8. Транзисторы — Условные графические обозначения на электрических схемах — Компоненты — Инструкции
Транзистор (от английских слов tran(sfer) — переносить и (re)sistor — сопротивление) — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая (р или n), базы — противоположная (n или р). Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой — с коллектором (коллекторный переход).
Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT. На схемах эти полупроводниковые приборы обозначают, как показано на рис. 8.1 [5]. Здесь короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (см. рис. 8.1, VT1), то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база— типа n; если же стрелка направлена в противоположную сторону (VT2), электропроводность эмиттера и базы обратная.
Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы. Транзистор, база которого имеет электропроводимость типа n, обозначают формулой р-п-р, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа р, обозначают формулой n-р-n. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение, во втором — положительное.
Для наглядности условное графическое обозначение дискретного транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Иногда металлический корпус соединяют с одним из выводов транзистора. На схемах это показывается точкой в месте пересечения соответствующего вывода с символом корпуса. Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки (VT3 на рис. 8.1). В целях повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора допускается указывать его тип.
Линии электрической связи, идущие от эмиттера и коллектора проводят в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно выводу базы (VT3—VT5). Излом вывода базы допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (VT4).
Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей (эмиттеров). В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а окружность обозначения корпуса заменяют овалом (рис. 8.1, VT6).
Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы.
Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельного прибора, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: либо используют код VT и присваивают им порядковые номера наряду с другими транзисторами (В этом случае на поле схемы помещают такую, например, запись: VT1-VT4 К159НТ1), либо используют код аналоговых микросхем (DA) и указывают принадлежность транзисторов в сборке в позиционном обозначении (рис. 8.2, DA1.1, DA1.2). У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условную нумерацию, присвоенную выводам корпуса, в котором выполнена матрица.
Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем (для примера на рис. 8.2 показаны транзисторы структуры п-р-п с тремя и четырьмя эмиттерами).
Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков. Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя (см. рис. 8.3, VT1, VT2). При повороте УГО положение этого знака должно оставаться неизменным.
Иначе построено УГО однопереходного транзистора: у него один р-п-переход, но два вывода базы. Символ эмиттера в УГО этого транзистора проводят к середине символа базы (рис. 8.3, VT3, VT4). Об электропроводности последней судят по символу эмиттера (направлению стрелки).
На символ однопереходного транзистора похоже УГО большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых. Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью п или р-типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор. Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещает в середине кружка-корпуса (рис. 8.4, VT1), символы истока и стока присоединяют к нему с одной стороны, затвора — с другой стороны на продолжении линии истока. Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора (на рис. 8.4 условное графическое обозначение VT1 символизирует транзистор с каналом п-типа, VT1 — с каналом p-типа).
В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором (его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока) электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Если стрелка направлена к каналу, то это значит, что изображен транзистор с каналом n-типа, а если в противоположную сторону (см. рис. 8.4, VT3) — с каналом p-типа. Аналогично поступают при наличии вывода от подложки (VT4), а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого — три коротких штриха (см. рис. 8.4, VT5, VT6). Если подложка соединена с одним из электродов (обычно с истоком), это показывают внутри УГО без точки (VT1, VT8).
В полевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их более короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока (VT9).
Линии-выводы полевого транзистора допускается изг[цензура] лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (см. рис. 8.4, VT2). В некоторых типах полевых транзисторов корпус может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод (например, транзисторы типа КПЗ03).
Из транзисторов, управляемых внешними факторами, широкое применение находят фототранзисторы. В качестве примера на рис. 8.5 показаны условные графические обозначения фототранзисторов с выводом базы (FT1, VT2) и без него (К73). Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. УГО фототранзистора в этом случае вместе с УГО излучателя (обычно светодиода) заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы.
Для примера на рис. 8.5 изображена одна из оптопар сдвоенного оптрона (об этом говорит позиционное обозначение U1.1), Аналогично строится У ГО оптрона с составным транзистором (U2).
radio-hobby.org
Размеры обозначений
Выборка материалов из ГОСТ, имеющих отношение к размерам изображений условных графических обозначений элементов электрических схем.
Все изображения вставлены из ГОСТ без изменений.
ГОСТ 2.701-84 Схемы виды и типы. Общие требования к выполнению (фрагмент)
2.4.2. Условные графические обозначения элементов изображают в размерах, установленных в стандартах на условные графические обозначения. Условные графические обозначения, соотношения размеров которых приведены в соответствующих стандартах на модульной сетке, должны изображаться на схемах в размерах, определяемых по вертикали и горизонтали количеством шагов модульной сетки М (черт. 2а). При этом шаг модульной сетки для каждой схемы может быть любым, но одинаковым для всех элементов и устройств данной схемы.
Черт. 2а
Условные графические обозначения элементов, размеры которых в указанных стандартах не установлены, должны изображать на схеме в размерах, в которых они выполнены в соответствующих стандартах на условные графические обозначения.
Размеры условных графических обозначений, а также толщины их линий должны быть одинаковыми на всех схемах для данного изделия (установки).
Примечания:
1. Все размеры графических обозначений допускается пропорционально изменять.
2. Условные графические обозначения элементов, используемых как составные части обозначений других элементов (устройств), допускается изображать уменьшенными по сравнению с остальными элементами (например, резистор в ромбической антенне, клапаны в разделительной панели).
ГОСТ 2.722-68 Машины электрические (фрагмент)
9. Размеры основных элементов условных графических обозначений, табл. 3.
ГОСТ 2.721-74 Обозначения общего применения. Таблица 7
ГОСТ 2.728-74 Резисторы, конденсаторы (фрагмент)
7. Размеры условных графических обозначений приведены в табл. 6.
Все геометрические элементы условных графических обозначений следует выполнять линиями той же толщины, что и линии электрической связи.
Таблица 6
ГОСТ 2.730-73 Приборы полупроводниковые (фрагмент)
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
ГОСТ 2.732-68 ИСТОЧНИКИ СВЕТА (фрагмент)
4. Размеры условного графического обозначения лампы накаливания
ГОСТ 2.747-68 Размеры условных графических обозначений (фрагмент)
2. Размеры условных графических обозначений приведены в таблице.
ГОСТ 2.755-87 УСТРОЙСТВА КОММУТАЦИОННЫЕ И КОНТАКТНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ (фрагмент)
Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений приведены в табл.10.
Таблица 10
ГОСТ 2.756-76 ВОСПРИНИМАЮЩАЯ ЧАСТЬ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ (фрагмент)
Таблица 2
ГОСТ 2.767-89 РЕЛЕ ЗАЩИТЫ (фрагмент)
Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений
Таблица 4
ГОСТ 2.768?90 ИСТОЧНИКИ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ, ЭЛЕКТРОТЕРМИЧЕСКИЕ И ТЕПЛОВЫЕ (фрагмент)
СООТНОШЕНИЕ РАЗМЕРОВ ОСНОВНЫХ УСЛОВНЫХ ГРАФИЧЕСКИХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
Дополнительно рекомендую прочитать статью: Размеры обозначений в электрических схемах.
elektroshema.ru
размеры УГО
Размеры условных
графических обозначений в электрических
схемах
Наименование | Обозначение | Наименование | Обозначение |
Контакт коммутационного устройства. Общее обозначение: замыкающий | Контакт коммутационного устройства. Общее обозначение: переключающий | ||
Элемент нагревательный | Контакт без самовозврата: замыкающий | ||
Выключатель кнопочный | Контакт замыкающий с замедлителем, действующим: при срабатывании | ||
Контакт разъемного соединения: штырь | Контакт разъемного соединения: гнездо | ||
Контакт разборного соединения | Ротор электрической машины | ||
Воспринимающая часть электротеплового реле | Катушка электро- механического устройства | ||
Лампа накаливания (осветительная и сигнальная) | Звонок электрический | ||
Предохранитель плавкий. Общее обозначение | Резистор постоянный | ||
Элемент гальванический или аккумуляторный | Заземление | ||
Конденсатор постоянной емкости | Конденсатор электролитический |
ГОСТ 2.721-74
Наименование | Обозначение | Наименование | Обозначение |
Привод с помощью биметалла | Привод поплавковый | ||
Привод приводимый в движение нажатием кнопки | Привод мембранный |
ГОСТ 2.755-87
Размеры условных графических обозначений приведены в модульной сетке.
Наименование | Обозначение | Наименование | Обозначение |
Контакт коммутационного устройства 1) замыкающий | Контакт коммутационного устройства 2) размыкающий | ||
Контакт коммутационного устройства 3) переключающий | Контакт импульсный замыкающий при срабатывании и возврате |
Наименование | Обозначение | Наименование | Обозначение |
Выключатель трехполюсный | Статор электрической машины | ||
Катушка индуктивности, обмотка | Катушка электро- механического устройства: с одним дополнительным графическим полем | ||
Прибор электро- измерительный: интегрирующий (например счетчик электрической энергии) | Устройство электротермическое без камеры нагрева; электронагреватель |
ГОСТ 2.730-73 (изменение 1989г.)
Размеры (в модульной сетке) условных обозначений
Наименование | Обозначение | Наименование | Обозначение |
Диод | Тиристор диодный | ||
Транзистор | Транзистор полевой |
studfile.net
Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые
ГОСТ 2.730-73
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
Москва |
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. Приборы полупроводниковые Unified system for design
documentation. Graphical symbols in diagrams. | ГОСТ |
Дата введения 01.07.74
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
Наименование | Обозначение |
1. (Исключен, Изм. № 2). |
|
2. Электроды: |
|
база с одним выводом | |
база с двумя выводами | |
Р-эмиттер с N-областью | |
N-эмиттер с Р-областью | |
несколько Р-эмиттеров с N -областью | |
несколько N -эмиттеров с Р-областью | |
коллектор с базой | |
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе | |
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот | |
область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP | |
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN | |
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP | |
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN | |
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа | |
обедненного типа | |
5. Переход PN | |
6. Переход NP | |
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип | |
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип | |
9. Затвор изолированный | |
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: | |
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
электрически, не соединенные с корпусом | |
электрически соединенные с корпусом | |
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
______
* Таблицы 2, 3 (Исключены, Изм. № 1).
Таблица 4
Наименование | Обозначение |
1. Эффект туннельный |
|
а) прямой | |
б) обращенный | |
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний | |
б) двухсторонний 3 — 8. (Исключены, Изм. № 2). | |
9. Эффект Шоттки |
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
Наименование | Обозначение |
1. Диод |
|
Общее обозначение | |
2. Диод туннельный | |
3. Диод обращенный | |
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
а) односторонний | |
б) двухсторонний | |
5. Диод теплоэлектрический | |
6. Варикап (диод емкостный) | |
7. Диод двунаправленный | |
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами | |
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами | |
9. Диод Шотки | |
10. Диод светоизлучающий |
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
Наименование | Обозначение |
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении | |
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении | |
3. Тиристор диодный симметричный | |
4. Тиристор триодный. Общее обозначение | |
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду | |
по катоду | |
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение | |
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду | |
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду | |
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |
|
общее обозначение | |
с управлением по аноду | |
с управлением по катоду | |
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак | |
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор а) типа PNP | |
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана | |
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом | |
3. Транзистор лавинный типа NPN | |
4. Транзистор однопереходный с N-базой | |
5. Транзистор однопереходный с Р-базой | |
6. Транзистор двухбазовый типа NPN | |
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области | |
8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области | |
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN | |
Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, б) изображать корпус транзистора. | |
Таблица 8
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор полевой с каналом типа N | |
2. Транзистор полевой с каналом типа Р | |
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: |
|
а) обогащенного типа с Р-каналом | |
б) обогащенного типа с N-каналом | |
в) обедненного типа с Р-каналом | |
г) обедненного типа с N-каналом | |
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки | |
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом | |
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки | |
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки | |
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
Наименование | Обозначение |
1. Фоторезистор: а) общее обозначение | |
б) дифференциальный | |
2. Фотодиод | |
З. Фототиристор | |
4. Фототранзистор: |
|
а) типа PNP | |
б) типа NPN | |
5. Фотоэлемент | |
6. Фотобатарея |
11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл. 10
Таблица 10
Наименование | Обозначение |
1. Оптрон диодный | |
2. Оптрон тиристорный | |
3. Оптрон резисторный | |
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: |
|
а) совмещенно | |
б) разнесенно | |
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы | |
б) без вывода от базы |
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
Наименование | Обозначение |
1. Датчик Холла | |
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |
|
2. Резистор магниточувствительный | |
3. Магнитный разветвитель |
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
Наименование | Обозначение |
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: | |
а) развернутое изображение | |
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1 — 2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3 — 4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. | |
Пример применения условного графического обозначения на схеме | |
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема | |
3. Диодная матрица (фрагмент) | |
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
Наименование | Обозначение | Отпечатанное обозначение |
1. Диод | ||
2. Транзистор типа PNР | ||
3. Транзистор типа NPN | ||
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области | ||
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN |
Примечание к пп. 2 — 5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. (Исключено, Изм. № 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений
Наименование | Обозначение |
1. Диод | |
2.. Тиристор диодный | |
3. Тиристор триодный | |
4. Транзистор | |
5. Транзистор полевой | |
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. (Введено дополнительно, Изм. № 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ 661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС 3-91)
standartgost.ru
| Искать все виды документовДокументы неопределённого видаISOАвиационные правилаАльбомАпелляционное определениеАТКАТК-РЭАТПЭАТРВИВМРВМУВНВНиРВНКРВНМДВНПВНПБВНТМ/МЧМ СССРВНТПВНТП/МПСВНЭВОМВПНРМВППБВРДВРДСВременное положениеВременное руководствоВременные методические рекомендацииВременные нормативыВременные рекомендацииВременные указанияВременный порядокВрТЕРВрТЕРрВрТЭСНВрТЭСНрВСНВСН АСВСН ВКВСН-АПКВСПВСТПВТУВТУ МММПВТУ НКММПВУП СНЭВУППВУТПВыпускГКИНПГКИНП (ОНТА)ГНГОСТГОСТ CEN/TRГОСТ CISPRГОСТ ENГОСТ EN ISOГОСТ EN/TSГОСТ IECГОСТ IEC/PASГОСТ IEC/TRГОСТ IEC/TSГОСТ ISOГОСТ ISO GuideГОСТ ISO/DISГОСТ ISO/HL7ГОСТ ISO/IECГОСТ ISO/IEC GuideГОСТ ISO/TRГОСТ ISO/TSГОСТ OIML RГОСТ ЕНГОСТ ИСОГОСТ ИСО/МЭКГОСТ ИСО/ТОГОСТ ИСО/ТСГОСТ МЭКГОСТ РГОСТ Р ЕНГОСТ Р ЕН ИСОГОСТ Р ИСОГОСТ Р ИСО/HL7ГОСТ Р ИСО/АСТМГОСТ Р ИСО/МЭКГОСТ Р ИСО/МЭК МФСГОСТ Р ИСО/МЭК ТОГОСТ Р ИСО/ТОГОСТ Р ИСО/ТСГОСТ Р ИСО/ТУГОСТ Р МЭКГОСТ Р МЭК/ТОГОСТ Р МЭК/ТСГОСТ ЭД1ГСНГСНрГСССДГЭСНГЭСНмГЭСНмрГЭСНмтГЭСНпГЭСНПиТЕРГЭСНПиТЕРрГЭСНрГЭСНсДИДиОРДирективное письмоДоговорДополнение к ВСНДополнение к РНиПДСЕКЕНВиРЕНВиР-ПЕНиРЕСДЗемЕТКСЖНМЗаключениеЗаконЗаконопроектЗональный типовой проектИИБТВИДИКИМИНИнструктивное письмоИнструкцияИнструкция НСАМИнформационно-методическое письмоИнформационно-технический сборникИнформационное письмоИнформацияИОТИРИСОИСО/TRИТНИТОсИТПИТСИЭСНИЭСНиЕР Республика КарелияККарта трудового процессаКарта-нарядКаталогКаталог-справочникККТКОКодексКОТКПОКСИКТКТПММ-МВИМВИМВНМВРМГСНМДМДКМДСМеждународные стандартыМетодикаМетодика НСАММетодические рекомендацииМетодические рекомендации к СПМетодические указанияМетодический документМетодическое пособиеМетодическое руководствоМИМИ БГЕИМИ УЯВИМИГКМММНМОДНМонтажные чертежиМос МУМосМРМосСанПинМППБМРМРДСМРОМРРМРТУМСанПиНМСНМСПМТМУМУ ОТ РММУКМЭКННАС ГАНБ ЖТНВННГЭАНДНДПНиТУНКНормыНормы времениНПНПБНПРМНРНРБНСПНТПНТП АПКНТП ЭППНТПДНТПСНТСНЦКРНЦСОДМОДНОЕРЖОЕРЖкрОЕРЖмОЕРЖмрОЕРЖпОЕРЖрОКОМТРМОНОНДОНКОНТПОПВОПКП АЭСОПНРМСОРДОСГиСППиНОСНОСН-АПКОСПОССПЖОССЦЖОСТОСТ 1ОСТ 2ОСТ 34ОСТ 4ОСТ 5ОСТ ВКСОСТ КЗ СНКОСТ НКЗагОСТ НКЛесОСТ НКМОСТ НКММПОСТ НКППОСТ НКПП и НКВТОСТ НКСМОСТ НКТПОСТ5ОСТНОСЭМЖОТРОТТПП ССФЖТПБПБПРВПБЭ НППБЯПВ НППВКМПВСРПГВУПереченьПиН АЭПисьмоПМГПНАЭПНД ФПНД Ф СБПНД Ф ТПНСТПОПоложениеПорядокПособиеПособие в развитие СНиППособие к ВНТППособие к ВСНПособие к МГСНПособие к МРПособие к РДПособие к РТМПособие к СНПособие к СНиППособие к СППособие к СТОПособие по применению СППостановлениеПОТ РПОЭСНрППБППБ-АСППБ-СППБВППБОППРПРПР РСКПР СМНПравилаПрактическое пособие к СППРБ АСПрейскурантПриказПротоколПСРр Калининградской областиПТБПТЭПУГПУЭПЦСНПЭУРР ГазпромР НОПРИЗР НОСТРОЙР НОСТРОЙ/НОПР РСКР СМНР-НП СРО ССКРазъяснениеРаспоряжениеРАФРБРГРДРД БГЕИРД БТРД ГМРД НИИКраностроенияРД РОСЭКРД РСКРД РТМРД СМАРД СМНРД ЭОРД-АПКРДИРДМРДМУРДПРДСРДТПРегламентРекомендацииРекомендацияРешениеРешение коллегииРКРМРМГРМДРМКРНДРНиПРПРРТОП ТЭРС ГАРСНРСТ РСФСРРСТ РСФСР ЭД1РТРТМРТПРУРуководствоРУЭСТОП ГАРЭГА РФРЭСНрСАСанитарные нормыСанитарные правилаСанПиНСборникСборник НТД к СНиПСборники ПВРСборники РСН МОСборники РСН ПНРСборники РСН ССРСборники ценСБЦПСДАСДАЭСДОССерияСЗКСНСН-РФСНиПСНиРСНККСНОРСНПСОСоглашениеСПСП АССП АЭССправочникСправочное пособие к ВСНСправочное пособие к СНиПСправочное пособие к СПСправочное пособие к ТЕРСправочное пособие к ТЕРрСРПССНССЦСТ ССФЖТСТ СЭВСТ ЦКБАСТ-НП СРОСТАСТКСТМСТНСТН ЦЭСТОСТО 030 НОСТРОЙСТО АСЧМСТО БДПСТО ВНИИСТСТО ГазпромСТО Газпром РДСТО ГГИСТО ГУ ГГИСТО ДД ХМАОСТО ДОКТОР БЕТОНСТО МАДИСТО МВИСТО МИСТО НААГСТО НАКССТО НКССТО НОПСТО НОСТРОЙСТО НОСТРОЙ/НОПСТО РЖДСТО РосГеоСТО РОСТЕХЭКСПЕРТИЗАСТО САСТО СМКСТО ФЦССТО ЦКТИСТО-ГК «Трансстрой»СТО-НСОПБСТПСТП ВНИИГСТП НИИЭССтП РМПСУПСССУРСУСНСЦНПРТВТЕТелеграммаТелетайпограммаТематическая подборкаТЕРТЕР Алтайский крайТЕР Белгородская областьТЕР Калининградской областиТЕР Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕР Краснодарского краяТЕР Мурманская областьТЕР Новосибирской областиТЕР Орловской областиТЕР Республика ДагестанТЕР Республика КарелияТЕР Ростовской областиТЕР Самарской областиТЕР Смоленской обл.ТЕР Ямало-Ненецкий автономный округТЕР Ярославской областиТЕРмТЕРм Алтайский крайТЕРм Белгородская областьТЕРм Воронежской областиТЕРм Калининградской областиТЕРм Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРм Мурманская областьТЕРм Республика ДагестанТЕРм Республика КарелияТЕРм Ямало-Ненецкий автономный округТЕРмрТЕРмр Алтайский крайТЕРмр Белгородская областьТЕРмр Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРмр Краснодарского краяТЕРмр Республика ДагестанТЕРмр Республика КарелияТЕРмр Ямало-Ненецкий автономный округТЕРпТЕРп Алтайский крайТЕРп Белгородская областьТЕРп Калининградской областиТЕРп Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРп Краснодарского краяТЕРп Республика КарелияТЕРп Ямало-Ненецкий автономный округТЕРп Ярославской областиТЕРрТЕРр Алтайский крайТЕРр Белгородская областьТЕРр Калининградской областиТЕРр Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРр Краснодарского краяТЕРр Новосибирской областиТЕРр Омской областиТЕРр Орловской областиТЕРр Республика ДагестанТЕРр Республика КарелияТЕРр Ростовской областиТЕРр Рязанской областиТЕРр Самарской областиТЕРр Смоленской областиТЕРр Удмуртской РеспубликиТЕРр Ульяновской областиТЕРр Ямало-Ненецкий автономный округТЕРррТЕРрр Ямало-Ненецкий автономный округТЕРс Ямало-Ненецкий автономный округТЕРтр Ямало-Ненецкий автономный округТехнический каталогТехнический регламентТехнический регламент Таможенного союзаТехнический циркулярТехнологическая инструкцияТехнологическая картаТехнологические картыТехнологический регламентТИТИ РТИ РОТиповая инструкцияТиповая технологическая инструкцияТиповое положениеТиповой проектТиповые конструкцииТиповые материалы для проектированияТиповые проектные решенияТКТКБЯТМД Санкт-ПетербургТНПБТОИТОИ-РДТПТПРТРТР АВОКТР ЕАЭСТР ТСТРДТСНТСН МУТСН ПМСТСН РКТСН ЭКТСН ЭОТСНэ и ТЕРэТССЦТССЦ Алтайский крайТССЦ Белгородская областьТССЦ Воронежской областиТССЦ Карачаево-Черкесская РеспубликаТССЦ Ямало-Ненецкий автономный округТССЦпгТССЦпг Белгородская областьТСЦТСЦ Белгородская областьТСЦ Краснодарского краяТСЦ Орловской областиТСЦ Республика ДагестанТСЦ Республика КарелияТСЦ Ростовской областиТСЦ Ульяновской областиТСЦмТСЦО Ямало-Ненецкий автономный округТСЦп Калининградской областиТСЦПГ Ямало-Ненецкий автономный округТСЦэ Калининградской областиТСЭМТСЭМ Алтайский крайТСЭМ Белгородская областьТСЭМ Карачаево-Черкесская РеспубликаТСЭМ Ямало-Ненецкий автономный округТТТТКТТПТУТУ-газТУКТЭСНиЕР Воронежской областиТЭСНиЕРм Воронежской областиТЭСНиЕРрТЭСНиТЕРэУУ-СТУказУказаниеУказанияУКН |
files.stroyinf.ru
Законы :: ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые (с Изменениями N 1-4)Постановление Госстандарта СССР от 16.08.1973 N 2002ГОСТ от 1973-08-16 N 2.730-73
ГОСТ 2.730-73
Группа Т52
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
Единая система конструкторской документации
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices
Дата введения 1974-07-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
В.Р.Верченко, Ю.И.Степанов, Э.Я.Акопян, Ю.П.Широкий, В.П.Пармешин, И.К.Виноградова
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 N 2002
3. СООТВЕТСТВУЕТ СТ СЭВ 661-77
4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп.33 и 34 таблицы.
5. ПЕРЕИЗДАНИЕ (июнь 1995 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. N 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл.1.
Таблица 1
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. (Исключен, Изм. N 2). |
|
|
2. Электроды: |
|
|
база с одним выводом |
|
|
база с двумя выводами |
|
|
Р-эмиттер с N-областью |
|
|
N-эмиттер с P-областью |
|
|
несколько Р-эмиттеров с N-областью |
|
|
несколько N-эмиттеров с P-областью |
|
|
коллектор с базой |
|
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |
|
|
3. Области: |
|
|
область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью |
|
|
Переход от Р-области к N-области и наоборот |
|
|
область собственной электропроводности (- область): |
|
|
1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |
|
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |
|
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |
|
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |
|
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: |
|
|
обогащенного типа |
|
|
обедненного типа |
|
|
5. Переход PN |
|
|
6. Переход NP |
|
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |
|
|
8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип |
|
|
9. Затвор изолированный |
|
|
10. Исток и сток |
|
|
Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |
|
|
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
|
электрически не соединенные с корпусом |
|
|
электрически соединенные с корпусом |
|
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
|
(Измененная редакция, Изм. N 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. N 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Эффект туннельный |
|
|
а) прямой |
|
|
б) обращенный |
|
|
2. Эффект лавинного пробоя: |
|
|
а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний |
|
|
3-8. (Исключены, Изм. N 2). |
|
|
9. Эффект Шоттки |
|
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл.5.
Таблица 5
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
Общее обозначение |
|
|
2. Диод туннельный |
|
|
3. Диод обращенный |
|
|
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
|
а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний |
|
|
5. Диод теплоэлектрический |
|
|
6. Варикап (диод емкостной) |
|
|
7. Диод двунаправленный |
|
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |
|
|
8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами |
|
|
9. Диод Шоттки |
|
|
10. Диод светоизлучающий |
|
7. Обозначения тиристоров приведены в табл.6.
Таблица 6
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |
|
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |
|
|
3. Тиристор диодный симметричный |
|
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |
|
|
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: |
|
|
по аноду |
|
|
по катоду |
|
|
6. Тиристор триодный выключаемый общее обозначение |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |
|
|
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |
|
|
общее обозначение |
|
|
с управлением по аноду |
|
|
с управлением по катоду |
|
|
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак |
|
|
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
|
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с P-N- переходами приведены в табл.7.
Таблица 7
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор |
|
|
а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |
|
|
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |
|
|
3. Транзистор лавинный типа NPN |
|
|
4. Транзистор однопереходный с N-базой |
|
|
5. Транзистор однопереходный с P-базой |
|
|
6. Транзистор двухбазовый типа NPN |
|
|
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |
|
|
8. Транзистор двухбазовый типа PNIN с выводом от i-области |
|
|
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
|
Примечание. При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора.
Таблица 8
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор полевой с каналом типа N |
|
|
2. Транзистор полевой с каналом типа P |
|
|
3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: |
|
|
а) обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
б) обогащенного типа с N-каналом |
|
|
в) обедненного типа с Р-каналом |
|
|
г) обедненного типа с N-каналом |
|
|
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |
|
|
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |
|
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки |
|
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
|
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл.9.
Таблица 9
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Фоторезистор: |
|
|
а) общее обозначение |
|
|
б) дифференциальный |
|
|
2. Фотодиод |
|
|
3. Фоторезистор |
|
|
4. Фототранзистор: |
|
|
а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN |
|
|
5. Фотоэлемент |
|
|
6. Фотобатарея |
|
Таблица 10
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Оптрон диодный |
|
|
2. Оптрон тиристорный |
|
|
3. Оптрон резисторный |
|
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем |
|
|
а) совмещенно |
|
|
|
|
|
б) разнесенно |
|
|
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: |
|
|
а) с выводом от базы |
|
|
б) без вывода от базы |
|
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
|
|
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл.11.
Таблица 11
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Датчик Холла |
|
|
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |
|
|
2. Резистор магниточувствительный |
|
|
3. Магнитный разветвитель |
|
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл.12.
Таблица 12
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: |
|
|
а) развернутое изображение |
|
|
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) |
|
|
Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. |
|
|
Пример применения условного графического обозначения на схеме |
|
|
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема |
|
|
3. Диодная матрица (фрагмент) |
|
|
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |
|
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл.13.
Таблица 13
|
Наименование |
Обозначение |
Отпечатанное обозначение |
|
1. Диод |
или |
|
|
2. Транзистор типа PNP |
|
|
|
3. Транзистор типа NPN |
|
|
|
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области |
|
|
|
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN |
|
|
|
|
|
|
Примечание к пп.2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. N 4).
Приложение 1. (Исключено, Изм. N 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
3. Тиристор триодный |
|
|
|
|
|
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |
|
(Введено дополнительно, Изм. N 3).
Текст документа сверен по:
официальное издание
Единая система конструкторской
документации. Обозначения условные
графические в схемах: Сб. ГОСТов. —
М.: ИПК Издательство стандартов, 1995
law.rufox.ru
ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ГОСТ 2.730-73
ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
|
Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ Unified system for design documentation. |
ГОСТ |
Дата введения 1974-07-01
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. (Исключен, Изм. № 2). |
|
|
2. Электроды: |
|
|
база с одним выводом |
|
|
база с двумя выводами |
|
|
Р-эмиттер с N-областью |
|
|
N-эмиттер с Р-областью |
|
|
несколько Р-эмиттеров с N -областью |
|
|
несколько N -эмиттеров с Р-областью |
|
|
коллектор с базой |
|
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |
|
|
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот |
|
|
область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |
|
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |
|
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |
|
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |
|
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа |
|
|
обедненного типа |
|
|
5. Переход PN |
|
|
6. Переход NP |
|
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |
|
|
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип |
|
|
9. Затвор изолированный |
|
|
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |
|
|
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
|
электрически, не соединенные с корпусом |
|
|
электрически соединенные с корпусом |
|
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Эффект туннельный |
|
|
а) прямой |
|
|
б) обращенный |
|
|
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2). |
|
|
9. Эффект Шоттки |
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
Общее обозначение |
|
|
2. Диод туннельный |
|
|
3. Диод обращенный |
|
|
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
|
а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний |
|
|
5. Диод теплоэлектрический |
|
|
6. Варикап (диод емкостный) |
|
|
7. Диод двунаправленный |
|
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |
|
|
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами |
|
|
9. Диод Шотки |
|
|
10. Диод светоизлучающий |
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |
|
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |
|
|
3. Тиристор диодный симметричный |
|
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |
|
|
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду |
|
|
по катоду |
|
|
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |
|
|
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |
|
|
общее обозначение |
|
|
с управлением по аноду |
|
|
с управлением по катоду |
|
|
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак |
|
|
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |
|
|
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |
|
|
3. Транзистор лавинный типа NPN |
|
|
4. Транзистор однопереходный с N-базой |
|
|
5. Транзистор однопереходный с Р-базой |
|
|
6. Транзистор двухбазовый типа NPN |
|
|
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |
|
|
8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области |
|
|
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
|
|
Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, б) изображать корпус транзистора. |
|
Таблица 8
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор полевой с каналом типа N |
|
|
2. Транзистор полевой с каналом типа Р |
|
|
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: |
|
|
а) обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
б) обогащенного типа с N-каналом |
|
|
в) обедненного типа с Р-каналом |
|
|
г) обедненного типа с N-каналом |
|
|
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |
|
|
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |
|
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки |
|
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Фоторезистор: а) общее обозначение |
|
|
б) дифференциальный |
|
|
2. Фотодиод |
|
|
З. Фототиристор |
|
|
4. Фототранзистор: |
|
|
а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN |
|
|
5. Фотоэлемент |
|
|
6. Фотобатарея |
Таблица 10
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Оптрон диодный |
|
|
2. Оптрон тиристорный |
|
|
3. Оптрон резисторный |
|
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: |
|
|
а) совмещенно |
|
|
б) разнесенно |
|
|
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы |
|
|
б) без вывода от базы |
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
(Поправка, ИУС № 3 1991 г.)
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Датчик Холла |
|
|
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |
|
|
2. Резистор магниточувствительный |
|
|
3. Магнитный разветвитель |
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: |
|
|
а) развернутое изображение |
|
|
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. |
|
|
Пример применения условного графического обозначения на схеме |
|
|
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема |
|
|
3. Диодная матрица (фрагмент) |
|
|
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
|
Наименование |
Обозначение |
Отпечатанное обозначение |
|
1. Диод |
||
|
2. Транзистор типа PNР |
||
|
3. Транзистор типа NPN |
||
|
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области |
||
|
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN |
Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
2.. Тиристор диодный |
|
|
3. Тиристор триодный |
|
|
4. Транзистор 5. Транзистор полевой |
|
|
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |
(Введено дополнительно, Изм. № 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ 661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)
www.opengost.ru
