Транзистор y1 параметры: Купить SS8050 Y1 SMD NPN биполярный транзистор SOT-23 8050

alexxlabРазное

Содержание

Маркировка радиодеталей, Коды SMD Y1, Y1-, Y10, Y11, Y12, Y13, Y14, Y15, Y16, Y17, Y1766, Y18, Y19, Y1W, Y1Y, Y1p, Y1t. Даташиты 2SC1766, BZV49C11, BZX84-C11, BZX84-C27, BZX84-C30, BZX84-C33, BZX84-C36, BZX84-C39, BZX84-C43, BZX84-C47, BZX84-C51, BZX84-C56, BZX84-C62, BZX84C11, BZX84C11-V, BZX84C11LT1G, BZX84C27, BZX84C27-V, BZX84C27LT1G, BZX84C30, BZX84C30-V, BZX84C30LT1G, BZX84C33, BZX84C33-V, BZX84C33LT1G, BZX84C36, BZX84C36-V, BZX84C36LT1G, BZX84C39, BZX84C39-V, BZX84C39LT1G, BZX84C43, BZX84C43-V, BZX84C43LT1G, BZX84C47, BZX84C47-V, BZX84C47LT1G, BZX84C51, BZX84C51-V, BZX84C51LT1G, BZX84C56, BZX84C56-V, BZX84C56LT1G, BZX84C62, BZX84C62-V, BZX84C62LT1G, CMSZDA11V, EMY1, FMY1A, M8050, PXT8050, PXT8050-C, PXT8050-D, PXT8050-D3, PZU16B1A/DG, SS8050, SS8050LT1, SS8050W, SZBZX84C11LT1G, SZBZX84C27LT1G, SZBZX84C30LT1G, SZBZX84C33LT1G, SZBZX84C36LT1G, SZBZX84C39LT1G, SZBZX84C43LT1G, SZBZX84C47LT1G, SZBZX84C51LT1G, SZBZX84C56LT1G, SZBZX84C62LT1G, UMY1N.

Код SMDКорпусНаименованиеПроизводительОписаниеДаташит
Y1SOT-89BZV49C11Zetex (Now Diodes)Стабилитрон
Y1SOT-23BZX84C11TaitronСтабилитрон
Y1SOT-23BZX84C11-VVishayСтабилитрон
Y1SOT-23BZX84C11LT1GONСтабилитрон
Y1SOT-553EMY1ROHMNPN + PNP транзисторы
Y1SOT-753FMY1AROHMNPN + PNP транзисторы
Y1SOT-89PXT8050TGDNPN транзистор
Y1SOT-89PXT8050LXNPN транзистор
Y1SOT-89PXT8050JCSTNPN транзистор
Y1SOT-89PXT8050-CMCCNPN транзистор
Y1SOT-89PXT8050-DMCCNPN транзистор
Y1SOT-89PXT8050-D3MCCNPN транзистор
Y1SOD-323PZU16B1A/DGNXPСтабилитрон
Y1SOT-23SS8050BL Galaxy ElectricalNPN транзистор
Y1SOT-23SS8050LT1TuofengNPN транзистор
Y1SOT-323SS8050WBL Galaxy ElectricalNPN транзистор
Y1SOT-23SZBZX84C11LT1GONСтабилитрон
Y1SOT-353UMY1N
ROHM		NPN + PNP транзисторы
Y1-SOT-23BZX84-C11NXPСтабилитрон
Y10SOT-23BZX84-C27NXPСтабилитрон
Y10SOT-23BZX84C27TaitronСтабилитрон
Y10SOT-23BZX84C27-VVishayСтабилитрон
Y10SOT-23BZX84C27LT1GONСтабилитрон
Y10SOT-23SZBZX84C27LT1GONСтабилитрон
Y11SOT-23BZX84-C30NXPСтабилитрон
Y11SOT-23BZX84C30TaitronСтабилитрон
Y11SOT-23BZX84C30-VVishayСтабилитрон
Y11SOT-23BZX84C30LT1GONСтабилитрон
Y11SOT-23M8050BL Galaxy ElectricalNPN транзистор
Y11SOT-23SZBZX84C30LT1GONСтабилитрон
Y12SOT-23BZX84-C33NXPСтабилитрон
Y12SOT-23BZX84C33TaitronСтабилитрон
Y12SOT-23BZX84C33-VVishayСтабилитрон
Y12SOT-23BZX84C33LT1GONСтабилитрон
Y12SOT-23SZBZX84C33LT1GONСтабилитрон
Y13SOT-23BZX84-C36NXPСтабилитрон
Y13SOT-23BZX84C36TaitronСтабилитрон
Y13SOT-23BZX84C36-VVishayСтабилитрон
Y13SOT-23BZX84C36LT1GONСтабилитрон
Y13SOT-23SZBZX84C36LT1GONСтабилитрон
Y14SOT-23BZX84-C39NXPСтабилитрон
Y14SOT-23BZX84C39TaitronСтабилитрон
Y14SOT-23BZX84C39-VVishayСтабилитрон
Y14SOT-23BZX84C39LT1GONСтабилитрон
Y14SOT-23SZBZX84C39LT1GONСтабилитрон
Y15SOT-23BZX84-C43NXPСтабилитрон
Y15SOT-23BZX84C43TaitronСтабилитрон
Y15SOT-23BZX84C43-VVishayСтабилитрон
Y15SOT-23BZX84C43LT1GONСтабилитрон
Y15SOT-23SZBZX84C43LT1GONСтабилитрон
Y16SOT-23BZX84-C47NXPСтабилитрон
Y16SOT-23BZX84C47TaitronСтабилитрон
Y16SOT-23BZX84C47-VVishayСтабилитрон
Y16SOT-23BZX84C47LT1GONСтабилитрон
Y16SOT-23SZBZX84C47LT1GONСтабилитрон
Y17SOT-23BZX84-C51NXPСтабилитрон
Y17SOT-23
BZX84C51		TaitronСтабилитрон
Y17SOT-23BZX84C51-VVishayСтабилитрон
Y17SOT-23BZX84C51LT1GONСтабилитрон
Y17SOT-23SZBZX84C51LT1GONСтабилитрон
Y1766SOT-892SC1766BL Galaxy ElectricalNPN транзистор
Y18SOT-23BZX84-C56NXPСтабилитрон
Y18SOT-23BZX84C56TaitronСтабилитрон
Y18SOT-23BZX84C56-VVishayСтабилитрон
Y18SOT-23BZX84C56LT1GONСтабилитрон
Y18SOT-23SZBZX84C56LT1GONСтабилитрон
Y19SOT-23BZX84-C62NXPСтабилитрон
Y19SOT-23BZX84C62TaitronСтабилитрон
Y19SOT-23BZX84C62-VVishayСтабилитрон
Y19SOT-23BZX84C62LT1GONСтабилитрон
Y19SOT-23SZBZX84C62LT1GONСтабилитрон
Y1WSOT-23BZX84-C11NXPСтабилитрон
Y1YSOT-323CMSZDA11VCentralСтабилитроны
Y1pSOT-23BZX84-C11NXPСтабилитрон
Y1tSOT-23BZX84-C11NXPСтабилитрон

аналоги, чем заменить, характеристики, аналог

Аналоги транзистора Y1:

МаркировкаPolStructPdUdsUgsUgs(th)IdTjQgTrCdRdsCaps
2SK1928NMOSFET100,00100,0027,000. 085TO220FL
110N10NMOSFET220,00100,0020,00110,00175,0024,00380,000.009TO220
1115,00NMOSFET330,00
100,00		20,00150,00175,00100,00540,000.0068TO220
AM60N10-70PNMOSFET300,00100,0020,001,0051,00175,0013,009,0083,000.078TO220AB
AM60N10-70PCFMNMOSFET300,00100,0020,001,0051,00175,0043593,0059,000.078TO220CFM
AM70N10-44PNMOSFET300,00100,0020,001,0070,00175,0022,0013,00147,000. 044TO220AB
AOT2500LNMOSFET375,00150,0020,00 43588,00152,00175,0020,00586,000.0065TO220
AOT254LNMOSFET125,00150,0020,0043648,0032,00175,0010,00110,000.046TO220
AOT2904NMOSFET326,00100,0020,0043527,00120,00175,0049,00605,000.0044TO220
AOT292LNMOSFET300,00100,0020,0043558,00105,00175,0043596,00557,000.0045TO220
AOT296LNMOSFET107,00100,0020,0043558,0070,00175,0043593,00238,000.
01		TO220
AOT414NMOSFET115,00100,0025,004,0043,00175,004,00165,000.025TO220
AOT416NMOSFET150,00100,0025,004,0042,00175,0043503,00110,000.037TO220
AP40T10GPNMOSFET125,00105,0020,004,0039,0064,00270,000.035TO220
AP40T10GP-HFNMOSFET125,00105,0020,0039,00175,0064,00270,000.035TO220
AP75T10BGPNMOSFET138,00100,0020,003,0075,0043602,00550,000. 012TO220
AP75T10GPNMOSFET138,00100,0020,003,0065,0075,00540,000.015TO220
AUIRFB4615NMOSFET144,00150,0035,0026,000.039TO220AB
AUIRFB4620NMOSFET144,00200,0020,0025,0025,000.0725TO220AB
BUK7515-100ANMOSFET300,00100,0020,004,0075,00175,000.015TO220AB
BUK7520-100ANMOSFET200,00100,0020,004,0063,00175,000.02TO220AB
BUK7528-100ANMOSFET166,00100,0020,004,0047,00175,000. 028TO220AB
BUK7535-100ANMOSFET149,00100,0020,004,0041,00175,000.035TO220AB
BUK7540-100ANMOSFET138,00100,0020,004,0037,00175,000.04TO220AB
BUK7575-100ANMOSFET99,00100,0020,004,0023,00175,000.075TO220AB
BUZ30AHNMOSFET125,00200,0021,000.13TO220
CEP45N10NMOSFET136,00100,0025,0044,00175,0019,00300,000.039TO220
CEP50N10NMOSFET136,00100,0025,0050,00175,0019,00300,000. 03TO220
CEP540LNMOSFET140,00100,0020,0036,00175,0043468,00199,000.05TO220
CEP540NNMOSFET140,00100,0020,0036,00175,0010,00196,000.053TO220
CEP60N10NMOSFET200,00100,0020,0057,00175,005,00440,000.024TO220
CEP75N10NMOSFET100,00100,0020,0072,00175,009,00240,000.013TO220
CEP80N15NMOSFET300,00150,0020,0076,00175,0024,00455,000. 019TO220
CM40N20NMOSFET250,00200,0020,0040,00175,00300,000.065TO220
CS3710_B8NMOSFET200,00100,0020,0057,00175,0030,00620,000.023TO220AB
CS40N20_A8NMOSFET250,00200,0020,0040,00175,0030,00300,000.065TO220AB
CS40N20F_A9ENMOSFET250,00200,0020,0040,00175,0030,00300,000.065TO220F
CS40N20F_A9HNMOSFET250,00200,0020,0040,00175,0030,00300,000. 065TO220F
CS540_A8NMOSFET150,00100,0020,0033,00175,0020,00300,000.044TO220AB
CS540_B8NMOSFET150,00100,0020,0033,00175,0030,00511,000.048TO220AB
FDP150N10ANMOSFET91,00100,0020,004,0050,00175,000.015TO220
FDP150N10A_F102NMOSFET91,00100,0020,0036,00175,0043512,000.015TO220
FDP2570NMOSFET93,00150,0020,004,0022,00175,005,00106,000. 08TO220
FDP2572NMOSFET135,00150,0020,004,0029,00175,0026,000.054TO220
FQP16N15NMOSFET108,00150,0025,004,0043571,00175,0023,00115,00145,000.16TO220
FS20UM-5NMOSFET150,00250,0030,0020,000.15TO220
FS20VS-5NMOSFET150,00250,0030,0020,000.15TO220S
G3710NMOSFET200,00100,0020,0059,00175,0052.5665.30.025TO220
IPP06CN10NGNMOSFET214,00100,00100,000. 0065TO220
IPP083N10N5NMOSFET100,00100,0020,0043680,0073,00175,005,00337,000.0083TO220
IPP08CN10NGNMOSFET167,00100,0095,000.0085TO220
IPP110N20NANMOSFET300,00200,0020,004,0088,00175,0026,00401,000.0107TO220
IPP120N20NFDNMOSFET300,00200,0020,004,0084,00175,0010,00400,000.012TO220
IPP126N10N3GNMOSFET94,00100,0058,0026,000. 0126TO220
IPP12CN10NGNMOSFET125,00100,0067,000.0129TO220
IPP200N15N3GNMOSFET150,00150,0050,0023,000.02TO220
IPP220N25NFDNMOSFET300,00250,0020,004,0061,00175,0010,00398,000.022TO220
IPP320N20N3GNMOSFET136,00200,0034,0022,000.032TO220
IPP410N30NNMOSFET300,00300,0020,004,0044,00175,009,00374,000.041TO220
IPP600N25N3GNMOSFET136,00250,0025,0022,000. 06TO220
IRF4410ANMOSFET230,00100,0020,004,0097,00175,0052,00430,000.009TO220AB
IRF530NMOSFET90,00100,0020,004,0016,00175,0026,00900,000.16TO220
IRFB4020NMOSFET100,00200,0020,0018,0018,000.1TO220AB
IRFB4615NMOSFET144,00150,0020,0035,0026,000.039TO220AB
IRFB4620NMOSFET144,00200,0020,0025,0025,000.0725TO220AB
IRFB5615NMOSFET144,00150,0020,0035,0026,000. 039TO220AB
IRFB5620NMOSFET144,00200,0020,0025,0025,000.0725TO220AB
MTE130N20KE3NMOSFET125,00200,0020,0018,00175,0032,0085,000.143TO220
MTN2510E3NMOSFET155,00100,0030,0050,00175,0067,00236,000.017TO220AB
MTN2572FPNMOSFET125,00150,0030,0048,00175,0012,00225,000.034TO220FP
MXP1006ATNMOSFET333,00100,0020,00155,00175,00155,00425,000. 006TO220
MXP1007ATNMOSFET333,00100,0020,00143,00175,00600,000.007TO220
MXP1008ATNMOSFET242,00100,0020,00115,00175,00130,00536,000.008TO220
MXP1015ATNMOSFET231,00100,0020,0082,00175,0071,00317,000.015TO220
MXP1018CTNMOSFET150,00100,0076,00175,0073,00707,000.018TO220
P1510ATGNMOSFET150,00100,0020,0064,00175,00110,00420,000. 015TO220
PHP23NQ11TNMOSFET100,00110,0020,004,0023,00175,0022,000.07TO220AB
PHP27NQ11TNMOSFET107,00110,0020,004,0043643,00175,000.05TO220AB
PHP28NQ15TNMOSFET150,00150,0020,004,0043613,00175,0024,000.065TO220AB
PHP34NQ11TNMOSFET136,00110,0020,004,0035,00175,0055,00230,000.04TO220AB
PHP45NQ10TNMOSFET150,00100,0020,004,0047,00175,000. 025TO220AB
PHP45NQ15TNMOSFET230,00150,0020,004,0045.1175,0022,00290,000.042TO220AB
RJK1008DPNNMOSFET125,00100,0080,000.0085TO220AB
RJK1021DPNNMOSFET100,00100,0070,000.016TO220AB
RJK1536DPNNMOSFET125,00150,0050,000.024TO220AB
RU1088RNMOSFET300,00100,0025,004,0080,00175,0013,00510,000.013TO220
RU1h200RNMOSFET150,00100,0025,004,0075,00175,0086,00265,000. 015TO220
RU1h45RNMOSFET111,00100,0025,004,0040,00175,0076,00250,000.025TO220
RU1H60RNMOSFET120,00100,0020,003,0060,00175,0018,00760,000.02TO220
RU1H80RNMOSFET188,00100,0025,004,0080,00175,0018,00470,000.012TO220
RU2h40RNMOSFET176,00200,0025,004,0030,00175,0048,00308,000.085TO220
RU2h40SNMOSFET176,00200,0025,004,0030,00175,0048,00308,000. 085TO220
RU3710RNMOSFET176,00100,0025,004,0060,00175,0025,00510,000.016TO220
RU80N15RNMOSFET176,00150,0025,004,0080,00175,0032,00550,000.036TO220
SPP70N10LNMOSFET250,00100,0020,002,0070,00175,00250,00640,000.016PTO220
SQP120N10-09NMOSFET375,00100,0020,0043588,00120,00175,0024,00635,000.0095TO220AB
SSE70N10-44PNMOSFET300,00100,0020,0070,00175,0030,000. 044TO220P
SSE90N10-14NMOSFET300,00100,0020,0090,00175,0049,00392,000.016TO220P
SSF1030NMOSFET108,00100,0020,0045,00175,0043509,00144,000.022TO220
SSPL1042NMOSFET127,00100,0020,0033,00175,00133.1182,000.037TO220
SSPL2015NMOSFET150,00200,0020,0018,00175,0043610,00232,000.15TO220
SSRF60N10NMOSFET300,00100,0020,0051,00175,0059,000. 078ITO220
SSS1510NMOSFET300,00150,0020,00100,00175,00105,00657,000.0108TO220
STP32N55M5NMOSFET190,00550,0029,000.1TO220
UF3710NMOSFET200,00100,0020,0057,00175,0058,00410,000.023TO220

y%20параметры%20из%20транзисторы техпаспорт и примечания по применению

Каталог Технический паспорт MFG и тип ПДФ Теги документов
2009 — 2SA1491P.Y

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF КСТ-100 СЛ-156 МТА-100 МТА-100 2SA1491P. Y
2009 г. — недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF КСТ-100 СЛ-156 МТА-100
2005 — ХК49ССДЛФ

Резюме: sn-3.0ag-0.5cu F5101 F1602T F1145 F3415 FOX801BE FSMLF F1100E F1100ER
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF F1100E F1100ER F1144E F1144ER F1145E F1145ER F1148E F1523BA F1523BAM F1602T HC49SSDLF сн-3.0аг-0.5ку F5101 F1602T F1145 F3415 FOX801BE ФСМЛФ F1100E F1100ER
1998 — ic w53

Резюме: SLQ34 y623
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF
108-1051

Резюме: 82056 KPH 141 CST-100 LR7189 MTA-156 MTA 170 85 03 6414 трубка EP 1408 amp аппликатор Tyco
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF КСТ-100 СЛ-156 МТА-156 УЛ94В-0, 108-1051 82056 141 км/ч LR7189 МТА 170 85 03 6414 трубка ЕР 1408 аппликатор amp tyco
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF МТА-15 МТА-156 УЛ94В-0
2008 — Н/С877Т

Резюме: N/A7W18 N/M2N6660
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF КСТ-100 СЛ-156 МТА-156 N/S877T N/A7W18 Н/М2Н6660
1998 — гхдж,

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF
108-1051

Аннотация: МТА-156 LR7189
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF МТА-156 108-1051 LR7189
мф 31-55

Резюме: EN 3155 MF31-55 радиолокационная трубка 15кв300
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF МФ31-55 мф 31-55 ЕН 3155 МФ31-55 радиолокационная трубка 15кв300
2014 — SN74AUP1GXX

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF DFN0808 SN74AUP1GXX
2011 — Ренесас В850

Резюме: uPD70F3745gj upd70f3805 UPD70F3793GC-UEU-AX UPD70F3742GC upd70f38 uPD70F3804K8-5B4-AX QB-V850ES uPD70F3740 UPD70F3744GJ
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 32-битный V850ES 0411/4K/CPRN/BCD/СП R01PF0037EU0100 ренесас v850 uPD70F3745gj upd70f3805 UPD70F3793GC-UEU-AX UPD70F3742GC upd70f38 uPD70F3804K8-5B4-AX QB-V850ES uPD70F3740 UPD70F3744GJ
ампер МТА 100

Реферат: 3-641213-2 408-8040 3-640440-4 4-647630-0 640637-3 641126-2 AMP 641994-1 idc закрытый коллектор CST-100
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF КСТ-100 СЛ-156 МТА-100 МТА-100 усилитель мта 100 3-641213-2 408-8040 3-640440-4 4-647630-0 640637-3 641126-2 АМП 641994-1 скрытый заголовок idc
2009 г.
— недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF КСТ-100 СЛ-156 МТА-50 E28476 E53793 Sys354
RA3CSH9

Резюме: RA3esh9 RA3CSH9R RA3FSH9R RA3ATL6 RA3ctl9 RA3FTL6-2SL ra3ftl6 RA3ETL9 RA3CTH9
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 50 мА/24 В постоянного тока AQCXX-24 AQCXX-25 AQCXX-26 AQCXX-27 1B09XXXXX 1D09XXX 1F096XXX 1ZB09XDXXX Кнопка1ZB09 RA3CSH9 РА3еш9 RA3CSH9R РА3ФШ9Р RA3ATL6 RA3ctl9 RA3FTL6-2SL ra3ftl6 RA3ETL9 RA3CTH9
2012 — 62087

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 47 дюймов Th57LFT30W 47 дюймов 08.02.2012 г. 62087
ЗАЖИГАТЕЛЬ Z 400 M

Резюме: 67551 Thyratron Ignitron PL6755 Scans-00180016 тиратронная трубка rs tube scans-0018001 redresseur
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF PL6755 ЗАЖИГАТЕЛЬ Z 400 M 67551 Тиратрон Игнитрон PL6755 Сканы-00180016 тиратронная трубка рс трубка сканы-0018001 воздаятель
2009 — ГПМЦ

Резюме: ARM Cortex A8 Neon SIMD PBGA 423 cus PowerVR проводное соединение камера ноутбука 12X12 POP PACKAGE cpu 1wire e-MMC AM3517 Процессор ARM с шагом 0,4 мм
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF OMAP35x АМ35х АМ3505/17 OMAP35x ОМАП35 ГПМЦ ARM Cortex A8 Неон SIMD PBGA 423 кус PowerVR проводное соединение камера ноутбука ПАКЕТ ПОП 12X12 процессор 1wire электронная MMC АМ3517 Процессор ARM с шагом 0,4 мм
108-1050

Реферат: разъем idc 10 pin mta 156
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF КСТ-100 СЛ-156 МТА-100 УЛ94В-0, 108-1050 разъем idc 10-контактный mta 156
2012 — em231

Аннотация: предохранитель эм-231 ф 3,15а 250в
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF Май 2012D 5×20мм МЭК-127-2 63 В постоянного тока. ОВОС-296-F эм231 эм-231 предохранитель ф 3.15а 250в
Стн 800×600 моно

Abstract: 1280X1024 256KX16 640X480 800X600 Y 60 256KX16-60 tft lcd 8″ панель 1024×768 Stn 640×480 моно 68554
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF СТ82/3-97 640×480 800×600 1024×768 1280X1024 256Кх16-40 55 МГц СТ82/3-97 стн 800×600 моно 1280X1024 256КХ16 640×480 800×600 Y 60 256КХ16-60 tft LCD 8″ панель 1024×768 Стн 640×480 моно 68554
113 г

Резюме: HA 1329 QN-08 1329 y-448 AO2222
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 147нс, 00866пФ) АО211 АО2111 АО2111d2 ао211д2 ао211d4 ао21д2 ао21d4 АО221 113 лет ГА 1329 QN-08 1329 у-448 АО2222
ГСК 164

Резюме: Samsung 649 ao21 OA21D
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 204нс, 00486пФ, 048пФ, 048пФ АО2111 АО2111d2 ао211д2 ао211d4 ао21д2 ао21d4 ГСК 164 самсунг 649 АО21 ОА21D
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF
АО222

Реферат: ND3B FD2D2 FD3D2 STD150 FD2Q OA221 Samsung 546 NID4 FD4D2
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 112нс, 00305пФ) АО211 АО2111 АО2111d2 ао211д2 ао211d4 ао21д2 ао21d4 АО221 АО222 ND3B ФД2Д2 ФД3Д2 СТД150 FD2Q ОА221 Самсунг 546 NID4 FD4D2

Предыдущий 1 2 3 . .. 23 24 25 Далее

Поддержка моделей PSpice в Altium Designer

  • В существующий синтаксис Spice внесены изменения для облегчения использования выражений и глобальных параметров для представления значений в схеме, смоделированной PSpice.
  • Изменения, внесенные в существующие устройства Spice3f5, чтобы сделать их совместимыми с PSpice.

Изменения синтаксиса Spice

Для облегчения совместимости с PSpice в существующий синтаксис Spice были внесены изменения. Эти изменения включают поддержку дополнительных функций и операторов на основе PSpice, а также добавление глобальных параметров.

Функциональная поддержка

Следующие дополнительные функции поддерживаются:

4

555555555555555555555555555555555555555555559 (x, y)0022 returns the maximum of x and y

Арктан (x)

Возвращает обратный тангент X

94949949494949494949494

.

возвращает арктангенс y/x

IF(t, x, y)

Если t истинно, то x, ELSE

LIMIT(x, min, max)

в то время как min < x < max, возвращается x
Если x < min, возвращается min
Если x > max, возвращается max

log10 (x)

Возвращает десятичный логарифм x

MAX (X, Y)

MIN(x, y)

returns the minimum of x and y

PWR(x, y)

возвращает x в степени y

PWRS(x, y)

возвращает x в степени y:
Если x > 0, результат положительный
Если x < 0, результат отрицательный.

SCHEDULE(x1, y1,…xn, yn)

позволяет контролировать значение y на основе времени x. Должна быть введена запись для времени = 0 с.
От времени = x1 до x2 возвращает y1
От времени = x2 до x3 возвращает y2 и так далее.

SGN(x)

возвращает знак x (т. н. знаковая функция).
Если x < 0, возвращает -1
Если x = 0, возвращает 0
Если x > 0, возвращает 1

STP(x)

Функция единичного шага.
Если x > 0, возвращает 1
Если x < 0, возвращает 0

up, возвращая значение y, соответствующее x, когда все точки xn, yn нанесены на график и соединены прямыми линиями.
Если x > наибольшего значения x в таблице, будет возвращено значение y, связанное с этим значением x.
Если x < наименьшего значения x в таблице, будет возвращено значение y, связанное с этим значением x.

Поддержка дополнительных операторов

Поддерживаются следующие дополнительные операторы:

  • *** (возведение в степень)
  • == (проверка на равенство)
  • != (проверка на отсутствие равенства)
  • & (логическое И)
  • | (логическое ИЛИ)

Поддержка встроенных комментариев

Поддерживается символ встроенного комментария PSpice. Этот символ — точка с запятой; — рассматривается как конец строки в описании схемы. Любой текст после этого символа (в той же строке) рассматривается исключительно как комментарий и поэтому игнорируется Симулятором, который переходит к следующей строке описания схемы.

В следующем примере показан один встроенный комментарий, где текст комментария добавляется к одной строке описания схемы:

R2 2 4 6 ; R2 — это резистор обратной связи.

Если вы хотите добавить текст комментария в несколько строк (создав комментарии в конце строки), просто используйте встроенный комментарий с точкой с запятой, чтобы отметить начало каждой последующей строки комментария:

R2 2 4 6; R2 представляет собой резистор обратной связи

Встроенные комментарии могут использоваться для замены стандартной строки комментария, которая должна начинаться с символа * в первом столбце строки. Это может улучшить читаемость описания вашей схемы.

Поддержка .PARAM

Оператор PSpice .PARAM поддерживается. Этот оператор определяет значение параметра, позволяя вам использовать имя параметра вместо числовых значений для описания схемы. Параметры могут быть константами, выражениями или их комбинацией. Оператор с одним параметром может включать ссылку на один или несколько дополнительных операторов параметров.

Кроме того, для использования в выражениях доступны следующие три внутренние переменные (предопределенные параметры):

GMIN

Шунтирующая проводимость для полупроводниковых p-n переходов.

ТЕМП

температура.

ТН

тепловое напряжение.

Глобальные параметры

Симулятор цепей Altium Designer поддерживает использование глобальных параметров и уравнений. Используйте глобальный параметр в уравнении, а затем используйте это уравнение в значении компонента на схеме. В качестве альтернативы можно определить уравнение как глобальный параметр, а затем сослаться на глобальный параметр из значения компонента.

Просто включите выражение или имя параметра в фигурные скобки {} — когда симулятор обнаружит это, он попытается оценить его, проверив страницу Global Parameters диалогового окна Analyzes Setup симулятора для определения любой части выражение, которое не может быть немедленно решено.

Значения R1, R2 и R4 оцениваются как глобальные параметры.

Изменения модели Spice

Чтобы сделать существующие модели устройств Spice3f5 совместимыми с PSpice, были внесены изменения в общую форму устройства и/или добавлена ​​поддержка дополнительных параметров для использования в связанном файле модели. В следующих разделах кратко изложены внесенные изменения.

  • Для получения дополнительной подробной информации о моделях моделирования, а также анализе моделирования, обратитесь к Справочникам по смешанному моделированию. Эти ссылки следует использовать вместе с этой статьей, чтобы собрать полный список поддерживаемых параметров для каждой модели устройства.
  • Более подробную информацию о PSpice см. в Руководстве пользователя PSpice и Справочнике PSpice соответственно.

При просмотре последующих разделов следующие параметры — общие для большинства устройств в PSpice — не поддерживаются:
T_ABS
T_MEASURED
T_REL_GLOBAL
T_REL_LOCAL

Конденсатор

Формат шаблона списка цепей для этого устройства остается неизменным:

@DESIGNATOR %1 %2 &VALUE &LETHMODEL| ?ШИРИНА|Ш=@ШИРИНА| ?"НАЧАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ"|IC=@"НАЧАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ"|

Следующие дополнительные параметры модели поддерживаются и могут быть введены в связанный файл модели (*.mdl) для устройства:

C

множитель емкости. (по умолчанию = 1).

TC1

линейный температурный коэффициент (в ˚C-1). (По умолчанию = 0).

TC2

квадратичный температурный коэффициент (в ˚C-2). (По умолчанию = 0).

ВК1

линейный коэффициент напряжения (в вольт-1). (По умолчанию = 0).

VC2

квадратичный коэффициент напряжения (в Вольтах-2). (По умолчанию = 0).

Если параметр имеет указанное значение по умолчанию, это значение по умолчанию будет использоваться, если специально не введено значение.

Формат файла модели PSpice:

.MODEL ModelName CAP(Параметры модели),

где:

Диод

Формат шаблона списка цепей для этого устройства остается неизменным:

@DESIGNATOR %1 %2 @MODEL &"AREA FACTOR" &"STARTING CONDITION" ?"INITIAL VOLTAGE"|IC=@ "НАЧАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ"| ?TEMPERATURE|TEMP=@TEMPERATURE|

Следующие дополнительные параметры модели поддерживаются и могут быть введены в связанный файл модели (*. mdl) для устройства:

IBVL

ток колена обратного пробоя низкого уровня (в амперах). (По умолчанию = 0).

IKF

высокий ток колена инжекции (в амперах). (по умолчанию = бесконечность).

ISR

параметр тока рекомбинации (в амперах). (По умолчанию = 0).

НБВ

коэффициент идеальности обратного пробоя. (по умолчанию = 1).

НБВЛ

низкоуровневый коэффициент идеальности обратного пробоя. (по умолчанию = 1).

NR

коэффициент эмиссии для изм. (по умолчанию = 2).

ТВВ1

bv Температурный коэффициент — линейный (в ˚C-1). (По умолчанию = 0).

TBV2

bv температурный коэффициент — квадратичный (в ˚C-2). (По умолчанию = 0).

TIKF

Температурный коэффициент ikf — линейный (в ˚C-1). (По умолчанию = 0).

ТРС1

rs Температурный коэффициент — линейный (в ˚C-1). (По умолчанию = 0).

TRS2

rs температурный коэффициент — квадратичный (в ˚C-2). (По умолчанию = 0).

Если параметр имеет указанное значение по умолчанию, это значение по умолчанию будет использоваться, если специально не введено значение.

Формат файла модели PSpice:

.MODEL ModelName D (Параметры модели),

где:

Индуктор

Существующая модель была изменена для поддержки общей формы модели PSpice:

L<имя> < узел> < узел> [имя модели] <значение> [IC = <начальное значение>]

Модель PSpice этого типа должна быть связана с компонентом схемы с помощью файла модели. Просто укажите модель в файле модели ( *.mdl ), затем в диалоговом окне Sim Model установите Типы моделей с по Общие и подтипы моделей с по Универсальный редактор . Формат шаблона списка соединений должен быть введен следующим образом:

@DESIGNATOR %1 %2 @VALUE @MODEL ?"INITIAL CURRENT"|IC=@"INITIAL CURRENT"|

Значение параметра INITIAL CURRENT вводится на вкладке Parameters диалогового окна Sim Model .

Формат списка цепей для модели PSpice Inductor задается с помощью универсального редактора из-за того, что существующая модель Spice3f5 Inductor не поддерживает использование связанного файла модели.

Для правильного анализа схемы убедитесь, что в поле Spice Prefix установлено значение L .

В поле Имя модели введите имя, указанное для модели в файле модели. Используйте параметры в области Model Location диалогового окна, чтобы указать требуемый файл. Щелкните вкладку Файл модели , чтобы просмотреть содержимое файла модели.
Следующие дополнительные параметры модели поддерживаются и могут быть введены в связанный файл модели ( *.mdl ) для устройства:

L

множитель индуктивности. (по умолчанию = 1).

IL1

коэффициент линейного тока (в Ампер-1). (По умолчанию = 0).

IL2

Квадратичный коэффициент тока (в Ампер-2). (По умолчанию = 0).

TC1

линейный температурный коэффициент (в ˚C-1). (По умолчанию = 0).

TC2

квадратичный температурный коэффициент (в ˚C-2). (По умолчанию = 0).

Если параметр имеет указанное значение по умолчанию, это значение по умолчанию будет использоваться, если специально не введено значение.

Формат файла модели PSpice:

.MODEL ModelName IND(Параметры модели),

где

Переключатель с управлением током

Формат шаблона списка цепей для этого устройства остается неизменным:

V@DESIGNATOR %1 %2 0V
%3DESIGNATOR V@DESIGNATOR @MODEL &"INITIAL CONDITION"

Следующие дополнительные параметры модели поддерживаются и могут быть введены в связанный файл модели ( *.mdl ) для устройства:

IOFF

Ток управления для состояния OFF (в амперах). (По умолчанию = 0).

ION

ток управления для состояния ВКЛ (в амперах). (По умолчанию = 1E-3).

Если параметр имеет указанное значение по умолчанию, это значение по умолчанию будет использоваться, если специально не введено значение.

Формат файла модели PSpice:

.MODEL ModelName ISWITCH(Model Parameters),

где:

  • ModelName - название модели, ссылка на которую указана на вкладке General диалога Sim Model . Это имя используется в списке соединений (@MODEL) для ссылки на требуемую модель в связанном файле модели.
  • Параметры модели — это список поддерживаемых параметров модели, введенных со значениями по мере необходимости.

Переключатель, управляемый напряжением

Формат шаблона списка цепей для этого устройства остается неизменным:

@DESIGNATOR %3 %4 %1 %2 @MODEL &"INITIAL CONDITION"

Следующие дополнительные параметры модели поддерживаются и могут быть введены в связанную модель файл ( *.mdl ) для устройства:

VOFF

управляющее напряжение для состояния OFF (в вольтах). (По умолчанию = 0).

VON

управляющее напряжение для состояния ON (в вольтах). (по умолчанию = 1).

Если параметр имеет указанное значение по умолчанию, это значение по умолчанию будет использоваться, если специально не введено значение.

Формат файла модели PSpice:

.MODEL ModelName VSWITCH (параметры модели),

где:

JFET

Формат шаблона списка цепей для этого устройства остается неизменным:

@DESIGNATOR %1 %2 %3 @MODEL &"КОЭФФИЦИЕНТ ПЛОЩАДИ" &"ПУСКНЫЕ УСЛОВИЯ" ?"НАЧАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ D-S"|IC=@"НАЧАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ D-S", @"НАЧАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ G-S"| ?TEMPERATURE|TEMP=@TEMPERATURE|

Следующие дополнительные параметры модели поддерживаются и могут быть введены в связанный файл модели ( *.mdl ) для устройства:

). (По умолчанию = 0).

BETATCE

Экспоненциальный температурный коэффициент БЕТА (в Ампер/Вольт2). (По умолчанию = 1E-4).

ISR

параметр тока p-n рекомбинации затвора (в амперах). (По умолчанию = 0).

M

Коэффициент градации p-n ворот. (по умолчанию = 0,5).

N

коэффициент излучения затвора p-n. (по умолчанию = 1).

NR

коэффициент эмиссии для изм. (по умолчанию = 2).

ВК

Напряжение колена ионизации (в Вольтах). (По умолчанию = 0).

VTOTC

Температурный коэффициент VTO (в вольт/°C). (По умолчанию = 0).

XTI

Температурный коэффициент IS. (по умолчанию = 3).

Если параметр имеет указанное значение по умолчанию, это значение по умолчанию будет использоваться, если специально не введено значение.

Формат файла модели PSpice:

.MODEL ModelName NJF (параметры модели) — N-канальный JFET
.MODEL ModelName PJF (параметры модели) — P-канальный JFET

где

Резистор

Существующая модель была изменена для поддержки общей формы модели PSpice :

R<имя> < узел> < узел> [имя модели] <значение> [TC = []]

Модель PSpice этого типа должна быть связанным с компонентом схемы с помощью файла модели. Просто укажите модель в файле модели ( *.mdl ), затем в диалоговом окне Sim Model установите тип Model на General и Sub-Kind на Generic Editor . Формат шаблона списка соединений должен быть введен следующим образом:

@DESIGNATOR %1 %2 &MODEL &VALUE ?TC1/TC=@TC1?TC2|, @TC2| /

Хотя вы можете использовать существующую модель резистора Spice3f5 (полупроводник) — поскольку этот тип модели позволяет использовать связанный файл модели — спецификация формата списка соединений для модели резистора PSpice с использованием универсального редактора позволяет вам использовать дополнительные параметры PSpice ( [TC = []] ).

Для корректного анализа схемы убедитесь, что в поле Spice Prefix установлено значение R .

В поле Имя модели введите имя, указанное для модели в файле модели. Используйте параметры в области Model Location диалогового окна, чтобы указать требуемый файл. Щелкните вкладку Файл модели , чтобы просмотреть содержимое файла модели.

Следующие дополнительные параметры модели поддерживаются и могут быть введены в связанный файл модели ( *.mdl ) для устройства:

R

множитель сопротивления. (по умолчанию = 1).

TC1

линейный температурный коэффициент (в ˚C-1). (По умолчанию = 0).

TC2

квадратичный температурный коэффициент (в ˚C-2). (По умолчанию = 0).

TCE

экспоненциальный температурный коэффициент (в %/°C). (По умолчанию = 0).

Значения для TC1 и TC2 можно ввести на вкладке Параметры диалогового окна. Если параметр имеет указанное значение по умолчанию, это значение по умолчанию будет использоваться, если специально не введено значение — либо на вкладке Параметры , либо в связанном файле модели.

Формат файла модели PSpice:

.MODEL ModelName RES(Параметры модели),

где:

Источник напряжения/тока, управляемый напряжением

Поддерживаются следующие общие формы модели PSpice:4

  • E<имя> < узел> < узел> VALUE = { <выражение> }
  • E<имя> < узел> < узел> TABLE { <выражение> } входное значение>,<выходное значение> >
  • E<имя> < узел> < узел> POLY(<значение>) < < управляющий узел> < управляющий узел> > < <значение коэффициента полинома> >

    • Примечание.  Для линейных источников тока, управляемых напряжением, используются те же форматы, что и выше, но с заменой G на E .

    Эти устройства не поддерживают файлы связанных моделей. Формат списка соединений для модели PSpice в одной из вышеуказанных форм должен быть указан с помощью универсального редактора. В 9В диалоговом окне 0705 Sim Model установите тип модели на General и подвид модели на Generic Editor .

    Для корректного анализа цепи убедитесь, что в поле Spice Prefix указано значение, применимое к используемому устройству: общие форматы шаблонов списка соединений, которые можно использовать для этих типов моделей.

    VALUE модель

    @DESIGNATOR %1 %2 VALUE = {@EXPR}

    Значение параметра EXPR вводится на вкладке Parameters диалогового окна Sim Model .

    Модель TABLE

    @DESIGNATOR %1 %2 TABLE {@EXPR} = @ROW1 ?ROW2|@ROW2| ?СТРОКА3|@СТРОКА3|

    Значения параметров EXPR и ROW вводятся на вкладке Parameters в Sim Model диалог. Любое количество параметров ROW может быть определено в формате ( <входное значение> , <выходное значение> ).

    Формат списка соединений может быть введен с использованием следующей альтернативной записи:

    @DESIGNATOR %3 %4 TABLE { @EXPR } ( @TABLE )

    Значения параметров EXPR и TABLE снова вводятся в вкладку Параметры диалогового окна Sim Model . Значение для ТАБЛИЦА Параметр задается в виде:

    (<вход1>, <выход1>)(<вход2>, <выход2>)...(<входn>, <выходn>)

    Модель POLY

    @DESIGNATOR %3 %4 POLY (@dimension) (%1, %2) @coeffs

    Значения параметров size и coeffs вводятся на вкладке Parameters Sim Model диалог.

    Источник напряжения/тока с регулируемым током

    Поддерживается следующая общая форма модели PSpice:

    H<имя> < узел> < узел> POLY(<значение>) <имя управляющего устройства V> <<значение полиномиального коэффициента> >

    Примечание. Для линейного источника тока с регулируемым током используется тот же формат, что и выше, но с заменой F на H .

    Эти устройства не поддерживают файлы связанных моделей. Формат списка соединений для модели PSpice в приведенной выше форме должен быть указан с помощью универсального редактора. В 9В диалоговом окне 0705 Sim Model установите тип модели на General и подвид модели на Generic Editor .

    Для правильного анализа цепи убедитесь, что в поле Spice Prefix установлено значение, применимое к используемому устройству:

    CCVS — H
    CCCS — F

    Следующий пример общего формата шаблона списка соединений может быть используется для следующих типов моделей:

    @DESIGNATOR %1 %2 POLY (@dimension) @ControlSource @coeffs

    Значения параметров размерности , ControlSource и coeffs вводятся на вкладке Parameters диалогового окна Sim Model .

    Биполярный транзистор (BJT)

    Многие параметры, которые могут быть включены в связанный файл модели для этого типа устройства, являются общими для Spice3f5 и PSpice. Те, которые поддерживаются, можно найти на странице моделей SPICE3f5 Bipolar Junction Transistor (BJT).

    CN

    quasi-saturation temperature coefficient for hole mobility

    D

    quasi-saturation temperature coefficient for
    scattering-limited hole carrier velocity

    ГАММА

    Коэффициент легирования эпитаксиальной области

    ISS

    substrate p-n saturation current

    NK

    high-current roll-off coefficient

    NS

    коэффициент эмиссии p-n подложки

    QCO

    epitaxial region charge factor

    QUASIMOD

    quasi-saturation model flag for temperature dependence

    RCO

    epitaxial region resistance

    TRB1

    Температурный коэффициент RB (линейный)

    TRB2

    RB temperature coefficient (quadratic)

    TRC1

    RC temperature coefficient (linear)

    TRC2

    Температурный коэффициент RC (квадратичный)

    TRE1

    RE temperature coefficient (linear)

    TRE2

    RE temperature coefficient (quadratic)

    TRM1

    RBM temperature coefficient (linear)

    TRM2

    Температурный коэффициент RBM (квадратичный)

    VG

    quasi-saturation extrapolated bandgap voltage at 0° K

    VO

    carrier mobility knee voltage

    XCJC2

    часть CJC, соединенная внутри с рублями

    XCJS

    Часть CJS, подключенная внутри к Rc

    Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (MOSFET)

    • Модель BSIM3 версии 2.

    Похожие записи

    21.11.2024 0

    Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

    19.11.2024 0

    Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

    19.11.2024 0

    Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *