Вс557 цоколевка: BC557 транзистор характеристики, datasheet, аналоги и цоколевка

Содержание

BC557 транзистор характеристики, datasheet, аналоги и цоколевка

Как видно из характеристик транзистора ВС557 он часто используются в выходных каскадах высококачественных Hi-Fi усилителей, каскадах магнитофонов и в телевизионных приемниках. Он также может применяться в импульсных и переключающих схемах, например, в управлении усилителями. Имеет высокий коэффициент усиления и низкое напряжение насыщения.

Распиновка

Цоколевка кремниевого p-n-p транзистора ВС557 производят в пластмассовом корпусе ТО-92 с гибкими выводами.

Все производители данного прибора придерживаются такого расположения контактов: первый слева вывод – коллектор, второй – база, третий – эмиттер.

Характеристики

Приведем основные предельно допустимые характеристики транзистора ВС557 при температуре окружающей среды 25оС:

  • Максимальное напряжение коллектор-база Uкб max = — 50 В;
  • Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max = -45 В;
  • Наибольшее возможное напряжение эмиттер-база Uэб max = -5 В;
  • Максимальный постоянный ток коллектора Iк max = -100 мА;
  • Наибольший допустимый ток коллектора Iк пик = -200 мА;
  • Рассеиваемая мощность коллектора (максимальная) Рк max = 0,5 Вт;
  • Температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150 оС;
  • Максимальная температура перехода Tj = 150 оС.

В следующей таблице написаны основные электрические значения устройства.

В документации производителя присутствует такой параметр как «тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда»

Данное число показывает, насколько градусов увеличится температура кристалла, при увеличении рассеиваемой мощности.

Все транзисторы ВС557 по статическому коэффициенту передачи тока (hfe) делятся на три группы А, В и С.

  1. Для ВС557А – hfe = от 110 до 200;
  2. Для ВС557В – hfe = от 200 до 450;
  3. Для ВС557С – hfe = от 420 до 800;

На следующем рисунке приведен график зависимости коэффициента усиления транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером hfe от тока коллектора.

На графике по оси абсцисс отложены значения тока коллектора в логарифмическом масштабе. По оси ординат отложены значения hfe.

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить следующими аналогами:

  • BC556;
  • BC560;
  • 2N6015;
  • 2SA1015;
  • 2SA733;
  • BC307.

Существуют также транзисторы, которые близки по своим параметрам, но отличаются корпусом: BCY98B, 2PB709AS, 2PB709Q, 2SA1589, 2SA1591, 2PB709S, 2SA1590, 2PB709R, 2SA1654

Отечественный аналог ВС 557 является КТ361Д, однако он имеет другой корпус.

Комплиментарная пара, которую рекомендуют производители, это – BC547. Также можно использовать BC546 и BC550.

Производители

Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.

Bc557 транзистор характеристики и его российские аналоги

Как видно из характеристик транзистора ВС557 он часто используются в выходных каскадах высококачественных Hi-Fi усилителей, каскадах магнитофонов и в телевизионных приемниках. Он также может применяться в импульсных и переключающих схемах, например, в управлении усилителями. Имеет высокий коэффициент усиления и низкое напряжение насыщения.

Распиновка

Цоколевка кремниевого p-n-p транзистора ВС557 производят в пластмассовом корпусе ТО-92 с гибкими выводами.

Все производители данного прибора придерживаются такого расположения контактов: первый слева вывод – коллектор, второй – база, третий – эмиттер.

Характеристики

Приведем основные предельно допустимые характеристики транзистора ВС557 при температуре окружающей среды 25 о С:

  • Максимальное напряжение коллектор-база Uкбmax = — 50 В;
  • Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэmax = -45 В;
  • Наибольшее возможное напряжение эмиттер-база U
    эб
    max = -5 В;
  • Максимальный постоянный ток коллектора Iкmax = -100 А;
  • Наибольший допустимый ток коллектора Iк пик = -200 А;
  • Рассеиваемая мощность коллектора (максимальная) Ркmax = 0,5 Вт;
  • Температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150 о С;
  • Максимальная температура перехода Tj = 150 о С.

В следующей таблице написаны основные электрические значения устройства.

В документации производителя присутствует такой параметр как «тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда»

Данное число показывает, насколько градусов увеличится температура кристалла, при увеличении рассеиваемой мощности.

Все транзисторы ВС557 по статическому коэффициенту передачи тока (hfe) делятся на три группы А, В и С.

  1. Для ВС557А – hfe = от 110 до 200;
  2. Для ВС557В – hfe
    = от 200 до 450;
  3. Для ВС557С – hfe = от 420 до 800;

На следующем рисунке приведен график зависимости коэффициента усиления транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером hfe от тока коллектора.

На графике по оси абсцисс отложены значения тока коллектора в логарифмическом масштабе. По оси ординат отложены значения hfe.

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить следующими аналогами:

Существуют также транзисторы, которые близки по своим параметрам, но отличаются корпусом: BCY98B, 2PB709AS, 2PB709Q, 2SA1589, 2SA1591, 2PB709S, 2SA1590, 2PB709R, 2SA1654

Отечественный аналог ВС 557 является КТ361Д, однако он имеет другой корпус.

Комплиментарная пара, которую рекомендуют производители, это – BC547. Также можно использовать BC546 и BC550.

Производители

Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560


с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC556 — BC560 — кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры — p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером —

300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — У транзисторов BC556 65в.
У транзисторов BC557, BC560 45в.
У транзисторов BC558, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор — база — У транзисторов BC556 80в.
У транзисторов BC557, BC560 50в.
У транзисторов BC558, BC559 30в.

Максимальное напряжение эмиттер — база5в.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A — от 110 до 220.
У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B — от 200 до 450.
У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C — от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора

100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА — не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА — 0,9в.

Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 — BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах.
Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах.
Пример — популярная схема переговорного устройства(уоки — токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов — LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом.
Режимы прием — передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 — VT5) и два комплементарных BC557(VT3 — VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450).
Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 — его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 — C11 слюдяные, C12 — C13 — оксидные(электролитические), любого типа.
Катушка генератора L1 — 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника).
Катушка L2 — 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом.
Антенной служит безкаркасная катушка — пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 — 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

PNP транзистор общего применения

Характеристики
Технические
∙ Корпус TO-92
∙ Распиновка CBE

Электрические
∙ Мощность 0.5Вт
∙ Ток коллектора -0.1А
∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA
∙ Напряжение эмиттер-база -5В
∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В
∙ Напряжение коллектор-база -50В
∙ Hfe min 420
∙ Hfe max 800

Общие
∙ Производитель Semtech

12 шт. из магазина г.Ижевск
2328 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 рабочих дня
− +
В корзину

Bc337 транзистор характеристики, datasheet, аналоги, цоколевка

Корпус и распиновка

Цоколевка bc337 выглядит следующим образом. Большинство производителей выпускают его в пластмассовой упаковке ТО-92 с гибкими выводами, или её аналогах: SOT54, TO-226. Маркировка цифробуквенная, наносится на лицевой части корпуса по европейской системе Pro Electron. Если смотреть на неё, то первая ножка слева это — коллектор, второй — база, третий — эмиттер.

Несмотря на это, некоторые китайские компании выпускают устройство в тех же корпусах, что указаны выше, но с другой распиновкой. Например, у Foshan Blue Rocket Electronics сначала идет эмиттер, потом база и последним коллектор.

Биполярный транзистор BC337-25 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC337-25

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50

V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: TO92

BC337-25


Datasheet (PDF)

1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 1.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted

Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

1.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

BC337-40 Datasheet (PDF)

1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 4.1. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

4.2. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 4.3. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc

MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co

4.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

 4.5. bc337-338.pdf Size:172K _lge

BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto

Характеристики семейства транзисторов BC548

Все члены семейства BC548 выдерживают выходные токи (ток между коллектором и эмиттером) до 100 мА, а максимальное напряжение зависит от модели, как мы это можем видеть на следующем рисунке.

Здесь видно, что диапазон рабочих напряжений в зависимости от модели составляет от 30В до 65В. Если наша схема питается от напряжения 5В, 12В или 24В, мы можем использовать любую модель семейства без каких-либо проблем.

Максимальный постоянный ток 100 мА, а непродолжительный пиковый ток может достигать 200 мА

Важно уточнить, что некоторые производители, такие как Fairchild, выпустили транзистор BC548, который обеспечивает ток до 500 мА, однако он не соответствует стандартным характеристикам этого компонента (это можно увидеть на листе производителя Fairchild)

Это создало некоторую путаницу сред радиолюбителей о реальных возможностях транзистора BC548 . Чтобы не рисковать, рекомендуем вам соблюдать ограничение в 100 мА, указанное для стандартной модели.

Транзисторы серии BC54x имеют превосходный коэффициент усиления (hFE) от 110 до 800. В конце маркировки транзистора можно видеть букву, которая служит для более точного определения диапазона усиления. Если буква отсутствует, то коэффициент усиления охватывает весь возможный диапазон (от 110 до 800) . В следующей таблице приведены значения hFE для транзисторов серии BC54x соответствующее последней букве кода.

При проектировании электронной схемы, обычно берется в расчет минимальный коэффициент усиления.  Это гарантирует правильную работу схемы при любых обстоятельствах, даже если транзистор будет заменен другим подобным.

В случае BC548 все модели семейства взаимозаменяемы, за исключением нескольких случаев (в схемах с высоким рабочим напряжением или очень низким уровнем сигнала в схемах усиления). Ниже представлена распиновка BC548:

Аналоги и комплементарная пара

Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.

Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.

В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.

Производители

Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.

BC337-25 Datasheet (PDF)

1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 1.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

1.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Cc Hfe Caps
2N7051 Si NPN 0.625 100 100 12 1.5 150 200  1000 TO92
2N7052 Si NPN 0.625 100 100 12 1.5 150 200  1000 TO92
2SC3726 Si NPN 0.9 50   2 155 150  1200 TO92
2SC4169 Si NPN 1 50 50 6 1.2 175   4000 TO92
2SD1146 Si NPN 0.9 50   2 150   300 TO92
2SD1153 Si NPN 0.9 80 50 10 1.5 150 120  6000 TO92
2SD1153A Si NPN 0.9 80 50 10 1.5 150 120  8000 TO92
2SD1207U Si NPN 1 60 50 6 2 150 150 12 280 TO92
2SD1209 Si NPN 0.9 60   1 150   4000 TO92
2SD1388 Si NPN 0.7 60   1 150   250 TO92
2SD1616AL Si NPN 0.75 120 60 8 1 150 100 19 300 TO92
2SD1616L Si NPN 0.75 60 50 8 1 150 100 19 300 TO92
2SD1698 Si NPN 0.75 100   0.8 150   10000 TO92
2SD1701 Si NPN 0.75 1700   0.8 150   10000 TO92
2SD1835U Si NPN 0.75 60 50 6 2 150 150 12 280 TO92
2SD1853 Si NPN 0.7 80 60 6 1.5 150   2000 TO92
2SD1929 Si NPN 1.2 60   2 150   5000 TO92
2SD1930 Si NPN 1.2 100   2 150   5000 TO92
2SD1931 Si NPN 1.2 60   2 150   10000 TO92
2SD1978 Si NPN 0.9 120   1.5 150   10000 TO92
2SD1981 Si NPN 1 100 80 6 2 150   24000 TO92
2SD2046 Si NPN 1 50   1.5 150   5000 TO92
2SD2068 Si NPN 1 60   1 150   18000 TO92
2SD2088 Si NPN 0.9 60 60 8 2 150 100 20 4000 TO92
2SD2206 Si NPN 0.9 100 100 8 2 150 100 20 4000 TO92
2SD2206A Si NPN 0.9  120  2    2000 TO92MOD
2SD2213 Si NPN 0.9 150 80 8 1.5 150   1000 TO92MOD
2SD2248 Si NPN 0.9 80 80 8 2 150 100 20 4000 TO92
BC337-040 Si NPN 0.625  45  0.8  210  250 TO92
BC337-40 Si NPN 0.36 50 45 5 0.8 150 60 20 250 TO92
BC337A-25 Si NPN 0.625 60 60 5 0.8 150 100 18 250 TO92
BC337BPL Si NPN 0.625 50 45 5 0.8 150 100 18 250 TO92
BC337CP Si NPN 0.36 50 45 5 0.8 150 60 20 250 TO92
BC618 Si NPN 0.625 80 55 12 1 150 150 4.5 3000 TO92
BC875 Si NPN 0.8 60 45 5 1 150 200  1000 TO92
BC877 Si NPN 0.8 80 60 5 1 150 200  1000 TO92
BC879 Si NPN 0.8 100 80 5 1 150 200  1000 TO92
BCX74-40 Si NPN 0.625 75 45 5 1 150 100 12 250 TO92
BSR50 Si NPN 0.8 60 45 5 2 150 175  2000 TO92
BSR51 Si NPN 0.8 80 60 5 2 150 175  2000 TO92
BSR52 Si NPN 0.8 100 80 5 1 150 175  4000 TO92
CE1N2R Si NPN 1 60 60 15 2 150   1000 TO92
CE2F3P Si NPN 1 60 60 15 2 150   1000 TO92
CSD1616L Si NPN 0.75 60 50 6 1 150 100 19 300 TO92
ECG2341 Si NPN 0.8  80  1 150   2000 TO92
ECG48 Si NPN 1  50  1 150 100  25000 TO92
KSD1616-L Si NPN 0.75 60 50 6 1 150 100 19 300 TO92
KSD1616AL Si NPN 0.75 120 60 8 1 150 100 19 300 TO92
KSD1616L Si NPN 0.75 60 50 8 1 150 100 19 300 TO92
KTD2854 Si NPN 1 100 100 8 2 150 100 20 2000 TO92L
MPSW45A Si NPN 1 60 50 12 1 150 100 6 25000 TO92
MPSW45AG Si NPN 1 60 50 12 1 150 100 6 25000 TO92
MPSW45ARLRAG Si NPN 1 60 50 12 1 150 100 6 25000 TO92
MPSW45AZL1G Si NPN 1 60 50 12 1 150 100 6 25000 TO92
NTE2341 Si NPN 1 100 80 7 1    2000 TO92
NTE48 Si NPN 1 60 50 12 1    25000 TO92
SK3250 Si NPN 0.75 100 50 6 1  80  370 TO92M
SML2182 Si NPN 0.36  120  5 200 200  400 TO92
STX112 Si NPN 1.2 100 100 5 2 150   1000 TO92
TIPK110 Si NPN 0.8 60 60 5 2 150   1000 TO92
TIPK111 Si NPN 0.8 80 80 5 2 150   1000 TO92
TIPK112 Si NPN 0.8 100 100 5 2 150   1000 TO92
TIPK115 Si NPN 0.8 60 60 5 2 150   1000 TO92
TIPK116 Si NPN 0.8 80 80 5 2 150   1000 TO92
TIPK117 Si NPN 0.8 100 100 5 2 150   1000 TO92
TIPP110 Si NPN 0.8 60 60 5 2 150   1000 TO92
TIPP111 Si NPN 0.8 80 80 5 2 150   1000 TO92
TIPP112 Si NPN 0.8 100 100 5 2 150   1000 TO92

Всего результатов: 68

BC337-40 Datasheet (PDF)

1.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

1.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 4.1. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

4.2. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 4.3. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc

MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co

4.4. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

 4.5. bc337-338.pdf Size:172K _lge

BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto

Биполярный транзистор BC558A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC558A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125

Корпус транзистора: TO226

BC558A


Datasheet (PDF)

1.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _update

BC556xBK … BC559xBK
BC556xBK … BC559xBK
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
PNP PNP
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2009-12-07
±0.1
Power dissipation – Verlustleistung 500 mW
4.6
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
C B E
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial

5.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by BC556/D
Amplifier Transistors
BC556,B
PNP Silicon
BC557A,B,C
COLLECTOR
BC558B
1
2
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
1
2
BC BC BC
3
556 557 558
Rating Symbol Unit
CASE 2904, STYLE 17
CollectorEmitter Voltage VCEO 65 45 30 Vdc
TO92 (TO226AA)
CollectorBase Voltage VCBO 80 50 30 Vdc
EmitterBase Voltage VEBO

5.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola

MOTOROLA
Order this document
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
by BC556/D
Amplifier Transistors
BC556,B
PNP Silicon
BC557A,B,C
COLLECTOR
BC558B
1
2
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
1
2
BC BC BC
3
556 557 558
Rating Symbol Unit
CASE 2904, STYLE 17
CollectorEmitter Voltage VCEO 65 45 30 Vdc
TO92 (TO226AA)
CollectorBase Voltage VCBO 80 50 30 Vdc
EmitterBase Voltage VEBO

 5.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi

BC556/557/558/559/560
Switching and Amplifier
High Voltage: BC556, VCEO= -65V
Low Noise: BC559, BC560
Complement to BC546 … BC 550
TO-92
1
1. Collector 2. Base 3. Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage
: BC556 -80 V
: BC557/560 -50 V
: BC558/559 -30 V
VCEO Col

5.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi

BC556B, BC557A, B, C,
BC558B
Amplifier Transistors
PNP Silicon
http://onsemi.com
Features
Pb-Free Packages are Available*
COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS 2
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO Vdc
3
BC556 -65
EMITTER
BC557 -45
BC558 -30
Collector — Base Voltage VCBO Vdc
BC556 -80
BC557 -50
BC558 -30
TO-92
Emitter — Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE 29

 5.5. sbc558.pdf Size:94K _auk

 SBC558
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose application
• Switching application
Features
• High voltage : VCEO=-30V
• Complementary pair with SBC548
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
SBC558 SBC558 TO-92
Outline Dimensions unit : mm
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
1.27 Typ.
2.54 Typ.

5.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
BC556, A, B,
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC557, A, B, C
BC558, A, B, C
TO-92
Plastic Package
For Lead Free Parts, Device
Part # will be Prefixed with
E
B «T»
C
Amplifier Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25?C)
DESCRIPTION SYMBOL BC556 BC557 BC558 UNITS
Collector Emitter

5.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec

SEMICONDUCTOR BC556/7/8
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION .
B C
FEATURES
For Complementary With NPN Type BC546/547/548.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
G B 4.80 MAX
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
F 1.27
G 0.85
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
H 0.45
_
H J 14.00 + 0.50
BC556 -80
K 0.55 M

5.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron

BC556, A/B
BC557, A/B/C
BC558, A/B/C
PNP General Purpose Transistor
COLLECTOR
3
P b Lead(Pb)-Free
2
BASE
1
2
3
1
EMITTER
TO-92
Maximum Ratings ?
( T =25 C unless otherwise noted)
A
Rating Symbol BC556 BC557 BC558 Unit
V -65 -45
Collector-Emitter Voltage ECO -30
V
-30
V
Collector-Base Voltage CBO -80 -50 V
V
EBO
Emitter-Base Voltage -5 -5 -5 V
l 100
Collector Current Co

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Биполярный транзистор BC337-025 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC337-025

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: TO92

BC337-025


Datasheet (PDF)

4.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

4.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 4.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

4.4. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 4.5. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc

MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co

4.6. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

4.7. bc337-338.pdf Size:172K _lge

BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

BC337-040 Datasheet (PDF)

4.1. bc337-16bk bc337-25bk bc337-40bk bc338-16bk bc338-25bk bc338-40bk.pdf Size:88K _update

BC337-xBK / BC338-xBK
BC337-xBK / BC338-xBK
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
NPN NPN
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2010-05-27
±0.1 Power dissipation 625 mW
4.6
Verlustleistung
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
C B E
Gehäusematerial UL9

4.2. bc337-25 bc337-40.pdf Size:66K _st

BC337-25
BC337-40

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
Ordering Code Marking Package / Shipment
BC337-25 BC337-25 TO-92 / Bulk
BC337-25-AP BC337-25 TO-92 / Ammopack
BC337-40 BC337-40 TO-92 / Bulk
BC337-40-AP BC337-40 TO-92 / Ammopack
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR
THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY
TO-92 TO-92
THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE

 4.3. bc337-16 bc337-25.pdf Size:15K _fairchild_semi

BC337-16
BC337-25
E TO-92
B
C
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from
Process 12. See TN3019A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
VCES Collector-Base Voltage 50

4.4. bc337-a bc338.pdf Size:65K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 4.5. bc337-16-25-40 bc338-16-25-40.pdf Size:234K _mcc

MCC
BC337-16/25/40
TM Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
BC338-16/25/40
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
NPN
Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.
Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338)
Transistors
Lead Free Finish/RoHS Co

4.6. bc337-25-40.pdf Size:141K _onsemi

BC337, BC337-25,
BC337-40
Amplifier Transistors
NPN Silicon
http://onsemi.com
Features
These are Pb-Free Devices
COLLECTOR
1
2
MAXIMUM RATINGS
BASE
Rating Symbol Value Unit
Collector — Emitter Voltage VCEO 45 Vdc
3
EMITTER
Collector — Base Voltage VCBO 50 Vdc
Emitter — Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 800 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD

4.7. bc337-338.pdf Size:172K _lge

BC337/338(NPN)
TO-92 Bipolar Transistors
TO-92
1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage BC337 50
V
BC338 30
VCEO Collector-Emitter Voltage BC337 45
V
BC338 25
Dimensions in inches and (millimeters)
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collecto

Оцените статью:

Транзистор вс547 аналог отечественный — Яхт клуб Ост-Вест

Цоколевка BC547

Максимально допустимые характеристики транзисторов BC547

Постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при токе базы, равном нулю (VCE0):

Постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (VCB0):

Постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (VEB0):

Постоянный ток коллектора (IC):

Диапазон значений температуры хранения и эксплуатации (TJ). (Tstg):

  • BC547 – –55 to +150 °C

Тепловое сопротивление переход-среда (RΘJA):

Тепловое сопротивление переход-корпус (RΘJC):

Характеристики транзисторов BC547

Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 10 µA:

  • BC547A – 90
  • BC547B – 150
  • BC547C – 270

Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 2 mA:

  • BC547A – 180
  • BC547B – 290
  • BC547C – 500

Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 100 mA:

  • BC547A – 120
  • BC547B – 200
  • BC547C – 400

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE sat) при IC = 10 mA, IB = 0.5 mA:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE sat) при IC = 100 mA, IB = 5 mA:

Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE sat) при IC = 10 mA, IB = 0.5 mA:

Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE sat) при IC = 100 mA, IB = 5 mA:

Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) при VCE = 50 V:

Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) при VCE = 50 V, Tj = 125 °C:

Граничная частота коэффициента передачи тока (fT):

Емкость коллектоpного перехода (CCBO) при VCB = 10 V, f = 1 MHz:

Емкость эмиттеpного перехода (CEBO) при VEB = 0.5 V, f = 1 MHz:

Коэффициент шума (F) при VCE = 5 V, IC = 200 µA, RG = 2 kΩ, f = 1 kHz, Δf = 200 Hz:

Выкладывайте здесь свои опыты по замене на аналоги.
РЕАЛЬНЫЕ ЛИЧНЫЕ ПРОБЫ.

Например вместо IRF 740 подходят: IRF630, IRF640, IRF840. КТ805АМ и КТ805БМ (устанавливаются наоборот)
Вместо ВС547, ВС557 можно поставить КТ3102 и КТ3107.

ИНТЕРНЕТ-ПОРТАЛ БОЛГАРСКОЙ СОШ №1

Ваш IP: 91.146.8.87

ТРАНЗИСТОР BC547 и BC557

Цоколевка транзистора BC547

Характеристики транзистора BC547

  • Структура – n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 50 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
  • Ток коллектора, не более: 0.1 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (h fe): от 110 до 800
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
  • Корпус: TO-92

Комплементарной парой для BC547 является транзистор BC557 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BC547 можно заменить на BC546 , BC550

Характеристики транзистора BC557

  • Структура – p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -50 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -0.1 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (h fe): от 110 до 800
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
  • Корпус: TO-92

Комплементарной парой для BC557 является транзистор BC547 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить на BC556 , BC560

Добавить комментарий

Еврейские народные игры – Свивон

Admin 24 Июл 2017 Просмотров:2800 ИГРОТЕКА

Поиск по сайту

Новейшее из новостей

Видео для подготовки к ЕГЭ

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Видео для подготовки к ЕГЭ: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:324 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Задания на ЕГЭ в 2019 году

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Задания по категориям: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: https://inf-ege.sdamgia.ru – РЕШУ ЕГЭ. Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:306 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Как узнать сколько знаков в тексте Word?

Как узнать сколько знаков в тексте Word? Когда требуется написание текста определенного объема, нужно периодически узнавать сколько знаков уже написано в текстовом документе Word. Многие пользователи не знают как это.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1117 КОМПЬЮТЕРы

557

4.3 593 557

Указ Президента РФ от 18.05.2009 N 557 «Об утверждении …

18 май 2009 … N 557 «Об утверждении перечня должностей федеральной государственной службы, при замещении которых федеральные …

  base.garant.ru

ЯСЛИ-САД №557 Г. МИНСКА

Управление по образованию администрации Московского района города Минска. Государственное учреждение образования «ЯСЛИ-САД № 557 г.

  ddu557.minsk.edu.by

S/2019/557

S/2019/557. العربية 中文 English Français Русский Español.

  undocs.org

Комментарий к приказу №557 от 21 мая 2020 г.

Комментарий к приказу №557 от 21 мая 2020 г. Об изменении приказов Минздрава от 24 апреля 2020 г. №488 и от 20 апреля 2020 г. №453. Приказ …

  minzdrav.gov.by

Постановление Правительства Российской Федерации от 22.04 …

23 апр 2020 … Постановление Правительства Российской Федерации от 22.04.2020 № 557 «О внесении изменений в некоторые акты Правительства …

  publication.pravo.gov.ru

ГК РФ Статья 557. Последствия передачи недвижимости …

Статья 557. Последствия передачи недвижимости ненадлежащего качества Путеводитель по судебной практике (высшие суды и арбитражные суды …

  www.consultant.ru

Космос-557 — Википедия

«Ко́смос-557» — орбитальная космическая станция, по программе гражданских пилотируемых станций «Долговременная орбитальная станция » (ДОС) …

  ru.wikipedia.org

Школа № 557

Добро пожаловать в школу № 557. Лучший способ сделать детей хорошими — это сделать их счастливыми. О. Уайлд …

  school557.ru

A/71/557

A/71/557. العربية 中文 English Français Русский Español.

  undocs.org

Комплект цифрового манометрического коллектора testo 557 …

Цифровой манометрический коллектор testo 557 заменяет множество приборов, необходимых в холодильной отрасли. В комплект входит …

  www.testo.ru

BC557 транзистор характеристики, datasheet, аналоги и цоколевка

Как видно из характеристик транзистора ВС557 он часто используются в выходных каскадах высококачественных Hi-Fi усилителей, каскадах магнитофонов и в телевизионных приемниках.

  shematok.ru

BC557 транзистор характеристики, аналоги… — RadioLibrary

Характеристики транзистора BC557, его цоколевка (распиновка), маркировка, отечественные и импортные аналоги, параметры, его обозначение на схеме.

  www.radiolibrary.ru

Характеристики транзистора BC557, аналоги, цоколевка

Характеристики транзистора BC557. BC557 — универсальный PNP транзистор малой мощности, используется в с��емах переключения и усиления.

  www.sdelai-sam.su

Характеристики и цоколевка транзисторов BC547 и BC557: обзор…

Краткая характеристика параметров и цоколевка комплементарной пары транзисторов BC547 и BC557. Схема зарядного устройства, совмещенная с защитным устройством на smd элементах.

  mysku.ru

Карабин CZ 557 и его бюджетная версия Eclipse — CharliFox Портал…

Карабин CZ 557 и его бюджетная версия Eclipse. Магазинный карабин CZ 557 создан известной чешской компанией Czeska Zbrojovka.

  charlifox.ru

557 (число) — Википедия Переиздание // WIKI 2

557 (число). Совершенно та же Википедия.

  wiki2.org

557 — Wikipedia

Year 557 (DLVII) was a common year starting on Monday (link will display the full calendar) of the Julian calendar. The denomination 557 for this year has been used since the early medieval period, when the Anno Domini calendar era became the prevalent method in Europe for naming years.

  en.wikipedia.org

Datasheet search site | www.alldatasheet.com | BC556; BC557

BC556; BC557 PNP general purpose transistors. Product specication Supersedes data of 1997 Mar 27.

  static.chipdip.ru

Карабин CZ 557 | CharliFox | Яндекс Дзен

Карабин CZ 557 — детище компании Ceska Zbrojovka a.s., штаб-квартира которой находится в небольшом карпатском городке на юго-востоке Чехии.

  zen.yandex.ru

557 год до н. э. — Википедия

16-й год по эре правления луского князя Сян-гуна . В 1 луне был похоронен цзиньский Дао-гун . В 3 луне прошёл съезд у реки Цзюй-лян, присутствовали князья Цзинь, Сун, Вэй, Чжэн, Лу, Цао, Цзюй, Чжу, Се, Малого Ци и Малого Чжу. В день у-инь их сановники заключили договор .

  ru.wikipedia.org

Все про электронику

Статистика
Пользователи : 1
Статьи : 4114
Просмотры материалов : 13046004
Посетители
Online
  • [Bot]
  • [Google]
  • [Mail.Ru]
  • [Yandex]
Сейчас на сайте:
  • 28 гостей
  • 4 роботов
Новые пользователи:

Всего пользователей: 1

Все про электронику

Автор: Administrator   
12.01.2018 18:15

Устройство предназначено для передачи изображения в телевизионном диапазоне и может использоваться для беспроводной передачи видеосигнала на небольшие расстояния.

Совместив передатчик, к примеру, с бескорпусной камерой, несложно получить простую систему беспроводного видеонаблюдения. Приемником сигнала в этом случае может служить любой телевизор, включенный на соответствующий канал. Будет устройство полезно и в случае, если необходимо просмотреть комплексный видеосигнал на старых моделях телевизоров, не оборудованных видеовходом.

 

Задающий генератор собран на транзисторе КТ603Г (VT 1) и колебательном контуре L1-C3. Несущую частоту в пределах 5 каналов можно грубо регулировать подстроечным конденсатором С3 или растягиванием/сжиманием витков бескорпусной катушки L1. Более точно передатчик подстраивают резистором R1, контролируя захват несущей визуально на экране телевизора, настроенного на необходимый канал. Глубина модуляции регулируется подбором R6, контролируется визуально до получения контрастной неискаженной картинки.

При нормальной работе задающего генератора схема потребляет ток порядка 25 — 30 мА (точка А). Во избежание паразитной модуляции схему лучше питать от стабилизированного источника. Конструкция антенны жесткая (штырь, телескопическая антенна от радиоприемника), плата передатчика помещена в экранирующий корпус. На месте VT1 хорошо работает КТ608Б.

 
Автор: Administrator   
12.01.2018 18:15

Для того, чтобы любое электронное устройство перестало видеть свой пульт дистанционного управления, достаточно собрать несложную схему, приведенную на рисунке.

По сути это генератор помех, излучающий в ИК диапазоне с частотой порядка 38 кГц. При получении любого сигнала с приемника ИК управления, любое устройство производит анализ полученного сигнала и если команда не дешифруется, снова переходит в ждущий режим. Поскольку наш генератор шума излучает постоянно, то узел анализа переходит в режим постоянного распознавания заведомо ложного сигнала и никак не реагирует на сигналы реального пульта.

Электрическая схема прибора состоит из автогенератора, собранного на интегральном таймере 555 и усилителя мощности на транзисторе ВС557 в эмиттерную цепь которого включен токоограничивающий резистор. Конструктивно прибор выполнен аналогично обычному пульту ДУ, на крышке которого находятся  выключатель питания и светоизлучающие диоды. Для блокировки, скажем, телевизора, достаточно направить излучатели «глушилки» в сторону его приемного окошка ДУ и включить тумблер питания.

Единственная регулировка, которая потребуется – подбор частоты автогенератора изменением сопротивления подстроечного резистора R1 до отсутствия реакции приемника на команды с пульта. Если вы планируете использовать глушилку для нескольких устройств, имеет смысл на переднюю панель вывести многопозиционный переключатель, подключающий один из подстроечных резисторов из заранее подобранной кассеты сопротивлений.

 
Автор: Administrator   
12.01.2018 18:16

Отличительная особенность усилителя – малое напряжение питания, электронная регулировка громкости и возможность перехода в режимы MUTE и STANDBY, что позволяет использовать его в переносных конструкциях с низковольтным питанием. Усилитель собран на специализированной микросхеме TDA8551( TDA8551T), выполненной по CMOS – технологии, которая состоит из собственно усилителя звуковой частоты мощностью 1 Вт на нагрузке 8 Ом и электронного регулятора громкости, управляемого импульсами высокого или низкого уровня (для автоматического увеличения или уменьшения громкости соответственно).

Усилитель мощности на микросхеме  TDA8551

Изменение громкости – дискретное – по 1.25 дБ, диапазон питающих напряжений – 2.7 …5.5 В, ток покоя микросхемы – 10 мА при номинальном напряжении питания (5В).  Входное сопротивление усилителя — 15 кОм. Микросхема выпускается в корпусах DIP-8 (TDA8551 для обычного монтажа) и SO-8 (TDA8551T для поверхностного монтажа). При выборе корпуса стоит учитывать, что выходная мощность микросхемы в варианте SO-8 из-за плохой теплоотдачи ограничена величиной 0.8 Вт. Микросхема в обоих исполнениях имеет схемы тепловой и электростатической защиты.

Приведенная схема усилителя является типовой и особых пояснений не требует. Цепь R2, C3 предназначена для подавления дребезга кнопок, резистор R1 предотвращает короткое замыкание по питанию при случайном одновременном нажатии кнопок SB1 и SB2.  Переключатель SA1 изображен для наглядности, поскольку обычно режимами MUTE и STANDBY управляют электронные схемы.

 
Автор: Administrator   
12.01.2018 18:17


Отечественный интегральный контроллер предназначен для управления 12-ти разрядным линейным индикатором уровня. Зарубежные аналоги – UAA180, UL1890N. При использовании индикатора с  меньшим количеством  разрядов неиспользуемые выводы могут оставаться свободными или объединяться. В типовом включении на индикаторе или линейке светодиодов имитируется столбик (линия) изменяющейся длины, но при желании микросхема может работать и в режиме «бегущая точка». Основные электрические характеристики микросхемы К1003ПП1:

  • Напряжение питания – 10 – 18 В;
  • Ток потребления – 30 мА;
  • Напряжение входное максимальное – 0.5 В;
  • Ток каждого выхода – 5 мА;
  • Диапазон рабочих температур — -30…+50°С.

Назначение выводов микросхемы К1003ПП1

выв.

назначение

1 общий
2 регулировка яркости свечения всех разрядов
3 регулировка уровня включения последнего разряда
4 выход разряда
5 выход разряда
6 выход разряда
7 выход разряда
8 выход разряда
9 выход разряда
10 выход разряда
11 выход разряда
12 выход разряда
13 выход разряда
14 выход разряда
15 выход разряда
16 регулировка уровня включения первого разряда
17 вход
18 + питания

Типовая схема включения микросхемы К1003ПП1

Схема включения микросхемы К1003ПП1 в режиме «бегущая точка»

 
Страница 39 из 207

Металлоискатель пират своими руками подробная инструкция. Мощный металлоискатель Pirat своими руками

Предлагаем вашему вниманию схему несложного импульсного металлоискателя PIRAT. Согласитесь, попробовать отыскать что-то под землей весьма увлекательное занятие, возможно кто-то заинтересуется этой схемой чтобы попробовать, а кому-то захочется коммерческой выгоды от поиска металлов. Металлоискатель PIRAT достаточно прост в изготовлении и не требует сложной настройки, в нем нет редких или дорогих деталей, и по параметрам он конкурирует с некоторыми импортными экземплярами ценовой категории 100-300 долларов. главные преимущества этого устройства — дальнобойность и стабильность и. Собрать его смогут даже люди имеющие элементарные познания в области электроники.

вид печатной платы металлоискателя пиратПараметры прибора: питание — 9-12 вольт, Потребляемый ток — 35-40 мА, Чувствительность -монета 25 милиметров — 20 см, крупные предметы до 150 см, прибор содержит два основных узла: приемный и передающий.В передающем узле — генератор импульсов на микросхеме NE555, или советский аналог — КР1006ВИ1 и ключ на транзисторе IRF740. Приемный узел работает на транзисторе ВС547 и на микросхеме К157УД2.

Катушку следует намотать на оправе диаметром 190мм, она содержит 25 витков (провод ПЭВ 0.5.-0.6). В качестве транзистора Т2 можно на крайний случай использовать КТ 817, ну это уже поле для экспериментов.В качестве Т3 почти любой NPN транзистор. Правильно собранный металлоискатель практически не нужнается в наладке. Чтобы щелчки в динамике прослушивались при среднем положении R13, необходимо подобрать резистор R12. Осциллографом можно измерить на затворе Т2 частотугенератора и длительность управляющего импульса. Оптимальный значения импульса 120-150мкс, частота 130-150 гц.

Полный список необходимых радиодеталей и цоколевка.

Работа с металлоискателем: после включения ждем 15-20 сек, затем регулятором находим положение при котором в громкоговорителе можно услышать щелчки — это будет максимальной чувствительностью устройства. научиться работать с прибором можно буквально после нескольких включений.У кого возникнут сложности с покупкой микросхемы NE555 или КР1006ВИ1, можно сделать генератор на транзисторах. Возможно из-за разброса параметров придется подобрать длительность импульса и частоту. Для этого желательно наличие осциллографа.

Pirat — расшифровывается так: PI — означает металлодетектор импульсный, а RAT — сайт автора: «radioscot» . Данный металлоискатель завоевал славу простого и не дорогого прибора, малое количество доступных не дефицитных деталей, при правильной сборке и исправных деталей прибор работает сразу, практически без настроек.

Если сравнивать с также простой схемой металлоискателя на биениях частоты, то здесь глубина обнаружения металла на порядок лучше. Дискриминации в данном типе металлоискателя нет, цветной и чёрный металлы реагируют практически одинаково. Но при определённых навыках можно понять, какая цель находится под датчиком. Сборка и настройка данного металлоискателя намного проще, чем рассматриваемого ранее импульсного металлоискателя .

Характеристики металлоискателя «ПИРАТ»

  • Напряжение питания: 9 – 12 вольт .
  • Потребляемый ток: 30-40 мА .
  • Глубина обнаружения монеты (25 мм): 20 см .
  • Глубина обнаружения крупных металлов: 150 см .

Конечно, характеристики во многом зависят от использованных деталей, диаметра катушки, качества сборки и т.д.

Схема металлоискателя «ПИРАТ»

Есть много различных вариантов схем металлоискателя ПИРАТ и доработок к ним.

Вариант: генератор на NE555, а приемник на TL072

с регулировкой частоты генератора:

Вариант: генератор на К561ЛА7/ЛЕ5, приёмник на К157УД2

Печатная плата металлоискателя ПИРАТ

Существуют также много различных вариантов ПП, ниже несколько вариантов.

Вариант: генератор на NE555, приёмник на К157УД2

Вариант: генератор на транзисторах, приёмник на К157УД2

Вариант: генератор на NE555, приёмник на TL072

Описание схемы

Схема металлоискателя состоит из двух основных узлов: передающего и приемного .

Передающий узел состоит из генератора импульсов на микросхеме КР1006ВИ1 (зарубежный аналог NE555) и мощного ключа на полевом транзисторе КП505А (зарубежный аналог IRF740, IRF840). Можно поставить биполярный транзистор обратной проводимости с напряжением К-Э не менее 200В. Его можно взять из энергосберегающей лампы или зарядного устройства от мобильного телефона. Для раскачки мощного ключа используется транзистор ВС557.

Приемный узел собран на микросхеме К157УД2 (можно собрать зарубежной мс TL072), по входу приёмника стоят встречно-параллельно ограничивающие диоды, на входе второго каскада приемника стоит фильтр, вырезающий нужную часть импульсов, на выходе второго каскада стоит транзисторе ВС547, в его коллекторной цепи подключен динамик 8-50 Ом. В место Т3 можно применять практически любой транзистор структуры NPN.

Список деталей для металлоискателя «ПИРАТ»

Все эти радиодетали применялись в старой советской технике. Можно их также заказать в интернет-магазинах.

Динамик можно взять от китайского портативного радио с сопротивлением 8 — 50 Ом. Так же для настройки нужны два потенциометра на 10кОм и на 100кОм. Питание металлоискателя осуществляется от 9 — 12 В. Чувствительность и работа лучше от 12В. Для этой цели лучше использовать аккумуляторы, используемые в ноутбуках.

Монтаж

Схему металлоискателя рекомендуем спаять с помощью чистой канифоли или спирто-канифольным раствором. Перед тем как начать сборку всей конструкции рекомендуем проверять целостность деталей мультиметром, так как возможен брак радиоэлементов. После пайки обязательно тщательно промыть плату спиртом (водкой) с помощью зубной щётки.

Катушка металлоискателя

Первый вариант

Катушка намотана на оправке около 200 мм, она содержит 25-30 витков провода ПЭВ, ПЭЛ, ПЭТВ… Ф-0,4 — 0,7. В качестве оправки подойдет кастрюля такого размера. Количество витков лучше намотать 30 и затем в процессе настройки уменьшать, добиваясь максимальной чувствительности. Для этого подносим монетку к катушке и проверяем, с каким количеством витков монетка будет «улавливаться» с наибольшего расстояния.

Для того, что бы катушка имела хорошую прочность и крепилась к штанге, её можно намотать, например, на пяльцах для вышивания. Смотрите фото ниже.

Второй вариант (катушка корзиночного типа)

С её помощью удается получать большей глубины обнаружения, особенно для мелких металлов. Конструктивные особенность датчиков этого типа позволяет получить чувствительность до 20% больше, чем обычный датчик.

Катушка наматывается на оправке 180 — 200 мм и содержит 4 витка провода «витая пара» для компьютера (без фольги!) . В кабеле 8 проводов.

4 витка * на 8 проводов = получаем 32 витка.
Индуктивность данной катушки составляет 330 µГн и сопротивление 2 Ома.

Когда мотаем катушку: продевать свободный длинный конец кабеля в образовавшуюся петлю, обвивая вторым витком кабеля первый. За один оборот витка катушки нужно продеть 4-5 раз свободный конец кабеля через катушку.

При намотке катушки следите, чтобы кабель укладывался, строго повторяя период обвивки предыдущих витков.

Концы проводов зачищаем от изоляции, скручиваем, спаиваем и надеваем на соединения изоляционные трубочки. Провода двух концов соединяются так, чтобы получилась полноценная катушка. Можно соединить по любому, один из вариантов в приведённой таблице:

Цвет провода

одного конца

Действие

Цвет провода

другого конца

подключить к плате ->

ЗЕЛЁНЫЙ

ЗЕЛЁНЫЙ

БЕЛО-ЗЕЛЁНЫЙ

БЕЛО-ЗЕЛЁНЫЙ

СИНИЙ

СИНИЙ

БЕЛО-СИНИЙ

БЕЛО-СИНИЙ

ОРАНЖЕВЫЙ

ОРАНЖЕВЫЙ

БЕЛО-ОРАНЖЕВЫЙ

БЕЛО-ОРАНЖЕВЫЙ

КОРИЧНЕВЫЙ

КОРИЧНЕВЫЙ

БЕЛО-КОРИЧНЕВЫЙ

БЕЛО-КОРИЧНЕВЫЙ

Каркас катушки НЕ должен содержать металла! Сама катушка в этом типе металлоискателя тоже НЕ обматывается фольгой!

Провод, соединяющий катушку и плату должен быть толстым — обычный электрический медный многожильный типа ПВС, ПУНГП… 2 х 2,5 мм² или 2 х 1,5 мм², а также не желательно применять соединений и разъёмов. В импульсе ток достигает больших значений и всё выше сказанное влияет на чувствительность прибора.

Катушку плотно обматываем изолентой и припаиваем соединительный провод.

Штангу можно сделать из 4-5 м. водопроводной трубы из ПВХ и пару перемычек для того, что бы сделать штангу более удобной. На конец штанги, который вы будете держать, можно установить удобную подставку для руки из пластиковой канализационной трубы. После чего устанавливаем плату в любую подходящую по размерам коробку и крепим на штанге. В конструкции не должно быть посторонних металлических элементов, так как это будет сильно искажать электромагнитное поле прибора.

Настройка металлоискателя

Правильно собранный прибор в наладке практически не нуждается. При настройке только возможно придётся подобрать резистор (R12) , стоящий последовательно с переменным (R13) , чтоб щелчки в динамике появлялись при среднем положении его движка.

Если есть осциллограф, то можно проконтролировать на затворе Т2 длительность управляющего импульса и частоту генератора. Оптимальный вариант импульса 130-150мкс, частота 120-150 гц.

R1 в генераторе отвечает за частоту генерации. R2 — за длительность управляющего импульса. Напряжения на выводах ОУ (без присутствия метала в зоне датчика):

  • выв. 2-6.5в
  • выв. 3-6.5в
  • выв. 5-5.5в
  • выв. 6-3.5в
  • выв. 9-0.7в
  • выв. 13-6.2в

Для более детальной настройки, а также при ремонте металлоискателя желательно иметь осциллограф. Осциллограммы в различных точках схемы показаны на картинках, ниже.

3 нога время.дел 10мкс вольт.дел 05в без металла. 3 нога — с металлом
13 нога-2мс-2в без металла 13 нога-2мс-2в с металлом
13 нога-100мкс-2в без металла 13 нога-100мкс-2в с металлом
5 нога-1мс-2в без металла 5 нога-1мс-2в с металлом
7 нога-1мс-5в без металла 7 нога-1мс-5в с металлом
7 нога-100мкс-5в с металлом ноги 2,6 и питание—2мс-100мв без металла
-1мс-без металла -1мс- с металлом.

При включении ожидаем 15-20 сек, после чего регулятором ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ находим такое положение при котором в динамике прослушиваются щелчки — это и будет максимальная чувствительность.

Доработка металлоискателя «ПИРАТ»

Две схемы генераторов сигнала

Для того, чтобы в динамике были не щелчки, а «пиканье»для этой цели собирается схема генератора перед УНЧ.

В последнее время большую популярность набирает такое занятие, как поиск разных старинных монет, предметов быта, да и просто металлических безделушек в земле с помощью металлоискателя. В самом деле, что может быть лучше, чем прогуляться с утреца по полю, вдыхая запахи природы, наслаждаясь видами. А если при этом удаётся обнаружить в земле какую-нибудь стоящую находку – так вообще сказка. Некоторые люди занимаются этим намерено, целыми днями прочёсывая поля в поисках ценных монет или других драгоценностей. В их распоряжении имеются дорогостоящие заводские металлоискатели, купить которые будет по карману далеко не каждому. Однако полноценный металлоискатель вполне реально собрать самому.

В этой статье речь пойдёт о создании самого популярного, востребованного, проверенного временем, надёжного импульсного металлоискателя под названием «Пират». Он позволяет находить монеты в земле на глубине 15-20 см и крупные предметы на расстоянии вплоть до 1,5 м. Схема металлоискателя представлена ниже.

Схема металлоискатель «Пират»


Всю схему можно условно разделить на две части – передатчик и приёмник. Микросхема NE555 формирует прямоугольные импульсы, которые через мощный полевой транзистор подаются на катушку. При взаимодействии катушки с находящимися рядом с ней металла происходят сложные физические явления, благодаря которым приёмная часть имеет возможность «увидеть», есть в зоне катушки металл, или нет. Микросхемой-приёмником в оригинальной схеме «Пирата» является советская К157УД2, которую достать сейчас становится достаточно трудно. Однако вместо неё можно применить современную TL072, параметры металлоискателя при этом останутся точно такими же. Печатная плата, предложенная в этой статье, рассчитана именно на установку микросхемы TL072 (они имеют разную распиновку).
Конденсаторы С1 и С2 отвечают за формирование частоты прямоугольных импульсов, их ёмкость должна быть стабильной, поэтому желательно применить плёночные. Резисторы R2 и R3 отвечают за длительность и частоту прямоугольных импульсов, которые формирует микросхема. С её выхода они поступают на транзистор Т1, инвертируются и подаются на затвор полевого транзистора. Здесь можно применить любой достаточно мощный полевой транзистор с напряжением сток-исток не менее 200 вольт. Например, IRF630, IRF740. Диоды D1 и D2 любые маломощные, например, КД521 или 1N4148. Между 1 и 6 выводом микросхемы включается переменный резистор номиналом 100 кОм, с помощью которого выставляется чувствительность. Удобнее всего использовать два потенциометра, на 100 кОм для грубой настройки и 1-10 кОм для точной подстройки. Соединить их можно по следующей схеме:


Динамик в схеме подключается последовательно с резистором 10-47 Ом. Чем меньше его сопротивление, тем громче будет звук и больше потребление металлоискателя. Транзистор Т3 можно заменить на любой другой маломощный NPN транзистор, например, на отечественный КТ3102. Динамик можно применить любой, первый попавшийся. Итак, перейдём от слов к делу.

Сборка металлоискателя

Список необходимых деталей

Микросхемы:
  • NE555 – 1 шт.
  • TL072 – 1 шт.
Транзисторы:
  • BC547 – 1 шт.
  • BC557 – 1 шт.
Конденсаторы:
  • 100 нФ – 2 шт.
  • 1 нФ – 1 шт.
  • 10 мкФ – 2 шт.
  • 1 мкФ – 2 шт.
  • 220 мкФ – 1 шт.
Резисторы:
  • 100 кОм – 1 шт.
  • 1,6 кОм – 1 шт.
  • 1 кОм – 1 шт.
  • 10 Ом – 2 шт.
  • 150 Ом – 1 шт.
  • 220 Ом – 1 шт.
  • 390 Ом – 1 шт.
  • 47 кОм – 2 шт.
  • 62 кОм – 1 шт.
  • 2 МОм – 1 шт.
  • 120 кОм – 1 шт.
  • 470 кОм – 1 шт.
Остальное:
  • Динамик 1 – шт.
  • Диоды 1N4148 – 2 шт.
  • Панельки DIP8 – 2 шт.
  • Потенциометр 100 кОм – 1 шт.
  • Потенциометр 10 кОм – 1 шт.

Печатная плата

Печатная плата выполняется методом ЛУТ, отзеркаливать её перед печатью не нужно.

(cкачиваний: 1646)


На плату в первую очередь нужно запаять резисторы, диоды, затем всё остальное. Микросхемы желательно установить в панельки. Провода подключения катушки, динамика, потенциометра и катушки можно впаять напрямую в плату, но удобнее использовать винтовые клеммники, тогда можно будет подключать и отсоединять провода без использования паяльника.

Изготовление катушки

Несколько слов о поисковой катушке. Самый оптимальный вариант – намотать 20-25 витков медной проволоки сечением 0,5 мм2 на круглой оправе диаметром около 20 см. От количества витков в большой степени зависит чувствительность, поэтому стоит сначала намотать витков побольше, штук 30, а затем, постепенно убавляя количество витков, выбрать такое число, при котором чувствительность будет максимальной. Провода от платы от катушки должны быть не большой длины, желательно медные и сечением не меньшим, чем сечение провода катушки.

Настройка металлоискателя

После сборки платы, намотки катушки, прибор можно включать. В первые 5-10 секунд после включения из динамика будут доноситься различные шумы и трески, это нормально. Затем, когда операционный усилитель войдёт в свой рабочий режим, нужно найти потенциометром такой режим, когда из динамика будут доноситься отдельные щелчки. При поднесении к катушке металлического предмета частота щелчков будет значительно увеличиваться, а если внести металл в самый центр катушки трест превратиться в непрерывный гул. Если чувствительности недостаточно, а изменение количества витков катушки не помогает, стоит попробовать подобрать номиналы резисторов R7, R11, меняя их в большую или меньшую сторону. Плату обязательно нужно отмыть от флюса, нередко он становится причиной неправильной работы металлоискателя. Успешной сборки!

Схема металлоискателя «Пират», очень популярная и понятная даже начинающему радиолюбителю. Металлоискатель Пират обладает довольна неплохими характеристиками, ни смотря на простоту схемы и доступность деталей. Собирается легко, за вечер, не требует практически ни каких настроек и прошивок, начинает работать сразу после сборки! Ниже представлю подробную инструкцию по сборке металлоискателя Пират!

Технические характеристики МД Пират:

Потребляемый ток 30-40 мА
Напряжение питания 9-14 вольт
Дискриминации нет, реагирует на все металлы
Чувствительность монета 25 миллиметров — 20 см
Крупные металлические предметы — 150 см

Питание:

Для работы металлоискателя Пират, требуется напряжение 9-14 вольт. Можно использовать обычные батарейки или аккумуляторы типа AA или две кроны соединённые параллельно, но я бы посоветовал потратить немного денег и купить аккумулятор для бесперебойника, его легко можно закрепить на штанге металлоискателя и заряда будет хватать на долго. Так же, можно использовать и батарею от шурупавёрта, кстати по началу, я именно её и использовал!

Катушка:

Поисковая катушка для металлоискателя Пират, тоже изготавливается несложно. Наматывается на оправе 190 мм. и содержит 25 витков провода ПЭВ 0.5 мм. Катушку можно намотать на пяльце для вышивания, кстати этот способ довольно распространенный. Лично я беру обычную кастрюля, наматываю на ней катушку и стягиваю всё это изолентой, затем делаю каркас из тонкой фанеры и закрепляю её на нём. Тут как говорится, каждому своё, кому как удобно.

Необходимые детали:

Схема металлоискателя пират:

Металлоискатель пират состоит из передающего и приёмного узлов. Передающий узел состоит из генератора импульсов который собирается на микросхеме NE555 и мощного ключа, на транзисторе IRF740. Приёмный узел состоит из микросхемы К157УД2 и транзистора BC547.

На самом деле, детали достаточна распространенные но если всё таки вы не смогли их найти, попробуйте применить аналоги. Таймер NE555 можно заменить на отечественный аналог КР1006ВИ1, Вместо транзистор IRF740, можно поставить любой биполярный NPN структуры с Н кэ не ниже 200 вольт, можно даже выпаять из энергосберегающей лампы или зарядки от телефона, на крайний случай, подойдет даже КТ817. Транзисторы BC557 и BC547, на отечественные КТ3107 и КТ3102. У операционного усилителя К157УД2 есть полный аналог КР1434УД1В, так же его можно заменить на импортный TL072, но в этом случае, нужно будет переделать распиновку платы, так как у него 8 ног. Металлоискатель Пират на TL072 у меня тоже есть, схема и плата лежат в общем архиве. Кстати генератор импульсов можно собрать и на транзисторах:

Немного о деталях:


Микросхема К157УД2 и К157УД3
Микросхема NE555
Транзистор IRF740
Плёночные конденсаторы
Правильное соединение резисторов.

Сборка металлоискателя Пират:

Для начала конечно же нужно подготовить плату. Для этого открывает программу Sprint-Layout и печатаем заготовку нашей будущей платы, затем переносим рисунок любым удобным способом на подготовленную плату, протравливаем её и насверливаем отверстия для деталей. Я использую технологию ЛУТ, хотя лазерного принтера у меня нет, делаю на работе.

Но когда нет возможности напечатать на лазерном принтере, то можно сделать рисунок на струйном, затем отрезать стеклотекстолик нужной формы, приложить рисунок к плате и острым предметом отметить дырочки, затем насверлить и перманентным маркером нарисовать дорожки вручную. Ну или через копирку перевести.

Обязательно нужно зачистить плату мелкой наждачной бумагой и обезжирить ацетоном перед нанесением рисунка, так и изображение хорошо переведётся и процесс травления будет быстрее и надёжнее. После того как плата протравится, необходимо снова ацетоном стереть тонер или маркер и немного потереть наждачной бумагой.

Затем берём паяльник и лудим дорожки оловом. После лужения, обязательно стираем ацетоном лишнюю канифоль, дабы избежать проблем в будущем. По желанию, можно прозвонить дорожки.

Теперь необходимо припаять все детали на плату. Для этого так же открываем печатку в программе Sprint-Layout и смотрим где какие детали располагаются. Я настоятельно советую вам, поставить панельки для микросхем, на всякий случай. Первым делом припаяйте перемычки, их в схеме 2, и одна находится под микросхемой NE555, так что если вы про неё забудете, неисправность будет найти сложно, так как я уверен, вы за эти перемычки и не вспомните! В качестве перемычки, подойдут ножки от резисторов.

Когда все детали на месте, остаётся только припаять отводы на переменные резисторы, катушку, динамик и питание.


Правильно собранная схема начинает работать сразу, без каких либо настроек.

Катушка как я говорил выше, наматывается на оправе 19-22 см и содержит 25 витков. Для поиска более мелких предметов, можно намотать катушку по меньше 15 см — 17 витков или 10 см. — 13 витков. Для поиска чермета конечно лучше использовать катушку диаметром 19 см.

Хочу сказать пару слов о тональности звука. Мне он показался слишком грубым. Изменить тональность, можно путём подбора конденсатора С1, я заменил его на 47nf и звук стал более высоким.

Динамик лучше брать типа 3ГДШ TRYD 4070-02 8Ом так звук будет гораздо мощнее, я заменил старый динамик в своём металлоискателе именно на него. Так же, очень хорошо справляются и динамики от наушников.

Ссылку на печатную плату, а так же список деталей необходимых для сборки Пирата которые очень дёшево можно купить на AliExpress с бесплатной доставкой, находятся в конце статьи по видео!

И напоследок, видео работы металлоискателя Пират:

BC557 Распиновка, описание, эквивалент и техническое описание транзистора BC557

BC557 Контакт Конфигурация

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Коллектор

Ток протекает через коллектор

2

База

Управляет смещением транзистора

3

Излучатель

Ток утечки через эмиттер

Характеристики
  • Биполярный PNP-транзистор
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h FE ) не более 300
  • Непрерывный ток коллектора (I C ) составляет 100 мА
  • Базовое напряжение эмиттера
  • BE ) составляет 6 В
  • Базовый ток (I B ) не более 5 мА
  • Доступен в пакете To-92

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в техническом описании BC557 , приведенном в конце этой страницы.

BC557 Эквивалентные PNP-транзисторы

BC157, BC558, 2N3906, 2SA1943, BD140, S8550, TIP127, TIP42

Краткое описание транзистора BC557

BC557 — это PNP-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут закрыты (смещены в прямом направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут открыты (с обратным смещением), когда на базовый вывод будет подан сигнал. Здесь транзистор PNP отличается от транзистора NPN, логическое состояние (синий цвет) используется для переключения между заземлением и сигнальным напряжением (напряжение эмиттер-база V BE ), как показано ниже

BC557 имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет усилительную способность транзистора.Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 100 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 100 мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (I B ) должен быть ограничен до 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум 100 мА через коллектор и эмиттер. Эта стадия называется Область насыщения , и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (V CE ) или база-эмиттер (V BE ), может составлять 200 и 900 мВ соответственно.Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот каскад называется областью отсечки , а напряжение на базе эмиттера может составлять около 660 мВ.

BC557 Транзистор в качестве переключателя

Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки , как описано выше. Как обсуждалось, транзистор будет действовать как открытый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод.Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что больше 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Номинал этого резистора (R B ) можно рассчитать по формулам ниже.

R B = V BE / I B

Где, значение V BE должно быть 5 В для BC557 и тока базы (I B зависит от тока коллектора (I C ).Значение I B не должно превышать мА.

Транзистор BC557 в качестве усилителя

Транзистор действует как усилитель при работе в активной области . Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:

  1. Усилитель с общим эмиттером
  2. Усилитель с общим коллектором
  3. Усилитель с общей базой

Из вышеперечисленных типов распространенный тип эмиттера является популярной и наиболее часто используемой конфигурацией.При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления по постоянному току транзистора может быть рассчитан с использованием следующих формул

  Коэффициент усиления постоянного тока = ток коллектора (I  C ) / базовый ток (I  B )  

Приложения
  • Драйверные модули, такие как драйвер реле, светодиодный драйвер и т. Д.
  • Модули усилителя, такие как усилители звука, усилители сигнала и т. Д.
  • Дарлингтон пара

Модель 2D и размеры

Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из BC557 Datasheet будет полезен, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

BC557 по сравнению с BC558: сравнение транзисторов

Транзисторы BC557 и BC558 являются лучшими универсальными компонентами электронных схем, оба они являются транзисторами PNP BJT и чередуются друг с другом.

В этом посте мы пытаемся сравнить различия BC557 и BC558, такие как номинальное напряжение и ток, характеристики, рабочая теория и приложения, это сравнение BC557 и BC558, безусловно, может быть полезно для разработчиков схем и студентов, которым интересны электронные компоненты.

Распиновка детали BC557 PNP
  1. Коллектор
  2. База
  3. Излучатель
Распиновка детали BC557 PNP

Распиновка BC558 PNP
  1. Коллектор
  2. База
  3. Излучатель
Распиновка детали BC558 PNP

Детали выводов BC557 и BC558 одинаковы, оба транзистора относятся к типу PNP, путь прохождения тока отличается от NPN, который при PNP протекает через транзистор.

Это причина того, почему стрелка на выводе эмиттера указывает ток, протекающий в транзистор, вся рабочая операция PNP противоположна NPN-транзисторам.

Материал, используемый для изготовления этого полупроводникового транзистора, — кремний, который может быть обозначен буквой B.

номинальная мощность BC557

Характеристики напряжения
  • Напряжение эмиттер-база (VEB) = 6 В
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) = 45В
  • Коллектор-база (ВКБ) = 50в

Текущие характеристики
  • Ток коллектора (IC) = 100 мА
  • Пиковый ток коллектора (IC) = 200 мА
  • Коэффициент усиления постоянного тока = 300макс.
  • Базовый ток (IB) = 5 мА
  • Максимальное рассеивание на коллекторе = 500 милливатт
  • Минимальное-максимальное усиление постоянного тока = 125-800
  • Частота перехода = 100 мГц
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации = от -65 до 150 ° C

Номинальная мощность BC558

Характеристики напряжения
  • Напряжение эмиттер-база (VEB) = 5В
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) = 30В
  • Коллектор-база (ВКБ) = 30в

Текущие характеристики
  • Ток коллектора (IC) = 100 мА
  • Пиковый ток коллектора (IC) = 200 мА
  • Коэффициент усиления постоянного тока = 800макс.
  • Базовый ток (IB) = 200 мА, пик
  • Максимальное рассеивание на коллекторе = 500 милливатт
  • Минимальное-максимальное усиление постоянного тока = 100-800
  • Частота перехода = 100 мГц
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации = от -65 до 150 ° C

Принцип работы BC557 и BC558

Базовый вывод является точкой срабатывания транзисторов BC557 и BC558, небольшое изменение тока на стороне базы вызовет большое изменение тока на других выводах.

Единственное отличие транзистора PNP от транзистора NPN заключается в том, что вывод базы может быть отрицательным на транзисторе PNP, это связано с тем, что отрицательная часть находится между двумя положительными частями.

Подключения питания транзистора PNP противоположны транзистору NPN.

Рабочие особенности

Напряжение эмиттер-база составляет 5В на BC558, по этой причине он может работать на выходе микроконтроллеров, а BC557 имеет 6В на переходе эмиттер-база.

И BC557, и BC558 предпочитают 100 мА при нагрузке, превышение этого предела приведет к повреждению компонента.

И убедитесь, что BC557 работает при напряжении 45 В постоянного тока, а на BC558 этот предел составляет 30 В.

Убедитесь, что вы подключили подходящий базовый резистор как для BC557, так и для BC558.

Значения рассеяния коллектора и усиления постоянного тока помогут устройству работать в системах усиления, так как BC557 и BC558 имели одинаковые значения.

При коммутации транзисторы BC557 и BC558 могут выдерживать нагрузки до 100 мА.

Коэффициент усиления по постоянному току BC557 и BC558 составляет от 100 до 800, что делает их идеальными транзисторами для использования в малогабаритных усилителях.

Дополнительный NPN для BC557 и BC558

Оба имеют одинаковые комплементарные транзисторы NPN, BC547 и BC548 — комплементарные транзисторы, используемые в усилителях.

Эквивалентные транзисторы

Эквивалентный или альтернативный транзистор обоих может иметь другой вариант, но сначала мы можем сказать, что BC557 и BC558 являются альтернативными друг другу.

Для BC557 у нас есть много вариантов 2N3906, BC556, TIP42 и TIP127

Для BC558 у нас есть BC559 и TIP41

Преимущество BC557 и BC558

  • Компактный размер
  • дешевые
  • Длительный срок службы
  • Упрощенная схемотехника
  • Быстрое движение на трассе
  • Требуется нижний блок питания
  • Работа с низким уровнем шума
  • Меньше выходное сопротивление
  • Очень текущий коэффициент усиления
  • Требуется небольшое количество компонентов
  • Чувствителен к току

Недостатки

  • Переключение низкое
  • Ограниченная полоса пропускания
  • Проблемы с фазовым сдвигом на определенных частотах
  • Рассеивание большой мощности
  • Высокий ток утечки
  • Не подходит для высокочастотных сигналов
  • Температурно-чувствительный
  • Не подходит для цепей более высокой мощности

Приложения BC557 и BC558

  • Цепи усилителя
  • Малые радиосхемы
  • Цепи переключения
  • Цепи сенсорного переключателя
  • Электронные зуммеры
  • Аудиосистемы предусилителя
  • Источник питания микроконтроллера
  • Его можно использовать для любого типа универсального приложения.
  • Цепи управления реле
  • Цепи управления светодиодами
  • ИС управляющих цепей
  • Импедансная буферная сеть
  • Цепи привода двигателя
  • Н-мостовые схемы
  • Схемы дополнительных транзисторных усилителей
  • Цепи осциллятора
  • Цепи компаратора
  • Мультивибрационные контуры

Заключение

В этом посте мы пытаемся сравнить транзисторы BC557 и BC558, мы знаем, что они известны как тип транзисторов общего назначения, по этой причине у них обоих есть огромные возможности применения в нашей повседневной жизни.

BC557 и BC558 — это почти идентичные транзисторы типа PNP, в некоторых схемах BC557 и BC558 будут заменены друг на друга.

Мы знаем важность усиления постоянного тока в схеме усилителя и других схемах, кроме этого, и BC557, и BC558 дали почти одинаковые, но разные коэффициенты усиления постоянного тока.

Компоненты BC557A, BC557B и BC557C обеспечивают другой диапазон усиления по постоянному току.

Распиновка транзистора

BC558, эквивалент, применение, особенности и применение

В этой статье описывается распиновка транзистора BC558, эквивалент, функции, приложения и другие подробности о том, как и где использовать это устройство.

Характеристики / Технические характеристики

  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: PNP
  • Максимальный ток коллектора (I C ): -100 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): -30 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): -30 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): -5 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 500 Милливатт
  • Максимальная частота перехода (fT): 100 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): от 110 до 800
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации Должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

NPN Дополнительный

NPN Дополнительным к BC558 является BC548

Запасной и аналогичный

Альтернативные транзисторы для BC558: BC559, 2N3906 , BC338 , 2N4403 , A1015, BC557 (Конфигурация выводов альтернативных транзисторов, показанных здесь, может отличаться от BC558, поэтому рекомендуется всегда проверять конфигурацию выводов перед заменой. в цепи.)

BC558 Разъяснение / описание транзистора

BC558 — это корпусный BJT-транзистор TO-92, который может использоваться во многих типах приложений общего назначения. Его можно использовать как для любого типа общего усиления или переключения. Для использования в качестве переключателя для управления нагрузкой он может выдерживать нагрузку 100 мА с напряжением 30 В. Рассеиваемая мощность коллектора составляет 500 мВт, а максимальное усиление по постоянному току составляет 800, поэтому его также можно использовать в качестве предусилителя звука и для целей усиления звука.Напряжение эмиттер-база составляет -5В, благодаря чему его также можно использовать на выходе микроконтроллеров. Устройство изготовлено с тремя разными номерами деталей, такими как BC558A, BC558B и BC558C, и единственная разница между этими тремя номерами деталей — это их значения HFE, которые можно определить, проверив последний алфавит после номера, если последний алфавит — «A», то Значение HFE будет 110 ~ 220, если «B», то 200 ~ 450, а если его «C», то будет 420 ~ 800.

Где мы можем использовать транзистор BC558 и как использовать:

Транзисторы общего назначения могут использоваться в любых типах обычных требований в электронных схемах.Например, если он используется в качестве переключателя, он может работать с любой нагрузкой до 100 мА, такой как реле, светодиоды, другие большие транзисторы, интегральные схемы и т. Д. С другой стороны, он также может использоваться в качестве аудиоусилителя или предусилителя и для любого типа усиления сигнала.

Приложения

Предусилитель

Усилитель звука

Любое усиление сигнала

Дарлингтон пара

Нагрузка привода менее 100 мА

Как добиться долгосрочной производительности

Чтобы получить долгосрочную производительность от C558, рекомендуется работать с нагрузкой более 100 мА, не управлять нагрузкой более 30 В, всегда использовать подходящий базовый резистор, проверять конфигурацию контактов перед включением в схему и не работать, хранить его в температура ниже -65 по Цельсию и выше +150 по Цельсию.

(PDF) Нейроанатомия, схемы и пластичность чтения слов

Данные о движении глаз: Движения глаз регистрировались

с помощью SRI Dual Purkinje Eyetracker, который имеет разрешение

, равное 10 угловым минутам. Запись велась на правый глаз

, хотя просмотр велся в бинокль. Выходной сигнал

,

айтрекера регистрировался каждую миллисекунду

через компьютер 486. Испытуемые читали предложения, представленные

на мониторе Viewsonic (также подключенном к компьютеру

), и три пробела между символами равнялись 1

° из угла обзора

.Прикусная штанга использовалась для стабилизации движений головы

. Для анализа целевая область была

,

, определенная как сама цель, плюс пространство перед ней

,

. Данные отбрасывались, когда испытуемым не удавалось

напрямую определить целевое слово или когда происходила потеря трека

(всего 18% испытаний).

Данные времени реакции (RT) ERP: RT измеряли до

в ближайшей миллисекунде с помощью микровыключателя, подключенного

к компьютеру Macintosh II.Данные RT были отброшены

, когда в ответе были ошибки, когда RT

было больше 1500 мс или меньше 250 мс, и

дополнительно, когда RT превышало 2 s.d. лимит

, установленный для каждого субъекта для каждого условия (всего 7% от

испытаний).

Данные напряжения ERP: Напряжения скальпа были собраны

с использованием 64-канальной сети датчиков Geodesic Sensor Net

9

со скоростью

250 выборок / с. Всего 256 отсчетов (1024 мс)

были записаны на компьютере для каждого испытания на каждом электроде, начиная с 46 отсчетов (184 мс) до начала стимула

.Аналоговый фильтр нижних частот с полосой пропускания 60 Гц

применялся во время записи, а цифровой фильтр с полосой пропускания 0,1–30 Гц

применялся перед анализом. Перед анализом к исходным данным правого сосцевидного отростка

было применено преобразование

среднего эталона (в котором каждый электрод ссылается на

на среднее напряжение по всей поверхности кожи головы) к исходным данным правого сосцевидного отростка

.

10

Испытания были отклонены, когда

были артефактами движения (возникающими в течение первых

684 мс эпохи 1024 мс; i.е. до 500 мс

после стимула) в дополнение к данным, которые уже были отклонены из данных RT

(всего 14%

испытаний). Для анализа были выбраны временные окна

32 мс (восемь последовательных выборок)

на основе основных наблюдаемых компонентов ERP:

P1 (100–132 мс), N1 (132–164 мс) и P2

(164–196 мс). Электроды были сгруппированы по местоположению

11

и введены в качестве факторов в ANOVA.Для каждого временного окна

средняя амплитуда напряжения составляла

, полученная для каждой области.

Материалы: Целевые слова в исследовании ERP

состояли из 72 обычных слов HF, 72 исключений HF

слов, 72 обычных слов LF и 72 исключений LF

слов с частотами 238, 263, 8 и 7 на

млн соответственно.

12

Все они состояли из 4, 5 или 6 букв длиной

(длина слова приравнивалась по измерению регулярности

).Из общего числа 192 неслов,

половина были согласными строками (например, fhvr), а половина —

произносимыми псевдословами (например, welf). В эксперименте с движением глаза

подмножество из 24 слов каждого

из четырех перечисленных выше типов (средняя частота и длина слова

соответствовали общему набору

) использовались в качестве целей в 96 предложениях.

План эксперимента: В эксперименте по чтению

испытуемых читали однострочные предложения, каждое из которых

содержало целевое слово.Периодически им

задавали вопросы на понимание, на которые они

отвечали без труда. В лексическом решении

ERP-эксперимента слова и неслова были

, представленные в течение 345 мс. Испытуемые были проинструктированы

нажимать кнопку ответа только тогда, когда последовательность букв

была словом. ERP были собраны для слов и

неслов. В обоих экспериментах материалы

представлены в случайном порядке.

Результаты

В эксперименте по чтению, в соответствии с предыдущими результатами

, продолжительность взгляда читателя

3,4

была больше для слов LF

, чем слов HF (294 против 275 мс; p <0.01).

Кроме того, читатели дольше смотрели на исключение LF

слов, чем на обычные слова LF (306 против 281 мс;

p <0,001), в то время как не было такого эффекта регулярности для слов HF (278 и 273 мс). , соответственно).

Таким образом, данные движения глаз продемонстрировали частоту и эффекты регулярности слова

, аналогичные тем, которые использовались в исследованиях присвоения имен и лексических решений

, но продемонстрировали это в контексте

нормального чтения и при гораздо более коротком времени обработки

.

В эксперименте ERP лексические ответы на решения

были быстрее на слова HF, чем слова LF (490 против

553 мс; p <0,001). Кроме того, ответы на слова-исключения LF

были длиннее, чем обычные слова LF

(558 против 547 мс; p <0,01), и на самом деле имелся маргинальный эффект

в противоположном направлении для слов HF

( 487 против 494 мс; p = 0,094).

Данные ERP были проанализированы на предмет ранних эффектов

лексичности, частоты и регулярности.На рисунке 1 показаны интерполированные графики t-теста

для разности трех условий лексичности

: последовательность согласных — слово

,

(рис. 1a), псевдослово — слово (рис. 1b) и консистенция —

, строка — псевдослов ( Рис. 1в). Эти различия

возникали в P1 (т.е. в первом положительном компоненте ERP

) уже через 100 мс после стимула. На рис. 2 показаны

график разности частот (рис. 2а). Различие

произошло в улусе N1 уже через 132 мс после стимуляции

.На рисунке 3 показаны графики разницы для регулярности.

Поскольку эффекты регулярности в компонентах ERP

не были очевидны для разных субъектов, были исследованы формы сигналов

подмножества субъектов, которые продемонстрировали самый сильный эффект регулярности

LF в данных лексического решения

. Разница произошла в P2

SC Sereno, K. Rayner и MI Posner

1111

2

3

4

5

6

7

8

9

10111

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20111

1

2

3

4

5

6

7

8

9

30111

1

2

3

4

5

6

7

8

9

40111

1

2

3

4

5

6

7

8

9

50111

1

2

3

4

5

6111p

2196

Объем 9 Нет 10 13 Июль 1998 г.

Джон Каасе Головки цилиндров SR71

Дэйв Де написал:
jbozzelle написал:

Дэйв Де написал: Я установил свои 71 теперь в ожидании сезона 2019.
Если вы сомневаетесь в этом, я могу сказать вам, что это качественные изделия. Бобышки шпильки очень сильно удерживают корпус коромысла ближе к основанию шпильки, уменьшая момент боковой силы на шпильке.
Я сравню с другими головками по трековым данным и сообщу здесь весной.

Вы не теряли время зря! Из коробки или вы их хоть немного подправляли?

Прямо из коробки. Порты были достаточно близко, я их не трогал. Я жду, когда Джомар закончит с поясами, но они мне не понадобятся до апреля.


Обновление для сравнения … отслеживание только ET
Мой 580, комплект E85, полученный из переработанных P-51, которые были умеренно перенесены на SR-71 из коробки, даже не убирая пух литья из чаш. Я даже использовал свои пружины PAC от P-51. Двигатель был идентичен, за исключением того, что поршни / кольца Diamond были заменены на диаметр большего диаметра 0,005 дюйма. Никаких других изменений в машине не было, вплоть до сликов MT 31×13, которые были старыми для обоих тестов. Они настолько плохи, что я думаю, что я Собираюсь забрать 7/100 с возвращением к 32×14.

Milan Dragway, аналогичные воздушные дни DA от 2300 до 2800 футов в течение дня
P-51 пробежали 9,11-9,14 по восточному времени 1/4 мили, данные 2018 года
SR-71 проехали 9,04-9,07 с дополнительной скоростью ловушки 1,5 мили в час. 8/11/19 data

Мне жаль, что я потратил так много времени на то, чтобы довести эту информацию до вас. Я переехал, и гонку пришлось приостановить. Это не претендует на сверхточное сравнение, это просто данные бюджетного гонщика. Я думаю, что 71-е великолепны, и они увидят потенциал, поскольку я перенесу головы в будущие годы.

Для других, которые используют цилиндры меньшего диаметра до 4.440, оставайтесь с SCJ или P-51, потому что это не стоит затрат на поршень для предохранительных клапанов.
Дополнительное преимущество SR-71 для больших кубических двигателей, у которых есть проблемы с распределением топлива по углам, где они намного меньше, чем у коллектора Victor, по-видимому, обеспечивает лучшее считывание свечей зажигания с внутренних отверстий. Я не вижу разницы между внешней и внутренней сторонами для богатой / худой вариации. Это должно быть из-за поднятых впускных отверстий SR-71, способных справиться с плохим распределением потока через порт от Victor.

Удаленный инструмент Crestron

  • Решения Crestron Flex выпускаются в четырех различных форм-факторах для удовлетворения потребностей различных помещений: серия P — это настольный телефон с передачей голоса по IP для рабочих станций; M-Series — настольная конференц-система, идеально подходящая для переговорных комнат, конференц-залов и офисов руководителей; Серия B — это настенная интеллектуальная звуковая панель, идеально подходящая для конференц-залов с …

  • Logitech Harmony Elite — самый мощный и интуитивно понятный пульт Harmony, который работает с Alexa.Он контролирует до 15 устройств для беспрепятственного управления развлечениями — и вашим домом. Совершенно новый дизайн сохраняет лучшие функции своих предшественников — цветной сенсорный экран, обнаружение движения и обратную связь по вибрации — и добавляет улучшенную кнопку …

  • Crestron улучшает платформу Crestron Flex с помощью новой интеллектуальной поддержки видео от партнеров Jabra и Huddly для обеспечения равноправных и продуктивных встреч как в офисе, так и дома. По мере того, как предприятия переходят на гибридную среду, где безупречное сотрудничество между рассредоточенными командами является главным приоритетом, одной из самых больших проблем было обеспечение каждого участника встречи…

  • Crestron Toolbox предоставляет несколько удобных методов для открытия сеанса с устройством: Адресная книга. Если вы собираетесь часто подключаться к устройству, вы можете добавить адрес устройства в адресную книгу, а затем выбрать адрес из списка адресов в нижнем колонтитуле любого инструмента.

  • Компания Crestron недавно выпустила инструмент сбора информации, который помогает быстро собирать диагностическую информацию и обеспечивает наилучшую поддержку для наших клиентов. Инструмент не прерывает выполнение, пока он выдает серию консольных команд для конкретного устройства, чтобы предоставить «моментальный снимок» устройства / системы в их текущем состоянии, и собирает постоянные журналы…

  • Crestron Electronics объявляет, что после более чем 30 лет работы в Crestron, включая последние восемь лет в качестве президента и генерального директора, Рэнди Кляйн уходит в отставку в этом году. Даниэль Фельдстайн, нынешний председатель и главный операционный директор и сын основателя Crestron Джорджа Фельдстайна, займет пост президента и генерального директора.

  • © 2021 Crestron Electronics, Inc. Все торговые марки, названия продуктов и товарные знаки являются собственностью соответствующих владельцев. Определенные товарные знаки, зарегистрированные товарные знаки и торговые наименования могут использоваться для обозначения организаций, заявляющих права на товарные знаки и наименования, или их продуктов.

  • Батарея пульта дистанционного управления Crestron TPMC-8X RLI-015-2 Литий-ионная батарея 7,4 В (2000 мАч) — замена для Crestron TPMC-8X-BTP Бренд: Empire 2.0 из 5 звезд 1 оценка

  • Инструменты . Приложения.

  • Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *