ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые (взамен ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы) / ЕСКД. Единая система конструкторской документации / Законодательство
ГОСТ 2.730-73
УДК 744:621.382:003.62:006.354
Группа Т52
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
Единая система конструкторской документации
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ.
Приборы полупроводниковые
Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices
Дата введения 01.07.74
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ 661—88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730—68, ГОСТ 2.747—68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ИЗДАНИЕ (май 2002 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10—80, 7—87, 6—89, 10—91)
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
Наименование | Обозначение |
1. (Исключен, Изм. № 2). 2. Электроды: база с одним выводом | |
база с двумя выводами | |
Р — эмиттер с N-областью | |
N-эмиттер с Р — областью | |
несколько Р — эмиттеров с N-областью | |
несколько N-эмиттеров с Р — областью | |
коллектор с базой | |
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе | |
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р — области к N-области и наоборот область собственной электропроводности (I-область): | |
1) между областями с электропроводностью разного типа | |
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN | |
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP | |
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN | |
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа | |
обедненного типа | |
5. Переход PN | |
6. Переход NP | |
7. Р — канал на подложке N -типа, обогащенный тип | |
8. N-канал на подложке Р — типа, обедненный тип | |
9. Затвор изолированный | |
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: | |
11. Выводы полупроводниковых приборов: электрически не соединенные с корпусом | |
электрически соединенные с корпусом | |
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. 4.
Таблица 4
Наименование | Обозначение |
1. Эффект туннельный а) прямой | |
б) обращенный | |
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний | |
б) двухсторонний | |
3—8. (Исключены, Изм. № 2). | |
9. Эффект Шоттки |
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
| Наименование | Обозначение |
1. Диод Общее обозначение | |
2. Диод туннельный | |
3. Диод обращенный | |
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) а) односторонний | |
б) двухсторонний | |
5 Диод теплоэлектрический | |
6. Варикап (диод емкостной) | |
7. Диод двунаправленный | |
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами | |
8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами | |
9. Диод Шоттки | |
10. Диод светоизлучающий |
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
Наименование | Обозначение |
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении | |
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении | |
3. Тиристор диодный симметричный | |
4. Тиристор триодный. Общее обозначение | |
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду | |
по катоду | |
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение | |
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду | |
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду | |
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: общее обозначение | |
с управлением по аноду | |
с управлением по катоду | |
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак | |
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с P—N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор а) типа PNP | |
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана | |
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом | |
3. Транзистор лавинный типа NPN | |
4. Транзистор однопереходный с N-базой | |
5. Транзистор однопереходный с Р-базой | |
6. Транзистор двухбазовый типа NPN | |
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области | |
8. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области | |
91. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
Примечание. При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора.
9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. 8.
Таблица 8
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор полевой с каналом типа N | |
2. Транзистор полевой с каналом типа Р | |
3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: а) обогащенного типа с Р-каналом | |
б) обогащенного типа с N-каналом | |
в) обедненного типа с Р-каналом | |
г) обедненного типа с N-каналом | |
4 Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки | |
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом | |
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки | |
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки | |
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
Наименование | Обозначение |
1. Фоторезистор: а) общее обозначение | |
б) дифференциальный | |
2. Фотодиод | |
3. Фототиристор | |
4. Фототранзистор: | |
а) типа PNP | |
б) типа NPN | |
5. Фотоэлемент | |
6. Фотобатарея |
11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл. 10.
Таблица 10
Наименование | Обозначение |
1. Оптрон диодный | |
2. Оптрон тиристорный | |
3. Оптрон резисторный | |
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: | |
а) совмещенно | |
б) разнесенно | |
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы | |
б) без вывода от базы |
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721—74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
Наименование | Обозначение |
1. Датчик Холла Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника | |
2. Резистор магниточувствительный | |
3. Магнитный разветвитель |
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
Наименование | Обозначение |
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: а) развернутое изображение |
|
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) | |
Примечание. К выводам 1 — 2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3 — 4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. | |
Пример применения условного графического обозначения на схеме | |
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема | |
3. Диодная матрица (фрагмент) |
|
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
Наименование | Обозначение | Отпечатанное обозначение |
1. Диод | ||
2. Транзистор типа PNP | ||
3. Транзистор типа NPN | ||
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области | ||
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN | ||
Примечание к пп. 2—5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений
Наименование | Обозначение |
1 Диод | |
2. Тиристор диодный | |
3. Тиристор триодный | |
4. Транзистор | |
5. Транзистор полевой | |
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |
(Введено дополнительно, Изм. № 3).
www.estateline.ru
ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые
Текст ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые
ГОСТ 2.730-73
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Издание официальное
Москва
Стандартинформ
2010
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ Приборы полупроводниковые
Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices
ГОСТ
2.730-73
МКС 01.080.40 31.080
Дата введения 01.07.74
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Издание официальное
★
Перепечатка воспрещена
© СТАНДАРТИНФОРМ, 2010
09
2 ГОСТ 2.ТЗО-*73
T9
(Измененная редакция, Изм. № 2,3).
3,4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства иорродниковых прибор, приведены в тайл. 4.
и
О
W
* Таблицы 2,3. (Исключены, Изм. № 1).
ГОСТ 2.730
z:9
|
Наименование |
Обозначение |
Наименование |
Обозначение |
|
1. Эффект туннельный |
2. Эффект лавинного пробоя: |
J | |
|
а) прямой |
] |
а) односторонний | |
|
б) обращенный |
I |
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2). 9. Эффект Шоггки |
j 1 |
4 ГОСТ 2.ТЗО-*73
63
|
Наименование |
Обозначение |
Наименование |
Обозначение | |
|
8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами |
г |
9. Диод Шотки | ||
|
■ш |
й |
10. Диод светоизлучающий |
* * | |
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
|
Наименование |
Обозначение |
Наименование |
Обозначение | |
|
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |
нн- |
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду | ||
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |
по катоду | |||
|
3. Тиристор диодный симметричный |
1″и J- |
6. Тиристор родный выключаемый: общее обозначение |
1 1 t | |
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |
+ |
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду | ||
ГОСТ 2.730
64
Примечание. Допускается обозначение тиристора с упрамением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
I Примеры построения обозначений транзисторов с М-переходами приведены в табл. 7.
6 ГОСТ 2.ТЗО-*73
£9
П р и м е ч а н и е. При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора.
9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. I
w
О
Nl
ГОСТ 2.730
99
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
8 ГОСТ 2.ТЗО-*73
2.9
ГОСТ 2.730
68
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом, При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74, например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
или
ту
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Ю ГОСТ 2.ТЗО-*73
69
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
ГОСТ 2.730-*73 С. 11
70
14. Условные графические обозначения порроводниковых приборов да схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
ez,—oez-’z: хэол zi
TZ,
Примечание™, 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2. (Измененная редакция, Изм. № 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ I (Исключено, Изм. № 4).
ГОСТ 2.730-*73 С. 13
ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное
Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений
Наименование
Обозначение
Наименование
Обозначение
1. Диод
2. Тиристор диодный
4. Транзистор
5. Транзистор полевой
3. Тиристор триодный
6. Транзистор полевой с изолированным затвором
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. (Введено дополнительно, Изм. № 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002
3. Соответствует СТ СЭВ 661—88
4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пн. 33 и 34 таблицы
5. ИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (НУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (НУС 3-91)
allgosts.ru
ГОСТ 2.730-73* — ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ
УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ГОСТ 2.730-73
ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
|
Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ Unified system for design
documentation. |
ГОСТ |
Дата введения 1974-07-01
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. (Исключен, Изм. № 2). |
|
|
2. Электроды: |
|
|
база с одним выводом |
|
|
база с двумя выводами |
|
|
Р-эмиттер с N-областью |
|
|
N-эмиттер с Р-областью |
|
|
несколько Р-эмиттеров с N -областью |
|
|
несколько N -эмиттеров с Р-областью |
|
|
коллектор с базой |
|
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |
|
|
3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот |
|
|
область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |
|
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |
|
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |
|
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |
|
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа |
|
|
обедненного типа |
|
|
5. Переход PN |
|
|
6. Переход NP |
|
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |
|
|
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип |
|
|
9. Затвор изолированный |
|
|
10. Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |
|
|
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
|
электрически, не соединенные с корпусом |
|
|
электрически соединенные с корпусом |
|
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Эффект туннельный |
|
|
а) прямой |
|
|
б) обращенный |
|
|
2. Эффект лавинного пробоя: а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2). |
|
|
9. Эффект Шоттки |
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
Общее обозначение |
|
|
2. Диод туннельный |
|
|
3. Диод обращенный |
|
|
4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) |
|
|
а) односторонний |
|
|
б) двухсторонний |
|
|
5. Диод теплоэлектрический |
|
|
6. Варикап (диод емкостный) |
|
|
7. Диод двунаправленный |
|
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами |
|
|
8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами |
|
|
9. Диод Шотки |
|
|
10. Диод светоизлучающий |
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |
|
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |
|
|
3. Тиристор диодный симметричный |
|
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |
|
|
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду |
|
|
по катоду |
|
|
6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |
|
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |
|
|
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |
|
|
общее обозначение |
|
|
с управлением по аноду |
|
|
с управлением по катоду |
|
|
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак |
|
|
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |
|
|
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |
|
|
3. Транзистор лавинный типа NPN |
|
|
4. Транзистор однопереходный с N-базой |
|
|
5. Транзистор однопереходный с Р-базой |
|
|
6. Транзистор двухбазовый типа NPN |
|
|
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |
|
|
8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области |
|
|
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
|
|
Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, б) изображать корпус транзистора. |
|
Таблица 8
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Транзистор полевой с каналом типа N |
|
|
2. Транзистор полевой с каналом типа Р |
|
|
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: |
|
|
а) обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
б) обогащенного типа с N-каналом |
|
|
в) обедненного типа с Р-каналом |
|
|
г) обедненного типа с N-каналом |
|
|
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |
|
|
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |
|
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки |
|
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Фоторезистор: а) общее обозначение |
|
|
б) дифференциальный |
|
|
2. Фотодиод |
|
|
З. Фототиристор |
|
|
4. Фототранзистор: |
|
|
а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN |
|
|
5. Фотоэлемент |
|
|
6. Фотобатарея |
Таблица 10
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Оптрон диодный |
|
|
2. Оптрон тиристорный |
|
|
3. Оптрон резисторный |
|
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: |
|
|
а) совмещенно |
|
|
б) разнесенно |
|
|
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы |
|
|
б) без вывода от базы |
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Датчик Холла |
|
|
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника |
|
|
2. Резистор магниточувствительный |
|
|
3. Магнитный разветвитель |
13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: |
|
|
а) развернутое изображение |
|
|
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. |
|
|
Пример применения условного графического обозначения на схеме |
|
|
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема |
|
|
3. Диодная матрица (фрагмент) |
|
|
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |
14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
|
Наименование |
Обозначение |
Отпечатанное обозначение |
|
1. Диод |
||
|
2. Транзистор типа PNР |
||
|
3. Транзистор типа NPN |
||
|
4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области |
||
|
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN |
Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).
|
Наименование |
Обозначение |
|
1. Диод |
|
|
2.. Тиристор диодный |
|
|
3. Тиристор триодный |
|
|
4. Транзистор 5. Транзистор полевой |
|
|
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |
(Введено дополнительно, Изм. № 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ 661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)
snipov.net
| На главную | База 1 | База 2 | База 3 |
| Поиск по реквизитамПоиск по номеру документаПоиск по названию документаПоиск по тексту документа |
| Искать все виды документовДокументы неопределённого видаISOАвиационные правилаАльбомАпелляционное определениеАТКАТК-РЭАТПЭАТРВИВМРВМУВНВНиРВНКРВНМДВНПВНПБВНТМ/МЧМ СССРВНТПВНТП/МПСВНЭВОМВПНРМВППБВРДВРДСВременное положениеВременное руководствоВременные методические рекомендацииВременные нормативыВременные рекомендацииВременные указанияВременный порядокВрТЕРВрТЕРрВрТЭСНВрТЭСНрВСНВСН АСВСН ВКВСН-АПКВСПВСТПВТУВТУ МММПВТУ НКММПВУП СНЭВУППВУТПВыпускГКИНПГКИНП (ОНТА)ГНГОСТГОСТ CEN/TRГОСТ CISPRГОСТ ENГОСТ EN ISOГОСТ EN/TSГОСТ IECГОСТ IEC/PASГОСТ IEC/TRГОСТ IEC/TSГОСТ ISOГОСТ ISO GuideГОСТ ISO/DISГОСТ ISO/HL7ГОСТ ISO/IECГОСТ ISO/IEC GuideГОСТ ISO/TRГОСТ ISO/TSГОСТ OIML RГОСТ ЕНГОСТ ИСОГОСТ ИСО/МЭКГОСТ ИСО/ТОГОСТ ИСО/ТСГОСТ МЭКГОСТ РГОСТ Р ЕНГОСТ Р ЕН ИСОГОСТ Р ИСОГОСТ Р ИСО/HL7ГОСТ Р ИСО/АСТМГОСТ Р ИСО/МЭКГОСТ Р ИСО/МЭК МФСГОСТ Р ИСО/МЭК ТОГОСТ Р ИСО/ТОГОСТ Р ИСО/ТСГОСТ Р ИСО/ТУГОСТ Р МЭКГОСТ Р МЭК/ТОГОСТ Р МЭК/ТСГОСТ ЭД1ГСНГСНрГСССДГЭСНГЭСНмГЭСНмрГЭСНмтГЭСНпГЭСНПиТЕРГЭСНПиТЕРрГЭСНрГЭСНсДИДиОРДирективное письмоДоговорДополнение к ВСНДополнение к РНиПДСЕКЕНВиРЕНВиР-ПЕНиРЕСДЗемЕТКСЖНМЗаключениеЗаконЗаконопроектЗональный типовой проектИИБТВИДИКИМИНИнструктивное письмоИнструкцияИнструкция НСАМИнформационно-методическое письмоИнформационно-технический сборникИнформационное письмоИнформацияИОТИРИСОИСО/TRИТНИТОсИТПИТСИЭСНИЭСНиЕР Республика КарелияККарта трудового процессаКарта-нарядКаталогКаталог-справочникККТКОКодексКОТКПОКСИКТКТПММ-МВИМВИМВНМВРМГСНМДМДКМДСМеждународные стандартыМетодикаМетодика НСАММетодические рекомендацииМетодические рекомендации к СПМетодические указанияМетодический документМетодическое пособиеМетодическое руководствоМИМИ БГЕИМИ УЯВИМИГКМММНМОДНМонтажные чертежиМос МУМосМРМосСанПинМППБМРМРДСМРОМРРМРТУМСанПиНМСНМСПМТМУМУ ОТ РММУКМЭКННАС ГАНБ ЖТНВННГЭАНДНДПНиТУНКНормыНормы времениНПНПБНПРМНРНРБНСПНТПНТП АПКНТП ЭППНТПДНТПСНТСНЦКРНЦСОДМОДНОЕРЖОЕРЖкрОЕРЖмОЕРЖмрОЕРЖпОЕРЖрОКОМТРМОНОНДОНКОНТПОПВОПКП АЭСОПНРМСОРДОСГиСППиНОСНОСН-АПКОСПОССПЖОССЦЖОСТОСТ 1ОСТ 2ОСТ 34ОСТ 4ОСТ 5ОСТ ВКСОСТ КЗ СНКОСТ НКЗагОСТ НКЛесОСТ НКМОСТ НКММПОСТ НКППОСТ НКПП и НКВТОСТ НКСМОСТ НКТПОСТ5ОСТНОСЭМЖОТРОТТПП ССФЖТПБПБПРВПБЭ НППБЯПВ НППВКМПВСРПГВУПереченьПиН АЭПисьмоПМГПНАЭПНД ФПНД Ф СБПНД Ф ТПНСТПОПоложениеПорядокПособиеПособие в развитие СНиППособие к ВНТППособие к ВСНПособие к МГСНПособие к МРПособие к РДПособие к РТМПособие к СНПособие к СНиППособие к СППособие к СТОПособие по применению СППостановлениеПОТ РПОЭСНрППБППБ-АСППБ-СППБВППБОППРПРПР РСКПР СМНПравилаПрактическое пособие к СППРБ АСПрейскурантПриказПротоколПСРр Калининградской областиПТБПТЭПУГПУЭПЦСНПЭУРР ГазпромР НОПРИЗР НОСТРОЙР НОСТРОЙ/НОПР РСКР СМНР-НП СРО ССКРазъяснениеРаспоряжениеРАФРБРГРДРД БГЕИРД БТРД ГМРД НИИКраностроенияРД РОСЭКРД РСКРД РТМРД СМАРД СМНРД ЭОРД-АПКРДИРДМРДМУРДПРДСРДТПРегламентРекомендацииРекомендацияРешениеРешение коллегииРКРМРМГРМДРМКРНДРНиПРПРРТОП ТЭРС ГАРСНРСТ РСФСРРСТ РСФСР ЭД1РТРТМРТПРУРуководствоРУЭСТОП ГАРЭГА РФРЭСНрСАСанитарные нормыСанитарные правилаСанПиНСборникСборник НТД к СНиПСборники ПВРСборники РСН МОСборники РСН ПНРСборники РСН ССРСборники ценСБЦПСДАСДАЭСДОССерияСЗКСНСН-РФСНиПСНиРСНККСНОРСНПСОСоглашениеСПСП АССП АЭССправочникСправочное пособие к ВСНСправочное пособие к СНиПСправочное пособие к СПСправочное пособие к ТЕРСправочное пособие к ТЕРрСРПССНССЦСТ ССФЖТСТ СЭВСТ ЦКБАСТ-НП СРОСТАСТКСТМСТНСТН ЦЭСТОСТО 030 НОСТРОЙСТО АСЧМСТО БДПСТО ВНИИСТСТО ГазпромСТО Газпром РДСТО ГГИСТО ГУ ГГИСТО ДД ХМАОСТО ДОКТОР БЕТОНСТО МАДИСТО МВИСТО МИСТО НААГСТО НАКССТО НКССТО НОПСТО НОСТРОЙСТО НОСТРОЙ/НОПСТО РЖДСТО РосГеоСТО РОСТЕХЭКСПЕРТИЗАСТО САСТО СМКСТО ФЦССТО ЦКТИСТО-ГК «Трансстрой»СТО-НСОПБСТПСТП ВНИИГСТП НИИЭССтП РМПСУПСССУРСУСНСЦНПРТВТЕТелеграммаТелетайпограммаТематическая подборкаТЕРТЕР Алтайский крайТЕР Белгородская областьТЕР Калининградской областиТЕР Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕР Краснодарского краяТЕР Мурманская областьТЕР Новосибирской областиТЕР Орловской областиТЕР Республика ДагестанТЕР Республика КарелияТЕР Ростовской областиТЕР Самарской областиТЕР Смоленской обл.ТЕР Ямало-Ненецкий автономный округТЕР Ярославской областиТЕРмТЕРм Алтайский крайТЕРм Белгородская областьТЕРм Воронежской областиТЕРм Калининградской областиТЕРм Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРм Мурманская областьТЕРм Республика ДагестанТЕРм Республика КарелияТЕРм Ямало-Ненецкий автономный округТЕРмрТЕРмр Алтайский крайТЕРмр Белгородская областьТЕРмр Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРмр Краснодарского краяТЕРмр Республика ДагестанТЕРмр Республика КарелияТЕРмр Ямало-Ненецкий автономный округТЕРпТЕРп Алтайский крайТЕРп Белгородская областьТЕРп Калининградской областиТЕРп Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРп Краснодарского краяТЕРп Республика КарелияТЕРп Ямало-Ненецкий автономный округТЕРп Ярославской областиТЕРрТЕРр Алтайский крайТЕРр Белгородская областьТЕРр Калининградской областиТЕРр Карачаево-Черкесская РеспубликаТЕРр Краснодарского краяТЕРр Новосибирской областиТЕРр Омской областиТЕРр Орловской областиТЕРр Республика ДагестанТЕРр Республика КарелияТЕРр Ростовской областиТЕРр Рязанской областиТЕРр Самарской областиТЕРр Смоленской областиТЕРр Удмуртской РеспубликиТЕРр Ульяновской областиТЕРр Ямало-Ненецкий автономный округТЕРррТЕРрр Ямало-Ненецкий автономный округТЕРс Ямало-Ненецкий автономный округТЕРтр Ямало-Ненецкий автономный округТехнический каталогТехнический регламентТехнический регламент Таможенного союзаТехнический циркулярТехнологическая инструкцияТехнологическая картаТехнологические картыТехнологический регламентТИТИ РТИ РОТиповая инструкцияТиповая технологическая инструкцияТиповое положениеТиповой проектТиповые конструкцииТиповые материалы для проектированияТиповые проектные решенияТКТКБЯТМД Санкт-ПетербургТНПБТОИТОИ-РДТПТПРТРТР АВОКТР ЕАЭСТР ТСТРДТСНТСН МУТСН ПМСТСН РКТСН ЭКТСН ЭОТСНэ и ТЕРэТССЦТССЦ Алтайский крайТССЦ Белгородская областьТССЦ Воронежской областиТССЦ Карачаево-Черкесская РеспубликаТССЦ Ямало-Ненецкий автономный округТССЦпгТССЦпг Белгородская областьТСЦТСЦ Белгородская областьТСЦ Краснодарского краяТСЦ Орловской областиТСЦ Республика ДагестанТСЦ Республика КарелияТСЦ Ростовской областиТСЦ Ульяновской областиТСЦмТСЦО Ямало-Ненецкий автономный округТСЦп Калининградской областиТСЦПГ Ямало-Ненецкий автономный округТСЦэ Калининградской областиТСЭМТСЭМ Алтайский крайТСЭМ Белгородская областьТСЭМ Карачаево-Черкесская РеспубликаТСЭМ Ямало-Ненецкий автономный округТТТТКТТПТУТУ-газТУКТЭСНиЕР Воронежской областиТЭСНиЕРм Воронежской областиТЭСНиЕРрТЭСНиТЕРэУУ-СТУказУказаниеУказанияУКНУНУОУРврУРкрУРррУРСНУСНУТП БГЕИФАПФедеральный законФедеральный стандарт оценкиФЕРФЕРмФЕРмрФЕРпФЕРрФормаФорма ИГАСНФРФСНФССЦФССЦпгФСЭМФТС ЖТЦВЦенникЦИРВЦиркулярЦПИШифрЭксплуатационный циркулярЭРД |
| Показать все найденныеПоказать действующиеПоказать частично действующиеПоказать не действующиеПоказать проектыПоказать документы с неизвестным статусом |
| Упорядочить по номеру документаУпорядочить по дате введения |
files.stroyinf.ru
ГОСТ 2.768-90 Единая система конструкторской документации (ЕСКД). Обозначения условные графические в схемах. Источники электрохимические, электротермические и тепловые, ГОСТ от 26 октября 1990 года №2.768-90
ГОСТ 2.768-90
Группа Т52
МКС 01.080.40
31.180
ОКСТУ 0002
Дата введения 1992-01-01
1. ВНЕСЕН Государственным комитетом СССР по управлению качеством продукции и стандартам
2. Постановлением Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 26.10.90 N 2706 стандарт Совета Экономической Взаимопомощи СТ СЭВ 653-89 «Единая система конструкторской документации СЭВ. Обозначения условные графические в электрических схемах. Источники электрохимические, электротермические и тепловые» введен в действие непосредственно в качестве государственного стандарта СССР с 01.01.92
3. СТАНДАРТ СООТВЕТСТВУЕТ стандарту МЭК 617-6-83 в части табл.1, 3, 4, за исключением пп.3-5 табл.1 и п.4 табл.3, и стандарту МЭК 617-8-83 в части табл.2, за исключением п.2 табл.2
4. ПЕРЕИЗДАНИЕ. Ноябрь 2004 г.
Настоящий стандарт распространяется на схемы изделий всех отраслей промышленности, выполняемые вручную или автоматизированным способом, и устанавливает условные графические обозначения электрохимических, электротермических и тепловых источников и генераторов мощности.
1. Условные графические обозначения электрохимических источников
1. Условные графические обозначения электрохимических источников должны соответствовать приведенным в табл.1.
Таблица 1
Наименование | Обозначение |
1. Гальванический элемент (первичный или вторичный) Примечание. Допускается знаки полярности не указывать | |
2. Батарея, состоящая из гальванических элементов Примечание. Батарею из гальванических элементов допускается обозначать так же, как в п.1. При этом над обозначением проставляют значение напряжения батареи, например напряжение 48 В | |
3. Батарея с отводами от элементов, например батарея номинального напряжения 12 В, номинальной емкости 84 А·ч с отводами 10 В и 8 В | |
4. Батарея, состоящая из гальванических элементов с переключаемым отводом | |
5. Батарея, состоящая из гальванических элементов с двумя переключаемыми отводами, например батарея номинального напряжения 120 В с номинальной емкостью 840 А·ч |
2. Условные графические обозначения электротермических источников
2. Условные графические обозначения электротермических источников должны соответствовать приведенным в табл.2.
Таблица 2
Наименование | Обозначение |
1. Термоэлемент (термопара) | |
2. Батарея из термоэлементов, например, с номинальным напряжением 80 В | |
3. Термоэлектрический преобразователь с контактным нагревом | |
4. Термоэлектрический преобразователь с бесконтактным нагревом |
Допускается не зачернять или опускать окружности в условных графических обозначениях электротермических источников.
3. Условные графические обозначения источников тепла
3. Условные графические обозначения источников тепла должны соответствовать приведенным в табл.3.
Таблица 3
Наименование | Обозначение |
1. Источник тепла, основной символ | |
2. Радиоизотопный источник тепла | |
3. Источник тепла, использующий горение | |
4. Источник тепла, использующий неионизирующее излучение |
4. Условные графические обозначения генераторов мощности
4. Условные графические обозначения генераторов мощности должны соответствовать приведенным в табл.4.
Таблица 4
Наименование | Обозначение |
1. Генератор мощности, основной символ | |
2. Термоэлектрический генератор с источником тепла, использующим горение | |
3. Термоэлектрический генератор с источником тепла, использующим неионизирующее излучение | |
4. Термоэлектрический генератор с радиоизотопным источником тепла | |
5. Термоионический полупроводниковый генератор с источником тепла, использующим неионизирующее излучение | |
6. Термоионический полупроводниковый генератор с радиоизотопным источником тепла | |
7. Генератор с фотоэлектрическим преобразователем |
Примечания:
1. Числовые обозначения, указанные в скобках после наименования или под условным графическим обозначением, по Международному идентификатору.
2. Соотношения размеров (на модульной сетке) основных условных графических обозначений приведены в приложении.
ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). Соотношение размеров основных условных графических обозначений
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
Наименование | Обозначение |
1. Гальванический элемент | |
2. Термоэлемент (термопара) | |
3. Бесконтактный нагрев термоэлектрического преобразователя | |
4. Термоэлектрический генератор с источником тепла, использующим горение |
Электронный текст документа
подготовлен АО «Кодекс» и сверен по:
официальное издание
ЕСКД. Обозначения условные графические
в схемах: Сб. ГОСТов. —
М.: ИПК Издательство стандартов, 2005
docs.cntd.ru
