Транзистор кт837х – КТ837Х, Транзистор PNP, усилительный | купить в розницу и оптом

КТ837, 2Т837 - биполярный кремниевый PNP транзистор - параметры, использование, цоколёвка. - Биполярные отечественные транзисторы - Транзисторы - Справочник Радиокомпонентов - РадиоДом



Основные технические параметры транзистора КТ837

Транз
истор
IК, макс
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21Э UКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ837А 7,5 60 80 15 30 10...40 2,5 0,15 ≤1
КТ837Б 7,5 60 80 15 30 20...80 2,5 0,15 ≤1
КТ837В 7,5 60 80 15 30 50...150 2,5 0,15 ≤1
КТ837Г 7,5 45 60 15 30 10...40 0,5 0,15 ≤1
КТ837Д 7,5 45 60 15 30 20...80 0,5 0,15 ≤1
КТ837Е 7,5 45 60 15 30 50...150 0,5 0,15 ≤1
КТ837Ж 7,5 30 45 15 30 10...40 2,5 0,15 ≤1
КТ837И 7,5 30 45 15 30 20...80 2,5 0,15 ≤1
КТ837К 7,5 30 45 15 30 50...150 2,5
0,15
≤1
КТ837Л 7,5 60 80 5 30 10...40 2,5 0,15 ≤1
КТ837М 7,5 60 80 5 30 20...80 2,5 0,15 ≤1
КТ837Н 7,5 60 80 5 30 50...150 2,5 0,15 ≤1
КТ837П 7,5 45 60 5 30 10...40 0,9 0,15 ≤1
КТ837Р 7,5 45 60 5 30 20...80 0,9 0,15 ≤1
КТ837С 7,5 45 60 5 30 50...150 0,9 0,15 ≤1
КТ837Т 7,5 30 45 5 30 10...40 0,5 0,15 ≤1
КТ837У 7,5 30 45 5 30 20...80 0,5 0,15 ≤1
КТ837Ф 7,5 30 45 5 30 50...150 0,5 0,15 ≤1

Основные технические параметры транзистора 2Т837

Транз
истор
IК, макс
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
Вт
h21Э UКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
2Т837А 8 55 80 15 30 15...120 0,9 0,15 3
2Т837Б 8 45 60 15 30 30...120 0,9 0,15 3
2Т837В 8 35 45 15 30 40...180 0,9 0,15 3
2Т837Г 8 55 80 5 30 15...120 0,9 0,15 3
2Т837Д 8 45 60 5 30 30...150 0,9 0,15 3
2Т837Е 8 35 45 5 30 40...180 0,9 0,15 3

Обозначение на схеме кремниевого PNP транзистора КТ837


Цоколёвка и размеры транзистора КТ837



Внешний вид транзистора на примере КТ837Х

radiohome.ru

Транзистор КТ837Х

Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837Х предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Основные электрические параметры КТ837 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозн. Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб =

- 10
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб= 100 Ом

-
10
Обратный ток коллектор-база Iкбо мА Uкб = Uкб max - 0,15
Обратный ток эмиттера

КТ837А - К

КТ837 Л - Ф

Iэбо мА Uэб =15 В

Uэб =5 В

- 0,3

0,3

Стат. коэффициент передачи тока h31э - Uкэ =5 B, Iк =2A 10  

40

КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т
КТ837Б, М, Д, Р, И, У 20 80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф 50 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер  

В

Iк= 3 A, Iб= 0,37 A - - 2,5
КТ837А - В, Л - Н
КТ837Г - Е, П - С Iк= 3 A, Iб= 0,37 A - 0,9
КТ837Ж - К, Т - Ф Iк= 2 А, Iб= 0,3 A - 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ нас В Iк= 2 A, Iб=0,5 A - 1,5
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ837
Параметры Обознач. Ед. измер. Знач.
Постоянное напряжение коллектор-база Uкб max В 80
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 45
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом Uкэ max В 60
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С
45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 30
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом Uкэ max В 70
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 40
Постоянное напряжение эмиттер-база

КТ837А - К

КТ837Л - ф

Uэб max В 15

5

Постоянный ток коллектора Iк max А 7.5
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 1
Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pк max Вт 30
Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом Pк max Pк max 1

v-kip.com

Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 - маркировка и цоколевка.

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно - это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка "подпирает" транзистор.

Транзисторы - купить... или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта - либо купить, либо - получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки - можно купить. Если же нет - всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например - "Гулливер".

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника - можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях "Радиотехника У-7101 стерео," "Радиотехника У-101 стерео." На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор КТ837 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ837А BD534, TIP42C, 2N3192 *3, 2N3188 *3, 2N3180 *3, 2N3176 *3, 2N3196 *3, 2N3184 *3
КТ837Б BD536, 2N6106, MJF6107 *3, 2N5981 *1, NTB708, NTB707, 2N5975 *3, 2N6133 *2
КТ837В BD234, 2N6106, MJF6107 *3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M,

2SB1097L, KSB1097

КТ837Г BD225, 2N5162 *3, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3, 2N3195 *3, 2N3183 *3
 КТ837Д 2SB434, 2N6108, RCA1C06, KP055 *3, 40876, 2N5974 *3
 КТ837Е 2N6125, 2N6108, 2N6109, 

BD738 *2

 КТ837Ж 2N6124, 2N6132, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3
 КТ837И 2SB435, 2N6132, TIP42 *2
 КТ837К BD944, 2N6110, RCA1C11, BD544,

 40980, 2N6110 *2, 2N6111 *2, 2SA1129M *2

 КТ837Л 2N6126,  2N3192 *3, 2N3188 *3, 2N3180 *3, 2N3176 *3, 2N3196 *3, 2N3184 *3
 КТ837М BD223, MJF6107 *3, 2N5981 *1, NTB708, NTB707, 2N5975 *3, 2N6133 *2
КТ837Н BD223, 2N6106, MJF6107 *3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M,

2SB1097L, KSB1097

 КТ837П 2SB435G, 2N5162 *3, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3, 2N3195 *3, 2N3183 *3
 КТ837Р 2SB434, RCA1C06, KP055 *3, 40876, 2N5974 *3 
 КТ837С BD225, 2N6108, 2N6109, BD738 *2
 КТ837Т BD948,  2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3
 КТ837У 2SB435,  2N6132, TIP42 *2
КТ837Ф BD224,  RCA1C11, BD544,

 40980, 2N6110 *2, 2N6111 *2, 2SA1129M *2

Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ837А 30* Вт
КТ837Б 30*
КТ837В 30*
КТ837Г 30*
 КТ837Д 30*
 КТ837Е 30*
 КТ837Ж 30*
 КТ837И 30*
 КТ837К 30*
 КТ837Л 30*
 КТ837М 30*
КТ837Н 30*
 КТ837П 30*
 КТ837Р 30*
 КТ837С 30*
 КТ837Т 30*
 КТ837У 30*
КТ837Ф 30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ837А ≥1 МГц
КТ837Б ≥1
КТ837В ≥1
КТ837Г ≥1
 КТ837Д ≥1
 КТ837Е ≥1
 КТ837Ж ≥1
 КТ837И ≥1
 КТ837К ≥1
 КТ837Л ≥1
 КТ837М ≥1
КТ837Н ≥1
 КТ837П ≥1
 КТ837Р ≥1
 КТ837С ≥1
 КТ837Т ≥1
 КТ837У ≥1
КТ837Ф ≥1
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ837А 80 В
КТ837Б 80
КТ837В 80
КТ837Г 60
 КТ837Д 60
 КТ837Е 60
 КТ837Ж 45
 КТ837И 45
 КТ837К 45
 КТ837Л 80
 КТ837М 80
КТ837Н 80
 КТ837П 60
 КТ837Р 60
 КТ837С 60
 КТ837Т 45
 КТ837У 45
КТ837Ф 45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ837А 15 В
КТ837Б 15
КТ837В 15
КТ837Г 15
 КТ837Д 15
 КТ837Е 15
 КТ837Ж 15
 КТ837И 15
 КТ837К 15
 КТ837Л 5
 КТ837М 5
КТ837Н 5
 КТ837П 5
 КТ837Р 5
 КТ837С 5
 КТ837Т 5
 КТ837У 5
КТ837Ф 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ837А 7.5 А
КТ837Б 7.5
КТ837В 7.5
КТ837Г 7.5
 КТ837Д 7.5
 КТ837Е 7.5
 КТ837Ж 7.5
 КТ837И 7.5
 КТ837К 7.5
 КТ837Л 7.5
 КТ837М 7.5
КТ837Н 7.5
 КТ837П 7.5
 КТ837Р 7.5
 КТ837С 7.5
 КТ837Т 7.5
 КТ837У 7.5
КТ837Ф 7.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ837А 80 В ≤0.15 мА
КТ837Б 80 В ≤0.15
КТ837В 80 В ≤0.15
КТ837Г 60 В ≤0.15
 КТ837Д 60 В ≤0.15
 КТ837Е 60 В ≤0.15
 КТ837Ж 45 В ≤0.15
 КТ837И 45 В ≤0.15
 КТ837К 45 В ≤0.15
 КТ837Л 80 В ≤0.15
 КТ837М 80 В ≤0.15
КТ837Н 80 В ≤0.15
 КТ837П 60 В ≤0.15
 КТ837Р 60 В ≤0.15
 КТ837С 60 В ≤0.15
 КТ837Т 45 В ≤0.15
 КТ837У 45 В ≤0.15
КТ837Ф 45 В ≤0.15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ837А 5 В; 2 А 10…40*
КТ837Б 5 В; 2 А 20…80*
КТ837В 5 В; 2 А 50…150*
КТ837Г 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837Д 5 В; 2 А 20…80*
 КТ837Е 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837Ж 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837И 5 В; 2 А 20…80*
 КТ837К 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837Л 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837М 5 В; 2 А 20…80*
КТ837Н 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837П 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837Р 5 В; 2 А 20…80*
 КТ837С 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837Т 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837У 5 В; 2 А 20…80*
КТ837Ф 5 В; 2 А 50…150*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ837А пФ
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
 КТ837Д
 КТ837Е
 КТ837Ж
 КТ837И
 КТ837К
 КТ837Л
 КТ837М
КТ837Н
 КТ837П
 КТ837Р
 КТ837С
 КТ837Т
 КТ837У
КТ837Ф
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ837А ≤0.8 Ом, дБ
КТ837Б ≤0.8
КТ837В ≤0.8
КТ837Г ≤0.3
 КТ837Д ≤0.3
 КТ837Е ≤0.3
 КТ837Ж ≤0.25
 КТ837И ≤0.25
 КТ837К ≤0.25
 КТ837Л ≤0.8
 КТ837М ≤0.8
КТ837Н ≤0.8
 КТ837П ≤0.3
 КТ837Р ≤0.3
 КТ837С ≤0.3
 КТ837Т ≤0.25
 КТ837У ≤0.25
КТ837Ф ≤0.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ837А Дб, Ом, Вт
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
 КТ837Д
 КТ837Е
 КТ837Ж
 КТ837И
 КТ837К
 КТ837Л
 КТ837М
КТ837Н
 КТ837П
 КТ837Р
 КТ837С
 КТ837Т
 КТ837У
КТ837Ф  —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ837А пс
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
 КТ837Д
 КТ837Е
 КТ837Ж
 КТ837И  —
 КТ837К
 КТ837Л
 КТ837М
КТ837Н
 КТ837П  —
 КТ837Р
 КТ837С
 КТ837Т
 КТ837У
КТ837Ф  —

rudatasheet.ru

Параметры транзистора КТ837. Datasheet, цоколевка, аналоги.

Параметры транзистора КТ837. Datasheet, цоколевка, аналоги.

КТ837 - кремниевый биполярный низкочастотный p-n-p транзистор в пластмассовом корпусе TO-220

Назначение: КТ837 предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и иной аппаратуре.

Типы: КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф

Комплементарная пара: по параметрам близок КТ805, но идентичность неполная

Аналог: 2N6111

Цоколевка КТ837: Э-К-Б, см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ837: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

 

Основные параметры транзисторов КТ837:
Параметр Режим измерения Min (минимальное значение параметра) Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т
КТ837Б, М, Д, Р, И, У
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф
Uкэ=5B, Iк=2A 10
20
50
40
80
150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф
Iк=3А, Iб=0.37A
Iк=3А, Iб=0.37A
Iк=2А, Iб=0.3A
  2.5В
0.9В
0.5В
Предельные параметры транзисторов КТ837:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
Rэб =100 Ом   40В
55В
70В
Напряжение эмиттер-база (обратное)
КТ837А-К
КТ837Л-Ф
    15В
Постоянный ток коллектора КТ837     7.5А
Максимально допустимый постоянный ток базы    
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Тк ≤ 25 °С   30Вт
Температура перехода   -60 +125

Подробные параметры КТ837, входная и выходная характеристики и datasheet на аналог приведены в справочнике по мощным транзисторам

www.trzrus.ru

Транзистор КТ837Х

Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837Х предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Основные электрические параметры КТ837 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозн. Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб =

- 10
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб= 100 Ом

- 10
Обратный ток коллектор-база Iкбо мА Uкб = Uкб max - 0,15
Обратный ток эмиттера

КТ837А - К

КТ837 Л - Ф

Iэбо мА Uэб =15 В

Uэб =5 В

- 0,3

0,3

Стат. коэффициент передачи тока h31э - Uкэ =5 B, Iк =2A 10  

40

КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т
КТ837Б, М, Д, Р, И, У 20 80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф 50 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер  

В

Iк= 3 A, Iб= 0,37 A - - 2,5
КТ837А - В, Л - Н
КТ837Г - Е, П - С Iк= 3 A, Iб= 0,37 A - 0,9
КТ837Ж - К, Т - Ф Iк= 2 А, Iб= 0,3 A - 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ нас В Iк= 2 A, Iб=0,5 A - 1,5
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ837
Параметры Обознач. Ед. измер. Знач.
Постоянное напряжение коллектор-база Uкб max В 80
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 45
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом Uкэ max В 60
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 30
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом Uкэ max В 70
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 40
Постоянное напряжение эмиттер-база

КТ837А - К

КТ837Л - ф

Uэб max В 15

5

Постоянный ток коллектора Iк max А 7.5
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 1
Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pк max Вт 30
Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом Pк max Pк max 1

texnogaz.ru

Транзистор КТ837Х в Новосибирске

Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837Х предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Основные электрические параметры КТ837 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозн. Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб =

- 10
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэr мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб= 100 Ом

- 10
Обратный ток коллектор-база Iкбо мА Uкб = Uкб max - 0,15
Обратный ток эмиттера

КТ837А - К

КТ837 Л - Ф

Iэбо мА Uэб =15 В

Uэб =5 В

- 0,3

0,3

Стат. коэффициент передачи тока h31э - Uкэ =5 B, Iк =2A 10  

40

КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т
КТ837Б, М, Д, Р, И, У 20 80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф 50 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер  

В

Iк= 3 A, Iб= 0,37 A - - 2,5
КТ837А - В, Л - Н
КТ837Г - Е, П - С Iк= 3 A, Iб= 0,37 A - 0,9
КТ837Ж - К, Т - Ф Iк= 2 А, Iб= 0,3 A - 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ нас В Iк= 2 A, Iб=0,5 A - 1,5
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ837
Параметры Обознач. Ед. измер. Знач.
Постоянное напряжение коллектор-база Uкб max В 80
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 45
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом Uкэ max В 60
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 30
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом Uкэ max В 70
КТ837А, Б, В, Л, М, Н
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С 55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф 40
Постоянное напряжение эмиттер-база

КТ837А - К

КТ837Л - ф

Uэб max В 15

5

Постоянный ток коллектора Iк max А 7.5
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 1
Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pк max Вт 30
Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом Pк max Pк max 1

nvsb.v-kip.com

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о