Что означает VCC на схеме: Подробное объяснение и примеры использования

Здесь VCC — это напряжение питания коллекторной цепи транзистора. Оно определяет рабочую точку транзистора и влияет на коэффициент усиления схемы.

Схема с микроконтроллером

В схемах с микроконтроллерами VCC обычно подключается к специальному выводу питания микросхемы:

В данном случае VCC — это основное напряжение питания микроконтроллера, обычно 3.3В или 5В в зависимости от модели.

Особенности использования VCC в цифровых схемах

В цифровой электронике VCC играет важную роль, так как определяет логические уровни сигналов. Рассмотрим некоторые особенности:

• Для TTL-логики типичное значение VCC составляет 5В
• Современные КМОП микросхемы часто работают при VCC = 3.3В
• Некоторые микроконтроллеры допускают работу в широком диапазоне VCC, например 1.8-5.5В
• При смешанном использовании компонентов с разным VCC требуются схемы согласования уровней

Важно обеспечить стабильное напряжение VCC, так как его колебания могут приводить к сбоям в работе цифровых схем.

Заключение

Обозначение VCC является важным элементом электрических схем, указывающим на положительное напряжение питания. Правильное понимание и использование VCC необходимо для успешной разработки и отладки электронных устройств. При работе со схемами всегда обращайте внимание на значение VCC и обеспечивайте корректное питание всех компонентов.

Что означает vcc на схеме

Монтаж аудиодомофонов Что включает в себя установка аудиодомофонов? Конструкция электромеханических замков. Часть 1 Электромеханические запирающие устройства для разных видов дверей обладают различными конструктивными особенностями и использованными для их изготовления материалами. Как работают электромеханические замки Электромеханические запирающие устройства предназначены для того, чтобы дверь находилась в запертом состоянии. Индивидуальные домофоны. Магнитные домофоны.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

Содержание:

• Условные обозначения MK на схемах
• Подключение передней панель к материнской плате.
  Gnd на схеме что это
• Что такое сокращение Vcc в электротехнике?
• Подробнее о ШИМ контроллерах
• Подсистема питания в микроконтроллере
• Please turn JavaScript on and reload the page.
• Vcc на схеме это что.
• ГОСТ 2.743-91 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Элементы цифровой техники
• Схемы начинаются с питания. Основы компоновки и трассировки плат импульсных источников питания
• Подписаться на ленту

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: обозначение радиодеталей, радиоэлементов на плате

Условные обозначения MK на схемах

Используя наш сайт, вы подтверждаете, что прочитали и поняли политику о куки , политику конфиденциальности и пользовательское соглашение. Stack Overflow на русском — это сайт вопросов и ответов для программистов.

Регистрация займёт не больше минуты. Попадалось множество принципиальных электрических схем, на устройствах, подключаемых к компьютеру, где Vcc и Vdd взаимозаменяемы.

Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему.

Напряжение относительно земли на коллекторе collector , эмиттере emitter и базе base обозначают Vc , Ve и Vb. Резисторы подключенные к выводам транзистора обозначим Rc , Re и Rb. Напряжение на дальних от транзистора выводах резисторов часто обозначают Vcc , Vee и Vbb. На практике, например для NPN транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, Vcc соответствуют плюсу, а Vee минусу источника питания.

Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот. Аналогичные рассуждения для полевых транзисторов N-типа и схемы с общим истоком дают объяснение обозначений Vdd и Vss D — drain, сток; S — source, исток : Vdd — плюс, Vss — минус. Обозначения напряжений на выводах вакуумных ламп могут быть следующие: Vp plate, anode , Vk cathode, именно K, не C , Vg grid, сетка.

Как написано выше, Vcc и Vee используются для схем на биполярных транзисторах Vcc — плюс, Vee — минус , а Vdd и Vss для схем на полевых транзисторах Vdd — плюс, Vss — минус. Такое обозначение не совсем корректно, так как микросхемы состоят из комплементарных пар транзисторов. Тем не менее, это традиционное устоявшее обозначение для цепей питания независимо от типа проводимости используемых транзисторов.

Для схем с двух полярным питанием Vcc и Vdd могут интерпретироваться как наибольшее положительное, а Vee и Vss как самое отрицательное напряжение в схеме относительно земли.

Для микросхем питающихся от одного или нескольких источников одной полярности минус часто обозначают GND земля.

Земля может быть разной, например, сигнальная, соединение с корпусом, заземление. Не знаю разрешено ли указывать сторонние ресурсы, но мне кажется будет нечестным умалчивать автора. Присоединиться к сообществу. Лучшие ответы получают голоса и поднимаются наверх. Главная Вопросы Метки Участники. Вопрос задан 2 года 9 месяцев назад. Последняя активность 3 месяца назад. Просмотрен 29k раза. Знаю, что Vcc и Vdd используются для положительного напряжения, а Vss и Vee для обозначения общей линии земли , но в чем разница между каждыми из двух вариантов в парах?

Означают ли знаки C, D, S и E что-либо? И в дополнение: почему Vdd а не просто Vd? Vladimir Gamalyan. Vladimir Gamalyan Vladimir Gamalyan 5, 3 3 золотых знака 21 21 серебряный знак 50 50 бронзовых знаков. Данный вопрос следует закрыть, потому что он не соответствует тематике сайта Stack Overflow на русском. Vcc, Vee, Vdd, Vss — откуда такие обозначения? JVic JVic 2, 8 8 серебряных знаков 27 27 бронзовых знаков. Зарегистрируйтесь или войдите Регистрация через Google.

Регистрация через Facebook. Регистрация через почту. Отправить без регистрации Имя. Почта Необходима, но никому не показывается. Важное на Мете. Unicorn Meta Zoo 9: How do we handle problem users? An apology to our community, and next steps. Предполагайте добрые намерения. Похожие 8. Лента вопроса. Stack Overflow на русском лучше работает с включенным JavaScript.

Подключение передней панель к материнской плате. Gnd на схеме что это

Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Напряжение относительно земли на коллекторе collector , эмиттере emitter и базе base обозначают Vc, Ve и Vb. Резисторы подключенные к выводам транзистора обозначим Rc, Re и Rb. Напряжение на дальних от транзистора выводах резисторов часто обозначают Vcc, Vee и Vbb. На практике, например для NPN транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, Vcc соответствуют плюсу, а Vee минусу источника питания. Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот.

«что включает в себя схема подключения домофона?» имеют следующие обозначения: AF — аудио; GND — общий; VCC — питание 12В; VD — видео.

Что такое сокращение Vcc в электротехнике?

Каждый человек увлекающийся электроникой сталкивается с материалами иностранного происхождения. И будь то схема электронного устройства или спецификация на чип, там могут встречаться множество различных обозначений цепей питания, которые вполне могут ввести в замешательство начинающего или незнакомого с этой темой радиолюбителя. В интернете достаточно информации чтобы внести ясность в этот вопрос. Далее кратко изложено то что было найдено о происхождении обозначений и их применении. Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот. Такое обозначение не совсем корректно, так как микросхемы состоят из комплементарных пар транзисторов. Тем не менее, это традиционное устоявшее обозначение для цепей питания независимо от типа проводимости используемых транзисторов.

Подробнее о ШИМ контроллерах

Автоматическая регулировка уровня звука увеличение при увеличении скорости автомобиля более современное применяется а магнитолах PIONEER DEH R функция компрессии звука, магнитола имеет измерительный микрофон. Если посадить на массу то возможен просмотр видео при движении. Каждый человек увлекающийся электроникой сталкивается с материалами иностранного происхождения. И будь то схема электронного устройства или спецификация на чип, там могут встречаться множество различных обозначений цепей питания, которые вполне могут ввести в замешательство начинающего или незнакомого с этой темой радиолюбителя.

Автор опровергает распространенное заблуждение, будто чтение радиосхем и их использование при ремонте бытовой аппаратуры доступно лишь подготовленным специалистам. Большое количество иллюстраций и примеров, живой и доступный язык изложения делают книгу полезной для читателей с начальным уровнем знания радиотехники.

Подсистема питания в микроконтроллере

Микросхемы для импульсных источников питания SMPS выпускает большое число компаний, что нередко не позволяет разработчикам сделать осознанный выбор конкретных типов микросхем при разработке импульсных источников питания. Для некоторого прояснения ситуации автором был проведен анализ применяемости микросхем в источниках питания бытовой аппаратуры и офисной техники Panasonic. В результате анализа сервисной документации нескольких десятков моделей DVD-проигрывателей и рекордеров фирмы выяснилось, что в их импульсных источниках питания в основном используются микросхемы нескольких определенных производителей, либо они построены на дискретных компонентах. Из практики ремонта известно, что выход из строя микросхем SMPS — наиболее распространенная причина отказов техники. Panasonic выпускает бытовую аппаратуру миллионными тиражами, и надежность источников питания для нее должна быть на высоком уровне.

Please turn JavaScript on and reload the page.

Кроме того, в статье демонстрируется, как, меняя расположение компонентов, можно уменьшить петлю протекания мощных высокочастотных токов. Разработка электронных схем подобна строительству многоэтажных зданий в сейсмоопасных районах. В обоих случаях функциональность и долговечность немыслимы без хорошего фундамента. Идеальный источник питания преобразует поступающий в жилые дома и производственные цеха переменный ток AC в необходимый для работы электроники постоянный ток DC. В идеальном мире в постоянном токе нет ни шумов, ни пульсаций, ни гармоник переменного тока. Вдобавок, в таком мире земля, являющаяся началом отсчета для всей системы питания постоянного тока, непорочно чиста. Став инженерами, мы быстро узнаем, что наш мир весьма далек от совершенства.

Обозначают их в даташитах и на схемах следующими сокращениями (Рис. алфавита сразу следует буква «D», значит Vcc и VDD относятся к одной и . Это не означает, что МК с диапазоном В не будет работать при.

Vcc на схеме это что.

Используя наш сайт, вы подтверждаете, что прочитали и поняли политику о куки , политику конфиденциальности и пользовательское соглашение. Stack Overflow на русском — это сайт вопросов и ответов для программистов. Регистрация займёт не больше минуты. Попадалось множество принципиальных электрических схем, на устройствах, подключаемых к компьютеру, где Vcc и Vdd взаимозаменяемы.

ГОСТ 2.743-91 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Элементы цифровой техники

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Условно Графические обозначения на электрических схемах

Регистрация Вход. Ответы Mail. Вопросы — лидеры Перестал работать Mi band 4 1 ставка. Роботы уничтожат ваши рабочие места? А разве понятие «эфир» можно всерьёз рассматривать в электронике? Задача по физике 1 ставка.

Поиск новых сообщений в разделах Все новые сообщения Компьютерный форум Электроника и самоделки Софт и программы Общетематический. Помогите разобраться в схеме радиоуправления.

Схемы начинаются с питания. Основы компоновки и трассировки плат импульсных источников питания

К выводу — подключается — источника питания. Вход Регистрация. Вопросы Без ответов Теги Пользователи Задать вопрос. Сайт «Электронщики» — скорая помощь для радиолюбителей. Здесь вы можете задавать вопросы и получать на них ответы от других пользователей. Грамотно отвечайте, голосуйте, задавайте вопросы и т.

Подписаться на ленту

By t-serg , December 7, in Начинающим. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. TxD — вывод даных; RxD ввод даных; Vcc — питалово ;Reset — сброс ; GND — корпус ; Vdd — питалово отдельное , остальное хрен знает , надо конкретнее указывать что вы хотите.

Схема, принцип работы, характеристики биполярных транзисторов

Особенности устройства биполярного транзистора

Биполярный транзистор включает в себя три области:

• эмиттер;
• базу – очень тонкую, которая изготавливается из слаболегированного полупроводника, сопротивление этой области высокое;
• коллектор – его область больше по размерам, чем область эмиттера.

К каждой области припаяны металлоконтакты, служащие для подсоединения прибора в электроцепь.

Электропроводность коллектора и эмиттера одинакова и противоположна электропроводности базы. В соответствии с видом проводимости областей, различают p-n-p или n-p-n приборы. Устройства являются несимметричными из-за разницы в площади контакта – между эмиттером и базой она значительно ниже, чем между базой и коллектором. Поэтому К и Э поменять местами путем смены полярности невозможно.

ВРемонт.su — ремонт фото видео аппаратуры, бытовой техники, обзор и анализ рынка сферы услуг

Принцип работы биполярного транзистора

Этот тип транзистора имеет два перехода:

• электронно-дырочный между эмиттером и базой – эмиттерный;
• между коллектором и базой – коллекторный.

Дистанция между переходами маленькая. Для высокочастотных деталей она составляет менее 10 мкм, для низкочастотных – до 50 мкм. Для активации прибора на него подают напряжение от стороннего ИП. Принцип действия биполярных транзисторов с p-n-p и n-p-n переходами одинаков. Переходы могут функционировать в прямом и обратном направлениях, что определяется полярностью подаваемого напряжения.

Режимы работы биполярных транзисторов

Режим отсечки

Переходы закрыты, прибор не работает. Этот режим получают при обратном подключении к внешним источникам. Через оба перехода протекают обратные малые коллекторные и эмиттерные токи. Часто считается, что прибор в этом режиме разрывает цепь.

Активный инверсный режим

Является промежуточным. Переход Б-К открыт, а эмиттер-база – закрыт. Ток базы в этом случае значительно меньше токов Э и К. Усиливающие характеристики биполярного транзистора в этом случае отсутствуют. Этот режим востребован мало.

Режим насыщения

Прибор полностью открыт. Оба перехода подключаются к источникам тока в прямом направлении. При этом снижается потенциальный барьер, ограничивающий проникновение носителей заряда. Через эмиттер и коллектор начинают проходить токи, которые называют «токами насыщения».

Принцип действия транзистора

В активном режиме работы, транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении. Для определённости рассмотрим npn транзистор, все рассуждения повторяются абсолютно аналогично для случая pnp транзистора, с заменой слова «электроны» на «дырки», и наоборот, а также с заменой всех напряжений на противоположные по знаку.

В npn транзисторе электроны, основные носители тока в эмиттере проходят через открытый переход эмиттер-база в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе (дырками), часть диффундирует обратно в эмиттер.

Однако, из-за того что базу делают очень тонкой и очень слабо легированной, большая часть электронов, инжектированная из эмиттера диффундирует в область коллектора. Сильное электрическое поле обратно смещённого коллекторного перехода захватывает электроны (напомним, что они неосновные носители в базе, поэтому для них переход открыт), и проносит их в коллектор. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы (Iэ=Iб+Iк).

Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора (Iк=α Iэ) называется коэффициентом передачи тока эмиттера. Численное значение коэффициента α 0.9 — 0.999, чем больше коэффициент, тем лучше транзистор. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер.

В широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β=α/(1-α)=(10-1000). Т.о. изменяя малый ток базы можно управлять значительно большим током коллектора.

Биполярный транзистор – электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, предназначенный для усиления, преобразования и генерации электрических сигналов. Вся конструкция выполняется на пластине кремния, либо германия, либо другого полупроводника, в которой созданы три области с различными типами электропроводности.

Будет интересно➡ SMD транзисторы

Средняя область называется базой, одна из крайних областей – эмиттером, другая – коллектором. Соответственно в транзисторе два p-n-перехода: эмиттерный – между базой и эмиттером и коллекторный – между базой и коллектором.

Область базы должна быть очень тонкой, гораздо тоньше эмиттерной и коллекторной областей (на рисунке это показано непропорционально). От этого зависит условие хорошей работы транзистора. Транзистор работает в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах.

При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном – обратное. В режиме отсечки на оба перехода подано обратное напряжение. Если на эти переходы подать прямое напряжение, то транзистор будет работать в режиме насыщения.

Типы биполярных транзисторов.

Схемы включения биполярных транзисторов

В зависимости от контакта, на который подается источник питания, различают 3 схемы включения приборов.

С общим эмиттером

Эта схема включения биполярных транзисторов обеспечивает наибольшее увеличение вольтамперных характеристик (ВАХ), поэтому является самой востребованной. Минус такого варианта – ухудшение усилительных свойств прибора при повышении частоты и температуры. Это означает, что для высокочастотных транзисторов рекомендуется подобрать другую схему.

С общей базой

Применяется для работы на высоких частотах. Уровень шумов снижен, усиление не очень велико. Каскады приборов, собранные по такой схеме, востребованы в антенных усилителях. Недостаток варианта – необходимость в двух источниках питания.

С общим коллектором

Для такого варианта характерна передача входного сигнала обратно на вход, что существенно уменьшает его уровень. Коэффициент усиления по току – высокий, по напряжению – небольшой, что является минусом этого способа. Схема приемлема для каскадов приборов в случаях, если источник входного сигнала обладает высоким входным сопротивлением.

Физические процессы

Возьмем транзистор типа n-p-n в режиме без нагрузки, когда подключены только два источника постоянных питающих напряжений E1 и E2. На эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном – обратное. Соответственно, сопротивление эмиттерного перехода мало и для получения нормального тока достаточно напряжения E1 в десятые доли вольта. Сопротивление коллекторного перехода велико и напряжение E2 составляет обычно десятки вольт.

Соответственно, как и раньше, темные маленькие кружки со стрелками – электроны, красные – дырки, большие кружки – положительно и отрицательно заряженные атомы доноров и акцепторов. Вольт-амперная характеристика эмиттерного перехода представляет собой характеристику полупроводникового диода при прямом токе, а вольт-амперная характеристика коллекторного перехода подобна ВАХ диода при обратном токе.

Принцип работы транзистора заключается в следующем. Прямое напряжение эмиттерного перехода uб-э влияет на токи эмиттера и коллектора и чем оно выше, тем эти токи больше. Изменения тока коллектора при этом лишь незначительно меньше изменений тока эмиттера. Получается, что напряжение на переходе база-эмиттер, т. е. входное напряжение, управляет током коллектора. На этом явлении основано усиление электрических колебаний с помощью транзистора. Основные биполярные транзисторы приведены в таблице ниже.

Таблица характеристик биполярных транзисторов.

При увеличении прямого входного напряжения uб-э понижается потенциальный барьер в эмиттерном переходе и, соответственно, возрастает ток через этот переход iэ. Электроны этого тока инжектируются из эмиттера в базу и благодаря диффузии проникают сквозь базу в коллекторный переход, увеличивая ток коллектора.Поскольку коллекторный переход работает при обратном напряжении, то в этом переходе возникают объемные заряды (на рисунке большие кружки). Между ними возникает электрическое поле, которое способствует продвижению (экстракции) через коллекторный переход электронов, пришедших сюда из эмиттера, т. е. втягивают электроны в область коллекторного перехода.

Если толщина базы достаточно мала и концентрация дырок в ней невелика, то большинство электронов, пройдя через базу, не успевает рекомбинировать с дырками базы и достигает коллекторного перехода. Лишь небольшая часть электронов рекомбинирует в базе с дырками. В результате этого возникает ток базы.

Ток база является бесполезным и даже вредным. Желательно, чтобы он был как можно меньше. Именно поэтому базовую область делают очень тонкой и уменьшают в ней концентрацию дырок. Тогда меньшее число электронов будет рекомбинировать с дырками и, повторюсь, ток базы будет незначительным.

Когда к эмиттерному переходу не приложено напряжение, можно считать, что в этом переходе тока нет. Тогда область коллекторного перехода имеет значительное сопротивление постоянному току, поскольку основные носители зарядов удаляются от этого перехода и по обе границы создаются области, обедненные этими носителями. Через коллекторный переход протекает очень небольшой обратный ток, вызванный перемещением навстречу друг другу неосновных носителей.

Будет интересно➡ Что такое NTC термисторы

Если же под действием входного напряжения возникает значительный ток эмиттера, то в базу со стороны эмиттера инжектируются электроны, для данной области являющиеся неосновными носителями. Они доходят до коллекторного перехода не успевая рекомбинировать с дырками при прохождении через базу.

Чем больше ток эмиттера, тем больше электронов приходит к коллектору, тем меньше становится его сопротивление, следовательно, ток коллектора увеличивается. Аналогичные явления происходят в транзисторе типа p-n-p, надо только местами поменять электроны и дырки, а также полярность источников E1 и E2.

Помимо рассмотренных процессов существует еще ряд явлений. Рассмотрим модуляцию толщины базы.При повышении напряжения на коллекторном переходе в нем происходит лавинное размножение заряда, обусловленное в основном ударной ионизацией.

Это явление и туннельный эффект могут вызвать электрический пробой, который при возрастании тока может перейти в тепловой пробой. Все происходит также, как у диодов, но в транзисторе при чрезмерном коллекторном токе тепловой пробой может наступить без предварительного электрического пробоя.

Тепловой пробой может наступить без повышения коллекторного напряжения до пробивного. При изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах изменяется их толщина, в результате чего изменяется толщина базы.

Особенно важно учитывать напряжение коллектор-база, поскольку при этом толщина коллектора возрастает, толщина базы уменьшается. При очень тонкой базе может возникнуть эффект смыкания (так называемый “прокол” базы) – соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает и транзистор перестает нормально работать.

При увеличении инжекции носителей из эмиттера в базу происходит накопление неосновных носителей заряда в базе, т. е. увеличение концентрации и суммарного заряда этих носителей. А вот при уменьшении инжекции происходит уменьшение концентрации и суммарного заряда этих самых носителей в базе и сей процесс обозвали рассасыванием неосновных носителей зарядов в базе.

И напоследок одно правило: при эксплуатации транзисторов запрещается разрывать цепь базы, если не включено питание цепи коллектора. Надо также включать питание цепи базы, а потом цепи коллектора, но не наоборот.

Схема устройства транзистора.

Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех чередующихся областей полупроводника с различным типом проводимости (р-п-р или п-р-п) с выводом от каждой области. Рассмотрим работу транзистора n-р-n-типа. Чередующиеся области образуют два р-п-перехода база–эмиттер (БЭ) и база–коллектор (БК).

К переходу БЭ прикладывают прямое напряжение EБЭ, под действием которого электроны n-области эмиттера устремляются в базу, создавая ток эмиттера. Концентрацию примесей в эмиттере делают во много раз больше, чем в базе, а саму базу по возможности тоньше. Поэтому лишь незначительная часть (1–5%) испущенных эмиттером электронов рекомбинирует с дырками базы.

Большая же часть электронов, миновав узкую (доли микрона) область базы, “собирается” коллекторным напряжением Ек, представляющим обратное напряжение для перехода БК, и, устремляясь к плюсу внешнего источника Eк, создает коллекторный ток, протекающий по нагрузке Rн. Электроны, рекомбинировавшие с дырками базы, составляют ток базы IБ.

Ток коллектора, таким образом, определяется током эмиттера за вычетом тока базы. Аналогично работает транзистор р-n-р-типа, отличаясь лишь тем, что его эмиттер испускает в базу не электроны, а дырки, поэтому полярности прикладываемых к нему прямого UЭБ и обратного Ек напряжений должны быть противоположны транзистору п-р-п-типа.

Важное по теме. Как прозвонить транзистор.

На условном обозначении транзисторов стрелка ставится на эмиттере и направлена всегда от р-области к n-области. На рис. 1.8, б приведено условное обозначение транзистора п-р-п, а на рис. 1.9, б – р-п-р. Кружок вокруг транзистора означает, что транзистор изготовлен в самостоятельном корпусе, а отсутствие кружка – что транзистор выполнен заодно с другими элементами на пластинке полупроводника интегральной микросхемы.

Будет интересно➡ Что такое транзистор

Стрелку эмиттера удобно рассматривать как указатель полярности прямого напряжения, приложенного между базой и эмиттером, которое “открывает” (подобно выпрямительному диоду) транзистор. При использовании транзистора в электронных устройствах нужны два вывода для входного сигнала и два – для выходного.

Так как у транзистора всего лишь три вывода, один из них должен быть общим, принадлежащим одновременно и к входной, и к выходной цепи. Возможны три варианта схем включения транзисторов – с общей базой, общим эмиттером и с общим коллектором.

Переход в биполярном транзисторе.

Схема с общей базой

Схема включения транзистора с общей базой (ОБ) показана на рис. 1.10. Входным сигналом для схемы с ОБ является напряжение, поданное между эмиттером и базой UBX = = UЭБ; выходным – напряжение, выделяемое на нагрузке Uвых = IкRн; входным током – ток эмиттера Iвх = IЭ; выходным током – ток коллектора Iвых = Iк.

Входное напряжение UЭБ является управляющим для транзистора, поэтому небольшое его изменение (па доли вольт) приводит к изменению тока эмиттера в очень широких пределах – практически от нуля до максимального. Максимальный ток определяется назначением транзистора (маломощные, средней мощности и большой мощности) и соответствующей конструкцией.

Так как напряжение UΚБ является обратным, величина напряжения внешнего источника Ек может в десятки раз превышать значение напряжения UЭБ. Падение напряжения, выделяемого на нагрузке, будет тем больше, чем больше ток коллектора, при этом на самом транзисторе будет падать лишь небольшое напряжение UКБ, которое будет тем меньше, чем больше ток коллектора.

Таким образом, изменение на доли вольт входного напряжения приводит к изменению напряжения на нагрузке, чуть меньшего, чем напряжение Ек. Это положение определяет усилительные свойства транзистора.

Для оценки работы транзистора и его усилительных свойств в различных схемах включения рассматривают приращения входных и вызванные ими приращения выходных величин. Рассматривая транзистор как усилитель, принято характеризовать его свойства коэффициентами усиления и значением входного сопротивления. Различают три вида коэффициентов усиления:

• • коэффициент усиления по току КI = ΔIвых /ΔIвх;
• • коэффициент усиления по напряжению КU = ΔUвых/ΔUвх;
• • коэффициент усиления по мощности КР = КI • КU.

Отношение изменения входного напряжения к изменению входного тока: Rвх = ΔUвх/ΔIвх. Входное сопротивление любого усилителя приводит к искажению входного сигнала. Любой реальный источник сигнала обладает некоторым внутренним сопротивлением, и при подключении его к усилителю образуется делитель напряжения, состоящий из внутреннего сопротивления источника и входного сопротивления усилителя.

Поэтому чем выше входное сопротивление усилителя, тем большая часть сигнала будет выделяться на этом сопротивлении и усиливаться и тем меньшая его часть будет падать на внутреннем сопротивлении самого источника. Таким образом, КРБ тоже определяется соотношением сопротивлений. Так как коэффициент усиления схемы с ОБ по току КIБ оказывается меньше единицы, она применения не нашла.

Между простой переключающей схемой и линейным усилителем на транзисторе имеется очевидное различие. В нормально работающем линейном усилителе коллекторный ток всегда прямо пропорционален базовому току. В переключающей схеме, такой как на рис. 1., коллекторный ток определяется, главным образом, напряжением питания VCC и сопротивлением нагрузки RL. Режим насыщения транзистора является достаточно важным и заслуживает подробного обсуждения. Рис. 1. Иллюстрация режима насыщения. Транзистор действует как ключ для включения лампы. Рассмотрим, что происходит с коллекторным током в схеме на рис. 1, если базовый ток постепенно увеличивается, начиная от нуля. Когда ключ S1 разомкнут, базовый ток не течет и ток коллектора ничтожно мал. Замыкание S1 приводит к появлению тока базы IB = VCC/RB, где мы пренебрегли разностью потенциалов на переходе база-эмиттер. Ток коллектора, протекающий по нагрузке RL, равен IC=hFEVCC/RB. Для конкретной схемы, приведенной на рисунке, при hFE = 100 и при максимальном значении RB (50 кОм) получим: IC=100×10/5000 А=20 мА Падение напряжения на RL определяется произведением RLIC и в нашем случае равно 50 х 0,02 = 1 В. Транзистор при этом находится в линейном режиме; уменьшение RB приводит к увеличению тока базы, увеличению тока коллектора и, следовательно, к увеличению падения напряжения на RL. В этих условиях схема могла бы быть использована как усилитель напряжения. Теперь рассмотрим случай, когда RB=hFERL и ток базы равен IB=VCC/RB=VCC/(hFERL) Следовательно, коллекторный ток равен IC=(hFEVCC)/(hFERL)=VCC/RL С точки зрения нагрузки транзистор ведет себя как пара контактов ключа. Из закона Ома следует, что ток нагрузки в этой ситуации не может превышать величины VCC/RL. Поэтому дальнейшее увеличение тока базы не может увеличить ток коллектора, который определяется теперь только сопротивлением нагрузки и напряжением питания. Транзистор находится в насыщении. На практике при насыщении транзистора между коллектором и эмиттером всегда остается небольшое напряжение, обычно обозначаемое VCE(sat). Как правило, оно меньше 1 В и может доходить до 0,1 B y транзисторов, специально предназначенных для работы в качестве ключей. Обычно VCE(sat) уменьшается по мере того, как через переход база-эмиттер течет все больший ток, то есть в случае, когда отношение тока коллектора IC к току базы IB становится значительно меньше, чем коэффициент усиления тока транзистора hFE. Грубо говоря, глубокое насыщение (малое значение VCE(sat)) имеет место, когда IC/IB < hFE/5 Для схемы типа той, какая показана на рис. 1, когда ток базы задается просто подключением резистора к источнику питания, мы выбираем RB/RL < hFE/5 Следовательно, для схемы на рис. 1, принимая типичное для транзистора 2N3053 (аналог КТ630Б — см. аналоги отечественных и зарубежных транзисторов) значение коэффициента усиления тока hFE = 150, имеем RB/RL < 150/5 = 30. Следовательно, при RL = 50 Ом мы выбираем RB < 30 х 50 Ом = 1,5 кОм. Итак, если в качестве нагрузки используется лампа с сопротивлением 50 Ом, то для ее эффективного включения нам следует выбрать сопротивление базового резистора меньше 1,5 кОм. Если это невозможно, когда, например, в качестве RB используется фоторезистор с минимальным сопротивлением 10 кОм, то следует воспользоваться схемой Дарлингтона, чтобы увеличить коэффициент усиления тока. Если биполярный транзистор работает с током коллектора, близким к максимальному, и нужно поддержать напряжение VCE(sat) на уровне долей вольта, то из-за уменьшения hFE может понадобиться базовый ток больше, чем Iс/10. Возможно покажется неожиданным, что VCE(sat) может быть много меньше, чем напряжение VBE, которое у кремниевого транзистора равно примерно 0,6 В. Происходит это потому, что в режиме насыщения переход коллектор-база смещен в прямом направлении. Следовательно, мы имеем два р-n перехода, смещенных в прямом направлении, включенных навстречу друг другу так, что падения напряжения на них взаимно компенсируются. Эта способность биполярного транзистора иметь в режиме насыщения очень маленькое падение напряжения между коллектором и эмиттером, делает его весьма полезным переключающим прибором. Многие из наиболее важных применений электроники, включая обширную область цифровой электроники, используют переключающие схемы. В режиме переключений транзистор работает либо с фактически нулевым током коллектора (транзистор выключен) или с фактически нулевым напряжением на коллекторе (транзистор включен). В обоих случаях мощность, рассеиваемая на транзисторе, очень мала. Значительная мощность рассеивается только в то время, когда происходит переключение: в это время и напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора имеют конечные значения. Маломощный транзистор, такой как 2N3053, с максимально допустимой рассеиваемой мощностью менее одного ватта, может переключать мощность в нагрузке в несколько ватт. Следует обратить внимание на то, что максимальные значения коллекторного напряжения и тока не должны выходить за допустимые пределы; кроме того, желательно осуществлять переключения возможно быстрее, чтобы избежать рассеяния чрезмерно большой мощности.

Что означает стрелка на VCC в цепи смещения BJT?

спросил 7 лет, 5 месяцев назад

Изменено 7 лет, 5 месяцев назад

Просмотрено 3к раз

\$\начало группы\$

Вверху на VCC есть стрелки. Что это значит?

Я думал, что это будет как в других схемах, как пустые отверстия, которые можно было бы прикрепить, но здесь я не уверен.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Стрелки не имеют особого значения. Традиционные символы, используемые на схемах, включают использование стрелки в качестве символа подключения источника питания.

Если вы осмотритесь, то заметите, что на схемах используется множество различных символов для подключения источника питания. Существуют также различные способы маркировки соответствующей шины напряжения. Вот пример некоторых распространенных типов. Обратите внимание, что в моем примере нет особого соответствия между типом метки и используемым символом. Это ни в коем случае не исчерпывающий список, и вы можете найти и другие варианты использования.

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

Эти символы просто обозначают источник напряжения. Стрелка является обычным представлением, но другие типичные представления включают в себя полосы, круги или просто метку.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Эта стрелка, указывающая вверх, является просто условным обозначением: «Я подключаю сюда источник положительного напряжения». На самом деле вы можете найти схемы, где есть только стрелка, а не метка: если у вас есть только один источник питания, это достаточно ясно.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Стрелка просто символ для обозначения этого узла VCC.

В Schematics вы можете иметь более одного VDC в вашей цепи, и вы можете использовать различные символы для обозначения каждого из них.

В этом документе вы можете видеть, что некоторые символы для документов схем, которые не являются компонентами, например символ земли, имеют некоторые символы. Это тот, который также имеет более одного символа.

\$\конечная группа\$

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

терминология — Различные термины для обозначения напряжения

спросил 8 лет, 3 месяца назад

Изменено 8 лет, 3 месяца назад

Просмотрено 6к раз

\$\начало группы\$

Я пытаюсь разобраться с некоторыми электрическими схемами, с которыми сталкиваюсь, пытаясь вернуться к электронике и созданию электронных устройств. Я столкнулся с рядом терминов для напряжения, и я не уверен, что все они означают, поэтому я надеялся, что кто-нибудь сможет мне их объяснить. Вот они вместе с тем, что, как мне кажется, они означают (если я думаю, что знаю):

• Vpp (пиковая мощность напряжения?)
• Вп
• Вкк
• ВК
• Вр
• Вдд
• Ви
• Ва
• Вт
• V0 или 0V (Отрицательный или общий «терминал», источник с самым низким потенциалом?)

Существуют также общие обозначения Vin и Vout, которые говорят сами за себя. Я также видел индикаторы положительного и отрицательного напряжения в цепях переменного тока, но это также говорит само за себя.

Являются ли некоторые из них просто контекстно-зависимыми, со значениями действительными только в рамках данной схемы? Все ли они широко используются?

• напряжение
• терминология

\$\конечная группа\$

2

\$\начало группы\$

Как было предложено другими ответами, большая часть этого в любом случае довольно произвольна

• Vpp : размах напряжения (для сигналов переменного тока), исторически это также использовалось для напряжения программирования для EEPROM или флэш-памяти ( особенно те устройства, которые не генерировали собственное напряжение программирования на кристалле).
• Vp : пиковое напряжение (опять же, для переменного тока) относительно заземления системы или 0 В . Может также использоваться для подтягивающих напряжений (которые также могут быть Vpu ).
• Vcc : положительный источник питания для многих микросхем, традиционно это относится к микросхемам на основе BJT, где «cc» относится к коллекторам встроенных транзисторов. Часто это соответствовало отрицательному источнику питания Vee («ее» относится к эмиттерам транзисторов).
• Vc : Напряжение коллектора для BJT, аналогично Ve , Vb также можно использовать для эмиттера и базы, а Vs , Vd и Vg можно использовать для истока, стока и затвора. полевых транзисторов.
• Vr : обратное напряжение, особенно применительно к диодам. Вы также можете встретить Vz , используемый для обозначения напряжения стабилитрона. Vf используется для индикации прямого падения напряжения на диоде.
• Vdd : положительный источник питания для многих микросхем, традиционно это относится к микросхемам на основе полевых транзисторов (NMOS, PMOS, CMOS), а «dd» относится к стокам встроенных полевых транзисторов. Часто это соответствовало отрицательному источнику питания, Vss («ss» относится к источникам полевых транзисторов).
• Vi : входное напряжение.
• Va : используется для обозначения точки внутреннего аналогового напряжения.
• Vt : Может использоваться для эквивалентного напряжения Thevenin или, как предложено WhatRoughBeast, для порогового напряжения (например, для компаратора или аналогичного устройства) или терминирующего напряжения (также известного как Втт в случае памяти типа DDR=).
• Vo : Выходное напряжение для операционных усилителей и т.п.
• 0V : Нулевое напряжение, не путать с Vo , относится к заземлению системы. Также
• Vhsys : может использоваться для напряжения гистерезиса схемы компаратора.

\$\конечная группа\$

2

\$\начало группы\$

Большая часть этих обозначений будет произвольной. Однако Vdd и Vcc обычно относятся к вашему отрицательному и положительному питанию соответственно (некоторые устройства требуют такой конфигурации, например, операционный усилитель).

Vpp на самом деле представляет собой размах напряжения, который имеет значение, когда речь идет об изменяющихся во времени сигналах напряжения или пульсациях выходного напряжения (например, импульсных сигналах или синусоидах).

Vo обычно читается как Voltage-Out и, как правило, является интересующим напряжением, если оно помечено как таковое.

\$\конечная группа\$

2

\$\начало группы\$

Объяснения Шеррелбека мне кажутся приемлемыми.