Высокочастотный диод: Высокочастотный диод | это… Что такое Высокочастотный диод?

2.3 Высокочастотный диод

Высокочастотным диодом называется диод, предназначенный для преобразования переменного (двухполярного) тока в постоянный (однополярный) ток высокой частоты. Частота тока, пропускаемая высокочастотным диодом на много выше частоты тока, пропускаемого выпрямительным диодом.

Высокочастотные диоды изготавливаются из германия или кремния, p–n переход имеет точечную конструкцию. Такая конструкция p–n перехода характеризуется барьерной ёмкостью небольшой величины (не более 1пФ). Это позволяет использовать диод для пропускания высокочастотных токов. Однако малая площадь контакта p–n перехода не позволяет рассеивать значительную мощность. Поэтому высокочастотные диоды менее мощные, чем выпрямительные и применяются в схемах с напряжением не выше нескольких десятков вольт при токе порядка десятков миллиампер.

Вольтамперная характеристика высокочастотного диода в общем виде повторяет вольтамперную характеристику выпрямительного диода (рисунок 1.

10,а). Графическое обозначение высокочастотного диода (рисунок 1.10,б). Влияние температуры на величину обратного тока сказывается слабее, чем в плоскостных диодах – удвоение обратного тока происходит при приращении температуры на 15÷20˚С. Ниже названы основные электрические параметры высокочастотных диодов и их ориентировочные значения:

Iпр – прямой ток (десятки мА),

Iобр – обратный ток (единицы mкА),

Uобр – максимальное обратное напряжение (десятки В)

fmax – максимальная рабочая частота (сотни МГц),

Сб – ёмкость диода (доли – единицы пФ).

Широко применяются высокочастотные диоды в детекторах амплитудно и частотно модулированных сигналов, в различных устройствах преобразования высокочастотных сигналов.

Импульсным диодом называется полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходного процесса при отпирании p–n перехода и предназначенный для работы в импульсных схемах. В импульсных схемах токи и напряжения изменяются в течение малого промежутка времени, составляющего около 10-6 секунды, сохраняя затем неизменное значение в течение определённого времени (рисунок 2.5,б). На рисунке 2.5,а показана схема включения импульсного диода, на вход которой подаётся импульсный сигнал (рисунок 2.5,б).

Рисунок 2.5 – Схема включения импульсного диода (а),

входной сигнал (б) и ток через диод (в)

При положительном значении входного сигнала (0<t<t1) через диод протекает ток iд,, величина которого определяется значением Um и значениями прямого сопротивления диода и R. Ток создается основными носителями заряда. Не основные носители зарядов в это время находятся под действием тормозящего поля, создаваемым прямым напряжением (+U

m). Происходит процесс накопления неравновесных неосновных носителей в области p–n перехода. Неравновесные носители – это электроны или дырки, не находящиеся в термодинамическом равновесии как по концентрации, так и по энергетическому распределению. При изменении полярности входного напряжения в момент времени t=t1 неравновесные неосновные носители оказываются под действием ускоряющего электрического поля. Они проходят через p–n переход и создают обратный ток Im обр, который в течение некоторого времени остается постоянным. Затем происходит рассасывание объемного заряда неосновных носителей, что ведет к уменьшению обратного тока до некоторой установившейся величины I
обр
(t=t2). Время, в течение которого происходит рассасывание неосновных носителей, называется временем восстановления обратного сопротивления диода.

Рассмотренный процесс прохождения сигнала импульсной формы через диод характерен для любого p–n перехода. Очевидно, что в импульсном диоде p–n переход должен обладать малыми инерционными свойствами. Применяемые полупроводники должны иметь малую концентрацию неосновных носителей. Очевидно, на величину обратного тока влияет и величина барьерной емкости p–n перехода. Поэтому маломощные (низкотоковые) импульсные диоды выполняются по точечной конструкции.

Вольтамперная характеристика импульсного диода полностью совпадает с В.А.Х. p–n перехода (рисунок 1.5). Часть понятий электрических параметров импульсных диодов совпадают с понятиями электрических параметров выпрямительных диодов. Такие, как постоянное прямое напряжение U

пр, постоянное обратное напряжение Uобр, постоянный прямой ток Iпр, общая ёмкость диода Сд.

Ряд параметров характеризуют импульсные свойства диодов:

Iпр.и – прямой импульсный ток, это максимально допустимый ток в течении определённой длительности импульса. Его значение обычно на порядок превышает значение прямого тока;

tвос.обр – время восстановления обратного сопротивления диода

Графическое обозначение импульсного диода такое же, как и выпрямительного диода (рисунок 2. 1,б).

Применяются импульсные диоды в импульсных схемах, в переключающих устройствах, при построении цифровых микросхем.

Высокочастотный диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2

Cтраница 2

Для высокочастотных диодов большую роль играет емкость между анодом и катодом Сак.  [16]

Для высокочастотных диодов и маломощных кенотронов перед первым элементом обозначения указывают округленно напряжение накала в вольтах.  [17]

В высокочастотных диодах размеры электродов составляют иногда от единиц до десятков микрометров. Внутренние выводы от таких электродов выполняют в виде очень тонкой проволоки, иногда в несколько микрометров. Такую проволоку трудно изготовить строго одного сечения по длине, что может обусловить перегорание внутреннего вывода даже при нормальных нагрузках по току. К перегоранию может привести и излишняя длина внутреннего вывода, так как по длине проволоки возникают значительные перепады температур.

 [18]

В высокочастотных диодах размеры электродов составляют иногда единицы — десятки микрон. Внутренние выводы от таких электродов выполняют в виде очень тонкой проволоки, иногда в несколько микрон. Такую проволоку трудно изготовить строго одного сечения по длине, что может обусловить перегорание внутреннего вывода даже при нормальных нагрузках по току. К перегоранию может привести и излишняя длина внутреннего вывода, так как по длине проволоки возникают значительные перепады температуры.  [19]

В высокочастотных диодах размеры электродов составляют иногда от единиц до десятков микрометров. Внутренние выводы от таких электродов выполняют в виде очень тонкой проволоки, иногда в несколько микрометров. Такую проволоку трудно изготовить строго одного сечения по длине, что может обусловить перегорание внутреннего вывода даже при нормальных нагрузках по току. К перегоранию может привести и излишняя длина внутреннего вывода, так как по длине проволоки возникают значительные перепады температур.

 [20]

Исключение составляют высокочастотные диоды, имеющие очень маленький корпус и тонкие проволочные выводы. Их маркируют комбинацией цветовых меток. При маркировке указывают товарный знак завода-изготовителя, тип диода и дату выпуска.  [21]

Статическими параметрами высокочастотных диодов являются те же параметры, что и у низкочастотных выпрямительных диодов.  [22]

Основным параметром высокочастотных диодов является статическая емкость Сд между внешними выводами.  [23]

Основным параметром высокочастотных диодов является его частотный диапазон, в пределах которого диод может эффективно выполнять свои функции.  [24]

Параллельное включение высокочастотных диодов

требует включения последовательно с каждым диодом выравнивающего резистора или индуктивности, что ведет к ухудшению частотных свойств диодов и к снижению КПД выпрямителя.  [25]

В качестве высокочастотных диодов обычно используют точечные диоды. Зато емкость перехода составляет не более 1 пФ, а диапазон рабочих частот определяется несколькими сотнями мегагерц.  [26]

В качестве высокочастотных диодов обычно используют точечные диоды. Так как площадь p — n — перехода у точечных диодов относительно мала, то емкость перехода составляет не более 1 пФ, а диапазон рабочих частот опеределяется несколькими сотнями мегагерц, в то же время эти диоды имеют значительно меньшую максимально допустимую мощность рассеяния по сравнению с плоскостными диодами и допускают меньшие выпрямленные токи.  [27]

Основным параметром высокочастотных диодов является емкость между выводами. Снижение емкости диодов позволяет повысить скорость переключения и расширить диапагон рабочих частот. На очень высоких частотах максимальные амплитуды прямого и обратного токов становятся практически одинаковыми и диод теряет выпрямительные свойства. По диапазонам рабочих частот высокочастотные диоды делятся на две подгруппы: диоды, рассчитанные на рабочие частоты до 300 Мгц, и диоды, рассчитанные на рабочие частоты от 300 до 1 000 Мгц.  [28]

При использовании вакуумных высокочастотных диодов сопротивление выключателя в проводящем состоянии имеет величину порядка 2 — 5 ком, сопротивление в непроводящем состоянии — порядка 103 Мом. Небольшое раз-чичие между характеристиками диодов компенсируется эегулировкой ползунка потенциометра РЫ, потенцио-летр для обычных вакуумных высокочастотных диодов шеет сопротивление около 1 — 2 ком.  [29]

Для изготовления импульсных и высокочастотных диодов используют германий и кремний. Преимуществом диодов из германия является малое значение падения напряжения на диоде при прямом смещении, что существенно при работе диодов при малых сигналах.  [30]

Страницы:      1    2    3    4

Как моделировать диоды для анализа высокочастотной восприимчивости | Steve Newson

Недавно возник вопрос о том, как моделировать нелинейные цепи при выполнении анализа восприимчивости к излучению с помощью EMI Analyst™. То же самое относится и к кондуктивной восприимчивости.

На первый взгляд кажется очевидным. Не могли бы вы просто моделировать активные цепи так же, как вы моделируете их в PSpice или любом другом инструменте анализа цепей во временной области?

Если коротко, то нет. Вы не можете.

Проблема в том, что большинство компьютерных моделей нелинейных компонентов, таких как диоды и транзисторы, действительны только для низких частот, диапазона частот, для которого они предназначены.

Эффекты паразитных элементов, таких как емкость перехода, которые существенны на высоких частотах, часто не учитываются в моделях.

Невосприимчивость цепи — это преследование в частотной области.

Требования к восприимчивости к радиочастотам чаще всего определяются как уровень поля или уровень введенного сигнала в широком диапазоне частот. Например, требование RS103 в MIL-STD-461G указывает 20 В/м в диапазоне от 2 МГц до 18 ГГц для космических аппаратов.

При анализе в частотной области необходимо смоделировать схему в одной рабочей точке, а затем выполнить анализ в указанном диапазоне частот. Если схема имеет несколько рабочих точек, анализ необходимо проводить несколько раз, по одному разу в каждой рабочей точке.

Ну да, но не для всех уровней сигнала.

Для больших сигналов диоды нелинейны. Однако для малых сигналов диоды ведут себя достаточно линейно.

Небольшие изменения тока через диод с прямым смещением при насыщении приводят к незначительным изменениям напряжения на диоде. Точно так же небольшие изменения напряжения, подаваемые на диод с обратным смещением или диод с прямым смещением, который не включен, вызывают незначительные изменения тока.

Диоды часто используются для защиты от обратного смещения, защиты от перенапряжения и, конечно же, для выпрямления сигналов переменного тока и мощности переменного тока.

В заданной рабочей точке диоды могут быть смоделированы как резистор, подключенный параллельно конденсатору. Значение резистора модели получается путем деления напряжения в рабочей точке на ток в рабочей точке. Емкость модели — это емкость перехода, которая также зависит от рабочей точки.

В обратном смещении сопротивление диода равно обратному напряжению, деленному на ток утечки. Для большинства приложений сопротивление намного больше, чем реактивное сопротивление емкости перехода, и им можно пренебречь.

В прямое смещение сопротивление слабого сигнала определяется как

где ID — прямой ток диода, VT — тепловое напряжение (kT/q, около 26 мВ при нормальных температурах), n — идеальность диода коэффициент (приблизительно 1 к 2 для кремниевых диодов.)

При напряжениях ниже напряжения включения диода сопротивление модели диода велико. В режиме насыщения сопротивление модели диода мало.

Емкость перехода диода зависит от того, смещен ли диод в прямом или обратном направлении.

В обратном смещении емкость перехода является функцией накопления заряда в области обеднения, определяемой как

, где CJ0 — значение емкости перехода при нулевом смещении, V0 — барьерный потенциал, mj — функция профиль легирования в устройстве (обычно от 0,2 до 0,5).

В прямом смещении емкость диодного перехода приблизительно равна

Кроме того, при прямом смещении p-n-переходы диодов демонстрируют накопление неосновных несущих, что приводит к диффузионной емкости слабого сигнала, определяемой как

где tF — время прямого прохождения. Суммарная емкость диода, смещенного в прямом направлении, равна Cj + Cd.

Если диод включается и выключается во время нормальной работы схемы, может потребоваться анализ цепи в двух или более рабочих точках, возможно, один анализ с обратным смещением диода и один анализ с насыщением диода.

К счастью, время расчета для большинства проектов EMI Analyst быстрое. Выполнение двух или более анализов с разными значениями компонентов обычно заключается в простом изменении значений компонентов и повторном нажатии кнопки «Рассчитать».

Если вам нужно определить, какие условия приводят к наихудшим результатам, просто наложите графики каждого анализа.

Когда приведенная ниже простая схема подвергается воздействию электрического поля, в паре проводов индуцируется ток.

Напряжение, индуцируемое на резисторах на обоих концах кабеля, зависит от того, смещен ли диод в прямом или обратном направлении.

Чтобы зафиксировать наведенное напряжение в наихудшем случае, анализ выполняется дважды. Один раз с диодом в насыщении и один раз с выключенным диодом. На двух графиках ниже показаны результаты для резистора слева.

Зеленый график слева показывает напряжение, индуцируемое при насыщении диода при прямом смещении. В состоянии насыщения импеданс диода намного ниже импеданса согласования 100 Ом, поэтому большая часть низкочастотного индуцированного напряжения возникает на согласующем резисторе.

Оранжевый график слева показывает напряжение, индуцированное на резисторе, когда диод смещен в обратном направлении. В выключенном состоянии импеданс диода больше, чем импеданс согласования, поэтому большая часть низкочастотного индуцированного напряжения падает на диод, а меньшее напряжение появляется на согласующем резисторе.

На высоких частотах существует лишь небольшая разница между диодами с прямым и обратным смещением, в основном из-за разницы в емкости диодного перехода.

Наведенное напряжение для наихудшего случая на каждой частоте является большим из двух результатов анализа.

При выполнении анализа восприимчивости цепей, содержащих нелинейные цепи, вычисления в частотной области легко выполняются путем выполнения анализа в каждой рабочей точке цепи. Нелинейные компоненты могут быть аппроксимированы как линейные устройства для слабых сигналов.

Когда сигналы наведенного шума правильно контролируются, их амплитуда обычно достаточно мала, чтобы нелинейные элементы схемы можно было смоделировать как линейные элементы в каждой рабочей точке.

Узнайте больше о том, как программное обеспечение EMI ​​Analyst™ можно использовать для анализа электромагнитных помех для всех типов электроники. Ознакомьтесь с EMI Analyst™ на сайте https://www.emisoftware.com.

Первоначально опубликовано по адресу www.emisoftware.com .

Высокочастотные и растяжимые полимерные диоды

. 2021 Декабрь; 600 (7888): 246-252.

doi: 10.1038/s41586-021-04053-6. Epub 2021 8 декабря.

Наодзи Мацухиса  # 1 2 3 4 , Симиао Ню  # 1 , Стивен Дж. К. О’Нил 1 , Чжихён Кан 1 , Юто Очиай 1 , Тору Кацумата 1 5 , Хун-Чин Ву 1 , Минору Асидзава 1 6 , Гинг-Джи Натан Ван 1 , Дунлай Чжун 1 , Сюэлинь Ван 1 7 , Сивэнь Гонг 1 , Руй Нин 8 , Хуаксинь Гонг 1 , Инсан Ю 1 , Ю Чжэн 1 , Читао Чжан 1 , Джеффри Б-Х Ток 1 , Сяодун Чен 2 , Чжэнань Бао 9

Принадлежности

  • 1 Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США.
  • 2 Инновационный центр гибких устройств (iFLEX), Школа материаловедения и инженерии, Наньянский технологический университет, Сингапур, Сингапур.
  • 3 Факультет электроники и электротехники, Университет Кейо, Иокогама, Япония.
  • 4 Японское агентство науки и техники, ПРЕСТО, Кавагути, Япония.
  • 5 Корпоративные исследования и разработки, Центр технологий материалов с высокими эксплуатационными характеристиками, корпорация Asahi Kasei, Фудзи, Япония.
  • 6 Департамент материаловедения и инженерии, Токийский технологический институт, Токио, Япония.
  • 7 Школа медицинских наук и инженерии, Бейханский университет, Пекин, Китай.
  • 8 Факультет материаловедения и инженерии, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США.
  • 9 Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США. [email protected]

# Внесли поровну.

  • PMID: 34880427
  • DOI: 10.1038/с41586-021-04053-6

Наоджи Мацухиса и др. Природа. 2021 Декабрь

. 2021 Декабрь; 600 (7888): 246-252.

doi: 10. 1038/s41586-021-04053-6. Epub 2021 8 декабря.

Авторы

Наодзи Мацухиса  # 1 2 3 4 , Симиао Ню  # 1 , Стивен Дж. К. О’Нил 1 , Чжихён Кан 1 , Юто Очиай 1 , Тору Кацумата 1 5 , Хун-Чин Ву 1 , Минору Асидзава 1 6 , Гинг-Джи Натан Ван 1 , Дунлай Чжун 1 , Сюэлинь Ван 1 7 , Сивэнь Гонг 1 , Руй Нин 8 , Хуаксинь Гонг 1 , Инсан Ю 1 , Ю Чжэн 1 , Читао Чжан 1 , Джеффри Б-Х Ток 1 , Сяодун Чен 2 , Чжэнань Бао 9

Принадлежности

  • 1 Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США.
  • 2 Инновационный центр гибких устройств (iFLEX), Школа материаловедения и инженерии, Наньянский технологический университет, Сингапур, Сингапур.
  • 3 Факультет электроники и электротехники, Университет Кейо, Иокогама, Япония.
  • 4 Японское агентство науки и техники, ПРЕСТО, Кавагути, Япония.
  • 5 Корпоративные исследования и разработки, Центр технологий материалов с высокими эксплуатационными характеристиками, корпорация Asahi Kasei, Фудзи, Япония.
  • 6 Департамент материаловедения и инженерии, Токийский технологический институт, Токио, Япония.
  • 7 Школа медицинских наук и инженерии, Бейханский университет, Пекин, Китай.
  • 8 Факультет материаловедения и инженерии, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США.
  • 9 Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, Стэнфорд, Калифорния, США. [email protected]

# Внесли поровну.

  • PMID: 34880427
  • DOI: 10.1038/с41586-021-04053-6

Абстрактный

Похожие на кожу эластичные мягкие электронные устройства необходимы для реализации дистанционной и превентивной медицины следующего поколения для передового личного здравоохранения 1-4 . Недавняя разработка внутренне растяжимых проводников и полупроводников позволила создать механически прочные и удобные для кожи электронные схемы или оптоэлектронные устройства 2,5-10 . Однако их рабочие частоты были ограничены менее чем 100 Гц, что намного ниже, чем требуется для многих приложений. Здесь мы сообщаем о растяжимых диодах на основе растяжимых органических и наноматериалов, способных работать на частоте до 13,56 мегагерц. Эта рабочая частота достаточно высока для беспроводной работы мягких датчиков и пикселей электрохромного дисплея с использованием радиочастотной идентификации, в которой базовая несущая частота составляет 6,78 мегагерц или 13,56 мегагерц. Это было достигнуто за счет сочетания рационального проектирования материалов и разработки устройств. В частности, мы разработали растяжимый анод, катод, полупроводник и токосъемник, которые могут удовлетворить строгие требования к работе на высоких частотах. Наконец, мы показываем эксплуатационную осуществимость нашего диода, объединяя его с растягиваемым датчиком, электрохромным пикселем дисплея и антенной для реализации растягиваемой беспроводной метки. Эта работа является важным шагом на пути к расширению функциональных возможностей и возможностей носимой электроники, похожей на кожу.

© 2021. Автор(ы), по эксклюзивной лицензии Springer Nature Limited.

Похожие статьи

  • Электроника кожи из масштабируемого изготовления массива транзисторов с возможностью растяжения.

    Ван С., Сюй Дж., Ван В., Ван Г.Н., Растак Р., Молина-Лопес Ф., Чанг Дж.В., Ню С., Фейг В.Р., Лопес Дж., Лей Т., Квон С.К., Ким И., Фуде А.М., Эрлих А., Гасперини А, Юнь Ю, Мурманн Б, Ток Дж. Б., Бао З. Ван С. и др. Природа. 2018 март 1 555 (7694):83-88. дои: 10.1038/nature25494. Epub 2018 19 февраля. Природа. 2018. PMID: 29466334

  • Электроника, вдохновленная кожей: новая парадигма.

    Ван С. , О ЧЖИ, Сюй Дж., Тран Х., Бао З. Ван С. и др. Acc Chem Res. 2018 15 мая; 51 (5): 1033-1045. doi: 10.1021/acs.accounts.8b00015. Epub 2018 25 апр. Acc Chem Res. 2018. PMID: 29693379 Рассмотрение.

  • Наноматериалы в электронике, вдохновленной кожей: к мягким и прочным электронным наносистемам, похожим на кожу.

    Сон Д., Бао З. Сон Д и др. АКС Нано. 26 декабря 2018 г.; 12(12):11731-11739. doi: 10.1021/acsnano.8b07738. Epub 2018 21 ноября. АКС Нано. 2018. PMID: 30460841 Рассмотрение.

  • Растяжимый и восстанавливаемый полупроводниковый полимер для органических транзисторов.

    О ДЖИ, Рондо-Ганье С., Чиу Ю.С., Чортос А., Лиссел Ф., Ван Г.Н., Шредер Б.К., Куросава Т., Лопес Дж., Кацумата Т. , Сюй Дж., Чжу С., Гу С., Бэ В.Г., Ким И., Джин Л, Чунг Дж.В., Ток Дж.Б., Бао З. О, JY и др. Природа. 2016 17 ноября; 539 (7629): 411-415. doi: 10.1038/nature20102. Природа. 2016. PMID: 27853213

  • Растягивающаяся, прикрепляемая к коже электроника со встроенными устройствами накопления энергии для мониторинга биосигналов.

    Чон Ю.Р., Ли Г., Пак Х., Ха Дж.С. Чжон Ю.Р. и др. Acc Chem Res. 2019 15 января; 52 (1): 91-99. doi: 10.1021/acs.accounts.8b00508. Epub 2018 26 декабря. Acc Chem Res. 2019. PMID: 30586283 Рассмотрение.

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

  • Полностью резиновый диод Шоттки и интегрированные устройства.

    Чан С., Шим Х. , Ю С. Джанг С. и др. Научная реклама 2022 ноябрь 25;8(47):eade4284. doi: 10.1126/sciadv.ade4284. Epub 2022 23 ноября. Научная реклама 2022. PMID: 36417509Бесплатная статья ЧВК.

  • Иерархические биогибридные роботы с беспроводным питанием, напечатанные на 3D-принтере, с многоуровневыми механическими свойствами.

    Тецука Х., Пиррами Л., Ван Т., Демарчи Д., Шин С.Р. Тецука Х. и др. Adv Funct Mater. 2022 1 августа; 32 (31): 2202674. doi: 10.1002/adfm.202202674. Epub 2022 3 мая. Adv Funct Mater. 2022. PMID: 36313126

  • Полноцветные нанокристаллы перовскита со сверхвысоким разрешением для сверхтонких дисплеев, прикрепляемых к коже.

    Квон Джи, Пак Джи, Ли Х.Х., Чан Ч.Х., Сун Н.Дж., Ким С.И., Ю Ч., Ли К. , Ма Х., Карл М., Шин Т.Дж., Сонг М.Х., Ян Дж., Чхве М.К. Квон Джи и др. Научная реклама 2022 Октябрь 28;8(43):eadd0697. doi: 10.1126/sciadv.add0697. Epub 2022 26 октября. Научная реклама 2022. PMID: 36288304 Бесплатная статья ЧВК.

  • Растяжимый и самовосстанавливающийся ложный плазмонный метаволновод для носимой системы беспроводной связи.

    Yu BY, Yue DW, Hou KX, Ju L, Chen H, Ding C, Liu ZG, Dai YQ, Bisoyi HK, Guan YS, Lu WB, Li CH, Li Q. Ю БЮ и соавт. Легкие научные приложения. 2022 25 октября; 11 (1): 307. doi: 10.1038/s41377-022-01005-1. Легкие научные приложения. 2022. PMID: 36280662 Бесплатная статья ЧВК.

  • Новые электрохромные материалы и устройства для дисплеев будущего.

    Gu C, Jia AB, Zhang YM, Zhang SX. Гу С и др. Chem Rev. 2022, 28 сентября; 122(18):14679-14721. doi: 10.1021/acs.chemrev.1c01055. Epub 2022 18 августа. Химическая версия 2022. PMID: 35980039 Бесплатная статья ЧВК. Рассмотрение.

Просмотреть все статьи «Цитируется по»

использованная литература

    1. Сим, К. и др. Эпикардиальный биоэлектронный пластырь, изготовленный из мягких эластичных материалов и способный к пространственно-временному картированию электрофизиологической активности. Нац. Электрон. 3, 775–784 (2020). — DOI
    1. Ван, С. и др. Электроника кожи из масштабируемого изготовления массива транзисторов с возможностью растяжения. Природа 555, 83–88 (2018). — пабмед — DOI
    1. Миямото, А. и соавт. Невоспламеняющаяся, газопроницаемая, легкая, растягивающаяся на коже электроника с наносетками. Нац. нанотехнологии. 12, 907–913 (2017). — пабмед — DOI
    1. Ким, Д.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *