Что такое биполярный транзистор. Как устроен и работает биполярный транзистор. Какие бывают типы биполярных транзисторов. Где применяются биполярные транзисторы в электронике. Каковы основные параметры и характеристики биполярных транзисторов.
Принцип работы биполярного транзистора
Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор с тремя электродами, который может усиливать и переключать электрические сигналы. Он состоит из трех слоев полупроводникового материала, образующих два p-n перехода.
Как работает биполярный транзистор? Ток, протекающий через базу, управляет током между эмиттером и коллектором. Небольшие изменения тока базы вызывают значительные изменения тока коллектора, что обеспечивает усиление сигнала.
Основные режимы работы биполярного транзистора:
- Активный режим — используется для усиления сигналов
- Режим отсечки — транзистор закрыт, ток не протекает
- Режим насыщения — транзистор полностью открыт
Типы и структура биполярных транзисторов
Существует два основных типа биполярных транзисторов:
- NPN-транзисторы
- PNP-транзисторы
Чем отличаются NPN и PNP транзисторы? В NPN-транзисторах основными носителями заряда являются электроны, а в PNP — дырки. Это определяет полярность включения и направление протекания токов.
Структура биполярного транзистора:
- Эмиттер — сильно легированная область, служит источником носителей заряда
- База — тонкий слой с противоположным типом проводимости
- Коллектор — область, собирающая основные носители заряда
Основные параметры и характеристики биполярных транзисторов
Какие параметры важны при выборе биполярного транзистора? Рассмотрим основные характеристики:
- Коэффициент усиления по току (h21э) — отношение изменения тока коллектора к вызвавшему его изменению тока базы
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max)
- Максимально допустимый ток коллектора (Iк max)
- Граничная частота усиления (fT) — частота, на которой коэффициент усиления падает до единицы
- Мощность рассеяния (Pmax) — максимальная мощность, которую может рассеять транзистор
Как выбрать подходящий транзистор для конкретной схемы? Необходимо учитывать требуемое усиление, рабочее напряжение, ток, частоту и мощность в соответствии с параметрами транзистора.
Применение биполярных транзисторов в электронике
Биполярные транзисторы широко используются в различных электронных устройствах благодаря своим уникальным свойствам. Где применяются биполярные транзисторы?
- Усилители звуковых и радиочастотных сигналов
- Переключатели и коммутаторы
- Генераторы электрических колебаний
- Стабилизаторы напряжения и тока
- Логические элементы в цифровых схемах
- Драйверы мощных нагрузок
Почему биполярные транзисторы остаются востребованными, несмотря на развитие полевых транзисторов? Они обладают высоким коэффициентом усиления, способностью работать на высоких частотах и хорошими шумовыми характеристиками.
Схемы включения биполярных транзисторов
Существует три основные схемы включения биполярных транзисторов:
- Схема с общим эмиттером (ОЭ) — наиболее распространенная, обеспечивает усиление по току и напряжению
- Схема с общей базой (ОБ) — обеспечивает усиление по напряжению, но не по току
- Схема с общим коллектором (ОК) — эмиттерный повторитель, используется для согласования импедансов
Какую схему включения выбрать? Это зависит от требуемых характеристик усиления и входного/выходного сопротивления схемы.
Особенности схемы с общим эмиттером:
- Высокий коэффициент усиления по мощности
- Инвертирует входной сигнал
- Среднее входное и выходное сопротивление
Статические характеристики биполярных транзисторов
Статические характеристики транзистора отображают зависимости между токами и напряжениями в различных цепях транзистора в статическом режиме. Какие основные характеристики рассматриваются?
- Входные характеристики — зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
- Выходные характеристики — зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
- Характеристики прямой передачи по току — зависимость тока коллектора от тока базы при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как используются статические характеристики? Они помогают определить рабочую точку транзистора, оценить коэффициент усиления и выбрать оптимальный режим работы в конкретной схеме.
Температурные эффекты и стабилизация режима
Биполярные транзисторы чувствительны к изменениям температуры. Какие проблемы это вызывает?
- Увеличение тока утечки коллектора
- Изменение коэффициента усиления по току
- Смещение рабочей точки
Как обеспечить температурную стабилизацию? Применяются следующие методы:
- Использование отрицательной обратной связи по току
- Применение термокомпенсирующих элементов
- Стабилизация тока эмиттера
- Использование дифференциальных каскадов
Правильная температурная стабилизация позволяет обеспечить надежную работу транзисторных схем в широком диапазоне температур.
Частотные свойства биполярных транзисторов
Частотные свойства биполярных транзисторов определяют их способность работать на высоких частотах. Какие факторы влияют на частотные характеристики?
- Емкость коллекторного перехода
- Емкость эмиттерного перехода
- Время пролета носителей через базу
Как оценить частотные свойства транзистора? Основными параметрами являются:
- Граничная частота коэффициента передачи тока (fT)
- Максимальная частота генерации (fmax)
- Коэффициент шума на высоких частотах
Для работы на высоких частотах применяются специальные высокочастотные и сверхвысокочастотные транзисторы с оптимизированной структурой и минимальными паразитными параметрами.
Транзисторы биполярные
Главная Электронные компоненты, радиодетали
Сортировка По популярностиСначала дорожеСначала дешевлеА → ЯЯ → АСклад: в наличии
КТ3102АМ. Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-98
n-p-n, Uкэ= 50В Iк=0.2А Р=0.25Вт Fт=200Мгц
Сравнить
Склад: в наличии
КТ315А. Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-114
n-p-n, 25 В, 0,1А, fт- 250 МГц
Сравнить
Склад: в наличии
КТ315Б. Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-114
n-p-n, 20 В, 0,1А, fт- 250 МГц
Сравнить
Склад: в наличии
КТ315Г.
Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-114
n-p-n, 35 В, 0,1А, fт- 250 МГц
Сравнить
Склад: в наличии
2Т368А. Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-109
n-p-n, 30 мА, fт — 900 МГц
Сравнить
Склад: в наличии
КТ817Г. Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-108
n-p-n, 100 В, 3А, fгр — 3 МГц
Сравнить
Склад: в наличии
КТ337А. Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-101
кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p универсальный маломощный. Iк-30 мА, f гр. — 500 МГц
Сравнить
Склад: в наличии
2SA1162.
Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: 4-24-9
p-n-p, Uкэ=50В, Iк=150 мА, fт=80 МГц
Сравнить
Склад: в наличии
BC547C. Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-27
n-p-n, Uкэ=45В, Iк=100 мА, Fт=150 МГц
Сравнить
Склад: в наличии
BC846B. Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-38
n-p-n, Uкэ=65 В, Iк=200 мА, Fт=100 МГц
Сравнить
Склад: в наличии
2SA1037. Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-90
p-n-p, Uкэ=50 В, Iк=150 мА, Fт=140 МГц
Сравнить
Склад: в наличии
BC808-16. Биполярный транзистор
По запросу
Код товара: к-92
p-n-p, Uкэ=25 В, Iк=500 мА, Fт=100 МГц
Сравнить
Транзисторы биполярные
ГлавнаяКаталог товаровТранзисторыТранзисторы биполярные
- Все| Нет в наличии| Есть в наличии
- На странице:
- 10
- 20
- 30
- Все
11015G (T1829,FW26025A1) Транзистор Корпус: TO3
Структура: PNP Darlington
Макс.
напряжение (Uкэ), В:
120
Макс. ток (Iк), А: 30
Коэф. усиления (h31э): 1000
Макс. частота (fгр), МГц: 4
447
Нет в наличии
Заказать
13007D Транзистор Корпус: TO220
Структура: NPN
Макс. ток (Iк), А: 8
Коэф. усиления (h31э): 30
Макс. частота (fгр), МГц: 4
49
Нет в наличии
Заказать
2 SC5250 Транзистор Корпус: TO3PF
Структура: NPN
Макс.
напряжение (Uкэ), В:
800
Макс. ток (Iк), А: 80
Коэф. усиления (h31э): 5
Макс. частота (fгр), МГц: 8
246
Нет в наличии
Заказать
2N2219 Транзистор Корпус: TO39
Структура: NPN
Макс. напряжение (Uкэ), В: 50
Макс. ток (Iк), А: 0.8
Коэф. усиления (h31э): 75
Макс. частота (fгр), МГц: 300
87
Нет в наличии
Заказать
2N2222 Транзистор Корпус: TO92
Структура: NPN
Макс.
напряжение (Uкэ), В:
40
Макс. ток (Iк), А: 0.8
Коэф. усиления (h31э): 50
Макс. частота (fгр), МГц: 250
5
В наличии: 9 шт
В корзину
2N2646 Транзистор Корпус: TO18
Структура: P-база
Макс. напряжение (Uкэ), В: 30
Макс. ток (Iк), А: 2
Коэф. усиления (h31э): 300
Макс. частота (fгр), МГц: 1
73
Нет в наличии
Заказать
2N2904 Транзистор Корпус: TO92
Структура: PNP
Макс.
напряжение (Uкэ), В:
40
Макс. ток (Iк), А: 0.6
Коэф. усиления (h31э): 120
Макс. частота (fгр), МГц: 200
31
Нет в наличии
Заказать
2N3055 (КТ819ГМ) Транзистор Корпус: TO3
Структура: NPN
Макс. напряжение (Uкэ), В: 70
Макс. ток (Iк), А: 15
Коэф. усиления (h31э): 15
Макс. частота (fгр), МГц: 0.8
118
Нет в наличии
Заказать
2N3771 Транзистор Корпус: TO3
Структура: NPN
Макс.
напряжение (Uкэ), В:
40
Макс. ток (Iк), А: 30
Коэф. усиления (h31э): 60
Макс. частота (fгр), МГц: 0.05
185
В наличии: 2 шт
В корзину
2N3904 Транзистор Корпус: TO92
Структура: NPN
Макс. напряжение (Uкэ), В: 40
Макс. ток (Iк), А: 0.2
Коэф. усиления (h31э): 300
Макс. частота (fгр), МГц: 300
8
В наличии: 44 шт
В корзину
Биполярные транзисторы | Avalanche, Darlington, BJT и драйвер затвора
Наши годы проектирования, внутренней упаковки и технологических инноваций расширяют наше лидерство в области биполярной обработки и проектирования в создании быстро переключающихся транзисторов со сверхнизким насыщением до 900 В.
За счет оптимизации процессов для обеспечения минимального напряжения насыщения, уменьшения площади кристалла и улучшения характеристик переключения (таким образом, уменьшая рассеиваемую мощность) наш широкий ассортимент биполярных транзисторов позволяет создавать компактные корпуса для поверхностного монтажа, отвечающие требованиям многих целевых приложений, в том числе с требованиями AEC-Q101.
Собственная устойчивость к электростатическим разрядам и очень низкое удельное сопротивление в открытом состоянии также делают эти биполярные транзисторы подходящими в качестве экономичной альтернативы технологии MOSFET в широком диапазоне топологий схем.
- Биполярные транзисторы Брошюра
Лавинные транзисторы
Транзисторы драйвера затвора
Транзисторы предварительного смещения
Устройства специального назначения
- Контроллер активного ИЛИ
- Линейные регуляторы высокого напряжения
- Светодиодные драйверы
- Драйвер реле
- Синхронный контроллер
- Контроллер идеальных диодов
Транзистор (BJT) Основная таблица
- Транзисторы < 30 В
- Транзисторы от 30 В до 59 В
- Транзисторы от 60 до 100 В
- Транзисторы > 100 В
- Транзисторы Дарлингтона
- Подходящие пары
Биполярные транзисторы
Биполярные транзисторыБиполярные транзисторы
На рис.
6-1 показана эквивалентная схема для транзистора с биполярным переходом npn.
Рисунок 6-1: Схема биполярного транзистора.
Модель транзистора pnp аналогична транзистору npn во всех отношениях, с той разницей, что полярность задействованных токов и напряжений обратная. Следующие уравнения используются для расчета отношений между токами и напряжениями в цепи.
Существуют также две емкости, для которых используется та же формула, что и для емкости перехода модели диода. В приведенных ниже именах параметров замените x на C для емкости база-коллектор и E для емкости база-эмиттер.
Параметры модели перечислены в таблице ниже.
Параметр | По умолчанию | Описание |
БФ | 100 | Идеальный коэффициент усиления по прямому току |
руб.  Похожие записи |