Vcc vdd. Обозначения напряжения питания в электронике: VCC, VDD, VSS и другие

Что означают обозначения VCC, VDD, VSS на электрических схемах. Какая между ними разница. Для чего используются разные обозначения напряжения питания. Как правильно подключать питание к микросхемам.

Содержание

Основные обозначения напряжений питания

В электронных схемах часто встречаются различные обозначения для напряжений питания. Наиболее распространенными являются:

  • VCC — положительное напряжение питания для биполярных схем
  • VDD — положительное напряжение питания для МОП-схем
  • VSS — отрицательное напряжение питания или «земля»
  • VEE — отрицательное напряжение питания для биполярных схем
  • GND — обозначение «земли»

Разберемся подробнее, что означают эти обозначения и почему они используются.

Происхождение обозначений VCC, VDD, VSS

Обозначения напряжений питания берут свое начало из стандарта IEEE 255-1963 «Буквенные символы для полупроводниковых устройств». Согласно этому стандарту:

  • V — обозначает напряжение
  • CC — от «collector-collector», напряжение между коллекторами биполярных транзисторов
  • DD — от «drain-drain», напряжение между стоками полевых транзисторов
  • SS — от «source-source», напряжение между истоками полевых транзисторов

Таким образом, изначально VCC обозначало напряжение питания для биполярных схем, а VDD — для схем на полевых транзисторах.


Разница между VCC и VDD

В современной электронике различие между VCC и VDD во многом стерлось. Тем не менее, можно выделить следующие отличия:

  • VCC чаще используется для обозначения питания аналоговых схем
  • VDD обычно применяется для цифровых схем и микропроцессоров
  • VCC может иметь более высокое напряжение (3.3В, 5В), чем VDD (1.8В, 1.2В)
  • В некоторых микросхемах VCC и VDD — разные линии питания

На практике во многих случаях VCC и VDD взаимозаменяемы и обозначают положительное напряжение питания.

Назначение VSS и VEE

VSS и VEE используются для обозначения отрицательного напряжения питания или «земли»:

  • VSS — чаще всего обозначает общий провод (землю) в цифровых схемах
  • VEE — отрицательное напряжение питания в биполярных схемах
  • В большинстве случаев VSS подключается к земле (0В)
  • VEE может иметь отрицательное значение напряжения относительно земли

Таким образом, VSS обычно равно 0В, а VEE может быть отрицательным напряжением.

Обозначение GND

GND (от англ. ground — земля) — это еще одно распространенное обозначение общего провода или нулевого потенциала в схеме. Особенности GND:


  • Обычно соединяется с корпусом устройства
  • Служит точкой отсчета для всех напряжений в схеме
  • Может объединять аналоговую и цифровую «землю»
  • В большинстве случаев GND = VSS = 0В

GND является универсальным обозначением «земли» и часто используется вместо VSS.

Почему используются разные обозначения питания?

Использование различных обозначений для напряжений питания обусловлено следующими причинами:

  • Разделение аналоговых и цифровых цепей питания
  • Обозначение разных уровней напряжения (например, 5В и 3.3В)
  • Совместимость с разными типами схем (биполярными и МОП)
  • Указание на функциональное назначение линии питания
  • Соблюдение стандартов и традиций схемотехники

Правильное использование обозначений помогает лучше понять структуру и работу электронного устройства.

Особенности питания современных микросхем

В современных микросхемах и микроконтроллерах часто используется несколько линий питания. Это связано со следующими факторами:

  • Наличие аналоговых и цифровых блоков с разным напряжением питания
  • Необходимость снижения энергопотребления отдельных узлов
  • Требования к помехозащищенности и изоляции цепей
  • Обеспечение совместимости с различными стандартами интерфейсов

Поэтому в документации на микросхемы можно встретить обозначения VDDA, VSSA, VDD_IO и другие.


Правила подключения питания к микросхемам

При подключении питания к микросхемам следует соблюдать следующие правила:

  1. Внимательно изучить документацию и рекомендуемую схему включения
  2. Соблюдать полярность и уровни напряжений питания
  3. Использовать развязывающие конденсаторы для каждого вывода питания
  4. При наличии нескольких линий питания подключать их в правильной последовательности
  5. Обеспечить надежное заземление и разделение цифровой и аналоговой «земли»

Правильное подключение питания — залог надежной работы электронного устройства.

Заключение

Обозначения напряжений питания VCC, VDD, VSS и другие играют важную роль в электронных схемах. Они позволяют различать типы и уровни питающих напряжений, а также функциональное назначение линий питания. Понимание этих обозначений помогает правильно читать принципиальные схемы и грамотно проектировать электронные устройства.


arduino — В чем разница между Vcc, Vdd, Vee и Vss

Vcc, Vee, Vdd, Vss — откуда такие обозначения?

Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Напряжение (относительно земли) на коллекторе (collector), эмиттере (emitter) и базе (base) обозначают Vc, Ve и Vb. Резисторы подключенные к выводам транзистора обозначим Rc, Re и Rb. Напряжение на дальних (от транзистора) выводах резисторов часто обозначают Vcc, Vee и Vbb.

На практике, например для NPN транзистора включенного по схеме с общим эмиттером,

Vcc соответствуют плюсу, а Vee минусу источника питания. Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот. Аналогичные рассуждения для полевых транзисторов N-типа и схемы с общим истоком дают объяснение обозначений Vdd и Vss (D — drain, сток; S — source, исток): Vdd — плюс, Vss — минус.

Обозначения напряжений на выводах вакуумных ламп могут быть следующие: Vp (plate, anode), Vk (cathode, именно K, не C), Vg (grid, сетка).

Как написано выше, Vcc и Vee используются для схем на биполярных транзисторах (Vcc — плюс, Vee — минус), а Vdd и Vss для схем на полевых транзисторах (Vdd — плюс, Vss — минус). Такое обозначение не совсем корректно, так как микросхемы состоят из комплементарных пар транзисторов. Например, у КМОП микросхем, плюс подключен к P-FET истокам, а минус к N-FET истокам. Тем не менее, это традиционное устоявшее обозначение для цепей питания независимо от типа проводимости используемых транзисторов. Для схем с двух полярным питанием Vcc и Vdd могут интерпретироваться как наибольшее положительное, а Vee и Vss как самое отрицательное напряжение в схеме относительно земли.

Для микросхем питающихся от одного или нескольких источников одной полярности минус часто обозначают GND (земля). Земля может быть разной, например, сигнальная, соединение с корпусом, заземление.

Не знаю разрешено ли указывать сторонние ресурсы, но мне кажется будет нечестным умалчивать автора. РадиоКот

Обозначение цепей питания в иностранных материалах

РадиоКот >Статьи >

Обозначение цепей питания в иностранных материалах

Каждый человек увлекающийся электроникой сталкивается с материалами иностранного происхождения. И будь то схема электронного устройства или спецификация на чип, там могут встречаться множество различных обозначений цепей питания, которые вполне могут ввести в замешательство начинающего или незнакомого с этой темой радиолюбителя. В интернете достаточно информации чтобы внести ясность в этот вопрос. Далее кратко изложено то что было найдено о происхождении обозначений и их применении.

 

VCC, VEE, VDD, VSSоткуда такие обозначения? Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Напряжение (относительно земли) на коллекторе (collector), эмиттере (emitter) и базе (base) обозначают VC, VE и VB. Резисторы подключенные к выводам транзистора обозначим RC, R

E и RB. Напряжение на дальних (от транзистора) выводах резисторов часто обозначают VCC, VEE и VBB. На практике, например для NPN транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, VCC соответствуют плюсу, а VEE минусу источника питания. Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот.

Аналогичные рассуждения для полевых транзисторов N-типа и схемы с общим истоком дают объяснение обозначений VDD и VSS (D — drain, сток; S — source, исток): VDD — плюс, VSS — минус.

Обозначения напряжений на выводах вакуумных ламп могут быть следующие: VP (plate, anode), VK (cathode, именно K, не C), VG (grid, сетка).

 

Как написано выше, Vcc и Vee используются для схем на биполярных транзисторах (V

CC — плюс, VEE — минус), а Vdd и Vss для схем на полевых транзисторах (VDD — плюс, VSS — минус). Такое обозначение не совсем корректно, так как микросхемы состоят из комплементарных пар транзисторов. Например, у КМОП микросхем, плюс подключен к P-FET истокам, а минус к N-FET истокам. Тем не менее, это традиционное устоявшее обозначение для цепей питания независимо от типа проводимости используемых транзисторов.

Для схем с двух полярным питанием VCC и VDD могут интерпретироваться как наибольшее положительное, а VEE и VSS как самое отрицательное напряжение в схеме относительно земли.

Для микросхем питающихся от одного или нескольких источников одной полярности минус часто обозначают GND (земля). Земля может быть разной, например, сигнальная, соединение с корпусом, заземление.

 

Вот перечень некоторых обозначений (далеко не полный).

Обозначение

Описание

Заметки

GND

Земля (минус питания)

Ground

AGND

Аналоговая земля (минус питания)

Analog ground

DGND

Цифровая земля (минус питания)

Digital ground

Vcc
Vdd
V+
VS+

Плюс питания
(наибольшее положительное напряжение)

 

Vee
Vss
V-
VS−

Земля, минус питания
(самое отрицательное напряжение)

 

Vref

Опорное напряжение
(для АЦП, ЦАП, компараторов и др.)

Reference (эталон, образец)

Vpp

Напряжение программирования/стирания

(возможно pp = programming power)

VCORE
VINT

Напряжение питания ядра
(например, в ПЛИС)

Core (ядро)

Internal (внутренний)

VIO
VCCIO

Напряжение питания периферийных схем
(например, в ПЛИС)

Input/Output (ввод/вывод)

 

Как видно, часто обозначения образуются путём добавления слова, одной или нескольких букв (возможно цифр), которые соответствуют буквам в слове отражающем функцию цепи (например, как Vref).

Иногда обозначения Vcc и Vdd могут присутствовать у одной микросхемы (или устройства), тогда это может быть, например, преобразователь напряжения. Так же это может быть признаком двойного питания. В таком случае, обычно, Vcc соответствует питанию силовой или периферийной части, Vdd питанию цифровой части (обычно Vcc>=Vdd), а минус питания может быть обозначен Vss.

Совмещение в современных микросхемах различных технологий, традиции, или какие-то другие причины, привели к тому, что нет чёткого критерия для выбора того или иного обозначения. Поэтому бывает, что обозначения «смешивают», например, используют VCC вместе с VSS или VDD вместе с VEE, но смысл, обычно, сохраняется — VCC > VSS, VDD > VEE. Например, практически повсеместно, можно встретить в спецификации на микросхемы серии 74HC (HC = High speed CMOS), 74LVC и др., обозначение питания как Vcc. Т.е. в спецификации на CMOS (КМОП) микросхемы используется обозначение для схем на биполярных транзисторах.

Текстов какого либо стандарта (ANSI, IEEE) по этой теме найти не удалось. Именно поэтому в тексте встречаются слова «может быть», «иногда», «обычно» и подобные. Несмотря на это, приведённой информации вполне достаточно, чтобы чуть лучше ориентироваться в иностранных материалах по электронике.

 

Информация собрана из различных источников в сети Интернет.
Специально для сайта radiokot.ru


Все вопросы в Форум.


Как вам эта статья?

Заработало ли это устройство у вас?

В чем разница между V CC VCC, V DD VDD, V EE VEE, V SS VSS

Я думаю, что у меня может быть определенный ответ на это. Это название взято из стандарта IEEE 1963 года 255-1963 «Буквенные символы для полупроводниковых устройств» (IEEE Std 255-1963). Я фанат истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, заглавная буква V начинается с пунктов 1.1.1 и 1.1.2 стандарта, которые определяют, что v и V являются символами количества, описывающими напряжение; в нижнем регистре это мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем — максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

Параграф 1.2 начинает определять индексы для количественных символов. Подстрочные буквы в верхнем регистре означают значения постоянного тока, а строчные — средние значения переменного тока. Напряжения питания, очевидно, являются напряжениями постоянного тока, поэтому их буквы должны быть в верхнем регистре.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) с. Эти:

  • E, E для эмиттера
  • B, B для базы
  • C, C для коллекционера
  • J, j для терминала универсального полупроводникового устройства
  • А, Анод
  • K, k для катода
  • G, G для ворот
  • X, x для общего узла в цепи
  • М, м для максимума
  • Мин, мин для минимума
  • (AV) для среднего

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и, таким образом, не имеет букв для источников и стоков. С тех пор он был заменен новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта в наличии.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение более увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, что теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной справки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся подписки, особенно когда их несколько. Пожалуйста, прочитайте слова стандарта:

Так, например, V bE означает среднеквадратическое значение (заглавная V) компонента переменного тока (нижний регистр b) Напряжения на базе полупроводникового устройства в отношении значения постоянного тока Напряжения эмиттера полупроводникового устройства (верхний регистр E ).

В случае, если указанный полупроводниковый излучатель напрямую подключен к земле, что, безусловно, считается известным эталоном, тогда среднеквадратичное напряжение переменного тока на базе составляет V b . Постоянное или среднеквадратичное напряжение на базе равно V B, а мгновенное напряжение на базе равно v b .

Теперь о дополнительном кредите: почему V CC вместо V C или V DD вместо V D ? Раньше я думал, что это словосочетание от «Напряжение от коллектора до коллектора», но, очевидно, неудивительно, что оно также определено в стандарте:

Таким образом, V CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового устройства относительно базы устройства, а V CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Прежде всего, случаи, которые кажутся неоднозначными, довольно редки; чтение V CC означает, что напряжение от коллектора устройства к коллектору того же самого устройства является абсолютно нулевым, поэтому нет смысла описывать его. Но что произойдет, если устройство имеет две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение от базы 1 устройства до базы 2 устройства записывается как V B1-B2 . А напряжение от базы устройства 1 до базы устройства 2 (обратите внимание — это интересно) записывается как V 1B-2B .

Остается один вопрос: таинственный случай схем CMOS. Как уже указывалось в других ответах, стандарт именования, по-видимому, не выполняется в отношении схем CMOS. На этот вопрос я могу предложить только понимание того, что я работаю в полупроводниковой компании. («Whoah» ожидается здесь.)

Действительно, в CMOS положительные и отрицательные шины подключены к источникам каналов N и P — это практически невозможно сделать другим способом — пороговые напряжения стали бы неоднозначными в стандартных затворах, и я даже не хочу думать о защитных структурах … так что я могу просто предложить следующее: мы привыкли видеть V DD в цепях NMOS (Greetz to @supercat, резистор верхнего рельса действительно обычно является транзистором — для тех, кто заинтересован, пожалуйста, посмотрите превосходную книгу 1983 года » Введение в MOS LSI Design »), и V SS одинакова как для NMOS, так и для CMOS. Поэтому было бы смешно использовать в наших таблицах любые другие термины, кроме V DD и V SS (или V GND ). Наши клиенты привыкли к этим терминам, и они не заинтересованы в эзотерике, а в том, чтобы заставить их проекты работать, поэтому даже попытка представить что-то вроде V SS POSITIVE или V SS NEGATIVE была бы совершенно нелепой и контрпродуктивной.

Поэтому я должен сказать, что просто общепринятым является то, что V CC является напряжением питания биполярной цепи, а V DD является напряжением питания схемы MOS, и это происходит из истории. Аналогично, V EE — это отрицательное напряжение питания (часто заземление) биполярной цепи, а V SS — это отрицательное напряжение питания МОП-цепи.

Если бы кто-то мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый вопрос, я был бы безмерно благодарен!

Символы питания: что означают VCC, VDD, VEE, VSS и VBAT?

Power Symbols What Do Vcc


Ниже приведена схема контактов stm32vet6:


В схемотехнике и производстве печатных плат часто встречаются символы мощности: VCC, VDD, VEE, VSS, VBAT, какие отношения у них есть?
1. Объяснение
(1) VCC: C = цепь означает цепь, то есть напряжение, подключенное к цепи.
(2) VDD: D = устройство означает устройство, то есть внутреннее рабочее напряжение устройства.
(3) VSS: S = серия означает общее соединение, обычно относится к напряжению общей клеммы заземления цепи.
(4) VEE: источник питания отрицательного напряжения полевой трубки (S)
(5) VBAT: при подключении к выводу VBAT с батареей или другим источником питания, когда VDD выключен, содержимое резервного регистра может быть сохранено, а функция RTC может поддерживаться. Если в приложении не используется внешняя батарея, вывод VBAT должен быть подключен к выводу VDD.


2. Описание
1. Для цифровых схем VCC — это напряжение питания схемы, VDD — рабочее напряжение микросхемы (обычно Vcc> Vdd), а VSS — точка заземления.
Например, для микроконтроллера ARM напряжение источника питания VCC обычно составляет 5 В, которое обычно преобразуется в рабочее напряжение микроконтроллера VDD = 3,3 В через модуль регулятора напряжения.
2. Некоторые ИС имеют как вывод VDD, так и вывод VCC, что указывает на то, что это устройство имеет функцию преобразования напряжения.
3. В полевой трубке (или устройстве COMS) VDD является стоком, а VSS — источником. VDD и VSS относятся к контактам компонента, а не к напряжению питания.


1. Почему должно выйти 5 пар VDD VSS?
2. Какие модули 5 групп VDD VSS отвечают за питание? Это отдельно? Все еще вместе?


Это связано с конструкцией микросхемы. Как правило, выводы VDD и VSS равномерно распределены по микросхеме. Исходя из соображений целостности питания, он может обеспечить наилучшее качество электроэнергии для микросхемы, снизить импеданс источника питания и обеспечить надежную работу высокоскоростных цифровых схем.



1. Внутри DSP имеется множество функциональных блоков. Эти блоки необходимо запитать. Многоконтактный источник питания можно использовать для получения питания поблизости, не пересекаясь внутри.
2. Иногда разные устройства не хотят, чтобы источники питания влияли друг на друга. Использование независимых выводов источника питания может избежать этого эффекта.
3. При фактическом использовании не только каждый вывод должен быть подключен к источнику питания, но также должен быть добавлен разделительный конденсатор рядом с выводом источника питания.
Цель состоит в том, что при работе устройства изменение тока вызовет небольшое колебание напряжения источника питания. После добавления развязывающего конденсатора это колебание нелегко передать на другой вывод источника питания.

Мощность

— В чем разница между \ $ V_ {CC} \ $, \ $ V_ {DD} \ $, \ $ V_ {EE} \ $, \ $ V_ {SS} \ $

Думаю, у меня есть однозначный ответ на этот вопрос. Это название происходит из стандарта IEEE 255-1963 1963 года «Буквенные символы для полупроводниковых устройств» (IEEE Std 255-1963). Я фанатик истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, первая заглавная буква V происходит из параграфа 1 стандарта.1.1 и 1.1.2, которые определяют, что v и V — количественных символов , описывающих напряжение; в нижнем регистре это означает мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем регистре — максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

Параграф 1.2 начинает определять индексы для символов количества. Подстрочные буквы в верхнем регистре означают средние значения постоянного тока и нижний регистр — средние значения переменного тока. Напряжения питания, очевидно, являются напряжениями постоянного тока, поэтому их буквы должны быть заглавными.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) s. Это:

  • E, e для излучателя
  • B, b для Base
  • C, c для коллектора
  • Дж, Дж для клеммы полупроводникового прибора общего назначения
  • А, а для анода
  • K, k для Kathode
  • G, g для ворот
  • X, x для общего узла в цепи
  • M, м для максимальной
  • Мин, мин для Минимум
  • (AV) для среднего

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и, следовательно, не имеет букв для источника и стока.С тех пор он был заменен более новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, которое теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной ссылки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся индексы, особенно когда их больше одного.Прочтите, пожалуйста, слова стандарта:

Так, например, V bE означает среднеквадратичное значение (заглавная V) составляющей переменного тока (нижний регистр b) напряжения на базе полупроводникового устройства по отношению к значению постоянного тока напряжения эмиттера полупроводникового устройства ( верхний регистр E).

В случае, если упомянутый полупроводниковый эмиттер напрямую подключен к земле, что, безусловно, считается известным эталоном, тогда среднеквадратичное напряжение переменного тока на базе составляет V b .Напряжение постоянного или среднеквадратичного значения на базе составляет V B , а мгновенное напряжение на базе составляет v b .

Теперь о дополнительном балле: почему V CC вместо V C или V DD вместо V D ? Раньше я думал, что это разговорный термин от «Напряжение от коллектора до коллектора», но, очевидно, неудивительно, что оно также определено в стандарте:

So V CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового прибора относительно базы устройства, а V CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование нижнего индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Во-первых, случаи, которые кажутся неоднозначными, довольно редки; считывание V CC означает, что напряжение от коллектора устройства к коллектору того же устройства явно равно нулю, поэтому нет смысла его описывать. Но что будет, если в устройстве две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение между базой 1 устройства и базой 2 устройства записывается как V B1-B2 .А напряжение от базы устройства 1 до базы устройства 2 (обратите внимание — это интересно) записывается как V 1B-2B .

Остается один вопрос: загадочный случай схем CMOS. Как было хорошо указано в других ответах, стандарт именования, похоже, не выполняется в отношении схем CMOS. Отвечая на этот вопрос, я могу предложить только понимание, которое проистекает из того факта, что я работаю в полупроводниковой компании. (здесь ожидается «ого»)

Действительно, в CMOS и положительная, и отрицательная шины подключены к источникам каналов N и P — почти невозможно сделать это по-другому — пороговые напряжения стали бы неоднозначными в стандартных вентилях, и я даже не хочу думать о защитных сооружениях… так что я могу просто предложить это: мы привыкли видеть V DD в схемах NMOS (Greetz to @supercat, резистор верхней шины действительно , обычно это транзистор — для тех, кто заинтересован, пожалуйста, посмотрите превосходный Книга 1983 г. «Введение в конструкцию MOS LSI»), а V SS одинаков как для NMOS, так и для CMOS. Таким образом, для нас было бы нелепо использовать любые другие термины, кроме V DD и V SS (или V GND ) в наших таблицах данных. Наши клиенты привыкли к этим терминам, и они не заинтересованы в эзотерике, а в том, чтобы заставить их проекты работать, поэтому даже идея попытки представить что-то вроде V SS POSITIVE или V SS NEGATIVE будет совершенно нелепо и контрпродуктивно.

Итак, я должен сказать, что общепринято, что V CC — это напряжение питания биполярной схемы, а V DD — это напряжение питания МОП-схемы, и это уходит корнями в прошлое. Точно так же V EE — отрицательное напряжение питания (часто заземление) биполярной схемы, а V SS — отрицательное напряжение питания МОП-схемы.

Если бы кто-то мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый пункт, я был бы безмерно признателен!

Что означают Vdd и Vss? Vcc и Ви ?? GND?

Всегда было немного интригующе и даже сбивало с толку номенклатура этих напряжений питания ( Vdd и Vss ) или ( Vcc и Vee ).

Следующие изображения стоят тысячи слов…
VDD, VSS, Vcc и Vee в Cadenceschematic

В настоящее время всегда используется Vdd и Vss для обозначения положительного и отрицательного напряжения соответственно. Vdd обычно составлял 5 В, но в настоящее время составляет 3,3 В или даже ниже 1,8 В или 1,2 В. Vss считается нулевым вольт.

Но Меня учили , в старшей школе и в первые годы обучения электронике, что Vcc — это положительное напряжение (обычно 5 вольт), но когда мы добираемся до некоторых схем, мы находим контакты Vdd, Vss и Vdd.Возможно, многих это не заинтриговало, но если вы это читаете, возможно, да. Итак, продолжим:

Что такое номенклатура?

Это зависит от типа транзисторов , которые электронное устройство имеет внутри микрочипа, схемы или микроконтроллера.

Если внутренне сформировано биполярных транзисторов (BJT) , то номенклатура будет:
Vcc для напряжения, приложенного к коллектору транзисторов
Vee для напряжения, приложенного к транзистор Эмиттер , ножка

Если внутри построен полевой транзистор (FET, MOSFET ), номенклатура будет:
Vss для напряжения, приложенного к транзистору Source pin
для напряжения, приложенного к стоку транзисторов

Итак, какова полярность каждого из них?

Поскольку в качестве эталона используются транзисторы NPN и NMOS:
Vcc и Vdd — положительные напряжения питания
Vee и Vss — отрицательные напряжения питания или подключены к земле.


Надеюсь, это будет вам полезно!

Разница между VCC, VDD, VEE и VSS

При проектировании схем и производстве печатных плат часто встречаются символы питания: VCC, VDD, VEE, VSS, какие у них отношения?

Сначала объясните

Vcc: c = circuit обозначает значение схемы, то есть напряжение цепи доступа

Vdd: d = device указывает значение устройства, то есть рабочее напряжение внутри устройства;

Vss: s = серия указывает значение общего подключения, обычно обозначаемое как напряжение на клемме общего заземления цепи

Секунда.описание

1, для цифровой схемы VCC — это напряжение питания схемы, VDD — рабочее напряжение микросхемы (обычно VCC> VDD), VSS — это место срабатывания.

2. Некоторые ICS имеют как вывод VDD, так и вывод VCC, что указывает на то, что само устройство имеет функцию преобразования напряжения.

3. В эффекторе присутствия (или устройстве COM) VDD — сток, VSS — исток, а Vdd и VSS относятся к выводу компонента, а не к напряжению питания.Сеть связи DSP DSP Learning First Forum Применение и продвижение технологий DSP Платформа услуг по разработке DSP

4, обычно vcc = аналоговый источник питания, vdd = цифровой источник питания, vss = цифровое заземление, vee = отрицательный источник питания

Другое объяснение:

VCC и VDD — это сторона питания устройства. VCC — это плюс биполярного устройства, а VDD — в основном одноступенчатое устройство. Под нижним индексом можно понимать коллектор C NPN-транзистора и электрод стока d PMO или полевой трубки с нанометровым микроскопом.Также вы можете видеть Vee и VSS на принципиальной схеме, что означает одно и то же. Поскольку основной структурой микросхем является кремниевый NPN, VCC обычно положительный. Если вы используете структуру PNP, VCC отрицательный. Выбирая микросхему, необходимо посмотреть электрические параметры.

VCC выводится из напряжения питания коллектора, напряжения коллектора, обычно используемого для биполярных транзисторов, трубка PNP представляет собой отрицательное напряжение питания, иногда обозначается как VCC, трубка NPN представляет собой положительное напряжение. Сеть связи DSP DSP Learning First Forum Применение и продвижение технологий DSP Платформа услуг по разработке DSP

VDD выводится из напряжения питания стока, напряжения стока, для схем МОП-транзисторов и обычно является правильным для источников питания.Поскольку транзисторы PMOS редко используются по отдельности, VDD часто подключается к истоку лампы PMOS в схеме CMOS

.

Напряжение источника питания VSS, отрицательный источник питания в цепи CMOS, в одном источнике относится к 0 вольт или заземлению.

Напряжение питания эмиттера

Vee, напряжение эмиттера, обычно используется для отрицательных напряжений питания схем ECL.

VBB Базовое напряжение питания цепи общей базы биполярных транзисторов. Сеть связи DSP DSP Learning First Forum Применение и продвижение технологий DSP Платформа услуг по разработке DSP

Описание схемы: DSP Сеть связи DSP Learning First Forum Применение и продвижение технологии DSP Платформа DSP Development Service Platform

Единое решение:

VDD: напряжение питания (униполярное устройство), напряжение питания (цифровая цепь серии 4000), напряжение стока (полевая трубка)

VCC: напряжение питания (биполярное устройство), напряжение питания (цифровая цепь серии 74), несущая голоса (несущая с голосовым управлением)

VSS :: Земля или минус питания

VEE: источник отрицательного напряжения, источник полевой трубки (S)

VPP: Программирование / стирание напряжения.

Детальный

В электронной схеме VCC — это напряжение питания схемы, а VDD — рабочее напряжение микросхемы:

Vcc: c = схема представляет значение схемы, то есть напряжение цепи доступа, d = устройство означает устройство, то есть рабочее напряжение внутри устройства в обычной электронной схеме, обычно VCC> VDD !

Vss: s = series указывает на значение публичного подключения, то есть отрицательное.

Некоторые ИС имеют VCC и VDD одновременно, а устройство имеет функцию преобразования напряжения.

В «эффекте поля» — это элемент COM, VDD — это вывод стока CMOS, VSS — вывод источника CMOS, который является символом вывода компонента, у него нет имени «VCC», ваша проблема содержит 3 символа, Vcc / vdd / vss, что явно является символом цепи.

символов питания: что означают VCC, VDD, VEE, VSS и VBAT?

Схема выводов stm32vet6:

В схемотехнике и производстве печатных плат часто встречаются символы мощности: VCC, VDD, VEE, VSS, VBAT, какие отношения между ними?
1.Пояснение
(1) VCC: C = цепь означает цепь, то есть напряжение, подключенное к цепи
(2) VDD: D = устройство означает устройство, то есть внутреннее рабочее напряжение устройства;
(3) VSS: S = серия означает общее соединение, обычно относится к напряжению общей клеммы заземления цепи
(4) VEE: источник питания с отрицательным напряжением; источник полевой трубки (S)
(5) VBAT: при подключении к контакту VBAT с батареей или другим источником питания, когда VDD выключен, содержимое резервного регистра может быть сохранено, и функция RTC может быть поддерживается.Если в приложении не используется внешняя батарея, вывод VBAT должен быть подключен к выводу VDD.


2. Описание
1. Для цифровых схем VCC — это напряжение источника питания схемы, VDD — рабочее напряжение микросхемы (обычно Vcc> Vdd), а VSS — точка заземления.
Например, для микроконтроллера ARM напряжение источника питания VCC обычно составляет 5 В, которое обычно преобразуется в рабочее напряжение микроконтроллера VDD = 3,3 В через модуль регулятора напряжения
2.Некоторые ИС имеют как вывод VDD, так и вывод VCC, что указывает на то, что это устройство имеет функцию преобразования напряжения.
3. В полевой трубке (или устройстве COMS) VDD является стоком, а VSS — источником. VDD и VSS относятся к выводам компонента, а не к напряжению питания.


1. Почему должно выходить 5 пар VDD VSS?
2. Какие модули 5 групп VDD VSS отвечают за питание? Это отдельно? Все еще вместе?


Это связано с конструкцией микросхемы.Как правило, выводы VDD и VSS равномерно распределены по микросхеме. Исходя из соображений целостности питания, он может обеспечить наилучшее качество электроэнергии для микросхемы, снизить импеданс источника питания и обеспечить надежную работу высокоскоростных цифровых схем.


1. Внутри DSP имеется множество функциональных блоков. Эти блоки необходимо запитать. Многоконтактный источник питания можно использовать для получения питания поблизости, не пересекаясь внутри.
2. Иногда разные устройства не хотят, чтобы источники питания влияли друг на друга.Использование независимых выводов источника питания позволяет избежать этого эффекта.
3. При фактическом использовании не только каждый вывод должен быть подключен к источнику питания, но также должен быть добавлен разделительный конденсатор рядом с выводом источника питания.
Назначение состоит в том, что при работе устройства изменение тока вызовет небольшие колебания напряжения источника питания. После добавления развязывающего конденсатора это колебание нелегко передать на другой вывод источника питания.

Vcc, Vdd, Vss | Форум электроники (схемы, проекты и микроконтроллеры)

Vcc is Voltage Collector Collector
Vdd is Voltage Drain Drain
. Vss — источник напряжения
Vce — коллектор-эмиттер напряжения
Vbe — эмиттер базы напряжения
Vec — это коллектор эмиттера напряжения

(вам лучше написать это правильно при проектировании или анализе ваших схем)

(я не буду говорить о лампах)

Почему первоначальное дублирование (Vcc; CC)? Он позволяет обозначать напряжение «потенциал» коллектора, или эмиттера, или коллектора к эмиттеру и т. Д.Нет разницы потенциалов только на коллекторе, поэтому это напряжение источника, Vcc (потенциал от c до c на коллекторе, так что все, что там есть, скажем, + 5V). Конечно, это связано с чем-то, поэтому при измерении вы должны подключить вольтметр (или мультиметр) к соответствующему заземлению ((-) черный) цепи, а другой вывод — к Vcc ((+) красный). То же касается эмиттера (Vee) и базы (Vbb). То, как BJT ориентирован в тестируемой цепи, зависит от его собственной ориентации.ПНП или НПН. P означает положительное, а N означает отрицательное, поэтому это относительное соединение или узловое (некоторые инженеры любят говорить узел) отношения. Я инженер, но был техником на флоте, так что любой из них работает на меня.

Кто-то спросил, почему Vdd (сток) положительный, а Vss (исток) отрицательный. Это вопрос условности. Электроны текут не через атом (с большой массой), поэтому отрицательный (заряд электрона = (-)) на положительный (+) течет от источника (-) к стоку (+). Таким образом, некоторые металлы имеют более отрицательно заряженную молекулу, а другие — менее отрицательно заряженную.Спросите любого физика, почему может быть огромный наземный самолет. Электроны должны откуда-то приходить. Электронный поток всегда, всегда, всегда меняется от отрицательного к положительному. Я сказал всегда, ну, это всегда.

Вспомните ваши электронные валентные оболочки вокруг атома из ваших основных классов электричества. Любой студент, изучающий физику II (или выше) или химию, тоже знает эти факты, и лучше не соглашаться. Если они это сделают, они ссылаются на поток заряда.

Конвенция — Здесь две мысли. Электронный поток и дырочный или зарядовый поток.Вот и все. Обратным потоку электронов является «зарядовый» поток. Поток заряда идет от источника положительного напряжения к источнику отрицательного напряжения. Итак, если у вас есть Vcc (+5 вольт) и заземление (0 вольт), обычный поток утверждает, что поток заряда будет происходить в направлении, противоположном электронному потоку. После этого он начинает немного сходить с ума, так что сейчас мы будем проще.

Представьте, что электрон движется в одном направлении, а заряд — в другом (разность потенциалов вызывает реакцию).

На написание этого материала не уйдут месяцы (максимум 10 минут). Все очень просто. Остальные явления и эффекты можно за несколько часов выписать, но только не эту фигню.

BJT — бипереходный транзистор (два диода разделены на одинаковые переходы — PNP и NPN).
FET — полевой транзистор (имеет базу, которая использует электрическое поле для управления проводимостью носителя заряда на полупроводниковом материале: эффекты поля E-H на субстрат).

vcc vdd перевод на французский язык | Англо-французский словарь

Микросхема включает в себя схему управления для предотвращения опасной нестабильности сигнала на выходе во время изменения одного или нескольких напряжений источника питания (Vcc, Vdd, Vss). Микропланшет для электрических цепей, обеспечивающих постоянную нестабильность и предвзятость сигнала в конечной точке вылета, чтобы обеспечить электрическое питание (Vcc, Vdd, Vss), подключенное к сменному устройству.
корпус интегральной схемы памяти может иметь клемму заземления, VSS; силовой терминал, VDD или VCC; и двунаправленный последовательный терминал ввода-вывода, SCIO внутренняя память цепей, которые могут быть доставлены на землю, VSS, исходящие сообщения, VDD или VCC, и т.д.
, как минимум, корпус интегральной схемы периферийного устройства может иметь клемму заземления, vss; клемма питания, VDD или vcc; и двунаправленные последовательные часы, и терминал ввода-вывода данных и управления (SCIO) au Minimum, le boîtier de circuit intégré de dispositif périphérique peut unwir une borne de masse, VSS; электронное питание, VDD или VCC; et une horloge série twoirectionnelle, et une borne d’entrée / sortie de commandes et de données (SCIO)
Блок управления (IC1) содержит управляющий выход (GG1) для выдачи управляющего сигнала, вход напряжения питания (VCC) и выход напряжения питания (VDD). Командное командование (IC1) для командного вылета (GG1) для управления сигналом, вводом напряжения (VCC) и вылетом напряжения (VDD).
Блок управления (IC1) обеспечивает выходное напряжение на выходе напряжения питания (VDD) в зависимости от напряжения на входе напряжения питания (VCC). En fonction d’une Voltage Sur l’entrée de Voltage d’almentation (VCC), l’unité de commande (IC1) fournit une Voltage de sortie sur la sortie de Voltage d’almentation (VDD).

Измерение и моделирование температурной стабильности (Vdd

Context 1

… чтобы увидеть, на температурный коэффициент 8 ‘6 (7) в (7) может влиять сама температура, а также плотность тока, которая увеличивается с температурой, в то время как 37 $ 7 -, 17 & протекает через D6 (см. рис. 5). На втором этапе сокращение члена первого порядка ∆ T / TN в (7), имеющего вид квадратичная температурная зависимость достигается выбором правильной длины собственной области из рис.4 для диодов. Рис. 5 иллюстрирует эффект компенсации плотности тока при 27 ° C, который также почти не зависит от площади диодов при любой выбранной температуре. Принципиальная схема полной схемы показана на рис. 7. Кроме того, включен источник опорного напряжения, обеспечивающий в этом случае постоянное напряжение 1,19 В, которое можно использовать в аналоговых схемах. Прежние высокотемпературные подходящие ИС основаны на этом эталоне, который использовался в качестве некорректирующего эталонного напряжения на кристалле, например.г. в [3]. На рис. 2 показаны измерения тока при Vcc = 10 В внешних цепей, питаемых от источника опорного тока. Внешняя цепь питалась от Vcc, в то время как токовая опорная цепь на рис. 1 питалась от Vdd. Ошибки на рис. 2 стали бы больше из-за влияния области насыщения напряжения сток-исток, если бы Vcc было уменьшено. Микрофотография чипа, показанная на рис. 6, 2, включает площадь чипа 0,3 мм. Схема будет применяться для интегральных схем управления мощностью, где требуются датчики тока без подстройки для оптимизации затрат.Представленная схема подходит для работы при очень низких напряжениях при переходе к крупномасштабным технологиям в будущем, например, в схемах памяти низкого напряжения или в схемах малой мощности с батарейным питанием, где работа при напряжении ниже 1 В составляет …

Контекст 2

… Как видно, на температурный коэффициент 8 ‘6 (7) в (7) может влиять сама температура и плотность тока, которая увеличивается с температурой, в то время как 37 $ 7 — , 17 & протекает через D6 (см. Рис.5). На втором этапе сокращение члена первого порядка ∆ T / T N в (7), проявляющегося в виде квадратичной температурной зависимости, достигается путем выбора правильной длины внутренней области из рис. 4 для диодов. Рис. 5 иллюстрирует эффект компенсации плотности тока при 27 ° C, который также почти не зависит от площади диодов при любой выбранной температуре. Принципиальная схема полной схемы показана на рис. 7. Кроме того, включен источник опорного напряжения, обеспечивающий постоянное напряжение, равное 1.19 В в данном случае, что может быть использовано в аналоговых схемах. Прежние высокотемпературные подходящие ИС основаны на этом эталоне, который использовался в качестве не подстроечного опорного напряжения на кристалле, например в [3]. На рис. 2 показаны измерения тока при Vcc = 10 В внешних цепей, питаемых от источника опорного тока.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *