Транзистор википедия. Транзистор: революционное изобретение, изменившее мир электроники

Что такое транзистор и как он работает. Какую роль сыграл транзистор в развитии электроники. Кто изобрел транзистор. Какие виды транзисторов существуют. Как применяются транзисторы в современной технике.

История создания транзистора

Изобретение транзистора справедливо считается одним из величайших достижений научно-технической мысли XX века, коренным образом изменившим мир электроники. Но кто же стоял у истоков этого революционного открытия?

Первый работающий транзистор был создан 16 декабря 1947 года в лаборатории Bell Labs американскими физиками Уильямом Шокли, Джоном Бардином и Уолтером Браттейном. За это изобретение в 1956 году они были удостоены Нобелевской премии по физике.

Однако путь к транзистору был долгим, и у нобелевской тройки были предшественники в разных странах. Появление транзисторов стало результатом многолетней работы многих выдающихся ученых, которые в течение предшествующих десятилетий развивали науку о полупроводниках.


Принцип работы транзистора

Как же работает это революционное устройство? Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, способный усиливать, генерировать и преобразовывать электрические сигналы. Он имеет три вывода и может работать в двух основных режимах:

  • Как управляемый ключ — пропускает или не пропускает ток в зависимости от управляющего сигнала
  • Как усилитель — усиливает входной сигнал по току, напряжению или мощности

Работа транзистора основана на управлении потоком основных носителей заряда в полупроводнике с помощью изменения напряжения или тока во входной цепи. Это позволяет получить усиление сигнала по мощности.

Основные виды транзисторов

За более чем 70-летнюю историю развития было создано множество разновидностей транзисторов. Основные типы транзисторов, применяемых сегодня:

  • Биполярные транзисторы — работают на основе взаимодействия двух типов носителей заряда (электронов и дырок)
  • Полевые транзисторы — работа основана на управлении током с помощью электрического поля
  • IGBT-транзисторы — сочетают достоинства биполярных и полевых транзисторов
  • Фототранзисторы — управляются световым потоком

Каждый тип имеет свои особенности и области применения. Выбор конкретного вида транзистора зависит от требований схемы.


Роль транзистора в развитии электроники

Появление транзистора произвело настоящую революцию в электронике. Какие же преимущества он дал по сравнению с электронными лампами?

  • Миниатюрность — транзисторы в сотни раз меньше и легче ламп
  • Экономичность — потребляют значительно меньше энергии
  • Надежность — срок службы транзисторов во много раз больше
  • Дешевизна — транзисторы гораздо дешевле в производстве
  • Возможность создания сложных интегральных схем

Благодаря этим качествам транзисторы открыли путь к созданию компактной бытовой электроники, мощных компьютеров, космической и военной техники. Без транзисторов была бы невозможна современная цифровая эпоха.

Применение транзисторов в современной технике

Сегодня транзисторы являются основой практически всех электронных устройств. Где же они применяются?

  • Компьютеры и смартфоны — в процессорах и других микросхемах
  • Бытовая техника — в системах управления
  • Автомобильная электроника
  • Системы связи и телекоммуникаций
  • Промышленная автоматика
  • Медицинское оборудование
  • Военная и космическая техника

При этом в современных интегральных микросхемах на одном кристалле могут размещаться миллиарды транзисторов. Это позволяет создавать сверхсложные электронные устройства.


Перспективы развития транзисторных технологий

Несмотря на более чем 70-летнюю историю, развитие транзисторных технологий продолжается. Какие направления считаются наиболее перспективными?

  • Дальнейшая миниатюризация транзисторов
  • Создание трехмерных транзисторных структур
  • Разработка транзисторов на основе новых материалов (графен, углеродные нанотрубки)
  • Квантовые транзисторы
  • Оптические транзисторы

Эти разработки позволят еще больше повысить быстродействие и энергоэффективность электронных устройств, открыв новые возможности в области вычислительной техники и систем связи.

Транзистор как символ научно-технического прогресса

Транзистор по праву считается одним из величайших изобретений XX века. Он не только произвел революцию в электронике, но и стал символом научно-технического прогресса. Почему транзистор заслужил такое признание?

  • Открыл эру миниатюрной электроники
  • Сделал возможным создание персональных компьютеров
  • Заложил основу для развития цифровых технологий
  • Дал толчок развитию космической техники
  • Способствовал глобализации через развитие систем связи

Без преувеличения можно сказать, что транзистор изменил облик современной цивилизации. Он стал ключевым элементом информационной революции, определившей переход к постиндустриальному обществу.



60 лет транзистору

Б. М. Малашевич

Трудно найти такую отрасль науки и техники, которая так же стремительно развивалась и оказала такое–же огромное влияние на все стороны жизнедеятельности человека, каждого отдельного и общества в целом, как электроника.

Как самостоятельное направление науки и техники электроника сформировалась благодаря электронной лампе. Сначала появились радиосвязь, радиовещание, радиолокация, телевидение, затем электронные системы управления, вычислительная техника и т.п. Но электронная лампа имеет неустранимые недостатки: большие габариты, высокое энергопотребление, большое время вхождения в рабочий режим, низкую надежность. В результате через 2-3 десятка лет существования ламповая электроника во многих применениях подошла к пределу своих возможностей. Электронной лампе требовалась более компактная, экономичная и надежная замена. И она нашлась в виде полупроводникового транзистора. Его создание справедливо считают одним из величайших достижений научно-технической мысли двадцатого столетия, коренным образом изменившим мир. Оно было отмечено Нобелевской премией по физике, присужденной в 1956 г. американцам Джону Бардину, Уолтеру Браттейну и Уильяму Шокли. Но у нобелевской тройки в разных странах были предшественники .

И это понятно. Появление транзисторов – результат многолетней работы многих выдающихся ученых и специалистов, которые в течении предшествующих десятилетий развивали науку о полупроводниках. Советские ученые внесли в это общее дело огромный вклад. Очень много было сделано школой физики полупроводников академика А.Ф. Иоффе – пионера мировых исследований по физике полупроводников. Еще в 1931 году он опубликовал статью с пророческим названием: «Полупроводники – новые материалы электроники». Немалую заслугу в исследование полупроводников внесли Б.В. Курчатов и В.П. Жузе. В своей работе – «К вопросу об электропроводности закиси меди» в 1932 году они показали, что величина и тип электрической проводимости определяется концентрацией и природой примеси. Советский физик Я.Н. Френкель создал теорию возбуждения в полупроводниках парных носителей заряда: электронов и дырок. В 1931 г. англичанину Уилсону удалось создать т еоретическую модель полупроводника, сформулировав при этом основы «зонной теории полупроводников». В 1938 г. Мотт в Англии, Б.Давыдов в СССР, Вальтер Шоттки в Германии независимо друг от друга предложили теорию выпрямляющего действия контакта металл-полупроводник. В 1939 году Б.Давыдов опубликовал работу «Диффузионная теория выпрямления в полупроводниках». В 1941 г. В. Е. Лашкарев опубликовал статью «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и в соавторстве с К. М. Косоноговой – статью «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди». Он описал физику «запорного слоя» на границе раздела «медь – закись меди», впоследствии названного «p-n» переходом. В 1946 г. В. Лошкарев открыл биполярную диффузию неравновесных носителей тока в полупроводниках. Им же был раскрыт механизм инжекции – важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы. Большой вклад в исследование свойств полупроводников внесли И. В.Курчатов, Ю.М.Кушнир, Л.Д.Ландау, В.М.Тучкевича, Ж.И.Алферов и др. Таким образом, к концу сороковых годов двадцатого века основы теоретической базы для создания транзисторов были проработаны достаточно глубоко, чтобы приступать к практическим работам.

Рис. Транзитрон Г.Матаре и Г.Велкера

Первой известной попыткой создания кристаллического усилителя в США предпринял немецкий физик Юлиус Лилиенфельд, запатентовавший в 1930, 1932 и 1933 гг. три варианта усилителя на основе сульфида меди. В 1935 г. немецкий у ченый Оскар Хейл получил британский патент на усилитель на основе пятиокиси ванадия. В 1938 г. немецкий физик Поль создал действующий образец кристаллического усилителя на нагретом кристалле бромида калия. В довоенные годы в Германии и Англии было выдано еще несколько аналогичных патентов. Эти усилители можно считать прообразом современных полевых транзисторов. Однако построить устойчиво работающие приборы не удавалось, т.к. в то время еще не было достаточно чистых материалов и технологий их обработки. В первой половине тридцатых годов точечные триоды изготовили двое радиолюбителей – канадец Ларри Кайзер и тринадцатилетний новозеландский школьник Роберт Адамс. В июне 1948 г. (до обнародования транзистора) изготовили свой вариант точечного германиевого триода, названный ими транзитроном, жившие тогда во Франции немецкие физики Роберт Поль и Рудольф Хилш. В начале 1949 г. было организовано производство транзитронов, применялись они в телефонном оборудовании, причем работали лучше и дольше американских транзисторов. В России в 20-х годах в Нижнем Новгороде О.В.Лосев наблюдал транзисторный эффект в системе из трех – четырех контактов на поверхности кремния и корборунда. В середине 1939 г. он писал: «…с полупроводниками может быть построена трехэлектродная система, аналогичная триоду», но увлекся открытым им светодиодным эффектом и не реализовал эту идею. К транзистору вело множество дорог.

Первый транзистор

Слава направо: Уильям Шокли,
Джон Бардин (сидит), Уолтер Бреттейн.
Фото из http://gete.ru/page_140.html

Выше описанные примеры проектов и образцов транзисторов были результатами локальных всплесков мысли талантливых или удачливых людей, не подкрепленные достаточной экономической и организационной поддержкой и не сыгравшие серьезной роли в развитии электроники. Дж. Бардин, У. Браттейн и У. Шокли оказались в лучших условиях. Они работали по единственной в мире целенаправленной долговременной (более 5 лет) программе с достаточным финансовым и материальным обеспечением в фирме Bell Telephone Laboratories, тогда одной из самых мощных и наукоемких в США. Их работы были начаты еще во второй половине тридцатых годов, работу возглавил Джозеф Бекер, который привлек к ней высококлассного теоретика У. Шокли и блестящего экспериментатора У. Браттейна. В 1939 г. Шокли выдвинул идею изменять проводимость тонкой пластины полупроводника (оксида меди), воздействуя на нее внешним электрическим полем. Это было нечто, напоминающее и патент Ю. Лилиенфельда, и позже сделанный и ставший массовым полевой транзистор. В 1940 г. Шокли и Браттейн приняли удачное решение ограничить исследования только простыми элементами – германием и кремнием. Однако все попытки построить твердотельный усилитель ни к чему не привели, и после Пирл-Харбора (практическое начало Второй мировой войны для США) были положены в долгий ящик. Шоккли и Браттейн были направлены в исследовательский центр, работавший над созданием радаров. В 1945 г. оба возвратились в Bell Labs. Там под руководством Шокли была создана сильная команда из физиков, химиков и инженеров для работы над твердотельными приборами. В нее вошли У. Браттейн и физик-теоретик Дж. Бардин. Шокли сориентировал группу на реализацию своей довоенной идеи. Но устройство упорно отказывалось работать, и Шокли, поручив Бардину и Браттейну довести его до ума, сам практически устранился от этой темы.

Два года упорного труда принесли лишь отрицательные результаты. Бардин предположил, что избыточные электроны прочно оседали в приповерхностных областях и экранировали внешнее поле. Эта гипотеза подсказала дальнейшие действия. Плоский управляющий электрод заменили острием, пытаясь локально воздействовать на тонкий приповерхностный слой полупроводника.

Первый транзистор У. Браттейна и Дж. Бардина

Однажды Браттейн нечаянно почти вплотную сблизил два игольчатых электрода на поверхности германия, да еще перепутал полярность напряжений питания, и вдруг заметил влияние тока одного электрода на ток другого. Бардин мгновенно оценил ошибку. А 16 декабря 1947 г. у них заработал твердотельный усилитель, который и считают первым в мире транзистором. Устроен он был очень просто – на металлической подложке-электроде лежала пластинка германия, в которую упирались два близко расположенных (10-15 мкм) контакта. Оригинально были сделаны эти контакты. Треугольный пластмассовый нож, обернутый золотой фольгой, разрезанной надвое бритвой по вершине треугольника. Треугольник прижимался к германиевой пластинке специальной пружиной, изготовленной из изогнутой канцелярской скрепки. Через неделю, 23 декабря 1947 г. прибор был продемонстрирован руководству фирмы, этот день и считается датой рождения транзистора. Все были рады результатом, кроме Шокли: получилось, что он, раньше всех задумавший полупроводниковый усилитель, руководивший группой специалистов, читавший им лекции по квантовой теории полупроводников – не участвовал в его создании. Да и транзистор получился не такой, как Шокли задумывал: биполярный, а не полевой. Следовательно на соавторство в «звездном» патенте он претендовать не мог.

Прибор работал, но широкой публике эту внешне несуразную конструкцию показывать было нельзя. Изготовили несколько транзисторов в виде металлических цилиндриков диаметром около 13 мм. и собрали на них «безламповый» радиоприемник. 30 июня 1948 г. в Нью-Йорке состоялась официальная презентация нового прибора – транзистора (от англ. Transver Resistor – трансформатор сопротивлений). Но специалисты не сразу оценили его возможности. Эксперты из Пентагона «приговорили» транзистор к использованию лишь в слуховых аппаратах для старичков. Так близорукость военных спасла транзистор от засекречивания. Презентация осталась почти незамеченной, лишь пара абзацев о транзисторе появилась в «Нью-Йорк Тайме» на 46 странице в разделе «Новости радио». Таким было явление миру одного из величайших открытий XX века. Даже изготовители электронных ламп, вложившие многие миллионы в свои заводы, в появлении транзистора угрозы не увидели.

Позже, в июле 1948 года, информация об этом изобретении появилась в журнале «The Physical Review». Но т олько через некоторое в ремя специалисты поняли, что произошло грандиозное событие, определившее дальнейшее развитие прогресса в мире.

Bell Labs сразу оформила патент на это революционное изобретение, но с технологией было масса проблем. Первые транзисторы, поступившие в продажу в 1948 году, не внушали оптимизма – стоило их потрясти, и коэффициент усиления менялся в несколько раз, а при нагревании они и вовсе переставали работать. Но зато им не было равных в миниатюрности. Аппараты для людей с пониженным слухом можно было поместить в оправе очков! Поняв, что вряд ли она сама сможет справиться со всеми технологическими проблемами, Bell Labs решилась на необычный шаг. В начале 1952 года она объявила, что полностью передаст права на изготовление транзистора всем компаниям, готовым выложить довольно скромную сумму в 25 000 долларов вместо регулярных выплат за пользование патентом, и предложила обучающие курсы по транзисторной технологии, помогая распространению технологии по всему миру. Постепенно росла очевидность важности этого миниатюрного устройства. Транзистор оказался привлекательным по следующим причинам: был дешев, миниатюрен, прочен, потреблял мало мощности и мгновенно включался (лампы долго нагревались). В 1953 г. на рынке появилось первое коммерческое транзисторное изделие – слуховой аппарат (пионером в этом деле выступил Джон Килби из ф. Centralab , который через несколько лет сделает первую в мире полупроводниковую микросхему), а в октябре 1954 г. – первый транзисторный радиоприе мник Regency TR1, в нем использовалось всего четыре германиевых транзистора. Немедленно принялась осваивать новые приборы и индустрия вычислительной техники, первой была фирма IBM . Доступность технологии дала свои плоды – мир начал стремительно меняться.

Польза конструктивного честолюбия

У честолюбивого У.Шокли случившееся вызвало вулканический всплеск его творческой энергии. Хотя Дж. Бардин и У.Браттейн нечаянно получили не полевой транзистор, как планировал Шокли, а биполярный, он быстро разобрался в сделанном. Позднее Шокли вспоминал о своей «страстной неделе», в течение которой он создал теорию инжекции, а в новогоднюю ночь изобрел плоскостной биполярный транзистор без экзотических иголочек.

Что бы создать что-то новое, Шокли по-новому взглянул на давно известное – на точечный и плоскостный полупроводниковые диоды, на физику работы плоскостного «p — n» перехода, легко поддающуюся теоретическому анализу. Поскольку точечный транзистор представляет собой два очень сближенные диода, Шокли провел теоретическое исследования пары аналогично сближенных плоскостных диодов и создал основы теории плоскостного биполярного транзистора в кристалле полупроводника, со держащего два «p — n» перехода. Плоскостные транзисторы обладают рядом преимуществ перед точечными: они более доступны теоретическому анализу, обладают более низким уровнем шумов, обеспечивают большую мощность и, главное, более высокие повторяемость параметров и надежность. Но, пожалуй, главным их преимуществом была легко автоматизируемая технология, исключающая сложные операции изготовления, установки и позиционирования подпружиненных иголочек, а также обеспечивавшая дальнейшую миниатюризацию приборов.

30 июня 1948 г. в нью-йоркском офисе Bell Labs изобретение было впервые продемонстрировано руководству компании. Но оказалось, что создать серийноспособный плоскостной транзистор гораздо труднее, чем точечный. Транзистор Браттейна и Бардина – чрезвычайно простое устройство. Его единственным полупроводниковым компонентом был кусочек относительно чистого и вполне тогда доступного германия. А вот техника легирования полупроводников в конце сороковых годов, необходимая для изготовления плоскостного транзистора, еще находилась в младенчестве, поэтому изготовление серийноспособного транзистора «по Шокли» удалось только в 1951 г. В 1954 году Bell Labs разработала процессы окисления, фотолитографии, диффузии, которые на многие годы стали основой производства полупроводниковых приборов.

Первый кремниевый транзистор, 1950 г.

Точечный транзистор Бардина и Браттейна – безусловно огромный прогресс по сравнению с электронными лампами. Но не он стал основой микроэлектроники, век его оказался короток, около 10 лет. Шокли быстро понял сделанное коллегами и создал плоскостной вариант биполярного транзистора, который жив и сегодня и будет жить, пока существует микроэлектроника. Патент на него он получил в 1951 г. А в 1952 г. У. Шокли создал и поле вой транзистор, так же им запатентованный. Так что свое участие в Нобелевской премии он заработал честно.

Число производителей транзисторов росло как снежный ком. Bell Labs, Shockley Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Western Electric, GSI (с декабря 1951 г. Texas Instruments), Motorola, Tokyo Cousin (С 1958 г. Sony), NEC и многие другие.

В 1950 г. фирма GSI разработала первый кремниевый транзистор, а с 1954 г., преобразившись в Texas Instruments , начала его серийное производство.

«Холодная война» и ее влияние на электронику

После окончания Второй мировой войны мир раскололся на два враждебных лагеря. В 1950-1953 гг. эта конфронтация вылилась в прямое военное столкновение – Корейскую войну. Фактически это была опосредованная война между США и СССР. В это же время США готовились к прямой войне с СССР. В 1949 г. в США был разработан опубликованный ныне план «Последний выстрел» (Operation Dropshot), фактически план Третье мировой войны, войны термоядерной. План предусматривал прямое нападение на СССР 1 января 1957 г . В течение месяца предполагалось сбросить на наши головы 300 50-килотонных атомных и 200 000 обычных бомб. Для этого план предусматривал разработку специальных баллистических ракет, подводных атомных лодок, авианосцев и многого другого. Так началась развязанная США беспрецедентная гонка вооружений, продолжавшаяся всю вторую половину прошлого века, продолжающаяся, не столь демонстративно, и сейчас.

В этих условиях перед нашей страной, выдержавшей беспрецедентную в моральном и экономическом отношении четырехлетнюю войну и добившейся победы ценой огромных усилий и жертв, возникли новые гигантские проблемы по обеспечению собственной и союзников безопасности. Пришлось срочно, отрывая ресурсы от измученного войной и голодного народа, создавать новейшие виды оружия, содержать в постоянной боеготовности огромную армию. Так были созданы атомные и водородные бомбы, межконтинентальные ракеты, система противоракетной обороны и многое другое. Наши успехи в области обеспечения обороноспособности страны и реальная возможность получения сокрушительного ответного удара вынудили США отказаться от реализации плана «Dropshot» и других ему подобных.

Одним из последствий «холодной войны» была почти полная экономическая и информационная изоляция противостоящих сторон. Экономические и научные связи были весьма слабы, а в области стратегически важных отраслей и новых технологий практически отсутствовали. Важные открытия, изобретения, новые разработки в любой области знаний, которые могли быть использованы в военной технике или способствовать экономическому развитию, засекречивались. Поставки прогрессивных технологий, оборудования, продукции запрещались. В результате советская полупроводниковая наука и промышленность, развивались в условиях почти полной изоляции, фактической блокады от всего того, что делалось в этой области в США, Западной Европе, а затем и Японии.

Следует также отметить, что советская наука и промышленность во многих направлениях тогда занимала лидирующее в мире положение. Наши истребители в корейской войне были лучше американских, наши ракеты были мощнее всех, в космосе в те годы мы были впереди планеты всей, первый в мире компьютер с производительностью выше 1 млн. оп/с был наш, водородную бомбу мы сделали раньше США, баллистическую ракету первой сбила наша система ПРО и т.п. Отстать в электронике означало потянуть назад все остальные отрасли науки и техники.

Значение полупроводниковой техники в СССР понимали прекрасно, но пути и методы ее развития были иными, чем в США. Руководство страны сознавало, что противостояние в холодной войне можно обеспечить путем развития оборонных систем, управляемых надежной, малогабаритной электроникой. В 1959 году были основаны такие заводы полупроводниковых приборов, как Александровский, Брянский, Воронежский, Рижский и др. В январе 1961 г. было принято Постановление ЦК КПСС и СМ СССР «О развитии полупроводниковой промышленности», в котором предусматривалось строительство заводов и НИИ в Киеве, Минске, Ереване, Нальчике и других городах. Причем базой для создания первых предприятий полупроводниковой промышленности стали совершенно не приспособленные для этих целей помещения (здания коммерческого техникума в Риге, Совпартшколы в Новгороде, макаронная фабрика в Брянске, швейная фабрика в Воронеже, ателье в Запорожье и т.д.). Но вернемся к истокам.

Первые советские транзисторы

В годы, предшествующие изобретению транзистора, в СССР были достигнуты значительные успехи в создании германиевых и кремниевых детекторов. В этих работах использовалась оригинальная методика исследования приконтактной области путем введения в нее дополнительной иглы, вследствие чего создавалась конфигурация, в точности повторяющая точечный транзистор. Иногда при измерениях выявлялись и транзисторные характеристики (влияние одного «

p — n» перехода на другой близко расположенный), но их отбрасывали как случайные и неинтересные аномалии. Мало в чем наши исследователи уступали американским специалистам, не было у них лишь одного — нацеленности на транзистор, и великое открытие выскользнуло из рук. Начиная с 1947 г. интенсивные работы в области полупроводниковых усилителей велись в ЦНИИ-108 (лаб. С. Г. Калашникова) и в НИИ-160 (НИИ «Исток», Фрязино, лаб. А. В. Красилова). В 1948 г., группа А. В. Красилова, разрабатывавшая германиевые диоды для радиолокационный станций, также получила транзисторный эффект и попыталась объяснить его. Об этом в журнале «Вестник информации» в декабре 1948 ими была опубликована статья «Кристаллический триод» — первая публикация в СССР о транзисторах.
Напомним, что первая публикация о транзисторе в США в журнале «The Physical Review» состоялась в июле 1948 г., т.е. результаты работ группы Красилова были независимы и почти одновременны. Таким образом научная и экспериментальная база в СССР была подготовлена к созданию полупроводникового триода (термин «транзистор» был введен в русский язык в середине 60-х годов) и уже в 1949 г. лабораторией А. В. Красилова были разработаны и переданы в серийное производство первые советские точечные германиевые триоды С1 — С4. В 1950 г. образцы германиевых триодов были разработаны в ФИАНе (Б.М. Вул, А. В. Ржанов, В. С. Вавилов и др.), в ЛФТИ (В.М. Тучкевич, Д. Н. Наследов) и в ИРЭ АН СССР (С.Г. Калашников, Н. А. Пенин и др.).

Первый советские промышленные транзистор:
точечный С1Г (слева) и плоскостный П1А (справа)

В мае 1953 г. был образован специализированный НИИ (НИИ-35, позже – НИИ «Пульсар»), учрежден Межведомственный Совет по полупроводникам. В 1955 г. началось промышленное производство транзисторов на заводе «Светлана» в Ленинграде, а при заводе создано ОКБ по разработке полупроводниковых приборов.

В 1956 г. московский НИИ-311 с опытным заводом переименован в НИИ «Сапфир» с заводом «Оптрон» и переориентирован на разработку полупроводниковых диодов и тиристоров.

На протяжении 50-х годов в стране были разработаны ряд новых технологий изготовления плоскостных транзисторов: сплавная, сплавно-диффузионная, меза-диффузионная.

Полупроводниковая промышленность СССР развивалась достаточно быстро: в 1955 г. было выпущено 96 тысяч, в 1957 г. – 2,7 млн, а в 1966 г. – более 11 млн. транзисторов. И это было только начало.

Статья помещена в музей 6.01.2008

Простая английская Википедия, бесплатная энциклопедия

Из Простая английская Википедия, бесплатная энциклопедия

Несколько типов транзисторов в индивидуальной упаковке

Транзистор — это электронный компонент, который может выключатель. [1] Изготовлен из полупроводникового материала. Транзисторы можно найти в большинстве электронных устройств. Транзистор был большим достижением после триодной лампы, поскольку он потреблял гораздо меньше электроэнергии и работал на много лет дольше, чтобы переключать или усиливать другой электронный ток.

Транзистор можно использовать для самых разных целей, включая усилители и цифровые переключатели для компьютерных микропроцессоров. В цифровой работе в основном используются МОП-транзисторы. Некоторые транзисторы упакованы в индивидуальную упаковку, в основном для работы с большой мощностью. Большинство транзисторов находятся внутри интегральных схем.

Когда на центральный контакт подается питание, питание может течь.

Транзисторы имеют три вывода: затвор, сток и исток [2] (у биполярного транзистора провода можно назвать эмиттером, коллектором и базой). Когда исток (или эмиттер) подключен к отрицательной клемме батареи, а сток (или коллектор) к положительной клемме, в цепи не будет протекать электричество (если у вас последовательно с транзистором включена только лампа). Но когда энергия течет через затвор (или базу), транзистор пропускает электричество. Это связано с тем, что когда затвор заряжен положительно, положительные электроны будут толкать другие положительные электроны в транзисторе, пропуская отрицательные электроны. Транзистор также может работать, когда затвор просто заряжен положительно, поэтому он не должен касаться стока.

Визуализация[изменить | change source]

Простой способ представить себе, как работает транзистор, — это шланг с острым изгибом, который не позволяет воде проходить через него. Вода — это электроны, и когда вы положительно заряжаете ворота, они разгибают шланг, позволяя воде течь.

Схема транзистора Дарлингтона. «В» — база, «С» — коллектор, «Е» — эмиттер.

Базовая схема транзистора Дарлингтона состоит из двух биполярных транзисторов, соединенных эмиттером с базой, так что они действуют как один транзистор. Один из транзисторов подключен так, что он управляет током на базе другого транзистора. Это означает, что вы можете контролировать то же самое количество тока с очень небольшим количеством тока, поступающего в базу.

Когда затвор P-канального МОП-транзистора заряжен положительно, через него будет проходить электричество. Это полезно для электроники, для которой требуется, чтобы переключатель был включен, что делает его электронным переключателем. Это конкурирует с механическим переключателем, который требует постоянного нажатия на него. [3]

В МОП-транзисторах, используемых в качестве усилителя, транзисторы берут на себя ток стока и истока, и, поскольку ток истока намного больше, чем ток стока, обычно ток стока возрастает до ценность источников, усиливающих ее. [3]

Транзисторы изготовлены из полупроводниковых химических элементов, обычно кремния, который относится к современной группе 14 (ранее группа IV) периодической таблицы элементов [4] . Германий, еще один элемент группы 14, используется вместе с кремнием в специализированных транзисторах. Исследователи также изучают транзисторы, изготовленные из особых форм углерода. [5] Транзисторы также могут быть изготовлены из таких соединений, как арсенид галлия.

Транзистор не был первым трехвыводным устройством. Триод служил той же цели, что и транзистор 50 лет назад. Вакуумные лампы были важны в бытовой технике до транзисторов. К сожалению, лампы были большими и хрупкими, потребляли много энергии и недолговечны. Транзистор решил эти проблемы. [6]

Трем физикам приписывают изобретение транзистора в 1947 году: Уолтеру Х. Браттейну, Джону Бардину и Уильяму Шокли, которые внесли наибольший вклад. [7]

Транзистор сегодня является очень важным компонентом. [8] Если бы не транзистор, такие устройства, как сотовые телефоны и компьютеры, были бы совсем другими, а возможно, их вообще не было бы изобретено. Транзисторы сделаны очень маленькими (десятки атомов шириной), так что миллиарды их могут быть помещены в небольшой компьютерный чип.

  1. «Соединительный транзистор». 1999 . Проверено 7 мая 2012 г. .
  2. Калаверт, Дж. Б. (4 мая 2002 г.). «переходящий». Проверено 7 мая 2012 г. .
  3. 3.0 3.1 «Биполярные транзисторы». 23 октября 2010 г. Архивировано из оригинала 21 мая 2012 г. Проверено 8 мая 2012 г. .
  4. «Из чего сделаны транзисторы?». 1998-12-14. Архивировано из оригинала 02 мая 2012 г. Проверено 4 июня 2012 г. .
  5. Незич, Даниэль Эндрю (2010). Изготовление и электрические характеристики транзисторов из углеродных нанотрубок и графена (Диссертация). Массачусетский Институт Технологий. hdl: 1721.1/62651. Проверено 20 мая 2012 г. .
  6. Профессор Дэвид Б. Хэвиленд (19 декабря 2002 г.). «Транзистор-История». Проверено 5 июля 2012 г. .
  7. «История транзистора». Архивировано из оригинала 18 августа 2012 г. Проверено 5 августа 2012 г. .
  8. Беставрос, Азер (1995). «От транзистора к затворам!». Проверено 8 мая 2012 г. .
  • Вехи AudioUK Архивировано 7 января 2007 г. в Wayback Machine . Фотография первого работающего транзистора
  • .
  • 50 лет транзистору Архивировано 14 июля 2007 г. в Wayback Machine . Из журнала Science Friday, 12 декабря 1997 г.
  • Виртуальный музей и история транзисторов Боба Архивировано 21 января 2008 г. в Wayback Machine . Сокровищница истории транзисторов
  • Как работают транзисторы
  • Транзистор
  • — Citizendium

Что такое эпитаксиальный транзистор? (с изображением)

`;

Технология

Факт проверен

Г. В. Пулос

Эпитаксиальный транзистор является предшественником многих современных полупроводниковых устройств. В стандартном транзисторе используются три куска полупроводникового материала, сплавленные непосредственно друг с другом. Эпитаксиальные транзисторы очень похожи на стандартный транзистор, за исключением того, что они имеют очень тонкий слой чистого незаряженного полупроводникового материала, нанесенного между секциями транзистора, чтобы изолировать их друг от друга. Это значительно повышает скорость и производительность устройства.

Стандартный транзистор состоит из трех частей из полупроводникового материала, например кремния. Кремний для этих изделий смешивается с добавкой, которая придает им электрический заряд. Для транзистора типа NPN, являющегося отраслевым стандартом, две части заряжены отрицательно, а третья — положительно.

Чтобы построить транзистор, три куска кремния сплавляются вместе, при этом положительно заряженный кусок помещается между двумя отрицательно заряженными кусочками. Как только эти части сливаются вместе, происходит обмен электронами в двух местах, где части встречаются, называемых соединениями. Обмен электронами в соединениях продолжается до тех пор, пока не будет достигнут баланс между отрицательными и положительными зарядами. Уравновешивая электрические заряды, эти две области больше не имеют никакого заряда и называются областями истощения.

Области истощения в транзисторе определяют многие рабочие характеристики устройства, например, как быстро устройство может изменять состояния, называемое переключением, и при каком напряжении устройство будет работать или выходить из строя, что называется напряжением пробоя или лавинным напряжением. Поскольку метод создания областей истощения в стандартных транзисторах происходит естественным образом, они не являются оптимально точными и не могут контролироваться для улучшения или изменения их физической структуры, кроме изменения силы заряда, первоначально добавленного к кремнию. В течение многих лет германиевые транзисторы имели более высокую скорость переключения по сравнению с кремниевыми транзисторами просто потому, что германиевый полупроводник имеет тенденцию естественным образом образовывать более узкие области обеднения.

В 1951 году Говард Кристенсен и Гордон Тил из Bell Labs создали технологию, которую мы теперь называем эпитаксиальным осаждением. Эта технология, как следует из названия, может наносить очень тонкую пленку или слой материала на подложку из идентичного материала. В 19В 60-х годах Генри Терер возглавил команду Bell, которая усовершенствовала использование эпитаксиального осаждения для кремниевых полупроводников.

Этот новый подход к конструкции транзисторов навсегда изменил полупроводниковые устройства. Вместо того, чтобы полагаться на естественную склонность кремния формировать обедненные области транзистора, технология может добавить очень тонкие слои чистого незаряженного кремния, которые будут действовать как обедненные области. Этот процесс дал разработчикам точный контроль над рабочими характеристиками кремниевых транзисторов, и впервые экономичные кремниевые транзисторы стали превосходить по всем параметрам германиевые аналоги.

Усовершенствовав процесс эпитаксиального осаждения, команда Bell создала первый эпитаксиальный транзистор, который компания сразу же внедрила в свое телефонное коммутационное оборудование, повысив скорость и надежность системы. Впечатленная характеристиками эпитаксиального транзистора, компания Fairchild Semiconductors начала работу над собственным эпитаксиальным транзистором, легендарным 2N9.14. Устройство было выпущено на рынок в 1961 году и до сих пор широко используется.

После выпуска Fairchild другие компании, такие как Sylvania, Motorola и Texas Instruments, начали работу над собственными эпитаксиальными транзисторами, что положило начало Кремниевому веку электроники. Из-за успеха эпитаксиального осаждения при создании транзисторов и кремниевых устройств в целом инженеры искали другие способы использования этой технологии, и вскоре ее начали использовать для работы с другими материалами, такими как оксиды металлов.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *