Транзистор tip41c характеристики: TIP41C , , datasheet, , ,

Содержание

TIP41C транзистор характеристики, datasheet, цоколевка, аналоги

Технические характеристики биполярного силового транзистора TIP41C позволяют использовать его в усилителях мощности и управляющих схемах, в которых нужна высокая скорость переключения. Также, их часто можно встретить в выходных каскадах высококачественных системах Hi-Fi. Данный компонент изготавливается из кремния (Si) по планарной технологии и имеет n-p-n структуру .

Цоколевка

Распиновка  TIP41C выполнена в корпусе (ТО-220), он изготавливается из пластмассы и имеет три жестких вывода. Как показано на рисунке ниже, их назначение у данного транзистора такое: первый вывод слева — база, второй – коллектор, третий – эмиттер.

Радиатор ТО-220 конструктивно объединен с коллекторным выводом. Эта особенность большинства транзисторов в подобном исполнении. Однако стоит отметить, что такое соединение отсутствует у устройства в полностью изолированном корпусе TO-220F (от Unisonic Technologies), так как у  него попросту отсутствует металлизированный теплоотвод.

Характеристики

Транзистор TIP41c характеризуются следующими предельно допустимыми значениями, при температуре корпуса  (TC

) не более 25 оC:

  • Напряжение между коллектором базой (VCBO) не должно быть больше – 100 В.
  • Напряжение между коллектором и эмиттером (VCEO) должно быть менее – 100 В.
  • Максимально возможное напряжение между эмиттером и базой (VEBO) – 5 В.
  • Постоянный (DC) предельный ток коллектора (IC) – 6 А.
  • Кратковременный (импульсный) допустимый ток коллектора (ICP) – 10 A.
  • Минимальная граничная частота (FT) до 3 МГц.
  • Ток базы (IB) – 2 А.
  • Максимальная мощность рассеиваемая на коллекторе (PC) – 65 Вт, или 2 Вт (при Tокр.ср. =25 оC).
  • Максимальная температура перехода (TJ) – 150 о
  • Диапазон рабочих температур (TSTG) от -65 до +150 о

В спецификациях различных производителей его параметры обычно приводятся вместе с братьями-близнецами TIP41A и TIP41B. Они отличаются от рассматриваемого, только более низкими предельно допустимыми значениями пропускаемых напряжений. В остальном являются его полной копией.

Электрические

За превышение вышеприведенных предельных значений придется расплачивается покупкой нового устройства. Обобщенные электрические характеристики TIP41C, представлены в следующей таблице. Они так же приведены с учетом T

C не превышающей 25 оC:

Особенности маркировки

Обозначение, выведенное на корпусе tip41C говорит о том, что он впервые был изготовлен на заводах американского производителя радиоэлектронных компонентов Texas Instruments. Первые две буквы «TI» указывают на маркировку этой известной компании, а последующая «P» на высокую мощность прибора (от английского слова «power»). Далее идет символ «С», который определяет принадлежность прибора к группе по максимально возможному напряжению в нагрузке (до 100 В).

В 2004 году ON Semiconductor, следуя новым экологическим нормам, выпустила усовершенствованный tip41CG.  Символ «G» указывает на отсутствие в устройстве свинца и соответствие его европейской директиве, ограничивающей содержание вредных веществ в радиоэлементах (Restriction of Hazardous Substances).

Аналоги и комплементарная пара

Для TIP41C замену или аналог достаточно сложно подобрать. Наиболее подходящими для него являются: 2SC2334, 2SD525, 2SD1059, BD711, BD911, BDT41C, MJE5180. Близкими по параметрам будут такие отечественные транзисторы как: КТ819Г и КТ8212А. В качестве комплементарной пары, в даташит многих производителей указан TIP42C.

Производители

Нажав по ссылке с именем производителя, можно скачать datasheet на tip41c, которых чаще всего встречается на прилавках российских магазинов: ON Semiconductor, Fairchild, STMicroelectronics и Inchange Semiconductor. Это полупроводниковый триод, изобретенный в 60-х года прошлого века компанией Texas Instruments, продолжают выпускать: KEC (Korea Electronics), Micro Commercial Components, Weitron Technology, Tiger Electronic, Thinki Semiconductor, Unisonic Technologies, Power Innovations, Boca Semiconductor Corporation, Wing Shing Computer Components, Dc Components, SemiHow, Inchange Semiconductor Company Limited, New Jersey Semi-Conductor Products, Guangdong Kexin Industrial, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH и другие.

Характеристики транзистора TIP41C, цоколевка, аналоги

TIP41C - NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор, предназначен для использования в линейных схемах средней мощности.

Отечественный аналог TIP41C

Особенности

  • Комплиментарная пара – TIP42C

Корпусное исполнение, цоколевка TIP41C

  • пластмассовый корпус TO-220

Характеристики транзистора TIP41C

Предельные параметры TIP41C

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICP):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO):

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO):

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (IB):

Максимально допустимая температура перехода (Tj):

Электрические характеристики транзисторов TIP41C (Т
C=25oС если не указано иное)

Коэффициент усиления транзистора по току(hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 4 V, при постоянном токе коллектоpа (IC) 3 A:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V

CE(sat))

  • 1.5 V при IC = 6 A, IB = 600 mA

Обратный ток коллектоpа при разомкнутом выводе базы (ICEO) (IB = 0)

Обратный ток коллектоpа при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) (VEB = 0)

  • 400 μA при VCE = 100 V

Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)

Постоянное напряжение база - эмиттеp (VBE(on)) при IC = 6 A, VCE = 4 V

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (VCEO(sus))

  • 100 V при IC = 30 mA, IB = 0

Граничная частота коэффициента передачи тока (fT)

  • 3 MHz при IC = 500 mA, VCE = 10 V

Опубликовано 05.02.2020

NPN; биполярный; 100В; 6А; 65Вт; TO220AB производства TIP41C

Количество Цена ₽/шт
+3 42
+10 38
+26 27
+120 26
Минимально 3 шт и кратно 1 шт

D880 транзистор характеристики и его российские аналоги

Высказывания:
Когда о вас говорят, то хуже этого может быть только одно — когда о вас не говорят.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD880-Y.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD880-Y .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2SD880-Y

транзистором 2N6500;
транзистором BD241A;
транзистором КТ805АМ;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-03-03 10:24:53

2SD880 — BD241A, BD537, BD937, 2SD712 — возможный аналог;
пользователь: BK , дата записи: 2017-03-09 14:21:38

Добавить аналог транзистора 2SD880-Y.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2SD880-Y? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор D880 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: D880

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO220

D880 Datasheet (PDF)

1.1. pmd880.pdf Size:129K _upd

PMD880 NPN SILICON TRIPLE DIFFSUED TRANSISTOR …designed for audio frequency power amplifier applications. TO-220AB MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 °C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 60 V Collector Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 7 V Collector Current IC 3 A Base Current IB 0.5 A Collector Power Dissipation Ta = 25 °C Pc 1.5 W Colle

1.2. ksd880.pdf Size:59K _fairchild_semi

KSD880 Low Frequency Power Amplifier � Complement to KSB834 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A IB Base Current 0.3 A PC Collector Dissip

1.3. 2sd880.pdf Size:149K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD880 NPN SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD880 is designed for audio frequency power amplifier applications. FEATURES * High DC Current Gain: hFE=200(Max.)(VCE=5V, IC=0.5A) * Low Saturation Voltage: VCE(SAT)=1.0V(Max.)(IC=3A, IB=0.3A) * High Power Dissipation: PC=30W (TC=25°C) * Complementary to 2SB834 O

1.4. 2sd880.pdf Size:131K _mospec

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON POWER TRANSISTOR CSD880 TO-220 Audio Frequency Power Amplifier Applications. Complementary CSB834 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current

1.6. 2sd880.pdf Size:92K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD880 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB834 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for use in audio frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=

1.7. 2sd880.pdf Size:258K _lge

2SD880(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features Low frequency power amplifier Complement to 2SB834 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Dimensions in inches and (millimeters) VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Cu

1.8. 2sd880.pdf Size:516K _wietron

2SD880 NPN Silicon Epitaxial Power Transistor P b Lead(Pb)-Free COLLECTOR 2 1 BASE 2 FEATURES: 3 1 * Low frequency power amplifier 1. BASE 2. COLLECTOR * Complement to 2SB834 3. EMITTER 3 TO-220 EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Vol

1.9. hed880.pdf Size:72K _shantou-huashan

 N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HED880 █ APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) TO-220AB Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55

150℃ Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 150℃ PC——Collector Dissipation(Tc=25℃)�

1.10. hd880.pdf Size:151K _shantou-huashan

N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HD880 █ APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) TO-220 Tstg——Storage Temperature………………………… -55

150℃ Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation(Tc=25℃)……�

1.11. d880.pdf Size:118K _jdsemi

R D880 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1. 1. 1.APPLICATION 1. Charger、Emergency lamp and Electric toy control circuit 2. 2. 2.FEATURES 2.

1.12. ftd880.pdf Size:210K _first_silicon

SEMICONDUCTOR FTD880 TECHNICAL DATA FTD880 TRANSISTOR (NPN) A O FEATURES C F Low Frequency Power Amplifier E Complement to FTB834 B DIM MILLIMETERS A 10.15 ± 0.15 B 15.30 MAX C 1.3+0.1/-0.15 P D 0.8 ± 0.1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) E 3.8 ± 0.2 F 2.7 ± 0.2 J H 0.4 ± 0.15 Symbol Parameter Value Unit D J 13.6 ± 0.2 N 2.54 ± 0.2 H N

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам , решил создать таблицу аналогов . Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

ИМПОРТНЫЙ — ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ

1561-1008 2Т874А
1561-1015 2Т874Б
2005A 2Т942Б
2023-1,5 2Т9155Б
2023-1,5T КТ9153А
2023-3 2Т9155А
2023-6 2Т9146А, 2Т9158Б
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2307(A) 2Т9103А
46120 2Т962Б
222430 2Т9158А
27AM05 КТ9170А
2L08 2Т937А
2L15A 2Т937Б
2L15B КТ937Б
2N656 КТ6111А, Б
2N657 КТ6111В, Г
2N709 КТ397А
2N735A 2Т3130Г
2N739 КТ117БМ
2N844 КТ117ГМ, 2Т3130Д
2N1051 КТ6110В, Г, Д
2N1573 КТ117ВМ
2N1820 2Т862А
2N1923 КТ117АМ
2N2218 2Т649А, КТ928А
2N2218A КТ647А
2N2219 КТ928Б
2N2219A КТ928В
2N2221 КТ3117А
2N2222A КТ3117Б
2N2224 КТ638А
2N2369 КТ3142А
2N2459 2Т3130В
2N2463 2Т3130Б
2N2615 КТ3132Д
2N2616 КТ3132Е
2N2646 КТ132А
2N2647 КТ132Б
2N2712 КТ315А, Б
2N2784 КТ3101АМ
2N2906 КТ313А
2N2906A КТ313Б, 2Т3160А
2N3054 КТ723А
2N3055 КТ819ГМ
2N3114 КТ6117А
2N3397 КТ315Ж…Р
2N3584 2Т881Д
2N3712 КТ6117Б
2N3725 КТ635Б
2N3737 КТ659А
2N3839 КТ370А
2N3903 КТ645А
2N3904 КТ3117Б, КТ6137А
2N3905 КТ313А
2N3906 КТ313Б, КТ6136А
2N4123 КТ503А
2N4124 КТ503Б
2N4125 КТ502А
2N4126 КТ502Б
2N4128 КТ997В
2N4237 КТ719А
2N4238 КТ721А
2N4260 2Т3135А
2N4261 2Т3135Б
2N4400 КТ660А
2N4401 КТ660А
2N4402 КТ685А
2N4403 КТ685В
2N4411 КТ3127А
2N4440 КТ972В
2N4870 КТ133А
2N4871 КТ133Б
2N4913 КТ866Б
2N4914 КТ890А
2N4915 КТ890Б
2N4934 2Т939А
2N4976 КТ996А
2N5050 2Т892В
2N5086 КТ3107Б
2N5087 КТ3107К
2N5088 КТ3102Е
2N5089 КТ3102Е
2N5102 КТ921А, В
2N5177 2Т998А
2N5210 КТ3102Б
2N5240 КТ898А
2N5400 КТ698И, КТ6116Б
2N5401 КТ698К, КТ6116А
2N5550 КТ6127И, КТ6117Б
2N5551 КТ6127К, КТ6117А
2N5642 2Т945В, Г
2N5643 2Т949А
2N5651 КТ390Б
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2N5995 КТ972Г
2N5996 2Т945А, Б
2N6077 КТ898Б
2N6180 2Т877Г, КТ9180А, Б
2N6181 КТ9180В, Г
2N6428 КТ3117Б
2N6428A КТ3117Б
2N6515 КТ504Б
2N6516 КТ504В
2N6517 КТ504А
2N6518 КТ505Б
2N6519 КТ505А
2N6520 КТ505А
2N6679 КТ640Б
2N6701 КТ647А
2N7002LT1 КП214А9
2N7089 2П712Б
2SA555 КТ361А, Г, Д
2SA556 КТ361Ж, И
2SA715B КТ664А
2SA715C КТ664Б
2SA715D КТ6102А
2SA733 G КТ3107И
2SA733 L КТ3107И
2SA733 O КТ3107А
2SA733 R КТ3107А
2SA733 Y КТ3107Б
2SA738B КТ6116А, Б
2SA876H КТ313Г
2SA1009AM 2Т887А, Б
2SA1015 КТ502Е
2SA1090 КТ313В
2SA1175 КТ3107
2SA1584 2Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г
2SA1660 2Т3129Б, КТ3171А
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
2SA1815 КТ503Е
2SA2785 КТ3102
2SB596 КТ9176А
2SB834 КТ842В
2SB1220Q 2Т3129А
2SC40 КТ3101АМ
2SC64 КТ6110А, Б
2SC380 КТ315Г
2SC388 КТ315Г
2SC404 КТ359А
2SC495 КТ646А
2SC496 КТ646Б
2SC543-5 КП302А1-Г1
2SC601 КТ396А
2SC633 КТ315А, Б
2SC634 КТ315Д, Е
2SC641 КТ315Ж…Р
2SC651 2Т610А
2SC945G КТ3102Б
2SC945L КТ3102Б
2SC945O КТ3102А
2SC945R КТ3102А
2SC945Y КТ3102Б
2SC976 КТ996Б
2SC1173 КТ862Г
2SC1269 2Т642В
2SC1270 2Т642Г
2SC1334 КТ962А
2SC1365 КТ610А, Б
2SC1436 2Т862В
2SC1440 КТ945Б
2SC1443 КТ879Б
2SC1551 2Т682Б
2SC1552 2Т682В
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC1786 2Т862Б
2SC1815BL КТ3102Б
2SC1815GR КТ3102Б
2SC1815L КТ3102Б
2SC1815O КТ3102А
2SC1815Y КТ3102Б
2SC2027 КТ828Б
2SC2033 КТ934В, Д
2SC2093 2Т9102А, Б, 2Т9103Б
2SC2229 КТ940А
2SC2240BL КТ503Е
2SC2240GR КТ503Е
2SC2482 КТ940А
2SC2642 КТ934Б
2SC2688 КТ846
2SC2794 КТ866А
2SC3150K КТ8137А, КТ8144Б
2SC3271 КТ940А
2SC3272 КТ940А
2SC3306 КТ8144А
2SC3455L КТ878В
2SC3596F КТ9142А
2SC3994L КТ878А
2SC4055 КТ8146Б, КТ8150А
2SC4296 КТ858А
2SD401A КТ8146А, КТ8147Б
2SD405B 2Т9117Б
2SD675A КТ945В
2SD691 КТ945Г
2SD734 КТ660Б
2SD814 КТ3176А
2SD1220Q КТ3169А
2SD1279 КТ846Б
2SD1554 КТ838
2SD1761 КТ819
2SD1878 КТ838
2SK49 2П336А1, Б1
2SK444 2П340Б1
2SK508 2П340А1
2SK513 КП803Б
2SK653 3П345А2, Б2, КП364А…И
3SK132 КП403А
3SK162 КП333А
3SR137 КП333Б
A5916 КТ934А
A5918 КТ934Г
AD545 П216Б
A630 КТ946А
AD1202 П213Б
AD1203 П214Б
ADP665 ГТ403Б
ADP666 ГТ403Г
ADP670 П201АЭ
ADP671 П201АЭ
ADP672 П203Э
ADY27 ГТ703Б
AF106 ГТ328Б
AF106A ГТ328В
AF109 ГТ328А
AF139 ГТ346Б
AF178 ГТ309Б
AF200 ГТ328А
AF201 ГТ328А
AF202 ГТ328А
AF239 ГТ346А
AF239S ГТ346А
AF240 ГТ346Б
AF251 ГТ346А
AF252 ГТ346А
AF253 ГТ328А
AF256 ГТ348Б
AF260 П29А
AF261 П30
AF266 МП42Б, МП20А
AF271 ГТ322В
AF272 ГТ322В
AF275 ГТ322Б
AF279 ГТ330Ж
AF280 ГТ330И
AF426 ГТ322Б
AF427 ГТ322Б
AF428 ГТ322Б
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AFY11 ГТ313А
AFY12 ГТ328Б
AFY13 ГТ305В
AFY15 П30
AFY29 ГТ305Б
AFZ11 ГТ309Б
AL100 ГТ806В
AL102 ГТ806В
AL103 ГТ806Б
AM1416-200 2Т975А, Б
AM1416200 2Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б
ASX11 МП42Б
ASX12 МП42Б
ASY26 МП42А, МП20А
ASY31 МП42А
ASY33 МП42А, МП20А
ASY34 МП42А, МП20А
ASY35 МП42Б, МП20А
ASY70 МП42
ASY76 ГТ403Б
ASY76 ГТ403Г
ASY80 ГТ403Б
ASZ15 П217А, ГТ701А
ASZ16 П217А
ASZ17 П217А
ASZ18 П217В, ГТ701А
ASZ1015 П217В
ASZ1016 П217В
ASZ1017 П217В
ASZ1018 П217В
AT00510 2Т657А
AT00535 2Т657Б
AT00570 2Т657В
AT270 МП42Б, МП20А
AT275 МП42Б, МП20А
AT12570-5 КТ648А
AU103 ГТ810А
AU104 ГТ810А
AU107 ГТ810А
AU108 ГТ806Б
AU110 ГТ806Д
AU113 ГТ810А
AUY10 П608А, ГТ905А
AUY18 П214А
AUY19 П217
AUY20 П217
AUY21 П210Б
AUY21A П210Б
AUY22 П210Б
AUY22A П210Б
AUY28 П217
AUY35 ГТ806А
AUY38 ГТ806В
BAL004100 КТ970А
BC11 КТ638
BC12 КТ638
BC13 КТ638
BC14 КТ638
BC15 КТ638
BC16 КТ638
BC100 КТ605А
BC101 КТ301Е
BC107 КТ342А
BC107A КТ342А
BC107AP КТ3102А
BC107B КТ342Б
BC107BP КТ3102Б
BC108 КТ342
BC108A КТ342А
BC108AP КТ3102В
BC108B КТ342Б
BC108BP КТ3102В
BC108C КТ342В
BC108CP КТ3102Г
BC109B КТ342Б
BC109BP КТ3102Д, И
BC109C КТ342В
BC109CP КТ3102Е, К
BC140 КТ630Г
BC141 КТ630Г
BC141-16 КТ630Г
BC147A КТ373А
BC147B КТ373Б
BC148A КТ373А
BC148B КТ373Б
BC148C КТ373В
BC149B КТ373Б
BC149C КТ373В
BC157 КТ361Г
BC158A КТ349В
BC160B КТ933Б
BC161B КТ933А
BC167A КТ373А
BC167B КТ373Б
BC168A КТ373А
BC168B КТ373Б
BC168C КТ373В
BC169B КТ373Б
BC169C КТ373В
BC170A КТ375Б
BC170B КТ375Б
BC171A КТ373А
BC171B КТ373Б
BC172A КТ373А
BC172B КТ373Б
BC172C КТ373В
BC173B КТ373Б
BC173C КТ373В
BC174 КТ3102
BC177AP КТ3107А, Б
BC177VIP КТ3107Б, Б
BC178A КТ349В
BC178AP КТ3107В
BC178BP КТ3107Д
BC178VIP КТ3107В, Г
BC179AP КТ3107Е, Д
BC179BP КТ3107Ж, И
BC182 КТ3102
BC182A КТ3102А
BC182B КТ3102Б
BC182C КТ3102Б
BC183A КТ3102А
BC183B КТ3102Б
BC183C КТ3102Б, КТ3102Г
BC184A КТ3102Д
BC184B КТ3102Е
BC192 КТ351Б
BC212A КТ3107Б
BC212B КТ3107И
BC212C КТ3107К
BC213A КТ3107Б
BC213B КТ3107И
BC213C КТ3107К
BC216 КТ351А
BC216A КТ351А
BC218 КТ340Б
BC218A КТ340Б
BC223A КТ660Б
BC223B КТ660Б
BC226 КТ351Б
BC226A КТ351Б
BC234 КТ342А
BC234A КТ342А
BC235 КТ342Б
BC235A КТ342Б
BC237 КТ373Б
BC237A КТ3102А
BC237B КТ3102Б
BC237C КТ3102Б
BC238 КТ373В, КТ3102В
BC238A КТ3102А, КТ3102В
BC238B КТ3102В
BC238C КТ3102В, Г
BC239A КД3102Д
BC239B КТ3102Д, Ж
BC239C КТ3102Д, Е
BC250A КТ361А
BC250B КТ361Б
BC285 П308
BC300 КТ630Б
BC307A КТ3107Б
BC307B КТ3107И
BC307C КТ3107И
BC308 КТ3107Г
BC308A КТ3107Г, КТ3107Б
BC308B КТ3107Д
BC308C КТ3107К
BC309A КТ3107Е
BC309B КТ3107Ж
BC309C КТ3107Л
BC320A КТ3107Б
BC320B КТ3107Д
BC321A КТ3107Б
BC321B КТ3107И
BC321C КТ3107К
BC322B КТ3107Ж
BC322C КТ3107Л
BC327 КТ685А, КТ313
BC327-16 КТ686А
BC327-25 КТ686Б
BC327-40 КТ686В
BC328 КТ313
BC328-16 КТ686Г
BC328-25 КТ686Д
BC328-40 КТ686Е
BC337 КТ3102Б, КТ660А
BC337-16 КТ660А
BC337-25 КТ660А
BC337-40 КТ660А
BC337C КТ660А, КТ928
BC338 КТ645, КТ646, КТ660Б
BC338-16 КТ660Б
BC338-25 КТ660Б
BC338-40 КТ660Б
BC338C КТ660Б
BC355 КТ352Б
BC355A КТ352А
BC382B КТ3102Б
BC382C КТ3102Г
BC383B КТ3102Д
BC383C КТ3102Е
BC384B КТ3102Д
BC384C КТ3102Е
BC440 КТ630
BC446 КТ3107
BC451 КТ3102В
BC453 КТ3102Д
BC454A КТ3107Б
BC454B КТ3107И
BC454C КТ3107К
BC455A КТ3107Г
BC455B КТ3107Д, Е
BC455C КТ3107К
BC456A КТ3107Е
BC456B КТ3107Ж, И
BC456C КТ3107Л
BC513 КТ345А
BC516 КТ686Ж
BC517 КТ645А
BC526C КТ3107К, Л
BC527 КТ342Б, КТ342В
BC527-6 КТ629А, КТ6112А, Б
BC524-10 КТ6112В
BC528 КТ342В
BC546A КТ503Д
BC546B КТ3102Б, КТ3117Б
BC546C КТ3117Б
BC547 КТ3103А
BC547A КТ3102А
BC547B КТ3102Б
BC547C КТ3102Б, Г
BC548 КТ373А
BC548A КТ3102А, В
BC548B КТ3102В
BC548C КТ3102В, Г
BC549A КТ3102В
BC549B КТ3102В
BC549C КТ3102В, КТ3102ДМ
BC550A КТ3102А
BC550B КТ3102Б
BC550C КТ3102Б
BC556 КТ3107Б
BC556A КТ502Д
BC556B КТ502Д
BC556C КТ502Д
BC557 КТ3107
BC557A КТ3107Б
BC557B КТ3107И
BC557C КТ3107И
BC558A КТ3107Г
BC558B КТ3107Д
BC558C КТ3107К
BC559A КТ3107Е
BC559B КТ3107Ж
BC559C КТ3107Л
BC560A КТ3107Б
BC560B КТ3107И
BC560C КТ3107И
BC635 КТ503Б
BC636 КТ502Б
BC637 КТ503Г
BC638 КТ502Г
BC639 КТ503Е
BC640 КТ502Е
BC847A КТ3189А9
BC847B КТ3189Б9
BC847C КТ3189В9
BC857A КТ3129Б9
BC858A КТ3129В9
BC858B КТ3129Г9
BCW31 КТ3130В9
BCW47B КТ3187А
BCW71 КТ3130А9
BCW72 КТ3130Б8
BD135 КТ815Б
BD136 КТ626А, Е, КТ814Б, КТ6109А
BD137 КТ815В
BD138 КТ814В, КТ6104А
BD139 КТ815Г
BD140 КТ626Ж, КТ814Г, КТ6109А
BD165 КТ728А
BD166 КТ720А
BD168 КТ722А
BD170 КТ724А
BD202 2Т818А
BD204 2Т818Б
BD223 КТ856А
BD233 КТ817Б
BD234 КТ816Б
BD235 КТ817В
BD236 КТ816В
BD237 КТ817Г
BD238 КТ816Г
BD243C КТ819
BD370A6 КТ639А
BD372 КТ639Б
BD372A6 КТ639В
BD372A10 КТ639Г, Д
BD522 КП932А
BD676 КТ852Г
BD677 КТ829В
BD678 КТ852В
BD825 2Т642А
BD875 КТ972А
BD876 КТ973А
BD944 КТ856Б
BD946 КТ896А
BD948 КТ896Б
BDT21(A) КТ8101Б
BDV64 КТ8159В
BDV65 КТ8158В
BDW94 КТ818В
BDX78 2Т818В
BDX85 2Т716В
BDX85B 2Т716Б
BDX85C 2Т716А
BF177 КТ671А, 2Т3130Е
BF179B КТ682Б
BF189 КТ3172А
BF244A КП307Ж
BF245 КП303Е
BF258 КТ638Б
BF336 КТ6103А
BF337 КТ6113А, Б, В
BF339 КТ6113Г, Д, Е
BF371 КТ633Б
BD386 КТ629А
BF391 КТ698К
BF392 КТ504Б
BF393 КТ504В
BF410A 2П337АР, БР
BF422 КТ940А
BF423 КТ9115А
BF423S КТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В
BF457 КТ940Б
BF458 КТ940А
BF459 КТ940А
BF469 КТ969А
BF471 КТ846
BF491 КТ6127К
BF492 КТ505Б
BF493 КТ505А
BF506 КТ3126А
BF569 КТ3192А9
BF599 КТ368А9
BF680 КТ3109А
BF970 КТ9109В
BF979 КТ9109Б
BF998 2П347А2, КП402А
BFJ57 КТ6105А
BFL545 КП954А, Б
BFP23 КТ868А, Б
BFP720 КТ315В
BFP722 КТ315Г
BFR30 КП302А1-Г1
BFR37 КТ939А
BFY80 2Т3130А
BLY47A 2Т892А, Б
BSS88 КП504А
BSS92 КП508А
BSS124 КП502
BSS129 КП503А
BSS295 КП505А
BSS315 КП507А
BSW62A КТ361К, Л, М
BSW63A КТ361Н, П
BU108 КТ8107А, Б
BU205 КТ838Б
BU208A КТ8104А
BU289 КТ8101А
BU505 2SD818, BU705, KSD5064
BU508 КТ872А, В
BU508A КТ872Б
BU508AD КТ872А, Б
BU508AW BU508, BU508A
BU508D КТ846, КТ872В
BU508DW BU508AD, BU508D, BU508DR
BU807 КТ8156А
BU2506D КТ8248А
BU2508A КТ8224А
BU2508D КТ8224Б
BU2520DW KSD5090
BU2720DX 2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D
BU2725DX 2SD2553
BU4506AF 2SD2381
BU4506AX 2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065
BU4506DX 2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071
BU4507AX 2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076
BU4507DX 2SD870, 2SD1878, KSD5072
BU4508AF 2SD2301, 2SD2311
BU4508AX 2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513
BU4508DF 2SD2299, 2SD2300
BU4508DX 2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F
BU4508DZ 2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1
BU4522AX 2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088
BU4522DX 2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080
BU4523AX 2SD2500, 2SD2515, BUH715
BU4523DX 2SD2349, 2SD2514
BU4525AX 2SD1887
BU4525DX 2SD1881
BUX97 КТ8106А
BUX97A КТ8106Б
BUY90 КТ8107В, Г
BUZ71 КП727А
BV104P КТ8126А
BV2310 2П803А
BVK462 КП959А, Б, В
BVP38 КТ878Б
BVR11 КТ867А
BVT91 КТ879А
BVX14 КТ846В
BVZ90 КП809В, Г
BVZ90(A) КП809Д, Е
CD1412 2Т946А
CD6105 КТ930А
CDR075 2Т9118А
CX954 2Т370Б
D44H7 КТ9181А, Б
D62T4040 КТ886А
DC5108 2Т370А
DC5445 2Т642А
DI4044 КТ222АС-ВС
DVZ216 КП810А
F1014 КП953Г, Д
F1053 2П917А, Б, КП934А
FJ201E 2Т642Б
FLM5964-4C 3П927А2
FLV5964-8C 3П927Б2
HXTR4105 КТ640А
I02015A КТ9116Б
IRF510 КП743А
IRF520 КП744А
IRF530 КП745А, Б
IRF540 КП746А, Б
IRF610 КП748А
IRF620 КП749А
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRF710 КП731А
IRF720 КП751А
IRF730 КП752А
IRF830 КП753А
IRF5532 КП719Б
IRFBG30 КП803А
IRFR024 КП945А, Б
IRFZ30 КП727Б
IRFZ34 КП727В
IRFZ35 КП727Г
IRFZ40 КП723В
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRLZ44 КП723Г
IRLZ46 КП741А
IRLZ48 КП741Б
IXTP3N80(A) КП809А,Б
KC508 КТ342А
KF423 2Т3129Д, 2Т3152Б, Е
KSD882G КТ8296Г
KSD882O КТ8296Б
KSD882R КТ8296А
KSD882Y КТ8296В
LDR405B 2Т9118Б
LOT-1000D1-12B КТ979А
LT1739 КТ9171В
MA42181-510 КТ937А
MGF1802 3П606А2…В2
MI10000 КТ892Б, В
MI10004PF1 КТ892А
MIE13005 КТ8121А
MIL13004 КТ8121Б
MJE304 КТ504В
MJE350 КТ505А
MJE13001 КТ538А
MJE13002 КТ8170Б1
MJE13003 КТ8170А1
MJE13004 КТ8164Б
MJE13005 КТ8164А
MJE13007 КТ8126А
MJE2801T КТ9177А
MMBT3904 КТ3197А9
MMBT3906 КТ3196А9
MPF873 2Т987А
MPS706 КТ648А, КТ682А
MPS3866 2Т633А
MPS6512 КТ3184А
MPS6513 КТ3184Б
MPSL07 2Т3164А
MPS A-42 КТ604В
MPS A-43 КТ3127К
MPS A-92 КТ505А
MPS A-93 КТ698К
MRF136 2П942А, Б, В
MRF327 2Т970А
MRF422 КТ9160А, Б, В
MRF430 КТ9181В, Г
MRF515 КТ606А
MRF544 2Т9159А
MRF627 КТ606Б
MRF840 КТ962Б
MRF846 2Т9117В, Г, 2Т9118В
MRF1035MA 2Т962В
MRF1035MC КТ962В
MRF2016M 2Т948А
MSC0204100 КП934В
MSC81325M 2Т9127Д, Е
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC85853 2Т637А
MSM5964-2 3П927В2
MSM5964-5 3П927Г2
MSM5964-10 ЗП927Д2
MTP4N10 2П703Б
MTP5N05 КП932А
MTP8P10 2П712В
MTP12P08 2П712А
NE080481E-12 2Т9109А
NE1010E 2Т962А
NE3001 2Т9119А2
NE24318 2Т640А
NE56755 2Т647А, 2Т648А
NE56787 2Т642А
NE56854 2Т971А
NE56887 2Т634А, КТ634Б
NE57835 2Т682А
NE243188 КТ642А, 2Т643А
NE243287 2Т643Б
NE243499 2Т9108А
NEM2015 КТ948А
NTP7N05 КП922А, КП931 А, Б, В
PBC107B 2Т3158А
PBC108A 2Т3133А
PBC108B 2Т3133А
PDE1001 КТ607Б
PEE1000U 2Т607А
PEE1001T КТ607А
PFP12P08 КП719А
Ph2214-60 2Т9122Б
PKB20010U КТ948Б
PN3691 КТ3117Б
PN5132 КТ3117А
PWB2010U 2Т948Б
PXT2222 КТ3153А
PZB27020V 2Т9122А
S923TS 2Т3152А, Г, Д
S2055AF КТ838
SD1015 КТ9116А
SDR075 2Т9117А
SDT3207 КТ9171А, Б
SDT69504 2Т880Д
SE5035 КТ939Б
SF123A 2Т672А
SF123C КТ6107А
SG769 2Т3133А
SML723 КТ828В
SML804 КТ828А
SML55401 КТ886Б
SS8050B КТ968В, КТ6114А
SS8050C КТ968В, КТ6114Б
SS8050D КТ968В, КТ6114В
SS8550B КТ6127В, КТ6115А
SS8550C КТ6127В, КТ6115Б
SS8550D КТ6127В, КТ6115В
SS9012D КТ681А, КТ6109А
SS9012E КТ681А, КТ6109Б
SS9012F КТ681А, КТ6109В
SS9012G КТ681А, КТ6109Г
SS9012H КТ681А, КТ6109Д
SS9013D КТ680А, КТ6110А
SS9013E КТ680А, КТ6110Б
SS9013F КТ680А, КТ6110В
SS9013G КТ680А, КТ6110Г
SS9013H КТ680А, КТ6110Д
SS9014A КТ3102А, КТ6111А
SS9014B КТ3102Б, КТ6111Б
SS9014C КТ3102Б, КТ6111В
SS9014D КТ3102Б, КТ6111Г
SS9015A КТ3107А, КТ6112А
SS9015B КТ3107И, КТ6112Б
SS9015C КТ3107И, КТ6112В
SS9016D КТ6128А
SS9016E КТ6128Б
SS9016F КТ6128В
SS9016G КТ6128Г
SS9016H КТ6128Д
SS9016I КТ6128Е
SS9018D КТ6113А
SS9018E КТ6113Б
SS9018F КТ6113В
SS9018G КТ6113Г
SS9018H КТ6113Д
SS9018I КТ6113Е
ST1053 КП934Б
STD18202 КТ828Г
STD55476 КТ846А
STH75N05 КП742Б
STH75N05 КП742A
TBC547A КТ3186А
TCC1821G 2Т942А, КТ942В
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
TIP31A КТ8176А
TIP31B КТ8176Б
TIP31C КТ8176В
TIP32A КТ8177А
TIP32B КТ8177Б
TIP32C КТ8177В
TIP41A КТ8212В
TIP41B КТ8212Б
TIP41C КТ8212А
TIP110 КТ8214В
TIP111 КТ8214Б
TIP112 КТ8214А
TIP120 КТ8116В
TIP121 КТ8116Б
TIP122 КТ8116А, КТ8147А
TIP125 КТ8115В
TIP126 КТ8115Б
TIP127 КТ8115А
TIP132 КТ8116А, КТ8147А
TIP150 КТ8111А
TIP151 КТ8111Б
TN20 2Т9130А
UMIL70 КТ930Б

Усилитель Дарлингтона

   Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах.  

   Для справки: два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона - по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.

Достоинства транзистора Дарлингтона

- Высокий коэффициент усиления по току.

- Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора

- Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.

- Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В.

- Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.

Принципиальная схема УНЧ

   Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом самостоятельного построения сабвуферного усилителя. Самое ценное в схеме - выходные транзисторы, цена которых не превышает 1$. По идее, такой усилитель усилитель можно собрать за 3-5$ без блока питания. Давайте сделаем небольшое сравнение, какой из микросхем может дать мощность 100-200 ватт на нагрузку 4 Ом? Сразу в мыслях знаменитые TDA7294. Но если сравнить цены, то дарлингтоновская схема и дешевле и мощнее TDA7294!

   Сама микросхема, без комплектующих компонентов стоит 3$ как минимум, а цена активных компонентов дарлингтоновской схемы не более 2-2,5$! Притом, что дарлингтоновская схема на 50-70 ватт мощнее TDA7294!

   При нагрузке 4 Ом усилитель отдает 150 ватт, это самый дешевый и неплохой вариант сабвуферного усилителя. В схеме усилителя использованы недорогие выпрямительные диоды, которые можно достать в любом электронном устройстве. 

   Усилитель может обеспечивать такую мощность за счет того, что на выходе использованы именно составные транзисторы, но при желании они могут быть заменены на обычные. Удобно использовать комплементарную пару КТ827/25, но конечно мощность усилителя спадет до 50-70 ватт. В дифференциальном каскаде можно использовать отечественные-КТ361 или КТ3107. 

   Полный аналог транзистора TIP41 наш КТ819А, Этот транзистор служит для усиления сигнала с диффкаскадов и раскачки выходников Эмиттерные резисторы можно использовать с мощностью 2-5 ватт, они для защиты выходного каскада. Подробнее про теххарактеристики транзистора TIP41C. Даташит для TIP41 и TIP42 скачайте тут.

- Материал p-n-перехода: Si

- Структура транзистора: NPN

- Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 65 W

- Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

- Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 100 V

- Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

- Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 6 A

- Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C

- Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz

- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF

- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 20

   Такой усилитель может быть использован как в качестве сабвуферного, так и для широкополосной акустики. Характеристики усилителя тоже неплохие. При нагрузке в 4 Ом выходная мощность усилителя порядка 150 ватт, при нагрузке в 8 Ом мощность 100 ватт, максимальная мощность усилителя может доходить до 200 ватт с питанием +/-50 вольт.


Понравилась схема - лайкни!

ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ УНЧ

Смотреть ещё схемы усилителей

       УСИЛИТЕЛИ НА ЛАМПАХ          УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ  

   

УСИЛИТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ          СТАТЬИ ОБ УСИЛИТЕЛЯХ   

    

АВТОМОБИЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ на TIP142 TIP147 200W и преобразователь DC DC на TL494

Усилитель развивает мощность 2х100Вт в стерео включении или 200Вт моно (в мостовом включении).


Усилитель построен по схеме Дарлингтона.


Реклама
2 шт. 3,5 мм аудиоразъем 3 полюса Отзывы: ***разъемы хорошие, рабочие, не люфтят.***
Реклама
DC 5 в 12 В 24 В светодиодный SPI контрольный WS2811 WS2812B WiFi Отзывы: ***Все отлично, хорошее приложение и есть возможность подключения к Google Home***
Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах.
Для справки: два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона - по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.

Достоинства транзистора Дарлингтона

- Высокий коэффициент усиления по току.
- Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора

- Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
- Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В.
- Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.

Входной каскад - усилитель на TL072P
TIP147 и TIP142 darlington-транзисторы используются на выходе усилителя мощности, и вместо них можно использовать BDW83C, BDW84C.

Схема двухполярного БП +35v -35v на TL494, необходимого для нормальной работы УНЧ. Подача перекрестного контура регулируется транзисторами TIP41C TIP42C




Сердцем блока питания является трансформатор EI33 от AT или ATX БП. Об использовании этого трансформатора очень много статей. МОП-транзисторы IRF1010N, управляемые выходом с TL494, могут быть заменены на IRF3205, IRFZ44, 50N06.

Реклама
USB заряжаемый ночник,
Реклама
Мини-регулируемый цифровой источник питания постоянного тока 30В 10А лабораторный



Небольшое видео автора о настройке, порядке построения и работе данного усилителя:

И конечно печатная плата.

Как сделать составной полевой транзистор. Составной транзистор (схема Дарлингтона). Принципиальная схема УНЧ

Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах.

Для справки : два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона - по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.

Достоинства транзистора Дарлингтона

Высокий коэффициент усиления по току.

Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора

Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.

Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 - 1,4 В.

Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.

Принципиальная схема УНЧ

Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом самостоятельного построения сабвуферного усилителя. Самое ценное в схеме - выходные транзисторы, цена которых не превышает 1$. По идее, такой усилитель усилитель можно собрать за 3-5$ без блока питания. Давайте сделаем небольшое сравнение, какой из микросхем может дать мощность 100-200 ватт на нагрузку 4 Ом? Сразу в мыслях знаменитые . Но если сравнить цены, то дарлингтоновская схема и дешевле и мощнее TDA7294!

Сама микросхема, без комплектующих компонентов стоит 3$ как минимум, а цена активных компонентов дарлингтоновской схемы не более 2-2,5$! Притом, что дарлингтоновская схема на 50-70 ватт мощнее TDA7294!

При нагрузке 4 Ом усилитель отдает 150 ватт, это самый дешевый и неплохой вариант сабвуферного усилителя. В схеме усилителя использованы недорогие выпрямительные диоды, которые можно достать в любом электронном устройстве.

Усилитель может обеспечивать такую мощность за счет того, что на выходе использованы именно составные транзисторы, но при желании они могут быть заменены на обычные. Удобно использовать комплементарную пару КТ827/25, но конечно мощность усилителя спадет до 50-70 ватт. В дифференциальном каскаде можно использовать отечественные-КТ361 или КТ3107.

Полный аналог транзистора TIP41 наш КТ819А, Этот транзистор служит для усиления сигнала с диффкаскадов и раскачки выходников Эмиттерные резисторы можно использовать с мощностью 2-5 ватт, они для защиты выходного каскада. Подробнее про теххарактеристики транзистора TIP41C. Даташит для TIP41 и TIP42 .

Материал p-n-перехода: Si

Структура транзистора: NPN

Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 65 W

Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 100 V

Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 6 A

Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C

Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz

- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 20

Такой усилитель может быть использован как в качестве сабвуферного, так и для широкополосной акустики. Характеристики усилителя тоже неплохие. При нагрузке в 4 Ом выходная мощность усилителя порядка 150 ватт, при нагрузке в 8 Ом мощность 100 ватт, максимальная мощность усилителя может доходить до 200 ватт с питанием +/-50 вольт.

Если соединить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, причем его коэффициент (3 будет равен произведению коэффициентов составляющих транзисторов. Этот прием полезен для схем, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных каскадов усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.

Рис. 2.61. Повышение скорости выключения в составном транзисторе Дарлингтона.

В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше обычного, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде (так как потенциал эмиттера транзистора должен превышать потенциал эмиттера транзистора на величину падения напряжения на диоде). Кроме того, соединенные таким образом транзисторы ведут себя как один транзистор с достаточно малым быстродействием, так как транзистор не может быстро выключить транзистор . С учетом этого свойства обычно между базой и эмиттером транзистора включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает смещение транзистора в область проводимости за счет токов утечки транзисторов и . Сопротивление резистора выбирают так, чтобы токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и вместе с тем чтобы через него протекал ток, малый по сравнению с базовым током транзистора . Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.

Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде законченных модулей, включающих, как правило, и эмиттерный резистор. Примером такой стандартной схемы служит мощный п-р-п-транзистор Дарлингтона типа , его коэффициент усиления по току равен 4000 (типичное значение) для коллекторного тока, равного 10 А.

Рис. 2.62. Соединение транзисторов по схеме Шиклаи («дополняющий транзистор Дарлингтона»).

Соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai).

Соединение транзисторов по схеме Шиклаи представляет собой схему, подобную той, которую мы только что рассмотрели. Она также обеспечивает увеличение коэффициента . Иногда такое соединение называют комплементарным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор п-р-п-типа, обладающий большим коэффициентом . В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, равно по крайней мере падению напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами , ведет себя как один транзистор п-р-п-типа с большим коэффициентом усиления по току. Транзисторы , соединенные по схеме Шиклаи, ведут себя как мощный транзистор р-п-р-тииа с большим коэффициентом усиления.

Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором использованы выходные транзисторы только .

Как и прежде, резисторы и имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазидополнительной симметрией. В настоящем каскаде с дополнительной симметрией (комплементарном) транзисторы были бы соединены по схеме Дарлингтона.

Транзистор со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току.

Составные транзисторы - транзистор Дарлингтона и ему подобные не следует путать с транзисторами со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, в которых очень большое значение коэффициента получают в ходе технологического процесса изготовления элемента. Примером такого элемента служит транзистор типа , для которого гарантируется минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении коллекторного тока в диапазоне от до этот транзистор принадлежит к серии элементов , которая характеризуется диапазоном максимальных напряжений от 30 до 60 В (если коллекторное напряжение должно быть больше, то следует пойти на уменьшение значения ). Промышленность выпускает согласованные пары транзисторов со сверхбольшим значением коэффициента . Их используют в усилителях с низким уровнем сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; этому вопросу посвящен разд. 2.18. Примерами подобных стандартных схем служат схемы типа они представляют собой транзисторные пары с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение согласовано до долей милливольта (в самых хороших схемах обеспечивается согласование до , а коэффициент Схема типа представляет собой согласованную пару .

Транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента можно объединять по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным всего лишь (примерами таких схем служат операционные усилители типа .

При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше тех моделей, которые предлагают фирмы производители радиоэлектронных компонентов (или лучше чем позволяет реализовать доступная технология изготовления транзисторов). Эта ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных микросхем. Нам обычно требуются больший коэффициент усиления по току h 21 , большее значение входного сопротивления h 11 или меньшее значение выходной проводимости h 22 .

Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует много возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшая при этом его параметры. Наибольшее распространение получила схема Дарлингтона. В простейшем случае это соединение двух транзисторов одинаковой полярности. Пример схемы Дарлингтона на npn транзисторах приведен на рисунке 1.


Рисунок 1 Схема Дарлингтона на npn транзисторах

Приведенная схема эквивалентна одиночному npn транзистору. В данной схеме ток эмиттера транзистора VT1 является током базы транзистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основным преимуществом схемы Дарлингтона является высокое значение коэффициента усиления по току h 21 , которое можно приблизительно определить как произведение h 21 входящих в схему транзисторов:

(1)

Однако следует иметь ввиду, что коэффициент h 21 достаточно сильно зависит от тока коллектора. Поэтому при малых значениях тока коллектора транзистора VT1 его значение может значительно уменьшиться. Пример зависимости h 21 от тока коллектора для разных транзисторов приведен на рисунке 2


Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов от тока коллектора

Как видно из этих графиков, коэффициент h 21э практически не изменяется только у двух транзисторов: отечественный КТ361В и иностранный BC846A. У остальных транзисторов коэффициент усиления по току значительно зависит от тока коллектора.

В случае когда базовый ток транзистора VT2 получается достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения необходимого значения коэффициента усиления по току h 21 . В этом случае увеличения коэффициента h 21 и, соответственно, уменьшения тока базы составного транзистора можно добиться увеличением тока коллектора транзистора VT1. Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают дополнительный резистор, как это показано на рисунке 3.


Рисунок 3 Составной транзистор Дарлингтона с дополнительным резистором в цепи эмиттера первого транзистора

Например, определим элементы для схемы Дарлингтона, собранной на транзисторах BC846A Пусть ток транзистора VT2 будет равен 1 мА. Тогда его ток базы будет равен:

(2)

При таком токе коэффициент усиления по току h 21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может оказаться значительно меньше расчетного. Увеличив ток коллектора транзистора VT1 при помощи резистора можно значительно выиграть в значении общего коэффициента усиления h 21 . Так как напряжение на базе транзистора является константой (для кремниевого транзистора u бэ = 0,7 В), то рассчитаем по закону Ома:

(3)

В этом случае мы вправе ожидать коэффициент усиления по току до 40000. Именно таким образом выполнены многие отечественные и иностранные супербетта транзисторы, такие как КТ972, КТ973 или КТ825, TIP41C, TIP42C. Схема Дарлингтона широко используется в выходных каскадах усилителей низкой частоты (), операционных усилителей и даже цифровых , например, .

Следует отметить, что схема Дарлингтона обладает таким недостатком, как повышенное напряжение U кэ. Если в обычных транзисторах U кэ составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение возрастает до 0,9 В. Это связано с необходимостью открывать транзистор VT1, а для этого на его базу следует подать напряжение 0,7 В (если мы рассматриваем кремниевые транзисторы).

Для того, чтобы устранить указанный недостаток была разработана схема составного транзистора на комплементарных транзисторах. В российском Интернете она получила название схемы Шиклаи. Это название пришло из книги Титце и Шенка, хотя эта схема ранее имела другое название. Например, в советской литературе она называлась парадоксной парой. В книге В.Е.Хелейн и В.Х.Холмс составной транзистор на комплементарных транзисторах называется схемой Уайта, поэтому будем ее называть просто составным транзистором. Схема составного pnp транзистора на комплементарных транзисторах приведена на рисунке 4.


Рисунок 4 Составной pnp транзистор на комплементарных транзисторах

Точно таким же образом образуется npn транзистор. Схема составного npn транзистора на комплементарных транзисторах приведена на рисунке 5.


Рисунок 5 Составной npn транзистор на комплементарных транзисторах

В списке литературы на первом месте приведена книга 1974 года издания, но существуют КНИГИ и остальные издания. Есть основы, которые не устаревают длительное время и огромное количество авторов, которые просто повторяют эти основы. Рассказать понятно надо уметь! За все время профессиональной деятельности я встретил менее десяти КНИГ. Я всегда рекомендую изучать аналоговую схемотехнику с этой книги.

Дата последнего обновления файла 18.06.2018

Литература:

Вместе со статьей "Составной транзистор (схема Дарлингтона)" читают:


http://сайт/Sxemoteh/ShVklTrz/kaskod/


http://сайт/Sxemoteh/ShVklTrz/OE/

Если соединить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, причем его коэффициент β будет равен произведению коэффициентов β составляющих транзисторов. Этот прием полезен для схем, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных каскадов усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.

В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше обычного, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде (так как потенциал эмиттера транзистора Т 1 должен превышать потенциал эмиттера транзистора Т 2 , на величину падения напряжения на диоде). Кроме того, соединенные таким образом транзисторы ведут себя как один транзистор с достаточно малым быстродействием, так как транзистор T 1 не может быстро выключить транзистор Т 2 . С учетом этого свойства обычно между базой и эмиттером транзистора Т 2 включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает смешение транзистора Т 2 в область проводимости за счет токов утечки транзисторов Т 1 и Т 2 . Сопротивление резистора выбирают так, чтобы токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и вместе с тем чтобы через него протекал ток. малый по сравнению с базовым током транзистора Т 2 . Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.

Рис. 2.61. Повышение скорости выключения в составном транзисторе Дарлингтона.

Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде законченных модулей, включающих, как правило, и эмиттерный резистор. Примером такой стандартной схемы служит мощный n-p-n - транзистор Дарлингтона типа 2N6282, его коэффициент усиления по току равен 4000 (типичное значение) для коллекторного тока, равного 10 А.

Соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai). Соединение транзисторов по схеме Шиклаи представляет собой схему, подобную той. которую мы только что рассмотрели. Она также обеспечивает увеличение коэффициента β. Иногда такое соединение называют комплементарным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор n-p-n - типа, обладающий большим коэффициентом β. В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, равно по крайней мере падению напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора Т 2 рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора T 1 Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами Т 2 и Т 3 . ведет себя как один транзистор n-p-n - типа. с большим коэффициентом усиления по току. Транзисторы Т 4 и Т 5 , соединенные по схеме Шиклаи, ведут себя как мощный транзистор p-n-p - типа. с большим коэффициентом усиления. Как и прежде, резисторы R 3 и R 4 имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазидополнительной симметрией. В настоящем каскаде с дополнительной симметрией (комплементарном) транзисторы Т 4 и Т 5 , были бы соединены по схеме Дарлингтона.

Рис. 2.62. Соединение транзисторов по схеме Шиклаи («дополняющий транзистор Дарлингтона»).

Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором использованы выходные транзисторы только n-p-n - типа.

Транзистор со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току. Составные транзисторы - транзистор Дарлингтона и ему подобные - не следует путать с транзисторами со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, в которых очень большое значение коэффициента h 21э получают в ходе технологического процесса изготовления элемента. Примером такого элемента служит транзистор типа 2N5962. для которого гарантируется минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении коллекторного тока в диапазоне от 10 мкА до 10 мА; этот транзистор принадлежит к серии элементов 2N5961-2N5963, которая характеризуется диапазоном максимальных напряжений U кэ от 30 до 60 В (если коллекторное напряжение должно быть больше, то следует пойти на уменьшение значения C). Промышленность выпускает согласованные пары транзисторов со сверхбольшим значением коэффициента β. Их используют в усилителях с низким уровнем сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; этому вопросу посвящен разд. 2.18 . Примерами подобных стандартных схем служат схемы типа LM394 и МАТ-01; они представляют собой транзисторные пары с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение U бэ согласовано до долей милливольта (в самых хороших схемах обеспечивается согласование до 50 мкВ), а коэффициент h 21э - до 1%. Схема типа МАТ-03 представляет собой согласованную пару p-n-p - транзисторов.

Транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента β можно объединять по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным всего лишь 50 пкА (примерами таких схем служат операционные усилители типа LM111 и LM316.

Если взять, например, транзистор MJE3055T у него максимальный ток 10А, а коэффициент усиления всего около 50, соответственно, чтобы он открылся полностью, ему надо вкачать в базу ток около двухста миллиампер. Обычный вывод МК столько не потянет, а если влючить между ними транзистор послабже (какой-нибудь BC337), способный протащить эти 200мА, то запросто. Но это так, чтобы знал. Вдруг придется городить управление из подручного хлама — пригодится.

На практике обычно используются готовые транзисторные сборки . Внешне от обычного транзистора ничем не отличается. Такой же корпус, такие же три ножки. Вот только мощи в нем больно дофига, а управляющий ток микроскопический:) В прайсах обычно не заморачиваются и пишут просто — транзистор Дарлигнтона или составной транзистор.

Например пара BDW93C (NPN) и BDW94С (PNP) Вот их внутренняя структура из даташита.


Мало того, существуют сборки дарлингтонов . Когда в один корпус упаковывают сразу несколько. Незаменимая вещь когда надо рулить каким-нибудь мощным светодиодным таблом или шаговым двигателем (). Отличный пример такой сборки — очень популярная и легко доступная ULN2003 , способная протащить до 500 мА на каждый из своих семи сборок. Выходы можно включать в параллель , чтобы повысить предельный ток. Итого, одна ULN может протащить через себя аж 3.5А, если запараллелить все ее входы и выходы. Что мне в ней радует — выход напротив входа, очень удобно под нее плату разводить. Напрямик.

В даташите указана внутренняя структура этой микросхемы. Как видишь, тут также есть защитные диоды. Несмотря на то, что нарисованы как будто бы операционные усилители, здесь выход типа открытый коллектор. То есть он умеет замыкать только на землю. Что становится ясно из того же даташита если поглядеть на структуру одного вентиля.

Распиновка, характеристики, техническое описание и применение транзистора TIP41C

Привет, друзья! Добро пожаловать на борт. Рад тебя видеть. Сегодня в этом посте я расскажу вам Введение в Tip41c.

Tip41c - это NPN-транзистор, который поставляется в корпусе TO-220 и в основном используется для усиления и переключения. Это устройство с высокой скоростью переключения, улучшенным коэффициентом усиления по току и высоким током коллектора около 6 А, что указывает на величину нагрузки, которую это устройство может поддерживать.Напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер составляет 100 В (выше, чем у других биполярных транзисторов), а напряжение эмиттер-база составляет 5 В, что показывает, что для смещения этого компонента требуется только 5 В.

Просто оставайтесь со мной ненадолго, поскольку я собираюсь подробно описать распиновку, техническое описание, приложения, номинальную мощность, принцип работы и физические размеры этого крошечного устройства.

Давайте сразу перейдем к делу.

Введение в TIP41C
  • Tip41C - это крошечное электронное устройство, которое в основном используется для коммутации и усиления.Он относится к категории транзисторов NPN и имеет высокую мощность около 65 Вт, что соответствует количеству энергии, выделяемой во время работы этого транзистора.
  • Этот транзистор NPN имеет три контакта, также называемых выводами, которые называются эмиттером, коллектором и базой.
  • Малый входной ток через одну пару выводов используется для создания большого тока через другие пары выводов. Этот процесс используется для целей усиления.

  • Tip41c состоит из трех слоев.Один из них представляет собой слой с примесью p, а два других - с слоем с примесью n, которые состоят из полупроводников (кремниевый материал).
  • Слой, легированный p-примесью, расположен между двумя слоями, легированными n-типом. И слой, легированный p-примесью, является выводом базы, а знак P показывает, что положительное напряжение приложено к выводу базы, чтобы запустить действие транзистора.
  • Это устройство состоит из двух соединений. Один из них - переход база-эмиттер с прямым смещением и переход база-коллектор с обратным смещением в прямом активном режиме.
  • Коллекторный ток составляет 6 А, что намного выше, чем у других биполярных транзисторов, доступных на рынке. Этот ток определяет величину нагрузки, которую может поддерживать это устройство.
  • Коэффициент усиления по току с общим эмиттером простирается от 15 до 75, что соответствует емкости транзистора, с помощью которого он может усилить входной ток. Это соотношение между током коллектора и током базы.
  • Частота транзистора составляет 3 МГц, что демонстрирует, как на коэффициент усиления транзистора по току влияет входная частота.
  • Это устройство контролирует низкий входной ток и производит высокий выходной ток, поэтому это устройство называется устройством с регулируемым током.
  • Это биполярный транзистор, что означает, что для процесса проводимости используются два носителя заряда, то есть электроны и дырки. Электроны являются основными носителями в транзисторах NPN, а дырки - основными носителями в транзисторах PNP.

Технический паспорт TIP41C

Технический паспорт любого компонента документирует характеристики и производительность устройства, благодаря чему вы понимаете, что это за продукт, и его номинальную мощность.Щелкните ссылку ниже, чтобы загрузить техническое описание Tip41c.

Распиновка TIP41C

Tip41c поставляется с тремя клеммами с именами:

1: База

2: Коллектор

3: Излучатель

На следующем рисунке показана распиновка Tip41c.

  • Это устройство изготовлено таким образом, что сторона коллектора покрывает всю площадь эмиттера, что затрудняет выход электронов без их сбора клеммой коллектора.
  • Все эти штифты имеют разную концентрацию легирования. Сторона коллектора слегка легирована, а сторона эмиттера более легирована по сравнению как с базой, так и с эмиттерным штырем.
  • Коллекторный вывод в 10 раз слаболегирован по сравнению с выводом базы. Эти контакты используются для внешних соединений с электрической цепью.

Принцип работы TIP41C
  • Независимо от того, какой биполярный транзистор вы выберете, вывод базы отвечает за работу транзистора в каждом биполярном транзисторе.Когда на вывод базы подается положительное напряжение, он смещается, инициируя действие транзистора.
  • И ток начинает течь от коллектора к выводу эмиттера, в отличие от транзистора PNP, где ток течет от эмиттера к выводу коллектора.
  • Базовый вывод работает как регулирующий клапан, который контролирует количество электронов в этом NPN-транзисторе и количество отверстий в PNP-транзисторе.
  • Биполярные транзисторы не симметричны.Отсутствие симметрии вызвано разной концентрацией легирования выводов коллектора и эмиттера.

  • Два наиболее распространенных коэффициента усиления по току используются для демонстрации природы и способности усиления тока… один - коэффициент усиления с общим эмиттером, который в данном случае составляет от 10 до 75 и представляет собой соотношение между током коллектора и базой.
  • Он также известен как коэффициент усиления. Этот коэффициент сигнализирует о емкости транзисторов, он может усилить небольшой входной ток.Этот коэффициент называется бета.
  • Еще одним важным фактором является коэффициент усиления по току общей базы, который представляет собой соотношение между током коллектора и эмиттера. Величина этого усиления всегда меньше 1. Скорее всего, от 0,5 до 0,95.

Номинальная мощность TIP41C

В таблице ниже показаны абсолютные максимальные номинальные значения Tip41c.

1 1 1 1 1 1 909 901 902
Абсолютные максимальные характеристики Tip41C
Номинальное значение Символ Значение Единица
1 Напряжение коллектора-эмиттера
2 Напряжение коллектор-база Vcb 100 В
3 Напряжение эмиттер-база Veb 5 9011 901 901 901 9011 901 901 Коллектор 901 901 Ic 6 A
5 Коэффициент усиления по току hfe 15-75
6 Рассеиваемая мощность
Температура хранения Tstg от -65 до 150 C
  • Из таблицы видно, что напряжения коллектор-база и коллектор-эмиттер составляют 100 В, а напряжение эмиттер-база составляет 5 В, что означает, что для запуска транзистора требуется 5 В.
  • Общая рассеиваемая мощность составляет 65 Вт, а коэффициент усиления по току с общим эмиттером составляет от 15 до 75, что определяет емкость транзистора, который может усилить входной ток. Частота перехода составляет 3 МГц, а температура хранения от -65 до 150С.

Альтернативы TIP41C

Ниже приведены альтернативы Tip41c.

  • MJE5180
  • 2SD1895
  • MJE5181
  • BC911
  • BD711

Перепроверьте распиновку альтернатив, прежде чем включать их в свой проект.Вероятно, распиновка альтернатив не совсем совпадает с распиновкой Tip41c. Чтобы оставаться в безопасности и избежать каких-либо проблем в дальнейшем, дважды проверьте распиновку альтернатив.

Дополнительным PNP-транзистором для Tip41c является Tip42c.

Приложения TIP41C

Этот транзистор NPN используется в следующих приложениях.

  • Используется для усиления и переключения.
  • Используется для управления нагрузкой до 6А.
  • Используется для привода двигателей постоянного тока.
  • Используется в парах Дарлингтона.
  • Используется для усиления сигнала и усиления звука.

TIP41C Физические размеры

На следующей диаграмме показаны физические размеры Tip41c.

На сегодня все. Надеюсь, эта статья окажется для вас полезной. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете оставить свой комментарий в разделе ниже, я буду рад помочь вам как можно лучше. Приглашаем вас поделиться своими отзывами и предложениями, они помогают нам подбирать контент с учетом ваших конкретных потребностей и требований.Спасибо, что прочитали статью.

TIP41C Силовой транзистор NPN - Спецификация

TIP41C - это силовой транзистор NPN с технологией базового острова в пластиковом корпусе TO-220, который делает это устройство подходящим для аудио, линейных и коммутационных приложений. Дополнительный тип PNP - TIP42C.

Распиновка TIP41

Конфигурация выводов TIP41

9011 9011 9011
Номер контакта Имя контакта
1 База
2 Коллектор
3 Коллектор

Основные характеристики TIP41

  • Напряжение насыщения коллектор – эмиттер -
    • VCE (sat) = 1.5 В постоянного тока (макс.) @ IC = 6.0 Adc
  • Поддерживающее напряжение коллектор – эмиттер -
    • VCEO (sus) = 100 В постоянного тока (мин) - TIP41C, TIP42C
  • Усиление высокого тока - продукт на ширину полосы
    • fT = 3,0 МГц (мин.) При IC = 500 мА пост. Тока
  • Compact TO – 220 AB Корпус
  • Высокая скорость переключения
  • hFE улучшенная линейность
  • Обозначение типа: TIP41C
  • Материал транзистора: Si
  • Полярность: NPN

Спецификация

Ic (мА) Pd (мВт) Vce (макс.) Vcb hfe @ Ic @ Ic
6 65 100 100 15-75 3000 3
Эквивалент TIP41 / Альтернативный :
  • TIP100, TIP101, TIP102, TIP105, TIP106, TIP107, TIP110, TIP42C

Применение

  • Схемы общего назначения
  • Аудиоусилитель
  • Линейный и коммутационный

Вы можете скачать это техническое описание для силового транзистора TIP41C NPN по ссылке ниже:

TIP41 NPN Power Transistor (TO-220)

Политика возврата

В связи с типом продукции, которую мы продаем, мы принимаем ограниченный возврат.Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.

1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным дефектом, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
2. Отправлен не тот товар

Если вы получили продукт, отличный от заказанного, пожалуйста, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.

Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат товаров, поврежденных в результате неправильного использования. Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, прочтите спецификации продукта и техническое описание перед выбором и заказом продукта.
Доставка

Мы отправляем по всей Индии с фиксированной ставкой 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий.Для всех заказов на сумму свыше 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. По любым вопросам, связанным с доставкой, обращайтесь в нашу службу поддержки по адресу [email protected]

Политика возврата

В связи с типом продукции, которую мы продаем, мы принимаем ограниченный возврат. Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.

1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным дефектом, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
2. Отправлен не тот товар

Если вы получили продукт, отличный от заказанного, пожалуйста, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.

Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат товаров, поврежденных в результате неправильного использования.Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, прочтите спецификации продукта и техническое описание перед выбором и заказом продукта.
Доставка

Мы отправляем по всей Индии с фиксированной ставкой 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий. Для всех заказов на сумму более 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. По любым вопросам, связанным с доставкой, обращайтесь в нашу службу поддержки по адресу [email protected]

Распиновка транзистора TIP31C, конфигурация, эквивалент, схема и техническое описание

Конфигурация выводов TIP31C

TIP31C - это силовой транзистор NPN .Как и любой другой транзистор, он имеет три контакта, а именно ЭМИТТЕР, БАЗУ и КОЛЛЕКТОР. Конфигурация контактов TIP31C приведена ниже.

Номер контакта

Имя контакта

Описание

3

Излучатель (E)

Обычно подключен к ЗАЗЕМЛЕНИЮ

2

Коллектор (C)

Обычно подключен к НАГРУЗКЕ

1

База (B)

Обычно используется как ТРИГГЕР для ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА.

Характеристики и характеристики TIP31C
  • ТРАНЗИСТОР средней мощности
  • С усилением hfe до 50
  • С улучшенной линейностью hfe
  • Максимальное напряжение между КОЛЛЕКТОРОМ и ЭМИТТЕРОМ ТРАНЗИСТОРА: 100 В
  • Максимально допустимый ток через КОЛЛЕКТОР ТРАНЗИСТОРА: 3 А постоянного тока
  • Максимальное напряжение между БАЗОЙ и ЭМИТТЕРОМ ТРАНЗИСТОРА: 5 В
  • Максимально допустимый ток через БАЗУ ТРАНЗИСТОРА: 1 А постоянного тока
  • Максимальное напряжение на КОЛЛЕКТОРЕ и БАЗЕ ТРАНЗИСТОРА: 100 В
  • Максимальная рабочая температура: 150ºC

Эквиваленты TIP31C

TIP31C TRANSISTOR имеет много замен, таких как TIP31A, 2N6122, TIP31B, MJE340K, SW4F013.Перед заменой необходимо тщательно проверить параметры и конфигурацию контактов. Замена без учета параметров напряжения, тока и усиления может привести к необратимому повреждению.

Похож на TIP31C

TIP122, TIP121, TIP120, 2N6288, 2N6290, 2N6292

Где использовать TIP31C

Для понимания использования TIP31C рассмотрим:

Case1: Если вам нужно простое ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ДЛЯ СРЕДНИХ МОЩНЫХ НАГРУЗОК.TIP31C - один из основных транзисторов, которые легко доступны и дешевы. Благодаря своим электрическим характеристикам, подходящим для многих областей применения, он довольно популярен. Так что компонент лучше всего подходит при выборе устройства случайного переключения.

Case2: Если вы хотите УСИЛИТЬ сигнал. Коэффициент усиления у TIP31C довольно хороший, и важно то, что усиление практически линейное. Таким образом, эти характеристики делают TIP31C одним из лучших претендентов на применение в усилителях.

Case3: TIP31C может управляться импульсами МИКРОКОНТРОЛЛЕРА из-за его усиления и высокой скорости отклика.Таким образом, его можно использовать в приложениях с высокоскоростной коммутацией.

Как использовать TIP31C

TIP31C можно использовать как любой другой силовой транзистор. Здесь мы собираемся использовать TIP31C в конфигурации COMMON EMITTER, чтобы понять его работу.

В приведенной выше схеме мы - , использующий TIP31C в качестве простого переключающего устройства . Как показано на рисунке, мы используем небольшой ДВИГАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА в качестве НАГРУЗКИ. ТРИГГЕР для включения ТРАНЗИСТОРА обеспечивается БЛОКОМ УПРАВЛЕНИЯ (НЕ МИКРОКОНТРОЛЛЕР, поскольку МИКРОКОНТРОЛЛЕР не может обеспечить 300 мА).Блок управления подает импульсы + 5В на базу ТРАНЗИСТОРА. ЗАЗЕМЛЕНИЕ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ должно быть обязательно подключено к ТРАНЗИСТОРНОМУ ЭМИТТЕРУ.

Резистор 10 Ом предназначен для ограничения тока через BASE. Этот резистор, ограничивающий ток BASE, важен. Точно можно выбрать из расчета:

Максимальный ток через БАЗУ = 1 А

Выберите БАЗОВЫЙ ток = 0,9 А

Максимальное напряжение между БАЗОЙ и ЭМИТТЕРОМ = 5 В

Выберите Vbe = 4.5

Напряжение на резисторе R = ВЫХОДНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ - 4,5 = XX В

Резистор R = XX / 0,9 = YYΩ.

Поместите сопротивление YY Ω последовательно с базой, как показано на схеме.

В нормальных условиях ТРАНЗИСТОР будет ВЫКЛЮЧЕН, так как БАЗОВЫЙ ток не будет. Когда импульсы напряжения БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ достигают БАЗЫ, ток течет через БАЗУ ТРАНЗИСТОРА. При протекании тока БАЗЫ ТРАНЗИСТОР включается. При этом будет ток КОЛЛЕКТОРА, который течет через ДВИГАТЕЛЬ.Итак, ДВИГАТЕЛЬ вращается. ДВИГАТЕЛЬ будет вращаться до тех пор, пока не появится БАЗОВЫЙ ток.

Когда выход БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ становится НИЗКИМ, БАЗОВЫЙ ток становится НУЛЕВЫМ. Транзистор выключается, когда БАЗОВЫЙ ток становится НУЛЕВЫМ. Таким образом, ток КОЛЛЕКТОРА также становится НУЛЕМ, что приводит к ОСТАНОВКЕ ДВИГАТЕЛЯ.

Таким образом, мы можем использовать TIP31C в качестве коммутационного устройства. Схема, использованная выше, является простой схемой тестирования, а не схемой приложения. Использование его без приспособлений, таких как HEAK SINK, FLYBACK DIODE и т. Д., Приведет к повреждению устройства.

Для использования TIP31C в качестве усилителя необходимо учитывать характеристики усиления по току. Итак, для лучшего понимания мы представим график CURRENT GAIN TIP31C. Типичный график DC GAIN для TIP31C приведен ниже.

Из графика, УСИЛЕНИЕ составляет почти 100, когда ток КОЛЛЕКТОРА составляет 1000 мА или 1 А. И УСИЛЕНИЕ падает до 60, когда ток КОЛЛЕКТОРА составляет 2000 мА или 2 А. Когда ток КОЛЛЕКТОРА превышает 2А, УСИЛЕНИЕ почти линейное. Значение этого параметра важно для АППЛИФИКАТОРОВ.Принимая во внимание эти диапазоны, мы можем принять соответствующие меры для повышения производительности.

Приложения
  1. Контроль скорости двигателя постоянного тока
  2. Системы освещения
  3. Приложения ШИМ
  4. Драйверы реле
  5. Импульсный источник питания
  6. Усилители звука
  7. Усилители сигналов

2D-Модель

Все размеры указаны в миллиметрах

TIP41C ST NPN Силовой транзистор 100 В TO-220

TIP41C ST NPN Силовой транзистор 100 В TO-220 | Переключатель Электроника

Магазин не будет работать корректно, если куки отключены.

Похоже, в вашем браузере отключен JavaScript. Для наилучшего взаимодействия с нашим сайтом обязательно включите Javascript в своем браузере.

Ссылочный код: 551569

На складе 56 шт. Закажите в течение

0 часов 00 минут

для отправки сегодня

От 0 фунтов стерлингов.64
С НДС

От 0,53 £
Без НДС

Multi Buy Скидки
1+ 0,64 £ С НДС £ 0,53 Без НДС
25+ 0,55 £ С НДС £ 0.46 Без НДС Экономия 14%
50+ £ 0,46 С НДС 0,38 £ Без НДС Экономия 29%

Транзистор TIP41C NPN представляет собой силовой транзистор с технологией базового острова в пластиковой упаковке TO-220.Устройство подходит для аудио, силовых линейных и коммутационных приложений. Дополнительные технические характеристики см. В прилагаемом листе данных.

  • Дополнительные устройства PNP-NPN
  • Новая расширенная серия
  • Высокая скорость переключения
  • h FE улучшенная линейность
  • h FE группировка
  • 65W 6A 100V TO220
Дополнительная информация
Производитель СТ
Тип НПН
Тип крепления Сквозное отверстие
Упаковка TO220AB
Коэффициент усиления постоянного тока 15
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5В
Максимальная рабочая температура 150 ° С
Узнавайте первыми о наших последних продуктах и ​​получайте эксклюзивные предложения

Utsource является дистрибьютором TIP41C STMicroelectronics, купите TIP41C STMicroelectronics, в наличии, новый и оригинальный по более низкой цене, предложите техническое описание изображения | pdf

Описание TIP41C

TIP41C - это биполярный силовой транзистор типа NPN, который имеет стиль упаковки TO 220.Транзистор TIP41C его потребляемая мощность является переходным, поэтому он может применяться в областях, где транзисторы с низким сигналом не подходят. Транзистор TIP41C был разработан для использования в коммутационных устройствах и усилителях.

Конфигурация выводов TIP41C

Транзистор TIP41C состоит из трех выводов

C - коллектор

B - база

E - эмиттер

Базовый затвор запускается малым током, чтобы обеспечить прохождение высокого напряжения между коллектором и эмиттер.

Эмиттер - это вывод стока, вывод вывода. Он также подключен к земле

Коллектор - питание подается через коллектор и также связано с нагрузкой

Характеристики и спецификации для TIP41C

Всегда следите за тем, чтобы абсолютный максимальный рейтинг для TIP41C не превышал превышено, чтобы избежать необратимого повреждения устройства. На надежность устройств может снизиться нагрузка на устройства в течение длительного времени.

Символ

Параметр

Значение

V 3 CE 907

100V

V EB

Напряжение коллектора эмиттера

5V

86

CB

907 100 В

h fe

Усиление постоянного тока

15-75

f

f

02 Переходный процесс

I B 90 786

Базовый ток

2A

● Это транзистор NPN

● PNP-NPN Устройства с высокой степенью комплементарности

● Постоянный ток с улучшенной линейностью

● Недорогое переключение

9000 ● скорость

● Широкий диапазон температур от -65 ℃ до 150 ℃ при хранении и работе

Эквивалентные транзисторы для TIP41C:

TIP41D, TIP41F, TIP41CF, TIP42D, TIP42F, TIP42E

и TIP42E

электрические характеристики для TIP41C

отсечка

I CES

Символ

Рейтинг

Параметры

I .7 мА

Значение тока отсечки коллектора

I EBO

1A

Текущее значение эмиттера

0

0,4 мА

Текущее значение отключения коллектора

В CEO

10020 В

10020В

V CE

1.5

Напряжение через коллектор-эмиттер

В BE

2 В

Напряжение через базовый эмиттер

000 9085

75

Значение усиления тока стока

Тестирование TIP41C

Использование мультиметра

Base-Emitter - Подсоединение базы транзистора к положительному выводу мультиметр и минус к эмиттеру.

База-коллектор - положительная клемма подключается к базе, а отрицательная клемма - к коллектору.

Эмиттер-база - положительный вывод подключен к эмиттеру транзистора, а отрицательный - к базе.

Коллектор-база - положительный вывод мультиметра подключен к коллектору транзистора, а отрицательный - на базе

Коллектор-эмиттер - положительный вывод подключен к коллектору, а эмиттер - к отрицательный вывод мультиметра.

Результаты мультиметра для всех тестов должны находиться в пределах одного и того же значения, измеренное напряжение находится в диапазоне от 0,45 В до 0,9 В

Приложения для TIP41C

Усилитель мощности - усилитель используется для усиление входного сигнала и дает более высокий выходной сигнал.

Линейный источник питания , который используется для снижения шума, так как имеется высокочастотное переключение. Недостатком линейного блока питания являются габариты, вес и низкая частота.TIP41C также используется в коммутации.

Аудио - большинство усилителей предназначены для усиления сигналов. TIP41C - один из транзисторов, который решает проблему воздействия сигнала из-за его способности усиления и высокой коммутации.

Другое применение биполярного силового транзистора TIP41C: обработка сигналов, промышленная коммутация, схемы общего назначения, которые обычно используются в электрических розетках и освещении благодаря своей функции переключения

✓ Транзистор Tip41c Reemplazo

Tip41c техническое описание, pdf 11.Дополнительный тип pnp - tip42c.

Amazon Com Mcigicm Tip41c Tip41 Transistor Bipolar Bjt

Tip42 Datasheet Equivalente Reemplazo Todos Los

Книга эквивалентов транзисторов 2sc2238 Компоненты транзисторов

Tip41c - это силовой транзистор npn с базовым островом в корпусе из пластика 220, который подходит для этого устройства. силовые линейные и коммутационные приложения.

Транзистор tip41c reemplazo . Tip41a41b41c tip42a42b42c Комплементарные кремниевые силовые транзисторы n sgs thomson описание предпочтительных типов tip41a tip41b и tip41c представляют собой кремниевые силовые npn-транзисторы с эпитаксиальной базой в пластиковом корпусе jedec-220, предназначенные для использования в линейных и коммутационных устройствах средней мощности. Ремонт транзистора tip41c. Замена и эквивалентный транзистор для tip41c. Вы можете заменить tip41c на bd711 bd911 bdt41c bdt41cf mje5180 mje5181 mje5182 tip41cf tip41cg tip41d tip41e tip41f tip42d tip42e или tip42f.

446 бесплатная доставка бесплатно доставка 5 8 рабочих дней внутри сша. Tip41c tip42cpdf size275k st2. Tip41c tip41 npn транзисторный усилитель мощности звука 100v 6a 1 упаковка 33 из 5 звезд 17 оценок.

Когда вы заказываете 2500 соответствующих критериям товаров, проданных или выполненных Amazon. Замена наконечника транзистора Tip41c. Больше вариантов покупки 273 1 новое предложение Комплект транзисторов mcigicm bc337 bc327 2n2222 2n2907 2n3904 2n3906 s8050 s8550 a1015 c1815 ассортимент 10 значений 200 шт.

Особенности дополнительных устройств pnp npn новая улучшенная серия с высокой скоростью переключения hfe группировка hfe улучшенная линейность 3 2 1 приложения к 220 схемам общего назначения аудиоусилитель Рисунок 1. Техническое описание Tip41c, pdf 11. Сводный код заказа устройства маркировка упаковка упаковка tip41c примечание 1 на стр. 4

Дополнительным pnp-транзистором к tip41c является tip42c. Или получите доставку этого товара в течение 4 5 рабочих дней за 599. Ремонт транзистора tip41c Creada hace 5 anos mario256.

Tip41c tip42cpdf size275k st2. Tip41c tip42c дополнительные силовые транзисторы. 45 из 5 звезд 26.

Tip41c datasheet tip41c pdf tip41c datasheet tip41c manual tip41c pdf tip41c datenblatt electronics tip41c alldatasheet бесплатный технический паспорт данные. Kesoto 10шт. Tip41c транзистор npn триод 100в 6а 65вт до 220 черный / серебристый. Внутренняя принципиальная схема к 220 1 2 3 таблица 1.

Tip41c tip42c комплементарные силовые транзисторы.Reemplazo tip41c seguir hola amigos tengo un ampificador marca sanrai chino lleva 4 tip 41c dos de ellos estan es corto y no consigo en las ventas de components electronicos quisiera saber si existen algun reemplazo gracias un buen dia. Особенности дополнительных устройств pnp npn новая улучшенная серия высокая скорость переключения hfe группировка hfe улучшенная линейность 3 2 1 приложения к 220 схемам общего назначения аудио усилитель Рисунок 1.

Tip41c Tecno Store CA Componentes Electronicos Cctv Audio Y Video

Оценка

Equivalencia De Transistor Bipolar Rules Evaluation

50 Unids Mje13002 E13002 To92 13002 A 92 Transistor Del

Топ 10 самых популярных транзисторов D718 Список и бесплатно Reemplazo Todos Los

Tip41 Лист данных Equivalente Reemplazo Todos Los

2sc5706 C5706

2n301 Etc Pnp Германиевый силовой транзистор Amazon Com

Serviciotecnico Pc2002 Транзистор усилителя 2sc1953

Practica De Circuito Con Transistor Tip41

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *