Виды корпусов транзисторов: Типы корпусов транзисторов

alexxlabРазное

Содержание

Типы корпусов транзисторов

Типы корпусов транзисторов

RADIODETECTOR

Радиоэлектроника, схемы, статьи
и программы для радиолюбителей.

Стать автором

Вход Регистрация

  • Вопрос/Ответ
  • Литература
  • Радиотовары с Aliexpress
  • Объявления
  • Пользователи

Представляем наиболее популярные серии импортных транзисторов и тиристоров. Корпуса стандартизованы для унификации и упрощения процесса изготовления изделий. В программах для составления печатных платы в базу данных уже забиты все эти корпуса с соответствующими размерами.

Техника безопасности превыше всего, тем более когда речь заходит о проводке. Учитывая характеристики проводов и соблюдая правила их грамотной установки, возможно избежать несчастных…

11 Янв 2022

  • 896
  • 0

В Европе для маркировки кабеля используются свои стандарты и нормативные документы. Чтобы расшифровать маркировку импортного кабеля, необходимо знать, что обозначает конкретная…

7 Янв 2022

  • 1539
  • 0

Технические характеристики импортных микрофонов WM — 034, WM — 52, WM — 54, WM — 60, WM — 62, WM — 66, WM — 55, WM — 56 . Таблица Наименование Чувствительность Диапазон частот Уровень…

26 Апр 2021

  • 1413
  • 0

Динистор – неуправляемая разновидность тиристоров, также он еще называется триггер-диодом. Производится из полупроводникового монокристалла, который имеет несколько p-n переходов….

26 Апр 2021

  • 1702
  • 0

Тип S1-S2/I(U) мсим/А(В) I01-I02/U А/В Iз/Uз нА/В C11 пф C12 пф C22 пф Uзи/Iс(U0 В/mА(В) Uзс В Uзи В Uси В Iс А P/Pт вт Тип Кан Цок КП701А КП701Б 800-2100/2. 5 800-2100/2.5 Rc=3.5 Ом Rc=2.8…

18 Апр 2021

  • 1346
  • 0

Представляем наиболее популярные серии импортных транзисторов и тиристоров. Корпуса стандартизованы для унификации и упрощения процесса изготовления изделий. В программах для…

17 Мар 2020

  • 5546
  • 0

Если вы нашли ошибку в статье, или на сайте. Можете сообщить об этом воспользовавшись формой.

Ваше имя

Ваше почта

Сообщение
Сообщение

Администрация сайта свяжется с Вами в ближайшее время.

Скачать

Типы smd-корпусов

2 вывода3 вывода4 вывода5 выводов6 выводов8 выводов>9 выводов
smcj
[do214ab]
7,0х6,0х2,6мм		d2pak
[to263]
9,8х8,8х4,0мм		mbs
[to269aa]
4,8х3,9х2,5мм		d2pak5
[to263-5]
9,8х8,8х4,0мм		mlp2x3
[mo229]
(dfn2030-6)
(lfcsp6)
3,0х2,0х0,75мм		tssop8
[mo153]
4,4х3,0х1,0мм		usoic10
(rm10|micro10)
3,0х3,0х1,1мм
smbj
[do214aa]
4,6х3,6х2,3мм		dpak
[to252aa]
6,6х6,1х2,3мм		sop4
4,4х4,1х2,0мм		dpak5
[to252-5]
6,6х6,1х2,3мм		ssot6
[mo193]
3,0х1,7х1,1мм		sot8002-2
(mlpak33)
3,5х3,5х0,8мм		tdfn10
(vson10|dfn10)
3,0х3,0х0,9мм
(gf1)
[do214ba]
4,5х1,4х2,5мм		(smpc)
[to277a]
6,5х4,6х1,1мм		ssop4
4,4х2,6х2,0мм		sot223-5
6,5х3,5х1,8мм		dfn2020-6
[sot1118]
(wson6 | llp6)
(udfn6)
2,0х2,0х0,75мм		chipfet
3,05х1,65х1,05мм		(wson10)
3,0х3,0х0,8мм
smaj
[do214ac]
4,5х2,6х2,0мм		sot223
[to261aa]
{sc73}
6,5х3,5х1,8мм		sot223-4
6,5х3,5х1,8мм		mo240
(pqfn8l)
3,3х3,3х1,0мм		sot23-6
[mo178ab]
{sc74}
2,9х1,6х1,1мм		tdfn8
(wson8)
(lfcsp8)
3,0х3,0х0,9мм		msop10
[mo187da]
2,9х2,5х1,1мм
smf
[do219ab]
2,8х1,8х1,0мм		sot89
[to243aa]
{sc62}
4,7х2,5х1,7мм		sot143
2,9х1,3х1,0мм		sot89-5
4,5х2,5х1,5мм		tsot6
[mo193]
2,9х1,6х0,9мм		msop8
[mo187aa]
3,0х3,0х1,1мм		(uqfn10)
1,8х1,4х0,5мм
sod123
[do219ab]
2,6х1,6х1,1мм		sot23f
2,9х1,8х0,8мм		sot343
2,0х1,3х0,9мм		sot23-5

[mo193ab|mo178aa]
{sc74a}
(tsop5/sot753)
2,9х1,6х1,1мм		sot363
[mo203ab|ttsop6]
{sc88|sc70-6}
(us6)
2,0х1,25х1,1мм		vssop8
3,0х3,0х0,75мм		bga9
(9pin flip-chip)
1,45х1,45х0,6мм
sod123f
2,6х1,6х1,1мм		sot346
[to236aa]
{sc59a}
(smini)
2,9х1,5х1,1мм		sot543
1,6х1,2х0,5мм		sct595
2,9х1,6х1,0мм		sot563f
{sc89-6|sc170c}
[sot666]
(es6)
1,6х1,2х0,6мм		(mlf8)
2,0х2,0х0,85мм		  
sod110
2,0х1,3х1,6мм
sot23
[to236ab]
2,9х1,3х1,0мм		(tsfp4-1)
1,4х0,8х0,55мм		sot353
[mo203aa]
{sc88a|sc70-5}
(tssop5)
(usv)
2,0х1,25х0,95мм		sot886
[mo252]
(xson6/mp6c)
1,45х1,0х0,55мм		sot23-8
2,9х1,6х1,1мм		  
sod323
{sc76}
1,7х1,25х0,9мм		dfn2020
(sot1061)
2,0х2,0х0,65мм		(tslp4)
1,2х0,8х0,4мм		sot553
(sot665|esv)
{sc107}
1,6х1,2х0,6мм		wlcsp6
1,2х0,8х0,4мм		sot765
[mo187ca]
(us8)
2,0х2,3х0,7мм		  
sod323f
{sc90a}
1,7х1,25х0,9мм		sot323
{sc70}
(usm)
2,0х1,25х0,9мм		dfn4
1,0х1,0х0,6мм		sot1226
(x2son5)
0,8х0,8х0,35мм		      
dfn1608
(sod1608)
1,6х0,8х0,4мм		sot523
(sot416)
{sc75a}
(ssm)
1,6х0,8х0,7мм		(dsbga4|wlcsp)
0,75х0,75х0,63мм		        
sod523f
{sc79}
1,2х0,8х0,6мм		sot523f
(sot490)
{sc89-3}
1,6х0,8х0,7мм		          
sod822
(tslp2)
1,0х0,6х0,45мм		dfn1412
{sot8009}
1,4х1,2х0,5мм		          
  sot723
{sc105aa}
(tsfp-3)
(vesm)
1,2х0,8х0,5мм		          
  dfn1110
{mo340ba}
(sot8015)
1,1х1,0х0,5мм		          
  sot883
{sc101}
(tslp3-1)
(cst3)
1,0х0,6х0,5мм		          
  sot1123
0,8х0,6х0,37мм		          

Типы корпусов электронных компонентов

Условно все типы корпусов электронных компонентов можно разделить на два типа: корпуса с выводами для монтажа в сквозные отрверстия (РТН-Plated Through-hole) и корпуса с планарыми выводами (SMT — Surface Mounting Technology).

Ниже представлены основыне типы корпусов микросхем и дискретных компонентов. Как правило, в зависимости от расположения выводов, можно выделить следующие типы корпусов:

  1. корпуса с периферийным расположением выводов, когда вы¬воды расположены по краям кристалла или корпуса;
  2. корпуса с матричным расположением выводов.

Следует отметить, что большинство типов микросхем имеют периферийное расположение выводов. Тем не менее, шаг периферийных выводов ограничен 0,3 мм, что позволяет микросхемам с корпусами больших размеров иметь до 500 выводов. Но нужно принять во внимание, что при шаге выводов меньше 0,5 мм выход годных изделий резко снижается.

Большое разнообразие имеют электронные компоненты с матричным расположением выводов:

  1. CSP (Chip-scale Packages — корпус, соизмеримый с размером кристалла),
  2. PBGA (Plastic Ball Grid Array — пластмассовые корпуса с шариковыми матричными выводами),
  3. CBGA (Ceramic Ball Grid Array — керамические корпуса с шариковыми матричными выводами),
  4. PPGA (Plastic Pin Grid Array — пластмассовые корпуса с матричными контактными площадками),
  5. CCGA (Ceramic Column Grid Array — керамические корпуса со столбиковыми матричными выводами).

Ниже приведена информация об основных типах корпусов элкетронных комопнентов, применяемых при разработке печатных плат.

Чип-резистор

Чип-конденсаторы

Чип-индуктивность

Танталовый чип-конденсатор

MELF(Metal Electrode Face)-компоненты

Транзисторы в корпусе SOT23

Транзисторы в корпусе SOT89

Диоды в корпусе SOD123

Транзисторы в корпусе SOT143

Транзисторы в корпусе SOT223

Транзисторы в корпусе TO-252/TO-268 (Modified Through-Hole Component)

Микросхемы в корпусе SOIC (Small Outline Integrated Circuits)

Микросхемы в корпусе SSOIC (Small Outline Integrated Circuits)

Микросхемы в корпусе SOP (Small Outline Package)

Микросхемы в корпусе TSOP (Thin Small Outline Package)

Микросхемы в корпусе CFP (Ceramic Flat Pack)

Микросхемы в корпусе SOJ (Components with J Leads on Two Sides)

Микросхемы в корпусе PQFP (Plastic Quad Flat Pack)

Микросхемы в корпусе SQFP (Shrink Quad Flat Pack)

Микросхемы в корпусе SQFP (Shrink Quad Flat Pack) Rectangular

Микросхемы в корпусе CQFP (Ceramic Quad Flat Pack) Rectangular

Микросхемы в корпусе PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), Square

Микросхемы в корпусе PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), Rectangular

Микросхемы в корпусе LCC (Leadless Ceramic Chip Carrier)

Микросхемы в корпусе DIP (Dual-In-Line Pin)

Микросхемы в корпусе BGA (ball grid array — матрица шариковых выводов)

Чип-резистор

Рисунок 1 — Конструкция чип-резистора

Рисунок 2 — Размеры чип-резистора

Рисунок 3 — Таблица основных параметров чип-резистора

Чип-конденсаторы

Рисунок 4 — Конструкция чип-конденсатора

Рисунок 5 — Размеры чип-конденсатора

Рисунок 6 — Таблица основных параметров чип-конденсатора

Чип-индуктивность

Рисунок 7 — Конструкция чип-индуктивности

Рисунок 8 — Размеры чип-индуктивности

Рисунок 9 — Таблица основных параметров чип-индуктивности

Танталовый чип-конденсатор

Рисунок 10 — Конструкция танталового чип-конденсатора

Рисунок 11 — Размеры танталового чип-конденсатора

Рисунок 12 — Таблица основных параметров танталового чип-конденсатора

MELF(Metal Electrode Face)-компоненты

Рисунок 13 — Конструкция MELF-компонента

Рисунок 14 — Размеры MELF-компонента

Рисунок 15 — Таблица основных параметров MELF-компонента

Транзисторы в корпусе SOT23

Рисунок 16 — Конструкция SOT23

Рисунок 17 — Размеры SOT23

Рисунок 18 — Таблица основных параметров SOT23

Транзисторы в корпусе SOT89

Рисунок 19 — Конструкция SOT89

Рисунок 20 — Размеры SOT89

Рисунок 21 — Таблица основных параметров SOT89

Диоды в корпусе SOD123

Рисунок 22 — Конструкция SOD123

Рисунок 23 — Размеры SOD123

Рисунок 24 — Таблица основных параметров SOD123

Транзисторы в корпусе SOT143

Рисунок 25 — Конструкция SOT143

Рисунок 26 — Размеры SOT143

Рисунок 27 — Таблица основных параметров SOT89

Транзисторы в корпусе SOT223

Рисунок 28 — Конструкция SOT223

Рисунок 29 — Размеры SOT223

Рисунок 30 — Таблица основных параметров SOT223

Транзисторы в корпусе TO-252/TO-268 (Modified Through-Hole Component)

Рисунок 31 — Конструкция TO252

Рисунок 32 — Размеры TO252

Рисунок 33 — Таблица основных параметров TO252

Примечаниие к таблице: * — TO-252, ** — TO-268.

Микросхемы в корпусе SOIC (Small Outline Integrated Circuits)

Рисунок 34 — Конструкция SOIC

Рисунок 35 — Размеры SOIC

Рисунок 36 — Таблица основных параметров SOIC

Микросхемы в корпусе SSOIC (Small Outline Integrated Circuits)

Рисунок 37 — Конструкция SSOIC

Рисунок 38 — Размеры SSOIC

Рисунок 39 — Таблица основных параметров SSOIC

Микросхемы в корпусе SOP (Small Outline Package)

Рисунок 40 — Конструкция SOP

Рисунок 41 — Размеры SOP

Рисунок 42 — Таблица основных параметров SOP

Микросхемы в корпусе TSOP (Thin Small Outline Package)

Рисунок 43 — Конструкция TSOP

Рисунок 44 — Размеры TSOP

Рисунок 45 — Таблица основных параметров TSOP

Микросхемы в корпусе CFP (Ceramic Flat Pack)

Рисунок 46 — Конструкция CFP

Рисунок 47 — Размеры CFP

Рисунок 48 — Таблица основных параметров CFP

Микросхемы в корпусе SOJ (Components with J Leads on Two Sides)

Рисунок 49 — Конструкция SOJ

Рисунок 50 — Размеры SOJ

Рисунок 51 — Таблица основных параметров SOJ

Рисунок 52 — Размеры SOJ

Рисунок 53 — Таблица основных параметров SOJ

Микросхемы в корпусе PQFP (Plastic Quad Flat Pack)

Рисунок 54 — Конструкция PQFP

Рисунок 55 — Размеры PQFP

Рисунок 56 — Таблица основных параметров PQFP

Микросхемы в корпусе SQFP (Shrink Quad Flat Pack)

Рисунок 57 — Конструкция SQFP

Рисунок 58 — Размеры SQFP

Рисунок 59 — Таблица основных параметров SQFP

Рисунок 60 — Таблица основных параметров SQFP

Рисунок 61 — Таблица основных параметров SQFP

Рисунок 62 — Таблица основных параметров SQFP

Микросхемы в корпусе SQFP (Shrink Quad Flat Pack) Rectangular

Рисунок 63 — Конструкция SQFP Rectangular

Рисунок 64 — Размеры SQFP Rectangular

Рисунок 65 — Таблица основных параметров SQFP Rectangular

Рисунок 66 — Таблица основных параметров SQFP Rectangular

Рисунок 67 — Таблица основных параметров SQFP Rectangular

Рисунок 68 — Таблица основных параметров SQFP Rectangular

Микросхемы в корпусе CQFP (Ceramic Quad Flat Pack) Rectangular

Рисунок 69 — Конструкция CQFP

Рисунок 70 — Размеры CQFP

Рисунок 71 — Таблица основных параметров CQFP

Микросхемы в корпусе PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), Square

Рисунок 72 — Конструкция PLCC

Рисунок 73 — Размеры PLCC

Рисунок 74 — Таблица основных параметров PLCC

Микросхемы в корпусе PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), Rectangular

Рисунок 75 — Конструкция PLCC Rectangular

Рисунок 76 — Размеры PLCC Rectangular

Рисунок 77 — Таблица основных параметров PLCC Rectangular

Микросхемы в корпусе LCC (Leadless Ceramic Chip Carrier)

Рисунок 78 — Конструкция LCC

Рисунок 79 — Размеры LCC

Рисунок 80 — Таблица основных параметров LCC

Микросхемы в корпусе DIP (Dual-In-Line Pin)

Рисунок 81 — Конструкция DIP

Рисунок 82 — Размеры DIP

Рисунок 83 — Таблица основных параметров DIP

Микросхемы в корпусе BGA (ball grid array — матрица шариковых выводов)

шаг выводов 1. 5 мм

Рисунок 84 — Конструкция BGA

Рисунок 85 — Размеры BGA

Рисунок 86 — Таблица основных параметров PBGA

Рисунок 87 — Таблица основных параметров PBGA

шаг выводов 1.27 мм

Рисунок 88 — Таблица основных параметров PBGA

Рисунок 89 — Таблица основных параметров PBGA

шаг выводов 1 мм

Рисунок 90 — Таблица основных параметров PBGA

Рисунок 91 — Таблица основных параметров PBGA

шаг выводов 1.27 мм, PBGA Rectangular

Рисунок 92 — Таблица основных параметров PBGA

SMD КОРПУСА ДЕТАЛЕЙ: ФОТО И РАЗМЕРЫ

Наименования и виды SMD корпусов приведены в соответствии с общепринятым обозначением корпуса. Вид в квадратных скобках [JEDEC] – это Joint Electron Devices Engineering Council (США). Вид в фигурных скобках {JEITA} – это Japan Electronics and Information Technology Industries Association (Япония). Круглые скобки (фирменное) – это обозначение корпуса, принятое в отдельной компании, оно может быть вариативно. А расшифровка обозначений отдельных деталей собрана в таблицу.

2 вывода3 вывода4 вывода5 выводов6 выводов>8 выводов
smcj
[do214ab]
7,0х6,0х2,6мм		d2pak
[to263]
9,8х8,8х4,0мм		mbs
[to269aa]
4,8х3,9х2,5мм		d2pak5
[to263-5]
9,8х8,8х4,0мм		mlp2x3
[mo229]
(dfn2030-6)
(lfcsp6)
3,0х2,0х0,75мм		tssop8
[mo153]
4,4х3,0х1,0мм
smbj
[do214aa]
4,6х3,6х2,3мм		dpak
[to252aa]
6,6х6,1х2,3мм		sop4
4,4х4,1х2,0мм		dpak5
[to252-5]
6,6х6,1х2,3мм		ssot6
[mo193]
3,0х1,7х1,1мм		chipfet
3,05х1,65х1,05мм
(gf1)
[do214ba]
4,5х1,4х2,5мм		(smpc)
[to277a]
6,5х4,6х1,1мм		ssop4
4,4х2,6х2,0мм		sot223-5
6,5х3,5х1,8мм		dfn2020-6
[sot1118]
(wson6 | llp6)
2,0х2,0х0,75мм		tdfn8
(wson8)
(lfcsp8)
3,0х3,0х0,9мм
smaj
[do214ac]
4,5х2,6х2,0мм		sot223
[to261aa]
{sc73}
6,5х3,5х1,8мм		sot223-4
6,5х3,5х1,8мм		mo240
(pqfn8l)
3,3х3,3х1,0мм		sot23-6
[mo178ab]
{sc74}
2,9х1,6х1,1мм		(mlf8)
2,0х2,0х0,85мм
sod123
[do219ab]
2,6х1,6х1,1мм		sot89
[to243aa]
{sc62}
4,7х2,5х1,7мм		sot143
2,9х1,3х1,0мм		sot89-5
4,5х2,5х1,5мм		tsot6
[mo193]
2,9х1,6х0,9мм		msop8
[mo187aa]
3,0х3,0х1,1мм
sod123f
2,6х1,6х1,1мм		sot23f
2,9х1,8х0,8мм		sot343
2,0х1,3х0,9мм		sot23-5
[mo193ab|mo178aa]
{sc74a}
(tsop5/sot753)
2,9х1,6х1,1мм		sot363
[mo203ab|ttsop6]
{sc88|sc70-6}
(us6)
2,0х1,25х1,1мм		vssop8
3,0х3,0х0,75мм
sod110
2,0х1,3х1,6мм		sot346
[to236aa]
{sc59a}
(smini)
2,9х1,5х1,1мм		sot543
1,6х1,2х0,5мм		sct595
2,9х1,6х1,0мм		sot563f
{sc89-6|sc170c}
[sot666]
1,6х1,2х0,6мм		sot23-8
2,9х1,6х1,1мм
sod323
{sc76}
1,7х1,25х0,9мм		sot23
[to236ab]
2,9х1,3х1,0мм		(tsfp4-1)
1,4х0,8х0,55мм		sot353
[mo203aa]
{sc88a|sc70-5}
(tssop5)
2,0х1,25х0,95мм		sot886
[mo252]
(xson6/mp6c)
1,45х1,0х0,55мм		sot765
[mo187ca]
(us8)
2,0х2,3х0,7мм
sod323f
{sc90a}
1,7х1,25х0,9мм		dfn2020
(sot1061)
2,0х2,0х0,65мм		(tslp4)
1,2х0,8х0,4мм		sot553
(sot665|esv)
{sc107}
1,6х1,2х0,6мм		wlcsp6
1,2х0,8х0,4мм		usoic10
(rm10|micro10)
3,0х3,0х1,1мм
dfn1608
(sod1608)
1,6х0,8х0,4мм		sot323
{sc70}
(usm)
2,0х1,25х0,9мм		dfn4
1,0х1,0х0,6мм		sot1226
(x2son5)
0,8х0,8х0,35мм		  tdfn10
(vson10|dfn10)
3,0х3,0х0,9мм
sod523f
{sc79}
1,2х0,8х0,6мм		sot523
(sot416)
{sc75a}
1,6х0,8х0,7мм		(dsbga4|wlcsp)
0,75х0,75х0,63мм		    (wson10)
3,0х3,0х0,8мм
sod822
(tslp2)
1,0х0,6х0,45мм		sot523f
(sot490)
{sc89-3}
1,6х0,8х0,7мм		      msop10
[mo187da]
2,9х2,5х1,1мм
  dfn1412
{sot8009}
1,4х1,2х0,5мм		      (uqfn10)
1,8х1,4х0,5мм
  sot723
{sc105aa}
(tsfp-3)
1,2х0,8х0,5мм		      bga9
(9pin flip-chip)
1,45х1,45х0,6мм
  dfn1110
{mo340ba}
(sot8015)
1,1х1,0х0,5мм		        
  sot883
{sc101}
(tslp3-1)
1,0х0,6х0,5мм		        
  sot1123
0,8х0,6х0,37мм

Корпуса поверхностного монтажа (SMD) Виды кратко Конструирование.

.. Корпуса поверхностного монтажа (SMD) Виды кратко Конструирование…

Сразу хочу сказать, что здесь никакой воды про корпуса поверхностного монтажа smd виды, и только нужная информация. Для того чтобы лучше понимать что такое корпуса поверхностного монтажа smd виды , настоятельно рекомендую прочитать все из категории Конструирование и проектирование электронной аппаратуры.

Для того чтобы правильно воспринимать и использовать представленный материал о SMD, необходимо ознакомиться со следующей информацией:

  • Очень важны размеры корпусов, поскольку внешне многие корпуса похожи друг на друга, а для идентификации прибора необходимо знать не только маркировку, но и тип корпуса. Но и это может не спасти. Так, корпус типа SOD80 у фирмы PHILIPS имеет диаметр 1.6 мм (ном.), а корпус с таким же названием у ряда других фирм имеет диаметр 1.4 мм, что даже меньше диаметра другого, более компактного корпуса фирмы PHILIPS SOD80C. Корпус типа SOD15 фирмы SGS-Thomson очень похож на корпуса 7043 и SMC, но не совпадает с ними по установочным размерам (см. таблицу 2 в главе «Корпуса для монтажа на поверхность (SMD)».


  • Возможны ситуации, когда фирмы-производители в один и тот же корпус под одной и той же маркировкой помещают разные приборы. Например, фирма PHILIPS помещает в корпус типа SOT323 NPN-транзистор типа BC818W и маркирует его кодом 6Н, а фирма MOTOROLA в такой же корпус с маркировкой 6Н помещает PNP-тран-зистор типа MUN5131Т1. Такая же ситуация встречается и внутри одной фирмы. Например, у фирмы SIEMENS в корпусе типа SOT23 под маркировкой 1А выпускаются транзисторы ВС846А и SMBT3904, обладающие разными параметрами. Различить такие приборы, установленные на плате, можно только по окружающим их компонентам и, соответственно, схеме включения.


  • Путаница существует не только с маркировкой, но и цоколевкой корпусов . Об этом говорит сайт https://intellect.icu . Например, корпус типа SOT-89 у фирм ROHM, SIEMENS, TOSHIBA имеет цоколевку 1-2-3 (вид сверху), а у PHILIPS этот же корпус имеет цоколевку 2-3-1 или 3-2-1. В данной книге номера выводов и их функциональное значение у разных фирм приведены к единому знаменателю.
  • Не лучше ситуация и с пассивными компонентами для поверхностного монтажа. Если на корпусе стоит маркировка 103 (см. главу «Корпуса для монтажа на поверхность (SMD))», то это может быть резистор номиналом 10 кОм, конденсатор емкостью 10 нФ или индуктивность на 10 мГн. Если на корпусе стоит маркировка 2R2, то это может быть и резистор с номиналом 2.2 Ома, и конденсатор с емкостью 2.2 пФ. Код 107 может означать 0.1 Ома (Philips) или 100мкФ (Panasonic).
  • В корпусах типа 0603, 0805 и т.п. без маркировки могут находится конденсатор, индуктивность или резистор-перемычка (Zero-Ohm, jumper).
  • Цветная полоса или выемка-ключ на корпусах типа SOD 123, D0215 может указывать на катод диода или вывод «плюс» у электролитического конденсатора.


  • По внешнему виду очень трудно отличить друг от друга R, С и L, если они находятся в цилиндрических корпусах с выводами и маркируются цветными кольцами. Но и после идентификации могут возникнуть сложности с определением его параметров. Например, на практике для цветовой маркировки постоянных конденсаторов используются несколько методик (см. главу «Конденсаторы. Цветовая маркировка»).


  • В совершенно одинаковых корпусах с одинаковым цветовым кодом может выпускаться целая серия приборов с разными параметрами. Например, фирма MOTOROLA выпускает в корпусе типа SOD80, маркируемого одним цветным кольцом, целую серию стабилитронов (51 прибор) с напряжением стабилизации от 1.8 до 100 В и током от 0.1 до 1.7 А. В таком же корпусе фирма PHILIPS выпускает серию диодов.
  • Необходимо правильно определять сам цвет маркировки. На практике могут встречаться сложности с различием следующих оттенков:
    серый — св. голубой — серебристый;
    голубой — бирюзовый — электрик;
    желтый — золотистый;
    оранжевый — св. коричневый — табачный — бежевый.
  • Черное кольцо посередине корпуса могут иметь не только резисторы-перемычки (Zero-Ohm, jumper), но и другие приборы, особенно с учетом технологического разброса при нанесении маркировки.
  • Многие фирмы, помимо принципов маркировки, указанных в Публикациях Международной Электротехнической Комиссии (IEC), используют свою внутрифирменную цветовую и кодовую маркировки. Например, встречается маркировка SMD-резисторов, когда вместо цифры 8 ставится двоеточие. В таких случаях маркировка 1:23 означает 182 кОм, а :0R6 — 80.6 Ом.
  • Корпуса типа SOT (SOD) — Small Outline Transistor (Diode) — в дословном переводе означают «транзистор (диод) с маленькими выводами». На современном этапе в корпуса типа SOT помещают не только транзисторы и диоды, но и транзисторы с резисторами, стабилитроны, стабилизаторы напряжения на базе операционного усилителя и многое другое, а количество выводов может быть более трех. Органы стандартизации не успевают за новыми разработками фирм, и те вынуждены вводить свои новые обозначения. Более подробную информацию см. в главе «Корпуса».

Статью про корпуса поверхностного монтажа smd виды я написал специально для тебя. Если ты хотел бы внести свой вклад в развии теории и практики, ты можешь написать коммент или статью отправив на мою почту в разделе контакты. Этим ты поможешь другим читателям, ведь ты хочешь это сделать? Надеюсь, что теперь ты понял что такое корпуса поверхностного монтажа smd виды и для чего все это нужно, а если не понял, или есть замечания, то нестесняся пиши или спрашивай в комментариях, с удовольствием отвечу. Для того чтобы глубже понять настоятельно рекомендую изучить всю информацию из категории Конструирование и проектирование электронной аппаратуры

Размеры SMD корпусов

ТИП: Расшифровка Типа:
SR Resistor Chip
Чип резистор
Размер (дюймы) Размер (мм) Толщина компонента Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента бумажная		 Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
01005 0402 0. 12 мм ± 0.02 8 мм 2 мм 20000 —
0201 0603 0.23 мм ± 0.03 8 мм 2 мм 15000 —
0402 1005 0.35 мм ± 0.05 8 мм 2 мм 10000 —
0603 1608 0.45 мм ± 0.1 8 мм 4 мм 5000 —
0805 2012 0. 55 мм ± 0.1 8 мм 4 мм 5000 —
1206 3216 0.55 мм ± 0.15 8 мм 4 мм 5000 —
1210 3225 0.55 мм ± 0.15 8 мм 4 мм 5000 4000
2010 5025 0.55 мм ± 0.15 8/12 мм 4/8 мм — 4000
2512 6332 0. 55 мм ± 0.15 12 мм 4/8 мм — 4000/2000
ТИП: Расшифровка Типа:
SRМ Melf Resistor
Melf резистор (круглый)
Размер (дюймы) Имя Размер компонента Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
0604 — 1.6 мм Х 1.0 мм 8 мм 4 мм 3000
0805 Micro 2. 2 мм Х 1.1 мм 8 мм 4 мм 3000
1206 Mini 3.2 мм Х 1.6 мм 8 мм 4 мм 3000
1406 Mini 3.5 мм Х 1.4 мм 8 мм 4 мм 3000
2308 Melf 5.9 мм Х 2.2 мм 12 мм 4 мм 1500
ТИП: Расшифровка Типа:
SC Ceramic Chip Capacitor
Керамический чип конденсатор
Размер (дюймы) Размер (мм) Толщина компонента Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента бумажная		 Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
01005 0402 0. 2 мм ± 0.03 8 мм 2 мм 20000 —
0201 0603 0.3 мм ± 0.03 8 мм 2 мм 15000 —
0402 1005 0.5 мм ± 0.1 8 мм 2 мм 10000 —
0603 1608 0.8 мм ± 0.1 8 мм 4 мм 4000 —
0805 2012 0. 6 – 1.25 мм 8 мм 4 мм 4000 3000
1206 3216 0.6 – 1.25 мм 8 мм 4 мм 4000 3000
1210 3225 1.25 мм – 1.5 мм 8 мм 4 мм — 3000
1812 4532 2 мм (Макс.) 12 мм 8 мм — 1000
2225 5664 2 мм (Макс. ) 12 мм 8 мм — 1000
ТИП: Расшифровка Типа:

SD Molded Tantalum
Танталовый конденсатор (полярный компонент)
Размер (дюймы) Код Толщина компонента Размер компонента Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
3216 A 1.6 мм 3. 2 мм Х 1.6 мм 8 мм 4 мм 2000
3528 B 1.9 мм 3.5 мм Х 2.8 мм 8 мм 4 мм 2000
6032 C 2.5 мм 6.0 мм Х 3.2 мм 12 мм 8 мм 500
7343 D 2.8 мм 7.3 мм Х 4.3 мм 12 мм 8 мм 500
1608 J 0.8 мм 1. 6 мм Х 0.8 мм 8 мм 4 мм 4000
2012 P/R 1.2 мм 2.0 мм Х 1.2 мм 8 мм 4 мм 2500/3000
ТИП: Расшифровка Типа:
SE Aluminum Capacitor
Алюминиевый конденсатор (полярный компонент)
Диаметр корпуса Высота корпуса Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая		 Кол-во в стандартной упаковке
(330 мм/13 дюймов)
лента пластиковая
3 мм 5. 5 мм 12 мм 8 мм 100 2000
4 мм 5.5 мм 12 мм 8 мм 100 2000
5 мм 5.5 мм 12 мм 12 мм 100 1000
6.3 мм 5.5 мм 16 мм 12 мм 100 1000
8 мм 6 мм 16 мм 12 мм 100 1000
8 мм 10 мм 24 мм 16 мм 100 500
10 мм 10 мм 24 мм 16 мм 100 300 — 500
10 мм 14 — 22 мм 32 мм 20 мм — 250 — 300
12. 5 мм 14 мм 32 мм 24 мм — 200 — 250
12.5 мм 17 мм 32 мм 24 мм — 150 — 200
12.5 мм 22 мм 32 мм 24 мм — 125 — 150
16 мм 17 мм 44 мм 28 мм — 125 — 150
16 мм 22 мм 44 мм 28 мм — 75 — 100
18 мм 17 мм 44 мм 32 мм — 125 — 150
18 мм 22 мм 44 мм 32 мм — 75 — 100
20 мм 17 мм 44 мм 36 мм — 50
ТИП: Расшифровка Типа:
SOT SOT Transistor
SOT транзистор
Тип корпуса Количество выводов Ширина ленты Шаг компонента в ленте Размер корпуса A (мм) Размер корпуса B (мм) Размер корпуса S (мм) Высота корпуса H (мм) Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
SOT723 3 8 мм 4 мм 1. 2 0.8 1.2 0.5 8000
SOT346 3 8 мм 4 мм 2.9 1.6 2.8 1.1 3000
SOT323 3 8 мм 4 мм 2.0 1.25 2.1 0.9 3000
SOT416 3 8 мм 4 мм 1.6 0.8 1.6 0. 7 3000
SOT523F 3 8 мм 4 мм 1.6 0.8 1.6 0.7 3000
SOT23 3 8 мм 4 мм 2.9 1.3 2.4 0.95 3000
SOT23-5 5 8 мм 4 мм 2.9 1.6 2.8 1.1 3000
SOT23-6 6 8 мм 4 мм 2. 9 1.6 2.8 1.1 3000
SOT89 3 12 мм 8 мм 4.5 2.5 4.0 1.5 1000
SOT143 4 8 мм 4 мм 2.9 1.6 2.8 0.95 3000
SOT223 3 16 мм 8 мм 6.5 3.6 7.0 1. 6 2500
SOT323 3 8 мм 4 мм 2.0 1.25 2.1 0.9 3000
SOT343 4 8 мм 4 мм 2.0 1.25 2.1 0.9 3000
SOT353 5 8 мм 4 мм 2.0 1.25 2.1 0.9 3000
SOT363 6 8 мм 4 мм 2. 0 1.25 2.1 0.9 3000
SOT23-8 8 8 мм 4 мм 2.9 1.6 2.9 1.2 3000

ТИП: Расшифровка Типа:
DPAK DPAK Transistor
DPAK транзистор
Тип корпуса Количество выводов Ширина ленты Шаг компонента в ленте Размер корпуса L (мм) Размер корпуса W (мм) Высота корпуса H (мм) Размер корпуса S (мм) Кол-во в стандартной упаковке
(330 мм/13 дюймов)
лента пластиковая
DPAK 3 16 мм 8 мм 6 6. 5 2.3 10 2500
D2PAK 3 24 мм 16 мм 9.2 10 4.4 15 500 — 800
D2PAK-5 5 24 мм 16 мм 9.2 10 4.4 15 500 — 800
D2PAK-7 7 24 мм 16 мм 9.2 10 4.4 15 500 — 800
D3PAK 3 24 мм 24 мм 14 16 4. 7 18.8 500

ТИП: Расшифровка Типа:
SOD SOD, SM, Melf Diode/Rectifier
SOD, SM, Melf диоды (круглые)
Тип компонента Размер компонента (диметр Х длинна) Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
MiniMELF/SOD-80 (LL34) 1.6 мм Х 3.5 мм 8 мм 4 мм 2500
MELF (LL35/LL41) 2. 5 мм Х 5.0 мм 12 мм 4 мм 1500
MELF (SM1) 2.5 мм Х 5.0 мм 12 мм 4 мм 1750
ТИП: Расшифровка Типа:
SM Rectangular Diode Gull Wing Lead
Квадратный диод – выводы «ласточкин хвост»
Тип корпуса Ширина ленты Шаг компонента в ленте Размер корпуса L (мм) Размер корпуса W (мм) Высота корпуса H (мм) Размер корпуса S (мм) Размер корпуса B (мм) Кол-во в стандартной упаковке
(170 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
SOD923 8 мм 2 мм 0. 8 0.6 0.4 1.0 0.2 8000
SOD723 8 мм 2 мм 1.0 0.6 0.5 1.4 0.3 8000
SOD523 8 мм 4 мм 1.2 0.8 0.6 1.6 0.3 3000
SOD323 8 мм 4 мм 1.7 1.25 0. 7 2.5 0.3 3000
SOD123 8 мм 4 мм 2.7 1.5 1.3 3.6 0.7 3000
DO215AC 12 мм 4 мм 4.3 2.6 2.2 6.1 1.4 1800
DO215AA 12 мм 8 мм 4.3 3.6 2.3 6.2 2. 0 1000
DO215AB 16 мм 8 мм 7.0 6.0 2.3 1 0 3.0 900
ТИП: Расшифровка Типа:
SM Rectangular Diode C-Bend Lead (Modified J-Lead)
Квадратный диод C – вывод (J-вывод)
Тип корпуса Ширина ленты Шаг компонента в ленте Размер корпуса L (мм) Размер корпуса W (мм) Высота корпуса H (мм) Размер корпуса S (мм) Размер корпуса B (мм) Кол-во в стандартной упаковке
(170 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
SMAJ 12 мм 4 мм 4. 3 2.6 2.2 5.0 1.5 1800
SMBJ 12 мм 8 мм 4.3 3.6 2.3 5.4 2.0 750
SMCJ 16 мм 8 мм 7.0 6.0 2.3 8.0 3.0 850

Внешний вид транзистора (TO) Типы корпусов

Транзистор Схема (ТО) Типы упаковки

транзистор Семейство пакетов Outline (TO) состоит из множества типов упаковки. решения для транзисторов и подобных дискретных устройств, а также простые ИС с малым количеством выводов. Структуры пакетов TO различаются широко, от дорогих металлических корпусов банок до недорогих пластиковых формованных упаковочные корпуса (см. Таблицу 1 ниже)

.



Таблица 1.   Типы ТО Пакеты (не показаны в масштабе)

ТО-3

— Корпус транзистора, тип корпуса 3

ТО-5

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 5

ТО-8

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 8

ТО-18

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 18

ТО-36

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 36

ТО-39

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 39

ТО-46

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 46

ТО-52

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 52

ТО-66

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 66

ТО-72

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 72

ТО-92

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 92

ТО-126

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 126

ТО-202

— Корпус транзистора, тип корпуса 202

ТО-218

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 2

18

ТО-220

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 220

ТО-226

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 226

ТО-254

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 254

ТО-257

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 257

ТО-258

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 258

ТО-259

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 259

ТО-264

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 264

ТО-267

— Внешний корпус транзистора, тип корпуса 267



См. другие типы корпусов ИС

ДОМ

Авторские права 2008 www.EESemi.com . Все права защищены.

Какие бывают типы транзисторов?

Какие существуют типы транзисторов?

Транзисторы в целом делятся на три типа: биполярные транзисторы (биполярные переходные транзисторы: BJT), полевые транзисторы (FET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).

Что такое транзисторная упаковка?

Транзисторные пакеты стили корпуса, используемые для размещения транзисторных компонентов , обеспечивающие соединение между кристаллом и внешней схемой, а также защиту хрупкого кристалла и, возможно, возможность отвода тепла через радиаторы во избежание теплового повреждения. 13 июня 2021 г.

Что такое схема транзистора?

Пакет Transistor Outline (TO) равен промышленный стандарт, регламентирующий конструкцию и размеры токопроводящих микроэлектронных корпусов и корпусов, состоящих из колодки ТО и крышки ТО .

К какому упаковочному материалу относится стандартное семейство транзисторов?

TO-220 — это электронный блок, используемый для мощных компонентов со сквозными отверстиями с шагом контактов 0,1 дюйма (2,54 мм). Обозначение «ТО» означает «схема транзистора». Пакеты ТО-220 имеют три вывода.

Родственный

Каковы две функции транзистора?

Транзистор представляет собой твердотельный полупроводниковый прибор, который выполняет множество функций, таких как обнаружение, выпрямление, усиление, переключение, стабилизация напряжения, модуляция сигнала и так далее. В качестве переключателя переменного тока транзистор может управлять выходным током в зависимости от входного напряжения. 15 марта 2018 г.

0502

Что такое транзистор 2N2222?

2N2222 представляет собой обычный биполярный транзистор NPN (BJT) , используемый в маломощных усилителях или переключателях общего назначения. Он предназначен для низкого и среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях.

Родственные

Что такое пакеты?

Пакеты TO состоят из заголовка TO и крышки TO . В то время как заголовок TO формирует основу инкапсулированных компонентов и обеспечивает их питанием, крышка обеспечивает плавную передачу оптического сигнала. Эти два компонента образуют герметичный корпус, защищающий чувствительные полупроводниковые компоненты.

Родственные

К какому выводу соединяется корпус транзистора to 18 внутри транзистора?

ТО-18 Упаковка

ТО-18 — прибор сквозной с металлической крышкой. Идентификация терминала; Контакт 1 Эмиттер, Контакт 2 База, Контакт 3 Коллектор. Коллектор внутренне соединен с корпусом.

Родственные

Что такое транзистор BC557?

BC557 — это транзистор общего назначения , используемый в качестве усилителя или переключателя в электронных схемах. Его рейтинги hFE этого транзистора варьируются от 125 до 800, что делает транзистор идеальным для использования в качестве усилителя в электронных схемах, таких как усиление аудиосигнала.

Родственный

Как легированы клеммы BJT?

Выводы биполярных транзисторов

Он сильно легирован, так что он может вводить большое количество носителей заряда в базу . … Коллектор — собирает носители заряда. Его легирование между эмиттером и базой означает умеренное легирование, но оно всегда больше, чем эмиттер и база по размеру. 21 февраля 2019 г.

Родственный

Какой тип цифрового корпуса ИС является наиболее распространенным?

Выводные рамки являются наиболее распространенными корпусами ИС. Вы можете использовать эти пакеты для соединенных проволокой штампов с серебряным или позолоченным покрытием. Для пластиковых корпусов для поверхностного монтажа производители часто используют медные материалы для выводной рамки.

Родственные

Из какого пластика делают ИС?

Материалы упаковки: пластик (термореактивный или термопласт), металл (обычно ковар) или керамика. Обычно для этого используется пластик эпоксидно-крезоловолак (ECN) . Все три типа материалов обладают приемлемой механической прочностью, влаго- и термостойкостью.

Родственные

Какие бывают типы транзисторов?

  • Типы транзисторов. Существует два типа стандартных транзисторов, NPN и PNP , с разными обозначениями схемы. Буквы относятся к слоям полупроводникового материала, используемого для изготовления транзистора. Большинство транзисторов, используемых сегодня, являются транзисторами NPN, потому что их легче всего изготовить из кремния.

Связанные

Какие существуют типы транзисторов?

  • Классификацию транзисторов можно понять, наблюдая за приведенной выше древовидной диаграммой. Транзисторы в основном делятся на два типа; это биполярные переходные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы (FET) . BJT снова подразделяются на транзисторы NPN и PNP.

Связанные

Каков размер транзистора?

  • В этом поколении чипов Intel на данный момент 1,4 миллиарда транзисторов размером 22 нм на чипе 160 квадратных миллиметров . Давайте вспомним, что транзистор — это электрический переключатель микропроцессора, управление затвором в транзисторе — это двоичный переключатель, состоящий из «0» и «1» или «выключено» и «включено».

Связанные

Из каких частей состоит транзистор?

  • Транзисторы состоят из трех частей: базы , коллектора и эмиттера . База представляет собой устройство управления воротами для более крупного электроснабжения. Коллектор — это более крупный источник электроэнергии, а эмиттер — выход для этого источника.

общий Информация СМИ Нажмите галерея иллюстрация

Поделиться этой записью:

Основные области применения, конструкция и типы

Типы транзисторов. Применение и конструкция транзисторов

Магазинные транзисторы

Транзисторы представляют собой полупроводниковые устройства с тремя выводами, используемые для регулирования тока или для усиления входного сигнала в больший выходной сигнал. Транзисторы также используются для переключения электронных сигналов. Циркуляция электрического тока через все типы транзисторов регулируется добавлением электронов. Этот процесс создает колебания напряжения, которые вызывают пропорционально большие колебания выходного тока, создавая усиление.

Хотя это варьируется, большинство типов транзисторов довольно маленькие и универсальные. Почти каждое электронное устройство содержит по крайней мере один или несколько типов транзисторов. Для многих транзисторы считаются одним из ключевых изобретений современной электрической эры из-за стандарта транзисторов и их частого места среди электронных систем и современных схем.

Большинство типов транзисторов упакованы индивидуально, но также могут быть включены в интегральную схему. В этих интегральных схемах количество транзисторов может сильно различаться в зависимости от приложения.

Типы транзисторов

Типы транзисторов: На фотографии выше изображен IGBT-транзистор от Powerex.

На современном рынке доступны различные типы транзисторов, включая биполярные транзисторы, транзисторы Дарлингтона, IGBT и MOSFET.

  • Биполярный транзистор — Биполярный транзистор (BJT) представляет собой трехвыводное электронное устройство, изготовленное из легированного полупроводникового материала и может использоваться в усилителях или переключателях. Биполярные транзисторы названы так потому, что в их работе участвуют как электроны, так и дырки. У биполярного транзистора выводы обозначены: эмиттер, коллектор, база. Небольшой ток на клемме базы (проходящий от базы к эмиттеру) может изменить или переключить гораздо больший ток между клеммами коллектора и эмиттера.
  • Транзистор Дарлингтона — Транзистор Дарлингтона на самом деле представляет собой два биполярных транзистора, соединенных таким образом, что ток, усиленный первым транзистором, еще больше усиливается вторым. Эта модель обеспечивает более высокий коэффициент усиления по току с общим эмиттером, чем если бы оба типа транзисторов были разделены, и может даже занимать меньше места, поскольку оба транзистора могут иметь общий коллектор.
  • БТИЗ-транзистор — биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) представляет собой силовой полупроводниковый прибор с тремя выводами, обычно используемый в качестве электронного переключателя. IGBT — это типы транзисторов, которые способны переключать электроэнергию во многих современных устройствах, таких как электромобили, поезда, холодильники с регулируемой скоростью, кондиционеры и даже стереосистемы с переключающими усилителями.
  • МОП-транзистор — полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (МОП-транзистор) используется в интегральных схемах для управления проводимостью канала. МОП-транзисторы сильно зависят от отрицательных и положительных зарядов. У них много целей, в том числе ограничение уровня мощности устройства, хранение данных и использование в качестве переключателя для самых разных электронных устройств.

Конструкция транзистора

Многие типы транзисторов изготовлены из цельного куска полупроводникового материала, по крайней мере, с тремя выводами для подключения к внешней цепи.

Основным элементом силового транзисторного модуля является кремниевый чип. Из-за высокого коэффициента усиления конфигураций Дарлингтона большинство биполярных транзисторов и транзисторных модулей содержат микросхемы транзисторов Дарлингтона. Некоторые из этих чипов представляют собой плоские структуры, как показано на рис. 1.1 . Поверхность плоского чипа легко обрабатывается, что упрощает массовое производство. Различные производители используют современные схемы излучателей с тонкими линиями, что обеспечивает превосходное усиление и безопасную рабочую зону. Высокие напряжения блокировки достигаются за счет использования процесса тройной диффузии и защитных колец.

На рис. 1.2 показана внутренняя конструкция транзисторного модуля. Микросхема транзистора припаяна к молибденовой основе. Основа из молибдена снижает тепловую нагрузку на чип из-за почти эквивалентных коэффициентов теплового расширения кремния и молибдена. Эта сборка затем припаяна к медному коллекторному электроду вместе с диодной микросхемой свободного хода. Медный электрод, в свою очередь, припаивается к керамической подложке. керамическая подложка может выдерживать напряжение от 2000 до 2500 вольт без существенного повышения термостойкости устройства. Чипы соединены алюминиевой проволокой, а затем покрыты силиконовым гелем для защиты поверхности чипов. Наконец, корпус заливается эпоксидной смолой для повышения механической прочности и устойчивости к воздействию окружающей среды.

Применение транзисторов

На этой диаграмме представлен простой схематический символ биполярного транзистора

. Более конкретно, этот символ

представляет биполярный транзистор NPN.

Правильное применение силовых полупроводников требует понимания их максимальных номинальных и электрических характеристик, информации, которая представлена ​​в паспорте устройства. В надлежащей практике проектирования используются ограничения, указанные в технических характеристиках, а не информация, полученная из небольших партий образцов.

Рейтинг — это максимальное или минимальное значение, которое устанавливает предел возможностей устройства. Эксплуатация с превышением номинальных значений может привести к необратимой деградации или отказу устройства. Максимальные оценки представляют экстремальные возможности устройства. Их нельзя использовать в качестве условий проектирования.

Характеристика — это мера производительности устройства в заданных условиях эксплуатации, выраженная минимальными, типичными и/или максимальными значениями или представленная графически.

(назад к транзисторам)

Руководство по выбору транзисторов: типы, характеристики, области применения

Транзисторы представляют собой небольшие универсальные полупроводниковые устройства, предназначенные для коммутации или усиления электронных сигналов и мощности. Почти все современные электронные устройства содержат один или несколько транзисторов. Некоторые транзисторы упакованы индивидуально, но гораздо больше встроено в интегральные схемы. В этих схемах количество транзисторов может варьироваться от нескольких до нескольких миллиардов. Транзистор считается одним из важнейших изобретений 20 -й -й век из-за его обильного использования в большинстве современных схем и электронных систем.

Состав

Транзисторы можно разделить на типы в зависимости от состава и, следовательно, полярности транзистора.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы, также называемые транзисторами с биполярным переходом (BJT), являются наиболее часто используемыми транзисторами. Они состоят из тонкого куска полупроводникового материала р-типа или n-типа (объяснено далее) между двумя более толстыми слоями противоположного типа. Эти транзисторы состоят из трех выводных компонентов: база , коллектор и эмиттер .

  • База является выводом, отвечающим за активацию транзистора. Это устройство управления воротами для более крупного электроснабжения.
  • Коллектор — это положительный вывод и больший источник питания.
  • Эмиттер является отрицательным выводом и выходом для более крупного источника питания.

Простой транзистор с указанием трех его основных компонентов. Изображение предоставлено студентом-технологом

NPN и PNP — это два стандартных типа транзисторов. Буквы относятся к порядку слоев полупроводника, из которых состоят выводы; Слои N-типа состоят из носителей отрицательного заряда и имеют избыток электронов, а слои P-типа состоят из носителей положительного заряда и имеют недостаток электронов. В полупроводниках свободные электроны заряжены отрицательно, а дырки в материале заряжены положительно.

Транзисторы NPN имеют выводы коллектора и эмиттера из материала N-типа и вывод базы из материала P-типа. Они используют электроны в качестве носителей тока. Они более распространены, потому что их легче изготовить из кремния.

Транзисторы PNP имеют выводы коллектора и эмиттера из материала P-типа и вывод базы из материала N-типа. Они используют дырки (пятна, лишенные электронов) в качестве носителей тока. Они функционируют почти так же, как NPN-транзисторы, за исключением того, что основной поток тока в них регулируется путем изменения количества отверстий в базе. Отрицательное и положительное соединения, выполненные транзистором PNP, также обратны соединениям NPN.

 

Различия в составе и протекании тока между транзисторами PNP и NPN. Изображение предоставлено: PhysLink.com

Полевые (униполярные) транзисторы

Полевые транзисторы (FET), также называемые униполярными транзисторами, представляют собой транзисторы только с двумя слоями полупроводникового материала. Они включают вентиль , источник и сток компоненты.

  • Затвор представляет собой полупроводниковый слой и вывод, который модулирует ток с помощью приложенного напряжения.
  • Источник находится там, где ток входит в канал.
  • Сток — место выхода тока из канала.

Состав полевого транзистора показан на изображении ниже.

Изображение предоставлено: PhysLink.com

Во время работы электричество проходит через первый полупроводниковый слой (называемый каналом). Напряжение, подключенное ко второму полупроводящему слою (затвору), управляет силой тока в канале, мешая протеканию тока.

Как работают транзисторы

Работу транзисторов можно объяснить как на функциональном, так и на теоретическом уровнях.

Функциональное понимание

Транзисторы могут работать как переключатели и усилители. Во время работы подаваемое напряжение изменяет поток электрического тока путем добавления электронов или прерывания потока. Это позволяет небольшим изменениям напряжения вызывать пропорционально большие изменения выходного тока, что приводит к усилению. Ток, протекающий через транзистор, также может функционировать как механизм переключения. Для понимания работы транзистора можно использовать простую визуальную аналогию.

Работа транзистора, показанная на аналогии с потоком воды. Изображение предоставлено: Satcure-focus.com

Приведенная выше диаграмма может использоваться для представления транзистора (в данном случае биполярного типа), где поток воды представляет собой поток тока. Первоначально на коллектор (С) подается запас воды (напряжение питания) и остается постоянным, чтобы не перегружать емкость транзистора. Изменяя ток из базового канала (B) за счет увеличения напряжения, затвор (переключатель) перемещается, позволяя пропорционально большему количеству тока течь от коллектора к эмиттеру (E).

Теоретическое понимание

В то время как устройства с двумя выводами описываются с одним напряжением и одним током, транзисторы (устройства с тремя выводами) описываются с тремя напряжениями и тремя токами. В BJT три напряжения — это напряжения между любыми двумя клеммами, представленные В BE , В CE и В CB . Токи обозначены эмиттерным током ( I E ), ток коллектора ( I C ) и ток базы ( I B ). На следующем рисунке показана схема конструкции, символ, а также направление и полярность токов и напряжений в транзисторе NPN. Для транзистора PNP эти токи и напряжения имеют противоположную полярность.

Транзистор может производить большой выход ( I C ) с очень маленьким входом ( I B ). Фактор, по которому выходной ток ( I C ) больше управляющего или входной ток ( I B ) называется усилением по постоянному току ( β ) усилителя. Его значение обычно указывается производителем и иногда обозначается символом h FE . Его можно найти по приблизительной формуле:

Это видео дает дальнейшее объяснение теории работы транзисторов:

Видео предоставлено: dizzo95

Критерии выбора

При выборе транзисторов промышленные покупатели должны учитывать тип транзистора и его рабочие характеристики, конструктивные параметры и область применения.

Типы

Различные типы транзисторов могут иметь преимущества, которые делают их предпочтительными для определенных приложений.

  • Биполярные транзисторы предпочтительны для высокоскоростных переключений и в качестве мощных усилителей для систем с большим током.

  • Полевые транзисторы предпочтительны для приложений со слабым сигналом (например, простая беспроводная связь и радиовещательные приемники) и в системах с высоким импедансом.

Технические характеристики

Транзисторы можно описать на основе ряда параметров и спецификаций.

Ток коллектора (I C ) описывает максимально допустимую токовую нагрузку в коллекторе. Измеряется в миллиамперах (мА) или амперах (А) в зависимости от мощности транзистора. Если ток в коллекторе превышает этот параметр, транзистор может выйти из строя от перегрузки.

Рассеиваемая мощность (P D или P tot ) описывает рассеиваемую мощность транзистора. Обычно измеряется в ваттах. Фактическое рассеивание определяется путем умножения напряжения на транзисторе и тока через коллектор. Обычно он указывается для внешней температуры окружающей среды 25°C. Он определяет коэффициент усиления тока в транзисторе.

Переход частоты (f T ) — частота, при которой коэффициент усиления по току падает до единицы. Измеряется в мегагерцах (МГц). В большинстве случаев транзистор должен работать значительно ниже этой частоты.

Напряжение пробоя между коллектором и эмиттером (V CE ) — максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером. Измеряется в вольтах. Напряжения, превышающие это значение, могут повредить соответствующий транзистор.

Конструктивные параметры

Транзисторы можно охарактеризовать на основе ряда конструктивных параметров, начиная от типа корпуса и заканчивая типом материала.

Тип корпуса — Транзисторы могут быть разработаны на основе самых разных стилей корпуса. Коды корпусов TOxx описывают устройства с выводами, а коды корпусов SOTxxx — устройства с поверхностным монтажом.

Материал — Транзисторы чаще всего состоят из одного из двух полупроводниковых материалов: кремния или германия. Определенные количества примесей (примесей) добавляются для изменения или улучшения рабочих характеристик транзистора, необходимых для применения. Хотя германий имеет более желательные электрические свойства, кремний гораздо чаще используется из-за его надежности и низкой стоимости.

Применение

Выбор правильного транзистора может сильно зависеть от области применения. По этой причине многие листы продуктов будут включать общие или специальные приложения для различных транзисторных продуктов. Некоторые общие области применения включают:

  • Низкая/средняя/высокая мощность
  • Общего назначения
  • Низкий уровень шума
  • Высокий коэффициент усиления

Некоторые специальные приложения включают:

  • Смеситель
  • УВЧ/УКВ усилитель
  • усилитель Дарлингтона
  • Широкополосный усилитель

Стандарты

BS IEC 60747-7 — Полупроводниковые приборы — дискретные устройства часть 7: Биполярные транзисторы

Справочные материалы

Все о схемах. ?

WhatIS.com — полевой транзистор (FET)

NTE Electronics, Inc. — Руководство по выбору кремниевых транзисторов

Изображение предоставлено:

Digi-Key Corporation | Allied Electronics, Inc. | Newark / element14


Выводы транзисторов: подробное руководство

О выводах транзисторов， Электрическая цепь представляет собой комбинацию различных электрических устройств. Одним из таких электрических устройств является транзистор.

Транзистор является неотъемлемой частью электрической цепи. Его функция заключается в преобразовании слабого сигнала из цепи с низким сопротивлением в цепь с высоким сопротивлением. Выводы — это компоненты транзистора, и в этой статье мы попытаемся обсудить, как они помогают транзистору выполнять свои функции.

 

Contents

  • Definition of Transistor Pinouts
  • Identification of Transistor Pins
  • Transistor Pinouts—Connecting a Transistor to a Circuit
  • Summary

Definition of Transistor Pinouts

 

The transistor is made из трех компонентов. И они включают Базу, Коллектор и Излучатель. Эти три компонента представляют собой распиновку транзистора, а эмиттер является первой распиновкой и отвечает за выход транзистора.

Далее идет База, которая является центральным компонентом транзистора. А База отвечает за контроль стоимости, а также получает подключение к подаче. Последняя часть — коллектор. Это самый большой компонент транзистора. Из-за своего размера он имеет наибольшее количество носителей в транзисторе.

 

Идентификация выводов транзистора

 

Силовые транзисторы

 

Примером наиболее распространенных проблем, с которыми сталкиваются профессионалы при проектировании схем, является определение соединений контактов во многих устройствах. К таким устройствам относятся транзисторы, TRIAC, SCR и многие другие устройства. Многим техническим специалистам приходится полагаться на такие источники, как таблицы данных, чтобы найти правильные соединения контактов и улучшить соединение в цепи.

В этом разделе основное внимание уделяется руководству по идентификации контактов транзисторов;

 

Биполярный транзистор (BJT)

 

Транзисторы обычно бывают двух типов: NPN или PNP. Эти два типа транзисторов обычно доступны в пластиковом или металлическом корпусе. При пластиковом корпусе транзистор имеет плоскую лицевую сторону, а расположение выводов последовательное. Идентифицируя штифты, поверните плоскую сторону к себе и начните считать штифты.

Чаще всего у транзисторов NPN первый контакт является коллектором, второй контакт — базой, а третий контакт — эмиттером. Таким образом, конфигурация CBE.

 

Биполярный соединительный транзистор

 

Однако с PNP-транзисторами дело обстоит наоборот. Первый контакт — эмиттер, второй — база, а последний — коллектор.

Когда транзистор имеет металлический корпус, расположение выводов круглое. Чтобы определить контакты в этой ситуации, найдите язычок на ободе транзистора. Для NPN-транзисторов ближайший к вкладке контакт — это эмиттер. Штифт напротив эмиттера — это коллектор, а тот, что посередине — это база.

С транзистором PNP дело обстоит наоборот. Ближайший к вкладке пин — это Коллектор, а тот, что напротив него, — это Излучатель, а пин посередине — это База.

Примечание. В некоторых случаях возможны изменения. Однако в большинстве случаев это именно та конфигурация, которую вы найдете.

Полевой транзистор (FET)

Полевой транзистор Пытаясь идентифицировать штифты, убедитесь, что изогнутая сторона обращена к вам. Затем начните считать булавки в обратном направлении. Первый контакт считается истоком, следующий — гейтом, а последний — стоком.

 

Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET)

 

Как и полевой транзистор, MOSFET использует компоновку G, D и S, что означает затвор, сток и исток. Чтобы определить контакты в MOSFET, убедитесь, что лицевая сторона обращена к вам, начните считать контакты с левой стороны на правую. Вы обнаружите, что расположение штырьков — Источник, Слив и Ворота.

 

Полевой транзистор на основе оксида металла

 

Однако такое расположение также не является неприкосновенным, поэтому рекомендуется свериться со спецификацией полевого МОП-транзистора, чтобы подтвердить идентификацию.

Транзисторные распучки-биполярный транзистор-транзистор для затвора. GN2470. Теперь вам нужно держать приподнятую часть к себе. В этом положении катодом является средний, который обычно короче. Штифт справа — это Излучатель, а слева — Врата.

 

Выводы транзистора — Фототранзистор

 

С таким практичным фототранзистором, как L14G2, вам нужно держать транзистор, позволяя поверхности с кривизной быть обращенной к вам, и начинать счет. Первый штырек с этого направления — коллектор, второй — излучатель, а последний — база.

 

Выводы транзистора — подключение транзистора к цепи

 

A Принципиальная схема, включая транзистор

 

Вне зависимости от типа транзистора способ подключения одинаков. Компоненты, необходимые для подключения, включают в себя транзистор 2N3906, резистор на 330 Ом, светодиод, открытый переключатель и двойной источник питания постоянного тока или 5 батареек типа АА.

Соединение начинается с эмиттера, с соединения +3В. Затем вы подключаете открытый переключатель к базе транзистора и подключаете светодиод к базе транзистора. Открытый переключатель управляет транзистором, который, в свою очередь, управляет светодиодом.

 

Резюме

 

Идентификация контактов в транзисторе — простой процесс. Однако этот процесс отличается для каждого типа установки транзистора. Если у вас есть дополнительные вопросы, посетите наш веб-сайт.

 

Коды транзисторов — поверхностный монтаж, PNP, NPN, выбор транзистора, TIP, B, A

Поиск

В Великобритании используются три основных серии кодов транзисторов: А), например BC108, BC478

Первая буква B для кремния, A для германия (сейчас используется редко). Вторая буква указывает тип; например, C означает маломощную звуковую частоту; D означает звуковую частоту высокой мощности; F означает низкую мощность высокой частоты. Остальная часть кода идентифицирует конкретный транзистор. В системе нумерации нет очевидной логики. Иногда в конце добавляется буква (например, BC108C) для обозначения специальной версии основного типа, например, с более высоким коэффициентом усиления по току или другим стилем корпуса. Если в проекте указана версия с более высоким коэффициентом усиления (BC108C), она должна использоваться, но если указан общий код (BC108), подходит любой транзистор с этим кодом.

  • Коды, начинающиеся с TIP, например, TIP31A

    TIP относится к производителю: Texas Instruments Силовой транзистор. Буква в конце обозначает версии с другим номинальным напряжением.

  • Коды, начинающиеся с 2N, например 2N3053

    Начальная цифра 2N идентифицирует часть как транзистор, а остальная часть кода идентифицирует конкретный транзистор. В системе нумерации нет очевидной логики.

    • Выбор транзистора

    В большинстве проектов указывается конкретный транзистор, но при необходимости вы обычно можете заменить эквивалентный транзистор из широкого ассортимента. Наиболее важными свойствами, на которые следует обратить внимание, являются максимальный ток коллектора IC и коэффициент усиления по току hFE. Чтобы облегчить выбор, большинство поставщиков группируют свои транзисторы по категориям, определяемым либо типичным использованием, либо максимальной номинальной мощностью.

    Чтобы сделать окончательный выбор, вам необходимо ознакомиться с таблицами технических данных, которые обычно представлены в каталогах.

    Они содержат много полезной информации, но их может быть трудно понять, если вы не знакомы с используемыми сокращениями. В таблице ниже приведены наиболее важные технические данные для некоторых популярных транзисторов, таблицы в каталогах и справочниках обычно содержат дополнительную информацию, но она вряд ли будет полезна, если вы не имеете опыта. Количества, показанные в таблице, объясняются ниже.

    0038 20

    BC4780035

    Транзисторы NPN

    Код Футляр
    стиль     		IC
    макс.     		VCE
    макс.     В    		 hFE
    мин.     		Суммарная точка
    макс.     		Category
    (typical use)     		Possible
    substitutes
    BC107 TO18 100mA 45 110 300mW Audio, low power BC182 BC547
    BC108 TO18 100mA 20 110 300mW General purpose, low power BC108C BC183 BC548
    BC108C TO18 100MA 20 420 600MW Общая цель, низкая мощность
    BC109 TO18 200MA TO18 200MA 200MA 200MA 200MA 200MA 200MA
    200 300mW Audio (low noise), low power BC184 BC549
    BC182 TO92C 100mA 50 100 350mW General purpose, low power BC107 BC182L
    BC182L TO92A 100MA 50 100 350MW Генерал, LOW PEOLTION 350MW Генерал, LOW PEOTS 350MW. 0026 BC547B TO92C 100mA 45 200 500mW Audio, low power BC107B
    BC548B TO92C 100mA 30 220 500mW General Цель, низкая мощность BC108B
    BC549B TO92C 100MA 30 240 625MW AUDIO (LOW LOWIO), LOW NOOK NOOK), LOW NOOK NOOK).0035 BC109
    2N3053 TO39 700mA 40 50 500mW General purpose, low power BFY51
    BFY51 TO39 1A 30 40 800mW General purpose, medium power BC639
    BC639 TO92A 1A 80 40 800mW General purpose, medium power BFY51
    TIP29A TO220 1A 60 40 30W General purpose, high power  
    TIP31A TO220 3A 60 10 40W Общая назначение, высокая мощность TIP31C TIP41A
    TIP31C TO220 3A00 TO220 3A 100 90090035 10 40W General purpose, high power TIP31A TIP41A
    TIP41A TO220 6A 60 15 65W General purpose, high power  
    2N3055 TO3 15A 60 20 117W Общая цель, высокая мощность

    . Пожалуйста, примечание:

    .0671

    Данные в этой таблице были собраны из нескольких источников, которые не полностью совпадают! Большинство расхождений незначительны, но, если вам нужны точные данные, обратитесь за информацией к вашему поставщику.

    Транзисторы PNP

    Код Корпус
    стиль     		1

    8 1 макс.     		VCE
    макс.     В    		 hFE
    мин.     		Ptot
    макс.     		Category
    (typical use)     		Possible
    substitutes
    BC177 TO18 100mA 45 125 300mW Audio, low power BC477
    BC178 TO18 200 мА 25 120 600 мВт Общего назначения, малой мощности
    BC179 TO18 200mA 20 180 600mW Audio (low noise), low power  
    BC477 TO18 150mA 80 125 360mW Audio, low power BC177
    BC478 TO18 150mA 40 125 360mW General purpose,low power BC178
    TIP32A TO220 3A 60 25 40W General purpose,high power TIP32C
    TIP32C TO220 3A 100 10 40 Вт Общего назначения, большой мощности TIP32A

     

    Обратите внимание: данные в этой таблице были собраны из нескольких источников, которые не полностью совпадают! Большинство расхождений незначительны, но, если вам нужны точные данные, обратитесь за информацией к вашему поставщику.

    Структура

    Показывает тип транзистора, NPN или PNP. Полярности этих двух типов различны, поэтому, если вы ищете замену, она должна быть того же типа.

    Тип корпуса

    В разделе «Соединение» выше приведена схема, показывающая выводы для некоторых наиболее распространенных типов корпусов. Эта информация также доступна в каталогах поставщиков.

    IC макс.

    Максимальный ток коллектора.

    VCE макс.

    Максимальное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
    Вы можете игнорировать этот рейтинг в цепях низкого напряжения.

    hFE

    Это усиление тока (строго усиление постоянного тока). Гарантированное минимальное значение дано, потому что фактическое значение варьируется от транзистора к транзистору — даже для одного и того же типа! Обратите внимание, что текущее усиление — это просто число, поэтому оно не имеет единиц измерения.
    Коэффициент усиления часто указывается для определенного тока коллектора IC, который обычно находится в середине диапазона транзистора, например, «[электронная защита защищена]» означает коэффициент усиления не менее 100 при 20 мА. Иногда указываются минимальные и максимальные значения. Поскольку коэффициент усиления приблизительно постоянен для разных токов, но варьируется от транзистора к транзистору, эта деталь представляет интерес только для специалистов.
    Почему hFE? Это один из целой серии параметров транзисторов, каждый со своим символом. Здесь слишком много всего, чтобы объяснять.

    Макс.

    Максимальная общая мощность, которую может развить транзистор.

    Похожие записи

    21.11.2024 0

    Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

    19.11.2024 0

    Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

    19.11.2024 0

    Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *