Транзисторы малошумящие нч зарубежные. Малошумящие НЧ-транзисторы: типы, характеристики и применение в современной электронике — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Что такое малошумящие НЧ-транзисторы. Какие бывают типы малошумящих транзисторов. Для чего применяются малошумящие транзисторы в электронике. Каковы основные характеристики и преимущества малошумящих транзисторов. Как выбрать оптимальный малошумящий транзистор для конкретной задачи.

Содержание

Что такое малошумящие НЧ-транзисторы и их роль в современной электронике

Малошумящие низкочастотные (НЧ) транзисторы — это специализированные полупроводниковые приборы, разработанные для минимизации уровня собственных шумов при работе на низких частотах. Они играют ключевую роль во входных каскадах усилителей и других устройств, где критически важно обеспечить высокое отношение сигнал/шум.

Основные преимущества малошумящих НЧ-транзисторов:

Низкий уровень собственных шумов
Высокое входное сопротивление
Хорошая линейность характеристик
Стабильность параметров при изменении температуры
Возможность работы с малыми входными сигналами

Благодаря этим качествам, малошумящие транзисторы позволяют создавать высококачественные аудиосистемы, прецизионные измерительные приборы, чувствительную приемную аппаратуру и другие устройства, требующие минимальных искажений сигнала.

Основные типы малошумящих НЧ-транзисторов

Существует несколько основных типов малошумящих НЧ-транзисторов, каждый из которых имеет свои особенности:

1. Биполярные транзисторы

Биполярные малошумящие транзисторы были первыми разработанными типами. Они обеспечивают хорошее усиление и низкий уровень шума на низких частотах. Примеры: BC549, BC550.

2. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET)

JFET-транзисторы отличаются очень высоким входным сопротивлением и низким уровнем шума. Широко применяются во входных каскадах. Примеры: 2SK170, BF245.

3. МОП-транзисторы (MOSFET)

МОП-транзисторы обладают сверхвысоким входным сопротивлением и низким уровнем шума на высоких частотах. Примеры: 2N7002, BSS123.

4. Составные транзисторы

Составные транзисторы объединяют преимущества нескольких типов, обеспечивая оптимальные характеристики. Пример: каскодная схема JFET+биполярный транзистор.

Ключевые характеристики малошумящих НЧ-транзисторов

При выборе малошумящего транзистора важно учитывать следующие основные характеристики:

Коэффициент шума (NF) — показатель, характеризующий уровень собственных шумов транзистора
Входное сопротивление — чем выше, тем меньше транзистор нагружает источник сигнала
Коэффициент усиления по току (h21) — определяет усилительные свойства
Граничная частота (ft) — максимальная рабочая частота транзистора
Напряжение шума — амплитуда шумового напряжения, приведенная ко входу
Ток шума — шумовой ток, протекающий через транзистор

Оптимальный выбор транзистора зависит от конкретного применения и требуемых параметров устройства.

Применение малошумящих НЧ-транзисторов в современной электронике

Малошумящие НЧ-транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники:

Аудиотехника

В аудиотехнике малошумящие транзисторы используются во входных каскадах усилителей, микрофонных предусилителях, фонокорректорах и других устройствах, где критически важно качество звука. Они позволяют минимизировать искажения и обеспечить высокую точность воспроизведения.

Измерительная техника

В прецизионных измерительных приборах малошумящие транзисторы применяются для усиления слабых сигналов без внесения дополнительных искажений. Это позволяет повысить чувствительность и точность измерений.

Телекоммуникации

В приемной аппаратуре связи малошумящие транзисторы используются во входных каскадах для обеспечения высокой чувствительности и низкого уровня шумов. Это особенно важно при работе со слабыми сигналами на больших расстояниях.

Медицинская электроника

В медицинских приборах, таких как электрокардиографы и энцефалографы, малошумящие транзисторы позволяют регистрировать слабые биоэлектрические сигналы организма с минимальными искажениями.

Сравнение характеристик различных типов малошумящих НЧ-транзисторов

Для выбора оптимального типа малошумящего транзистора важно понимать их сравнительные характеристики:

Тип транзистора	Входное сопротивление	Коэффициент шума	Граничная частота
Биполярный	Среднее	Низкий	Высокая
JFET	Очень высокое	Очень низкий	Средняя
MOSFET	Сверхвысокое	Низкий на ВЧ	Очень высокая

Выбор конкретного типа зависит от требований к входному сопротивлению, уровню шума и рабочей частоте в конкретном применении.

Методы снижения шума в малошумящих НЧ-транзисторах

Для достижения минимального уровня шума в малошумящих транзисторах применяются различные технологические и схемотехнические методы:

Оптимизация геометрии и технологии изготовления полупроводниковой структуры
Применение специальных материалов с низким уровнем собственных шумов
Использование каскодных схем включения транзисторов
Оптимизация режима работы по постоянному току
Применение отрицательной обратной связи по шуму
Термостабилизация для минимизации температурных шумов

Комбинация этих методов позволяет создавать транзисторы с экстремально низким уровнем собственных шумов.

Перспективы развития малошумящих НЧ-транзисторов

Развитие технологий производства полупроводниковых приборов открывает новые перспективы в области малошумящих транзисторов:

Применение новых полупроводниковых материалов (GaN, SiC) для улучшения характеристик
Дальнейшая миниатюризация и снижение паразитных параметров
Интеграция малошумящих каскадов в специализированные микросхемы
Разработка транзисторов на основе графена и других 2D-материалов

Создание гибридных структур, сочетающих преимущества разных типов транзисторов

Эти инновации позволят создавать еще более совершенные малошумящие устройства для различных применений в электронике.

2П305 предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением

Применение полевых транзисторов

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

В настоящее время полевые транзисторы заметно потеснили биполярные приборы на мировом рынке мощных полупроводниковых приборов. По прогнозам фирмы «Motorola» (USA) удельный вес полевых транзисторов и устройств на их основе в ближайшие 5 лет еще увеличится (до 80%). Расширяется производство и применение полевых транзисторов и в нашей стране.

Полевые транзисторы позволяют значительно улучшить массогабаритные и энергетические показатели, повысить надежность и быстродействие таких электронных устройств:

— источников непрерывного питания персональных ЭВМ;

— вторичных источников питания, микроэлектронных преобразователей напряжения и частоты, модульных схем раскачки силовых ключей мощных преобразователей;

— источников питания двигателей постоянного и переменного тока, шаговых, синхронных, реактивных, бесщеточных с постоянными магнитами;

— мощных коммутаторов в автомобильной и авиационной электронике, в системах связи и электроснабжения, автоматике, бытовой электронике;

— источников питания электролюминесцентных панелей, принтерных головок дисководов, электроискровых и других электротехнологических комплексов, устройств индукционного нагрева, сварочных аппаратов и т.

д.

Применение полевых транзисторов позволяет перейти на интегральную технологию изготовления мощных блоков, что уменьшает количество компонентов, межсоединений, снижает трудоемкость и повышает надежность работы, позволяет разработать устройства с новыми функциональными возможностями.

Научно-внедренческое предприятие «Синапс» в сотрудничестве с ведущими специалистами страны в области исследования и применения полевых транзисторов составили «Каталог по применению полевых транзисторов», содержащий в компактной форме перевод аналогичных по содержанию каталогов ведущих фирм, мира (1989-1990 гг., пер. с англ.), справочные данные по отечественным полевым транзисторам, обзор разработок на основе полевых транзисторов зарубежных и отечественных авторов.

Значительная часть производимых в настоящий момент полевых транзисторов входит в состав КМОП-структур, которые строятся из полевых транзисторов с каналами разного (p- и n-) типа проводимости и широко используются в цифровых и аналоговых интегральных схемах.

За счёт того, что полевые транзисторы управляются полем (величиной напряжения приложенного к затвору), а не током, протекающим через базу (как в биполярных транзисторах), полевые транзисторы потребляют значительно меньше энергии, что особенно актуально в схемах ждущих и следящих устройств, а также в схемах малого потребления и энергосбережения (реализация спящих режимов).

Выдающиеся примеры устройств, построенных на полевых транзисторах, — наручные кварцевые часы и пульт дистанционного управления для телевизора. За счёт применения КМОП-структур эти устройства могут работать до нескольких лет, потому что практически не потребляют энергии.

Грандиозными темпами развиваются области применения мощных полевых транзисторов. Их применение в радиопередающих устройствах позволяет получить повышенную чистоту спектра излучаемых радиосигналов, уменьшить уровень помех и повысить надёжность радиопередатчиков. В силовой электронике ключевые мощные полевые транзисторы успешно заменяют и вытесняют мощные биполярные транзисторы. В силовых преобразователях они позволяют на 1-2 порядка повысить частоту преобразования и резко уменьшить габариты и массу энергетических преобразователей. В устройствах большой мощности используются биполярные транзисторы с полевым управлением (IGBT) успешно вытесняющие тиристоры. В усилителях мощности звуковых частот высшего класса HiFi и HiEnd мощные полевые транзисторы успешно заменяют мощные электронные лампы, так как обладают малыми нелинейными и динамическими искажениями.

2П101 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением

КП102 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением

2П103

2П103-9 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением

2ПС104 для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением

2П201 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением

2ПС202 для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением

КПС203 для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением

КП301 для применения во входных каскадах малошумящих усилителей и нелинейных малосигнальных схемах с высоким входным сопротивлением

КП302 для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах

КП303 предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой (Д, Е, И) и низкой (А, Б, В, Ж) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г предназначены для применения в зарядочувствительных усилител ях и других схемах ядерной спектрометрии

КП304 предназначены для применения в переключающих и усилительных схемах с высоким входным сопротивлением

КП306 предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением

КП307 предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП307Ж предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других схемах ядерной спектрометрии

2П308-9 предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока (а, б, в), в переключающих схемах и схемах коммутаторов (г, д) с высоким входным сопротивлением.

КП310 для применения в приемно-передающих устройствах сверхвысокочастотного диапазона

КП312 предназначены для применения во входных каскадах усилителей и преобразователей сверхвысокочастотного диапазона

КП313 предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением

КП314 для применения в охлаждаемых каскадах предусилителей устройств ядерной спектрометрии

КПС315 для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением

КПС316 для работы во входных каскадах дифференциальных усилителей, балансных схем различного назначения с высоким входным сопротивлением

3П320-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц

3П321-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц

КП322 тетрод на основе p-n перехода для усилительных и смесительных каскадов на частотах до 400 МГц

КП323-2 транзистор с p-n переходом для входных каскадов предварительных малошумящих предварительных усилителей низкой и высокой частот (до 400 МГц)

3П324-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц

3П325-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для СВЧ устройств с малым уровнем шума, а также для фотоприемных устройств с малым уровнем собственных шумов

3П326-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 17. 4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей

КП327 МОП тетрод с n-каналом и затворами, защищенными диодами, для селекторов телевизионных каналов метровых и дециметровых волн

3П328-2 арсенидогаллиевые полевые двухзатворные транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей

КП329 для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением

3П330-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 25 ГГц (3П330А-2, 3П330Б-2) и 17.4 ГГц (3П330В-2) для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей

3П331-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 10 ГГц для применения в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном

2П332 полевой p-канальный транзистор для переключающих и усилительных устройств

2П333 полевой n-канальный транзистор для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением

2П335-2 для усилительных устройств

2П336-1 для переключающих и усилительных устройств

2П337-Р транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением на частотах до 400 МГц

2П338-Р1 транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением

3П339-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частотах 8 и 17. 4 ГГц для применения в малошумящих усилителях, в усилителях с расширенным динамическим диапазоном и в широкополосных усилителях

2П341 транзистор с p-n переходом для входных каскадов малошумящих усилителей в диапазоне частот 20 Гц — 500 МГц

КП342 для переключающих устройств

3П343-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей

3П344-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей

3П345-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для применения в фотоприемных устройствах с малым уровнем собственных шумов

КП346-9 МОП n-канальный двухзатворный транзистор с затворами, защищенными диодами, для селекторов каналов ТВ приемником (А,Б- для дециметровых волн, В- для метровых волн)

2П347-2 n-канальный двухзатворный транзистор для входных каскадов радиоприемных устройств

КП350 предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобразовательных каскадах сверхвысокой частоты (до 700 МГц)

КП351 транзисторы с барьером Шоттки с двумя затворами (3П351А-2) и с одним затвором (3П351А1-2), предназначены для применения в малошумящих усилителях, смесителях и других устройствах в сантиметровом диапазоне

КП365А BF410C n-канальный транзистор

КП382А BF960 двухзатворный полевой транзистор селекторов каналов ЦТ

КП501А ZVN2120 высоковольтный полевой МОП-транзистор, используемый в качестве ключа для аналоговых средств связи

КП601

2П601-9 полевые транзисторы с диффузионным затвором и n-каналом, работа во входных и выходных каскадах усилителей и преобразователей частоты

АП602-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-12 ГГц

3П603-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц

3П604-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-18 ГГц

3П605-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим

диапазоном

3П606-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц

3П607-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 10 ГГц

3П608-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в выходных каскадах усилителей и генераторов

КП701 полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств с частотой переключения до 1 МГц

КП702 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов

КП703 полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов

КП704 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в выходных каскадах оконечных видеоусилителей многоцветных графических дисплеев, во вторичных источниках энергопитания, в устройствах коммутации электрических цепей

КП705 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах

КП706 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах

КП709 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках электропитания ТВ приемников четвертого и пятого поколений, переключающих и импульсных устройствах радиоэлектронной аппар атуры, устройствах электропривода. Аналог BUZ90, BUZ90A Siemens.

КП712 полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для работы в импульсных устройствах

КП717Б IRF350 МОП-транзистор с 400 В, 0.3 Ом

КП718А BUZ45 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом

КП718Е1 IRF453 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом

КП722А BUZ36 МОП-транзистор с 200 В, 0.12 Ом

КП723А IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом

КП723Б IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом

КП723В IRF45 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом

КП724Г IRF42 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом

КП724А MTP6N60 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом

КП724Б IRF842 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом

КП725А TPF450 МОП-транзистор с 500 В, 0.4 Ом

КП726А BUZ90 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом

КП728А МОП-транзистор с 800 В, 3. 0 Ом

КП801 полевые транзисторы p-n переходом для применения в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры

КП802 полевые транзисторы p-n переходом работа в ключевых схемах преобразователей постоянного напряжения в качестве быстродействующего коммутатора

КП803 полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей и генераторов

КП804 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для быстродействующих импульсных схем

КП805 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для построения источников вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, работающих от промышленной сети переменного тока с частотой 50 Гц и напряжением 220 В и для других устройств преобразования электрической энергии

КП809 МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях

КП810 прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности

КП812 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания, регуляторов, усилителей звуковой частоты

КП813 МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях

КП814 полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания

КП901 полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн (до 100 МГц)

КП902 полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в приемно-передающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц

КП903 полевые транзисторы p-n переходом для применения в приемно-передающих и переключающих устройствах в диапазоне частот до 30 МГц

КП904 полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных, преобразовательных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн

КП905 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц

КП907 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона

КП908 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 2. 25 ГГц

КП909 полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах в непрерывном и импульсном режимах на частотах до 400 МГц

АП910-2 арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц

КП911 полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах

КП912 полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных устройствах, усилителях и генераторах

КП913 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц при напряжении питания до 45 В

Анализ характеристик низкочастотного шума 1/f для амбиполярных полевых транзисторов MoTe2

1. Fiori G., Bonaccorso F. , Iannaccone G., Palacios T., Neumaier D., Seabaugh A., Sanjay K., Коломбо Л. Электроника на основе двумерных материалов. Нац. нанотехнологии. 2014;9:768. doi: 10.1038/nnano.2014.207. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

2. Гейм А.К., Новоселов К.С. Структура подвешенных листов графена. Нац. Матер. 2007; 6:183. doi: 10.1038/nmat1849. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

3. Новоселов К.С., Цзян Д., Щедин Ф., Бут Т.Дж., Хоткевич В.В., Морозов С.В., Гейм А.К. Эффект электрического поля в атомарно тонких углеродных пленках. проц. Натл. акад. науч. США. 2005;102:10451. doi: 10.1073/pnas.0502848102. [PMC free article] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

4. Радисавлевич Б., Раденович А., Бривио Дж., Джакометти И.В., Кис А. Однослойные транзисторы MoS ₂. Нац. нанотехнологии. 2011;6:147. doi: 10.1038/nnano.2010.279. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

5. Юн Дж., Пак В., Пэ Г.Ю., Ким Ю., Чан Х.С., Хён Ю., Лим С.К., Кан Ю.Х., Хонг В.К., Ли Б.Х. Высокогибкие и прозрачные многослойные MoS-транзисторы ₂ с графеновыми электродами. Небольшой. 2013;9:3295. doi: 10.1002/smll.201370112. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

6. Ye L., Li H., Chen Z., Xu J. Прочный и эластичный электронный текстиль на основе оксида индия, галлия и цинка, сформированный с помощью трансферной печати с помощью ресничек. АСУ Фотоника. 2016;3:692. doi: 10.1021/acsphotonics.6b00079. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

7. Дас С., Робинсон Дж. А., Дубей М., Терронес Х., Терронес М. Помимо графена: прогресс в новых двумерных материалах и ван дер Ваальсовы тела. Анну. Преподобный Матер. Рез. 2015; 45:1–27. doi: 10.1146/annurev-matsci-070214-021034. [CrossRef] [Google Scholar]

8. Li L., Yu Y., Ye G.J., Ge Q., Ou X., Wu H., Feng D.L., Chen X.H., Zhang Y.B. Полевые транзисторы на черном фосфоре. Нац. нанотехнологии. 2014;9:372. doi: 10.1038/nnano.2014.35. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

9. Zhang Y.J., Ye J.T., Yomogida Y., Takenobu T., Iwasa Y. Формирование стабильного p-n перехода в MoS ₂ Ambipolar Transistor. Нано Летт. 2013;13:3023. doi: 10.1021/nl400902v. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

10. Yu L.L., Zubair A., Santos E.J.G., Zhang X., Lin Y.X., Zhang Y.H., Palacios T. Транспортные свойства MoS ₂ /WSe ₂ Транзистор с гетеропереходом и возможности его применения. Нано Летт. 2015;15:4928. doi: 10.1021/acs.nanolett.5b00668. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

11. Линь Ю.Л., Сюй Ю., Ван С.Т., Ли С.Л., Махито Ю., Алекс А.Ф., Ли В.В., Сунь Х.Б., Шу Н., Цзянь В.Б. и др. Барьерные неоднородности в вертикально расположенных гетероструктурах на основе графена. Доп. Матер. 2014;26:3263. doi: 10.1002/adma.201305845. [CrossRef] [Google Scholar]

12. Коппенс Ф.Х., Мюллер Т., Авурис П., Феррари А.С., Витиелло М.С., Полини М. Фотодетекторы на основе графена, других двумерных материалов и гибридных систем. Нац. нанотехнологии. 2014;9:780. doi: 10.1038/nnano.2014.215. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

13. Прадхан Н.Р., Родс Д., Фэн С. , Ян С., Баликас Л. Полевые транзисторы на основе нескольких слоев α-MoTe ₂ . АКС Нано. 2014;8:6. doi: 10.1021/nn501013c. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

14. Ruppert C., Aslan O.B., Heinz T.F. Оптические свойства и ширина запрещенной зоны однослойных и малослойных кристаллов MoTe ₂. Нано Летт. 2014;14:6231. doi: 10.1021/nl502557g. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

15. Fathipour S., Ma N., Hwang W.S., Protasenko V., Seabaugh A. Расслоенный многослойный MoTe ₂ полевые транзисторы. заявл. физ. лат. 2014;105:192101. doi: 10.1063/1.47. [CrossRef] [Google Scholar]

16. Чен Дж., Фэн З., Фан С., Ши С., Юэ Ю., Шен В., Се Ю., Ву Э., Сунь С., Лю Дж. Контактная разработка полевых транзисторов из дителлурида молибдена посредством быстрого термического отжига. Приложение ACS Матер. 2017;9:30107. doi: 10.1021/acsami.7b06739. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

17. Qu D., Liu X., Ming H., Lee C., Yoo WJ Модуляция несущего типа и улучшение подвижности тонкого MoTe ₂ . Доп. Матер. 2017;29:1606433. doi: 10.1002/adma.201606433. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

18. Ларентис С., Фаллахазад Б., Мовва Х., Ким К., Рай А., Танигучи Т., Ватанабэ К., Банерджи С.К., Тутук Э. Реконфигурируемое дополнение Monolayer MoTe ₂ Полевые транзисторы для интегральных схем. АКС Нано. 2017;11:4832. doi: 10.1021/acsnano.7b01306. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

19. Feng Z., Xie Y., Chen J., Yu Y., Zheng S., Zhang R., Li Q., Chen X., Sun C., Чжан Х. Высокочувствительный MoTe ₂ химический датчик с высокой скоростью восстановления благодаря смещению затвора. 2D Матер. 2017;4:025018. doi: 10.1088/2053-1583/aa57fe. [CrossRef] [Google Scholar]

20. Хуан Х., Ван Дж., Ху В., Ляо Л., Ван П., Ван Х., Фань Г., Чен Ю., Ву Г., Луо В. , и другие. Высокочувствительные фотодетекторы MoTe ₂ видимого и инфракрасного диапазонов, усиленные эффектом фотозатвора. Нац. нанотехнологии. 2016;27:445201. doi: 10.1088/0957-4484/27/44/445201. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

21. Пал А.Н., Гатак С., Кочат В., Снеха Э.С., Гош А. Микроскопический механизм 1/f-шума в графене: роль дисперсии энергетических зон. АКС Нано. 2011;5:2075. doi: 10.1021/nn103273n. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

22. Гибаудо Г. Ультратонкие КНИ МОП-транзисторы с двойным затвором. ШПАЙ. 2003;5113:13. [Google Scholar]

23. Hooge F.N. 1/f источники шума. IEEE транс. Электронные устройства. 1994; 41:1926. дои: 10.1109/16.333808. [CrossRef] [Google Scholar]

24. Линь Ю.Ф., Сюй Ю., Суен Ю.В., Ямамото М., Накахараи С., Уэно К., Цукагоши К. Происхождение шума в многослойных транзисторах MoTe ₂ и их возможное использование для датчиков окружающей среды. Доп. Матер. 2015;27:6612. doi: 10.1002/adma.201502677. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

25. Сангван В.К., Арнольд Х.Н., Джаривала Д., Маркс Т.Дж., Лаухон Л.Дж., Херсам М.К. Низкочастотный электронный шум в однослойных транзисторах MoS ₂. Нано Летт. 2013;13:4351. doi: 10.1021/nl402150r. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

26. Cheng Z., Li Q., Li Z., Zhou Q., Fang Y. Подвесные графеновые датчики с улучшенным сигналом и пониженным уровнем шума. Нано Летт. 2010;10:1864. doi: 10.1021/nl100633g. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

27. Рентерия Дж., Самнакай Р., Румянцев С.Л., Цзян С., Голи П., Шур М.С., Баландин А.А. Низкочастотный 1/f-шум в MoS ₂ транзисторы: относительные вклады каналов и контактов. заявл. физ. лат. 2014;104:153104. дои: 10.1063/1.4871374. [CrossRef] [Google Scholar]

28. Румянцев С., Лю Г., Стиллман В., Шур М., Баландин А.А. Электрические и шумовые характеристики графеновых полевых транзисторов: эффекты окружающей среды, источники шума и физические механизмы. Дж. Физ. 2010;22:395302. doi: 10.1088/0953-8984/22/39/395302. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

29. Пеллегрини Б. Шум 1/f в графене. Евро. физ. Дж. Б. 2013; 86: 373. doi: 10.1140/epjb/e2013-40571-7. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

30. Кумар С., Куири М., Юнг Дж., Дас Т., Дас А. Возможность настройки 1/f-шума на нескольких конусах Дирака в графеновых устройствах, инкапсулированных hBN. Нано Летт. 2016;6:1042. [PubMed] [Google Scholar]

31. Левинштейн М.Е., Паскаль Ф., Контрерас С., Кнап В., Румянцев С.Л., Гаска Р., Ян Дж.В., Шур М.С. Полевые транзисторы AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов и низким шумом 1/f. заявл. физ. лат. 1998;72:3053. дои: 10.1063/1.121538. [CrossRef] [Google Scholar]

32. Li X.F., Du Y.C., Si M.W., Yang L.M., Li S.C., Li T.Y., Xiong X., Ye P.D., Wu Y.Q. Трехслойные интерфейсы фосфорен-металл. Наномасштаб. 2016;8:3572. дои: 10.1039/C5NR06647F. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

33. Xie X.X., Sarkar D., Liu W., Kang J., Banerjee K. Субтермический туннельный полевой транзистор с атомарно тонким каналом. АКС Нано. 2014;8:5633. doi: 10.1021/nn4066473. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

34. Ji H., Joo M. K., Yun Y., Park J.H., Lee G., Moon B.H., Yi H., Suh D., Lim S.C. Подавление межфазных колебаний тока в MoTe ₂ Транзисторы с различными диэлектриками. Приложение ACS Матер. Интерфейсы. 2016;8:19082. doi: 10.1021/acsami.6b02085. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

35. Баландин А.А. Двумерный перенос фононов в графене. Нац. нанотехнологии. 2013;8:549. doi: 10.1038/nnano.2013.144. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

36. Кочат В., Тивари К.С., Бисвас Т., Рамалингам Г., Хси К., Чаттопадхьяй К., Рагхаван С., Джайн М., Гош А. Величина и Происхождение электрического шума на границах отдельных зерен в графене. Нано Летт. 2016;16:562. doi: 10.1021/acs.nanolett.5b04234. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

37. Лин Ю.М., Авурис П. Электрический перенос и 1/f-шум в полупроводниковых углеродных нанотрубках. Нано Летт. 2008;8:2119. doi: 10.1021/nl080241l. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

38. Kim J.K., Song Y., Kim T.Y., Cho K., Pak J., Choi Y.B., Shin J. , Chung S., Lee T. Защитные эффекты тройного экстракт ферментированного ячменя (FBe) на вызванное индометацином повреждение слизистой оболочки желудка у крыс. Нац. нанотехнологии. 2017;28:47LT01. doi: 10.1088/1361-6528/aa9236. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

39. Ян С.Л., Се З.Дж., Чен Дж.Х., Танигути Т., Ватанабэ К. Электрически перестраиваемая ширина запрещенной зоны в сверхтонких полевых транзисторах с черным фосфором с двойным затвором. Подбородок. физ. Б. 2017; 34:047304. doi: 10.1088/0256-307X/34/4/047304. [CrossRef] [Google Scholar]

40. Delker C.J., Zi Y., Yang C., Janes D.B. Токовые и шумовые свойства нанопроволочных транзисторов InAs с асимметричными контактами, вызванными перекрытием затворов. IEEE транс. Электронные устройства. 2013;60:2900. doi: 10.1109/TED.2013.2274009. [CrossRef] [Google Scholar]

41. Шкловский Б. Размерное квантование в структурах с квантовыми ямами a-Si:H: Модель сплава. физ. Ред. Б. 2003; 67:045201. doi: 10.1103/PhysRevB. 67.045201. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

42. Qiu H., Xu T., Wang Z.L., Ren W., Nan H.Y., Ni Z.H., Chen Q., Yuan S.J., Miao F., Song F.Q. и др. др. Модулирование свойств MoS2 путем утончения плазмы и создания дефектов. Нац. коммун. 2013;4:2642. doi: 10.1038/ncomms3642. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

43. Гатак С., Пал А.Н., Гош А. Природа электронных состояний в атомарно-тонком MoS ₂ Полевые транзисторы. АКС Нано. 2011;5:7707. doi: 10.1021/nn202852j. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

44. Ишигами М., Чен Дж.Х., Уильямс Э.Д., Тобиас Д., Чен Т.Ф., Фюрер М.С. Постоянная Хуге для полевых транзисторов с углеродными нанотрубками. заявл. физ. лат. 2006;88:203116. doi: 10.1063/1.2206685. [CrossRef] [Google Scholar]

45. Дин М.Дж., Маринов О., Холдкрофт С., Вудс В. Низкочастотный шум в полимерных транзисторах. IEEE транс. Электронные устройства. 2001; 48:1688. дои: 10.1109/16.936690. [CrossRef] [Google Scholar]

SCIRP Open Access

Издательство научных исследований

Журналы от A до Z

Журналы по темам

Биомедицинские и биологические науки.
Бизнес и экономика
Химия и материаловедение.
Информатика. и общ.
Науки о Земле и окружающей среде.
Машиностроение
Медицина и здравоохранение
Физика и математика
Социальные науки. и гуманитарные науки

Журналы по тематике

Биомедицина и науки о жизни
Бизнес и экономика
Химия и материаловедение
Информатика и связь
Науки о Земле и окружающей среде
Машиностроение
Медицина и здравоохранение
Физика и математика
Социальные и гуманитарные науки

Публикация у нас

Подача статей
Информация для авторов
Ресурсы для экспертной оценки
Открытые специальные выпуски
Заявление об открытом доступе
Часто задаваемые вопросы

Публикуйте у нас

Представление статьи
Информация для авторов
Ресурсы для экспертной оценки
Открытые специальные выпуски
Заявление об открытом доступе
Часто задаваемые вопросы

Подпишитесь на SCIRP

Свяжитесь с нами

	клиент@scirp. org
	+86 18163351462 (WhatsApp)
	1655362766

	Публикация бумаги WeChat

Недавно опубликованные статьи

Безопасность водного экстракта листьев Senna alata (L.) Roxb. (Leguminosae-Caesalpinioideae), растение, используемое в Бенине для лечения инфекций()
Максимин Сену, Рене Деу, Фелисьен Агбогба, Паскаль Чогоу, Йолланде Абисси, Альбан Хунгбеме, Гутемберг Кпоссу, Эжени Анаго, Эжен Аттакпа
Journal of Biosciences and Medicines Vol. 10 No.12, 16 декабря 2022 г.
DOI: 10.4236/jbm.2022.1012008 12 загрузок 80 просмотров
Определение факторов, ограничивающих урожайность сорго, и критериев фермера в Восточном и Северо-Западном Нигере()
Ардали Абду Усейни, Мамаду Айссата Ибрагим, Джон Сейвор Яв Элеблу, Квадво Офори, Иссака Бурейма Хамани
Журнал библиотеки открытого доступа Том 9 №12, 16 декабря 2022 г.
DOI: 10.4236/oalib.1109543 9 загрузок 53 просмотров
Взаимосвязь между формой коррозии и элюирующим поведением поверхностей медных трубок с различным содержанием остаточного углерода()
Юма Кано, Итару Икеда, Такаши Иясу, Юна Ямагучи, Ютака Ямада, Осаму Сакурада
Материаловедение и приложения Том 13 № 12, 16 декабря 2022 г.
DOI: 10.4236/MSA.2022.1312037 7 загрузок 46 просмотров
Влияние некоторых физико-химических факторов воздействия на содержание карбоцистеина во вскрытом фармацевтическом продукте()
Жан-Кисито Куаме, Мариэтт Дезире Йехе, Карин Нина Эйбл, Винсент Де Поль Ови, Эрве Тазо Бро, Клод Беренже Нгалемо Нганчуко, Гилдас Коменан Гбасси
Американский журнал аналитической химии Том 13 № 12, 16 декабря 2022 г.
DOI: 10.4236/ajac.2022.1312033 9 загрузок 55 просмотров
Антибактериальная активность экзогенного глутатиона и его синергизм в отношении антибиотиков в метициллин-ассоциированных клинических изолятах с множественной лекарственной устойчивостью Staphylococcus aureus ()
Клейфорд Сенра, Минерва А. Гарсия, Донг Х. Квон
Достижения микробиологии Том 12 № 12, 16 декабря 2022 г.
DOI: 10.4236/цель.2022.1212044 8 загрузок 53 просмотров
Быстрый алгоритм для обучения крупномасштабных машин опорных векторов()
Майова Кассим Арегбесола, Игорь Грива
Journal of Computer and Communications Том 10 №12, 16 декабря 2022 г.
DOI: 10.4236/jcc.2022.1012001 9 загрузок 49 просмотров