Каковы основные параметры транзистора D880. Где применяется этот транзистор. Какие существуют аналоги D880 среди отечественных и зарубежных транзисторов. Как правильно выбрать замену для D880.
Основные характеристики транзистора D880
Транзистор D880 представляет собой биполярный NPN-транзистор, предназначенный для использования в усилителях мощности звуковой частоты. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Структура: NPN
- Материал: кремний (Si)
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база (Ucb): 200 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 А
- Предельная температура p-n перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 МГц
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
- Корпус: TO-220
Каковы особенности этих параметров? Высокая рассеиваемая мощность в 30 Вт позволяет использовать D880 в мощных каскадах усиления. Максимальное напряжение коллектор-база в 200 В обеспечивает широкий диапазон рабочих напряжений. Ток коллектора до 3 А дает возможность работы с большими токами нагрузки.
Область применения транзистора D880
Где чаще всего используется транзистор D880? Основные сферы его применения:
- Усилители мощности звуковой частоты
- Выходные каскады Hi-Fi аудиосистем
- Источники питания
- Преобразователи напряжения
- Драйверы электродвигателей
- Системы управления мощной нагрузкой
Почему D880 хорошо подходит для аудиотехники? Его характеристики обеспечивают низкий уровень искажений и шумов при усилении звукового сигнала. Высокая рабочая частота до 50 МГц позволяет качественно усиливать весь слышимый диапазон частот.
Аналоги транзистора D880
Какие транзисторы могут заменить D880 в схемах? Рассмотрим наиболее близкие отечественные и зарубежные аналоги:
Отечественные аналоги:
- КТ819ГМ
- КТ818А
- КТ817Г
- КТ815В
- КТ815Г
Зарубежные аналоги:
- 2N3055
- TIP41C
- BD243C
- 2SD880
- MJE3055T
Почему именно эти транзисторы считаются аналогами D880? Они имеют схожие электрические параметры, близкую структуру и область применения. Однако важно помнить, что полной взаимозаменяемости может не быть из-за некоторых отличий в характеристиках.
Как правильно выбрать замену для D880
На что следует обратить внимание при подборе аналога транзистора D880? Ключевые моменты:
- Структура (NPN)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (не менее 80 В)
- Максимальный ток коллектора (не менее 3 А)
- Рассеиваемая мощность (близкая к 30 Вт)
- Статический коэффициент усиления по току (близкий к 100)
- Граничная частота (не менее 50 МГц)
- Совместимость корпуса (TO-220 или аналогичный)
Почему важно учитывать все эти параметры? Несоответствие хотя бы по одному из них может привести к некорректной работе схемы или даже выходу транзистора из строя.
Особенности монтажа и эксплуатации D880
Какие нюансы следует учитывать при работе с транзистором D880? Основные рекомендации:
- Обязательное использование теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности
- Применение теплопроводящей пасты для улучшения теплоотвода
- Соблюдение полярности и правильное подключение выводов
- Защита от статического электричества при монтаже
- Не превышение максимально допустимых параметров, указанных в документации
Как правильно обеспечить теплоотвод? Площадь радиатора должна быть достаточной для рассеивания выделяемого тепла. При необходимости можно использовать принудительное охлаждение.
Типовые схемы включения D880
Какие схемы чаще всего используются с транзистором D880? Рассмотрим несколько популярных вариантов:
- Однотактный усилитель мощности класса А
- Двухтактный усилитель мощности класса АВ
- Эмиттерный повторитель
- Ключевой каскад
- Стабилизатор напряжения
Почему D880 хорошо подходит для этих схем? Его характеристики обеспечивают эффективную работу в режимах усиления и коммутации, а высокая мощность позволяет работать с большими токами нагрузки.
Тестирование и проверка D880
Как убедиться в исправности транзистора D880? Основные методы проверки:
- Измерение сопротивления переходов мультиметром
- Проверка коэффициента усиления
- Измерение тока утечки
- Тест на пробой
- Проверка в реальной схеме
Какие значения должны быть при проверке мультиметром? Сопротивление перехода база-эмиттер должно быть около 0,6-0,7 В в прямом направлении и высокое — в обратном. Переход коллектор-эмиттер должен иметь высокое сопротивление в обоих направлениях.
Перспективы и альтернативы D880
Остается ли D880 актуальным в современной электронике? Несмотря на появление новых технологий, этот транзистор по-прежнему широко применяется благодаря своей надежности и доступности. Однако в некоторых приложениях его начинают вытеснять более современные аналоги.
Какие есть альтернативы D880 в современных схемах? Рассмотрим несколько вариантов:
- MOSFET-транзисторы для силовых применений
- IGBT-транзисторы для высоковольтных схем
- Интегральные усилители мощности для аудиоприменений
- Специализированные драйверы для управления двигателями
Почему эти альтернативы могут быть предпочтительнее? Они часто обеспечивают лучшую эффективность, меньшие потери, более высокую скорость переключения и упрощают схемотехнику устройств.
TIP41C транзистор характеристики, datasheet, цоколевка, аналоги
Технические характеристики биполярного силового транзистора TIP41C позволяют использовать его в усилителях мощности и управляющих схемах, в которых нужна высокая скорость переключения. Также, их часто можно встретить в выходных каскадах высококачественных системах Hi-Fi. Данный компонент изготавливается из кремния (Si) по планарной технологии и имеет n-p-n структуру .
Цоколевка
Распиновка TIP41C выполнена в корпусе (ТО-220), он изготавливается из пластмассы и имеет три жестких вывода. Как показано на рисунке ниже, их назначение у данного транзистора такое: первый вывод слева — база, второй – коллектор, третий – эмиттер.
Радиатор ТО-220 конструктивно объединен с коллекторным выводом. Эта особенность большинства транзисторов в подобном исполнении. Однако стоит отметить, что такое соединение отсутствует у устройства в полностью изолированном корпусе TO-220F (от Unisonic Technologies), так как у него попросту отсутствует металлизированный теплоотвод.
Характеристики
Транзистор TIP41c характеризуются следующими предельно допустимыми значениями, при температуре корпуса (TC) не более 25 оC:
- Напряжение между коллектором базой (VCBO) не должно быть больше – 100 В.
- Напряжение между коллектором и эмиттером (VCEO) должно быть менее – 100 В.
- Максимально возможное напряжение между эмиттером и базой (VEBO) – 5 В.
- Постоянный (DC) предельный ток коллектора (IC) – 6 А.
- Кратковременный (импульсный) допустимый ток коллектора (ICP) – 10 A.
- Минимальная граничная частота (FT) до 3 МГц.
- Ток базы (IB) – 2 А.
- Максимальная мощность рассеиваемая на коллекторе (PC) – 65 Вт, или 2 Вт (при Tокр.ср. =25 оC).
- Максимальная температура перехода (TJ) – 150 о
- Диапазон рабочих температур (TSTG) от -65 до +150 о
В спецификациях различных производителей его параметры обычно приводятся вместе с братьями-близнецами TIP41A и TIP41B. Они отличаются от рассматриваемого, только более низкими предельно допустимыми значениями пропускаемых напряжений. В остальном являются его полной копией.
Электрические
За превышение вышеприведенных предельных значений придется расплачивается покупкой нового устройства. Обобщенные электрические характеристики TIP41C, представлены в следующей таблице. Они так же приведены с учетом TC не превышающей 25 оC:
Особенности маркировки
Обозначение, выведенное на корпусе tip41C говорит о том, что он впервые был изготовлен на заводах американского производителя радиоэлектронных компонентов Texas Instruments. Первые две буквы «TI» указывают на маркировку этой известной компании, а последующая «P» на высокую мощность прибора (от английского слова «power»). Далее идет символ «С», который определяет принадлежность прибора к группе по максимально возможному напряжению в нагрузке (до 100 В).
В 2004 году ON Semiconductor, следуя новым экологическим нормам, выпустила усовершенствованный tip41CG. Символ «G» указывает на отсутствие в устройстве свинца и соответствие его европейской директиве, ограничивающей содержание вредных веществ в радиоэлементах (Restriction of Hazardous Substances).
Аналоги и комплементарная пара
Для TIP41C замену или аналог достаточно сложно подобрать. Наиболее подходящими для него являются: 2SC2334, 2SD525, 2SD1059, BD711, BD911, BDT41C, MJE5180. Близкими по параметрам будут такие отечественные транзисторы как: КТ819Г и КТ8212А. В качестве комплементарной пары, в даташит многих производителей указан TIP42C.
Производители
Нажав по ссылке с именем производителя, можно скачать datasheet на tip41c, которых чаще всего встречается на прилавках российских магазинов: ON Semiconductor, Fairchild, STMicroelectronics и Inchange Semiconductor. Это полупроводниковый триод, изобретенный в 60-х года прошлого века компанией Texas Instruments, продолжают выпускать: KEC (Korea Electronics), Micro Commercial Components, Weitron Technology, Tiger Electronic, Thinki Semiconductor, Unisonic Technologies, Power Innovations, Boca Semiconductor Corporation, Wing Shing Computer Components, Dc Components, SemiHow, Inchange Semiconductor Company Limited, New Jersey Semi-Conductor Products, Guangdong Kexin Industrial, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH и другие.
Характеристики транзистора TIP41C, цоколевка, аналоги
TIP41C — NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор, предназначен для использования в линейных схемах средней мощности.
Отечественный аналог TIP41C
Особенности
- Комплиментарная пара – TIP42C
Корпусное исполнение, цоколевка TIP41C
- пластмассовый корпус TO-220
Характеристики транзистора TIP41C
Предельные параметры TIP41C
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICP):
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO):
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO):
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO):
Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (I
Максимально допустимая температура перехода (Tj):
Электрические характеристики транзисторов TIP41C (Т
C=25oС если не указано иное)Коэффициент усиления транзистора по току(hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 4 V, при постоянном токе коллектоpа (IC) 3 A:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))
- 1.5 V при IC = 6 A, IB = 600 mA
Обратный ток коллектоpа при разомкнутом выводе базы (ICEO) (IB = 0)
Обратный ток коллектоpа при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) (VEB = 0)
- 400 μA при VCE = 100 V
Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)
Постоянное напряжение база — эмиттеp (VBE(on)) при IC = 6 A, VCE = 4 V
Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (V CEO(sus))
- 100 V при IC = 30 mA, IB = 0
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT)
- 3 MHz при IC = 500 mA, VCE = 10 V
Опубликовано 05.02.2020
NPN; биполярный; 100В; 6А; 65Вт; TO220AB производства TIP41C
| Количество | |
|---|---|
| +3 | 42 |
| +10 | 38 |
| +26 | 27 |
| +120 | 26 |
Высказывания: Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD880-Y.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD880-Y . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор 2SD880-Y Коллективный разум.дата записи: 2015-03-03 10:24:53 2SD880 — BD241A, BD537, BD937, 2SD712 — возможный аналог; Добавить аналог транзистора 2SD880-Y.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2SD880-Y? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Биполярный транзистор D880 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.Наименование производителя: D880 Тип материала: Si Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100 Корпус транзистора: TO220 D880 Datasheet (PDF)1.1. pmd880.pdf Size:129K _upd PMD880 NPN SILICON TRIPLE DIFFSUED TRANSISTOR …designed for audio frequency power amplifier applications. TO-220AB MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 °C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 60 V Collector Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 7 V Collector Current IC 3 A Base Current IB 0.5 A Collector Power Dissipation Ta = 25 °C Pc 1.5 W Colle 1.2. ksd880.pdf Size:59K _fairchild_semi KSD880 Low Frequency Power Amplifier � Complement to KSB834 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A IB Base Current 0.3 A PC Collector Dissip 1.3. 2sd880.pdf Size:149K _utc UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD880 NPN SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD880 is designed for audio frequency power amplifier applications. FEATURES * High DC Current Gain: hFE=200(Max.)(VCE=5V, IC=0.5A) * Low Saturation Voltage: VCE(SAT)=1.0V(Max.)(IC=3A, IB=0.3A) * High Power Dissipation: PC=30W (TC=25°C) * Complementary to 2SB834 O 1.4. 2sd880.pdf Size:131K _mospec Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON POWER TRANSISTOR CSD880 TO-220 Audio Frequency Power Amplifier Applications. Complementary CSB834 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current 1.6. 2sd880.pdf Size:92K _inchange_semiconductor Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD880 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB834 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for use in audio frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta= 1.7. 2sd880.pdf Size:258K _lge 2SD880(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features Low frequency power amplifier Complement to 2SB834 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Dimensions in inches and (millimeters) VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Cu 1.8. 2sd880.pdf Size:516K _wietron 2SD880 NPN Silicon Epitaxial Power Transistor P b Lead(Pb)-Free COLLECTOR 2 1 BASE 2 FEATURES: 3 1 * Low frequency power amplifier 1. BASE 2. COLLECTOR * Complement to 2SB834 3. EMITTER 3 TO-220 EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Vol 1.9. hed880.pdf Size:72K _shantou-huashan N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HED880 █ APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220AB Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55 150℃ Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 150℃ PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）� 1.10. hd880.pdf Size:151K _shantou-huashan N PN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HD880 █ APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220 Tstg——Storage Temperature………………………… -55 150℃ Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）……� 1.11. d880.pdf Size:118K _jdsemi R D880 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Charger、Emergency lamp and Electric toy control circuit 2． 2． 2．FEATURES 2． 1.12. ftd880.pdf Size:210K _first_silicon SEMICONDUCTOR FTD880 TECHNICAL DATA FTD880 TRANSISTOR (NPN) A O FEATURES C F Low Frequency Power Amplifier E Complement to FTB834 B DIM MILLIMETERS A 10.15 ± 0.15 B 15.30 MAX C 1.3+0.1/-0.15 P D 0.8 ± 0.1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) E 3.8 ± 0.2 F 2.7 ± 0.2 J H 0.4 ± 0.15 Symbol Parameter Value Unit D J 13.6 ± 0.2 N 2.54 ± 0.2 H N АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам , решил создать таблицу аналогов . Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине. ИМПОРТНЫЙ — ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ 1561-1008 2Т874А |
Усилитель Дарлингтона
Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах.
Для справки: два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона — по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.
Достоинства транзистора Дарлингтона
— Высокий коэффициент усиления по току.
— Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
Недостатки составного транзистора
— Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
— Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В.
— Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.
Принципиальная схема УНЧ
Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом самостоятельного построения сабвуферного усилителя. Самое ценное в схеме — выходные транзисторы, цена которых не превышает 1$. По идее, такой усилитель усилитель можно собрать за 3-5$ без блока питания. Давайте сделаем небольшое сравнение, какой из микросхем может дать мощность 100-200 ватт на нагрузку 4 Ом? Сразу в мыслях знаменитые TDA7294. Но если сравнить цены, то дарлингтоновская схема и дешевле и мощнее TDA7294!
Сама микросхема, без комплектующих компонентов стоит 3$ как минимум, а цена активных компонентов дарлингтоновской схемы не более 2-2,5$! Притом, что дарлингтоновская схема на 50-70 ватт мощнее TDA7294!
При нагрузке 4 Ом усилитель отдает 150 ватт, это самый дешевый и неплохой вариант сабвуферного усилителя. В схеме усилителя использованы недорогие выпрямительные диоды, которые можно достать в любом электронном устройстве.
Усилитель может обеспечивать такую мощность за счет того, что на выходе использованы именно составные транзисторы, но при желании они могут быть заменены на обычные. Удобно использовать комплементарную пару КТ827/25, но конечно мощность усилителя спадет до 50-70 ватт. В дифференциальном каскаде можно использовать отечественные-КТ361 или КТ3107.
Полный аналог транзистора TIP41 наш КТ819А, Этот транзистор служит для усиления сигнала с диффкаскадов и раскачки выходников Эмиттерные резисторы можно использовать с мощностью 2-5 ватт, они для защиты выходного каскада. Подробнее про теххарактеристики транзистора TIP41C. Даташит для TIP41 и TIP42 скачайте тут.
— Материал p-n-перехода: Si
— Структура транзистора: NPN
— Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 65 W
— Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
— Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 100 V
— Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
— Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 6 A
— Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
— Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz
— Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
— Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 20
Такой усилитель может быть использован как в качестве сабвуферного, так и для широкополосной акустики. Характеристики усилителя тоже неплохие. При нагрузке в 4 Ом выходная мощность усилителя порядка 150 ватт, при нагрузке в 8 Ом мощность 100 ватт, максимальная мощность усилителя может доходить до 200 ватт с питанием +/-50 вольт.
Понравилась схема — лайкни!
ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ УНЧ
Смотреть ещё схемы усилителей
УСИЛИТЕЛИ НА ЛАМПАХ УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ
УСИЛИТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ СТАТЬИ ОБ УСИЛИТЕЛЯХ
АВТОМОБИЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ на TIP142 TIP147 200W и преобразователь DC DC на TL494
Усилитель развивает мощность 2х100Вт в стерео включении или 200Вт моно (в мостовом включении).Усилитель построен по схеме Дарлингтона.
Реклама2 шт. 3,5 мм аудиоразъем 3 полюса Отзывы: ***разъемы хорошие, рабочие, не люфтят.***
РекламаDC 5 в 12 В 24 В светодиодный SPI контрольный WS2811 WS2812B WiFi Отзывы: ***Все отлично, хорошее приложение и есть возможность подключения к Google Home***
Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах.
Для справки: два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона — по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.
Достоинства транзистора Дарлингтона
— Высокий коэффициент усиления по току.
— Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
Недостатки составного транзистора
— Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
— Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В.
— Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.
Входной каскад — усилитель на TL072P
TIP147 и TIP142 darlington-транзисторы используются на выходе усилителя мощности, и вместо них можно использовать BDW83C, BDW84C.
Схема двухполярного БП +35v -35v на TL494, необходимого для нормальной работы УНЧ. Подача перекрестного контура регулируется транзисторами TIP41C TIP42C
Сердцем блока питания является трансформатор EI33 от AT или ATX БП. Об использовании этого трансформатора очень много статей. МОП-транзисторы IRF1010N, управляемые выходом с TL494, могут быть заменены на IRF3205, IRFZ44, 50N06.
РекламаUSB заряжаемый ночник,
РекламаМини-регулируемый цифровой источник питания постоянного тока 30В 10А лабораторный
Небольшое видео автора о настройке, порядке построения и работе данного усилителя:
И конечно печатная плата.
Как сделать составной полевой транзистор. Составной транзистор (схема Дарлингтона). Принципиальная схема УНЧ
Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах.
Для справки : два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона — по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.
Достоинства транзистора Дарлингтона
Высокий коэффициент усиления по току.
Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
Недостатки составного транзистора
Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В.
Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.
Принципиальная схема УНЧ
Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом самостоятельного построения сабвуферного усилителя. Самое ценное в схеме — выходные транзисторы, цена которых не превышает 1$. По идее, такой усилитель усилитель можно собрать за 3-5$ без блока питания. Давайте сделаем небольшое сравнение, какой из микросхем может дать мощность 100-200 ватт на нагрузку 4 Ом? Сразу в мыслях знаменитые . Но если сравнить цены, то дарлингтоновская схема и дешевле и мощнее TDA7294!
Сама микросхема, без комплектующих компонентов стоит 3$ как минимум, а цена активных компонентов дарлингтоновской схемы не более 2-2,5$! Притом, что дарлингтоновская схема на 50-70 ватт мощнее TDA7294!
При нагрузке 4 Ом усилитель отдает 150 ватт, это самый дешевый и неплохой вариант сабвуферного усилителя. В схеме усилителя использованы недорогие выпрямительные диоды, которые можно достать в любом электронном устройстве.
Усилитель может обеспечивать такую мощность за счет того, что на выходе использованы именно составные транзисторы, но при желании они могут быть заменены на обычные. Удобно использовать комплементарную пару КТ827/25, но конечно мощность усилителя спадет до 50-70 ватт. В дифференциальном каскаде можно использовать отечественные-КТ361 или КТ3107.
Полный аналог транзистора TIP41 наш КТ819А, Этот транзистор служит для усиления сигнала с диффкаскадов и раскачки выходников Эмиттерные резисторы можно использовать с мощностью 2-5 ватт, они для защиты выходного каскада. Подробнее про теххарактеристики транзистора TIP41C. Даташит для TIP41 и TIP42 .
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 65 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 100 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 6 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz
— Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 20
Такой усилитель может быть использован как в качестве сабвуферного, так и для широкополосной акустики. Характеристики усилителя тоже неплохие. При нагрузке в 4 Ом выходная мощность усилителя порядка 150 ватт, при нагрузке в 8 Ом мощность 100 ватт, максимальная мощность усилителя может доходить до 200 ватт с питанием +/-50 вольт.
Если соединить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, причем его коэффициент (3 будет равен произведению коэффициентов составляющих транзисторов. Этот прием полезен для схем, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных каскадов усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.
Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.
Рис. 2.61. Повышение скорости выключения в составном транзисторе Дарлингтона.
В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше обычного, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде (так как потенциал эмиттера транзистора должен превышать потенциал эмиттера транзистора на величину падения напряжения на диоде). Кроме того, соединенные таким образом транзисторы ведут себя как один транзистор с достаточно малым быстродействием, так как транзистор не может быстро выключить транзистор . С учетом этого свойства обычно между базой и эмиттером транзистора включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает смещение транзистора в область проводимости за счет токов утечки транзисторов и . Сопротивление резистора выбирают так, чтобы токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и вместе с тем чтобы через него протекал ток, малый по сравнению с базовым током транзистора . Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.
Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде законченных модулей, включающих, как правило, и эмиттерный резистор. Примером такой стандартной схемы служит мощный п-р-п-транзистор Дарлингтона типа , его коэффициент усиления по току равен 4000 (типичное значение) для коллекторного тока, равного 10 А.
Рис. 2.62. Соединение транзисторов по схеме Шиклаи («дополняющий транзистор Дарлингтона»).
Соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai).
Соединение транзисторов по схеме Шиклаи представляет собой схему, подобную той, которую мы только что рассмотрели. Она также обеспечивает увеличение коэффициента . Иногда такое соединение называют комплементарным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор п-р-п-типа, обладающий большим коэффициентом . В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, равно по крайней мере падению напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами , ведет себя как один транзистор п-р-п-типа с большим коэффициентом усиления по току. Транзисторы , соединенные по схеме Шиклаи, ведут себя как мощный транзистор р-п-р-тииа с большим коэффициентом усиления.Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором использованы выходные транзисторы только .
Как и прежде, резисторы и имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазидополнительной симметрией. В настоящем каскаде с дополнительной симметрией (комплементарном) транзисторы были бы соединены по схеме Дарлингтона.
Транзистор со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току.
Составные транзисторы — транзистор Дарлингтона и ему подобные не следует путать с транзисторами со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, в которых очень большое значение коэффициента получают в ходе технологического процесса изготовления элемента. Примером такого элемента служит транзистор типа , для которого гарантируется минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении коллекторного тока в диапазоне от до этот транзистор принадлежит к серии элементов , которая характеризуется диапазоном максимальных напряжений от 30 до 60 В (если коллекторное напряжение должно быть больше, то следует пойти на уменьшение значения ). Промышленность выпускает согласованные пары транзисторов со сверхбольшим значением коэффициента . Их используют в усилителях с низким уровнем сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; этому вопросу посвящен разд. 2.18. Примерами подобных стандартных схем служат схемы типа они представляют собой транзисторные пары с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение согласовано до долей милливольта (в самых хороших схемах обеспечивается согласование до , а коэффициент Схема типа представляет собой согласованную пару .Транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента можно объединять по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным всего лишь (примерами таких схем служат операционные усилители типа .
При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше тех моделей, которые предлагают фирмы производители радиоэлектронных компонентов (или лучше чем позволяет реализовать доступная технология изготовления транзисторов). Эта ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных микросхем. Нам обычно требуются больший коэффициент усиления по току h 21 , большее значение входного сопротивления h 11 или меньшее значение выходной проводимости h 22 .
Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует много возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшая при этом его параметры. Наибольшее распространение получила схема Дарлингтона. В простейшем случае это соединение двух транзисторов одинаковой полярности. Пример схемы Дарлингтона на npn транзисторах приведен на рисунке 1.
Рисунок 1 Схема Дарлингтона на npn транзисторах
Приведенная схема эквивалентна одиночному npn транзистору. В данной схеме ток эмиттера транзистора VT1 является током базы транзистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основным преимуществом схемы Дарлингтона является высокое значение коэффициента усиления по току h 21 , которое можно приблизительно определить как произведение h 21 входящих в схему транзисторов:
(1)Однако следует иметь ввиду, что коэффициент h 21 достаточно сильно зависит от тока коллектора. Поэтому при малых значениях тока коллектора транзистора VT1 его значение может значительно уменьшиться. Пример зависимости h 21 от тока коллектора для разных транзисторов приведен на рисунке 2
Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов от тока коллектора
Как видно из этих графиков, коэффициент h 21э практически не изменяется только у двух транзисторов: отечественный КТ361В и иностранный BC846A. У остальных транзисторов коэффициент усиления по току значительно зависит от тока коллектора.
В случае когда базовый ток транзистора VT2 получается достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения необходимого значения коэффициента усиления по току h 21 . В этом случае увеличения коэффициента h 21 и, соответственно, уменьшения тока базы составного транзистора можно добиться увеличением тока коллектора транзистора VT1. Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают дополнительный резистор, как это показано на рисунке 3.
Рисунок 3 Составной транзистор Дарлингтона с дополнительным резистором в цепи эмиттера первого транзистора
Например, определим элементы для схемы Дарлингтона, собранной на транзисторах BC846A Пусть ток транзистора VT2 будет равен 1 мА. Тогда его ток базы будет равен:
(2)При таком токе коэффициент усиления по току h 21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может оказаться значительно меньше расчетного. Увеличив ток коллектора транзистора VT1 при помощи резистора можно значительно выиграть в значении общего коэффициента усиления h 21 . Так как напряжение на базе транзистора является константой (для кремниевого транзистора u бэ = 0,7 В), то рассчитаем по закону Ома:
(3)В этом случае мы вправе ожидать коэффициент усиления по току до 40000. Именно таким образом выполнены многие отечественные и иностранные супербетта транзисторы, такие как КТ972, КТ973 или КТ825, TIP41C, TIP42C. Схема Дарлингтона широко используется в выходных каскадах усилителей низкой частоты (), операционных усилителей и даже цифровых , например, .
Следует отметить, что схема Дарлингтона обладает таким недостатком, как повышенное напряжение U кэ. Если в обычных транзисторах U кэ составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение возрастает до 0,9 В. Это связано с необходимостью открывать транзистор VT1, а для этого на его базу следует подать напряжение 0,7 В (если мы рассматриваем кремниевые транзисторы).
Для того, чтобы устранить указанный недостаток была разработана схема составного транзистора на комплементарных транзисторах. В российском Интернете она получила название схемы Шиклаи. Это название пришло из книги Титце и Шенка, хотя эта схема ранее имела другое название. Например, в советской литературе она называлась парадоксной парой. В книге В.Е.Хелейн и В.Х.Холмс составной транзистор на комплементарных транзисторах называется схемой Уайта, поэтому будем ее называть просто составным транзистором. Схема составного pnp транзистора на комплементарных транзисторах приведена на рисунке 4.
Рисунок 4 Составной pnp транзистор на комплементарных транзисторах
Точно таким же образом образуется npn транзистор. Схема составного npn транзистора на комплементарных транзисторах приведена на рисунке 5.
Рисунок 5 Составной npn транзистор на комплементарных транзисторах
В списке литературы на первом месте приведена книга 1974 года издания, но существуют КНИГИ и остальные издания. Есть основы, которые не устаревают длительное время и огромное количество авторов, которые просто повторяют эти основы. Рассказать понятно надо уметь! За все время профессиональной деятельности я встретил менее десяти КНИГ. Я всегда рекомендую изучать аналоговую схемотехнику с этой книги.
Дата последнего обновления файла 18.06.2018
Литература:
Вместе со статьей «Составной транзистор (схема Дарлингтона)» читают:
http://сайт/Sxemoteh/ShVklTrz/kaskod/
http://сайт/Sxemoteh/ShVklTrz/OE/
Если соединить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, причем его коэффициент β будет равен произведению коэффициентов β составляющих транзисторов. Этот прием полезен для схем, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных каскадов усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.
Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.
В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше обычного, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде (так как потенциал эмиттера транзистора Т 1 должен превышать потенциал эмиттера транзистора Т 2 , на величину падения напряжения на диоде). Кроме того, соединенные таким образом транзисторы ведут себя как один транзистор с достаточно малым быстродействием, так как транзистор T 1 не может быстро выключить транзистор Т 2 . С учетом этого свойства обычно между базой и эмиттером транзистора Т 2 включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает смешение транзистора Т 2 в область проводимости за счет токов утечки транзисторов Т 1 и Т 2 . Сопротивление резистора выбирают так, чтобы токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и вместе с тем чтобы через него протекал ток. малый по сравнению с базовым током транзистора Т 2 . Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.
Рис. 2.61. Повышение скорости выключения в составном транзисторе Дарлингтона.
Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде законченных модулей, включающих, как правило, и эмиттерный резистор. Примером такой стандартной схемы служит мощный n-p-n — транзистор Дарлингтона типа 2N6282, его коэффициент усиления по току равен 4000 (типичное значение) для коллекторного тока, равного 10 А.
Соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai). Соединение транзисторов по схеме Шиклаи представляет собой схему, подобную той. которую мы только что рассмотрели. Она также обеспечивает увеличение коэффициента β. Иногда такое соединение называют комплементарным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор n-p-n — типа, обладающий большим коэффициентом β. В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, равно по крайней мере падению напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора Т 2 рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора T 1 Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами Т 2 и Т 3 . ведет себя как один транзистор n-p-n — типа. с большим коэффициентом усиления по току. Транзисторы Т 4 и Т 5 , соединенные по схеме Шиклаи, ведут себя как мощный транзистор p-n-p — типа. с большим коэффициентом усиления. Как и прежде, резисторы R 3 и R 4 имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазидополнительной симметрией. В настоящем каскаде с дополнительной симметрией (комплементарном) транзисторы Т 4 и Т 5 , были бы соединены по схеме Дарлингтона.
Рис. 2.62. Соединение транзисторов по схеме Шиклаи («дополняющий транзистор Дарлингтона»).
Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором использованы выходные транзисторы только n-p-n — типа.
Транзистор со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току. Составные транзисторы — транзистор Дарлингтона и ему подобные — не следует путать с транзисторами со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, в которых очень большое значение коэффициента h 21э получают в ходе технологического процесса изготовления элемента. Примером такого элемента служит транзистор типа 2N5962. для которого гарантируется минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении коллекторного тока в диапазоне от 10 мкА до 10 мА; этот транзистор принадлежит к серии элементов 2N5961-2N5963, которая характеризуется диапазоном максимальных напряжений U кэ от 30 до 60 В (если коллекторное напряжение должно быть больше, то следует пойти на уменьшение значения C). Промышленность выпускает согласованные пары транзисторов со сверхбольшим значением коэффициента β. Их используют в усилителях с низким уровнем сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; этому вопросу посвящен разд. 2.18 . Примерами подобных стандартных схем служат схемы типа LM394 и МАТ-01; они представляют собой транзисторные пары с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение U бэ согласовано до долей милливольта (в самых хороших схемах обеспечивается согласование до 50 мкВ), а коэффициент h 21э — до 1%. Схема типа МАТ-03 представляет собой согласованную пару p-n-p — транзисторов.
Транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента β можно объединять по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным всего лишь 50 пкА (примерами таких схем служат операционные усилители типа LM111 и LM316.
Если взять, например, транзистор MJE3055T у него максимальный ток 10А, а коэффициент усиления всего около 50, соответственно, чтобы он открылся полностью, ему надо вкачать в базу ток около двухста миллиампер. Обычный вывод МК столько не потянет, а если влючить между ними транзистор послабже (какой-нибудь BC337), способный протащить эти 200мА, то запросто. Но это так, чтобы знал. Вдруг придется городить управление из подручного хлама — пригодится.
На практике обычно используются готовые транзисторные сборки . Внешне от обычного транзистора ничем не отличается. Такой же корпус, такие же три ножки. Вот только мощи в нем больно дофига, а управляющий ток микроскопический:) В прайсах обычно не заморачиваются и пишут просто — транзистор Дарлигнтона или составной транзистор.
Например пара BDW93C (NPN) и BDW94С (PNP) Вот их внутренняя структура из даташита.
Мало того, существуют сборки дарлингтонов . Когда в один корпус упаковывают сразу несколько. Незаменимая вещь когда надо рулить каким-нибудь мощным светодиодным таблом или шаговым двигателем (). Отличный пример такой сборки — очень популярная и легко доступная ULN2003 , способная протащить до 500 мА на каждый из своих семи сборок. Выходы можно включать в параллель , чтобы повысить предельный ток. Итого, одна ULN может протащить через себя аж 3.5А, если запараллелить все ее входы и выходы. Что мне в ней радует — выход напротив входа, очень удобно под нее плату разводить. Напрямик.
В даташите указана внутренняя структура этой микросхемы. Как видишь, тут также есть защитные диоды. Несмотря на то, что нарисованы как будто бы операционные усилители, здесь выход типа открытый коллектор. То есть он умеет замыкать только на землю. Что становится ясно из того же даташита если поглядеть на структуру одного вентиля.
Распиновка, характеристики, техническое описание и применение транзистора TIP41CПривет, друзья! Добро пожаловать на борт. Рад тебя видеть. Сегодня в этом посте я расскажу вам Введение в Tip41c.
Tip41c — это NPN-транзистор, который поставляется в корпусе TO-220 и в основном используется для усиления и переключения. Это устройство с высокой скоростью переключения, улучшенным коэффициентом усиления по току и высоким током коллектора около 6 А, что указывает на величину нагрузки, которую это устройство может поддерживать.Напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер составляет 100 В (выше, чем у других биполярных транзисторов), а напряжение эмиттер-база составляет 5 В, что показывает, что для смещения этого компонента требуется только 5 В.
Просто оставайтесь со мной ненадолго, поскольку я собираюсь подробно описать распиновку, техническое описание, приложения, номинальную мощность, принцип работы и физические размеры этого крошечного устройства.
Давайте сразу перейдем к делу.
Введение в TIP41C- Tip41C — это крошечное электронное устройство, которое в основном используется для коммутации и усиления.Он относится к категории транзисторов NPN и имеет высокую мощность около 65 Вт, что соответствует количеству энергии, выделяемой во время работы этого транзистора.
- Этот транзистор NPN имеет три контакта, также называемых выводами, которые называются эмиттером, коллектором и базой.
- Малый входной ток через одну пару выводов используется для создания большого тока через другие пары выводов. Этот процесс используется для целей усиления.
- Tip41c состоит из трех слоев.Один из них представляет собой слой с примесью p, а два других — с слоем с примесью n, которые состоят из полупроводников (кремниевый материал).
- Слой, легированный p-примесью, расположен между двумя слоями, легированными n-типом. И слой, легированный p-примесью, является выводом базы, а знак P показывает, что положительное напряжение приложено к выводу базы, чтобы запустить действие транзистора.
- Это устройство состоит из двух соединений. Один из них — переход база-эмиттер с прямым смещением и переход база-коллектор с обратным смещением в прямом активном режиме.
- Коллекторный ток составляет 6 А, что намного выше, чем у других биполярных транзисторов, доступных на рынке. Этот ток определяет величину нагрузки, которую может поддерживать это устройство.
- Коэффициент усиления по току с общим эмиттером простирается от 15 до 75, что соответствует емкости транзистора, с помощью которого он может усилить входной ток. Это соотношение между током коллектора и током базы.
- Частота транзистора составляет 3 МГц, что демонстрирует, как на коэффициент усиления транзистора по току влияет входная частота.
- Это устройство контролирует низкий входной ток и производит высокий выходной ток, поэтому это устройство называется устройством с регулируемым током.
- Это биполярный транзистор, что означает, что для процесса проводимости используются два носителя заряда, то есть электроны и дырки. Электроны являются основными носителями в транзисторах NPN, а дырки — основными носителями в транзисторах PNP.
Технический паспорт TIP41C
Технический паспорт любого компонента документирует характеристики и производительность устройства, благодаря чему вы понимаете, что это за продукт, и его номинальную мощность.Щелкните ссылку ниже, чтобы загрузить техническое описание Tip41c.
Распиновка TIP41CTip41c поставляется с тремя клеммами с именами:
1: База
2: Коллектор
3: Излучатель
На следующем рисунке показана распиновка Tip41c.
- Это устройство изготовлено таким образом, что сторона коллектора покрывает всю площадь эмиттера, что затрудняет выход электронов без их сбора клеммой коллектора.
- Все эти штифты имеют разную концентрацию легирования. Сторона коллектора слегка легирована, а сторона эмиттера более легирована по сравнению как с базой, так и с эмиттерным штырем.
- Коллекторный вывод в 10 раз слаболегирован по сравнению с выводом базы. Эти контакты используются для внешних соединений с электрической цепью.
- Независимо от того, какой биполярный транзистор вы выберете, вывод базы отвечает за работу транзистора в каждом биполярном транзисторе.Когда на вывод базы подается положительное напряжение, он смещается, инициируя действие транзистора.
- И ток начинает течь от коллектора к выводу эмиттера, в отличие от транзистора PNP, где ток течет от эмиттера к выводу коллектора.
- Базовый вывод работает как регулирующий клапан, который контролирует количество электронов в этом NPN-транзисторе и количество отверстий в PNP-транзисторе.
- Биполярные транзисторы не симметричны.Отсутствие симметрии вызвано разной концентрацией легирования выводов коллектора и эмиттера.
- Два наиболее распространенных коэффициента усиления по току используются для демонстрации природы и способности усиления тока… один — коэффициент усиления с общим эмиттером, который в данном случае составляет от 10 до 75 и представляет собой соотношение между током коллектора и базой.
- Он также известен как коэффициент усиления. Этот коэффициент сигнализирует о емкости транзисторов, он может усилить небольшой входной ток.Этот коэффициент называется бета.
- Еще одним важным фактором является коэффициент усиления по току общей базы, который представляет собой соотношение между током коллектора и эмиттера. Величина этого усиления всегда меньше 1. Скорее всего, от 0,5 до 0,95.
В таблице ниже показаны абсолютные максимальные номинальные значения Tip41c.
| Абсолютные максимальные характеристики Tip41C | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| № | Номинальное значение | Символ | Значение | Единица | |||
| 1 | Напряжение коллектора-эмиттера | ||||||
| 2 | Напряжение коллектор-база | Vcb | 100 | В | |||
| 3 | Напряжение эмиттер-база | Veb | 5 | 9011 901 901 901 9011 901 901 Коллектор 901 901 | Ic | 6 | A |
| 5 | Коэффициент усиления по току | hfe | 15-75 | ||||
| 6 | Рассеиваемая мощность | ||||||
| Температура хранения | Tstg | от -65 до 150 | C | ||||
- Из таблицы видно, что напряжения коллектор-база и коллектор-эмиттер составляют 100 В, а напряжение эмиттер-база составляет 5 В, что означает, что для запуска транзистора требуется 5 В.
- Общая рассеиваемая мощность составляет 65 Вт, а коэффициент усиления по току с общим эмиттером составляет от 15 до 75, что определяет емкость транзистора, который может усилить входной ток. Частота перехода составляет 3 МГц, а температура хранения от -65 до 150С.
Ниже приведены альтернативы Tip41c.
- MJE5180
- 2SD1895
- MJE5181
- BC911
- BD711
Перепроверьте распиновку альтернатив, прежде чем включать их в свой проект.Вероятно, распиновка альтернатив не совсем совпадает с распиновкой Tip41c. Чтобы оставаться в безопасности и избежать каких-либо проблем в дальнейшем, дважды проверьте распиновку альтернатив.
Дополнительным PNP-транзистором для Tip41c является Tip42c.
Приложения TIP41CЭтот транзистор NPN используется в следующих приложениях.
- Используется для усиления и переключения.
- Используется для управления нагрузкой до 6А.
- Используется для привода двигателей постоянного тока.
- Используется в парах Дарлингтона.
- Используется для усиления сигнала и усиления звука.
TIP41C Физические размеры
На следующей диаграмме показаны физические размеры Tip41c.
На сегодня все. Надеюсь, эта статья окажется для вас полезной. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете оставить свой комментарий в разделе ниже, я буду рад помочь вам как можно лучше. Приглашаем вас поделиться своими отзывами и предложениями, они помогают нам подбирать контент с учетом ваших конкретных потребностей и требований.Спасибо, что прочитали статью.
TIP41C Силовой транзистор NPN — Спецификация
TIP41C — это силовой транзистор NPN с технологией базового острова в пластиковом корпусе TO-220, который делает это устройство подходящим для аудио, линейных и коммутационных приложений. Дополнительный тип PNP — TIP42C.
Распиновка TIP41
Конфигурация выводов TIP41
| Номер контакта | Имя контакта |
|---|---|
| 1 | База |
| 2 | Коллектор |
| 3 | Коллектор | 9011 9011 9011
Основные характеристики TIP41
- Напряжение насыщения коллектор – эмиттер —
- VCE (sat) = 1.5 В постоянного тока (макс.) @ IC = 6.0 Adc
- Поддерживающее напряжение коллектор – эмиттер —
- VCEO (sus) = 100 В постоянного тока (мин) — TIP41C, TIP42C
- Усиление высокого тока — продукт на ширину полосы
- fT = 3,0 МГц (мин.) При IC = 500 мА пост. Тока
- Compact TO – 220 AB Корпус
- Высокая скорость переключения
- hFE улучшенная линейность
- Обозначение типа: TIP41C
- Материал транзистора: Si
- Полярность: NPN
Спецификация
| Ic (мА) | Pd (мВт) | Vce (макс.) | Vcb | hfe | @ Ic | @ Ic | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 6 | 65 | 100 | 100 | 15-75 | 3000 | 3 |
- TIP100, TIP101, TIP102, TIP105, TIP106, TIP107, TIP110, TIP42C
Применение
- Схемы общего назначения
- Аудиоусилитель
- Линейный и коммутационный
Вы можете скачать это техническое описание для силового транзистора TIP41C NPN по ссылке ниже:
TIP41 NPN Power Transistor (TO-220)
Политика возврата
В связи с типом продукции, которую мы продаем, мы принимаем ограниченный возврат.Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.
1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным дефектом, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.2. Отправлен не тот товар
Если вы получили продукт, отличный от заказанного, пожалуйста, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат товаров, поврежденных в результате неправильного использования. Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, прочтите спецификации продукта и техническое описание перед выбором и заказом продукта.Доставка
Мы отправляем по всей Индии с фиксированной ставкой 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий.Для всех заказов на сумму свыше 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. По любым вопросам, связанным с доставкой, обращайтесь в нашу службу поддержки по адресу [email protected].
Политика возврата
В связи с типом продукции, которую мы продаем, мы принимаем ограниченный возврат. Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.
1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным дефектом, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.2. Отправлен не тот товар
Если вы получили продукт, отличный от заказанного, пожалуйста, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат товаров, поврежденных в результате неправильного использования.Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, прочтите спецификации продукта и техническое описание перед выбором и заказом продукта.Доставка
Мы отправляем по всей Индии с фиксированной ставкой 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий. Для всех заказов на сумму более 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. По любым вопросам, связанным с доставкой, обращайтесь в нашу службу поддержки по адресу [email protected].
Распиновка транзистора TIP31C, конфигурация, эквивалент, схема и техническое описание
Конфигурация выводов TIP31CTIP31C — это силовой транзистор NPN .Как и любой другой транзистор, он имеет три контакта, а именно ЭМИТТЕР, БАЗУ и КОЛЛЕКТОР. Конфигурация контактов TIP31C приведена ниже.
Номер контакта | Имя контакта | Описание |
3 | Излучатель (E) | Обычно подключен к ЗАЗЕМЛЕНИЮ |
2 | Коллектор (C) | Обычно подключен к НАГРУЗКЕ |
1 | База (B) | Обычно используется как ТРИГГЕР для ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА. |
- ТРАНЗИСТОР средней мощности
- С усилением hfe до 50
- С улучшенной линейностью hfe
- Максимальное напряжение между КОЛЛЕКТОРОМ и ЭМИТТЕРОМ ТРАНЗИСТОРА: 100 В
- Максимально допустимый ток через КОЛЛЕКТОР ТРАНЗИСТОРА: 3 А постоянного тока
- Максимальное напряжение между БАЗОЙ и ЭМИТТЕРОМ ТРАНЗИСТОРА: 5 В
- Максимально допустимый ток через БАЗУ ТРАНЗИСТОРА: 1 А постоянного тока
- Максимальное напряжение на КОЛЛЕКТОРЕ и БАЗЕ ТРАНЗИСТОРА: 100 В
- Максимальная рабочая температура: 150ºC
TIP31C TRANSISTOR имеет много замен, таких как TIP31A, 2N6122, TIP31B, MJE340K, SW4F013.Перед заменой необходимо тщательно проверить параметры и конфигурацию контактов. Замена без учета параметров напряжения, тока и усиления может привести к необратимому повреждению.
Похож на TIP31CTIP122, TIP121, TIP120, 2N6288, 2N6290, 2N6292
Где использовать TIP31CДля понимания использования TIP31C рассмотрим:
Case1: Если вам нужно простое ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ДЛЯ СРЕДНИХ МОЩНЫХ НАГРУЗОК.TIP31C — один из основных транзисторов, которые легко доступны и дешевы. Благодаря своим электрическим характеристикам, подходящим для многих областей применения, он довольно популярен. Так что компонент лучше всего подходит при выборе устройства случайного переключения.
Case2: Если вы хотите УСИЛИТЬ сигнал. Коэффициент усиления у TIP31C довольно хороший, и важно то, что усиление практически линейное. Таким образом, эти характеристики делают TIP31C одним из лучших претендентов на применение в усилителях.
Case3: TIP31C может управляться импульсами МИКРОКОНТРОЛЛЕРА из-за его усиления и высокой скорости отклика.Таким образом, его можно использовать в приложениях с высокоскоростной коммутацией.
Как использовать TIP31CTIP31C можно использовать как любой другой силовой транзистор. Здесь мы собираемся использовать TIP31C в конфигурации COMMON EMITTER, чтобы понять его работу.
В приведенной выше схеме мы — , использующий TIP31C в качестве простого переключающего устройства . Как показано на рисунке, мы используем небольшой ДВИГАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА в качестве НАГРУЗКИ. ТРИГГЕР для включения ТРАНЗИСТОРА обеспечивается БЛОКОМ УПРАВЛЕНИЯ (НЕ МИКРОКОНТРОЛЛЕР, поскольку МИКРОКОНТРОЛЛЕР не может обеспечить 300 мА).Блок управления подает импульсы + 5В на базу ТРАНЗИСТОРА. ЗАЗЕМЛЕНИЕ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ должно быть обязательно подключено к ТРАНЗИСТОРНОМУ ЭМИТТЕРУ.
Резистор 10 Ом предназначен для ограничения тока через BASE. Этот резистор, ограничивающий ток BASE, важен. Точно можно выбрать из расчета:
Максимальный ток через БАЗУ = 1 А
Выберите БАЗОВЫЙ ток = 0,9 А
Максимальное напряжение между БАЗОЙ и ЭМИТТЕРОМ = 5 В
Выберите Vbe = 4.5
Напряжение на резисторе R = ВЫХОДНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ — 4,5 = XX В
Резистор R = XX / 0,9 = YYΩ.
Поместите сопротивление YY Ω последовательно с базой, как показано на схеме.
В нормальных условиях ТРАНЗИСТОР будет ВЫКЛЮЧЕН, так как БАЗОВЫЙ ток не будет. Когда импульсы напряжения БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ достигают БАЗЫ, ток течет через БАЗУ ТРАНЗИСТОРА. При протекании тока БАЗЫ ТРАНЗИСТОР включается. При этом будет ток КОЛЛЕКТОРА, который течет через ДВИГАТЕЛЬ.Итак, ДВИГАТЕЛЬ вращается. ДВИГАТЕЛЬ будет вращаться до тех пор, пока не появится БАЗОВЫЙ ток.
Когда выход БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ становится НИЗКИМ, БАЗОВЫЙ ток становится НУЛЕВЫМ. Транзистор выключается, когда БАЗОВЫЙ ток становится НУЛЕВЫМ. Таким образом, ток КОЛЛЕКТОРА также становится НУЛЕМ, что приводит к ОСТАНОВКЕ ДВИГАТЕЛЯ.
Таким образом, мы можем использовать TIP31C в качестве коммутационного устройства. Схема, использованная выше, является простой схемой тестирования, а не схемой приложения. Использование его без приспособлений, таких как HEAK SINK, FLYBACK DIODE и т. Д., Приведет к повреждению устройства.
Для использования TIP31C в качестве усилителя необходимо учитывать характеристики усиления по току. Итак, для лучшего понимания мы представим график CURRENT GAIN TIP31C. Типичный график DC GAIN для TIP31C приведен ниже.
Из графика, УСИЛЕНИЕ составляет почти 100, когда ток КОЛЛЕКТОРА составляет 1000 мА или 1 А. И УСИЛЕНИЕ падает до 60, когда ток КОЛЛЕКТОРА составляет 2000 мА или 2 А. Когда ток КОЛЛЕКТОРА превышает 2А, УСИЛЕНИЕ почти линейное. Значение этого параметра важно для АППЛИФИКАТОРОВ.Принимая во внимание эти диапазоны, мы можем принять соответствующие меры для повышения производительности.
Приложения- Контроль скорости двигателя постоянного тока
- Системы освещения
- Приложения ШИМ
- Драйверы реле
- Импульсный источник питания
- Усилители звука
- Усилители сигналов
Все размеры указаны в миллиметрах
TIP41C ST NPN Силовой транзистор 100 В TO-220
TIP41C ST NPN Силовой транзистор 100 В TO-220 | Переключатель ЭлектроникаМагазин не будет работать корректно, если куки отключены.
Похоже, в вашем браузере отключен JavaScript. Для наилучшего взаимодействия с нашим сайтом обязательно включите Javascript в своем браузере.
Ссылочный код: 551569
На складе 56 шт. Закажите в течение0 часов 00 минут
для отправки сегодняОт 0 фунтов стерлингов.64
С НДСОт 0,53 £
Без НДС| Multi Buy Скидки | |||
|---|---|---|---|
| 1+ | 0,64 £ С НДС | £ 0,53 Без НДС | |
| 25+ | 0,55 £ С НДС | £ 0.46 Без НДС | Экономия 14% |
| 50+ | £ 0,46 С НДС | 0,38 £ Без НДС | Экономия 29% |
Транзистор TIP41C NPN представляет собой силовой транзистор с технологией базового острова в пластиковой упаковке TO-220.Устройство подходит для аудио, силовых линейных и коммутационных приложений. Дополнительные технические характеристики см. В прилагаемом листе данных.
- Дополнительные устройства PNP-NPN
- Новая расширенная серия
- Высокая скорость переключения
- h FE улучшенная линейность
- h FE группировка
- 65W 6A 100V TO220
| Производитель | СТ |
|---|---|
| Тип | НПН |
| Тип крепления | Сквозное отверстие |
| Упаковка | TO220AB |
| Коэффициент усиления постоянного тока | 15 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5В |
| Максимальная рабочая температура | 150 ° С |
Utsource является дистрибьютором TIP41C STMicroelectronics, купите TIP41C STMicroelectronics, в наличии, новый и оригинальный по более низкой цене, предложите техническое описание изображения | pdf
Описание TIP41C
TIP41C — это биполярный силовой транзистор типа NPN, который имеет стиль упаковки TO 220.Транзистор TIP41C его потребляемая мощность является переходным, поэтому он может применяться в областях, где транзисторы с низким сигналом не подходят. Транзистор TIP41C был разработан для использования в коммутационных устройствах и усилителях.
Конфигурация выводов TIP41C
Транзистор TIP41C состоит из трех выводов
C — коллектор
B — база
E — эмиттер
Базовый затвор запускается малым током, чтобы обеспечить прохождение высокого напряжения между коллектором и эмиттер.
Эмиттер — это вывод стока, вывод вывода. Он также подключен к земле
Коллектор — питание подается через коллектор и также связано с нагрузкой
Характеристики и спецификации для TIP41C
Всегда следите за тем, чтобы абсолютный максимальный рейтинг для TIP41C не превышал превышено, чтобы избежать необратимого повреждения устройства. На надежность устройств может снизиться нагрузка на устройства в течение длительного времени.
Символ | Параметр | Значение | |||
V 3 CE 907 100V | |||||
V EB | Напряжение коллектора эмиттера | 5V | |||
86 CB907 100 В | |||||
h fe | Усиление постоянного тока | 15-75 | |||
f | f | 02 Переходный процесс | I B 90 786 | Базовый ток | 2A |
● Это транзистор NPN
● PNP-NPN Устройства с высокой степенью комплементарности
● Постоянный ток с улучшенной линейностью
● Недорогое переключение 9000 ● скорость● Широкий диапазон температур от -65 ℃ до 150 ℃ при хранении и работе
Эквивалентные транзисторы для TIP41C:
TIP41D, TIP41F, TIP41CF, TIP42D, TIP42F, TIP42E
и TIP42E электрические характеристики для TIP41CСимвол | Рейтинг | Параметры | ||
I .7 мА | Значение тока отсечки коллектора | |||
I EBO | 1A | Текущее значение эмиттера 0 | ||
0,4 мА | Текущее значение отключения коллектора | |||
В CEO | 10020 В | 10020В | ||
V CE | 1.5 | Напряжение через коллектор-эмиттер | ||
В BE | 2 В | Напряжение через базовый эмиттер | 000 9085 75 | Значение усиления тока стока |
Тестирование TIP41C
Использование мультиметра
● Base-Emitter — Подсоединение базы транзистора к положительному выводу мультиметр и минус к эмиттеру.
● База-коллектор — положительная клемма подключается к базе, а отрицательная клемма — к коллектору.
● Эмиттер-база — положительный вывод подключен к эмиттеру транзистора, а отрицательный — к базе.
● Коллектор-база — положительный вывод мультиметра подключен к коллектору транзистора, а отрицательный — на базе
● Коллектор-эмиттер — положительный вывод подключен к коллектору, а эмиттер — к отрицательный вывод мультиметра.
Результаты мультиметра для всех тестов должны находиться в пределах одного и того же значения, измеренное напряжение находится в диапазоне от 0,45 В до 0,9 В
Приложения для TIP41C
Усилитель мощности — усилитель используется для усиление входного сигнала и дает более высокий выходной сигнал.
Линейный источник питания , который используется для снижения шума, так как имеется высокочастотное переключение. Недостатком линейного блока питания являются габариты, вес и низкая частота.TIP41C также используется в коммутации.
Аудио — большинство усилителей предназначены для усиления сигналов. TIP41C — один из транзисторов, который решает проблему воздействия сигнала из-за его способности усиления и высокой коммутации.
Другое применение биполярного силового транзистора TIP41C: обработка сигналов, промышленная коммутация, схемы общего назначения, которые обычно используются в электрических розетках и освещении благодаря своей функции переключения
✓ Транзистор Tip41c Reemplazo
Tip41c техническое описание, pdf 11.Дополнительный тип pnp — tip42c.
Amazon Com Mcigicm Tip41c Tip41 Transistor Bipolar Bjt
Tip42 Datasheet Equivalente Reemplazo Todos Los
Книга эквивалентов транзисторов 2sc2238 Компоненты транзисторов
Tip41c — это силовой транзистор npn с базовым островом в корпусе из пластика 220, который подходит для этого устройства. силовые линейные и коммутационные приложения.
Транзистор tip41c reemplazo . Tip41a41b41c tip42a42b42c Комплементарные кремниевые силовые транзисторы n sgs thomson описание предпочтительных типов tip41a tip41b и tip41c представляют собой кремниевые силовые npn-транзисторы с эпитаксиальной базой в пластиковом корпусе jedec-220, предназначенные для использования в линейных и коммутационных устройствах средней мощности. Ремонт транзистора tip41c. Замена и эквивалентный транзистор для tip41c. Вы можете заменить tip41c на bd711 bd911 bdt41c bdt41cf mje5180 mje5181 mje5182 tip41cf tip41cg tip41d tip41e tip41f tip42d tip42e или tip42f.
446 бесплатная доставка бесплатно доставка 5 8 рабочих дней внутри сша. Tip41c tip42cpdf size275k st2. Tip41c tip41 npn транзисторный усилитель мощности звука 100v 6a 1 упаковка 33 из 5 звезд 17 оценок.
Когда вы заказываете 2500 соответствующих критериям товаров, проданных или выполненных Amazon. Замена наконечника транзистора Tip41c. Больше вариантов покупки 273 1 новое предложение Комплект транзисторов mcigicm bc337 bc327 2n2222 2n2907 2n3904 2n3906 s8050 s8550 a1015 c1815 ассортимент 10 значений 200 шт.
Особенности дополнительных устройств pnp npn новая улучшенная серия с высокой скоростью переключения hfe группировка hfe улучшенная линейность 3 2 1 приложения к 220 схемам общего назначения аудиоусилитель Рисунок 1. Техническое описание Tip41c, pdf 11. Сводный код заказа устройства маркировка упаковка упаковка tip41c примечание 1 на стр. 4
Дополнительным pnp-транзистором к tip41c является tip42c. Или получите доставку этого товара в течение 4 5 рабочих дней за 599. Ремонт транзистора tip41c Creada hace 5 anos mario256.
Tip41c tip42cpdf size275k st2. Tip41c tip42c дополнительные силовые транзисторы. 45 из 5 звезд 26.
Tip41c datasheet tip41c pdf tip41c datasheet tip41c manual tip41c pdf tip41c datenblatt electronics tip41c alldatasheet бесплатный технический паспорт данные. Kesoto 10шт. Tip41c транзистор npn триод 100в 6а 65вт до 220 черный / серебристый. Внутренняя принципиальная схема к 220 1 2 3 таблица 1.
Tip41c tip42c комплементарные силовые транзисторы.Reemplazo tip41c seguir hola amigos tengo un ampificador marca sanrai chino lleva 4 tip 41c dos de ellos estan es corto y no consigo en las ventas de components electronicos quisiera saber si existen algun reemplazo gracias un buen dia. Особенности дополнительных устройств pnp npn новая улучшенная серия высокая скорость переключения hfe группировка hfe улучшенная линейность 3 2 1 приложения к 220 схемам общего назначения аудио усилитель Рисунок 1.
Tip41c Tecno Store CA Componentes Electronicos Cctv Audio Y Video
ОценкаEquivalencia De Transistor Bipolar Rules Evaluation
50 Unids Mje13002 E13002 To92 13002 A 92 Transistor Del
Топ 10 самых популярных транзисторов D718 Список и бесплатно Reemplazo Todos Los
Tip41 Лист данных Equivalente Reemplazo Todos Los
2sc5706 C5706
2n301 Etc Pnp Германиевый силовой транзистор Amazon Com
Serviciotecnico Pc2002 Транзистор усилителя 2sc1953
Practica De Circuito Con Transistor Tip41
.