Унч для начинающих на транзисторах. Гетеропереходные биполярные транзисторы (HBT): принцип работы и преимущества

Вакуумные лампы — предшественники транзисторов

Вакуумные лампы и транзисторы:

Многие считают транзистор одним из самых важных изобретений всех времен.

Хотя предшественники транзистора были изобретены в 1907 году (в то время они еще не были транзисторами, они были электронных ламп , называемых клапанами), вскоре они были заменены более мелкими компонентами, называемыми транзисторами . Они по-прежнему являются ключевыми компонентами современных компьютеров.

Так что же такое транзистор?
Транзистор представляет собой электронный компонент с тремя контактами. По сути, транзистор представляет собой переключатель (между двумя контактами: коллектор и эмиттер ), который управляется небольшим током на третьем контакте, называемом 9.0014 база .

Используйте флажки под этим транзистором, чтобы понять, как подача напряжения на базу транзистора эквивалентна включению ключа.

Транзистор действует как переключатель, приводимый в действие подачей небольшого тока на базу.

Транзисторы бывают разных форм и размеров

Логические вентили?

Логические вентили состоят из транзисторов. Они позволяют применять логику к малым токам, которые либо включаются, либо выключаются, и представляют собой двоичная информация внутри компьютера . Компьютеры создаются путем объединения логических вентилей.

Используйте вкладки ниже, чтобы увидеть, как некоторые ключевые логические элементы построены с использованием транзисторов:

И GateOR GATENOT GATENAND GATE

Интегральные схемы?

Интегральная схема (также называемая чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном маленьком плоском элементе (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества крошечных транзисторов в небольшой чип приводит к тому, что схемы меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, состоящие из дискретных электронных компонентов.

Интегральная схема 7408: счетверенный вентиль И с двумя входами

Более сложные интегральные схемы включают двоичные сумматоры ( полусумматор , полный сумматор , используемый для выполнения двоичного сложения) и триггерные схемы , используемые для реализации энергозависимой памяти .

Список интегральных схем серии 7400:
https://en.wikipedia.org/wiki/List_of_7400_series_integrated_circuits

Микропроцессоры?

Микропроцессор — это компьютерный процессор, который включает в себя функции центрального процессора компьютера (ЦП) на одна интегральная схема (или максимум несколько интегральных схем). Микропроцессор представляет собой многоцелевую, управляемую часами, основанную на регистрах, цифровую интегральную схему, которая принимает двоичные данные в качестве входных данных, обрабатывает их в соответствии с инструкциями, хранящимися в его памяти, и предоставляет результаты в качестве выходных данных.

Микропроцессор – компьютерный процессор, который объединяет функции центрального процессора компьютера (ЦП) на одной интегральной схеме

5 поколений компьютеров

Используемые компьютеры 1-го поколения Лампы

Компьютеры 1-го поколения: Лампы

Еще в 1950-х годах компьютеры состояли из электронных ламп, из которых назывались вентилями (предшественники транзисторов). Эти лампы были довольно громоздкими, как электрические лампочки, и производили много тепла. Установки часто взрывались.

В качестве устройств ввода и вывода использовались перфокарты, бумажная лента и магнитная лента . Компьютеры 1-го поколения были запрограммированы с использованием машинный код .

Компьютеры 1-го поколения были очень дорогими, и только крупные организации могли их себе позволить.

Используемые компьютеры 2-го поколения Транзисторы

Компьютеры 2-го поколения: Транзисторы

В начале 1960-х годов компьютеры 2-го поколения использовали транзисторов для замены электронных ламп компьютеров 1-го поколения. Поэтому компьютеры 2-го поколения были дешевле, потребляли меньше энергии и были более компактными. Они также были более надежными и быстрыми. Для создания более сложных компьютеров можно было бы использовать больше транзисторов.

Магнитная лента и магнитные диски использовались в качестве вторичных запоминающих устройств, а перфоленты использовались до сих пор.

Компьютеры 2-го поколения были запрограммированы с использованием языка ассемблера и языков программирования высокого уровня , таких как FORTRAN или COBOL.

В компьютерах третьего поколения использовались интегральные схемы.

Компьютеры третьего поколения: интегральные схемы

Во второй половине 1960-х годов было выпущено интегральных схем9.0015 использовались компьютерами третьего поколения. Интегральная схема состоит из множества транзисторов, резисторов и конденсаторов, а также связанных с ними схем. Эта разработка сделала компьютеры меньше по размеру, более надежными и эффективными.

Компьютеры 3-го поколения были запрограммированы с использованием языков высокого уровня (FORTRAN, COBOL, PASCAL, BASIC, ALGOL-68 и т.д.).

Atari 7800 — материнская плата

В компьютерах 4-го и 5-го поколения используются микропроцессорные микросхемы.

Компьютеры 4-го поколения: микропроцессоры

В 1970-х годах в компьютерах 4-го поколения использовались схемы сверхбольшой интегральной схемы (СБИС). Схемы СБИС, содержащие около 5000 транзисторов на одном кристалле, называемом микропроцессором .

Компьютеры четвертого поколения стали более мощными, компактными, надежными и доступными. Они начали революцию в области персональных компьютеров (ПК).

Компьютеры 5-го поколения: сегодня

Период пятого поколения 19 лет.80-наст. В пятом поколении технология VLSI стала технологией ULSI (Ultra Large Scale Integration), что привело к производству микропроцессорных микросхем с десятью миллионами электронных компонентов.

Закон Мура

Скорость увеличения количества транзисторов обычно соответствует закону Мура, согласно которому количество транзисторов удваивается примерно каждые два года . По состоянию на 2016 год наибольшее количество транзисторов в коммерчески доступных однокристальных процессорах превышало 7,2 миллиарда.

Общие сведения о гетеропереходных биполярных транзисторах (HBT)

Радха Сетти, технический консультант, Mini-Circuits

Введение

До изобретения транзистора телефонные станции строились с использованием громоздких вакуумных ламп и механических реле. Перед инженерами Bell Labs была поставлена ​​задача разработать транзистор (сочетание «передаточный резистор») как меньшую и менее громоздкую альтернативу существующей технологии. Изобретение в 1947 году ознаменовало начало полупроводниковой промышленности, навсегда изменившей мир. Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли будут удостоены Нобелевской премии по физике в 1919 г. 57 за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта. Транзисторы окажут глубокое влияние на быстрое развитие технологий от беспроводной связи к вычислениям и, в конечном счете, сформируют ландшафт информационного века. [1,2]

Самая ранняя версия устройства, которая должна была быть разработана и произведена, представляла собой однопереходный транзистор с использованием германия. Вскоре его заменил кремний, так как германий перестает работать при температуре выше 75°C [2], что делает его непрактичным для большинства применений. Постепенное улучшение характеристик, особенно рабочей частоты, побудило американского физика немецкого происхождения Герберта Кремера разработать теорию биполярного транзистора с гетеропереходом (HBT), в котором используются два или более различных полупроводниковых материала с разной шириной запрещенной зоны [3] для обеспечения работы на высоких частотах. Его работа принесла ему Нобелевскую премию в 2000 году [4]. Хотя теория была предложена еще в 1957 [4], производство HBT пришлось ждать до 1977 г. , когда появилось оборудование, способное его производить; сначала с помощью MBE (молекулярно-лучевая эпитаксия), а затем с MOCVD (металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы) [5].

Следуя отраслевой тенденции к более широкому внедрению полупроводниковых технологий, Mini-Circuits представила широкополосные усилители MMIC серий MAR и MAV, в которых используется технология кремниевых гомопереходов, работающих на частоте до 2 ГГц. Удобство использования, выдающаяся производительность и низкая стоимость сделали эти устройства любимцами схемотехников. Но по мере того, как технология HBT стала доступной, были разработаны усилители серии ERA, использующие технологию HBT, сначала доведя рабочую частоту до 8 ГГц, а затем до 20 ГГц. Эти усилители не только увеличили рабочую частоту и обеспечили превосходный OIP3 (точка пересечения выходного сигнала третьего порядка), но и еще больше упростили использование. Большинство усилителей HBT имеют широкополосное согласование на кристалле и поэтому требуют минимального количества внешних компонентов. Кроме того, HBT обеспечивают превосходный шум 1/f по сравнению с устройствами pHEMT, и по этой причине они предпочтительны в некоторых приложениях, таких как усилители и генераторы.

В этой статье объясняется физика транзисторов с гомо- и гетеропереходом и обсуждаются преимущества конструкций усилителей HBT. Представлены результаты исследований надежности усилителей Mini-Circuits HBT, а также дана ссылка на полный портфель MMIC Mini-Circuits, разработанных с использованием технологии HBT. Настоятельно рекомендуется, чтобы читатели ознакомились с двумя предыдущими статьями этой серии по основам радиочастотных полупроводников [6] и технологии pHEMT [7], опубликованными в блоге Mini Circuits, чтобы получить наиболее полное представление об этой статье.

Transistor-Configurations

Прежде чем мы перейдем к преимуществам HBT по сравнению с гомопереходными транзисторами, полезно рассмотреть основы транзисторов, символы и режимы работы.

Рис. 1. Транзисторы NPN и PNP.

Транзистор имеет три зоны; эмиттер, база и коллектор, и могут быть построены двумя разными способами, как NPN или PNP. NPN-транзистор имеет эмиттер, легированный N, базу, легированную P, за которой следует коллектор, легированный N, как показано на рисунке 1a) и представлено схематично на рисунке 1b). Неудивительно, что PNP-транзистор имеет эмиттер, легированный P, и базу, легированную N, за которой следует коллектор, легированный P, как показано на рисунке 1c) и схематично представлено на рисунке 1d). Направление стрелки на схемах 1b) и 1d) указывает на протекание тока, когда переход эмиттер-база смещен в прямом направлении.

Переходы эмиттер-база и база-коллектор могут иметь прямое или обратное смещение, что приводит к четырем возможным комбинациям и вариантам использования [8], как показано в Таблице 1.  В этой статье конкретно рассматривается прямодействующий режим NPN, используемый в усилителях. В транзисторе NPN поток тока управляется электронами, имеющими большую подвижность, чем дырки, что приводит к более высокой рабочей частоте.

На рис. 2 показаны три возможные конфигурации NPN-транзистора: с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором. Транзистор PNP также имеет аналогичную конфигурацию.

Рис. 2. Конфигурации смещения для NPN-транзистора.

В транзисторе эмиттер «испускает» электроны или дырки, которые «собираются» коллектором. Так что же такое база? Этим вопросом задаются многие начинающие и опытные инженеры. Уильям Шокли, один из изобретателей транзистора [9].] и лауреат Нобелевской премии описывает базу как «оригинальную структуру транзистора с точечным контактом, состоящую из пластины из германия n-типа и двух линейных контактов из золота, поддерживаемых пластиковым клином». Он продолжает: «Название «база», которое произошло от этой структуры, не имеет функционального значения, как «эмиттер» и «коллектор». См. Рисунок 3а для изображения исходного точечного транзистора и 3b) для его схематического изображения [9, 10].

Рисунок 3: Оригинальный транзистор с точечным контактом.

В транзисторе, работающем в прямом направлении, небольшой ток базы управляет большим током коллектора, что приводит к усилению. Итак, у нас есть усилитель. В транзисторе NPN электроны из эмиттера попадают в базу путем диффузии, и их импульс переносит их к коллектору, где они собираются. Поскольку база относительно тонкая, в базе теряется очень мало электронов.

Обзор: Compound Semiconductors

По причинам, которые мы вскоре объясним, в HBT используются составные полупроводники. Давайте рассмотрим основы составных полупроводников.

В таблице 2 показан неполный список используемых элементов в центральной части периодической таблицы.

Таблица 2: Центральная часть периодической таблицы [4].

Два или более дискретных элемента в Таблице 2 могут быть использованы для формирования составных полупроводников. В центре таблицы кремний (Si) и германий (Ge). Сплав Si и Ge, SiGe (пр. «SIGH-gee») используется в качестве одного из материалов в кремниевых ГБТ.

Согласно Крамеру [4], каждый элемент в столбце III может быть объединен с каждым элементом в столбце V с образованием так называемого соединения III-V. GaAs является одним из таких примеров. В HBT типичным примером является арсенид алюминия-галлия, AI _x Ga 9.0317 1-x As где x — доля позиций столбца III в кристалле, занятых атомами Al, а 1-x — атомами Ga. Следовательно, у нас есть не просто 12 отдельных соединений, а непрерывный ряд материалов в зависимости от концентрации каждого из них в кристаллической структуре. В результате становится возможным создавать гетероструктуры с плавным изменением состава, в которых состав изменяется непрерывно, а не скачкообразно по всей структуре устройства. Это было в центре внимания Нобелевской лекции Кремера об открытии HBT. См. Рисунок 4 для графического изображения некоторых соединений [7].

Рис. 4. Зависимость постоянной решетки от ширины запрещенной зоны различных полупроводниковых материалов.

Физика работы биполярного транзистора с гомо- и гетеропереходом (HBT)

Главный вопрос: что такое HBT и как структуры с гетеропереходом улучшают работу транзистора? Диаграмма энергетических диапазонов может помочь ответить на этот вопрос. Учебное пособие по диаграммам энергетических диапазонов см. в предыдущей статье [6] в блоге Mini Circuits. На рисунке 5 показана диаграмма энергетических зон для HBT и NPN-транзисторов с гомопереходом в прямом активном режиме. Уровень вакуума не показан для простоты.

Электроны, инжектированные из эмиттера, преодолевают энергетический барьер qV _n путем диффузии и попадают в базу. В общем, ширина базы невелика, и поэтому большая часть электронов проходит через базу из-за своего импульса и собирается коллектором. Однако небольшое количество электронов теряется из-за рекомбинации в области обеднения эмиттер-база и в области базы.

Теперь рассмотрим отверстия в основании, которых больше всего. Они попадают в излучатель, преодолевая энергетический барьер qV _ph и qV _p в транзисторе с гомопереходом и гетеропереходом соответственно. Обратите внимание, что qV _p больше, чем qV _ph на ΔE _g , что является ключом к улучшению работы HBT, как мы увидим позже.

Рис. 5: Диаграмма энергетического диапазона, токи; биполярный транзистор с гомопереходом и гетеропереходом.

Различные токи в транзисторе, показанном на рисунке 5b), следующие:

I _n : ток электронов от эмиттера к базе

I _p : дырочный ток от базы к эмиттеру

I _s : ток, обусловленный рекомбинацией электронов/дырок в смещенном вперед слое объемного заряда эмиттер-база

I _r : ток, обусловленный объемной рекомбинацией в базе

I _E : ток излучения = I _N + I _P + I _S

I _C : Collector Current = I _N — I R B B B B B B B B B B B B B B B B B B B B B B B B B B B B . базовый ток = I _p + I _r + I _s

Пренебрегая I _CO , обратный ток коллектор-база, коэффициент усиления по току с общим эмиттером определяется: , максимально достижимое значение β равно [11]:

Где:

N _e и P _b — уровни легирования эмиттера и базы соответственно.

   

v _nb и v _pe   — средние скорости электронов от эмиттера к базе и дырок от базы к эмиттеру соответственно, обычно 5 <   /  < 50.

k _b — постоянная Больцмана.

ΔE _g — разница ширины запрещенной зоны между эмиттерным и основным материалами.

T – температура в K.

В транзисторе с гомопереходом ΔE _g =0 и поэтому уравнение (2) упрощается до:

Следовательно, для получения высокого β _max (>100), эмиттер должен быть сильно легирован по сравнению с базой (N _e > P _b) .

Сильное легирование эмиттера расширяет более слабо легированную область истощения базы, что приводит к изменению ширины базы по сравнению с изменением напряжения база-эмиттер, что, в свою очередь, вызывает модуляцию ширины базы, снижение линейности и, в худшем случае, сквозное прохождение.

В хорошем HBT, таком как AlGaAs в качестве эмиттера и GaAs в качестве базы,

ΔE _г ≈ 0.2eV

At room temperature k _b T= 0.025eV and ΔE _g / k _b T = 8.

Therefore ΔE _g / k _b T ≈ 3000.

In типичный HBT, N _e / P _b ≈ 1/10. То есть база сильно легирована по сравнению с эмиттером, что сводит к минимуму модуляцию ширины базы.

Следовательно, β _max = 5 х 0,1 х 3000 ≈ 1500, что является огромным числом.

Следовательно, I _p = I _n / β _max = I _n /(1500), что пренебрежимо мало по сравнению с I _n и им можно пренебречь. Это большое преимущество в HBT, так как он максимизирует усиление по току.

Возвращаясь к уравнению (1), пренебрегая I _p ,

Хорошо спроектированный HBT имеет β около 100.

Рисунок 6: Типичное поперечное сечение HBT, толщина слоя и легирование [12].

Теперь рассмотрим практическую реализацию HBT на примере [12]. На рисунке 6 (а) показано типичное поперечное сечение HBT в его плоской реализации, а на рисунке 6 (b) — функция слоя, материал, толщина и легирование. В состав входят:

1. Полуизолирующий GaAs, на котором сформированы эпитаксиальные слои.
2. Субколлектор GaAs N+, предназначенный для обеспечения интерфейса с высокой проводимостью между слабо легированным n-коллектором и металлом коллектора.
3. Основание P+GaAs, сильно легированное для уменьшения сопротивления базы, и малой глубины для уменьшения времени прохождения базы.
4. Эмиттер N, в котором эпислой AlGaAs образует гетеропереход с базой P+GaAs (обратите внимание, что эмиттер слабо легирован по сравнению с базой).
5. Колпачок N+, предназначенный для обеспечения высокопроводящего интерфейса с эмиттером N и металлом эмиттера.

Эта структура имеет максимальную частоту колебаний (f _max ) 200 ГГц [13]. Сравните это с усовершенствованными гомопереходными транзисторами с f _max 20 ГГц [5], улучшением в 10 раз. частота среза и f _max , максимальная частота колебаний используются в качестве показателей качества для HBT.

Коэффициент усиления по току с общим эмиттером/частота среза определяется как:

Где:

t _ee = время зарядки эмиттер-база, пропорциональное емкости эмиттер-база. В HBT это, как правило, низкое значение.

t _b = базовое время прохождения, также низкое в HBT из-за тонкого базового слоя.

t _c = время прохождения коллектора через обедненный слой, пропорциональное емкости коллектор-база. Это поддерживается на низком уровне благодаря низкому легированию коллектора.

t _куб.см = время прохождения коллектора.

Максимальная частота колебаний определяется как:

В котором указано, что более низкое сопротивление базы R _B и более низкая емкость коллектора относительно базы C _BC увеличивает максимальную частоту колебаний.

Разработчики Epi оптимизируют все эти параметры для достижения желаемой производительности.

Вкратце:

1. В HBT используется эмиттерный полупроводниковый материал с более широкой запрещенной зоной по сравнению с базой.
2. В HBT используется более сильное легирование базы, чем в транзисторах с гомопереходом, что приводит к уменьшению сопротивления базы.
3. Гетеропереход эмиттер-база обеспечивает высокий энергетический барьер для инжекции дырок и более низкий энергетический барьер для инжекции электронов, что приводит к высокой эффективности инжекции эмиттера.
4. Легирование нижнего эмиттера приводит к незначительному накоплению неосновных носителей, что снижает емкость база-эмиттер и позволяет работать на более высоких частотах.
5. Высокая подвижность электронов и меньшее время прохождения электронов из-за более тонкой основы обеспечивают работу на более высоких частотах.
6. Полуизолирующие подложки помогают снизить паразитные свойства прокладок и обеспечивают удобную интеграцию устройств.

Технология HBT дополняет pHEMT для более высокой частоты операций, но имеет несколько явных преимуществ, как показано ниже:

Преимущества HBT по сравнению с pHEMT [5].

HBT	pHEMT
Скорость электронов определяется тонкими вертикальными слоями, реализуемыми путем эпитаксиального роста, что позволяет работать в диапазоне миллиметровых волн. Достаточно литографии размером 1-3 мкм.	Требуется литография от 0,2 до 0,5 мкм для аналогичной частоты работы, что делает ее более дорогой.
Уменьшенный эффект захвата и меньший шум 1/f являются результатом потока носителей в основном через активные переходы, изолированные от поверхностей и подложки, и сравнимы с кремниевыми транзисторами с гомопереходом.	В полевых транзисторах носители перемещаются между поверхностями и границами раздела активный канал-подложка, испытывая больший эффект захвата.

Шум

Шум представляет собой нежелательные колебания тока, проходящего через полупроводниковые материалы или устройства, или напряжения, возникающие в них [13]. Поскольку нежелательный шум накладывается на полезный сигнал, это ухудшает отношение сигнал/шум.

Фликер-шум обратно пропорционален частоте и обычно называется шумом 1/f, который увеличивается с уменьшением частоты. Поэтому очень важно при малых частотах смещения от несущей частоты. Фликер-шум является функцией поверхностных дефектов. В HBT ток течет перпендикулярно поверхности (см. рис. 7a), поэтому вклад шума 1/f минимален. Сравните это с pHEMT, где ток течет по поверхности (см. рис. 7b), поэтому шум 1/f обычно выше в pHEMT, чем в HBT.

Рисунок 7: Направление тока в HBT и pHEMT.

Измеренные аддитивные фазовые и амплитудные шумы усилителей HBT (ГАЛИ-39+, ЭРА-39+) и усилителя pHEMT (PSA-545+) показаны на рис. 8.

Рис. 8: Аддитивные фазовые и амплитудные шумы усилителей HBT и pHEMT.

На рис. 8 четко показаны превосходные характеристики усилителей HBT, выбранных для требовательных приложений усилителей и генераторов.

Надежность

Mini-Circuits проводит HTOL (испытания на срок службы при высоких температурах) своих моделей усилителей на основе HBT, чтобы продемонстрировать надежность и рассчитать среднее время до отказа (MTTF). Далее следует пример.

Модель GVA-81+ подвергается HTOL в течение 5000 часов при температуре перехода 148℃ на 80 образцах. Расчетное значение MTTF, основанное на этих тестах, показано на рис. 9.

Рис. 9: MTTF в зависимости от температуры перехода для усилителя MMIC на основе GVA-81+ HBT.

Обратите внимание, что при максимальной рабочей температуре и номинальном токе Tj составляет 121℃. Из рисунка 7 при 121℃ среднее время безотказной работы составляет 3,6 x 10 9 .0639 6 часов (или 415 лет) при достоверности 90%. Это чрезвычайно надежно.

Детали Mini-Circuits спроектированы с учетом высокой надежности в соответствии с конструкционным требованием. Конструкторы принимают во внимание тепловые аспекты и ориентируются на Tj ниже 130 ℃ при самой высокой температуре окружающей среды. Это подтверждается с помощью тепловидения, а надежность подтверждается с помощью HTOL (примечание 1). Если эти условия не выполняются, продукт перерабатывается.

Выводы

Технология HBT совершенствовалась на протяжении многих лет, что привело к появлению высоконадежных усилителей СВЧ и миллиметрового диапазона с превосходными характеристиками в широкополосном диапазоне до 20 ГГц. Шумовые характеристики 1/f HBT сравнимы с характеристиками кремниевых транзисторов, поэтому они предпочтительнее в критических усилителях. Mini-Circuits предлагает широкий ассортимент усилителей HBT, доступных в различных пластиковых и керамических корпусах.

Ссылки

1. Нобелевская премия по физике 1956 года — Джон Бардин, Уолтер Х. Браттейн и Уильям Шокли — Nokia Bell Labs (bell-labs.com)
2. Майкл Гордон, «Утерянная история транзистора», стр. 44-49, IEEE Спектр, май 2004 г.
3. Кремер Х., «Теория широкозонного эмиттера для транзисторов», Proc of IRE, Vol 45, no. 11, PP 1535-1537, ноябрь 1957 г.
4. Герберт Кремер — Нобелевская лекция: квазиэлектрические поля и смещения зон: обучение электронов новым приемам (nobelprize.org)
5. Фазал Али и Адитья Гупта, «HEMT и HBT: устройства, изготовление и схемы», Artech House, 1991.
6. Учебник по радиочастотным полупроводникам (MMIC) — блог Mini-Circuits (minicircuits.com)
7. MMIC Technologies: Псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов (pHEMT) — блог мини-схем (minicircuits.com)
8. Джейкоб Милман и Арвин Грабель, «Микроэлектроника» McGraw-Hill International, 1988
9. Уильям Шокли, «Путь к концепции транзистора-переходника» ”, PP1523-1546, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ЭД-31, №11, 19 ноября84
10. https://www. nobelprize.org/uploads/2018/06/bardeen-lecture.pdf
11. Кремер, Х., «Гетероструктурные биполярные транзисторы и интегральные схемы», P13-25, Proc of IEEE, Vol. 70, № 1, январь 1982 г.
12. P.M.Asbeck et. др. «Биполярные транзисторы с гетеропереходом для интегральных схем микроволнового и миллиметрового диапазона» PP1462-1470, IEEE Transactions On Microwave Theory And Techniques, Vol. МТТ35, № 12, декабрь 1987 г.
13. С.М.Ше и др., «Физика полупроводниковых приборов», Wiley, 2021
14. M.E.Kim et.al, «Устройство на биполярных транзисторах с гетеропереходом GaAs и технология интегральных схем для высокопроизводительных аналоговых и микроволновых приложений», PP1286-1303, IEEE Transactions On Microwave Theory and Techniques, Vol. 37. № 9. Сентябрь 1989 г.
15. КРЕМЕР Х., «Гетероструктурные биполярные транзисторы и интегральные схемы», Proc IEEE, Vol 70, No1, PP 13-25
16. https://www.nobelprize.org/uploads/2018 /06/shockley-lecture.pdf
17. Мини-схемы, «Аддитивный фазовый шум в усилителях» https://blog.