Π₯арактСристики ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ². Π₯арактСристики ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²: ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ руководство

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚. КакиС основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния. ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ области примСнСния ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ².

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠžΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ (ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Π°) — это элСктронный ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, состоящий ΠΈΠ· излучатСля свСта (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, свСтодиода) ΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° (Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, фототранзистора, фототиристора ΠΈ Π΄Ρ€.), ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ корпусС. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π° основан Π½Π° ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ элСктричСского сигнала Π² свСтовой, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π΅ Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· оптичСский ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π² элСктричСский сигнал.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ прСимущСства ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²:

  • Π“Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ развязка Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°
  • ВысокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС
  • Π¨ΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… частот
  • Высокая ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΎΠ·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
  • Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ согласования Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ уровнями сигналов

Благодаря этим свойствам ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ нашли ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² систСмах ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, устройствах Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ развязки, прСобразоватСлях ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ сигналов ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… областях элСктроники.


ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈ характСристики ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π° для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ряд Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²:

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

  • ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ свСтодиода IF
  • ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС свСтодиода VF
  • ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС свСтодиода VR
  • Входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Cin

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр VCEO
  • НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр VCE(sat)
  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IC
  • Π’Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ICEO
  • Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Cout

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ CTR
  • Граничная частота fΠ³Ρ€
  • ВрСмя нарастания tr ΠΈ спада tf
  • ВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ t
    on
    ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ toff

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ изоляции

  • НапряТСниС изоляции VISO
  • Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ изоляции RISO
  • ΠŸΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄Π½Π°Ρ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ CIO

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (CTR) — ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π°

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Current Transfer Ratio, CTR) — ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π²Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π°, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ. CTR рассчитываСтся ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ свСтодиода:


CTR = (IC / IF) * 100%

Π³Π΄Π΅ IC — Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° фототранзистора, IF — прямой Ρ‚ΠΎΠΊ свСтодиода.

Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния CTR для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²:

  • Π”ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹: 0.1-10%
  • ВранзисторныС ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹: 20-100%
  • ΠžΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ с составным фототранзистором: 100-500%
  • ΠžΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ с фототиристором: 1000% ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π° Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ CTR ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π² нСсколько Ρ€Π°Π·. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, CTR зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° свСтодиода, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ².

БыстродСйствиС ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²

БыстродСйствиС — Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½Π° ваТная характСристика ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ², особСнно ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с высокочастотными сигналами. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ быстродСйствиС:

  • ВрСмя нарастания tr — врСмя, Π·Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал нарастаСт с 10% Π΄ΠΎ 90% ΠΎΡ‚ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠ΅Π³ΠΎΡΡ значСния
  • ВрСмя спада tf — врСмя спада Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала с 90% Π΄ΠΎ 10%
  • ВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ton ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ toff
  • Граничная частота fΠ³Ρ€ — частота, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½Π° 3 Π΄Π‘

КакоС быстродСйствиС ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ достаточным? Π­Ρ‚ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния. Для Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… сигналов ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ:


tr + tf < 0.1 * T

Π³Π΄Π΅ T — ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ сигнала.

НапримСр, для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ШИМ-сигнала с частотой 1 ΠΊΠ“Ρ† ΠΈ минимальной ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 1% трСбуСтся ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ с суммарным Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ нарастания ΠΈ спада ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 1 мкс.

Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π° для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹:

  1. Π’Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС изоляции
  2. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ напряТСниС
  3. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ напряТСниС
  4. НСобходимоС быстродСйствиС
  5. Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€
  6. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ исполнСниС

Рассмотрим ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π° для Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ развязки ШИМ-сигнала с частотой 1 ΠΊΠ“Ρ†, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ:

  • НапряТСниС изоляции: Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 2500 Π’
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ: 5 мА (макс. Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° МК)
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 5 Π’
  • БыстродСйствиС: tr + tf < 1 мкс
  • Рабочая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°: -40…+85Β°C

Для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ высокоскоростной ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ с транзисторным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, HCPL-0601. Он обСспСчиваСт напряТСниС изоляции 3750 Π’, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 5 мА, врСмя нарастания/спада 0.7 мкс ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ -40…+85Β°C.


Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ области примСнСния ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²

Благодаря своим ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ свойствам ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ нашли ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… областях элСктроники:

  • Π“Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ развязка Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСмах
  • Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅ΠΉΡΡ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… (RS-232, RS-485 ΠΈ Π΄Ρ€.)
  • Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ силовыми ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΌΠΈ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… источниках питания
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ пСрСнапряТСний
  • Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ элСктродвигатСлСй
  • АудиотСхника (ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…)
  • ΠœΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½ΡΠΊΠ°Ρ элСктроника

Π’ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΌ случаС Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π° опрСдСляСтся спСцификой примСнСния ΠΈ трСбованиями ΠΊ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ устройства.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ Π² Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠΈ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ²

Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ производства оптоэлСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΎ ΠΊ появлСнию Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² с ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками:

  • ВысокоскоростныС ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ с Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 10 нс
  • ΠžΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ с Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ встроСнным Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ сигнала
  • ΠœΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ корпусС
  • ΠžΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ с Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ (Π΄ΠΎ 125Β°C)
  • ΠœΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ для повСрхностного ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°

Π­Ρ‚ΠΈ ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅, Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ устройства с Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ развязкой.


Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

ΠžΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… областях элСктроники, обСспСчивая ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ развязку ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Ρƒ сигналов. ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π° с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ всСх ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΠΎΠ΅ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ производства ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ возмоТности для ΠΈΡ… примСнСния Π² соврСмСнной элСктроникС.


APS1 ΠΈ APS2 – высокоскоростныС ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ (ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹) ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Panasonic

Главная / Новости / Новости «Panasonic» / APS1 ΠΈ APS2 – высокоскоростныС ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ (ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹) ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Panasonic

APS1 ΠΈ APS2 – это сСрии высокоскоростных ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€ со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΎ 50 ΠœΠ±ΠΈΡ‚/с.

Β 

APS1241 ΠΈ APS2241 – ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΎ 20 ΠœΠ±ΠΈΡ‚/с.

APS1551 – обСспСчиваСт ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΎ 50 ΠœΠ±ΠΈΡ‚/с.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ сСмСйства APS ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ схСму ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ высокиС характСристики помСхоустойчивости, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ энСргопотрСблСния, ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ Π΄ΠΎ 3750 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈ способны ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ -40…+105Β°C.

К Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ APS1 ΠΈ APS2 ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Π½Π° Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ стока (Open drain) — APS2241, для простой Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈ логичСским Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Totem Pole (TTL) — APS1241.

БыстроС Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π½Π΅Ρ‚ Π²Π΅Ρ‰Π΅ΠΉ (Internet of Things (IoT)) Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… прСдприятиях с большим объСмом Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ оборудования, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ, ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ логичСскиС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ (ΠŸΠ›Πš (PLC)), ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ систСмы, Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Π΄Ρ€. , Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ всС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. Высокая ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ ΡˆΡƒΠΌΠ°ΠΌ, создаваСмым Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΈ снаруТи оборудования, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ оборудования ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ· строя. ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокой Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ количСства ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ устройств, поэтому всС Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокиС трСбования ΠΊ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π² условиях высоких Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€.

Π‘Π΅Ρ€ΠΈΠΈ высокоскоростных ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² ASP1 ΠΈ ASP2 способны ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ трСбованиям ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ элСктроники ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² систСмах ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… посрСдством сСтСй Profibus, схСмах ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ»Π°ΠΌ RS-422 ΠΈ RS485, Ethernet ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ….

ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΈΠ΅ тСхничСскиС характСристики ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Β APS1241, APS2241:

  • ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Ρ‹Π½Π½Ρ‹Ρ… 20 ΠœΠ±ΠΈΡ‚/с
  • высокая ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ ΡˆΡƒΠΌΠ°ΠΌ Π΄ΠΎ 20 ΠΊΠ’/мкс
  • Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ энСргопотрСблСниС
  • Open Drain Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ APS2241
  • TTL Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ APS1241
  • напряТСниС изоляции 3750 Π’
  • Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ -40…+105Β°C
  • SMD корпус: 4. 3×4.4×2.2 ΠΌΠΌ

ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΈΠ΅ тСхничСскиС характСристики ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹Β APS1551:

  • ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Ρ‹Π½Π½Ρ‹Ρ… 50 ΠœΠ±ΠΈΡ‚/с
  • высокая ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ ΡˆΡƒΠΌΠ°ΠΌ Π΄ΠΎ 15 ΠΊΠ’/мкс
  • Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ энСргопотрСблСниС
  • TTL Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄
  • напряТСниС изоляции 3750 Π’
  • Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ -40…+105Β°C
  • SMD корпус: 4.3×4.4×2.1 ΠΌΠΌ

Π”ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ:

ΠžΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ APS1241, APS2241, APS1551 находятся Π² массовом производствС ΠΈ доступны для Π·Π°ΠΊΠ°Π·Π°.

РСсурсы:

Β 

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈ характСристики ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€ ΠΈ оптоэлСктронных ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ

ΠŸΡ€ΠΈ классификации ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ учитываСтся Π΄Π²Π° ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°: Ρ‚ΠΈΠΏ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства ΠΈ конструктивныС особСнности ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ.

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ классификационного ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠ° обусловлСн Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ практичСски Ρƒ всСх ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ свСтодиод, ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ возмоТности ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства.

Π’ качСствС Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠ° принято конструктивноС исполнСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ опрСдСляСт спСцифику примСнСния ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π°.

Рис. 5. К ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ этот ΡΠΌΠ΅ΡˆΠ°Π½Π½Ρ‹ΠΉ конструктивно-схСмотСхничСский ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ классификации, Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€ΠΈ основныС Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ: ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ (элСмСнтарныС ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹), оптоэлСктронныС (ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅) ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ микросхСмы ΠΈ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ². К ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈΠ· этих Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏ относится большоС число Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ².

Для Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнных ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ сокращСния: Π” — диодная, Π’ — транзисторная, R — рСзисторная, Π£ — тиристорная, Π’2 — с составным фототранзистором, Π”Π’ — Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎ-транзисторная, 2Π” (2Π’) — диодная (транзисторная) Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ.

БистСма ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ базируСтся Π½Π° систСмС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€, которая формируСтся ΠΈΠ· Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ².

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ (Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹), вторая — Π΅Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ (Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹), Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΡ — ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ воздСйствия излучатСля Π½Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ ΠΈ связанныС с этим особСнности прохоТдСния сигнала Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρƒ ΠΊΠ°ΠΊ элСмСнт связи (ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ характСристики), Π½Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, чСтвСртая Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ развязки, значСния ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, насколько приблиТаСтся ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Π° ΠΊ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ элСмСнту развязки. Из Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… пСрСчислСнных Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ, спСцифичСски «ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ» ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ характСристики ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ развязки.

Π’Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ транзисторной ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€ являСтся коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² ясно ΠΈΠ· (рис. 5). ΠžΡ‚ΡΡ‡Π΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ уровнями ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² tΠ½Π°Ρ€(сп), tΠ·Π΄, ΠΈ tΠ²ΠΊΠ»(Π²Ρ‹ΠΊΠ») ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ слуТат ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ 0.1 ΠΈ 0.9, ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ врСмя логичСской Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ сигнала опрСдСляСтся ΠΏΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ 0,5 Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ развязки. ΠžΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ: максимально допустимоС ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ UΡ€Π°Π·Π² ΠΏ max; максимально допустимоС напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ UΡ€Π°Π·Π² max; сопротивлСниС Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ развязки RΡ€Π°Π·Π²; проходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ CΡ€Π°Π·Π²; максимально допустимая ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ измСнСния напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (dUΡ€Π°Π·Π²/dt)max. Π’Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΌ являСтся ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ UΡ€Π°Π·Π² ΠΏ max. ИмСнно ΠΎΠ½ опрСдСляСт ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΈ Π΅Π΅ возмоТности ΠΊΠ°ΠΊ элСмСнта Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ развязки.

РассмотрСнныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ с Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ измСнСниями ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ для описания оптоэлСктронных ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм.

ВСхничСскиС характСристики ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ для схСмотСхники

ACTIVES, EEE Components

ΠžΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Π° обСспСчиваСт ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ цСпями , ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ взаимодСйствиС. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΡƒΡŽ схСму , , ΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ всС ΠΎΠ± основных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡŽ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°: ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹

ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹

Π­Ρ‚ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основными для Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ устройства. Они ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ допустимый ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» эксплуатации.

  • Эксплуатация ΠΈ Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния: Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ устройство (Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½Π½ΠΎΠ΅) Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ, космичСскиС примСнСния ΠΎΡ‚ -55Β°C Π΄ΠΎ +125Β°C. Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния относится ΠΊ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π½Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ подаСтся ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅, ΠΎΡ‚ -65Β°C Π΄ΠΎ +150Β°C Π² космичСских условиях.
  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ энСргии, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ устройство ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ бСзопасно Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΡΡ‚ΡŒ. ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ достигая своСго максимума ΠΏΡ€ΠΈ номинальной Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды. ΠžΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Π° рассСиваСт ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΈ фототранзистор Π² Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ прямого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° свСтодиода ΠΈ прямого напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° фототранзистора, напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр.

  • НапряТСниС изоляции: МаксимальноС напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹. Он опрСдСляСтся ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом Π² ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ врСмя ΠΈ относится ΠΊ Смкости сопротивлСния изоляции устройства.
  • ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (IF): ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, допустимый свСтодиодом, Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° рассСиваСмой мощности.
  • ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС (VR): максимальноС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, допустимоС свСтодиодом. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π² устройствС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ.

  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC): ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· фототранзистор, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½ активируСтся свСтодиодом. Как ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.
  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром (VCE): ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром фототранзистора, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° свСтодиод Π½Π΅ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ (IF=0, IB=0).
  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (VEC): максимальноС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, допустимоС для фототранзистора.

Баланс рассмотрСнных Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ срока слуТбы устройства. ΠŸΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π° любого ΠΈΠ· ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΊ нСустранимой Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°.

ЭлСктричСскиС характСристики

Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС основными элСктричСскими характСристиками ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (CTR): прСдставляСт, Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚Π°Ρ…, ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ (IC) ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. (ПЧ) ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π°.

Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды ΠΈΠ»ΠΈ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром фототранзистора Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° CTR, вызывая колСбания. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π½Π° этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ влияСт ΠΈ старСниС. БпСцификация ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΈ измСнСния CTR Π½Π° основС упомянутых Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€:

  • ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС (VF): Π”ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» свСтодиода ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (со стороны эмиттСра). Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ прямого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.
  • ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (IR): Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊ свСтодиоду ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… максимального номинального значСния). ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды.
  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии (IC( Π’Π«ΠšΠ› )): Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° свСтодиод Π½Π΅ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ (IF=0, IB=0). Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния питания ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды.
  • НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (VCE( SAT )): ΠžΠΏΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ максимальноС напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° фототранзистор, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½ находится Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния.

ВрСмСнная характСристика
  • ВрСмя нарастания ΠΈ врСмя спада (tr, tf): ВрСмя, Π·Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² состояниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. ВрСмя нарастания прСдставляСт собой врСмя, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал возрастаСт с 10% Π΄ΠΎ 90%, Π° врСмя спада прСдставляСт собой врСмя, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ с 90% Π΄ΠΎ 10%.
  • ВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ распространСния (tp): опрСдСляСт врСмя, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ подробная информация ΠΎ прСимущСствах ΠΈ топологиях ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ содСрТится Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… сообщСниях.

Найти Π² doEEEt ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ с Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΏΠΎ этим ΠΈΠ»ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ°, ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ качСства, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒβ€¦

  • Автор
  • ПослСдниС сообщСния

Π­ΠΌΠΈΠ»ΠΈΠΎ Кано Гарсия

Π“Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° тСхничСского обслуТивания ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ doEEET. Π² Alter Technology

Π­ΠΌΠΈΠ»ΠΈΠΎ Кано ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ Π² области ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ элСктронной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ. Он Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Alter Technology Π² составС Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ тСхничСского обслуТивания ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ doEEet.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΠΎ поддСрТивая тСхничСскоС содСрТаниС ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, doEEEt прСдоставляСт космичСскому сообщСству ΡΠ°ΠΌΡƒΡŽ послСднюю ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°Ρ… Hi-Rel EEE, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚Π°Ρ…, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… связанных Π·Π°ΠΊΡƒΠΏΠΊΠ°Ρ… ΠΈ тСстировании.

ПослСдниС сообщСния Π­ΠΌΠΈΠ»ΠΈΠΎ Кано Гарсии (ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ всС)

5 1 голос

Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ

ΠŸΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ пост

doEEET ΠΎΠ±ΡŠΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ ΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ

Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ пост

Bourns Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΡΠ΅Ρ‚ ассортимСнт толстоплСночных рСзисторов трСмя сСриями высокомощных рСзисторов

current β€” Π₯арактСристики ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ спросил

ИзмСнСно 3 Π³ΠΎΠ΄Π°, 10 мСсяцСв Π½Π°Π·Π°Π΄

ΠŸΡ€ΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½ΠΎ 666 Ρ€Π°Π·

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

  1. Π’ ΠΌΠΎΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠ½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сигнал ШИМ с частотой 1 ΠΊΠ“Ρ†, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ гСнСрируСтся ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ Beaglebone Black. Π’ ΠΌΠΎΠ΅ΠΌ сигналС я Ρ…ΠΎΡ‡Ρƒ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ сто Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… шагов Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° (ΠΎΡ‚ 1% Π΄ΠΎ 100% Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ²). Насколько я понимаю, моя ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно быстрой, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠ³Π»Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ самый ΡƒΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ (ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1%), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1% * (1/1000) = 10 мкс. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΌΠ½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ: tr + tf < 10 мкс, Π³Π΄Π΅ tr ΠΈ tf β€” врСмя нарастания ΠΈ спада ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹. Π’Π΅Ρ€Π½Π° Π»ΠΈ привСдСнная Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ°? Если это Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΌΠ½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½Π° ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ расчСты ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ пСрСвСсти Π² Π±ΠΈΡ‚Ρ‹ Π² сСкунду, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ Π² соотвСтствии с ΠΈΡ… ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… (Π±ΠΈΡ‚/с).

  2. Π•Ρ‰Π΅ вопрос ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹. Мой ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 4-6 мА Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ‹ ШИМ. МнС Π½ΡƒΠΆΠ½Π° ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠΈ спСцификаций ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ². Π’Π°ΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, этот Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ 6Н138М. Π’ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ Β«Π₯арактСристики» ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ: Β«Π‘Π»Π°Π±Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ β€” 0,5 мА».

Π­Ρ‚ΠΎ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ для ΠΌΠΎΠ΅Π³ΠΎ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. Но ΠΏΡ€ΠΈ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°Ρ… написано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ If ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 20 мА. Как ΠΌΠ½Π΅ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Π² этом случаС, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π° ΠΏΠΎ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ?

  • Ρ‚ΠΎΠΊ
  • ШИМ
  • оптоизолятор
  • Π²Ρ…ΠΎΠ΄

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

6

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ расчСты ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ пСрСвСсти Π² Π±ΠΈΡ‚Ρ‹ Π² сСкунду, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ Π² соотвСтствии со своСй ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… (Π±ΠΈΡ‚/с).

Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ 10 мкс Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ эквивалСнтСн скорости ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… 100 ΠΊΠ±ΠΈΡ‚/с.

Π•Ρ‰Π΅ вопрос ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹. Мой ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 4-6 мА Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ‹ PWM.

Π’Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ «Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ» ΠΈΠ»ΠΈ CTR. Π­Ρ‚ΠΎ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ Π²Π°ΠΌ ΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. Если Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚Π΅ 5 мА, Π° CTR Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 100%, Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ 5 мА Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹. Достаточно Π»ΠΈ этого, зависит, ΠΏΠΎΠΌΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ, ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Для ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… «ΠΌΠ°Ρ€ΠΌΠ΅Π»Π°Π΄Π½Ρ‹Ρ…» ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠ² CTR мСньшС 100 %.

Π’Π°ΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, это Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ 6Н138М. Π’ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ Β«Π₯арактСристики» ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ: «Низкий Ρ‚ΠΎΠΊ-0,5 мА».

Π­Ρ‚Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ CTR 2000% (ΠΈΠ·-Π·Π° Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ транзисторов Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅). Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ссли Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚Π΅ 5 мА Π½Π° сторону свСтодиода, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ 100 мА Π½Π° сторонС ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°.

Π’Π°ΠΌ Π½Π΅ слСдуСт этого Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 60 мА. Π’Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ свою Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ сущСствСнно Π½ΠΈΠΆΠ΅ 60 мА для обСспСчСния наибольшСй надСТности.

ΠžΠΏΡΡ‚ΡŒ ΠΆΠ΅, достаточно Π»ΠΈ этого, зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, с ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π²Ρ‹ Π΅Π΄Π΅Ρ‚Π΅.

Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ CTR 2000 % являСтся лишь Β«Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΒ» Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΈ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹ этой ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ CTR.

(Бпасибо @JackCreasey Π·Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ обсуТдаСмых здСсь ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ)

Но ΠΏΡ€ΠΈ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°Ρ… написано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ If ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 20 мА.

ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ поврСТдСния Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ. Они Π½Π΅ говорят Π²Π°ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

Насколько я понимаю, моя ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно быстрой, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠ³Π»Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ самый ΡƒΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ (ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1%), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1%*(1/1000) = 10 мкс. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΌΠ½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ: tr+tf < 10 мкс,

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ваш 6N138 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ распространСния 1 мкс (максимум 15 мкс) для Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² возбуТдСния, поэтому эта Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ, вСроятно, Π½Π΅ соотвСтствуСт вашим трСбованиям ΠΏΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ.

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

6

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

Π’Π°Ρˆ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ:

1- Π£Π΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ваш источник (Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС Beaglebone). Π’ этом случаС я Π±Ρ‹ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π» 1 мА.

2- Глядя Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΡƒ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ваш ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Ρ€.

3- НайдитС Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ вашСй Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ.

Π’ вашСм случаС Π²Ρ‹, вСроятно, Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ оптичСский Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ всСгда Π±Ρ‹Π» насыщСнным (ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ). Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Π²Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Β«Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈΒ». Π­Ρ‚ΠΎ Π² основном скаТСт Π²Π°ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ваш Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ доступСн Π² зависимости ΠΎΡ‚ вашСго Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (прямой Ρ‚ΠΎΠΊ).

Если Π²Ρ‹ подсчитаСтС, Ρ‚ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ рассчитанный Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высоким, Π½ΠΎ это «максимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅Β», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ просто Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ вашСй схСмой. НапримСр, Ссли Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΊ 5 Π’, Π° эмиттСр ΠΊ рСзистору 10 кОм ΠΊ GND, ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ доступный Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ (5 Π’ — Vce) / 10 кОм.

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎ наблюдСниС: Ссли Π²Ρ‹ просто Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Ρ‚ΠΎ локальной схСмой, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ просто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ NPN-транзистор. Π’Ρ‹ Π½Π΅ Π΄Π°Π»ΠΈ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… подробностСй ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ, Π½ΠΎ я Π½Π΅ Π²ΠΈΠΆΡƒ Π½ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмы, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ изоляции ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Beaglebone.

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π΅ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… сигналов ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ шаг (ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ высоком напряТСнии) Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π±ΠΈΡ‚Ρƒ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, 10 мкс β€” это Π΄Π»ΠΈΠ½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±ΠΈΡ‚Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт 100 ΠΊΠ±ΠΈΡ‚/с.

ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ΠΈ говорят Π²Π°ΠΌ ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ…, Π·Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ‡ΠΈΠΏ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ»ΡˆΠ΅Π±Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ‹ΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Π½ΠΎ Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ подальшС ΠΎΡ‚ этого.

Π’ΠΎΠΊ свСтодиода, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ слСдуСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, соотвСтствуСт Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ рассчитана микросхСма, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, для ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ случаС 6N138 это 1,6 мА (0,5 мА для 6N139).). ΠŸΡ€ΠΈ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌ CTR Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 300% это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ 4,8 мА. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π² бСзопасности, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор 2,2 кОм, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 2,3 мА.

6N138 довольно ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для скорости 100 ΠΊΠ±ΠΈΡ‚/с. МоТно ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ, Π½ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΡƒΡŽ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρƒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° h21L1 (Π° с Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π΅ Π±Π΅ΡΠΏΠΎΠΊΠΎΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎ CTR).

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

1kHz PWM … моя ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно быстрой, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠ³Π»Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ самый ΡƒΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ (ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1%), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1% * (1/1000) = 10 мкс. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΌΠ½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ: tr + tf < 10 мкс

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ, Π½ΠΎ я Π±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠ», Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ врСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ (Π½Π΅ врСмя нарастания ΠΈ спада) Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС 10 мкс. Π’Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ, какая Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½Π° для Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Если Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ 6N138, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π΅ врСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ 65 мкс Π² Ρ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅ΠΌ случаС. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π²Ρ‹ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ ТизнСспособного ШИМ-сигнала Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 6%. Π”Π°ΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Β«Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅Β» число, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ врСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ составит 8,3 мкс, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сильно искаТаСт нСбольшиС значСния ШИМ.
Π­Ρ‚ΠΎ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅ связано с Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ нарастания ΠΈ спада Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ связаны с Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ (Rl) ΠΈ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Π’ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ:

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, я Π±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠ», Ρ‡Ρ‚ΠΎ 6N138 НЕ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для вашСго прилоТСния.

НСсмотря Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сущСствуСт мноТСство оптоизоляторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ Π±Ρ‹ (Ссли Π²Ρ‹ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚Π΅, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ΅ искаТСниС ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π° Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ) ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ всС трСбования, я ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°ΡŽ Π² качСствС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ для вас высококлассным Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ.
On Semiconductor FOD8071 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ значСния Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ ΠΈ настоящий Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал (Π½Π΅ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ). Π­Ρ‚ΠΎ устройство основано Π½Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ быстрСС, Ρ‡Π΅ΠΌ любой транзисторный ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. ΠœΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ снимок спСцификации:

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ устройства Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ вашСго Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ШИМ-сигнала Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ для этого устройства составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 3,5 мА, поэтому для Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° слСдуСт Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 5–10 мА. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ вашСго MCU Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡ‚ΡŒ 10 мА, Π° ΠΏΡ€ΠΈ Vf свСтодиода Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 1–1,8 Π’ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии питания MCU 3,3 Π’ рСзистора 230 Ом Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ достаточно для опрСдСлСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° свСтодиода. Π’ΠΎ всСм Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Vf это обСспСчит Ρ‚ΠΎΠΊ свСтодиода 6,5-10 мА.

Π’Π°ΠΌ слСдуСт ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ оптоизоляторы Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 1 ΠœΠ±ΠΈΡ‚/с ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΡ‹Π΅ значСния искаТСний ШИМ. Π‘ пропускной ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 1 ΠœΠ±ΠΈΡ‚/с Π²Ρ‹ ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚Π΅ врСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 200-600 нс, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточным для Π²Π°ΡˆΠΈΡ… Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π½Π°Ρ‡Π½ΠΈΡ‚Π΅ с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ поиска Π½Π° Digikey.

ОбновлСниС: ПониманиС Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ΅ΠΊ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ нарастания ΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ спада, Ссли Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅, Π½ΠΎ Π² схСмС ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ).
Π­Ρ‚Π° Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠ° ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎ самой обсуТдаСмой ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ΅ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Π° ΠΈ выполняСтся Π½Π° ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Π΅ 1 ΠΊΠ“Ρ† (эквивалСнтно сигналу ШИМ 50%).

Они использовали ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ распространСнный оптоизолятор (PS2501-1) ΠΈ ΠΎΡ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠ°ΠΊ врСмя нарастания ΠΈ спада. Π― Π½Π΅ согласСн с этой Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ, Π½ΠΎ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° Π² создании Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π°, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΡƒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅. Π’ тСхничСском описании ΠΎΠΏΡ‚ΠΎ tr/tf ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ 3 мкс ΠΈ 5 мкс соотвСтствСнно, Π½ΠΎ Π² примСчаниях ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ значСния ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 5 мкс ΠΈ 90 мкс для tr/tf Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΡ‹Ρ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ схСму, добавляя Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° (каскод), Π½ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² этом случаС Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ 6 мкс ΠΈ 32 мкс для tr/tf Π² ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠΈ.

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ этот Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ (Π½Π° основС транзистора) Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π΅Π½, Ссли Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ соотвСтствиС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ сигналу. ИспользованиС ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π° Π½Π° основС Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ быстрСС, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ симмСтричныС Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ ΠΈ Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ высокого CTR.

Π­Ρ‚Π° Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠ° ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΎΡ‚ Vishay Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ сравнСниС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ. Он Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ для достиТСния Π½Π°ΠΈΠ²Ρ‹ΡΡˆΠΈΡ… скоростСй Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ (CB-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄) ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ с использованиСм оптотранзисторов Π½Π° основС транзисторов. Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ.

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

5

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ расчСты ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ пСрСвСсти Π² Π±ΠΈΡ‚Ρ‹ Π² сСкунду, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ Π² соотвСтствии со своСй ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… (Π±ΠΈΡ‚/с).

Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ 10 мкс Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ эквивалСнтСн скорости ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… 100 ΠΊΠ±ΠΈΡ‚/с. NRZ…01010 составляСт 50 ΠΊΠ“Ρ† ΠΈΠ»ΠΈ 20 мкс

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Tr=0,35/f-3dB = врСмя нарастания 10~90% ΠΏΡ€ΠΈ использовании 10101 = f/2 ΠΏΡ€ΠΈ скорости ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… = f **
для Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° шаблона 10101 ΠΈΠ· 20 мкс ΠΏΡ€ΠΈ 100 ΠΊΠ±ΠΈΡ‚/с **NRZ max Tr= 7 мкс
, Π½ΠΎ мСньшСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ для мСТсимвольной ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ ISI (ΠΈΠ·-Π·Π° Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ), поэтому Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ BER с большим запасом ΠΏΠΎ Ρ„Π°Π·Π΅ ΠΈΠ·-Π·Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ISI . (Π³Π»Π°Π·ΠΎΠΊ)

Π•Ρ‰Π΅ вопрос ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹. Мой ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 4-6 мА Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ‹ PWM.

НСт, это справСдливо Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для запаса ΠΏΠΎ логичСскому ΡˆΡƒΠΌΡƒ. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ запас Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ β€” это Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ оптоизолятора. ΠŸΠΎΡ€Ρ‚ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΊΠ°ΠΊ VOL Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ уровня, Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½, подтяТка ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ IOL = 6 мА 0,45 Π’ Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Zol = 0,45/6 мА = 75 Ом RdsOn, Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ самоС для VOH. REF p90

N.B> ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ характСристики Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Cortex ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ для Π½Π°ΠΈΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π³ΠΎ случая (+50%), Π° CMOS RdsOn ΠΏΡ€ΠΈ скорости питания ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ составляСт 50 Ом +/-50%. Π›ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° ALV составляСт 1/2 Ом. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания Π² Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π΅ составляСт 145 ΠΌΠ’Ρ‚, поэтому Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ это Rs Π² расчСт ограничСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IR для сСрии R. ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ IR max. Если Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€. 12 мА

Π― согласСн с @Photon, Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Β«Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈΒ» ΠΈΠ»ΠΈ CTR ΠΈ врСмя нарастания. Π’ Ρ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅ΠΌ случаС CTR ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ 25%, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΅ Π½Π° Π±Π΅Ρ‚Π° (hFE) Π² транзисторС.

ЕдинствСнным компромиссом являСтся ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ TPLH с Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ эту ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΌΠ°Ρ€Π³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ.

Π’Π°ΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, этот Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ 6Н138М. Π’ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ Β«Π₯арактСристики» ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ: «Низкий Ρ‚ΠΎΠΊ-0,5 мА».

ΠžΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ транзистор Π² насыщСнном состоянии ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 10~20% hFE, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ транзистор Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°. ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ hFEΒ² ΠΈΠ»ΠΈ коэффициСнт насыщСния 10Β²=100

ВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ распространСния Π² Π₯Π£Π”Π¨Π•Πœ случаС составляСт TPLH= 7 мкс макс. 0~70Β°C ΠΈ 1,3 мкс Ρ‚ΠΈΠΏ. ΠΏΡ€ΠΈ 25Β°C ΠΏΡ€ΠΈ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… условиях;
RL=270 Ом If=12 мА с 270 Ом Π΄ΠΎ 5 Π’ — (Vol(sat)=1,2 Π’ расч.) Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Ic= 3,8 Π’/270=14 мА.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ If=12 мА ΠΎΡ‚ 3,3 Π’ 75 Ом КМОП-Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ Beagleboard нСстабилСн/Π½Π΅Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠ·-Π·Π° Rdson ΠΈ допусков сопротивлСния If ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ VF, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ IR ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ MAX, поэтому Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ 5 Π’. На рис. 4 Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Vf находится Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 1,5 Π’ Π΄ΠΎ 1,8 Π’, поэтому Ξ”V = Vdd-Vf = ΠΎΡ‚ 1,8 Π΄ΠΎ 1,5 Π’, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ использовании 1,8 Π’ / 12 мА = 46 Ом , Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° 75 Ом макс (25 ΠΌΠΈΠ½) , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ допуск 25%. ΠŸΡ€ΠΈ использовании 1,5 Π’/12 мА=125 Ом, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ сопротивлСниС ΠΎΡ‚ 33 Π΄ΠΎ 75 Ом 126-70= 56 Ом

Но ΠΏΡ€ΠΈ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°Ρ… написано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ If ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 20 мА.

БущСствуСт Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ рис. 5 Vf vs Ta, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ссли Π²Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии 1,5 Π’, для самонагрСва трСбуСтся Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды -40Β°C для охлаТдСния.

Насколько я понимаю, моя ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно быстрой, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠ³Π»Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ самый ΡƒΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ (ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1%), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1%*(1/1000) = 10 мкс. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΌΠ½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ: tr+tf < 10 мкс,

Π”Π°, врСмя нарастания ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ 7 мкс, ΠΈ я оТидаю, Ρ‡Ρ‚ΠΎ врСмя нарастания Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° распространСния, которая являСтся СдинствСнной ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ спСцификациСй. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, врСмя нарастания зависит ΠΎΡ‚ пропускной способности ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ пропса.

Если Ρƒ вас Π΅ΡΡ‚ΡŒ 5Π’, Π²Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ это с Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠΌ Sch. Диодная Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° для рСгулирования Vf, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ИК-Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° мСньшС влияла Π½Π° ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ If. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅. Π Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ†ΠΈΠΊΠ» Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ влияСт Π½Π° срСдний Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ.

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

4

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

Π­Ρ‚ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ создаст 1% ΠΈΠ»ΠΈ 99% ШИМ Π½Π° частотС 1 ΠΊΠ“Ρ† Π² 6N139

Но ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ транзистор с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *