Как меняется емкостное сопротивление при увеличении частоты тока. Какая зависимость существует между индуктивным сопротивлением и частотой. Почему важно учитывать эти зависимости при проектировании электрических цепей. Как использовать знания о емкостном и индуктивном сопротивлении на практике.
Основные понятия емкостного и индуктивного сопротивления
Емкостное и индуктивное сопротивления являются ключевыми характеристиками электрических цепей переменного тока, содержащих конденсаторы и катушки индуктивности. Эти величины определяют поведение цепи при различных частотах.
Емкостное сопротивление (XC) — это сопротивление, которое конденсатор оказывает переменному току. Оно обратно пропорционально частоте тока и емкости конденсатора:
XC = 1 / (2πfC)
где f — частота, C — емкость конденсатора.
Индуктивное сопротивление (XL) — это сопротивление, которое катушка индуктивности оказывает переменному току. Оно прямо пропорционально частоте тока и индуктивности катушки:
XL = 2πfL
где f — частота, L — индуктивность катушки.
Зависимость емкостного сопротивления от частоты
Емкостное сопротивление обратно пропорционально частоте переменного тока. Это означает, что при увеличении частоты емкостное сопротивление уменьшается.
Рассмотрим пример. Дан конденсатор емкостью 10 мкФ. Рассчитаем его емкостное сопротивление на частотах 50 Гц и 1 кГц:
- При f = 50 Гц: XC = 1 / (2π * 50 * 10^-5) ≈ 318 Ом
- При f = 1 кГц: XC = 1 / (2π * 1000 * 10^-5) ≈ 15.9 Ом
Как видим, при увеличении частоты в 20 раз емкостное сопротивление уменьшилось примерно в 20 раз.
Зависимость индуктивного сопротивления от частоты
В отличие от емкостного, индуктивное сопротивление прямо пропорционально частоте переменного тока. То есть при увеличении частоты индуктивное сопротивление также увеличивается.
Рассмотрим пример с катушкой индуктивности 100 мГн. Рассчитаем ее индуктивное сопротивление на частотах 50 Гц и 1 кГц:
- При f = 50 Гц: XL = 2π * 50 * 0.1 ≈ 31.4 Ом
- При f = 1 кГц: XL = 2π * 1000 * 0.1 ≈ 628 Ом
Здесь мы видим, что при увеличении частоты в 20 раз индуктивное сопротивление также увеличилось в 20 раз.
Практическое применение знаний о емкостном и индуктивном сопротивлении
Понимание зависимости емкостного и индуктивного сопротивления от частоты крайне важно при проектировании и анализе электрических цепей. Вот несколько практических применений этих знаний:
- Фильтрация сигналов: Используя комбинации конденсаторов и катушек, можно создавать фильтры для выделения или подавления определенных частот в сигнале.
- Согласование импедансов: В высокочастотных цепях правильный выбор емкостей и индуктивностей позволяет согласовать импедансы различных участков цепи, минимизируя отражения сигнала.
- Резонансные контуры: Комбинация конденсатора и катушки может создавать резонансный контур, который используется в радиоприемниках, передатчиках и других устройствах.
- Компенсация реактивной мощности: В энергетике используются конденсаторные батареи для компенсации индуктивной составляющей нагрузки, что улучшает коэффициент мощности.
Влияние частоты на работу электрических устройств
Изменение частоты переменного тока может существенно влиять на работу различных электрических устройств. Как это проявляется на практике?
- Трансформаторы: При повышении частоты уменьшаются размеры и вес трансформатора, необходимого для передачи определенной мощности. Однако слишком высокая частота может привести к увеличению потерь в сердечнике.
- Электродвигатели: Частота питающего напряжения влияет на скорость вращения двигателя. Изменение частоты используется в частотно-регулируемых приводах для управления скоростью.
- Конденсаторы в цепях питания: На высоких частотах емкостное сопротивление конденсаторов уменьшается, что позволяет им эффективнее сглаживать пульсации напряжения.
Особенности работы с высокочастотными цепями
При работе с высокочастотными цепями необходимо учитывать ряд дополнительных факторов:
- Паразитные емкости и индуктивности: На высоких частотах даже небольшие паразитные параметры могут существенно влиять на работу схемы.
- Скин-эффект: С ростом частоты ток начинает течь преимущественно по поверхности проводника, что увеличивает его сопротивление.
- Задержки распространения сигнала: На высоких частотах время распространения сигнала по проводникам становится существенным и должно учитываться при проектировании.
Методы измерения емкостного и индуктивного сопротивления
Для точного измерения емкостного и индуктивного сопротивления используются специальные приборы и методики. Какие существуют способы проведения таких измерений?
- Мостовые методы: Используются мосты переменного тока, такие как мост Максвелла-Вина или мост Шеринга.
- Резонансные методы: Основаны на явлении резонанса в LC-контуре.
- Векторные анализаторы цепей: Позволяют измерять комплексное сопротивление в широком диапазоне частот.
- LCR-метры: Специализированные приборы для измерения индуктивности, емкости и сопротивления.
Выбор метода зависит от требуемой точности, диапазона частот и специфики измеряемого компонента.
Роль емкостного и индуктивного сопротивления в энергетике
В энергетике учет емкостного и индуктивного сопротивления играет важную роль. Как это проявляется на практике?
- Компенсация реактивной мощности: Используются конденсаторные батареи для снижения индуктивной составляющей нагрузки, что улучшает коэффициент мощности и снижает потери в сетях.
- Передача электроэнергии на дальние расстояния: Учет индуктивности линий электропередачи и их емкости относительно земли необходим для обеспечения стабильности передачи и минимизации потерь.
- Защита от перенапряжений: Индуктивные и емкостные элементы используются в устройствах защиты от грозовых и коммутационных перенапряжений.
Правильный учет реактивных сопротивлений позволяет повысить эффективность и надежность энергосистем.
Хелп § 40№5 Физика 11 класс Касьянов В.А. – Рамблер/класс
Хелп § 40№5 Физика 11 класс Касьянов В.А. – Рамблер/классИнтересные вопросы
Школа
Подскажите, как бороться с грубым отношением одноклассников к моему ребенку?
Новости
Поделитесь, сколько вы потратили на подготовку ребенка к учебному году?
Школа
Объясните, это правда, что родители теперь будут информироваться о снижении успеваемости в школе?
Школа
Когда в 2018 году намечено проведение основного периода ЕГЭ?
Новости
Будет ли как-то улучшаться система проверки и организации итоговых сочинений?
Вузы
Подскажите, почему закрыли прием в Московский институт телевидения и радиовещания «Останкино»?
Постройте график зависимости емкостного сопротивления конденсатора от частоты.
Как изменится емкостное сопротивление при увеличении частоты в 2,5 раза?ответы
Емкостное сопротивление
следовательно, при увеличении частоты в 2,5 раза сопротивление уменьшается в 2,5 раза.
Ответ: уменьшится в 2,5 раза.
ваш ответ
Можно ввести 4000 cимволов
отправить
дежурный
Нажимая кнопку «отправить», вы принимаете условия пользовательского соглашения
похожие темы
Юмор
Олимпиады
ЕГЭ
Компьютерные игры
похожие вопросы 5
Звуковые волны Физика Касьянов 10 класс 602
Добрый день! Укажите примерные размеры источников, генерирующих инфразвуковые, звуковые и ультразвуковые волны.
(Подробнее…)
ГДЗФизикаКасьянов В.А.10 класс
ГДЗ Тема 21 Физика 7-9 класс А.В.Перышкин Задание №476 Изобразите силы, действующие на тело.
Привет всем! Нужен ваш совет, как отвечать…
Изобразите силы, действующие на тело, когда оно плавает на поверхности жидкости. (Подробнее…)
ГДЗФизикаПерышкин А.В.Школа7 класс
Какой был проходной балл в вузы в 2017 году?
Какой был средний балл ЕГЭ поступивших в российские вузы на бюджет в этом году? (Подробнее…)
Поступление11 классЕГЭНовости
16. Расставьте все знаки препинания: укажите цифру(-ы), на месте которой(-ых)… Цыбулько И. П. Русский язык ЕГЭ-2017 ГДЗ. Вариант 13.
16.
Расставьте все знаки препинания: укажите цифру(-ы), на месте которой(-ых)
в предложении должна(-ы) стоять запятая(-ые). (Подробнее…)
ГДЗЕГЭРусский языкЦыбулько И.П.
ЕГЭ-2017 Цыбулько И. П. Русский язык ГДЗ. Вариант 13. 18. Расставьте все знаки препинания: укажите цифру(-ы), на месте которой(-ых)…
18.
Расставьте все знаки препинания: укажите цифру(-ы), на месте которой(-ых)
в предложении должна(-ы) стоять запятая(-ые). (Подробнее…)
ГДЗЕГЭРусский языкЦыбулько И.П.
«Исследование зависимости емкостного и индуктивного сопротивления от частоты переменного тока». | Методическая разработка по физике (11 класс) по теме:
Тема урока:
«Исследование зависимости емкостного и индуктивного сопротивления от частоты переменного тока».
Цель урока:
Изучить зависимость емкостного и индуктивного сопротивления от частоты переменного тока при постоянных параметрах элементов.
Урок по данной теме проведён
в 11 классе
в МОУ «СОШ № 75» г. Чусового
учителем физики
Широковой
Людмилой Николаевной
(Районный семинар физиков)
Учебно-методический комплекс
(1час в кабинете информатики)
Тема учебного занятия:
«Исследование зависимости емкостного и индуктивного сопротивления от частоты переменного тока».
Форма учебного занятия: комбинированный урок с использованием информационных технологий.
Класс: 11 класс «Средняя общеобразовательная школа № 75»
Цель урока: Изучить зависимость емкостного и индуктивного сопротивления от частоты переменного тока при постоянных параметрах элементов.
Задачи урока:
`продолжить усвоение понятий «емкостного» и «индуктивного» сопротивлений в цепи переменного тока
`формирование практических навыков экспериментирования в виртуальной физической лаборатории
`продолжить формирование умений самостоятельно работать с полученной информацией
Тип урока: комбинированный (с использованием ИКТ).
Оборудование:
компьютер, мультимедийный проектор, экран, презентация к уроку, конструктор —
«Виртуальная лаборатория», лист отчета.
Ход урока.
I. Актуализация знаний.
Организационный момент. Тема. Цель урока.
Слайд № 5, 6, 7
Повторение
∙ Что понимают под емкостным сопротивлением? От чего оно зависит?
∙ Что понимают под индуктивным сопротивлением? От чего оно зависит?
Мы это постараемся проверить сегодня на уроке, но вспомним закон Ома.
II. Лабораторная работа
Слайд № 8, 9
Ход работы
собираем виртуальную схему на монтажном столе ПК;
записываем показания вольтметров на листе отчета обеих схем;
выполняем математические вычисления в тетради;
строим график в тетради;
делаем вывод;
отвечаем на контрольный вопрос;
сдаем тетрадь вместе с листом отчета.
Выполнение работы
а) катушка в цепи переменного тока
собираем виртуальную цепь, указанную на схеме отчетного листа,
задаем параметры элементов цепи:
— резистор R = 100 Ом
— мощность Р = 500 Вт
— индуктивность катушки L = 100мГн = 0,1гн
— напряжение на генераторе U = 100в
Изменяя частоту генератора, записать показания вольтметров (напряжения на резисторе UR и напряжение на катушке UL) в таблицу 1
ν, Гц | 50 | 100 | 150 | 300 |
UR, В | 95 | 84 | 72 | 46 |
UL, В | 29 | 53 | 68 | 88 |
I, А | 0,95 | 0,84 | 0,72 | 0,46 |
ХL, Ом | 30,5 | 63 | 94,4 | 191 |
б) конденсатор в цепи переменного тока
собираем виртуальную цепь, указанную на схеме отчетного листа,
задаем параметры элементов цепи:
— рабочее напряжение U = 400В
— емкость конденсатора С = 10 мкФ
— резистор сопротивлением R = 100. Ом
Изменяя частоту генератора, записать показания вольтметров (напряжения на резисторе UR и напряжение на катушке UС) в таблицу 2
ν, Гц | 50 | 100 | 150 | 300 |
UR, В | 29 | 53 | 68 | 88 |
UС, В | 95 | 84 | 72 | 46 |
I, А | 0,29 | 0,53 | 0,68 | 0,88 |
ХL, Ом | 328 | 158 | 106 | 52 |
Построить, и проанализировать графики зависимости индуктивного и емкостного сопротивлений от частоты переменного тока.
Сформулировать вывод.
Ответить на контрольный вопрос.
По окончании работы тетради сдаются учителю.
Подведение итогов, рефлексия.
Слайд № 10,11,12 Подведение итогов урока
Я научился собирать виртуальные электрические цепи, производить измерения и убедился, что индуктивное сопротивление прямо пропорционально частоте переменного тока, а емкостное сопротивление обратно пропорционально частоте переменного тока,
и это подтверждает правильность теории.
Слайд № 13 Домашнее задание
Перышкин А.В. § 32 -34 повторить
Рымкевич А.П. № 974,975,978,979.
Виртуальная лабораторная работа.
Тема урока: «Исследование зависимости емкостного и индуктивного сопротивления от частоты переменного тока
Цель урока: Изучить зависимость емкостного и индуктивного сопротивления от частоты переменного тока при постоянных параметрах элементов.
Порядок выполнения работы:
I). Катушка в цепи переменного тока.
1. собрать цепь, задать параметры →
катушка — индуктивности L = 0,1Гн; резистор – сопротивление R = 100.Ом
2. Изменяя частоту генератора, записать показания вольтметров (напряжения на резисторе UR и
напряжение на катушке UL) в таблицу 1
ν, Гц | 50 | 100 | 150 | 300 |
ХL, Ом |
3. Рассчитать значение токов, текущих в цепи, в зависимости от частоты (для этого надо напряжение на резисторе разделить на его сопротивление I = UR /R). Запишите полученные данные в таблицу 1.
4. Определите индуктивные сопротивления для соответствующих частот (для этого надо напряжение
на катушке разделить на силу тока ХL = UL /I). Запишите данные в таблицу 1.
5. Построить график зависимости индуктивного сопротивления от частоты переменного тока.
6. Сформулируйте вывод.
ḬI). Конденсатор в цепи переменного тока
1. собрать цепь, задать параметры →
Конденсатор — емкость С = 1ОмкФ; резистор – сопротивление R = 100.Ом
2. Изменяя частоту генератора, записать показания вольтметров (напряжения на резисторе UR и
напряжение на конденсаторе UС) в таблицу 2.
ν, Гц | 50 | 100 | 150 | 300 |
ХС, Ом |
3. Рассчитать значение токов, текущих в цепи, в зависимости от частоты (для этого надо напряжение
на резисторе разделить на его сопротивление I = UR /R). Запишите полученные данные в таблицу 2.
4. Определите емкостные сопротивления для соответствующих частот (для этого надо напряжение на
конденсаторе разделить на силу тока ХС = UС /I). Запишите данные в таблицу 2.
5. Построить график зависимости емкостного сопротивления от частоты переменного тока.
6. Сформулируйте вывод.
Контрольный вопрос: Почему с увеличением частоты индуктивное сопротивление увеличивается, а емкостное уменьшается?
V
V
R
L
V
V
R
С
График зависимости емкости от частоты для керамических конденсаторов
Каждый компонент имеет индуктивность (эквивалентная последовательная индуктивность или ESL), значение которой определяется площадью контура, через который должен пройти ток. Он включает монтажную индуктивность на печатной плате, переходные отверстия, дорожки и т. д. Пример:
Это чисто механически. Значение конденсатора не имеет значения, оно будет работать одинаково для резистора, даже 0R, или куска провода.
Колпачок имеет ESL и ESR, поэтому его импеданс:
\$ Z = \frac{1}{j\omega C} + R + j\omega L\$
(без учета диэлектрического поглощения, утечки и т. д.)
Конденсаторы одинакового физического размера (например, все 0805) имеют одинаковую индуктивность. Итак, если мы построим график зависимости их импеданса от частоты:
Низкочастотная часть показывает ожидаемое \$ \frac{1}{j\omega C} \$. На высокой частоте доминирует \$ j\omega L\$. Поскольку все они одного размера, все они имеют одинаковый ВЧ импеданс.
Провал – это резонансная частота. В его центре Z=R. Низкое ESR дает более глубокий провал.
На высокой частоте это катушка индуктивности: вы не можете измерить ее емкость, потому что C не влияет на импеданс, над которым доминирует L. Вот почему кривая емкости в вашем листе данных обрывается. Его цель — показать, что емкость остается стабильной и хорошо себя ведет на НЧ, где это имеет значение.
Теперь у меньших корпусов ниже ESL:
Итак, причина, по которой вы часто видите 10 нФ // 100 нФ, не в том, что конденсатор 10 нФ «быстрее», а в том, что вы можете получить его в корпусе 0201, таким образом имеет меньшую индуктивность. Если оба конденсатора 0805, то 10 нФ бесполезны, а один 1 мкФ будет работать лучше.
РЕДАКТИРОВАТЬ: при параллельном соединении крышек вы строите резервуар LC, и он может звенеть. Параллельное использование MLCC с низким ESR разных значений может стать неприятным. Вот почему для простых вещей (таких как логический вентиль или микро) не заморачивайтесь с 10n//100n, на самом деле это будет хуже. Одно единственное значение менее рискованно, 100n или 1µ. Также силовые дорожки индуктивные, это еще один LC-бак, ферритовые кольца тоже с колпачками… Спайс помогает!
Итак, ваши конденсаторы состоят из керамики:
По их конструкции и тому факту, что они расположены над печатной платой, можно сразу догадаться, что их ESL намного выше, чем у конденсатора SMD. Наверное, больше похоже на электролит. Однако эти конденсаторы керамические, поэтому они выдерживают очень высокие температуры, а также имеют очень низкое ESR, что может быть преимуществом (также может вызывать сильный звон).
Таким образом, для коммутатора 500 кГц они не являются правильным выбором, если только у вас нет экстремальных температур или других причин для их использования. Электролит, вероятно, был бы дешевле и имел бы немного ESR для предотвращения звона.
Для фильтрации шума на частоте 500 кГц вам понадобится конденсатор с низким импедансом на этой частоте и выше. Итак, вам нужны небольшие MLCC, если вы припаиваете вручную, 1-10 мкФ 0805 легко работать. Вы можете соединить несколько параллельно, чтобы снизить индуктивность, и позаботиться о компоновке, потому что важна общая индуктивность, включая переходы на заземляющий слой и дорожки.
Если вам нужна помощь в выборе цоколя, вам нужно сообщить, какой ток будет выдерживать DC-DC, его топология (понижающий, повышающий…), напряжение, частота и т. д.
Что такое импеданс/частота ESR характеристики в конденсаторах?
Сегодняшняя колонка описывает частотные характеристики величины импеданса |Z| и эквивалентное последовательное сопротивление (ESR) в конденсаторах.
Понимание частотных характеристик конденсаторов позволяет определить, например, возможности подавления помех или возможности управления колебаниями напряжения в линии электропитания. Таким образом, частотные характеристики являются важными параметрами, необходимыми для проектирования схем. В этом столбце описываются два типа частотных характеристик: импеданс |Z| и СОЭ.
1. Частотные характеристики конденсаторов
Полное сопротивление Z идеального конденсатора (рис. 1) выражается формулой (1), где ω — угловая частота, а C — электростатическая емкость конденсатора.
Рисунок 1. Идеальный конденсаторИз формулы (1) величина импеданса |Z| уменьшается обратно пропорционально частоте, как показано на рисунке 2. В идеальном конденсаторе потерь нет, а эквивалентное последовательное сопротивление (ESR) равно нулю.
Рис. 2. Частотная характеристика идеального конденсатораПричина, по которой |Z| и кривые формы СОЭ, подобные показанным на рис. 4, можно объяснить следующим образом.
Область низких частот:
|З| в областях с низкой частотой уменьшается обратно пропорционально частоте, подобно идеальному конденсатору. ESR показывает значение, эквивалентное диэлектрическим потерям из-за задержки поляризации в диэлектрическом веществе.
Вблизи точки резонанса:
При повышении частоты ESR, возникающее из-за паразитной индуктивности, удельного сопротивления электродов и других факторов, приводит к |Z| поведение, чтобы отклониться от поведения идеального конденсатора (красная пунктирная линия) и достичь минимального значения. Частота, при которой |Z| это минимальное значение называется собственной резонансной частотой, и в это время |Z|=ESR. После превышения собственной резонансной частоты характеристика элемента меняется с конденсатора на катушку индуктивности, и |Z| начинает увеличиваться. Область ниже собственной резонансной частоты называется емкостной областью, а область выше — индуктивной областью.
На ESR влияют потери, вызванные электродом, в дополнение к диэлектрическим потерям.
Область высоких частот:
В частотных зонах даже выше точки резонанса |Z| характеристики определяются паразитной индуктивностью (L). |З| в области высоких частот приближается к формуле (2) и увеличивается пропорционально частоте.
Что касается СОЭ, начинают проявляться электродные скин-эффекты, эффекты близости и другие эффекты.
Выше было объяснение частотных характеристик реального конденсатора. Главное помнить, что при повышении частоты ESR и ESL нельзя игнорировать. По мере того, как растет число приложений, в которых конденсаторы используются на высоких частотах, ESR и ESL становятся важными параметрами, которые показывают рабочие характеристики конденсатора, в дополнение к значениям электростатической емкости.
2. Частотные характеристики конденсаторов разных типов
В предыдущем разделе объяснялось, что паразитные компоненты конденсаторов, такие как ESR и ESL, сильно влияют на их частотные характеристики. Поскольку типы паразитных компонентов зависят от типа конденсатора, давайте рассмотрим различные частотные характеристики конденсаторов разных типов.
На рис. 5 показано |Z| и частотные характеристики ЭПР различных конденсаторов с электростатической емкостью 10 мкФ. За исключением пленочного конденсатора, все конденсаторы относятся к типу SMD.
Рис. 5. Частотные характеристики |Z|/ ESR конденсаторов разных типовПоскольку электростатическая емкость всех конденсаторов, показанных на рис. 5, составляет 10 мкФ, |Z| значение одинаково для всех типов в емкостной области на частотах до 1 кГц. Поднявшись выше 1 кГц, |Z| значения увеличиваются намного выше в алюминиевом электролитическом конденсаторе и танталовом электролитическом конденсаторе, чем в многослойном керамическом конденсаторе и пленочном конденсаторе. Это связано с высоким удельным сопротивлением материала электролита и большим ESR в алюминиевом электролитическом конденсаторе и танталовом электролитическом конденсаторе. Пленочный конденсатор и многослойный керамический конденсатор используют металлические материалы для своих электродов, и поэтому имеют очень минимальное ESR.
Многослойный керамический конденсатор и конденсатор со свинцовой пленкой показывают примерно одинаковые характеристики вплоть до точки резонанса, но собственная резонансная частота выше и |Z| в индуктивной области ниже у многослойного керамического конденсатора. Это связано с тем, что в свинцово-пленочных конденсаторах индуктивность настолько же велика, что и из-за подводящего провода.
Эти результаты показывают, что сопротивление многослойных керамических конденсаторов SMD-типа невелико в широком диапазоне частот, что делает их наиболее подходящими конденсаторами для высокочастотных приложений.
3. Частотные характеристики многослойных керамических конденсаторов
Существуют также различные типы многослойных керамических конденсаторов из разных материалов и различной формы. Рассмотрим, как эти факторы влияют на частотные характеристики.
(1) ЭСР
ESR в емкостной области зависит от диэлектрических потерь, вызванных диэлектрическим материалом. Материалы класса 2 с высокой диэлектрической проницаемостью, как правило, имеют более высокие уровни ESR, поскольку в них используются сегнетоэлектрики. В материалах для компенсации температуры класса 1 используются параэлектрики, поэтому они демонстрируют очень небольшие диэлектрические потери и имеют низкий уровень ESR.
В дополнение к удельному сопротивлению материала электрода, форма электрода (толщина, длина, ширина) и количество слоев, уровни ЭПР на высоких частотах от точки резонанса до индуктивной области также зависят от скин-эффекта и по эффекту близости. Ni часто используется в качестве материала электрода, но Cu с низким удельным сопротивлением иногда выбирают для конденсаторов с малыми потерями.
(2) английский как
ESL многослойных керамических конденсаторов сильно зависит от внутренней структуры электрода. Если размер внутреннего электрода показан как длина l, ширина w и толщина d, индуктивность ESL электрода может быть показана по формуле (3) согласно Ф. В. Гроверу.
Из этой формулы видно, что ESL уменьшается по мере того, как электроды конденсатора становятся короче, шире и толще.
На рис. 6 показано соотношение между номинальной емкостью и собственной резонансной частотой для многослойных керамических конденсаторов разных размеров. Вы можете видеть, что по мере уменьшения размера собственная резонансная частота увеличивается, а ESL уменьшается для той же емкости. Это означает, что небольшие конденсаторы с небольшой длиной l лучше всего подходят для высокочастотных приложений.
Рисунок 6. Соотношение между номинальной мощностью и собственная резонансная частота для разных размеровНа рис. 7 показан обратный конденсатор LW с малой длиной l и большой шириной w. Из частотных характеристик, представленных на рисунке 8, видно, что обратные конденсаторы LW имеют меньшее сопротивление и лучшие характеристики, чем обычный конденсатор той же емкости. Используя обратные конденсаторы LW, можно достичь той же производительности, что и у обычных конденсаторов, но с меньшим количеством элементов. Уменьшение количества блоков позволяет снизить затраты и уменьшить монтажное пространство.
Рис. 7. Внешний вид обратного конденсатора LW Рис. 8. |Z|/ESR обратного конденсатора LW и конденсатора общего назначения4. Как получить данные о частотных характеристиках
Хотя данные о частотных характеристиках можно получить с помощью анализатора импеданса или векторного анализатора цепей, теперь такие данные доступны и на сайтах производителей комплектующих.
На рис. 9 показан вид экрана инструмента проектирования SimSurfing компании Murata. Характеристики можно отобразить, просто введя номер модели и элементы, которые вы хотите проверить. Кроме того, вы можете загрузить списки сетей SPICE и данные S2P в качестве данных для моделирования. Не стесняйтесь использовать их для проектирования всех типов электронных схем.
Рис. 9. Пример экрана средства проектирования SimSurfing. (Нажмите на изображение, чтобы увидеть увеличенное изображение)См.