055/7150≥ 7≤ 75≥ 2,25≤ 1,0-/3,5/0,5КТ-43-2(TO218)
В1200
КТ8108А/Б/В-/7085085055/7150≥ 15≤ 7510…50≤ 1,0-/3,0/0,3КТ-9(TO3)
КТ8114А-/125150070068/15150 ——≥ 6≤ 1,0-/-/0,5КТ-43-2(TO218)
Б1200
КТ8118А-/5090075053/-150≥ 15 —10———
КТ8121А-/7570040054/8150≥ 4—8…60≤ 1,0-/3,0/0,4—
КТ8164А-/7570040094/8150≥ 41108…60≤ 1,00,8/4,0/0,9КТ-28(TO220)

Зарубежное производство

ТипPCUCBUCEUEBIC/ICMTJfTCobhFEUCE(sat)ton / ts / tfКорпус Примечания
130072/8570040099/-150≥ 5—8…35≤ 0,80,5/5,5/0,5TO220
13009T2/95700400911/-150≥ 5—8…40≤ 0,80,4/6,0/0,4TO220
BLD137D-/9070040098/-150——5…40≤ 1,5-/7,0/0,8TO220/S
BR3DD13009
X7R		2/9070040098/-150≥ 5—10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220
BR3DD13009
X8F		2/9070040098/-150≥ 5—10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220F
BUJ105A-/80700400—8/16150——10…36≤ 1,01,0/2,5/0,5TO220AB٭
BUJ106A-/80700400—10/20150——10…33≤ 1,00,75/3,3/0,75TO220AB٭
BUL67-/100700400910/18150——10…50≤ 1,5-/3,2/0,18TO220٭٭
BUL87-/110700400912/24150——8…40≤ 1,5-/3,4/0,165TO220٭٭
FJP3307D-/8070040098/16150—605…40≤ 3,0-/3,0/0,7TO220
MJE13009X72/9070040098/-150≥ 5—10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220
MJE13009X82/9070040098/-150≥ 5—10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220F
MJE13009ZJ2/90700400912/-150≥ 5—10…40≤ 1,2-/12,0/0,5TO220S
PHE13009-/80700400—12/24150——8…40≤ 2,0-/3,3/0,7TO220AB٭
SBP5307DO-/8070040098/16150——10…40≤ 3,0-/3,6-1,6TO220
SGSF341-/80850400—10/-175———≤ 1,51,2/3,5/0,4TO220٭
TSC148D-/8070040098/16150——8…40≤ 2,00,6/1,6/0,3TO220
TO263

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при коллекторном напряжении UCE = 5 В.

Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при соотношении токов IC/IB = 3.

Рис. 3. Зависимость влияния напряжения коллектор-база UCB на величину емкости коллекторного перехода Cob.

Рис. 4. Ограничение предельной тепловой нагрузки транзистора (максимально допустимой рассеиваемой мощности PC) при возрастании температуры корпуса Tc.

Рис. 5. Влияние величины коллекторной нагрузки IC на время задержки tD и время нарастания tR.

tD + tR = ton – время нарастания импульса (включения транзистора).

Характеристики сняты при условиях:

  • UCC = 125 В напряжение питания.
  • UBE(OFF) = 5 В напряжение база-эмиттер перед включением.
  • IС/IB = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 6. Влияние величины коллекторной нагрузки IC на время сохранения импульса ts (tstg) и время спадания импульса tf.

Характеристики сняты при условиях:

  • UCC = 125 В напряжение питания.
  • IС/IB = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.

Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).

Ограничения нагрузок:

  • по величине предельного тока коллектора IC ≤ 8 А, ICP ≤ 16 А;
  • по величине напряжения коллектор-эмиттер UCEO ≤ 400 В;
  • по общему перегреву п/п структуры;
  • по вторичному пробою п/п структуры.

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.

При индуктивном характере нагрузки могут возникать перенапряжения, значительно превышающие напряжение питания. Повысить запирающую способность транзистора и устойчивость к перенапряжениям удается введением отрицательного смещения по управляющему электроду (IB2 = -IB1 = -1А). В этом случае предельное напряжение коллектор-эмиттер повышается до уровня 700 В.

При снятии характеристик: напряжение питания UCC = 50 В, индуктивность L = 1 мГн.

Поиск распиновки транзистора

— педали Five Cats

17 марта 2022 г. | General Pedal Building

Легко найти основную информацию о наиболее часто используемых транзисторах! Введите поисковый запрос

ID Тип Распиновка Техническое описание Поиск
J201 N-канальный J-Fet J201 Лист данных
J112 N-канальный J-Fet J112 Лист данных
J113 N-канальный J-Fet J113 Лист данных
BC107 NPN – металлическая банка BC107 Лист данных
БК183Л НПН BC183L Лист данных
BC108 NPN – металлическая банка BC108 Лист данных
BC109 NPN – металлическая банка BC109 Лист данных
BC177 PNP – Металлическая банка BC177 Лист данных
2N5087 ПНП 2N5087 Лист данных
2N5088 НПН 2N5088 Лист данных
MPSA13 НПН Дарлингтон MPSA13 Спецификация
MPSA18 НПН Дарлингтон MPSA18 Лист данных
2N5089 НПН 2N5089 Лист данных
2N3906 ПНП 2N3906 Лист данных
2N3904 НПН 2N3904 Лист данных
2N2222 НПН 2N2222 Лист данных
2N2222 НПН 2N2222 Лист данных
2N2222A НПН 2N2222A Лист данных
2N4401 НПН 2N4401 Лист данных
2N5458 N-канальный J-Fet 2N5458 Лист данных
2N7000 N-канальный МОП-транзистор 2N7000 Лист данных
БС170 N-канальный МОП-транзистор BS170 Лист данных
MPF102 N-канальный J-Fet MPF102 Лист данных
ОС44 Германий ПНП OC44 Лист данных
ОС45 Германий ПНП OC45 Лист данных
ОС71 Германий ПНП OC71 Лист данных
ОС75 Германий ПНП OC75 Лист данных
ОС76 Германий ПНП OC76 Лист данных
ОС140 Германий ПНП OC140 Лист данных
ОС81 Германий PNP OC81 Лист данных
OC81D Германий ПНП OC81D Лист данных
АС125 Германий ПНП AC125 Лист данных
АС128 Германий ПНП AC128 Лист данных
АС188 Германий ПНП AC188 Лист данных
АС187 Германий ПНП AC187 Лист данных
НТК75 Германий ПНП NTK75 Лист данных
2N4125 НПН 2N4125 Лист данных
2N5459 N-канальный J-Fet 2N5459 Лист данных

Новинки от FiveCatsPedals.
co.uk

SONY HANDYCAM HDR-XR100 РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ Скачать Pdf

  • страница из 119

  • Содержание
  • Оглавление
  • Закладки

Реклама

Содержание

  • Specifications

  • Power Supply During Repairs

  • Method of Coping with Shift Lens Error

  • Note for Repair

  • Identifying Parts

  • Front Panel

  • Lens Block

  • Принципиальные схемы

  • Печатные монтажные платы

  • Печатные монтажные платы и принципиальные схемы

  • История изменений

HDR-XR100/XR100E/XR101/XR105E/XR106E/

РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ

Вер. 1.2 2009.06

История изменений

История изменений

Revised-1

Замена ранее выпущенного

РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ 9-852-653-32

данным руководством.

Link

Link

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

ТАБЛИЦА ИНФОРМАЦИИ О МОДЕЛЯХ

ПРИМЕЧАНИЕ

• Меры предосторожности при замене платы VC-548

Компоненты, обозначенные

меткой 0 или пунктирной линией с

меткой 0, имеют решающее значение для безопасности.

Заменять только указанным номером детали

.

HDR-XR100/XR100E/XR101/XR105E/XR106E/XR200/XR200E/XR200V/XR200VE_L2

9-852-653-33

XR200/XR200E/XR200V/XR200VE

Photo: HDR-XR200V

РАЗБОРКА

БЛОЧНЫЕ СХЕМЫ

СХЕМАТИЧЕСКИЕ СХЕМЫ РАМЫ

Составные части, идентифицируемые по номиналу

Марк 0, критические анализы для

Безопасность.

Ne les remplacer que par une piece

portant le numéro spécifié.

Похожие записи

05.09.2023 0

Coocox: CooCox. Текущее состояние дел. / CoIDE / Pluslab

05.09.2023 0

Приборы для измерения давления жидкости: Манометр — из чего состоит? Виды и типы

05.09.2023 0

Регулируемая индуктивность: Регулируемая катушка индуктивности на кольцевом сердечнике

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *