Транзистор кт837х

Какие основные параметры имеет транзистор КТ837. Для каких целей применяется КТ837 в электронных схемах. Какие существуют зарубежные аналоги транзистора КТ837. Как правильно выбрать и использовать КТ837 в своих проектах.

Содержание

Общая характеристика транзистора КТ837

Транзистор КТ837 представляет собой биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор в пластмассовом корпусе TO-220. Это мощный низкочастотный транзистор, который широко применяется в различных электронных устройствах.

Основные особенности КТ837:

Тип проводимости: p-n-p
Максимальный ток коллектора: 7,5 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: от 30 до 60 В (в зависимости от модификации)
Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт
Статический коэффициент передачи тока: от 10 до 150 (в зависимости от модификации)
Корпус: TO-220 (пластик)

КТ837 выпускается в нескольких модификациях (КТ837А — КТ837Ф), которые отличаются некоторыми параметрами. Это позволяет подобрать оптимальный вариант для конкретной схемы.

Области применения транзистора КТ837

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ837 нашел широкое применение в различных электронных устройствах:

Выходные каскады низкочастотных усилителей мощности
Схемы переключения
Преобразователи напряжения
Стабилизаторы постоянного напряжения
Драйверы электродвигателей
Источники питания
Регуляторы мощности

КТ837 часто используется в паре с комплементарным n-p-n транзистором КТ805 для построения двухтактных усилительных каскадов.

Основные электрические параметры КТ837

Рассмотрим подробнее ключевые характеристики транзистора КТ837:

Максимальный постоянный ток коллектора: 7,5 А
Максимальное напряжение коллектор-база: 45-80 В (зависит от модификации)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 30-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база: 5-15 В
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 30 Вт
Статический коэффициент передачи тока: 10-150 (зависит от модификации)
Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 1 МГц
Обратный ток коллектор-база: не более 0,15 мА

Как видим, КТ837 обладает довольно высокими показателями по току и мощности, что позволяет использовать его в силовых каскадах различных устройств.

Модификации транзистора КТ837

Транзистор КТ837 выпускается в нескольких модификациях, которые обозначаются буквами от А до Ф. Основные отличия между ними:

КТ837А, КТ837Л, КТ837Г, КТ837П, КТ837Ж, КТ837Т — коэффициент усиления 10-40
КТ837Б, КТ837М, КТ837Д, КТ837Р, КТ837И, КТ837У — коэффициент усиления 20-80
КТ837В, КТ837Н, КТ837Е, КТ837С, КТ837К, КТ837Ф — коэффициент усиления 50-150

КТ837А-В, КТ837Л-Н — напряжение насыщения коллектор-эмиттер до 2,5 В
КТ837Г-Е, КТ837П-С — напряжение насыщения коллектор-эмиттер до 0,9 В
КТ837Ж-К, КТ837Т-Ф — напряжение насыщения коллектор-эмиттер до 0,5 В

Такое разнообразие модификаций позволяет выбрать транзистор с оптимальными параметрами для конкретной схемы.

Как выбрать нужную модификацию КТ837

При выборе подходящей модификации транзистора КТ837 следует учитывать несколько факторов:

Требуемый коэффициент усиления. Если нужен высокий коэффициент, выбирайте модификации В, Н, Е, С, К или Ф.
Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер в схеме. Для высоковольтных применений подойдут модификации А, Б, В, Л, М, Н.
Необходимое напряжение насыщения. Для минимальных потерь лучше выбрать модификации с меньшим напряжением насыщения.
Требуемая рабочая частота. Все модификации КТ837 рассчитаны на частоты до 1 МГц.

Правильный выбор модификации позволит оптимизировать работу устройства и избежать проблем с надежностью.

Зарубежные аналоги транзистора КТ837

Транзистор КТ837 имеет ряд зарубежных аналогов с похожими характеристиками:

BD534, TIP42C — аналоги КТ837А
BD536, 2N6106 — аналоги КТ837Б
BD234, 2SB707 — аналоги КТ837В
BD225, 2N5162 — аналоги КТ837Г
2SB434, 2N6108 — аналоги КТ837Д
2N6125, BD738 — аналоги КТ837Е
2N6124, 2N6132 — аналоги КТ837Ж и КТ837И
BD944, 2N6110 — аналоги КТ837К

При замене на зарубежные аналоги следует внимательно сравнивать все ключевые параметры, так как полного совпадения характеристик может не быть.

Особенности применения КТ837 в схемах

При использовании транзистора КТ837 в электронных устройствах следует учитывать некоторые особенности:

Обеспечить хороший теплоотвод, особенно при работе на большой мощности. Рекомендуется использовать радиатор.

Не превышать максимально допустимые значения тока, напряжения и мощности.
Учитывать температурную зависимость параметров транзистора.
При работе на высоких частотах использовать соответствующие методы монтажа для минимизации паразитных емкостей и индуктивностей.
В импульсных режимах следить за временем переключения транзистора.

Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную и эффективную работу устройств с применением КТ837.

КТ837, 2Т837 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Основные технические параметры транзистора КТ837

Транз истор	I_{К, макс} А	U_{КЭ макс} В	U_{КБ макс} В	U_{ЭБ макс} В	P_{К макс} Вт	h_21Э	U_{КЭ нас} В	I_КБ0 мА	f_гр МГц
КТ837А	7,5	60	80	15	30	10…40	2,5	0,15	≤1
КТ837Б	7,5	60	80	15	30	20…80	2,5	0,15	≤1
КТ837В	7,5	60	80	15	30	50…150	2,5	0,15	≤1
КТ837Г	7,5	45	60	15	30	10…40	0,5	0,15	≤1
КТ837Д	7,5	45	60	15	30	20…80	0,5	0,15	≤1
КТ837Е	7,5	45	60	15	30	50…150	0,5	0,15	≤1
КТ837Ж	7,5	30	45	15	30	10…40	2,5	0,15	≤1
КТ837И	7,5	30	45	15	30	20…80	2,5	0,15	≤1
КТ837К	7,5	30	45	15	30	50…150	2,5	0,15	≤1
КТ837Л	7,5	60	80	5	30	10…40	2,5	0,15	≤1
КТ837М	7,5	60	80	5	30	20…80	2,5	0,15	≤1
КТ837Н	7,5	60	80	5	30	50…150	2,5	0,15	≤1
КТ837П	7,5	45	60	5	30	10…40	0,9	0,15	≤1
КТ837Р	7,5	45	60	5	30	20…80	0,9	0,15	≤1
КТ837С	7,5	45	60	5	30	50…150	0,9	0,15	≤1
КТ837Т	7,5	30	45	5	30	10…40	0,5	0,15	≤1
КТ837У	7,5	30	45	5	30	20…80	0,5	0,15	≤1
КТ837Ф	7,5	30	45	5	30	50…150	0,5	0,15	≤1

Основные технические параметры транзистора 2Т837

Транз истор	I_{К, макс} А	U_{КЭ макс} В	U_{КБ макс} В	U_{ЭБ макс} В	P_{К макс} Вт	h_21Э	U_{КЭ нас} В	I_КБ0 мА	f_гр МГц
2Т837А	8	55	80	15	30	15…120	0,9	0,15	3
2Т837Б	8	45	60	15	30	30…120	0,9	0,15	3
2Т837В	8	35	45	15	30	40…180	0,9	0,15	3
2Т837Г	8	55	80	5	30	15…120	0,9	0,15	3
2Т837Д	8	45	60	5	30	30…150	0,9	0,15	3
2Т837Е	8	35	45	5	30	40…180	0,9	0,15	3

Обозначение на схеме кремниевого PNP транзистора КТ837

Цоколёвка и размеры транзистора КТ837

Внешний вид транзистора на примере КТ837Х

radiohome.ru

Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837Х предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Основные электрические параметры КТ837 при Токр. среды = + 25 С
Параметры	Обозн.	Ед. изм.	Режимы измерения	Min	Max
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэr	мА	Uкэ = Uкэ max при Rэб =	—	10
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэr	мА	Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом	—	10
Обратный ток коллектор-база	Iкбо	мА	Uкб = Uкб max	—	0,15
Обратный ток эмиттера КТ837А — К КТ837 Л — Ф	Iэбо	мА	Uэб =15 В Uэб =5 В	—	0,3 0,3
Стат. коэффициент передачи тока	h31э	—	Uкэ =5 B, Iк =2A	10	40
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т				10	40
КТ837Б, М, Д, Р, И, У				20	80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф				50	150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	В	Iк= 3 A, Iб= 0,37 A	—	—	2,5
КТ837А — В, Л — Н		Iк= 3 A, Iб= 0,37 A		—	2,5
КТ837Г — Е, П — С		Iк= 3 A, Iб= 0,37 A		—	0,9
КТ837Ж — К, Т — Ф		Iк= 2 А, Iб= 0,3 A		—	0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер	Uбэ нас	В	Iк= 2 A, Iб=0,5 A	—	1,5
Параметры	Обознач.	Ед. измер.	Знач.
Постоянное напряжение коллектор-база	Uкб max	В	80
КТ837А, Б, В, Л, М, Н			80
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С			60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф			45
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом	Uкэ max	В	60
КТ837А, Б, В, Л, М, Н			60
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С			45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф			30
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом	Uкэ max	В	70
КТ837А, Б, В, Л, М, Н			70
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С			55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф			40
Постоянное напряжение эмиттер-база КТ837А — К КТ837Л — ф	Uэб max	В	15 5
Постоянный ток коллектора	Iк max	А	7.5
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	А	1
Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода	Pк max	Вт	30
Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом	Pк max	Pк max	1

v-kip.com

Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 — маркировка и цоколевка.

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно — это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка «подпирает» транзистор.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например — «Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео,» «Радиотехника У-101 стерео.» На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор КТ837 — DataSheet

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ837А		*BD534, TIP42C, 2N3192 ^3, 2N3188 ^3, 2N3180 ^3, 2N3176 ^3, 2N3196 ^3, 2N3184 ^3*
		КТ837Б		*BD536, 2N6106, MJF6107 ^3, 2N5981 ^1, NTB708, NTB707, 2N5975 ^3, 2N6133 ^2*
		КТ837В		*BD234, 2N6106, MJF6107 ^3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M, 2SB1097L, KSB1097**
		КТ837Г		*BD225, 2N5162 ^3, 2N3191 ^3, 2N3187 ^3, 2N3179 ^3, 2N3175 ^3, 2N3195 ^3, 2N3183 ^3**
		КТ837Д		*2SB434, 2N6108, RCA1C06, KP055 ^3, 40876, 2N5974 ^3*
		КТ837Е		2N6125, 2N6108, 2N6109, *BD738 ^2**
		КТ837Ж		*2N6124, 2N6132, 2N3191 ^3, 2N3187 ^3, 2N3179 ^3, 2N3175^3*
		КТ837И		*2SB435, 2N6132, TIP42 ^2**
		КТ837К		BD944, 2N6110, RCA1C11, BD544, *40980, 2N6110 ^2, 2N6111 ^2, 2SA1129M ^2**
		КТ837Л		*2N6126, 2N3192 ^3, 2N3188 ^3, 2N3180 ^3, 2N3176 ^3, 2N3196 ^3, 2N3184 ^3*
		КТ837М		*BD223, MJF6107 ^3, 2N5981 ^1, NTB708, NTB707, 2N5975 ^3, 2N6133 ^2*
		КТ837Н		BD223, *2N6106, MJF6107 ^3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M, 2SB1097L, KSB1097**
		КТ837П		*2SB435G, 2N5162 ^3, 2N3191 ^3, 2N3187 ^3, 2N3179 ^3, 2N3175 ^3, 2N3195 ^3, 2N3183 ^3**
		КТ837Р		*2SB434, RCA1C06, KP055 ^3, 40876, 2N5974 ^3*
		КТ837С		BD225, 2N6108, 2N6109, *BD738 ^2**
		КТ837Т		*BD948, 2N3191 ^3, 2N3187 ^3, 2N3179 ^3, 2N3175^3*
		КТ837У		*2SB435, 2N6132, TIP42 ^2**
		КТ837Ф		BD224, RCA1C11, BD544, *40980, 2N6110 ^2, 2N6111 ^2, 2SA1129M ^2**
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ837А	—	30*	Вт
		КТ837Б	—	30*
		КТ837В	—	30*
		КТ837Г	—	30*
		КТ837Д	—	30*
		КТ837Е	—	30*
		КТ837Ж	—	30*
		КТ837И	—	30*
		КТ837К	—	30*
		КТ837Л	—	30*
		КТ837М	—	30*
		КТ837Н	—	30*
		КТ837П	—	30*
		КТ837Р	—	30*
		КТ837С	—	30*
		КТ837Т	—	30*
		КТ837У	—	30*
		КТ837Ф	—	30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ837А	—	≥1	МГц
		КТ837Б	—	≥1
		КТ837В	—	≥1
		КТ837Г	—	≥1
		КТ837Д	—	≥1
		КТ837Е	—	≥1
		КТ837Ж	—	≥1
		КТ837И	—	≥1
		КТ837К	—	≥1
		КТ837Л	—	≥1
		КТ837М	—	≥1
		КТ837Н	—	≥1
		КТ837П	—	≥1
		КТ837Р	—	≥1
		КТ837С	—	≥1
		КТ837Т	—	≥1
		КТ837У	—	≥1
		КТ837Ф	—	≥1
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ837А	—	80	В
		КТ837Б	—	80
		КТ837В	—	80
		КТ837Г	—	60
		КТ837Д	—	60
		КТ837Е	—	60
		КТ837Ж	—	45
		КТ837И	—	45
		КТ837К	—	45
		КТ837Л	—	80
		КТ837М	—	80
		КТ837Н	—	80
		КТ837П	—	60
		КТ837Р	—	60
		КТ837С	—	60
		КТ837Т	—	45
		КТ837У	—	45
		КТ837Ф	—	45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ837А	—	15	В
		КТ837Б	—	15
		КТ837В	—	15
		КТ837Г	—	15
		КТ837Д	—	15
		КТ837Е	—	15
		КТ837Ж	—	15
		КТ837И	—	15
		КТ837К	—	15
		КТ837Л	—	5
		КТ837М	—	5
		КТ837Н	—	5
		КТ837П	—	5
		КТ837Р	—	5
		КТ837С	—	5
		КТ837Т	—	5
		КТ837У	—	5
		КТ837Ф	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ837А	—	7.5	А
		КТ837Б	—	7.5
		КТ837В	—	7.5
		КТ837Г	—	7.5
		КТ837Д	—	7.5
		КТ837Е	—	7.5
		КТ837Ж	—	7.5
		КТ837И	—	7.5
		КТ837К	—	7.5
		КТ837Л	—	7.5
		КТ837М	—	7.5
		КТ837Н	—	7.5
		КТ837П	—	7.5
		КТ837Р	—	7.5
		КТ837С	—	7.5
		КТ837Т	—	7.5
		КТ837У	—	7.5
		КТ837Ф	—	7.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ837А	80 В	≤0.15	мА
		КТ837Б	80 В	≤0.15
		КТ837В	80 В	≤0.15
		КТ837Г	60 В	≤0.15
		КТ837Д	60 В	≤0.15
		КТ837Е	60 В	≤0.15
		КТ837Ж	45 В	≤0.15
		КТ837И	45 В	≤0.15
		КТ837К	45 В	≤0.15
		КТ837Л	80 В	≤0.15
		КТ837М	80 В	≤0.15
		КТ837Н	80 В	≤0.15
		КТ837П	60 В	≤0.15
		КТ837Р	60 В	≤0.15
		КТ837С	60 В	≤0.15
		КТ837Т	45 В	≤0.15
		КТ837У	45 В	≤0.15
		КТ837Ф	45 В	≤0.15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ837А	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837Б	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837В	5 В; 2 А	50…150*
		КТ837Г	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837Д	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837Е	5 В; 2 А	50…150*
		КТ837Ж	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837И	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837К	5 В; 2 А	50…150*
		КТ837Л	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837М	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837Н	5 В; 2 А	50…150*
		КТ837П	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837Р	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837С	5 В; 2 А	50…150*
		КТ837Т	5 В; 2 А	10…40*
		КТ837У	5 В; 2 А	20…80*
		КТ837Ф	5 В; 2 А	50…150*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ837А	—	—	пФ
		КТ837Б	—	—
		КТ837В	—	—
		КТ837Г	—	—
		КТ837Д	—	—
		КТ837Е	—	—
		КТ837Ж	—	—
		КТ837И	—	—
		КТ837К	—	—
		КТ837Л	—	—
		КТ837М	—	—
		КТ837Н	—	—
		КТ837П	—	—
		КТ837Р	—	—
		КТ837С	—	—
		КТ837Т	—	—
		КТ837У	—	—
		КТ837Ф	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ837А	—	≤0.8	Ом, дБ
		КТ837Б	—	≤0.8
		КТ837В	—	≤0.8
		КТ837Г	—	≤0.3
		КТ837Д	—	≤0.3
		КТ837Е	—	≤0.3
		КТ837Ж	—	≤0.25
		КТ837И	—	≤0.25
		КТ837К	—	≤0.25
		КТ837Л	—	≤0.8
		КТ837М	—	≤0.8
		КТ837Н	—	≤0.8
		КТ837П	—	≤0.3
		КТ837Р	—	≤0.3
		КТ837С	—	≤0.3
		КТ837Т	—	≤0.25
		КТ837У	—	≤0.25
		КТ837Ф	—	≤0.25
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ837А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ837Б	—	—
		КТ837В	—	—
		КТ837Г	—	—
		КТ837Д	—	—
		КТ837Е	—	—
		КТ837Ж	—	—
		КТ837И	—	—
		КТ837К	—	—
		КТ837Л	—	—
		КТ837М	—	—
		КТ837Н	—	—
		КТ837П	—	—
		КТ837Р	—	—
		КТ837С	—	—
		КТ837Т	—	—
		КТ837У	—	—
		КТ837Ф	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ837А	—	—	пс
		КТ837Б	—	—
		КТ837В	—	—
		КТ837Г	—	—
		КТ837Д	—	—
		КТ837Е	—	—
		КТ837Ж	—	—
		КТ837И	—	—
		КТ837К	—	—
		КТ837Л	—	—
		КТ837М	—	—
		КТ837Н	—	—
		КТ837П	—	—
		КТ837Р	—	—
		КТ837С	—	—
		КТ837Т	—	—
		КТ837У	—	—
		КТ837Ф	—	—

rudatasheet.ru

Параметры транзистора КТ837. Datasheet, цоколевка, аналоги.

КТ837 — кремниевый биполярный низкочастотный p-n-p транзистор в пластмассовом корпусе TO-220

Назначение: КТ837 предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и иной аппаратуре.

Типы: КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф

Комплементарная пара: по параметрам близок КТ805, но идентичность неполная

Аналог: 2N6111

Цоколевка КТ837: Э-К-Б, см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ837: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные параметры транзисторов КТ837:
Параметр	Режим измерения	Min (минимальное значение параметра)	Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т КТ837Б, М, Д, Р, И, У КТ837В, Н, Е, С, К, Ф	Uкэ=5B, Iк=2A	10 20 50	40 80 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ837А, Б, В, Л, М, Н КТ837Г, Д, Е, П, Р, С КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	Iк=3А, Iб=0.37A Iк=3А, Iб=0.37A Iк=2А, Iб=0.3A		2.5В 0.9В 0.5В
Предельные параметры транзисторов КТ837:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф КТ837Г, Д, Е, П, Р, С КТ837А, Б, В, Л, М, Н	Rэб =100 Ом		40В 55В 70В
Напряжение эмиттер-база (обратное) КТ837А-К КТ837Л-Ф			15В 5В
Постоянный ток коллектора КТ837			7.5А
Максимально допустимый постоянный ток базы			1А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Тк ≤ 25 °С		30Вт
Температура перехода		-60	+125

Подробные параметры КТ837, входная и выходная характеристики и datasheet на аналог приведены в справочнике по мощным транзисторам

www.trzrus.ru