В 50 диод характеристики. Диод В-50: характеристики, применение и особенности использования

Какие основные технические характеристики имеет диод В-50. Для каких целей он применяется. На что следует обратить внимание при его использовании. Как правильно подобрать диод для конкретной схемы.

Содержание

Основные характеристики диода В-50

Диод В-50 представляет собой кремниевый выпрямительный диод средней мощности. Его основные технические характеристики:

Максимальное обратное напряжение: 50 В
Максимальный прямой ток: 1 А
Максимальный импульсный прямой ток: 30 А
Прямое падение напряжения: 1,1 В (при токе 1 А)
Обратный ток: не более 10 мкА (при напряжении 50 В)
Диапазон рабочих температур: от -60°C до +125°C

Диод В-50 выпускается в стеклянном цилиндрическом корпусе длиной 7,2 мм и диаметром 2,6 мм. Выводы диода изготовлены из посеребренной меди.

Области применения диода В-50

Благодаря своим характеристикам, диод В-50 находит применение в следующих областях:

Источники питания малой и средней мощности
Выпрямители переменного тока
Импульсные источники питания
Схемы защиты от перенапряжений
Демпферные цепи в коммутационных схемах

Чаще всего В-50 используется для выпрямления переменного тока частотой 50-60 Гц в маломощных блоках питания бытовой и промышленной электроники.

Особенности использования диода В-50

При применении диода В-50 в электрических схемах следует учитывать следующие особенности:

Напряжение пробоя

Максимальное обратное напряжение для В-50 составляет 50 В. При превышении этого значения возможен пробой диода. Рекомендуется использовать диод при обратных напряжениях не более 40 В для обеспечения запаса надежности.

Прямой ток

Длительный прямой ток через диод не должен превышать 1 А. При больших токах возможен перегрев и выход диода из строя. Для увеличения тока можно использовать параллельное включение нескольких диодов.

Температурный режим

Диод В-50 может работать в широком диапазоне температур от -60°C до +125°C. Однако при повышенных температурах снижается максимально допустимый прямой ток. Рекомендуется обеспечить хороший теплоотвод от корпуса диода.

Выбор диода для конкретной схемы

При подборе диода В-50 для использования в электрической схеме необходимо учитывать следующие параметры:

Обратное напряжение

Максимальное обратное напряжение диода должно быть как минимум в 1,5-2 раза больше амплитудного значения переменного напряжения в схеме. Для В-50 это значение составляет 50 В.

Прямой ток

Средний выпрямленный ток через диод не должен превышать 1 А для В-50. При больших токах необходимо использовать параллельное включение диодов или выбрать более мощный диод.

Частота

Диод В-50 эффективно работает на частотах до 1-2 кГц. Для более высоких частот рекомендуется использовать быстродействующие диоды.

Падение напряжения

Прямое падение напряжения на диоде В-50 составляет около 1,1 В при токе 1 А. Это значение необходимо учитывать при расчете выходного напряжения выпрямителя.

Сравнение диода В-50 с аналогами

Рассмотрим основные отличия диода В-50 от близких по характеристикам аналогов:

Параметр	В-50	1N4001	1N5819
Максимальное обратное напряжение	50 В	50 В	40 В
Максимальный прямой ток	1 А	1 А	1 А
Прямое падение напряжения	1,1 В	1,1 В	0,3-0,5 В
Максимальная рабочая частота	1-2 кГц	1 кГц	>100 кГц

Как видно из таблицы, диод В-50 близок по характеристикам к распространенному диоду 1N4001. Диод 1N5819 является диодом Шоттки и обладает меньшим прямым падением напряжения и более высоким быстродействием.

Проверка исправности диода В-50

Для проверки работоспособности диода В-50 можно использовать следующие методы:

Проверка мультиметром

1. Переключите мультиметр в режим «прозвонки диодов».

2. Подключите черный щуп к катоду диода, красный — к аноду. Исправный диод покажет падение напряжения 0,6-0,7 В.

3. Поменяйте полярность подключения щупов. Исправный диод не должен проводить ток в обратном направлении.

Проверка на работоспособность в схеме

1. Подключите диод к источнику переменного напряжения через резистор 100 Ом.

2. Измерьте осциллографом или вольтметром напряжение на выходе диода.

3. Исправный диод должен пропускать только положительные полуволны сигнала.

При обнаружении неисправности диод В-50 следует заменить на исправный.

Какие характеристики диодов действительно имеют смысл?

Несмотря на свою простоту, некоторые технические характеристики современных диодов могут вызвать вопросы у неопытных разработчиков. Дело в том, что некоторые модели диодов были созданы 30 — 50 лет назад. Тогда же для них создавалась и сопутствующая документация. По этой причине в отрасли все еще используют многие устаревшие характеристики и определения, даже если речь касается новых моделей диодов. Старая документация создавалась с прицелом на оптимизацию серийного производства и минимизацию брака. В ней не учитывалась стратегия нулевых дефектов. Очевидно, что разница между этими подходами значительна.

В этой статье мы обсудим наиболее важные параметры, которые должны учитывать разработчики при выборе диодов. Мы также объясним, каким образом производители тестируют диоды и определяют их характеристики. В свою очередь, эти знания помогут разработчикам правильно оценивать характеристики, приведенные в документации.

Мы обсудим наиболее важные предельно допустимые параметры, такие как импульсный ток и напряжение пробоя, а также связанные с ними характеристики, например, I2t и ?Vf. Мы также рассмотрим максимальную температуру перехода и другие технические характеристики, которые требуются для оценки допустимого нагрева в различных приложениях, включая факторы, влияющие на тепловое сопротивление, а также уменьшение допустимого тока при разогреве (дирейтинг).

В статье будут предложены способы оценки надежности компонентов, а также будут обсуждаться другие параметры, в частности, ток утечки и значения Cpk. В настоящей статье обсуждаются только стандартные кремниевые диоды и мостовые выпрямители. Аналогичный обзор параметров для диодов Шоттки будет выполнен в следующей статье.

Предельно допустимые характеристики

На самом деле у диодов есть только две предельно допустимых характеристики: максимальный импульсный ток Ifsm и напряжение пробоя Vrrm. Превышение допустимых токов и напряжений может привести к катастрофическому отказу компонента. Существует несколько механизмов пробоя диодов. Чтобы определить конкретный механизм пробоя, используют растровые электронные микроскопы (SEM). Катастрофические отказы можно воспроизвести при испытаниях.

Уровень напряжения пробоя диодов Vrrm в обязательном порядке проверяют на производстве. Более того, такая проверка выполняется неоднократно, чтобы гарантировать нулевой уровень брака. В результате, разработчики могут не сомневаться в этом параметре и использовать его в расчетах. С другой стороны, проблемы могут возникнуть из-за превышения Vrrm. Большинство стандартных диодов имеют много различных исполнений с рабочими напряжениями от 100 В до 1000 В, однако для производства каждого из них используют один и тот же тип кристалла (или два типа кристаллов). Дело в том, что при массовом производстве неизбежны отклонения. Это и объясняет различия в значениях напряжения пробоя.

Устройства, в которых диод сталкивается с превышением рейтинга напряжения Vrrm, могут без отказов отработать в лабораторных условиях и в прототипах. Однако при крупносерийном производстве подобных изделий поставщику вряд ли удастся обеспечить нулевой уровень отказов. Как правило, диоды не предназначены для работы в режиме лавинообразного пробоя (если об этом напрямую не сказано в документации).

Превышение Vrrm не рекомендуется, так как лавинный ток обычно происходит по поверхности кристалла, а не в его объеме. Разумеется, если производитель определяет стойкость диода к лавинному пробою, то это очень хорошо и является признаком надежности компонента. Однако к этому нужно относиться очень осторожно, так как условия испытаний, используемые производителем, могут существенно отличаться от параметров конкретной схемы. Очень часто в документации приводят параметры устойчивости диодов к одиночным выбросам напряжения, в то время как для реальных схем, как правило, характерны повторяющиеся импульсы перенапряжений.

Импульсный ток Ifsm не тестируется при серийном производстве, но гарантируется конструкцией самого диода. Длительность импульсов тока в большинстве AC/DC-преобразователей не превышает 1,5 мс. Переходное тепловое сопротивление является ключевым параметром, который определяет надежность работы диода. Устойчивость диода к импульсам тока длительностью 1,5 мс определяется размером кристалла и качеством его разварки. Качество разварки в свою очередь очень сильно зависит от качества паяных соединений и способности производителя минимизировать количество пустот в объеме припоя.

Обычно в документации приводят значения Ifsm для импульса 8,3 мс или синусоидальной волны 10 мс и резистивной нагрузки, что соответствует работе линейного источника питания 50/60 Гц. Очевидно, что эти условия испытаний были разработаны еще в прошлом веке и являются устаревшими, так как современные источники питания в большинстве своем оказываются импульсными и обычно работают с емкостной нагрузкой. Для них длительность пускового тока существенно меньше, чем 10 мс.

Некоторые разработчики стараются использовать значения I2t, которые обычно приводят в документации. Однако здесь также легко ошибиться. Величина прямого падения напряжения Vf не является постоянной даже для больших токов, кроме того формы сигналов различаются. По этой причине I2t позволяет выполнять только ориентировочные расчеты. Таким образом, разработчику в любом случае потребуется проверять свои расчеты на прототипах.

Большинство производителей диодов контролируют значение ?Vf в ходе заключительной программы испытании. В ходе таких испытаний измеряется прямое падение напряжения на диоде (Vf) до и после воздействия короткого импульса тока. Хорошо известно, что для диодов значение Vf имеет отрицательный температурный коэффициент. Таки образом, по изменению ?Vf можно судить о тепловом сопротивлении компонента и при необходимости отбраковывать диоды с плохим качеством разварки кристалла.

Для того чтобы свести к нулю число отказов, необходимо обратиться к производителю и обсудить с ним некоторые аспекты производственных процессов и дирейтинг тока с учетом особенностей вашего конкретного приложения.

Температура перехода

Максимально допустимая температура перехода для диода (Tj) необходима для определения рейтинга тока, а также используется при проведении испытаний надежности и при оценке долгосрочной надежности с использованием уравнения Аррениуса.

Диоды – это устройства с сильной температурной зависимостью. Наиболее важное уравнение, используемое для теплового анализа работы диода, имеет вид:

T_j= T_a + P_d*R_thj-a

где T_j – температура перехода, T_a – температура окружающей среды, P_d – рассеиваемая мощность, а R_thj-a– это теплового сопротивление переход – окружающее пространство.

Если не учитывать ток утечки и потери на переключения, то мощность, рассеиваемую на диоде, можно рассчитать как P_d= I_f* V_f. Так как прямое падение на диоде является величиной практически постоянной, то ограничение мощности в первую очередь определяется рейтингом тока. Очевидно, что допустимый ток зависит от температуры кристалла, а значит и от эффективности отвода тепла от кристалла. Уменьшение предельного тока при разогреве называют «дирейтингом». К сожалению, очень часто из маркетинговых соображений график дирейтинга тока, искусственно «приукрашивается». Если выбрать низкое значение Rthj-a (иногда совсем нереальное) можно сдвинуть точку излома графика в сторону более высоких температур, тем самым сделать дирейтинг тока более привлекательным. В качестве примера мы взяли график снижения тока для 1N4007 (рис. 1).

Рис. 1. Зависимость максимального прямого тока от температуры (дирейтинг) для кремниевого диода общего назначения 1N4007

Как уже было сказано выше, точка излома этой характеристики определяется тепловым сопротивлением кристалл-окружающая среда Rthj-a. Значение Rthj-a может быть выбрано производителем произвольно и очень часто занижается из маркетинговых соображений. Очевидно, что при различных показателях Rthj-a токовая нагрузка диода может изменяться в очень широких пределах. Такой неоднозначности можно избежать, если производитель будет строить график дирейтинга тока в зависимости от температуры корпуса Tc, а не от температуры окружающей среды Ta, и при этом, укажет конкретное значение Rthj-l.

Однако, даже когда производитель указывает дирейтинг с учетом Tc, а не Ta, разработчики все равно должны быть осторожны (особенно в случае с SMD-компонентами). В большинстве устройств тепловое сопротивление состоит из двух частей: тепловое сопротивление переход-корпус (или переход-вывод) и тепловое сопротивление корпус-среда (вывод-среда). Если компонент не имеет внешнего теплоотвода, то основной вклад в общее тепловое сопротивление вносит сопротивление корпус-среда (до 75%). Очевидно, что в таких случаях дирейтинг с учетом Tc становится бессмысленным. Концепция бесконечного радиатора является чисто теоретической – она не может быть реализована на практике.

Производители могут использовать различные условия испытаний, что приводит к тому, что рейтинги тока, представленные в документации, оказываются не столь однозначными и способны вводить в заблуждение разработчиков. Другими словами указание рейтинга тока 2 А или 5 А может не имеет особого практического смысла. Более эффективным будет сравнение диодов по их Vf и по условиям испытаний. Большинство поставщиков включают типовые ВАХ в документацию. Вольт-амперные характеристики являются объективными – их нельзя подстроить по желанию маркетингового отдела. Они позволяют объективно сравнивать диоды.

Максимальная температура перехода также играет очень важную роль с точки зрения надежности. Обратите внимание, что производители диодов могут сами выбирать, как определять максимальную температуру кристалла и как проводить тестирование надежности. Но если компонент сертифицируется согласно требованиям AEC Q101, то условия испытаний становятся четко определенными. Высокотемпературное тестирование с обратным смещением (High-temperature reverse-bias, HTRB) особенно важно для определения надежности. Компоненты, соответствующие требованиям AEC Q101, в обязательном порядке проходят испытания для определения Tj и пробивного напряжения (DC/RMS). Если диод не сертифицирован согласно AEC Q101, то разработчику следует ознакомиться, каким образом производитель выполняет тест HTRB.

Важно понимать, что в документации приводится максимальная температура, однако использование компонента при более низкой температуре позволит снизить количество отказов. Чтобы объяснить эту закономерность, следует изучить факторы ускорения химической реакции в уравнении Аррениуса. Если вы разрабатываете электронику для автомобильной техники с номинальным бортовым напряжением 12 В, то вашими основными инструментами для оценки долгосрочной надежности и вероятности отказов станут модель Коффина-Менсона и испытания с термоциклированием. Однако в случае неавтомобильных приложений, таких как AC/DC- и DC/DC-преобразователи, следует использовать уравнение Аррениуса.

Производители обычно предоставляют значение интенсивности отказов FIT (failures in time) для температуры 55 °C с определенным уровнем достоверности, например, 60% или 90%. Значение FIT определяется как отношение количества отказов на один миллиард устройство-часов. Если разработчик учтет коэффициент ускорения AF, то он сможет определить, каким будет FIT в его устройстве. Коэффициент AF высчитывается для заданной температуры Tj, после чего умножается на значение FIT при 55 °C. В таблице 1 приведены коэффициенты ускорения, рассчитанные с энергией активации 0,7 эВ, которая является стандартной для кремниевых диодов.

Таблица 1. Коэффициенты ускорений для различных температур перехода

Tj (°C)	AF
55	1
100	19
110	34
120	58
130	97
140	158
149	240
150	251
151	263

Во многих компаниях существует правило, согласно которому допустимый перегрев корпусов компонентов не должен превышать 90 °C. Для диодов это обычно соответствует температуре кристалла Tj от 100 °C до 110 °C. Это очень хорошее правило. Мы также включили в таблицу значения AF для 149 °C и 151 °C, чтобы подчеркнуть, что для диодов с максимальной температурой кристалла Tj 150 °C разница в частоте отказов между 149 °C и 151 C не так велика. Однако и в том, и в другом случае уровень отказов оказывается очень высоким.

Другие параметры

Для многих стандартных диодов в документации указывают предельные значения токов утечки (Ir): 1 мкА или 5 мкА. Такие значения были вполне адекватными 30…50 лет назад, однако за эти годы было сделано много технологических улучшений. Сегодня кривая распределения токов утечки ограничивается сотнями нА, в зависимости от размера кристалла. Таким образом, указанные предельные значения 5 мкА или даже 1 мкА не имеют смысла.

В документации обычно указываются значения Cpk (индекса возможностей процесса) от 20 и более. Значение Cpk не характеризует уровень погрешности ppm, но указывает на ошибку указанных значений. На самом деле диоды, для которых ток утечки располагается между нормальным распределением и предельными значениями (от 1 до 5 мкА), являются наиболее вероятными причинами сбоев в работе. Они имеют механические повреждения, проблемы с пассивацией или другие дефекты. Вместо того чтобы полагаться на значения, приведенные в документации, разработчик, стремящийся приблизить количество отказов к нулю, должен спросить у производителя, выполняет ли он PAT-тестирование (part average tested) для своих компонентов (рис. 2).

Рис. 2. PAT-тестирование предназначено для обнаружения явных отклонений

PAT-тестирование оказывается гораздо полезнее, чем табличные предельные значения, и связывает спецификацию теста с нормальным распределением (методология 6 сигм). Это гарантирует, что компоненты с низкой надежностью будут обнаружены. Если диод должен иметь напряжение пробоя 1000 В, но не соответствует этой спецификации, то его либо отбраковывают, либо понижают рейтинг напряжения и продают как 100 В диод. Но первоначальный провал теста показывает, что у компонента есть дефект, и его надежность будет ниже.

Заключение

Диоды производятся миллиардами штук ежегодно. Во время работы им приходится сталкиваться с различными негативными факторами, например бросками напряжения или перегревом. Обычно при исследовании температурного профиля печатной платы оказывается, что именно диоды являются самыми горячими компонентами. В результате риск отказа диодов может быть выше, чем для других компонентов.

Однако, следуя основным правилам и имея представление о процессе производства и программе испытаний, можно минимизировать риск отказа диода при работе в составе реальных устройств.

Источник: http://www.how2power.com

Автор: Йос Ван Лу, Кевин Парментер Перевод: Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)

Разделы: Диоды выпрямительные

Опубликовано: 19.12.2019

Выпрямительные диоды Д161 в штыревом исполнении

Несмотря на то, что дизайн штыревых диодов был разработан пол века назад, они по сей день остаются популярными. Почему? Все дело в резьбовом хвостовике, он обеспечивает монтаж без пайки и сварки.

Выпрямительные диоды используются в преобразователях переменного напряжения в постоянное, что способствует питанию двигателей, сварочных аппаратов и т.д.

Д161 – 400 – 18

Данный диод служит для работы в цепях переменного и постоянного тока различных силовых установок частотой до 500 Гц.

Д161 – 400 – 18 обладает следующими характеристиками в проводящем и блокирующем состоянии: в проводящем состоянии максимальное импульсное прямое напряжение составляет 1.70 В, максимальное динамическое сопротивление составляет 0.500 Мом, максимальное пороговое напряжение составляет 0.90 В. В блокирующем состоянии максимальный повторяющийся импульсный обратный ток имеет значение 50 мА.

Механические характеристики диода: масса – 250 г, длина пути тока утечки по поверхности – 12.4 мм, длина пути тока утечки по воздуху – 12.4 мм.

Д161 – 320х – 18

Д161 — 320х — 18 обладает следующими характеристиками в проводящем и блокирующем состоянии: в проводящем состоянии максимальное импульсное прямое напряжение составляет 1.35 В, максимальное динамическое сопротивление составляет 0.650 Мом, максимальное пороговое напряжение совпадает с Д161 — 400 — 18.

В блокирующем состоянии максимальный повторяющийся импульсный обратный ток имеет значение 50 мА.

Механические характеристики диода совпадают с диодом Д161 — 400 – 18

Д161 – 320 – 18

Д161 — 320 — 18 обладает следующими характеристиками в проводящем и блокирующем состоянии: в проводящем состоянии максимальное импульсное прямое напряжение составляет 1.35 В, максимальное динамическое сопротивление составляет 0.650 Мом, максимальное пороговое напряжение составляет 0.90 В. В блокирующем состоянии максимальный повторяющийся импульсный обратный ток имеет значение 50 мА.

Механические характеристики совпадают с диодами Д161 — 400 -18 и Д161 — 320х — 18.

Д161 – 250 – 18

Д161 — 250 — 18 обладает следующими характеристиками в проводящем и блокирующем состоянии: в проводящем состоянии максимальное импульсное прямое напряжение составляет 1. 35 В, максимальное динамическое сопротивление составляет 0.770 Мом, максимальное пороговое напряжение совпадает с диодами, описанными ранее. В блокирующем состоянии максимальный повторяющийся импульсный обратный ток имеет значение 50 мА.

Д161 – 200 – 18

Д161 — 200 — 18 обладает следующими характеристиками в проводящем и блокирующем состоянии: в проводящем состоянии максимальное импульсное прямое напряжение составляет 1.35 В, максимальное динамическое сопротивление составляет 0.850 Мом, максимальное пороговое напряжение составляет 0.90 В. В блокирующем состоянии максимальный повторяющийся импульсный обратный ток имеет значение 50 мА.

Механические характеристики совпадают с диодами Д161 – 250 – 18, Д161 – 320 – 18, Д161 – 320х – 18, Д161 – 400 – 18.

Смотрите другие диоды:

Выпрямительные диоды Д133
Выпрямительные диоды Д143
Выпрямительные диоды Д253 в таблеточном исполнении

Диод STEALTH™ 50 А, 600 В

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Заголовок >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать Acrobat Distiller 18.0 (Windows)BroadVision, Inc.2020-03-13T18:53:52+01:002020-03-13T18:51:16+01:002020-03-13T18:53:52+01:00application/pdf

FFH50US60S — Диод STEALTH™ 50 А, 600 В

ОН Полупроводник

FFH50US60S — это диод STEALTH™, оптимизированный для работы с малыми потерями при выпрямлении на выходе.

UUID: 7ac96ac4-53b4-4b0f-91e1-ca7ecc181e0duuid: 1f981936-509a-49e8-9e95-6f50db3cfd96 конечный поток эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9+v|raH|4{91ǴVYZ#%#xO&$jF:~k3ᅦH),FN&sLXQV~fgk!F»~r5

Характеристики диода Шоттки и применение

Диоды Шоттки используются из-за их низкого включения напряжения, быстрое время восстановления и малые потери энергии на более высоких частотах. Эти характеристики делают диоды Шоттки способными выпрямлять ток, способствуя быстрому переходу из проводящего состояния в запирающее.Поэтому диоды Шоттки часто являются идеальным выбором для полупроводниковых устройств во многих приложениях. , Вот пять наиболее распространенных применений диодов Шоттки.

Радиочастотные смесители и детекторные диоды

Диоды Шоттки имеют высокую скорость переключения и высокочастотные характеристики, что делает их хорошо приспособленными для использования в радиочастотных приложениях. Кроме того, диоды Шоттки имеют различные конфигурации перехода металл-полупроводник, что делает эти полупроводниковые устройства полезными в схемах детекторов мощности или смесителей.

Применение в силовых выпрямителях

Полупроводниковые диоды Шоттки лучше всего подходят для использования в силовых выпрямителях, поскольку эти устройства имеют как высокую плотность тока, так и низкое прямое падение напряжения (например, 1,27 В при 25 °C, 1,37 В при 175 °C для C6D10065A для 650-В SiC-диода Шоттки), в отличие от характеристик обычных устройств с PN-переходом. Эти преимущества способствуют более низкому уровню нагрева, меньшему количеству радиаторов, включенных в конструкцию, и общему повышению эффективности электронной системы.

Силовые или цепные приложения

Диоды Шоттки могут использоваться в приложениях, где ток генерируется двумя параллельными источниками питания. Характеристики диода Шоттки делают его хорошо приспособленным для использования в силовых или схемных приложениях из-за низкого падения напряжения в прямом направлении. Наличие этих диодов также предотвращает протекание обратного тока от одного источника к другому.

Применение солнечных элементов

Солнечные элементы часто подключаются к перезаряжаемым батареям для хранения энергии, поскольку солнце недоступно в качестве источника энергии 24 часа в сутки. SiC-диоды Шоттки предотвращают разряд батарей через солнечные элементы в ночное время и предотвращают разряд высокоэффективных солнечных элементов через солнечные элементы с более низкими характеристиками.

Зажимные диоды

Диоды Шоттки используются в качестве переключателей в быстрозажимных диодах. В этом приложении базовый переход смещен в прямом направлении. С диодами Шоттки значительно сокращается время выключения и увеличивается быстродействие схемы.

Компания Wolfspeed производит одни из самых качественных и надежных полупроводников с запрещенной зоной в мире, о чем свидетельствуют более 4,7 триллионов рабочих часов и самый низкий показатель FIT. Обладая более чем 14-летним опытом производства коммерческих диодов, ориентированных на SiC, и более чем 25-летним опытом работы с электронными устройствами, компания Wolfspeed стремится поставлять диоды Шоттки с более высокими частотами переключения, меньшими потерями при переключении и более низкими рабочими температурами без необходимости какой-либо дополнительной модификации системы. Кроме того, Wolfspeed предлагает SiC-диоды Шоттки с различными номиналами тока, напряжения и вариантами корпусов, чтобы удовлетворить почти любые требования приложений.

Основные характеристики диода В-50

Области применения диода В-50